JP2000156271A - Ic socket - Google Patents

Ic socket

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JP2000156271A
JP2000156271A JP10346610A JP34661098A JP2000156271A JP 2000156271 A JP2000156271 A JP 2000156271A JP 10346610 A JP10346610 A JP 10346610A JP 34661098 A JP34661098 A JP 34661098A JP 2000156271 A JP2000156271 A JP 2000156271A
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JP
Japan
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insulating resin
resin film
bump
support board
hole
Prior art date
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Pending
Application number
JP10346610A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoyoshi Yamaguchi
智義 山口
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Enplas Corp
Original Assignee
Enplas Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an IC socket capable of executing the accurate electrical test for a long period under a temperature of 150 deg.C. SOLUTION: In an IC socket 1, a positioning film 4, an insulating resin film 3 and a pressure jig 5 are sequentially stacked, positioned and fixed on a supporting board 2. The insulating resin film 3 comprises a circuit pattern on which a plurality of conductive contact pads are formed corresponding to a plurality of bumps 21 of an IC 10, and which electrically connects the contact pads with an external electrical test circuit, and is made of a material capable of elastically deforming at a temperature of 150 deg.C for a long period. The supporting board 2 comprises the openings 22 for receiving the bumps 21 on the places corresponding to the bumps 21 (contact pads). When the IC 10 is pressed to the pressure jig 5, the insulating resin film 3 is elastically deformed in the openings 22 by the bumps 21, so that the contact pressure is generated on the contact parts of the bumps 21 and the contact pads.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、バンプを備えた
ICのバーンインテスト等を行うために使用されるIC
ソケットに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC used for performing a burn-in test or the like of an IC having bumps.
Regarding sockets.

【0002】[0002]

【従来の技術】本件出願人は、図25〜図26に示すよ
うなICソケット100を既に案出し、出願している
(特願平10−62228号参照)。このICソケット
100は、IC101のバンプ(半田ボール)102に
対応する回路パターン(図示せず)が形成された絶縁性
樹脂フィルム103と、この絶縁性樹脂フィルム103
を支持する絶縁性の樹脂製支持ボード104と、上端が
前記回路パターンに接続され、下端が図外の電気的テス
ト回路に接続されるターミナルピンユニット105とを
備えている。そして、IC101が載置される絶縁性樹
脂フィルム103の背面には、シリコンゴムプレート1
06が配置されている。又、支持ボード104の上面に
は、押圧部材107がソケット本体108を介して開閉
できるように取り付けられている。
2. Description of the Related Art The present applicant has already devised and applied for an IC socket 100 as shown in FIGS. 25 and 26 (see Japanese Patent Application No. 10-62228). The IC socket 100 includes an insulating resin film 103 on which a circuit pattern (not shown) corresponding to the bump (solder ball) 102 of the IC 101 is formed, and the insulating resin film 103.
And a terminal pin unit 105 having an upper end connected to the circuit pattern and a lower end connected to an electric test circuit (not shown). A silicon rubber plate 1 is provided on the back surface of the insulating resin film 103 on which the IC 101 is mounted.
06 is arranged. A pressing member 107 is mounted on the upper surface of the support board 104 so as to be opened and closed via a socket body 108.

【0003】上記のようなICソケット100は、IC
101が押圧部材107により下方へ押圧されると、I
C101のバンプ102がシリコンゴムプレート106
を弾性変形(凹ませる)させるため、シリコンゴムプレ
ート106の弾性復元力でIC101のバンプ102と
回路パターンとを所望の接触圧で接触させることができ
るようになっている。そして、このICソケット100
は、ターミナルピンユニット105及び回路パターンを
介してIC101と図外の外部電気的テスト回路とを電
気的に接続し、正確なバーンインテスト等を行うことが
できるようになっている。
[0003] The IC socket 100 as described above is an IC socket.
When the pressing member 101 is pressed downward by the pressing member 107, I
The bump 102 of C101 is a silicon rubber plate 106
In order to elastically deform (depress) the bumps 102, the bumps 102 of the IC 101 and the circuit pattern can be brought into contact with a desired contact pressure by the elastic restoring force of the silicon rubber plate 106. And this IC socket 100
Is configured to electrically connect the IC 101 to an external electrical test circuit (not shown) via the terminal pin unit 105 and the circuit pattern, and to perform an accurate burn-in test or the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記I
Cソケット100は、約150℃の温度環境下でバーン
インテスト等が繰り返し行われると、シリコンゴムプレ
ート106の弾性復元力が低下して、バンプ102と回
路パターンの接触安定性が低下する虞がある。そのた
め、より一層耐久性に優れたICソケット100の提供
が望まれていた。
However, the above I
When the burn-in test or the like is repeatedly performed under a temperature environment of about 150 ° C., the elastic restoring force of the silicon rubber plate 106 of the C socket 100 is reduced, and the contact stability between the bump 102 and the circuit pattern may be reduced. . Therefore, it has been desired to provide an IC socket 100 having even more excellent durability.

【0005】本発明は、このような市場の要望に応える
ために案出されたものであり、従来のICソケット以上
に繰り返し使用しても、バンプと回路パターンの接触安
定性を良好に維持することができる耐久性に優れたIC
ソケットを提供することを目的とする。
The present invention has been devised in order to meet such a demand in the market, and maintains good contact stability between the bump and the circuit pattern even when it is repeatedly used more than the conventional IC socket. Durable IC that can
The purpose is to provide a socket.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、IC
の複数のバンプに対応するように導電性の接触パッドが
複数形成されると共に、該接触パッドと外部電気的テス
ト回路とを電気的に接続する回路パターンが形成された
弾性変形可能な絶縁性樹脂フィルムと、該絶縁性樹脂フ
ィルムの前記接触パッドが形成された面と反対の面を支
持する支持ボードと、該支持ボードに取り付けられ、前
記ICを前記絶縁性樹脂フィルムに対して位置決めする
位置決め手段と、前記支持ボードに取り付けられ、前記
絶縁性樹脂フィルムの接触パッドにICのバンプを押圧
するIC押圧手段と、を備えている。そして、前記支持
ボードの前記接触パッドに対応する部位には、前記IC
のバンプを受容する穴が形成されたことを特徴としてい
る。
According to a first aspect of the present invention, an integrated circuit (IC) is provided.
A plurality of conductive contact pads are formed to correspond to the plurality of bumps, and an elastically deformable insulating resin formed with a circuit pattern for electrically connecting the contact pads and an external electrical test circuit. A film, a support board for supporting a surface of the insulating resin film opposite to the surface on which the contact pads are formed, and positioning means attached to the support board for positioning the IC with respect to the insulating resin film. And IC pressing means attached to the support board and pressing an IC bump against a contact pad of the insulating resin film. Then, at a portion of the support board corresponding to the contact pad, the IC
A hole for receiving the bump is formed.

【0007】このような構成の本発明によれば、ICが
位置決め手段によって所定位置に位置決めされると、I
Cのバンプが確実に絶縁性樹脂フィルムの接触パッド上
に載置される。この状態において、ICがIC押圧手段
により押圧されると、ICのバンプが絶縁性樹脂フィル
ムを弾性変形させて支持ボードの穴内に凹ませる。この
際、絶縁性樹脂フィルムの弾性力がバンプと接触パッド
の接触部に作用し、バンプと接触パッドが所望の接触圧
で接触する。そして、ICに作用しているIC押圧手段
の押圧力を解除すると、絶縁性樹脂フィルムが弾性復元
して元の状態に戻る。この一連の作業が繰り返し行われ
ても、絶縁性樹脂フィルムは、従来例のシリコンゴムプ
レートに比較して耐久性が優れているので、長期間正確
なICの電気的テストを行うことを可能にする。ここ
で、回路パターンは、絶縁性樹脂フィルムの上面側又は
下面側或いは上面側と下面側の両側に形成される場合が
考えられる。
According to the present invention having such a structure, when the IC is positioned at a predetermined position by the positioning means, the I / O is controlled.
The bump C is securely mounted on the contact pad of the insulating resin film. In this state, when the IC is pressed by the IC pressing means, the bumps of the IC cause the insulating resin film to elastically deform so as to be recessed in the hole of the support board. At this time, the elastic force of the insulating resin film acts on the contact portion between the bump and the contact pad, and the bump and the contact pad come into contact with a desired contact pressure. When the pressing force of the IC pressing means acting on the IC is released, the insulating resin film is elastically restored and returns to the original state. Even if this series of operations are repeated, the insulating resin film has superior durability compared to the conventional silicon rubber plate, so that it is possible to perform an accurate IC electrical test for a long time. I do. Here, the circuit pattern may be formed on the upper surface side or the lower surface side of the insulating resin film, or on both sides of the upper surface side and the lower surface side.

【0008】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、前記複数の接触パッドに対応して複数形成された前
記穴のうちの一部が他部と異なる大きさに形成されたこ
とを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a part of the plurality of holes formed corresponding to the plurality of contact pads is formed to have a size different from other portions. Features.

【0009】このような構成の本発明によれば、支持ボ
ードに形成された複数の穴のうちの一部の穴の大きさを
他部の穴の大きさと異なる大きさにすると、絶縁性樹脂
フィルムの弾性変形力が一部の穴の部分と他部の穴の部
分とで異なることになる。したがって、本発明によれ
ば、バンプと接触パッドの接触圧を適宜調整することが
可能になる。
According to the present invention having such a configuration, when the size of some of the plurality of holes formed in the support board is made different from the size of the other holes, the insulating resin The elastic deformation force of the film is different between some holes and other holes. Therefore, according to the present invention, it is possible to appropriately adjust the contact pressure between the bump and the contact pad.

【0010】請求項3の発明は、請求項1の発明におい
て、前記絶縁性樹脂フィルムを支持する支持突起が前記
支持ボードの前記穴の端縁に沿って環状に形成されたこ
とを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the support protrusion for supporting the insulating resin film is formed in an annular shape along the edge of the hole of the support board. .

【0011】このような構成の本発明によれば、絶縁性
樹脂フィルムが環状の支持突起で支持されるため、IC
がIC押圧手段によって押圧されると、絶縁性樹脂フィ
ルムが支持突起の内側に弾性変形して凹み、バンプが支
持突起の内側及び支持ボードの穴に受容される。そし
て、バンプと接触パッドの接触部に絶縁性樹脂フィルム
の弾性変形に起因する圧力が生じる。ここで、環状の支
持突起の大きさ(直径)を適宜変更することにより、絶
縁性樹脂フィルムの弾性変形力(バネ力)を適宜調整す
ることができる。
According to the present invention having such a configuration, since the insulating resin film is supported by the annular support projections,
Is pressed by the IC pressing means, the insulating resin film is elastically deformed and recessed inside the support protrusion, and the bump is received inside the support protrusion and the hole of the support board. Then, a pressure is generated at the contact portion between the bump and the contact pad due to the elastic deformation of the insulating resin film. Here, the elastic deformation force (spring force) of the insulating resin film can be appropriately adjusted by appropriately changing the size (diameter) of the annular support protrusion.

【0012】請求項4の発明は、請求項3の発明におい
て、前記支持突起が部分的に切り欠かれたことを特徴と
している。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the support projection is partially cut away.

【0013】このような構成の本発明によれば、支持突
起の切り欠き量を適宜変更することにより、絶縁性樹脂
フィルムの弾性変形力を変化させることができる。即
ち、支持突起の切り欠き量を変えることにより、バンプ
と接触パッドの接触圧を調整することができる。
According to the present invention having such a configuration, the elastic deformation force of the insulating resin film can be changed by appropriately changing the notch amount of the support projection. That is, the contact pressure between the bump and the contact pad can be adjusted by changing the notch amount of the support protrusion.

【0014】請求項5の発明は、請求項1の発明におい
て、前記支持ボードの前記穴の端縁が面取りされたこと
を特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the edge of the hole of the support board is chamfered.

【0015】このような構成の本発明によれば、絶縁性
樹脂フィルムがICのバンプで押圧された際に、面取り
形状により絶縁性樹脂フィルムの経時的変形量が変化す
る。即ち、バンプと接触パッドの接触圧の増加率を適宜
調整することが可能になる。又、本発明によれば、面取
り量の大きさを変えることにより、絶縁性樹脂フィルム
の弾性変形力を適宜調整することが可能になる。
According to the present invention having such a configuration, when the insulating resin film is pressed by the bumps of the IC, the amount of temporal deformation of the insulating resin film changes depending on the chamfered shape. That is, it is possible to appropriately adjust the rate of increase in the contact pressure between the bump and the contact pad. Further, according to the present invention, it is possible to appropriately adjust the elastic deformation force of the insulating resin film by changing the magnitude of the chamfer amount.

【0016】請求項6の発明は、請求項1の発明におい
て、前記穴が前記ICのバンプに対して偏芯するように
形成されたことを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the hole is formed so as to be eccentric with respect to the bump of the IC.

【0017】このような構成の本発明によれば、ICは
IC押圧手段によって押圧されると、絶縁性樹脂フィル
ムをバンプで偏芯した穴内に凹ませながら、バンプが偏
芯した穴の中心に向かって移動するように変位する。こ
れは、穴の中央位置において絶縁性樹脂フィルムの弾性
変形力が最も小さくなるからである。その結果、本発明
によれば、ICを位置決め手段の一面側へ押し付けて位
置決めすることが可能になり、ICの位置決め精度が向
上する。
According to the present invention having such a configuration, when the IC is pressed by the IC pressing means, the insulating resin film is depressed into the hole eccentric with the bump, and the IC is pressed into the center of the hole eccentric with the bump. Displaced to move toward. This is because the elastic deformation force of the insulating resin film is minimized at the center position of the hole. As a result, according to the present invention, the IC can be positioned by pressing the IC against one surface of the positioning means, and the positioning accuracy of the IC is improved.

【0018】請求項7の発明は、請求項1の発明におい
て、前記絶縁性樹脂フィルムの前記接触パッドの周囲に
張力調整穴が形成されたことを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a tension adjusting hole is formed around the contact pad of the insulating resin film.

【0019】このような構成の本発明によれば、張力調
整穴の大きさや形状を適宜変更することにより、絶縁性
樹脂フィルムの弾性変形力を調整することができ、バン
プと接触パッドの接触圧を適宜調整することが可能にな
る。
According to the present invention having such a configuration, the elastic deformation force of the insulating resin film can be adjusted by appropriately changing the size and shape of the tension adjusting hole, and the contact pressure between the bump and the contact pad can be adjusted. Can be appropriately adjusted.

【0020】請求項8の発明は、請求項1の発明におい
て、前記絶縁性樹脂フィルムの前記接触パッドには、前
記ICのバンプに係合する該バンプよりも小径のバンプ
受容穴が形成されたことを特徴としている。
According to an eighth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the contact pad of the insulating resin film has a bump receiving hole having a diameter smaller than that of the bump engaging with the bump of the IC. It is characterized by:

【0021】このような構成の本発明によれば、ICが
IC押圧手段によって押圧されると、バンプが接触パッ
ドのバンプ受容穴に係合した状態で絶縁性樹脂フィルム
を穴内に撓み変形させる。したがって、バンプと接触パ
ッドの接触部には絶縁性樹脂フィルムの弾性変形力に起
因する接触圧が生じる。又、ICは、バンプが接触部の
バンプ受容穴に係合することにより位置決めされる。更
に、バンプ受容穴の大きさを適宜変更することにより絶
縁性樹脂フィルムの弾性変形力を調整することが可能に
なる。
According to the present invention having such a configuration, when the IC is pressed by the IC pressing means, the insulating resin film is bent and deformed in the hole while the bump is engaged with the bump receiving hole of the contact pad. Therefore, a contact pressure is generated at the contact portion between the bump and the contact pad due to the elastic deformation force of the insulating resin film. Also, the IC is positioned by the bumps engaging the bump receiving holes in the contact portions. Further, the elastic deformation force of the insulating resin film can be adjusted by appropriately changing the size of the bump receiving hole.

【0022】請求項9の発明は、請求項1の発明におい
て、前記絶縁性樹脂フィルムの前記接触パッドには、前
記ICのバンプに係合するスリットが形成されたことを
特徴としている。
According to a ninth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the contact pad of the insulating resin film is formed with a slit for engaging with the bump of the IC.

【0023】このような構成の本発明によれば、スリッ
トの形状を変えることにより、絶縁性樹脂フィルムの弾
性変形力を調整することが可能になる。このような発明
においては、バンプは、スリットの端縁と線接触する。
According to the present invention having such a configuration, it is possible to adjust the elastic deformation force of the insulating resin film by changing the shape of the slit. In such an invention, the bump makes line contact with the edge of the slit.

【0024】請求項10の発明は、請求項1の発明にお
いて、前記絶縁性樹脂フィルムのうちで前記複数の接触
パッドが形成される範囲の一部の膜厚が他部の膜厚より
も厚く形成されたことを特徴としている。
According to a tenth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a part of the insulating resin film in a region where the plurality of contact pads are formed is thicker than another part. It is characterized by being formed.

【0025】このような構成の本発明によれば、絶縁性
樹脂フィルムは、膜厚が厚い部分の弾性変形力が他部よ
りも大きくなる。即ち、絶縁性樹脂フィルムの膜厚を変
えることにより、バンプと接触パッドの接触圧を調整す
ることが可能になる。
According to the present invention having such a configuration, the insulating resin film has a larger elastic deformation force in a thick portion than in other portions. That is, by changing the thickness of the insulating resin film, the contact pressure between the bump and the contact pad can be adjusted.

【0026】請求項11の発明は、請求項1の発明にお
いて、前記支持ボードが、前記絶縁性樹脂フィルムを支
持すると共に前記位置決め手段及び前記IC押圧手段が
取り付けられる第1の支持ボードと、該第1の支持ボー
ドにバネを介して弾性的に支持され、前記ICのバンプ
を受容する穴が形成された第2の支持ボードと、を備え
たことを特徴としている。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the first support board supports the insulating resin film and has the positioning means and the IC pressing means attached thereto. A second support board elastically supported by a first support board via a spring and having a hole for receiving the bump of the IC.

【0027】このような構成の本発明によれば、IC押
圧手段の押圧力にバネの弾性変形力及び絶縁性樹脂フィ
ルムの弾性変形力で対抗する。したがって、本発明は、
絶縁性樹脂フィルムに作用する応力を低減することが可
能になる。
According to the present invention having such a configuration, the pressing force of the IC pressing means is opposed by the elastic deformation force of the spring and the elastic deformation force of the insulating resin film. Therefore, the present invention
It is possible to reduce the stress acting on the insulating resin film.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき詳述する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0029】[第1の実施の形態]図1〜図2に示すよ
うに、本実施の形態のICソケット1は、絶縁性樹脂材
料(例えば、ポリエーテルイミド)で板状に形成された
支持ボード2と、この支持ボード2上に重ね合わせられ
る絶縁性樹脂フィルム3と、この絶縁性樹脂フィルム3
上に重ね合わせられる位置決めフィルム4と、この位置
決めフィルム4上に重ね合わせられる押圧治具5と、を
備えている。尚、上記支持ボード2、絶縁性樹脂フィル
ム3、位置決めフィルム4及び押圧治具5は、ねじ6及
びナット7からなる締結手段8で一体的に締め付け固定
されている。
[First Embodiment] As shown in FIGS. 1 and 2, an IC socket 1 according to the present embodiment has a plate-like support made of an insulating resin material (for example, polyetherimide). A board 2, an insulating resin film 3 to be superimposed on the support board 2, and an insulating resin film 3
The positioning film 4 includes a positioning film 4 to be superimposed thereon and a pressing jig 5 to be superimposed on the positioning film 4. The support board 2, the insulating resin film 3, the positioning film 4 and the pressing jig 5 are integrally fastened and fixed by a fastening means 8 including a screw 6 and a nut 7.

【0030】絶縁性樹脂フィルム3は、図1,図6〜図
8に示すように、図1のIC10のバンプに対応するよ
うに複数の接触パッド11が上面3aに形成されると共
に、この接触パッド11から上面外縁側へ向かって延び
る回路パターン13が形成されている。そして、回路パ
ターン13の端部には、絶縁性樹脂フィルム3を貫通し
て下方へ延び、後述する支持ボード2のターミナルソケ
ット14に嵌合される導電性金属製のターミナルピン1
5が固定されている(図2参照)。尚、絶縁性樹脂材料
フィルム3は、耐熱性,耐久性及び弾性を有する樹脂材
料、例えばポリエーテルイミド,ポリエーテルスルホ
ン,ポリフェニレンスルフィド等で形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 6 to 8, the insulating resin film 3 has a plurality of contact pads 11 formed on the upper surface 3a corresponding to the bumps of the IC 10 of FIG. A circuit pattern 13 extending from the pad 11 toward the outer edge of the upper surface is formed. A terminal pin 1 made of conductive metal extends downward through the insulating resin film 3 and fits into a terminal socket 14 of the support board 2 described later at an end of the circuit pattern 13.
5 is fixed (see FIG. 2). The insulating resin material film 3 is formed of a resin material having heat resistance, durability and elasticity, for example, polyetherimide, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, or the like.

【0031】ここで、接触パッド11及び回路パターン
13は、絶縁性樹脂フィルム3の上面3aに銅で所定形
状に形成された後、その銅の上にニッケルメッキされ、
更にニッケルメッキの上に金,ロジウム又は半田等がメ
ッキされることにより形成される。又、図6に示すよう
に、絶縁性樹脂フィルム3の接触パッド11の外側に
は、ソケット本体16下面の位置決め突起17に係合す
る位置決め穴18が4箇所形成されている。更に、この
位置決め穴18の外側には、ねじ6の軸部を受容する穴
20が4箇所形成されている。尚、図6において、全て
の接触パッド11は、図8に示すように回路パターン1
3の一端が接続され、この回路パターン13を介して各
ターミナルピン15にそれぞれ接続されている。
Here, the contact pad 11 and the circuit pattern 13 are formed in a predetermined shape with copper on the upper surface 3a of the insulating resin film 3 and then nickel-plated on the copper.
Further, it is formed by plating gold, rhodium, solder or the like on nickel plating. As shown in FIG. 6, four positioning holes 18 are formed outside the contact pads 11 of the insulating resin film 3 so as to engage with the positioning projections 17 on the lower surface of the socket body 16. Further, four holes 20 for receiving the shaft of the screw 6 are formed outside the positioning holes 18. In FIG. 6, all the contact pads 11 have the circuit pattern 1 as shown in FIG.
3 is connected to each terminal pin 15 via the circuit pattern 13.

【0032】支持ボード2は、図1〜図5に示すよう
に、上記絶縁性樹脂フィルム3の接触パッド11(IC
10のバンプ21)に対応する位置に、IC10のバン
プ21を受容する貫通穴(穴)22が形成されている。
又、この支持ボード2は、上記絶縁性樹脂フィルム3の
ターミナルピン15に対応する位置に、上記ターミナル
ピン15を受容するターミナルソケット14が取り付け
られている。ここで、ターミナルソケット14は、導電
性金属で形成されており、上部のソケット部14aにタ
ーミナルピン15が嵌合され、支持ボード2の下方へ突
出するピン部14bが図示しない外部電気的テスト回路
の取付穴に嵌合させられるようになっている。
As shown in FIGS. 1 to 5, the support board 2 is provided with contact pads 11 (ICs) of the insulating resin film 3.
Through holes (holes) 22 for receiving the bumps 21 of the IC 10 are formed at positions corresponding to the ten bumps 21).
A terminal socket 14 for receiving the terminal pin 15 is attached to the support board 2 at a position corresponding to the terminal pin 15 of the insulating resin film 3. Here, the terminal socket 14 is formed of a conductive metal, a terminal pin 15 is fitted into the upper socket portion 14a, and a pin portion 14b protruding downward from the support board 2 has an external electrical test circuit (not shown). Are fitted in the mounting holes.

【0033】尚、支持ボード2は、図5に示すように、
上面2aが上記絶縁性樹脂フィルム3の裏面3b側を支
持し得るように平面状に形成されており(図7参照)、
この上面2aにソケット本体16下面の位置決め突起1
7に係合する位置決め穴23が4箇所形成されている。
又、位置決め穴23の外側には、ねじ6及びナット7を
受容する穴24,25が4箇所形成されている。
The support board 2 is, as shown in FIG.
The upper surface 2a is formed in a planar shape so as to support the back surface 3b side of the insulating resin film 3 (see FIG. 7),
The positioning protrusion 1 on the lower surface of the socket body 16 is provided on the upper surface 2a.
Four positioning holes 23 are formed to be engaged with the positioning member 7.
Outside the positioning hole 23, four holes 24 and 25 for receiving the screw 6 and the nut 7 are formed.

【0034】位置決めフィルム4は、図1〜図3及び図
9に示すように、絶縁性の樹脂フィルムで形成されてお
り、IC10のバンプ21の最も外側のバンプ21を囲
むように矩形状の穴26が形成され、この矩形状の穴2
6でIC10を絶縁性樹脂フィルム3上に位置決めする
ようになっている。
The positioning film 4 is formed of an insulating resin film as shown in FIGS. 1 to 3 and FIG. 9 and has a rectangular hole surrounding the outermost bump 21 of the bump 21 of the IC 10. 26 are formed, and this rectangular hole 2 is formed.
At 6, the IC 10 is positioned on the insulating resin film 3.

【0035】尚、この位置決めフィルム4にも、ソケッ
ト本体16下面の位置決め突起17に係合する位置決め
穴27が4箇所形成され、又、この位置決め穴27の外
側にねじ6を受容する穴28が4箇所形成されている
(図9,図10参照)。
The positioning film 4 is also provided with four positioning holes 27 for engaging with the positioning projections 17 on the lower surface of the socket body 16, and a hole 28 for receiving the screw 6 is provided outside the positioning hole 27. It is formed at four places (see FIGS. 9 and 10).

【0036】押圧治具5は、図1〜図3及び図10〜図
13に示すように、上記絶縁性樹脂フィルム3及び位置
決めフィルム4を介して支持ボード2上に固定されるソ
ケット本体16と、このソケット本体16に回動可能に
取り付けられ、ソケット本体16の矩形状のIC導入口
30を開閉するカバー31とを備えている。
As shown in FIGS. 1 to 3 and FIGS. 10 to 13, the pressing jig 5 includes a socket body 16 fixed on the support board 2 via the insulating resin film 3 and the positioning film 4. And a cover 31 rotatably attached to the socket body 16 and opening and closing the rectangular IC inlet 30 of the socket body 16.

【0037】このうち、ソケット本体16は、前述のよ
うに、その下面に位置決め突起17が形成されており、
この位置決め突起17を位置決めフィルム4の位置決め
穴27、絶縁性樹脂フィルム3の位置決め穴18及び支
持ボード2の位置決め穴23に係合することにより、ソ
ケット本体16自体と位置決めフィルム4及び絶縁性樹
脂フィルム3を支持ボード2に対して位置決めするよう
になっている。又、ソケット本体16は、矩形状のIC
導入口30の4隅に、IC10を位置決めフィルム4及
び絶縁性樹脂フィルム3上の所定位置に案内するガイド
壁32が形成されている。このガイド壁32は、上方へ
向かうにしたがってIC導入口30を拡大するように傾
斜しており、IC10を円滑に案内できるようになって
いる。ここで、このガイド壁32及び前記位置決めフィ
ルム4は、ICの位置決めを行う位置決め手段として機
能する。
Among them, the socket body 16 has the positioning projection 17 formed on the lower surface thereof as described above.
By engaging the positioning projections 17 with the positioning holes 27 of the positioning film 4, the positioning holes 18 of the insulating resin film 3, and the positioning holes 23 of the support board 2, the socket body 16 itself and the positioning film 4 and the insulating resin film are formed. 3 is positioned with respect to the support board 2. The socket body 16 is a rectangular IC.
Guide walls 32 for guiding the IC 10 to predetermined positions on the positioning film 4 and the insulating resin film 3 are formed at four corners of the inlet 30. The guide wall 32 is inclined so as to enlarge the IC inlet 30 as going upward, so that the IC 10 can be guided smoothly. Here, the guide wall 32 and the positioning film 4 function as positioning means for positioning the IC.

【0038】又、このソケット本体16の一方の側面側
には、カバー31を回動可能に取り付けるためのカバー
取付部33が形成されている。そして、このカバー取付
部33には、カバー31のアーム部34が回動軸35を
介して回動できるように取り付けられている。更に、ソ
ケット本体16の他方の側面側には、カバー31の段部
36に係合するフック37が回動軸38を介して回動で
きるように取り付けられている。尚、カバー31は、バ
ネ40で常時図10,11中右回り方向(開く方向)へ
付勢されている。又、フック37は、バネ41で常時図
10,11中右回り方向(カバー31を閉じる方向)へ
付勢されている。
A cover mounting portion 33 for rotatably mounting the cover 31 is formed on one side surface of the socket body 16. The arm portion 34 of the cover 31 is attached to the cover attachment portion 33 so as to be rotatable via a rotation shaft 35. Further, on the other side surface of the socket body 16, a hook 37 that engages with the step portion 36 of the cover 31 is attached so as to be rotatable via a rotation shaft 38. The cover 31 is constantly urged by a spring 40 in the clockwise direction (opening direction) in FIGS. The hook 37 is constantly biased by a spring 41 in the clockwise direction in FIGS. 10 and 11 (the direction in which the cover 31 is closed).

【0039】カバー31には、IC押圧ブロック42が
取り付けられている。このIC押圧ブロック42は、図
10,11,13に示すように、カバー31の下面側に
形成されたブロック収容凹部43内にスライドできるよ
うに収容されており、上部両側に一対形成された舌片4
4の取付穴45に軸46が嵌着され、その軸46の両端
部がそれぞれブロック収容凹部43の側壁47の長穴4
8にスライドできるように係合されている。そして、カ
バー31のブロック収容凹部43の上方にはスプリング
収容穴50が形成されており、このスプリング収容穴5
0内には圧縮コイルスプリング51が収容されている。
この圧縮コイルスプリング51は、軸46を介してIC
押圧ブロック42を常時図10,13中下方へ付勢する
ようになっており、このIC押圧ブロック42を介して
IC10のバンプ21を絶縁性樹脂フィルム3の接触パ
ッド11に押圧し、バンプ21と接触パッド11を所望
の接触圧で接触させる(図3参照)。
An IC pressing block 42 is attached to the cover 31. As shown in FIGS. 10, 11, and 13, the IC pressing block 42 is slidably housed in a block housing recess 43 formed on the lower surface side of the cover 31, and a pair of tongues formed on both upper sides. Piece 4
The shaft 46 is fitted into the mounting hole 45 of the block 4, and both ends of the shaft 46 are elongated holes 4 of the side wall 47 of the block accommodating recess 43.
8 so as to be slidable. A spring receiving hole 50 is formed above the block receiving recess 43 of the cover 31.
A compression coil spring 51 is accommodated in the inside of the cylinder.
The compression coil spring 51 is connected to an IC via a shaft 46.
The pressing block 42 is always urged downward in FIGS. 10 and 13, and the bump 21 of the IC 10 is pressed against the contact pad 11 of the insulating resin film 3 via the IC pressing block 42 to The contact pad 11 is brought into contact with a desired contact pressure (see FIG. 3).

【0040】ここで、IC押圧ブロック42は、カバー
31が開いた状態において、軸46が圧縮コイルスプリ
ング51で押圧されて長穴48の下端に当接する。又、
IC押圧ブロック42は、カバー31が閉じられると、
IC10の厚みの分だけ圧縮コイルスプリング51を押
し縮め、軸46が長穴48内をスライドすると共に、I
C押圧ブロック42の側壁42aがブロック収容凹部4
3の側壁43aにガイドされてスライドする。
Here, in the IC pressing block 42, the shaft 46 is pressed by the compression coil spring 51 when the cover 31 is opened, and abuts on the lower end of the elongated hole 48. or,
When the cover 31 is closed, the IC pressing block 42
The compression coil spring 51 is compressed and contracted by the thickness of the IC 10 so that the shaft 46 slides in the elongated hole 48 and
The side wall 42a of the C pressing block 42 is
The slide is guided by the third side wall 43a.

【0041】尚、IC押圧ブロック42は、その下面が
IC10の形状に合わせて矩形状に形成されており、そ
の下面に矩形状の凹部52が形成され、この矩形状の凹
部52の外側にIC押圧面53が形成されている。そし
て、このIC押圧面53がIC10のバンプ21に対応
する部位の上面を押圧するようになっている(図3参
照)。従って、IC10は、IC押圧ブロック42のI
C押圧面53によって押圧され、IC10のバンプ21
が確実に絶縁性樹脂フィルム3の接触パッド11に接触
する。ここで、上記カバー31,IC押圧ブロック42
及び圧縮コイルスプリング51によりIC押圧手段54
が構成されている。
The lower surface of the IC pressing block 42 is formed in a rectangular shape in conformity with the shape of the IC 10, and a rectangular concave portion 52 is formed on the lower surface thereof. A pressing surface 53 is formed. Then, the IC pressing surface 53 presses the upper surface of a portion corresponding to the bump 21 of the IC 10 (see FIG. 3). Therefore, IC 10
C is pressed by the pressing surface 53 and the bump 21 of the IC 10 is pressed.
Surely contacts the contact pad 11 of the insulating resin film 3. Here, the cover 31, the IC pressing block 42
And a compression coil spring 51 for pressing the IC
Is configured.

【0042】又、カバー31の段部36の上方には傾斜
壁55が形成されている。そのため、フック37先端の
操作部37a近傍にフック37を操作するための十分な
空間が確保され、フック37を機械又は手動で容易に操
作できるようになっている。
An inclined wall 55 is formed above the step 36 of the cover 31. Therefore, a sufficient space for operating the hook 37 is secured near the operation portion 37a at the tip of the hook 37, and the hook 37 can be easily operated by a machine or manually.

【0043】以上のような構成のICソケット1は、フ
ック37とカバー31の段部36との係合を解除する
と、カバー31がバネ40の力で図10中右回り方向へ
回動し、ソケット本体16のIC導入口30が開く(図
11参照)。次いで、IC10がバンプ21を下にした
状態でソケット本体16のIC導入口30に挿入される
(図1及び図3参照)。この際、IC10は、ソケット
本体16のガイド壁32に案内されて位置決めフィルム
4及び絶縁性樹脂フィルム3上の所定位置に載置され
る。そして、IC10のバンプ21の最も外側の部分が
位置決めフィルム4の矩形状の穴26の端縁で位置決め
される(図3参照)。その結果、IC10のバンプ21
が絶縁性樹脂フィルム3の接触パッド11上に確実に接
触する。
When the engagement between the hook 37 and the stepped portion 36 of the cover 31 is released, the cover 31 rotates clockwise in FIG. The IC inlet 30 of the socket body 16 opens (see FIG. 11). Next, the IC 10 is inserted into the IC inlet 30 of the socket body 16 with the bump 21 facing down (see FIGS. 1 and 3). At this time, the IC 10 is guided by the guide wall 32 of the socket body 16 and placed at a predetermined position on the positioning film 4 and the insulating resin film 3. Then, the outermost portion of the bump 21 of the IC 10 is positioned at the edge of the rectangular hole 26 of the positioning film 4 (see FIG. 3). As a result, the bumps 21 of the IC 10
Is securely in contact with the contact pad 11 of the insulating resin film 3.

【0044】IC10がソケット本体16内に収容され
た後、カバー31が閉じられ、フック37がカバー31
の段部36に係合されると、カバー31がソケット本体
16の上部にロックされる。この際、圧縮コイルスプリ
ング51がIC10の厚み分だけ圧縮され、圧縮コイル
スプリング51のバネ力がIC押圧ブロック42を介し
てIC10に作用する。その結果、IC10のバンプ2
1は、絶縁性樹脂フィルム3を支持ボード2の穴22側
へ凹ませて、支持ボード2の穴22内に受容される。こ
こで、絶縁性樹脂フィルム3は、バンプ21に押圧され
て弾性変形し、バンプ21と接触パッド11とを所望の
接触圧で接触させる。尚、絶縁性樹脂フィルム3は、約
150℃の温度環境下で繰り返し荷重を作用させた場合
の耐久性が従来例のシリコンゴムプレートよりも格段に
優れていることが確認されている。
After the IC 10 is housed in the socket body 16, the cover 31 is closed and the hook 37 is
The cover 31 is locked on the upper portion of the socket main body 16 when it is engaged with the step portion 36 of FIG. At this time, the compression coil spring 51 is compressed by the thickness of the IC 10, and the spring force of the compression coil spring 51 acts on the IC 10 via the IC pressing block 42. As a result, bump 2 of IC 10
In 1, the insulating resin film 3 is recessed toward the hole 22 of the support board 2 and is received in the hole 22 of the support board 2. Here, the insulating resin film 3 is elastically deformed by being pressed by the bumps 21 to bring the bumps 21 and the contact pads 11 into contact with a desired contact pressure. In addition, it has been confirmed that the durability of the insulating resin film 3 when a load is repeatedly applied in a temperature environment of about 150 ° C. is much better than that of the conventional silicone rubber plate.

【0045】以上のように本実施の形態は、IC10が
IC押圧手段54によって押圧されると、IC10のバ
ンプ21が絶縁性樹脂フィルム3を支持ボード2の穴2
2内に弾性変形させ、その絶縁性樹脂フィルム3の弾性
力でバンプ21と接触パッド11の接触圧を得るように
構成されているため、約150℃の温度環境下でバーン
インテスト等を繰り返し行っても、耐久性に優れた絶縁
性樹脂フィルム3が弾性変形を繰り返してバンプ21と
接触パッド11を所望の接触圧で接触させることがで
き、IC10の電気テストを長期間正確に行うことが可
能になる。
As described above, in this embodiment, when the IC 10 is pressed by the IC pressing means 54, the bumps 21 of the IC 10
2 so that the contact pressure between the bump 21 and the contact pad 11 is obtained by the elastic force of the insulating resin film 3, the burn-in test and the like are repeated under a temperature environment of about 150 ° C. However, the insulating resin film 3 having excellent durability can be repeatedly elastically deformed to bring the bumps 21 and the contact pads 11 into contact with a desired contact pressure, and the electrical test of the IC 10 can be accurately performed for a long time. become.

【0046】尚、本実施の形態は、支持ボード2の穴2
2が円形の貫通穴であるが、これに限られず、バンプ2
1を受容できる穴であれば良く、楕円形状や略十字形状
等の任意の形状の穴でよく、図14(a)のような有底
状の穴22aや図14(b)のような穴(凹み)22b
であってもよい。
In this embodiment, the holes 2 of the support board 2 are used.
2 is a circular through hole, but is not limited thereto.
1 and any shape such as an elliptical shape or a substantially cross shape, and may be a bottomed hole 22a as shown in FIG. 14 (a) or a hole as shown in FIG. 14 (b). (Dent) 22b
It may be.

【0047】又、本実施の形態は、穴22が全て同一の
大きさに形成される態様を示したが、これに限られず、
複数の穴22の一部を他部と異なる大きさに形成するこ
とにより、絶縁性樹脂フィルム3の弾性変形力をその一
部と他部で異なる大きさにすることができる。即ち、バ
ンプ21と接触パッド11の接触圧の大きさを調整する
ことが可能になる。例えば、複数の穴22の一部を他部
の穴22の大きさよりも大きくすれば、その一部の穴2
2に対応する部分の絶縁性樹脂フィルム3の弾性変形力
が他部よりも小さくなる。
Although the present embodiment has shown the mode in which all the holes 22 are formed in the same size, the present invention is not limited to this.
By forming a part of the plurality of holes 22 to have a size different from that of the other part, the elastic deformation force of the insulating resin film 3 can be made different between the part and the other part. That is, the magnitude of the contact pressure between the bump 21 and the contact pad 11 can be adjusted. For example, if a part of the plurality of holes 22 is made larger than the size of the hole 22 in the other part, a part of the
The elastic deformation force of the portion of the insulating resin film 3 corresponding to the portion 2 becomes smaller than the other portions.

【0048】[第2の実施の形態]図15は、本発明の
第2の実施の形態を示すものである。この図15に示す
ように、本実施の形態は、支持ボード2のバンプ21を
受容する穴22の端縁に、絶縁性樹脂フィルム3を支持
する支持突起56が環状に形成されている。
[Second Embodiment] FIG. 15 shows a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 15, in the present embodiment, a support projection 56 for supporting the insulating resin film 3 is formed in an annular shape at the edge of the hole 22 for receiving the bump 21 of the support board 2.

【0049】このような構成の本実施の形態によれば、
IC10がIC押圧手段54に押圧されると、IC10
のバンプ21が環状の支持突起56の内側に絶縁性樹脂
フィルム3を凹ませ(弾性変形させて)、IC10のバ
ンプ21が支持突起56の内側(穴22内)に受容され
る。その結果、絶縁性樹脂フィルム3の弾性変形力に起
因して、バンプ21と接触パッド11の接触部に所望の
接触圧が生じ、前記第1の実施の形態と同様の効果を得
ることができる。
According to the present embodiment having such a configuration,
When the IC 10 is pressed by the IC pressing means 54, the IC 10
Of the IC 10 is recessed (elastically deformed) inside the annular support protrusion 56, and the bump 21 of the IC 10 is received inside the support protrusion 56 (in the hole 22). As a result, a desired contact pressure is generated at the contact portion between the bump 21 and the contact pad 11 due to the elastic deformation force of the insulating resin film 3, and the same effect as in the first embodiment can be obtained. .

【0050】尚、本実施の形態において、複数の支持突
起56のうちの一部の直径を他部の支持突起56の直径
と異なる大きさにすれば、絶縁性樹脂フィルム3の弾性
変形力を部分的に調整することが可能になる。
In this embodiment, if the diameter of a part of the plurality of support protrusions 56 is made different from the diameter of the other support protrusions 56, the elastic deformation force of the insulating resin film 3 is reduced. Partial adjustment becomes possible.

【0051】又、図16に示すように、環状の支持突起
56を部分的に切り欠いて切り欠き部57を形成するこ
とにより、絶縁性樹脂フィルム3の張力を調整し、バン
プ21と接触パッド11との接触圧を調整するようにし
てもよい。
Also, as shown in FIG. 16, the annular support protrusion 56 is partially cut out to form a notch 57 so that the tension of the insulating resin film 3 is adjusted and the bump 21 and the contact pad are formed. You may make it adjust the contact pressure with 11.

【0052】[第3の実施の形態]図17は、本発明の
第3の実施の形態を示すものである。この図17に示す
ように、本実施の形態は、支持ボード2のバンプ21を
受容する穴22の端縁に面取り58が施されている。
[Third Embodiment] FIG. 17 shows a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 17, in the present embodiment, a chamfer 58 is formed on the edge of the hole 22 for receiving the bump 21 of the support board 2.

【0053】このような構成の本実施の形態によれば、
IC10がIC押圧手段54に押圧されると、IC10
のバンプ21が穴22の面取り58に沿って絶縁性樹脂
フィルム3を変形させながら穴22内に受容される。こ
の際、絶縁性樹脂フィルム3の弾性変形力の増加が前記
第1の実施の形態や第2の実施の形態に比較して緩やか
になり、バンプ21と接触パッド11の接触圧の増加も
緩やかになる。
According to the present embodiment having such a configuration,
When the IC 10 is pressed by the IC pressing means 54, the IC 10
The bump 21 is received in the hole 22 while deforming the insulating resin film 3 along the chamfer 58 of the hole 22. At this time, the increase in the elastic deformation force of the insulating resin film 3 becomes slower than in the first and second embodiments, and the increase in the contact pressure between the bump 21 and the contact pad 11 also becomes slower. become.

【0054】このように、本実施の形態は、バンプ21
と接触パッド11の接触を円滑に行うことができ、バン
プ21と接触パッド11を所望の接触圧で接触させるこ
とができるので、前記第1の実施の形態と同様の効果を
得ることができる。
As described above, in the present embodiment, the bump 21
And the contact pad 11 can be smoothly contacted, and the bump 21 and the contact pad 11 can be brought into contact with a desired contact pressure, so that the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0055】尚、本実施の形態は、支持ボード2の穴2
2の端縁にC面取り58を施す態様を示したが、これに
限られず、曲面状の面取り(R面取り)を施すようにし
てもよい。このようにすれば、絶縁性樹脂フィルム3の
弾性変形力の増加をより一層滑らかにすることができ
る。
In this embodiment, the holes 2 of the support board 2 are used.
Although the mode in which the C chamfer 58 is applied to the edge of No. 2 has been described, the invention is not limited to this, and a curved chamfer (R chamfer) may be applied. In this way, the increase in the elastic deformation force of the insulating resin film 3 can be further smoothed.

【0056】又、本実施の形態において、面取り量を変
更することにより、絶縁性樹脂フィルム3の弾性変形力
を調整することができ、バンプ21と接触パッド11と
の接触圧を調整することができる。
In this embodiment, by changing the amount of chamfering, the elastic deformation force of the insulating resin film 3 can be adjusted, and the contact pressure between the bump 21 and the contact pad 11 can be adjusted. it can.

【0057】[第4の実施の形態]図18は、本発明の
第4の実施の形態を示すものである。この図18に示す
ように、本実施の形態は、支持ボード2の穴22がバン
プ21の位置に対して所定量e偏芯させて形成されてい
る。ここで、バンプ21の位置とは、IC10がソケッ
ト本体16内にセットされ、IC10の最も外側のバン
プ21が位置決めフィルム4の矩形状の穴26に係合し
た状態におけるバンプ21の位置をいう(図3参照)。
[Fourth Embodiment] FIG. 18 shows a fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 18, in the present embodiment, the holes 22 of the support board 2 are formed so as to be eccentric by a predetermined amount e with respect to the positions of the bumps 21. Here, the position of the bump 21 refers to the position of the bump 21 in a state where the IC 10 is set in the socket body 16 and the outermost bump 21 of the IC 10 is engaged with the rectangular hole 26 of the positioning film 4 ( (See FIG. 3).

【0058】このような構成の本実施の形態によれば、
IC10がIC押圧手段54によって押圧されると、バ
ンプ21は絶縁性樹脂フィルム3を穴22内に撓ませな
がら穴22の中心S1側へスライドする。これは、バン
プ21と接触パッド11の接触位置が穴22の縁側より
であると、バンプ21に穴22の中心S1側へ向かう分
力が作用することによる。したがって、IC10は、ソ
ケット本体16内でIC押圧手段54によって押圧され
ると、偏芯穴22の作用によって僅かにスライドして、
最も外側のバンプ21を位置決めフィルム4の矩形状の
穴26の端縁に当接させることが可能になる。これによ
り、IC10の位置決め精度がより一層向上する。即
ち、本実施の形態は、位置決めフィルム4の矩形状の穴
26とIC10のバンプ21のうちの最も外側のバンプ
21との間の隙間のばらつきに関わらず、位置決めフィ
ルム4の矩形状の穴26の端縁を基準としてIC10を
確実に位置決めすることができる。
According to the present embodiment having such a configuration,
When the IC 10 is pressed by the IC pressing means 54, the bump 21 slides toward the center S <b> 1 of the hole 22 while bending the insulating resin film 3 into the hole 22. This is because if the contact position between the bump 21 and the contact pad 11 is closer to the edge of the hole 22, a component force acts on the bump 21 toward the center S <b> 1 of the hole 22. Therefore, when the IC 10 is pressed by the IC pressing means 54 in the socket body 16, the IC 10 slides slightly by the action of the eccentric hole 22,
The outermost bump 21 can be brought into contact with the edge of the rectangular hole 26 of the positioning film 4. Thereby, the positioning accuracy of the IC 10 is further improved. That is, in the present embodiment, regardless of the variation in the gap between the rectangular hole 26 of the positioning film 4 and the outermost bump 21 of the bumps 21 of the IC 10, the rectangular hole 26 of the positioning film 4 IC 10 can be reliably positioned with reference to the edge of the IC 10.

【0059】このような本実施の形態は、IC10のバ
ンプ21を接触パッド11上の所定位置に正確に位置決
めすることができ、バンプ21に押圧されて穴22内に
弾性変形して凹む絶縁性樹脂フィルム3の弾性変形力に
起因して、バンプ21と接触パッド11の接触部に所望
の接触圧を生じさせることができるので、前記第1の実
施の形態と同様の効果を得ることができることはもちろ
んのこと、より一層正確なIC10の電気的テストを可
能にする。
According to the present embodiment, the bump 21 of the IC 10 can be accurately positioned at a predetermined position on the contact pad 11, and is pressed by the bump 21 so as to be elastically deformed into the hole 22 and recessed. Since a desired contact pressure can be generated at the contact portion between the bump 21 and the contact pad 11 due to the elastic deformation force of the resin film 3, the same effect as in the first embodiment can be obtained. Of course, it allows for more accurate electrical testing of IC10.

【0060】[第5の実施の形態]図19は、本発明の
第5の実施の形態を示すものである。この図19に示す
ように、本実施の形態は、絶縁性樹脂フィルム3の接触
パッド11の周囲に張力調整穴60が形成されている。
このように、張力調整穴60を絶縁性樹脂フィルム3に
適宜形成することにより、張力調整穴60の近傍の接触
パッド11とバンプ(図示せず)の接触圧を調整するこ
とができる。
[Fifth Embodiment] FIG. 19 shows a fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 19, in the present embodiment, a tension adjusting hole 60 is formed around the contact pad 11 of the insulating resin film 3.
As described above, by appropriately forming the tension adjusting hole 60 in the insulating resin film 3, the contact pressure between the contact pad 11 and the bump (not shown) near the tension adjusting hole 60 can be adjusted.

【0061】したがって、このような構成の本実施の形
態によれば、各バンプと接触パッド11の接触圧を最も
好ましい値に調整でき、ICの電気的テストをより一層
正確に行うことができる。
Therefore, according to the present embodiment having such a configuration, the contact pressure between each bump and the contact pad 11 can be adjusted to the most preferable value, and the electrical test of the IC can be performed more accurately.

【0062】尚、本実施の形態において、張力調整穴6
0の大きさを変えることにより、各バンプと接触パッド
11の接触圧をより一層精密に調整することができる。
In the present embodiment, the tension adjusting holes 6
By changing the value of 0, the contact pressure between each bump and the contact pad 11 can be adjusted more precisely.

【0063】[第6の実施の形態]図20は、本発明の
第6の実施の形態を示すものである。この図20に示す
ように、本実施の形態は、絶縁性樹脂フィルム3の接触
パッド11にバンプ21よりも小径のバンプ受容穴61
が形成されている。
[Sixth Embodiment] FIG. 20 shows a sixth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 20, in the present embodiment, a bump receiving hole 61 having a smaller diameter than bump 21 is formed in contact pad 11 of insulating resin film 3.
Are formed.

【0064】このような構成の本実施の形態によれば、
複数の接触パッド11のうちの一部にバンプ受容穴61
を形成すれば、バンプ受容穴61を形成した部分の接触
パッド11とバンプ21の接触圧を小さくすることがで
きる。即ち、本実施の形態は、複数のバンプ21と接触
パッド11の接触部のうちの一部と他部の接触圧を変え
ることができる。
According to the present embodiment having such a configuration,
A bump receiving hole 61 is provided in a part of the plurality of contact pads 11.
The contact pressure between the contact pad 11 and the bump 21 at the portion where the bump receiving hole 61 is formed can be reduced. That is, in the present embodiment, it is possible to change the contact pressure between some of the contact portions between the plurality of bumps 21 and the contact pads 11 and the other portions.

【0065】又、本実施の形態において、バンプ受容穴
61を全ての接触パッド11に形成するようにしてもよ
い。更に、バンプ受容穴61の大きさを適宜変更し、バ
ンプ21と接触パッド11の接触圧を精密に調整するよ
うにしてもよい。このようにすれば、IC10のバンプ
21と接触パッド11のより一層良好な接触状態を得る
ことができ、IC10のより一層正確な電気的テストが
可能になる。
In this embodiment, the bump receiving holes 61 may be formed in all the contact pads 11. Further, the size of the bump receiving hole 61 may be appropriately changed, and the contact pressure between the bump 21 and the contact pad 11 may be precisely adjusted. In this manner, a better contact state between the bump 21 of the IC 10 and the contact pad 11 can be obtained, and a more accurate electrical test of the IC 10 can be performed.

【0066】又、本実施の形態において、接触パッド1
1にバンプ受容穴61が形成されており、バンプ21が
バンプ受容穴61に係合して、IC10の位置決めが正
確に行われるため、位置決めフィルム4の矩形状の穴2
6の精度をラフにするか、又は位置決めフィルム4を省
略することができる。したがって、本実施の形態は、前
記各実施の形態に比較して、部品点数の削減を図ること
が可能になる。
In this embodiment, the contact pad 1
1 has a bump receiving hole 61 formed therein, and the bump 21 engages with the bump receiving hole 61 to accurately position the IC 10.
6 can be roughened, or the positioning film 4 can be omitted. Therefore, in the present embodiment, it is possible to reduce the number of parts as compared with the above embodiments.

【0067】[第7の実施の形態]図21は、本発明の
第7の実施の形態を示すものである。この図21に示す
ように、本実施の形態は、絶縁性樹脂フィルム3の接触
パッド11にバンプ21に係合するスリット62が形成
されている。
[Seventh Embodiment] FIG. 21 shows a seventh embodiment of the present invention. As shown in FIG. 21, in the present embodiment, a slit 62 that engages with the bump 21 is formed in the contact pad 11 of the insulating resin film 3.

【0068】このような本実施の形態によれば、IC1
0がIC押圧手段54によって押圧されると、バンプ2
1が絶縁性樹脂フィルム3を支持ボード2の穴22内へ
撓ませながらスリット62にはまり込み、バンプ21と
接触パッド11が所望の接触圧で接触する。
According to the present embodiment, the IC 1
0 is pressed by the IC pressing means 54, the bump 2
1 fits into the slit 62 while bending the insulating resin film 3 into the hole 22 of the support board 2, and the bump 21 and the contact pad 11 contact with a desired contact pressure.

【0069】このように、複数の接触パッド11のうち
の一部にスリット62を形成すれば、スリット62を形
成した部分の接触パッド11とバンプ21の接触圧を小
さくすることができる。即ち、本実施の形態は、複数の
バンプ21と接触パッド11の接触部のうちの一部と他
部の接触圧を変えることができる。
As described above, if the slit 62 is formed in a part of the plurality of contact pads 11, the contact pressure between the contact pad 11 and the bump 21 in the portion where the slit 62 is formed can be reduced. That is, in the present embodiment, it is possible to change the contact pressure between some of the contact portions between the plurality of bumps 21 and the contact pads 11 and the other portions.

【0070】又、本実施の形態において、スリット62
を全ての接触パッド11に形成するようにしてもよい。
更に、スリット62の大きさ(例えば長さ)を適宜変更
し、バンプ21と接触パッド11の接触圧を精密に調整
するようにしてもよい。このようにすれば、IC10の
バンプ21と接触パッド11のより一層良好な接触状態
を得ることができ、IC10のより一層正確な電気的テ
ストが可能になる。
In the present embodiment, the slit 62
May be formed on all the contact pads 11.
Furthermore, the size (for example, the length) of the slit 62 may be changed as appropriate, and the contact pressure between the bump 21 and the contact pad 11 may be precisely adjusted. In this manner, a better contact state between the bump 21 of the IC 10 and the contact pad 11 can be obtained, and a more accurate electrical test of the IC 10 can be performed.

【0071】又、本実施の形態において、接触パッド1
1にスリット62が形成されているため、バンプ21が
スリット62に係合することにより、IC10の位置決
めが正確に行われる。したがって、位置決めフィルム4
の矩形状の穴26の精度をラフにするか、又は位置決め
フィルム4を省略することができる。したがって、本実
施の形態は、前記第6の実施の形態と同様に部品点数の
削減を図ることが可能になる。
In the present embodiment, the contact pad 1
Since the slit 62 is formed in the IC chip 1, the positioning of the IC 10 is accurately performed by engaging the bump 21 with the slit 62. Therefore, the positioning film 4
The accuracy of the rectangular hole 26 can be roughened, or the positioning film 4 can be omitted. Therefore, in the present embodiment, it is possible to reduce the number of parts as in the sixth embodiment.

【0072】[第8の実施の形態]図22は、本発明の
第8の実施の形態を示すものである。この図22に示す
ように、本実施の形態は、絶縁性樹脂フィルム3のうち
で、支持ボード2に複数の穴22が形成される範囲の絶
縁性樹脂フィルム3の膜厚を部分的に厚く(3A<3
B)形成するようになっている。
[Eighth Embodiment] FIG. 22 shows an eighth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 22, in the present embodiment, in the insulating resin film 3, the thickness of the insulating resin film 3 in a range where the plurality of holes 22 are formed in the support board 2 is partially increased. (3A <3
B) to be formed.

【0073】このような構成の本実施の形態によれば、
絶縁性樹脂フィルム3の膜厚の厚い部分3Bは、膜厚の
薄い部分3Aよりも弾性変形力が大きくなる。したがっ
て、本実施の形態は、絶縁性樹脂フィルム3の膜厚の厚
い部分3Bに形成された接触パッド(図示せず)とバン
プ(図示せず)の接触圧を大きくすることができる。即
ち、本実施の形態は、絶縁性樹脂フィルム3の膜厚を適
宜変更することにより、絶縁性樹脂フィルム3の弾性変
形力を調整することができ、バンプと接触パッドの接触
圧を調整することができる。その結果、本実施の形態
は、ICのバンプと接触パッドのより一層良好な接触状
態を得ることができ、ICのより一層正確な電気的テス
トが可能になる。
According to the present embodiment having such a configuration,
The thicker portion 3B of the insulating resin film 3 has a larger elastic deformation force than the thinner portion 3A. Therefore, in the present embodiment, the contact pressure between the contact pad (not shown) and the bump (not shown) formed on the thick portion 3B of the insulating resin film 3 can be increased. That is, in the present embodiment, the elastic deformation force of the insulating resin film 3 can be adjusted by appropriately changing the thickness of the insulating resin film 3, and the contact pressure between the bump and the contact pad can be adjusted. Can be. As a result, in this embodiment, a better contact state between the bumps of the IC and the contact pads can be obtained, and a more accurate electrical test of the IC can be performed.

【0074】[第9の実施の形態]図23〜図24は、
本発明の第9の実施の形態を示すものである。これらの
図に示すように、本実施の形態の支持ボード2は、第1
の支持ボード63と第2の支持ボード64に分割されて
いる。このうち、第2の支持ボード64は、図9の位置
決めフィルム4の矩形状の穴26と略同一の大きさに形
成されており、図6の絶縁性樹脂フィルム3の接触パッ
ド11に対応する位置にバンプ21を受容する穴22が
形成されている。そして、この第2の支持ボード64
は、穴22が形成されている領域の内側の4隅をバネ6
5で弾性的に支持されており、第1の支持ボード63の
矩形状の凹所66内を上下動するようになっている。
[Ninth Embodiment] FIGS. 23 and 24 show a ninth embodiment.
It shows a ninth embodiment of the present invention. As shown in these figures, the support board 2 of the present embodiment
Is divided into a support board 63 and a second support board 64. Among them, the second support board 64 is formed to have substantially the same size as the rectangular hole 26 of the positioning film 4 in FIG. 9, and corresponds to the contact pad 11 of the insulating resin film 3 in FIG. A hole 22 for receiving the bump 21 is formed at the position. Then, the second support board 64
The four corners inside the region where the hole 22 is formed
The first support board 63 is resiliently supported by the first support board 63 and moves up and down in a rectangular recess 66.

【0075】このような構成の本実施の形態は、図2に
示すIC押圧手段54の押圧力に対して図外の絶縁性樹
脂フィルムの弾性変形力及び上記4本のバネ65のバネ
力で対抗するようになっているため、絶縁性樹脂フィル
ムの負担が軽減される。その結果、本実施の形態は、前
記第1の実施の形態よりも絶縁性樹脂フィルムの耐久性
が向上し、前記第1の実施の形態よりも一層長期間IC
の電気テストを正確に行うことができる。
In the present embodiment having such a configuration, the elastic force of the insulating resin film and the spring force of the four springs 65 (not shown) apply to the pressing force of the IC pressing means 54 shown in FIG. Since they are opposed to each other, the burden on the insulating resin film is reduced. As a result, in the present embodiment, the durability of the insulating resin film is improved compared to the first embodiment, and the IC resin is provided for a longer period of time than in the first embodiment.
Electrical test can be performed accurately.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上の説明のように、本発明は、支持ボ
ードにICのバンプを受容する穴が形成され、ICがI
C押圧手段によって押圧されると、ICのバンプが高温
耐久性に優れた絶縁性樹脂フィルムの接触パッドを前記
穴内に弾性変形させ、バンプと接触パッドの接触部に前
記絶縁性樹脂フィルムの弾性変形力に起因する接触圧を
生じさせるようになっているため、シリコンゴムプレー
トでバンプと接触パッドの接触圧を得る従来例に比較し
て、ICの電気的テストを長期間正確に行うことができ
る。
As described above, according to the present invention, the holes for receiving the bumps of the IC are formed in the support board, and
When pressed by the C pressing means, the bumps of the IC cause the contact pads of the insulating resin film having excellent high-temperature durability to be elastically deformed into the holes, and the elastic deformation of the insulating resin film to the contact portions between the bumps and the contact pads. Since the contact pressure caused by the force is generated, the electrical test of the IC can be accurately performed for a long period of time as compared with the conventional example in which the contact pressure between the bump and the contact pad is obtained by the silicon rubber plate. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るICソケット
の分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of an IC socket according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同ICソケットの正面側断面図である。FIG. 2 is a front sectional view of the IC socket.

【図3】図2の一部拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2;

【図4】本発明の第1の実施の形態に係る支持ボードの
平面図である。
FIG. 4 is a plan view of the support board according to the first embodiment of the present invention.

【図5】同支持ボードの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of the support board.

【図6】本発明の第1の実施の形態に係る絶縁性樹脂フ
ィルムの平面図である。
FIG. 6 is a plan view of the insulating resin film according to the first embodiment of the present invention.

【図7】同絶縁性樹脂フィルムの断面図である。FIG. 7 is a sectional view of the insulating resin film.

【図8】図6の一部拡大図である。FIG. 8 is a partially enlarged view of FIG. 6;

【図9】本発明の第1の実施の形態を示す位置決めフィ
ルムの平面図である。
FIG. 9 is a plan view of a positioning film showing the first embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第1の実施の形態を示す押圧治具の
断面図(図12のA−A線に沿って切断して示す断面
図)である。
FIG. 10 is a cross-sectional view (a cross-sectional view cut along line AA of FIG. 12) of the pressing jig according to the first embodiment of the present invention.

【図11】同押圧治具のカバーを開いた状態図である。FIG. 11 is a view showing a state where a cover of the pressing jig is opened.

【図12】同押圧治具の一部を切り欠いて示す平面図で
ある。
FIG. 12 is a plan view showing a part of the pressing jig cut away.

【図13】図12のB−B線に沿って切断して示す断面
図である。
13 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.

【図14】本発明の第1の実施の形態の応用例を示す穴
の断面図である。図14(a)は第1の応用例を示す
図、図14(b)は第2の応用例を示す図である。
FIG. 14 is a sectional view of a hole showing an application example of the first embodiment of the present invention. FIG. 14A is a diagram illustrating a first application example, and FIG. 14B is a diagram illustrating a second application example.

【図15】本発明の第2の実施の形態を示すICソケッ
トの要部拡大図である。図15(a)は同ICソケット
の要部拡大断面図、図15(b)は支持ボードの要部平
面図である。
FIG. 15 is an enlarged view of a main part of an IC socket showing a second embodiment of the present invention. FIG. 15A is an enlarged sectional view of a main part of the IC socket, and FIG. 15B is a plan view of a main part of the support board.

【図16】第2の実施の形態の応用例を示す支持ボード
の要部平面図である。
FIG. 16 is a main part plan view of a support board showing an application example of the second embodiment.

【図17】本発明の第3の実施の形態を示すICソケッ
トの要部拡大図である。図17(a)は同ICソケット
の要部拡大断面図、図17(b)は支持ボードの要部平
面図である。
FIG. 17 is an enlarged view of a main part of an IC socket showing a third embodiment of the present invention. FIG. 17A is an enlarged sectional view of a main part of the IC socket, and FIG. 17B is a plan view of a main part of the support board.

【図18】本発明の第4の実施の形態を示すICソケッ
トの要部拡大図である。図18(a)は同ICソケット
の要部拡大断面図、図18(b)は支持ボードの要部平
面図である。
FIG. 18 is an enlarged view of a main part of an IC socket showing a fourth embodiment of the present invention. FIG. 18A is an enlarged sectional view of a main part of the IC socket, and FIG. 18B is a plan view of a main part of the support board.

【図19】本発明の第5の実施の形態を示す絶縁性樹脂
フィルムの要部平面図である。
FIG. 19 is a plan view of a principal part of an insulating resin film according to a fifth embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第6の実施の形態を示すICソケッ
トの要部拡大図である。図20(a)は同ICソケット
の要部拡大断面図、図20(b)は絶縁性樹脂フィルム
の要部平面図である。
FIG. 20 is an enlarged view of a main part of an IC socket showing a sixth embodiment of the present invention. FIG. 20A is an enlarged sectional view of a main part of the IC socket, and FIG. 20B is a plan view of a main part of the insulating resin film.

【図21】本発明の第7の実施の形態を示すICソケッ
トの要部拡大図である。図21(a)は同ICソケット
の要部拡大断面図、図21(b)は絶縁性樹脂フィルム
の要部平面図である。
FIG. 21 is an enlarged view of a main part of an IC socket showing a seventh embodiment of the present invention. FIG. 21A is an enlarged sectional view of a main part of the IC socket, and FIG. 21B is a plan view of a main part of the insulating resin film.

【図22】本発明の第8の実施の形態を示すICソケッ
トの要部断面図である。
FIG. 22 is a sectional view of a main part of an IC socket according to an eighth embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第9の実施の形態を示す支持ボード
の平面図である。
FIG. 23 is a plan view of a support board showing a ninth embodiment of the present invention.

【図24】同支持ボードの断面図である。FIG. 24 is a sectional view of the support board.

【図25】従来のICソケットの断面図である。FIG. 25 is a sectional view of a conventional IC socket.

【図26】図25の一部拡大図である。FIG. 26 is a partially enlarged view of FIG. 25.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……ICソケット、2……支持ボード、3……絶縁性
樹脂フィルム、4……位置決めフィルム(位置決め手
段)、10……IC、11……接触パッド、13……回
路パターン、21……バンプ、22……穴、32……ガ
イド壁(位置決め手段)、54……IC押圧手段、56
……支持突起、58……面取り、60……張力調整穴、
61……バンプ受容穴、62……スリット、63……第
1の支持ボード、64……第2の支持ボード、65……
バネ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... IC socket, 2 ... Support board, 3 ... Insulating resin film, 4 ... Positioning film (positioning means), 10 ... IC, 11 ... Contact pad, 13 ... Circuit pattern, 21 ... Bumps, 22 holes, 32 guide walls (positioning means), 54 IC pressing means, 56
... Support protrusion, 58, chamfer, 60, tension adjustment hole,
61 bump receiving hole, 62 slit, 63 first support board, 64 second support board, 65
Spring

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ICの複数のバンプに対応するように導
電性の接触パッドが複数形成されると共に、該接触パッ
ドと外部電気的テスト回路とを電気的に接続する回路パ
ターンが形成された弾性変形可能な絶縁性樹脂フィルム
と、 該絶縁性樹脂フィルムの前記接触パッドが形成された面
と反対の面を支持する支持ボードと、 該支持ボードに取り付けられ、前記ICを前記絶縁性樹
脂フィルムに対して位置決めする位置決め手段と、 前記支持ボードに取り付けられ、前記絶縁性樹脂フィル
ムの接触パッドにICのバンプを押圧するIC押圧手段
と、 を備えたICソケットにおいて、 前記支持ボードの前記接触パッドに対応する部位には、
前記ICのバンプを受容する穴が形成されたことを特徴
とするICソケット。
A plurality of conductive contact pads are formed to correspond to a plurality of bumps of an IC, and a circuit pattern for electrically connecting the contact pads to an external electrical test circuit is formed. A deformable insulating resin film, a support board for supporting a surface of the insulating resin film opposite to the surface on which the contact pads are formed, and an IC attached to the support board and attaching the IC to the insulating resin film. An IC pressing means attached to the support board and pressing an IC bump against the contact pad of the insulating resin film, wherein the contact pad of the support board is In the corresponding part,
An IC socket, wherein a hole for receiving the bump of the IC is formed.
【請求項2】 前記複数の接触パッドに対応して複数形
成された前記穴のうちの一部が他部と異なる大きさに形
成されたことを特徴とする請求項1記載のICソケッ
ト。
2. The IC socket according to claim 1, wherein a part of the plurality of holes formed corresponding to the plurality of contact pads is formed to have a size different from that of another part.
【請求項3】 前記絶縁性樹脂フィルムを支持する支持
突起が前記支持ボードの前記穴の端縁に沿って環状に形
成されたことを特徴とする請求項1記載のICソケッ
ト。
3. The IC socket according to claim 1, wherein the support protrusion for supporting the insulating resin film is formed in an annular shape along an edge of the hole of the support board.
【請求項4】 前記支持突起が部分的に切り欠かれたこ
とを特徴とする請求項3記載のICソケット。
4. The IC socket according to claim 3, wherein said support projection is partially cut out.
【請求項5】 前記支持ボードの前記穴の端縁が面取り
されたことを特徴とする請求項1記載のICソケット。
5. The IC socket according to claim 1, wherein an edge of the hole of the support board is chamfered.
【請求項6】 前記穴が前記ICのバンプに対して偏芯
するように形成されたことを特徴とする請求項1記載の
ICソケット。
6. The IC socket according to claim 1, wherein the hole is formed so as to be eccentric with respect to the bump of the IC.
【請求項7】 前記絶縁性樹脂フィルムの前記接触パッ
ドの周囲に張力調整穴が形成されたことを特徴とする請
求項1記載のICソケット。
7. The IC socket according to claim 1, wherein a tension adjusting hole is formed around the contact pad of the insulating resin film.
【請求項8】 前記絶縁性樹脂フィルムの前記接触パッ
ドには、前記ICのバンプに係合する該バンプよりも小
径のバンプ受容穴が形成されたことを特徴とする請求項
1記載のICソケット。
8. The IC socket according to claim 1, wherein the contact pad of the insulating resin film is formed with a bump receiving hole having a smaller diameter than the bump that engages with the bump of the IC. .
【請求項9】 前記絶縁性樹脂フィルムの前記接触パッ
ドには、前記ICのバンプに係合するスリットが形成さ
れたことを特徴とする請求項1記載のICソケット。
9. The IC socket according to claim 1, wherein a slit for engaging with a bump of the IC is formed in the contact pad of the insulating resin film.
【請求項10】 前記絶縁性樹脂フィルムのうちで前記
複数の接触パッドが形成される範囲の一部の膜厚が他部
の膜厚よりも厚く形成されたことを特徴とする請求項1
記載のICソケット。
10. A film thickness of a part of the insulating resin film in a range where the plurality of contact pads are formed is formed to be thicker than another part.
The described IC socket.
【請求項11】 前記支持ボードが、前記絶縁性樹脂フ
ィルムを支持すると共に前記位置決め手段及び前記IC
押圧手段が取り付けられる第1の支持ボードと、該第1
の支持ボードにバネを介して弾性的に支持され、前記I
Cのバンプを受容する穴が形成された第2の支持ボード
と、を備えたことを特徴とする請求項1記載のICソケ
ット。
11. The support board supports the insulating resin film and the positioning means and the IC.
A first support board to which a pressing means is attached;
Is elastically supported by a support board via a spring.
2. The IC socket according to claim 1, further comprising a second support board having a hole for receiving the C bump.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003272788A (en) * 2002-03-19 2003-09-26 Enplas Corp Socket for electric parts
KR100906920B1 (en) 2007-08-02 2009-07-08 야마이치덴키 가부시키가이샤 Socket for Semiconductor Device

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