JP2000180603A - Antireflection coating - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光学部品の表面に
形成される反射防止膜に関し、特に５層の積層薄膜から
成る反射防止膜に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antireflection film formed on the surface of an optical component, and more particularly, to an antireflection film formed of a five-layer laminated thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】レンズやプリズム等の光学部品の表面に
真空蒸着法等によって積層薄膜を成膜して反射防止膜を
形成し、表面反射を低下させる方法が知られている。従
来の反射防止膜の構成は例えば特開平５−２１０１号公
報に開示されており、図１に示す構成になっている。基
板側から第１層はＭｇＦ2（フッ化マグネシウム、屈折
率ｎ１＝１．３８，膜厚ｄ１＝６７ｎｍ）、第２層はＺ
ｒＴｉＯ4（酸化チタンジルコニウム、屈折率ｎ２＝
２．１，膜厚ｄ２＝１７ｎｍ）、第３層はＳｉＯ2（二
酸化珪素、屈折率ｎ３＝１．４６，膜厚ｄ３＝５８ｎ
ｍ）、第４層はＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ４＝２．１，膜
厚ｄ４＝１４６ｎｍ）、第５層はＭｇＦ2（屈折率ｎ５
＝１．３８，膜厚ｄ５＝１０５ｎｍ）から成っている。
設計主波長λ０は５８０ｎｍであり、ｎｄは光学膜厚
（単位ｎｍ）を示している。2. Description of the Related Art It is known to reduce the surface reflection by forming a laminated thin film on a surface of an optical component such as a lens or a prism by a vacuum deposition method or the like to form an antireflection film. A configuration of a conventional antireflection film is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-2101, and has a configuration shown in FIG. The first layer is MgF 2 (magnesium fluoride, refractive index n1 = 1.38, thickness d1 = 67 nm) from the substrate side, and the second layer is Z
rTiO 4 (titanium zirconium oxide, refractive index n2 =
2.1, film thickness d2 = 17 nm), the third layer is SiO 2 (silicon dioxide, refractive index n3 = 1.46, film thickness d3 = 58n)
m), the fourth layer is ZrTiO 4 (refractive index n4 = 2.1, film thickness d4 = 146 nm), and the fifth layer is MgF 2 (refractive index n5
= 1.38, film thickness d5 = 105 nm).
The design dominant wavelength λ0 is 580 nm, and nd indicates the optical film thickness (unit: nm).
【０００３】また、特公昭５４−３８９０４号公報等に
開示された反射防止膜は図２に示すような構成になって
いる。基板側から第１層はＳｉＯ2（屈折率ｎ１＝１．
４７，膜厚ｄ１＝２８ｎｍ）、第２層はＭｇＦ2（屈折
率ｎ２＝１．３８５，膜厚ｄ２＝１６８ｎｍ）、第３層
はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ３＝１．６５，膜厚ｄ３＝６２ｎ
ｍ）、第４層はＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ４＝２．１５，
膜厚ｄ４＝１２３ｎｍ）、第５層はＭｇＦ2（屈折率ｎ
５＝１．３８５，膜厚ｄ５＝１０３ｎｍ）から成ってい
る。これらの反射防止膜は、可視域のほぼ全域において
低い反射率が得られるようになっている。The anti-reflection film disclosed in Japanese Patent Publication No. 54-38904 has a structure as shown in FIG. From the substrate side, the first layer is made of SiO 2 (refractive index n1 = 1.
47, film thickness d1 = 28 nm), the second layer is MgF 2 (refractive index n2 = 1.385, film thickness d2 = 168 nm), and the third layer is Al 2 O 3 (refractive index n3 = 1.65, film thickness). d3 = 62n
m), the fourth layer is ZrTiO 4 (refractive index n4 = 2.15,
The fifth layer is made of MgF 2 (refractive index n).
5 = 1.385, film thickness d5 = 103 nm). These antireflection films are designed to obtain a low reflectance in almost the entire visible region.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】近年の液晶プロジェク
ターでは液晶の配向性を利用するため、Ｐ偏光成分及び
Ｓ偏光成分に分離して使用するように構成されている。
上記従来例の反射防止膜によると、入射角が小さい範囲
においてＰ偏光成分の光は低い反射率を示すが、入射角
が４５゜近傍では反射率が大きくなる。図３、図４は夫
々図１、図２の構成の反射防止膜の入射角４５゜におけ
るＰ偏光成分の光の反射率特性を示す特性図であり、設
計主波長λ０は５８０ｎｍ、縦軸は反射率（単位％）、
横軸は波長（単位ｎｍ）を示している。In recent liquid crystal projectors, in order to utilize the orientation of liquid crystal, the liquid crystal projector is configured to be used by separating into a P-polarized component and an S-polarized component.
According to the antireflection film of the above-mentioned conventional example, the light of the P-polarized light component has a low reflectance in a range where the incident angle is small, but the reflectance increases when the incident angle is around 45 °. FIGS. 3 and 4 are characteristic diagrams showing the reflectance characteristics of the P-polarized light component at an incident angle of 45 ° of the antireflection film having the configuration of FIGS. 1 and 2, respectively. The design main wavelength λ0 is 580 nm, and the vertical axis is Reflectance (unit%),
The horizontal axis indicates wavelength (unit: nm).
【０００５】これらの図によると、入射角４５゜ではＰ
偏光成分の光の反射率は０．２％以上の大きな値になっ
ている。従って、裏面にこれらの反射防止膜が形成され
たフィルター等にＰ偏光成分の光を入射角４５゜で入射
させると、該フィルター表面で反射する光と該フィルタ
ーを透過して反射防止膜で反射する光とによって２重像
が生じる問題があった。According to these figures, at an incident angle of 45 °, P
The reflectance of the polarized light component is a large value of 0.2% or more. Accordingly, when light of the P-polarized component is incident at an incident angle of 45 ° on a filter or the like on which the anti-reflection film is formed on the back surface, light reflected on the filter surface and transmitted through the filter and reflected on the anti-reflection film are reflected. There is a problem that a double image is generated due to the light to be emitted.
【０００６】本発明は、入射角４５゜のＰ偏光成分の光
の反射率を可視域のほぼ全域で０．１％以下にすること
のできる反射防止膜を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an antireflection film capable of reducing the reflectance of light of a P-polarized component at an incident angle of 45 ° to 0.1% or less over almost the entire visible range.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、基板側から順に第１、
第２、第３、第４、第５層の薄膜が積層される５層構造
の反射防止膜において、第１、第２、第３、第４、第５
層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及
びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５とするとともに、設計
主波長をλ０とした時に、ｎ１及びｎ３の一方または両
方は１．５６以下であり、 ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ｎ４＞ｎ１ ｎ２＞ｎ３ ０．０９７λ０≦ｎ１ｄ１≦０．６６３λ０ ０．０１３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１００λ０ ０．０４４λ０≦ｎ３ｄ３≦０．３７５λ０ ０．０２４λ０≦ｎ４ｄ４≦０．０９５λ０ ０．０８６λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３７５λ０ の関係にしたことを特徴としている。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the invention described in claim 1 is directed to the first,
In an antireflection film having a five-layer structure in which thin films of second, third, fourth, and fifth layers are stacked, first, second, third, fourth, and fifth layers are formed.
When the refractive index and the film thickness of the layers are n1, n2, n3, n4, and n5 and d1, d2, d3, d4, and d5, and one of the n1 and n3 is 1. N2> n1 ≧ n5 n4> n1 n2> n3 0.097λ0 ≦ n1d1 ≦ 0.663λ0 0.013λ0 ≦ n2d2 ≦ 0.100λ0 0.044λ0 ≦ n3d3 ≦ 0.375λ0 0.024λ0 ≦ n4d4 ≦ 0 0.095λ0 0.086λ0 ≦ n5d5 ≦ 0.375λ0.
【０００８】また請求項２に記載された発明は、請求項
１に記載された反射防止膜において、前記基板の屈折率
をｎｓとした時に、 １．５０≦ｎｓ≦１．８５ １．３５≦ｎ１≦１．８０ ２．００≦ｎ２≦２．６０ １．３５≦ｎ３≦１．８０ ２．００≦ｎ４≦２．６０ １．３８≦ｎ５≦１．４８ の関係にしたことを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, in the antireflection film according to the first aspect, when the refractive index of the substrate is ns, 1.50 ≦ ns ≦ 1.85 1.35 ≦ n1 ≦ 1.80 2.00 ≦ n2 ≦ 2.60 1.35 ≦ n3 ≦ 1.80 2.00 ≦ n4 ≦ 2.60 1.38 ≦ n5 ≦ 1.48 .
【０００９】また請求項３に記載された発明は、請求項
１または請求項２に記載された反射防止膜において、第
１層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、の１つまたは複数を主成分とし、第２層はＴｉ
Ｏ2、ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5、の１つまたは複
数を主成分とし、第３層はＭｇＦ2、チオライト、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、の１つまたは複数を主成分と
し、第４層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ
2Ｏ5、の１つまたは複数を主成分とし、第５層はＭｇＦ
2、チオライト、ＳｉＯ2、の１つまたは複数を主成分と
した事を特徴としている。According to a third aspect of the present invention, in the antireflection film according to the first or second aspect, the first layer is formed of MgF 2 , thiolite, SiO 2 , Al 2 O 3 , Mg 2
O, as a main component, and the second layer is made of Ti
O 2, ZnS, ZrTiO 4, Ta 2 O 5, and one or more principal components of the third layer MgF 2, chiolite, Si
One or more of O 2 , Al 2 O 3 , and MgO are the main components, and the fourth layer is made of TiO 2 , ZnS, ZrTiO 4 , Ta
2 O 5 , as a main component, and the fifth layer is made of MgF
2 , one or more of thiolite and SiO 2 as main components.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を説明
する。基板側から順に第１、第２、第３、第４、第５層
の薄膜が積層される５層構造の反射防止膜において、第
１、第２、第３、第４、第５層の屈折率及び膜厚をｎ
１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ
４，ｄ５とするとともに、設計主波長をλ０とした時
に、ｎ１及びｎ３の一方または両方は１．５６以下であ
り、以下の式（１）〜（８） ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ・・（１） ｎ４＞ｎ１ ・・（２） ｎ２＞ｎ３ ・・（３） ０．０９７λ０≦ｎ１ｄ１≦０．６６３λ０ ・・（４） ０．０１３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１００λ０ ・・（５） ０．０４４λ０≦ｎ３ｄ３≦０．３７５λ０ ・・（６） ０．０２４λ０≦ｎ４ｄ４≦０．０９５λ０ ・・（７） ０．０８６λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３７５λ０ ・・（８） を満足していれば、可視域のほぼ全域において入射角４
５゜におけるＰ偏光成分の光の反射率が０．１％以下の
反射防止膜を得ることができる。Embodiments of the present invention will be described below. In the antireflection film having a five-layer structure in which first, second, third, fourth, and fifth layers of thin films are laminated in order from the substrate side, the first, second, third, fourth, and fifth layers are formed. Refractive index and film thickness n
1, n2, n3, n4, n5 and d1, d2, d3, d
4, d5, and when the design dominant wavelength is λ0, one or both of n1 and n3 are 1.56 or less, and the following equations (1) to (8): n2> n1 ≧ n5 (1) N4> n1 (2) n2> n3 (3) 0.097λ0 ≦ n1d1 ≦ 0.663λ0 (4) 0.013λ0 ≦ n2d2 ≦ 0.100λ0 (5) 0.044λ0 ≦ n3d3 ≦ 0.375λ0 (6) 0.024λ0 ≦ n4d4 ≦ 0.095λ0 (7) If 0.086λ0 ≦ n5d5 ≦ 0.375λ0 (8) is satisfied, almost the entire visible range is satisfied. Incident angle 4
An antireflection film having a reflectance of 0.1% or less for the P-polarized component at 5 ° can be obtained.
【００１１】更に、前記基板の屈折率をｎｓとした時
に、以下の式（９）〜（１４） １．５０≦ｎｓ≦１．８５ ・・（９） １．３５≦ｎ１≦１．８０ ・・（１０） ２．００≦ｎ２≦２．６０ ・・（１１） １．３５≦ｎ３≦１．８０ ・・（１２） ２．００≦ｎ４≦２．６０ ・・（１３） １．３８≦ｎ５≦１．４８ ・・（１４） の条件を加えて、式（１）〜（１４）を満足していれ
ば、入射角４５゜におけるＰ偏光成分の光の反射率をよ
り小さくすることができる。Further, when the refractive index of the substrate is ns, the following expressions (9) to (14) 1.50 ≦ ns ≦ 1.85 (9) 1.35 ≦ n1 ≦ 1.80 (10) 2.00 ≦ n2 ≦ 2.60 (11) 1.35 ≦ n3 ≦ 1.80 (12) 2.00 ≦ n4 ≦ 2.60 (13) 1.38 ≦ In addition to the condition of n5 ≦ 1.48 (14), if the expressions (1) to (14) are satisfied, it is possible to further reduce the reflectance of the P-polarized light component at an incident angle of 45 °. it can.
【００１２】上記の屈折率を有する材料として、第１層
はＭｇＦ2、チオライト（Ｎａ5Ａｌ3Ｆ14）、ＳｉＯ
2（酸化珪素）、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、ＭｇＯ（酸化
マグネシウム）等、第２層はＴｉＯ2（酸化チタン）、
ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5（酸化タ
ンタル）等、第３層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ等、第４層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、Ｚｒ
ＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5等、第５層はＭｇＦ2、チオライト、
ＳｉＯ2等を使用することができる。各層でこれらの１
つまたは複数による薄膜を形成しても良いし、これらの
１つまたは複数を主成分とする薄膜を形成しても良い。
各層の薄膜は真空蒸着法等により形成することができ
る。As a material having the above-mentioned refractive index, the first layer is made of MgF 2 , thiolite (Na 5 Al 3 F 14 ), SiO 2
2 (silicon oxide), Al 2 O 3 (alumina), MgO (magnesium oxide), etc., the second layer is TiO 2 (titanium oxide),
The third layer is made of MgF 2 , thiolite, SiO 2 , such as ZnS (zinc sulfide), ZrTiO 4 , Ta 2 O 5 (tantalum oxide).
The fourth layer is made of TiO 2 , ZnS, Zr, such as Al 2 O 3 and MgO.
The fifth layer is made of MgF 2 , thiolite, TiO 4 , Ta 2 O 5, etc.
SiO 2 or the like can be used. One of these at each layer
One or a plurality of thin films may be formed, or a thin film containing one or more of these as a main component may be formed.
The thin film of each layer can be formed by a vacuum evaporation method or the like.
【００１３】[0013]
【実施例】図５は第１実施例の反射防止膜の構成を示し
ている。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。レンズや
プリズム等の光学部品から成る基板（屈折率ｎｓ＝１．
５２）の表面に、基板側から第１層はＭｇＦ2（屈折率
ｎ１＝１．３８５，膜厚ｄ１＝２４０ｎｍ）、第２層は
ＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ２＝２．１，膜厚ｄ２＝８ｎ
ｍ）、第３層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ３＝１．６２，膜厚
ｄ３＝１０７ｎｍ）、第４層はＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ
４＝２．１，膜厚ｄ４＝１５ｎｍ）、第５層はＭｇＦ2
（屈折率ｎ５＝１．３８５，膜厚ｄ５＝１３１ｎｍ）の
薄膜を形成している。この構成による反射防止膜の入射
角４５゜におけるＰ偏光成分の光の反射率特性を計算機
によってシュミレーションすると図６に示すようにな
り、可視域のほぼ全域において０．１％以下になってい
る。FIG. 5 shows the structure of the antireflection film of the first embodiment. The design dominant wavelength λ0 is 550 nm. A substrate made of optical components such as a lens and a prism (refractive index ns = 1.
52), the first layer is MgF 2 (refractive index n1 = 1.385, film thickness d1 = 240 nm), and the second layer is ZrTiO 4 (refractive index n2 = 2.1, film thickness d2 =) from the substrate side. 8n
m), the third layer is Al 2 O 3 (refractive index n3 = 1.62, film thickness d3 = 107 nm), and the fourth layer is ZrTiO 4 (refractive index n
4 = 2.1, film thickness d4 = 15 nm), and the fifth layer is MgF 2
(Refractive index n5 = 1.385, film thickness d5 = 131 nm). The reflectance characteristics of the P-polarized light component at an incident angle of 45 ° of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, as shown in FIG.
【００１４】図７は第２実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第１実
施形態に対して膜厚ｄを変更するとともに、第３層の材
料をＭｇＦ2（屈折率ｎ３＝１．３８５）に変更してい
る。この構成による反射防止膜の入射角４５゜における
Ｐ偏光成分の光の反射率特性を計算機によってシュミレ
ーションすると図８に示すようになり、可視域のほぼ全
域において０．１％以下になっている。FIG. 7 shows the structure of the antireflection film of the second embodiment. The design dominant wavelength λ0 is 550 nm. The film thickness d is changed from the first embodiment, and the material of the third layer is changed to MgF 2 (refractive index n3 = 1.385). FIG. 8 shows a computer simulation of the reflectance characteristic of the P-polarized light component at an incident angle of 45 ° of the antireflection film having the above configuration, which is 0.1% or less in almost the entire visible region.
【００１５】図９は第３実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第２実
施形態と同じ膜厚ｄにするとともに、第２、第４層をＴ
ｉＯ2（屈折率ｎ２，ｎ４＝２．４５）、第３層をＳｉ
Ｏ2（屈折率ｎ３＝１．４７）に変更している。この構
成による反射防止膜の入射角４５゜におけるＰ偏光成分
の光の反射率特性を計算機によってシュミレーションす
ると図１０に示すようになり、可視域のほぼ全域におい
て０．１％以下になっている。FIG. 9 shows the structure of an antireflection film according to a third embodiment. The design dominant wavelength λ0 is 550 nm. The thickness d is the same as that of the second embodiment, and the second and fourth layers are formed of T
iO 2 (refractive index n2, n4 = 2.45), the third layer is made of Si
O 2 (refractive index n3 = 1.47). The reflectance characteristic of the P-polarized light component at an incident angle of 45 ° of the antireflection film having this configuration is simulated by a computer, as shown in FIG. 10, which is 0.1% or less in almost the entire visible region.
【００１６】図１１は第４実施例の反射防止膜の構成を
示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第３
実施例に対して膜厚ｄを変更するとともに、第４層の材
料をＺｒＴｉＯ4（屈折率ｎ４＝２．１）に変更してい
る。この構成による反射防止膜の入射角４５゜における
Ｐ偏光成分の光の反射率特性を計算機によってシュミレ
ーションすると図１２に示すようになり、可視域のほぼ
全域において０．１％以下になっている。FIG. 11 shows the structure of an antireflection film according to a fourth embodiment. The design dominant wavelength λ0 is 550 nm. Third
The film thickness d is changed from the embodiment, and the material of the fourth layer is changed to ZrTiO 4 (refractive index n4 = 2.1). A computer simulates the reflectance characteristic of the P-polarized light component at an incident angle of 45 ° of the antireflection film having this configuration, as shown in FIG. 12, which is 0.1% or less in almost the entire visible region.
【００１７】図１３は第５実施例の反射防止膜の構成を
示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第１
実施例に対して膜厚ｄを変更するとともに、第３層の材
料をＳｉＯ2（屈折率ｎ３＝１．４７）に変更してい
る。この構成による反射防止膜の入射角４５゜における
Ｐ偏光成分の光の反射率特性を計算機によってシュミレ
ーションすると図１４に示すようになり、可視域のほぼ
全域において０．１％以下になっている。FIG. 13 shows the structure of an antireflection film according to a fifth embodiment. The design dominant wavelength λ0 is 550 nm. First
The film thickness d is changed from the embodiment, and the material of the third layer is changed to SiO 2 (refractive index n3 = 1.47). The reflectance characteristics of the P-polarized light component at an incident angle of 45 ° of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, as shown in FIG.
【００１８】図１５は第６実施例の反射防止膜の構成を
示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第１
実施例に対して膜厚ｄを変更するとともに、第１層の材
料をＳｉＯ2（屈折率ｎ１＝１．４７）、基板の屈折率
ｎｓを１．７に変更している。この構成による反射防止
膜の入射角４５゜におけるＰ偏光成分の光の反射率特性
を計算機によってシュミレーションすると図１６に示す
ようになり、可視域のほぼ全域において０．１％以下に
なっている。FIG. 15 shows the structure of the antireflection film of the sixth embodiment. The design dominant wavelength λ0 is 550 nm. First
The film thickness d is changed from that of the embodiment, the material of the first layer is changed to SiO 2 (refractive index n1 = 1.47), and the refractive index ns of the substrate is changed to 1.7. The reflectance characteristics of the P-polarized light component at an incident angle of 45 ° of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, as shown in FIG.
【００１９】図１７は第７実施例の反射防止膜の構成を
示している。設計主波長λ０は５５０ｎｍである。第１
実施例に対して膜厚ｄを変更するとともに、第２層の材
料をＴｉＯ2（屈折率ｎ２＝２．４５）、基板の屈折率
ｎｓを１．８に変更している。この構成による反射防止
膜の入射角４５゜におけるＰ偏光成分の光の反射率特性
を計算機によってシュミレーションすると図１８に示す
ようになり、可視域のほぼ全域において０．１％以下に
なっている。FIG. 17 shows the structure of the antireflection film of the seventh embodiment. The design dominant wavelength λ0 is 550 nm. First
The film thickness d is changed from the embodiment, the material of the second layer is changed to TiO 2 (refractive index n2 = 2.45), and the refractive index ns of the substrate is changed to 1.8. The reflectance characteristics of the P-polarized light component at an incident angle of 45 ° of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, as shown in FIG. 18, which is 0.1% or less in almost the entire visible region.
【００２０】[0020]
【発明の効果】請求項１の発明によると、入射角が４５
゜付近の大きい範囲においてＰ偏光成分の光の反射率を
０．１％以下にすることができ、Ｐ偏光成分とＳ偏光成
分の光を分離して使用する光学機器において、高い透過
光量を得るとともに、反射光による２重像等を防止する
ことができる。According to the first aspect of the present invention, the incident angle is 45
The reflectance of light of the P-polarized component can be reduced to 0.1% or less in a large range around 、, and a high transmitted light amount can be obtained in an optical device that separates and uses the light of the P-polarized component and the S-polarized component. At the same time, a double image or the like due to reflected light can be prevented.
【００２１】請求項２の発明によると、入射角が４５゜
付近の大きい範囲においてＰ偏光成分の光の反射率をよ
り低くすることができ、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の光を
分離して使用する光学機器において、透過・反射特性を
より向上させることができる。According to the second aspect of the present invention, the reflectance of the P-polarized light component can be made lower in a large range where the incident angle is around 45 °, and the P-polarized light component and the S-polarized light component are separated. In an optical device to be used, transmission / reflection characteristics can be further improved.
【００２２】請求項３の発明によると、入射角が４５゜
付近の大きい範囲においてＰ偏光成分の光の反射率が
０．１％以下の反射防止膜を簡単に実現することができ
る。According to the third aspect of the present invention, it is possible to easily realize an antireflection film having a reflectance of 0.1% or less for the P-polarized light component in a large range where the incident angle is around 45 °.
【図１】 従来の反射防止膜の構成を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a conventional antireflection film.
【図２】 従来の他の反射防止膜の構成を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of another conventional antireflection film.
【図３】 図１の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing the reflectance of the antireflection film of FIG.
【図４】 図２の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a reflectance of the antireflection film of FIG. 2;
【図５】 本発明の第１実施例の反射防止膜の構成
を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of an antireflection film according to a first embodiment of the present invention.
【図６】 図５の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing the reflectance of the antireflection film of FIG.
【図７】 本発明の第２実施例の反射防止膜の構成
を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of an antireflection film according to a second embodiment of the present invention.
【図８】 図７の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing the reflectance of the antireflection film of FIG. 7;
【図９】 本発明の第３実施例の反射防止膜の構成
を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of an antireflection film according to a third embodiment of the present invention.
【図１０】 図９の反射防止膜の反射率を示す特性図
である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing the reflectance of the antireflection film of FIG. 9;
【図１１】 本発明の第４実施例の反射防止膜の構成
を示す図である。FIG. 11 is a view showing a configuration of an antireflection film according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１２】 図１１の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。12 is a characteristic diagram showing the reflectance of the antireflection film of FIG.
【図１３】 本発明の第５実施例の反射防止膜の構成
を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a configuration of an antireflection film according to a fifth embodiment of the present invention.
【図１４】 図１３の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。FIG. 14 is a characteristic diagram showing the reflectance of the antireflection film of FIG.
【図１５】 本発明の第６実施例の反射防止膜の構成
を示す図である。FIG. 15 is a view showing a configuration of an antireflection film according to a sixth embodiment of the present invention.
【図１６】 図１５の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。FIG. 16 is a characteristic diagram showing the reflectance of the antireflection film of FIG.
【図１７】 本発明の第７実施例の反射防止膜の構成
を示す図である。FIG. 17 is a view showing a configuration of an antireflection film according to a seventh embodiment of the present invention.
【図１８】 図１７の反射防止膜の反射率を示す特性
図である。18 is a characteristic diagram showing a reflectance of the antireflection film of FIG.
ｎ，ｎｓ，ｎ１〜ｎ５ 屈折率 ｄ，ｄ１〜ｄ５ 膜厚 λ０ 設計主波長 n, ns, n1 to n5 Refractive index d, d1 to d5 Film thickness λ0 Design dominant wavelength
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA37Y FB06 FC02 FD06 GA06 KA02 LA17 MA07 2K009 AA08 CC02 CC03 CC06 DD03 EE00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H091 FA37Y FB06 FC02 FD06 GA06 KA02 LA17 MA07 2K009 AA08 CC02 CC03 CC06 DD03 EE00
Claims (3)
４、第５層の薄膜が積層される５層構造の反射防止膜に
おいて、第１、第２、第３、第４、第５層の屈折率及び
膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及びｄ１，ｄ２，
ｄ３，ｄ４，ｄ５とするとともに、設計主波長をλ０と
した時に、ｎ１及びｎ３の一方または両方は１．５６以
下であり、 ｎ２＞ｎ１≧ｎ５ ｎ４＞ｎ１ ｎ２＞ｎ３ ０．０９７λ０≦ｎ１ｄ１≦０．６６３λ０ ０．０１３λ０≦ｎ２ｄ２≦０．１００λ０ ０．０４４λ０≦ｎ３ｄ３≦０．３７５λ０ ０．０２４λ０≦ｎ４ｄ４≦０．０９５λ０ ０．０８６λ０≦ｎ５ｄ５≦０．３７５λ０ の関係にしたことを特徴とする反射防止膜。An antireflection film having a five-layer structure in which first, second, third, fourth, and fifth thin films are stacked in this order from the substrate side, wherein the first, second, third, and fourth antireflection films are provided. , The refractive index and the film thickness of the fifth layer are n1, n2, n3, n4, n5 and d1, d2.
When d3, d4, and d5, and when the design dominant wavelength is λ0, one or both of n1 and n3 is 1.56 or less, and n2> n1 ≧ n5 n4> n1 n2> n3 0.097λ0 ≦ n1d1 ≦ 0.663λ0 0.013λ0 ≦ n2d2 ≦ 0.100λ0 0.044λ0 ≦ n3d3 ≦ 0.375λ0 0.024λ0 ≦ n4d4 ≦ 0.095λ0 0.086λ0 ≦ n5d5 ≦ 0.375λ0 Anti-reflection characteristic film.
止膜。2. When the refractive index of the substrate is ns, 1.50 ≦ ns ≦ 1.85 1.35 ≦ n1 ≦ 1.80 2.00 ≦ n2 ≦ 2.60 1.35 ≦ n3 ≦ 1 2.80 2.00 ≦ n4 ≦ 2.60 1.38 ≦ n5 ≦ 1.48. The antireflection film according to claim 1, wherein:
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、の１つまたは複数を主成分と
し、第２層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｒＴｉＯ4、Ｔａ
2Ｏ5、の１つまたは複数を主成分とし、第３層はＭｇＦ
2、チオライト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯの１つまた
は複数を主成分とし、第４層はＴｉＯ2、ＺｎＳ、Ｚｒ
ＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5、の１つまたは複数を主成分とし、
第５層はＭｇＦ2、チオライト、ＳｉＯ2の１つまたは複
数を主成分とした事を特徴とする請求項１または請求項
２に記載の反射防止膜。3. The first layer is made of MgF 2 , thiolite, Si
One or more of O 2 , Al 2 O 3 and MgO are the main components, and the second layer is made of TiO 2 , ZnS, ZrTiO 4 , Ta
2 O 5 , as a main component, and the third layer is formed of MgF
2 , thiolite, SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO as a main component, and the fourth layer is made of TiO 2 , ZnS, Zr
One or more of TiO 4 and Ta 2 O 5 as main components;
The anti-reflection film according to claim 1, wherein the fifth layer contains one or more of MgF 2 , thiolite, and SiO 2 as main components.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10353116A JP2000180603A (en) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | Antireflection coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10353116A JP2000180603A (en) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | Antireflection coating |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000180603A true JP2000180603A (en) | 2000-06-30 |
Family
ID=18428683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10353116A Pending JP2000180603A (en) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | Antireflection coating |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000180603A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012088700A (en) * | 2010-10-01 | 2012-05-10 | Carl Zeiss Vision Gmbh | Optical lens with scratch-resistant antireflection layer |
| JP2014059446A (en) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Ricoh Co Ltd | Image display apparatus |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP10353116A patent/JP2000180603A/en active Pending
Cited By (4)
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| JP2016173613A (en) * | 2010-10-01 | 2016-09-29 | カール ツァイス ビジョン インターナショナル ゲーエムベーハー | Optical lens with scratch-resistant antireflection layer |
| US9817155B2 (en) | 2010-10-01 | 2017-11-14 | Carl Zeiss Vision International Gmbh | Optical lens with scratch-resistant anti-reflective layer |
| JP2014059446A (en) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Ricoh Co Ltd | Image display apparatus |
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