JP2000166900A - Fingerprint sensor and method of generating fingerprint data thereof - Google Patents

Fingerprint sensor and method of generating fingerprint data thereof

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JP2000166900A
JP2000166900A JP10344534A JP34453498A JP2000166900A JP 2000166900 A JP2000166900 A JP 2000166900A JP 10344534 A JP10344534 A JP 10344534A JP 34453498 A JP34453498 A JP 34453498A JP 2000166900 A JP2000166900 A JP 2000166900A
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fingerprint
main
voltage
reference voltage
electrode
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JP10344534A
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Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Takeda
仁 竹田
Motoyasu Yano
元康 矢野
Kozo Motai
浩三 馬渡
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate setting or adjustment from the outside. SOLUTION: When a finger touches at a fingerprint sensor, a main electrode A110 and a sub electrode B120 of a capacitance detecting means 100 detects the capacitance. The capacitance detected by the sub electrode B120 in a predetermined range is average, and a reference voltage is generated by a signal generating means 200. Also, the capacitance detected by the main electrode 110A is converted into voltage by the signal-generating means 200. A binary- coding means 300 subjects the main voltage value to binary coding, based on whether or not a main voltage is higher than a reference voltage with reference to the reference voltage generated by the signal generating means 200. This processing is executed for all the main electrodes arranged in the fingerprint sensor for generating fingerprint data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は指紋センサに関し、
特に指紋の凹凸による静電容量差を利用して指紋を検出
する指紋センサ及びその指紋データ生成方法に関する。
The present invention relates to a fingerprint sensor,
In particular, the present invention relates to a fingerprint sensor for detecting a fingerprint by using a capacitance difference caused by unevenness of a fingerprint, and a fingerprint data generating method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、入退出管理や機密性の高いシ
ステムへのアクセス時等、高いセキュリティを必要とす
る場面で、指紋を用いて個人を識別する指紋認証システ
ムが利用されてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, a fingerprint authentication system for identifying an individual using a fingerprint has been used in a situation where high security is required, such as at the time of access control or access to a highly confidential system.

【0003】今後は、このようなビジネス用途以外に
も、携帯電話、PDA(携帯情報端末:Persona
l Digital Assistant)、パーソナ
ルコンピュータのログイン管理等のパーソナルユースと
して、このような指紋認証システムが使用される機会が
増えてくるものと予測される。パーソナルユースに用い
られる指紋認証システムには、小型、低コストの指紋入
力装置が必須となる。
[0003] In the future, in addition to such business applications, portable telephones, PDAs (personal digital assistants: Persona)
It is anticipated that the use of such a fingerprint authentication system will increase as personal use such as l Digital Assistant) and personal computer login management. For a fingerprint authentication system used for personal use, a small-sized and low-cost fingerprint input device is essential.

【0004】指紋入力装置としては、CCD(Char
ge Coupled Device)を用いた光学式
の指紋センサが大部分を占めているが、今後は、小型
化、低コスト化の点で有利な静電容量を用いた指紋セン
サが主流になると思われる。
As a fingerprint input device, a CCD (Char) is used.
Although the majority of the optical fingerprint sensors use a Ge Coupled Device, a fingerprint sensor using a capacitance that is advantageous in terms of miniaturization and cost reduction is expected to be the mainstream in the future.

【0005】シリコン基板上に電極を構成し、指紋の凹
凸による静電容量差を利用して検出する指紋センサの構
造については、例えば、「特開平8−305832」に
公開されている。
A structure of a fingerprint sensor in which electrodes are formed on a silicon substrate and detection is performed by using a capacitance difference due to unevenness of a fingerprint is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-305832.

【0006】通常、センサ部で検出された指紋の凹凸に
よる静電容量の変化は、アナログ電圧に変換され、アン
プ回路等で増幅・補正を行った後、アナログ・ディジタ
ル変換(以下、A/D変換とする)し、2値化(0また
は1)する処理が行われている。主な2値化処理方法に
ついて説明する。
Normally, a change in the capacitance due to the unevenness of the fingerprint detected by the sensor unit is converted into an analog voltage, amplified and corrected by an amplifier circuit or the like, and then converted into an analog-digital (hereinafter, A / D). Conversion) and binarization (0 or 1) is performed. The main binarization processing method will be described.

【0007】第1の2値化処理方法として、外部から設
定した一定の基準電圧を閾値として、これを基準にして
0または1の変換を行う方法がある。また、第2の2値
化処理として、指紋センサを一定エリア毎に区切って、
それぞれの出力電圧の平均値を外部で計算し、エリア毎
に最適化して基準値とし、0または1の変換を行う方法
がある。
As a first binarization processing method, there is a method in which a constant reference voltage set from the outside is used as a threshold value and 0 or 1 is converted with reference to this threshold voltage. Also, as a second binarization process, the fingerprint sensor is divided into certain areas,
There is a method in which the average value of each output voltage is calculated externally, optimized for each area and used as a reference value, and conversion of 0 or 1 is performed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の指紋の凹凸による静電容量差を利用した指紋センサ
では、センサの出力を2値化する処理が容易でないとい
う問題がある。
However, in such a conventional fingerprint sensor utilizing the capacitance difference due to the unevenness of the fingerprint, there is a problem that it is not easy to binarize the output of the sensor.

【0009】上記説明の第1の2値化処理では、固定の
閾値が用いられているが、指紋には個人差があり出力電
圧のバラツキは避けられず、固定の閾値で最適化するこ
とはできない。このため、固定の閾値を設定した場合、
指紋センサの精度が悪くなってしまう。
In the first binarization process described above, a fixed threshold value is used. However, there are individual differences in fingerprints, and variations in output voltage cannot be avoided. Can not. Therefore, if you set a fixed threshold,
The accuracy of the fingerprint sensor deteriorates.

【0010】また、上記説明の第2の2値化処理では、
2値化用のシステムに加えて、それぞれの出力電圧の平
均値を外部で計算する等のソフトウエアの処理が別途必
要となるため、処理が複雑になり、低コストを実現する
ことが難しい。
In the above-described second binarization processing,
In addition to the binarization system, software processing such as external calculation of the average value of each output voltage is required separately, so that the processing becomes complicated and it is difficult to realize low cost.

【0011】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、外部からの設定あるいは調整が不要な指紋セ
ンサ及びその指紋データ生成方法を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a fingerprint sensor that does not require external setting or adjustment and a method of generating the fingerprint data.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、指紋の凹凸による静電容量差を利用して
指紋を検出する指紋センサにおいて、指紋が接触する平
面上に配置された主電極と前記主電極の近傍に配置され
た副電極とから構成される静電容量検出手段と、前記副
電極に検出される静電容量を所定の範囲で平均してレフ
ァレンス電圧を生成し前記主電極に検出される静電容量
から主電圧を生成する信号生成手段と、前記レファレン
ス電圧と前記主電圧を比較して主電圧値を2値化する2
値化手段と、を有することを特徴とする指紋センサ、が
提供される。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, in a fingerprint sensor for detecting a fingerprint using a capacitance difference due to unevenness of the fingerprint, the fingerprint sensor is arranged on a plane where the fingerprint contacts. A capacitance detecting means composed of a main electrode and a sub-electrode arranged in the vicinity of the main electrode, and generating a reference voltage by averaging the capacitance detected by the sub-electrode in a predetermined range; Signal generating means for generating a main voltage from the capacitance detected by the main electrode; and binarizing the main voltage value by comparing the reference voltage with the main voltage.
And a fingerprint sensor, comprising:

【0013】このような構成の指紋センサは、指が指紋
センサに接触すると、静電容量検出手段である主電極と
副電極が静電容量を検出する。信号生成手段により、所
定の範囲にある副電極が検出した静電容量は平均され、
レファレンス電圧が生成される。また、信号生成手段に
より主電極の検出する静電容量も電圧に変換される。2
値化手段は、信号生成手段により生成されたレファレン
ス電圧を基準とし、主電圧がレファレンス電圧より大き
いか否かで主電圧値を2値化する。以上の処理が、指紋
センサに配列された全ての主電極に対して行われること
により、指紋を検出する。
In the fingerprint sensor having such a configuration, when a finger touches the fingerprint sensor, the main electrode and the sub-electrode serving as the capacitance detecting means detect the capacitance. The capacitance detected by the sub-electrode within a predetermined range is averaged by the signal generation means,
A reference voltage is generated. Further, the capacitance detected by the main electrode is also converted into a voltage by the signal generating means. 2
The binarizing unit binarizes the main voltage value based on whether the main voltage is higher than the reference voltage with reference to the reference voltage generated by the signal generating unit. The above process is performed on all the main electrodes arranged in the fingerprint sensor to detect a fingerprint.

【0014】また、指紋の凹凸による静電容量差を利用
して指紋を検出する指紋センサの指紋データ生成方法に
おいて、前記指紋センサには指紋が接触する平面上に主
電極と前記主電極の近傍に副電極とが配列されており、
指紋が接触したことにより前記主電極及び前記副電極が
静電容量を検出し、所定の範囲の前記副電極に検出され
た静電容量を平均してレファレンス電圧を生成し、前記
主電極に検出される静電容量から主電圧を生成し、前記
レファレンス電圧と前記主電圧を比較し、前記主電圧が
前記レファレンス電圧より大きいかどうかで主電圧値を
2値化する手順、を全ての主電極に対して行うことを特
徴とする指紋データ生成方法、が提供される。
In a fingerprint data generating method for a fingerprint sensor for detecting a fingerprint by utilizing a capacitance difference caused by unevenness of the fingerprint, the fingerprint sensor includes a main electrode and a vicinity of the main electrode on a plane where the fingerprint contacts. Are arranged with sub-electrodes,
The main electrode and the sub-electrode detect a capacitance due to contact with a fingerprint, generate a reference voltage by averaging the capacitance detected by the sub-electrode in a predetermined range, and detect the capacitance by the main electrode. Generating a main voltage from the measured capacitance, comparing the main voltage with the reference voltage, and binarizing the main voltage value based on whether the main voltage is higher than the reference voltage. And a fingerprint data generation method is provided.

【0015】このような手順の指紋データ生成方法は、
指紋が接触したことにより、指紋センサに配列された主
電極と副電極が指との間に生じた静電容量を検出する。
所定の範囲の副電極により検出された静電容量を平均し
て、レファレンス電圧が生成される。主電極の検出した
静電容量より生成された主電圧と、レファレンス電圧を
比較して、主電圧値を2値化する。以上の処理が、指紋
センサに配列された全ての主電極に対して行われること
により、指紋データが生成される。
[0015] The fingerprint data generating method of such a procedure is as follows.
The main electrode and the sub-electrode arranged in the fingerprint sensor detect the capacitance generated between the finger due to the contact of the fingerprint.
By averaging the capacitances detected by the predetermined range of the sub-electrodes, a reference voltage is generated. The main voltage generated from the capacitance detected by the main electrode is compared with a reference voltage to binarize the main voltage value. The above processing is performed for all the main electrodes arranged in the fingerprint sensor, thereby generating fingerprint data.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図1は、本発明の一実施の形態で
ある指紋センサの原理図である。本発明に係る指紋セン
サは、指紋が接触する平面上に主電極と副電極を配列し
た静電容量検出手段100と、静電容量検出手段100
の出力から主電圧とレファレンス電圧を生成する信号生
成手段200と、主電圧値を2値化する2値化手段30
0とから構成される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a principle diagram of a fingerprint sensor according to an embodiment of the present invention. The fingerprint sensor according to the present invention includes: a capacitance detection unit 100 having a main electrode and a sub-electrode arranged on a plane contacting a fingerprint;
A signal generating means 200 for generating a main voltage and a reference voltage from the output of the circuit, and a binarizing means 30 for binarizing the main voltage value
0.

【0017】静電容量検出手段100は、指紋が接触す
る平面上に主電極Aと、各主電極Aの直近に副電極Bが
配列されている。主電極A及び副電極Bは、平面上にM
行N列配列されているが、ここでは簡単にするため、主
電極A110及び副電極B120は各1ずつで説明す
る。副電極B120の面積は、主電極A110の1/D
の大きさである。主電極A110はスイッチSWA、副
電極BはスイッチSWBを介して信号生成手段200に
接続している。信号生成手段200は、アンプAMP2
10、スイッチSW2を介してアンプAMP210の+
入力端子に接続する一定電源VprとVc、スイッチS
W3a及びスイッチSW3bを介してアンプAMP21
0の−入力端子に接続するコンデンサC1、C2とアン
プAMP210の出力端子A0とから構成されている。
2値化手段300は、アンプ出力A0の値を保持するサ
ンプルホールド回路SH1、2の2系統入力にスイッチ
SW4を介して接続する。このSH1、2の出力である
SHi1とSHi2は、コンパレータCOM310に接
続される。このSH1、2のC3、Crefは、同じ容
量値に設定する。コンパレータCOM310は、入力S
Hi1とSHi2を比較し、例えば、入力SHi1の電
位が入力SHi2の電位より高い場合にH(1)を、低
い場合L(0)を出力する。
In the capacitance detecting means 100, a main electrode A and a sub-electrode B are arranged on a plane in contact with a fingerprint, and in the immediate vicinity of each main electrode A. The main electrode A and the sub electrode B are M
Although they are arranged in rows and N columns, here, for simplicity, the main electrode A110 and the sub-electrode B120 will be described one by one. The area of the sub-electrode B120 is 1 / D of that of the main electrode A110.
Is the size of The main electrode A110 is connected to the switch SWA, and the sub-electrode B is connected to the signal generating means 200 via the switch SWB. The signal generation means 200 includes an amplifier AMP2
10. + of the amplifier AMP210 via the switch SW2
Constant power supplies Vpr and Vc connected to the input terminal, switch S
Amplifier AMP21 via W3a and switch SW3b
It comprises capacitors C1 and C2 connected to the-input terminal of 0 and the output terminal A0 of the amplifier AMP210.
The binarizing means 300 is connected via switches SW4 to the two-system inputs of the sample and hold circuits SH1 and SH2 which hold the value of the amplifier output A0. The outputs SH1 and SH2 of SH1 and SH2 are connected to the comparator COM310. C3 and Cref of SH1 and SH2 are set to the same capacitance value. The comparator COM310 has the input S
Hi1 and SHi2 are compared. For example, when the potential of the input SHi1 is higher than the potential of the input SHi2, H (1) is output, and when it is lower, L (0) is output.

【0018】このような構成の指紋センサの動作及び指
紋データ生成方法について説明する。指を電極面に接触
させた状態で、信号生成手段200のSW2をVpr側
へ、SW3aをA0側へさらにSW3bをC2側へ切り
替える。この時、SWBをオンすると、電極Bと指及び
電極BとSUB電極との間に電荷Qbがチャージされ
る。次に、SWBをオフし、SW2をVcに切り替え、
SW3aをオフし、SW3bをC2に切り替える。再
び、SWBをオンすると、Qbは移動してC2にもチャ
ージされる。この時、アンプAMP210の出力A0の
電圧変化をV2とする。次に、SW4をCref側に切
り替え、V2をSH2でサンプルホールドする。続い
て、SWBをオフし、SW2をVpr側へ、SW3aを
A0側へさらにSW3bをC1側へ切り替える。この
時、SWAをオンすると、電極Aと指及び電極AとSU
B電極との間に電荷Qaがチャージされる。次に、SW
Aをオフし、SW2をVcに切り替え、SW3aをオフ
し、SW3bをC1に切り替える。再び、SWAをオン
すると、Qaは移動してC1にもチャージされる。この
時、アンプAMP210の出力A0の電圧変化をV1と
する。次に、SW4をC3側に切り替え、V1をSH1
でサンプルホールドする。ここで、先ほどの電圧V2と
コンパレータCOM310で比較し、結果を1/0で出
力することで指紋データを2値化することができる。M
行N列配置されている主電極Am−nと副電極Bm−n
に設けられたSWAm−n、及びSWBm−nを順次切
り替えることにより、全主電極の静電容量を2値化す
る。
The operation of the fingerprint sensor having such a configuration and a method of generating fingerprint data will be described. While the finger is in contact with the electrode surface, SW2 of the signal generation means 200 is switched to the Vpr side, SW3a is switched to the A0 side, and SW3b is switched to the C2 side. At this time, when the SWB is turned on, a charge Qb is charged between the electrode B and the finger and between the electrode B and the SUB electrode. Next, SWB is turned off, SW2 is switched to Vc,
SW3a is turned off and SW3b is switched to C2. When SWB is turned on again, Qb moves and C2 is also charged. At this time, the voltage change of the output A0 of the amplifier AMP210 is set to V2. Next, SW4 is switched to the Cref side, and V2 is sampled and held at SH2. Subsequently, SWB is turned off, SW2 is switched to Vpr side, SW3a is switched to A0 side, and SW3b is switched to C1 side. At this time, when the SWA is turned on, the electrode A and the finger and the electrode A and the SU
Charge Qa is charged between the electrode and the B electrode. Next, SW
A is turned off, SW2 is switched to Vc, SW3a is turned off, and SW3b is switched to C1. When SWA is turned on again, Qa moves and C1 is also charged. At this time, the voltage change of the output A0 of the amplifier AMP210 is set to V1. Next, SW4 is switched to C3 side, and V1 is set to SH1.
Sample hold. Here, the fingerprint data can be binarized by comparing the voltage V2 with the comparator COM310 and outputting the result as 1/0. M
Main electrode Am-n and sub-electrode Bm-n arranged in row N columns
, The capacitances of all the main electrodes are binarized by sequentially switching the SWAm-n and the SWBm-n provided in.

【0019】上記の説明ではSWA、SWB、SW2、
SW3、SW4の切り替えにより、主電極Aに出力信号
と副電極Bのレファレンス電圧を各1つのアンプAMP
210で処理し、サンプルホールド回路で保持するとし
たが、主電極Aと副電極Bそれぞれに信号処理回路を設
けることもできる。
In the above description, SWA, SWB, SW2,
By switching SW3 and SW4, the output signal and the reference voltage of the sub-electrode B are applied to the main electrode A by one amplifier AMP.
Although the processing is performed at 210 and held by the sample and hold circuit, a signal processing circuit may be provided for each of the main electrode A and the sub-electrode B.

【0020】次に、本発明の一実施の形態である指紋セ
ンサ全体の構成について説明する。図2は、本発明の一
実施の形態である指紋センサの全体構成図である。図1
と同じ部分には同じ番号を付し、説明は省略する。
Next, the configuration of the entire fingerprint sensor according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is an overall configuration diagram of a fingerprint sensor according to an embodiment of the present invention. FIG.
The same parts as those described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0021】本発明に係る指紋センサは、指紋が接触す
る平面上に主電極Am−n(m=1、2、・・・、M、
n=1、2、・・・、N; M=電極の行数、N=電極
の列数)が規則的に配列され、各主電極の直近に副電極
Bm−nが配置されている。縦あるいは横方向に並んだ
1列分の電極A及び電極Bは、共通の配線L400に、
それぞれに設けられたスイッチSWAm−n、SWBm
−nを介して接続される。主電極Aに設けられたスイッ
チSWAm−nは、電極の行毎に、すなわち、SWA1
−n、SWA2−n、・・・、SWAm−n、毎に独立
して切り替え可能である。また、副電極Bに設けられた
SWBm−nは、列毎に、あるいは全体で同時に切り替
わる。図1の例では、SWA1−1とSWA1−2、あ
るいはSWA2−1とSWA2−2が、タイミング制御
回路(Timing Control Block
(Colum))510によって同時に切り替えられ
る。また、SWB1−1とSWB2−1、あるいはSW
B1−2とSWB2−2が、タイミング制御回路(Ti
ming Control Block (Raw))
520によって同時に切り替えられる。配線L400
は、アンプAMP210の−入力端子に接続している。
さらに、アンプAMP210の−入力端子は、SW3を
介して容量C1、C2のコンデンサ及びアンプAMP2
10の出力A0に接続する。また、アンプAMP210
の+入力端子は、SW2を介して電圧値の異なる一定電
源VprあるいはVcに接続する。この時、C1、C2
は、次の式(1)を満たすように容量を設定する。
In the fingerprint sensor according to the present invention, the main electrodes Am-n (m = 1, 2,..., M,
n = 1, 2,..., N; M = the number of rows of electrodes, N = the number of columns of electrodes) are regularly arranged, and the sub-electrodes Bm-n are arranged immediately near each main electrode. One row of electrodes A and B arranged in a vertical or horizontal direction are connected to a common line L400.
Switches SWAm-n and SWBm provided respectively
-N. The switch SWAm-n provided on the main electrode A is provided for each electrode row, that is, SWA1.
-N, SWA2-n,..., SWAm-n can be independently switched. Further, the SWBm-n provided on the sub-electrode B is switched on a column basis or simultaneously on the whole. In the example of FIG. 1, the SWA1-1 and SWA1-2 or the SWA2-1 and SWA2-2 are provided with a timing control circuit (Timing Control Block).
(Column)) 510. SWB1-1 and SWB2-1 or SWB1-1
B1-2 and SWB2-2 are connected to a timing control circuit (Ti
Ming Control Block (Raw))
520 are switched simultaneously. Wiring L400
Is connected to the-input terminal of the amplifier AMP210.
Further, the minus input terminal of the amplifier AMP210 is connected to the capacitors of the capacitors C1 and C2 and the amplifier AMP2 via the switch SW3.
10 output A0. Also, the amplifier AMP210
Is connected to a constant power supply Vpr or Vc having a different voltage value via SW2. At this time, C1, C2
Sets the capacity so as to satisfy the following equation (1).

【0022】[0022]

【数1】 (M/D)*C1 < C2 < ((2Cp+Cs)/(Cp+Cs))*(M/D)*C1 ・・・(1) Cs:指紋の凸部と主電極A間の静電容量 Cp:Cs1個あたりの寄生容量 アンプAMP210の出力A0は、サンプルホールド回
路SH1、2の2系統入力にSW4を介して接続され
る。このSH1、2の出力であるSHi1及びSHi2
は、コンパレータCOM310に接続される。この時、
SH1、2のC3、Crefは、同じ容量値に設定す
る。コンパレータCOM310の出力は、例えば入力S
Hi1の電位が、入力SHi2の電位と比較して、高い
場合にH(1)を、低い場合にL(0)を出力する。
(M / D) * C1 <C2 <((2Cp + Cs) / (Cp + Cs)) * (M / D) * C1 (1) Cs: Static between the convex portion of the fingerprint and the main electrode A Capacitance Cp: Parasitic capacitance per Cs The output A0 of the amplifier AMP210 is connected to two-system inputs of the sample and hold circuits SH1 and SH2 via SW4. SH1 and SHi2 which are the outputs of SH1 and SH2
Is connected to the comparator COM310. At this time,
C3 and Cref of SH1 and SH2 are set to the same capacitance value. The output of the comparator COM310 is, for example, the input S
When the potential of Hi1 is higher than the potential of input Shi2, H (1) is output when it is higher, and L (0) is output when it is lower.

【0023】このような構成の指紋センサの動作及び指
紋データ生成方法について説明する。図3は、本発明の
一実施の形態である指紋センサのタイミングチャートで
ある。本発明の指紋センサの動作は、副電極Bm−nか
らレファレンス電圧を生成する処理[1]と、主電極A
m−nから指紋データとなる主電圧を生成する処理
[2]とを有する。
The operation of the fingerprint sensor having such a configuration and a method of generating fingerprint data will be described. FIG. 3 is a timing chart of the fingerprint sensor according to one embodiment of the present invention. The operation of the fingerprint sensor according to the present invention includes a process [1] of generating a reference voltage from the sub-electrode Bm-n,
processing [2] for generating a main voltage serving as fingerprint data from mn.

【0024】副電極Bm−nから、レファレンス電圧を
生成する処理[1]について説明する。指を電極面に接
触させた状態で、SW2をVpr側へ、SW3aをA0
にショートする。その際、SW3bをC2側へ接続して
おく。この時、所定の範囲のSWBm−nをオンする
と、副電極Bと指及び電極BとSUB電極との間に電荷
がチャージされる。この時、1列(M個)あたりにチャ
ージされる電荷量Qbは、次の(2)式で表される。
The process [1] of generating a reference voltage from the sub-electrode Bm-n will be described. With the finger in contact with the electrode surface, switch SW2 to the Vpr side and switch SW3a to A0
To short. At this time, SW3b is connected to C2. At this time, when a predetermined range of SWBm-n is turned on, electric charges are charged between the sub-electrode B and the finger and between the electrode B and the SUB electrode. At this time, the charge amount Qb charged per column (M) is expressed by the following equation (2).

【0025】[0025]

【数2】 Qb=(M*(Cp/D)+(Cs/D)*k+(Cs/D/x)*(M−k ))*Vpr ・・・(2) k:副電極B、1列M個の中で指紋の凸部に接触してい
る数 x:指紋の凸部と電極間の距離に対する凹部と電極間の
距離の割合(x>1) 次に、SWBm−nをオフし、SW2をVc側へ切り替
える。この後、SW3aをオフし、再びSWBm−nを
オンする。この時、アンプAMP210は電圧Vcで帰
還がかかっているため、先ほどチャージされた電荷Qb
が移動して、C2にもチャージされる。この時、アンプ
AMP210の出力A0の電圧がV2だけ変化したとす
ると、Qbは次の(3)式で表される。
Qb = (M * (Cp / D) + (Cs / D) * k + (Cs / D / x) * (Mk)) * Vpr (2) k: Sub-electrode B, Number of contacts with the convex portion of the fingerprint in M rows x: ratio of the distance between the concave portion and the electrode to the distance between the convex portion and the electrode of the fingerprint (x> 1) Next, SWBm-n is turned off. Then, switch SW2 to the Vc side. Thereafter, SW3a is turned off and SWBm-n is turned on again. At this time, since the amplifier AMP210 performs feedback with the voltage Vc, the charge Qb charged earlier
Moves and C2 is also charged. At this time, if the voltage of the output A0 of the amplifier AMP210 changes by V2, Qb is expressed by the following equation (3).

【0026】[0026]

【数3】 Qb=(M*(Cp/D)+(Cs/D)*k+(Cs/D/x)*(M−k ))*Vc+C2*V2 ・・・(3) (2)式及び(3)式より、V2は次の(4)式で表さ
れる。
Qb = (M * (Cp / D) + (Cs / D) * k + (Cs / D / x) * (M−k)) * Vc + C2 * V2 (3) Equation (2) From equation (3) and equation (3), V2 is represented by the following equation (4).

【0027】[0027]

【数4】 V2=(1/C2)*(Vpr−Vc)/D*(M*Cp+Cs*k+(Cs /x)*(M−k)) (4) ここで、SW4をCref側に接続し、電圧V2をサンプルホールド回路SH 2でサンプルホールドする。ホールドした後、SW4は
オフにしておく。
V2 = (1 / C2) * (Vpr-Vc) / D * (M * Cp + Cs * k + (Cs / x) * (Mk)) (4) Here, SW4 is connected to the Cref side. Then, the voltage V2 is sampled and held by the sample and hold circuit SH2. After holding, SW4 is turned off.

【0028】次に、主電極Am−nから指紋データとな
る主電圧を生成する処理[2]について説明する。SW
Bm−nをオフし、SW2をVpr側へ、SW3をA0
とショートする。その際、SW3bをC1側へショート
しておく。M個のSWA制御ラインのうち、1行のみを
オンにすると、主電極Aと指、及び主電極AとSUB電
極との間に電荷がチャージされる。この時チャージされ
る電荷量Qaは、次の(5)式で表される。
Next, a process [2] of generating a main voltage serving as fingerprint data from the main electrode Am-n will be described. SW
Bm-n is turned off, SW2 is turned to the Vpr side, SW3 is turned to A0
And short. At this time, SW3b is short-circuited to C1 side. When only one of the M SWA control lines is turned on, charges are charged between the main electrode A and the finger and between the main electrode A and the SUB electrode. The charge amount Qa charged at this time is expressed by the following equation (5).

【0029】[0029]

【数5】 Qa=(Cp+Cs)*Vpr ・・・(5) 次に、SWAm−nをオフし、SW2をVc側へ切り替
える。この後、SW3aをオフし、再びSWAm−nを
オンする。この時、アンプAMP210は電圧Vcで帰
還がかかっているため、先ほどチャージされた電荷Qa
が移動して、C1にもチャージされる。この時、アンプ
AMP210の出力A0の電圧がV1だけ変化したとす
ると、Qaを次の(6)式で表される。
Qa = (Cp + Cs) * Vpr (5) Next, SWAm-n is turned off, and SW2 is switched to Vc. Thereafter, SW3a is turned off and SWAm-n is turned on again. At this time, since the amplifier AMP210 performs feedback with the voltage Vc, the charge Qa
Moves, and C1 is also charged. At this time, if the voltage of the output A0 of the amplifier AMP210 changes by V1, Qa is expressed by the following equation (6).

【0030】[0030]

【数6】 Qa=(Cp+Cs)*Vc*C1*V1 ・・・(6) (5)式及び(6)式より、V1は次の(7)式で表さ
れる。
Qa = (Cp + Cs) * Vc * C1 * V1 (6) From equations (5) and (6), V1 is expressed by the following equation (7).

【0031】[0031]

【数7】 V1=(1/C1)*(Vpr−Vc)*(Cp+Cs) ・・・(7) ここで、(4)式において、k=M/2と仮定すると、V1 = (1 / C1) * (Vpr-Vc) * (Cp + Cs) (7) Here, assuming that k = M / 2 in the equation (4),

【0032】[0032]

【数8】 V2≒(V1+V1/x)/2 =V1*(1+1/x)/2 ・・・(8) となるようにC2を決める必要がある。(4)、(7)
及び(8)式と、 1 < x < ∞ とから、C2は、式(1)の値をとることが導き出せ
る。
C2 needs to be determined so that V2C (V1 + V1 / x) / 2 = V1 * (1 + 1 / x) / 2 (8) (4), (7)
From equation (8) and 1 <x <∞, it can be derived that C2 takes the value of equation (1).

【0033】次に、SW4をC3側に切り替えることで
電圧V1をSH1でサンプリングホールドすることがで
きる。ここで、電圧V1と先ほどのレファレンス電圧V
2とをコンパレータCOM310で比較し、1/0で出
力することで2値化を行う。以下、SWAm−nを行方
向に順に切り替えながら、[1]、[2]の処理を繰り
返し行うことで、全主電極Aの静電容量を2値化するこ
とができる。
Next, by switching SW4 to the C3 side, the voltage V1 can be sampled and held at SH1. Here, the voltage V1 and the reference voltage V
2 is compared by the comparator COM310, and is binarized by outputting 1/0. Hereinafter, the capacitances of all the main electrodes A can be binarized by repeatedly performing the processes [1] and [2] while sequentially switching the SWAm-n in the row direction.

【0034】上記の説明では副電極Bm−nからレファ
レンス電圧を生成する場合に、列全体の副電極Bm−n
の検出した静電容量を平均してレファレンス電圧を生成
するとしたが、全体の副電極Bm−nの検出する静電容
量を平均してレファレンス電圧を生成することもでき
る。
In the above description, when the reference voltage is generated from the sub-electrode Bm-n, the sub-electrode Bm-n of the entire column is generated.
Although the reference voltage is generated by averaging the detected capacitances, it is also possible to generate the reference voltage by averaging the capacitances detected by all the sub-electrodes Bm-n.

【0035】また、1列の中をいくつかに分割して、そ
れぞれの領域の副電極Bm−nで検出する静電容量を平
均してレファレンス電圧を生成することもできる。この
場合、C2の容量を小さくすることが可能である。
It is also possible to divide a column into several parts and to generate a reference voltage by averaging the capacitances detected by the sub-electrodes Bm-n in each area. In this case, the capacity of C2 can be reduced.

【0036】また、副電極Bm−nが配列された平面を
所定の領域に分割した複数列複数行のエリア内に配置さ
れた副電極Bm−nで検出する静電容量を平均してレフ
ァレンス電圧を生成することもできる。この場合、C2
の容量を小さくすることが可能であり、かつ2次元で平
均値をとることができる。
The capacitance detected by the sub-electrodes Bm-n arranged in an area of a plurality of columns and a plurality of rows obtained by dividing a plane on which the sub-electrodes Bm-n are arranged into a predetermined area is averaged to obtain a reference voltage. Can also be generated. In this case, C2
Can be reduced, and an average value can be obtained in two dimensions.

【0037】さらに、上記の説明では、レファレンス電
圧を生成する[1]の処理と、主電圧を生成する[2]
の処理を繰り返して行うとしたが、[1]の処理でレフ
ァレンス電圧を生成し、後はこのレファレンス電圧を用
いて[2]の処理を繰り返すという手順とすることもで
きる。この場合、指紋データを得る時間を削減すること
が可能である。
Further, in the above description, the process [1] for generating the reference voltage and the process [2] for generating the main voltage are described.
Is repeated, the procedure may be such that a reference voltage is generated in the process [1], and the process [2] is repeated using the reference voltage. In this case, it is possible to reduce the time for obtaining fingerprint data.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように本発明では、静電容
量検出手段で、主電極と副電極は指紋が接触した時に生
じる静電容量を検出する。信号生成手段により、所定の
範囲の副電極が検出した静電容量は平均され、レファレ
ンス電圧が生成される。2値化手段は、主電極の検出し
た主電圧がレファレンス電圧より大きいか否かで主電圧
値を2値化する。指紋センサに配列された全ての主電極
に対してこの処理が行われ、指紋が検出される。このよ
うに、指紋検出時に指紋センサ内部でレファレンス電圧
が生成されるため、個人差による出力電圧のバラツキに
対応することができ、外部から設定変更する手間及びコ
ストが不要となる。さらに、外部での処理が不要となる
ため、アナログ出力から2値化までをオンチップで実現
することが可能となる。また、2値化のための閾値はレ
ファレンス電圧として自動的に最適化されるため、高性
能な指紋センサを提供することができる。
As described above, according to the present invention, the capacitance detection means detects the capacitance generated when the main electrode and the sub-electrode come in contact with the fingerprint. The capacitances detected by the sub-electrodes in the predetermined range are averaged by the signal generation means, and a reference voltage is generated. The binarizing means binarizes the main voltage value based on whether the main voltage detected by the main electrode is higher than the reference voltage. This process is performed for all the main electrodes arranged in the fingerprint sensor, and a fingerprint is detected. As described above, since the reference voltage is generated inside the fingerprint sensor at the time of fingerprint detection, it is possible to cope with the variation of the output voltage due to individual differences, and it is not necessary to change the setting from the outside and the cost is changed. Further, since external processing is not required, on-chip processing from analog output to binarization can be realized. Further, since the threshold value for binarization is automatically optimized as a reference voltage, a high-performance fingerprint sensor can be provided.

【0039】また、本発明の指紋データ生成方法では、
指紋が接触したことにより、指紋センサに配列された主
電極及び副電極が指との間に生じた静電容量を検出す
る。副電極により検出された静電容量からレファレンス
電圧が生成され、これと主電極の検出した静電容量より
生成された主電圧とを比較して、主電圧値を2値化す
る。指紋センサに配列された全ての主電極に対してこの
処理が行われ、指紋データが生成される。このように、
指紋検出時に指紋センサ内部でレファレンス電圧が生成
されるため、個人差による出力電圧のバラツキに対応す
ることができる。また、2値化のための閾値は自動的に
最適化されるため、精度の高い指紋データを得ることが
できる。
Further, according to the fingerprint data generating method of the present invention,
The main electrode and the sub-electrode arranged in the fingerprint sensor detect the capacitance generated between the finger and the finger due to the contact with the fingerprint. A reference voltage is generated from the capacitance detected by the sub-electrode, and the reference voltage is compared with a main voltage generated from the capacitance detected by the main electrode to binarize the main voltage value. This process is performed on all the main electrodes arranged in the fingerprint sensor to generate fingerprint data. in this way,
Since a reference voltage is generated inside the fingerprint sensor at the time of fingerprint detection, it is possible to cope with variations in output voltage due to individual differences. Further, since the threshold value for binarization is automatically optimized, fingerprint data with high accuracy can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態である指紋センサの原理
図である。
FIG. 1 is a principle diagram of a fingerprint sensor according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態である指紋センサの全体
構成図である。
FIG. 2 is an overall configuration diagram of a fingerprint sensor according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態である指紋センサのタイ
ミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart of the fingerprint sensor according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100・・・ 静電容量検出手段、110・・・ 主電極A、1
20・・・ 副電極B、200・・・ 信号生成手段、210・・
・ アンプAMP、300・・・ 2値化手段、310・・・ コ
ンパレータCOM、400・・・ 配線L、510・・・ タイ
ミング制御回路(Timing Control Bl
ock (Colum))、520・・・タイミング制御
回路(Timing Control Block
(Raw))
100: capacitance detecting means, 110: main electrode A, 1
20 ... sub-electrode B, 200 ... signal generation means, 210 ...
· Amplifier AMP, 300 ··· Binarization means, 310 ··· Comparator COM, 400 ··· Wiring L, 510 ··· Timing control circuit (Timing Control Bl)
ock (Column)), 520... Timing control circuit (Timing Control Block)
(Raw))

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Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 指紋の凹凸による静電容量差を利用して
指紋を検出する指紋センサにおいて、 指紋が接触する平面上に配置された主電極と前記主電極
の近傍に配置された副電極とから構成される静電容量検
出手段と、 前記副電極に検出される静電容量を所定の範囲で平均し
てレファレンス電圧を生成し前記主電極に検出される静
電容量から主電圧を生成する信号生成手段と、 前記レファレンス電圧と前記主電圧を比較して主電圧値
を2値化する2値化手段と、 を有することを特徴とする指紋センサ。
1. A fingerprint sensor for detecting a fingerprint using a capacitance difference caused by unevenness of a fingerprint, comprising: a main electrode disposed on a plane in contact with the fingerprint; and a sub-electrode disposed near the main electrode. And a capacitance detecting unit configured to average a capacitance detected by the sub-electrode in a predetermined range to generate a reference voltage and generate a main voltage from the capacitance detected by the main electrode. A fingerprint sensor comprising: signal generation means; and binarization means for comparing the reference voltage and the main voltage to binarize the main voltage value.
【請求項2】 前記信号生成手段は、前記指紋が接触す
る平面上に配列された前記副電極のうち所定の列あるい
は行に配置された前記副電極の検出した静電容量を平均
してレファレンス電圧を生成する手段であることを特徴
とする請求項1記載の指紋センサ。
2. The method according to claim 1, wherein the signal generation unit averages a capacitance detected by the sub-electrodes arranged in a predetermined column or row among the sub-electrodes arranged on a plane contacting the fingerprint, and outputs a reference signal. 2. The fingerprint sensor according to claim 1, wherein the fingerprint sensor is means for generating a voltage.
【請求項3】 前記信号生成手段は、前記指紋が接触す
る平面を所定の領域に分割し、その領域内に配置された
前記副電極の検出した静電容量を平均してレファレンス
電圧を生成する手段であることを特徴とする請求項1記
載の指紋センサ。
3. The signal generation means divides a plane contacting the fingerprint into a predetermined area, and generates a reference voltage by averaging the capacitance detected by the sub-electrodes arranged in the area. 2. The fingerprint sensor according to claim 1, wherein the fingerprint sensor is a means.
【請求項4】 前記信号生成手段は、前記指紋が接触す
る平面上に配列された前記副電極全体の検出した静電容
量を平均してレファレンス電圧を生成する手段であるこ
とを特徴とする請求項1記載の指紋センサ。
4. The signal generating means according to claim 1, wherein the signal generating means generates a reference voltage by averaging the detected capacitances of all the sub-electrodes arranged on a plane contacting the fingerprint. Item 3. The fingerprint sensor according to Item 1.
【請求項5】 前記2値化手段は、前記レファレンス電
圧を基準値として前記主電圧が前記レファレンス電圧よ
り大きいか否かを出力するコンパレータ回路であること
を特徴とする請求項1記載の指紋センサ。
5. The fingerprint sensor according to claim 1, wherein said binarizing means is a comparator circuit which outputs whether said main voltage is higher than said reference voltage with said reference voltage as a reference value. .
【請求項6】 指紋の凹凸による静電容量差を利用して
指紋を検出する指紋センサの指紋データ生成方法におい
て、 前記指紋センサには指紋が接触する平面上に主電極と前
記主電極の近傍に副電極とが配列されており、 指紋が接触したことにより前記主電極及び前記副電極が
静電容量を検出し、 所定の範囲の前記副電極に検出された静電容量を平均し
てレファレンス電圧を生成し、 前記主電極に検出される静電容量から主電圧を生成し、 前記レファレンス電圧と前記主電圧を比較し、 前記主電圧が前記レファレンス電圧より大きいかどうか
で主電圧値を2値化すする手順、 を全ての主電極に対して行うことを特徴とする指紋デー
タ生成方法。
6. A fingerprint data generating method for a fingerprint sensor for detecting a fingerprint using a capacitance difference due to unevenness of a fingerprint, wherein the fingerprint sensor has a main electrode and a vicinity of the main electrode on a plane where the fingerprint contacts. The main electrode and the sub-electrode detect the capacitance due to the contact with the fingerprint, and average the capacitances detected by the sub-electrode in a predetermined range. Generating a voltage; generating a main voltage from a capacitance detected by the main electrode; comparing the reference voltage with the main voltage; determining whether the main voltage is greater than the reference voltage by 2; A fingerprint data generating method, wherein the step of converting into a value is performed for all main electrodes.
【請求項7】 前記レファレンス電圧を生成する手順
は、前記指紋が接触する平面を所定の領域に分割し、そ
の領域内に配置された前記副電極の検出した静電容量を
平均してレファレンス電圧を生成する手順であることを
特徴とする請求項6記載の指紋データ生成方法。
7. The step of generating the reference voltage includes dividing a plane contacting the fingerprint into a predetermined region, averaging capacitances detected by the sub-electrodes disposed in the region, and averaging a reference voltage. 7. The fingerprint data generation method according to claim 6, wherein the fingerprint data is generated.
【請求項8】 前記レファレンス電圧を生成する手順
は、前記指紋が接触する平面上に配列された前記副電極
全体の検出した静電容量を平均してレファレンス電圧を
生成する手順であることを特徴とする請求項6記載の指
紋データ生成方法。
8. The step of generating a reference voltage is a step of generating a reference voltage by averaging detected capacitances of all the sub-electrodes arranged on a plane contacting the fingerprint. The fingerprint data generation method according to claim 6, wherein
【請求項9】 前記レファレンス電圧を生成する手順
は、指紋センサに指が接触した時に1回だけ行われる手
順であり、 全ての主電極に対して行われる前記主電圧値を2値化す
る手順において、前記指が接触時に生成されたレファレ
ンス電圧を用いることを特徴とする請求項6記載の指紋
データ生成方法。
9. The procedure for generating the reference voltage is a procedure performed only once when a finger touches the fingerprint sensor, and a procedure for binarizing the main voltage value performed on all the main electrodes. 7. The fingerprint data generating method according to claim 6, wherein a reference voltage generated when the finger is in contact is used.
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