JP2000180136A - Device and method for inspecting semiconductor package - Google Patents

Device and method for inspecting semiconductor package

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JP2000180136A
JP2000180136A JP10351810A JP35181098A JP2000180136A JP 2000180136 A JP2000180136 A JP 2000180136A JP 10351810 A JP10351810 A JP 10351810A JP 35181098 A JP35181098 A JP 35181098A JP 2000180136 A JP2000180136 A JP 2000180136A
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Japan
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semiconductor package
light
image
inspection
slit
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JP10351810A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Abe
哲夫 阿部
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Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the device and method for inspecting a semiconductor package, such as a photodetector, which is sealed with a transparent resin. SOLUTION: The luminous flux of a light source needed for the inspection is converted into slit light suitable for the inspection, the semiconductor package 13 fixed to a movable table 14 is irradiated with the above slit light, and image of irregularly reflected light at a defect place in the semiconductor package 13 is picked up by an image pickup means. Here, the image pickup operation is carried out by stages by moving the table 14 stepwise. Images picked up in the respective stages are compared with prepared conforming-article imaged data corresponding to the respective stages to judge whether or not the semiconductor package 13 is normal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の外観異常を検出する半導体パッケージの検査装置及び
検査方法に関し、特に光の反射を利用して外観検査を行
う半導体パッケージの検査装置及び検査方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection apparatus and an inspection method for a semiconductor package for detecting an abnormality in the appearance of a semiconductor package, and more particularly to an inspection apparatus and an inspection method for a semiconductor package for performing an appearance inspection by utilizing light reflection. .

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体パッケージの外観不良を検出する
検査方法の一つとして、光による表面解析があげられ
る。一般的には、半導体パッケージの上部から拡散光照
明を照射し、もしくは横方向からサイド照明を照射し、
その反射光を測定する方法がとられている。通常、これ
らの方法は、黒い非透明樹脂で封止された半導体パッケ
ージの表面外観検査に用いられている。
2. Description of the Related Art As one of inspection methods for detecting a defective appearance of a semiconductor package, there is a surface analysis using light. Generally, diffuse light illumination is applied from the top of the semiconductor package, or side illumination is applied from the lateral direction,
A method of measuring the reflected light is used. Usually, these methods are used for surface appearance inspection of a semiconductor package sealed with a black non-transparent resin.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法を透
明樹脂で封止されたフォトディテクタ等の半導体パッケ
ージの外観選別に適用すると次のような問題がある。
However, when this method is applied to select the appearance of a semiconductor package such as a photodetector or the like sealed with a transparent resin, there are the following problems.

【0004】一つは、透明樹脂による封止であるため、
半導体パッケージの上部から拡散光照明を照射しても、
透明な半導体パッケージ表面では光の反射が十分に起こ
らず、表面状態を検知することが難しい。
One is sealing with a transparent resin,
Even if diffuse light illumination is applied from the top of the semiconductor package,
Light is not sufficiently reflected on the surface of the transparent semiconductor package, and it is difficult to detect the surface state.

【0005】また透明な樹脂を外部から観察すると、透
明であるがゆえに、透明樹脂背後の像も樹脂表面から観
察できる。この場合、従来の半導体パッケージの上部か
ら拡散光照明を照射する方法、もしくは横方向からサイ
ド照明を照射する方法をとると、反射により検出された
微妙な光の変化が、透明樹脂を透けて観察される背後の
像と重なるため、外観不良検出に必要な反射光自体の検
知が難しくなる。
When a transparent resin is observed from the outside, an image behind the transparent resin can be observed from the resin surface because the resin is transparent. In this case, if the conventional method of irradiating diffused light illumination from the top of the semiconductor package or the method of irradiating side illumination from the lateral direction is used, the subtle changes in light detected by reflection are observed through the transparent resin. Since it overlaps with the image behind, it is difficult to detect the reflected light itself required for detecting a defective appearance.

【0006】さらに、半導体パッケージがフォトディテ
クタである場合、封止樹脂は透明なものが使用され、封
止樹脂表面の外観不良だけではなく、封止樹脂内部の外
観不良も検出しなければならない。しかし、従来の半導
体パッケージの上部から拡散光照明を照射する方法、も
しくは横方向からサイド照明を照射する方法では、封止
樹脂内部の状態を局所的に検出することができない。
Further, when the semiconductor package is a photodetector, a transparent sealing resin is used, and it is necessary to detect not only the appearance defect on the surface of the sealing resin but also the appearance defect inside the sealing resin. However, in the conventional method of irradiating diffused light illumination from above the semiconductor package or irradiating side illumination from the lateral direction, the state inside the sealing resin cannot be locally detected.

【0007】さらに加えると、従来の方法では検査のた
めの照明が半導体パッケージ全体に照射されるため、半
導体パッケージ内部の外観不良だけではなく、半導体パ
ッケージの上面についたほこりも、反射光の乱れとして
検出してしまう。一般に、立体的なほこりによる反射光
の乱れは、半導体パッケージ内部の外観不良による反射
光の乱れより大きいため、本当に検出したい半導体パッ
ケージ内部の外観不良を見分けることが困難となる。
In addition, in the conventional method, since illumination for inspection is applied to the entire semiconductor package, not only the appearance defect inside the semiconductor package but also dust on the upper surface of the semiconductor package is disturbed as reflected light. Will be detected. Generally, disturbance of reflected light due to three-dimensional dust is larger than disturbance of reflected light due to poor appearance inside the semiconductor package. Therefore, it is difficult to distinguish defective appearance inside the semiconductor package that one really wants to detect.

【0008】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であり、透明樹脂で封止した半導体パッケージの外観不
良を効率良く局所的に検出できる透明物質の検査装置及
び検査方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a transparent substance inspection apparatus and an inspection method capable of efficiently and locally detecting appearance defects of a semiconductor package sealed with a transparent resin. Aim.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、透明部を有する半導体パッケージの検査
装置において、光源からの光をスリット光に変換する光
変換手段と、前記半導体パッケージを固定し、移動可能
なテーブルと、前記スリット光を前記半導体パッケージ
に当てた反射光を撮像する撮像手段と、前記撮像手段か
ら得られた画像を予め用意した良品の画像と比較して、
前記半導体パッケージの良否を判断する画像判定手段
と、を有することを特徴とする半導体パッケージの検査
装置が提供される。
According to the present invention, there is provided an inspection apparatus for a semiconductor package having a transparent portion, comprising: a light converting means for converting light from a light source into slit light; A fixed and movable table, imaging means for imaging reflected light obtained by applying the slit light to the semiconductor package, and comparing an image obtained from the imaging means with a non-defective image prepared in advance,
An image inspection means for judging the quality of the semiconductor package is provided.

【0010】前記光変換手段は、検査に必要な光源の光
束を検査に適したスリット光に変換する。前記スリット
光は、半導体パッケージに照射され、その反射光は撮像
手段によって撮像される。ここでの撮像は、前記テーブ
ルを段階的に移動させ、各段階ごとに行われる。各段階
ごとに撮像された画像は、各段階ごとに前記判定手段に
よって識別され、半導体パッケージの良否を判断する。
[0010] The light converting means converts a light beam of a light source required for inspection into slit light suitable for inspection. The slit light is applied to the semiconductor package, and the reflected light is imaged by an imaging unit. The imaging here is performed at each stage by moving the table stepwise. The image taken at each stage is identified by the determination means at each stage, and the quality of the semiconductor package is determined.

【0011】測定用の光源としてスリット光を用いるた
め、半導体パッケージ内部の気泡、空隙の境界面のみが
強調され検出しやすくなる。また半導体パッケージの各
移動段階ごとに光の反射を識別するため、半導体パッケ
ージ内部の状況を局所的かつ立体的に検出することがで
きる。
Since the slit light is used as the light source for measurement, only the boundary surface between bubbles and voids inside the semiconductor package is emphasized and detection is easy. Further, since the reflection of light is identified for each movement stage of the semiconductor package, the situation inside the semiconductor package can be locally and three-dimensionally detected.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。まず、本形態の半導体パッケージ
検査装置の構成について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the semiconductor package inspection device of the present embodiment will be described.

【0013】図1は、本発明の検査装置の構造図であ
る。検査装置10の下部には、移動可能なテーブル14
が設置されており、検査時、テーブル14の予め決めら
れた位置に、検査を行う半導体パッケージ13を真空吸
着等により固定させる。テーブル14には、テーブル位
置センサー19が取り付けられている。テーブル位置セ
ンサー19は、ケーブル20を介して後述する画像処理
システム17と電気的に接続されている。
FIG. 1 is a structural view of the inspection apparatus of the present invention. A movable table 14 is provided below the inspection device 10.
At the time of inspection, the semiconductor package 13 to be inspected is fixed at a predetermined position on the table 14 by vacuum suction or the like. A table position sensor 19 is attached to the table 14. The table position sensor 19 is electrically connected to an image processing system 17 described later via a cable 20.

【0014】検査装置10の側面には、光束の断面が長
方形となるようにファイバー先端が加工されたファイバ
ー照明発光部11が設置されており、ファイバー照明発
光部11はケーブル11aを介してハロゲン照明電源1
1bに接続されている。また、ファイバー照明発光部1
1とテーブル14の間には、照明用スリット型可変絞り
12が設置されている。
On the side surface of the inspection apparatus 10, there is provided a fiber illumination light emitting section 11 having a fiber tip processed so that the cross section of the light beam becomes rectangular, and the fiber illumination light emitting section 11 is halogen-illuminated via a cable 11a. Power supply 1
1b. In addition, fiber illumination light emitting section 1
Between the table 1 and the table 14, the illumination slit type variable aperture 12 is provided.

【0015】検査装置10の上部には、CCDカメラ1
5が設置されており、CCDカメラ15には、その焦点
を自由に調整することができる光学レンズ15aが取り
付けられている。
At the top of the inspection device 10, a CCD camera 1
The CCD camera 15 is provided with an optical lens 15a whose focus can be freely adjusted.

【0016】CCDカメラ15は、ケーブル16を介し
て画像処理システム17と電気的に接続されている。画
像処理システム17は、CCDカメラ15より送られて
きた画像データを処理する画像処理手段17a、良品の
画像モデルが記録されている良品画像メモリー17b、
検査後の結果を記録する検査結果記録メモリー17c、
テーブルの位置情報を処理するテーブル位置制御手段1
7dを有している。
The CCD camera 15 is electrically connected to an image processing system 17 via a cable 16. The image processing system 17 includes an image processing means 17a for processing image data sent from the CCD camera 15, a non-defective image memory 17b in which non-defective image models are recorded,
An inspection result recording memory 17c for recording the result after the inspection,
Table position control means 1 for processing table position information
7d.

【0017】そして、前記のファイバー照明発光部1
1、照明用スリット型可変絞り12、半導体パッケージ
13、テーブル14、CCDカメラ15及び光学レンズ
15aは、外光よけフード18により覆われている。
The fiber illumination light emitting section 1
1. The illumination slit-type variable aperture 12, the semiconductor package 13, the table 14, the CCD camera 15, and the optical lens 15a are covered with an outside light hood 18.

【0018】図2は照明用スリット型可変絞り12の詳
細図である。照明用スリット型可変絞り12は、非透明
な上板12c、下板12dならびに隙間調整ネジ12
a、12bを有しており、隙間調整ネジ12a、12b
を回転させることにより、上板12cならびに下板12
dの位置を調整できるようになっている。照明用スリッ
ト型可変絞り12の中央部には、前記上板12cならび
に下板12dを組み合わせたときにできる中央開口部1
2eがあり、隙間調整ネジ12a、12bを回転させ、
上板12cならびに下板12dの位置を調整することに
より、中央開口部12eのスリット幅12fを変えるこ
とができる。
FIG. 2 is a detailed view of the slit-type variable diaphragm 12 for illumination. The illumination slit-type variable diaphragm 12 includes an opaque upper plate 12c, a lower plate 12d, and a gap adjusting screw 12.
a, 12b, and the gap adjusting screws 12a, 12b
By rotating the upper plate 12c and the lower plate 12
The position of d can be adjusted. A central opening 1 formed when the upper plate 12c and the lower plate 12d are combined is provided at the center of the illumination slit-type variable diaphragm 12.
2e, rotate the gap adjusting screws 12a, 12b,
The slit width 12f of the central opening 12e can be changed by adjusting the positions of the upper plate 12c and the lower plate 12d.

【0019】次に図1ならびに図2を用い、全体的な動
作について説明する。ファイバー照明発光部11は、ケ
ーブル11aを介しハロゲン照射電源11bから電源を
供給され発光を行う。ファイバー照明発光部11で発光
する光量の調整はハロゲン照射電源11bの電圧を変化
させて行う。ファイバー照明発光部11から放たれた光
は照明用スリット型可変絞り12に到達し、到達した光
の一部は中央開口部12eを通過し、一部は上板12c
もしくは下板12dにより遮断される。そのため、隙間
調整ネジ12a、12bを回転させ、中央開口部12e
のスリット幅12fを変えることにより、中央開口部1
2eを通過する光束幅を自由に調整することができる。
以後、この中央開口部12eを通過した光をスリット光
と呼ぶこととする。
Next, the overall operation will be described with reference to FIGS. The fiber illumination light-emitting unit 11 emits light when supplied with power from a halogen irradiation power supply 11b via a cable 11a. Adjustment of the amount of light emitted by the fiber illumination light emitting section 11 is performed by changing the voltage of the halogen irradiation power supply 11b. The light emitted from the fiber illumination light-emitting unit 11 reaches the slit-type variable diaphragm 12 for illumination, a part of the light that has passed passes through the central opening 12e, and a part of the light reaches the upper plate 12c.
Or it is shut off by the lower plate 12d. For this reason, the gap adjusting screws 12a and 12b are rotated and the central opening 12e is rotated.
By changing the slit width 12f of the central opening 1
The width of the light beam passing through 2e can be freely adjusted.
Hereinafter, the light that has passed through the central opening 12e is referred to as slit light.

【0020】その後、スリット光は半導体パッケージ1
3に達し、半導体パッケージ13の側面方向から照射さ
れる。半導体パッケージ13が固定されているテーブル
14は、上下方向への移動ならびに半導体パッケージ1
3の水平方向面での回転が段階的に可能であり、テーブ
ル14を移動することによって、半導体パッケージ13
の位置を変えることができる。そして、半導体パッケー
ジ13の位置を変えることにより、半導体パッケージ1
3におけるスリット光入射位置を変えることができる。
テーブル14の位置は、テーブル位置センサー19で検
知され、その位置情報はケーブル20を介し画像処理シ
ステム17に送られる。
Thereafter, the slit light is applied to the semiconductor package 1.
3 and is irradiated from the side of the semiconductor package 13. The table 14 to which the semiconductor package 13 is fixed moves up and down and the semiconductor package 1
3 can be rotated stepwise, and by moving the table 14, the semiconductor package 13 can be rotated.
Can be changed. By changing the position of the semiconductor package 13, the semiconductor package 1 is changed.
3, the slit light incident position can be changed.
The position of the table 14 is detected by the table position sensor 19, and the position information is sent to the image processing system 17 via the cable 20.

【0021】スリット光が半導体パッケージ13の側面
に到達すると、その一部は半導体パッケージ13の表面
で反射し、また一部は半導体パッケージ13の表面もし
くは内部の気泡、クラックあるいは空隙の境界面等の外
観不良個所で乱反射を起こす。そして、この乱反射光の
一部は、光学レンズ15aを経てCCDカメラ15に入
る。なお、前記ファイバー照明発光部11、照明用スリ
ット型可変絞り12、半導体パッケージ13、テーブル
14、CCDカメラ15及び光学レンズ15aは、外光
よけフード18により覆われており、前記ファイバー照
明発光部11から照射された検査光以外の外部光の検査
経路への進入を防いでいる。
When the slit light reaches the side surface of the semiconductor package 13, a part of the light is reflected on the surface of the semiconductor package 13, and a part of the light is reflected on the surface of the semiconductor package 13 or on the boundary surface of bubbles, cracks or voids. Diffuse reflection occurs at poor appearance. A part of the irregularly reflected light enters the CCD camera 15 via the optical lens 15a. The fiber illumination light emitting section 11, the illumination slit type variable aperture 12, the semiconductor package 13, the table 14, the CCD camera 15, and the optical lens 15a are covered with an external light shielding hood 18, and the fiber illumination light emitting section This prevents external light other than the inspection light emitted from 11 from entering the inspection path.

【0022】CCDカメラに入った乱反射光は、検査画
像データとして取り込まれ、ケーブル16を介して画像
処理システム17に送られる。送られてきた検査データ
は、画像処理手段で以下のように処理される。
The irregularly reflected light that has entered the CCD camera is captured as inspection image data and sent to the image processing system 17 via the cable 16. The sent inspection data is processed by the image processing means as follows.

【0023】画像処理システム17の良品画像メモリー
17bには、テーブル14の位置情報に1対1で対応し
た良品画像データが保存されている。テーブル位置制御
手段17dは、実際に送られてきた位置情報に対応した
良品画像データを良品画像メモリー17bから引き出
し、それを画像処理手段17aに送る。画像処理手段1
7aは、送られてきた良品画像データと検査画像データ
との違いを抽出する。抽出された比較結果および検査画
像データは、テーブル14の位置情報とともに検査結果
記憶メモリー17cに記録される。
The non-defective image memory 17b of the image processing system 17 stores non-defective image data corresponding to the position information of the table 14 on a one-to-one basis. The table position control means 17d retrieves non-defective image data corresponding to the actually transmitted position information from the non-defective image memory 17b and sends it to the image processing means 17a. Image processing means 1
7a extracts the difference between the sent good image data and inspection image data. The extracted comparison result and inspection image data are recorded in the inspection result storage memory 17c together with the position information of the table 14.

【0024】そして、以上と同様な流れをテーブル14
の各移動位置ごとに行い、その検査結果を順次記録して
いく。次に、検査画像の様子ついて説明する。
Then, the same flow as described above is applied to the table 14.
Is performed for each moving position, and the inspection results are sequentially recorded. Next, the state of the inspection image will be described.

【0025】図3は、半導体パッケージ13にスリット
光が照射される様子を示している。半導体パッケージ
は、半導体チップ13aが透明樹脂13bにより封止さ
れている。
FIG. 3 shows how the semiconductor package 13 is irradiated with slit light. In the semiconductor package, a semiconductor chip 13a is sealed with a transparent resin 13b.

【0026】通常、半導体パッケージ13に照射された
スリット光13cの一部は透明樹脂13bの表面で反射
され、また一部は半導体チップ13aの表面で反射され
る。しかし、透明樹脂13b中に、クラック、空隙等の
外観不良個所13dがあると、スリット光は外観不良個
所13dで乱反射を起こす。
Normally, a part of the slit light 13c applied to the semiconductor package 13 is reflected on the surface of the transparent resin 13b, and a part is reflected on the surface of the semiconductor chip 13a. However, if there is a defective appearance portion 13d such as a crack or a void in the transparent resin 13b, the slit light causes irregular reflection at the defective appearance portion 13d.

【0027】スリット光が、透明樹脂13bの表面、あ
るいは半導体チップ13aの表面のような平面を反射す
る場合、これらの表面に入射するスリット光の入射角
(入射点に立てた反射面に対する法線と入射光とがなす
角度)は、反射角(入射点に立てた反射面に対する法線
と反射光とがなす角度)と等しい。よって、透明樹脂1
3bの表面、あるいは半導体チップ13aの表面で反射
するスリット光については、入射角が決まれば反射光の
道筋は決まってしまう。この入射角はテーブル14の位
置を変えることにより変化させることができるが、CC
Dカメラ15は、この入射角の変化範囲にそれぞれ対応
したすべての反射光の道筋から外れた位置に設置してあ
る。
When the slit light reflects on a flat surface such as the surface of the transparent resin 13b or the surface of the semiconductor chip 13a, the angle of incidence of the slit light incident on these surfaces (normal to the reflecting surface set at the incident point). Is equal to the reflection angle (the angle formed by the reflected light and the normal to the reflecting surface at the incident point). Therefore, the transparent resin 1
Regarding the slit light reflected on the surface of 3b or the surface of the semiconductor chip 13a, the path of the reflected light is determined if the incident angle is determined. This incident angle can be changed by changing the position of the table 14,
The D camera 15 is installed at a position off the path of all the reflected light corresponding to the range of change of the incident angle.

【0028】一方、外観不良個所13dで乱反射される
乱反射光は、その外観不良個所13dの形状によりさま
ざまな方向に進み、その乱反射光の一部はCCDカメラ
15に到達する。
On the other hand, the irregularly reflected light irregularly reflected at the defective appearance portion 13d travels in various directions depending on the shape of the defective appearance portion 13d, and a part of the irregularly reflected light reaches the CCD camera 15.

【0029】これより、CCDカメラ15には、透明樹
脂13b表面あるいは半導体チップ13a表面での反射
光は入射せず、前記乱反射光の一部のみが入射する。そ
のためCCDカメラ15は、前記乱反射光を強調して撮
像することとなり、その撮像された乱反射画像をもって
透明樹脂13の外観不良を検知することができる。
Thus, the reflected light on the surface of the transparent resin 13b or the surface of the semiconductor chip 13a does not enter the CCD camera 15, but only a part of the irregularly reflected light enters. Therefore, the CCD camera 15 picks up an image by emphasizing the irregularly reflected light, and can detect a defective appearance of the transparent resin 13 based on the picked up irregularly reflected image.

【0030】前記乱反射は、外観不良個所13dだけで
はなく、透明樹脂13b表面樹脂に付着したほこりによ
っても生じる。しかし、照射している光は光束幅を細く
絞り込んだスリット光であるため、拡散光を用いる場合
に比べ、前記ほこりによる乱反射は小さく抑えることが
できる。
The irregular reflection is caused not only by the defective portion 13d but also by dust adhering to the surface resin of the transparent resin 13b. However, the irradiating light is slit light whose light beam width is narrowed down, so that diffused reflection due to dust can be suppressed as compared with the case where diffused light is used.

【0031】次に、画像処理システム17の処理手順に
ついて説明する。図4は、画像処理システム17の処理
手順を示すフローチャートである。 〔S1〕 テーブル位置制御手段17dが、テーブル位
置センサー19から送られてきたテーブル14の位置情
報を検知する。 〔S2〕 テーブル位置制御手段17dは、ステップS
1の位置情報に対応した良品画像データを、良品画像メ
モリー17bから引き出し、その良品画像データを画像
処理手段17aに送る。 〔S3〕 画像処理手段17aは、CCDカメラ15か
ら送られてきた検査画像データと、テーブル位置制御手
段17dから送られてきた良品画像データとを比較し、
比較結果データを作成する。 〔S4〕 画像処理手段17aは、CCDカメラ15か
ら送られてきた検査画像データならびにステップS3で
作成したの比較結果データをステップS1で検知した位
置情報とともに、検査結果記憶メモリー17cに記録す
る。
Next, the processing procedure of the image processing system 17 will be described. FIG. 4 is a flowchart illustrating a processing procedure of the image processing system 17. [S1] The table position control means 17d detects the position information of the table 14 sent from the table position sensor 19. [S2] The table position control unit 17d performs step S
The non-defective image data corresponding to the position information of No. 1 is extracted from the non-defective image memory 17b, and the non-defective image data is sent to the image processing means 17a. [S3] The image processing unit 17a compares the inspection image data sent from the CCD camera 15 with the non-defective image data sent from the table position control unit 17d.
Create comparison result data. [S4] The image processing means 17a records the inspection image data sent from the CCD camera 15 and the comparison result data created in step S3 together with the position information detected in step S1 in the inspection result storage memory 17c.

【0032】以上のように、本形態では、スリット光を
半導体パッケージ13の側面から照射し、半導体パッケ
ージ13の外観不良個所13dでの乱反射を強調して撮
像できることとしたので、フォトディテクタのように透
明樹脂で封止された半導体パッケージの外観不良を容易
に検知することができる。
As described above, in the present embodiment, the slit light is irradiated from the side surface of the semiconductor package 13 to enhance the diffuse reflection at the defective appearance portion 13d of the semiconductor package 13 so that the imaging can be performed. It is possible to easily detect the appearance defect of the semiconductor package sealed with the resin.

【0033】また、半導体パッケージ13を移動可能な
テーブル14に固定し、それを移動しながら、光束幅の
狭いスリット光を局所的に照射して検査できることとし
たため、半導体パッケージ13を立体的かつ局所的に検
査することができる。
Further, since the semiconductor package 13 is fixed to the movable table 14 and the inspection can be performed by locally irradiating the slit light having a small luminous flux width while moving the semiconductor package 13, the semiconductor package 13 can be three-dimensionally and locally. Can be inspected.

【0034】さらに、光束幅の狭いスリット光を、半導
体パッケージ13に局所的に照射することとしたため、
外観不良検出に障害となる半導体パッケージ13表面に
付着したほこりによる乱反射の影響を小さく抑えること
ができる。
Further, since the semiconductor package 13 is locally irradiated with slit light having a narrow light flux width,
The influence of irregular reflection caused by dust adhering to the surface of the semiconductor package 13 which hinders the appearance defect detection can be reduced.

【0035】なお、本形態では、テーブル14の一つの
位置に対応する良品画像データは一つのみとした。しか
し、前記光学レンズ15aの焦点深度を浅くして、テー
ブル14の一つの位置に対して、半導体パッケージ13
の断面ごと複数の良品画像データが対応する形態として
もよい。前記光学レンズ15aの焦点深度を浅くした場
合、半導体パッケージ13の厚み方向における乱反射位
置の違いに対するCCDカメラ15の受光効率の変位を
大きくとることができる。この場合、前記光学レンズ1
5aの焦点を変えることにより、半導体パッケージ13
の任意断面での乱反射のみを強調して前記CCDカメラ
15に取り込むことができるようになるため、任意断面
ごとのさらに詳細な検査を行うことができる。
In this embodiment, there is only one non-defective image data corresponding to one position on the table 14. However, the depth of focus of the optical lens 15a is reduced, so that the semiconductor package 13
A plurality of non-defective image data may correspond to each section. When the depth of focus of the optical lens 15a is reduced, the displacement of the light receiving efficiency of the CCD camera 15 with respect to the difference in the irregular reflection position in the thickness direction of the semiconductor package 13 can be increased. In this case, the optical lens 1
5a, the semiconductor package 13 is changed.
Since only the irregular reflection at an arbitrary cross section can be taken into the CCD camera 15 while being emphasized, more detailed inspection can be performed for each arbitrary cross section.

【0036】また、本形態では光源としてハロゲンラン
プを用いたが、代わりに水銀ランプ等を用いてもよい。
さらに、本形態では、外観検査対象を半導体パッケージ
としているが、ガラス、プラスチック、液体、その他透
明物質全般に適応してもよい。
In this embodiment, a halogen lamp is used as a light source, but a mercury lamp or the like may be used instead.
Further, in the present embodiment, the semiconductor package is used for the visual inspection, but the present invention may be applied to glass, plastic, liquid, and other transparent materials in general.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体パ
ッケージの検査装置では、半導体パッケージを移動でき
るテーブルに固定し、半導体パッケージにスリット光を
照射して、その反射光から得られる画像によって、半導
体パッケージの検査をする構成としたので、内部の欠陥
を容易に発見することができる。
As described above, in the semiconductor package inspection apparatus of the present invention, the semiconductor package is fixed to a movable table, the semiconductor package is irradiated with slit light, and an image obtained from the reflected light is used. Since the semiconductor package is inspected, an internal defect can be easily found.

【0038】本発明の半導体パッケージの検査方法で
は、半導体パッケージを上下させながら、スリット光を
照射して、その反射光から得られる画像によって、半導
体パッケージの検査をするようにしたので、内部の欠陥
を容易に発見することができる。
In the method of inspecting a semiconductor package according to the present invention, the semiconductor package is inspected by irradiating the slit light while raising and lowering the semiconductor package and using an image obtained from the reflected light. Can be easily found.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の検査装置の構造図である。FIG. 1 is a structural diagram of an inspection device of the present invention.

【図2】照明用スリット型可変絞りの詳細図である。FIG. 2 is a detailed view of a slit-type variable diaphragm for illumination.

【図3】半導体パッケージにスリット光が照射される様
子を示した概念図である。
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a state in which a semiconductor package is irradiated with slit light.

【図4】画像処理システムの処理手順を示すフローチャ
ートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating a processing procedure of the image processing system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…ファイバー照明発光部、12…照明用スリット型
可変絞り、13…半導体パッケージ、14…テーブル、
15…CCDカメラ、17…画像処理システム
11: Fiber illumination light emitting unit, 12: Slit type variable aperture for illumination, 13: Semiconductor package, 14: Table,
15: CCD camera, 17: Image processing system

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明部を有する半導体パッケージの検査
装置において、 光源からの光をスリット光に変換する光変換手段と、 前記半導体パッケージを固定し、移動可能なテーブル
と、 前記スリット光を前記半導体パッケージに当てた反射光
を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段から得られた画像を予め用意した良品の画
像と比較して、前記半導体パッケージの良否を判断する
判定手段と、 を有することを特徴とする半導体パッケージの検査装
置。
1. An inspection apparatus for a semiconductor package having a transparent portion, wherein: a light conversion means for converting light from a light source into slit light; a table on which the semiconductor package is fixed and movable; Imaging means for imaging the reflected light applied to the package; and determining means for comparing the image obtained from the imaging means with an image of a non-defective product prepared in advance to determine the quality of the semiconductor package. Semiconductor package inspection device.
【請求項2】 前記半導体パッケージはフォトディテク
ターであることを特徴とする請求項1記載の半導体パッ
ケージの検査装置。
2. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor package is a photodetector.
【請求項3】 前記光源はハロゲンランプであることを
特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの検査装
置。
3. The semiconductor package inspection apparatus according to claim 1, wherein said light source is a halogen lamp.
【請求項4】 前記光変換手段は前記スリット光の幅を
調整可能であることを特徴とする請求項1記載の半導体
パッケージの検査装置。
4. The semiconductor package inspection apparatus according to claim 1, wherein said light converting means is capable of adjusting a width of said slit light.
【請求項5】 前記移動移動可能なテーブルは、回転可
能であることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケ
ージの検査装置。
5. The semiconductor package inspection apparatus according to claim 1, wherein the movable table is rotatable.
【請求項6】 前記移動移動可能なテーブルは、上下移
動可能であることを特徴とする請求項1記載の半導体パ
ッケージの検査装置。
6. The semiconductor package inspection apparatus according to claim 1, wherein the movable table is vertically movable.
【請求項7】 前記移動可能なテーブルの位置を検出す
る位置制御手段を有する請求項1記載の半導体パッケー
ジの検査装置。
7. The semiconductor package inspection apparatus according to claim 1, further comprising a position control means for detecting a position of the movable table.
【請求項8】 透明部を有する半導体パッケージの検査
方法において、 光源からの光をスリット光に変換し、 前記スリット光を半導体パッケージに照射し、 前記半導体パッケージを移動させ、 前記スリット光を前記半導体パッケージにあてた反射光
を撮像し、前記撮像した画像を予め用意した良品の画像
と比較して、前記半導体パッケージの良否を判断するこ
とを特徴とする半導体パッケージの検査方法。
8. A method of inspecting a semiconductor package having a transparent portion, comprising: converting light from a light source into slit light; irradiating the semiconductor package with the slit light; moving the semiconductor package; A method of inspecting a semiconductor package, comprising: taking an image of reflected light applied to a package; and comparing the taken image with an image of a non-defective product prepared in advance to judge the quality of the semiconductor package.
【請求項9】 前記半導体パッケージは、フォトディテ
クタであることを特徴とする請求項8項記載の半導体パ
ッケージの検査方法。
9. The method according to claim 8, wherein the semiconductor package is a photodetector.
【請求項10】 前記良品の画像は、前記移動可能なテ
ーブルの一つの位置に対して、一つの良品画像が対応す
ることを特徴とする請求項8記載の半導体パッケージの
検査方法。
10. The semiconductor package inspection method according to claim 8, wherein one image of the non-defective item corresponds to one image of the non-defective item on the movable table.
【請求項11】 前記良品の画像は、前記移動可能なテ
ーブルの一つの位置に対して、複数の良品画像が対応す
ることを特徴とする請求項8記載の半導体パッケージの
検査方法。
11. The semiconductor package inspection method according to claim 8, wherein a plurality of non-defective images correspond to one position of the movable table.
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