JP2000133663A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 上面の平面度が高くかつヒケや反りの発生に
よる変形が防止されて所定の外形を有し、しかも強度の
高い半導体装置を実現でき、またこのような半導体装置
を安定して製造できるようにする。 【解決手段】 半導体装置１は、基板２と、その基板２
に搭載された半導体素子３と、基板２と半導体素子３と
を封止用樹脂により一体に封止した封止部４とを備え、
さらに封止部４の表面に、封止部４を所定の形状に保持
する形状保持用板７が設けられた構成となっている。形
状保持用板７は、例えば平板状の上面被覆板７ａからな
り、これが封止部４の上面を覆うように設けられてい
る。またこのような半導体装置１の製造では、封止部４
を構成する封止用樹脂の硬化に先立ち、封止用樹脂の表
面に形状保持用板７を配置し、その後、封止用樹脂の硬
化とともに封止部４に形状保持用板７を接着させるよう
にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に関し、詳細には基板に搭載された半導体
素子と基板とを封止用樹脂によって一体に封止した半導
体装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置としては、例えば図６
に示すように、エポキシ樹脂等の基板もしくはリードフ
レーム（以下、これらを含めて基板と記す）４１に半導
体素子（半導体チップ）４２が搭載され、基板４１の半
導体素子４２が搭載された面（以下、素子搭載面と記
す）４１ａと、半導体素子４２上面の周縁部および側面
とが封止用樹脂によって一体に封止された構造のものが
知られている。つまり、この半導体装置４０では、半導
体素子４２上面の周縁部および側面を覆い、かつ半導体
素子４２の上面の周縁部より内側（中心側）を外部に露
出させるよう開口した状態で上記封止用樹脂による封止
部４３が形成されたものとなっている。

【０００３】このような半導体装置４０は、半導体素子
４２の上面の中心側を開口した状態に封止部４３が形成
されているため、その封止部４３の形成にあたり、一般
に行われている金型を用いた成型（トランスファーモー
ルド）を行うことが困難である。一方、通常用いる封止
用樹脂は、流動性が高く形状保持性が低い、いわゆる揺
変性（チクソ性）のない液状のものであるため、封止用
樹脂そのものによって封止部４３の外形を形成すること
が難しい。そこで、上記の半導体装置４０の製造におけ
る封止工程では、基板４１の素子搭載面４１ａに一定の
枠を設けることにより封止部４３の側面および開口した
部分の端面を形成し、この枠内に液状の封止用樹脂を充
填して封止部４３を形成する方法が採用されている。

【０００４】例えば、予め、基板４１に半導体素子４２
を搭載し、基板４１に設けられた電極と半導体素子４２
に設けられた電極とを金線４６等を用いてワイヤーボン
ディングしておいた後、基板４１の素子搭載面４１ａお
よび半導体素子４２上面において形成しようとする封止
部４３の周縁位置にそれぞれ、その周縁に沿って樹脂枠
４４を形成する。この樹脂枠４４は、ディスペンス装置
（滴下装置）４０を用いて、流動性が非常に低く形状保
持性の良好な揺変性のある液状の封止用樹脂を供給する
ことによって形成する。次いで、樹脂枠４４内に、揺変
性のない液状の封止樹脂４５を滴下して充填し、続いて
樹脂枠４４の封止用樹脂および樹脂枠４４内の封止用樹
脂４５を熱硬化させることによって封止部４３を形成す
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
ては、電子機器の小型化に伴い、樹脂封止されて得た半
導体装置の高さ寸法の制限が厳しくなり、厚みが一定の
半導体装置が要求されている。また、例えば製造された
半導体装置を自動実装装置を用いて実装基板に実装する
際には、半導体装置の上面（封止部の上面）位置を基準
にして実装がなされる場合が多いことから、上面の平面
度が高いことも要求されている。

【０００６】しかしながら、上記した従来の技術では、
樹脂枠内に封止用樹脂を滴下していくため、封止部の上
面が平坦に形成されず、波を打ったようにうねりが生じ
てしまって上面の平面度が非常に低い半導体装置が製造
されてしまう。

【０００７】また一般に、半導体素子を搭載する基板と
半導体素子を構成している基板とには、互いに熱膨張係
数が大きく異なる材料が用いられている。例えば、半導
体素子を搭載する基板には、エポキシ樹脂やポリイミド
樹脂等の１２ｐｍ程度の熱膨張係数を有する樹脂基板が
用いられ、半導体素子を構成している基板には４ｐｐｍ
程度の熱膨張係数を有するシリコン基板が用いられる。
これにも関わらず、液状の封止用樹脂として１５０℃程
度の高温で硬化する熱硬化性樹脂が用いられることが多
いため、封止用樹脂を硬化させる熱処理時において常温
から高温、高温から常温といった温度変化により、封止
後の成型品である半導体装置に反りという現象が生じ
る。

【０００８】さらに、揺変性のない液状の封止用樹脂
は、高温で硬化するまでの間は形状が不安定な状態とな
っており、完全に硬化するまでに揺変性のある液状の封
止用樹脂よりも大きく収縮する。この結果、熱硬化後に
収縮により表面が凹む、いわゆるヒケが発生する。この
ため、収縮が小さくヒケの発生の少ないあるいはヒケの
発生しない液状の封止用樹脂が必要とされているが、満
足する封止用樹脂が得られてない。結果として、反りや
ヒケ等の発生により所定の外形が正確に得られず、厚み
が一定で品質の良い半導体装置を安定して製造できない
状況となっている。

【０００９】また通常、揺変性のない液状の封止用樹脂
には、例えば２０ｐｐｍといったように半導体素子のシ
リコン基板の熱膨張係数の約７倍と非常に高い熱膨張係
数の材料が用いられ、しかも封止部を薄く形成するた
め、半導体装置の高温および外力に対する強度が低いも
のとなっている。

【００１０】したがって、上面の平面度が高くかつヒケ
や反りの発生による変形が防止されて所定の外形を有
し、しかも強度の高い半導体装置と、このような半導体
装置を安定して製造できる技術の開発が切望されてい
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そこで上記課題を解決す
るために本発明に係る半導体装置は、基板と、その基板
に搭載された半導体素子と、基板と半導体素子とを封止
用樹脂により一体に封止した封止部とを備え、封止部の
表面には、封止部を所定の形状に保持する形状保持用板
が設けられた構成となっている。

【００１２】上記発明では、封止部の表面に封止部を所
定の形状に保持する形状保持用板が設けられているた
め、たとえ封止部の表面にヒケが発生していても、その
影響を受けることなく半導体装置の外形は常に一定なも
のとなる。また、封止部の表面に設けられた形状保持用
板により封止部の外力に対する強度が向上し、半導体装
置の外形が安定化し、常に一定の形状に保持される。ま
た形状保持用板が平板状のものからなり、これが封止部
の上面を覆うように設けられていれば、半導体装置の上
面（封止部の上面）が常に平面度の高い面として保持さ
れる。よって、半導体装置を用いれば、実装基板への実
装を常に容易に行える。また形状保持用板が、上記基板
の熱膨張係数と略等しいかまたはその付近の熱膨張係数
を有した板材で形成されていれば、封止部の高温に対す
る強度が向上した半導体装置が得られる。

【００１３】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、半導体素子が搭載された基板のその素子搭載面に半
導体素子の所定部分を覆う状態で液状の封止用樹脂を供
給し、封止用樹脂を硬化させて基板と半導体素子とを一
体に封止する封止部を形成する方法において、封止用樹
脂の硬化に先立ち、素子搭載面に供給した封止用樹脂の
表面に、封止部を所定の形状に保持するための形状保持
用板を配置し、次いで、封止用樹脂を硬化させることに
より封止部を形成するとともに封止部の表面に形状保持
用板を接着するようになっている。

【００１４】上記の発明では、封止用樹脂の硬化に先立
ち、封止用樹脂の表面に形状保持用板を配置するため、
たとえ基板と半導体素子との間に大きな熱膨張係数の差
があっても、その後に行う封止用樹脂の硬化時における
温度変化により半導体装置が反ることが形状保持用板に
よって抑えられる。また封止用樹脂の表面に形状保持用
板を配置することにより形状保持用板の裏面と封止用樹
脂とが接触した状態となるため、たとえ封止用樹脂の硬
化時における封止用樹脂の収縮が起きても、形状保持用
板と封止用樹脂との接触部分での収縮が抑制され、所定
の形状の封止部が形成される。さらに、素子搭載面に供
給された液状の封止用樹脂の表面が、平坦に形成されず
うねっていても、封止用樹脂の表面に例えば平板状の形
状保持用板を配置することにより、常に平面度の高い半
導体装置が安定して製造される。

【００１５】さらに、封止用樹脂を硬化させることによ
り封止部を形成するとともに封止部の表面に形状保持用
板を接着するため、形状保持用板を接着するための工程
を新たに追加する必要がない。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の第
１実施形態を示す要部側断面図である。図１に示すよう
にこの半導体装置１は、基板２と、基板２にダイボンデ
ィング剤（図示略）を介して搭載された半導体素子（半
導体チップ）３と、基板２と半導体素子３とを封止用樹
脂により一体に封止した封止部４と、封止部４の表面に
設けられた形状保持用板７と、によって構成されてい
る。

【００１７】基板２は、従来と同様に、例えばガラスエ
ポキシ樹脂やポリイミド樹脂等などからなる。そして、
基板２に設けられている電極（図示略）と、半導体素子
３の上面に形成されている電極（図示略）とが金線等の
ワイヤー８によりワイヤ−ボンディングされている。

【００１８】封止部４は、半導体素子３の上面の周縁部
および側面を覆い、かつ半導体素子３の上面の周縁部よ
り内側（中心側）を外部に露出させるよう開口した状態
で基板２の上面に形成されている。よって、この封止部
４は、上面４ａと側面４ｂと上記開口した部分（以下、
開口部９と記す）側の端面４ｃとを有したものとなって
いる。また封止部４は、封止部４の側面４ａおよび端面
４ｃを形成する揺変性のある液状の封止用樹脂で形成さ
れた樹脂枠５と、樹脂枠５内に充填された揺変性のない
液状の封止用樹脂からなる充填部６とから構成されてい
る。

【００１９】揺変性のある液状の封止用樹脂とは、前述
したように流動性が低く形状保持性のある、いわゆる高
チクソ性の樹脂である。このような樹脂は、例えば、熱
硬化性を有した樹脂、例えばシリコーン樹脂、エポキシ
樹脂、アクリル樹脂などにチクソトロピー性を付与する
フィラーと硬化剤などが添加されたものからなってい
る。また揺変性のない液状の封止用樹脂とは、上記と反
対に、流動性が高く形状保持性のないものであり、例え
ば、熱硬化性を有する樹脂、例えばシリコーン樹脂、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂などに硬化剤などが添加され
た高流動性のものからなる。

【００２０】形状保持用板７は、封止部４を所定の形状
に保持するもの、すなわち半導体装置１の外形の安定化
を図るためのものである。この実施形態では、形状保持
用板７は平板状をなし、封止部４の上面を覆う上面被覆
板７ａからなっている。この形状保持用板７は、基板２
の熱膨張係数に略等しいかまたはその付近の熱膨張係数
を有した板材で形成されていることが望ましい。また封
止部４の形成のための熱処理温度よりも耐熱性を有し、
かつ半導体装置１の高さ寸法にほとんど影響を及ぼさな
い極薄い板材で形成されていることが好適である。

【００２１】このような形状保持用板７としては、例え
ば４２アロイ等の金属材料が一例として挙げられる。ま
た例えば、基板２の厚みを４ｍｍ〜５ｍｍ程度とした場
合、形状保持用板７の厚みは、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ
程度と極薄いものとされている。

【００２２】次に、上記のように構成された半導体装置
１の製造方法に基づき、本発明に係る半導体装置の製造
方法の一実施形態を説明する。図２（ａ），（ｂ）は、
この実施形態の半導体装置１の製造方法を工程順に示す
要部側断面図である。

【００２３】半導体装置１を製造するにあたっては、予
め、既知の技術により、基板２に半導体素子３を搭載
し、基板２の電極と半導体素子３の電極とをワイヤー８
を用いてワイヤーボンディングしておく。そして図２
（ａ）に示すように、封止部４を形成する領域に封止用
樹脂を供給する。すなわち、基板２の素子を搭載する面
（以下、素子搭載面と記す）２ａおよび半導体素子３上
面において、封止部４の形成領域の周縁位置にそれぞ
れ、その周縁に沿って樹脂枠形成用樹脂（封止用樹脂）
５ａを供給する。この樹脂５ａの供給は、ディスペンス
装置（滴下装置）５０を用いて、良好な揺変性のある液
状の封止用樹脂を用いて行う。続いて樹脂枠５内に、デ
ィスペンス装置５０を用いて揺変性のない液状の封止樹
脂からなる充填部形成用樹脂（封止用樹脂）６ａを滴下
して充填する。

【００２４】次に図２（ｂ）に示すように、樹脂枠５内
にて半導体素子３の上面および側面を覆う状態で素子搭
載面２ａに供給した樹脂枠形成用樹脂５ａおよび充填部
形成用樹脂６ａの表面に、形状保持用板７を配置する。
ここでは形状保持用板７として、平板状をなし、基板２
の熱膨張係数に略等しいかまたはその付近の熱膨張係数
を有し、さらに封止部４の形成のための熱処理温度より
も耐熱性を有する薄い上面被覆板７ａを用いる。

【００２５】その後、樹脂枠形成用樹脂５ａおよび充填
部形成用樹脂６ａを熱硬化させて、樹脂枠５と充填部６
とからなる封止部４を得るとともに、封止部４の上面に
形状保持用板７（７ａ）を接着する。以上の工程によっ
て、半導体装置１が製造される。

【００２６】このような半導体装置１の製造方法では、
樹脂枠形成用樹脂５ａおよび充填部形成用樹脂６ａを熱
硬化する前に、それらの表面に形状保持用板７を配置す
るので、たとえ基板２と半導体素子３との間に大きな熱
膨張係数の差があっても、その後の熱硬化時における温
度変化により半導体装置１が反るのを形状保持用板７に
よって抑えることができる。

【００２７】また形状保持用板７を配置することにより
形状保持用板７の裏面と樹脂枠形成用樹脂５ａおよび充
填部形成用樹脂６ａとを接触した状態にできるので、た
とえその後の熱硬化時に樹脂枠形成用樹脂５ａや充填部
形成用樹脂６ａに収縮が起きても、これらの樹脂５ａ，
６ａと形状保持用板７との接触部分での収縮を抑制でき
る。よって、ヒケの発生が抑えられて常に所定の形状の
封止部４を形成でき、これにより外形を所定の形状に正
確に形成できることとなるので、厚みが一定の半導体装
置１を安定して製造できる。

【００２８】また、素子搭載面２ａに供給された充填部
形成用樹脂６ａの表面が平坦に形成されずうねっていて
も、その表面に平板状の形状保持用板７を配置すること
により、常に半導体装置１の上面（封止部４の上面）の
平面度の高い半導体装置１を安定して製造できる。ま
た、形状保持用板７によって外力に対し構造的な強度が
向上した封止部４を形成できるとともに、形状保持用板
７が基板２の熱膨張係数と略等しいかまたはその付近の
熱膨張係数を有し、かつ樹脂枠形成用樹脂５ａや充填部
形成用樹脂６ａを硬化させる熱処理温度よりも高い耐熱
性を有した板材で形成されていた場合には、高温に対す
る強度も向上した封止部４を形成できる。

【００２９】さらに、樹脂枠形成用樹脂５ａおよび充填
部形成用樹脂６ａを硬化させる際に、封止部４の表面へ
の形状保持用板７の接着も同時に行うので、形状保持用
板７を接着するための工程を新たに追加する必要がない
という利点もある。

【００３０】また上記のようにして製造された半導体装
置１では、たとえ封止部４の表面にヒケが発生していて
も、封止部４の表面に設けられた形状保持用板７によ
り、外形が常に一定なものとなっているうえ、封止部４
の外力に対する強度を高めることができるため、外形形
状が安定化したものとなる。しかも、平板状の形状保持
用板７が封止部４の上面を覆うように設けられているこ
とから、常に平面度の高い面となっており、よって、常
に所定の外形に安定して保持され、これにより厚みが一
定で上面の平面度の高く、しかも上面の強度の高い半導
体装置１を実現できる。したがって、自動実装装置を用
いた実装基板への実装も常に容易に行うことができるも
のとなる。

【００３１】なお、第１実施形態の半導体装置１および
半導体装置１の製造方法では、本発明おける形状保持用
板が上面被覆板７ａのみで構成されている例を述べた
が、この例に限定されないのはもちろんである。例え
ば、図３，図４，図５に示すような形状保持用板を用い
ることも可能である。ここで図３〜図５において、第１
実施形態と同一の形成要素には同一の符号を付してあ
る。

【００３２】すなわち図３に示す第２実施形態の半導体
装置１０では、形状保持用板１１が、封止部４の上面を
覆う上面被覆板１１ａと、上面被覆板１１の外周縁から
封止部４の側面４ｂに沿う状態で折り曲げられてこの側
面４ｂを覆う側面被覆板１１ｂとから構成されている。
この形状保持用板１１は、例えば絞り曲げ加工法を用い
て形成されており、したがって継ぎ目のない状態に形成
されているとともに外力に対して構造的な強度が向上し
たものとなっている。そして上記の形状保持用板１１を
備えた半導体装置１０は、形状用保持板７に替えて形状
保持用板１１を用いる以外は、第１実施形態の半導体装
置１と同様の手順にて形成できるものとなっている。

【００３３】よって、第２実施形態の半導体装置１０に
よれば、形状用保持板１１が薄いものであっても、第１
実施形態の半導体装置１に比較して、外形形状の一層の
安定化を図ることができ、厚みが一定として上面の平面
度をより高いものとすることができ、さらに構造的な強
度をより向上させることができる。また、第１実施形態
の半導体装置１と同じ程度の構造的な強度でよければ、
より薄い形状保持用板１０を用いることも可能になる。

【００３４】また図４に示す第３実施形態の半導体装置
２０では、形状保持用板２１が、第２実施形態の形状保
持用板１１と同様に、封止部４の上面を覆う上面被覆板
２１ａと、上面被覆板２１の外周縁から封止部４の側面
４ｂに沿う状態で折り曲げられてこの側面４ｂを覆う側
面被覆板２１ｂとから構成されている一方、上面被覆板
２１が、オフセット曲げ加工やエンボス加工等の強度向
上を図れる加工が施されて小さい段部や細かな凹凸部を
有したものとなっている。なお、これらの加工は、半導
体装置１の上面の平面度を低下させないように施されて
いる。

【００３５】このような形状保持用板２１を備えた半導
体装置２０は、第２実施形態の半導体装置１１よりも、
さらに外形形状が安定化したものとなるので、厚みが一
定で上面の平面度がより高く、構造的な強度がより高い
ものとなる。

【００３６】さらに図５に示す第４実施形態の半導体装
置３０では、形状保持用板３１が、封止部４の上面を覆
う上面被覆板３１ａと、上面被覆板３１ａの外周縁から
封止部４の側面４ｂに沿う状態で折り曲げられてこの側
面４ｂを覆う側面被覆板３１ｂと、上面被覆板３１ａの
内周縁から封止部４の端面４ｃに沿う状態で折り曲げら
れて端面４ｃを覆う端面被覆板３１ｃとから構成されて
いる。

【００３７】上記の形状保持用板３１を備えた半導体装
置３０では、封止部４の表面全体が形状保持用板３１で
覆われているため、封止部４との一体性が高く外形形状
が一層安定化し、外力に対して構造的な強度がより向上
したものとなるとともに、耐湿性も向上させることがで
きる。

【００３８】なお、図示していないが第４実施形態の上
面被覆板３１ａを、第３実施形態のように、オフセット
曲げ加工やエンボス加工等の強度向上を図れる加工が施
されて小さい段部や細かな凹凸部を有したものとしても
よい。

【００３９】また第１〜第４実施形態では、基板の素子
搭載面側に形状保持用板を設けた例を述べたが、基板の
素子搭載面と反対の側に形状保持用板を設けることも可
能である。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置によれば、封止部の表面に封止部を所定の形状に保
持する形状保持用板が設けて、たとえ封止部の表面にヒ
ケが発生していても、その影響を受けることなく半導体
装置の外形を常に一定なものにできるようにし、封止部
の外力に対する構造的な強度を向上させるようにしたの
で、外形形状を安定化させることができる。また形状保
持用板が平板状のものからなり、これが封止部の上面を
覆うように設けられていれば、半導体装置の上面を常に
平面度の高い面として保持できるので、実装基板への実
装を常に容易に行えるものとなる。

【００４１】また本発明に係る半導体装置の製造方法に
よれば、封止用樹脂の硬化に先立ち、封止用樹脂の表面
に形状保持用板を配置して、基板と半導体素子との間に
大きな熱膨張係数の差があっても、その後に行う封止用
樹脂の硬化時に半導体装置が反るのを抑制できるように
し、また封止用樹脂の形状保持用板と封止用樹脂との接
触部分での収縮を抑制するようにしたので、所定の外形
形状の半導体装置を製造できる。また素子搭載面に供給
された液状の封止用樹脂の表面が、平坦に形成されずう
ねっていても、封止用樹脂の表面に例えば平板状の形状
保持用板を配置することにより、常に平面度の高い半導
体装置が安定して製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の第１実施形態を示す
要部側断面図である。

【図２】（ａ），（ｂ）は、本発明に係る半導体装置の
製造方法の一実施形態を工程順に示す要部側断面図であ
る。

【図３】本発明に係る半導体装置の第２実施形態を示す
要部側断面図である。

【図４】本発明に係る半導体装置の第３実施形態を示す
要部側断面図である。

【図５】本発明に係る半導体装置の第４実施形態を示す
要部側断面図である。

【図６】従来の半導体装置の一例を示す要部側断面図で
ある。

【符号の説明】

１，１０，２０，３０…半導体装置、２…基板、２ａ…
素子搭載面、３…半導体素子、４…封止部、４ａ…上
面、４ｂ…側面、４ｃ…端面、５…樹脂枠、５ａ…樹脂
枠形成用樹脂、６…充填部、６ａ…充填部形成用樹脂、
７，１１，２１，３１…形状保持用板、７ａ，１１ａ，
２１ａ，３１ａ…上面被覆板、９…開口部、１１ｂ，２
１ｂ，３１ｂ…側面被覆板、３１ｃ…端面被覆板

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、その基板に搭載された半導体素
   子と、前記基板と前記半導体素子とを封止用樹脂により
   一体に封止した封止部とを備えた半導体装置において、 前記封止部の表面には、該封止部を所定の形状に保持す
   る形状保持用板が設けられていることを特徴とする半導
   体装置。
2. 【請求項２】 前記形状保持用板は、前記基板の熱膨張
   係数に略等しいかまたはその付近の熱膨張係数を有した
   材料で形成されていることを特徴とする請求項１記載の
   半導体装置。
3. 【請求項３】 前記封止部は、前記半導体素子の上面の
   周縁部と側面とを覆いかつ半導体素子の上面の周縁部よ
   り内側を外部に露出させるよう開口した状態で前記基板
   の上面に形成されて上面と側面と前記開口した部分の端
   面とを有したものからなり、 前記形状保持用板は、封止部の上面を覆う平板状の上面
   被覆板からなることを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置。
4. 【請求項４】 前記形状保持用板は、前記上面被覆板
   と、該上面被覆板の外周縁から前記封止部の側面に沿う
   状態で折り曲げられて該側面を覆う側面被覆板と、から
   なることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記形状保持用板は、絞り曲げ加工法を
   用いて形成されたものからなることを特徴とする請求項
   ４記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記上面被覆板は、オフセット曲げ加工
   が施されたものからなることを特徴とする請求項３記載
   の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記形状保持用板は、前記上面被覆板
   と、前記側面被覆板と、前記上面被覆板の内周縁から前
   記封止部の端面に沿う状態で折り曲げられて該端面を覆
   う端面被覆板と、からなることを特徴とする請求項４記
   載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記形状保持用板は、絞り曲げ加工法を
   用いて形成されたものからなることを特徴とする請求項
   ７記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 半導体素子が搭載された基板のその素子
   搭載面に半導体素子の所定部分を覆う状態で液状の封止
   用樹脂を供給し、該封止用樹脂を硬化させて前記基板と
   前記半導体素子とを一体に封止する封止部を形成する半
   導体装置の製造方法において、 前記封止用樹脂の硬化に先立ち、前記素子搭載面に供給
   した封止用樹脂の表面に、前記封止部を所定の形状に保
   持するための形状保持用板を配置し、 次いで、前記封止用樹脂を硬化させることにより前記封
   止部を形成するとともに該封止部の表面に前記形状保持
   用板を接着することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記形状保持用板には、少なくとも平
    板状部分を有した板材を用いることを特徴とする請求項
    ９記載の半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記形状保持用板には、前記基板の熱
    膨張係数に略等しいかまたはその付近の熱膨張係数を有
    した材料を用いることを特徴とする請求項９記載の半導
    体装置の製造方法。