JP2000144413A - 基板を薄膜で被覆するための装置 - Google Patents
基板を薄膜で被覆するための装置Info
- Publication number
- JP2000144413A JP2000144413A JP11229347A JP22934799A JP2000144413A JP 2000144413 A JP2000144413 A JP 2000144413A JP 11229347 A JP11229347 A JP 11229347A JP 22934799 A JP22934799 A JP 22934799A JP 2000144413 A JP2000144413 A JP 2000144413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- yoke
- permanent magnet
- housing
- closed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲット材料の損失を回避し、高い被覆速
度、ひいては特に高い基板処理能力を実現する。 【解決手段】 ターゲット３を形成する中空円筒体の一
方の端面側の開口が、円板部分４によって閉鎖されてお
り、それぞれ閉じたリングを形成する２つの永久磁石列
５，６のうち第１の永久磁石列５が、ターゲットの円筒
状の部分を間隔を置いて取り囲んでおり、第２の永久磁
石列６が、ターゲットの円板部分４に対して間隔を置い
てかつ中空円筒体３の回転軸線Ｒに対して同軸的に配置
されており、両永久磁石列が、それぞれ強磁性材料から
成るヨーク７；８と協働するようになっており、該ヨー
クに設けられた磁極片９ａ，９ｂ；１０ａ，１０ｂが、
それぞれターゲットの、円筒状の部分３と、円板部分４
とを外部から包み込む、非磁性材料から成るハウジング
１１に接触している。
度、ひいては特に高い基板処理能力を実現する。 【解決手段】 ターゲット３を形成する中空円筒体の一
方の端面側の開口が、円板部分４によって閉鎖されてお
り、それぞれ閉じたリングを形成する２つの永久磁石列
５，６のうち第１の永久磁石列５が、ターゲットの円筒
状の部分を間隔を置いて取り囲んでおり、第２の永久磁
石列６が、ターゲットの円板部分４に対して間隔を置い
てかつ中空円筒体３の回転軸線Ｒに対して同軸的に配置
されており、両永久磁石列が、それぞれ強磁性材料から
成るヨーク７；８と協働するようになっており、該ヨー
クに設けられた磁極片９ａ，９ｂ；１０ａ，１０ｂが、
それぞれターゲットの、円筒状の部分３と、円板部分４
とを外部から包み込む、非磁性材料から成るハウジング
１１に接触している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を薄膜で被覆
するための装置であって、真空チャンバと、スパッタリ
ングしたいターゲットと、該ターゲットのスパッタリン
グしたい面の手前に磁気トンネルを形成するための磁石
と、プロセス室内にプロセスガスを導入するための入口
と、アノードもしくは陽極と、ターゲットの手前にプラ
ズマを発生させるための電流電圧供給装置とが設けられ
ていて、ターゲットが、回転対称的な物体として成形さ
れていて、基板を環状に取り囲んでいる形式のものに関
する。
するための装置であって、真空チャンバと、スパッタリ
ングしたいターゲットと、該ターゲットのスパッタリン
グしたい面の手前に磁気トンネルを形成するための磁石
と、プロセス室内にプロセスガスを導入するための入口
と、アノードもしくは陽極と、ターゲットの手前にプラ
ズマを発生させるための電流電圧供給装置とが設けられ
ていて、ターゲットが、回転対称的な物体として成形さ
れていて、基板を環状に取り囲んでいる形式のものに関
する。
【０００２】
【従来の技術】磁界増幅された電気的な放電で真空技術
的なプロセスを実施するための装置は公知である（ＤＤ
１２３９５２）。この公知の装置は、磁界を発生させる
ための磁界発生装置と、負の電位を有するターゲット
と、陽極とから成っており、ターゲットと陽極との間に
放電が発生する。この場合、磁界を発生させるための磁
界発生装置に設けられた複数の磁極片は、陰極に対して
同心的に環状に形成されていて、実施したい真空技術的
なプロセスに応じて、管状のターゲットの内部に配置さ
れているか、またはターゲットを外側で取り囲むように
配置されている。これらの磁極片は軸方向で制限され
た、不均一なトーラス状（円環状）の磁界を発生させ
る。磁界の主磁界方向はターゲットの範囲において、タ
ーゲットの軸方向に対して平行に向けられている。陽極
は、磁界発生装置がターゲット内に配置される場合には
ターゲットを管状に取り囲んでおり、磁界発生装置がタ
ーゲットを外側で取り囲むように配置される場合にはタ
ーゲット内部に管体または中実材料として配置されてお
り、この場合、磁界発生装置と、管状のターゲットと、
陽極とは、互いに相対的に運動可能となる。
的なプロセスを実施するための装置は公知である（ＤＤ
１２３９５２）。この公知の装置は、磁界を発生させる
ための磁界発生装置と、負の電位を有するターゲット
と、陽極とから成っており、ターゲットと陽極との間に
放電が発生する。この場合、磁界を発生させるための磁
界発生装置に設けられた複数の磁極片は、陰極に対して
同心的に環状に形成されていて、実施したい真空技術的
なプロセスに応じて、管状のターゲットの内部に配置さ
れているか、またはターゲットを外側で取り囲むように
配置されている。これらの磁極片は軸方向で制限され
た、不均一なトーラス状（円環状）の磁界を発生させ
る。磁界の主磁界方向はターゲットの範囲において、タ
ーゲットの軸方向に対して平行に向けられている。陽極
は、磁界発生装置がターゲット内に配置される場合には
ターゲットを管状に取り囲んでおり、磁界発生装置がタ
ーゲットを外側で取り囲むように配置される場合にはタ
ーゲット内部に管体または中実材料として配置されてお
り、この場合、磁界発生装置と、管状のターゲットと、
陽極とは、互いに相対的に運動可能となる。
【０００３】さらに、プラズマトロン原理（Ｐｌａｓｍ
ａｔｒｏｎｐｒｉｎｚｉｐ）による高速スパッタリング
のための装置が公知である（ＤＤ２１７９６４Ａ３）。
この公知の装置は、環状ギャップを備えた磁界発生装置
と、冷却された管状のターゲットと、陽極とから成って
おり、この場合、磁界発生装置は、それ自体閉じた縦長
の環状ギャップを有していて、この環状ギャップ内にタ
ーゲットが配置されている。この場合、磁界発生装置の
大きな軸線はターゲット軸線に対して平行に延びてい
る。ターゲットは、環状ギャップ範囲が自由となるよう
に陽極によって取り囲まれており、陽極とターゲット表
面との間の間隔は調節装置によって固定の値に調節可能
である。大きな軸線を中心とした相対運動を発生させる
ためには、ターゲットと磁界発生装置との間に駆動装置
が配置されている。磁界発生装置には、この磁界発生装
置とターゲットとの間の間隔を変えるための装置が配置
されている。
ａｔｒｏｎｐｒｉｎｚｉｐ）による高速スパッタリング
のための装置が公知である（ＤＤ２１７９６４Ａ３）。
この公知の装置は、環状ギャップを備えた磁界発生装置
と、冷却された管状のターゲットと、陽極とから成って
おり、この場合、磁界発生装置は、それ自体閉じた縦長
の環状ギャップを有していて、この環状ギャップ内にタ
ーゲットが配置されている。この場合、磁界発生装置の
大きな軸線はターゲット軸線に対して平行に延びてい
る。ターゲットは、環状ギャップ範囲が自由となるよう
に陽極によって取り囲まれており、陽極とターゲット表
面との間の間隔は調節装置によって固定の値に調節可能
である。大きな軸線を中心とした相対運動を発生させる
ためには、ターゲットと磁界発生装置との間に駆動装置
が配置されている。磁界発生装置には、この磁界発生装
置とターゲットとの間の間隔を変えるための装置が配置
されている。
【０００４】さらに、真空スパッタリングのためのカソ
ードもしくは陰極が公知である（欧州特許第０４６１０
３５号明細書）。この公知の陰極は、ほぼ回転体の形の
中空体を有しており、この中空体はその軸線を中心にし
て回転することができる。中空体は、軸線に沿って延び
る側壁と、軸線に対してほぼ直角な２つの端面とを有し
ており、この場合、中空体は少なくともその側壁の外側
で、スパッタリングしたい材料から形成されている。中
空体はさらに、ターゲット近傍に設けられた磁気閉込め
のための磁石回路と、磁極と、透磁性金属から成る部分
と、磁石回路に磁束を発生させるために適している磁化
手段と、中空体内部で冷却液を循環させるための冷却回
路に接続するための装置と、給電回路に接続するための
装置と、中空体を所定の軸線を中心にして回転させるた
めの駆動装置とを備えており、この場合、磁石回路は中
空体に関して周囲に延びており、磁化手段はこの中空体
の外側に設けられており、磁石回路の磁極はこの中空体
の２つの母線に沿って設けられていて、中空体の側壁
の、両母線の間に位置する円弧が、陰極のターゲットに
より形成されている。
ードもしくは陰極が公知である（欧州特許第０４６１０
３５号明細書）。この公知の陰極は、ほぼ回転体の形の
中空体を有しており、この中空体はその軸線を中心にし
て回転することができる。中空体は、軸線に沿って延び
る側壁と、軸線に対してほぼ直角な２つの端面とを有し
ており、この場合、中空体は少なくともその側壁の外側
で、スパッタリングしたい材料から形成されている。中
空体はさらに、ターゲット近傍に設けられた磁気閉込め
のための磁石回路と、磁極と、透磁性金属から成る部分
と、磁石回路に磁束を発生させるために適している磁化
手段と、中空体内部で冷却液を循環させるための冷却回
路に接続するための装置と、給電回路に接続するための
装置と、中空体を所定の軸線を中心にして回転させるた
めの駆動装置とを備えており、この場合、磁石回路は中
空体に関して周囲に延びており、磁化手段はこの中空体
の外側に設けられており、磁石回路の磁極はこの中空体
の２つの母線に沿って設けられていて、中空体の側壁
の、両母線の間に位置する円弧が、陰極のターゲットに
より形成されている。
【０００５】さらに、選択された被覆材料の薄い被膜
を、著しく平行平面的な（ｐｌａｎａｒ．）の基板にス
パッタリング被着させるための装置が既に提案されてい
る（欧州特許第００７０８９９号明細書）。この公知の
装置は排気可能な被覆チャンバと、この被覆チャンバ内
に水平方向に取り付けられた陰極とを有しており、この
陰極は縦長の円筒状の管エレメントを備えていて、この
管エレメントの外面に、スパッタリングしたい被覆材料
の層が塗布されている。上記装置はさらに、この管エレ
メント内に配置された磁石手段を備えており、これによ
り管エレメントの長手方向に延びるスパッタリングゾー
ンが設けられており、この場合、この管エレメントをそ
の長手方向軸線を中心にして回転させるための手段が設
けられており、これにより被覆材料の種々の部分が、前
記磁石手段に向かい合いかつ前記スパッタリングゾーン
の内側に位置する所定のスパッタリング位置へもたらさ
れるようになる。上記装置はさらに、被覆チャンバ内に
設けられた、基板を水平方向で支持しかつこの基板を磁
石手段の傍らに通して搬送するための手段を備えてお
り、これによってこの基板はスパッタリングされた材料
を受け取る。
を、著しく平行平面的な（ｐｌａｎａｒ．）の基板にス
パッタリング被着させるための装置が既に提案されてい
る（欧州特許第００７０８９９号明細書）。この公知の
装置は排気可能な被覆チャンバと、この被覆チャンバ内
に水平方向に取り付けられた陰極とを有しており、この
陰極は縦長の円筒状の管エレメントを備えていて、この
管エレメントの外面に、スパッタリングしたい被覆材料
の層が塗布されている。上記装置はさらに、この管エレ
メント内に配置された磁石手段を備えており、これによ
り管エレメントの長手方向に延びるスパッタリングゾー
ンが設けられており、この場合、この管エレメントをそ
の長手方向軸線を中心にして回転させるための手段が設
けられており、これにより被覆材料の種々の部分が、前
記磁石手段に向かい合いかつ前記スパッタリングゾーン
の内側に位置する所定のスパッタリング位置へもたらさ
れるようになる。上記装置はさらに、被覆チャンバ内に
設けられた、基板を水平方向で支持しかつこの基板を磁
石手段の傍らに通して搬送するための手段を備えてお
り、これによってこの基板はスパッタリングされた材料
を受け取る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた形式の装置を改良して、プロセスチャンバの内
壁部分の覆いまたはプロセスチャンバ内に配置されたシ
ールドまたは基板保持装置に基づき生ぜしめられるター
ゲット材料の損失が回避されて、高い被覆速度が可能と
なり、ひいては特に高い基板処理能力を実現することの
できるような装置を提供することである。
で述べた形式の装置を改良して、プロセスチャンバの内
壁部分の覆いまたはプロセスチャンバ内に配置されたシ
ールドまたは基板保持装置に基づき生ぜしめられるター
ゲット材料の損失が回避されて、高い被覆速度が可能と
なり、ひいては特に高い基板処理能力を実現することの
できるような装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、ターゲットが中空円筒体または管
部分として形成されていて、該中空円筒体の一方の端面
側の開口が、扁平な円板部分によって閉鎖されており、
それぞれ１つの閉じたリングを形成する２つの永久磁石
列が設けられていて、両永久磁石列のうちの第１の閉じ
た永久磁石列が、ターゲットの円筒状の部分を間隔を置
いて取り囲んでおり、第２の閉じた永久磁石列が、ター
ゲットの底部分を形成する円板部分に対して間隔を置い
てかつ前記中空円筒体の回転軸線に対して同軸的に配置
されており、両永久磁石列が、それぞれ強磁性材料から
成るヨークと協働するようになっており、該ヨークに設
けられた磁極片が、それぞれターゲットの、円筒状の部
分と、底部分を形成する円板部分とを外部から包み込
む、非磁性材料から成るハウジングに接触しているよう
にした。
に本発明の構成では、ターゲットが中空円筒体または管
部分として形成されていて、該中空円筒体の一方の端面
側の開口が、扁平な円板部分によって閉鎖されており、
それぞれ１つの閉じたリングを形成する２つの永久磁石
列が設けられていて、両永久磁石列のうちの第１の閉じ
た永久磁石列が、ターゲットの円筒状の部分を間隔を置
いて取り囲んでおり、第２の閉じた永久磁石列が、ター
ゲットの底部分を形成する円板部分に対して間隔を置い
てかつ前記中空円筒体の回転軸線に対して同軸的に配置
されており、両永久磁石列が、それぞれ強磁性材料から
成るヨークと協働するようになっており、該ヨークに設
けられた磁極片が、それぞれターゲットの、円筒状の部
分と、底部分を形成する円板部分とを外部から包み込
む、非磁性材料から成るハウジングに接触しているよう
にした。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲット材料の損失
が回避されて、高い被覆速度が可能となり、ひいては特
に高い基板処理能力を実現することができる。
が回避されて、高い被覆速度が可能となり、ひいては特
に高い基板処理能力を実現することができる。
【０００９】本発明の有利な構成では、ターゲットの円
筒状の部分を環状に取り囲む第１の永久磁石列が、横断
面Ｕ字形の第１のヨークと協働するようになっていて、
該第１のヨークに設けられた２つの磁極片が、フランジ
状に半径方向内側に向かって、ターゲットを取り囲むハ
ウジングにまで延びる部分として形成されており、前記
ヨークの、前記両磁極片を結合する中央部分が円形リン
グとして形成されており、第１の永久磁石列が該中央部
分に組み込まれている（ｅｉｎｂｅｚｏｇｅｎ）か、ま
たは嵌め込まれている。
筒状の部分を環状に取り囲む第１の永久磁石列が、横断
面Ｕ字形の第１のヨークと協働するようになっていて、
該第１のヨークに設けられた２つの磁極片が、フランジ
状に半径方向内側に向かって、ターゲットを取り囲むハ
ウジングにまで延びる部分として形成されており、前記
ヨークの、前記両磁極片を結合する中央部分が円形リン
グとして形成されており、第１の永久磁石列が該中央部
分に組み込まれている（ｅｉｎｂｅｚｏｇｅｎ）か、ま
たは嵌め込まれている。
【００１０】本発明の別の有利な構成では、ターゲット
の底部分を形成する円板部分に接触するか、または該円
板部分をカバーする、非磁性材料から成るハウジングの
平坦部分に接触する、強磁性材料から成る第２のヨーク
が、ターゲットに面した端面に切り込まれた円環状の溝
または切欠きを備えた扁平な円筒状の部分として形成さ
れており、該第２のヨークの背部分に第２の永久磁石列
が嵌め込まれており、該背部分が、ターゲットの回転軸
線に対して直角な１つの平面に延びている。
の底部分を形成する円板部分に接触するか、または該円
板部分をカバーする、非磁性材料から成るハウジングの
平坦部分に接触する、強磁性材料から成る第２のヨーク
が、ターゲットに面した端面に切り込まれた円環状の溝
または切欠きを備えた扁平な円筒状の部分として形成さ
れており、該第２のヨークの背部分に第２の永久磁石列
が嵌め込まれており、該背部分が、ターゲットの回転軸
線に対して直角な１つの平面に延びている。
【００１１】本発明のさらに別の有利な構成では、ハウ
ジングを少なくとも部分的に外側から取り囲む、強磁性
材料から成るスリーブが設けられている。
ジングを少なくとも部分的に外側から取り囲む、強磁性
材料から成るスリーブが設けられている。
【００１２】本発明のさらに別の有利な構成では、それ
ぞれヨークとハウジングとの間に形成された環状室が、
少なくとも部分的に、該環状室に適合されたプラスチッ
ク製のインサートまたはリングによって埋められてお
り、ただし残された環状ギャップまたは通路が、冷却剤
によって貫流されるようになっている。
ぞれヨークとハウジングとの間に形成された環状室が、
少なくとも部分的に、該環状室に適合されたプラスチッ
ク製のインサートまたはリングによって埋められてお
り、ただし残された環状ギャップまたは通路が、冷却剤
によって貫流されるようになっている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面につき詳しく説明する。
面につき詳しく説明する。
【００１４】図１および図２に示したカソードもしくは
陰極は、スパッタリングしようとする材料（たとえば
金）から成る管状の部分３の形のターゲットを有してお
り、この場合、管状の部分３は円板部分４によって下方
に対して閉鎖されている。陰極はさらに、ターゲットを
成す管状の部分３と円板部分４とを取り囲む、非強磁性
材料（たとえば銅）から成るポット状のハウジング１
１，１２と、管状の部分３を部分的に取り囲む、強磁性
材料（たとえば鉄）から成るスリーブ１４と、断面Ｕ字
形の２つのヨーク７，８とを有しており、両ヨーク７，
８の磁極片９ａ，９ｂ；１０ａ，１０ｂの端面は、それ
ぞれハウジング１１，１２に接触している。陰極はさら
にプラスチックから成る複数のインサートを有してお
り、これらのインサートはそれぞれ環状室１５，１６内
に嵌め込まれていて、これらの環状室１５，１６を冷却
通路１７，１８を除いて完全に満たしている。
陰極は、スパッタリングしようとする材料（たとえば
金）から成る管状の部分３の形のターゲットを有してお
り、この場合、管状の部分３は円板部分４によって下方
に対して閉鎖されている。陰極はさらに、ターゲットを
成す管状の部分３と円板部分４とを取り囲む、非強磁性
材料（たとえば銅）から成るポット状のハウジング１
１，１２と、管状の部分３を部分的に取り囲む、強磁性
材料（たとえば鉄）から成るスリーブ１４と、断面Ｕ字
形の２つのヨーク７，８とを有しており、両ヨーク７，
８の磁極片９ａ，９ｂ；１０ａ，１０ｂの端面は、それ
ぞれハウジング１１，１２に接触している。陰極はさら
にプラスチックから成る複数のインサートを有してお
り、これらのインサートはそれぞれ環状室１５，１６内
に嵌め込まれていて、これらの環状室１５，１６を冷却
通路１７，１８を除いて完全に満たしている。
【００１５】図示の陰極は真空チャンバ（図示しない）
内に配置されており、この場合、基板２は上方から、タ
ーゲット、つまり管状の部分３と円板部分４とを取り囲
む室内に導入される。給電装置（やはり図示しない）
は、一方ではヨーク８に、他方では基板２にそれぞれ接
続されているので、基板２とターゲット３，４との間の
環状室にはプラズマが発生し、粒子流はターゲット３，
４から基板２に向かって完全に運動する。
内に配置されており、この場合、基板２は上方から、タ
ーゲット、つまり管状の部分３と円板部分４とを取り囲
む室内に導入される。給電装置（やはり図示しない）
は、一方ではヨーク８に、他方では基板２にそれぞれ接
続されているので、基板２とターゲット３，４との間の
環状室にはプラズマが発生し、粒子流はターゲット３，
４から基板２に向かって完全に運動する。
【図１】本発明の１実施例を示す斜視図である。
【図２】図１の縦断面図である。
２ 基板、 ３ 管状の部分、 ４ 円板部分、 ５，
６ 永久磁石列、 ７，８ ヨーク、 ９ａ，９ｂ，１
０ａ，１０ｂ 磁極片、 １１，１２ ハウジング、
１３ 溝、 １４ スリーブ、 １５，１６ 環状室、
１７，１８冷却通路
６ 永久磁石列、 ７，８ ヨーク、 ９ａ，９ｂ，１
０ａ，１０ｂ 磁極片、 １１，１２ ハウジング、
１３ 溝、 １４ スリーブ、 １５，１６ 環状室、
１７，１８冷却通路
Claims (5)
- 【請求項１】 基板（２）を薄膜で被覆するための装置
であって、真空チャンバと、スパッタリングしたいター
ゲット（３，４）と、該ターゲット（３，４）のスパッ
タリングしたい面の手前に磁気トンネルを形成するため
の磁石（５，６）と、プロセス室内にプロセスガスを導
入するための入口と、陽極と、ターゲット（３，４）の
手前にプラズマを発生させるための電流電圧供給装置と
が設けられていて、ターゲット（３，４）が、回転対称
的な物体として成形されていて、基板（２）を環状に取
り囲んでいる形式のものにおいて、ターゲット（３）が
中空円筒体として形成されていて、該中空円筒体の一方
の端面側の開口が、扁平な円板部分（４）によって閉鎖
されており、それぞれ１つの閉じたリングを形成する２
つの永久磁石列（５，６）が設けられていて、両永久磁
石列のうちの第１の閉じた永久磁石列（５）が、ターゲ
ット（３）の円筒状の部分を間隔を置いて取り囲んでお
り、第２の閉じた永久磁石列（６）が、ターゲット
（３）の底部分を形成する円板部分（４）に対して間隔
を置いてかつ前記中空円筒体（３）の回転軸線（Ｒ）に
対して同軸的に配置されており、両永久磁石列（５，
６）が、それぞれ強磁性材料から成るヨーク（７；８）
と協働するようになっており、該ヨークに設けられた磁
極片（９ａ，９ｂ；１０ａ，１０ｂ）が、それぞれター
ゲット（３，４）の、円筒状の部分（３）と、底部分を
形成する円板部分（４）とを外部から包み込む、非磁性
材料から成るハウジング（１１）に接触していることを
特徴とする、基板を薄膜で被覆するための装置。 - 【請求項２】 ターゲット（３，４）の円筒状の部分を
環状に取り囲む第１の永久磁石列（５）が、横断面Ｕ字
形の第１のヨーク（７）と協働するようになっていて、
該第１のヨーク（７）に設けられた２つの磁極片（９
ａ，９ｂ）が、フランジ状に半径方向内側に向かって、
ターゲット（３，４）を取り囲むハウジング（１１）に
まで延びる部分として形成されており、前記両磁極片
（９ａ，９ｂ）を結合する中央部分が円形リングとして
形成されており、第１の永久磁石列（５）が該中央部分
に組み込まれているか、または嵌め込まれている、請求
項１記載の装置。 - 【請求項３】 ターゲット（３，４）の底部分を形成す
る円板部分（４）に接触するか、または該円板部分
（４）をカバーする、非磁性材料から成るハウジング
（１１）の平坦部分（１２）に接触する、強磁性材料か
ら成る第２のヨーク（８）が、ターゲット（３，４）に
面した端面に切り込まれた円環状の溝または切欠き（１
３）を備えた扁平な円筒状の部分として形成されてお
り、該第２のヨーク（８）の背部分に第２の永久磁石列
（６）が嵌め込まれており、該背部分が、ターゲット
（３）の回転軸線（Ｒ）に対して直角な１つの平面に延
びている、請求項１または２記載の装置。 - 【請求項４】 ハウジング（１１）を少なくとも部分的
に外側から取り囲む、強磁性材料から成るスリーブ（１
４）が設けられている、請求項１から３までのいずれか
１項記載の装置。 - 【請求項５】 それぞれヨーク（７；８）とハウジング
（１１）との間に形成された環状室（１５；１６）が、
少なくとも部分的に、該環状室（１５；１６）に適合さ
れたプラスチック製のインサートまたはリングによって
埋められており、ただし残された環状ギャップまたは通
路（１７；１８）が、冷却剤によって貫流されるように
なっている、請求項１から４までのいずれか１項記載の
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19837045.8 | 1998-08-14 | ||
| DE1998137045 DE19837045A1 (de) | 1998-08-14 | 1998-08-14 | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit dünnen Schichten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000144413A true JP2000144413A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=7877634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11229347A Pending JP2000144413A (ja) | 1998-08-14 | 1999-08-13 | 基板を薄膜で被覆するための装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0981150A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000144413A (ja) |
| DE (1) | DE19837045A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013036106A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Toyota Motor Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000032347A1 (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Tosoh Smd, Inc. | Insert target assembly and method of making same |
| AT414215B (de) | 2003-02-12 | 2006-10-15 | Peter Ziger | Anlage zur plasmaprozessierung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH659484A5 (de) * | 1984-04-19 | 1987-01-30 | Balzers Hochvakuum | Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung. |
| DE3844064A1 (de) * | 1988-12-28 | 1990-07-05 | Leybold Ag | Katodenzerstaeubungsvorrichtung nach dem magnetron-prinzip mit einer hohlkatode und einem zylindrischen target |
| US5228963A (en) * | 1991-07-01 | 1993-07-20 | Himont Incorporated | Hollow-cathode magnetron and method of making thin films |
| DE19609248A1 (de) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Balzers Prozes Systeme Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Kathodenzerstäubung mit einem Hohltarget |
-
1998
- 1998-08-14 DE DE1998137045 patent/DE19837045A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-06-16 EP EP99111632A patent/EP0981150A3/de not_active Withdrawn
- 1999-08-13 JP JP11229347A patent/JP2000144413A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013036106A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Toyota Motor Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0981150A2 (de) | 2000-02-23 |
| EP0981150A3 (de) | 2004-12-01 |
| DE19837045A1 (de) | 2000-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100396456B1 (ko) | 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치 | |
| US6485617B2 (en) | Sputtering method utilizing an extended plasma region | |
| KR100442085B1 (ko) | 자기 버킷 및 동심 플라즈마와 재료원에 의한 이온화 물리적 기상 증착 방법 및 장치 | |
| EP0585229B1 (en) | Cluster tool soft etch module and ecr plasma generator therefor | |
| JP4422801B2 (ja) | カソードスパッタリング装置 | |
| KR100659828B1 (ko) | 이온화 물리적 증착 방법 및 장치 | |
| US6197165B1 (en) | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition | |
| US4842703A (en) | Magnetron cathode and method for sputter coating | |
| KR900005347B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| TWI287048B (en) | Equipment for cathode-sputtering | |
| KR101146071B1 (ko) | 이온화 물리적 기상 증착용의 자성적으로 향상된 용량 플라즈마 소스 | |
| US5865961A (en) | Magnetron sputtering apparatus and method | |
| US4810347A (en) | Penning type cathode for sputter coating | |
| US6761804B2 (en) | Inverted magnetron | |
| US6156170A (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
| JPH06235063A (ja) | スパッタリング陰極 | |
| KR100306956B1 (ko) | 플라즈마의형상을만드는마그네트링을사용한스퍼터링장치및방법 | |
| US9028659B2 (en) | Magnetron design for extended target life in radio frequency (RF) plasmas | |
| US5688388A (en) | Apparatus for coating a substrate | |
| US6187160B1 (en) | Apparatus for the coating of substrates in a vacuum chamber | |
| US5085755A (en) | Sputtering apparatus for forming thin films | |
| JPH01156471A (ja) | スパツタリング陰極 | |
| KR20040050064A (ko) | 플랫 마그네트론 | |
| TWI839503B (zh) | 濺射裝置，薄膜製造方法 | |
| JP2000144413A (ja) | 基板を薄膜で被覆するための装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040927 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040927 |