JP2000174304A - 宇宙用太陽電池 - Google Patents
宇宙用太陽電池Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン基板と背面電極を電気的に接続する
ために形成された背面絶縁層の複数の開口の開口率を最
適化することで、直列抵抗による電力ロスを低減して、
出力改善を図り、さらに基板の厚みと抵抗率を最適化す
ることにより、宇宙用途に適した太陽電池とする。 【解決手段】 シリコン基板１の背面と背面電極６の間
に酸化膜１０を設け、酸化膜１０にシリコン基板１と背
面電極６を電気的に接続するための複数の開口１１を形
成する。開口率は、シリコン基板１の背面に対して０．
２５％以上、３０％以下とする。さらに、基板の厚みを
５０μｍ以上、２５０μｍ以下とし、基板の抵抗率を１
Ωｃｍ以上、１４Ωｃｍ以下とする。
ために形成された背面絶縁層の複数の開口の開口率を最
適化することで、直列抵抗による電力ロスを低減して、
出力改善を図り、さらに基板の厚みと抵抗率を最適化す
ることにより、宇宙用途に適した太陽電池とする。 【解決手段】 シリコン基板１の背面と背面電極６の間
に酸化膜１０を設け、酸化膜１０にシリコン基板１と背
面電極６を電気的に接続するための複数の開口１１を形
成する。開口率は、シリコン基板１の背面に対して０．
２５％以上、３０％以下とする。さらに、基板の厚みを
５０μｍ以上、２５０μｍ以下とし、基板の抵抗率を１
Ωｃｍ以上、１４Ωｃｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、宇宙用シリコン太
陽電池のような宇宙用太陽電池に関し、さらに詳しく
は、良好な電気出力特性を有し、宇宙環境下で好適に用
いられる宇宙用太陽電池に関する。
陽電池のような宇宙用太陽電池に関し、さらに詳しく
は、良好な電気出力特性を有し、宇宙環境下で好適に用
いられる宇宙用太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】光エネルギーを電気エネルギーに変換す
る太陽電池として、シリコン太陽電池が広く用いられて
おり、このシリコン太陽電池は、人工衛星等の宇宙用途
にも使用されている。
る太陽電池として、シリコン太陽電池が広く用いられて
おり、このシリコン太陽電池は、人工衛星等の宇宙用途
にも使用されている。
【０００３】図１４に従来のシリコン太陽電池の一例を
示す。これは、ＢＳＲ（Back Surface Reflector）構造
と呼ばれており、厚さ２００μｍのＰ型シリコン基板１
の前面の受光面には、Ｎ型不純物を熱拡散することによ
って、光エネルギーにより発生するキャリアを取り込む
ためのＮ+ 型拡散層２が形成されており、Ｎ+ 型拡散層
２上には、発生した電気を取り出すための受光面電極３
が櫛歯状に形成されている。さらに、Ｎ+ 型拡散層２と
受光面電極３は、入射する光の表面反射を低減するため
の反射防止膜４によって覆われている。
示す。これは、ＢＳＲ（Back Surface Reflector）構造
と呼ばれており、厚さ２００μｍのＰ型シリコン基板１
の前面の受光面には、Ｎ型不純物を熱拡散することによ
って、光エネルギーにより発生するキャリアを取り込む
ためのＮ+ 型拡散層２が形成されており、Ｎ+ 型拡散層
２上には、発生した電気を取り出すための受光面電極３
が櫛歯状に形成されている。さらに、Ｎ+ 型拡散層２と
受光面電極３は、入射する光の表面反射を低減するため
の反射防止膜４によって覆われている。
【０００４】そして、シリコン基板１の背面上には、太
陽電池背面から抜け出る長波長光を反射させて光路長を
長くすることで、キャリアの発生量を改善するためのＢ
ＳＲ電極５が形成されており、さらにＢＳＲ電極５上に
は、発生した電気を取り出すための背面電極６が全面に
形成されている。この構造の太陽電池では、ＢＳＲ電極
５によってシリコン基板１の背面に達する光を反射させ
て、この付近で発生したキャリアを有効に電力として取
り出すことによって、変換効率を高めている。
陽電池背面から抜け出る長波長光を反射させて光路長を
長くすることで、キャリアの発生量を改善するためのＢ
ＳＲ電極５が形成されており、さらにＢＳＲ電極５上に
は、発生した電気を取り出すための背面電極６が全面に
形成されている。この構造の太陽電池では、ＢＳＲ電極
５によってシリコン基板１の背面に達する光を反射させ
て、この付近で発生したキャリアを有効に電力として取
り出すことによって、変換効率を高めている。
【０００５】また、図１５はさらに高効率化を図った太
陽電池であり、ＮＲＳ／ＢＳＦ（Non-Reflective Surfa
ce／Back Surface Field）構造と呼ばれており、厚さ１
００μｍのＰ型シリコン基板１の受光面が、微小な逆ピ
ラミッド状の凹部を多数形成した無反射形状７とされ、
多重反射によって太陽光の表面反射を低減する。これが
ＮＲＳ構造と呼ばれる。また、受光面側にはＮ+ 型拡散
層２が形成され、Ｎ+型拡散層２上に、前面絶縁層とし
て前面酸化膜８が形成されており、酸化膜８の開口を介
して櫛歯状の受光面電極３がＮ+ 型拡散層２に接続され
ている。さらに、酸化膜８と受光面電極３は、入射する
光の表面反射を低減するための反射防止膜４によって覆
われている。
陽電池であり、ＮＲＳ／ＢＳＦ（Non-Reflective Surfa
ce／Back Surface Field）構造と呼ばれており、厚さ１
００μｍのＰ型シリコン基板１の受光面が、微小な逆ピ
ラミッド状の凹部を多数形成した無反射形状７とされ、
多重反射によって太陽光の表面反射を低減する。これが
ＮＲＳ構造と呼ばれる。また、受光面側にはＮ+ 型拡散
層２が形成され、Ｎ+型拡散層２上に、前面絶縁層とし
て前面酸化膜８が形成されており、酸化膜８の開口を介
して櫛歯状の受光面電極３がＮ+ 型拡散層２に接続され
ている。さらに、酸化膜８と受光面電極３は、入射する
光の表面反射を低減するための反射防止膜４によって覆
われている。
【０００６】そして、シリコン基板１の背面側には、シ
リコン基板１内で発生したキャリアをＮ+ 型拡散層方向
に行かせるために、Ｐ+ 型拡散層９が形成されている
（ＢＳＦ構造）。Ｐ+ 型拡散層９上には、背面絶縁層と
して背面酸化膜１０が形成されており、酸化膜１０に形
成された複数の開口１１を介してＢＳＲ電極５、背面電
極６がＰ+ 型拡散層９に電気的に接続されている。Ｐ+
型拡散層９によって内部電界が形成されており、シリコ
ン基板１の背面付近で発生したキャリアがこの電界によ
って加速される結果、キャリアの再結合が防止され、有
効に電力として取り出される。この構造では、特に長波
長光の光感度が増大し、変換効率が向上する。
リコン基板１内で発生したキャリアをＮ+ 型拡散層方向
に行かせるために、Ｐ+ 型拡散層９が形成されている
（ＢＳＦ構造）。Ｐ+ 型拡散層９上には、背面絶縁層と
して背面酸化膜１０が形成されており、酸化膜１０に形
成された複数の開口１１を介してＢＳＲ電極５、背面電
極６がＰ+ 型拡散層９に電気的に接続されている。Ｐ+
型拡散層９によって内部電界が形成されており、シリコ
ン基板１の背面付近で発生したキャリアがこの電界によ
って加速される結果、キャリアの再結合が防止され、有
効に電力として取り出される。この構造では、特に長波
長光の光感度が増大し、変換効率が向上する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】他材料と比較して、シ
リコン基板を用いた太陽電池は光を電気に変換する効率
が高く、安価であり、多くの需要があった。特に宇宙用
シリコン太陽電池には、近年更なる出力改善の要求が多
く、電気出力特性の向上が求められていた。したがっ
て、上記構造の太陽電池についても、出力改善を図る必
要があった。
リコン基板を用いた太陽電池は光を電気に変換する効率
が高く、安価であり、多くの需要があった。特に宇宙用
シリコン太陽電池には、近年更なる出力改善の要求が多
く、電気出力特性の向上が求められていた。したがっ
て、上記構造の太陽電池についても、出力改善を図る必
要があった。
【０００８】そこで、ＢＳＲ構造の太陽電池において出
力改善を図るためには、シリコン基板の背面上に背面絶
縁層を形成して、光エネルギーにより発生したキャリア
の背面での再結合を低減することにより、電気出力特性
を改善することが可能となる。このような太陽電池とし
ては、例えば特開平４−２７４３７４号公報や特開平６
−１６９０９６号公報に記載されたような太陽電池が知
られている。
力改善を図るためには、シリコン基板の背面上に背面絶
縁層を形成して、光エネルギーにより発生したキャリア
の背面での再結合を低減することにより、電気出力特性
を改善することが可能となる。このような太陽電池とし
ては、例えば特開平４−２７４３７４号公報や特開平６
−１６９０９６号公報に記載されたような太陽電池が知
られている。
【０００９】一方、ＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池で
は、すでにシリコン基板の背面上に背面絶縁層が形成さ
れているが、このシリコン太陽電池の高効率化に関し
て、局所的に形成された複数のＰ+ 層を有し、背面絶縁
層としてシリコン酸化膜が用いられた技術が、例えば
「Conference Record, 21th IEEE, Photovoltaic Speci
alists Conference, Florida, May 1990, P.333 〜335
」において提案されている。また、特開平４−１５９
６３号公報に開示された太陽電池では、拡散層の配置を
工夫して、変換効率を高めている。
は、すでにシリコン基板の背面上に背面絶縁層が形成さ
れているが、このシリコン太陽電池の高効率化に関し
て、局所的に形成された複数のＰ+ 層を有し、背面絶縁
層としてシリコン酸化膜が用いられた技術が、例えば
「Conference Record, 21th IEEE, Photovoltaic Speci
alists Conference, Florida, May 1990, P.333 〜335
」において提案されている。また、特開平４−１５９
６３号公報に開示された太陽電池では、拡散層の配置を
工夫して、変換効率を高めている。
【００１０】そして、このような太陽電池の高効率化に
加え、近年では、宇宙用として利用できるように、耐宇
宙線（放射線あるいは電子線）性をも考慮した、良好な
電気出力特性を有する宇宙用太陽電池の出現が望まれて
いる。
加え、近年では、宇宙用として利用できるように、耐宇
宙線（放射線あるいは電子線）性をも考慮した、良好な
電気出力特性を有する宇宙用太陽電池の出現が望まれて
いる。
【００１１】本発明は、このような事情を考慮してなさ
れたもので、背面絶縁層における開口率を規定すること
により、電気出力特性の改善を図り、宇宙用として好適
に使用することのできる宇宙用太陽電池を提供するもの
である。
れたもので、背面絶縁層における開口率を規定すること
により、電気出力特性の改善を図り、宇宙用として好適
に使用することのできる宇宙用太陽電池を提供するもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の発明者は、半導
体基板と背面電極を電気的に接続するために形成された
背面絶縁層の複数の開口が半導体基板の背面中で占有す
る割合、すなわち開口率（面積率）を０．２５〜３０％
にすることにより、直列抵抗による電力ロスを低減し、
電気出力特性を改善できることを見いだし本発明に至っ
た。
体基板と背面電極を電気的に接続するために形成された
背面絶縁層の複数の開口が半導体基板の背面中で占有す
る割合、すなわち開口率（面積率）を０．２５〜３０％
にすることにより、直列抵抗による電力ロスを低減し、
電気出力特性を改善できることを見いだし本発明に至っ
た。
【００１３】かくして、本発明によれば、半導体基板の
受光面とは反対側の背面に背面電極が設けられ、該背面
電極と半導体基板との間に絶縁層が設けられ、該絶縁層
に前記背面電極と半導体基板とを電気的に接続するため
の開口が複数形成され、前記背面に占める前記開口の面
積の割合が０．２５％以上、３０％以下とされたことを
特徴とする宇宙用太陽電池が提供される。
受光面とは反対側の背面に背面電極が設けられ、該背面
電極と半導体基板との間に絶縁層が設けられ、該絶縁層
に前記背面電極と半導体基板とを電気的に接続するため
の開口が複数形成され、前記背面に占める前記開口の面
積の割合が０．２５％以上、３０％以下とされたことを
特徴とする宇宙用太陽電池が提供される。
【００１４】本発明においては、半導体基板背面と背面
電極の間に絶縁層を設け、絶縁層に複数の開口を好まし
い割合で形成するものである。この開口の面積の割合
は、０．２５〜３０％の範囲であればよく、より好まし
くは１０〜１５％の範囲、最も好ましくは１２．２５％
の値である。これにより、直列抵抗を低減し、電気出力
特性を改善することができる。
電極の間に絶縁層を設け、絶縁層に複数の開口を好まし
い割合で形成するものである。この開口の面積の割合
は、０．２５〜３０％の範囲であればよく、より好まし
くは１０〜１５％の範囲、最も好ましくは１２．２５％
の値である。これにより、直列抵抗を低減し、電気出力
特性を改善することができる。
【００１５】このように、半導体基板の背面に占める開
口の面積の割合を０．２５％以上、３０％以下としたの
は、開口の割合が３０％より大きいと、半導体基板の背
面付近で発生したキャリアの再結合を防止するという絶
縁層の効果が小さくなり、さらに太陽光吸収率（αｓ）
が高くなるため動作温度が上昇し、実動作時の出力が低
くなる。また０．２５％より小さいと、直列抵抗が増大
し、電気出力が低下するという理由による。
口の面積の割合を０．２５％以上、３０％以下としたの
は、開口の割合が３０％より大きいと、半導体基板の背
面付近で発生したキャリアの再結合を防止するという絶
縁層の効果が小さくなり、さらに太陽光吸収率（αｓ）
が高くなるため動作温度が上昇し、実動作時の出力が低
くなる。また０．２５％より小さいと、直列抵抗が増大
し、電気出力が低下するという理由による。
【００１６】上記構成においては、各開口は一定間隔で
配置されていることが望ましい。また、開口は、製造の
容易性の点からは、矩形であることが望ましく、より望
ましくは正方形である。例えば、この開口は、約７０μ
ｍの一辺を有する正方形で、約２００μｍのピッチで分
布するように配置したり、あるいは、約３０μｍの一辺
を有する正方形で、約３００μｍのピッチで分布するよ
うに配置したりすることができる。この開口は、正方形
のドット状に限らず、円形、多角形のドット状でもよい
し、規則的な配置でなくても、開口率が０．２５〜３０
％の規定範囲内にあればランダムな配置であってもよ
い。
配置されていることが望ましい。また、開口は、製造の
容易性の点からは、矩形であることが望ましく、より望
ましくは正方形である。例えば、この開口は、約７０μ
ｍの一辺を有する正方形で、約２００μｍのピッチで分
布するように配置したり、あるいは、約３０μｍの一辺
を有する正方形で、約３００μｍのピッチで分布するよ
うに配置したりすることができる。この開口は、正方形
のドット状に限らず、円形、多角形のドット状でもよい
し、規則的な配置でなくても、開口率が０．２５〜３０
％の規定範囲内にあればランダムな配置であってもよ
い。
【００１７】半導体基板は、Ｐ型シリコン基板の受光面
側にＮ+ 型拡散層および背面側にＰ + 型拡散層が形成さ
れたＮ+ −Ｐ−Ｐ+ 接合型、あるいはＮ型シリコン基板
の受光面側にＰ+ 型拡散層および背面側にＮ+ 型拡散層
が形成されたＰ+ −Ｎ−Ｎ+接合型であってもよいし、
Ｐ型シリコン基板の受光面側にＮ+ 型拡散層が形成され
たＮ+ −Ｐ接合型、あるいはＮ型シリコン基板の受光面
側にＰ+ 型拡散層が形成されたＰ+ −Ｎ接合型であって
もよい。
側にＮ+ 型拡散層および背面側にＰ + 型拡散層が形成さ
れたＮ+ −Ｐ−Ｐ+ 接合型、あるいはＮ型シリコン基板
の受光面側にＰ+ 型拡散層および背面側にＮ+ 型拡散層
が形成されたＰ+ −Ｎ−Ｎ+接合型であってもよいし、
Ｐ型シリコン基板の受光面側にＮ+ 型拡散層が形成され
たＮ+ −Ｐ接合型、あるいはＮ型シリコン基板の受光面
側にＰ+ 型拡散層が形成されたＰ+ −Ｎ接合型であって
もよい。
【００１８】半導体基板は、受光面が凹凸状に形成され
た無反射形状（テクスチャ）を有する基板であってもよ
い。
た無反射形状（テクスチャ）を有する基板であってもよ
い。
【００１９】本発明の宇宙用太陽電池は、ＢＳＲ構造、
ＢＳＦＲ（Back Surface Field & Reflector）構造、Ｎ
ＲＳ／ＢＳＦ構造のいずれの太陽電池であっても適用可
能である。
ＢＳＦＲ（Back Surface Field & Reflector）構造、Ｎ
ＲＳ／ＢＳＦ構造のいずれの太陽電池であっても適用可
能である。
【００２０】絶縁層としては、酸化膜を適用することが
できる。しかしながら、この絶縁層としては酸化膜に限
らず、窒化膜を用いてもよい。酸化膜を用いる場合に
は、ＳｉＯ2膜を適用することができる。背面電極とし
ては、例えばＴｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる三層の金属積層
体を適用することができる。
できる。しかしながら、この絶縁層としては酸化膜に限
らず、窒化膜を用いてもよい。酸化膜を用いる場合に
は、ＳｉＯ2膜を適用することができる。背面電極とし
ては、例えばＴｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる三層の金属積層
体を適用することができる。
【００２１】半導体基板は、光電変換効率及びコストの
面からはシリコン基板を用いることが望ましく、その厚
みは、初期の電気出力特性と電子線照射後の電気出力特
性（耐放射線性）とを考慮した場合、５０〜２５０μｍ
の範囲の厚みであることが望ましい。
面からはシリコン基板を用いることが望ましく、その厚
みは、初期の電気出力特性と電子線照射後の電気出力特
性（耐放射線性）とを考慮した場合、５０〜２５０μｍ
の範囲の厚みであることが望ましい。
【００２２】また、半導体基板の抵抗率は、初期の電気
出力特性と電子線照射後の電気出力特性（耐放射線性）
を考慮した場合、１〜１４Ωｃｍの範囲の抵抗率である
ことが望ましい。
出力特性と電子線照射後の電気出力特性（耐放射線性）
を考慮した場合、１〜１４Ωｃｍの範囲の抵抗率である
ことが望ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態である背面絶
縁層（膜）を形成したＢＳＲ構造の太陽電池を図１に示
す。この太陽電池の基本的な構造は、図１４に示した従
来のものと同じＮ+ −Ｐ接合型であるので、同じ構成要
素には同一の符号を付している。半導体基板としては、
厚さが５０μｍ以上、２５０μｍ以下で、抵抗率が１Ω
ｃｍ以上、１４Ωｃｍ以下のシリコン基板１であり、例
えば、サイズが３６×６９ｍｍで、１５０μｍの厚さと
２Ωｃｍの抵抗率を有するＰ型単結晶シリコン基板１が
用いられている。
縁層（膜）を形成したＢＳＲ構造の太陽電池を図１に示
す。この太陽電池の基本的な構造は、図１４に示した従
来のものと同じＮ+ −Ｐ接合型であるので、同じ構成要
素には同一の符号を付している。半導体基板としては、
厚さが５０μｍ以上、２５０μｍ以下で、抵抗率が１Ω
ｃｍ以上、１４Ωｃｍ以下のシリコン基板１であり、例
えば、サイズが３６×６９ｍｍで、１５０μｍの厚さと
２Ωｃｍの抵抗率を有するＰ型単結晶シリコン基板１が
用いられている。
【００２４】本太陽電池においては、シリコン基板１の
背面に、ＡｌやＡｕ等の金属層からなるＢＳＲ電極５お
よび例えばＴｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる金属層の背面電極
６が積層され、ＢＳＲ電極５とシリコン基板１との間に
背面絶縁層として働くＳｉＯ 2 等の酸化膜１０が形成さ
れている。酸化膜１０には、シリコン基板１とＢＳＲ電
極５および背面電極６との電気的な接続を得るためのコ
ンタクトホールとして利用される複数の開口１１が形成
されている。
背面に、ＡｌやＡｕ等の金属層からなるＢＳＲ電極５お
よび例えばＴｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる金属層の背面電極
６が積層され、ＢＳＲ電極５とシリコン基板１との間に
背面絶縁層として働くＳｉＯ 2 等の酸化膜１０が形成さ
れている。酸化膜１０には、シリコン基板１とＢＳＲ電
極５および背面電極６との電気的な接続を得るためのコ
ンタクトホールとして利用される複数の開口１１が形成
されている。
【００２５】そして、酸化膜１０は、熱酸化やＣＶＤ法
によって形成される。開口１１は、この酸化膜１０に例
えばフォトエッチング技術を用いて形成される。これら
の開口１１では、シリコン基板１の背面に対する開口率
が０．２５％以上で３０％以下になるように設定されて
いる。例えば、図２に示すように、開口１１は、７０μ
ｍの一辺を有する正方形とされ、２００μｍのピッチで
分布するように規則正しく配置されており、このときの
開口率は、以下の式に示すように１２．２５％になる。 （７０×７０）／（２００×２００）＝０．１２２５
によって形成される。開口１１は、この酸化膜１０に例
えばフォトエッチング技術を用いて形成される。これら
の開口１１では、シリコン基板１の背面に対する開口率
が０．２５％以上で３０％以下になるように設定されて
いる。例えば、図２に示すように、開口１１は、７０μ
ｍの一辺を有する正方形とされ、２００μｍのピッチで
分布するように規則正しく配置されており、このときの
開口率は、以下の式に示すように１２．２５％になる。 （７０×７０）／（２００×２００）＝０．１２２５
【００２６】また、シリコン基板１のサイズは３６ｍｍ
×６９ｍｍであるので、開口１１の密度は次のようにな
る。シリコン基板１の長手方向には、６９／０．２＝３
４５個の開口が配置され、基板１の短手方向には、３６
／０．２＝１８０個の開口が配置されている。したがっ
て、シリコン基板１全体では、３４５×１８０＝６２１
００個の開口が形成されていることになり、開口の密度
は、６２１００／（３６ｍｍ×６９ｍｍ）＝２５個／ｍ
ｍ2となる。
×６９ｍｍであるので、開口１１の密度は次のようにな
る。シリコン基板１の長手方向には、６９／０．２＝３
４５個の開口が配置され、基板１の短手方向には、３６
／０．２＝１８０個の開口が配置されている。したがっ
て、シリコン基板１全体では、３４５×１８０＝６２１
００個の開口が形成されていることになり、開口の密度
は、６２１００／（３６ｍｍ×６９ｍｍ）＝２５個／ｍ
ｍ2となる。
【００２７】次に、ＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池にお
ける背面絶縁層の開口率を最適化した実施形態を説明す
る。太陽電池の構造は、図１５に示すものと全く同じＮ
+ −Ｐ−Ｐ+ 接合型であり、シリコン基板として、例え
ば、サイズが３６ｍｍ×６９ｍｍで、１００μｍの厚さ
と２Ωｃｍの抵抗率を有するＰ型シリコン単結晶基板１
が用いられている。背面絶縁層としての酸化膜１０に
は、例えばフォトエッチング技術を用いて複数の開口１
１が形成されており、これらの開口１１は、その酸化膜
１０上に形成されたＡｌからなる金属層のＢＳＲ電極５
及びＴｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる金属積層体の背面電極６
と、シリコン基板１の背面側のＰ+ 型拡散層９との間の
電気的接続を得るためのコンタクトホールとしても利用
される。
ける背面絶縁層の開口率を最適化した実施形態を説明す
る。太陽電池の構造は、図１５に示すものと全く同じＮ
+ −Ｐ−Ｐ+ 接合型であり、シリコン基板として、例え
ば、サイズが３６ｍｍ×６９ｍｍで、１００μｍの厚さ
と２Ωｃｍの抵抗率を有するＰ型シリコン単結晶基板１
が用いられている。背面絶縁層としての酸化膜１０に
は、例えばフォトエッチング技術を用いて複数の開口１
１が形成されており、これらの開口１１は、その酸化膜
１０上に形成されたＡｌからなる金属層のＢＳＲ電極５
及びＴｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる金属積層体の背面電極６
と、シリコン基板１の背面側のＰ+ 型拡散層９との間の
電気的接続を得るためのコンタクトホールとしても利用
される。
【００２８】開口１１は、図３に示すように、３０μｍ
の一辺を有する正方形とされ、３００μｍのピッチで分
布するように規則正しく配置されており、このときの開
口率は、以下の式に示すように１．０％になる。 （３０×３０）／（３００×３００）＝０．０１
の一辺を有する正方形とされ、３００μｍのピッチで分
布するように規則正しく配置されており、このときの開
口率は、以下の式に示すように１．０％になる。 （３０×３０）／（３００×３００）＝０．０１
【００２９】また、シリコン基板１のサイズは３６ｍｍ
×６９ｍｍであるので、開口１１の密度は次のようにな
る。シリコン基板１の長手方向には、６９／０．３＝２
３０個の開口が配置され、基板１の短手方向には、３６
／０．３＝１２０個の開口が配置されている。したがっ
て、シリコン基板１全体では、２３０×１２０＝２７６
００個の開口が形成されていることになり、開口の密度
は、２７６００／（３６ｍｍ×６９ｍｍ）＝１１．１個
／ｍｍ2となる。
×６９ｍｍであるので、開口１１の密度は次のようにな
る。シリコン基板１の長手方向には、６９／０．３＝２
３０個の開口が配置され、基板１の短手方向には、３６
／０．３＝１２０個の開口が配置されている。したがっ
て、シリコン基板１全体では、２３０×１２０＝２７６
００個の開口が形成されていることになり、開口の密度
は、２７６００／（３６ｍｍ×６９ｍｍ）＝１１．１個
／ｍｍ2となる。
【００３０】ここで、上記実施形態のＢＳＲ構造の太陽
電池およびＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池に対して、宇
宙環境下（２８℃、ＡＭ０）での実験を行った。表１，
２に酸化膜１０の開口率を変化させた場合のＢＳＲ構造
の太陽電池とＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池の電気出力
特性（Ｉｓｃ，Ｖｏｃ，ＦＦ，Ｐｍａｘ）と太陽光吸収
率αｓのそれぞれの実験データを示す。なお、太陽電池
の寸法は２ｃｍ×２ｃｍである。宇宙環境下（２８℃、
ＡＭ０）とは、以下のような環境下である。また、電気
出力特性は以下の条件で測定した。 宇宙環境下：２８℃、ＡＭ０、太陽光照度１３５．３ｍＷ／ｃｍ2 Ｉｓｃ ：短絡電流 Ｖｏｃ ：開放電圧 ＦＦ ：曲線因子（ＦＦ＝Ｐｍａｘ／（Ｉｓｃ×Ｖｏｃ）） Ｐｍａｘ：最大出力
電池およびＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池に対して、宇
宙環境下（２８℃、ＡＭ０）での実験を行った。表１，
２に酸化膜１０の開口率を変化させた場合のＢＳＲ構造
の太陽電池とＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池の電気出力
特性（Ｉｓｃ，Ｖｏｃ，ＦＦ，Ｐｍａｘ）と太陽光吸収
率αｓのそれぞれの実験データを示す。なお、太陽電池
の寸法は２ｃｍ×２ｃｍである。宇宙環境下（２８℃、
ＡＭ０）とは、以下のような環境下である。また、電気
出力特性は以下の条件で測定した。 宇宙環境下：２８℃、ＡＭ０、太陽光照度１３５．３ｍＷ／ｃｍ2 Ｉｓｃ ：短絡電流 Ｖｏｃ ：開放電圧 ＦＦ ：曲線因子（ＦＦ＝Ｐｍａｘ／（Ｉｓｃ×Ｖｏｃ）） Ｐｍａｘ：最大出力
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】また、図４、図８には、それぞれの構造の
太陽電池における酸化膜１０の開口率に対するＰｍａｘ
（最大出力）の変化、図５、図９には、それぞれの構造
の太陽電池における酸化膜１０の開口率に対する太陽光
吸収率αｓの変化、図６、図１０には、それぞれの構造
の太陽電池における酸化膜１０の開口率に対する動作温
度Ｔopの変化、図７、図１１には、それぞれの構造の太
陽電池における酸化膜１０の開口率に対する動作温度Ｔ
opにおける最大出力ＰｍａｘTop の変化が示されてい
る。
太陽電池における酸化膜１０の開口率に対するＰｍａｘ
（最大出力）の変化、図５、図９には、それぞれの構造
の太陽電池における酸化膜１０の開口率に対する太陽光
吸収率αｓの変化、図６、図１０には、それぞれの構造
の太陽電池における酸化膜１０の開口率に対する動作温
度Ｔopの変化、図７、図１１には、それぞれの構造の太
陽電池における酸化膜１０の開口率に対する動作温度Ｔ
opにおける最大出力ＰｍａｘTop の変化が示されてい
る。
【００３４】なお、動作温度Ｔopは、 Ｔop＝［αｓ×Ｓ／（εHF＋εHB）×σ］1/4 Ｔop：動作温度（Ｋ：絶対温度） αｓ：太陽電池の太陽光吸収率 Ｓ ：太陽定数（ｗ／ｍ2 ） εHF：太陽電池アレイ前面（太陽電池）の半球状放射率 εHB：太陽電池アレイ背面の半球状放射率 σ ：ステファン・ボルツマン定数（ｗ／ｍ2 ・Ｋ4 ） で計算される。
【００３５】以上の実験結果から明らかなように、酸化
膜１０の開口率が０．２５％以上であって３０％以下で
ある場合には、Ｐｍａｘの向上が顕著であることがわか
る。このように、太陽電池のＰｍａｘがＶｏｃの向上に
伴って大きくなった理由は、Ｐｍａｘが、 Ｐｍａｘ＝Ｖｏｃ×Ｉｓｃ×ＦＦ で表され、酸化膜１０の開口率が０．２５％以上であっ
て３０％以下である場合に、Ｉｓｃ，ＦＦの変化が比較
的小さいので、ＰｍａｘがＶｏｃに伴って向上したため
である。
膜１０の開口率が０．２５％以上であって３０％以下で
ある場合には、Ｐｍａｘの向上が顕著であることがわか
る。このように、太陽電池のＰｍａｘがＶｏｃの向上に
伴って大きくなった理由は、Ｐｍａｘが、 Ｐｍａｘ＝Ｖｏｃ×Ｉｓｃ×ＦＦ で表され、酸化膜１０の開口率が０．２５％以上であっ
て３０％以下である場合に、Ｉｓｃ，ＦＦの変化が比較
的小さいので、ＰｍａｘがＶｏｃに伴って向上したため
である。
【００３６】そして、酸化膜１０の開口率が０．２５％
以下でＰｍａｘが低下する理由は、開口率が小さいた
め、発生した電気を取り出す経路が長くなり、直列抵抗
が発生し、ＦＦが低下したためである。また、酸化膜１
０の開口率が３０％以上でＰｍａｘの改善効果が小さい
理由は、シリコン基板１で発生したキャリアの再結合を
防止するためのシリコン基板１と酸化膜１０の接面領域
が少なくなり、防止効果として得られるＶｏｃの改善が
小さいためである。
以下でＰｍａｘが低下する理由は、開口率が小さいた
め、発生した電気を取り出す経路が長くなり、直列抵抗
が発生し、ＦＦが低下したためである。また、酸化膜１
０の開口率が３０％以上でＰｍａｘの改善効果が小さい
理由は、シリコン基板１で発生したキャリアの再結合を
防止するためのシリコン基板１と酸化膜１０の接面領域
が少なくなり、防止効果として得られるＶｏｃの改善が
小さいためである。
【００３７】また、図５、図９から明らかなように、酸
化膜１０の開口率が大きくなるのに従い、太陽光吸収率
αｓが増大し、図６、図１９から明らかなように、動作
温度も増大する。したがって、図７、図１１に示すよう
に、酸化膜１０の開口率が０．２５％以上であって３０
％以下である場合には、太陽光吸収率αｓや動作温度が
大きくならず、動作温度におけるＰｍａｘTop の向上が
顕著であることがわかる。
化膜１０の開口率が大きくなるのに従い、太陽光吸収率
αｓが増大し、図６、図１９から明らかなように、動作
温度も増大する。したがって、図７、図１１に示すよう
に、酸化膜１０の開口率が０．２５％以上であって３０
％以下である場合には、太陽光吸収率αｓや動作温度が
大きくならず、動作温度におけるＰｍａｘTop の向上が
顕著であることがわかる。
【００３８】このように、動作温度が低くなる程、電気
出力特性は高くなる傾向があり、動作温度が太陽電池の
太陽光吸収率に相関があることから、シリコン基板背面
上に背面絶縁層を形成することは太陽光吸収率を低減
し、動作温度を下げることにもなるので、電気出力特性
の改善効果が大きくなり、放熱効果のほとんどない宇宙
環境で使用される宇宙用太陽電池に適している。
出力特性は高くなる傾向があり、動作温度が太陽電池の
太陽光吸収率に相関があることから、シリコン基板背面
上に背面絶縁層を形成することは太陽光吸収率を低減
し、動作温度を下げることにもなるので、電気出力特性
の改善効果が大きくなり、放熱効果のほとんどない宇宙
環境で使用される宇宙用太陽電池に適している。
【００３９】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることは勿論である。本実施
形態では、Ｐ型シリコン基板を用いているが、Ｎ型シリ
コン基板を用いてもよい。Ｎ型シリコン基板を用いた場
合、シリコン基板の前面側の拡散層はＰ型となり、背面
側の拡散層はＮ型となる。すなわち、Ｐ+ −Ｎ−Ｎ+ 接
合型あるいはＰ+ −Ｎ接合型の太陽電池である。また、
Ｐ−Ｎ接合を構成する半導体基板は、単結晶シリコン基
板に限らず、多結晶シリコンや他の材料を使用してもよ
い。
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることは勿論である。本実施
形態では、Ｐ型シリコン基板を用いているが、Ｎ型シリ
コン基板を用いてもよい。Ｎ型シリコン基板を用いた場
合、シリコン基板の前面側の拡散層はＰ型となり、背面
側の拡散層はＮ型となる。すなわち、Ｐ+ −Ｎ−Ｎ+ 接
合型あるいはＰ+ −Ｎ接合型の太陽電池である。また、
Ｐ−Ｎ接合を構成する半導体基板は、単結晶シリコン基
板に限らず、多結晶シリコンや他の材料を使用してもよ
い。
【００４０】さらに、図１２に示すような受光面に無反
射形状（テクスチャ）が形成された構造でもよく（図１
２には一例としてＢＳＲ構造の太陽電池を示した）、あ
るいは図１３に示すような受光面が略平坦となっている
構造でもよい（図１３には一例として前面酸化膜付きＢ
ＳＦＲ構造の太陽電池を示した）。また、背面のＢＳＲ
電極がなくて、背面電極が絶縁層に直接接する構造であ
ってもよい。
射形状（テクスチャ）が形成された構造でもよく（図１
２には一例としてＢＳＲ構造の太陽電池を示した）、あ
るいは図１３に示すような受光面が略平坦となっている
構造でもよい（図１３には一例として前面酸化膜付きＢ
ＳＦＲ構造の太陽電池を示した）。また、背面のＢＳＲ
電極がなくて、背面電極が絶縁層に直接接する構造であ
ってもよい。
【００４１】また、背面絶縁層も酸化膜に限らず、窒化
膜でもよい。また、背面絶縁膜の開口も正方形のドット
状に限らず、円形、多角形のドット状でもよいし、規則
的な配置でなくても、開口率が０．２５〜３０％の規定
範囲内にあればランダムな配置でよい。また、電極材料
も上記金属に限らない。
膜でもよい。また、背面絶縁膜の開口も正方形のドット
状に限らず、円形、多角形のドット状でもよいし、規則
的な配置でなくても、開口率が０．２５〜３０％の規定
範囲内にあればランダムな配置でよい。また、電極材料
も上記金属に限らない。
【００４２】以上で、背面絶縁層の開口率について説明
したが、本発明の太陽電池を特に宇宙用途に適合させる
ため、次に、背面絶縁層の開口率を１２．２５％とした
場合の半導体基板の厚さと、半導体基板の抵抗率につい
て説明する。
したが、本発明の太陽電池を特に宇宙用途に適合させる
ため、次に、背面絶縁層の開口率を１２．２５％とした
場合の半導体基板の厚さと、半導体基板の抵抗率につい
て説明する。
【００４３】宇宙環境において使用される太陽電池（宇
宙用太陽電池）は、宇宙空間で多量の放射線（電子線）
を浴びるため、耐放射線特性が重要となる。本実施形態
では、半導体基板の厚さと耐放射線特性との関係を調べ
るため、背面絶縁層開口率１２．２５％のＮＲＳ／ＢＳ
Ｆ構造の太陽電池を用い、宇宙環境静止軌道１０年に相
当する１×１０15ｅ／ｃｍ2 の電子線照射量での半導体
基板厚さと電気出力特性（Ｐｍａｘ）との関係を調べ
た。
宙用太陽電池）は、宇宙空間で多量の放射線（電子線）
を浴びるため、耐放射線特性が重要となる。本実施形態
では、半導体基板の厚さと耐放射線特性との関係を調べ
るため、背面絶縁層開口率１２．２５％のＮＲＳ／ＢＳ
Ｆ構造の太陽電池を用い、宇宙環境静止軌道１０年に相
当する１×１０15ｅ／ｃｍ2 の電子線照射量での半導体
基板厚さと電気出力特性（Ｐｍａｘ）との関係を調べ
た。
【００４４】この結果、表３に示す様に、初期の電気出
力特性の点では、半導体基板の厚みが厚い方が優れてい
るが、電子線照射後の電気出力特性の点では、半導体基
板の厚みが薄い方が優れており、特に３００μｍ以上の
基板厚さでは耐放射線性が低いため、電子線照射後の電
気出力特性の低下が著しいことがわかった。また、半導
体基板厚さが５０μｍ以下の場合、製造良品率が低下す
る。このため、宇宙環境での耐放射線性を考慮すると、
半導体基板の厚さは５０〜２５０μｍのものが宇宙用途
に適しているといえる。
力特性の点では、半導体基板の厚みが厚い方が優れてい
るが、電子線照射後の電気出力特性の点では、半導体基
板の厚みが薄い方が優れており、特に３００μｍ以上の
基板厚さでは耐放射線性が低いため、電子線照射後の電
気出力特性の低下が著しいことがわかった。また、半導
体基板厚さが５０μｍ以下の場合、製造良品率が低下す
る。このため、宇宙環境での耐放射線性を考慮すると、
半導体基板の厚さは５０〜２５０μｍのものが宇宙用途
に適しているといえる。
【００４５】
【表３】
【００４６】次に、半導体基板の抵抗率と耐放射線特性
との関係を調べるため、半導体基板厚さ１００μｍ、背
面絶縁層開口率１２．２５％のＢＳＦＲ構造の太陽電池
を用い、宇宙環境静止軌道１０年に相当する１×１０15
ｅ／ｃｍ2 の電子線照射量での半導体基板抵抗率と電気
出力特性（Ｐｍａｘ）との関係を調べた。
との関係を調べるため、半導体基板厚さ１００μｍ、背
面絶縁層開口率１２．２５％のＢＳＦＲ構造の太陽電池
を用い、宇宙環境静止軌道１０年に相当する１×１０15
ｅ／ｃｍ2 の電子線照射量での半導体基板抵抗率と電気
出力特性（Ｐｍａｘ）との関係を調べた。
【００４７】この結果、表４に示す様に、初期の電気出
力特性の点では、抵抗率が低い方が優れており、電子線
照射後の電気出力特性の点では、抵抗率１０Ωｃｍのも
のが優れていることがわかった。抵抗率１５０Ωｃｍの
ものは、初期の電気出力特性及び電子線照射後の電気出
力特性が共に低下するので、宇宙用途には適しないこと
がわかった。したがって、抵抗率２Ωｃｍは仕様１〜３
Ωｃｍの中心値であり、抵抗率１０Ωｃｍは仕様７〜１
４Ωｃｍの中心値であるとして考えると、半導体基板の
抵抗率は１〜１４Ωｃｍのものが宇宙用途に適している
といえる。
力特性の点では、抵抗率が低い方が優れており、電子線
照射後の電気出力特性の点では、抵抗率１０Ωｃｍのも
のが優れていることがわかった。抵抗率１５０Ωｃｍの
ものは、初期の電気出力特性及び電子線照射後の電気出
力特性が共に低下するので、宇宙用途には適しないこと
がわかった。したがって、抵抗率２Ωｃｍは仕様１〜３
Ωｃｍの中心値であり、抵抗率１０Ωｃｍは仕様７〜１
４Ωｃｍの中心値であるとして考えると、半導体基板の
抵抗率は１〜１４Ωｃｍのものが宇宙用途に適している
といえる。
【００４８】
【表４】
【００４９】上記の実施形態より、耐放射線特性は、基
板の厚さが薄いほうが優れており、また基板の抵抗率が
１０Ωｃｍ前後のものが特に優れていることがわかっ
た。したがって、宇宙用太陽電池としては、基板の厚さ
は薄い方が人工衛星の軽量化にもつながるため、耐放射
線特性と軽量化を考慮して、基板の厚みはできるだけ薄
く設定することが望ましい。
板の厚さが薄いほうが優れており、また基板の抵抗率が
１０Ωｃｍ前後のものが特に優れていることがわかっ
た。したがって、宇宙用太陽電池としては、基板の厚さ
は薄い方が人工衛星の軽量化にもつながるため、耐放射
線特性と軽量化を考慮して、基板の厚みはできるだけ薄
く設定することが望ましい。
【００５０】また、半導体基板の抵抗率は、初期の電気
出力特性の点からは低いほうがよく、耐放射線特性の点
からは１０Ωｃｍ前後のものがよいという特徴があるた
め、人工衛星の放射線被爆量を考慮して、衛星寿命末期
に所定の電気出力が確保できるような抵抗率を有する半
導体基板を選定することが重要となる。
出力特性の点からは低いほうがよく、耐放射線特性の点
からは１０Ωｃｍ前後のものがよいという特徴があるた
め、人工衛星の放射線被爆量を考慮して、衛星寿命末期
に所定の電気出力が確保できるような抵抗率を有する半
導体基板を選定することが重要となる。
【００５１】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、半導体基板の背面に電気出力特性の改善のため
に設けられた絶縁層に、背面電極と半導体基板との電気
的接続を図る開口が形成され、この開口の面積の割合を
所定の範囲に規定することにより、最大出力が増大し
て、良好な出力が得られる。したがって、電気出力特性
の改善された宇宙用太陽電池を提供することができる。
よると、半導体基板の背面に電気出力特性の改善のため
に設けられた絶縁層に、背面電極と半導体基板との電気
的接続を図る開口が形成され、この開口の面積の割合を
所定の範囲に規定することにより、最大出力が増大し
て、良好な出力が得られる。したがって、電気出力特性
の改善された宇宙用太陽電池を提供することができる。
【００５２】そして、各開口が一定間隔で規則正しく配
置されていると、絶縁層を設ける効果が有効に発揮さ
れ、キャリアの再結合を防止して、出力が増大し、変換
効率の向上を図れる。
置されていると、絶縁層を設ける効果が有効に発揮さ
れ、キャリアの再結合を防止して、出力が増大し、変換
効率の向上を図れる。
【００５３】また、太陽光吸収率を低くすることができ
るので、動作温度が下がり、動作温度での最大出力はさ
らに改善される。したがって、宇宙環境での使用に適し
た太陽電池を提供することができる。
るので、動作温度が下がり、動作温度での最大出力はさ
らに改善される。したがって、宇宙環境での使用に適し
た太陽電池を提供することができる。
【００５４】さらに、半導体基板の厚みを５０〜２５０
μｍとし、半導体基板の抵抗率を１〜１４Ωｃｍにする
ことにより、耐宇宙線特性に優れた高出力の宇宙用太陽
電池とすることができる。
μｍとし、半導体基板の抵抗率を１〜１４Ωｃｍにする
ことにより、耐宇宙線特性に優れた高出力の宇宙用太陽
電池とすることができる。
【図１】本発明の一実施例のＢＳＲ構造の太陽電池の断
面図
面図
【図２】開口の配置パターンを示す図
【図３】他の開口の配置パターンを示す図
【図４】ＢＳＲ構造の太陽電池における開口率に対する
特性（最大出力）を示す図
特性（最大出力）を示す図
【図５】ＢＳＲ構造の太陽電池における開口率に対する
特性（太陽光吸収率）を示す図
特性（太陽光吸収率）を示す図
【図６】ＢＳＲ構造の太陽電池における開口率に対する
特性（動作温度）を示す図
特性（動作温度）を示す図
【図７】ＢＳＲ構造の太陽電池における開口率に対する
特性（動作温度における最大出力）を示す図
特性（動作温度における最大出力）を示す図
【図８】ＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池における開口率
に対する特性（最大出力）を示す図
に対する特性（最大出力）を示す図
【図９】ＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池における開口率
に対する特性（太陽光吸収率）を示す図
に対する特性（太陽光吸収率）を示す図
【図１０】ＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池における開口
率に対する特性（動作温度）を示す図
率に対する特性（動作温度）を示す図
【図１１】ＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池における開口
率に対する特性（動作温度における最大出力）を示す図
率に対する特性（動作温度における最大出力）を示す図
【図１２】無反射形状を有するＢＳＲ構造の太陽電池の
断面図
断面図
【図１３】前面酸化膜付きＢＳＦＲ構造の太陽電池の断
面図
面図
【図１４】従来のＢＳＲ構造の太陽電池の断面図
【図１５】従来のＮＲＳ／ＢＳＦ構造の太陽電池の断面
図
図
１ シリコン基板 ２ Ｎ+ 型拡散層 ３ 受光面電極 ４ 反射防止膜 ５ ＢＳＲ電極 ６ 背面電極 ７ 無反射形状 ８ 前面酸化膜 ９ Ｐ+ 型拡散層 １０ 背面酸化膜 １１ 開口
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体基板の受光面とは反対側の背面に
背面電極が設けられ、該背面電極と半導体基板との間に
絶縁層が設けられ、該絶縁層に前記背面電極と半導体基
板とを電気的に接続するための開口が複数形成され、前
記背面に占める前記開口の面積の割合が０．２５％以
上、３０％以下とされたことを特徴とする宇宙用太陽電
池。 - 【請求項２】 各開口が一定間隔で配置されたことを特
徴とする請求項１記載の宇宙用太陽電池。 - 【請求項３】 半導体基板は、Ｐ型シリコン基板の受光
面側にＮ+ 型拡散層および背面側にＰ+ 型拡散層が形成
されたＮ+ −Ｐ−Ｐ+ 接合型、あるいはＮ型シリコン基
板の受光面側にＰ+ 型拡散層および背面側にＮ+ 型拡散
層が形成されたＰ+ −Ｎ−Ｎ+ 接合型であることを特徴
とする請求項１または２記載の宇宙用太陽電池。 - 【請求項４】 半導体基板は、Ｐ型シリコン基板の受光
面側にＮ+ 型拡散層が形成されたＮ+ −Ｐ接合型、ある
いはＮ型シリコン基板の受光面側にＰ+ 型拡散層が形成
されたＰ+ −Ｎ接合型であることを特徴とする請求項１
または２記載の宇宙用太陽電池。 - 【請求項５】 半導体基板の受光面が凹凸状に形成され
たことを特徴とする請求項３または４記載の宇宙用太陽
電池。 - 【請求項６】 開口が矩形である請求項１記載の宇宙用
太陽電池。 - 【請求項７】 開口が約７０μｍの一辺を有する正方形
で約２００μｍのピッチで分布するように配置されてい
る請求項６記載の宇宙用太陽電池。 - 【請求項８】 開口が約３０μｍの一辺を有する正方形
で約３００μｍのピッチで分布するように配置されてい
る請求項６記載の宇宙用太陽電池。 - 【請求項９】 宇宙用太陽電池が、ＢＳＲ構造、ＢＳＦ
Ｒ構造またはＮＲＳ／ＢＳＦ構造である請求項１記載の
宇宙用太陽電池。 - 【請求項１０】 背面電極がＴｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる
三層の金属積層体である請求項１記載の宇宙用太陽電
池。 - 【請求項１１】 半導体基板は、厚みが５０μｍ以上、
２５０μｍ以下で、かつ抵抗率が１Ωｃｍ以上、１４Ω
ｃｍ以下の半導体基板であることを特徴とする請求項１
記載の宇宙用太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11257417A JP2000174304A (ja) | 1998-09-28 | 1999-09-10 | 宇宙用太陽電池 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27267898 | 1998-09-28 | ||
| JP10-272678 | 1998-09-28 | ||
| JP11257417A JP2000174304A (ja) | 1998-09-28 | 1999-09-10 | 宇宙用太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174304A true JP2000174304A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=26543202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11257417A Pending JP2000174304A (ja) | 1998-09-28 | 1999-09-10 | 宇宙用太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000174304A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011258858A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Showa Shell Sekiyu Kk | 薄膜太陽電池 |
| WO2012046326A1 (ja) | 2010-10-07 | 2012-04-12 | グエラテクノロジー株式会社 | 太陽電池 |
| CN102522433A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-06-27 | 天威新能源控股有限公司 | 一种具有背反射层的电池片及其制备方法 |
| JP2014524153A (ja) * | 2011-07-28 | 2014-09-18 | ハンファ キュー セルズ ゲーエムベーハー | 太陽電池およびそれを作製する方法 |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP11257417A patent/JP2000174304A/ja active Pending
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