JP2000148998A - Data processor and parallel processors - Google Patents

Data processor and parallel processors

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JP2000148998A
JP2000148998A JP10324058A JP32405898A JP2000148998A JP 2000148998 A JP2000148998 A JP 2000148998A JP 10324058 A JP10324058 A JP 10324058A JP 32405898 A JP32405898 A JP 32405898A JP 2000148998 A JP2000148998 A JP 2000148998A
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve relief efficiency when a failure occurs by providing more storage devices than the number of data of plural pieces of data and switching a data input-output line connected to the input-output terminal of a storage device that fails to the input-output terminal of another storage device when the failure takes place in one storage device. SOLUTION: This data processor 10 consists of (n+1) pieces of memories 101-1 to 101-n+1, n pieces of ALUs(arithmetic logic unit) 102-1 to 102-n, n pieces of switching signal generation circuits 103-1 to 103-n and n pieces of switching circuits 104-1 to 104-n. The data input-output terminal T1 of the memory 101-1 is also connected to the input-output terminal L of the switching circuit 104-1. The input-output terminals T3 to Tn of the memories 101-3 to 101-n are connected to the input-output terminals H of the switching circuits 104-2 to 104-n-1 on the preceding stages and also are connected to the input-output terminals L of the switching circuits 104-3 to 104-n on corresponding stages. When a failure occurs, the input-output lines of the ALUs 102-1 to 102-n are switched and connected to the input-output lines of the next stages.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、列アドレスによる
列選択線と行アドレスによる行選択線によって選択され
る複数のデータの入出力を行うデータ処理装置および並
列プロセッサに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data processor and a parallel processor for inputting and outputting a plurality of data selected by a column selection line based on a column address and a row selection line based on a row address.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、画像データに対する信号処理の分
野においては、1枚の画像を構成する全ての画素に対し
て同様の演算処理を施すことが多い。多くのデータに対
して同様の演算処理を高速に実行するために、SIMD
(Single Instruction Multiple Data stream (単一命
令複数データ))型アーキテクチャが提案され、画像信
号処理に限らず広い分野で利用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the field of signal processing for image data, the same arithmetic processing is often performed on all pixels constituting one image. In order to execute similar arithmetic processing on many data at high speed, SIMD
A (Single Instruction Multiple Data stream) type architecture has been proposed and is used not only in image signal processing but also in a wide range of fields.

【0003】SIMD型アーキテクチャは、演算装置を
必要な個数だけ並べて、各々の演算装置が同一の命令に
従って動作するようにした構成である。したがって、各
々の演算装置に別々のデータを与えると、それぞれのデ
ータに対する演算結果が一度に得られる。
[0003] The SIMD type architecture has a configuration in which a necessary number of arithmetic units are arranged, and each arithmetic unit operates according to the same instruction. Therefore, if different data is given to each arithmetic unit, an arithmetic result for each data can be obtained at once.

【0004】SIMD型処理装置の画像処理への適用と
して、たとえばSVP(SERIAL VIDEO PROCESSOR/Proce
edings of the IEEE 1990 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS
CONFERENCE /P17 3.1〜4 )に示される装置が知られて
いる。
As an application of the SIMD type processing apparatus to image processing, for example, SVP (SERIAL VIDEO PROCESSOR / Proceed)
edings of the IEEE 1990 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS
The device shown in CONFERENCE / P17 3.1 to 4) is known.

【0005】この装置は、具体的にはたとえば図14に
示すような並列プロセッサ1で構成されている。この並
列プロセッサ1は、1走査線分の画素データを、シリア
ルデータSINを逐次的に入力するためのデータ入力レ
ジスタ(DIR)2、記憶装置(メモリ)と演算装置
(ALU)で構成され、1走査線分の画素データを並列
に処理するための複数のプロセッサエレメント(以下、
PEと呼ぶ)3−1〜3−n、を有するプロセッサエレ
メント群3、および1走査線分の処理された画素データ
を、シリアルデータ出力SOUTへ逐次的に出力するた
めのデータ出力レジスタ(DOR)4により構成されて
いる。
[0005] This device is specifically composed of a parallel processor 1 as shown in FIG. 14 for example. The parallel processor 1 includes pixel data for one scanning line, a data input register (DIR) 2 for sequentially inputting serial data SIN, a storage device (memory), and an arithmetic unit (ALU). A plurality of processor elements (hereinafter, referred to as “processor elements”) for processing pixel data for scanning lines in parallel.
And a data output register (DOR) for sequentially outputting processed pixel data for one scanning line to a serial data output SOUT. 4.

【0006】このような並列プロセッサ1で、図15に
示すように、p(1、1)〜p(m、n)のm×n個の
画素で構成される画像データを処理する手順を、図16
および図17に関連付けて以下に説明する。なお、任意
のi、j(但し1≦i≦m、1≦j≦n)の画素p
(i、j)は、複数ビツトで表現されても良い。画像の
走査は通常左から右、かつ上から下という順序で行われ
るので、画像データは一般に図16に示すような構造で
伝送される。ここで、1ライン分の画素データを走査す
る時間を水平期間と呼ぶ。また走査が画面の右端から左
端へ戻るための時間をブランキング期間と呼ぶ。たとえ
ばiライン目の右端の画素p(i、n)と、次のライン
の左端の画素p(i+1、1)との画素データの間に
は、ブランキング期間が存在する。
A procedure for processing image data composed of m × n pixels of p (1, 1) to p (m, n) by the parallel processor 1 as shown in FIG. FIG.
This will be described below with reference to FIG. It should be noted that a pixel p of an arbitrary i, j (1 ≦ i ≦ m, 1 ≦ j ≦ n)
(I, j) may be represented by a plurality of bits. Since scanning of an image is usually performed in order from left to right and from top to bottom, image data is generally transmitted in a structure as shown in FIG. Here, the time for scanning one line of pixel data is called a horizontal period. The time required for scanning to return from the right end to the left end of the screen is called a blanking period. For example, a blanking period exists between the pixel data of the rightmost pixel p (i, n) on the i-th line and the pixel data of the leftmost pixel p (i + 1,1) on the next line.

【0007】図17において、各画素がそれぞれ複数ビ
ツトで構成される映像信号が、画素単位で入力端子に逐
次的に入力される。最初の1水平期間の時間で、1ライ
ン目の画素データが、1ライン分の容量を有するデータ
入力レジスタ2に格納される。データ入力レジスタ2に
格納された映像信号の1ライン目の各画素のデータは、
その後のブランキング期間内に並列に出力され、1つの
PEにつき1画素のデータが、1ライン分の個数(n)
並べられたPE3−1〜PE3−nに、並列に供給され
る。
In FIG. 17, a video signal in which each pixel is composed of a plurality of bits is sequentially input to an input terminal in pixel units. During the first one horizontal period, the pixel data of the first line is stored in the data input register 2 having the capacity of one line. The data of each pixel on the first line of the video signal stored in the data input register 2 is
The data is output in parallel during the subsequent blanking period and the data of one pixel per PE is the number (n) of one line.
It is supplied in parallel to the arranged PE3-1 to PE3-n.

【0008】次の1水平期間で、各PE3−1〜3−n
では、供給された1ライン目の画素データに対して演算
処理が行われる。これと並行して、データ入力レジスタ
2には2ライン目の画素データが逐次的に入力される。
続くブランキング期間内に各PE3−1〜3−nから、
処理の施された1ライン目の画素データがデータ出力レ
ジスタ4に並列に供給される。これと並行して、データ
入力レジスタ2からは2ライン目の画素データがPE群
3に並列に供給される。次の1水平期間でデータ出力レ
ジスタ4に格納された1ライン目の画素データが、逐次
的に出力端子に出力される。これと並行して、各PE3
−1〜3−nは2ライン目の画素データの演算処理が行
われ、データ入力レジスタ2には3ライン目の画素デー
タが逐次的に入力される。
In the next one horizontal period, each of the PEs 3-1 to 3-n
In, the arithmetic processing is performed on the supplied pixel data of the first line. In parallel with this, the pixel data of the second line is sequentially input to the data input register 2.
From each PE3-1 to 3-n within the following blanking period,
The processed pixel data of the first line is supplied to the data output register 4 in parallel. In parallel with this, pixel data of the second line is supplied from the data input register 2 to the PE group 3 in parallel. In the next one horizontal period, the pixel data of the first line stored in the data output register 4 is sequentially output to the output terminal. In parallel with this, each PE3
In the case of -1 to 3-n, the arithmetic processing of the pixel data of the second line is performed, and the pixel data of the third line is sequentially input to the data input register 2.

【0009】これ以降は、各PE3−1〜3−nがiラ
イン目の画素データを処理している時は、データ入力レ
ジスタ2は(i+1)ライン目の画素データを入力し、
データ出力レジスタ4は(i−1)ライン目の画素デー
タを出力することが繰り返される。データ入力レジスタ
2、PE3−1〜3−n、データ出力レジスタ4が以上
のように同期して動作することで、各水平期間毎に演算
処理された映像信号が取り出される。このようにしてた
とえば映像信号のデイジタル処理が行われる。
[0009] Thereafter, when each of the PEs 3-1 to 3-n is processing pixel data of the i-th line, the data input register 2 inputs the pixel data of the (i + 1) -th line,
The data output register 4 repeatedly outputs the pixel data of the (i-1) th line. As the data input register 2, the PEs 3-1 to 3-n, and the data output register 4 operate in synchronization as described above, a video signal that has been subjected to arithmetic processing for each horizontal period is extracted. In this way, for example, digital processing of a video signal is performed.

【0010】次に、上述の並列プロセッサ1を構成する
主要部であるPEについて詳細に説明する。
Next, the PE which is a main part of the parallel processor 1 will be described in detail.

【0011】図18は、一つのPEの概略構成を示す図
である。PEは、図18に示すように、記憶装置31、
演算装置(ALU)32、および選択回路33により構
成されている。そして、記憶装置31はビット線BLと
ワード線WLに接続される図示しないメモリセルがマト
リクス状に配置されて構成されている。
FIG. 18 is a diagram showing a schematic configuration of one PE. As shown in FIG. 18, the PE is a storage device 31,
An arithmetic unit (ALU) 32 and a selection circuit 33 are provided. The storage device 31 includes memory cells (not shown) connected to the bit lines BL and the word lines WL arranged in a matrix.

【0012】ワード線WLで選択されたメモリセルは、
列選択線CSLによって選択されたものが演算装置32
と接続される。なお通常、ビット線BL、ワード線W
L、列選択線CSLは複数あるが、この図では簡単のた
め省略している。
The memory cell selected by the word line WL is
The one selected by the column selection line CSL is the arithmetic unit 32
Connected to Normally, the bit line BL and the word line W
Although there are a plurality of L and column selection lines CSL, they are omitted in this figure for simplicity.

【0013】記憶装置31は、通常の画像処理アプリケ
ーションで必要なデータを十分に格納できるだけの容量
を有している。そして、ブランキング期間にデータ入力
レジスタ2から転送されたデータは記憶装置31に格納
される。このとき、記憶装置31は他のPEの記憶装置
と同じアドレスを入力され、これに基づいてデータを格
納する。
The storage device 31 has a capacity enough to store data necessary for a normal image processing application. Then, the data transferred from the data input register 2 during the blanking period is stored in the storage device 31. At this time, the storage device 31 is input with the same address as the storage device of the other PEs, and stores data based on this.

【0014】演算装置32は、記憶装置31からデータ
をロードして演算を行い、その結果を記憶装置31にス
トアする。演算装置32がデータをロードする際は、記
憶装置31は同一の行アドレスにより、その行アドレス
が指し示す記憶装置から、ビット線BLにデータを出力
し、同一の列アドレスにより、ビット線BLのうち1つ
が選択して演算装置32に出力する。また、演算装置3
2がデータをストアする場合は、記憶装置31は同一の
列アドレスから選択したビット線BLと演算装置32の
出力部分を接続し、行アドレスで選択された記憶装置に
データを格納する。
The arithmetic unit 32 loads data from the storage device 31 to perform an operation, and stores the result in the storage device 31. When the arithmetic unit 32 loads data, the storage device 31 outputs data to the bit line BL from the storage device indicated by the same row address and outputs the data to the bit line BL according to the same column address. One is selected and output to the arithmetic unit 32. The arithmetic unit 3
When 2 stores data, the storage device 31 connects the bit line BL selected from the same column address to the output portion of the arithmetic device 32, and stores the data in the storage device selected by the row address.

【0015】画像処理に必要な演算が終了するまでこの
シーケンスを繰り返し、次のブランキング期間にデータ
出力レジスタ4にデータを転送する。
This sequence is repeated until the operation required for image processing is completed, and the data is transferred to the data output register 4 in the next blanking period.

【0016】この記憶装置31は、走査線をまたぐよう
なフィルタリング処理を行う場合には、たとえば5ライ
ン分程度が必要となり、画像データが各8ビットのR
(赤)、G(緑)、B(青)の計24ビットで構成され
ているならば、120ビットのメモリ容量が必要とな
る。さらに途中の演算結果の保持を想定するならば、記
憶装置31の容量は256ビット程度は必要となる。こ
れは並列プロセッサ1全体では、プロセッサ数 x256
ビットととなり、仮にPE3が1000個搭載されるな
らば、256kビットの容量をもつ記憶装置を並列プロ
セッサ1に搭載しなければならない。これは非常に大き
な面積を占め、LSIのコストの上昇を招くので、通常
このような記憶装置部分は非常に微細に設計し、面積を
最小にするよう構成される。記憶装置31はもともと微
細な設計をされるうえ、並列プロセッサ1のなかで大き
な面積を占めるので、不良の発生確率が高くなる。
This storage device 31 needs, for example, about five lines to perform a filtering process that crosses scanning lines.
If it is composed of a total of 24 bits (red), G (green), and B (blue), a memory capacity of 120 bits is required. Further, if it is assumed that an intermediate operation result is to be held, the storage device 31 needs a capacity of about 256 bits. This is the number of processors x 256 in the parallel processor 1 as a whole.
If 1,000 PEs 3 are mounted, a storage device having a capacity of 256 kbits must be mounted on the parallel processor 1. Since this occupies a very large area and causes an increase in the cost of the LSI, such a storage device portion is usually designed very finely and configured to minimize the area. The storage device 31 is originally finely designed and occupies a large area in the parallel processor 1, so that the probability of occurrence of a failure increases.

【0017】このため、記憶装置は通常、冗長な記憶装
置を用意しておき、記憶装置が故障している部分があれ
ば、その記憶装置のアクセスするアドレスを冗長な記憶
装置のアドレスと置き換えることによって救済する構成
がとられている。次に、一般的に列アドレスを冗長な記
憶装置で救済する場合を説明する。
For this reason, usually, a redundant storage device is prepared for a storage device, and if a portion of the storage device has a failure, the address accessed by the storage device is replaced with the address of the redundant storage device. The remedy is taken. Next, a case where a column address is generally repaired by a redundant storage device will be described.

【0018】図19は、並列プロセッサの主要部である
各PEの記憶装置31−1〜31−nに冗長用記憶装置
RDをもった場合の構成例を示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing an example of a configuration in a case where the storage devices 31-1 to 31-n of the respective PEs, which are the main parts of the parallel processor, have a redundant storage device RD.

【0019】図19において、選択回路34−1〜34
−nは、選択線CSLより入力されたアドレスに従っ
て、記憶装置31−1〜31−nの列および冗長用記憶
装置RD−1〜RD−nを選択する。もし、通常の記憶
装置列に不良が存在した場合、あらかじめ不良の列アド
レスをプログラミングしておき、選択線CSLは、その
列アドレスを冗長な記憶装置列のアドレスを選択するよ
うに制御されている。このような構成にしておくこと
で、通常の記憶装置列に不良があった場合でもプロセッ
サの良品が得られる。
Referring to FIG. 19, selection circuits 34-1 to 34-34 are provided.
-N selects the columns of the storage devices 31-1 to 31-n and the redundant storage devices RD-1 to RD-n according to the address input from the selection line CSL. If there is a defect in a normal storage device column, a defective column address is programmed in advance, and the selection line CSL is controlled so that the column address selects a redundant storage device column address. . With such a configuration, a non-defective processor can be obtained even when a normal storage device row has a defect.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】ところで、プロセッサ
エレメントを多数持ち、一括して処理するようなLSI
においては、記憶装置から多量のデータを一度で読み出
すことが多く、記憶装置の入出力(I/O)の数は増加
する傾向にあるが、これに反比例して、各I/Oの列の
数は減少する傾向にある。たとえば、本来1つのワード
線(行選択線)によって1024ビットのデータを読み
出すことが可能な記憶装置が32ビットのI/Oを持つ
と、記憶装置の列は32列存在し、仮に冗長の行アドレ
スが一つ付加されても、1/32しか面積の増加はな
い。
By the way, an LSI having a large number of processor elements and performing collective processing.
In this case, a large amount of data is often read from the storage device at one time, and the number of input / output (I / O) of the storage device tends to increase. The number tends to decrease. For example, if a storage device that can read 1024-bit data by one word line (row selection line) originally has a 32-bit I / O, there are 32 columns of the storage device, and if a redundant row exists, Even if one address is added, the area is increased only by 1/32.

【0021】しかしながら、記憶装置が256ビットの
I/Oを持つと記憶装置の列は4列しか存在しない。こ
のような条件で、冗長な列を4列につき1 列追加したと
すれば、面積増加は1/4=25%にもなり、シリコン
ウェーハから作製されるLSIの数が減ってしまう上、
冗長な記憶装置の部分に不良が発生する確率も高くな
り、結果的には冗長な記憶装置を搭載しない場合より良
品のLSIを得る数が減ってしまう。
However, if the storage device has 256-bit I / O, there are only four storage device columns. Under such conditions, if one redundant row is added for every four rows, the area increase is 1/4 = 25%, and the number of LSIs manufactured from a silicon wafer is reduced.
The probability of occurrence of a defect in the redundant storage device also increases, and as a result, the number of non-defective LSIs to be obtained is reduced as compared with the case where the redundant storage device is not mounted.

【0022】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、面積増加を最小限に抑えながら
故障が発生した場合の救済効率を高めることができるデ
ータ処理装置および並列プロセッサを提供することにあ
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a data processing apparatus and a parallel processor which can increase the rescue efficiency when a failure occurs while minimizing the area increase. To provide.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、複数のデータを処理するデータ処理装置
であって、データの入出力端子を有し、当該入出力端子
を介して複数のデータのうちの一のデータの書き込みお
よび読み出しを行う、上記複数のデータのデータ数より
多い数の記憶装置と、一の記憶装置に故障がある場合に
は、故障した記憶装置の入出力端子に接続されていたデ
ータ入出力ラインを、他の記憶装置の入出力端子へ切り
替え接続する切替回路とを有する。
To achieve the above object, the present invention provides a data processing apparatus for processing a plurality of data, comprising a data input / output terminal, and a plurality of data input / output terminals. Write and read one of the data, the number of storage devices larger than the number of data of the plurality of data, and if one storage device has a failure, the input / output terminal of the failed storage device And a switching circuit for switching and connecting the data input / output line connected to the storage device to the input / output terminal of another storage device.

【0024】また、本発明では、上記記憶装置毎に故障
し不良であるか否かの情報を保持する情報保持手段を有
し、上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不
良であると指定された記憶装置の入出力端子に接続され
ていたデータ入出力ラインを、他の記憶装置の入出力端
子へ切り替え接続する。
Further, according to the present invention, there is provided an information holding means for holding information as to whether or not each storage device is faulty or defective, and the switching circuit determines that the storage device is defective according to the information of the information holding means. The data input / output line connected to the input / output terminal of the designated storage device is switched and connected to the input / output terminal of another storage device.

【0025】また、本発明では、上記切替回路は、故障
した記憶装置の入出力端子に接続されていたデータ入出
力ラインを、隣接した記憶装置の入出力端子に切り替え
接続し、かつ以降の隣接したデータ入出力ラインも順次
隣接した記憶装置の入出力端子に切り替え接続する。
Further, in the present invention, the switching circuit switches the data input / output line connected to the input / output terminal of the failed storage device to the input / output terminal of the adjacent storage device and connects the data input / output line to the adjacent storage device. The data input / output lines are sequentially switched to the input / output terminals of the adjacent storage devices.

【0026】また、本発明では、上記記憶装置毎に故障
し不良であるか否かの情報を保持する情報保持手段を有
し、上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不
良であると指定された記憶装置の入出力端子に接続され
ていたデータ入出力ラインを、隣接した記憶装置の入出
力端子に切り替え接続し、かつ以降の隣接したデータ入
出力ラインも順次隣接した記憶装置の入出力端子に切り
替え接続する。
Further, according to the present invention, there is provided an information holding means for holding information as to whether or not each storage device is faulty or defective, and the switching circuit determines that the storage device is defective according to the information of the information holding means. The data input / output line connected to the specified storage device input / output terminal is switched to the input / output terminal of the adjacent storage device, and the subsequent adjacent data input / output lines are sequentially connected to the input / output terminal of the adjacent storage device. Switch and connect to the output terminal.

【0027】また、本発明は、複数のデータを処理する
データ処理装置であって、データの入出力端子を有し、
当該入出力端子を介して複数のデータのうちの一のデー
タの書き込みおよび読み出しを行う、上記複数のデータ
のデータ数より多い数の記憶装置と、上記複数のデータ
数に対応して設けられ、演算にかかわるデータを一の記
憶装置との間で授受する演算装置と、一の記憶装置に故
障がある場合には、故障した記憶装置の入出力端子に接
続されていた上記演算装置のデータ入出力ラインを、他
の記憶装置の入出力端子へ切り替え接続する切替回路と
を有する。
The present invention is also a data processing device for processing a plurality of data, which has a data input / output terminal,
Write and read one of the plurality of data through the input / output terminal, a storage device with a number greater than the number of data of the plurality of data, provided corresponding to the number of the plurality of data, An arithmetic unit that exchanges data related to arithmetic with one storage device, and, if one storage device has a failure, the data input of the arithmetic device connected to the input / output terminal of the failed storage device. A switching circuit for switching and connecting the output line to an input / output terminal of another storage device.

【0028】また、本発明は、複数のデータを並列に処
理するデータ処理装置であって、データの入力端子を有
し、当該入力端子を介して複数のデータのうちの一のデ
ータの書き込みを行う、上記複数のデータのデータ数よ
り多い数の記憶装置と、一の記憶装置に故障がある場合
には、故障した記憶装置の入力端子に接続されていたデ
ータ入力ラインを、他の記憶装置の入力端子へ切り替え
接続する切替回路とを有する。
According to another aspect of the present invention, there is provided a data processing apparatus for processing a plurality of data in parallel, comprising a data input terminal, and writing one of the plurality of data through the input terminal. When the number of storage devices greater than the number of data of the plurality of data and one of the storage devices have a failure, the data input line connected to the input terminal of the failed storage device is replaced by another storage device. And a switching circuit for switching connection to the input terminal of

【0029】また、本発明は、複数のデータを並列に処
理するデータ処理装置であって、データの出力端子を有
し、当該入力端子を介して複数のデータのうちの一のデ
ータの読み出しを行う、上記複数のデータのデータ数よ
り多い数の記憶装置と、一の記憶装置に故障がある場合
には、故障した記憶装置の出力端子に接続されていたデ
ータ出力ラインを、他の記憶装置の出力端子へ切り替え
接続する切替回路とを有する。
The present invention also relates to a data processing apparatus for processing a plurality of data in parallel, comprising a data output terminal, and reading out one of the plurality of data via the input terminal. When the number of storage devices greater than the number of data of the plurality of data and one of the storage devices have a failure, the data output line connected to the output terminal of the failed storage device is connected to another storage device. And a switching circuit for switching connection to the output terminal of

【0030】また、本発明は、シリアルデータでなる複
数の第1のデータをシリアル入力パラレル出力のデータ
入力レジスタに入力し、当該データ入力レジスタのパラ
レル出力を記憶装置と演算装置からなる複数のプロセッ
サエレメントを備えたプロセッサエッレメント群に並列
に供給して、上記第1のデータを上記プロセッサエレメ
ントで演算処理し、当該演算結果として上記プロセッサ
エレメントから並列に出力される複数の第2のデータ
を、パラレル入力シリアル出力のデータ出力レジスタに
並列に入力し、当該データ出力レジスタのシリアル出力
より上記第2のデータをシリアルデータとして出力する
並列プロセッサであって、上記プロセッサエレメント群
における記憶装置は、上記プロセッサエレメントの数よ
り多く配置され、かつ、上記プロセッサエレメント群
は、一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶
装置の入出力端子に接続されていた上記演算装置のデー
タ入出力ラインを、他の記憶装置の入出力端子へ切り替
え接続する切替回路を有する。
According to the present invention, a plurality of first data consisting of serial data is inputted to a data input register of serial input / parallel output, and a parallel output of the data input register is inputted to a plurality of processors comprising a storage device and an arithmetic device. A plurality of second data output in parallel from the processor element as a result of the first element being arithmetically processed by the processor element by supplying the first data to the processor element group including the element in parallel, A parallel processor that inputs data in parallel to a data output register of a parallel input serial output and outputs the second data as serial data from the serial output of the data output register, wherein the storage device in the processor element group includes the processor Are arranged more than the number of elements, When one storage device has a failure, the processor element group connects the data input / output line of the arithmetic device connected to the input / output terminal of the failed storage device to the input / output terminal of another storage device. And a switching circuit for switching connection.

【0031】また、本発明は、シリアルデータでなる複
数の第1のデータをシリアル入力パラレル出力のデータ
入力レジスタに入力し、当該データ入力レジスタのパラ
レル出力を記憶装置と演算装置からなる複数のプロセッ
サエレメントを備えたプロセッサエッレメント群に並列
に供給して、上記第1のデータを上記プロセッサエレメ
ントで演算処理し、当該演算結果として上記プロセッサ
エレメントから並列に出力される複数の第2のデータ
を、パラレル入力シリアル出力のデータ出力レジスタに
並列に入力し、当該データ出力レジスタのシリアル出力
より上記第2のデータをシリアルデータとして出力する
並列プロセッサであって、上記プロセッサエレメント群
における記憶装置は、上記プロセッサエレメントの数よ
り多く配置され、かつ、上記プロセッサエレメント群の
一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶装置
の入力端子に接続されていた上記データ入力レジスタの
データ出力ラインを、他の記憶装置の入力端子へ切り替
え接続する切替回路を有する。
According to the present invention, a plurality of first data consisting of serial data is inputted to a data input register of serial input parallel output, and a parallel output of the data input register is inputted to a plurality of processors comprising a storage device and an arithmetic device. A plurality of second data output in parallel from the processor element as a result of the first element being arithmetically processed by the processor element by supplying the first data to the processor element group including the element in parallel, A parallel processor that inputs data in parallel to a data output register of a parallel input serial output and outputs the second data as serial data from the serial output of the data output register, wherein the storage device in the processor element group includes the processor Are arranged more than the number of elements, In the case where one storage device of the processor element group has a failure, the data output line of the data input register connected to the input terminal of the failed storage device is switched to the input terminal of another storage device. And a switching circuit for switching.

【0032】また、本発明は、シリアルデータでなる複
数の第1のデータをシリアル入力パラレル出力のデータ
入力レジスタに入力し、当該データ入力レジスタのパラ
レル出力を記憶装置と演算装置からなる複数のプロセッ
サエレメントを備えたプロセッサエッレメント群に並列
に供給して、上記第1のデータを上記プロセッサエレメ
ントで演算処理し、当該演算結果として上記プロセッサ
エレメントから並列に出力される複数の第2のデータ
を、パラレル入力シリアル出力のデータ出力レジスタに
並列に入力し、当該データ出力レジスタのシリアル出力
より上記第2のデータをシリアルデータとして出力する
並列プロセッサであって、上記プロセッサエレメント群
における記憶装置は、上記プロセッサエレメントの数よ
り多く配置され、かつ、上記プロセッサエレメント群の
一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶装置
の出力端子に接続されていた上記データ出力レジスタの
データ入力ラインを、他の記憶装置の出力端子へ切り替
え接続する切替回路を有する。
Further, the present invention provides a plurality of processors comprising a storage device and an arithmetic device, wherein a plurality of first data consisting of serial data is inputted to a data input register of serial input parallel output, and the parallel output of the data input register is inputted. A plurality of second data output in parallel from the processor element as a result of the first element being arithmetically processed by the processor element by supplying the first data to the processor element group including the element in parallel, A parallel processor that inputs data in parallel to a data output register of a parallel input serial output and outputs the second data as serial data from the serial output of the data output register, wherein the storage device in the processor element group includes the processor Are arranged more than the number of elements, If there is a failure in one storage device of the processor element group, the data input line of the data output register connected to the output terminal of the failed storage device is switched to the output terminal of another storage device. And a switching circuit for switching.

【0033】また、本発明は、シリアルデータでなる複
数の第1のデータをシリアル入力パラレル出力のデータ
入力レジスタに入力し、当該データ入力レジスタのパラ
レル出力を記憶装置と演算装置からなる複数のプロセッ
サエレメントを備えたプロセッサエッレメント群に並列
に供給して、上記第1のデータを上記プロセッサエレメ
ントで演算処理し、当該演算結果として上記プロセッサ
エレメントから並列に出力される複数の第2のデータ
を、パラレル入力シリアル出力のデータ出力レジスタに
並列に入力し、当該データ出力レジスタのシリアル出力
より上記第2のデータをシリアルデータとして出力する
並列プロセッサであって、上記プロセッサエレメント群
における記憶装置は、上記プロセッサエレメントの数よ
り多く配置され、かつ、上記プロセッサエレメント群内
の一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶装
置の入出力端子に接続されていた上記演算装置のデータ
入出力ラインを、他の記憶装置の入出力端子へ切り替え
接続する第1の切替回路と、上記プロセッサエレメント
群の一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶
装置の入力端子に接続されていた上記データ入力レジス
タのデータ出力ラインを、他の記憶装置の入力端子へ切
り替え接続する第2の切替回路と、上記プロセッサエレ
メント群の一の記憶装置に故障がある場合には、故障し
た記憶装置の出力端子に接続されていた上記データ出力
レジスタのデータ入力ラインを、他の記憶装置の出力端
子へ切り替え接続する第3の切替回路とを有する。
Further, the present invention provides a plurality of processors comprising a storage device and an arithmetic device, wherein a plurality of first data consisting of serial data are inputted to a data input register of a serial input parallel output, and a parallel output of the data input register is inputted. A plurality of second data output in parallel from the processor element as a result of the first element being arithmetically processed by the processor element by supplying the first data to the processor element group including the element in parallel, A parallel processor that inputs data in parallel to a data output register of a parallel input serial output and outputs the second data as serial data from the serial output of the data output register, wherein the storage device in the processor element group includes the processor Are arranged more than the number of elements, If one storage device in the processor element group has a failure, the data input / output line of the arithmetic unit connected to the input / output terminal of the failed storage device is changed to the input / output terminal of another storage device. A first switching circuit for switching connection to a memory device, and when there is a failure in one storage device of the processor element group, the data output line of the data input register connected to the input terminal of the failed storage device, A second switching circuit for switching connection to an input terminal of another storage device; and, when one storage device of the processor element group has a failure, the data output connected to the output terminal of the failed storage device. A third switching circuit for switching and connecting the data input line of the register to the output terminal of another storage device.

【0034】本発明のデータ処理装置によれば、複数の
データのデータ数より多い数の記憶装置が設けられる。
そして、これらの記憶装置のうちの一の記憶装置に故障
がある場合には、切替回路により、故障した記憶装置の
入出力端子に接続されていたデータ入出力ラインが、他
の記憶装置の入出力端子へ切り替えられて接続される。
これにより、故障した記憶装置へのアクセスは禁止さ
れ、残りのデータ数分の記憶装置を用いてデータの書き
込みまたは読み出しが行われる。
According to the data processing device of the present invention, the number of storage devices is larger than the number of data of the plurality of data.
If one of these storage devices has a failure, the switching circuit changes the data input / output line connected to the input / output terminal of the failed storage device to the input / output terminal of another storage device. Switched to the output terminal and connected.
Thus, access to the failed storage device is prohibited, and data writing or reading is performed using the remaining storage devices.

【0035】また、記憶装置毎に故障し不良であるか否
かの情報を保持する情報保持手段が設けられている場合
には、切替回路においては、情報保持手段の情報に基づ
いて、不良であると指定された記憶装置の入出力端子に
接続されていたデータ入出力ラインが、他の記憶装置の
入出力端子へ切り替えられ接続される。
In the case where an information holding means for holding information as to whether or not a failure has occurred is provided for each storage device, the switching circuit determines whether or not a failure has occurred based on the information in the information holding means. The data input / output line connected to the input / output terminal of the storage device designated to be present is switched to and connected to the input / output terminal of another storage device.

【0036】また、本発明では、上記切替回路により、
故障した記憶装置の入出力端子に接続されていたデータ
入出力ラインが、隣接した記憶装置の入出力端子に切り
替えられて接続される。そして、以降の隣接したデータ
入出力ラインも順次隣接した記憶装置の入出力端子に切
り替えられて接続される。
Further, according to the present invention, by the switching circuit,
The data input / output line connected to the input / output terminal of the failed storage device is switched and connected to the input / output terminal of the adjacent storage device. Then, the subsequent adjacent data input / output lines are also sequentially switched to the input / output terminals of the adjacent storage device and connected.

【0037】また、本発明の並列プロセッサによれば、
シリアルデータがデータ入力レジスタに入力され、パラ
レルデータに変換されて、並列にプロセッサエレメント
群に出力される。プロセッサエレメント群においては、
記憶装置が、プロセッサエレメントの数より多く配置さ
れおており、これらの記憶装置のうちの一の記憶装置に
故障がある場合には、故障した記憶装置の入出力端子に
接続されていた演算装置のデータ入出力ラインが、他の
記憶装置の入出力端子へ切り替えられて接続される。
According to the parallel processor of the present invention,
Serial data is input to a data input register, converted into parallel data, and output to the processor element group in parallel. In the processor element group,
If the number of storage devices is greater than the number of processor elements and one of the storage devices has a failure, the arithmetic unit connected to the input / output terminal of the failed storage device Are switched to and connected to input / output terminals of another storage device.

【0038】これにより、プロセッサエレメント群にお
いては、故障した記憶装置へのアクセスは禁止され、残
りのデータ数分の記憶装置を用いてデータの書き込みま
たは読み出しが行われ、第2のデータが並列にデータ出
力レジスタに出力される。そして、データ出力レジスタ
においては、並列データがシリアルデータに変換されて
出力される。
Thus, in the processor element group, access to the failed storage device is prohibited, data is written or read using the remaining number of storage devices, and the second data is written in parallel. Output to the data output register. Then, in the data output register, the parallel data is converted into serial data and output.

【0039】また、プロセッサエレメント群の一の記憶
装置に故障がある場合には、たとえば第2の切替回路に
より故障した記憶装置の入力端子に接続されていた上記
データ入力レジスタのデータ出力ラインが、他の記憶装
置の入力端子へ切り替えられて接続される。さらにま
た、プロセッサエレメント群の一の記憶装置に故障があ
る場合には、たとえば第3の切替回路により故障した記
憶装置の出力端子に接続されていたデータ出力レジスタ
のデータ入力ラインが、他の記憶装置の出力端子へ切り
替えられて接続される。
When one storage device of the processor element group has a fault, for example, the data output line of the data input register connected to the input terminal of the faulty storage device by the second switching circuit becomes: The connection is switched to the input terminal of another storage device. Further, when one storage device of the processor element group has a failure, for example, the data input line of the data output register connected to the output terminal of the failed storage device by the third switching circuit is connected to another storage device. It is switched to the output terminal of the device and connected.

【0040】[0040]

【発明の実施の形態】第1実施形態 図1は、本発明に係るデータ処理装置の第1の実施形態
を示す回路図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a data processing device according to the present invention.

【0041】このデータ処理装置10は、(n+1)個
の記憶装置(メモリ)101−1〜101−n+1 、n個
の演算装置(ALU)102−1〜102−n、n個の
切替信号生成回路103−1〜103−n、およびn個
の切替回路104−1〜104−nにより構成され、n
個のデータを並列的に処理する。ただし、nは自然数で
ある。
The data processing device 10 includes (n + 1) storage devices (memory) 101-1 to 101-n + 1, n arithmetic units (ALU) 102-1 to 102-n, and n switching units. It is composed of signal generation circuits 103-1 to 103-n and n switching circuits 104-1 to 104-n.
Is processed in parallel. Here, n is a natural number.

【0042】記憶装置101−1〜101−n+1 は、列
アドレスによる列選択線と行アドレスによる行選択線に
よって選択される、たとえばDRAMやSRAMにより
構成され、演算装置102−1〜102−nにより、切
替回路104−1〜104−nを介してデータが書き込
みまたは読み出される。
Each of the storage devices 101-1 to 101-n + 1 is selected from a column selection line based on a column address and a row selection line based on a row address. According to n, data is written or read through the switching circuits 104-1 to 104-n.

【0043】記憶装置101−1のデータ入出力端子T
1は、切替回路104−1の入出力端子(L)に接続さ
れている。記憶装置101−2の入出力端子T2は、切
替回路104−1の入出力端子(H)および切替回路1
04−2の入出力端子(L)に接続されている。同様
に、記憶装置101−3〜101−nの入出力端子T3
〜Tnは、前段の切替回路104−2〜104−n-1 の
入出力端子(H)に接続されているとともに、対応する
段(同段)の切替回路104−3〜104−nの入出力
端子(L)に接続されている。そして、記憶装置104
−n+1 の入出力端子Tn+1 は切替回路104−nの入出
力端子(H)に接続されている。
Data input / output terminal T of storage device 101-1
1 is connected to the input / output terminal (L) of the switching circuit 104-1. The input / output terminal T2 of the storage device 101-2 is connected to the input / output terminal (H) of the switching circuit 104-1 and the switching circuit 1
04-2 is connected to the input / output terminal (L). Similarly, the input / output terminal T3 of the storage devices 101-3 to 101-n
To Tn are connected to the input / output terminals (H) of the switching circuits 104-2 to 104-n-1 at the preceding stage, and input / output terminals of the switching circuits 104-3 to 104-n at the corresponding stage (the same stage). It is connected to the output terminal (L). Then, the storage device 104
The -n + 1 input / output terminal Tn + 1 is connected to the input / output terminal (H) of the switching circuit 104-n.

【0044】記憶装置101−1〜101−n+1 は、n
個のデータを並列的に処理するデータ処理装置10にお
いて、演算装置102−1〜102−nによりアクセス
されるのはn個である。原則的には、記憶装置101−
1〜101−nが、個々に対応して設けられた演算装置
102−1〜102−nによりアクセスされる。そし
て、一つの記憶装置に故障が有る場合には、その記憶装
置を除いたn個の記憶装置が演算装置102−1〜10
2−nによりアクセスされる。
The storage devices 101-1 to 101-n + 1 store n
In the data processing device 10 that processes the pieces of data in parallel, n pieces of data are accessed by the arithmetic devices 102-1 to 102-n. In principle, the storage device 101-
1 to 101-n are accessed by the arithmetic units 102-1 to 102-n provided correspondingly. If one of the storage devices has a failure, the n storage devices excluding the storage device are replaced with the arithmetic devices 102-1 to 102-1.
2-n.

【0045】演算装置102−1〜102−nは、記憶
装置101−1〜101−nに対応して設けられてお
り、切替回路104−1〜104−nの切り替え状態に
応じて、それぞれ記憶装置101−1〜101−nまた
は次段(隣接)の記憶装置101−2〜101−n+1 に
記憶されたデータを読み出して演算処理し、その演算結
果を書き戻す。また、たとえば演算装置102−1〜1
02−nには、対応する記憶装置101−1〜101−
nに故障があるか否かの情報を格納する情報保持手段と
してのレジスタRFを有している。そして、各演算装置
102−1〜102−nは、レジスタFRの情報を対応
して設けられた切替信号生成回路103−1〜103−
nに供給する。具体的には、レジスタFRに対応する記
憶装置に故障があり不良であるという情報が格納されて
いる場合には、ハイレベルの信号が対応する切替信号生
成回路103−1〜103−nに供給する。
The computing devices 102-1 to 102-n are provided corresponding to the storage devices 101-1 to 101-n, and store the data in accordance with the switching state of the switching circuits 104-1 to 104-n. The data stored in the devices 101-1 to 101-n or the storage devices 101-2 to 101-n + 1 at the next stage (adjacent) are read out, subjected to arithmetic processing, and the operation results are written back. Also, for example, the arithmetic units 102-1 to 102-1
02-n, the corresponding storage devices 101-1 to 101-
It has a register RF as information holding means for storing information as to whether or not n has a failure. Then, each of the arithmetic units 102-1 to 102-n converts the switching signal generation circuits 103-1 to 103-
n. Specifically, when information indicating that the storage device corresponding to the register FR has a failure and is defective is stored, a high-level signal is supplied to the corresponding switching signal generation circuits 103-1 to 103-n. I do.

【0046】切替信号生成回路103−1は、対応する
レジスタFRからハイレベルの情報を受けた場合に、ハ
イレベルの切替信号SSWを生成して、切替回路104
−1に供給するとともに、次段の切替信号生成回路10
3−2に供給する。
When receiving the high-level information from the corresponding register FR, the switching signal generation circuit 103-1 generates a high-level switching signal SSW and outputs the high-level switching signal SSW.
-1 and the next-stage switching signal generation circuit 10
3-2.

【0047】切替信号生成回路103−2〜103−n-
1 は、それぞれ対応するレジスタFRからハイレベルの
情報を受けた場合または前段の切替信号生成回路103
−1〜103−n-2 によりハイレベルの切替信号SSW
を受けた場合に、ハイレベルの切替信号SSWを生成し
て、対応する切替回路104−2〜104−n-1 に供給
するとともに、次段の切替信号生成回路103−3〜1
04−n に供給する。
Switching signal generation circuits 103-2 to 103-n-
1 indicates a case where high-level information is received from the corresponding register FR or the switching signal generation circuit 103
-1 to 103-n-2, the high-level switching signal SSW
In response to the switching signal generation circuit 103, a high-level switching signal SSW is generated and supplied to the corresponding switching circuits 104-2 to 104-n-1.
04-n.

【0048】図2に、切替信号生成回路103−2〜1
03−n-1 の構成例を示す。図2に示すように、切替信
号生成回路103−2〜103−n-1 は、2入力のOR
ゲートGTにより構成される。
FIG. 2 shows switching signal generation circuits 103-2 to 103-1.
03-n-1 is shown as an example. As shown in FIG. 2, the switching signal generation circuits 103-2 to 103-n-1 have a two-input OR
It is constituted by a gate GT.

【0049】切替信号生成回路103−nは、対応する
レジスタFRからハイレベルの情報を受けた場合または
前段の切替信号生成回路103−n-1 によりハイレベル
の切替信号SSWを受けた場合に、ハイレベルの切替信
号SSWを生成して、対応する切替回路104−nに供
給する。
The switching signal generation circuit 103-n receives the high-level information from the corresponding register FR or receives the high-level switching signal SSW from the preceding switching signal generation circuit 103-n-1. The high-level switching signal SSW is generated and supplied to the corresponding switching circuit 104-n.

【0050】切替回路104−1〜104−nは、それ
ぞれ入出力端子(A)が対応して設けられた演算装置1
02−1〜102−nのデータ入出力端子に接続され、
対応する切替信号生成回路103−1〜103−nによ
る切替信号SSWを受けて、切替信号SSWがローレベ
ルの場合には、入出力端子(A)と入出力端子(L)と
を接続し、切替信号SSWがハイレベルに切り替わる
と、入出力端子(A)の接続を入出力端子(H)側に切
り替える。
The switching circuits 104-1 to 104-n are each provided with an input / output terminal (A).
02-1 to 102-n are connected to the data input / output terminals,
When the switching signal SSW is received from the corresponding switching signal generation circuits 103-1 to 103-n and the switching signal SSW is at a low level, the input / output terminal (A) and the input / output terminal (L) are connected. When the switching signal SSW is switched to the high level, the connection of the input / output terminal (A) is switched to the input / output terminal (H).

【0051】そして、前述したように、切替回路104
−1〜104−nの入出力端子(L)が対応する記憶装
置101−1〜101−nのデータ入出力端子T1〜T
nに接続され、入出力端子(H)が次段(隣接)の記憶
装置101−2〜101−n+1 のデータ入出力端子T2
〜Tn+1 に接続されている。
Then, as described above, the switching circuit 104
-1 to 104-n input / output terminals (L) correspond to the data input / output terminals T1 to T of the storage devices 101-1 to 101-n.
n, and the input / output terminal (H) is connected to the data input / output terminal T2 of the next (adjacent) storage device 101-2 to 101-n + 1.
To Tn + 1.

【0052】次に、上記構成による動作を、図3に関連
付けて説明する。ここでは、i(1<i<n)番目の記
憶装置101−iが不良で、対応する演算装置102−
iのレジスタFRに不良を示す論理レベルがハイレベル
の情報が格納されている場合を例に説明する。
Next, the operation of the above configuration will be described with reference to FIG. Here, the i-th (1 <i <n) -th storage device 101-i is defective and the corresponding arithmetic device 102-i
An example will be described in which information of a high logic level indicating a defect is stored in the register FR of i.

【0053】このとき、前段の記憶装置101−i-1 は
不良ではないので、対応する演算装置102−i-1 のレ
ジスタFRには論理レベルがローレベルの情報が格納さ
れている。したがって、切替信号生成回路103−i-1
からはローレベルの切替信号SSWが生成され、切替回
路104−i-1 および次段の切替信号生成回路103−
iに供給される。ローレベルの切替信号SSWを受けた
切替回路104−i-1 では、演算装置102−i-1 のデ
ータ入出力端子と接続された入出力端子(A)が記憶装
置101−i-1 の入出力端子Ti-1 に接続された入出力
端子(L)と接続された状態に保持される。したがっ
て、記憶装置101−i-1 は、対応する演算装置102
−i-1 によりアクセスされる。
At this time, since the storage device 101-i-1 at the preceding stage is not defective, information of a low logic level is stored in the register FR of the corresponding arithmetic device 102-i-1. Therefore, the switching signal generation circuit 103-i-1
, A low-level switching signal SSW is generated, and the switching circuit 104-i-1 and the next-stage switching signal generation circuit 103-
i. In the switching circuit 104-i-1 receiving the low-level switching signal SSW, the input / output terminal (A) connected to the data input / output terminal of the arithmetic unit 102-i-1 is connected to the input / output terminal of the storage device 101-i-1. It is kept connected to the input / output terminal (L) connected to the output terminal Ti-1. Therefore, the storage device 101-i-1 stores the corresponding arithmetic device 102
Accessed by −i-1.

【0054】これに対して、不良の記憶装置101−i
に対応する切替信号生成回路103−iでは、前段の切
替信号生成回路103−i-1 によりローレベルの切替信
号SSWが供給されるが、レジスタFRの情報がハイレ
ベルであることから、ハイレベルの切替信号SSWが生
成されて、切替回路104−iおよび次段の切替信号生
成回路103−i+1 に供給される。ハイレベルの切替信
号SSWを受けた切替回路104−iでは、演算装置1
02−iのデータ入出力端子と接続された入出力端子
(A)が次段の記憶装置101−i+1 の入出力端子Ti+
1 に接続された入出力端子(H)との接続に切り替えら
れる。したがって、記憶装置101−iは、いずれの演
算装置からもアクセスされず、次段の記憶装置101−
i+1 が、演算装置102−iによりアクセスされる。
On the other hand, the defective storage device 101-i
, The low-level switching signal SSW is supplied by the previous-stage switching signal generation circuit 103-i-1, but since the information in the register FR is high, Is generated and supplied to the switching circuit 104-i and the next-stage switching signal generation circuit 103-i + 1. In the switching circuit 104-i that has received the high-level switching signal SSW, the arithmetic unit 1
The input / output terminal (A) connected to the data input / output terminal 02-i is connected to the input / output terminal Ti + of the next storage device 101-i + 1.
The connection is switched to the input / output terminal (H) connected to 1. Therefore, the storage device 101-i is not accessed by any arithmetic device, and the storage device 101-i of the next stage is not accessed.
i + 1 is accessed by the arithmetic unit 102-i.

【0055】ハイレベルの切替信号SSWを受けた記憶
装置101−i+1 に対応する切替信号生成回路103−
i+1 では、ハイレベルの切替信号SSWが生成されて、
切替回路104−i+1 および次段の切替信号生成回路1
03−i+2 に供給される。ハイレベルの切替信号SSW
を受けた切替回路104−i+1 では、演算装置102−
i+1 のデータ入出力端子と接続された入出力端子(A)
が次段の記憶装置101−i+2 の入出力端子Ti+2 に接
続された入出力端子(H)との接続に切り替えられる。
したがって、次段の記憶装置101−i+2 が、演算装置
102−i+1 によりアクセスされる。
The switching signal generation circuit 103- corresponding to the storage device 101-i + 1 receiving the high level switching signal SSW.
At i + 1, a high-level switching signal SSW is generated,
Switching circuit 104-i + 1 and next-stage switching signal generation circuit 1
03-i + 2. High level switching signal SSW
In the switching circuit 104-i + 1 receiving the signal, the arithmetic unit 102-
Input / output terminal (A) connected to i + 1 data input / output terminal
Is switched to the connection with the input / output terminal (H) connected to the input / output terminal Ti + 2 of the storage device 101-i + 2 at the next stage.
Therefore, the next-stage storage device 101-i + 2 is accessed by the arithmetic device 102-i + 1.

【0056】同様に、ハイレベルの切替信号SSWを受
けた記憶装置101−i+2 に対応する切替信号生成回路
103−i+2 では、ハイレベルの切替信号SSWが生成
されて、切替回路104−i+2 および次段の切替信号生
成回路103−i+3 (図示せず、最終n段目の場合には
次段の切替信号生成回路は存在しない)に供給される。
ハイレベルの切替信号SSWを受けた切替回路104−
i+2 では、演算装置102−i+2 のデータ入出力端子と
接続された入出力端子(A)が次段の記憶装置101−
i+3 の入出力端子Ti+3 に接続された入出力端子(H)
との接続に切り替えられる。したがって、次段の記憶装
置101−i+3 が、演算装置102−i+2 によりアクセ
スされる。
Similarly, in the switching signal generation circuit 103-i + 2 corresponding to the storage device 101-i + 2 that has received the high level switching signal SSW, the high level switching signal SSW is generated and the switching circuit 104 is generated. −i + 2 and the next-stage switching signal generation circuit 103-i + 3 (not shown, there is no next-stage switching signal generation circuit in the case of the last n-th stage).
Switching circuit 104-receiving high-level switching signal SSW
At i + 2, the input / output terminal (A) connected to the data input / output terminal of the arithmetic unit 102-i + 2 is connected to the next storage unit 101-i.
Input / output terminal (H) connected to input / output terminal Ti + 3 of i + 3
Switch to connection with Therefore, the next-stage storage device 101-i + 3 is accessed by the arithmetic device 102-i + 2.

【0057】このように、不良の記憶装置が有る場合、
対応して設けられた演算装置のデータ入出力ラインは、
次段の記憶装置の入出力端子との接続に置き換えられ、
以降演算装置のデータ入出力ラインは次段(隣接)の記
憶装置の入出力端子との接続に置き換えて、n個の記憶
装置とn個の演算装置とのデータの入出力が並列的に行
われる。
As described above, when there is a defective storage device,
The data input / output lines of the arithmetic unit provided correspondingly
Replaced by connection to the input / output terminal of the next storage device,
Thereafter, the data input / output line of the arithmetic unit is replaced with the connection to the input / output terminal of the next (adjacent) storage device, and data input / output between n storage devices and n arithmetic units is performed in parallel. Will be

【0058】以上説明したように、本第1の実施形態に
よれば、入出力端子T1 〜Tn+1 を有する(n+1)個
の記憶装置101−1〜101−n+1 と、記憶装置10
1−1〜101nに対応して設けられた演算装置102
−1〜102−nと、n個の記憶装置101−1〜10
1−nに対応して設けられ、対応する記憶装置が不良で
あるか否かの情報を保持するn個のレジスタFRと、n
個の記憶装置101−1〜101−nに対応して設けら
れ、対応するレジスタFRの情報が記憶装置の不良を示
す場合または前段からの切替信号をハイレベルで受ける
とハイレベルの切替信号SSWを次段の回路および同段
の対応する切替回路に出力する切替信号生成回路103
−1〜103−nと、n個の演算装置102−1〜10
2−nに対応して設けられ、切替信号がローレベルのと
きは演算装置のデータ入出力ラインと対応する記憶装置
の入出力端子を接続し、切替信号がハイレベルに切り替
わると、演算装置のデータ入出力ラインを対応する記憶
装置の入出力端子から次段の記憶装置の入出力端子に切
り替え接続する切替回路104−1〜104−nとを設
けたので、面積増加を最小限に抑えながら故障が発生し
た場合の救済率を高めることができる利点がある。
As described above, according to the first embodiment, (n + 1) storage devices 101-1 to 101-n + 1 having input / output terminals T1 to Tn + 1, and storage device 10
Arithmetic unit 102 provided corresponding to 1-1 to 101n
-1 to 102-n and n storage devices 101-1 to 10-1
1-n, n registers FR for holding information on whether or not the corresponding storage device is defective;
Is provided corresponding to the storage devices 101-1 to 101-n, and when the information in the corresponding register FR indicates a failure of the storage device or when a switching signal from the preceding stage is received at a high level, the switching signal SSW of a high level is provided. Signal generation circuit 103 for outputting a signal to a next-stage circuit and a corresponding switching circuit in the same stage
-1 to 103-n and n arithmetic units 102-1 to 10-10
2-n, and when the switching signal is at a low level, the data input / output line of the arithmetic unit is connected to the corresponding input / output terminal of the storage device, and when the switching signal is switched to the high level, Since the switching circuits 104-1 to 104-n are provided for switching and connecting the data input / output lines from the input / output terminals of the corresponding storage device to the input / output terminals of the storage device at the next stage, it is possible to minimize the area increase. There is an advantage that the remedy rate when a failure occurs can be increased.

【0059】この場合、たとえば100個の演算装置を
配置した場合、面積増加は101/100=1.01倍にしかならな
い。
In this case, for example, when 100 arithmetic units are arranged, the area increase is only 101/100 = 1.01.

【0060】なお、本実施形態では、対応する記憶装置
が不良であるか否かを示す情報を保持するレジスタFR
を演算装置に設ける構成を例に説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、外部に設ける等、種々の
態様が可能であることはいうまでもない。
In this embodiment, the register FR holding information indicating whether or not the corresponding storage device is defective.
Has been described by way of example in the arithmetic device, but the present invention is not limited to this, and it goes without saying that various modes such as externally providing them are possible.

【0061】第2実施形態 図4は、本発明に係るデータ処理装置の第2の実施形態
を示す回路図である。
Second Embodiment FIG. 4 is a circuit diagram showing a data processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【0062】本第2の実施形態と前述した第1の実施形
態と異なる点は、各切替回路の入出力端子(H)を次段
の記憶装置の入出力端子に接続する代わりに、全切替回
路の入出力端子(H)を信号線GLを介して最終段の記
憶装置101−n+1 の入出力端子Tn+1 に共通に接続
し、一つの不良の記憶装置があった場合、すべて記憶装
置101−n+1 に代替えさせるようにしたことにある。
The difference between the second embodiment and the first embodiment is that instead of connecting the input / output terminal (H) of each switching circuit to the input / output terminal of the next-stage storage device, all the switching circuits are switched. The input / output terminal (H) of the circuit is commonly connected to the input / output terminal Tn + 1 of the last storage device 101-n + 1 via the signal line GL, and if there is one defective storage device, This is because the storage device 101-n + 1 is substituted.

【0063】そして、本第2の実施形態の場合には、切
替信号生成回路103a−1〜103a−nは、図4に
示すように、切替信号SSWを同段の切替回路104a
−1〜104a−nに出力するのみで、次段の切替信号
生成回路には出力する必要はない。なお、本実施形態に
係る切替信号生成回路103a−1〜103a−n、た
とえば対応する記憶装置が不良であるか否かを示す情報
を保持するレジスタFRと置き換えて構成することがで
きる。
In the case of the second embodiment, the switching signal generation circuits 103a-1 to 103a-n output the switching signal SSW to the switching circuit 104a of the same stage as shown in FIG.
The signals are only output to -1 to 104a-n and need not be output to the next-stage switching signal generation circuit. The switching signal generation circuits 103a-1 to 103a-n according to the present embodiment, for example, can be configured by replacing with a register FR holding information indicating whether or not a corresponding storage device is defective.

【0064】次に、上記構成による動作を図5に関連付
けて説明する。ここでは、i(1<i<n)番目の記憶
装置101−iが不良で、対応する演算装置102−i
のレジスタFRに不良を示す論理レベルがハイレベルの
情報が格納されている場合を例に説明する。
Next, the operation of the above configuration will be described with reference to FIG. Here, the i-th (1 <i <n) -th storage device 101-i is defective and the corresponding arithmetic device 102-i
An example will be described in which information of a high logic level indicating a defect is stored in register FR.

【0065】このとき、前段の記憶装置101−i-1 は
不良ではないので、対応する演算装置102−i-1 のレ
ジスタFRには論理レベルがローレベルの情報が格納さ
れている。したがって、切替信号生成回路103a−i-
1 からはローレベルの切替信号SSWが生成され、切替
回路104a−i-1 に供給される。ローレベルの切替信
号SSWを受けた切替回路104a−i-1 では、演算装
置102−i-1 のデータ入出力端子と接続された入出力
端子(A)が記憶装置101−i-1 の入出力端子Ti-1
に接続された入出力端子(L)と接続された状態に保持
される。したがって、記憶装置101−i-1 は、対応す
る演算装置102−i-1 によりアクセスされる。
At this time, since the storage device 101-i-1 at the preceding stage is not defective, information of a low logic level is stored in the register FR of the corresponding arithmetic device 102-i-1. Therefore, the switching signal generation circuit 103a-i-
1 generates a low-level switching signal SSW, which is supplied to the switching circuit 104a-i-1. In the switching circuit 104a-i-1 that has received the low-level switching signal SSW, the input / output terminal (A) connected to the data input / output terminal of the arithmetic device 102-i-1 is connected to the input / output terminal of the storage device 101-i-1. Output terminal Ti-1
Is maintained in a state of being connected to the input / output terminal (L) connected to the terminal. Therefore, the storage device 101-i-1 is accessed by the corresponding arithmetic device 102-i-1.

【0066】これに対して、不良の記憶装置101−i
に対応する切替信号生成回路103a−iでは、レジス
タFRの情報がハイレベルであることから、ハイレベル
の切替信号SSWが生成されて、切替回路104a−i
に供給される。ハイレベルの切替信号SSWを受けた切
替回路104a−iでは、演算装置102−iのデータ
入出力端子と接続された入出力端子(A)が、信号線G
Lを介して最終段の記憶装置101−n+1 の入出力端子
Tn+1 に接続された入出力端子(H)との接続に切り替
えられる。したがって、記憶装置101−iは、いずれ
の演算装置からもアクセスされず、最終段の記憶装置1
01−i+1 が、演算装置102−iによりアクセスされ
る。
On the other hand, the defective storage device 101-i
Since the information in the register FR is at the high level, the switching signal generation circuit 103a-i corresponding to
Supplied to In the switching circuit 104a-i that has received the high-level switching signal SSW, the input / output terminal (A) connected to the data input / output terminal of the arithmetic device 102-i is connected to the signal line G
The connection is switched to the input / output terminal (H) connected to the input / output terminal Tn + 1 of the last storage device 101-n + 1 via L. Therefore, the storage device 101-i is not accessed by any arithmetic device, and the storage device 1 at the last stage is not accessed.
01-i + 1 is accessed by the arithmetic unit 102-i.

【0067】また、このとき、次段の記憶装置101−
i+1 は不良ではないので、対応する演算装置102a−
i+1 のレジスタFRには論理レベルがローレベルの情報
が格納されている。したがって、切替信号生成回路10
3a−i+1 からはローレベルの切替信号SSWが生成さ
れ、切替回路104a−i+1 に供給される。ローレベル
の切替信号SSWを受けた切替回路104a−i+1 で
は、演算装置102−i+1 のデータ入出力端子と接続さ
れた入出力端子(A)が記憶装置101−i+1 の入出力
端子Ti+1 に接続された入出力端子(L)と接続された
状態に保持される。したがって、記憶装置101−i+1
は、対応する演算装置102−i+1 によりアクセスされ
る。
At this time, the storage device 101-
Since i + 1 is not defective, the corresponding arithmetic unit 102a-
The register FR of i + 1 stores information of a low logic level. Therefore, the switching signal generation circuit 10
A low-level switching signal SSW is generated from 3a-i + 1 and supplied to the switching circuit 104a-i + 1. In the switching circuit 104a-i + 1 that has received the low-level switching signal SSW, the input / output terminal (A) connected to the data input / output terminal of the arithmetic device 102-i + 1 is connected to the input / output terminal of the storage device 101-i + 1. It is kept connected to the input / output terminal (L) connected to the output terminal Ti + 1. Therefore, the storage device 101-i + 1
Are accessed by the corresponding arithmetic unit 102-i + 1.

【0068】このように、不良の記憶装置が有る場合、
対応して設けられた演算装置のデータ入出力ラインは、
最終段の記憶装置の入出力端子との接続に置き換えら
れ、n個の記憶装置とn個の演算装置とのデータの入出
力が並列的に行われる。
As described above, when there is a defective storage device,
The data input / output lines of the arithmetic unit provided correspondingly
The connection to the input / output terminals of the storage device at the last stage is replaced, and the input / output of data between the n storage devices and the n arithmetic devices is performed in parallel.

【0069】本第2の実施形態によれば、上述した第1
の実施形態と同様の効果を得ることができる。
According to the second embodiment, the first
The same effect as that of the embodiment can be obtained.

【0070】第3実施形態 図6は、本発明に係るデータ処理装置の第3の実施形態
を示す回路図である。
Third Embodiment FIG. 6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the data processing apparatus according to the present invention.

【0071】このデータ処理装置20は、(n+1)個
の記憶装置(メモリ)201−1〜201−n+1 、デー
タ入力レジスタ(DIR)202、n個の切替信号生成
回路203−1〜203−n、およびn個の切替回路2
04−1〜204−nにより構成され、n個のデータを
並列的に処理する。ただし、nは2より大きい自然数で
ある。
The data processing device 20 includes (n + 1) storage devices (memory) 201-1 to 201-n + 1, a data input register (DIR) 202, and n switching signal generation circuits 203-1 to 203. -N and n switching circuits 2
04-1 to 204-n, and processes n pieces of data in parallel. Here, n is a natural number larger than 2.

【0072】記憶装置201−1〜201−n+1 は、列
アドレスによる列選択線と行アドレスによる行選択線に
よって選択される、たとえばDRAMやSRAMにより
構成され、データ入力レジスタ202による並列データ
を記憶する。
Each of the storage devices 201-1 to 201-n + 1 is constituted by, for example, a DRAM or an SRAM selected by a column selection line based on a column address and a row selection line based on a row address. Remember.

【0073】記憶装置201−1のデータ入力端子IT
1は、切替回路204−1の出力端子(L)に接続され
ている。記憶装置201−2の入力端子IT2は、切替
回路204−1の出力端子(H)および切替回路204
−2の出力端子(L)に接続されている。同様に、記憶
装置201−3〜201−nの入力端子IT3〜ITn
は、前段の切替回路204−2〜204−n-1 の出力端
子(H)に接続されているとともに、対応する段(同
段)の切替回路204−3〜204−nの出力端子
(L)に接続されている。そして、記憶装置204−n+
1 の入力端子ITn+1 は切替回路204−nの出力端子
(H)に接続されている。
Data input terminal IT of storage device 201-1
1 is connected to the output terminal (L) of the switching circuit 204-1. The input terminal IT2 of the storage device 201-2 is connected to the output terminal (H) of the switching circuit 204-1 and the switching circuit 204.
-2 output terminal (L). Similarly, the input terminals IT3 to ITn of the storage devices 201-3 to 201-n
Are connected to the output terminals (H) of the preceding-stage switching circuits 204-2 to 204-n-1 and output terminals (L) of the corresponding-stage (same-stage) switching circuits 204-3 to 204-n. )It is connected to the. Then, the storage device 204-n +
The 1 input terminal ITn + 1 is connected to the output terminal (H) of the switching circuit 204-n.

【0074】記憶装置201−1〜201−n+1 は、n
個のデータを並列的に処理するデータ処理装置20にお
いて、データ入力レジスタ202によりアクセスされる
のはn個である。そして、一つの記憶装置に故障が有る
場合には、その記憶装置を除いたn個の記憶装置がデー
タ入力レジスタ202によりアクセスされる。
The storage devices 201-1 to 201-n + 1 store n
In the data processing device 20 that processes a plurality of pieces of data in parallel, n pieces of data are accessed by the data input register 202. When one storage device has a failure, n storage devices other than the storage device are accessed by the data input register 202.

【0075】データ入力レジスタ202は、シリアルデ
ータからなる複数(n個)のデータSINを入力して、
並列データに変換して切替回路204−1〜204−n
に出力する。たとえば、入力シリアルデータが、画像処
理における1走査線分の画素データである場合には、並
列データはブランキング期間に出力される。
The data input register 202 receives a plurality of (n) data SINs composed of serial data,
Switching to parallel data and switching circuits 204-1 to 204-n
Output to For example, when the input serial data is pixel data for one scanning line in image processing, the parallel data is output during a blanking period.

【0076】また、たとえばデータ入力レジスタ202
は、データ出力先である各記憶装置201−1〜201
−nに故障があるか否かの情報を格納するレジスタFR
をn個有している。そして、データ入力レジスタ202
は、レジスタFRの情報を対応して設けられた切替信号
生成回路203−1〜203−nに供給する。具体的に
は、レジスタFRに対応する記憶装置に故障があるとい
う情報が格納されている場合には、ハイレベルの信号を
対応する切替信号生成回路203−1〜203−nに供
給する。
Further, for example, data input register 202
Indicates each of the storage devices 201-1 to 201 as data output destinations.
A register FR for storing information on whether or not there is a failure in -n
N. Then, the data input register 202
Supplies the information of the register FR to the corresponding switching signal generation circuits 203-1 to 203-n. Specifically, when information indicating that there is a failure is stored in the storage device corresponding to the register FR, a high-level signal is supplied to the corresponding switching signal generation circuits 203-1 to 203-n.

【0077】切替信号生成回路203−1は、対応する
レジスタFRからハイレベルの情報を受けた場合に、ハ
イレベルの切替信号SSWを生成して、切替回路204
−1に供給するとともに、次段の切替信号生成回路20
3−2に供給する。
When receiving the high-level information from the corresponding register FR, the switching signal generation circuit 203-1 generates a high-level switching signal SSW, and outputs the high-level switching signal SSW.
-1 and the next-stage switching signal generation circuit 20
3-2.

【0078】切替信号生成回路203−2〜203−n-
1 は、それぞれ対応するレジスタFRからハイレベルの
情報を受けた場合または前段の切替信号生成回路203
−1〜203−n-2 によりハイレベルの切替信号SSW
を受けた場合に、ハイレベルの切替信号SSWを生成し
て、対応する切替回路204−2〜204−n-1 に供給
するとともに、次段の切替信号生成回路203−3〜2
04−n に供給する。
Switching signal generation circuits 203-2 to 203-n-
1 is when the high-level information is received from the corresponding register FR or when the switching signal generation circuit 203 of the preceding stage is received.
-1 to 203-n-2, the high-level switching signal SSW
In response to the switching signal generation circuit 203, a high-level switching signal SSW is generated and supplied to the corresponding switching circuits 204-2 to 204-n-1.
04-n.

【0079】なお、切替信号生成回路203−2〜20
3−n-1 は、たとえば図2と同様に2入力のORゲート
GTにより構成される。
The switching signal generation circuits 203-2 to 203-20
3-n-1 is constituted by a 2-input OR gate GT, for example, as in FIG.

【0080】切替信号生成回路203−nは、対応する
レジスタFRからハイレベルの情報を受けた場合または
前段の切替信号生成回路203−n-1 によりハイレベル
の切替信号SSWを受けた場合に、ハイレベルの切替信
号SSWを生成して、対応する切替回路204−nに供
給する。
The switching signal generation circuit 203-n receives the high-level information from the corresponding register FR or receives the high-level switching signal SSW from the preceding switching signal generation circuit 203-n-1. The high-level switching signal SSW is generated and supplied to the corresponding switching circuit 204-n.

【0081】切替回路204−1〜204−nは、それ
ぞれ入力端子(A)が対応して設けられたデータ入力レ
ジスタ202のデータ出力端子にそれぞれ接続され、対
応する切替信号生成回路203−1〜203−nによる
切替信号SSWを受けて、切替信号SSWがローレベル
の場合には、入力端子(A)と出力端子(L)とを接続
し、切替信号SSWがハイレベルに切り替わると、入力
端子(A)の接続を出力端子(H)側に切り替える。
The switching circuits 204-1 to 204-n are respectively connected to the data output terminals of the data input register 202 provided with the corresponding input terminals (A), and correspond to the corresponding switching signal generation circuits 203-1 to 204-n. In response to the switching signal SSW by the signal 203-n, when the switching signal SSW is at a low level, the input terminal (A) is connected to the output terminal (L), and when the switching signal SSW is switched to a high level, the input terminal The connection of (A) is switched to the output terminal (H) side.

【0082】そして、前述したように、切替回路204
−2〜204−nの出力端子(L)が対応する記憶装置
201−1〜201−nのデータ入力端子IT1〜IT
nに接続され、出力端子(H)が次段(隣接)の記憶装
置201−2〜201−n+1のデータ入力端子IT2〜
ITn+1 に接続されている。
Then, as described above, the switching circuit 204
The data input terminals IT1 to IT of the storage devices 201-1 to 201-n correspond to the output terminals (L) of −2 to 204-n.
n, and the output terminal (H) is connected to the data input terminals IT2 to IT2 of the storage devices 201-2 to 201-n + 1 of the next stage (adjacent).
It is connected to ITn + 1.

【0083】次に、上記構成による動作を、図7に関連
付けて説明する。ここでは、i(1<i<n)番目の記
憶装置201−iが不良で、データ入力レジスタ202
の対応するレジスタFRに不良を示す論理レベルがハイ
レベルの情報が格納されている場合を例に説明する。
Next, the operation of the above configuration will be described with reference to FIG. Here, the i-th (1 <i <n) -th storage device 201-i is defective and the data input register 202
An example in which the corresponding register FR stores information of a high logic level indicating a defect will be described.

【0084】このとき、前段の記憶装置201−i-1 は
不良ではないので、データ入力レジスタ202の対応す
るレジスタFRには論理レベルがローレベルの情報が格
納されている。したがって、切替信号生成回路203−
i-1 からはローレベルの切替信号SSWが生成され、切
替回路204−i-1 および次段の切替信号生成回路20
3−iに供給される。ローレベルの切替信号SSWを受
けた切替回路204−i-1 では、データ入力レジスタ2
02の(i−1)番目のデータ出力端子と接続された入
力端子(A)が記憶装置201−i-1 の入力端子ITi-
1 に接続された出力端子(L)と接続された状態に保持
される。したがって、記憶装置201−i-1 には、デー
タ入力レジスタ202の対応す出力端子から出力された
データが格納される。
At this time, since the storage device 201-i-1 at the preceding stage is not defective, the register FR corresponding to the data input register 202 stores information of a low logic level. Therefore, the switching signal generation circuit 203-
A low-level switching signal SSW is generated from i-1 and the switching circuit 204-i-1 and the next-stage switching signal generation circuit 20
3-i. In the switching circuit 204-i-1 receiving the low-level switching signal SSW, the data input register 2
The input terminal (A) connected to the (i-1) th data output terminal of the storage device 201 is the input terminal ITi- of the storage device 201-i-1.
It is kept connected to the output terminal (L) connected to 1. Therefore, the data output from the corresponding output terminal of the data input register 202 is stored in the storage device 201-i-1.

【0085】これに対して、不良の記憶装置201−i
に対応する切替信号生成回路203−iでは、前段の切
替信号生成回路203−i-1 によりローレベルの切替信
号SSWが供給されるが、レジスタFRの情報がハイレ
ベルであることから、ハイレベルの切替信号SSWが生
成されて、切替回路204−iおよび次段の切替信号生
成回路203−i+1 に供給される。ハイレベルの切替信
号SSWを受けた切替回路204−iでは、データ入力
レジスタ202のi番目のデータ出力端子と接続された
入出力端子(A)が次段の記憶装置201−i+1 の入力
端子ITi+1 に接続された出力端子(H)との接続に切
り替えられる。したがって、記憶装置201−iはアク
セスされず、次段の記憶装置201−i+1 にi番目のデ
ータ出力端子から出力されたデータが格納される。
On the other hand, the defective storage device 201-i
, A low-level switching signal SSW is supplied by the preceding-stage switching signal generation circuit 203-i-1, but since the information in the register FR is at a high level, Is generated and supplied to the switching circuit 204-i and the next-stage switching signal generation circuit 203-i + 1. In the switching circuit 204-i that has received the high-level switching signal SSW, the input / output terminal (A) connected to the i-th data output terminal of the data input register 202 is connected to the input of the next-stage storage device 201-i + 1. The connection is switched to the output terminal (H) connected to the terminal ITi + 1. Therefore, the storage device 201-i is not accessed, and the data output from the i-th data output terminal is stored in the next storage device 201-i + 1.

【0086】ハイレベルの切替信号SSWを受けた記憶
装置201−i+1 に対応する切替信号生成回路203−
i+1 では、ハイレベルの切替信号SSWが生成されて、
切替回路204−i+1 および次段の切替信号生成回路2
03−i+2 に供給される。ハイレベルの切替信号SSW
を受けた切替回路204−i+1 では、データ入力レジス
タ202の(i+1)番目のデータ出力端子と接続され
た入力端子(A)が次段の記憶装置201−i+2 の入力
端子ITi+2 に接続された出力端子(H)との接続に切
り替えられる。したがって、データ入力レジスタ202
の(i+1)番目のデータ出力端子から出力されたデー
タが次段の記憶装置201−i+2 に格納される。
The switching signal generation circuit 203- corresponding to the storage device 201-i + 1 receiving the high level switching signal SSW
At i + 1, a high-level switching signal SSW is generated,
Switching circuit 204-i + 1 and next-stage switching signal generation circuit 2
03-i + 2. High level switching signal SSW
In the switching circuit 204-i + 1 receiving this, the input terminal (A) connected to the (i + 1) -th data output terminal of the data input register 202 becomes the input terminal ITi + of the storage device 201-i + 2 in the next stage. The connection to the output terminal (H) connected to 2 is switched. Therefore, the data input register 202
The data output from the (i + 1) th data output terminal is stored in the next-stage storage device 201-i + 2.

【0087】同様に、ハイレベルの切替信号SSWを受
けた記憶装置201−i+2 に対応する切替信号生成回路
203−i+2 では、ハイレベルの切替信号SSWが生成
されて、切替回路204−i+2 および次段の切替信号生
成回路203−i+3 (図示せず、最終n段目の場合には
次段の切替信号生成回路は存在しない)に供給される。
ハイレベルの切替信号SSWを受けた切替回路204−
i+2 では、データ入力レジスタ202の(i+2)番目
のデータ出力端子と接続された入力端子(A)が次段の
記憶装置201−i+3 の入力端子ITi+3 に接続された
出力端子(H)との接続に切り替えられる。したがっ
て、データ入力レジスタ202の(i+2)番目のデー
タ出力端子から出力されたデータが次段の記憶装置20
1−i+3 に格納される。
Similarly, the switching signal generation circuit 203-i + 2 corresponding to the storage device 201-i + 2 that has received the high-level switching signal SSW generates the high-level switching signal SSW, and −i + 2 and the next-stage switching signal generation circuit 203-i + 3 (not shown, and in the case of the last n-th stage, there is no next-stage switching signal generation circuit).
Switching circuit 204-receiving high-level switching signal SSW
At i + 2, the input terminal (A) connected to the (i + 2) th data output terminal of the data input register 202 is the output terminal connected to the input terminal ITi + 3 of the next storage device 201-i + 3. (H). Therefore, the data output from the (i + 2) th data output terminal of the data input register 202 is stored in the next storage device 20.
It is stored in 1-i + 3.

【0088】このように、不良の記憶装置が有る場合、
対応して設けられたデータ入力レジスタのデータ出力ラ
インは、次段の記憶装置の入力端子との接続に置き換え
られ、以降データ入力レジスタのデータ出力ラインは次
段(隣接)の記憶装置の入力端子との接続に置き換えら
れて、並列データの記憶装置への格納動作が行われる。
As described above, when there is a defective storage device,
The data output line of the correspondingly provided data input register is replaced with a connection to the input terminal of the storage device of the next stage, and the data output line of the data input register thereafter becomes the input terminal of the storage device of the next stage (adjacent). And the operation of storing the parallel data in the storage device is performed.

【0089】以上説明したように、本第3の実施形態に
よれば、上述した第1の実施形態と同様に、面積増加を
最小限に抑えながら故障が発生した場合の救済率を高め
ることができる利点がある。
As described above, according to the third embodiment, as in the first embodiment, it is possible to increase the rescue rate when a failure occurs while minimizing the area increase. There are advantages that can be done.

【0090】なお、本実施形態では、対応する記憶装置
が不良であるか否かを示す情報を保持するレジスタFR
をデータ入力レジスタに設ける構成を例に説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、外部に設ける
等、種々の態様が可能であることはいうまでもない。
In this embodiment, the register FR holding information indicating whether or not the corresponding storage device is defective.
Has been described as an example in which is provided in the data input register.
The present invention is not limited to this, and it is needless to say that various modes such as externally provided are possible.

【0091】第4実施形態 図8は、本発明に係るデータ処理装置の第4の実施形態
を示す回路図である。
Fourth Embodiment FIG. 8 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the data processing device according to the present invention.

【0092】本第4の実施形態と前述した第3の実施形
態と異なる点は、各切替回路の出力端子(H)を次段の
記憶装置の入力端子に接続する代わりに、全切替回路の
出力端子(H)を信号線GLを介して最終段の記憶装置
201−n+1 の入力端子ITn+1 に共通に接続し、一つ
の不良の記憶装置があった場合、すべて記憶装置201
−n+1 に代替えさせるようにしたことにある。
The difference between the fourth embodiment and the third embodiment is that instead of connecting the output terminal (H) of each switching circuit to the input terminal of the next-stage storage device, all the switching circuits are switched. The output terminal (H) is commonly connected to the input terminal ITn + 1 of the last storage device 201-n + 1 via the signal line GL, and if there is one defective storage device, all the storage devices 201
-N + 1.

【0093】そして、本第4の実施形態の場合には、切
替信号生成回路203a−1〜203a−nは、図8に
示すように、切替信号SSWを同段の切替回路204a
−1〜204−nに出力するのみで、次段の切替信号生
成回路には出力する必要はない。なお、本実施形態に係
る切替信号生成回路203a−1〜203a−n、たと
えば対応する記憶装置が不良であるか否かを示す情報を
保持するレジスタFRと置き換えて構成することができ
る。
In the case of the fourth embodiment, the switching signal generation circuits 203a-1 to 203a-n output the switching signal SSW to the switching circuit 204a of the same stage as shown in FIG.
The signals are only output to −1 to 204-n and need not be output to the next-stage switching signal generation circuit. The switching signal generation circuits 203a-1 to 203a-n according to the present embodiment, for example, can be configured by replacing with a register FR that holds information indicating whether a corresponding storage device is defective.

【0094】第4の実施形態によれば、前述した第3の
実施形態と同様の効果を得ることができる。
According to the fourth embodiment, the same effects as those of the third embodiment can be obtained.

【0095】第5実施形態 図9は、本発明に係るデータ処理装置の第5の実施形態
を示す回路図である。
Fifth Embodiment FIG. 9 is a circuit diagram showing a data processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【0096】このデータ処理装置30は、(n+1)個
の記憶装置(メモリ)301−1〜301−n+1 、デー
タ出力レジスタ(DOR)302、n個の切替信号生成
回路303−1〜303−n、およびn個の切替回路3
04−1〜304−nにより構成され、n個のデータを
並列的に処理する。ただし、nは2より大きい自然数で
ある。
The data processing device 30 includes (n + 1) storage devices (memory) 301-1 to 301-n + 1, a data output register (DOR) 302, and n switching signal generation circuits 303-1 to 303. -N and n switching circuits 3
04-1 to 304-n, and processes n pieces of data in parallel. Here, n is a natural number larger than 2.

【0097】記憶装置301−1〜301−n+1 は、列
アドレスによる列選択線と行アドレスによる行選択線に
よって選択される、たとえばDRAMやSRAMにより
構成され、それぞれ記憶データを出力端子OT1〜OT
nから出力する。
Each of the storage devices 301-1 to 301-n + 1 is selected by a column selection line based on a column address and a row selection line based on a row address, and is constituted by, for example, a DRAM or an SRAM. OT
Output from n.

【0098】記憶装置301−1の出力端子OT1は、
切替回路304−1の入力端子(L)に接続されてい
る。記憶装置301−2の出力端子OT2は、前段の切
替回路304−1の入力端子(H)および切替回路30
4−2の入力端子(L)に接続されている。同様に、記
憶装置301−3〜301−nの出力端子OT3〜OT
nは、前段の切替回路304−2〜304−n-1 の入力
端子(H)に接続されているとともに、対応する段(同
段)の切替回路304−3〜304−nの入力端子
(L)に接続されている。そして、記憶装置304−n+
1 の出力端子OTn+1 は切替回路204−nの入力端子
(H)に接続されている。
The output terminal OT1 of the storage device 301-1 is
It is connected to the input terminal (L) of the switching circuit 304-1. The output terminal OT2 of the storage device 301-2 is connected to the input terminal (H) of the preceding switching circuit 304-1 and the switching circuit 30.
4-2 is connected to the input terminal (L). Similarly, the output terminals OT3 to OT of the storage devices 301-3 to 301-n
n is connected to the input terminals (H) of the switching circuits 304-2 to 304-n-1 in the preceding stage, and is connected to the input terminals (H) of the switching circuits 304-3 to 304-n in the corresponding stage (the same stage). L). Then, the storage device 304-n +
1 output terminal OTn + 1 is connected to the input terminal (H) of the switching circuit 204-n.

【0099】データ出力レジスタ302で受け入れられ
る記憶装置301−1〜301−n+1 の出力データは、
n個である。そして、一つの記憶装置に故障が有る場合
には、その記憶装置を除いたn個の記憶装置のデータが
データ出力レジスタ302に出力される。
The output data of the storage devices 301-1 to 301-n + 1 accepted by the data output register 302 is as follows:
n. When one storage device has a failure, data of n storage devices excluding the storage device is output to the data output register 302.

【0100】データ出力レジスタ302は、切替回路3
04−1〜304−nを介して入力されるパラレルデー
タをシリアルデータSOUTに変換して出力する。ま
た、たとえばデータ出力レジスタ302は、データを出
力する各記憶装置301−1〜301−nに故障がある
か否かの情報を格納するレジスタFRをn個有してい
る。そして、データ出力レジスタ302は、レジスタF
Rの情報を対応して設けられた切替信号生成回路303
−1〜303−nに供給する。具体的には、レジスタF
Rに対応する記憶装置に故障があるという情報が格納さ
れている場合には、ハイレベルの信号を対応する切替信
号生成回路303−1〜303−nに供給する。
The data output register 302 includes the switching circuit 3
The parallel data input through the input terminals 04-1 to 304-n are converted into serial data SOUT and output. Further, for example, the data output register 302 has n registers FR for storing information as to whether or not each of the storage devices 301-1 to 301-n that output data has a failure. Then, the data output register 302 stores the register F
Switching signal generation circuit 303 provided corresponding to R information
-1 to 303-n. Specifically, register F
If information indicating that there is a failure is stored in the storage device corresponding to R, a high-level signal is supplied to the corresponding switching signal generation circuits 303-1 to 303-n.

【0101】切替信号生成回路303−1は、対応する
レジスタFRからハイレベルの情報を受けた場合に、ハ
イレベルの切替信号SSWを生成して、切替回路304
−1に供給するとともに、次段の切替信号生成回路30
3−2に供給する。
When receiving the high level information from the corresponding register FR, the switching signal generation circuit 303-1 generates a high level switching signal SSW, and
-1 and the switching signal generation circuit 30 of the next stage.
3-2.

【0102】切替信号生成回路303−2〜303−n-
1 は、それぞれ対応するレジスタFRからハイレベルの
情報を受けた場合または前段の切替信号生成回路303
−1〜303−n-2 によりハイレベルの切替信号SSW
を受けた場合に、ハイレベルの切替信号SSWを生成し
て、対応する切替回路304−2〜304−n-1 に供給
するとともに、次段の切替信号生成回路303−3〜3
04−n に供給する。
Switching signal generation circuits 303-2 to 303-n-
1 is when the high-level information is received from the corresponding register FR or when the switching signal generation circuit 303
-1 to 303-n-2, the high-level switching signal SSW
When receiving the switching signal, the switching signal generating circuit 303 generates a high-level switching signal SSW and supplies it to the corresponding switching circuits 304-2 to 304-n-1.
04-n.

【0103】なお、切替信号生成回路303−2〜30
3−n-1 は、たとえば図2と同様に2入力のORゲート
GTにより構成される。
The switching signal generation circuits 303-2 to 303-30
3-n-1 is constituted by a 2-input OR gate GT, for example, as in FIG.

【0104】切替信号生成回路303−nは、対応する
レジスタFRからハイレベルの情報を受けた場合または
前段の切替信号生成回路303−n-1 によりハイレベル
の切替信号SSWを受けた場合に、ハイレベルの切替信
号SSWを生成して、対応する切替回路304−nに供
給する。
The switching signal generation circuit 303-n receives the high-level information from the corresponding register FR or receives the high-level switching signal SSW from the preceding switching signal generation circuit 303-n-1. A high-level switching signal SSW is generated and supplied to the corresponding switching circuit 304-n.

【0105】切替回路304−1〜304−nは、それ
ぞれ出力端子(A)が対応して設けられたデータ出力レ
ジスタ302のデータ出力端子にそれぞれ接続され、対
応する切替信号生成回路303−1〜303−nによる
切替信号SSWを受けて、切替信号SSWがローレベル
の場合には、出力端子(A)と入力端子(L)とを接続
し、切替信号SSWがハイレベルに切り替わると、出力
端子(A)の接続を入力端子(H)側に切り替える。
The switching circuits 304-1 to 304-n are respectively connected to the data output terminals of the data output register 302 provided with the corresponding output terminals (A), and the corresponding switching signal generation circuits 303-1 to 304-n. In response to the switching signal SSW by 303-n, when the switching signal SSW is at a low level, the output terminal (A) is connected to the input terminal (L). When the switching signal SSW is switched to a high level, the output terminal (A) is output. The connection of (A) is switched to the input terminal (H) side.

【0106】そして、前述したように、切替回路304
−2〜304−nの入力端子(L)が対応する記憶装置
301−1〜301−nの出力端子OT1〜OTnに接
続され、入力端子(H)が次段(隣接)の記憶装置30
1−2〜301−n+1 の出力端子OT2〜OTn+1 に接
続されている。
Then, as described above, the switching circuit 304
The input terminals (L) of −2 to 304-n are connected to the output terminals OT1 to OTn of the corresponding storage devices 301-1 to 301-n, and the input terminal (H) is connected to the storage device 30 of the next stage (adjacent).
1-2 to 301-n + 1 are connected to output terminals OT2 to OTn + 1.

【0107】次に、上記構成による動作を、図10に関
連付けて説明する。ここでは、i(1<i<n)番目の
記憶装置301−iが不良で、データ入力レジスタ30
2の対応するレジスタFRに不良を示す論理レベルがハ
イレベルの情報が格納されている場合を例に説明する。
Next, the operation of the above configuration will be described with reference to FIG. Here, the i-th (1 <i <n) -th storage device 301-i is defective and the data input register 30
An example will be described in which information corresponding to a high logic level indicating a failure is stored in the corresponding register FR of No. 2.

【0108】このとき、前段の記憶装置301−i-1 は
不良ではないので、データ出力レジスタ302の対応す
るレジスタFRには論理レベルがローレベルの情報が格
納されている。したがって、切替信号生成回路303−
i-1 ではローレベルの切替信号SSWが生成され、切替
回路304−i-1 および次段の切替信号生成回路303
−iに供給される。ローレベルの切替信号SSWを受け
た切替回路304−i-1 では、データ出力レジスタ30
2の(i−1)番目のデータ入力端子に接続された出力
端子(A)が記憶装置301−i-1 の出力端子OTi-1
に接続された入力端子(L)と接続された状態に保持さ
れる。したがって、記憶装置301−i-1 から出力され
たデータは、データ出力レジスタ302の対応する(i
+1)番目の入力端子に入力される。
At this time, since the storage device 301-i-1 at the preceding stage is not defective, the register FR corresponding to the data output register 302 stores information of a low logic level. Therefore, the switching signal generation circuit 303-
i-1 generates a low-level switching signal SSW, and the switching circuit 304-i-1 and the next-stage switching signal generation circuit 303
-I. In the switching circuit 304-i-1 receiving the low-level switching signal SSW, the data output register 30
The output terminal (A) connected to the second (i-1) th data input terminal is the output terminal OTi-1 of the storage device 301-i-1.
Is maintained in a state of being connected to the input terminal (L) connected to the input terminal (L). Therefore, the data output from the storage device 301-i-1 corresponds to the data (i
+1) th input terminal.

【0109】これに対して、不良の記憶装置301−i
に対応する切替信号生成回路303−iでは、前段の切
替信号生成回路303−i-1 によりローレベルの切替信
号SSWが供給されるが、レジスタFRの情報がハイレ
ベルであることから、ハイレベルの切替信号SSWが生
成されて、切替回路304−iおよび次段の切替信号生
成回路303−i+1 に供給される。ハイレベルの切替信
号SSWを受けた切替回路304−iでは、データ出力
レジスタ302のi番目のデータ入力端子と接続された
出力端子(A)が次段の記憶装置301−i+1 の出力端
子OTi+1 に接続された入力端子(H)との接続に切り
替えられる。したがって、記憶装置301−iはアクセ
スされず、次段の記憶装置301−i+1 の出力端子OT
i+1 から出力されたデータが、データ出力レジスタ30
2のi番目のデータ入力端子に入力される。
On the other hand, the defective storage device 301-i
, The switching signal generation circuit 303-i-1 of the preceding stage supplies a low-level switching signal SSW. However, since the information in the register FR is at a high level, the switching signal generation circuit 303-i has a high level. Is generated and supplied to the switching circuit 304-i and the next-stage switching signal generation circuit 303-i + 1. In the switching circuit 304-i that has received the high-level switching signal SSW, the output terminal (A) connected to the i-th data input terminal of the data output register 302 becomes the output terminal of the storage device 301-i + 1 in the next stage. The connection is switched to the input terminal (H) connected to OTi + 1. Therefore, the storage device 301-i is not accessed, and the output terminal OT of the next storage device 301-i + 1 is not accessed.
The data output from i + 1 is
2 is input to the i-th data input terminal.

【0110】ハイレベルの切替信号SSWを受けた記憶
装置301−i+1 に対応する切替信号生成回路303−
i+1 では、ハイレベルの切替信号SSWが生成されて、
切替回路304−i+1 および次段の切替信号生成回路3
03−i+2 に供給される。ハイレベルの切替信号SSW
を受けた切替回路304−i+1 では、データ出力レジス
タ302の(i+1)番目のデータ入力端子と接続され
た出力端子(A)が次段の記憶装置301−i+2 の出力
端子OTi+2 に接続された入力端子(H)との接続に切
り替えられる。したがって、次段の記憶装置301−i+
2 の出力端子OTi+2 から出力されたデータが、データ
出力レジスタ302の(i+1)番目のデータ入力端子
に入力される。
The switching signal generation circuit 303- corresponding to the storage device 301-i + 1 receiving the high level switching signal SSW
At i + 1, a high-level switching signal SSW is generated,
Switching circuit 304-i + 1 and next-stage switching signal generation circuit 3
03-i + 2. High level switching signal SSW
In the switching circuit 304-i + 1 receiving this, the output terminal (A) connected to the (i + 1) -th data input terminal of the data output register 302 becomes the output terminal OTi + of the storage device 301-i + 2 in the next stage. The connection is switched to the input terminal (H) connected to 2. Therefore, the next storage device 301-i +
The data output from the second output terminal OTi + 2 is input to the (i + 1) -th data input terminal of the data output register 302.

【0111】同様に、ハイレベルの切替信号SSWを受
けた記憶装置301−i+2 に対応する切替信号生成回路
303−i+2 では、ハイレベルの切替信号SSWが生成
されて、切替回路304−i+2 および次段の切替信号生
成回路203−i+3 (図示せず、最終n段目の場合には
次段の切替信号生成回路は存在しない)に供給される。
ハイレベルの切替信号SSWを受けた切替回路304−
i+2 では、データ出力レジスタ302の(i+2)番目
のデータ入力端子と接続された出力端子(A)が次段の
記憶装置301−i+3 の出力端子OTi+3 に接続された
入力端子(H)との接続に切り替えられる。したがっ
て、次段の記憶装置301−i+3 の出力端子OTi+3 か
ら出力されたデータが、データ出力レジスタ302の
(i+2)番目のデータ入力端子に入力される。
Similarly, in the switching signal generation circuit 303-i + 2 corresponding to the storage device 301-i + 2 that has received the high level switching signal SSW, the high level switching signal SSW is generated and the switching circuit 304 is generated. −i + 2 and the next-stage switching signal generation circuit 203-i + 3 (not shown, and in the case of the last n-th stage, there is no next-stage switching signal generation circuit).
Switching circuit 304-receiving high-level switching signal SSW
At i + 2, the output terminal (A) connected to the (i + 2) -th data input terminal of the data output register 302 is the input terminal connected to the output terminal OTi + 3 of the storage device 301-i + 3 at the next stage. (H). Therefore, the data output from the output terminal OTi + 3 of the storage device 301-i + 3 at the next stage is input to the (i + 2) th data input terminal of the data output register 302.

【0112】このように、不良の記憶装置が有る場合、
対応して設けられたデータ出力レジスタのデータ入力ラ
インは、次段の記憶装置の出力端子との接続に置き換え
られ、以降データ出力レジスタのデータ入力ラインは次
段(隣接)の記憶装置の出力端子との接続に置き換え
て、パラレルデータのデータ出力レジスタ302への入
力動作が行われる。
As described above, when there is a defective storage device,
The data input line of the corresponding data output register is replaced with a connection to the output terminal of the storage device of the next stage, and the data input line of the data output register thereafter becomes the output terminal of the storage device of the next stage (adjacent). , The input operation of the parallel data to the data output register 302 is performed.

【0113】そして、データ出力レジスタ302に入力
されたパラレルデータはシリアルデータに変換されて出
力される。
Then, the parallel data input to the data output register 302 is converted into serial data and output.

【0114】以上説明したように、本第5の実施形態に
よれば、上述した第3の実施形態と同様に、面積増加を
最小限に抑えながら故障が発生した場合の救済率を高め
ることができる利点がある。
As described above, according to the fifth embodiment, as in the third embodiment described above, it is possible to increase the rescue rate in the event of a failure while minimizing the area increase. There are advantages that can be done.

【0115】なお、本実施形態では、対応する記憶装置
が不良であるか否かを示す情報を保持するレジスタFR
をデータ出力レジスタに設ける構成を例に説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、外部に設ける
等、種々の態様が可能であることはいうまでもない。
In this embodiment, the register FR holding information indicating whether or not the corresponding storage device is defective.
Has been described as an example in which is provided in the data output register.
The present invention is not limited to this, and it is needless to say that various modes such as externally provided are possible.

【0116】第6実施形態 図11は、本発明に係るデータ処理装置の第6の実施形
態を示す回路図である。
Sixth Embodiment FIG. 11 is a circuit diagram showing a data processing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【0117】本第6の実施形態と前述した第5の実施形
態と異なる点は、各切替回路の出力端子(H)を次段の
記憶装置の入力端子に接続する代わりに、全切替回路の
出力端子(H)を信号線GLを介して最終段の記憶装置
301−n+1 の入力端子ITn+1 に共通に接続し、一つ
の不良の記憶装置があった場合、すべて記憶装置301
−n+1 に代替えさせるようにしたことにある。
The difference between the sixth embodiment and the fifth embodiment described above is that instead of connecting the output terminal (H) of each switching circuit to the input terminal of the next-stage storage device, all the switching circuits are switched. The output terminal (H) is commonly connected to the input terminal ITn + 1 of the last storage device 301-n + 1 via the signal line GL, and if there is one defective storage device, all the storage devices 301
-N + 1.

【0118】そして、本第6の実施形態の場合には、切
替信号生成回路303a−1〜303a−nは、図11
に示すように、切替信号SSWを同段の切替回路304
a−1〜304−nに出力するのみで、次段の切替信号
生成回路には出力する必要はない。なお、本実施形態に
係る切替信号生成回路303a−1〜303a−n、た
とえば対応する記憶装置が不良であるか否かを示す情報
を保持するレジスタFRと置き換えて構成することがで
きる。
In the case of the sixth embodiment, the switching signal generation circuits 303a-1 to 303a-n
As shown in the figure, the switching signal SSW is supplied to the switching circuit 304 of the same stage.
a-1 to 304-n, and need not be output to the next-stage switching signal generation circuit. Note that the switching signal generation circuits 303a-1 to 303a-n according to the present embodiment, for example, can be configured by replacing with a register FR holding information indicating whether or not a corresponding storage device is defective.

【0119】第6の実施形態によれば、前述した第5の
実施形態と同様の効果を得ることができる。
According to the sixth embodiment, the same effects as those of the fifth embodiment can be obtained.

【0120】第7実施形態 図12は、本発明の第7の実施形態を示す図であって、
図1のデータ処理装置をPE群として適用した並列プロ
セッサを示す回路図である。
Seventh Embodiment FIG. 12 is a diagram showing a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing a parallel processor in which the data processing device of FIG. 1 is applied as a PE group.

【0121】この並列プロセッサ40は、データ入力レ
ジスタ401、PE(プロセッサエレメント)群40
2、およびデータ出力レジスタ403により構成されて
いる。
The parallel processor 40 includes a data input register 401, a PE (processor element) group 40,
2 and a data output register 403.

【0122】データ入力レジスタ401は、シリアルデ
ータからなる複数(n個)の第1のデータSINを入力
して、並列データに変換してPE群402に出力する。
The data input register 401 receives a plurality of (n) pieces of first data SIN composed of serial data, converts the data into parallel data, and outputs the parallel data to the PE group 402.

【0123】PE群402は、前述した第1の実施形態
を示す図1のデータ処理回路と同様の回路により構成さ
れている。すなわち、PE群402は、(n+1)個の
記憶装置(メモリ)101−1〜101−n+1 、n個の
演算装置(ALU)102−1〜102−n、n個の切
替信号生成回路103−1〜103−n、およびn個の
切替回路104−1〜104−nにより構成されてお
り、n個のデータを並列的に処理する。そして、PE群
402は、記憶装置101−n+1 を除く、同段の記憶装
置101−1〜101−n、n個の演算装置(ALU)
102−1〜102−n、n個の切替信号生成回路10
3−1〜103−n、およびn個の切替回路104−1
〜104−nによりそれぞれPE1〜PEnが構成され
ている。
The PE group 402 is constituted by a circuit similar to the data processing circuit shown in FIG. 1 showing the first embodiment. That is, the PE group 402 includes (n + 1) storage devices (memory) 101-1 to 101-n + 1, n arithmetic units (ALU) 102-1 to 102-n, and n switching signal generation circuits. 103-1 to 103-n and n switching circuits 104-1 to 104-n, and processes n data in parallel. The PE group 402 includes the storage devices 101-1 to 101-n of the same stage, excluding the storage device 101-n + 1, and n arithmetic units (ALUs).
102-1 to 102-n, n switching signal generation circuits 10
3-1 to 103-n and n switching circuits 104-1
PE1 to PEn are respectively constituted by the elements PE1 to PEn.

【0124】ただし、PE群402における記憶装置1
01−1〜101−n+1 は、データ入力レジスタ401
およびデータ出力レジスタ403により直接アクセスさ
れるのではなく、演算装置102−1〜102−n、切
替回路104−1〜104−nを介してデータが書き込
みまたは読み出される。
However, the storage device 1 in the PE group 402
01-1 to 101-n + 1 are data input registers 401
Instead of being directly accessed by the data output register 403, data is written or read via the arithmetic units 102-1 to 102-n and the switching circuits 104-1 to 104-n.

【0125】データ出力レジスタ403は、PE群40
2の演算装置102−1〜102−nから並列に出力さ
れた複数(n個)の第2のデータをシリアルデータSO
UTに変換して出力する。
The data output register 403 stores the PE group 40
The plurality of (n) second data output in parallel from the two arithmetic devices 102-1 to 102-n are converted into serial data SO
Convert to UT and output.

【0126】次に、上記構成による動作を説明する。た
とえば各画素がそれぞれ複数ビツトで構成される映像信
号が、画素単位で入力端子に逐次的に入力される。最初
の1水平期間の時間で、1ライン目の画素データが、1
ライン分の容量を有するデータ入力レジスタ401に格
納される。データ入力レジスタ401に格納された映像
信号の1ライン目の各画素のデータは、その後のブラン
キング期間内に並列に出力され、1つのPEにつき1画
素のデータが、1ライン分の個数(n)並べられたPE
群402のPE1〜PE−nの演算装置102−1〜1
02−nに、並列に供給される。
Next, the operation of the above configuration will be described. For example, a video signal in which each pixel is composed of a plurality of bits is sequentially input to an input terminal in pixel units. In the time of the first one horizontal period, the pixel data of the first line is 1
The data is stored in the data input register 401 having the capacity of the line. The data of each pixel on the first line of the video signal stored in the data input register 401 is output in parallel during the subsequent blanking period, and one pixel of data per PE corresponds to the number of lines (n ) PE lined up
Arithmetic units 102-1 to PE-1 of PE1 to PE-n of group 402
02-n are supplied in parallel.

【0127】そして、次の1水平期間で、各演算装置1
02−1〜102−nでは、供給された1ライン目の画
素データに対して演算処理が行われる。これと並行し
て、データ入力レジスタ401には2ライン目の画素デ
ータが逐次的に入力される。続くブランキング期間内に
演算装置102−1〜102−nから、処理の施された
1ライン目の画素データがデータ出力レジスタ403に
並列に供給される。これと並行して、データ入力レジス
タ401からは2ライン目の画素データがPE群402
に並列に供給される。次の1水平期間でデータ出力レジ
スタ403に格納された1ライン目の画素データが、逐
次的にシリアルデータとして出力端子に出力される。こ
れと並行して、演算装置102−1〜102−nでは2
ライン目の画素データの演算処理が行われ、データ出力
レジスタ403には3ライン目の画素データが逐次的に
入力される。
Then, in the next one horizontal period, each arithmetic unit 1
In 02-1 to 102-n, arithmetic processing is performed on the supplied pixel data of the first line. In parallel with this, pixel data of the second line is sequentially input to the data input register 401. During the subsequent blanking period, the processed pixel data of the first line is supplied in parallel to the data output register 403 from the arithmetic units 102-1 to 102-n. In parallel with this, the pixel data of the second line is output from the data input register 401 to the PE group 402.
Are supplied in parallel. In the next one horizontal period, the pixel data of the first line stored in the data output register 403 is sequentially output to the output terminal as serial data. In parallel with this, the arithmetic units 102-1 to 102-n have 2
The arithmetic processing of the pixel data of the line is performed, and the pixel data of the third line is sequentially input to the data output register 403.

【0128】なお、以上の動作において、データ入力レ
ジスタ401から転送されたデータは演算装置102−
1〜102−nを介してn個の記憶装置に格納される。
このとき、不良の記憶装置が有る場合、対応して設けら
れた演算装置のデータ入出力ラインは、次段の記憶装置
の入出力端子との接続に置き換えられ、以降演算装置の
データ入出力ラインは次段(隣接)の記憶装置の入出力
端子との接続に置き換えて、n個の記憶装置とn個の演
算装置とのデータの入出力が並列的に行われる。具体的
は切り替え動作は、第1の実施形態で詳細に説明した動
作と同様に行われることから、ここではその説明は省略
する。
In the above operation, the data transferred from data input register 401 is stored in arithmetic unit 102-
It is stored in n storage devices via 1-102-n.
At this time, if there is a defective storage device, the data input / output line of the processing device provided correspondingly is replaced with the connection with the input / output terminal of the storage device of the next stage, and thereafter the data input / output line of the processing device is provided. Is replaced by a connection to the input / output terminal of the next (adjacent) storage device, and data input / output between the n storage devices and the n arithmetic devices is performed in parallel. Specifically, the switching operation is performed in the same manner as the operation described in detail in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated.

【0129】これ以降は、PE群402がiライン目の
画素データを処理している時は、データ入力レジスタ4
01は(i+1)ライン目の画素データを入力し、デー
タ出力レジスタ403は(i−1)ライン目の画素デー
タを出力することが繰り返される。データ入力レジスタ
401、PE群402、およびデータ出力レジスタ40
3が以上のように同期して動作することで、各水平期間
毎に演算処理された映像信号が取り出される。このよう
にしてたとえば映像信号のデイジタル処理が行われる。
Thereafter, when the PE group 402 is processing the pixel data of the i-th line, the data input register 4
01 repeatedly inputs the pixel data of the (i + 1) th line, and the data output register 403 repeatedly outputs the pixel data of the (i-1) th line. Data input register 401, PE group 402, and data output register 40
3 operate in synchronism as described above, whereby a video signal that has been subjected to arithmetic processing for each horizontal period is extracted. In this way, for example, digital processing of a video signal is performed.

【0130】本第7の実施形態によれば、メモリの不良
を冗長なメモリで置き換えて、メモリを救済する場合
に、入出力を置き換えて救済することで面積増加を少な
くできる並列プロセッサを実現することができる利点が
ある。
According to the seventh embodiment, when a memory defect is replaced with a redundant memory and the memory is rescued, a parallel processor which can reduce the increase in area by replacing the input / output and rescuing the memory is realized. There are advantages that can be.

【0131】なお、本第7の実施形態では、PE群40
2として図1の構成の回路を適用した場合を例に説明し
たが、図4の回路を適用することも可能であり、この場
合も上述した効果と同様の効果を得ることができる。
In the seventh embodiment, the PE group 40
Although the case where the circuit having the configuration of FIG. 1 is applied as the example 2 has been described as an example, the circuit of FIG. 4 can also be applied, and in this case, the same effect as that described above can be obtained.

【0132】第8実施形態 図13は、本発明の第8の実施形態を示す図であっ
て、、図1、図6、図9のデータ処理装置を組み合わせ
て構成した並列プロセッサを示す回路図である。
Eighth Embodiment FIG. 13 is a diagram showing an eighth embodiment of the present invention, and is a circuit diagram showing a parallel processor constituted by combining the data processing devices of FIGS. 1, 6, and 9. It is.

【0133】この並列プロセッサ40aは、PE群40
2aとして図1のデータ処理装置を適用し、データ入力
レジスタ401aとして図6のデータ処理装置を適用
し、データ入力レジスタ403aとして図9のデータ処
理装置を適用している。ただし、PE群402aにおけ
る(n+1)個の記憶装置101−1〜101−n+1
が、図6における記憶装置201−1〜201−nおよ
び図9における記憶装置301−1〜301−nを共用
した形態で、並列プロセッサ40aが構成される。
The parallel processor 40a includes a PE group 40
The data processing device of FIG. 1 is applied as 2a, the data processing device of FIG. 6 is applied as the data input register 401a, and the data processing device of FIG. 9 is applied as the data input register 403a. However, the (n + 1) storage devices 101-1 to 101-n + 1 in the PE group 402a
However, the parallel processor 40a is configured by sharing the storage devices 201-1 to 201-n in FIG. 6 and the storage devices 301-1 to 301-n in FIG.

【0134】そして、この並列プロセッサ40aは、前
述した第7の実施形態と異なり、PE群402aの記憶
装置101−1〜101−n+1 が、演算装置102−1
〜102−n、切替回路104−1〜104−nを介さ
ず、データ入力レジスタ401aおよびデータ出力レジ
スタ403aにより直接的にアクセスされる。
The parallel processor 40a differs from the above-described seventh embodiment in that the storage devices 101-1 to 101-n + 1 of the PE group 402a are stored in the arithmetic unit 102-1.
To 102-n and the data input register 401a and the data output register 403a directly without passing through the switching circuits 104-1 to 104-n.

【0135】各部の動作は、第1、第3および第5の実
施形態で詳細に説明した動作と同様に行われ、また、並
列プロセッサの不良記憶装置の切り替え動作を一連の動
作は、前述した第7の実施形態で説明した動作と同様に
行われることから、ここでは、それらの説明は省略す
る。
The operation of each unit is performed in the same manner as the operation described in detail in the first, third, and fifth embodiments. A series of operations for switching the defective memory device of the parallel processor are described above. Since the operation is performed in the same manner as that described in the seventh embodiment, the description thereof is omitted here.

【0136】本第8の実施形態によれば、メモリの不良
を冗長なメモリで置き換えて、メモリを救済する場合
に、入出力を置き換えて救済することで面積増加を少な
くできる並列プロセッサを実現することができる利点が
ある。
According to the eighth embodiment, when a memory defect is replaced by a redundant memory and the memory is rescued, a parallel processor that can reduce the area increase by replacing the input / output and rescuing the memory is realized. There are advantages that can be.

【0137】なお、本第8の実施形態では、PE群40
2aとして図1のデータ処理装置を適用し、データ入力
レジスタ401aとして図6のデータ処理装置を適用
し、データ入力レジスタ403aとして図9のデータ処
理装置を適用した場合を例に説明したが、図4、図8、
図11の回路を適宜組み合わせて適用することも可能で
あり、この場合も上述した効果と同様の効果を得ること
ができる。
In the eighth embodiment, the PE group 40
2a, the data processing device of FIG. 6 is applied as the data input register 401a, and the data processing device of FIG. 9 is applied as the data input register 403a. 4, FIG. 8,
The circuit in FIG. 11 can be appropriately combined and applied, and in this case, the same effect as the above-described effect can be obtained.

【0138】[0138]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
面積増加を最小限に抑えながら故障が発生した場合の救
済率を高めることができる利点がある。
As described above, according to the present invention,
There is an advantage that the remedy rate in the event of a failure can be increased while minimizing the area increase.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るデータ処理装置の第1の実施形態
を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a data processing device according to the present invention.

【図2】本発明に係る切替信号生成回路の構成例を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of a switching signal generation circuit according to the present invention.

【図3】図1の回路の動作を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the circuit of FIG. 1;

【図4】本発明に係るデータ処理装置の第2の実施形態
を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the data processing device according to the present invention.

【図5】図4の回路の動作を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the operation of the circuit of FIG. 4;

【図6】本発明に係るデータ処理装置の第3の実施形態
を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the data processing device according to the present invention.

【図7】図6の回路の動作を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the circuit of FIG. 6;

【図8】本発明に係るデータ処理装置の第4の実施形態
を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the data processing device according to the present invention.

【図9】本発明に係るデータ処理装置の第5の実施形態
を示す回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the data processing device according to the present invention.

【図10】図9の回路の動作を説明するための図であ
る。
FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of the circuit of FIG. 9;

【図11】本発明に係るデータ処理装置の第6の実施形
態を示す回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the data processing device according to the present invention.

【図12】本発明の第7の実施形態を示す図であって、
図1のデータ処理装置をPE群として適用した並列プロ
セッサを示す回路図である。
FIG. 12 is a view showing a seventh embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a circuit diagram showing a parallel processor in which the data processing device of FIG. 1 is applied as a PE group.

【図13】本発明の第8の実施形態を示す図であって、
図1、図6、図9のデータ処理装置を組み合わせて構成
した並列プロセッサを示す回路図である。
FIG. 13 is a view showing an eighth embodiment of the present invention,
FIG. 10 is a circuit diagram showing a parallel processor configured by combining the data processing devices of FIGS. 1, 6, and 9;

【図14】一般的な並列プロセッサの構成例を示すブロ
ック図である。
FIG. 14 is a block diagram illustrating a configuration example of a general parallel processor.

【図15】画像データと画素データとの関係を説明する
ための図である。
FIG. 15 is a diagram for explaining a relationship between image data and pixel data.

【図16】画像データの伝送方式を説明するための図で
ある。
FIG. 16 is a diagram illustrating a transmission method of image data.

【図17】並列プロセッサによる画像データの処理手順
を説明するための図である。
FIG. 17 is a diagram for explaining a processing procedure of image data by a parallel processor.

【図18】プロセッサエレメント(PE)の構成例を示
す図である。
FIG. 18 is a diagram illustrating a configuration example of a processor element (PE).

【図19】並列プロセッサの主要部である各PEのメモ
リに冗長用メモリRDをもった場合の構成例を示す図で
ある。
FIG. 19 is a diagram illustrating a configuration example in a case where a memory of each PE, which is a main part of a parallel processor, includes a redundant memory RD.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,10a,20,20a,30,30a…データ処
理装置、101−1〜101−n+1 、201−1〜20
1−n+1 、301−1〜301−n+1 …記憶装置、10
2−1〜102−n…演算装置(ALU)、103−1
〜103−n、203−1〜203−n、303−1〜
303−n、103a−1〜103a−n、203a−
1〜203a−n、303a−1〜303a−n…切替
信号生成回路、104−1〜104−n、204−1〜
204−n、304−1〜304−n、104a−1〜
104a−n、204a−1〜204a−n、304a
−1〜304a−n…切替回路、40,40a…並列プ
ロセッサ、401,401a…データ入力レジスタ、4
02,402a…PE群、403,403a…データ出
力レジスタ、FR…レジスタ(情報保持手段)。
10, 10a, 20, 20a, 30, 30a Data processing device, 101-1 to 101-n + 1, 201-1 to 20
1-n + 1, 301-1 to 301-n + 1 ... storage device, 10
2-1 to 102-n arithmetic unit (ALU), 103-1
To 103-n, 203-1 to 203-n, 303-1 to
303-n, 103a-1 to 103a-n, 203a-
1 to 203a-n, 303a-1 to 303a-n... Switching signal generation circuits, 104-1 to 104-n, 204-1 to 204-1
204-n, 304-1 to 304-n, 104a-1
104a-n, 204a-1 to 204a-n, 304a
-1 to 304a-n: switching circuit, 40, 40a: parallel processor, 401, 401a: data input register, 4
02, 402a ... PE group, 403, 403a ... data output register, FR ... register (information holding means).

Claims (29)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のデータを処理するデータ処理装置
であって、 データの入出力端子を有し、当該入出力端子を介して複
数のデータのうちの一のデータの書き込みおよび読み出
しを行う、上記複数のデータのデータ数より多い数の記
憶装置と、 一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶装置
の入出力端子に接続されていたデータ入出力ラインを、
他の記憶装置の入出力端子へ切り替え接続する切替回路
とを有するデータ処理装置。
1. A data processing device for processing a plurality of data, the data processing device having a data input / output terminal, and writing and reading one of the plurality of data via the input / output terminal. If the number of storage devices is larger than the number of data of the plurality of data and one of the storage devices has a failure, the data input / output line connected to the input / output terminal of the failed storage device is
A switching circuit for switching connection to an input / output terminal of another storage device.
【請求項2】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか否
かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入出力端子に接続されてい
たデータ入出力ラインを、他の記憶装置の入出力端子へ
切り替え接続する請求項1記載のデータ処理装置。
2. The information processing apparatus according to claim 1, further comprising: an information storage unit configured to store information indicating whether the storage device has a failure or not. 2. The data processing device according to claim 1, wherein the data input / output line connected to the input / output terminal of the device is switched to the input / output terminal of another storage device.
【請求項3】 上記切替回路は、故障した記憶装置の入
出力端子に接続されていたデータ入出力ラインを、隣接
した記憶装置の入出力端子に切り替え接続し、かつ以降
の隣接したデータ入出力ラインも順次隣接した記憶装置
の入出力端子に切り替え接続する請求項1記載のデータ
処理装置。
3. The switching circuit switches a data input / output line connected to an input / output terminal of a failed storage device to an input / output terminal of an adjacent storage device, and switches the data input / output line of the adjacent storage device. 2. The data processing device according to claim 1, wherein the lines are also sequentially switched to input / output terminals of adjacent storage devices.
【請求項4】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか否
かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入出力端子に接続されてい
たデータ入出力ラインを、隣接した記憶装置の入出力端
子に切り替え接続し、かつ以降の隣接したデータ入出力
ラインも順次隣接した記憶装置の入出力端子に切り替え
接続する請求項1記載のデータ処理装置。
4. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, wherein the switching circuit has a memory designated as defective by the information of the information holding means. The data input / output line connected to the input / output terminal of the device is switched to the input / output terminal of the adjacent storage device, and the subsequent adjacent data input / output lines are also sequentially switched to the input / output terminal of the adjacent storage device. The data processing device according to claim 1, wherein the data processing device is connected.
【請求項5】 複数のデータを処理するデータ処理装置
であって、 データの入出力端子を有し、当該入出力端子を介して複
数のデータのうちの一のデータの書き込みおよび読み出
しを行う、上記複数のデータのデータ数より多い数の記
憶装置と、 上記複数のデータ数に対応して設けられ、演算にかかわ
るデータを一の記憶装置との間で授受する演算装置と、 一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶装置
の入出力端子に接続されていた上記演算装置のデータ入
出力ラインを、他の記憶装置の入出力端子へ切り替え接
続する切替回路とを有するデータ処理装置。
5. A data processing device for processing a plurality of data, the data processing device having a data input / output terminal, and writing and reading one of the plurality of data via the input / output terminal. A storage device having a number greater than the number of data of the plurality of data; an arithmetic device provided in correspondence with the number of the plurality of data, for exchanging data related to arithmetic with one storage device; and one storage device And a switching circuit for switching the data input / output line of the arithmetic unit connected to the input / output terminal of the failed storage device to the input / output terminal of another storage device when there is a failure in the storage device. apparatus.
【請求項6】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか否
かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入出力端子に接続されてい
た上記演算装置のデータ入出力ラインを、他の記憶装置
の入出力端子へ切り替え接続する請求項5記載のデータ
処理装置。
6. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, wherein the switching circuit has a storage designated as defective by the information of the information holding means. 6. The data processing device according to claim 5, wherein a data input / output line of the arithmetic device connected to an input / output terminal of the device is switched to an input / output terminal of another storage device.
【請求項7】 上記切替回路は、故障した記憶装置の入
出力端子に接続されていた上記演算装置のデータ入出力
ラインを、隣接した記憶装置の入出力端子に切り替え接
続し、かつ以降の隣接した演算装置のデータ入出力ライ
ンも順次隣接した記憶装置の入出力端子に切り替え接続
する請求項5記載のデータ処理装置。
7. The switching circuit switches a data input / output line of the arithmetic unit, which has been connected to an input / output terminal of a failed storage device, to an input / output terminal of an adjacent storage device. 6. The data processing device according to claim 5, wherein the data input / output lines of the arithmetic unit are sequentially switched to the input / output terminals of the adjacent storage device.
【請求項8】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか否
かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入出力端子に接続されてい
た上記演算装置のデータ入出力ラインを、隣接した記憶
装置の入出力端子に切り替え接続し、かつ以降の隣接し
た演算装置のデータ入出力ラインも順次隣接した記憶装
置の入出力端子に切り替え接続する請求項5記載のデー
タ処理装置。
8. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, and the switching circuit has a memory designated as defective by the information of the information holding means. The data input / output line of the arithmetic unit connected to the input / output terminal of the device is switched to the input / output terminal of the adjacent storage device, and the data input / output line of the next adjacent arithmetic unit is sequentially connected to the storage device. 6. The data processing device according to claim 5, wherein the data processing device is switched to an input / output terminal of the device.
【請求項9】 複数のデータを並列に処理するデータ処
理装置であって、 データの入力端子を有し、当該入力端子を介して複数の
データのうちの一のデータの書き込みを行う、上記複数
のデータのデータ数より多い数の記憶装置と、 一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶装置
の入力端子に接続されていたデータ入力ラインを、他の
記憶装置の入力端子へ切り替え接続する切替回路とを有
するデータ処理装置。
9. A data processing device for processing a plurality of data in parallel, the data processing device having a data input terminal, and writing one of the plurality of data through the input terminal. If there is a failure in one storage device and the number of storage devices greater than the number of data in the storage device, connect the data input line connected to the input terminal of the failed storage device to the input terminal of the other storage device. A data processing device having a switching circuit for switching connection.
【請求項10】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入力端子に接続されていた
データ入力ラインを、他の記憶装置の入力端子へ切り替
え接続する請求項9記載のデータ処理装置。
10. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, wherein the switching circuit has a memory designated as defective by the information of the information holding means. 10. The data processing device according to claim 9, wherein the data input line connected to the input terminal of the device is switched and connected to the input terminal of another storage device.
【請求項11】 上記切替回路は、故障した記憶装置の
入力端子に接続されていたデータ入力ラインを、隣接し
た記憶装置の入力端子に切り替え接続し、かつ以降の隣
接したデータ入力ラインも順次隣接した記憶装置の入力
端子に切り替え接続する請求項9記載のデータ処理装
置。
11. The switching circuit switches a data input line connected to an input terminal of a failed storage device to an input terminal of an adjacent storage device, and successively connects adjacent data input lines thereafter. 10. The data processing device according to claim 9, wherein the data processing device is switched and connected to an input terminal of the storage device.
【請求項12】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入力端子に接続されていた
データ入力ラインを、隣接した記憶装置の入力端子に切
り替え接続し、かつ以降の隣接したデータ入力ラインも
順次隣接した記憶装置の入力端子に切り替え接続する請
求項9記載のデータ処理装置。
12. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, wherein the switching circuit has a memory designated as defective by the information of the information holding means. 10. A data input line connected to an input terminal of a device is switched to an input terminal of an adjacent storage device, and subsequent adjacent data input lines are sequentially switched to an input terminal of an adjacent storage device. The data processing device according to claim 1.
【請求項13】 複数のデータを並列に処理するデータ
処理装置であって、 データの出力端子を有し、当該入力端子を介して複数の
データのうちの一のデータの読み出しを行う、上記複数
のデータのデータ数より多い数の記憶装置と、 一の記憶装置に故障がある場合には、故障した記憶装置
の出力端子に接続されていたデータ出力ラインを、他の
記憶装置の出力端子へ切り替え接続する切替回路とを有
するデータ処理装置。
13. A data processing device for processing a plurality of data in parallel, comprising a data output terminal, and reading one of the plurality of data via the input terminal. If there is a failure in one of the storage devices and the number of storage devices greater than the number of data in the storage device, the data output line connected to the output terminal of the failed storage device is connected to the output terminal of the other storage device. A data processing device having a switching circuit for switching connection.
【請求項14】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の出力端子に接続されていた
データ出力ラインを、他の記憶装置の出力端子へ切り替
え接続する請求項13記載のデータ処理装置。
14. The information processing apparatus according to claim 1, further comprising: an information holding unit configured to hold information indicating whether or not the storage device is defective due to a failure, wherein the switching circuit stores the information designated as defective by the information of the information holding unit. 14. The data processing device according to claim 13, wherein the data output line connected to the output terminal of the device is switched to the output terminal of another storage device and connected.
【請求項15】 上記切替回路は、故障した記憶装置の
出力端子に接続されていたデータ出力ラインを、隣接し
た記憶装置の出力端子に切り替え接続し、かつ以降の隣
接したデータ出力ラインも順次隣接した記憶装置の出力
端子に切り替え接続する請求項13記載のデータ処理装
置。
15. The switching circuit switches a data output line connected to an output terminal of a failed storage device to an output terminal of an adjacent storage device, and sequentially connects adjacent data output lines thereafter. 14. The data processing device according to claim 13, wherein the data processing device is switched and connected to an output terminal of the storage device.
【請求項16】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段と、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の出力端子に接続されていた
データ出力ラインを、隣接した記憶装置の出力端子に切
り替え接続し、かつ以降の隣接したデータ出力ラインも
順次隣接した記憶装置の出力端子に切り替え接続する請
求項13記載のデータ処理装置。
16. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred for each of the storage devices, and the switching circuit is provided for a storage device designated as defective by the information of the information holding means. 14. The data output line connected to the output terminal is switched to an output terminal of an adjacent storage device, and subsequent adjacent data output lines are sequentially switched to an output terminal of an adjacent storage device. Data processing device.
【請求項17】 シリアルデータでなる複数の第1のデ
ータをシリアル入力パラレル出力のデータ入力レジスタ
に入力し、当該データ入力レジスタのパラレル出力を記
憶装置と演算装置からなる複数のプロセッサエレメント
を備えたプロセッサエッレメント群に並列に供給して、
上記第1のデータを上記プロセッサエレメントで演算処
理し、当該演算結果として上記プロセッサエレメントか
ら並列に出力される複数の第2のデータを、パラレル入
力シリアル出力のデータ出力レジスタに並列に入力し、
当該データ出力レジスタのシリアル出力より上記第2の
データをシリアルデータとして出力する並列プロセッサ
であって、 上記プロセッサエレメント群における記憶装置は、上記
プロセッサエレメントの数より多く配置され、 かつ、上記プロセッサエレメント群は、一の記憶装置に
故障がある場合には、故障した記憶装置の入出力端子に
接続されていた上記演算装置のデータ入出力ラインを、
他の記憶装置の入出力端子へ切り替え接続する切替回路
を有する並列プロセッサ。
17. A data processing apparatus comprising: a plurality of first data consisting of serial data input to a data input register of serial input / parallel output; and a plurality of processor elements comprising a storage device and an arithmetic device for parallel output of the data input register. To the processor elements in parallel,
The first data is subjected to arithmetic processing by the processor element, and a plurality of second data output in parallel from the processor element as the arithmetic result is input in parallel to a data output register of a parallel input serial output;
A parallel processor that outputs the second data as serial data from a serial output of the data output register, wherein the number of storage devices in the processor element group is greater than the number of the processor elements, and the processor element group When one storage device has a failure, the data input / output line of the arithmetic device connected to the input / output terminal of the failed storage device is
A parallel processor having a switching circuit for switching connection to an input / output terminal of another storage device.
【請求項18】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入出力端子に接続されてい
た上記演算装置のデータ入出力ラインを、他の記憶装置
の入出力端子へ切り替え接続する請求項17記載のデー
タ処理装置。
18. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, wherein the switching circuit has a memory designated as defective by the information of the information holding means. 18. The data processing device according to claim 17, wherein a data input / output line of the arithmetic device connected to an input / output terminal of the device is switched to an input / output terminal of another storage device.
【請求項19】 上記切替回路は、故障した記憶装置の
入出力端子に接続されていた上記演算装置のデータ入出
力ラインを、隣接した記憶装置の入出力端子に切り替え
接続し、かつ以降の隣接した演算装置のデータ入出力ラ
インも順次隣接した記憶装置の入出力端子に切り替え接
続する請求項17記載のデータ処理装置。
19. The switching circuit switches a data input / output line of the arithmetic unit, which has been connected to an input / output terminal of a failed storage device, to an input / output terminal of an adjacent storage device, and connects the input / output terminal of the adjacent storage device. 18. The data processing device according to claim 17, wherein the data input / output lines of the processing device are sequentially switched to input / output terminals of the adjacent storage device.
【請求項20】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入出力端子に接続されてい
た上記演算装置のデータ入出力ラインを、隣接した記憶
装置の入出力端子に切り替え接続し、かつ以降の隣接し
た演算装置のデータ入出力ラインも順次隣接した記憶装
置の入出力端子に切り替え接続する請求項17記載のデ
ータ処理装置。
20. An information storage unit for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, and the switching circuit has a storage designated as defective by the information in the information storage unit. The data input / output line of the arithmetic unit connected to the input / output terminal of the device is switched to the input / output terminal of the adjacent storage device, and the data input / output line of the next adjacent arithmetic unit is sequentially connected to the storage device. 18. The data processing device according to claim 17, wherein the data processing device is switched to an input / output terminal of the device.
【請求項21】 シリアルデータでなる複数の第1のデ
ータをシリアル入力パラレル出力のデータ入力レジスタ
に入力し、当該データ入力レジスタのパラレル出力を記
憶装置と演算装置からなる複数のプロセッサエレメント
を備えたプロセッサエッレメント群に並列に供給して、
上記第1のデータを上記プロセッサエレメントで演算処
理し、当該演算結果として上記プロセッサエレメントか
ら並列に出力される複数の第2のデータを、パラレル入
力シリアル出力のデータ出力レジスタに並列に入力し、
当該データ出力レジスタのシリアル出力より上記第2の
データをシリアルデータとして出力する並列プロセッサ
であって、 上記プロセッサエレメント群における記憶装置は、上記
プロセッサエレメントの数より多く配置され、 かつ、上記プロセッサエレメント群の一の記憶装置に故
障がある場合には、故障した記憶装置の入力端子に接続
されていた上記データ入力レジスタのデータ出力ライン
を、他の記憶装置の入力端子へ切り替え接続する切替回
路を有する並列プロセッサ。
21. A plurality of processor elements each comprising a plurality of first data consisting of serial data, input to a data input register of serial input parallel output, and a parallel output of the data input register comprising a storage device and an arithmetic device. To the processor elements in parallel,
The first data is subjected to arithmetic processing by the processor element, and a plurality of second data output in parallel from the processor element as the arithmetic result is input in parallel to a data output register of a parallel input serial output;
A parallel processor that outputs the second data as serial data from a serial output of the data output register, wherein the number of storage devices in the processor element group is greater than the number of the processor elements, and the processor element group A switching circuit that switches the data output line of the data input register connected to the input terminal of the failed storage device to the input terminal of another storage device when one of the storage devices has a failure. Parallel processor.
【請求項22】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入力端子に接続されていた
上記データ入力レジスタのデータ出力ラインを、他の記
憶装置の入力端子へ切り替え接続する請求項21記載の
並列プロセッサ。
22. An information storage unit for holding information on whether or not a failure has occurred for each of the storage devices, wherein the switching circuit has a storage designated as defective by the information of the information storage unit. 22. The parallel processor according to claim 21, wherein a data output line of the data input register connected to an input terminal of the device is switched to an input terminal of another storage device.
【請求項23】 上記切替回路は、故障した記憶装置の
入力端子に接続されていた上記データ入力レジスタのデ
ータ出力ラインを、隣接した記憶装置の入力端子に切り
替え接続し、かつ以降の隣接したデータ出力ラインも順
次隣接した記憶装置の入力端子に切り替え接続する請求
項21記載の並列プロセッサ。
23. The switching circuit switches a data output line of the data input register, which is connected to an input terminal of a failed storage device, to an input terminal of an adjacent storage device. 22. The parallel processor according to claim 21, wherein the output lines are also sequentially switched to input terminals of adjacent storage devices.
【請求項24】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入力端子に接続されていた
上記データ入力レジスタのデータ出力ラインを、隣接し
た記憶装置の入力端子に切り替え接続し、かつ以降の隣
接したデータ出力ラインも順次隣接した記憶装置の入力
端子に切り替え接続する請求項21記載の並列プロセッ
サ。
24. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, and the switching circuit has a memory designated as defective by the information of the information holding means. The data output line of the data input register connected to the input terminal of the device is switched to the input terminal of the adjacent storage device, and the subsequent adjacent data output lines are also sequentially switched to the input terminal of the adjacent storage device. The parallel processor according to claim 21, which is connected.
【請求項25】 シリアルデータでなる複数の第1のデ
ータをシリアル入力パラレル出力のデータ入力レジスタ
に入力し、当該データ入力レジスタのパラレル出力を記
憶装置と演算装置からなる複数のプロセッサエレメント
を備えたプロセッサエッレメント群に並列に供給して、
上記第1のデータを上記プロセッサエレメントで演算処
理し、当該演算結果として上記プロセッサエレメントか
ら並列に出力される複数の第2のデータを、パラレル入
力シリアル出力のデータ出力レジスタに並列に入力し、
当該データ出力レジスタのシリアル出力より上記第2の
データをシリアルデータとして出力する並列プロセッサ
であって、 上記プロセッサエレメント群における記憶装置は、上記
プロセッサエレメントの数より多く配置され、 かつ、上記プロセッサエレメント群の一の記憶装置に故
障がある場合には、故障した記憶装置の出力端子に接続
されていた上記データ出力レジスタのデータ入力ライン
を、他の記憶装置の出力端子へ切り替え接続する切替回
路を有する並列プロセッサ。
25. A semiconductor device comprising: a plurality of first elements consisting of serial data input to a data input register of serial input parallel output; and a plurality of processor elements comprising a storage device and an arithmetic device for parallel output of the data input register. To the processor elements in parallel,
The first data is subjected to arithmetic processing by the processor element, and a plurality of second data output in parallel from the processor element as the arithmetic result is input in parallel to a data output register of a parallel input serial output;
A parallel processor that outputs the second data as serial data from a serial output of the data output register, wherein the number of storage devices in the processor element group is greater than the number of the processor elements, and the processor element group A switching circuit that switches the data input line of the data output register connected to the output terminal of the failed storage device to the output terminal of another storage device when one of the storage devices has a failure. Parallel processor.
【請求項26】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の入力端子に接続されていた
上記データ出力レジスタのデータ入力ラインを、他の記
憶装置の出力端子へ切り替え接続する請求項25記載の
並列プロセッサ。
26. An information storage means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, and the switching circuit has a memory designated as defective by the information of the information holding means. 26. The parallel processor according to claim 25, wherein the data input line of the data output register connected to the input terminal of the device is switched to the output terminal of another storage device.
【請求項27】 上記切替回路は、故障した記憶装置の
出力端子に接続されていた上記データ出力レジスタのデ
ータ入力ラインを、隣接した記憶装置の出力端子に切り
替え接続し、かつ以降の隣接したデータ入力ラインも順
次隣接した記憶装置の出力端子に切り替え接続する請求
項25記載の並列プロセッサ。
27. The switching circuit switches a data input line of the data output register, which is connected to an output terminal of a failed storage device, to an output terminal of an adjacent storage device. 26. The parallel processor according to claim 25, wherein the input line is also sequentially switched to the output terminal of the adjacent storage device.
【請求項28】 上記記憶装置毎に故障し不良であるか
否かの情報を保持する情報保持手段を有し、 上記切替回路は、上記情報保持手段の情報により不良で
あると指定された記憶装置の出力端子に接続されていた
上記データ出力レジスタのデータ入力ラインを、隣接し
た記憶装置の出力端子に切り替え接続し、かつ以降の隣
接したデータ入力ラインも順次隣接した記憶装置の出力
端子に切り替え接続する請求項25記載の並列プロセッ
サ。
28. An information holding means for holding information on whether or not a failure has occurred in each of the storage devices, and the switching circuit has a memory designated as defective by the information of the information holding means. The data input line of the data output register connected to the output terminal of the device is switched to the output terminal of the adjacent storage device, and the subsequent adjacent data input line is also sequentially switched to the output terminal of the adjacent storage device. 26. The parallel processor of claim 25, wherein the parallel processor is connected.
【請求項29】 シリアルデータでなる複数の第1のデ
ータをシリアル入力パラレル出力のデータ入力レジスタ
に入力し、当該データ入力レジスタのパラレル出力を記
憶装置と演算装置からなる複数のプロセッサエレメント
を備えたプロセッサエッレメント群に並列に供給して、
上記第1のデータを上記プロセッサエレメントで演算処
理し、当該演算結果として上記プロセッサエレメントか
ら並列に出力される複数の第2のデータを、パラレル入
力シリアル出力のデータ出力レジスタに並列に入力し、
当該データ出力レジスタのシリアル出力より上記第2の
データをシリアルデータとして出力する並列プロセッサ
であって、 上記プロセッサエレメント群における記憶装置は、上記
プロセッサエレメントの数より多く配置され、 かつ、上記プロセッサエレメント群内の一の記憶装置に
故障がある場合には、故障した記憶装置の入出力端子に
接続されていた上記演算装置のデータ入出力ラインを、
他の記憶装置の入出力端子へ切り替え接続する第1の切
替回路と、 上記プロセッサエレメント群の一の記憶装置に故障があ
る場合には、故障した記憶装置の入力端子に接続されて
いた上記データ入力レジスタのデータ出力ラインを、他
の記憶装置の入力端子へ切り替え接続する第2の切替回
路と、 上記プロセッサエレメント群の一の記憶装置に故障があ
る場合には、故障した記憶装置の出力端子に接続されて
いた上記データ出力レジスタのデータ入力ラインを、他
の記憶装置の出力端子へ切り替え接続する第3の切替回
路とを有する並列プロセッサ。
29. A semiconductor device comprising: a plurality of first elements consisting of serial data, input to a data input register of serial input / parallel output; and a plurality of processor elements comprising a storage device and an arithmetic device for outputting a parallel output of the data input register. To the processor elements in parallel,
The first data is subjected to arithmetic processing by the processor element, and a plurality of second data output in parallel from the processor element as the arithmetic result is input in parallel to a data output register of a parallel input serial output;
A parallel processor that outputs the second data as serial data from a serial output of the data output register, wherein the number of storage devices in the processor element group is greater than the number of the processor elements, and the processor element group If one of the storage devices has a failure, the data input / output line of the arithmetic unit connected to the input / output terminal of the failed storage device is
A first switching circuit for switching connection to an input / output terminal of another storage device; and, when one storage device of the processor element group has a failure, the data connected to the input terminal of the failed storage device. A second switching circuit for switching and connecting a data output line of the input register to an input terminal of another storage device; and an output terminal of the failed storage device when one storage device of the processor element group has a failure. And a third switching circuit for switching and connecting the data input line of the data output register connected to the above to the output terminal of another storage device.
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