JP2000164745A - Cap for hermetic package and the hermetic package - Google Patents

Cap for hermetic package and the hermetic package

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JP2000164745A
JP2000164745A JP10335655A JP33565598A JP2000164745A JP 2000164745 A JP2000164745 A JP 2000164745A JP 10335655 A JP10335655 A JP 10335655A JP 33565598 A JP33565598 A JP 33565598A JP 2000164745 A JP2000164745 A JP 2000164745A
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JP
Japan
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cap
substrate
thickness
package
electronic element
Prior art date
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Application number
JP10335655A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kamata
宏 鎌田
Eigo Kishi
英吾 岸
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reinforce a resin base for increasing the apparent mechanical strength of a metal layer, allowing it to be thinned by attaching a resin base, a metal layer and an adhesive layer to a cap of a hermetic package for hermetically housing electronic elements. SOLUTION: One electrode 4 extends via one notch 2 to the surface of a substrate 1, and another electrode 5 runs around the periphery of the substrate 1 to the back of the substrate 1 via another notch 3. A support 6 for a crystal oscillator is made of the same material and with the same thickness as those of the electrodes 4, 5, an insulative frame 7 of the same glass ceramics, etc., as the substrate 1 is overlaid on the substrate 1 having the support 6 and sintered into a single body. The exposed electrodes 4, 5 and the support 6 are plated with Ni/Au to improve the solderability of electronic elements such as crystal oscillator, etc. The substrate 1 and the frame 7 form a hermetic package body, the crystal oscillator and electronic element such as SAW devices are connected and fixed with a conductive adhesive, etc., and a cap for sealing openings is fixed hermetically.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、水晶振動子,水晶
発振子,SAWデバイス等の電子素子を気密に封止する
気密パッケージ用のキャップおよびそれを用いた気密パ
ッケージに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hermetic package cap for hermetically sealing electronic elements such as a quartz oscillator, a quartz oscillator, and a SAW device, and an hermetic package using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】水晶振動子等の電子素子を封止する気密
パッケージは、これを組み込む電子機器の軽薄短小化に
伴って、表面実装型でかつ薄型化がはかられている。こ
の種の気密パッケージは、例えば実開平6−77328
号公報に開示されている。
2. Description of the Related Art A hermetic package for enclosing an electronic element such as a quartz oscillator is a surface-mount type and thinner as electronic devices incorporating the same have become lighter and thinner. An airtight package of this type is disclosed, for example, in Japanese Utility Model Laid-Open No. 6-77328.
No. 6,086,045.

【0003】以下、従来の典型的な構造について説明す
る。図9は、表面実装型水晶振動子のキャップを除去し
た平面図で、図10は図9のE−E線に沿う縦断面図で
ある。図において、61はアルミナセラミック等からな
る矩形状の絶縁基板(以下、単に基板という)で、長軸
方向の両端に半円弧状の切欠部62、63を有する。6
4,65は基板61の上面、端面および底面に形成され
たタングステン等よりなる電極で、一方の電極64は一
方の切欠部62を通って基板61の裏面にまで延在して
形成され、他方の電極65は基板61の周辺部を迂回し
かつ他方の切欠部63を通って基板61の裏面にまで延
在して形成されている。66は水晶振動子等の電子素子
を支持する“枕”といわれる支持部で、前記電極64、
65と同一材料で、かつ同時に形成される。67はアル
ミナセラミック等よりなる絶縁枠体で、電極64、65
および支持部66を形成した基板61に重ね合わされ、
焼結されて一体となっている。露出している電極64、
65および支持部66は、NiめっきおよびAuめっき
が施されて、水晶振動子等の電子素子のはんだ付け性を
向上させている。68は前記基板61ないし絶縁枠体6
7で形成されるパッケージ本体に電子素子を収納したの
ち、開口部を封止するアルミナセラミック製のキャップ
で、ガラス等の接着材69で気密に固着封止されてい
る。ここで、上記基板61の裏面に延在して形成された
電極64、65をプリント基板等にはんだ付け等により
接続固着すると、電気的な接続と機械的な固着とが同時
に行える。電極64、65を介して内部に収納された電
子素子に給電すると、電子素子が動作し、その出力が電
極64、65から外部に取り出せる。
[0003] A typical conventional structure will be described below. FIG. 9 is a plan view of the surface-mount type crystal unit from which the cap is removed, and FIG. 10 is a longitudinal sectional view taken along line EE of FIG. In the figure, reference numeral 61 denotes a rectangular insulating substrate (hereinafter, simply referred to as a substrate) made of alumina ceramic or the like, and has semicircular notches 62 and 63 at both ends in the longitudinal direction. 6
Reference numerals 4 and 65 denote electrodes made of tungsten or the like formed on the upper surface, end surface, and bottom surface of the substrate 61. One electrode 64 is formed to extend to the back surface of the substrate 61 through one notch 62 and the other is formed. The electrode 65 is formed so as to bypass the peripheral portion of the substrate 61 and extend to the back surface of the substrate 61 through the other cutout 63. Reference numeral 66 denotes a support portion called a "pillow" for supporting an electronic element such as a quartz oscillator, and the electrode 64,
65 and the same material. Reference numeral 67 denotes an insulating frame made of alumina ceramic or the like.
And the substrate 61 on which the support portion 66 is formed,
Sintered and integrated. Exposed electrode 64,
The Ni plating and the Au plating are applied to the support 65 and the support portion 66 to improve the solderability of an electronic element such as a quartz oscillator. 68 denotes the substrate 61 or the insulating frame 6
After the electronic element is housed in the package body formed by 7, it is hermetically fixed and sealed with an adhesive 69 such as glass with a cap made of alumina ceramic for sealing the opening. Here, when the electrodes 64 and 65 formed extending on the back surface of the substrate 61 are connected and fixed to a printed board or the like by soldering or the like, electrical connection and mechanical fixing can be performed simultaneously. When power is supplied to the electronic element housed inside through the electrodes 64 and 65, the electronic element operates and its output can be taken out from the electrodes 64 and 65 to the outside.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のアル
ミナセラミック製のキャップ68を用いる気密パッケー
ジでは、低背化のためにキャップを薄型化しようとして
も、機械的強度の点から厚さを0.2mm以下にするこ
とができず、したがって、気密パッケージ全体の薄型化
にも限度があった。また、金属製のキャップを用いれ
ば、セラミック製のキャップよりも薄型化できるのは事
実であるが、金属製のキャップにおいても、同様に機械
的強度の点から、0.1mm以下の薄型化はできなかっ
た。
By the way, in the hermetic package using the above-mentioned alumina ceramic cap 68, even if it is attempted to reduce the thickness of the cap in order to reduce the height, the thickness is reduced to 0.1 mm in terms of mechanical strength. The thickness cannot be reduced to 2 mm or less, and therefore, there is a limit in reducing the thickness of the whole hermetic package. Also, it is true that a metal cap can be used to make it thinner than a ceramic cap, but a metal cap can also be made thinner by 0.1 mm or less in terms of mechanical strength. could not.

【0005】そこで、本発明は、セラミック製や金属製
のキャップよりも、さらに薄型化された気密パッケージ
用のキャップを提供することを目的とする。本発明はま
た、上記のキャップを用いて、さらに薄型化された気密
パッケージを提供することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a cap for an airtight package which is thinner than a cap made of ceramic or metal. Another object of the present invention is to provide a thinner airtight package using the above cap.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
発明は、電子素子を気密に封入する気密パッケージ用の
キャップであって、樹脂ベース材と金属層と接着材層と
を有することを特徴とする気密パッケージ用キャップで
ある。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a cap for an airtight package for hermetically enclosing an electronic element, comprising a resin base material, a metal layer and an adhesive layer. Which is a cap for an airtight package.

【0007】本発明の請求項2記載の発明は、電子素子
を気密に封入する気密パッケージ用のキャップであっ
て、厚さが0.04mm以下の樹脂ベース材と厚さが
0.06mm以下の金属層と接着材層とを有することを
特徴とする気密パッケージ用キャップである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a cap for an airtight package for hermetically sealing an electronic element, wherein the resin base material has a thickness of 0.04 mm or less and a resin base material having a thickness of 0.06 mm or less. An airtight package cap having a metal layer and an adhesive layer.

【0008】本発明の請求項3記載の発明は、水晶デバ
イス等の電子素子を気密に封入する気密パッケージ用の
キャップであって、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂およ
びガラスエポキシ材の中から選択された厚さが0.04
mm以下の樹脂ベース材と、銅箔,銅めっき薄膜,ニツ
ケル箔およびニツケルめっき薄膜の中から選択された厚
さが0.06mm以下の金属層と、はんだ,低融点ガラ
スおよび樹脂接着材の中から選択された接着材層とを有
することを特徴とする気密パッケージ用キャップであ
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a cap for an airtight package for hermetically enclosing an electronic element such as a crystal device, wherein the thickness is selected from an epoxy resin, a polyimide resin and a glass epoxy material. 0.04
mm or less, a metal layer having a thickness of 0.06 mm or less selected from copper foil, copper plating thin film, nickel foil and nickel plating thin film, and solder, low melting point glass and resin adhesive. And an adhesive layer selected from the group consisting of:

【0009】本発明の請求項4記載の発明は、水晶デバ
イス等の電子素子を気密に封入する気密パッケージであ
って、樹脂ベース材と金属層と接着材層とよりなるキャ
ップを、前記接着材層でパッケージ本体に封止している
ことを特徴とする気密パッケージである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an airtight package for hermetically enclosing an electronic element such as a crystal device, wherein a cap comprising a resin base material, a metal layer and an adhesive layer is attached to the adhesive material. An airtight package characterized by being sealed in a package body with a layer.

【0010】本発明の請求項5記載の発明は、水晶デバ
イス等の電子素子を気密に封入する気密パッケージであ
って、厚さが0.04mm以下の樹脂ベース材と厚さが
0.06mm以下の金属層と接着材層とよりなるキャッ
プをベース本体に封止していることを特徴とする気密パ
ッケージである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an airtight package for hermetically enclosing an electronic element such as a quartz device, wherein a resin base material having a thickness of 0.04 mm or less and a resin base material having a thickness of 0.06 mm or less are provided. Wherein the cap including the metal layer and the adhesive layer is sealed in the base body.

【0011】本発明の請求項6記載の発明は、水晶デバ
イス等の電子素子を気密に封入する気密パッケージであ
って、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂およびガラスエポ
キシ材の中から選択された厚さが0.04mm以下の樹
脂ベース材と、銅箔,銅めっき薄膜,ニツケル箔および
ニツケルめっき薄膜の中から選択された厚さが0.06
mm以下の金属層と、はんだ,低融点ガラスおよび樹脂
接着材の中から選択された接着材層とを具備するキャッ
プを、前記接着材層によりパッケージ本体に封止してい
ることを特徴とする気密パッケージである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an airtight package for hermetically enclosing an electronic element such as a crystal device, wherein a thickness selected from an epoxy resin, a polyimide resin and a glass epoxy material is zero. A resin base material having a thickness of 0.06 mm or less and a thickness selected from a copper foil, a copper plating thin film, a nickel foil and a nickel plating thin film of 0.06
mm, and a cap comprising a solder layer, an adhesive layer selected from a low-melting-point glass and a resin adhesive is sealed to the package body by the adhesive layer. It is an airtight package.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。図1は、本発明の第1実施例の表面実
装型気密パッケージAのキャップを除去した平面図で、
図2は図1のA−A線に沿う縦断面図である。図におい
て、1はガラス中にセラミック微粒子を混入した熱膨張
係数が12×10−6/℃程度のガラスセラミック等か
らなる矩形状の絶縁基板(以下、単に基板という)で、
長軸方向の両端に半円弧状の切欠部2、3を有する。
4、5は基板1の上面、端面および底面に形成されたA
g−Pd等よりなる厚さが0.05mm程度の電極で、
一方の電極4は一方の切欠部2を通って基板1の裏面に
まで延在して形成され、他方の電極5は基板1の周辺部
を迂回しかつ他方の切欠部3を通って基板1の裏面にま
で延在して形成されている。6は水晶振動子等の電子素
子を支持する“枕”といわれる支持部で、前記電極4、
5と同一材料で、かつ同時に同一厚さに形成される。7
は基板1と同様のガラスセラミック等よりなる絶縁枠体
で、電極4、5および支持部6を形成した基板1に重ね
合わされ、焼結されて一体となっている。露出している
電極4、5および支持部6は、NiめっきおよびAuめ
っき等が施されて、水晶振動子等の電子素子のはんだ付
け性を向上させている。上記基板1ないし絶縁枠体7で
気密パッケージ本体を形成している。前記基板1ないし
絶縁枠体7で形成されるパッケージ本体には、水晶振動
子,水晶発振子およびSAWデバイス等の電子素子(図
示省略)が導電性接着材等で接続固着される。8はパッ
ケージ本体に電子素子を収納したのち、パッケージ本体
の開口部を封止するキャップで、接着材で気密に固着封
止されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a surface-mounted hermetic package A according to a first embodiment of the present invention with a cap removed.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line AA of FIG. In the figure, reference numeral 1 denotes a rectangular insulating substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) made of glass ceramic or the like having a thermal expansion coefficient of about 12 × 10 −6 / ° C. in which ceramic fine particles are mixed in glass.
It has cutouts 2 and 3 in a semicircular arc shape at both ends in the long axis direction.
Reference numerals 4 and 5 denote A formed on the top, end, and bottom surfaces of the substrate 1.
An electrode made of g-Pd or the like having a thickness of about 0.05 mm,
One electrode 4 is formed to extend to the back surface of the substrate 1 through one notch 2, and the other electrode 5 bypasses the peripheral portion of the substrate 1 and passes through the other notch 3 to form the substrate 1. Is formed so as to extend to the back surface. Reference numeral 6 denotes a support portion called a “pillow” for supporting an electronic element such as a quartz oscillator,
5 and the same thickness at the same time. 7
Is an insulating frame made of the same glass ceramic or the like as the substrate 1, and is superposed on the substrate 1 on which the electrodes 4, 5 and the support portion 6 are formed, sintered and integrated. The exposed electrodes 4, 5 and the support 6 are plated with Ni or Au to improve the solderability of an electronic element such as a quartz oscillator. The substrate 1 or the insulating frame 7 forms an airtight package body. Electronic elements (not shown) such as a quartz oscillator, a quartz oscillator, and a SAW device are connected and fixed to the package body formed by the substrate 1 or the insulating frame 7 with a conductive adhesive or the like. Reference numeral 8 denotes a cap that seals the opening of the package body after the electronic element is housed in the package body, and is hermetically fixed and sealed with an adhesive.

【0013】ここで、上記キャップ8は、図2の一部拡
大断面図に示すように、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂
およびガラスエポキシ材の中から選択された樹脂ベース
材8aと、銅箔,銅めっき薄膜,ニッケル箔およびニッ
ケルめっき薄膜の中から選択された金属層8bと、金属
層8bに被着されたはんだ,低融点ガラスおよび樹脂接
着材の中から選択された接着材層8cとの3層構造の構
成を有する。前記樹脂ベース材8aは厚さt1が0.0
4mm以下、例えば0.018mm程度であり、金属層
8bは厚さt2が0.06mm以下、例えば0.030
mm程度であり、接着材層8cは厚さが0.04mm程
度である。したがって、樹脂ベース材8aと金属層8b
とを合わせた厚さt3は、0.048mm程度と、従来
のセラミック製キャップの0.2mmや、金属製キャッ
プの0.1mmと比較して、約1/4ないし1/2に薄
型化できるという効果がある。すなわち、金属層8bの
みで厚さを0.1mm以下にした場合は、少しの機械的
衝撃でも破れやすいが、本発明では樹脂ベース材8aの
存在によって、金属層8bの見掛け上の機械的強度が増
強されるのである。しかも、全体として弾力性があるた
め、落下衝撃や熱ストレスを受けた場合にも、封止部が
剥離したり、脱落することがなくなる。
As shown in a partially enlarged sectional view of FIG. 2, the cap 8 includes a resin base material 8a selected from an epoxy resin, a polyimide resin and a glass epoxy material, a copper foil, and a copper plating. Three layers of a metal layer 8b selected from a thin film, a nickel foil, and a nickel-plated thin film, and an adhesive layer 8c selected from a solder, a low-melting glass, and a resin adhesive applied to the metal layer 8b It has a structural configuration. The resin base material 8a has a thickness t1 of 0.0
The thickness t2 of the metal layer 8b is 0.06 mm or less, for example, 0.030 mm or less.
mm, and the thickness of the adhesive layer 8c is about 0.04 mm. Therefore, the resin base material 8a and the metal layer 8b
Is about 0.048 mm, which can be reduced to about 1/4 to 1/2 compared to 0.2 mm of a conventional ceramic cap or 0.1 mm of a metal cap. This has the effect. That is, when the thickness is set to 0.1 mm or less only by the metal layer 8b, the metal layer 8b is easily broken even by a slight mechanical impact. Is strengthened. In addition, the elasticity as a whole prevents the sealing portion from peeling off or falling off even when it receives a drop impact or thermal stress.

【0014】上記の構成において、基板1の裏面に露出
する電極4、5をプリント基板等にはんだ付け等により
接続固着すると、電気的な接続と機械的な固着が同時に
達成できる。電極4、5を介して内部に収納された水晶
振動子等の電子素子に給電すると電子素子が機械的振動
を起こし、その機械的振動が電極4、5から電気信号と
して取り出せる。
In the above configuration, when the electrodes 4 and 5 exposed on the back surface of the substrate 1 are connected and fixed to a printed circuit board or the like by soldering or the like, electrical connection and mechanical fixing can be achieved at the same time. When power is supplied to an electronic element such as a quartz oscillator housed therein through the electrodes 4 and 5, the electronic element causes mechanical vibration, and the mechanical vibration can be extracted from the electrodes 4 and 5 as an electric signal.

【0015】また、上記の実施例においては、従来の熱
膨張係数が6〜7×10−6/℃程度のアルミナセラミ
ック製の基板61および絶縁枠体67に代えて、ガラス
中にセラミック微粒子を混入させた熱膨張係数が12×
10−6/℃程度のガラスセラミツク製の基板1および
絶縁枠体7を用いているので、気密パッケージ本体の熱
膨張係数が、水晶振動子等の熱膨張係数である14×1
0−6/℃と極めて近似しているため、キャップ8の封
止の際の加熱や気密パッケージをプリント基板等にはん
だ付けする際の加熱によって、あるいはさらに周囲温度
条件下で、気密パッケージと水晶振動子等の電子素子と
の熱膨張係数差に起因して電子素子内に発生する応力が
極めて小さく、したがって、この応力によって水晶振動
子等の電子素子の周波数特性等の電気的特性が変動する
ことがないという利点がある。なお、接着材層8cをは
んだで構成する場合は、絶縁枠体7の上面にはんだと濡
れやすい金属枠体または金属層を形成しておく必要があ
る。
In the above embodiment, ceramic fine particles are contained in glass instead of the conventional alumina ceramic substrate 61 having a thermal expansion coefficient of about 6 to 7 × 10 −6 / ° C. and the insulating frame 67. 12 × thermal expansion coefficient
Since the substrate 1 and the insulating frame 7 made of glass ceramic at about 10 −6 / ° C. are used, the coefficient of thermal expansion of the hermetic package body is 14 × 1 which is the coefficient of thermal expansion of a quartz oscillator or the like.
Since the temperature is very close to 0-6 / ° C., the airtight package and the crystal may be heated by sealing the cap 8 or by soldering the airtight package to a printed circuit board or under ambient temperature conditions. The stress generated in the electronic element due to the difference in the coefficient of thermal expansion from the electronic element such as the vibrator is extremely small. Therefore, the electrical characteristics such as the frequency characteristic of the electronic element such as the crystal vibrator fluctuate due to this stress. There is an advantage that there is no. When the adhesive layer 8c is made of solder, it is necessary to form a metal frame or a metal layer which is easily wetted with solder on the upper surface of the insulating frame 7.

【0016】図3は、本発明の第2実施例の表面実装型
気密パッケージBのキャップを除去した平面図で、図4
は図3のB−B線に沿う縦断面図である。図において、
11はガラス中にセラミック微粒子を混入したガラスセ
ラミック等からなる矩形状の絶縁基板(以下、単に基板
という)で、長軸方向の両端に半円弧状の切欠部12、
13を有する。14は基板11の周辺部に沿って設けた
例えば0.2mm程度中央部よりも高い段差部で、図1
の第1実施例におけるいわゆる“枕”の役目を果たすも
のである。15、16は前記段差部14の上面、基板1
1の端面および底面に形成されたAg−Pd等よりなる
電極で、一方の電極15は一方の切欠部12を通って基
板11の裏面にまで延在して形成され、他方の電極16
は基板11の周辺部に形成された段差部14上を迂回し
かつ他方の切欠部13を通って基板11の裏面にまで延
在して形成されている。17は基板11と同様のガラス
セラミック等よりなる絶縁枠体で、電極15、16を形
成した基板11に重ね合わされ、焼結されて一体となっ
ている。露出している電極15、16は、Niめっきお
よびAuめっき等が施されて、水晶振動子等の電子素子
のはんだ付け性を向上させている。上記基板11ないし
絶縁枠体17で気密パッケージ本体を形成している。前
記基板11ないし絶縁枠体17で形成されるパッケージ
本体には、水晶振動子,水晶発振子およびSAWデバイ
ス等の電子素子(図示省略)が導電性接着材等で接続固
着される。18はパッケージ本体に電子素子を収納した
のち、パッケージ本体の開口部を封止するキャップで、
接着材で気密に固着封止されている。キャップ18の構
成は図1のキャップ8と同様であるため、構成および効
果の説明は省略する。この実施例は、図1の実施例に比
較して、基板11と一体の段差部14を設け、その上に
薄い電極15,16を形成すると共に、電極4、5と同
一材料で形成された支持部6に代えて、前記段差部14
を利用するようにしたので、高価なAg−Pd等の電極
材料の使用量が節減でき、原価低減が図れる利点があ
る。
FIG. 3 is a plan view of a surface-mounted hermetic package B according to a second embodiment of the present invention, from which a cap is removed.
FIG. 4 is a vertical sectional view taken along line BB in FIG. 3. In the figure,
Reference numeral 11 denotes a rectangular insulating substrate (hereinafter, simply referred to as a substrate) made of glass ceramic or the like in which ceramic fine particles are mixed into glass.
13. Reference numeral 14 denotes a step portion provided along the peripheral portion of the substrate 11 and having a height of, for example, about 0.2 mm higher than the central portion.
This serves as a so-called "pillow" in the first embodiment. Reference numerals 15 and 16 denote the upper surface of the step portion 14 and the substrate 1
The first electrode 15 is formed to extend to the back surface of the substrate 11 through one notch 12 and the other electrode 16.
Is formed so as to bypass the step portion 14 formed in the peripheral portion of the substrate 11 and extend to the back surface of the substrate 11 through the other cutout portion 13. Reference numeral 17 denotes an insulating frame made of the same glass ceramic or the like as the substrate 11, which is superposed on the substrate 11 on which the electrodes 15 and 16 are formed, sintered and integrated. The exposed electrodes 15 and 16 are plated with Ni, Au, or the like to improve the solderability of an electronic element such as a quartz oscillator. The substrate 11 or the insulating frame 17 forms an airtight package body. Electronic elements (not shown) such as a quartz oscillator, a quartz oscillator, and a SAW device are connected and fixed to the package body formed by the substrate 11 or the insulating frame 17 with a conductive adhesive or the like. Reference numeral 18 denotes a cap that seals the opening of the package body after the electronic element is stored in the package body.
Sealed and sealed airtight with an adhesive. Since the configuration of the cap 18 is the same as that of the cap 8 of FIG. 1, the description of the configuration and effects will be omitted. This embodiment is different from the embodiment of FIG. 1 in that a step portion 14 integral with the substrate 11 is provided, thin electrodes 15 and 16 are formed thereon, and the electrodes 4 and 5 are formed of the same material. Instead of the support portion 6, the step portion 14
Is used, there is an advantage that the amount of use of expensive electrode material such as Ag-Pd can be reduced and cost can be reduced.

【0017】図5は、本発明の第3実施例の表面実装型
気密パッケージCのキャップを除去した平面図で、図6
は図5のC−C線に沿う縦断面図である。図において、
21はガラス中にセラミック微粒子を混入したガラスセ
ラミック等からなる矩形状の絶縁基板(以下、単に基板
という)で、4隅に半円弧状の切欠部22,23,2
4,25を有する。26,27は基板21の電極形成部
分にまた28は支持部形成部分に設けた例えば高さが
0.2mm程度の凸部で、特に28はいわゆる“枕”の
役目を果たすものである。29、30は前記凸部26な
いし28の上面、基板21の端面および底面に形成され
たAg−Pd等よりなる電極で、一方の電極29は一方
の切欠部22を通って基板21の裏面にまで延在して形
成され、他方の電極30は基板21の周辺部を迂回しか
つ前記切欠部22の対角に位置する切欠部24を通って
基板21の裏面にまで延在して形成されている。31は
前記凸部28の上に形成されたAg−Pd等よりなる導
電層で、凸部28と相まって支持部を形成している。3
2は基板21と同様のガラスセラミック等よりなる絶縁
枠体で、電極29、30および導電層31を形成した基
板21に重ね合わされ、焼結されて一体となっている。
露出している電極29、30および導電層31は、Ni
めっきおよびAuめっき等が施されて、水晶振動子等の
電子素子のはんだ付け性を向上させている。上記基板2
1ないし絶縁枠体32で気密パッケージ本体を形成して
いる。前記基板21ないし絶縁枠体32で形成されるパ
ッケージ本体には、水晶振動子,水晶発振子およびSA
Wデバイス等の電子素子(図示省略)が導電性接着材等
で接続固着される。33はパッケージ本体に電子素子を
収納したのち、パッケージ本体の開口部を封止するキャ
ップで、接着材で気密に固着封止されている。キャップ
33の構成は図1のキャップ8と同様であるため、構成
および効果の説明は省略する。この実施例は、図1の実
施例に比較して、Ag−Pd等の電極材料で形成された
所定の厚さの電極4、5および支持部6に代えて、基板
21と一体の凸部26,27,28を設けその上に薄い
電極29,30および導電層31を形成したので、高価
なAg−Pd等の電極材料の使用量が節減でき、原価低
減が図れる利点がある。なお、この実施例は、切欠部2
3,25に対応する基板21裏面の隅部にも電極材料で
固着用の金属層を形成することができる。
FIG. 5 is a plan view of a surface-mounted hermetic package C according to a third embodiment of the present invention, from which a cap is removed.
FIG. 6 is a vertical sectional view taken along line CC of FIG. 5. In the figure,
Reference numeral 21 denotes a rectangular insulating substrate (hereinafter, simply referred to as a substrate) made of glass ceramic or the like in which ceramic fine particles are mixed in glass, and semicircular notch portions 22, 23, 2 at four corners.
4, 25. Reference numerals 26 and 27 denote projections having a height of, for example, about 0.2 mm provided on the electrode forming portion of the substrate 21 and reference numeral 28 provided on the supporting portion forming portion. In particular, 28 serves as a so-called "pillow". Reference numerals 29 and 30 denote electrodes formed of Ag-Pd or the like formed on the upper surface of the projections 26 to 28, the end surface and the bottom surface of the substrate 21, and one electrode 29 passes through one notch 22 and The other electrode 30 extends around the periphery of the substrate 21 and extends to the back surface of the substrate 21 through the notch 24 located at the diagonal of the notch 22. ing. Reference numeral 31 denotes a conductive layer formed of Ag-Pd or the like formed on the convex portion 28, and forms a supporting portion in combination with the convex portion 28. 3
Reference numeral 2 denotes an insulating frame made of the same glass ceramic or the like as the substrate 21, which is superposed on the substrate 21 on which the electrodes 29, 30 and the conductive layer 31 are formed, sintered and integrated.
The exposed electrodes 29 and 30 and the conductive layer 31 are made of Ni
Plating, Au plating, and the like are performed to improve the solderability of electronic elements such as a quartz oscillator. Substrate 2
The hermetic package body is formed by the 1 to the insulating frame 32. The package body formed by the substrate 21 or the insulating frame 32 includes a quartz oscillator, a quartz oscillator, and an SA.
An electronic element (not shown) such as a W device is connected and fixed with a conductive adhesive or the like. Reference numeral 33 denotes a cap for sealing the opening of the package body after the electronic element is housed in the package body, and is hermetically fixed and sealed with an adhesive. Since the configuration of the cap 33 is the same as that of the cap 8 in FIG. 1, the description of the configuration and the effects is omitted. This embodiment is different from the embodiment of FIG. 1 in that, instead of the electrodes 4 and 5 and the support portion 6 having a predetermined thickness formed of an electrode material such as Ag-Pd, a convex portion integrated with the substrate 21 is provided. Since the thin electrodes 29, 30 and the conductive layer 31 are formed on the electrodes 26, 27, and 28, the use of expensive electrode materials such as Ag-Pd can be reduced, and the cost can be reduced. In this embodiment, the notch 2
A metal layer for fixing can also be formed with an electrode material at the corners on the back surface of the substrate 21 corresponding to the substrates 3 and 25.

【0018】図7は、本発明の第4実施例の表面実装型
気密パッケージDのキャップを除去した平面図で、図8
は図7のD−D線に沿う縦断面図である。図において、
41はガラス中にセラミック微粒子を混入したガラスセ
ラミック等からなる矩形状の絶縁基板(以下、単に基板
という)で、長軸方向の中心から若干離隔した位置に半
円弧状の切欠部42、43,44,45を有する。4
6,47および48,49は基板41の上面の電極形成
位置および支持部形成位置に基板41と一体に形成され
た例えば高さ0.2mm程度の凸部で、特に凸部48,
49は図1の第1実施例におけるいわゆる“枕”の役目
を果たすものである。50、51は前記凸部46,47
の上面、基板41の端面および底面に形成されたAg−
Pd等よりなる電極で、一方の電極50は一方の切欠部
42を通って基板41の裏面にまで延在して形成され、
他方の電極51は基板41の周辺部を迂回しかつ前記切
欠部42と対角に位置する切欠部44を通って基板41
の裏面にまで延在して形成されている。52,53は前
記凸部48,49の上にAg−Pd等で形成された金属
層で、凸部48,49と協同して支持部として機能する
ものである。54は基板41と同様のガラスセラミック
等よりなる絶縁枠体で、電極50、51および金属層5
2,53を形成した基板41に重ね合わされ、焼結され
て一体となっている。露出している電極50、51およ
び金属層52,53は、NiめっきおよびAuめっき等
が施されて、水晶振動子等の電子素子のはんだ付け性を
向上させている。上記基板41ないし絶縁枠体54で気
密パッケージ本体を形成している。前記基板41ないし
絶縁枠体54で形成されるパッケージ本体には、水晶振
動子,水晶発振子およびSAWデバイス等の電子素子
(図示省略)が導電性接着材等で接続固着される。55
はパッケージ本体に電子素子を収納したのち、パッケー
ジ本体の開口部を封止するキャップで、接着材で気密に
固着封止されている。キャップ55の構成は図1のキャ
ップ8と同様であるため、構成および効果の説明は省略
する。この実施例は、図1の実施例に示した所定の高さ
の電極4、5および支持部6全体をAg−Pd等の電極
材料で形成するものに比較して、基板41と一体の凸部
46,47および48,49と薄い電極50,51およ
び金属層52,53を設けたので、高価なAg−Pd等
の電極材料の使用量が節減でき、原価低減が図れる利点
がある。なお、この実施例は、切欠部43,45に対応
する基板41裏面にも電極材料で固着用の金属層を形成
することができる。
FIG. 7 is a plan view of a surface-mounted hermetic package D according to a fourth embodiment of the present invention, from which a cap is removed.
FIG. 8 is a longitudinal sectional view taken along line DD of FIG. 7. In the figure,
Reference numeral 41 denotes a rectangular insulating substrate (hereinafter, simply referred to as a substrate) made of glass ceramic or the like in which ceramic fine particles are mixed into glass, and semicircular arc-shaped cutouts 42, 43, 43 are provided at positions slightly apart from the center in the long axis direction. 44 and 45. 4
Reference numerals 6, 47 and 48, 49 denote convex portions having a height of, for example, about 0.2 mm, which are formed integrally with the substrate 41 at the electrode forming position and the supporting portion forming position on the upper surface of the substrate 41.
49 serves as a so-called "pillow" in the first embodiment of FIG. 50, 51 are the convex portions 46, 47
Formed on the top surface, the end surface and the bottom surface of the substrate 41.
An electrode made of Pd or the like, one electrode 50 is formed to extend to the back surface of the substrate 41 through one notch 42,
The other electrode 51 bypasses the peripheral portion of the substrate 41 and passes through the notch 44 located diagonally to the notch 42 to pass through the substrate 41.
Is formed so as to extend to the back surface. Reference numerals 52 and 53 denote metal layers formed of Ag-Pd or the like on the convex portions 48 and 49, and function as supporting portions in cooperation with the convex portions 48 and 49. Reference numeral 54 denotes an insulating frame made of glass ceramic or the like similar to the substrate 41, and the electrodes 50 and 51 and the metal layer 5
The substrates 2 and 53 are superposed on the substrate 41 and sintered and integrated. The exposed electrodes 50 and 51 and the metal layers 52 and 53 are subjected to Ni plating, Au plating or the like to improve the solderability of an electronic element such as a quartz oscillator. The substrate 41 or the insulating frame 54 forms an airtight package body. Electronic elements (not shown) such as a quartz oscillator, a quartz oscillator, and a SAW device are connected and fixed to the package body formed by the substrate 41 or the insulating frame 54 with a conductive adhesive or the like. 55
Is a cap that seals the opening of the package body after the electronic element is stored in the package body, and is hermetically fixed and sealed with an adhesive. Since the configuration of the cap 55 is the same as that of the cap 8 in FIG. 1, the description of the configuration and the effects will be omitted. This embodiment is different from the embodiment shown in FIG. 1 in which the electrodes 4 and 5 and the supporting portion 6 having a predetermined height are entirely formed of an electrode material such as Ag-Pd. Since the parts 46, 47 and 48, 49, the thin electrodes 50, 51 and the metal layers 52, 53 are provided, the amount of expensive electrode material such as Ag-Pd can be reduced and the cost can be reduced. In this embodiment, a metal layer for fixing can be formed with an electrode material also on the back surface of the substrate 41 corresponding to the notches 43 and 45.

【0019】上記実施例は、基板および絶縁枠体を、い
ずれもガラス中にセラミックの微粒子を混入させて熱膨
張係数が12×10-6/℃程度であるガラスセラミック
製とした場合について説明したが、キャップの封止時や
気密パツケージのプリント基板等への固着時に、樹脂接
着材や導電樹脂等を用いて加熱を伴わない場合は、アル
ミナセラミック等のセラミック製のものでもよい。
In the above embodiment, both the substrate and the insulating frame were made of glass ceramic having a thermal expansion coefficient of about 12 × 10 −6 / ° C. by mixing ceramic fine particles in glass. However, when heating is not performed using a resin adhesive or a conductive resin at the time of sealing the cap or fixing the airtight package to a printed circuit board or the like, a ceramic material such as alumina ceramic may be used.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の気密パッ
ケージ用キャップは、樹脂ベース材と金属層と接着材層
とを具備するので、金属層を薄くしても樹脂ベース材が
補強して金属層の見掛け上の機械的強度を増大させるの
で、従来のセラミック製や金属製のキャップよりも薄型
化できるという効果を奏する。また、本発明の気密パッ
ケージは、樹脂ベース材と金属層と接着材層とを具備す
るキャップを用いてパツケージ本体の開口部を封止する
ので、全体として従来のセラミック製キャップや金属製
キャップを用いる気密パッケージよりも薄型化できると
いう効果を奏する。
As described above, the airtight package cap of the present invention includes the resin base material, the metal layer, and the adhesive layer, so that the resin base material is reinforced even if the metal layer is thinned. Since the apparent mechanical strength of the metal layer is increased, there is an effect that the thickness can be reduced as compared with a conventional ceramic or metal cap. In addition, the hermetic package of the present invention uses a cap including a resin base material, a metal layer, and an adhesive layer to seal the opening of the package body, so that a conventional ceramic cap or metal cap can be used as a whole. This has the effect of being thinner than the hermetic package used.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1実施例の気密パッケージAのキ
ャップを除去した平面図
FIG. 1 is a plan view of an airtight package A according to a first embodiment of the present invention with a cap removed.

【図2】 図1のA−A線に沿う縦断面図FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along the line AA of FIG. 1;

【図3】 本発明の第2実施例の気密パッケージBのキ
ャップを除去した平面図
FIG. 3 is a plan view of a hermetic package B according to a second embodiment of the present invention, from which a cap is removed.

【図4】 図3のB−B線に沿う縦断面図FIG. 4 is a longitudinal sectional view taken along line BB of FIG. 3;

【図5】 本発明の第3実施例の気密パッケージCのキ
ャップを除去した平面図
FIG. 5 is a plan view of a hermetic package C according to a third embodiment of the present invention, from which a cap is removed.

【図6】 図5のC−C線に沿う縦断面図FIG. 6 is a longitudinal sectional view taken along the line CC of FIG. 5;

【図7】 本発明の第4実施例の気密パッケージDのキ
ャップを除去した平面図
FIG. 7 is a plan view of a hermetic package D according to a fourth embodiment of the present invention with a cap removed.

【図8】 図7のD−D線に沿う縦断面図8 is a longitudinal sectional view taken along line DD of FIG. 7;

【図9】 従来の気密パッケージのキャップを除去した
平面図
FIG. 9 is a plan view of a conventional hermetic package with a cap removed.

【図10】 図9のE−E線に沿う縦断面図10 is a longitudinal sectional view taken along the line EE in FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11,21,41 絶縁基板 4、5,15,16,29,30,50,51 電極 6 支持部 7、17,32,54 絶縁枠体 8,18,33,55 キャップ 8a 樹脂ベース材 8b 金属層 8c 接着材層 14 段差部 26、27,28,46,47,48,49 凸部 1,11,21,41 Insulating substrate 4,5,15,16,29,30,50,51 Electrode 6 Supporting part 7,17,32,54 Insulating frame 8,18,33,55 Cap 8a Resin base material 8b Metal layer 8c Adhesive layer 14 Step 26, 27, 28, 46, 47, 48, 49 Convex

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電子素子を気密に封入する気密パッケージ
用のキャップであって、樹脂ベース材と金属層と接着材
層とを有することを特徴とする気密パッケージ用キャッ
プ。
An airtight package cap for hermetically enclosing an electronic element, comprising a resin base material, a metal layer and an adhesive layer.
【請求項2】電子素子を気密に封入する気密パッケージ
用のキャップであって、厚さが0.04mm以下の樹脂
ベース材と厚さが0.06mm以下の金属層と接着材層
とを有することを特徴とする気密パッケージ用キャッ
プ。
2. A cap for an airtight package for hermetically enclosing an electronic element, comprising a resin base material having a thickness of 0.04 mm or less, a metal layer having a thickness of 0.06 mm or less, and an adhesive layer. A cap for an airtight package, characterized in that:
【請求項3】電子素子を気密に封入する気密パッケージ
用のキャップであって、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂
およびガラスエポキシ材の中から選択された厚さが0.
04mm以下の樹脂ベース材と、銅箔,銅めっき薄膜,
ニツケル箔およびニツケルめっき薄膜の中から選択され
た厚さが0.06mm以下の金属層と、はんだ,低融点
ガラスおよび樹脂接着材の中から選択された接着材層と
を有することを特徴とする気密パッケージ用キャップ。
3. A cap for an airtight package for hermetically enclosing an electronic element, wherein a thickness selected from an epoxy resin, a polyimide resin, and a glass epoxy material is 0.1 mm.
04mm or less resin base material, copper foil, copper plating thin film,
It has a metal layer having a thickness of 0.06 mm or less selected from a nickel foil and a nickel plating thin film, and an adhesive layer selected from a solder, a low-melting glass and a resin adhesive. Cap for airtight package.
【請求項4】電子素子を気密に封入する気密パッケージ
であって、樹脂ベース材と金属層と接着材層とよりなる
キャップを、前記接着材層でパッケージ本体に封止して
いることを特徴とする気密パッケージ。
4. An airtight package for hermetically enclosing an electronic element, wherein a cap comprising a resin base material, a metal layer and an adhesive layer is sealed in the package body with the adhesive layer. And airtight package.
【請求項5】電子素子を気密に封入する気密パッケージ
であって、厚さが0.04mm以下の樹脂ベース材と厚
さが0.06mm以下の金属層と接着材層とよりなるキ
ャップをベース本体に封止していることを特徴とする気
密パッケージ。
5. An airtight package for hermetically enclosing an electronic element, comprising a resin base material having a thickness of 0.04 mm or less, a cap comprising a metal layer having a thickness of 0.06 mm or less, and an adhesive layer. An airtight package characterized by being sealed in the main body.
【請求項6】水晶デバイス等の電子素子を気密に封入す
る気密パッケージであって、エポキシ樹脂,ポリイミド
樹脂およびガラスエポキシ材の中から選択された厚さが
0.04mm以下の樹脂ベース材と、銅箔,銅めっき薄
膜,ニツケル箔およびニツケルめっき薄膜の中から選択
された厚さが0.06mm以下の金属層と、はんだ,低
融点ガラスおよび樹脂接着材の中から選択された接着材
層とを具備するキャップを、前記接着材層によりパッケ
ージ本体に封止していることを特徴とする気密パッケー
ジ。
6. An airtight package for hermetically enclosing an electronic element such as a crystal device, wherein the resin base material has a thickness of 0.04 mm or less selected from an epoxy resin, a polyimide resin and a glass epoxy material. A metal layer having a thickness of 0.06 mm or less selected from a copper foil, a copper plating thin film, a nickel foil and a nickel plating thin film, and an adhesive layer selected from a solder, a low melting point glass and a resin adhesive. A hermetic package characterized in that a cap comprising: is sealed in a package body by the adhesive layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003017364A1 (en) * 2001-08-17 2003-02-27 Citizen Watch Co., Ltd. Electronic device and production method therefor
JP2008252065A (en) * 2007-03-02 2008-10-16 Murata Mfg Co Ltd Electronic component and manufacturing method therefor

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