JP2000183036A - Method and device for removing resist - Google Patents

Method and device for removing resist

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JP2000183036A
JP2000183036A JP35242698A JP35242698A JP2000183036A JP 2000183036 A JP2000183036 A JP 2000183036A JP 35242698 A JP35242698 A JP 35242698A JP 35242698 A JP35242698 A JP 35242698A JP 2000183036 A JP2000183036 A JP 2000183036A
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JP
Japan
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resist pattern
wafer
resist
tape
peeling
Prior art date
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Pending
Application number
JP35242698A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Yamamoto
雅之 山本
Akira Namikawa
亮 並河
Hideshi Toyoda
英志 豊田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for removing a resist, wherein a resist pattern on an article is surely peeled and removed using an adhesive tape. SOLUTION: By etching in a pre-etching process, a least-adhesive layer having poor affinity with respect to the adhesive agent of an adhesive tape is formed uniformly on the surface of a resist pattern on a wafer W. A transfer unit 15 carries the wafer W out of a cassette C1 with a robot arm 14 and inserts it in a pre-process unit 3. In the pre-process unit 3, the wafer W is irradiated with ultraviolet rays for decomposition and modification of the least adhesive layer on the surface of resist pattern, enhancing the affinity to adhesive agent of the adhesive tape. The wafer W is carried to a resist removal part 2 by the transfer unit 15. At the resist removal part 2, the adhesive tape is pasted/ peeled from the wafer W, so that a resist pattern on the wafer W is surely peeled and removed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
エハ、各種プリント基板、各種マスクなどの微細加工物
品の製造におけるエッチング後の物品のレジストパター
ンを粘着テープによって剥離除去するレジスト除去方法
及びその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for removing resist by using an adhesive tape to remove a resist pattern of an etched article in the production of microfabricated articles such as semiconductor wafers, various printed boards and various masks. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、例えば半導体ウエハ上に形成され
た酸化膜(SiO2)や窒化膜(Si3N4) 等にパターンニングを
施す際には、ウエハ上に所定のレジストパターンを形成
した後に、そのレジストパターンから露出する酸化膜や
窒化膜を、C2F6,CF4などの反応ガスによりエッチングを
行う方法が採用されている。エッチング後には、半導体
ウエハ上に形成されたレジストパターンは不要となるの
で、そのレジストパターンを除去するために、O2などの
反応ガスによってプラズマアッシングが行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, when patterning an oxide film (SiO 2 ) or a nitride film (Si 3 N 4 ) formed on a semiconductor wafer, for example, a predetermined resist pattern is formed on the wafer. Later, a method is employed in which an oxide film or a nitride film exposed from the resist pattern is etched with a reactive gas such as C 2 F 6 or CF 4 . After the etching, the resist pattern formed on the semiconductor wafer becomes unnecessary. Therefore, in order to remove the resist pattern, plasma ashing is performed with a reactive gas such as O 2 .

【0003】しかし、上述したプラズマアッシングによ
るレジストパターンの除去処理は、その処理に長時間を
要し、また、その処理中にレジストに含まれる不純物が
半導体ウエハに注入されてしまうという問題があった。
そこで、この問題を解決すべく、粘着テープを半導体ウ
エハ上のレジストパターンの表面に貼付けた後に、その
粘着テープを半導体ウエハから剥離することで、レジス
トパターンを半導体ウエハ上から剥離除去するレジスト
除去方法が提案実施されている。
[0003] However, the above-described resist pattern removal processing by plasma ashing requires a long time, and the impurities contained in the resist are injected into the semiconductor wafer during the processing. .
Therefore, in order to solve this problem, a resist removal method of peeling and removing the resist pattern from the semiconductor wafer by attaching the adhesive tape to the surface of the resist pattern on the semiconductor wafer and then peeling the adhesive tape from the semiconductor wafer. Has been implemented.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。前工程であるエッチング時において、半導体ウエ
ハ上のレジストパターンの表面に、反応ガスのF(フッ
素)やCF(フロン)などのFを含んだ成分が入り込む
ことにより、レジストパターンの表面に粘着テープの粘
着剤との親和性の悪い難粘着層が不均一に形成される。
この難粘着層が不均一に形成されたレジストパターンの
表面に粘着テープを貼付けると、貼付け面内において、
粘着テープとレジストパターンとの粘着強度にムラが生
じる。この状態で、粘着テープを引き剥がして半導体ウ
エハ上のレジストパターンを剥離除去すると、粘着テー
プとの粘着強度の部分のレジストパターンが、半導体ウ
エハ上から剥離除去されずに残留してしまうという問題
がある。
However, the prior art having such a structure has the following problems. At the time of etching, which is a pre-process, a component containing F such as F (fluorine) or CF (fluorocarbon) of a reactive gas enters the surface of the resist pattern on the semiconductor wafer, so that the surface of the resist tape has an adhesive tape. The hardly adherent layer having poor affinity with the adhesive is formed unevenly.
When a pressure-sensitive adhesive tape is stuck on the surface of the resist pattern in which the hardly-adhesive layer is unevenly formed, in the stuck surface,
Unevenness occurs in the adhesive strength between the adhesive tape and the resist pattern. In this state, when the adhesive tape is peeled off and the resist pattern on the semiconductor wafer is peeled off, there is a problem that the resist pattern of the adhesive strength portion with the adhesive tape remains without being peeled off from the semiconductor wafer. is there.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、粘着テープによって物品上のレジスト
パターンを確実に剥離除去することができるレジスト除
去方法及びその装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a resist removing method and a resist removing method capable of reliably removing and removing a resist pattern on an article by using an adhesive tape. And

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、エッチング後の物品上の
レジストパターンを粘着テープによって剥離除去するレ
ジスト除去方法であって、前記エッチング時の反応ガス
によって物品上のレジストパターンの表面に生成された
難粘着層を改質・分解して、前記粘着テープの粘着剤と
の親和性を高める過程と、前記難粘着層が改質・分解さ
れた物品上のレジストパターンの表面に前記粘着テープ
を貼付ける過程と、前記貼付けられた粘着テープを前記
物品から剥離して、レジストパターンを物品上から剥離
除去する過程とを備えることを特徴とするものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, the invention according to claim 1 is a method for removing a resist pattern on an article after etching with an adhesive tape, wherein the resist pattern is formed on the surface of the resist pattern on the article by a reactive gas at the time of etching. Modifying and decomposing the hard adhesive layer, and increasing the affinity of the adhesive tape with the adhesive, and applying the adhesive tape to the surface of the resist pattern on the article where the hard adhesive layer has been modified and decomposed. The method further comprises a step of attaching, and a step of peeling off the adhered adhesive tape from the article and peeling and removing the resist pattern from the article.

【0007】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
のレジスト剥離方法において、前記難粘着層は、フッ素
系デポ層であり、前記難粘着層を改質・分解する過程
は、前記フッ素系デポ層が形成されたエッチング後の物
品上のレジストパターンの表面に紫外線を照射する過程
である。
According to a second aspect of the present invention, in the method for removing a resist according to the first aspect, the hard-adhesive layer is a fluorine-based depot layer, and the step of modifying and decomposing the hard-adhesive layer includes the step of: This is a step of irradiating the surface of the resist pattern on the etched article on which the fluorine-based deposit layer is formed with ultraviolet rays.

【0008】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
のレジスト剥離方法において、前記難粘着層は、フッ素
系デポ層であり、前記難粘着層を改質・分解する過程
は、前記フッ素性デポ層が形成されたエッチング後の物
品上のレジストパターンの表面を加湿する過程である。
According to a third aspect of the present invention, in the method for removing a resist according to the first aspect, the hard-adhesive layer is a fluorine-based depot layer, and the step of modifying and decomposing the hard-adhesive layer includes the step of: This is a process of humidifying the surface of the resist pattern on the etched article on which the fluorodeposit layer has been formed.

【0009】請求項4に記載の発明は、エッチング後の
物品上のレジストパターンを粘着テープによって剥離除
去するレジスト除去装置であって、前記エッチング時の
反応ガスによって物品上のレジストパターンの表面に形
成された難粘着層を改質・分解して、前記粘着テープの
粘着剤との親和性を高める改質・分解手段と、前記難粘
着層が改質・分解された物品上のレジストパターンの表
面に前記粘着テープを貼付けるテープ貼付け手段と、前
記貼付けられた粘着テープを前記物品から剥離して、レ
ジストパターンを物品から剥離除去するテープ剥離手段
とを備えることを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a resist removing apparatus for removing a resist pattern on an article after etching with an adhesive tape, wherein the resist pattern is formed on a surface of the resist pattern on the article by a reaction gas at the time of etching. A modifying / decomposing means for modifying / decomposing the hard-adhesive layer, thereby enhancing the affinity of the pressure-sensitive adhesive tape with the pressure-sensitive adhesive; and a surface of a resist pattern on the article on which the hard-adhesive layer has been modified / decomposed. And a tape peeling means for peeling off the pressure-sensitive adhesive tape from the article and peeling and removing the resist pattern from the article.

【0010】請求項5に記載の発明は、請求項4に記載
のレジスト剥離装置において、前記難粘着層は、フッ素
系デポ層であり、前記改質・分解手段は、前記エッチン
グ後の物品上のレジストパターンの表面に紫外線を照射
する紫外線照射手段である。
According to a fifth aspect of the present invention, in the resist stripping apparatus according to the fourth aspect, the hard-adhesive layer is a fluorine-based deposit layer, and the modifying / decomposing means is provided on the article after the etching. UV irradiation means for irradiating the surface of the resist pattern with UV light.

【0011】請求項6に記載の発明は、請求項4に記載
のレジスト剥離装置において、前記難粘着層は、フッ素
系デポ層であり、前記難粘着層改質・分解手段は、前記
エッチング後の物品上のレジストパターンの表面を加湿
する加湿手段である。
According to a sixth aspect of the present invention, in the resist stripping apparatus according to the fourth aspect, the hard-adhesive layer is a fluorine-based depot layer, and the means for modifying / decomposing the hard-adhesive layer is provided after the etching. Humidifying means for humidifying the surface of the resist pattern on the article.

【0012】[0012]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。前工程におけるエッチングによって、物品上のレジ
ストパターンの表面には、粘着テープの粘着剤との親和
性が悪い難粘着層が形成される。その形成された難粘着
層を改質・分解して、粘着テープの粘着剤との親和性を
高める。難粘着層が改質・分解されたレジストパターン
の表面に粘着テープを貼付ける。このようにして貼付け
られた粘着テープと、レジストパターンとは、その貼付
け面内で略均一な粘着強度が確保される。その貼付けた
粘着テープを物品から引き剥がすと、引き剥がされる粘
着テープとともに、物品上のレジストパターンが確実に
剥離除去される。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. By the etching in the previous step, a hard-to-adhere layer having poor affinity with the adhesive of the adhesive tape is formed on the surface of the resist pattern on the article. The formed adhesive layer is modified and decomposed to increase the affinity of the adhesive tape with the adhesive. An adhesive tape is attached to the surface of the resist pattern in which the hard adhesive layer has been modified and decomposed. The pressure-sensitive adhesive tape and the resist pattern adhered in this manner ensure substantially uniform adhesive strength in the surface to which the adhesive tape is adhered. When the adhered adhesive tape is peeled off from the article, the resist pattern on the article is reliably peeled off together with the adhesive tape to be peeled off.

【0013】請求項2に記載の発明によれば、エッチン
グ後の物品上のレジストパターンの表面に紫外線を照射
する。この紫外線の照射によって、エッチング時の反応
ガスによってレジストパターンの表面に形成されたフッ
素系デポ層が改質・分解されて、そのフッ素系デポ層が
形成されていた部分において粘着テープの粘着剤との親
和性が高まる。その結果、粘着テープによって、物品上
のレジストパターンが確実に剥離除去される。
According to the second aspect of the present invention, the surface of the resist pattern on the article after the etching is irradiated with ultraviolet rays. By the irradiation of the ultraviolet rays, the fluorine-based depo layer formed on the surface of the resist pattern is modified and decomposed by the reaction gas at the time of etching, and the adhesive of the pressure-sensitive adhesive tape is formed at the portion where the fluorine-based depo layer was formed. Affinity increases. As a result, the resist pattern on the article is reliably removed and removed by the adhesive tape.

【0014】請求項3に記載の発明によれば、エッチン
グ後の物品上のレジストパターンの表面を加湿する。こ
の加湿によって、エッチング時の反応ガスによってレジ
ストパターンの表面に形成されたフッ素系デポ層が改質
・分解されて、そのフッ素系デポ層が形成されていた部
分における粘着テープの粘着剤との親和性が高まる。そ
の結果、粘着テープによって、物品上のレジストパター
ンが確実に剥離除去される。
According to the third aspect of the present invention, the surface of the resist pattern on the article after the etching is humidified. This humidification modifies and decomposes the fluorine-based deposit layer formed on the surface of the resist pattern by the reaction gas during etching, and the affinity of the adhesive tape with the adhesive of the adhesive tape at the portion where the fluorine-based deposit layer was formed. The nature increases. As a result, the resist pattern on the article is reliably removed and removed by the adhesive tape.

【0015】請求項4に記載の発明の作用は次のとおり
である。前工程におけるエッチングによって、物品上の
レジストパターンの表面には、粘着テープの粘着剤との
親和性が悪い難粘着層が形成される。改質・分解手段
は、その難粘着層を改質・分解して、粘着テープの粘着
剤との親和性を高める。テープ貼付け手段は、難粘着層
が改質・分解されたレジストパターンの表面に粘着テー
プを貼付けるので、その貼付け面においては略均一な粘
着強度で貼付けることができる。テープ剥離手段は、粘
着テープを物品から引き剥がす。この引き剥がしによっ
て、物品上からレジストパターンが確実に剥離除去され
る。
The operation of the invention described in claim 4 is as follows. By the etching in the previous step, a hard-to-adhere layer having poor affinity with the adhesive of the adhesive tape is formed on the surface of the resist pattern on the article. The reforming / decomposing means modifies and decomposes the hard adhesive layer to increase the affinity of the adhesive tape with the adhesive. Since the tape sticking means sticks the adhesive tape to the surface of the resist pattern in which the hardly-adhesive layer has been modified and decomposed, it can be stuck on the sticking surface with substantially uniform adhesive strength. The tape peeling means peels off the adhesive tape from the article. By this peeling, the resist pattern is reliably peeled off from the article.

【0016】請求項5に記載の発明によれば、紫外線照
射手段は、エッチング後の物品上のレージストパターン
の表面に紫外線を照射する。これにより、エッチング時
の反応ガスによってレジストパターンの表面に形成され
たフッ素系デポ層を改質・分解して、粘着テープの粘着
剤との親和性を高める。
According to the fifth aspect of the present invention, the ultraviolet irradiation means irradiates the surface of the ragged pattern on the article after etching with ultraviolet light. Thereby, the fluorine-based deposition layer formed on the surface of the resist pattern is modified and decomposed by the reaction gas at the time of etching, and the affinity of the pressure-sensitive adhesive tape with the pressure-sensitive adhesive is increased.

【0017】請求項6に記載の発明によれば、加湿手段
は、エッチング後の物品上のレージストパターンの表面
を加湿する。これにより、エッチング時の反応ガスによ
ってレジストパターンの表面に形成されたフッ素系デポ
層を改質・分解して、粘着テープの粘着剤との親和性を
高める。
According to the invention described in claim 6, the humidifying means humidifies the surface of the ragged pattern on the article after the etching. Thereby, the fluorine-based deposition layer formed on the surface of the resist pattern is modified and decomposed by the reaction gas at the time of etching, and the affinity of the pressure-sensitive adhesive tape with the pressure-sensitive adhesive is increased.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。実施例に係る装置の全体構成を図
1,図2を参照して説明する。図1は装置の概略を示す
全体平面図であり、図2は、その全体正面図である。な
お、図2は、説明の便宜上、後述する基壁19を透かし
て描いている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. An overall configuration of an apparatus according to an embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an overall plan view schematically showing the apparatus, and FIG. 2 is an overall front view thereof. FIG. 2 shows a base wall 19 to be described later in a see-through manner for convenience of explanation.

【0019】以下の理解を容易にするため、本実施例に
係るレジスト除去装置およびウエハWについて簡単に説
明する。本実施例に係るレジスト除去装置は、粘着テー
プによって半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」)
上に形成されたレジストパターンを剥離除去する装置で
ある。このレジスト除去装置でレジストパターンを剥離
除去するウエハWは、前工程であるエッチングによる副
産物である難粘着層がレジストパターンの表面に形成さ
れたものである。具体的には、ウエハW上に生成された
酸化膜(SiO2)や窒化膜(Si3N4) 等にパターンニングを施
すために、そのウエハWの表面にレジストパターンが形
成される。さらに、反応ガス(例えば、CF4,C2F6等)に
より、ウエハW上の酸化膜等をエッチングする。このと
き、ウエハW上のレジストパターンの表面には、エッチ
ング用の反応ガスの成分であるF(フッ素)やCF(フ
ロン)などのを含む成分が入り込むことにより、粘着テ
ープの粘着剤との親和性の悪い難粘着層、例えばフッ素
系デポ層が不均一に形成される。ここで、フッ素系デポ
層とは、元素記号「F」を含んだ層をいい、例えば、
「CF」などのフロン系も含まれる。このフッ素系デポ
層が形成されたレジストパターンをウエハWから確実に
剥離除去するために、本実施例のレジスト除去装置が構
成される。
In order to facilitate the following understanding, a resist removing apparatus and a wafer W according to the present embodiment will be briefly described. The resist removing apparatus according to the present embodiment uses a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”) with an adhesive tape.
This is an apparatus for peeling off and removing the resist pattern formed thereon. The wafer W from which the resist pattern is peeled and removed by the resist removing apparatus has a hard-adhesion layer, which is a by-product of etching in the previous step, formed on the surface of the resist pattern. Specifically, a resist pattern is formed on the surface of the wafer W in order to pattern the oxide film (SiO 2 ), the nitride film (Si 3 N 4 ), and the like formed on the wafer W. Further, an oxide film or the like on the wafer W is etched by a reaction gas (for example, CF 4 , C 2 F 6 or the like). At this time, a component containing a reactive gas component for etching, such as F (fluorine) or CF (fluorocarbon), enters the surface of the resist pattern on the wafer W, so that the affinity for the adhesive of the adhesive tape with the adhesive is obtained. A poorly-adhesive layer having poor properties, for example, a fluorine-based deposition layer is formed unevenly. Here, the fluorine-based deposition layer refers to a layer containing the element symbol “F”, for example,
Fluorocarbons such as “CF” are also included. In order to reliably remove and remove the resist pattern on which the fluorine-based deposit layer has been formed from the wafer W, the resist removing apparatus of the present embodiment is configured.

【0020】図1に示すように、本実施例に係るレジス
ト除去装置は、大別して、レジストパターンに覆われた
エッチング後のウエハWや、レジストパターンが剥離除
去された後のウエハWを搬送したり、フッ素系デポ層を
含むレジストパターンに覆われたウエハWに前処理を行
うための搬送/前処理部1と、ウエハWに対して粘着テ
ープを貼付/剥離することで、ウエハW上のレジストパ
ターンを剥離除去するレジスト除去部2とを備えてお
り、搬送/前処理部1とレジスト除去部2とは、相互に
ウエハWの受渡しを可能にする長孔19a(図2参照)
が設けられた基壁19を隔てた基台10上に配設されて
いる。なお、レジスト除去部2は、本発明に係るテープ
貼付け手段およびテープ剥離手段に相当する。
As shown in FIG. 1, the resist removing apparatus according to the present embodiment transports a wafer W after etching, which is covered with a resist pattern, and a wafer W after the resist pattern is peeled off. Or a transfer / pre-processing unit 1 for performing pre-processing on a wafer W covered with a resist pattern including a fluorine-based deposit layer, and attaching / detaching an adhesive tape to / from the wafer W to form a wafer W A resist removing section 2 for peeling and removing the resist pattern is provided. The transport / pre-processing section 1 and the resist removing section 2 are elongated holes 19a (see FIG. 2) which enable the transfer of the wafer W to each other.
Are provided on the base 10 across the base wall 19 provided with the base. The resist removing unit 2 corresponds to a tape attaching unit and a tape removing unit according to the present invention.

【0021】以下、搬送/前処理部1の構成について説
明した後、レジスト除去部2の構成について説明する。
Hereinafter, the structure of the transport / pre-processing unit 1 will be described, and then the structure of the resist removing unit 2 will be described.

【0022】搬送/前処理部1は、レジストパターンに
覆われたエッチング後のウエハWが積層収納された第1
カセットC1が装填される第1カセットステージ11
と、第1カセットC1から搬出されたウエハWに前処理
を行う前処理ユニット3と、レジスト除去部2に搬入す
る前にウエハWの位置合わせを行うアライメントステー
ジ12と、レジスト除去部2によってレジストパターン
が剥離除去されたウエハWを積層収納する第2カセット
C2が装填される第2カセットステージ13と、屈伸回
動してウエハWの搬送を行うロボットアーム14を備え
る搬送ユニット15とを備えている。
The transfer / pre-processing unit 1 is a first storage unit in which the etched wafers W covered with the resist pattern are stacked and stored.
First cassette stage 11 on which cassette C1 is loaded
A pre-processing unit 3 for performing pre-processing on the wafers W unloaded from the first cassette C1, an alignment stage 12 for positioning the wafers W before being loaded into the resist removing unit 2, and a resist removing unit 2 A second cassette stage 13 in which a second cassette C2 for stacking and storing wafers W from which patterns have been removed is loaded, and a transfer unit 15 having a robot arm 14 for transferring the wafer W by bending and stretching. I have.

【0023】第1カセットステージ11は、図1に示す
ように、搬送/前処理部1の基台10の手前側右寄りに
設置されている。この第1カセットステージ11は、回
動可能に設置された回転台16を備え、レジストパター
ンで覆われた表面を上向きにした水平姿勢でウエハWを
積層収納する第1カセットC1が回転台16に取外し可
能に装着される。第1カセットC1を回転台16に装填
した後、そのウエハ搬出口C1aが搬送ユニット15と
向かい合うように、回転台16が回動される。
As shown in FIG. 1, the first cassette stage 11 is installed on the right side in front of the base 10 of the transport / pre-processing unit 1. The first cassette stage 11 includes a turntable 16 rotatably installed, and a first cassette C1 for stacking and storing wafers W in a horizontal posture with the surface covered with the resist pattern facing upward is mounted on the turntable 16. Removably attached. After the first cassette C1 is loaded on the turntable 16, the turntable 16 is rotated so that the wafer carry-out port C1a faces the transfer unit 15.

【0024】上記の第1カセットステージ11と同様に
構成された第2カセットステージ13は、基台10の手
前側左寄りに設置されており、回転台17上に空の第2
カセットC2が装填されると、そのウエハ搬入口C2a
が搬送ユニット15と向かい合うように、回転台17が
回動される。
The second cassette stage 13 constructed in the same manner as the first cassette stage 11 is installed on the left side in front of the base 10, and the second
When the cassette C2 is loaded, its wafer loading port C2a
The turntable 17 is rotated such that the.

【0025】前処理ユニット3は、第2カセットステー
ジ13の奥側に設置されており、第1カセットC1から
搬出されたウエハW上のレジストパターンの表面に形成
されたフッ素系デポ層を改質・分解して、後述するレジ
スト除去部2で利用される粘着テープの粘着剤との親和
性を高める処理を行うものである。この前処理ユニット
3について、図3を参照しながら詳細に説明する。
The pre-processing unit 3 is installed on the back side of the second cassette stage 13 and modifies the fluorine-based deposition layer formed on the surface of the resist pattern on the wafer W unloaded from the first cassette C1. The process of disassembling and increasing the affinity of the pressure-sensitive adhesive tape for use in the resist removing section 2 described later with the pressure-sensitive adhesive. The pre-processing unit 3 will be described in detail with reference to FIG.

【0026】図3に示すように、前処理ユニット3は、
ほぼ密閉された空間を形成する筐体33と、筐体33の
開口面を開閉するシャッター34と、シャッター34を
ロッド35を介して昇降動作させるエアシリンダ36
と、筐体33内に搬入されたウエハWを吸着保持するチ
ャック37と、チャック37を軸芯回りに回転させる回
転機構38と、チャック37に保持されたウエハWに紫
外線を照射する改質・分解用紫外線照射ユニット39と
を備えている。なお、改質・分解用紫外線照射ユニット
39は、本発明における紫外線照射手段に相当する。
As shown in FIG. 3, the pre-processing unit 3
A housing 33 that forms a substantially closed space, a shutter 34 that opens and closes an opening surface of the housing 33, and an air cylinder 36 that moves the shutter 34 up and down through a rod 35
And a chuck 37 for sucking and holding the wafer W carried into the housing 33, a rotating mechanism 38 for rotating the chuck 37 around the axis, and a reforming / irradiating apparatus for irradiating the wafer W held by the chuck 37 with ultraviolet rays. And an ultraviolet irradiation unit 39 for decomposition. The reforming / decomposing ultraviolet irradiation unit 39 corresponds to the ultraviolet irradiation means in the present invention.

【0027】シャッター34は、エアシリンダ36に備
えるロッド35に連結接続されている。シャッター34
は、エアシリンダ36によってロッド35が伸縮駆動さ
れると、その伸縮駆動に伴って昇降動作する。この昇降
動作によって、筐体33に設けられた開口面を開閉す
る。
The shutter 34 is connected to a rod 35 provided on the air cylinder 36. Shutter 34
When the rod 35 is driven to expand and contract by the air cylinder 36, the rod 35 moves up and down with the expansion and contraction. With this elevating operation, the opening surface provided in the housing 33 is opened and closed.

【0028】チャック37は、図示しない真空排気ライ
ンに接続されており、チャック37上に載置されたウエ
ハWを吸着保持する。
The chuck 37 is connected to a vacuum evacuation line (not shown), and holds the wafer W mounted on the chuck 37 by suction.

【0029】回転機構38は、チャック37に連結接続
された回転軸38aと、回転軸38aに固設されたプー
リ38bと、電動モータ38eと、電動モータ38eの
軸芯に固設されたプーリ38dと、プーリ38bとプー
リ38dとを連動可能に掛け渡す無端状ベルト38cと
を備えており、回転機構38は、後述する改質・分解用
紫外線照射ユニット39からの紫外線照射時に、電動モ
ータ38eを回転駆動させることによって、プーリ38
dを回転させ、その回転力を無端状ベルト38cを介し
てプーリ38bに伝えることによりチャック37を回転
させる。
The rotating mechanism 38 includes a rotating shaft 38a connected and connected to the chuck 37, a pulley 38b fixed to the rotating shaft 38a, an electric motor 38e, and a pulley 38d fixed to the shaft of the electric motor 38e. And an endless belt 38c that wraps the pulley 38b and the pulley 38d in an interlockable manner. The rotating mechanism 38 controls the electric motor 38e when irradiating ultraviolet rays from a reforming / decomposing ultraviolet irradiation unit 39 described later. The pulley 38 is driven by rotation.
The chuck 37 is rotated by rotating d and transmitting the torque to the pulley 38b via the endless belt 38c.

【0030】改質・分解用紫外線照射ユニット39は、
筐体33の天井部に取付けられており、その内部に紫外
線ランプ39aを備えている。その紫外線ランプ39a
から発せられた紫外線光は、改質・分解用紫外線照射ユ
ニット39の下面に設けられた赤外線カットフィルター
39bを介して、筐体33の天井面からその内部に入射
する。赤外線カットフィルター39bは、紫外線ランプ
39aからの紫外線光に含まれる赤外線波長成分を取り
除く。これによって、筐体33内に入射する紫外線光に
よって、チャック37に吸着保持されるウエハWが加熱
されるのを防止する。
The reforming / decomposing ultraviolet irradiation unit 39 includes:
It is mounted on the ceiling of the housing 33 and has an ultraviolet lamp 39a inside. The UV lamp 39a
Is emitted from the ceiling surface of the housing 33 into the inside thereof through an infrared cut filter 39b provided on the lower surface of the reforming / decomposing ultraviolet irradiation unit 39. The infrared cut filter 39b removes infrared wavelength components contained in ultraviolet light from the ultraviolet lamp 39a. This prevents the wafer W sucked and held by the chuck 37 from being heated by the ultraviolet light incident into the housing 33.

【0031】アライメントステージ12は、第1カセッ
トステージ11の奥側に配設されており、搬送/前処理
ユニット1からレジスト除去部2へウエハWを渡す前
に、ウエハWのオリエンテーションフラットやノッチ等
を光学的に検出することにより、ウエハWの位置合わせ
を行うものである。
The alignment stage 12 is disposed on the back side of the first cassette stage 11 and, before the wafer W is transferred from the transfer / pre-processing unit 1 to the resist removing section 2, an orientation flat or notch of the wafer W is provided. Is optically detected to align the position of the wafer W.

【0032】搬送ユニット15は、基台10の略中央部
分に位置し、昇降機構18(図2参照)によって昇降駆
動されるアームベース18aに屈曲回動可能なロボット
アーム14を搭載して構成されている。ロボットアーム
14は、第1カセットステージ11の第1カセットC1
内に積層収納された各ウエハWをその下面から支持して
取り出すために、その先端が薄板状に形成されている。
この搬送ユニット15は、搬送/前処理部1におけるウ
エハWの搬送を行うものである。具体的には、搬送ユニ
ット15は、第1カセットC1から取り出さしたウエハ
Wを前処理ユニット3へ、前処理ユニット3からアライ
メントステージ12へ、アライメントステージ12から
レジスト除去部2へ搬送し、さらに、レジスト除去部2
から受け取ったレジストパターンが剥離除去されたウエ
ハWを、第2カセットステージ13の第2カセットC2
内へ順に積層収納する。
The transport unit 15 is located substantially at the center of the base 10 and is constructed by mounting a robot arm 14 that can be bent and rotated on an arm base 18a that is driven up and down by a lifting mechanism 18 (see FIG. 2). ing. The robot arm 14 is connected to the first cassette C1 of the first cassette stage 11.
In order to support and take out the wafers W stacked and housed therein from the lower surface thereof, the tips are formed in a thin plate shape.
The transfer unit 15 transfers the wafer W in the transfer / pre-processing unit 1. Specifically, the transport unit 15 transports the wafer W taken out of the first cassette C1 to the pre-processing unit 3, from the pre-processing unit 3 to the alignment stage 12, from the alignment stage 12 to the resist removing unit 2, and further, Resist remover 2
The wafer W from which the resist pattern has been stripped and removed from the second cassette C2 of the second cassette stage 13
Laminate and store in order.

【0033】以下、レジスト除去部2の構成について説
明する。レジスト除去部2は、テープロール20に巻か
れた粘着テープTを供給するテープ供給部4と、粘着テ
ープTをウエハWに貼付ける際にそのウエハWを保持す
る貼付けテーブル30および、ウエハWから粘着テープ
Tを剥離する際にそのウエハWを保持する剥離テーブル
31を一体的に移動させる貼付/剥離テーブル部5と、
貼付テーブル30上に保持されたウエハWの表面に粘着
テープTを貼付けるテープ貼付ユニット60および、剥
離テーブル31上に保持されたウエハWの表面から粘着
テープTを剥離するテープ剥離ユニット61を各々独立
して移動させるテープ貼付/剥離ユニット部6と、ウエ
ハWの表面から剥離された粘着テープTを回収するテー
プ回収部7とを備えている。
Hereinafter, the configuration of the resist removing section 2 will be described. The resist removing unit 2 includes a tape supply unit 4 that supplies an adhesive tape T wound around a tape roll 20, an attaching table 30 that holds the wafer W when the adhesive tape T is attached to the wafer W, and a wafer W. A sticking / peeling table unit 5 for integrally moving a peeling table 31 holding the wafer W when the adhesive tape T is peeled;
A tape sticking unit 60 for sticking the adhesive tape T on the surface of the wafer W held on the sticking table 30 and a tape peeling unit 61 for peeling the adhesive tape T from the surface of the wafer W held on the peeling table 31 The apparatus includes a tape attaching / peeling unit 6 that is moved independently, and a tape collecting unit 7 that collects the adhesive tape T peeled off from the surface of the wafer W.

【0034】テープ供給部4は、図2に示すように、基
壁19の右側背面部分に位置し、帯状のセパレータSに
紫外線硬化型の粘着テープTを貼り合わせてこれを巻回
したテープロール20を、基壁19に回転可能に水平設
置された回転軸21に挿嵌して構成されている。テープ
ロール20の斜め下には、固定ローラ22とこの固定ロ
ーラ22に揺動付勢された挟持ローラ23が並設されて
いる。これらのローラ22,23の左方には、粘着テー
プTからセパレータSを剥離する剥離ローラ24が、水
平軸心a点周りに揺動するアーム25の先端に片持ち支
持されている。この剥離ローラ24の揺動によって、テ
ープロール20から導出し挟持ローラ23を迂回させた
粘着テープTのテンションを常に一定に保ちながら粘着
テープTを送り出して、後述するテープ貼付ユニット6
0へ供給するように構成されている。テープロール20
の下方には、剥離ローラ23で鋭角状に折り返されて剥
離されたセパレータSを巻き取るセパレータ回収ロール
26が、基壁19に水平設置された回転軸27に挿嵌さ
れている。この回転軸27は図示しないモータに連動連
結され、セパレータSを巻取り駆動することによって粘
着テープTを送り出し、テープ貼付ユニット60へ供給
するようになっている。また、セパレータ回収ロール2
6の左側手前には、剥離ローラ23からセパレータ回収
ロール26の間でセパレータSを案内支持する固定ロー
ラ28が並設されている。
As shown in FIG. 2, the tape supply section 4 is located on the right back side of the base wall 19, and is a tape roll formed by laminating an ultraviolet-curable adhesive tape T on a strip-shaped separator S and winding it. 20 is configured by being inserted into a rotating shaft 21 that is horizontally installed rotatably on the base wall 19. Below the tape roll 20, a fixed roller 22 and a sandwiching roller 23 oscillated and biased by the fixed roller 22 are arranged side by side. On the left side of these rollers 22, 23, a peeling roller 24 for peeling the separator S from the adhesive tape T is cantilevered at the tip of an arm 25 swinging around a point a on the horizontal axis. By the swing of the peeling roller 24, the adhesive tape T is sent out while always keeping the tension of the adhesive tape T drawn out of the tape roll 20 and bypassing the sandwiching roller 23 constant, and the tape sticking unit 6 described later.
0. Tape roll 20
A separator collecting roll 26 that winds up the separator S that has been sharply folded by the peeling roller 23 and peeled off is inserted into a rotary shaft 27 that is horizontally installed on the base wall 19. The rotating shaft 27 is connected to a motor (not shown) in an interlocking manner, and feeds the adhesive tape T by winding and driving the separator S, and supplies the adhesive tape T to the tape attaching unit 60. In addition, separator collection roll 2
A fixed roller 28 for guiding and supporting the separator S between the peeling roller 23 and the separator collecting roll 26 is provided in front of the left side of 6.

【0035】さらに、図4を参照しながら貼付/剥離テ
ーブル部5の構造を説明する。図4は、貼付/剥離テー
ブル部5の正面図である。貼付/剥離テーブル部5は、
貼付テーブル30と、剥離テーブル31と、貼付テーブ
ル30を貼付・剥離処理位置Aと待機位置Bとの間で昇
降移動させる貼付テーブル昇降駆動機構40と、剥離テ
ーブル31を貼付/剥離処理位置Aと待機位置Bとの間
で昇降移動させる剥離テーブル昇降駆動機構41と、貼
付テーブル30と剥離テーブル31とを一体に第1処理
位置Cと第2処理位置Dの間で水平移動させる貼付/剥
離テーブル水平駆動機構50とを備えて構成されてい
る。なお、貼付/剥離処理位置Aは、貼付テーブル30
と剥離テーブル31とが後述するエアシリンダ42,4
3の伸張作動によって上昇した位置である。待機位置B
は、貼付テーブル30と剥離テーブル31とがエアシリ
ンダ42,43の収縮作動によって下降した位置であ
る。第1処理位置Cは、図1に示す貼付テーブル30の
位置である。第2処理位置Dは、図1に実線で示す剥離
テーブル31の位置である。
Further, the structure of the sticking / peeling table section 5 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a front view of the sticking / peeling table section 5. The sticking / peeling table section 5
A pasting table 30, a peeling table 31, a pasting table elevating drive mechanism 40 for moving the pasting table 30 up and down between a pasting / peeling processing position A and a standby position B, and a pasting / peeling processing position A A peeling table elevating drive mechanism 41 that moves up and down between the standby position B and a sticking / peeling table that horizontally moves the sticking table 30 and the peeling table 31 integrally between the first processing position C and the second processing position D A horizontal drive mechanism 50 is provided. The sticking / peeling processing position A is set at the sticking table 30.
And the release table 31 are connected to air cylinders 42, 4 described later.
3 is a position raised by the extension operation. Standby position B
Is a position where the attaching table 30 and the peeling table 31 are lowered by the contraction operation of the air cylinders 42 and 43. The first processing position C is a position of the sticking table 30 shown in FIG. The second processing position D is a position of the peeling table 31 indicated by a solid line in FIG.

【0036】貼付/剥離テーブル水平駆動機構50は、
基壁19の後方に並設されたベース板53に、水平に架
設された螺軸54と、螺軸54に連結してこれを回動駆
動させるモータ55と、螺軸54に並設された前後一対
のスライドレール56と、このスライドレール56に沿
って摺動可能で、螺軸54に螺合貫通された左右一対の
可動部材57,58とで構成されている。
The sticking / peeling table horizontal drive mechanism 50 includes:
A screw shaft 54 laid horizontally on a base plate 53 juxtaposed behind the base wall 19, a motor 55 connected to the screw shaft 54 to rotate the screw shaft 54, and a screw shaft 54. It is composed of a pair of front and rear slide rails 56 and a pair of left and right movable members 57 and 58 slidable along the slide rails 56 and threaded through the screw shaft 54.

【0037】この可動部材57,58にはそれぞれエア
シリンダ42,43が配備されており、エアシリンダ4
2のロッド先端には貼付テーブル30が、エアシリンダ
43のロッド先端には剥離テーブル31が、それぞれ水
平に設置固定されている。このエアシリンダ42を含む
部分は、上述の貼付テーブル昇降駆動機構40に、エア
シリンダ43を含む部分は、上述の剥離テーブル昇降駆
動機構41に、それぞれ相当する。また、上記のモータ
55によって、貼付テーブル30が第1処理位置Cと第
2処理位置Dの間を往復するように、第2処理位置Dの
左側にはスライドスペースがあり、貼付テーブル30と
剥離テーブル31とが一体的に水平駆動される。
The movable members 57 and 58 are provided with air cylinders 42 and 43, respectively.
The sticking table 30 is horizontally fixed to the rod end of the second rod, and the peeling table 31 is horizontally fixed to the rod end of the air cylinder 43. The part including the air cylinder 42 corresponds to the above-described sticking table elevating drive mechanism 40, and the part including the air cylinder 43 corresponds to the above-described peeling table elevating drive mechanism 41. Also, there is a slide space on the left side of the second processing position D, so that the application table 30 reciprocates between the first processing position C and the second processing position D by the motor 55. The table 31 is horizontally driven integrally.

【0038】貼付テーブル30の中央部分には、ウエハ
Wを昇降移動させる吸着パッド44が、剥離テーブル3
1の中央部分には、ウエハWを昇降移動させる吸着パッ
ド45が図示しないエアシリンダを介して各々埋設され
ている。さらに、貼付テーブル30には図示しないヒー
ターが内蔵されており、通常約80〜150℃に加熱さ
れる。このヒーターの加熱によって貼付テーブル30に
吸着保持されたウエハW上に貼付けられた粘着テープT
の粘着剤が軟化して、レジストパターンの凹凸内部に粘
着剤が流れ込み、レジストパターンと粘着剤との接着面
積が増大される。
At the center of the attaching table 30, a suction pad 44 for moving the wafer W up and down is provided.
A suction pad 45 for moving the wafer W up and down is buried in the central portion of the device 1 via an air cylinder (not shown). Further, a heater (not shown) is built in the sticking table 30, and is usually heated to about 80 to 150 ° C. The adhesive tape T stuck on the wafer W sucked and held on the sticking table 30 by the heating of the heater
Is softened, the pressure-sensitive adhesive flows into the unevenness of the resist pattern, and the adhesion area between the resist pattern and the pressure-sensitive adhesive is increased.

【0039】剥離テーブル31の上方位置には、紫外線
ランプ46等を含む紫外線発生装置47と、剥離テーブ
ル31上に下降移動し剥離テーブル31の外方への紫外
線の漏洩を防ぐフード48とからなる硬化用紫外線照射
ユニット49が基壁19に配設されている(図2参
照)。紫外線をウエハWに照射することによって、紫外
線硬化型の粘着テープTの粘着剤を硬化させてレジスト
パターンとの密着強度の増大が図られる。
Above the peeling table 31, there are an ultraviolet generating device 47 including an ultraviolet lamp 46 and the like, and a hood 48 which moves down on the peeling table 31 and prevents the ultraviolet rays from leaking outside the peeling table 31. A curing ultraviolet irradiation unit 49 is provided on the base wall 19 (see FIG. 2). By irradiating the wafer W with ultraviolet rays, the adhesive of the ultraviolet-curable adhesive tape T is cured, and the adhesion strength to the resist pattern is increased.

【0040】図1,図2および図5を参照しながらテー
プ貼付/剥離ユニット部6の構造を説明する。図5はテ
ープ貼付/剥離ユニット部6の正面図である。テープ貼
付/剥離ユニット部6は、貼付テーブル30上のウエハ
Wに粘着テープTを貼付けるテープ貼付ユニット60
と、剥離テーブル31上のウエハWから粘着テープTと
ともにレジストパターンを剥離除去するテープ剥離ユニ
ット61を貼付開始位置p1 と貼付終了位置p2 との間
で水平移動させ、かつ、テープ剥離ユニット61を剥離
開始位置h1 と剥離終了位置h2 との間で水平移動させ
るテープ貼付ユニット水平駆動機構70と、テープ貼付
ユニット水平駆動機構70と同様に構成されるテープ剥
離ユニット水平駆動機構71とを備えている。なお、貼
付開始位置p1 は、貼付テーブル30の左端に貼付ロー
ラ80が在る位置であり、貼付終了位置p2 は、貼付テ
ーブル31の右端に貼付ローラ80が在る位置である。
また、剥離開始位置h1 は、剥離テーブル31の左端に
剥離ローラ91が在る位置であり、剥離終了位置h
2 は、剥離テーブル31の右端に剥離ローラ91が在る
位置である。
The structure of the tape attaching / peeling unit 6 will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 5. FIG. 5 is a front view of the tape attaching / peeling unit 6. The tape application / peeling unit 6 is a tape application unit 60 for applying the adhesive tape T to the wafer W on the application table 30.
When the resist pattern together with the adhesive tape T from the wafer W on the separation table 31 is horizontally moved between the tape peeling unit 61 to the joining start position p 1 and the sticking end position p 2 to separate and remove, and tape peeling unit 61 a tape sticking unit horizontal driving mechanism 70 for horizontally moving between the peeling start position h 1 and a release end position h 2, and a tape sticking unit horizontal drive mechanism 70 and similarly configured tape peeling unit horizontal drive mechanism 71 Have. The sticking start position p 1 is a position where the sticking roller 80 is located at the left end of the sticking table 30, and the sticking end position p 2 is a position where the sticking roller 80 is located at the right end of the sticking table 31.
Further, the peeling start position h 1 is a position where the peel roller 91 located on the left end of the separator table 31, the peeling end position h
Reference numeral 2 denotes a position where the peeling roller 91 is located at the right end of the peeling table 31.

【0041】テープ貼付ユニット水平駆動機構70およ
びテープ剥離ユニット水平駆動機構71は、前記貼付/
剥離テーブル部5のベース板53の後方に並設されたベ
ース板63に架設され、かつ、ベース板63の中央部分
で二分割された螺軸64,65と、螺軸64,65に各
々連結してこれを回動駆動させるモータ66,67と、
螺軸64,65に並設された前後一対のスライドレール
68と、このスライドレール68に沿って摺動可能で、
螺軸64,65に各々螺合貫通された可動部材72,7
3とから構成されている。そして、この可動部材72,
73の縦壁72a,73aにはテープ貼付ユニット60
およびテープ剥離ユニット61がそれぞれ水平前方に延
出して設けられている。
The tape attaching unit horizontal drive mechanism 70 and the tape peeling unit horizontal drive mechanism 71
Screw shafts 64, 65 laid on a base plate 63 juxtaposed behind the base plate 53 of the peeling table unit 5 and divided into two parts at the center of the base plate 63, and are respectively connected to the screw shafts 64, 65. And motors 66 and 67 for rotating this,
A pair of front and rear slide rails 68 arranged side by side on the screw shafts 64 and 65, and slidable along the slide rails 68;
Movable members 72, 7 screwed through screw shafts 64, 65, respectively.
And 3. Then, the movable member 72,
The tape attaching unit 60 is attached to the 73 vertical walls 72a and 73a.
And a tape peeling unit 61 are provided to extend horizontally forward.

【0042】テープ貼付ユニット60には、図1に示す
ように、可動部材72の縦壁72aと、この縦壁72a
に対向する前方位置の支持壁75との間に支持固定され
た2本の支持ロッド76,77が設けられている。そし
て、この支持ロッド76の両端部分に、その基端が回転
自在に軸支された前後一対の揺動部材78,79が配備
され、この揺動部材78,79の遊端間に貼付ローラ8
0が回転自在に枢支されている。また、縦壁72aの背
面および支持壁75の前面に配備されたエアシリンダ8
1,82のロッドがそれぞれ揺動部材78,79の遊端
に連結され、このエアシリンダ81,82の伸縮作動に
よって、揺動壁78,79を介して貼付ローラ80が支
持ロッド76周りに上下に揺動するように構成されてい
る。
As shown in FIG. 1, the tape attaching unit 60 includes a vertical wall 72a of the movable member 72 and a vertical wall 72a.
There are provided two support rods 76 and 77 supported and fixed between the support wall 75 and a support wall 75 at the front position facing the support rod 75. A pair of front and rear swing members 78 and 79 whose base ends are rotatably supported at the both ends of the support rod 76 are provided, and a sticking roller 8 is provided between the free ends of the swing members 78 and 79.
0 is rotatably supported. Further, an air cylinder 8 provided on the back surface of the vertical wall 72a and the front surface of the support wall 75 is provided.
The rods 1 and 82 are connected to the free ends of the swing members 78 and 79, respectively, and the sticking roller 80 moves up and down around the support rod 76 via the swing walls 78 and 79 by the expansion and contraction of the air cylinders 81 and 82. It is configured to swing.

【0043】テープ剥離ユニット61には、前記可動部
材73の縦壁73aと、この縦壁73aに対向する前方
位置の支持壁83との間に支持固定された左右一対の支
持ロッド84,85が設けられている。そして、この支
持ロッド84の両端部分に、その基端が回転自在に軸支
された前後一対の揺動部材86,87が配備され、この
揺動部材86,87の遊端間に挟持ローラ88が回転自
在に枢支されている。さらに、揺動部材86,87の内
側には、支持ロッド84にその基端が軸支固定された前
後一対の支持部材89,90が配備され、この支持部材
89,90の遊端間に剥離ローラ91が回転可能に枢支
されている。また、縦壁73aの背面および支持壁83
の前面に設置されたエアシリンダ92,93のロッドが
それぞれ揺動部材86,87の遊端に連結され、このエ
アシリンダ92,93の伸縮作動によって、揺動部材8
6,87を介して挟持ローラ88が支持ロッド84周り
に上下に揺動されて、粘着テープTを剥離ローラ91と
この挟持ローラ88との間で挟持あるいはそれを解除す
るように構成されている。そして、揺動部材86の背面
に設置されたモータ94に挟持ローラ88が連動連結さ
れ、この挟持ローラ88と剥離ローラ91との間で挟持
した粘着テープTを送り出すように構成されている。
The tape peeling unit 61 has a pair of left and right support rods 84 and 85 supported and fixed between a vertical wall 73a of the movable member 73 and a support wall 83 at a front position facing the vertical wall 73a. Is provided. A pair of front and rear swing members 86 and 87 whose base ends are rotatably supported at the both ends of the support rod 84 are provided, and a holding roller 88 is provided between the free ends of the swing members 86 and 87. Are rotatably supported. Further, a pair of front and rear support members 89 and 90 whose base ends are pivotally fixed to the support rod 84 are provided inside the swing members 86 and 87, and are separated between the free ends of the support members 89 and 90. A roller 91 is rotatably supported. The back of the vertical wall 73a and the support wall 83
The rods of the air cylinders 92 and 93 installed on the front surface of the swinging members 86 and 87 are connected to the free ends of the swinging members 86 and 87, respectively.
The pinching roller 88 is swung up and down around the support rod 84 via the pins 6 and 87 to pinch or release the adhesive tape T between the peeling roller 91 and the pinching roller 88. . A holding roller 88 is connected to a motor 94 provided on the back surface of the swinging member 86 in an interlocking manner, and is configured to feed out the adhesive tape T held between the holding roller 88 and the peeling roller 91.

【0044】テープ貼付ユニット60の支持壁75およ
びテープ剥離ユニット61の支持壁83に設置した図示
しない摺動部材が、基壁19の背面に付設した水平姿勢
のレール19bに係合され、テープ貼付ユニット60を
貼付テーブル30上で、テープ剥離ユニット61を剥離
テーブル31上で、それぞれ安定した姿勢で水平移動す
るように構成されている。
A sliding member (not shown) installed on the support wall 75 of the tape applying unit 60 and the support wall 83 of the tape peeling unit 61 is engaged with a horizontal rail 19b provided on the back surface of the base wall 19 to apply the tape. The unit 60 is configured to move horizontally on the attaching table 30 and the tape peeling unit 61 is moved horizontally on the peeling table 31 in a stable posture.

【0045】そして、テープ供給部4から送り出された
粘着テープTは、図5に示すように、テープ貼付ユニッ
ト60の貼付ローラ80の下面を経て、テープ剥離ユニ
ット61の剥離ローラ91と挟持ローラ88に巻き掛け
られて、後述するテープ回収部7へ送り込まれる。
As shown in FIG. 5, the adhesive tape T sent from the tape supply unit 4 passes through the lower surface of the attaching roller 80 of the tape attaching unit 60 and passes through the peeling roller 91 and the nipping roller 88 of the tape peeling unit 61. And sent to a tape collecting unit 7 described later.

【0046】図1に示すように、基壁19の前面で長孔
19aの左側近傍位置には、貼付テーブル30上のウエ
ハWを剥離テーブル31に移載する際に一旦そのウエハ
Wを保持する薄板上のウエハ保持アーム100が配設さ
れ、その基端が図示しないロータリーアクチュエータに
連結されている。ロータリーアクチュエータの作動によ
ってウエハ保持アーム100の遊端が水平揺動されて、
長孔19aを通過し、図1中に仮想線で示す剥離テーブ
ル31の位置でウエハWをその下面から支持するように
している。
As shown in FIG. 1, at the position near the left side of the long hole 19a on the front surface of the base wall 19, the wafer W is temporarily held when the wafer W on the sticking table 30 is transferred to the separation table 31. A wafer holding arm 100 on a thin plate is provided, and its base end is connected to a rotary actuator (not shown). The free end of the wafer holding arm 100 is horizontally swung by the operation of the rotary actuator,
The wafer W is supported from its lower surface at the position of the peeling table 31 which passes through the elongated hole 19a and is indicated by a virtual line in FIG.

【0047】テープ回収部7は、図2に示すように、基
壁19の左側背面部分に位置し、レジストパターンを密
着した粘着テープTを巻取り回収するテープ回収ロール
110を、基壁19の背面に水平設置された回転軸11
1に挿嵌して構成されている。この回転軸111は図示
しないモータに連動連結されており、テープ回収ロール
110を回転駆動するようになっている。このテープ回
収ロール110の近傍には、粘着テープTをテープ回収
ロール110へ確実に誘導するための迂回ローラ112
が揺動自在のアーム113に片持ち支持されている。ま
た、その下方には固定ローラ114が水平設置され、さ
らに、この固定ローラ114に粘着テープを揺動付勢す
る挟持ローラ115がアーム116を介して並設されて
いる。そして、テープ剥離ユニット61から送り込まれ
た粘着テープTは、固定ローラ114および挟持ローラ
115、迂回ローラ112を経てテープ回収ローラ11
0に巻取り回収される。
As shown in FIG. 2, the tape collecting section 7 is located on the left rear side of the base wall 19, and is provided with a tape collecting roll 110 for winding and collecting the adhesive tape T with the resist pattern adhered thereto. Rotary shaft 11 horizontally installed on the back
1. The rotation shaft 111 is linked to a motor (not shown) and drives the tape collection roll 110 to rotate. In the vicinity of the tape collecting roll 110, a bypass roller 112 for reliably guiding the adhesive tape T to the tape collecting roll 110 is provided.
Are cantilevered by a swingable arm 113. A fixing roller 114 is horizontally installed below the fixing roller 114, and a pinching roller 115 for oscillatingly urging the adhesive tape to the fixing roller 114 is arranged in parallel via an arm 116. Then, the adhesive tape T sent from the tape peeling unit 61 passes through the fixing roller 114, the nipping roller 115, and the bypass roller 112, and the tape collecting roller 11.
It is rolled up to 0 and collected.

【0048】基壁19の前面の右側上部には、この装置
の操作パネル120が配備されている。
An operation panel 120 of the apparatus is provided on the upper right side of the front surface of the base wall 19.

【0049】以下、本実施例に係るレジスト除去装置で
行われる処理について説明する。まず、前工程でエッチ
ングが終了したウエハWが収納された第1カセットC1
が、第1カセットステージ11に載置されると、第1カ
セットステージ11は、そのウエハ搬出口C1aが搬送
ユニット15側に向くように回動する。さらに、第2カ
セットステージ13に、空の第2カセットC2が載置さ
れると、第2カセットステージ11は、第2カセットC
2のウエハ搬入口C2aが搬送ユニット15側に向くよ
うに回動する。
Hereinafter, the processing performed by the resist removing apparatus according to this embodiment will be described. First, the first cassette C1 in which the wafers W that have been etched in the previous process are stored.
Is mounted on the first cassette stage 11, the first cassette stage 11 rotates so that the wafer carry-out port C <b> 1 a faces the transfer unit 15. Further, when an empty second cassette C2 is placed on the second cassette stage 13, the second cassette stage 11
The second wafer transfer port C2a is rotated so as to face the transfer unit 15 side.

【0050】搬送ユニット15は、アームベース18a
を昇降移動させて、搬出対象となるウエハW1に応じた
位置にロボットアーム14を移動させる。続いて、ロボ
ットアーム14が伸張して第1カセットC1内のそのウ
エハW1の直下に進入した後、アームベース18aが若
干上昇することにより、ウエハW1がロボットアーム1
4の先端上に受け渡される。続いてロボットアーム14
が収縮することにより、第1カセットC1のウエハ搬出
口14aから最初のウエハW1がその下面を支持されな
がら搬出される。そのウエハW1は、前処理ユニット3
のシャッター34の前面にまで搬送される。
The transfer unit 15 includes an arm base 18a
Is moved up and down to move the robot arm 14 to a position corresponding to the wafer W1 to be unloaded. Subsequently, after the robot arm 14 is extended and enters just below the wafer W1 in the first cassette C1, the arm base 18a is slightly raised, so that the wafer W1 is
4 is passed over the tip. Then robot arm 14
Is contracted, the first wafer W1 is unloaded from the wafer unloading port 14a of the first cassette C1 while its lower surface is supported. The wafer W1 is placed in the pre-processing unit 3
Is conveyed to the front of the shutter 34.

【0051】ウエハW1が前処理ユニット3のシャッタ
ー34の前面にまで搬送されてくると、前処理ユニット
3は、エアシリンダ36によってシャッター34を下降
させて、筐体33の開口面を開ける。搬送ユニット15
は、筐体33が開口すると、筐体33内に配設されたチ
ャック37上にウエハW1を載置し、その後、ロボット
アーム14を一旦所定位置へ退去させる。前処理ユニッ
ト3は、チャック37によって、載置されたウエハW1
を吸着保持するとともに、シャッター34を上昇させて
筐体33の開口面を閉じる。
When the wafer W1 is transported to the front of the shutter 34 of the preprocessing unit 3, the preprocessing unit 3 lowers the shutter 34 by the air cylinder 36 to open the opening surface of the housing 33. Transport unit 15
When the housing 33 is opened, the wafer W1 is placed on the chuck 37 provided in the housing 33, and then the robot arm 14 is temporarily moved to a predetermined position. The pre-processing unit 3 holds the wafer W1
And the shutter 34 is raised to close the opening surface of the housing 33.

【0052】さらに、前処理ユニット3は、回転機構3
8の電動モータ38eを回転駆動させて、チャック37
とともにウエハW1を回転させる。これと同時に、改質
・分解用紫外線照射ユニット39は、紫外線ランプ39
aから紫外線を筐体33内に照射する。なお、この時、
改質・分解用紫外線照射ユニット39は、回転している
ウエハW1に対して、例えば主波長領域が、200nm〜
400nmの紫外線を2J/cm2 以上照射する。したがっ
て、ウエハW1上のレジストパターンの表面に均一に紫
外線が照射され、レジストパターンの表面に不均一に形
成された難粘着層であるフッ素系デポ層が改質・分解さ
れる。その結果、レジストパターンの表面全体における
粘着テープTの粘着剤との親和性を略均一にすることが
できる。
Further, the pre-processing unit 3 includes a rotating mechanism 3
8 is rotated to drive the chuck 37
At the same time, the wafer W1 is rotated. At the same time, the reforming / decomposing UV irradiation unit 39
UV light is applied to the inside of the housing 33 from a. At this time,
The reforming / decomposing ultraviolet irradiation unit 39 has a main wavelength region of 200 nm or less with respect to the rotating wafer W1.
Irradiate with UV light of 400 nm at 2 J / cm 2 or more. Therefore, the surface of the resist pattern on the wafer W1 is uniformly irradiated with ultraviolet rays, and the fluorine-based deposition layer, which is a hardly adherent layer formed unevenly on the surface of the resist pattern, is modified and decomposed. As a result, the affinity of the entire surface of the resist pattern with the adhesive of the adhesive tape T can be made substantially uniform.

【0053】前処理ユニット3は、ウエハW1に対する
紫外線の照射が終了すると、筐体33の開口面を開け
る。搬送ユニット15は、前処理ユニット3の筐体33
内からウエハW1を取り出し、そのウエハW1をアライ
メントステージ12に搬送する。アライメントステージ
12は、ウエハW1のオリエンテーションフラット(ま
たはノッチ)を検出してウエハWの位置合わせを行う。
搬送ユニット15は、位置合わせが完了したウエハW
を、再びロボットアーム14によってレジスト除去部2
に備える貼付テーブル30に搬送する。
When the irradiation of the ultraviolet light on the wafer W1 is completed, the preprocessing unit 3 opens the opening surface of the housing 33. The transport unit 15 is a housing 33 of the preprocessing unit 3.
The wafer W1 is taken out from the inside, and the wafer W1 is transferred to the alignment stage 12. The alignment stage 12 detects the orientation flat (or notch) of the wafer W1 and aligns the wafer W.
The transfer unit 15 holds the wafer W whose alignment has been completed.
Is again removed by the robot arm 14 to remove the resist.
It is transported to the sticking table 30 prepared for.

【0054】以下、図6〜図8を参照しながら、ウエハ
W1に対する粘着テープTの貼付/剥離処理について説
明する。図6(a)は、初期状態における貼付テーブル
30,剥離テーブル31およびテープ貼付ユニット6
0,テープ剥離ユニット61の位置関係を示す。貼付テ
ーブル30は第1処理位置Cの待機位置Bに、剥離テー
ブル31は第2処理位置Dの待機位置Bに、テープ貼付
ユニット60は貼付/剥離処理位置Aの貼付開始位置p
1 に、テープ剥離ユニット61は貼付/剥離処理位置A
の剥離終了位置h2に、それぞれ配備されている。
Hereinafter, the sticking / peeling processing of the adhesive tape T to the wafer W1 will be described with reference to FIGS. FIG. 6A shows the attaching table 30, the peeling table 31, and the tape attaching unit 6 in the initial state.
0, the positional relationship of the tape peeling unit 61 is shown. The sticking table 30 is at the standby position B of the first processing position C, the peeling table 31 is at the standby position B of the second processing position D, and the tape bonding unit 60 is the bonding start position p of the bonding / peeling processing position A.
1. In the tape peeling unit 61, the sticking / peeling processing position A
Of the release end position h 2, it is deployed, respectively.

【0055】待機位置Bにある貼付テーブル30の吸着
パッド44に、最初に取り出されたウエハW1がレジス
トパターンの表面を上向きにして吸着保持される。通
常、待機位置Bにある貼付テーブル30や剥離テーブル
31の吸着パッド44,45は、ウエハW1の搬入ある
いは搬出に際し、搬送ユニット15のロボットアーム1
4あるいはウエハ保持アーム100の先端が吸着パッド
44,45に保持されたウエハW1と、貼付テーブル3
0または剥離テーブル31との隙間に進入できるよう
に、貼付テーブル30および剥離テーブル31の上面か
ら若干突出した状態に設定されている。また、貼付テー
ブル30上方の貼付/剥離処理位置Aにあるテープ貼付
ユニット60のエアシリンダ81,82はこのとき収縮
しており、貼付ローラ80は若干上方に持ち上がった姿
勢である。
The wafer W1 taken out first is suction-held on the suction pad 44 of the sticking table 30 at the standby position B with the surface of the resist pattern facing upward. Usually, the suction pads 44 and 45 of the sticking table 30 and the peeling table 31 at the standby position B move the robot arm 1 of the transfer unit 15 when loading or unloading the wafer W1.
4 or the wafer W1 with the tip of the wafer holding arm 100 held by the suction pads 44 and 45,
It is set to be slightly protruded from the upper surfaces of the sticking table 30 and the peeling table 31 so as to be able to enter the gap between the sticking table 30 and the peeling table 31. At this time, the air cylinders 81 and 82 of the tape sticking unit 60 at the sticking / peeling processing position A above the sticking table 30 are contracted at this time, and the sticking roller 80 is in a posture slightly lifted upward.

【0056】そして、図6(b)に示すように、ウエハ
W1を保持した貼付テーブル30が、貼付テーブル昇降
駆動機構40のエアシリンダ42の伸張作動によって貼
付/剥離処理位置Aへ上昇移動するとともに、吸着パッ
ド44が貼付テーブル30内に没入してウエハW1が貼
付テーブル30に吸着保持される。このとき、テープ貼
付ユニット60の貼付ローラ80は、エアシリンダ8
1,82の伸張作動によって若干下方に揺動し、この貼
付ローラ80とテープ剥離ユニット61の剥離ローラ9
1との間に巻き掛けられた粘着テープTが略水平姿勢に
変形される。そして、貼付/剥離処理位置Aの貼付開始
位置p1 で貼付ローラ80と貼付テーブル30とが当接
すると、テープ貼付ユニット水平駆動機構70のモータ
66が作動して、貼付ローラ80を含むテープ貼付ユニ
ット60が貼付終了位置p2 の方向(図では仮想線で示
す右方向)に水平移動しながら、ウエハW1表面に粘着
テープTを貼付けていく。
Then, as shown in FIG. 6B, the sticking table 30 holding the wafer W1 is moved upward to the sticking / peeling processing position A by the extension operation of the air cylinder 42 of the sticking table lifting drive mechanism 40. Then, the suction pad 44 is immersed in the sticking table 30, and the wafer W1 is sucked and held by the sticking table 30. At this time, the sticking roller 80 of the tape sticking unit 60 is
1 and 82, the sticking roller 80 and the peeling roller 9 of the tape peeling unit 61 swing slightly downward.
1, the adhesive tape T wound around is deformed into a substantially horizontal posture. When the joining roller 80 at the joining start position p 1 of the patch / release processing position A and the sticking table 30 abuts, the motor 66 of the tape sticking unit horizontal drive mechanism 70 is operated, tape application including application roller 80 while horizontally moving (to the right indicated by the phantom line in the figure) direction of the unit 60 is attached ending position p 2, go pasted adhesive tape T to the wafer W1 surface.

【0057】また、ウエハW1が貼付テーブル30に保
持された時点から、貼付テーブル30に装備したヒータ
ーの加熱によりウエハW1に加熱処理が施され、ウエハ
W1に貼付けられた粘着テープTの粘着剤が軟化してウ
エハW1表面のレジストパターンの凹凸内部に流れ込
み、粘着剤とレジストパターンの接触面積が増加して両
者の密着性が向上する。
Further, from the time when the wafer W1 is held on the sticking table 30, the wafer W1 is subjected to heat treatment by heating the heater provided on the sticking table 30, and the adhesive of the adhesive tape T stuck to the wafer W1 is removed. It softens and flows into the unevenness of the resist pattern on the surface of the wafer W1, the contact area between the adhesive and the resist pattern increases, and the adhesion between the two increases.

【0058】ウエハW1に粘着テープTの貼付けが完了
したとき、テープ貼付ユニット60は貼付終了位置p2
(図6(b)の仮想線で示す位置)に在り、また、テー
プ剥離ユニット61は初期状態のまま剥離終了位置h2
に在り、貼付ローラ80と剥離ローラ91との間に介在
する粘着テープTがウエハW1の表面に貼付いた状態と
なっている。この姿勢を維持したまま、図6(c)に示
すように、貼付/剥離テーブル水平駆動機構50のモー
タ55、テープ貼付ユニット水平駆動機構70のモータ
66、および、テープ剥離ユニット水平駆動機構71の
モータ67が作動して、第1処理位置Cの貼付テーブル
30が第2処理位置Dにくるように、貼付テーブル3
0,剥離テーブル31およびテープ貼付ユニット60,
テープ剥離ユニット61が水平移動する。
When the sticking of the adhesive tape T to the wafer W1 is completed, the tape sticking unit 60 moves to the sticking end position p 2.
(The position indicated by the phantom line in FIG. 6B), and the tape peeling unit 61 remains in the initial state, and the peeling end position h 2
In this state, the adhesive tape T interposed between the attaching roller 80 and the peeling roller 91 is attached to the surface of the wafer W1. While maintaining this posture, as shown in FIG. 6C, the motor 55 of the attaching / peeling table horizontal drive mechanism 50, the motor 66 of the tape attaching unit horizontal drive mechanism 70, and the tape peeling unit horizontal drive mechanism 71 The motor 67 is operated so that the sticking table 30 at the first processing position C comes to the second processing position D.
0, peeling table 31 and tape sticking unit 60,
The tape peeling unit 61 moves horizontally.

【0059】そして、図6(d)に示すように、貼付テ
ーブル30の吸着パッド44が伸張作動してこれにウエ
ハW1が受け持たれるとともに、貼付テーブル昇降駆動
機構40のエアシリンダ42が収縮作動して、貼付テー
ブル30が待機位置Bに下降移動する。その後、ウエハ
保持アーム100の先端がロータリーアクチュエータの
作動により水平揺動して、貼付テーブル30の吸着パッ
ド44に保持されているウエハW1の直下に進入する。
次に、図7の(e)に示すように、貼付テーブル30の
吸着パッド44が下降し、ウエハW1が一旦ウエハ保持
アーム100の先端に支持される。
Then, as shown in FIG. 6D, the suction pad 44 of the sticking table 30 is extended to hold the wafer W1, and the air cylinder 42 of the sticking table lifting drive mechanism 40 is contracted. Then, the attachment table 30 moves down to the standby position B. Thereafter, the tip of the wafer holding arm 100 horizontally swings by the operation of the rotary actuator, and enters just below the wafer W1 held by the suction pad 44 of the attaching table 30.
Next, as shown in FIG. 7E, the suction pad 44 of the attaching table 30 is lowered, and the wafer W1 is once supported by the tip of the wafer holding arm 100.

【0060】そして、ウエハW1を次の剥離テーブル3
1に移載するために、この状態で貼付/剥離テーブル水
平駆動機構50のモータ55が作動して、貼付テーブル
30および剥離テーブル31が水平移動する。すなわ
ち、図7(f)に示すように、第2処理位置Dの貼付テ
ーブル30が再び第1処理位置Cに戻るように、貼付テ
ーブル30,剥離テーブル31のみが初期状態の位置に
水平移動する。したがって、テープ貼付ユニット60と
テープ剥離ユニット61との間の粘着テープTに上面が
貼付けられ、かつ下面をウエハ保持アーム100に支持
されたウエハW1の下方位置(第2処理位置D)に剥離
テーブル31が移動し、かつテープ剥離ユニット61は
剥離開始位置h1 に相対変位する。また、このときに貼
付テーブル30の貼付終了位置p2 にある貼付ローラ8
0が貼付開始位置p1 にくるようにテープ貼付ユニット
60が若干水平移動する。
Then, the wafer W1 is moved to the next peeling table 3
In this state, the motor 55 of the pasting / peeling table horizontal drive mechanism 50 operates to move the pasting table 30 and the peeling table 31 horizontally. That is, as shown in FIG. 7F, only the attaching table 30 and the peeling table 31 are horizontally moved to the initial state so that the attaching table 30 at the second processing position D returns to the first processing position C again. . Therefore, the upper surface is adhered to the adhesive tape T between the tape affixing unit 60 and the tape peeling unit 61, and the lower surface is located at a lower position (second processing position D) of the wafer W1 supported by the wafer holding arm 100 at the lower surface. 31 are moved, and the tape separation unit 61 is displaced relative to the peeling start position h 1. Further, the joining roller 8 in the sticking end position p 2 of the sticking table 30 at this time
0 joining start position p tape sticking unit 60 to come to 1 slightly moves horizontally.

【0061】次に、図7(g)に示すように、剥離テー
ブル31の吸着パッド45が上昇してウエハW1の下面
に当接する。また、このときに貼付テーブル30には、
次のウエハW2がロボットアーム14によって搬送され
る。そして、図8の(h)に示すように、剥離テーブル
昇降駆動機構41のエアシリンダ43が伸張作動して、
剥離テーブル31とともにウエハW1が貼付/剥離処理
位置Aに上昇移動する。
Next, as shown in FIG. 7 (g), the suction pad 45 of the peeling table 31 rises and comes into contact with the lower surface of the wafer W1. At this time, the sticking table 30 includes
The next wafer W2 is transferred by the robot arm 14. Then, as shown in FIG. 8 (h), the air cylinder 43 of the peeling table elevating drive mechanism 41 is extended, and
The wafer W1 moves up to the sticking / peeling processing position A together with the peeling table 31.

【0062】その後、図8(i)に示すように、剥離テ
ーブル31の上方で待機している硬化用紫外線照射ユニ
ット49のフード48が剥離テーブル31上に下降し、
剥離テーブル31の外方への紫外線の漏洩を防ぐ準備を
行った後、紫外線発生装置47の紫外線ランプ46が点
灯して、ウエハW1に紫外線が照射される。この紫外線
照射により、ウエハW1の表面に貼付けた紫外線硬化型
の粘着テープTの粘着剤が硬化してレジストパターンと
の密着強度が一層増大される。また、このときに貼付テ
ーブル30とともに次のウエハW2が貼付/剥離処理位
置Aに上昇移動される。
Thereafter, as shown in FIG. 8 (i), the hood 48 of the curing ultraviolet irradiation unit 49 waiting above the peeling table 31 is lowered onto the peeling table 31,
After preparations are made to prevent leakage of ultraviolet rays to the outside of the peeling table 31, the ultraviolet lamp 46 of the ultraviolet ray generator 47 is turned on, and the wafer W1 is irradiated with ultraviolet rays. By this UV irradiation, the pressure-sensitive adhesive of the UV-curable pressure-sensitive adhesive tape T adhered to the surface of the wafer W1 is cured, and the adhesive strength with the resist pattern is further increased. At this time, the next wafer W2 is moved up to the sticking / peeling processing position A together with the sticking table 30.

【0063】ウエハW1への紫外線照射が完了すると、
図8(j)に示すように、フード48が上昇退避移動す
る。次に、テープ剥離ユニット水平駆動機構71のモー
タ67が作動して、剥離ローラ91を含むテープ剥離ユ
ニット61が剥離終了位置h 2 の方向(図中に実線で示
す右方向)に水平移動することにより、剥離テーブル3
1上のウエハW1の表面から粘着テープTとともにレジ
ストパターンが剥離除去されていく。これと略同時に、
テープ貼付ユニット水平駆動機構70のモータ66が作
動してテープ貼付ユニット60が貼付終了位置p2 に水
平移動することにより、貼付テーブル30上の次のウエ
ハW2の表面に粘着テープTが貼付けられていく。この
ように、粘着テープTの貼付/剥離処理が随時並行(パ
ラレル)に行われるので、装置の処理効率(スループッ
ト)を向上することができる。また、この時、粘着テー
プTは、ウエハWのレジストパターンの表面に略均一な
粘着力で粘着するので、粘着テープTの剥離とともに、
ウエハW上のレジストパターンを確実に剥離除去するこ
とができる。
When the ultraviolet irradiation on the wafer W1 is completed,
As shown in FIG. 8 (j), the hood 48 moves up and down.
You. Next, the mode of the tape peeling unit horizontal drive mechanism 71 is set.
The tape peeling unit including the peeling roller 91 is actuated by the
The knit 61 is at the peeling end position h TwoDirection (shown by a solid line in the figure)
Horizontally (to the right), the peeling table 3
1 together with the adhesive tape T from the surface of the wafer W1
The strike pattern is peeled and removed. At about the same time,
Motor 66 of tape drive unit horizontal drive mechanism 70
To move the tape application unit 60 to the application end position p.TwoWater
By moving horizontally, the next wafer on the sticking table 30 is moved.
The adhesive tape T is stuck on the surface of C2. this
As shown in FIG.
Process, the processing efficiency of the equipment (throughput)
G) can be improved. Also, at this time,
The substrate T has a substantially uniform surface on the resist pattern of the wafer W.
As it sticks with adhesive force, with the peeling of the adhesive tape T,
For surely removing and removing the resist pattern on the wafer W
Can be.

【0064】その後、剥離テーブル30が待機位置Bに
下降して、レジストパターンが除去された剥離テーブル
31上のウエハW1は、搬送ユニット15のロボットア
ーム14が屈曲回動することによって剥離テーブル31
から搬出されて第2カセットステージ13の第2カセッ
トC2へ積層収納される。なお、必要に応じて、処理済
みのウエハW1をアライメントステージ12で位置合わ
せした後に、第2カセットC2へ収納するようにしても
よい。そして、貼付処理がなされた貼付テーブル30上
のウエハW2は上記の図6(c)に示す動作から同様に
繰り返される。また、ウエハW1のレジストパターンを
除去処理した粘着テープT部分は、後々の同様な動作が
繰り返されることによってテープ回収部7のテープ回収
ロール110に巻き取られていく。
Thereafter, the peeling table 30 is lowered to the standby position B, and the wafer W1 on the peeling table 31 from which the resist pattern has been removed is moved by bending and rotating the robot arm 14 of the transfer unit 15.
And is stacked and stored in the second cassette C2 of the second cassette stage 13. In addition, if necessary, the processed wafer W1 may be stored in the second cassette C2 after being positioned by the alignment stage 12. Then, the wafer W2 on the pasting table 30 on which the pasting process has been performed is similarly repeated from the operation shown in FIG. The portion of the adhesive tape T from which the resist pattern of the wafer W1 has been removed is wound up by the tape collecting roll 110 of the tape collecting section 7 by repeating the same operation later.

【0065】本発明は、次のように変形実施することも
可能である。 (1)上述した実施例のレジスト除去装置では、本発明
に係る改質・分解手段に相当する前処理ユニット3とし
て、ウエハWに紫外線を照射する構成について説明した
が、例えば、ウエハWを加湿することによって、ウエハ
Wのレジストパターンの表面のフッ素系デポ層を改質・
分解するように構成することもできる。以下、この変形
例について図9を参照しながら説明する。なお、上述し
た実施例と共通する構成については、同一符号を付しそ
の説明を省略する。
The present invention can be modified as follows. (1) In the resist removal apparatus of the above-described embodiment, the configuration in which the wafer W is irradiated with ultraviolet rays is described as the pretreatment unit 3 corresponding to the modifying / decomposing means according to the present invention. By doing so, the fluorine-based deposition layer on the surface of the resist pattern of the wafer W is modified and
It can be configured to be disassembled. Hereinafter, this modified example will be described with reference to FIG. Note that the same components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0066】図3に示すように、この変形例に係る前処
理ユニット3は、略密閉された状態の筐体33内を加湿
する加湿ユニット95を備えている。なお、加湿ユニッ
ト95は、本発明における加湿手段に相当する。加湿ユ
ニット95は、筐体33内を、例えば25度、湿度90
%RH程度に加湿するユニットであり、筐体33の上面
に配設されている。筐体33には、加湿ユニット95の
加湿によって発生する水滴を排水するための排水口97
がその床面98に設けられている。その床面98は、水
滴が排水され易いように、排水口97に向かって傾斜し
ている。また、筐体33内には、ウエハWが載置される
載置台96が配設されている。この載置台96は、載置
されたウエハWを吸着保持するために、図示しない真空
排気ラインに接続されている。なお、加湿ユニット95
は、筐体33内を昇温させながら加湿するように構成す
ることもできる。
As shown in FIG. 3, the pretreatment unit 3 according to this modification has a humidification unit 95 for humidifying the inside of the housing 33 in a substantially closed state. The humidifying unit 95 corresponds to a humidifying unit in the present invention. The humidification unit 95, for example, moves the inside of the housing 33 to 25 degrees
It is a unit that humidifies to about% RH, and is disposed on the upper surface of the housing 33. A drain port 97 for draining water droplets generated by humidification of the humidification unit 95 is provided in the housing 33.
Are provided on the floor surface 98. The floor surface 98 is inclined toward the drain port 97 so that water droplets are easily drained. In the housing 33, a mounting table 96 on which the wafer W is mounted is provided. The mounting table 96 is connected to a vacuum evacuation line (not shown) in order to suck and hold the mounted wafer W. The humidification unit 95
Can be configured to humidify while raising the temperature inside the housing 33.

【0067】搬送ユニット15によって搬送されてきた
ウエハWは、筐体33内の載置台96に載置される。載
置台96は、そのウエハWを吸着保持する。エアシリン
ダ36は、シャッター34を上昇させて、筐体33を閉
口する。加湿ユニット95は、筐体33が閉口されて密
閉された状態になると、筐体33内を加湿する。この加
湿によって、筐体33内のウエハWのレジストパターン
の表面に形成されているフッ素系デポ層が改質・分解さ
れ、粘着テープTの粘着剤との親和性が高まる。加湿に
よるフッ素系デポ層の改質・分解が終了すると、筐体3
3が開口され、搬送ユニット15によってウエハWが搬
出されて、前処理ユニット3での処理が終了する。
The wafer W transferred by the transfer unit 15 is mounted on the mounting table 96 in the housing 33. The mounting table 96 holds the wafer W by suction. The air cylinder 36 raises the shutter 34 to close the housing 33. The humidification unit 95 humidifies the inside of the housing 33 when the housing 33 is closed and closed. Due to this humidification, the fluorine-based deposition layer formed on the surface of the resist pattern of the wafer W in the housing 33 is modified and decomposed, and the affinity with the adhesive of the adhesive tape T is increased. When the modification / decomposition of the fluorine-based deposition layer by humidification is completed, the housing 3
3, the wafer W is carried out by the transfer unit 15, and the processing in the pre-processing unit 3 ends.

【0068】上述した変形例に係る前処理ユニット3に
よれば、ウエハWのレジストパターンの表面を加湿する
ことで、レジストパターンの表面のフッ素系デポ層を改
質・分解しているので、粘着テープTに紫外線硬化用の
粘着剤が使われている場合に、その粘着剤を硬化させる
ことがなく、ウエハWからレジストパターンをより確実
に剥離除去することができる。
According to the pretreatment unit 3 according to the above-described modification, since the surface of the resist pattern of the wafer W is humidified to modify and decompose the fluorine-based deposition layer on the surface of the resist pattern, When an ultraviolet curing adhesive is used for the tape T, the resist pattern can be more reliably peeled off from the wafer W without curing the adhesive.

【0069】なお、上述した変形例のレジスト除去装置
では、前処理ユニット3において、筐体33内を加湿す
る加湿ユニット95を設けたが、例えば、ウエハWのレ
ジストパターンの表面を冷却する冷却ユニットに置き換
えることもできる。具体的には、冷却ユニットは、液体
窒素などの冷却媒体によってウエハWを冷却する。その
後、冷却されたウエハWの周囲雰囲気を室温雰囲気にす
ることにより、ウエハW上に空気中の水分を結露させ
て、レジストパターンの表面のフッ素系デポ層を改質・
分解する。この変形例装置によれば、より簡易な構成に
よって、レジストパターンの表面の難粘着層を改質・分
解することができるレジスト除去装置を実現することが
できる。
Although the humidifying unit 95 for humidifying the inside of the housing 33 is provided in the pretreatment unit 3 in the resist removing apparatus of the above-described modified example, for example, a cooling unit for cooling the surface of the resist pattern of the wafer W Can be replaced by Specifically, the cooling unit cools wafer W with a cooling medium such as liquid nitrogen. Thereafter, the ambient atmosphere of the cooled wafer W is changed to a room temperature atmosphere to condense moisture in the air on the wafer W, thereby modifying the fluorine-based deposition layer on the surface of the resist pattern.
Decompose. According to this modified example, it is possible to realize, with a simpler configuration, a resist removing device that can modify and decompose the hard-to-adhere layer on the surface of the resist pattern.

【0070】(2)上述した実施例では、本発明におけ
る物品として、半導体ウエハについて説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば、液晶表示
用のガラス基板や、その他、エッチング後のレジストパ
ターンの表面に難粘着層が形成される物品であれば適用
することができる。
(2) In the above embodiment, the semiconductor wafer is described as an article in the present invention. However, the present invention is not limited to this. For example, a glass substrate for a liquid crystal display, etching, or the like may be used. The present invention can be applied to any article in which a difficult-to-adhesive layer is formed on the surface of a subsequent resist pattern.

【0071】(3)上述した実施例では、レジストパタ
ーンの表面に形成された難粘着層を改質・分解する前処
理ユニット3をレジスト除去装置に一体的に構成した
が、例えば、前処理ユニット3とレジスト除去装置とを
別々に独立させて設けるように構成することもできる。
(3) In the above-described embodiment, the pretreatment unit 3 for modifying and decomposing the hardly adherent layer formed on the surface of the resist pattern is integrally formed with the resist removing device. 3 and the resist removing device may be provided separately and independently.

【0072】(4)上述した実施例では、難粘着層とし
てフッ素系デポ層を例示して説明したが、本実施例はこ
れに限定されるものではなく、上述したガス以外のエッ
チングガスやエッチング液などによって形成される層も
本発明における難粘着層に含まれる。例えば、Cl(塩
素)系のガスによってエッチングした場合には、Cl系
デポ層がレジストパターンの表面に形成される。この場
合にも上述した実施例と同様に、そのCl系デポ層を改
質・分解して、粘着テープの粘着剤との親和性を高める
ことができる。
(4) In the above embodiment, the fluorine-based deposition layer was described as an example of the hardly-adhesive layer. However, this embodiment is not limited to this. A layer formed by a liquid or the like is also included in the hardly adherent layer in the present invention. For example, when etching is performed using a Cl (chlorine) -based gas, a Cl-based deposition layer is formed on the surface of the resist pattern. Also in this case, similarly to the above-described embodiment, the Cl-based deposition layer can be modified and decomposed to increase the affinity of the pressure-sensitive adhesive tape with the pressure-sensitive adhesive.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、粘着テープを貼付ける前に、
粘着テープの粘着剤との親和性が悪い難粘着層を改質・
分解して粘着テープの粘着剤との親和性を高めているの
で、物品上のレジストパターンの表面に貼付けられた粘
着テープを剥離することによって、物品上からレジスト
パターンを確実に剥離除去することができる。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, before attaching the adhesive tape,
Modifies the hard-to-adhere layer with poor affinity with the adhesive of the adhesive tape.
Since it disassembles and increases the affinity with the adhesive of the adhesive tape, it is possible to reliably remove and remove the resist pattern from the article by peeling the adhesive tape attached to the surface of the resist pattern on the article. it can.

【0074】請求項2に記載の発明によれば、レジスト
パターンの表面に紫外線を照射することで、そのレジス
トパターンの表面に形成されたフッ素系デポ層を改質・
分解して粘着剤との親和性を高めているので、物品上か
らレジストパターンを一層確実・容易に剥離除去するこ
とができる。
According to the second aspect of the present invention, the fluorine-based deposition layer formed on the surface of the resist pattern is modified by irradiating the surface of the resist pattern with ultraviolet rays.
Since the resist pattern is decomposed to increase the affinity with the adhesive, the resist pattern can be more reliably and easily peeled off from the article.

【0075】請求項3に記載の発明によれば、レジスト
パターンの表面を加湿することで、そのレジストパター
ンの表面に形成されたフッ素系デポ層を改質・分解して
粘着剤との親和性を高めているので、物品上からレジス
トパターンを一層確実・容易に剥離除去することができ
る。
According to the third aspect of the present invention, by humidifying the surface of the resist pattern, the fluorine-based deposit layer formed on the surface of the resist pattern is modified and decomposed to have an affinity for the adhesive. Therefore, the resist pattern can be more reliably and easily peeled off from the article.

【0076】請求項4に記載の発明によれば、請求項1
に記載の方法発明を好適に実施することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the first aspect is provided.
Can be suitably implemented.

【0077】請求項5に記載の発明によれば、請求項2
に記載の方法発明を好適に実施することができる。
According to the invention set forth in claim 5, according to claim 2,
Can be suitably implemented.

【0078】請求項6に記載の発明によれば、請求項3
に記載の方法発明を好適に実施することができる。
According to the invention described in claim 6, according to claim 3,
Can be suitably implemented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例に係るレジスト除去装置の概略構成を示
す全体平面図である。
FIG. 1 is an overall plan view showing a schematic configuration of a resist removing apparatus according to an embodiment.

【図2】実施例装置の全体正面図である。FIG. 2 is an overall front view of the embodiment device.

【図3】前処理ユニットの概略構成を示す縦断面図であ
る。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of a pretreatment unit.

【図4】貼付/剥離テーブル部の正面図である。FIG. 4 is a front view of a sticking / peeling table unit.

【図5】テープ貼付/剥離ユニット部の正面図である。FIG. 5 is a front view of a tape attaching / peeling unit.

【図6】粘着テープの貼付/剥離処理動作を示す説明図
である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an operation of applying / peeling off an adhesive tape.

【図7】粘着テープの貼付/剥離処理動作を示す説明図
である。
FIG. 7 is an explanatory view showing an operation of applying / peeling off an adhesive tape.

【図8】粘着テープの貼付/剥離処理動作を示す説明図
である。
FIG. 8 is an explanatory view showing an operation of applying / peeling off an adhesive tape.

【図9】変形例に係る前処理ユニットの概略構成を示す
縦断面図である。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of a pretreatment unit according to a modification.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 … 搬送/前処理部 2 … レジスト除去部 3 … 前処理ユニット 4 … テープ供給部 5 … 貼付/剥離テーブル部 6 … テープ貼付/剥離ユニット部 7 … テープ回収部 11… 第1カセットステージ 12… アライメントステージ 13… 第2カセットステージ 15… 搬送ユニット 30… 貼付テーブル 31… 剥離テーブル 39… 改質・分解用紫外線照射ユニット 40… 貼付テーブル昇降駆動機構 41… 剥離テーブル昇降駆動機構 50… 貼付/剥離テーブル水平駆動機構 60… テープ貼付ユニット 61… テープ剥離ユニット 95… 加湿ユニット C1… 第1カセット C2… 第2カセット W … ウエハ T … 粘着テープ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conveying / pre-processing part 2 ... Resist removal part 3 ... Pre-processing unit 4 ... Tape supply part 5 ... Sticking / peeling table part 6 ... Tape sticking / peeling unit part 7 ... Tape collection part 11 ... 1st cassette stage 12 ... Alignment stage 13 ... Second cassette stage 15 ... Transport unit 30 ... Sticking table 31 ... Peeling table 39 ... Modification / decomposition ultraviolet irradiation unit 40 ... Sticking table elevating drive mechanism 41 ... Peeling table elevating drive mechanism 50 ... Sticking / peeling table Horizontal drive mechanism 60 Tape attaching unit 61 Tape peeling unit 95 Humidifying unit C1 First cassette C2 Second cassette W Wafer T Adhesive tape

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 英志 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 Fターム(参考) 2H096 AA25 AA26 HA23 LA01 5F004 BD01 BD07 FA08 5F046 MA18 MA19  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Eiji Toyoda 1-1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation F-term (reference) 2H096 AA25 AA26 HA23 LA01 5F004 BD01 BD07 FA08 5F046 MA18 MA19

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 エッチング後の物品上のレジストパター
ンを粘着テープによって剥離除去するレジスト除去方法
であって、 前記エッチング時の反応ガスによって物品上のレジスト
パターンの表面に生成された難粘着層を改質・分解し
て、前記粘着テープの粘着剤との親和性を高める過程
と、 前記難粘着層が改質・分解された物品上のレジストパタ
ーンの表面に前記粘着テープを貼付ける過程と、 前記貼付けられた粘着テープを前記物品から剥離して、
レジストパターンを物品上から剥離除去する過程とを備
えることを特徴とするレジスト除去方法。
1. A method for removing a resist pattern on an article after etching by using an adhesive tape, wherein the resist pattern formed on the surface of the resist pattern on the article is modified by a reaction gas at the time of etching. Quality / decomposition to increase the affinity of the pressure-sensitive adhesive tape with the pressure-sensitive adhesive, and applying the pressure-sensitive adhesive tape to the surface of a resist pattern on an article in which the hard-to-adhesive layer has been modified / decomposed; Peel the applied adhesive tape from the article,
Removing the resist pattern from the article.
【請求項2】 請求項1に記載のレジスト剥離方法にお
いて、 前記難粘着層は、フッ素系デポ層であり、 前記難粘着層を改質・分解する過程は、 前記フッ素系デポ層が形成されたエッチング後の物品上
のレジストパターンの表面に紫外線を照射する過程であ
るレジスト除去方法。
2. The resist stripping method according to claim 1, wherein the hard-adhesive layer is a fluorine-based depot layer, and the step of modifying and decomposing the hard-adhesive layer includes forming the fluorine-based depot layer. A method of removing resist, which comprises irradiating the surface of the resist pattern on the article after etching with ultraviolet rays.
【請求項3】 請求項1に記載のレジスト剥離方法にお
いて、 前記難粘着層は、フッ素系デポ層であり、 前記難粘着層を改質・分解する過程は、 前記フッ素性デポ層が形成されたエッチング後の物品上
のレジストパターンの表面を加湿する過程であるレジス
ト除去方法。
3. The method for removing a resist according to claim 1, wherein the hard-adhesive layer is a fluorine-based depot layer, and the step of modifying and decomposing the hard-adhesive layer includes forming the fluorodeposit layer. A resist removing method in which the surface of the resist pattern on the article after etching is humidified.
【請求項4】 エッチング後の物品上のレジストパター
ンを粘着テープによって剥離除去するレジスト除去装置
であって、 前記エッチング時の反応ガスによって物品上のレジスト
パターンの表面に形成された難粘着層を改質・分解し
て、前記粘着テープの粘着剤との親和性を高める改質・
分解手段と、 前記難粘着層が改質・分解された物品上のレジストパタ
ーンの表面に前記粘着テープを貼付けるテープ貼付け手
段と、 前記貼付けられた粘着テープを前記物品から剥離して、
レジストパターンを物品から剥離除去するテープ剥離手
段とを備えることを特徴とするレジスト除去装置。
4. A resist removing apparatus for peeling off a resist pattern on an article after etching by using an adhesive tape, wherein the resist gas on the surface of the resist pattern on the article is modified by a reaction gas at the time of etching. Quality / decomposition to improve the affinity of the adhesive tape with the adhesive.
Decomposing means, a tape attaching means for attaching the adhesive tape to the surface of the resist pattern on the article in which the hard-adhesive layer has been modified / decomposed, and peeling the attached adhesive tape from the article,
A resist stripping device for stripping and removing a resist pattern from an article.
【請求項5】 請求項4に記載のレジスト剥離装置にお
いて、 前記難粘着層は、フッ素系デポ層であり、 前記改質・分解手段は、 前記エッチング後の物品上のレジストパターンの表面に
紫外線を照射する紫外線照射手段であるレジスト除去装
置。
5. The resist stripping device according to claim 4, wherein the hard-adhesive layer is a fluorine-based depot layer, and the modifying / decomposing means includes an ultraviolet ray on a surface of the resist pattern on the article after the etching. A resist removing device which is an ultraviolet irradiation means for irradiating the resist.
【請求項6】 請求項4に記載のレジスト剥離装置にお
いて、 前記難粘着層は、フッ素系デポ層であり、 前記難粘着層改質・分解手段は、 前記エッチング後の物品上のレジストパターンの表面を
加湿する加湿手段であるレジスト除去装置。
6. The resist stripping device according to claim 4, wherein the hard-adhesive layer is a fluorine-based depot layer, and the hard-adhesive layer modifying / decomposing means is configured to form a resist pattern on the article after the etching. A resist removing device that is a humidifying unit that humidifies the surface.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6756187B2 (en) 2002-01-04 2004-06-29 Nec Lcd Technologies, Ltd. Method for removing patterned layer from lower layer through reflow
JP2018182026A (en) * 2017-04-11 2018-11-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 Method of manufacturing element chip

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6756187B2 (en) 2002-01-04 2004-06-29 Nec Lcd Technologies, Ltd. Method for removing patterned layer from lower layer through reflow
US7214473B2 (en) 2002-01-04 2007-05-08 Nec Lcd Technologies Ltd. Method for removing patterned layer from lower layer through reflow
JP2018182026A (en) * 2017-04-11 2018-11-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 Method of manufacturing element chip

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