JP2000124109A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JP2000124109A JP2000124109A JP10303194A JP30319498A JP2000124109A JP 2000124109 A JP2000124109 A JP 2000124109A JP 10303194 A JP10303194 A JP 10303194A JP 30319498 A JP30319498 A JP 30319498A JP 2000124109 A JP2000124109 A JP 2000124109A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- concentration
- inert gas
- optical system
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 紫外光で露光する投影露光装置において、光
学部品の劣化を防ぐとともに不活性ガスの供給量を適正
化する。 【解決手段】 原版に描かれたパターンを投影露光する
ための照明光源１と、その照明光源からの光を投影レン
ズ１３まで導入するための照明光学系１０２と、該照明
光学系の空間の少なくとも一部を不活性ガスでパージす
るための容器７と、この容器に不活性ガスを供給する手
段１０３と、前記不活性ガスパージ用の容器内の任意の
場所に設けられた１つまたは複数のＯ2 濃度検出手段５
Ａ，…５Ｄと、この検出手段によって検出されたＯ2 濃
度をもとに露光の制御および不活性ガスの供給量制御を
行なう制御手段とを備える。
学部品の劣化を防ぐとともに不活性ガスの供給量を適正
化する。 【解決手段】 原版に描かれたパターンを投影露光する
ための照明光源１と、その照明光源からの光を投影レン
ズ１３まで導入するための照明光学系１０２と、該照明
光学系の空間の少なくとも一部を不活性ガスでパージす
るための容器７と、この容器に不活性ガスを供給する手
段１０３と、前記不活性ガスパージ用の容器内の任意の
場所に設けられた１つまたは複数のＯ2 濃度検出手段５
Ａ，…５Ｄと、この検出手段によって検出されたＯ2 濃
度をもとに露光の制御および不活性ガスの供給量制御を
行なう制御手段とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップや液
晶素子等の微小デバイスを製造するための投影露光装置
に関し、特に、エキシマレーザ光のような紫外線を露光
用の照明光として用いる投影露光装置に関するものであ
る。
晶素子等の微小デバイスを製造するための投影露光装置
に関し、特に、エキシマレーザ光のような紫外線を露光
用の照明光として用いる投影露光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】エキシマレーザ光のような紫外光を露光
用の照明光として用いる場合、紫外光はオゾンにより吸
収されるとともに、フォトレジストの特性も考慮して、
投影露光装置内部に窒素（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスを
循環させる必要があった。一般にＯ2 濃度が高い状態で
エキシマレーザを照射すると光学部品上にデポが付着し
たり、コーティング膜の破壊が起こることが知られてお
り、このような不活性ガスを循環させることによって、
光学部品を保護している。
用の照明光として用いる場合、紫外光はオゾンにより吸
収されるとともに、フォトレジストの特性も考慮して、
投影露光装置内部に窒素（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスを
循環させる必要があった。一般にＯ2 濃度が高い状態で
エキシマレーザを照射すると光学部品上にデポが付着し
たり、コーティング膜の破壊が起こることが知られてお
り、このような不活性ガスを循環させることによって、
光学部品を保護している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、窒素
（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスを、光学部品が複雑に配置
されている照明系の中を均一かつ高濃度で循環させるた
めには、大量に窒素（Ｎ2）ガス等を流す必要がある。
特に屈曲部や管径が変化している部分は、Ｏ2 ガス等の
不純ガスがたまりやすく、窒素ガス等の不活性ガスが露
光に影響のないレベルまでパージされたかの判断は難し
いものがあった。また必要とされるＯ2 濃度が、センサ
自体の検出感度限界以上になる場合も考えられる。
（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスを、光学部品が複雑に配置
されている照明系の中を均一かつ高濃度で循環させるた
めには、大量に窒素（Ｎ2）ガス等を流す必要がある。
特に屈曲部や管径が変化している部分は、Ｏ2 ガス等の
不純ガスがたまりやすく、窒素ガス等の不活性ガスが露
光に影響のないレベルまでパージされたかの判断は難し
いものがあった。また必要とされるＯ2 濃度が、センサ
自体の検出感度限界以上になる場合も考えられる。
【０００４】本発明は、以上のことを鑑みてなされたも
ので、光学部品の劣化を防ぐとともに不活性ガスの供給
量を適正化することを目的とする。
ので、光学部品の劣化を防ぐとともに不活性ガスの供給
量を適正化することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】上記の目的を
達成するため本発明では、原版（マスクまたはレチク
ル）に描かれたパターンを投影露光するためのエキシマ
レーザ等の照明光源と、その照明光源からの光を投影レ
ンズまで導入するための照明光学系（例えば引き回し光
学部、ビーム整形部、ユニフォーマ部）と、ウエハ等の
被露光基板上に前記原版のパターンを投影するための投
影光学系と、該照明光学系および投影光学系の空間の少
なくとも一部を窒素（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスでパー
ジするための容器と、この容器に不活性ガスを供給する
手段と、不活性ガスの供給量を制御する制御手段とを備
えた投影露光装置において、前記不活性ガスパージ用の
容器内の任意の場所に１つまたは複数のＯ2 濃度の検出
手段を設け、前記制御手段は、該検出手段によって検出
されたＯ2 濃度をもとに露光を制御し、また不活性ガス
の供給量を制御することを特徴とする。
達成するため本発明では、原版（マスクまたはレチク
ル）に描かれたパターンを投影露光するためのエキシマ
レーザ等の照明光源と、その照明光源からの光を投影レ
ンズまで導入するための照明光学系（例えば引き回し光
学部、ビーム整形部、ユニフォーマ部）と、ウエハ等の
被露光基板上に前記原版のパターンを投影するための投
影光学系と、該照明光学系および投影光学系の空間の少
なくとも一部を窒素（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスでパー
ジするための容器と、この容器に不活性ガスを供給する
手段と、不活性ガスの供給量を制御する制御手段とを備
えた投影露光装置において、前記不活性ガスパージ用の
容器内の任意の場所に１つまたは複数のＯ2 濃度の検出
手段を設け、前記制御手段は、該検出手段によって検出
されたＯ2 濃度をもとに露光を制御し、また不活性ガス
の供給量を制御することを特徴とする。
【０００６】本発明の好ましい第１の実施の形態におい
て、前記制御手段は、前記１つまたは複数のＯ2 濃度の
検出手段の検出値が、ある一定値以下にならなければ露
光を行なわないように制御する。
て、前記制御手段は、前記１つまたは複数のＯ2 濃度の
検出手段の検出値が、ある一定値以下にならなければ露
光を行なわないように制御する。
【０００７】本発明の好ましい第２の実施の形態におい
て、前記制御手段は、前記１つまたは複数のＯ2 濃度の
検出手段で検出されたＯ2 濃度の時間的な変化量を記憶
する手段と、その記憶内容から将来のＯ2 濃度を予測す
る手段とを有し、該予測結果をもとに露光を制御する。
て、前記制御手段は、前記１つまたは複数のＯ2 濃度の
検出手段で検出されたＯ2 濃度の時間的な変化量を記憶
する手段と、その記憶内容から将来のＯ2 濃度を予測す
る手段とを有し、該予測結果をもとに露光を制御する。
【０００８】
【作用】本発明によれば、レンズ等の光学部品に影響を
与えるＯ2 濃度を検出する手段を照明手段のガスパージ
容器内の任意の場所に１つまたは複数個配置し、その検
出結果から露光を制御することにより、光学部品の劣化
を防ぐとともに不活性ガスの供給量を適正化することが
できる。
与えるＯ2 濃度を検出する手段を照明手段のガスパージ
容器内の任意の場所に１つまたは複数個配置し、その検
出結果から露光を制御することにより、光学部品の劣化
を防ぐとともに不活性ガスの供給量を適正化することが
できる。
【０００９】本発明の第１の実施の形態によれば、１つ
または複数のＯ2 濃度の検出手段の検出値がすべてある
一定値以下にならなければ露光を行なわないように制御
することにより光学部品の劣化を防ぐとともに不活性ガ
スの供給量を適正化することができる。
または複数のＯ2 濃度の検出手段の検出値がすべてある
一定値以下にならなければ露光を行なわないように制御
することにより光学部品の劣化を防ぐとともに不活性ガ
スの供給量を適正化することができる。
【００１０】本発明の第２の実施の形態によれば、１つ
または複数のＯ2 濃度の検出手段においてＯ2 濃度の時
間的な変化量を記録し、その記録から将来のＯ2 濃度を
予測する手段を設け、該予測結果をもとに露光を制御す
ることにより、光学部品の劣化を防ぐとともに、不活性
ガスの供給量を適正化することができる。
または複数のＯ2 濃度の検出手段においてＯ2 濃度の時
間的な変化量を記録し、その記録から将来のＯ2 濃度を
予測する手段を設け、該予測結果をもとに露光を制御す
ることにより、光学部品の劣化を防ぐとともに、不活性
ガスの供給量を適正化することができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。 （第１の実施例）図１は、本発明の一実施例に係る投影
露光装置の概略構成を示す。図中、１はレーザ光源で、
例えば２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシ
マレーザである。
る。 （第１の実施例）図１は、本発明の一実施例に係る投影
露光装置の概略構成を示す。図中、１はレーザ光源で、
例えば２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシ
マレーザである。
【００１２】レーザ光源から射出されたレーザビームは
引き回し部２を通って、装置本体１０１内の照明光学系
１０２に導かれる。照明光学系１０２において、入射ビ
ームは露光光束を所望の状態にするためのビーム整形部
３に導かれる。ここから射出された光束は、ユニフォー
マ部４を通って、不図示のステージ上に載置されたマス
ク１９のパターン面を均一に照明する。マスク１９のパ
ターンは投影光学系１３によりウエハ１４に縮小投影さ
れる。なお、ウエハ１４はウエハステージ１６に載置し
たウエハチャック１５に保持される。
引き回し部２を通って、装置本体１０１内の照明光学系
１０２に導かれる。照明光学系１０２において、入射ビ
ームは露光光束を所望の状態にするためのビーム整形部
３に導かれる。ここから射出された光束は、ユニフォー
マ部４を通って、不図示のステージ上に載置されたマス
ク１９のパターン面を均一に照明する。マスク１９のパ
ターンは投影光学系１３によりウエハ１４に縮小投影さ
れる。なお、ウエハ１４はウエハステージ１６に載置し
たウエハチャック１５に保持される。
【００１３】１０３は、照明光学系１０２内および投影
光学系１３内をパージするためのパージガス供給系で、
入口１７より供給し、ガスパージ容器７および投影光学
系１３の鏡筒にパージされる。なおパージガスには、窒
素を用いる。パージされたガスは出口１８より排出し、
さらには排気系１０４に導かれる。また５Ａ，５Ｂ，５
Ｃ，５Ｄは、それぞれ引き回し部２、ビーム整形部３、
ユニフォーマ部４および投影光学系１３に配置したＯ2
濃度センサで、それぞれの部分の酸素濃度を検出するこ
とができる。ここで検出された酸素濃度データは、制御
部６（図２参照）へ送られる。
光学系１３内をパージするためのパージガス供給系で、
入口１７より供給し、ガスパージ容器７および投影光学
系１３の鏡筒にパージされる。なおパージガスには、窒
素を用いる。パージされたガスは出口１８より排出し、
さらには排気系１０４に導かれる。また５Ａ，５Ｂ，５
Ｃ，５Ｄは、それぞれ引き回し部２、ビーム整形部３、
ユニフォーマ部４および投影光学系１３に配置したＯ2
濃度センサで、それぞれの部分の酸素濃度を検出するこ
とができる。ここで検出された酸素濃度データは、制御
部６（図２参照）へ送られる。
【００１４】図２は、図１の装置の構成を模式的に示し
た図である。また、図３は、制御部６による制御のフロ
ーの基本を示した図である。この図２、３を用いて図１
の装置の動作の説明をする。装置電源を投入する等でＮ
2 パージをスタートさせるとパージガス供給系１０３よ
りパージガスが供給口１７を通って照明光学系１０２の
中に充填され始める。同時に排気系１０４も動作を始め
パージガスは、排気口１８から排気される。パージがス
タートすると、Ｏ2 濃度センサ５Ａ〜５Ｄが酸素濃度の
測定を始める。測定のタイミングは、任意である。本実
施例では、３つのセンサ出力を監視し、それぞれの測定
値が、一定値以下になると、制御部６からレーザ光源部
１に露光開始の指令がいく。
た図である。また、図３は、制御部６による制御のフロ
ーの基本を示した図である。この図２、３を用いて図１
の装置の動作の説明をする。装置電源を投入する等でＮ
2 パージをスタートさせるとパージガス供給系１０３よ
りパージガスが供給口１７を通って照明光学系１０２の
中に充填され始める。同時に排気系１０４も動作を始め
パージガスは、排気口１８から排気される。パージがス
タートすると、Ｏ2 濃度センサ５Ａ〜５Ｄが酸素濃度の
測定を始める。測定のタイミングは、任意である。本実
施例では、３つのセンサ出力を監視し、それぞれの測定
値が、一定値以下になると、制御部６からレーザ光源部
１に露光開始の指令がいく。
【００１５】露光可能にするためのＯ2 濃度値は、３つ
のセンサすべて同じ値にしても良いし、それぞれ値を異
ならせても構わない。また、Ｏ2 濃度が一定値以下にな
ってからは、窒素の流量を少なくすることも可能であ
る。また露光を開始しても、Ｏ2 濃度計測は続行してお
り、Ｏ2 濃度が再度一定値を超えたら直ちに露光を中止
するよう制御する。この場合、オペレータに対してエラ
ー表示を行なうことが好ましい。
のセンサすべて同じ値にしても良いし、それぞれ値を異
ならせても構わない。また、Ｏ2 濃度が一定値以下にな
ってからは、窒素の流量を少なくすることも可能であ
る。また露光を開始しても、Ｏ2 濃度計測は続行してお
り、Ｏ2 濃度が再度一定値を超えたら直ちに露光を中止
するよう制御する。この場合、オペレータに対してエラ
ー表示を行なうことが好ましい。
【００１６】（第２の実施例）図４は本発明の第２の実
施例を説明するためのグラフである。図４を用いて制御
部６の他の動作例を説明する。Ｎ2 パージスタート後、
Ｏ2 濃度センサ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄはそれぞれ測定
を開始し、測定値を記憶していく。測定値データ（Ｘ
１，Ｘ２・・・）が複数になった時点でＯ2 濃度が、露
光を行なっても良い値に迄下がる時間を予測する。図４
においては予測線２００とＯ2 濃度の規格値の交点２０
２の時間Ａが、露光を開始しても良い時間である。
施例を説明するためのグラフである。図４を用いて制御
部６の他の動作例を説明する。Ｎ2 パージスタート後、
Ｏ2 濃度センサ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄはそれぞれ測定
を開始し、測定値を記憶していく。測定値データ（Ｘ
１，Ｘ２・・・）が複数になった時点でＯ2 濃度が、露
光を行なっても良い値に迄下がる時間を予測する。図４
においては予測線２００とＯ2 濃度の規格値の交点２０
２の時間Ａが、露光を開始しても良い時間である。
【００１７】現在Ｎ2 パージの効果が十分期待できるの
は、Ｏ2 濃度で０．１％以下であるが、例えば、Ｏ2 濃
度センサの検出限界が０．１％あたりにあるセンサを使
う場合、測定データに対して、露光可能なＯ2 濃度に達
しているかの判定は、不安定となる。このため、予測線
を利用する方がより正確に判定が可能となる。本実施例
では、予測は直線で近似しているが、予測線が曲線であ
っても構わない。また予測のもとになるデータは、測定
したどのデータであっても構わない。また、データを取
るごとに予測線を修正していっても、固定した点のデー
タのみで予測線を作っても、本発明の範囲に対してなん
らの影響も与えない。
は、Ｏ2 濃度で０．１％以下であるが、例えば、Ｏ2 濃
度センサの検出限界が０．１％あたりにあるセンサを使
う場合、測定データに対して、露光可能なＯ2 濃度に達
しているかの判定は、不安定となる。このため、予測線
を利用する方がより正確に判定が可能となる。本実施例
では、予測は直線で近似しているが、予測線が曲線であ
っても構わない。また予測のもとになるデータは、測定
したどのデータであっても構わない。また、データを取
るごとに予測線を修正していっても、固定した点のデー
タのみで予測線を作っても、本発明の範囲に対してなん
らの影響も与えない。
【００１８】Ｏ2 濃度が露光可能域に達した後も測定を
続け、あるトレランスから外れた時点で、再度、露光禁
止にする制御も可能である。この場合、オペレータに対
してエラー表示を行なうことが好ましい。
続け、あるトレランスから外れた時点で、再度、露光禁
止にする制御も可能である。この場合、オペレータに対
してエラー表示を行なうことが好ましい。
【００１９】また、第１の実施例と同様に、露光可能に
するための酸素濃度値は、３つのセンサすべて同じ値に
しても良いし、それぞれ値を変更しても構わない。ま
た、酸素濃度が一定値以下になってからは、窒素の流量
を少なくすることも可能である。露光を開始しても、酸
素濃度が再び一定値を超えたら直ちに露光を中止するこ
とができる。複数個あるセンサの基準値は、すべて同じ
であってもセンサごとに変更しても構わない。
するための酸素濃度値は、３つのセンサすべて同じ値に
しても良いし、それぞれ値を変更しても構わない。ま
た、酸素濃度が一定値以下になってからは、窒素の流量
を少なくすることも可能である。露光を開始しても、酸
素濃度が再び一定値を超えたら直ちに露光を中止するこ
とができる。複数個あるセンサの基準値は、すべて同じ
であってもセンサごとに変更しても構わない。
【００２０】また、予測線をあらかじめ別の方法で作成
しておき、パージ開始のＯ2 濃度のみ測定し露光可能時
間を求める方法も可能である。
しておき、パージ開始のＯ2 濃度のみ測定し露光可能時
間を求める方法も可能である。
【００２１】（デバイス生産方法の実施例）次に上記説
明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生
産方法の実施例を説明する。図５は微小デバイス（ＩＣ
やＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜
磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設
計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、
リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成
する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チ
ップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生
産方法の実施例を説明する。図５は微小デバイス（ＩＣ
やＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜
磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設
計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、
リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成
する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チ
ップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２２】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光およびガスパー
ジ制御を行なう投影露光装置によってマスクの回路パタ
ーンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）で
は露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ス
テップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰
り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従
来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに
製造することができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光およびガスパー
ジ制御を行なう投影露光装置によってマスクの回路パタ
ーンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）で
は露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ス
テップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰
り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従
来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに
製造することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レンズ等の光学部品に影響を与えるＯ2 濃度を検出する
センサを照明手段の任意の場所に１つまたは複数個配置
し、露光を制御することで、光学部品の劣化を防ぐとと
もに不活性ガスの供給量を適正化することができる。
レンズ等の光学部品に影響を与えるＯ2 濃度を検出する
センサを照明手段の任意の場所に１つまたは複数個配置
し、露光を制御することで、光学部品の劣化を防ぐとと
もに不活性ガスの供給量を適正化することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略
構造の断面図である。
構造の断面図である。
【図２】 図１の装置の構成を模式的に示した図であ
る。
る。
【図３】 図１の装置の動作を示すフローチャートであ
る。
る。
【図４】 本発明の第２の実施例に係るＯ2 濃度と時間
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図５】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図６】 図５におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：レーザ光源、２：引き回し部、３：ビーム整形部、
４：ユニフォーマ、５：酸素濃度センサ、５Ａ：酸素濃
度センサ検出部Ａ、５Ｂ：酸素濃度センサ検出部Ｂ、５
Ｃ：酸素濃度センサ検出部Ｃ、５Ｄ：酸素濃度センサ検
出部Ｄ、６：制御部、７：ガスパージ容器、１３：投影
レンズ、１４：ウエハ、１５：ウエハチャック、１６：
ウエハステージ、１７：ガス入口、１０１：装置本体、
１０２：照明光学系、１０３：パージガス供給系、１０
４：パージガス回収系、２００：近似曲線、２０１：酸
素濃度規格線、２０２：酸素濃度規格到達時間。
４：ユニフォーマ、５：酸素濃度センサ、５Ａ：酸素濃
度センサ検出部Ａ、５Ｂ：酸素濃度センサ検出部Ｂ、５
Ｃ：酸素濃度センサ検出部Ｃ、５Ｄ：酸素濃度センサ検
出部Ｄ、６：制御部、７：ガスパージ容器、１３：投影
レンズ、１４：ウエハ、１５：ウエハチャック、１６：
ウエハステージ、１７：ガス入口、１０１：装置本体、
１０２：照明光学系、１０３：パージガス供給系、１０
４：パージガス回収系、２００：近似曲線、２０１：酸
素濃度規格線、２０２：酸素濃度規格到達時間。
Claims (4)
- 【請求項１】 原版に描かれたパターンを投影露光する
ための照明光源と、該照明光源からの光を投影レンズま
で導入するための照明光学系と、被露光基板上に前記原
版のパターンを投影するための投影光学系と、該照明光
学系および投影光学系の空間の少なくとも一部を不活性
ガスでパージするための容器と、該容器に不活性ガスを
供給する手段と、前記不活性ガスパージ用の容器内の任
意の場所に設けられた１つまたは複数のＯ2 濃度検出手
段と、該検出手段によって検出されたＯ2 濃度をもとに
露光の制御および不活性ガスの供給量制御を行なう制御
手段とを備えることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記検出手段の検出値
が、ある一定値以下にならなければ露光を行なわないよ
うに制御することを特徴とする請求項１記載の投影露光
装置。 - 【請求項３】 前記検出手段により検出されたＯ2 濃度
の時間的な変化量を記憶する手段と、その記憶内容から
将来のＯ2 濃度を予測する手段とをさらに有し、前記制
御手段は該予測結果をもとに露光を制御することを特徴
とする請求項１記載の投影露光装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の投影露
光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデ
バイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303194A JP2000124109A (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303194A JP2000124109A (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124109A true JP2000124109A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17918020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10303194A Pending JP2000124109A (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124109A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005021372A1 (de) * | 2005-05-04 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit gasgespülter Kammer, Verfahren zur Bestimmung des Kontaminationszustands eines optischen Elements sowie Verfahren zur Bestimmung eines Konzentrationsgradienten eines Gasbestandteils in der Kammer |
-
1998
- 1998-10-12 JP JP10303194A patent/JP2000124109A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005021372A1 (de) * | 2005-05-04 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit gasgespülter Kammer, Verfahren zur Bestimmung des Kontaminationszustands eines optischen Elements sowie Verfahren zur Bestimmung eines Konzentrationsgradienten eines Gasbestandteils in der Kammer |
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