JP2000148821A - Method for designing layout of semiconductor circuit and storage medium recorded with the same - Google Patents

Method for designing layout of semiconductor circuit and storage medium recorded with the same

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JP2000148821A
JP2000148821A JP10318905A JP31890598A JP2000148821A JP 2000148821 A JP2000148821 A JP 2000148821A JP 10318905 A JP10318905 A JP 10318905A JP 31890598 A JP31890598 A JP 31890598A JP 2000148821 A JP2000148821 A JP 2000148821A
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wiring
contact
integrated circuit
semiconductor integrated
functional blocks
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Koichi Sato
功一 佐藤
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the layout area of a building block type semiconductor integrated circuit by reducing the areas of functional blocks and wiring channels at the time of designing the layout of the circuit. SOLUTION: When three kinds of contact cells respectively having square, rectangular, and crisscross contact margins are used around a contact hole in a method for designing layout of semiconductor integrated circuit, larger costs are successively added in the order of the contact cells having the horizontal rectangular shape, crisscross shape, square shape, and vertical rectangular shape, namely, in the order of the heights of the cells in step 4000. In the next step 4001, the contact cell having the horizontal rectangular shape and the lowest cost is selected and whether or not the selected contact cell meets a design rule is checked. When it is discriminated that the selected cell does not meet the design rule in step 4003, the process returns to the step 4001 to select another contact cell having the next lowest cost. After the selection, the process proceeds to the step 4003. In such a way, the steps 4001 and 4003 are repeatedly performed until a suitable contact cell is selected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
ビルディングブロック方式のレイアウト設計方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a building block layout design method for a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体集積回路のチップの製造
コストは、単位面積当たりの製造コストを一定として、
チップ面積が大きいほど高くなる。また、チップ面積が
大きいほど歩留まりが下がり、製造コストは高くなる。
このため、半導体集積回路のチップの製造コストを下げ
るには、チップ面積を最小にする必要がある。
2. Description of the Related Art Generally, the manufacturing cost of a chip of a semiconductor integrated circuit is determined by keeping the manufacturing cost per unit area constant.
The larger the chip area, the higher the chip area. Also, as the chip area increases, the yield decreases and the manufacturing cost increases.
Therefore, in order to reduce the manufacturing cost of the semiconductor integrated circuit chip, it is necessary to minimize the chip area.

【0003】従来の半導体集積回路のレイアウト設計方
法では、チップ面積を最小化するために、機能ブロック
の面積を小さくすることに注意が払われており、機能ブ
ロックの端子と端子の間隔を、コンタクトセルや配線の
スペーシングルール、又は配線グリッドに合わせて可能
な限り最小の間隔にして、機能ブロックの面積の最小化
を行ってきた。
In a conventional layout design method for a semiconductor integrated circuit, attention is paid to reducing the area of a functional block in order to minimize the chip area. The area of the functional block has been minimized by setting the smallest possible interval in accordance with the spacing rules of the cells and wiring or the wiring grid.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体集積
回路のレイアウト面積を最小にするには、各々の機能ブ
ロックの面積を最小にするだけでなく、配線チャネルの
面積をも最小にする必要がある。
In order to minimize the layout area of a semiconductor integrated circuit, it is necessary not only to minimize the area of each functional block but also to minimize the area of a wiring channel. .

【0005】しかしながら、前記従来のように、機能ブ
ロックの端子と端子の間隔をコンタクトや配線のスペー
シングルール等に合わせて可能な限り最小の間隔にして
も、必ずしも配線チャネルの面積を最小にできるとは限
らない。この点について、具体例を挙げて説明する。
However, even if the distance between the terminals of the functional block is made as small as possible in accordance with the contact and wiring spacing rules as in the prior art, the area of the wiring channel can always be minimized. Not necessarily. This will be described with a specific example.

【0006】今日では、半導体の製造プロセスの進歩に
より、2つの配線層を接続するコンタクトセルとして種
々の形状のものが採用され、例えば、正方形形状や長方
形形状又は十字形状のコンタクトマージンを持つコンタ
クトセルが存在する。いま、高さが最も低い横長の長方
形形状のコンタクトセルを用いると、配線チャネルの高
さが最も低くなるが、機能ブロックの端子と端子の間隔
は長くなり、正方形形状や縦長の長方形形状のコンタク
トセルを採用した場合よりも大きい。従って、機能ブロ
ックの端子数が多い場合は、機能ブロック自体のレイア
ウト面積を大きくする可能性がある。一方、縦長の長方
形形状のコンタクトセルを用いると、機能ブロックの端
子と端子の間隔は最小になるので、機能ブロックの端子
数が多い場合でも、機能ブロック自体のレイアウト面積
を最小にできるが、配線チャネルの面積が増大する。
[0006] Today, with the progress of the semiconductor manufacturing process, various types of contact cells for connecting two wiring layers are employed, for example, a contact cell having a square, rectangular or cross-shaped contact margin. Exists. Now, if a horizontally long rectangular contact cell with the lowest height is used, the height of the wiring channel will be the lowest, but the distance between the terminals of the functional block will be long, and a square or vertically long rectangular contact cell will be used. Larger than when a cell is adopted. Therefore, when the number of terminals of the functional block is large, the layout area of the functional block itself may be increased. On the other hand, when a vertically long rectangular contact cell is used, the space between the terminals of the functional block is minimized. Therefore, even when the number of terminals of the functional block is large, the layout area of the functional block itself can be minimized. The area of the channel increases.

【0007】このように、機能ブロックの端子と端子の
間隔をコンタクトセルや配線のスペーシングルール等に
合わせて可能な限り最小の間隔にして機能ブロックの面
積を最小にするだけでなく、配線チャネルの面積をも最
小にしなければ、半導体集積回路(チップ)のレイアウ
ト面積を最小にすることはできない。
As described above, the distance between the terminals of the functional block is made as small as possible in accordance with the spacing rule of the contact cell and the wiring to minimize the area of the functional block as well as the wiring channel. If the area of the semiconductor integrated circuit (chip) is not minimized, the layout area of the semiconductor integrated circuit (chip) cannot be minimized.

【0008】また、ビルディングブロック方式で機能ブ
ロック間の配線を行う従来のチャネルルーターは、配線
チャネル面積を小さくする目的で複数種類のコンタクト
セルを使い分ける機能は無く、また、複数種類のコンタ
クトセルを詳細配線で使用すると、デザインルールエラ
ーを起こす場合があったり、1種類のコンタクトセルを
用いる場合よりも配線チャネル面積を増大させることが
あった。
Further, the conventional channel router which performs wiring between functional blocks in a building block system has no function of selectively using a plurality of types of contact cells for the purpose of reducing the wiring channel area. When used for wiring, a design rule error may occur or the wiring channel area may be increased as compared with the case where one type of contact cell is used.

【0009】更に、配線チャネルの面積を小さくして半
導体集積回路のレイアウト面積を最小にする観点から、
従来の配線チャネルの様子を眺めると、配線チャネルに
は、メモリ等の機能ブロックの動作を安定させるため
に、幅の広い電源配線及びグランド配線が配置されるた
め、配線チャネルの面積が大きくなる。ビルディングブ
ロック方式のレイアウト設計では、配線チャネルでの配
線時に、機能ブロックの電源端子のレイヤー、幅、位置
等を認識することは可能であるものの、機能ブロック内
部の電源構造までは認識できないため、結果的に、配線
チャネルの電源配線やグランド配線が機能ブロック内部
の電源配線やグランド配線と平行して配置される場合も
多く、全体として電源配線やグランド配線が占める面積
が大きくなる。更に、配線チャネルにおいて、電源配線
やグランド配線の取り回し構造が複雑になれば、配線チ
ャネルの面積を大きくし、半導体集積回路全体のレイア
ウト面積を増大させる要因となる。
Further, from the viewpoint of minimizing the layout area of the semiconductor integrated circuit by reducing the area of the wiring channel,
Looking at the state of the conventional wiring channel, wide power supply wiring and ground wiring are arranged in the wiring channel in order to stabilize the operation of a functional block such as a memory, so that the area of the wiring channel becomes large. In the layout design of the building block method, it is possible to recognize the layer, width, position, etc. of the power supply terminal of the functional block when wiring in the wiring channel, but it is not possible to recognize the power supply structure inside the functional block. In general, the power supply wiring and the ground wiring of the wiring channel are often arranged in parallel with the power supply wiring and the ground wiring inside the functional block, and the area occupied by the power supply wiring and the ground wiring as a whole increases. Furthermore, if the routing structure of the power supply wiring and the ground wiring in the wiring channel becomes complicated, the area of the wiring channel is increased, which causes an increase in the layout area of the entire semiconductor integrated circuit.

【0010】本発明は前記諸点に鑑み、その目的は、ビ
ルディングブロック方式の半導体集積回路のレイアウト
設計方法において、機能ブロックの面積の縮小化と共
に、配線チャネルの面積をも縮小して、半導体集積回路
全体としてレイアウト面積を縮小することにある。
In view of the foregoing, an object of the present invention is to provide a layout design method for a semiconductor integrated circuit of a building block type, in which the area of a functional block and the area of a wiring channel are reduced, and It is to reduce the layout area as a whole.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、複数種類のコンタクトセルを、機能ブ
ロックの端子と端子の間隔に応じて、又はコンタクトマ
ージンの形状に応じて、適切に使い分けて、半導体集積
回路全体の面積を縮小する。更に、機能ブロック内部の
電源配線及びグランド配線と、配線チャネルに配置する
電源配線及びグランド配線とを無駄なく配置して、半導
体集積回路全体の面積を縮小する。
In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, a plurality of types of contact cells are appropriately formed according to the distance between terminals of a functional block or the shape of a contact margin. By properly using them, the area of the entire semiconductor integrated circuit is reduced. Further, the power supply wiring and the ground wiring inside the functional block and the power supply wiring and the ground wiring arranged in the wiring channel are arranged without waste, and the area of the whole semiconductor integrated circuit is reduced.

【0012】以上の目的を達成するため、請求項1記載
の発明の半導体集積回路のレイアウト設計方法は、複数
個の機能ブロックを配列し、これ等機能ブロック間の配
線チャネルに前記各機能ブロックを接続する配線を配線
するビルディングブロック方式の半導体集積回路のレイ
アウト設計方法であって、前記各機能ブロックに備える
配線接続用の端子のピッチに応じて、2つの配線層を接
続するコンタクトセルの種類を選択することを特徴とす
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a layout design method for a semiconductor integrated circuit, comprising arranging a plurality of functional blocks, and connecting the functional blocks to a wiring channel between the functional blocks. A layout design method of a building block type semiconductor integrated circuit in which wiring to be connected is provided, wherein a type of a contact cell connecting two wiring layers is determined according to a pitch of wiring connection terminals provided in each of the functional blocks. It is characterized by selecting.

【0013】請求項2記載の発明は、前記請求項1記載
の半導体集積回路のレイアウト設計方法において、コン
タクトセルの種類は、コンタクトホールの周囲に正方形
形状、長方形形状、及び十字形状のコンタクトマージン
を各々持つ3種のコンタクトセルのうち、2種以上であ
ることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the layout design method of the semiconductor integrated circuit according to the first aspect, the type of the contact cell includes a square, rectangular, and cross contact margin around the contact hole. It is characterized in that two or more of the three types of contact cells are provided.

【0014】請求項3記載の発明は、前記請求項1又は
2記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法におい
て、機能ブロックの端子ピッチが長いほど、高さの低い
コンタクトセルを選択することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the layout design method of the semiconductor integrated circuit according to the first or second aspect, a contact cell having a smaller height is selected as the terminal pitch of the functional block is longer. I do.

【0015】請求項4記載の発明の半導体集積回路のレ
イアウト設計プログラムを記録した記録媒体は、コンピ
ュータにより、複数個の機能ブロックを配列し、これ等
機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロックを
接続する配線を配線するビルディングブロック方式の半
導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記録した記
録媒体であって、前記設計プログラムは、前記各機能ブ
ロックに備える配線接続用の端子のピッチに応じて、2
つの配線層を接続するコンタクトセルの種類を選択させ
ることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a recording medium storing a layout design program for a semiconductor integrated circuit, wherein a plurality of functional blocks are arranged by a computer, and each of the functional blocks is arranged in a wiring channel between these functional blocks. A recording medium on which a layout design program for a building block type semiconductor integrated circuit for arranging wiring to be connected is recorded, wherein the design program comprises two or more wiring connection terminals provided in each of the functional blocks.
It is characterized in that a type of a contact cell connecting two wiring layers is selected.

【0016】請求項5記載の発明は、前記請求項4記載
の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記録し
た記録媒体において、前記設計プログラムは、機能ブロ
ックの端子ピッチが長いほど、配線チャネルの高さを低
くできる形状を有するコンタクトセルを選択させること
を特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the recording medium storing the semiconductor integrated circuit layout design program according to the fourth aspect, the design program is arranged such that the longer the terminal pitch of the functional block is, the higher the wiring channel height is. Is characterized by selecting a contact cell having a shape that can reduce the contact cell.

【0017】請求項6記載の発明の半導体集積回路のレ
イアウト設計方法は、複数個の機能ブロックを配列し、
これ等機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロ
ックを接続する配線を配線するビルディングブロック方
式の半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、2
つの配線層を接続するコンタクトセルが前記配線チャネ
ルの端に位置するとき、前記配線チャネルの幅と高さに
応じて、予め持つ複数種類のコンタクトセルの中の1種
を前記コンタクトセルとして選択することを特徴として
いる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a layout design method for a semiconductor integrated circuit, wherein a plurality of functional blocks are arranged,
A layout design method of a building block type semiconductor integrated circuit in which wiring connecting each of the functional blocks is wired to a wiring channel between these functional blocks,
When a contact cell that connects two wiring layers is located at the end of the wiring channel, one of a plurality of types of contact cells that are provided in advance is selected as the contact cell according to the width and height of the wiring channel. It is characterized by:

【0018】請求項7記載の発明の半導体集積回路のレ
イアウト設計プログラムを記録した記録媒体は、コンピ
ュータにより、複数個の機能ブロックを配列し、これ等
機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロックを
接続する配線を配線するビルディングブロック方式の半
導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記録した記
録媒体であって、前記設計プログラムは、2つの配線層
を接続するコンタクトセルが前記配線チャネルの端に位
置するとき、前記配線チャネルの幅と高さに応じて、予
め持つ複数種類のコンタクトセルの中の1種を前記コン
タクトセルとして選択させることを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a recording medium storing a semiconductor integrated circuit layout design program, wherein a plurality of functional blocks are arranged by a computer, and each of the functional blocks is arranged in a wiring channel between these functional blocks. A recording medium recording a layout design program of a building block type semiconductor integrated circuit for laying out wiring to be connected, wherein the design program is arranged such that a contact cell connecting two wiring layers is located at an end of the wiring channel. According to another aspect of the present invention, one of a plurality of types of contact cells provided in advance is selected as the contact cell according to the width and height of the wiring channel.

【0019】請求項8記載の発明の半導体集積回路のレ
イアウト設計方法は、複数個の機能ブロックを配列し、
これ等機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロ
ックを接続する配線を配線するビルディングブロック方
式の半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、前
記配線チャネル内で2つの配線層を接続する複数種類の
コンタクトセルについて、その有する形状により配線チ
ャネルの高さに与える影響の大小に応じてコスト付け
し、前記配線チャネルに存在するコンタクトセルを、当
初、最小のコストのコンタクトセルに置き換え、前記置
き換えたコンタクトセルで設計ルールを満たすか否かを
チェックし、前記設計ルールエラーが生じていれば、そ
の次にコストの小さいコンタクトセルに置き換えて、前
記設計ルールを満たすか否かをチェックすることを繰り
返すことを特徴とする。
In a layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention, a plurality of functional blocks are arranged.
This is a layout design method of a building block type semiconductor integrated circuit in which wiring connecting each of the functional blocks is wired to a wiring channel between these functional blocks, wherein a plurality of types of connecting two wiring layers in the wiring channel are provided. The contact cell is costed according to the magnitude of the influence on the height of the wiring channel by the shape of the contact cell, and the contact cell existing in the wiring channel is initially replaced with a contact cell having the minimum cost. It is checked whether or not the cell satisfies the design rule, and if the design rule error has occurred, it is repeated to replace the contact cell with the next lowest cost and check whether or not the design rule is satisfied. It is characterized by.

【0020】請求項9記載の発明は、前記請求項8記載
の半導体集積回路のレイアウト設計方法において、複数
種類のコンタクトセルには、コンタクトホールの周囲に
正方形形状、長方形形状、及び十字形状のコンタクトマ
ージンを持つ3種のコンタクトセルを含むことを特徴と
する。
According to a ninth aspect of the present invention, in the layout design method of a semiconductor integrated circuit according to the eighth aspect, the plurality of types of contact cells have square, rectangular, and cross-shaped contacts around the contact hole. It includes three types of contact cells having a margin.

【0021】請求項10記載の発明は、前記請求項9記
載の半導体集積回路のレイアウト設計方法において、前
記3種のコンタクトセルでは、横長の長方形形状のコン
タクトマージンを持つコンタクトセルのコストが最も小
さく、縦長の長方形形状のコンタクトマージンを持つコ
ンタクトセルのコストが最も大きいことを特徴としてい
る。
According to a tenth aspect of the present invention, in the layout design method of the semiconductor integrated circuit according to the ninth aspect, among the three types of contact cells, the cost of a contact cell having a horizontally long rectangular contact margin is the smallest. The feature is that the cost of a contact cell having a vertically long rectangular contact margin is the largest.

【0022】請求項11記載の発明の半導体集積回路の
レイアウト設計プログラムを記録した記録媒体は、コン
ピュータにより、複数個の機能ブロックを配列し、これ
等機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロック
を接続する配線を配線するビルディングブロック方式の
半導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記録した
記録媒体であって、前記設計プログラムは、前記配線チ
ャネル内で2つの配線層を接続する複数種類のコンタク
トセルについて、その有する形状により配線チャネルの
高さに与える影響の大小に応じてコスト付けさせ、前記
配線チャネルに存在するコンタクトセルを、当初、最小
のコストのコンタクトセルに置き換えさせ、前記置き換
えたコンタクトセルで設計ルールを満たすか否かをチェ
ックし、前記設計ルールエラーが生じていれば、その次
にコストの小さいコンタクトセルに置き換えさせて、前
記設計ルールを満たすか否かをチェックすることを繰り
返させることを特徴とする。
In a recording medium storing a semiconductor integrated circuit layout design program according to the present invention, a plurality of functional blocks are arranged by a computer, and each of the functional blocks is arranged in a wiring channel between these functional blocks. A recording medium recording a layout design program of a building block type semiconductor integrated circuit for arranging wiring to be connected, wherein the design program comprises a plurality of types of contact cells that connect two wiring layers in the wiring channel. Depending on the magnitude of the influence on the height of the wiring channel due to its shape, the cost is set according to the magnitude of the influence on the height of the wiring channel, and the contact cell existing in the wiring channel is initially replaced with the contact cell with the minimum cost, and the design is performed with the replaced contact cell. Check if the rules are satisfied and If occurs Ruera, next to let me replaced with a small contact cell cost, it is characterized in that to repeat to check whether they meet the design rule.

【0023】請求項12記載の発明は、前記請求項11
記載の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記
録した記録媒体において、前記設計プログラムは、前記
複数種類のコンタクトセルのうち、コンタクトホールの
周囲に正方形形状、長方形形状、及び十字形状のコンタ
クトマージンを持つ3種のコンタクトセルでは、横長の
長方形形状のコンタクトマージンを持つコンタクトセル
のコストを最も小さく付け、縦長の長方形形状のコンタ
クトマージンを持つコンタクトセルのコストを最も大き
く付けることを特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the eleventh aspect.
3. The recording medium according to claim 1, wherein the design program has a square, rectangular, and cross-shaped contact margin around a contact hole among the plurality of types of contact cells. Among the types of contact cells, the cost of a contact cell having a horizontally long rectangular contact margin is minimized, and the cost of a contact cell having a vertically elongated rectangular contact margin is maximized.

【0024】請求項13記載の発明の半導体集積回路の
レイアウト設計方法は、複数個の機能ブロックを配列
し、これ等機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能
ブロックを接続する配線を配線するビルディングブロッ
ク方式の半導体集積回路のレイアウト設計方法であっ
て、前記配線チャネルに配置する電源配線及びグランド
配線を、前記各機能ブロック内に移動させて、各機能ブ
ロック内に付加することを特徴とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a layout design method for a semiconductor integrated circuit, wherein a plurality of functional blocks are arranged, and a wiring block for connecting the functional blocks to a wiring channel between these functional blocks is provided. A method for designing a layout of a semiconductor integrated circuit according to a method, wherein power supply wiring and ground wiring arranged in the wiring channel are moved into each of the functional blocks and added to each of the functional blocks.

【0025】請求項14記載の発明は、前記請求項13
記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法において、
各機能ブロックでは、内部に付加する電源配線及びグラ
ンド配線の横方向又は縦方向の位置を、各機能ブロック
相互間で同一位置に設定することを特徴とする。
The invention according to claim 14 is the invention according to claim 13.
In the layout design method for a semiconductor integrated circuit described above,
In each functional block, the horizontal or vertical position of the power supply wiring and the ground wiring added inside is set to the same position between the functional blocks.

【0026】請求項15記載の発明の半導体集積回路の
レイアウト設計プログラムを記録した記録媒体は、コン
ピュータにより、複数個の機能ブロックを配列し、これ
等機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロック
を接続する配線を配線するビルディングブロック方式の
半導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記録した
記録媒体であって、前記設計プログラムは、前記配線チ
ャネルに配置する電源配線及びグランド配線を、前記各
機能ブロック内に移動させて、各機能ブロック内に付加
させることを特徴とする。
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a recording medium on which a layout design program for a semiconductor integrated circuit is recorded, wherein a plurality of functional blocks are arranged by a computer, and each of the functional blocks is arranged in a wiring channel between these functional blocks. A recording medium recording a layout design program of a building block type semiconductor integrated circuit for laying out wiring to be connected, wherein the design program includes a power supply wiring and a ground wiring arranged in the wiring channel in each of the functional blocks. It is characterized by being moved and added within each functional block.

【0027】請求項16記載の発明は、前記請求項15
記載の半導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記
録した記録媒体において、前記設計プログラムは、各機
能ブロックにおいて、内部に付加する電源配線及びグラ
ンド配線の横方向又は縦方向の位置を、各機能ブロック
相互間で同一位置に設定することを特徴とする。
The invention according to claim 16 is the invention according to claim 15.
In a recording medium on which a layout design program for a semiconductor integrated circuit according to the above is recorded, the design program determines the horizontal or vertical position of a power supply wiring and a ground wiring added inside each functional block between the functional blocks. Are set at the same position.

【0028】請求項17記載の発明は、前記請求項13
又は14記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法に
おいて、複数個の機能ブロックを配列し、これ等機能ブ
ロック間の配線チャネルに前記各機能ブロックを接続す
る配線を配線するビルディングブロック方式の半導体集
積回路のレイアウト設計方法であって、電源配線及びグ
ランド配線を、前記機能ブロックの配線層とは異なる配
線層のみに配置することを特徴とする。
The invention according to claim 17 is the invention according to claim 13.
Or the layout design method of a semiconductor integrated circuit according to 14, wherein a plurality of functional blocks are arranged, and a wiring for connecting each of the functional blocks is wired to a wiring channel between these functional blocks. In a layout design method, a power supply wiring and a ground wiring are arranged only on a wiring layer different from the wiring layer of the functional block.

【0029】請求項18記載の発明は、前記請求項15
又は16記載の半導体集積回路のレイアウト設計プログ
ラムを記録した記録媒体において、コンピュータによ
り、複数個の機能ブロックを配列し、これ等機能ブロッ
ク間の配線チャネルに前記各機能ブロックを接続する配
線を配線するビルディングブロック方式の半導体集積回
路のレイアウト設計プログラムを記録した記録媒体であ
って、前記設計プログラムは、電源配線及びグランド配
線を、前記機能ブロックの配線層とは異なる配線層のみ
に配置させることを特徴としている。
The invention according to claim 18 is the invention according to claim 15.
Alternatively, in a recording medium recording a layout design program for a semiconductor integrated circuit according to 16, a computer arranges a plurality of functional blocks and wires wiring connecting the functional blocks to a wiring channel between these functional blocks. A recording medium recording a layout design program of a building block type semiconductor integrated circuit, wherein the design program arranges a power supply wiring and a ground wiring only in a wiring layer different from a wiring layer of the functional block. And

【0030】以上の構成により、請求項1ないし請求項
5記載の発明では、機能ブロックの端子と端子の間隔
(端子のピッチ)が長い場合ほど、高さの低いコンタク
トセルが選択される。従って、この選択されたコンタク
トセルの幅が広くても、前記端子のピッチ内である限
り、このコンタクトセルが配置される配線チャネルの高
さが低くなり、配線チャネルの面積が縮小される。
With the above configuration, in the inventions according to the first to fifth aspects, a contact cell having a smaller height is selected as the distance between the terminals of the functional block (terminal pitch) is longer. Therefore, even if the width of the selected contact cell is wide, as long as the contact cell is within the pitch of the terminals, the height of the wiring channel in which the contact cell is arranged is reduced, and the area of the wiring channel is reduced.

【0031】また、請求項6及び7記載の発明では、配
線チャネルの端にコンタクトセルが位置する場合に、前
記配線チャネルの幅が広く且つ高さが低い場合には、高
さの低いコンタクトセルが選択され、一方、前記配線チ
ャネルの幅が狭く且つ高さが高い場合には、幅の狭いコ
ンタクトセルが選択されるので、配線チャネルの面積の
拡大が少なく制限される。
According to the present invention, when the contact cell is located at the end of the wiring channel, the contact cell having a low height is provided when the width of the wiring channel is wide and the height is low. On the other hand, if the width of the wiring channel is small and the height is high, a contact cell having a small width is selected, so that the enlargement of the area of the wiring channel is limited.

【0032】更に、請求項8ないし請求項12記載の発
明では、高さが低くて小さな値にコスト付けされたコン
タクトセルから順次配置して行くので、配線チャネルの
面積を効果的に小さくしつつ、レイアウトが完了する。
Furthermore, in the inventions according to the eighth to twelfth aspects, the contact cells are sequentially arranged starting from the contact cells having a small height and a small value, so that the area of the wiring channel can be effectively reduced. The layout is completed.

【0033】加えて、請求項13ないし請求項16記載
の発明では、配線チャネルに配置する電源配線及びグラ
ンド配線が機能ブロック内に延びるので、電源配線等の
数やコンタクトセル数が減少して、電源配線等の配置構
造が簡易化され、配線チャネルの面積が縮小される。
In addition, in the inventions according to the thirteenth to sixteenth aspects, since the power supply wiring and the ground wiring arranged in the wiring channel extend into the functional block, the number of power supply wirings and the like and the number of contact cells are reduced. The arrangement structure of the power supply wiring and the like is simplified, and the area of the wiring channel is reduced.

【0034】また、請求項17及び18記載の発明で
は、電源配線及びグランド配線が機能ブロックとは異な
る配線層に配置されて、これ等電源配線及びグランド配
線が機能ブロック上を通過することが可能となるので、
配線チャネルには機能ブロック相互を接続する信号線の
幹線のみが配置されて、配線チャネルの面積が縮小され
る。
In the invention according to the seventeenth and eighteenth aspects, the power supply wiring and the ground wiring are arranged in a wiring layer different from the function block, and these power supply wiring and the ground wiring can pass over the function block. So,
Only the main line of the signal line connecting the functional blocks is arranged in the wiring channel, and the area of the wiring channel is reduced.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)以下、本発
明の第1の実施の形態である半導体集積回路のレイアウ
ト設計方法を説明する。本実施の形態の設計方法は、ス
タンダードセル方式の機能ブロックのコンピュータによ
るレイアウト方法であって、複数のコンタクトセルが存
在する場合について図面を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A layout design method of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention will be described below. The design method according to the present embodiment is a computer layout method for functional blocks of the standard cell system, and a case where a plurality of contact cells exist will be described with reference to the drawings.

【0036】最初に、コンタクトセルについて説明す
る。コンタクトセルは、異なる2つの配線層間を接続す
るために用いられるものであって、第1配線層の配線と
第2配線層の配線とを接続するコンタクトセルは、第1
配線層の矩形と、第2配線層の矩形と、第1配線層と第
2配線層とを接続するコンタクトホールとで構成され
る。前記第1配線層の矩形と第2配線層の矩形は、各
々、第1配線層と第2配線層のコンタクトセルのマージ
ンであり、コンタクトホールを設定する位置が多少ずれ
ても、第1配線層の配線と第2配線層の配線とが接続さ
れることを保証するために必要なものである。
First, the contact cell will be described. The contact cell is used to connect two different wiring layers, and the contact cell connecting the wiring of the first wiring layer and the wiring of the second wiring layer is the first contact cell.
It comprises a rectangle of the wiring layer, a rectangle of the second wiring layer, and a contact hole connecting the first wiring layer and the second wiring layer. The rectangle of the first wiring layer and the rectangle of the second wiring layer are margins of the contact cells of the first and second wiring layers, respectively. This is necessary to ensure that the wiring of the layer and the wiring of the second wiring layer are connected.

【0037】図1において、11は第1配線層の正方形
形状のコンタクトマージン、12は第2配線層の正方形
形状のコンタクトマージン、13は第1配線層と第2配
線層とを接続するコンタクトホール、14は第1配線層
の長方形形状のコンタクトマージン、15は第2配線層
の長方形形状のコンタクトマージンを示す。
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a square-shaped contact margin of the first wiring layer, 12 denotes a square-shaped contact margin of the second wiring layer, and 13 denotes a contact hole connecting the first and second wiring layers. , 14 indicate a rectangular contact margin of the first wiring layer, and 15 indicates a rectangular contact margin of the second wiring layer.

【0038】簡単のため、各々のレイアウトパターンの
サイズは、配線の最小線幅を2とした場合を示してい
る。また、第1配線層と第2配線層での配線の最小間隔
も、各々2とする。
For the sake of simplicity, the size of each layout pattern shows the case where the minimum line width of the wiring is 2. Further, the minimum distance between the wirings in the first wiring layer and the second wiring layer is also set to 2.

【0039】レイアウトパターンのサイズは、第1配線
層での配線の最小線幅をW1、第1配線層の正方形形状
のコンタクトマージンの幅をW11、高さをH11(W
11=H11)、第1配線層の長方形形状のコンタクト
マージンの幅をW12、高さをH12(W12>H1
2)、第1配線層と第2配線層とを接続するコンタクト
ホールの幅をW31、高さをH31とすると、W31≦
W1<W11<W12、H31≦W1≦H12<H11
の条件を満たすものとする。
The size of the layout pattern is such that the minimum line width of the wiring in the first wiring layer is W1, the width of the square contact margin of the first wiring layer is W11, and the height is H11 (W
11 = H11), the width of the rectangular contact margin of the first wiring layer is W12, and the height is H12 (W12> H1).
2) If the width of the contact hole connecting the first wiring layer and the second wiring layer is W31 and the height is H31, W31 ≦
W1 <W11 <W12, H31 ≦ W1 ≦ H12 <H11
Shall be satisfied.

【0040】同様に、第2配線層での配線の最小線幅を
W2、第2配線層の正方形形状のコンタクトマージンの
幅をW21、高さをH21(W21=H21)、第2配
線層の長方形形状のコンタクトマージンの幅をW22、
高さをH22(W22>H22)、第1配線層と第2配
線層とを接続するコンタクトホールの幅をW31、高さ
をH31とすると、W31≦W2<W21<W22、H
31≦W2≦H22<H21の条件を満たすものとす
る。
Similarly, the minimum line width of the wiring in the second wiring layer is W2, the width of the square contact margin of the second wiring layer is W21, the height is H21 (W21 = H21), and the height of the second wiring layer is W21. The width of the rectangular contact margin is W22,
If the height is H22 (W22> H22), the width of the contact hole connecting the first wiring layer and the second wiring layer is W31, and the height is H31, W31 ≦ W2 <W21 <W22, H
It is assumed that the condition of 31 ≦ W2 ≦ H22 <H21 is satisfied.

【0041】複数の機能ブロックには、各々、他の機能
ブロックとの間で信号線を接続するために、信号線が機
能ブロックから引出される境界に、信号線の取出し口と
して、端子を設定する。
In each of the plurality of functional blocks, a terminal is set as a signal line outlet at a boundary where the signal line is drawn from the functional block in order to connect a signal line with another functional block. I do.

【0042】機能ブロックは、端子の数、端子と端子の
間隔、信号線が引出される方向、信号線の引し出しに用
いるコンタクトセル等により、所望のサイズよりも大き
くなる場合がある。このため、機能ブロックの面積を最
小にするには、端子の数、信号線が引き出される方向、
信号線の引し出しに用いるコンタクトセルと配線との最
小スペーシングルール等を考慮して、端子と端子の間隔
を最適な距離にする必要がある。
The size of the functional block may be larger than a desired size depending on the number of terminals, the distance between terminals, the direction in which signal lines are led out, the contact cells used for leading out signal lines, and the like. For this reason, to minimize the area of the functional block, the number of terminals, the direction in which the signal lines are drawn,
In consideration of the minimum spacing rule between the contact cell used for leading out the signal line and the wiring, the distance between the terminals needs to be set to an optimum distance.

【0043】また、端子と端子の間隔に応じたコンタク
トセルを用いれば、第1配線層の配線と第2配線層の配
線とを接続するために必要な領域面積を最小にでき、半
導体集積回路全体のレイアウト面積を削減することがで
きる。
Further, if a contact cell corresponding to the distance between terminals is used, the area of a region required for connecting the wiring of the first wiring layer and the wiring of the second wiring layer can be minimized, and the semiconductor integrated circuit can be reduced. The entire layout area can be reduced.

【0044】以下、機能ブロックの端子と端子の間隔を
決める際に、信号線の引し出しに用いるコンタクトセル
の形状を考慮して、機能ブロックと半導体集積回路(チ
ップ)のレイアウト面積を最小にする方法について説明
する。
Hereinafter, when determining the interval between the terminals of the functional block, the layout area of the functional block and the semiconductor integrated circuit (chip) is minimized in consideration of the shape of the contact cell used for leading the signal line. A method for performing the above will be described.

【0045】図15は、本発明の第1の実施の形態であ
る半導体集積回路の機能ブロックのレイアウト設計方法
のフローチャートを示す。このフローチャートはレイア
ウト設計プログラムにより実現され、記録媒体に記録し
て提供される。
FIG. 15 is a flowchart of a layout design method for a functional block of a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. This flowchart is realized by a layout design program, and is provided by being recorded on a recording medium.

【0046】図15において、データ入力ステップ10
00では、機能ブロック内の論理的な接続情報であるネ
ットリスト、物理的な回路情報であるスタンダードセル
データ、配線層、配線の最小線幅、配線間の最小間隔、
コンタクトセル等の設計プロセスのテクノロジデータ、
機能ブロックのセル段数、機能ブロックの入出力端子を
機能ブロックの上下左右の何れの辺に配置するかの指
定、配線をコントロールするための配置配線パラメータ
等を入力する。
In FIG. 15, the data input step 10
In 00, a netlist that is logical connection information in a functional block, standard cell data that is physical circuit information, a wiring layer, a minimum wiring width, a minimum spacing between wirings,
Technology data of the design process such as contact cells,
The number of cell stages of the functional block, the designation of the upper, lower, left, and right sides of the functional block on which the input / output terminals are to be placed, and the layout and wiring parameters for controlling the wiring are input.

【0047】次に、ステップ1001では、パラメータ
で指定されたセル段数に合わせてスタンダードセルを配
置すると共に、指定された辺に入出力端子を配置する。
また、セル配置に応じて機能ブロックの幅と高さの最小
値を決定する。
Next, in step 1001, standard cells are arranged according to the number of cell stages specified by parameters, and input / output terminals are arranged on the specified sides.
Further, the minimum value of the width and height of the functional block is determined according to the cell arrangement.

【0048】続いて、概略配線ステップ1002では、
ネットリストに従って配線経路を指定する。概略配線が
終了した時点で、機能ブロックの幅と高さがほぼ決定す
る。
Subsequently, in a schematic wiring step 1002,
Specify the wiring route according to the netlist. At the time when the schematic wiring is completed, the width and height of the functional block are substantially determined.

【0049】更に、ステップ1003において、複数種
類のコンタクトセルが存在する場合に、機能ブロックの
端子と端子の間隔(端子のピッチ)を何れの種類のコン
タクトに合わせるかを決定する。以下、機能ブロックの
端子の最適なピッチ計算の方法を説明する。
Further, in step 1003, when there are a plurality of types of contact cells, it is determined which type of contact the terminal interval (terminal pitch) of the functional block should be. Hereinafter, a method of calculating the optimum pitch of the terminals of the functional block will be described.

【0050】機能ブロックの各辺に配置される端子の数
をNp、機能ブロックの辺の長さをWb、機能ブロック
の4つの角部には端子を設定しないものとすると、端子
の中心から中心までの最小間隔Spは、 Sp = Wb/(Np+1) で表現される。
Assuming that the number of terminals arranged on each side of the functional block is Np, the length of the side of the functional block is Wb, and no terminals are set at the four corners of the functional block, The minimum interval Sp up to is represented by Sp = Wb / (Np + 1).

【0051】ステップ1001で各辺に配置される端子
数Npが決定され、ステップ1002で機能ブロックの
幅及び高さがほぼ決定され、辺の長さWbも定数である
ので、端子のピッチの最小間隔Spの値が求められる。
In step 1001, the number Np of terminals arranged on each side is determined. In step 1002, the width and height of the functional block are substantially determined, and the length Wb of the side is also a constant. The value of the interval Sp is determined.

【0052】図2は、配線層のコンタクトマージンと、
2つの配線層間を接続するコンタクトホールとを組合わ
せた正方形形状、十字形状、及び横長の長方形形状のコ
ンタクトセル21〜23を示す。前記正方形形状のコン
タクトセル21は、第1配線層の正方形のマージンと、
第2配線層の正方形のマージンと、第1配線層と第2配
線層とを接続する正方形のコンタクトホールとにより構
成される。また、前記十字形状のコンタクトセル22
は、第1配線層の横長の長方形のマージンと、第2配線
層の縦長の長方形のマージンと、第1配線層と第2配線
層とを接続する正方形のコンタクトホールとにより構成
される。更に、横長の長方形形状のコンタクトセル23
は、第1配線層の横長の長方形のマージンと、第2配線
層の横長の長方形のマージンと、第1配線層と第2配線
層とを接続する正方形のコンタクトホールとにより構成
される。
FIG. 2 shows the contact margin of the wiring layer,
The contact cells 21 to 23 each having a square shape, a cross shape, and a horizontally long rectangular shape in combination with a contact hole connecting two wiring layers are shown. The square contact cell 21 has a square margin of the first wiring layer,
It is composed of a square margin of the second wiring layer and a square contact hole connecting the first wiring layer and the second wiring layer. The cross-shaped contact cell 22
Is composed of a horizontally long rectangular margin of the first wiring layer, a vertically long rectangular margin of the second wiring layer, and a square contact hole connecting the first wiring layer and the second wiring layer. Furthermore, the horizontally long rectangular contact cell 23
Is composed of a horizontally-long rectangular margin of the first wiring layer, a horizontally-long rectangular margin of the second wiring layer, and a square contact hole connecting the first and second wiring layers.

【0053】図3は、図2の正方形形状のコンタクトセ
ル21のスペーシングルールを示し、コンタクトセル2
1同志の中心から中心までの最小間隔が5であることを
示す。図4は、図2の正方形形状のコンタクトセル21
の中心から、第1配線層の最小幅の配線(又は、第2配
線層の最小幅の配線)の中心までの最小間隔が4.5で
あることを示す。図5は、図2の十字形状のコンタクト
セル22のスペーシングルールを示し、コンタクトセル
22同志の中心から中心までの最小間隔が8であること
を示す。図6は、図2の十字形状のコンタクトセル22
の中心から、第1配線層の最小幅の配線(又は、第2配
線層の最小幅の配線)の中心までの最小間隔が6である
ことを示す。図7は、図2の横長の長方形形状のコンタ
クトセル23のスペーシングルールを示し、コンタクト
セル23同志の中心から中心までの最小間隔が8である
ことを示す。図8は、図2の横長の長方形形状のコンタ
クトセル23の中心から、第1配線層の最小幅の配線
(又は、第2配線層の最小幅の配線)の中心までの最小
間隔が6であることを示す。図9は、図2の横長の長方
形形状のコンタクトセル23を90°(又は270°)
回転させた場合に、縦長の長方形形状のコンタクトセル
23同志の中心から中心までの最小間隔が4であること
を示している。
FIG. 3 shows a spacing rule of the square contact cell 21 shown in FIG.
Indicates that the minimum distance between the centers of one comrade is 5. FIG. 4 shows a square contact cell 21 of FIG.
Indicates that the minimum distance from the center of the first wiring layer to the center of the minimum width wiring of the first wiring layer (or the minimum width wiring of the second wiring layer) is 4.5. FIG. 5 shows the spacing rule of the cross-shaped contact cells 22 of FIG. 2, and shows that the minimum distance between the centers of the contact cells 22 is eight. FIG. 6 shows the cross-shaped contact cell 22 of FIG.
From the center of the first wiring layer to the center of the minimum width wiring of the first wiring layer (or the minimum width wiring of the second wiring layer). FIG. 7 shows the spacing rule of the horizontally long rectangular contact cells 23 in FIG. 2, and shows that the minimum distance between the centers of the contact cells 23 is eight. FIG. 8 shows that the minimum distance from the center of the horizontally long rectangular contact cell 23 in FIG. 2 to the center of the minimum width wiring of the first wiring layer (or the minimum width wiring of the second wiring layer) is six. Indicates that there is. FIG. 9 shows a case where the horizontally long rectangular contact cell 23 shown in FIG. 2 is 90 ° (or 270 °).
When rotated, the minimum distance between the centers of the vertically long rectangular contact cells 23 is 4.

【0054】前記図3〜図9から判るように、端子と端
子の最小間隔は、4、4.5、5、6、8の5種類から
選択できる。
As can be seen from FIGS. 3 to 9, the minimum distance between terminals can be selected from five types of 4, 4.5, 5, 6, and 8.

【0055】第1配線層の端子から第2配線層の配線に
接続する場合にコンタクトセルを用いるので、第1配線
層の配線と第2配線層の配線とを接続するために必要な
面積Sは、端子からコンタクトセルまでの距離をDv
p、機能ブロックの辺の長さをWbとすると、 S=Dvp×Wb Wbは概略配線後には定数であるので、 S=c×Dvp(c:定数) となり、面積Sを最小にするには、端子からコンタクト
セルまでの距離Dvpを最小にする必要がある。
Since a contact cell is used when connecting a terminal of the first wiring layer to a wiring of the second wiring layer, an area S required for connecting the wiring of the first wiring layer and the wiring of the second wiring layer is used. Is the distance from the terminal to the contact cell, Dv
Assuming that p and the length of the side of the functional block are Wb, S = Dvp × Wb Since Wb is a constant after the general wiring, S = c × Dvp (c: constant). , The distance Dvp from the terminal to the contact cell must be minimized.

【0056】Sp≧8の場合は、端子の最小間隔を8に
設定する。端子の最小間隔が8の場合は、第1配線層の
端子を第2配線層の配線に接続するには、図10に示す
ように、横長の長方形形状のコンタクトセル23を用い
ると、端子からコンタクトセルまでの距離Dvpが最小
になる。
If Sp ≧ 8, the minimum terminal interval is set to 8. When the minimum distance between the terminals is 8, to connect the terminals of the first wiring layer to the wiring of the second wiring layer, as shown in FIG. The distance Dvp to the contact cell is minimized.

【0057】6≦Sp<8の場合には、端子の最小間隔
を6に設定すると、第1配線層の端子を第2配線層の配
線に接続するには、正方形形状のコンタクトセル21又
は横長の長方形形状のコンタクトセル23を用いること
が可能であるが、図11及び図12から判るように、正
方形形状のコンタクトセル21を用いると、端子からコ
ンタクトセルまでの距離Dvpが最小になる。この場合
は、端子の最小間隔は5にしても同じであるので、5≦
Sp<8の場合は、端子の最小間隔は5に設定する。
In the case of 6 ≦ Sp <8, if the minimum distance between the terminals is set to 6, in order to connect the terminals of the first wiring layer to the wiring of the second wiring layer, it is necessary to use the square contact cell 21 or the horizontally long contact cell 21. Although it is possible to use the rectangular contact cell 23, as can be seen from FIGS. 11 and 12, when the square contact cell 21 is used, the distance Dvp from the terminal to the contact cell is minimized. In this case, even if the minimum distance between terminals is 5, the same holds true.
If Sp <8, the minimum terminal interval is set to 5.

【0058】4.5≦Sp< 5の場合には、端子の最
小間隔を4.5に設定すると、第1配線層の端子を第2
配線層の配線に接続するには、正方形形状のコンタクト
セル21又は縦長の長方形形状のコンタクトセル23を
用いることが可能であるが、図13及び図14から判る
ように、縦長の長方形形状のコンタクトセル23を用い
ると、端子からコンタクトセルまでの距離Dvpが最小
になる。この場合は、端子の最小間隔は4にしても同じ
であるので、4≦Sp<5の場合は、端子の最小間隔を
4に設定する。
In the case of 4.5 ≦ Sp <5, when the minimum distance between the terminals is set to 4.5, the terminals of the first wiring layer are connected to the second terminals.
In order to connect to the wiring of the wiring layer, it is possible to use a square contact cell 21 or a vertically long rectangular contact cell 23. As can be seen from FIG. 13 and FIG. The use of the cell 23 minimizes the distance Dvp from the terminal to the contact cell. In this case, the same is true even when the minimum terminal interval is set to 4. Therefore, if 4 ≦ Sp <5, the minimum terminal interval is set to 4.

【0059】端子の最小間隔Spが決定すれば、図15
の詳細配線ステップ1004で、詳細配線を行って、機
能ブロックのレイアウトを完成させ、その後、データ出
力ステップ1005で前記完成したレイアウト結果を出
力する。
Once the minimum terminal distance Sp is determined, FIG.
In the detailed wiring step 1004, detailed wiring is performed to complete the layout of the functional blocks. Then, in the data output step 1005, the completed layout result is output.

【0060】尚、配線層やコンタクトセル、レイアウト
パターンのサイズは、半導体集積回路を製造するプロセ
スに依存するので、本実施の形態で説明した配線層及び
コンタクトの名称や数は、説明を簡単にするためのもの
であって、実際の半導体プロセスの配線層やコンタクト
の名称、数、レイアウトパターンのサイズを限定すもの
ではない。
Since the sizes of the wiring layers, contact cells, and layout patterns depend on the process of manufacturing the semiconductor integrated circuit, the names and numbers of the wiring layers and contacts described in the present embodiment are simply described. This is not intended to limit the names and numbers of wiring layers and contacts in an actual semiconductor process and the size of a layout pattern.

【0061】本実施の形態の効果は、任意のn番目の配
線層と、n+1番目の配線層との配線層間を接続するコ
ンタクトセルに対して適用しても、同様に発揮される。
The effect of the present embodiment is similarly exerted when applied to a contact cell connecting an arbitrary n-th wiring layer and an (n + 1) -th wiring layer.

【0062】(第2の実施の形態)次に、本発明の第2
の実施の形態の半導体集積回路のコンピュータによるレ
イアウト設計方法を図面を用いて説明する。本実施の形
態では、各配線チャネルで複数種類のコンタクトセルを
使い分けて、各配線チャネルの面積を縮小することを目
的とする。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described.
A layout design method of a semiconductor integrated circuit according to the embodiment using a computer will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, an object is to reduce the area of each wiring channel by properly using a plurality of types of contact cells in each wiring channel.

【0063】本実施の形態では、コンタクト及び配線に
関しては、前記第1の実施の形態と全く同条件である。
In this embodiment, the conditions for contacts and wiring are exactly the same as those in the first embodiment.

【0064】図16は、1チップの半導体集積回路のレ
イアウトを簡略化した図を示す。同図において、BL1
〜BL3は機能ブロック、PAD1〜PAD4は半導体
集積回路の入出力回路ブロック、Ch1〜Ch6は配線
チャネルであって、機能ブロック間を接続するために信
号線並びに電源配線及びグランド配線が通過する領域で
ある。
FIG. 16 shows a simplified layout of a one-chip semiconductor integrated circuit. In FIG.
BL3 to PAD3 are functional blocks, PAD1 to PAD4 are input / output circuit blocks of the semiconductor integrated circuit, and Ch1 to Ch6 are wiring channels, which are areas through which signal lines, power supply wirings, and ground wirings pass to connect the function blocks. is there.

【0065】図17は、本発明の第2の実施の形態であ
る半導体集積回路のレイアウト設計方法のフローチャー
トを示す。このフローチャートはレイアウト設計プログ
ラムにより実現され、記録媒体に記録して提供される。
FIG. 17 is a flowchart showing a layout design method for a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. This flowchart is realized by a layout design program, and is provided by being recorded on a recording medium.

【0066】図17において、データ入力ステップ20
00では、1チップ内の各機能ブロック間の論理的な接
続情報であるネットリスト、機能ブロックの形状、配線
層等の物理情報、配線層、配線の最小線幅、配線間の最
小間隔、コンタクトセル等の設計プロセスのテクノロジ
データを入力する。
In FIG. 17, a data input step 20
In 00, a netlist, which is logical connection information between functional blocks in one chip, the shape of functional blocks, physical information such as wiring layers, wiring layers, minimum wiring width, minimum spacing between wirings, and contacts Enter the technology data for the cell and other design processes.

【0067】次の機能ブロック配置ステップ2001で
は、複数の機能ブロックの配置を行う。
In the next function block arrangement step 2001, a plurality of function blocks are arranged.

【0068】続いて、配線チャネル設定ステップ200
2では、配線チャネルの設定を行い、更に概略配線ステ
ップ2003では、全ての配線がどの配線チャネルを通
過するかを決定する。次に、詳細配線ステップ2004
では、各配線チャネル毎に、物理的なプロセスのテクノ
ロジルールに従い、信号線の配線を行う。
Subsequently, a wiring channel setting step 200
In step 2, a wiring channel is set, and in the general wiring step 2003, it is determined which wiring channel all wirings pass through. Next, detailed wiring step 2004
Then, the signal lines are wired for each wiring channel according to the technology rule of the physical process.

【0069】その後、配線チャネル調整ステップ200
5では、配線チャネルの左右の端にある浮動端子の位置
を調整することにより、配線チャネルの面積を変更す
る。ここで、浮動端子とは、配線チャネルの左右端を通
過する配線に設けられた端子であって、実体の無い仮想
的なものである。
Thereafter, a wiring channel adjustment step 200
In 5, the area of the wiring channel is changed by adjusting the positions of the floating terminals at the left and right ends of the wiring channel. Here, the floating terminal is a terminal provided on a wiring passing through the left and right ends of the wiring channel, and is a virtual substance having no substance.

【0070】図18は、詳細配線後の配線チャネルの右
端を拡大した図を示す。この図を用いて配線チャネルの
高さと幅を明確にする。同図に示すように、配線チャネ
ルは、配置位置が変化しない固定端子P300、P30
1が存在する固定辺と、配置位置が決定されていない浮
動端子FP300〜FP302が存在する浮動辺とによ
り、構成される。この2次元平面で、固定辺を幅、浮動
辺を高さと表現する。x、y平面で表現すると、固定辺
にx軸を、浮動辺にy軸を設定する。図18において、
VIA300〜VIA302は縦、横共に最小の仮想的
なコンタクトセルであって、必ず、図2に示した3種の
コンタクトセル21〜23の何れかに置き換える必要が
あるものとする。
FIG. 18 is an enlarged view of the right end of the wiring channel after the detailed wiring. The height and width of the wiring channel are clarified using this figure. As shown in the figure, the wiring channels are fixed terminals P300 and P30 whose arrangement positions do not change.
1 and a floating side where floating terminals FP300 to FP302 whose placement positions are not determined exist. In this two-dimensional plane, the fixed side is expressed as a width, and the floating side is expressed as a height. In terms of the x and y planes, the x axis is set on the fixed side and the y axis is set on the floating side. In FIG.
VIA 300 to VIA 302 are the smallest virtual contact cells both vertically and horizontally, and it is necessary to always replace them with any of the three types of contact cells 21 to 23 shown in FIG.

【0071】配線チャネルの右端に位置する浮動端子F
P300は、第1配線層の水平方法の配線LH300
と、コンタクトセルVIA300により接続されてい
る。同様に、浮動端子FP301は、第1配線層の水平
方法の配線LH301と、コンタクトセルVIA301
により接続されている。また、浮動端子FP302は、
第1配線層の水平方法の配線LH302と、コンタクト
セルVIA302により接続されている。
The floating terminal F located at the right end of the wiring channel
P300 is a horizontal wiring LH300 of the first wiring layer.
And the contact cell VIA300. Similarly, the floating terminal FP301 is connected to the horizontal wiring LH301 of the first wiring layer and the contact cell VIA301.
Connected by The floating terminal FP302 is
The wiring LH302 of the first wiring layer in the horizontal method is connected to the contact cell VIA302.

【0072】配線チャネルの高さを最小にするために、
図19に示すように、コンタクトセルVIA300〜V
IA302を、図2に示す高さが最小である横長の長方
形形状のコンタクトセル23に置き換える。置き換え後
のコンタクトセルVIA310〜VIA312は、第2
配線層の配線LV300と、最小間隔のデザインルール
を守っていない。
To minimize the wiring channel height,
As shown in FIG. 19, contact cells VIA300 to VIA300V
The IA 302 is replaced with a horizontally long rectangular contact cell 23 having the minimum height shown in FIG. The replaced contact cells VIA 310 to VIA 312 are
The design rule of the minimum spacing between the wiring LV300 of the wiring layer and the wiring LV300 is not observed.

【0073】そのため、図20に示すように、コンタク
トセルVIA310〜VIA312及び浮動端子FP3
00〜FP302を、配線LV300と最小間隔のデザ
インルールを満たす位置に、左右方向に移動させる。こ
の場合、配線チャネルの横幅は4だけ増加する。
Therefore, as shown in FIG. 20, contact cells VIA 310 to VIA 312 and floating terminal FP 3
00 to FP302 are moved in the left-right direction to a position that satisfies the design rule with the minimum distance from the wiring LV300. In this case, the width of the wiring channel increases by four.

【0074】次に、図21〜図23を用いて、横長の長
方形形状のコンタクトセル23を、水平方向の配線チャ
ネルの左右端、又は垂直方向の配線チャネルの上下端に
ある浮動端子との接続に用いることにより、どの程度の
面積削減効果があるかを説明する。
Next, referring to FIGS. 21 to 23, the horizontally long rectangular contact cell 23 is connected to the left and right ends of the horizontal wiring channel or the floating terminals at the upper and lower ends of the vertical wiring channel. The following describes how much area reduction effect is obtained by using the method.

【0075】配線チャネルの横幅をWch、第1配線層
の最小間隔をWS、正方形形状のコンタクトセル21の
高さをWV1、横長の長方形形状のコンタクトセル23
の高さをWV3、縦長の長方形形状のコンタクトセル2
3の高さをWV4とすると、図21に示すように、縦長
の長方形形状のコンタクトセル23を使用した場合の配
線チャネルの面積Sch1は、次式で示される。
The horizontal width of the wiring channel is Wch, the minimum distance between the first wiring layers is WS, the height of the square contact cell 21 is WV1, and the horizontally long rectangular contact cell 23 is formed.
Height of WV3, vertically long rectangular contact cell 2
Assuming that the height of No. 3 is WV4, as shown in FIG. 21, the area Sch1 of the wiring channel when the vertically long rectangular contact cell 23 is used is expressed by the following equation.

【0076】Sch1=(2×WS+WV4)×Wch ここで、WS=2、WV4=6であるので、前記配線チ
ャネルの面積Sch1は、 Sch1=10×Wch となる。
Sch1 = (2 × WS + WV4) × Wch Since WS = 2 and WV4 = 6, the area Sch1 of the wiring channel becomes Sch1 = 10 × Wch.

【0077】図22に示すように、正方形形状のコンタ
クトセル21を使用した場合には、配線チャネルの横幅
は1だけ増加し、配線チャネルの面積Sch2は、次式
で示される。
As shown in FIG. 22, when a square contact cell 21 is used, the width of the wiring channel increases by 1, and the area Sch2 of the wiring channel is expressed by the following equation.

【0078】ここで、Sch2=(2×WS+WV1)
×(Wch+1) WS=2、WV1=3であるので、前記配線チャネルの
面積Sch2は、 Sch2=7×(Wch+1) となる。
Here, Sch2 = (2 × WS + WV1)
× (Wch + 1) Since WS = 2 and WV1 = 3, the area Sch2 of the wiring channel becomes Sch2 = 7 × (Wch + 1).

【0079】図23に示すように、横長の長方形形状の
コンタクトセル23を使用した場合には、配線チャネル
の横幅は4だけ増加し、配線チャネルの面積Sch3
は、次式で示される。
As shown in FIG. 23, when a horizontally long rectangular contact cell 23 is used, the width of the wiring channel increases by 4 and the area of the wiring channel Sch3
Is represented by the following equation.

【0080】 Sch3=(2×WS+WV3)×(Wch+4) ここで、WS=2、WV3=2であるので、前記配線チ
ャネルの面積Sch3は、 Sch3=6×(Wch+4) となる。
Sch3 = (2 × WS + WV3) × (Wch + 4) Here, since WS = 2 and WV3 = 2, the area Sch3 of the wiring channel becomes Sch3 = 6 × (Wch + 4).

【0081】Sch1>Sch3となるのは、 10×Wch > 6×(Wch+4) 4×Wch > 24 Wch > 6 Sch2>Sch3となるのは、 7×(Wch+1)>6×(Wch+4) Wch > 24 Wch > 24の条件で、配線チャネルの面積Sch3
が最も小さくなる。
For Sch1> Sch3, 10 × Wch> 6 × (Wch + 4) 4 × Wch> 24 Wch> 6 For Sch2> Sch3, 7 × (Wch + 1)> 6 × (Wch + 4) Wch> 24 Under the condition of Wch> 24, the wiring channel area Sch3
Is the smallest.

【0082】配線チャネルの幅が24であることは、最
小配線幅が2、最小間隔が2の条件では、垂直方向の配
線が最大8本の配線が並ぶだけの間隔しかないので、実
際のレイアウト設計では、図23に示すように、横長の
長方形形状のコンタクトセル23を使用した場合に、配
線チャネルの面積は最小になる。
When the width of the wiring channel is 24, the condition that the minimum wiring width is 2 and the minimum spacing is 2 is that there is only an interval of up to eight vertical wires in the vertical direction. In the design, as shown in FIG. 23, when a horizontally long rectangular contact cell 23 is used, the area of the wiring channel is minimized.

【0083】どの程度面積が小さくなるかを以下に示
す。配線チャネルの幅Wchが十分に大きい場合には、 Sch1 : Sch2 :Sch3 = 10 :7:6 = 1.67 : 1.17 : 1 となり、正方形形状のコンタクトセル21を使用した場
合と比較しても、17%小さくなる可能性がある。
The extent to which the area is reduced will be described below. When the width Wch of the wiring channel is sufficiently large, Sch1: Sch2: Sch3 = 10: 7: 6 = 1.67: 1.17: 1, which is compared with the case where the square-shaped contact cell 21 is used. Can also be 17% smaller.

【0084】次に、図17において、前記配線チャネル
幅調整ステップ1005の後は、コンタクトセル最適化
ステップ2006において、コンタクトセルの最適化を
行う。
Next, in FIG. 17, after the wiring channel width adjusting step 1005, the contact cell is optimized in a contact cell optimizing step 2006.

【0085】前記コンタクトセル最適化ステップ200
6の処理の詳細を図24に示す。同図において、コンタ
クトセルのコスト付けステップ4000において、コン
タクトセルの高さに応じてコスト付けを行う。このコス
ト付けの詳細を以下に説明する。
The contact cell optimizing step 200
FIG. 24 shows the details of the process 6. In the figure, in a contact cell costing step 4000, costing is performed according to the height of the contact cell. The details of this costing will be described below.

【0086】第1配線層の配線の優先方向を水平方向と
し、第2配線層の配線の優先方向を垂直方向とした場
合、通常、配線チャネルの高さを決めるのは、主に水平
方向の第1配層の配線である。しかし、水平方向の配線
が100%第1配線層の配線ではなく、割合は非常に少
ないが、コンタクトセルを最少にしてコンタクト抵抗を
下げる等の理由で、水平方向の配線に第2配線層の配線
が使われる場合がある。従って、第2配線層の配線の影
響を考慮する必要がある。
When the priority direction of the wiring in the first wiring layer is the horizontal direction and the priority direction of the wiring in the second wiring layer is the vertical direction, usually, the height of the wiring channel is mainly determined in the horizontal direction. This is the wiring of the first layer. However, the wiring in the horizontal direction is not 100% of the wiring in the first wiring layer, and the ratio is very small. However, the wiring in the horizontal direction is not connected to the wiring in the second wiring layer because the contact resistance is minimized to reduce the contact resistance. Wiring may be used. Therefore, it is necessary to consider the influence of the wiring of the second wiring layer.

【0087】図2に示す正方形形状のコンタクトセル2
1の高さは、第1配線層と第2配線層共に3である。正
方形形状のコンタクトセル21のコストを3.3とす
る。
The square contact cell 2 shown in FIG.
The height of 1 is 3 for both the first wiring layer and the second wiring layer. The cost of the square contact cell 21 is set to 3.3.

【0088】図2に示す十字形状のコンタクトセル22
の高さは、上下に第1配線層の配線しかない場合は第1
配線層の高さである2になるが、上下に第2配線層の配
線やコンタクトセルがある場合には第2配線層の高さで
ある6になる。従って、十字形状のコンタクトセル22
のコストは2.6とする。
The cross-shaped contact cell 22 shown in FIG.
Is the first height when there is only the wiring of the first wiring layer above and below.
The height is 2 which is the height of the wiring layer, but becomes 6 which is the height of the second wiring layer when there are wires and contact cells of the second wiring layer above and below. Therefore, the cross-shaped contact cell 22
Is 2.6.

【0089】図2に示す横長の長方形形状のコンタクト
セル23の高さは、第1配線層、第2配線層共に2であ
るので、この横長の長方形形状のコンタクトセル23の
コストは、2.2とする。
Since the height of the horizontally long rectangular contact cell 23 shown in FIG. 2 is 2 for both the first wiring layer and the second wiring layer, the cost of this horizontally long rectangular contact cell 23 is 2. Let it be 2.

【0090】縦長の長方形形状のコンタクトセルの高さ
は、第1配線層及び第2配線層共に6であるので、この
縦長の長方形形状のコンタクトセルのコストは6.6と
する。
Since the height of the vertically long rectangular contact cell is 6 for both the first wiring layer and the second wiring layer, the cost of this vertically long rectangular contact cell is 6.6.

【0091】次に、図24において、コンタクトセルの
置き換えステップ4001において、コストの小さい順
にコンタクトセルを置き換えていく。従って、最初は、
横長のコンタクトセル23に置き換える。このコンタク
トセルの置き換えは、詳細配線が使用した縦及び横共に
最小の仮想的なコンタクトセルとスペーシングエラーを
起こしているコンタクトセルに対して行う。
Next, in FIG. 24, in a contact cell replacement step 4001, the contact cells are replaced in ascending order of cost. So at first,
Replace with a horizontally long contact cell 23. This replacement of the contact cell is performed for the virtual contact cell used in the detailed wiring, which is the smallest in both the vertical and horizontal directions, and the contact cell causing the spacing error.

【0092】図25は、配線チャネルの詳細配線の結果
を示す。同図において、LH400〜LH403は第1
配線層の水平方向の配線、LV400〜LV402は第
2配線層の垂直方向の配線、LV403〜LV405は
第1配線層の垂直方向の配線、P400〜P402は機
能ブロックBL1の第2配線層の端子、P403〜P4
05は機能ブロックBL2の第1配線層の端子、VIA
400〜VIA405は縦及び横共に最小の仮想的なコ
ンタクトセルであって、必ず、図2に示した3種類のコ
ンタクトセル21〜23に置き換える必要がある。
FIG. 25 shows the result of the detailed wiring of the wiring channel. In the figure, LH400 to LH403 are the first
LV400 to LV402 are vertical wirings of the second wiring layer, LV403 to LV405 are vertical wirings of the first wiring layer, and P400 to P402 are terminals of the second wiring layer of the functional block BL1. , P403-P4
05 is a terminal of the first wiring layer of the functional block BL2, VIA
400 to VIA 405 are the smallest virtual contact cells both vertically and horizontally, and must be replaced with the three types of contact cells 21 to 23 shown in FIG.

【0093】図25に示す配線チャネルの高さを最小に
するために、仮想的なコンタクトセルVIA400〜V
IA405を、図26に示すように、コストが最小の横
長の長方形形状のコンタクトセル23に置き換え、コン
タクトセルVIA410〜VIA415とする。
In order to minimize the height of the wiring channel shown in FIG. 25, virtual contact cells VIA400 to VIA400-V
As shown in FIG. 26, the IA 405 is replaced with a horizontally long rectangular contact cell 23 having the minimum cost, and is referred to as contact cells VIA 410 to VIA 415.

【0094】図24のデザインルールチェックステップ
4002で、水平方向でコンタクトセルがスペーシング
エラーを起こしていないかチェックし、スペーシングエ
ラーを起こしているコンタクトセルを認識できるよう
に、リストアップしておく。
In a design rule check step 4002 in FIG. 24, it is checked whether or not a contact cell has caused a spacing error in the horizontal direction, and a list is made so that the contact cell having a spacing error can be recognized. .

【0095】具体的には、図26のコンタクトセルVI
A410〜VIA415が水平方向でデザインルールエ
ラーを起こしていないかをチェックし、次に示すデザイ
ンルールエラーが確認できる。
More specifically, contact cell VI in FIG.
It is checked whether A410 to VIA415 have caused a design rule error in the horizontal direction, and the following design rule error can be confirmed.

【0096】即ち、コンタクトセルVIA410と配線
LV401との最小間隔は0であって、その最小間隔2
を満たしていないため、スペーシングエラーを起こして
いると判定される。同様に、コンタクトセルVIA41
1と配線LV400との最小間隔は0であって、その最
小間隔2を満たしていないため、スペーシングエラーを
起こしていると判定される。更に、コンタクトセルVI
A412と配線LV402との最小間隔は0であって、
その最小間隔2を満たしていないため、スペーシングエ
ラーを起こしていると判定される。加えて、2個のコン
タクトセルVIA413、VIA414間の最小間隔は
0であって、その最小間隔2を満たしていないため、ス
ペーシングエラーを起こしていると判定される。また、
2個のコンタクトセルVIA414、VIA415間の
最小間隔は0であって、その最小間隔2を満たしていな
いため、スペーシングエラーを起こしていると判定され
る。従って、図26に示す全てのコンタクトセルVIA
410〜VIA415は、各々、スペーシングエラーを
起こしているコンタクトセルとして、リストアップされ
る。
That is, the minimum distance between the contact cell VIA 410 and the wiring LV 401 is 0, and the minimum distance 2
Is not satisfied, it is determined that a spacing error has occurred. Similarly, contact cell VIA41
Since the minimum interval between 1 and the wiring LV400 is 0 and does not satisfy the minimum interval 2, it is determined that a spacing error has occurred. Further, the contact cell VI
The minimum distance between A412 and the wiring LV402 is 0,
Since the minimum interval 2 is not satisfied, it is determined that a spacing error has occurred. In addition, since the minimum interval between the two contact cells VIA 413 and VIA 414 is 0 and does not satisfy the minimum interval 2, it is determined that a spacing error has occurred. Also,
Since the minimum interval between the two contact cells VIA 414 and VIA 415 is 0 and does not satisfy the minimum interval 2, it is determined that a spacing error has occurred. Therefore, all contact cells VIA shown in FIG.
Each of 410 to VIA 415 is listed as a contact cell having a spacing error.

【0097】スペーシングエラーを起こしているコンタ
クトセルがあるので、図24のステップ4003での判
定により、前記スペーシングエラーを起こしているコン
タクトセルとしてリストアップされたコンタクトセルV
IA410〜VIA415に対して、コンタクトセルの
置き換えステップ4001を実行する。
Since there is a contact cell causing a spacing error, the contact cell V listed as the contact cell causing the spacing error is determined in step 4003 of FIG.
A contact cell replacement step 4001 is executed for the IAs 410 to VIA 415.

【0098】図27に示すように、スペーシングエラー
を起こしているコンタクトセルVIA410〜VIA4
15を、次にコストの大きい十字形状のコンタクトセル
VIA420〜VIA425に置き換える。
As shown in FIG. 27, contact cells VIA410 to VIA4 having a spacing error have occurred.
15 is replaced by the next-highest cross-shaped contact cells VIA420 to VIA425.

【0099】再び、デザインルールチェックステップ4
002において、前記コンタクトセルの置き換えを行っ
た十字形状のコンタクトセルVIA420〜VIA42
5が、水平方向でデザインルールエラーを起こしていな
いかをチェックする。即ち、コンタクトセルVIA42
0の第2配線層のマージンと配線LV401とは、最小
間隔2を満たしている。コンタクトセルVIA421の
第2配線層のマージンは、配線LV400及び配線LV
402の各々と、最小間隔2を満たしている。コンタク
トセルVIA422の第2配線層のマージンと配線LV
401とは、最小間隔2を満たしている。コンタクトセ
ルVIA420、VIA421、VIA422はデザイ
ンルールを満たしているので、これ以降はコンタクトセ
ルの置き換えは行わない。
Again, design rule check step 4
002, the cross-shaped contact cells VIA420 to VIA42 obtained by replacing the contact cells.
5 checks whether a design rule error has occurred in the horizontal direction. That is, the contact cell VIA42
The margin of the second wiring layer of 0 and the wiring LV401 satisfy the minimum distance 2. The margin of the second wiring layer of the contact cell VIA421 is the wiring LV400 and the wiring LV.
402 and the minimum interval 2 is satisfied. Margin of second wiring layer of contact cell VIA422 and wiring LV
401 satisfies the minimum interval 2. Since the contact cells VIA420, VIA421, and VIA422 satisfy the design rule, the replacement of the contact cells is not performed thereafter.

【0100】2個のコンタクトセルVIA423、VI
A424間の最小間隔は0であって、第2配線層の最小
間隔2を満たしていないので、スペーシングエラーを起
こしていると判定される。同様に、2個のコンタクトセ
ルVIA424、VIA425間の最小間隔は0であっ
て、第2配線層の最小間隔2を満たしていないので、ス
ペーシングエラーを起こしていると判定される。図27
に示すコンタクトセルVIA423、VIA424、V
IA425は、各々、スペーシングエラーを起こしてい
るコンタクトセルとしてリストアップされる。
The two contact cells VIA423, VIA
Since the minimum interval between A424 is 0 and does not satisfy the minimum interval 2 of the second wiring layer, it is determined that a spacing error has occurred. Similarly, the minimum interval between the two contact cells VIA 424 and VIA 425 is 0, which does not satisfy the minimum interval 2 of the second wiring layer, so that it is determined that a spacing error has occurred. FIG.
Contact cells VIA423, VIA424, V
Each of the IAs 425 is listed as a contact cell having a spacing error.

【0101】スペーシングエラーを起こしているコンタ
クトセルがあるので、図24のステップ4003の判定
により、前記スペーシングエラーを起こしているコンタ
クトセルVIA423、VIA424、VIA425に
対して、コンタクトセルの置き換えステップ4001を
実行する。つまり、図28に示すように、スペーシング
エラーを起こしているコンタクトセルVIA423、V
IA424、VIA425を、次にコストの大きい正方
形形状のコンタクトセルVIA433、VIA434、
VIA435に置き換える。
Since there is a contact cell in which a spacing error has occurred, a contact cell replacement step 4001 is performed for the contact cells VIA 423, VIA 424, and VIA 425 in which the spacing error has occurred, as determined in step 4003 of FIG. Execute That is, as shown in FIG. 28, the contact cells VIA 423 and V
IA 424, VIA 425, followed by square contact cells VIA 433, VIA 434,
Replace with VIA435.

【0102】その後、デザインルールチェックステップ
4002において、図28に示すように、前記置き換え
を行った正方形形状のコンタクトセルVIA433、V
IA434、VIA435が水平方向でデザインルール
エラーを起こしていないかをチェックする。ここで、2
個のコンタクトセルVIA433、VIA434間の最
小間隔は0であって、第2配線層の最小間隔2を満たし
ていないので、スペーシングエラーを起こしている。ま
た、2個のコンタクトセルVIA434、VIA435
間の最小間隔は0であって、第2配線層の最小間隔2を
満たしていないので、スペーシングエラーを起こしてい
る。これ等のコンタクトセルVIA433、VIA43
4、VIA435は、各々、スペーシングエラーを起こ
しているコンタクトセルとしてリストアップされる。
Thereafter, in a design rule check step 4002, as shown in FIG. 28, the square-shaped contact cells VIA433, VIA433
It is checked whether the IA 434 and the VIA 435 have not caused a design rule error in the horizontal direction. Where 2
Since the minimum interval between the contact cells VIA433 and VIA434 is 0, which does not satisfy the minimum interval 2 of the second wiring layer, a spacing error occurs. Also, two contact cells VIA434 and VIA435
Since the minimum interval between them is 0 and does not satisfy the minimum interval 2 of the second wiring layer, a spacing error occurs. These contact cells VIA433, VIA43
4. The VIA 435 is each listed as a contact cell having a spacing error.

【0103】スペーシングエラーを起こしているコンタ
クトセルがあるので、図24のステップ4003の判定
により、前記リストアップされたコンタクトセルVIA
433、VIA434、VIA435に対して、コンタ
クトセルの置き換えステップ4001を実行する。即
ち、図29に示すように、スペーシングエラーを起こし
ているコンタクトセルVIA433、VIA434、V
IA435を、次にコストの大きい縦長の長方形形状の
コンタクトセルVIA443、VIA444、VIA4
45に置き換える。
Since there is a contact cell in which a spacing error has occurred, the contact cell VIA in the list is determined by the determination in step 4003 of FIG.
A contact cell replacement step 4001 is executed for the 433, the VIA 434, and the VIA 435. That is, as shown in FIG. 29, the contact cells VIA433, VIA434, V
The IA 435 is replaced by the next most expensive vertically long rectangular contact cells VIA 443, VIA 444, and VIA 4.
Replace with 45.

【0104】デザインルールチェックステップ4002
において、図29に示すように、コンタクトセルの置き
換えを行った縦長の長方形形状のコンタクトセルVIA
433、VIA434、VIA435が水平方向でデザ
インルールエラーを起こしていないかをチェックする。
ここで、コンタクトセルVIA433の第2配線層のマ
ージンと、コンタクトセルVIA434の第2配線層の
マージンとは、最小間隔2を満たしている。コンタクト
セルVIA434の第2配線層のマージンと、コンタク
トセルVIA435の第2配線層のマージンとは、最小
間隔2を満たしている。従って、図29に示す全てのコ
ンタクトセルは、水平方向のデザインルールエラーを満
たしているので、図24のステップ4003の判定によ
り、図17のコンタクトセル最適化ステップ2006を
終了する。
Design rule check step 4002
In FIG. 29, as shown in FIG. 29, a vertically long rectangular contact cell VIA in which the contact cell is replaced
433, VIA 434, and VIA 435 are checked to see if a design rule error has occurred in the horizontal direction.
Here, the margin of the second wiring layer of the contact cell VIA433 and the margin of the second wiring layer of the contact cell VIA434 satisfy the minimum interval 2. The margin of the second wiring layer of the contact cell VIA 434 and the margin of the second wiring layer of the contact cell VIA 435 satisfy the minimum distance 2. Therefore, all the contact cells shown in FIG. 29 satisfy the design rule error in the horizontal direction, and the contact cell optimizing step 2006 in FIG. 17 ends according to the determination in step 4003 in FIG.

【0105】次に、図17の配線チャネル最小化ステッ
プ2007において、配線チャネルのコンパクションを
行って、配線チャネルの縦方向のデザインルールを満た
し、配線チャネルの面積を最小化する。図29に示すコ
ンタクトセルVIA433、VIA434、VIA43
5は、縦方向ではデザインルールエラーを起こしている
が、配線チャネル最小化ステップ2007を行うことに
より、図30に示すように、配線チャネルの縦方向での
デザインルールを満たし、配線チャネルでの配線が完了
する。
Next, in the wiring channel minimization step 2007 of FIG. 17, the compaction of the wiring channel is performed to satisfy the vertical design rule of the wiring channel and to minimize the area of the wiring channel. The contact cells VIA433, VIA434, VIA43 shown in FIG.
In No. 5, although a design rule error has occurred in the vertical direction, the design rule in the vertical direction of the wiring channel is satisfied as shown in FIG. Is completed.

【0106】図17のステップ2008において全ての
配線チャネルの配線が完了したことを確認すれば、デー
タ出力ステップ2009において、レイアウト結果を出
力して、全ての処理を終了する。
If it is confirmed in step 2008 of FIG. 17 that the wiring of all the wiring channels has been completed, in a data output step 2009, the layout result is output, and all the processing ends.

【0107】次に、図31〜図34を用いて、コンタク
トセルの置き換えによる配線チャネルの面積の削減効果
を説明すす。
Next, the effect of reducing the area of the wiring channel by replacing the contact cell will be described with reference to FIGS.

【0108】図31は、正方形形状のコンタクトセル2
1のみを使った従来の配線チャネルの詳細配線結果を示
す。同図において、配線チャネル幅をWch、配線チャ
ネルの高さをHchとすると、配線チャネルの面積S1
は、 S1=Hch×Wch ここで、Hch=6×WS+3×WV1+2×WH WS=2、WV1=3、WH=2であるので、 S1=25×Wch となる。
FIG. 31 shows a contact cell 2 having a square shape.
The detailed wiring result of the conventional wiring channel using only 1 is shown. In the drawing, assuming that the wiring channel width is Wch and the wiring channel height is Hch, the area S1 of the wiring channel
S1 = Hch × Wch Here, Hch = 6 × WS + 3 × WV1 + 2 × WH WS = 2, WV1 = 3, and WH = 2, so that S1 = 25 × Wch.

【0109】図32は,前記図31と同じ条件で、コン
タクトセルの置き換えを行った詳細配線結果である。同
図において、配線チャネルの面積S2は、S2=(6×
WS+1×WV1+4×WH)×Wch=23×Wch
となる。
FIG. 32 shows a detailed wiring result obtained by replacing the contact cells under the same conditions as in FIG. In the figure, the area S2 of the wiring channel is S2 = (6 ×
WS + 1 × WV1 + 4 × WH) × Wch = 23 × Wch
Becomes

【0110】配線チャネルの面積S1と面積S2との比
は、 S1:S2=25×Wch : 23×Wch =1.09:1 となる。
The ratio between the area S1 and the area S2 of the wiring channel is as follows: S1: S2 = 25 × Wch: 23 × Wch = 1.09: 1.

【0111】以上のことから、コンタクトセルの置き換
えを行うことにより、配線チャネルの面積を約1割削減
することが可能であることが判る。
From the above, it is understood that the area of the wiring channel can be reduced by about 10% by replacing the contact cell.

【0112】また、図34に示すように、端子のピッチ
が8以上ある場合の配線チャネル面積S3は、 S3=(6×WS+1×WV3+4×WH)×Wch ここに、WV3=2であるので、 S3=22×Wch となる。
Further, as shown in FIG. 34, when the terminal pitch is 8 or more, the wiring channel area S3 is: S3 = (6 × WS + 1 × WV3 + 4 × WH) × Wch where WV3 = 2, S3 = 22 × Wch

【0113】配線チャネルの面積S1と面積S3との比
は、 S1:S3=25×Wch:22×Wch =1.14:1 となる。以上のことから、ベストケースでは、配線チャ
ネルの面積を14%削減できる可能性があることが判
る。
The ratio between the area S1 and the area S3 of the wiring channel is as follows: S1: S3 = 25 × Wch: 22 × Wch = 1.14: 1. From the above, it is understood that in the best case, the area of the wiring channel can be reduced by 14%.

【0114】以上説明したように、各配線チャネルで、
マージンの異なるコンタクトセルを使い分けることによ
り、各配線チャネルの面積を縮小にして、半導体集積回
路のレイアウト面積を削減することが可能である。
As described above, in each wiring channel,
By selectively using contact cells having different margins, the area of each wiring channel can be reduced, and the layout area of the semiconductor integrated circuit can be reduced.

【0115】尚、配線層やコンタクト、レイアウトパタ
ーンのサイズは、半導体集積回路を製造するプロセスに
依存するので、本実施の形態で説明した配線層やコンタ
クトの名称、数は、説明を簡単にするためのものであっ
て、本発明は、実際の半導体プロセスの配線層やコンタ
クトの名称、数、レイアウトパターンのサイズを限定す
ものではない。
Since the sizes of the wiring layers, contacts, and layout patterns depend on the process of manufacturing the semiconductor integrated circuit, the names and numbers of the wiring layers and contacts described in the present embodiment will simplify the description. The present invention does not limit the names and numbers of wiring layers and contacts in an actual semiconductor process and the size of a layout pattern.

【0116】(第3の実施の形態)次に、本発明の第3
の実施の形態である半導体集積回路のコンピュータによ
るレイアウト設計方法について図面を用いて説明する。
本実施の形態は、電源配線及びグランド配線の配置の改
良に関する。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described.
A layout design method of a semiconductor integrated circuit by a computer according to the embodiment will be described with reference to the drawings.
This embodiment relates to an improvement in arrangement of a power supply wiring and a ground wiring.

【0117】図34において、BL701は、周辺にリ
ング状の電源配線とグランド配線とを有する機能ブロッ
ク、BL702及びBL703は、電源配線とグランド
配線とが一定の方向に設けられている機能ブロックであ
る。
In FIG. 34, BL701 is a functional block having a ring-shaped power supply wiring and a ground wiring in the periphery, and BL702 and BL703 are functional blocks in which the power supply wiring and the ground wiring are provided in a fixed direction. .

【0118】通常のビルディングブロック方式のレイア
ウト設計では、全ての配線チャネルを電源配線及びグラ
ンド配線が通過する。
In the layout design of the ordinary building block system, the power supply wiring and the ground wiring pass through all the wiring channels.

【0119】配線チャネルを通過する電源配線LV70
1及びグランド配線LV702と、機能ブロックBL7
01内部の電源配線LV711及びグランド配線LV7
12とは、各々、非常に近い位置にある。従って、図3
5に示すように、電源配線及びグランド配線を各々共有
すれば、電源配線LV701及びグランド配線LV70
2は必要でなくなり、配線チャネルの面積を小さくでき
る可能性がある。
Power supply wiring LV70 passing through wiring channel
1 and the ground wiring LV702 and the functional block BL7
01 internal power supply line LV711 and ground line LV7
12 are very close to each other. Therefore, FIG.
As shown in FIG. 5, if the power supply line and the ground line are shared, the power supply line LV701 and the ground line LV70
2 is not required, and the area of the wiring channel may be reduced.

【0120】しかしながら、通常のビルディングブロッ
ク方式のレイアウト設計では、配線チャネルを通過する
電源配線及びグランド配線を、機能ブロック内部の電源
配線及びグランド配線に接続するには、機能ブロックの
端子を介して行う必要があるので、図35に示すように
電源配線及びグランド配線を各々共有することは、不可
能である。
However, in the layout design of the ordinary building block system, the power supply wiring and the ground wiring passing through the wiring channel are connected to the power supply wiring and the ground wiring inside the functional block through terminals of the functional block. For this reason, it is impossible to share the power supply wiring and the ground wiring as shown in FIG.

【0121】図36において、BL181〜BL184
は機能ブロック、ch181〜ch183は配線チャネ
ル、Edge1〜Edge6は配線チャネルの境界であ
る。2個の機能ブロックBL181、BL184内に
は、各々、2本の電源配線VDDと、2本のグランド配
線GND配線とが備えられていて、これ等2本の配線同
士は相互に接続配線IH181、IL181、IH18
4、IL184で接続される。これ等内部の電源配線及
びグランド配線は、各々、配線チャネルch181〜c
h183を使用して2個の機能ブロック間相互で接続さ
れる。
In FIG. 36, BL181 to BL184
Is a functional block, ch181 to ch183 are wiring channels, and Edge1 to Edge6 are boundaries of wiring channels. Each of the two functional blocks BL181 and BL184 includes two power supply wirings VDD and two ground wirings GND wirings. These two wirings are connected to each other by a connection wiring IH181, IL181, IH18
4, connected by IL184. The internal power supply wiring and ground wiring are respectively connected to the wiring channels ch181 to c181.
The two functional blocks are connected to each other using h183.

【0122】図37は前記2個の機能ブロック間相互で
電源配線同士及びグランド配線同士を接続したレイアウ
ト図を示す。同図において、Ch181〜Ch183は
配線チャネル、BL181〜BL184は機能ブロッ
ク、VIA181〜VIA200は第1配線層の電源配
線と第2配線層の配線とを接続するコンタクトセル、L
H182、LH185、LH187、LH188、LH
189、LH190、LV181、LV182、LV1
83、LV184は第1配線層の配線、LH181、L
H183、LH184、LH186、LV185〜LV
196は第2配線層の電源配線である。前記電源配線L
V185〜LV188は、機能ブロックBL184の内
部を通過する配線であり、電源配線LV189〜LV1
92は機能ブロックBL181の内部を通過する配線で
ある。
FIG. 37 is a layout diagram in which power supply wirings and ground wirings are connected between the two functional blocks. In the figure, Ch181 to Ch183 are wiring channels, BL181 to BL184 are functional blocks, VIA181 to VIA200 are contact cells connecting the power supply wiring of the first wiring layer and the wiring of the second wiring layer, L
H182, LH185, LH187, LH188, LH
189, LH190, LV181, LV182, LV1
83 and LV184 are wirings of the first wiring layer, LH181 and LH181.
H183, LH184, LH186, LV185-LV
196 is a power supply wiring of the second wiring layer. The power wiring L
V185 to LV188 are wirings passing through the inside of the function block BL184, and are power supply wirings LV189 to LV1.
Reference numeral 92 denotes a wiring passing through the inside of the function block BL181.

【0123】各配線チャネルCh181、Ch182、
Ch183の幹線が第1配線層であるとすると、LH1
82、LH185、LV181、LV182、LV18
3、LV184が第1配線層の電源配線であり、配線L
H182と配線LV181とを接続するために第2配線
層の電源配線LH181と、コンタクトセルVIA18
1、VIA185とを用いる。配線LH182及び配線
LV183も、同様に配線LH183と、コンタクトセ
ルVIA184、VIA186とを用いる。配線LH1
85と配線LV183、LV184とを接続する場合も
前記と同様である。
Each of the wiring channels Ch181, Ch182,
If the main line of Ch183 is the first wiring layer, LH1
82, LH185, LV181, LV182, LV18
3, LV184 is the power supply wiring of the first wiring layer, and the wiring L
In order to connect H182 and wiring LV181, power supply wiring LH181 of the second wiring layer and contact cell VIA18
1. Use VIA185. Similarly, the wiring LH183 and the contact cells VIA184 and VIA186 are used for the wiring LH182 and the wiring LV183. Wiring LH1
The same applies to the case where the wiring 85 and the wirings LV183 and LV184 are connected.

【0124】また、配線LV189と配線LH182と
を接続するには、コンタクトセルVIA187と配線L
V190とが同じ配線層で接触しないように、コンタク
トセルVIA189、VIA197、VIA198、及
び配線LH189、LV193を用いる必要がある。配
線LV186と配線LH185とを接続する場合、配線
LV187と配線LH182とを接続する場合、配線L
V192と配線LH185とを接続する場合も、同様
に、複数のコンタクトと配線とが必要になる。
In order to connect the wiring LV189 and the wiring LH182, the contact cell VIA187 and the wiring LH182 are connected.
It is necessary to use the contact cells VIA189, VIA197, VIA198, and the wirings LH189, LV193 so that V190 does not contact with the same wiring layer. When the wiring LV186 and the wiring LH185 are connected, when the wiring LV187 and the wiring LH182 are connected, the wiring L
Similarly, when connecting V192 and the wiring LH185, a plurality of contacts and wiring are required.

【0125】図37に示す従来の電源配線構造では、多
くのコンタクトと多くの配線とを必要として、配線構造
が複雑となり、その結果、配線チャネルの面積の増加を
招く場合がある。
In the conventional power supply wiring structure shown in FIG. 37, many contacts and many wirings are required, so that the wiring structure becomes complicated, and as a result, the area of the wiring channel may increase.

【0126】図38において、Ch181〜Ch183
は配線チャネル、BL181〜BL184は機能ブロッ
ク、LH201、LH202は第1配線層の配線、LV
201〜LV204は第2配線層の配線、VIA201
〜VIA204は第1配線層及び第2配線層のコンタク
トである。
In FIG. 38, Ch181 to Ch183
Is a wiring channel, BL181 to BL184 are functional blocks, LH201 and LH202 are wirings of a first wiring layer, LV
201 to LV 204 are wirings of the second wiring layer, VIA 201
VIA 204 are contacts of the first wiring layer and the second wiring layer.

【0127】本実施の形態では、図37に示すように、
配線チャネルCh181、Ch182の電源配線LV1
81、LV182、LV183、LV184を、機能ブ
ロックの消費電力を考慮して、機能ブロックBL181
〜BL184の内部を通過するように分割する。
In the present embodiment, as shown in FIG.
Power supply wiring LV1 of wiring channels Ch181 and Ch182
81, LV182, LV183, and LV184 are assigned to the functional block BL181 in consideration of the power consumption of the functional block.
~ BL184.

【0128】図38に示すように、電源配線LV201
〜LV204の配線幅は、図37に示した電源配線LV
189〜LV192と比較して、増加している。しか
し、本実施の形態の図38の電源構造では、図37の従
来の電源構造と比較すると、配線数及びコンタクト数が
少なくなっており、電源構造が単純になっている。従っ
て、従来例を示した図37よりも配線チャネルの面積を
小さくすることが可能である。
As shown in FIG. 38, power supply line LV201
37 to the power line LV shown in FIG.
189 to LV192. However, in the power supply structure of FIG. 38 of the present embodiment, the number of wires and the number of contacts are smaller than that of the conventional power supply structure of FIG. 37, and the power supply structure is simple. Therefore, it is possible to make the area of the wiring channel smaller than that of the conventional example shown in FIG.

【0129】次に、機能ブロック内に複数の電源配線及
びグランド配線がある場合の電源構造について説明す
る。
Next, a power supply structure in the case where a plurality of power supply wirings and ground wirings are provided in a functional block will be described.

【0130】図39において、Ch221は配線チャネ
ル、BL221及びBL222は機能ブロック、P22
1〜P236は機能ブロックの第2配線層の端子、LH
221、LH222は第1配線層の配線、LV221〜
LV232は第2配線層の配線、VIA221〜VIA
228は第1配線層と第2配線層のコンタクトセルであ
る。
In FIG. 39, Ch221 is a wiring channel, BL221 and BL222 are functional blocks, P22
1 to P236 are terminals of the second wiring layer of the functional block, LH
Reference numerals 221 and LH222 denote wirings of the first wiring layer, and LV221 to LV221.
LV232 is a wiring of the second wiring layer, VIA221 to VIA.
228 is a contact cell of the first wiring layer and the second wiring layer.

【0131】端子P221、P229は、水平方向に端
子の位置を合わせてあるので、配線LV221で接続す
ることが可能である。しかし、水平方向に端子の位置を
合わせていない端子P223、P225、P231、P
233を接続する場合には、配線LH221、LV22
5、LV227、LV229、LV231、及びコンタ
クトセルVIA221、VIA223、VIA225、
VIA227を必要とする。同様に、端子P224、P
226、P232、P234を接続する場合は、配線L
H222、LV226、LV228、LV230、LV
232、及びコンタクトセルVIA222、VIA22
4、VIA226、VIA228を必要とする。
Since the terminals P221 and P229 have their terminals aligned in the horizontal direction, they can be connected by the wiring LV221. However, the terminals P223, P225, P231, P
233, the wirings LH221 and LV22
5, LV227, LV229, LV231, and contact cells VIA221, VIA223, VIA225,
Requires VIA 227. Similarly, terminals P224, P
When connecting 226, P232, and P234, the wiring L
H222, LV226, LV228, LV230, LV
232, and contact cells VIA222, VIA22
4, VIA 226 and VIA 228 are required.

【0132】配線チャネルCh221の最低の高さHC
h221は、他の配線がないとして、配線LH221、
LH222の配線幅をWH、配線間の最小間隔をSP
1、配線と機能ブロックとの間の最小間隔をSP2とす
ると、次式で示される。
Minimum height HC of wiring channel Ch221
h221 indicates that there is no other wiring, and the wiring LH221,
The wiring width of LH222 is WH, and the minimum distance between wirings is SP.
1. Assuming that the minimum distance between the wiring and the functional block is SP2, it is expressed by the following equation.

【0133】 HCh221=2×WH+SP1+2×SP2 図40は、機能ブロックBL221、BL222間を接
続する2つの端子の位置を水平方向で合わせた場合を示
す。
HCh221 = 2 × WH + SP1 + 2 × SP2 FIG. 40 shows a case where the positions of two terminals connecting the functional blocks BL221 and BL222 are aligned in the horizontal direction.

【0134】配線チャネルCh222の最低の高さHC
h222は、他の配線がないとして、機能ブロックBL
221、BL222間の最小間隔をSP3とすると、 HCh222=SP3 となる。
Minimum height HC of wiring channel Ch222
h222 indicates that there is no other wiring and the functional block BL
Assuming that the minimum interval between the H.221 and BL222 is SP3, HCh222 = SP3.

【0135】SP1=SP2=SP3=SPとすると、 HCh221=2×WH+3×SP HCh222=SP HCh221 − HCh222 = 2×WH+3×SP − SP = 2(WH+SP) WH>0 ,SP>0 であるので、 HCh221 − HCh222 = 2(WH+SP)> 0 となる。従って、明らかに、配線チャネルCh222の
最低の高さHCh222の方が、配線チャネルCh22
1の最低の高さHCh221よりも小さくなることが判
る。
If SP1 = SP2 = SP3 = SP, HCh221 = 2 × WH + 3 × SP HCh222 = SP HCh221−HCh222 = 2 × WH + 3 × SP−SP = 2 (WH + SP) WH> 0, SP> 0 HCh221−HCh222 = 2 (WH + SP)> 0. Therefore, it is apparent that the minimum height HCh222 of the wiring channel Ch222 is higher than that of the wiring channel Ch22.
It can be seen that the minimum height HCh221 is smaller than the minimum height HCh221.

【0136】図41は従来の半導体集積回路のレイアウ
トを示す。同図の半導体集積回路は、3個の機能ブロッ
クBL1〜BL3、4個の入出力回路ブロックPAD1
〜PAD4,及び6つの配線チャネルch1〜ch6を
持つ。前記機能ブロックへの電源供給のために配線チャ
ネルch1〜ch6には、電源配線及びグランド配線の
幹線が配置される。これ等の幹線は、信号線に比して太
いため、配線チャネルch1〜ch6の面積は大きい。
FIG. 41 shows a layout of a conventional semiconductor integrated circuit. The semiconductor integrated circuit shown in the figure has three functional blocks BL1 to BL3 and four input / output circuit blocks PAD1.
To PAD4 and six wiring channels ch1 to ch6. Main lines of power supply wiring and ground wiring are arranged in the wiring channels ch1 to ch6 for supplying power to the functional blocks. Since these trunk lines are thicker than the signal lines, the areas of the wiring channels ch1 to ch6 are large.

【0137】図42は、本実施の形態の半導体集積回路
のレイアウトを示す。同図では、2個の機能ブロックB
L1、BL2間で、電源端子及びグランド端子の位置を
相互に図中横方向で一致させている。従って、同図から
判るように、前記図41の幹線ml41〜ml44を無
くすことができ、その分、2つの配線チャネルch1、
ch2の面積を縮小できて、半導体集積回路全体の面積
を縮小できる。
FIG. 42 shows a layout of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment. In the figure, two functional blocks B
The positions of the power supply terminal and the ground terminal are made to coincide with each other in the horizontal direction in the figure between L1 and BL2. Therefore, as can be seen from the figure, the trunk lines ml41 to ml44 in FIG. 41 can be eliminated, and two wiring channels ch1 and
The area of ch2 can be reduced, and the area of the entire semiconductor integrated circuit can be reduced.

【0138】更に、図43に示すように、全ての機能ブ
ロックBL1〜BL4で電源端子の位置を一致させる場
合には、機能ブロック上(又は下)を配線できるよう
に、機能ブロックを構成する配線層とは異なる配線層に
電源配線及びグランド配線を配置すれば、全ての配線チ
ャネルで電源配線及びグランド配線の幹線が不要にな
る。従って、全ての配線チャネルch1〜ch6の面積
を有効に縮小することが可能であり、チップ面積を効果
的に削減できる。
Further, as shown in FIG. 43, when the positions of the power supply terminals are the same in all the functional blocks BL1 to BL4, the wiring constituting the functional blocks can be wired above (or below) the functional blocks. By arranging the power supply wiring and the ground wiring in a wiring layer different from the layer, the main lines of the power supply wiring and the ground wiring are not required in all the wiring channels. Therefore, the area of all the wiring channels ch1 to ch6 can be effectively reduced, and the chip area can be effectively reduced.

【0139】尚、配線層やコンタクト、レイアウトパタ
ーンのサイズは、半導体の製造プロセスに依存するの
で、本実施の形態での配線層やコンタクトの名称、数
は、説明を簡単にするためのものであって、実際の半導
体プロセスの配線層、コンタクトの名称や数、レイアウ
トパターンのサイズを限定すものではない。
Since the sizes of the wiring layers, contacts, and layout patterns depend on the semiconductor manufacturing process, the names and numbers of the wiring layers and contacts in this embodiment are for the sake of simplicity. Therefore, the present invention does not limit the wiring layers, the names and numbers of contacts, and the size of the layout pattern in the actual semiconductor process.

【0140】[0140]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項5記載の発明によれば、機能ブロックの端子と端子
の間隔が長いほど、高さの低いコンタクトセルを選択で
きるので、配線チャネルの高さを低く制限でき、配線チ
ャネルの面積を縮小できる。
As described above, according to the first to fifth aspects of the present invention, the longer the distance between the terminals of the functional block is, the lower the height of the contact cell can be selected. Can be limited to a low height, and the area of the wiring channel can be reduced.

【0141】また、請求項6及び7記載の発明によれ
ば、配線チャネルの端に位置するコンタクトセルの種類
を、配線チャネルの幅と高さに応じて選択したので、配
線チャネルの幅又は高さの増大を有効に制限でき、配線
チャネルの面積の拡大を少なく抑制できる。
According to the present invention, the type of the contact cell located at the end of the wiring channel is selected in accordance with the width and height of the wiring channel. Therefore, the increase in the area of the wiring channel can be suppressed to a small extent.

【0142】更に、請求項8ないし請求項12記載の発
明によれば、半導体集積回路のレイアウト時には、複数
種類のコンタクトセルのうち、小さな値にコスト付けし
た高さの低いコンタクトセルから順次配置して行くの
で、配線チャネルの面積を効果的に小さくしつつ、レイ
アウトを完了させることが可能である。
Further, according to the invention as set forth in claims 8 to 12, during the layout of the semiconductor integrated circuit, of the plurality of types of contact cells, the contact cells having a small value and a low height are sequentially arranged. Therefore, it is possible to complete the layout while effectively reducing the area of the wiring channel.

【0143】加えて、請求項13ないし請求項16記載
の発明によれば、配線チャネルに配置する電源配線及び
グランド配線を機能ブロック内に延ばしたので、電源配
線等の数やコンタクトセル数を減少させて電源配線等の
配置構造を簡易化でき、配線チャネルの面積を有効に縮
小できる。
In addition, according to the thirteenth to sixteenth aspects of the present invention, since the power supply wiring and the ground wiring arranged in the wiring channel are extended in the functional block, the number of power supply wirings and the number of contact cells are reduced. Thus, the arrangement structure of the power supply wiring and the like can be simplified, and the area of the wiring channel can be effectively reduced.

【0144】また、請求項17及び18記載の発明によ
れば、電源配線及びグランド配線を機能ブロックとは異
なる配線層に配置したので、配線チャネルには機能ブロ
ック相互を接続する信号線の幹線のみを配置できて、配
線チャネルの面積を効果的に縮小できる。
According to the seventeenth and eighteenth aspects of the present invention, since the power supply wiring and the ground wiring are arranged in a wiring layer different from the functional block, only the trunk line of the signal line connecting the functional blocks is provided in the wiring channel. And the area of the wiring channel can be effectively reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】コンタクトセルのマージン及びコンタクトホー
ルの形状を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a shape of a contact cell margin and a contact hole.

【図2】コンタクトのマージンとコンタクトホールとを
組合わせたコンタクトセルの3種の形状を示す図であ
る。
FIG. 2 is a view showing three types of contact cells in which a contact margin and a contact hole are combined.

【図3】正方形形状のコンタクトセル同士のスペーシン
グルールを示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a spacing rule between contact cells having a square shape.

【図4】正方形形状のコンタクトセルと配線との間のス
ペーシングルールを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a spacing rule between a square contact cell and a wiring.

【図5】十字形状のコンタクトセル同士のスペーシング
ルールを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a spacing rule between cross-shaped contact cells.

【図6】十字形状のコンタクトセルと配線との間のスペ
ーシングルールを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a spacing rule between a cross-shaped contact cell and a wiring.

【図7】横長の長方形形状のコンタクトセル同士のスペ
ーシングルールを示す図である。
FIG. 7 is a view showing a spacing rule between horizontally long rectangular contact cells.

【図8】横長の長方形形状のコンタクトセルと配線との
間のスペーシングルールを示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a spacing rule between a horizontally long rectangular contact cell and a wiring.

【図9】縦長の長方形形状のコンタクトセル同士のスペ
ーシングルールを示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a spacing rule between vertically long rectangular contact cells.

【図10】端子と端子の間隔に応じて横長の長方形形状
のコンタクトセルを選択した場合の機能ブロックのレイ
アウトを示す摸式図である。
FIG. 10 is a schematic diagram showing a layout of functional blocks when a horizontally long rectangular contact cell is selected in accordance with the interval between terminals.

【図11】端子と端子の間隔に応じて横長の長方形形状
のコンタクトセルを選択した場合の機能ブロックの他の
レイアウトを示す摸式図である。
FIG. 11 is a schematic diagram showing another layout of a functional block when a horizontally long rectangular contact cell is selected according to the interval between terminals.

【図12】端子と端子の間隔に応じて正方形形状のコン
タクトセルを選択した場合の機能ブロックのレイアウト
を示す摸式図である。
FIG. 12 is a schematic diagram showing a layout of functional blocks when a square-shaped contact cell is selected according to an interval between terminals.

【図13】端子と端子の間隔に応じて正方形形状のコン
タクトセルを選択した場合の機能ブロックの他のレイア
ウトを示す摸式図である。
FIG. 13 is a schematic diagram showing another layout of functional blocks when a square-shaped contact cell is selected according to an interval between terminals.

【図14】端子と端子の間隔に応じて縦長の長方形形状
のコンタクトセルを選択した場合の機能ブロックのレイ
アウトを示す摸式図である。
FIG. 14 is a schematic diagram showing a layout of functional blocks when a vertically long rectangular contact cell is selected in accordance with the interval between terminals.

【図15】本発明の第1の実施の形態のレイアウト設計
方法を示すフローチャート図である。
FIG. 15 is a flowchart illustrating a layout design method according to the first embodiment of the present invention.

【図16】半導体集積回路のレイアウトを概略的に例示
した図である。
FIG. 16 is a diagram schematically illustrating a layout of a semiconductor integrated circuit;

【図17】本発明の第2の実施の形態のレイアウト設計
方法を示すフローチャート図である。
FIG. 17 is a flowchart illustrating a layout design method according to the second embodiment of this invention.

【図18】詳細配線後の配線チャネルの右端部を拡大し
た図である。
FIG. 18 is an enlarged view of a right end portion of a wiring channel after detailed wiring.

【図19】配線チャネルの右端部のコンタクトセルを横
長の長方形形状のコンタクトセルに置き換えた図であ
る。
FIG. 19 is a diagram in which a contact cell at the right end of a wiring channel is replaced with a horizontally long rectangular contact cell.

【図20】配線チャネルの右端に位置する横長の長方形
形状のコンタクトセルをスペーシングエラーを起こさな
い位置に移動させた図である。
FIG. 20 is a diagram in which a horizontally long rectangular contact cell located at the right end of a wiring channel is moved to a position where a spacing error does not occur.

【図21】配線チャネルの右端部のコンタクトセルを縦
長の長方形形状のコンタクトセルに置き換えた図であ
る。
FIG. 21 is a diagram in which a contact cell at the right end of a wiring channel is replaced with a vertically long rectangular contact cell.

【図22】配線チャネルの右端部のコンタクトセルを正
方形形状のコンタクトセルに置き換えた図である。
FIG. 22 is a diagram in which a contact cell at the right end of a wiring channel is replaced with a square-shaped contact cell.

【図23】配線チャネルの右端部のコンタクトセルを横
長の長方形形状のコンタクトセルに置き換えた図であ
る。
FIG. 23 is a diagram in which the contact cell at the right end of the wiring channel is replaced with a horizontally long rectangular contact cell.

【図24】コンタクトセル最適化ステップの詳細な処理
を示すフローチャート図である。
FIG. 24 is a flowchart showing a detailed process of a contact cell optimizing step.

【図25】配線チャネルの詳細配線結果を示す図であ
る。
FIG. 25 is a diagram showing a detailed wiring result of a wiring channel.

【図26】配線チャネルの詳細配線結果の仮想的なコン
タクトセルを横長の長方形形状のコンタクトセルに置き
換えた図である。
FIG. 26 is a diagram in which virtual contact cells resulting from detailed wiring of a wiring channel are replaced with horizontally long rectangular contact cells.

【図27】配線チャネルでデザインエラーを起こしてい
る横長の長方形形状のコンタクトセルを、十字形状のコ
ンタクトセルに置き換えた図である。
FIG. 27 is a diagram in which a horizontally long rectangular contact cell causing a design error in a wiring channel is replaced with a cross-shaped contact cell.

【図28】配線チャネルでデザインエラーを起こしてい
る十字形状のコンタクトセルを、正方形形状のコンタク
トセルに置き換えた図である。
FIG. 28 is a diagram in which a cross-shaped contact cell causing a design error in a wiring channel is replaced with a square-shaped contact cell.

【図29】配線チャネルでデザインエラーを起こしてい
る正方形形状のコンタクトセルを、縦長の長方形形状の
コンタクトセルに置き換えた図である。
FIG. 29 is a diagram in which a square contact cell causing a design error in a wiring channel is replaced with a vertically long rectangular contact cell.

【図30】コンタクトセル置換後の配線チャネルの詳細
配線結果をチャネルコンパクションした結果を示す図で
ある。
FIG. 30 is a diagram showing a result of channel compaction of a detailed wiring result of a wiring channel after contact cell replacement.

【図31】機能ブロックの端子と端子の間隔を、正方形
形状のコンタクトセル同士のスペーシングルールに合わ
せた場合の従来のレイアウト結果を示す図である。
FIG. 31 is a diagram showing a conventional layout result when a distance between terminals of a functional block is adjusted to a spacing rule between contact cells having a square shape.

【図32】本発明の第2の実施の形態において、機能ブ
ロックの端子と端子の間隔を、十字形状のコンタクトセ
ル同士のスペーシングルールに合わせた場合のレイアウ
ト結果を示す図である。
FIG. 32 is a diagram showing a layout result in a case where the spacing between the terminals of the functional block is set in accordance with the spacing rule of the cross-shaped contact cells in the second embodiment of the present invention.

【図33】本発明の第2の実施の形態において、機能ブ
ロックの端子と端子の間隔を、横長の長方形形状のコン
タクトセル同士のスペーシングルールに合わせた場合の
レイアウト結果を示す図である。
FIG. 33 is a diagram showing a layout result in the case where the distance between the terminals of the functional block is adjusted to the spacing rule between the horizontally long rectangular contact cells in the second embodiment of the present invention.

【図34】従来における機能ブロック間の電源配線とグ
ランド配線との概略配置を示す図である。
FIG. 34 is a diagram showing a schematic arrangement of a power supply wiring and a ground wiring between functional blocks in the related art.

【図35】機能ブロック内の電源配線及びグランド配線
と、配線チャネルの電源配線及びグランド配線とを共有
させた場合における半導体集積回路のレイアウトを示す
図である。
FIG. 35 is a diagram showing a layout of a semiconductor integrated circuit in a case where a power supply wiring and a ground wiring in a functional block are shared with a power supply wiring and a ground wiring of a wiring channel.

【図36】従来の半導体集積回路において、2個の機能
ブロックの内部に電源配線及びグランド配線を配置した
図である。
FIG. 36 is a diagram in which a power supply wiring and a ground wiring are arranged inside two functional blocks in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図37】従来の半導体集積回路において、2個の機能
ブロック間の配線チャネルに配置する電源配線及びグラ
ンド配線のレイアウトを示す図である。
FIG. 37 is a diagram showing a layout of power supply wiring and ground wiring arranged in a wiring channel between two functional blocks in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図38】本発明の第3の実施の形態において、半導体
集積回路の配線チャネルの電源配線及びグランド配線を
2個の機能ブロックの内部に延ばしてレイアウトした図
である。
FIG. 38 is a view showing a layout in which a power supply wiring and a ground wiring of a wiring channel of a semiconductor integrated circuit are extended inside two functional blocks in the third embodiment of the present invention.

【図39】本発明の第3の実施の形態において、半導体
集積回路の2個の機能ブロック間の配線チャネルの電源
配線及びグランド配線のレイアウトを示す図である。
FIG. 39 is a diagram showing a layout of a power supply wiring and a ground wiring of a wiring channel between two functional blocks of the semiconductor integrated circuit in the third embodiment of the present invention.

【図40】本発明の第3の実施の形態において、半導体
集積回路の配線チャネルの電源配線及びグランド配線が
接続される2個の機能ブロックの端子位置を同一位置に
配置した場合のレイアウトを示す図である。
FIG. 40 shows a layout in a case where the terminal positions of two functional blocks to which the power supply wiring and the ground wiring of the wiring channel of the semiconductor integrated circuit are connected to the same position in the third embodiment of the present invention. FIG.

【図41】従来の半導体集積回路における電源配線及び
グランド配線のレイアウトを示す図である。
FIG. 41 is a diagram showing a layout of power supply wiring and ground wiring in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図42】本発明の第3の実施の形態において、半導体
集積回路の電源配線及びグランド配線のレイアウトを示
す図である。
FIG. 42 is a diagram showing a layout of a power supply wiring and a ground wiring of the semiconductor integrated circuit in the third embodiment of the present invention.

【図43】本発明の第3の実施の形態において、半導体
集積回路の電源配線及びグランド配線を、配線チャネル
の配線層とは異なる配線層に配置したレイアウトを示す
図である。
FIG. 43 is a diagram showing a layout in which a power supply wiring and a ground wiring of a semiconductor integrated circuit are arranged in a wiring layer different from a wiring layer of a wiring channel in the third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 コンタクトセルでの第1配線層の正方形の
マージン 12 コンタクトセルでの第2配線層の正方形の
マージン 13 正方形のコンタクトホール 14 コンタクトセルでの第1配線層の横長の長
方形のマージン 15 コンタクトセルでの第2配線層の横長の長
方形のマージン 21 正方形形状のコンタクトセル 22 十字形状のコンタクトセル 23 横長の長方形形状のコンタクトセル 1000 データ入力ステップ 1001 セルの配置及び端子の配置を行うステ
ップ 1002 概略配線ステップ 1003 機能ブロックの端子のピッチ計算及び
コンタクトセルの種類の選 択を行うス
テップ 1004 詳細配線ステップ 1005 データ出力ステップ 2000 データ入力ステップ 2001 機能ブロック配置ステップ 2002 配線チャネル設定ステップ 2003 概略配線ステップ 2004 詳細配線ステップ 2005 配線チャネル幅調整ステップ 2006 コンタクトセル最適化ステップ 2007 配線チャネル最小化ステップ 2008 完了判定ステップ 2009 データ入力ステップ
11 Square margin of first wiring layer in contact cell 12 Square margin of second wiring layer in contact cell 13 Square contact hole 14 Horizontal rectangular margin of first wiring layer in contact cell 15 Contact cell 21. Horizontal rectangular margin of second wiring layer 21. Square contact cell 22 Cross-shaped contact cell 23 Horizontal rectangular contact cell 1000 Data input step 1001 Step of arranging cells and terminals 1002 Schematic wiring step 1003 Step for calculating the terminal pitch of the function block and selecting the type of contact cell 1004 Detailed wiring step 1005 Data output step 2000 Data input step 2001 Function block arrangement step 2002 Wiring channel setting Step 2003 Schematic wiring step 2004 Detailed wiring step 2005 Wiring channel width adjustment step 2006 Contact cell optimization step 2007 Wiring channel minimization step 2008 Completion determination step 2009 Data input step

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数個の機能ブロックを配列し、これ等
機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロックを
接続する配線を配線するビルディングブロック方式の半
導体集積回路のレイアウト設計方法であって、 前記各機能ブロックに備える配線接続用の端子のピッチ
に応じて、2つの配線層を接続するコンタクトセルの種
類を選択することを特徴とする半導体集積回路のレイア
ウト設計方法。
1. A layout design method of a building block type semiconductor integrated circuit, comprising arranging a plurality of function blocks and wiring wirings connecting the respective function blocks to wiring channels between the function blocks, A layout design method for a semiconductor integrated circuit, wherein a type of a contact cell connecting two wiring layers is selected according to a pitch of wiring connection terminals provided in each functional block.
【請求項2】 コンタクトセルの種類は、 コンタクトホールの周囲に正方形形状、長方形形状、及
び十字形状のコンタクトマージンを各々持つ3種のコン
タクトセルのうち、2種以上であることを特徴とする請
求項1記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。
2. The type of the contact cell is at least two of three types of contact cells each having a square, rectangular, and cross-shaped contact margin around a contact hole. Item 2. The layout design method for a semiconductor integrated circuit according to Item 1.
【請求項3】 機能ブロックの端子ピッチが長いほど、
高さの低いコンタクトセルを選択することを特徴とする
請求項1又は2記載の半導体集積回路のレイアウト設計
方法。
3. The longer the terminal pitch of the functional block is,
3. The layout design method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a contact cell having a low height is selected.
【請求項4】 コンピュータにより、複数個の機能ブロ
ックを配列し、これ等機能ブロック間の配線チャネルに
前記各機能ブロックを接続する配線を配線するビルディ
ングブロック方式の半導体集積回路のレイアウト設計プ
ログラムを記録した記録媒体であって、 前記設計プログラムは、前記各機能ブロックに備える配
線接続用の端子のピッチに応じて、2つの配線層を接続
するコンタクトセルの種類を選択させることを特徴とす
る半導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記録し
た記録媒体。
4. A layout design program for a building block type semiconductor integrated circuit in which a plurality of functional blocks are arranged by a computer and wiring for connecting the functional blocks is wired to a wiring channel between the functional blocks. Wherein the design program causes a type of a contact cell connecting two wiring layers to be selected according to a pitch of wiring connection terminals provided in each of the functional blocks. A recording medium on which a circuit layout design program is recorded.
【請求項5】 前記設計プログラムは、 機能ブロックの端子ピッチが長いほど、配線チャネルの
高さを低くできる形状を有するコンタクトセルを選択さ
せることを特徴とする請求項4記載の半導体集積回路の
レイアウト設計プログラムを記録した記録媒体。
5. The layout of a semiconductor integrated circuit according to claim 4, wherein said design program selects a contact cell having a shape capable of lowering the wiring channel height as the terminal pitch of the functional block is longer. A recording medium that records a design program.
【請求項6】 複数個の機能ブロックを配列し、これ等
機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロックを
接続する配線を配線するビルディングブロック方式の半
導体集積回路のレイアウト設計方法であって、 2つの配線層を接続するコンタクトセルが前記配線チャ
ネルの端に位置するとき、前記配線チャネルの幅と高さ
に応じて、予め持つ複数種類のコンタクトセルの中の1
種を前記コンタクトセルとして選択することを特徴とす
る半導体集積回路のレイアウト設計方法。
6. A layout design method for a building block type semiconductor integrated circuit, comprising arranging a plurality of function blocks, and arranging wiring for connecting the respective function blocks to wiring channels between the function blocks, When a contact cell that connects two wiring layers is located at the end of the wiring channel, one of a plurality of types of contact cells that are previously provided according to the width and height of the wiring channel.
A layout design method for a semiconductor integrated circuit, wherein a seed is selected as the contact cell.
【請求項7】 コンピュータにより、複数個の機能ブロ
ックを配列し、これ等機能ブロック間の配線チャネルに
前記各機能ブロックを接続する配線を配線するビルディ
ングブロック方式の半導体集積回路のレイアウト設計プ
ログラムを記録した記録媒体であって、 前記設計プログラムは、 2つの配線層を接続するコンタクトセルが前記配線チャ
ネルの端に位置するとき、前記配線チャネルの幅と高さ
に応じて、予め持つ複数種類のコンタクトセルの中の1
種を前記コンタクトセルとして選択させることを特徴と
する半導体集積回路のレイアウト設計プログラムを記録
した記録媒体。
7. A layout design program for a building block type semiconductor integrated circuit in which a plurality of functional blocks are arranged by a computer, and wiring connecting the functional blocks is wired to a wiring channel between the functional blocks. The recording program according to claim 1, wherein the design program comprises: when a contact cell connecting two wiring layers is located at an end of the wiring channel, a plurality of types of contacts previously provided according to a width and a height of the wiring channel; 1 in the cell
A recording medium storing a layout design program for a semiconductor integrated circuit, wherein a seed is selected as the contact cell.
【請求項8】 複数個の機能ブロックを配列し、これ等
機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロックを
接続する配線を配線するビルディングブロック方式の半
導体集積回路のレイアウト設計方法であって、 前記配線チャネル内で2つの配線層を接続する複数種類
のコンタクトセルについて、その有する形状により配線
チャネルの高さに与える影響の大小に応じてコスト付け
し、 前記配線チャネルに存在するコンタクトセルを、当初、
最小のコストのコンタクトセルに置き換え、 前記置き換えたコンタクトセルで設計ルールを満たすか
否かをチェックし、 前記設計ルールエラーが生じていれば、その次にコスト
の小さいコンタクトセルに置き換えて、前記設計ルール
を満たすか否かをチェックすることを繰り返すことを特
徴とする半導体集積回路のレイアウト設計方法。
8. A layout design method of a building block type semiconductor integrated circuit in which a plurality of functional blocks are arranged and wiring connecting the respective functional blocks is wired to a wiring channel between the functional blocks, For a plurality of types of contact cells that connect two wiring layers in a wiring channel, cost is set according to the magnitude of the influence on the height of the wiring channel due to the shape of the contact cell. ,
Replace the contact cell with the lowest cost, check whether the replaced contact cell satisfies the design rule, and if the design rule error occurs, replace the contact cell with the next lowest cost contact cell A layout design method for a semiconductor integrated circuit, which repeatedly checks whether or not a rule is satisfied.
【請求項9】 複数種類のコンタクトセルには、 コンタクトホールの周囲に正方形形状、長方形形状、及
び十字形状のコンタクトマージンを持つ3種のコンタク
トセルを含むことを特徴とする請求項8記載の半導体集
積回路のレイアウト設計方法。
9. The semiconductor according to claim 8, wherein the plurality of types of contact cells include three types of contact cells having a square, rectangular, and cross-shaped contact margin around a contact hole. Layout design method for integrated circuits.
【請求項10】 前記3種のコンタクトセルでは、 横長の長方形形状のコンタクトマージンを持つコンタク
トセルのコストが最も小さく、 縦長の長方形形状のコンタクトマージンを持つコンタク
トセルのコストが最も大きいことを特徴とする請求項9
記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。
10. The three types of contact cells, wherein a contact cell having a horizontally long rectangular contact margin has the lowest cost, and a contact cell having a vertically long rectangular contact margin has the highest cost. Claim 9
The layout design method of the semiconductor integrated circuit described in the above.
【請求項11】 コンピュータにより、複数個の機能ブ
ロックを配列し、これ等機能ブロック間の配線チャネル
に前記各機能ブロックを接続する配線を配線するビルデ
ィングブロック方式の半導体集積回路のレイアウト設計
プログラムを記録した記録媒体であって、 前記設計プログラムは、 前記配線チャネル内で2つの配線層を接続する複数種類
のコンタクトセルについて、その有する形状により配線
チャネルの高さに与える影響の大小に応じてコスト付け
させ、 前記配線チャネルに存在するコンタクトセルを、当初、
最小のコストのコンタクトセルに置き換えさせ、 前記置き換えたコンタクトセルで設計ルールを満たすか
否かをチェックし、 前記設計ルールエラーが生じていれば、その次にコスト
の小さいコンタクトセルに置き換えさせて、前記設計ル
ールを満たすか否かをチェックすることを繰り返させる
ことを特徴とする半導体集積回路のレイアウト設計プロ
グラムを記録した記録媒体。
11. A layout design program for a building block type semiconductor integrated circuit in which a plurality of functional blocks are arranged by a computer, and wiring connecting the functional blocks is wired to a wiring channel between these functional blocks. The design program, for the plurality of types of contact cells connecting two wiring layers in the wiring channel, the cost is set according to the magnitude of the influence of the shape of the contact cells on the height of the wiring channel. Initially, a contact cell existing in the wiring channel is
Replace the contact cell with the lowest cost, check whether the replaced contact cell satisfies the design rule, and if the design rule error occurs, replace the contact cell with the next lowest cost contact cell. A storage medium storing a layout design program for a semiconductor integrated circuit, wherein the step of repeatedly checking whether or not the design rule is satisfied is repeated.
【請求項12】 前記設計プログラムは、 前記複数種類のコンタクトセルのうち、コンタクトホー
ルの周囲に正方形形状、長方形形状、及び十字形状のコ
ンタクトマージンを持つ3種のコンタクトセルでは、 横長の長方形形状のコンタクトマージンを持つコンタク
トセルのコストを最も小さく付け、 縦長の長方形形状のコンタクトマージンを持つコンタク
トセルのコストを最も大きく付けることを特徴とする請
求項11記載の半導体集積回路のレイアウト設計プログ
ラムを記録した記録媒体。
12. The design program according to claim 3, wherein, among the plurality of types of contact cells, three types of contact cells having a square, rectangular, and cross-shaped contact margin around a contact hole have a horizontally long rectangular shape. 12. The semiconductor integrated circuit layout design program according to claim 11, wherein the cost of a contact cell having a contact margin is minimized, and the cost of a contact cell having a vertically long rectangular contact margin is maximized. recoding media.
【請求項13】 複数個の機能ブロックを配列し、これ
等機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロック
を接続する配線を配線するビルディングブロック方式の
半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、 前記配線チャネルに配置する電源配線及びグランド配線
を、前記各機能ブロック内に移動させ、各機能ブロック
内に付加することを特徴とする半導体集積回路のレイア
ウト設計方法。
13. A layout design method for a building block type semiconductor integrated circuit, comprising arranging a plurality of function blocks, and arranging wiring for connecting the respective function blocks to a wiring channel between these function blocks, A power supply wiring and a ground wiring arranged in a wiring channel are moved into each of the functional blocks and added to each of the functional blocks.
【請求項14】 各機能ブロックにおいて、 内部に付加する電源配線及びグランド配線の横方向又は
縦方向の位置を、各機能ブロック相互間で同一位置に設
定することを特徴とする請求項13記載の半導体集積回
路のレイアウト設計方法。
14. The functional block according to claim 13, wherein the horizontal or vertical position of the power supply wiring and the ground wiring added inside is set to the same position between the functional blocks. A layout design method for a semiconductor integrated circuit.
【請求項15】 コンピュータにより、複数個の機能ブ
ロックを配列し、これ等機能ブロック間の配線チャネル
に前記各機能ブロックを接続する配線を配線するビルデ
ィングブロック方式の半導体集積回路のレイアウト設計
プログラムを記録した記録媒体であって、 前記設計プログラムは、 前記配線チャネルに配置する電源配線及びグランド配線
を、前記各機能ブロック内に移動させ、各機能ブロック
内に付加させることを特徴とする半導体集積回路のレイ
アウト設計プログラムを記録した記録媒体。
15. A layout design program for a building block type semiconductor integrated circuit in which a plurality of functional blocks are arranged by a computer, and wiring connecting the functional blocks is wired to a wiring channel between the functional blocks. The recording program according to claim 1, wherein the design program moves a power supply wiring and a ground wiring arranged in the wiring channel into each of the functional blocks and adds the power and ground wirings to each of the functional blocks. A recording medium on which a layout design program is recorded.
【請求項16】 前記設計プログラムは、 各機能ブロックにおいて、内部に付加する電源配線及び
グランド配線の横方向又は縦方向の位置を、各機能ブロ
ック相互間で同一位置に設定することを特徴とする請求
項15記載の半導体集積回路のレイアウト設計プログラ
ムを記録した記録媒体。
16. The design program sets the horizontal or vertical position of a power supply wiring and a ground wiring to be added inside each functional block at the same position among the functional blocks. A recording medium recording the semiconductor integrated circuit layout design program according to claim 15.
【請求項17】 複数個の機能ブロックを配列し、これ
等機能ブロック間の配線チャネルに前記各機能ブロック
を接続する配線を配線するビルディングブロック方式の
半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、 電源配線及びグランド配線を、前記機能ブロックの配線
層とは異なる配線層のみに配置することを特徴とする請
求項13又は14記載の半導体集積回路のレイアウト設
計方法。
17. A layout design method for a building block type semiconductor integrated circuit, comprising arranging a plurality of function blocks, and arranging wiring for connecting each of the function blocks to a wiring channel between these function blocks. 15. The layout design method for a semiconductor integrated circuit according to claim 13, wherein the wiring and the ground wiring are arranged only on a wiring layer different from the wiring layer of the functional block.
【請求項18】 コンピュータにより、複数個の機能ブ
ロックを配列し、これ等機能ブロック間の配線チャネル
に前記各機能ブロックを接続する配線を配線するビルデ
ィングブロック方式の半導体集積回路のレイアウト設計
プログラムを記録した記録媒体であって、 前記設計プログラムは、 電源配線及びグランド配線を、前記機能ブロックの配線
層とは異なる配線層のみに配置させることを特徴とする
請求項15又は16記載の半導体集積回路のレイアウト
設計プログラムを記録した記録媒体。
18. A layout design program for a building block type semiconductor integrated circuit in which a plurality of functional blocks are arranged by a computer, and wirings connecting the functional blocks are wired to wiring channels between the functional blocks. 17. The recording medium according to claim 15, wherein the design program arranges a power supply wiring and a ground wiring only in a wiring layer different from a wiring layer of the functional block. A recording medium on which a layout design program is recorded.
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