JP2000119520A - Production of positive type photosensitive resin composition - Google Patents

Production of positive type photosensitive resin composition

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JP2000119520A
JP2000119520A JP29048198A JP29048198A JP2000119520A JP 2000119520 A JP2000119520 A JP 2000119520A JP 29048198 A JP29048198 A JP 29048198A JP 29048198 A JP29048198 A JP 29048198A JP 2000119520 A JP2000119520 A JP 2000119520A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a positive type photosensitive resin composition having high sensitivity, a short development time and high resistance o formed pattern by treating a specific alkali-soluble polymer with an acetal or ketal compound and adding an ortho-quinone diazide compound to the treated polymer. SOLUTION: An alkali-soluble polymer of formula I (R1 is a >=2C trifunctional or tetrafunctional organic group; R2 is >=2C bifunctional organic group; R3 is H or a >=1C monofunctional organic group; (m) is 1 or 2; (n) is an integer of 3-1,000) is treated with at least one kind of a compound of formula II (R4 is H or a >=1C monofunctional organic group; R5 is H, a >=1C monofunctional organic group, nitrogen-containing organic group or oxygen-containing organic group; R6 is a >=1C monofunctional organic group) or formula III (R7 is a >=1C bifunctional organic group, nitrogen-containing organic group or oxygen- containing organic group; R8 is a >=1C monofunctional organic group). Then an ortho-quinone diazide compound being a photosensitizer is added to the polymer to give the objective positive type photosensitive resin composition.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ポジ型感光性樹脂
組成物の製造方法に関し、詳しくは、アルカリ現像液で
現像可能であり、さらに熱処理によって半導体素子等の
電子部品の表面保護膜、層間絶縁膜として適用可能なポ
リイミド系耐熱樹脂となる感光性樹脂組成物およびその
製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a positive photosensitive resin composition, and more particularly, to a method for developing a positive photosensitive resin composition, which can be developed with an alkali developing solution, and which is further subjected to a heat treatment. The present invention relates to a photosensitive resin composition to be a polyimide heat-resistant resin applicable as an insulating film and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリイミドは容易に膜形成が可能であ
り、耐熱性、機械特性に優れていることから、半導体素
子の表面保護膜、層間絶縁膜として広く利用されてい
る。ポリイミドを表面保護膜、層間絶縁膜として使用す
る場合には、スルーホールの形成などの目的でポリイミ
ド膜をパターン加工する必要がある。例えば、ポリイミ
ド前駆体であるポリアミド酸の溶液を基板に塗布し、熱
処理によってポリイミドに変換した後、そのポリイミド
膜上にポジ型のフォトレジストのレリーフパターンを形
成し、ヒドラジン系エッチング剤によってポリイミド膜
を選択的にエッチングする方法によってパターン加工さ
れる。しかし、上記のポリイミドのパターン加工では、
フォトレジストの塗布や剥離などの工程が含まれるため
にプロセスが複雑である。また、フォトレジストを介し
てポリイミド膜にレリーフパターンを転写するために寸
法精度の低下が起こりやすい。これらの理由から、耐熱
性樹脂、または熱処理などによって耐熱樹脂に変換可能
な前駆体であって、さらにそれ自身がパターン加工可能
な感光性樹脂組成物が検討されてきた。
2. Description of the Related Art Polyimide can be easily formed into a film, and has excellent heat resistance and mechanical properties. Therefore, polyimide is widely used as a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor device. When polyimide is used as a surface protective film and an interlayer insulating film, it is necessary to pattern the polyimide film for the purpose of forming through holes. For example, a solution of a polyamic acid, which is a polyimide precursor, is applied to a substrate, converted into polyimide by heat treatment, then a positive photoresist relief pattern is formed on the polyimide film, and the polyimide film is formed with a hydrazine-based etchant. Pattern processing is performed by a selective etching method. However, in the above polyimide pattern processing,
The process is complicated because it involves steps such as application and stripping of a photoresist. In addition, since the relief pattern is transferred to the polyimide film via the photoresist, the dimensional accuracy tends to decrease. For these reasons, a photosensitive resin composition which is a heat-resistant resin or a precursor which can be converted into a heat-resistant resin by heat treatment or the like and which itself can be subjected to pattern processing has been studied.

【0003】感光性ポリイミド組成物に関しては、エス
テル結合によって感光基を導入したポリイミド前駆体組
成物(特公昭52−30307号公報)、ポリアミド酸
に化学線によって二量化または重合可能な炭素−炭素二
重結合を含むアミン化合物を添加したポリイミド前駆体
組成物(特公昭59−52822号公報)が知られてい
る。感光性ポリイミド組成物の使用に際しては、通常、
溶液状態で基板に塗布乾燥し、マスクを介して活性光線
を照射する。上記のポリイミド前駆体組成物は未露光部
が溶解するネガ型であり、現像には有機溶剤が使用され
る。従来のポジ型フォトレジストを使用した非感光性ポ
リイミドのパターン加工プロセスからネガ型感光性ポリ
イミド組成物を使用するプロセスに切り替える場合に
は、露光装置のマスクの変更や現像設備の変更などが必
要となることが問題であった。また、環境汚染防止や作
業環境改善の観点から、有機系現像液に代わり水系現像
液で現像できる感光性材料が望まれていた。これらの理
由からアルカリ現像可能なポジ型感光性ポリイミドが検
討されている。
[0003] As for the photosensitive polyimide composition, a polyimide precursor composition having a photosensitive group introduced by an ester bond (Japanese Patent Publication No. 52-30307), a carbon-carbon diamine which can be dimerized or polymerized with a polyamic acid by actinic radiation. A polyimide precursor composition to which an amine compound containing a heavy bond is added (JP-B-59-52822) is known. When using the photosensitive polyimide composition, usually,
The solution is applied to the substrate in a solution state, dried, and irradiated with actinic rays through a mask. The above polyimide precursor composition is of a negative type in which unexposed portions are dissolved, and an organic solvent is used for development. When switching from a non-photosensitive polyimide patterning process using a conventional positive photoresist to a process using a negative photosensitive polyimide composition, it is necessary to change the mask of the exposure equipment and the development equipment. Was a problem. Further, from the viewpoint of preventing environmental pollution and improving the working environment, a photosensitive material that can be developed with an aqueous developer instead of an organic developer has been desired. For these reasons, alkali-developable positive photosensitive polyimides have been studied.

【0004】o−ニトロベンジル基をエステル結合によ
って導入したポリイミド前駆体(特開昭60−3755
0号公報)、ポリアミド酸エステルにo−キノンジアジ
ド化合物を混合したもの(特開平2−181149号公
報)、フェノール性水酸基を有するポリアミド酸あるい
はポリアミド酸エステルにo−キノンジアジド化合物を
混合したもの(特開平3−115461号公報)、フェ
ノール性水酸基を有するポリイミドにo−キノンジアジ
ド化合物を混合したもの(特開平3−177455号公
報)、ポリヒドロキシアミドにo−キノンジアジド化合
物を混合したもの(特公昭1−46862号公報)が知
られていた。
A polyimide precursor having an o-nitrobenzyl group introduced through an ester bond (JP-A-60-3755)
No. 0), a mixture of a polyamic acid ester and an o-quinonediazide compound (JP-A-2-181149), a mixture of a polyamic acid having a phenolic hydroxyl group or a polyamic acid ester and an o-quinonediazide compound (JP-A-Hei. No. 3-115461), a mixture of a polyimide having a phenolic hydroxyl group and an o-quinonediazide compound (JP-A-3-177455), and a mixture of polyhydroxyamide and an o-quinonediazide compound (Japanese Patent Publication No. 1-46862). Gazette) was known.

【0005】しかし、o−ニトロベンジル基をエステル
結合によって導入したポリイミド前駆体は、感光する波
長が主に300nm以下であるため、感度が低い点に問
題があった。ポリアミド酸エステルにo−キノンジアジ
ド化合物を混合したものは、アルカリ現像液に対する溶
解速度が小さいために現像時間が長い点、感度が低い点
に問題があった。フェノール性水酸基を有するポリアミ
ド酸にo−キノンジアジド化合物を混合したものは、ア
ルカリ現像液に対する溶解性が大きすぎるために、希薄
なアルカリ現像液にしか適用できない点、未露光部が現
像液によって膨潤するために微細なパターン加工が困難
である点に問題があった。フェノール性水酸基を有する
ポリアミド酸エステル、フェノール性水酸基を有するポ
リイミド、あるいはポリヒドロキシアミドにo−キノン
ジアジド化合物を混合したものは、アルカリ現像液に対
する溶解性はある程度改良されたが、溶解性を調節する
ことは容易ではなく、このためにはポリマー組成等の変
更が必要である点に問題があった。
However, a polyimide precursor having an o-nitrobenzyl group introduced by an ester bond has a problem in that the sensitivity is low because the photosensitive wavelength is mainly 300 nm or less. A mixture of a polyamic acid ester and an o-quinonediazide compound has a problem that the developing time is long and the sensitivity is low because the dissolving rate in an alkali developing solution is low. A mixture of a polyamic acid having a phenolic hydroxyl group and an o-quinonediazide compound is too large in solubility in an alkali developing solution, so that it can be applied only to a dilute alkali developing solution, and the unexposed portion swells with the developing solution. Therefore, there is a problem in that fine pattern processing is difficult. Polyamides having phenolic hydroxyl groups, polyimides having phenolic hydroxyl groups, or those obtained by mixing an o-quinonediazide compound with polyhydroxyamide, the solubility in an alkali developing solution is improved to some extent, but the solubility is adjusted. However, there is a problem in that it is necessary to change the polymer composition and the like.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、アル
カリ現像液に対する溶解性を容易に調節することが可能
なポジ型感光性樹脂組成物の製造方法を提供することに
あり、加えて、アルカリ現像液に対する溶解速度が実用
上望ましい速度に調節されたポジ型感光性樹脂組成物を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for producing a positive photosensitive resin composition which can easily adjust the solubility in an alkali developing solution. An object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition in which the dissolution rate in an alkali developer is adjusted to a practically desirable rate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ可溶
性ポリマーとo−キノンジアジド化合物からなるポジ型
感光性樹脂組成物の製造方法において、一般式(1)で
表されるアルカリ可溶性ポリマーを一般式(2)または
一般式(3)のいずれかで表される、少なくとも一種類
以上の化合物で処理することを特徴とするポジ型感光性
樹脂組成物の製造方法である。
According to the present invention, there is provided a method for producing a positive photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble polymer and an o-quinonediazide compound, wherein the alkali-soluble polymer represented by the general formula (1) is represented by the general formula: A method for producing a positive photosensitive resin composition, characterized by treating with at least one compound represented by formula (2) or formula (3).

【0008】[0008]

【化4】 (一般式(1)中、R1は炭素数2以上の3または4価
の有機基を示し、R2は炭素数2以上の2価の有機基を
示し、R3は水素原子または炭素数1以上の1価の有機
基を示す。mは1または2の整数を示し、nは3から1
000の整数を示す。)
Embedded image (In the general formula (1), R1 represents a trivalent or tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, R2 represents a divalent organic group having 2 or more carbon atoms, and R3 represents a hydrogen atom or a carbon atom having 1 or more carbon atoms. Represents a monovalent organic group, m represents an integer of 1 or 2, and n represents 3 to 1.
Indicates an integer of 000. )

【化5】 (一般式(2)中、R4は水素原子または炭素数1以上
の1価の有機基を示し、R5は水素原子または炭素数1
以上の1価の有機基、含窒素有機基、含酸素有機基のい
ずれかを示し、R6は炭素数1以上の1価の有機基を示
す。)
Embedded image (In the general formula (2), R4 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms, and R5 represents a hydrogen atom or 1 carbon atom.
Any of the above monovalent organic groups, nitrogen-containing organic groups, and oxygen-containing organic groups is shown, and R6 is a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. )

【化6】 (一般式(3)中、R7は炭素数1以上の2価の有機
基、含窒素有機基、含酸素有機基のいずれかを示し、R
8は炭素数1以上の1価の有機基を示す。)
Embedded image (In the general formula (3), R7 represents any one of a divalent organic group having 1 or more carbon atoms, a nitrogen-containing organic group, and an oxygen-containing organic group;
8 represents a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. )

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明において、一般式(1)は
ポリアミドの構造単位を示す。一般式(1)中のR1は
炭素数2以上の3または4価の有機基であり、R2は炭
素数2以上の2価の有機基であり、R3は水素原子また
は炭素数1以上の有機基であることが好ましい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, the general formula (1) represents a structural unit of a polyamide. R1 in the general formula (1) is a trivalent or tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, R2 is a divalent organic group having 2 or more carbon atoms, and R3 is a hydrogen atom or an organic group having 1 or more carbon atoms. It is preferably a group.

【0010】一般式(1)で表されるポリマーは、一般
式(4)で表されるテトラカルボン酸二無水物と一般式
(5)で表されるジアミン化合物とを反応させて得られ
る。
The polymer represented by the general formula (1) is obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (4) with a diamine compound represented by the general formula (5).

【0011】[0011]

【化7】 (一般式(4)中、R1は一般式(1)と同じであ
る。)
Embedded image (In the general formula (4), R1 is the same as the general formula (1).)

【化8】 (一般式(5)中、R2は一般式(1)と同じであ
る。)前記一般式(4)で表されるテトラカルボン酸二
無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジ
フェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、1,2,
3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,
2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水
物、1,2,5,6,−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン
酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボ
ン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−テ
トラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、2,2
−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパンテトラカルボン酸二無水物等のテトラカルボ
ン酸二無水物が単独または2種以上を組み合わせて使用
される。
Embedded image (In the general formula (5), R2 is the same as the general formula (1).) Examples of the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (4) include pyromellitic dianhydride,
3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic acid Dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylethertetracarboxylic dianhydride, 1,2,2
3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,
2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1, 4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′ , 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-tetraphenylsilanetetracarboxylic dianhydride, 2,2
Tetracarboxylic dianhydrides such as -bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropanetetracarboxylic dianhydride are used alone or in combination of two or more.

【0012】一般式(5)で表されるジアミン化合物と
しては、例えば、4,4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’
−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフ
ェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’
−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、1,4−フェニレンジアミン、
1,3−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジア
ミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノ
フェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェ
ノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキ
シ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル]エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノ
キシ)ベンゼン等のジアミン化合物、2,2−ビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、3,3’−ジヒドロキシベンジジン、2,4−
ジアミノ−6−ヒドロキシピリミジン、4,5−ジアミ
ノ−6−ヒドロキシピリミジン、2,3−ジアミノフェ
ノール、2,4−ジアミノフェノール等のフェノール性
水酸基を有するジアミン化合物、2,5−ジアミノ安息
香酸、3,4−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安
息香酸、2,5−ジアミノテレフタル酸、ビス(4−ア
ミノ−3−カルボキシフェニル)メチレン、ビス(4−
アミノ−3−カルボキシフェニル)エーテル、4,4’
−ジアミノ−3,3’−ジカルボキシビフェニル、4,
4’−ジアミノ−5,5’−ジカルボキシ−2,2’−
ジメチルビフェニル等のカルボキシル基を有するジアミ
ン化合物が挙げられる。これらのジアミン化合物は、単
独または2種以上を組み合わせて使用される。
Examples of the diamine compound represented by the general formula (5) include, for example, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4 '
-Diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4 '
-Diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 1,4-phenylenediamine,
1,3-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, Bis [4- (4-aminophenoxy)
Phenyl] ether, diamine compounds such as 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, and 2,2-bis (3
-Amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,4-
Diamine compounds having a phenolic hydroxyl group such as diamino-6-hydroxypyrimidine, 4,5-diamino-6-hydroxypyrimidine, 2,3-diaminophenol, and 2,4-diaminophenol; 2,5-diaminobenzoic acid; 2,4-diaminobenzoic acid, 3,5-diaminobenzoic acid, 2,5-diaminoterephthalic acid, bis (4-amino-3-carboxyphenyl) methylene, bis (4-
Amino-3-carboxyphenyl) ether, 4,4 ′
-Diamino-3,3'-dicarboxybiphenyl, 4,
4'-diamino-5,5'-dicarboxy-2,2'-
Diamine compounds having a carboxyl group such as dimethylbiphenyl are exemplified. These diamine compounds are used alone or in combination of two or more.

【0013】基板との接着性を向上させる目的で、耐熱
性を低下させない範囲でシロキサン構造を有するジアミ
ン化合物を使用することもできる。シロキサン構造を有
するジアミン化合物としては、例えば、ビス(3−アミ
ノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス(3−ア
ミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン等が使用さ
れる。
For the purpose of improving the adhesion to the substrate, a diamine compound having a siloxane structure can be used as long as the heat resistance is not reduced. As the diamine compound having a siloxane structure, for example, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, bis (3-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane and the like are used.

【0014】一般式(1)で表されるポリマーは、一般
式(5)で表されるジアミン化合物と一般式(4)で表
されるテトラカルボン酸二無水物を公知の方法で反応す
ることによって合成される。すなわち、N−メチル−2
−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1,
3−ジメチルイミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホロ
アミド、γ−ブチロラクトン、クレゾール等を主成分と
する有機溶剤中で反応することによって合成される。
The polymer represented by the general formula (1) is obtained by reacting a diamine compound represented by the general formula (5) with a tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (4) by a known method. Synthesized by That is, N-methyl-2
-Pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N
-Dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, 1,
It is synthesized by reacting in an organic solvent containing 3-dimethylimidazolidinone, hexamethylphosphoramide, γ-butyrolactone, cresol or the like as a main component.

【0015】一般式(2)の化合物は、アセタールまた
はケタール化合物である。R4は水素原子または炭素数
1以上の1価の有機基を示し、R5は水素原子または炭
素数1以上の1価の有機基、含窒素有機基、含酸素有機
基のいずれかを示し、R6は炭素数1以上の1価の有機
基を示す。具体的には、N,N−ジメチルホルムアミド
ジメチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジ
エチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジプ
ロピルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジブ
チルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジベン
ジルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドビス
[2−(トリメチルシリル)エチル]アセタール、N,
N−ジメチルアセトアミドジエチルアセタール、オルト
ギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル、オルト酢酸ト
リメチル、オルト酢酸トリエチル、オルト酪酸トリメチ
ル、オルト酪酸トリエチル、オルト安息香酸トリメチ
ル、オルト安息香酸トリエチル等が挙げられ、好ましく
はN,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、
N,N−ジメチルホルムアミドジエチルアセタール、
N,N−ジメチルホルムアミドジプロピルアセタール、
N,N−ジメチルホルムアミドジブチルアセタール、
N,N−ジメチルホルムアミドジベンジルアセタールで
ある。
The compound of the general formula (2) is an acetal or ketal compound. R4 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms, R5 represents any one of a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms, a nitrogen-containing organic group, and an oxygen-containing organic group; Represents a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. Specifically, N, N-dimethylformamide dimethyl acetal, N, N-dimethylformamide diethyl acetal, N, N-dimethylformamide dipropyl acetal, N, N-dimethylformamide dibutyl acetal, N, N-dimethylformamide dibenzyl Acetal, N, N-dimethylformamide bis [2- (trimethylsilyl) ethyl] acetal,
N-dimethylacetamide diethyl acetal, trimethyl orthoformate, triethyl orthoformate, trimethyl orthoacetate, triethyl orthoacetate, trimethyl orthobutyrate, triethyl orthobutyrate, trimethyl orthobenzoate, triethyl orthobenzoate, and the like, preferably N, N -Dimethylformamide dimethyl acetal,
N, N-dimethylformamide diethyl acetal,
N, N-dimethylformamide dipropyl acetal,
N, N-dimethylformamide dibutyl acetal,
N, N-dimethylformamide dibenzyl acetal.

【0016】一般式(3)で表される化合物は、環状カ
ルボニル化合物のアセタールまたはケタール化合物であ
る。R7は炭素数1以上の2価の有機基、含窒素有機
基、含酸素有機基のいずれかを示し、R8は炭素数1以
上の1価の有機基を示す。具体的には、N−メチル−2
−ピロリドンジアルキルアセタール、1,3−ジメチル
イミダゾリジノンジアルキルアセタール、炭酸エチレン
ジアルキルアセタール、炭酸プロピレンジアルキルアセ
タール、γ−ブチロラクトンジアルキルアセタール、シ
クロヘキサノンジメチルアセタールが挙げられ、好まし
くはN−メチル−2−ピロリドンジメチルアセタール、
N−メチル−2−ピロリドンジエチルアセタール、γ−
ブチロラクトンジメチルアセタール、γ−ブチロラクト
ンジエチルアセタールである。
The compound represented by the general formula (3) is a cyclic carbonyl compound acetal or ketal compound. R7 represents any one of a divalent organic group having 1 or more carbon atoms, a nitrogen-containing organic group, and an oxygen-containing organic group, and R8 represents a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. Specifically, N-methyl-2
-Pyrrolidone dialkyl acetal, 1,3-dimethylimidazolidinone dialkyl acetal, ethylene dialkyl acetal, propylene dialkyl acetal, γ-butyrolactone dialkyl acetal, cyclohexanone dimethyl acetal, preferably N-methyl-2-pyrrolidone dimethyl acetal ,
N-methyl-2-pyrrolidone diethyl acetal, γ-
Butyrolactone dimethyl acetal and γ-butyrolactone diethyl acetal.

【0017】一般式(1)で表されるポリマーを溶剤に
溶解し、この溶液に一般式(2)または一般式(3)の
いずれか一種類以上の化合物をそのまま、あるいはその
溶液を混合攪拌することによって、処理することができ
る。一般式(1)で表されるポリマーを重合した後の溶
液に一般式(2)または一般式(3)のいずれか一種類
以上の化合物をそのまま、あるいはその溶液を混合攪拌
して、処理することもできる。一般式(2)または一般
式(3)のいずれか一種類以上の化合物によって処理す
ることによって、一般式(1)で表されるポリマー中の
カルボキシル基をエステル化することができる。この処
理の際、副反応のイミド化反応も進行するが、エステル
化反応に対するイミド化反応の割合は、反応条件の選
択、すなわち、反応溶剤や反応温度等を選択することに
よって抑えることが可能である。反応溶剤としては、N
−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、1,3−ジメチルイミダゾリジノン、ヘキサメ
チルホスホロアミド、γ−ブチロラクトン等の非プロト
ン性極性溶剤が好ましく、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミドがより好ましい。反応温度は0℃から20
0℃の範囲であり、好ましくは20℃から100℃であ
り、より好ましくは30℃から80℃である。反応温度
が0℃よりも低いと、反応が完結するまでの時間が長く
なり実用的でなくなる。また反応温度が200℃を超え
るとイミド化反応の割合が高くなり、ポリマーの透明性
が低下したり、ゲル成分が生成するなど問題が生じやす
い。
The polymer represented by the general formula (1) is dissolved in a solvent, and one or more compounds of the general formula (2) or the general formula (3) are directly added to the solution, or the solution is mixed and stirred. By doing so, it can be processed. After polymerizing the polymer represented by the general formula (1), one or more compounds of the general formula (2) or the general formula (3) are directly used in the solution, or the solution is mixed and stirred for treatment. You can also. The carboxyl group in the polymer represented by the general formula (1) can be esterified by treating with at least one compound of the general formula (2) or the general formula (3). During this treatment, an imidization reaction as a side reaction also proceeds, but the ratio of the imidization reaction to the esterification reaction can be suppressed by selecting reaction conditions, that is, by selecting a reaction solvent and a reaction temperature. is there. As a reaction solvent, N
Aprotic polar solvents such as -methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, 1,3-dimethylimidazolidinone, hexamethylphosphoramide, γ-butyrolactone; Preferably, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide are more preferable. Reaction temperature is from 0 ° C to 20
It is in the range of 0 ° C, preferably 20 ° C to 100 ° C, more preferably 30 ° C to 80 ° C. If the reaction temperature is lower than 0 ° C., the time required for the reaction to be completed becomes long, which is not practical. On the other hand, when the reaction temperature exceeds 200 ° C., the ratio of the imidization reaction increases, and problems such as a decrease in the transparency of the polymer and the generation of a gel component are likely to occur.

【0018】一般式(2)または一般式(3)のいずれ
か一種類以上の化合物は、反応を促進する目的で、トリ
フルオロ酢酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホ
ン酸、りん酸等の酸を一般式(2)または一般式(3)
のいずれか一種類以上の化合物の総量に対して0.01
から10モル%の範囲で併せて使用することもできる。
At least one compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) may be used in order to accelerate the reaction by using an acid such as trifluoroacetic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid or phosphoric acid. Is represented by the general formula (2) or the general formula (3)
0.01 to the total amount of any one or more compounds
To 10 mol% in combination.

【0019】一般式(1)で表されるポリマーに対する
一般式(2)または一般式(3)のいずれか一種類以上
の化合物の割合は、前者ポリマー中のカルボキシル基/
後者化合物の総量(モル比)が100/1から100/
1000である。好ましくは、100/10から100
/200500であり、より好ましくは、100/20
から100/100200である。最適な割合は、一般
式(1)で表されるポリマーの構造および適用されるべ
きパターン加工のプロセス条件を考慮することによって
決定される。処理後のポリマー中の残存カルボキシル基
量は、0.001から5モル/kgであることが好まし
く、さらに2モル/kg以下であることがより好まし
い。
The ratio of the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) to the polymer represented by the general formula (1) is determined by the ratio of the carboxyl group /
The total amount (molar ratio) of the latter compound is from 100/1 to 100 /
1000. Preferably, 100/10 to 100
/ 200500, more preferably 100/20
To 100/100200. The optimum ratio is determined by considering the structure of the polymer represented by the general formula (1) and the process conditions of pattern processing to be applied. The amount of residual carboxyl groups in the polymer after the treatment is preferably 0.001 to 5 mol / kg, and more preferably 2 mol / kg or less.

【0020】本発明に使用される感光剤であるo−キノ
ンジアジド化合物は、1,2−ベンゾキノン−2−アジ
ド−4−スルホン酸エステルまたはスルホン酸アミド、
1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸
エステルまたはスルホン酸アミド、1,2−ナフトキノ
ン−2−ジアジド−4−スルホン酸エステルまたはスル
ホン酸アミド等がある。これらは、例えば、1,2−ベ
ンゾキノン−2−アジド−4−スルホニルクロリド、
1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル
クロリド、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−
スルホニルクロリド等のo−キノンジアジドスルホニル
クロリド類とポリヒドロキシ化合物またはポリアミン化
合物を脱塩酸触媒の存在下で縮合反応することによって
得ることができる。
The o-quinonediazide compound which is a photosensitizer used in the present invention includes 1,2-benzoquinone-2-azido-4-sulfonic acid ester or sulfonic acid amide,
There are 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid ester or sulfonic acid amide, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid ester and sulfonic acid amide. These include, for example, 1,2-benzoquinone-2-azido-4-sulfonyl chloride,
1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-
It can be obtained by subjecting an o-quinonediazide sulfonyl chloride such as a sulfonyl chloride to a condensation reaction with a polyhydroxy compound or a polyamine compound in the presence of a dehydrochlorination catalyst.

【0021】ポリヒドロキシ化合物としては、ヒドロキ
ノン、レソルシノール、カテコール、ピロガロール、ヒ
ドロキシヒドロキノン、ビスフェノールA、ビス(4−
ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、トリス(4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、1−[1−(4−ヒドロキ
シフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−ナフト
ール、2−ナフトール、没食子酸メチル、没食子酸エチ
ル等が挙げられる。
Examples of polyhydroxy compounds include hydroquinone, resorcinol, catechol, pyrogallol, hydroxyhydroquinone, bisphenol A, bis (4-
Hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,3,4
-Trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-
Tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'
-Tetrahydroxybenzophenone, tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1- Screw (4
-Hydroxyphenyl) ethyl] benzene, 1-naphthol, 2-naphthol, methyl gallate, ethyl gallate and the like.

【0022】ポリアミン化合物としては、1,4−フェ
ニレンジアミン、1,3−フェニレンジアミン、4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニル
メタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,
4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミ
ノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニル
スルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド
等が挙げられる。
Examples of the polyamine compound include 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine,
4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,
4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide and the like.

【0023】また、ポリヒドロキシポリアミン化合物と
しては、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ジヒドロ
キシベンジジン等が挙げられる。
Examples of the polyhydroxypolyamine compound include 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 3,3'-dihydroxybenzidine.

【0024】o−キノンジアジド化合物は、アルカリ可
溶性ポリマー100重量部に対して好ましくは1から1
00重量部、より好ましくは5から40重量部の範囲で
配合される。配合量が1重量部未満では十分な感度が得
られず、また、100重量部を超えると樹脂組成物の耐
熱性が低下する可能性がある。
The o-quinonediazide compound is preferably used in an amount of 1 to 1 based on 100 parts by weight of the alkali-soluble polymer.
00 parts by weight, more preferably 5 to 40 parts by weight. If the amount is less than 1 part by weight, sufficient sensitivity cannot be obtained, and if it exceeds 100 parts by weight, the heat resistance of the resin composition may be reduced.

【0025】本発明の感光性樹脂組成物は、アルカリ可
溶性ポリマーと、o−キノンジアジドを溶剤に溶解し
て、溶液状態で使用することが好ましい。溶剤として
は、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、1,3−ジメチルイミダゾリジノン、ヘ
キサメチルホスホロアミド、γ−ブチロラクトン、テト
ラメチルウレア等の非プロトン性極性溶剤が単独または
2種以上併用して使用される。塗布膜の均一性を改良す
る目的で、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
乳酸エチル等のエーテル類あるいはエステル類の溶剤を
混合して使用しても良い。
The photosensitive resin composition of the present invention is preferably used in the form of a solution in which an alkali-soluble polymer and o-quinonediazide are dissolved in a solvent. Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, 1,3-dimethylimidazolidinone, hexamethylphosphoramide, γ-butyrolactone, tetramethyl An aprotic polar solvent such as urea is used alone or in combination of two or more. For the purpose of improving the uniformity of the coating film, propylene glycol monomethyl ether,
Propylene glycol monomethyl ether acetate,
Solvents such as ethers or esters such as ethyl lactate may be mixed and used.

【0026】本発明の感光性樹脂組成物は、接着助剤と
して、有機シラン化合物やアルミキレート化合物を含む
ことができる。有機シラン化合物としては、例えば、3
−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、
3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−メ
タクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ
る。アミノキレート化合物としては、例えば、トリス
(アセチルアセテート)アルミニウム、アセチルアセテ
ートアルミニウムジイソプロピレート等が挙げられる。
接着助剤は、アルカリ可溶性ポリマー100重量部に対
して、0.1から20重量部、好ましくは1から10重
量部の範囲で使用される。
The photosensitive resin composition of the present invention can contain an organic silane compound or an aluminum chelate compound as an adhesion aid. As the organic silane compound, for example, 3
-Aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane,
3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and the like. Examples of the amino chelate compound include aluminum tris (acetylacetate) and aluminum acetylacetate diisopropylate.
The adhesion aid is used in an amount of 0.1 to 20 parts by weight, preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble polymer.

【0027】本発明の感光性樹脂組成物からは、以下の
ようにしてレリーフパターンを得ることができる。すな
わち、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶縁体(例え
ば、TiO2、SiO2等)、窒化ケイ素等の支持基板上
に、この感光性樹脂組成物をスピナー等によって回転塗
布し、その後ホットプレート、オーブン等を用いて乾燥
する。次いで、支持基板上で被膜となった樹脂組成物
に、マスクを介して活性光線を照射する。活性光線とし
ては、紫外線、可視光線、放射線等が使用できるが、2
00〜500nmの波長のものが好ましく、さらに好ま
しくは水銀灯のi線(365nm)、h線(405n
m)、g線(436nm)である。露光部を現像液で除
去することによってレリーフパターンが得られる。現像
液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ
酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルア
ミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド等の水溶液が挙げら
れるがこれらに限定されない。これらの水溶液の濃度
は、0.1から10重量%とされることが好ましい。さ
らに、現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使
用することもできる。これらはそれぞれ、現像液に対し
て好ましくは0.01から10重量部、より好ましくは
0.1から5重量部の範囲で配合する。次いで、得られ
たレリーフパターンを150から450℃の加熱処理を
することによって、イミド環や他の環状基をもつ耐熱性
重合体のレリーフパターンになる。
From the photosensitive resin composition of the present invention, a relief pattern can be obtained as follows. That is, the photosensitive resin composition is spin-coated with a spinner or the like on a support substrate such as a glass substrate, a semiconductor, a metal oxide insulator (for example, TiO 2 , SiO 2 ), or silicon nitride, and then a hot plate. Dry using an oven or the like. Next, the resin composition coated on the supporting substrate is irradiated with actinic rays through a mask. As the actinic ray, ultraviolet ray, visible ray, radiation, etc. can be used.
A wavelength of from 00 to 500 nm is preferred, and more preferably an i-line (365 nm) and an h-line (405 n) of a mercury lamp.
m) and g-line (436 nm). A relief pattern is obtained by removing the exposed portion with a developing solution. Examples of the developer include, but are not limited to, aqueous solutions of sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide and the like. The concentration of these aqueous solutions is preferably from 0.1 to 10% by weight. Further, an alcohol or a surfactant may be added to the developer for use. Each of these is preferably added to the developer in an amount of 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight. Next, the resulting relief pattern is subjected to a heat treatment at 150 to 450 ° C., whereby a relief pattern of a heat-resistant polymer having an imide ring or another cyclic group is obtained.

【0028】[0028]

【実施例】以下、本発明を実施例によって説明するが、
本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
The present invention will be described below with reference to examples.
The present invention is not limited by these examples.

【0029】実施例1 窒素雰囲気下で2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン17.58g
(48mmol)とビス(3−アミノプロピル)ヘキサ
メチルジシロキサン0.50g(2mmol)を乾燥し
たN−メチル−2−ピロリドン79gに溶解した溶液
に、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物15.17g(49mmol)を混合攪拌
し、50℃で5時間反応した。さらに、N,N−ジメチ
ルホルムアミドジエチルアセタール14.72g(10
0mmol)を加え、50℃で5時間攪拌し、部分エス
テル化したポリアミド酸の溶液(A)を得た。
Example 1 17.58 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane under a nitrogen atmosphere
(48 mmol) and 0.50 g (2 mmol) of bis (3-aminopropyl) hexamethyldisiloxane in 79 g of dried N-methyl-2-pyrrolidone were added to a solution of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetrane. 15.17 g (49 mmol) of carboxylic dianhydride was mixed and stirred, and reacted at 50 ° C. for 5 hours. Further, 14.72 g of N, N-dimethylformamide diethyl acetal (10.
0 mmol) and stirred at 50 ° C. for 5 hours to obtain a partially esterified polyamic acid solution (A).

【0030】得られたポリアミド酸溶液(A)に、o−
キノンジアジド化合物4NT−300(東洋合成工業
製:2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン1モルに対して、1,2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−5−スルホニルクロリド3モルを反応させて得られ
たエステル)6.77gを溶解した後、0.5μmのメ
ンブレンフィルターで濾過し、感光性組成物を調製し
た。
The obtained polyamic acid solution (A) was added with o-
Quinonediazide compound 4NT-300 (manufactured by Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd .: 1 mol of 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone is reacted with 3 mol of 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride) After dissolving 6.77 g of the obtained ester, the solution was filtered through a 0.5 μm membrane filter to prepare a photosensitive composition.

【0031】6インチのシリコンウエハー上に前記感光
性組成物をスピナーによって回転塗布し、120℃のホ
ットプレート上で3分間加熱して、厚さ9.0μmの感
光性組成物層を形成した。この塗膜にg線ステッパー露
光機(ニコン製、NSR−1505G6)によりレチク
ルを通して、50mJ/cm2間隔で50mJ/cm2
ら1000mJ/cm2まで露光を行った。レチクルに
は5、10、15、20、30、40、50μmの評価
用パターンを配したものを使用した。次に、NMD−3
(東京応化工業製、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド2.38%水溶液)に90秒間浸漬し、さらに20
秒間水洗した。
The photosensitive composition was spin-coated on a 6-inch silicon wafer by a spinner and heated on a hot plate at 120 ° C. for 3 minutes to form a 9.0 μm-thick photosensitive composition layer. The coating film g-line stepper exposing machine (manufactured by Nikon, NSR-1505G6) through a reticle, the exposure was carried out from 50 mJ / cm 2 to 1000 mJ / cm 2 at 50 mJ / cm 2 intervals. As the reticle, one having an evaluation pattern of 5, 10, 15, 20, 30, 40, and 50 μm was used. Next, NMD-3
(A 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for 90 seconds.
Washed for 2 seconds.

【0032】その結果、露光量400mJ/cm2を照
射した部分から、パターンが形成されていることが確認
できた(感度400mJ/cm2)。このときの未露光
部の膜厚は7.2μmであり、現像による膜減りは1.
8μmと少なく良好であった。さらに、電子顕微鏡によ
ってパターン断面を観察したところ、パターン形成した
なかで最小の5μmのパターンが良好に解像されていた
(解像度5μm)。
[0032] As a result, the portion irradiated with the exposure amount 400 mJ / cm 2, it was confirmed that the pattern is formed (sensitivity 400mJ / cm 2). At this time, the film thickness of the unexposed portion was 7.2 μm, and the film reduction by development was 1.
It was as good as 8 μm. Further, when the cross section of the pattern was observed by an electron microscope, it was found that the smallest pattern of 5 μm in the pattern formed was well resolved (resolution 5 μm).

【0033】実施例2 実施例1におけるN,N−ジメチルホルムアミドジエチ
ルアセタールの添加量を17.67g(120mmo
l)に変更して、ポリマー溶液(B)を得た。
Example 2 The amount of N, N-dimethylformamide diethyl acetal in Example 1 was changed to 17.67 g (120 mmol).
In place of 1), a polymer solution (B) was obtained.

【0034】実施例1と同様に感光性組成物を調製し、
評価を行った。この結果を表1に示した。実用的な光照
射量、現像時間において、膜減りが少なく、かつ良好な
パターン形成ができた。
A photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1,
An evaluation was performed. The results are shown in Table 1. In a practical light irradiation amount and a development time, film loss was small and a good pattern was formed.

【0035】実施例3 実施例1におけるN,N−ジメチルホルムアミドジエチ
ルアセタールの添加量を11.78g(80mmol)
に変更して、ポリマー溶液(C)を得た。
Example 3 The amount of N, N-dimethylformamide diethyl acetal used in Example 1 was changed to 11.78 g (80 mmol).
And a polymer solution (C) was obtained.

【0036】実施例1と同様に感光性組成物を調製し、
評価を行った。この結果を表1に示した。実用的な光照
射量、現像時間において、膜減りが少なく、かつ良好な
パターン形成ができた。
A photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1,
An evaluation was performed. The results are shown in Table 1. In a practical light irradiation amount and a development time, film loss was small and a good pattern was formed.

【0037】実施例4 実施例1におけるN,N−ジメチルホルムアミドジエチ
ルアセタールをN,N−ジメチルホルムアミドジメチル
アセタールに変更して、ポリマー溶液(D)を得た。
Example 4 A polymer solution (D) was obtained by changing N, N-dimethylformamide diethyl acetal in Example 1 to N, N-dimethylformamide dimethyl acetal.

【0038】実施例1と同様に感光性組成物を調製し、
評価を行った。この結果を表1に示した。実用的な光照
射量、現像時間において、膜減りが少なく、かつ良好な
パターン形成ができた。
A photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1,
An evaluation was performed. The results are shown in Table 1. In a practical light irradiation amount and a development time, film loss was small and a good pattern was formed.

【0039】実施例5 窒素雰囲気下で4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
9.61g(48mmol)とビス(3−アミノプロピ
ル)ヘキサメチルジシロキサン0.5g(2mmol)
を乾燥したN−メチル−2−ピロリドン59gに溶解
し、この溶液に3,3’,4,4’−ジフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸二無水物15.20g(49mmo
l)を混合攪拌し、50℃で5時間反応させた。さら
に、N,N−ジメチルホルムアミドジエチルアセタール
11.78g(80mmol)を加え、50℃で5時間
攪拌し、部分エステル化したポリアミド酸の溶液(E)
を得た。
Example 5 Under nitrogen atmosphere, 9.61 g (48 mmol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether and 0.5 g (2 mmol) of bis (3-aminopropyl) hexamethyldisiloxane
Was dissolved in 59 g of dried N-methyl-2-pyrrolidone, and 15.20 g (49 mmo) of 3,3 ′, 4,4′-diphenylethertetracarboxylic dianhydride was added to this solution.
1) was mixed and stirred, and reacted at 50 ° C. for 5 hours. Further, 11.78 g (80 mmol) of N, N-dimethylformamide diethyl acetal was added, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 5 hours to obtain a partially esterified polyamic acid solution (E).
I got

【0040】実施例1と同様に感光性組成物を調製し、
評価を行った。この結果を表1に示した。実用的な光照
射量、現像時間において、膜減りが少なく、かつ良好な
パターン形成ができた。
A photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1,
An evaluation was performed. The results are shown in Table 1. In a practical light irradiation amount and a development time, film loss was small and a good pattern was formed.

【0041】実施例6 窒素雰囲気下で2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン18.31g
(50mmol)を乾燥したN−メチル−2−ピロリド
ン59gに溶解し、この溶液に3,3’,4,4’−ジ
フェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物15.20
g(49mmol)を混合攪拌し、50℃で5時間反応
させた。さらに、N,N−ジメチルホルムアミドジエチ
ルアセタール22.08g(150mmol)を加え、
50℃で5時間攪拌した。反応溶液を室温に戻した後、
水1リットル/メタノール0.1リットルの混合液中に
投入し、ポリマーを析出させた。ポリマーを濾取した
後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥して、部分エス
テル化ポリアミド酸を得た。
Example 6 18.31 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane under a nitrogen atmosphere
(50 mmol) was dissolved in 59 g of dried N-methyl-2-pyrrolidone, and 3,3 ′, 4,4′-diphenylethertetracarboxylic dianhydride 15.20 was added to this solution.
g (49 mmol) was mixed and stirred, and reacted at 50 ° C. for 5 hours. Further, 22.08 g (150 mmol) of N, N-dimethylformamide diethyl acetal was added,
Stirred at 50 ° C. for 5 hours. After returning the reaction solution to room temperature,
The polymer was poured into a mixed solution of 1 liter of water / 0.1 liter of methanol to precipitate a polymer. After the polymer was collected by filtration, the polymer was dried with a vacuum dryer at 80 ° C. for 24 hours to obtain a partially esterified polyamic acid.

【0042】この部分エステル化ポリアミド酸14gを
N−メチル−2−ピロリドン26gに溶解しポリマー溶
液(F)を得た。このポリマー溶液(F)に、o−キノ
ンジアジド化合物MG−300(東洋合成工業株式会社
製:没食子酸メチル1モルに対して、1,2−ナフトキ
ノン−2−ジアジド−5−スルホニルクロリド3モルを
反応させて得られたエステル)2.8gと接着改良剤
(3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物とビス(3−アミノプロピル)ヘキサメチル
ジシロキサンから調製したポリアミド酸)1.4gを混
合溶解した後、0.5μmのメンブレンフィルターで濾
過し、感光性組成物を調製した。
14 g of this partially esterified polyamic acid was dissolved in 26 g of N-methyl-2-pyrrolidone to obtain a polymer solution (F). An o-quinonediazide compound MG-300 (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd .: 3 moles of 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride is reacted with 1 mole of methyl gallate) to this polymer solution (F). 2.8 g of an ester obtained by the reaction) and an adhesion improver (a polyamic acid prepared from 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and bis (3-aminopropyl) hexamethyldisiloxane) After mixing and dissolving 1.4 g, the mixture was filtered through a 0.5 μm membrane filter to prepare a photosensitive composition.

【0043】実施例1と同様に評価を行った結果を表1
に示した。実用的な光照射量、現像時間において、膜減
りが少なく、かつ良好なパターン形成ができた。
Table 1 shows the results of the evaluation performed in the same manner as in Example 1.
It was shown to. In a practical light irradiation amount and a development time, film loss was small and a good pattern was formed.

【0044】比較例1 窒素雰囲気下で2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン17.58g
(48mmol)とビス(3−アミノプロピル)ヘキサ
メチルジシロキサン0.50g(2mmol)を乾燥し
たN−メチル−2−ピロリドン79g溶解した溶液に、
3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物15.17g(49mmol)を混合攪拌し、
50℃で5時間反応することによって、ポリアミド酸の
溶液(F)を得た。
Comparative Example 1 17.58 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane under a nitrogen atmosphere
(48 mmol) and 0.50 g (2 mmol) of bis (3-aminopropyl) hexamethyldisiloxane were dissolved in 79 g of dried N-methyl-2-pyrrolidone.
15.3 g (49 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was mixed and stirred,
By reacting at 50 ° C. for 5 hours, a polyamic acid solution (F) was obtained.

【0045】実施例1と同様に、得られたポリアミド酸
溶液(G)に、実施例1で用いたo−キノンジアジド化
合物(4NT−300)6.77gを溶解した後、0.
5μmのメンブレンフィルターで濾過し、感光性組成物
を調製した。
In the same manner as in Example 1, 6.77 g of the o-quinonediazide compound (4NT-300) used in Example 1 was dissolved in the obtained polyamic acid solution (G).
The mixture was filtered through a 5 μm membrane filter to prepare a photosensitive composition.

【0046】次いで、4インチのシリコンウエハー上に
前記感光性組成物をスピナーによって回転塗布し、12
0℃のホットプレート上で3分間加熱して、厚さ9.0
μmの感光性組成物層を形成した。実施例1と同様に露
光、現像したところ、20秒間ですべての膜が溶解し、
パターンを得ることができなかった。
Next, the photosensitive composition was spin-coated on a 4-inch silicon wafer by a spinner.
Heat on a hot plate at 0 ° C. for 3 minutes to a thickness of 9.0.
A photosensitive composition layer having a thickness of μm was formed. When exposed and developed in the same manner as in Example 1, all the films dissolved in 20 seconds,
I couldn't get the pattern.

【0047】比較例2 窒素雰囲気下で2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン17.58g
(48mmol)とビス(3−アミノプロピル)ヘキサ
メチルジシロキサン0.50g(2mmol)を乾燥し
たN−メチル−2−ピロリドン79gに溶解した溶液
に、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物15.17g(49mmol)を混合攪拌
し、50℃で5時間反応することによって、ポリアミド
酸の溶液を得た。さらに、水分定量器付き還流コンデン
サーを取り付け、トルエン50gと2−エチル−4−メ
チルイミダゾール2gを加え、120℃で3時間攪拌し
還流した。反応溶液を室温に戻した後、水1リットル/
メタノール0.1リットルの混合液中に投入し、ポリマ
ーを析出させた。ポリマーを濾取した後、80℃の真空
乾燥機で24時間乾燥して、赤褐色のポリイミドを得
た。
Comparative Example 2 17.58 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane under a nitrogen atmosphere
(48 mmol) and 0.50 g (2 mmol) of bis (3-aminopropyl) hexamethyldisiloxane in 79 g of dried N-methyl-2-pyrrolidone were added to a solution of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetrane. 15.17 g (49 mmol) of carboxylic dianhydride was mixed and stirred, and reacted at 50 ° C. for 5 hours to obtain a polyamic acid solution. Further, a reflux condenser equipped with a moisture meter was attached, 50 g of toluene and 2 g of 2-ethyl-4-methylimidazole were added, and the mixture was stirred and refluxed at 120 ° C. for 3 hours. After returning the reaction solution to room temperature, 1 liter of water /
The polymer was poured into a mixed solution of 0.1 liter of methanol to precipitate a polymer. After the polymer was collected by filtration, it was dried with a vacuum dryer at 80 ° C. for 24 hours to obtain a reddish brown polyimide.

【0048】このポリイミド14gをN−メチル−2−
ピロリドン26gに溶解しポリマー溶液(H)を得た。
このポリマー溶液(H)に、実施例1で用いたo−キノ
ンジアジド化合物(4NT−300)2.8gを混合溶
解した後、0.5μmのメンブレンフィルターで濾過
し、感光性組成物を調製した。
14 g of this polyimide was treated with N-methyl-2-
The polymer was dissolved in 26 g of pyrrolidone to obtain a polymer solution (H).
After 2.8 g of the o-quinonediazide compound (4NT-300) used in Example 1 was mixed and dissolved in the polymer solution (H), the solution was filtered through a 0.5 μm membrane filter to prepare a photosensitive composition.

【0049】実施例1と同様に評価を行った結果を表1
に示した。現像によっても、実用的な光照射量(100
0mJ/cm2以下)では、露光部の溶解に時間がかか
り、10分間の現像によっても7μmの膜が露光部に残
り、パターン形成ができなかった。
Table 1 shows the results of the evaluation performed in the same manner as in Example 1.
It was shown to. The practical light irradiation amount (100
(0 mJ / cm 2 or less), it took time to dissolve the exposed portion, and a 7 μm film remained in the exposed portion even after 10 minutes of development, and pattern formation was not possible.

【0050】比較例3 ピロメリット酸二無水物50gとエタノール300ml
を500mlのフラスコに入れ、ピリジン0.2mlを
加えて窒素雰囲気下30℃で10時間攪拌した。過剰の
エタノールを減圧下で留去し、残留物を真空乾燥するこ
とによってピロメリット酸ジエチルエステルを得た。
Comparative Example 3 50 g of pyromellitic dianhydride and 300 ml of ethanol
Was placed in a 500 ml flask, 0.2 ml of pyridine was added, and the mixture was stirred at 30 ° C. for 10 hours under a nitrogen atmosphere. Excess ethanol was distilled off under reduced pressure, and the residue was dried in vacuum to obtain pyromellitic acid diethyl ester.

【0051】得られたピロメリット酸ジエチルエステル
31.4g(100mmol)、塩化チオニル100m
lをフラスコに入れ室温で1時間攪拌した後、3時間還
流した。アスピレーターによって過剰の塩化チオニルを
除去し、塩化物を得た。
The obtained pyromellitic acid diethyl ester 31.4 g (100 mmol), thionyl chloride 100 m
was placed in a flask, stirred at room temperature for 1 hour, and then refluxed for 3 hours. Excess thionyl chloride was removed with an aspirator to obtain chloride.

【0052】得られた塩化物をγ−ブチロラクトン60
gに溶解し、0℃に保持した2,2−ビス(3−アミノ
−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン3
6.62g(100mmol)とピリジン50mlをN
−メチル−2−ピロリドン200mlに溶解した溶液に
滴下した。0℃で3時間攪拌を続けた後、さらに30℃
で3時間攪拌した。不溶物を濾過した後、濾液を5リッ
トルの水に投入し、ポリマーを析出させた。
The obtained chloride was converted to γ-butyrolactone 60
g, and kept at 0 ° C. for 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane 3
6.62 g (100 mmol) and pyridine 50 ml
-Methyl-2-pyrrolidone was dropped into a solution dissolved in 200 ml. After stirring at 0 ° C. for 3 hours, the temperature was further increased to 30 ° C.
For 3 hours. After filtering the insoluble matter, the filtrate was poured into 5 liters of water to precipitate a polymer.

【0053】得られたポリアミド酸ジエチルエステル1
4gをN−メチル−2−ピロリドン26gに溶解し、ポ
リアミド酸エステルの溶液(I)を得た。このポリマー
溶液(I)に、実施例1で用いたo−キノンジアジド化
合物(4NT−300)2.8gを混合溶解した後、
0.5μmのメンブレンフィルターで濾過し、感光性組
成物を調製した。
The obtained polyamic acid diethyl ester 1
4 g was dissolved in 26 g of N-methyl-2-pyrrolidone to obtain a polyamic acid ester solution (I). After 2.8 g of the o-quinonediazide compound (4NT-300) used in Example 1 was mixed and dissolved in the polymer solution (I),
The mixture was filtered through a 0.5 μm membrane filter to prepare a photosensitive composition.

【0054】実施例1と同様に評価を行った結果を表1
に示した。現像によっても、実用的な光照射量(100
0mJ/cm2以下)では、露光部の溶解に時間がかか
り、10分間の現像によっても5μmの膜が露光部に残
り、パターン形成ができなかった。
Table 1 shows the results of the evaluation performed in the same manner as in Example 1.
It was shown to. The practical light irradiation amount (100
(0 mJ / cm 2 or less), it took time to dissolve the exposed portion, and a film of 5 μm remained in the exposed portion even after 10 minutes of development, and the pattern could not be formed.

【0055】比較例4 窒素雰囲気下で4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
9.61g(48mmol)とビス(3−アミノプロピ
ル)ヘキサメチルジシロキサン0.5g(2mmol)
を乾燥したN−メチル−2−ピロリドン59gに溶解
し、この溶液に3,3’,4,4’−ジフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸二無水物15.20g(49mmo
l)を混合攪拌し、50℃で5時間反応させることによ
って、ポリアミド酸の溶液(J)を得た。
Comparative Example 4 Under nitrogen atmosphere, 9.61 g (48 mmol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether and 0.5 g (2 mmol) of bis (3-aminopropyl) hexamethyldisiloxane
Was dissolved in 59 g of dried N-methyl-2-pyrrolidone, and 15.20 g (49 mmo) of 3,3 ′, 4,4′-diphenylethertetracarboxylic dianhydride was added to this solution.
1) was mixed and stirred, and reacted at 50 ° C. for 5 hours to obtain a polyamic acid solution (J).

【0056】実施例1と同様に感光性組成物を調製し、
評価を行ったが、20秒間の現像ですべての膜が溶解
し、パターンを得ることができなかった。
A photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1,
Evaluation was performed, but all the films were dissolved by development for 20 seconds, and a pattern could not be obtained.

【0057】た。[0057]

【0058】[0058]

【表1】 [Table 1]

【0059】[0059]

【発明の効果】本発明によるポジ型感光性樹脂組成物の
製造方法は、簡便にポリマーのアルカリ現像液に対する
溶解速度を任意に調節することができ、この製造方法に
よって製造されるポジ型感光性樹脂組成物は、感度が高
く、現像時間が短く、形成されたパターンの耐熱性が高
く、半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜等に使用す
ることができる。
According to the process for producing a positive photosensitive resin composition of the present invention, the dissolution rate of a polymer in an alkali developer can be easily adjusted arbitrarily. The resin composition has high sensitivity, short development time, and high heat resistance of the formed pattern, and can be used for a surface protective film, an interlayer insulating film, and the like of a semiconductor element and the like.

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成10年10月22日(1998.10.
22)
[Submission date] October 22, 1998 (1998.10.
22)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項1[Correction target item name] Claim 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【化1】 (一般式(1)中、R1は炭素数2以上の3または4価
の有機基を示し、R2は炭素数2以上の2価の有機基を
示し、R3は水素原子または炭素数1以上の1価の有機
基を示す。mは1または2の整数を示し、nは3から1
000の整数を示す。)
Embedded image (In the general formula (1), R1 represents a trivalent or tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, R2 represents a divalent organic group having 2 or more carbon atoms, and R3 represents a hydrogen atom or a carbon atom having 1 or more carbon atoms. Represents a monovalent organic group, m represents an integer of 1 or 2, and n represents 3 to 1.
Indicates an integer of 000. )

【化2】 (一般式(2)中、R4は水素原子または炭素数1以上
の1価の有機基を示し、R5は水素原子または炭素数1
以上の1価の有機基、含窒素有機基、含酸素有機基のい
ずれかを示し、R6は炭素数1以上の1価の有機基を示
す。)
Embedded image (In the general formula (2), R4 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms, and R5 represents a hydrogen atom or 1 carbon atom.
Any of the above monovalent organic groups, nitrogen-containing organic groups, and oxygen-containing organic groups is shown, and R6 is a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. )

【化3】 (一般式(3)中、R7は炭素数1以上の2価の有機
基、含窒素有機基、含酸素有機基のいずれかを示し、R
8は炭素数1以上の1価の有機基を示す。)
Embedded image (In the general formula (3), R7 represents any one of a divalent organic group having 1 or more carbon atoms, a nitrogen-containing organic group, and an oxygen-containing organic group;
8 represents a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. )

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0019[Correction target item name] 0019

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0019】一般式(1)で表されるポリマーに対する
一般式(2)または一般式(3)のいずれか一種類以上
の化合物の割合は、前者ポリマー中のカルボキシル基/
後者化合物の総量(モル比)が100/1から100/
1000である。好ましくは、100/10から100
500であり、より好ましくは、100/20から1
00/200である。最適な割合は、一般式(1)で表
されるポリマーの構造および適用されるべきパターン加
工のプロセス条件を考慮することによって決定される。
処理後のポリマー中の残存カルボキシル基量は、0.0
01から5モル/kgであることが好ましく、さらに2
モル/kg以下であることがより好ましい。
The ratio of the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) to the polymer represented by the general formula (1) is determined by the ratio of the carboxyl group /
The total amount (molar ratio) of the latter compound is from 100/1 to 100 /
1000. Preferably, 100/10 to 100
/ 500 , more preferably from 100/20 to 1
Is a 00/200. The optimum ratio is determined by considering the structure of the polymer represented by the general formula (1) and the process conditions of pattern processing to be applied.
The amount of residual carboxyl groups in the polymer after the treatment is 0.0%
It is preferably from 0.01 to 5 mol / kg, more preferably from 2 to 5 mol / kg.
More preferably, it is not more than mol / kg.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0026[Correction target item name] 0026

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0026】本発明の感光性樹脂組成物は、接着助剤と
して、有機シラン化合物やアルミキレート化合物を含む
ことができる。有機シラン化合物としては、例えば、3
−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、
3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−メ
タクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ
る。アルミキレート化合物としては、例えば、トリス
(アセチルアセテート)アルミニウム、アセチルアセテ
ートアルミニウムジイソプロピレート等が挙げられる。
接着助剤は、アルカリ可溶性ポリマー100重量部に対
して、0.1から20重量部、好ましくは1から10重
量部の範囲で使用される。 ─────────────────────────────────────────────────────
The photosensitive resin composition of the present invention can contain an organic silane compound or an aluminum chelate compound as an adhesion aid. As the organic silane compound, for example, 3
-Aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane,
3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and the like. Examples of the aluminum chelate compound include aluminum tris (acetylacetate) and aluminum acetylacetate diisopropylate.
The adhesion aid is used in an amount of 0.1 to 20 parts by weight, preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble polymer. ────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年9月27日(1999.9.2
7)
[Submission date] September 27, 1999 (September 9, 1999
7)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0016】一般式(3)で表される化合物は、環状カ
ルボニル化合物のアセタールまたはケタール化合物であ
る。R7は炭素数1以上の2価の有機基、含窒素有機
基、含酸素有機基のいずれかを示し、R8は炭素数1以
上の1価の有機基を示す。具体的には、N−メチル−2
−ピロリドンジアルキルアセタール、1,3−ジメチル
イミダゾリジノンジアルキルアセタール、炭酸エチレン
ジアルキルアセタール、炭酸プロピレンジアルキルアセ
タール、γ−ブチロラクトンジアルキルアセタール、シ
クロヘキサノンジアルキルアセタールが挙げられ、好ま
しくはN−メチル−2−ピロリドンジメチルアセター
ル、N−メチル−2−ピロリドンジエチルアセタール、
γ−ブチロラクトンジメチルアセタール、γ−ブチロラ
クトンジエチルアセタールである。
The compound represented by the general formula (3) is a cyclic carbonyl compound acetal or ketal compound. R7 represents any one of a divalent organic group having 1 or more carbon atoms, a nitrogen-containing organic group, and an oxygen-containing organic group, and R8 represents a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. Specifically, N-methyl-2
- pyrrolidone dialkyl acetals, 1,3-dimethylimidazolidinone dialkyl acetal, ethylene carbonate dialkyl acetal, propylene carbonate dialkyl acetal, .gamma.-butyrolactone dialkyl acetal, cyclohexanone di alkyl acetal and the like, preferably N- methyl-2-pyrrolidone dimethyl Acetal, N-methyl-2-pyrrolidone diethyl acetal,
γ-butyrolactone dimethyl acetal and γ-butyrolactone diethyl acetal.

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0022[Correction target item name] 0022

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0022】ポリアミノ化合物としては、1,4−フェ
ニレンジアミン、1,3−フェニレンジアミン、4,4
−ジアミノジフェニルエーテル、3,4−ジアミノジフ
ェニルエーテル、4,4−ジアミノジフェニルメタン、
3,4−ジアミノジフェニルメタン、4,4−ジアミノ
ジフェニルスルホン、3,4−ジアミノジフェニルスル
ホン、4,4−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4
−ジアミノジフェニルスルフィド等が挙げられる。
Examples of the polyamino compound, 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 4,4
-Diaminodiphenyl ether, 3,4-diaminodiphenyl ether, 4,4-diaminodiphenylmethane,
3,4-diaminodiphenylmethane, 4,4-diaminodiphenylsulfone, 3,4-diaminodiphenylsulfone, 4,4-diaminodiphenylsulfide, 3,4
-Diaminodiphenyl sulfide and the like.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0023[Correction target item name] 0023

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0023】また、ポリヒドロキシポリアミノ化合物と
しては、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ジヒドロ
キシベンジジン等が挙げられる。
Further, as the polyhydroxy amino compounds, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 3,3'-dihydroxy-benzidine, and the like.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 H01L 21/30 502R Fターム(参考) 2H025 AA01 AA04 AA10 AB16 AB17 AC01 AD03 BE01 CB25 CB52 FA03 FA17 FA29 4J043 ZB22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/027 H01L 21/30 502R F-term (Reference) 2H025 AA01 AA04 AA10 AB16 AB17 AC01 AD03 BE01 CB25 CB52 FA03 FA17 FA29 4J043 ZB22

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】アルカリ可溶性ポリマーとo−キノンジア
ジド化合物からなるポジ型感光性樹脂組成物の製造方法
にであって、下記一般式(1)で表されるアルカリ可溶
性ポリマーを下記一般式(2)または一般式(3)のい
ずれかで表される、少なくとも一種類以上の化合物で処
理することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物の製造
方法。 【化1】 (一般式(1)中、R1は炭素数2以上の3または4価
の有機基を示し、R2は炭素数2以上の2価の有機基を
示し、R3は水素原子または炭素数1以上の1価の有機
基を示す。mは1または2の整数を示し、nは3から1
000の整数を示す。) 【化2】 (一般式(2)中、R4は水素原子または炭素数1以上
の1価の有機基を示し、R5は水素原子または炭素数1
以上の1価の有機基、含窒素有機基、含酸素有機基のい
ずれかを示し、R6は炭素数1以上の1価の有機基を示
す。) 【化3】 (一般式(3)中、R7は炭素数1以上の2価の有機
基、含窒素有機基、含酸素有機基のいずれかを示し、R
8は炭素数1以上の1価の有機基を示す。)
1. A method for producing a positive photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble polymer and an o-quinonediazide compound, wherein the alkali-soluble polymer represented by the following general formula (1) is replaced by the following general formula (2) Alternatively, a method for producing a positive photosensitive resin composition, comprising treating with at least one compound represented by any of the general formulas (3). Embedded image (In the general formula (1), R1 represents a trivalent or tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, R2 represents a divalent organic group having 2 or more carbon atoms, and R3 represents a hydrogen atom or a carbon atom having 1 or more carbon atoms. Represents a monovalent organic group, m represents an integer of 1 or 2, and n represents 3 to 1.
Indicates an integer of 000. ) (In the general formula (2), R4 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms, and R5 represents a hydrogen atom or 1 carbon atom.
Any of the above monovalent organic groups, nitrogen-containing organic groups, and oxygen-containing organic groups is shown, and R6 is a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. ) (In the general formula (3), R7 represents any one of a divalent organic group having 1 or more carbon atoms, a nitrogen-containing organic group, and an oxygen-containing organic group;
8 represents a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. )
【請求項2】一般式(1)で表されるアルカリ可溶性ポ
リマーをN,N−ジメチルホルムアミドジアルキルアセ
タールで処理することを特徴とする請求項1記載のポジ
型感光性樹脂組成物の製造方法。
2. The method for producing a positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the alkali-soluble polymer represented by the general formula (1) is treated with an N, N-dimethylformamide dialkyl acetal.
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