JP2000113851A

JP2000113851A - 電子増倍管およびマルチチャンネルプレートならびにそれらの製造方法

Info

Publication number: JP2000113851A
Application number: JP10296036A
Authority: JP
Inventors: Chikao Kimura; 親夫木村; Takashi Sato; 高佐藤; Fumio Takamura; 文雄高村
Original assignee: New Japan Radio Co Ltd
Current assignee: New Japan Radio Co Ltd
Priority date: 1998-10-01
Filing date: 1998-10-01
Publication date: 2000-04-21

Abstract

(57)【要約】【課題】二次電子の放出率が高い電子増倍面を有する
電子増倍管、マルチチャンネルプレート、およびその製
造方法を提供する。【解決手段】板状の絶縁性基体１と、その絶縁性基体
１に貫通孔が設けられその貫通孔の内壁面に電子の衝突
により二次電子を放出する電子増倍面３が形成されるチ
ャンネル２と、その電子増倍面３に電圧を印加するた
め、絶縁性基体１の両面にそれぞれ設けられるカソード
電極４およびアノード電極５とからなっている。そし
て、絶縁性基体１の少なくとも前記電子増倍面３がダイ
ヤモンドまたはダイヤモンドライクカーボンにより形成
されるか、チャンネル２に屈曲部２ａが形成される構造
にする。電子増倍面３をダイヤモンドにより形成するに
は、ワイヤの表面にダイヤモンドを析出させた後にワイ
ヤをエッチングにより除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イメージインテン
シファイア、光電子増幅器などに用いられる電子増倍
管、マルチチャンネルプレートおよびそれらの製造方法
に関する。さらに詳しくは、チャンネル構造を改良する
ことにより、電子増倍率を向上させ得る電子増倍管、マ
ルチチャンネルプレートおよびそれらの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】二次電子放出現象を利用した電子増倍管
は、光電子増倍管をはじめとして広く実用化されてい
る。電子増倍管は、ガラスパイプやセラミックパイプの
内壁をチャンネルとして、そのチャンネル壁面に電界に
よって加速された電子を衝突させることにより、複数個
の二次電子を発生させる機構になっている。この電子増
倍管をマイクロサイズ化して高密度に集積化することに
より、平面構造のマルチチャンネルプレートが形成さ
れ、イメージインテンシファイアなどのイメージデバイ
スに用いられている。近年、このイメージデバイスに対
する要求は、高密度、高感度、高速動作、広ダイナミッ
クレンジへと一層の高性能化が要求されている。そのた
め、電子増倍管に対してこれらの高性能化を満たすた
め、電子増倍率の向上が要求されている。

【０００３】電子増倍管の電子増倍率は、主として、材
料に基づく電子増倍面の二次電子放出特性、電子が壁面
に衝突する回数およびそのエネルギーに依存する。した
がって、電子増倍率を向上させるためには、（１）高二
次電子放出率の材料を使用する方法、（２）チャンネル
を長くして衝突回数を増やす方法、が有効である。

【０００４】従来の電子増倍管は、パイプ状の内壁面を
形成する必要性から、たとえば鉛ガラスのようなガラス
やセラミックスなどが用いられている。従来のマルチチ
ャンネルプレートは、束ねたガラスパイプを加熱、軟化
させた状態で引き伸ばすことにより多数のパイプを有す
るプレートを形成したり、特開平４−８７２４７号公報
に示されるように、高鉛ガラスの基板にエッチングによ
りパイプを形成し、水素のような還元性ガス雰囲気で熱
処理をすることにより形成されている。

【０００５】また、電子の衝突回数を増やすため、チャ
ンネルの開口面積を変えずに単にチャンネルを長くする
と、両端に印加する電圧を高くする必要があり、デバイ
スの使用電圧が高くなるため、単に使いにくくなるばか
りでなく、壁面への残留ガスイオン衝撃による損傷を増
加させるという欠点があり、望ましい改善策とはいえな
い。さらに、このようなパイプに平行な方向から入射す
る電子はチャンネルの壁面に衝突する回数が少ないため
電子増倍機能が増大しない。このような問題を解決する
ため、たとえば特開平４−８７２４７号公報に示され、
図４（ａ）〜（ｂ）に示されるように、マルチチャンネ
ルプレートのチャンネル２２をプレート２１の面２１ａ
に対して斜めにしたり、チャンネル２２の径を電子入射
側から電子出射側に向かって徐々に小さくすることによ
り、入射する電子が、チャンネル２２の内壁面に衝突し
やすくして、二次電子を増大させる方法が考えられてい
る。なお、図４で２４はカソード電極（入力側）、２５
はアノード電極（出力側）をそれぞれ示す。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の電子を衝突させ
る電子増倍面がガラスやセラミックスにより構成される
電子増倍管では、二次電子放出率が低いと共に、抵抗が
大きく高電圧を印加して電子を加速しないと、必要な二
次電子増倍が得られないという問題がある。一方、高二
次電子放出率を有する材料として、ダイヤモンドの（１
１１）面が負の電子親和力を有するため二次電子放出率
が大きく入出力間に印加する電圧が低くできることが知
られているが、ダイヤモンドによりパイプを作ることは
技術的に困難で、実用化されていない。

【０００７】また、電子を衝突させる回数を増加させる
ため、チャンネルをプレート面に対して斜めに傾けた
り、その径を出力側で小さくなるように徐々にその径を
変化させても、電子増倍面を構成するパイプと平行に入
射する電子は殆ど衝突することがなく、充分には二次電
子の放射に寄与せず、高い電子増倍率が得られないとい
う問題がある。

【０００８】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、二次電子の放出率が高いダイヤモン
ドを使用した電子増倍管、マルチチャンネルプレート、
およびそれらの製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】本発明の他の目的は、チャンネル長を極端
に長くすることなく確実に電子の衝突回数を増やすこと
ができる構造にして電子増倍率を向上することができる
電子増倍管およびマルチチャンネルプレートを提供する
ことにある。

【００１０】本発明のさらに他の目的は、電子増倍率を
高くすることができる電子増倍面の構造およびそれらの
製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の電子増倍管は、
板状の絶縁性基体と、該絶縁性基体に貫通孔が設けられ
該貫通孔の内壁面に電子の衝突により二次電子を放出す
る電子増倍面が形成されるチャンネルと、前記電子増倍
面に電圧を印加するため前記絶縁性基体の両面にそれぞ
れ設けられる電極とを有し、前記絶縁性基体の少なくと
も前記電子増倍面がダイヤモンドまたはダイヤモンドラ
イクカーボンからなっている。

【００１２】ここにダイヤモンドライクカーボンとは、
純粋なダイヤモンドの他に、グラファイトやアモルファ
スカーボンのようなカーボンも含む意味である。

【００１３】この構成にすることにより、電子親和力を
有するダイヤモンドを電子増倍面にしているため、電子
放出率が大きく、電子増倍率を向上させることができ
る。

【００１４】前記チャンネルが、少なくとも１か所に屈
曲部を有するように形成されていることが、電子の電子
増倍面での衝突を多くすることができるため好ましい。

【００１５】本発明の電子増倍管の他の形態は、板状の
絶縁性基体と、該絶縁性基体に貫通孔が設けられ該貫通
孔の内壁面に電子の衝突により二次電子を放出する電子
増倍面が形成されるチャンネルと、前記電子増倍面に電
圧を印加するため前記絶縁性基体の両面にそれぞれ設け
られる電極とを有し、前記チャンネルが少なくとも１か
所に屈曲部を有するように形成されている。この構造に
することにより、電子増倍面での電子の衝突回数を増大
させることができるため、電子増倍率を向上させること
ができる。

【００１６】前記電子増倍面に不純物がドーピングされ
て所望の抵抗値にされることにより、内部にキャリアを
有するためより多くの二次電子を放出することができる
と共に、両電極間の抵抗が下がり、低電圧で駆動するこ
とができるため好ましい。

【００１７】前記電子増倍面の表面に凹凸が形成されて
いることにより、核発生密度を飛躍的に高めることがで
き、二次電子増倍率を向上させることができる。

【００１８】絶縁性基体に電子増倍面が複数個設けられ
ることによりマルチチャンネルが形成され、該マルチチ
ャンネルのそれぞれのチャンネルに前記チャンネルの各
構造を適用することにより、前述のそれぞれの特性を有
するマルチチャンネルプレートが得られる。

【００１９】本発明の電子増倍管の製造方法は、（ａ）
ワイヤの表面にダイヤモンド膜を被膜し、（ｂ）該ダイ
ヤモンド膜を被膜したワイヤを絶縁基体により固着し、
（ｃ）前記ワイヤが固着された絶縁基体を板状体に切断
し、（ｄ）前記ワイヤをエッチングにより除去し、
（ｅ）前記板状体の両面にそれぞれ電極を形成すること
を特徴とする。

【００２０】前記（ｂ）工程で、ダイヤモンドを被膜し
たワイヤを複数本束ねて固着することにより、マルチチ
ャンネルプレートを形成することができる。

【００２１】前記ワイヤの少なくとも１か所に屈曲部を
形成してから前記ダイヤモンド膜を被膜するか、前記
（ｃ）工程で、板状体を前記ワイヤに対する垂直面から
傾けて形成し、該板状体を少なくとも２枚前記ワイヤが
接続するように貼着することにより、チャンネルに屈曲
部を有する電子増倍管またはマルチチャンネルプレート
を得ることができる。

【００２２】前記ダイヤモンド膜を被膜する少なくとも
初期段階に不純物をドーピングすることにより、前記ワ
イヤが除去されて露出するダイヤモンド膜の表面を所望
の抵抗値に形成することができる。

【００２３】前記ワイヤの表面に高融点金属微粒子を煙
着することにより凹凸を形成したり、前記ワイヤに金属
ワイヤを用い、該金属ワイヤの表面を酸化させ、または
高融点金属酸化物を前記ワイヤの表面に煙着し、その後
還元することにより表面に凹凸を形成してから前記ダイ
ヤモンド膜を被膜することにより、核発生密度を高めて
二次電子を放出しやすいダイヤモンド膜を成膜すること
ができると共に、表面積の大きい電子増倍面を形成する
ことができ、高二次電子増倍面を形成することができ
る。ここに煙着とは、数十〜数百Ｔｏｒｒの不活性ガス
または不活性ガスと酸素の混合ガス中で、物質を蒸発さ
せ、蒸発物質が蒸発源の近傍でガス分子と衝突後、凝縮
してクラスタ（微粒子）を形成し基板上に微粒子を成長
する気相成長法である。

【００２４】前記ワイヤの表面に白金族の金属微粒子を
被膜した後、前記ダイヤモンド膜を被膜することによ
り、電子放出に有効な（１１１）面のダイヤモンドの結
晶面を形成しやすいため好ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の電子増倍管、マルチチャンネルプレートおよびそれ
らの製造方法について説明をする。

【００２６】本発明による電子増倍管は、図１にマルチ
チャンネルプレートの一実施形態の断面説明図および斜
視図が示されるように、板状の絶縁性基体１と、その絶
縁性基体１に貫通孔が設けられその貫通孔の内壁面に電
子の衝突により二次電子を放出する電子増倍面３が形成
されるチャンネル２と、その電子増倍面３に電圧を印加
するため、絶縁性基体１の両面にそれぞれ設けられるカ
ソード電極４およびアノード電極５とからなっている。
そして、絶縁性基体１の少なくとも前記電子増倍面３が
ダイヤモンドまたはダイヤモンドライクカーボンからな
っていることに特徴がある。

【００２７】絶縁基体１は、たとえば樹脂やガラスから
なり、図１（ｂ）に斜視図が示されるように、貫通孔の
内面に電子増倍面３が形成されたチャンネル２が設けら
れており、少なくともその電子増倍面３はダイヤモンド
からなっている。すなわち、電子増倍面３を構成するダ
イヤモンドは、カーボンを結晶成長させたもので、完全
な単結晶になっていなくても、多結晶の構造になってい
てもよい。このカーボン膜の周囲は、エポキシ樹脂など
の樹脂や、鉛ガラスなどのガラスにより固着されてお
り、このカーボン膜および樹脂などにより絶縁性基体１
が０.５〜１ｍｍ程度の厚さで、マルチチャンネルプレ
ートを形成するには、たとえば直径が６ｃｍ程度に形成
されている。

【００２８】チャンネル２は、直径が０.０４〜０.１ｍ
ｍ程度で、たとえばイメージインテンシファイア用のマ
ルチチャンネルプレートを形成するには、３６万〜１４
０万個程度形成されている。このチャンネル２の内面
は、前述のように、二次電子放射率の高いダイヤモンド
膜が設けられており、電子増倍面３が形成されている。
そして、図１に示される例では、このチャンネル２に屈
曲部２ａが１か所設けられており、縦断面形状がく字型
に形成されている。この屈曲部の角度は、あまり大きく
曲げると電子の通過が困難になり、小さすぎると電子の
衝突回数を増やす効果が得られない。そのため、たとえ
ばマルチチャンネルプレート面に垂直方向に対するチャ
ンネルの傾き角θ（図１（ａ）参照）が、１０〜４５゜
の範囲に入るように屈曲部２ａを設けることが好まし
い。また、屈曲部の数は、図１に示されるように、マル
チチャンネルプレートの厚さの中心部に１か所だけ設け
られることにより、チャンネルの入力側と出力側が平面
的に同じ位置になり、入力する画像情報と出力する画像
情報の位置ずれが少なくなるため好ましいが、屈曲部を
２以上にしても、同様に入力側と出力側の位置を平面的
に同じ位置になるように形成することができ、屈曲部の
浅い角度に対しても電子の衝突回数を増やすことがで
き、屈曲部の数には限定されない。

【００２９】チャンネル２の内面の電子増倍面３は、凹
凸が形成されていることが、表面積が大きくなり、二次
電子を放出しやすくなること、二次電子を放出しやすい
ダイヤモンド粒子を増大させる核発生密度を飛躍的に向
上させることができるため好ましい。

【００３０】電極４、５は、電子増倍面３に電位を印加
するためのもので、Ａｕ／Ｔｉ、Ａｌなどの金属をスパ
ッタリングまたは真空蒸着により０.５〜２μｍ程度の
厚さに形成される。この際、チャンネル２内に電極用金
属が付着しないように、レジストをチャンネル２内に含
浸させてからスパッタリングまたは真空蒸着をする。

【００３１】つぎに、図１に示される電子増倍管の製造
方法を図２を参照しながら説明する。まず、図２（ａ）
に示されるように、たとえばタングステンまたはモリブ
デンなどからなる４０〜１００μｍφ程度の太さの金属
ワイヤ７を屈曲させて屈曲部７ａを形成する。このワイ
ヤ７は、前述のようにタングステンなどの高融点金属材
料がダイヤモンド膜の合成の点から好ましいが、高融点
金属材料以外にも、銅、白金などを使用することができ
る。

【００３２】つぎに、図２（ｂ）に示されるように、ワ
イヤ７の周囲にダイヤモンド膜３ａを成長させる。具体
的には、ダイヤモンド膜合成装置内にワイヤ７をセッテ
ィングし、反応ガスのメタンおよび酸素を、キャリアガ
スの水素と共に導入し、８００〜１０００℃で反応させ
るマイクロ波プラズマ法により、金属ワイヤ７の表面に
ダイヤモンド膜３ａが成長する。この際、ワイヤ７が白
金であれば、（１１１）面の結晶面でダイヤモンド結晶
層が成長する。２〜５μｍ程度の厚さ成長した後に、熱
フィラメント法により成長を続け、トータルとして２０
〜５０μｍ程度の厚さにダイヤモンド膜３ａを成長す
る。このように、初期段階でマイクロ波プラズマ法を用
いることにより、高密度プラズマのため、ワイヤ７の表
面へのダイヤモンド粒子の核発生密度を高めることがで
き、電子放出が可能なダイヤモンド粒子を増大させるこ
とができる点で好ましく、また、成長中期以降に熱フィ
ラメント法を用いることにより、成膜速度を早くするこ
とができるため好ましい。しかし、これらの方法以外に
も燃焼炎法、プラズマジェット法などのＣＶＤ法により
ダイヤモンドの結晶を成長させることができる。

【００３３】つぎに、図２（ｃ）に示されるように、ダ
イヤモンド膜３ａが被膜されたワイヤ７を複数本束ね、
たとえばエポキシ樹脂などの樹脂や鉛ガラスなどのガラ
スにより接着してロッド状にする。その後、ロッド状に
した複数の金属ワイヤ群を切断することにより、図２
（ｄ）に示されるような板状体にする。なお、図２では
ダイヤモンド膜３ａを被膜したワイヤ７間の間隙が示さ
れていないが、その間隙部には樹脂またはガラスが充填
されており、ダイヤモンド膜３ａと共に絶縁性基体１を
構成している。なお、図２（ｄ）で、中間部分のダイヤ
モンド膜３ａを被膜したワイヤ７の図示は省略されてい
る。

【００３４】その後、図２（ｅ）に示されるように、切
断面をダイヤモンド粉末により研磨し、塩酸、硫酸など
のエッチング液を用いて金属ワイヤ７をエッチングする
ことにより、貫通孔としチャンネル２を形成する。

【００３５】その後、チャンネル２をレジストなどの含
浸により閉塞し、スパッタリングまたは真空蒸着法によ
り、Ａｕ／ＴｉまたはＡｌなどの金属を板状体の両面に
成膜し、カソード電極４およびアノード電極５を形成す
ることにより、図１（ａ）に示されるようなマルチチャ
ンネルプレートを形成することができる。

【００３６】本発明によれば、電子増倍管の電子増倍面
をダイヤモンド膜またはダイヤモンドライクカーボンに
より形成しているため、高い二次電子放射率を得ること
ができ、高い電子増倍率を得ることができる。

【００３７】さらに、チャンネルに少なくとも１か所の
屈曲部を設けることにより、チャンネルと平行に入射し
てきた電子でも必ず電子増倍面と衝突し、その衝突によ
り発生した二次電子がさらに電子増倍面に衝突し、電子
の衝突回数を増やすことができ、電子増倍率が向上す
る。しかも、屈曲部が設けられることにより、入射側と
出力側との平面的位置のずれをなくすることができ、入
射する画像情報と出力する画像情報の位置ずれをなくす
ることができる。この屈曲部による効果は、電子増倍面
がダイヤモンド膜で形成されていなくても得られる。

【００３８】さらに、本発明の製造方法によれば、ワイ
ヤの表面にダイヤモンド膜またはダイヤモンドライクカ
ーボンを結晶成長させてから、ワイヤをエッチングによ
り除去しているため、二次電子放射率の高いダイヤモン
ドを電子増倍面としたチャンネルを簡単に製造すること
ができ、非常に電子増倍率の高い電子増倍管を得ること
ができる。

【００３９】図３は、本発明のマルチチャンネルプレー
トの製造方法の他の例の説明図である。すなわち、前述
の例では、ワイヤ７に屈曲部を形成し、そのワイヤ７に
ダイヤモンド膜３ａを被膜して束ねることによりマルチ
チャンネル構造を形成したが、図３に示される例は、ワ
イヤは直線のままで、プレート８に加工する（切り出
す）際に、プレート面８ａをワイヤに直角ではなく、斜
めになるようにプレート８を形成し（図３（ａ）参
照）、同様に形成したプレート８をワイヤ７部分が接続
されるようにエポキシ樹脂により貼着することにより、
ワイヤの屈曲部を形成する（図３（ｂ）参照）もので、
その後の工程は、前述と同様にワイヤをエッチングによ
り除去し、電極を形成することによりチャンネル２に屈
曲部２ａが形成されたマルチチャンネルプレートを形成
することができる。この方法を用いることにより、曲っ
たワイヤを一定の場所に屈曲部を有するように束ねる作
業がなく、容易に屈曲部を有するマルチチャンネルを製
造することができる。

【００４０】前述の各例では、ワイヤ７へのダイヤモン
ド膜３ａの成長を純粋なダイヤモンドの成長により行っ
たが、ダイヤモンドの成長の際に、ジボラン（Ｂ
₂Ｈ₄）ガス、またはホスフィン（ＰＨ₃）を反応ガス
と共に導入することにより、ホウ素（Ｂ）またはリン
（Ｐ）をドーピングしたダイヤモンド膜を成長させて抵
抗値を下げることができ、その混合割合に応じて所望の
表面抵抗値に形成することができる。この不純物をドー
ピングすることにより、ダイヤモンドはその内部にキャ
リアを有するため、より多くの二次電子を放出させるこ
とができると共に、両端間に印加する電圧を低くしても
所望の二次電子を得ることができる。

【００４１】また、前述の各例では、ワイヤ上に直接ダ
イヤモンド膜を成長したが、ワイヤの表面にタングステ
ンなどの高融点金属の微粒子を煙着法により設けた後
に、前述の方法によりダイヤモンド膜を成長することに
より、ダイヤモンドの核発生密度を飛躍的に高めること
ができる。核発生密度とは、単位面積当りの核発生数の
ことであり、核発生密度の増大は、電子放出可能なダイ
ヤモンド粒子の増大を意味し、より二次電子増倍率を高
くしたマルチチャンネルプレートを得ることができる。

【００４２】核発生密度を向上させる他の方法として、
金属ワイヤを陽極酸化、酸化性雰囲気による酸化、水蒸
気による酸化などにより表面を酸化させ、さらに還元す
ることにより金属ワイヤの表面に微小な荒れを形成し、
その後にダイヤモンドを析出させてもよい。この酸化お
よび還元の工程が施された金属ワイヤの表面は微小なダ
メージを受けているため、ダイヤモンドの核が生成され
やすいサイトが多数存在する。この表面にダイヤモンド
を析出させる場合、表面が未処理の場合に比べ、核発生
密度が増大し、上記微粒子を付着させたときと同様の効
果を有する高二次電子増倍率のマルチチャンネルプレー
トを得ることができる。

【００４３】また、上記タングステン微粒子の代りに、
白金黒などの白金族微粒子を付着させたワイヤの表面に
ダイヤモンドを析出させてもよい。白金上に析出するダ
イヤモンドは、電子放出に有効な（１１１）面が成長し
やすいことが知られている。この（１１１）面は、前述
のようにとくに二次電子の放射率が高く、より高二次電
子増倍率のマルチチャンネルプレートを得ることができ
る。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、非常に電子増倍率を向
上させた電子増倍管を得ることができる。その結果、こ
の電子増倍管を多数束ねたマルチチャンネルプレートを
用いることにより高感度なイメージインテンシファイア
を得ることができ、近年の高性能化の要求を満たすこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子増倍管を用いたマルチチャンネル
プレートの一実施形態の断面および斜視説明図である。

【図２】図１のマルチチャンネルプレートの製造工程を
示す図である。

【図３】本発明のマルチチャンネルプレートの製造方法
の他の例の説明図である。

【図４】従来のマルチチャンネルプレートの断面説明図
である。

【符号の説明】

１絶縁性基体２チャンネル２ａ屈曲部３電子増倍面３ａダイヤモンド膜４カソード電極５アノード電極７ワイヤ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】板状の絶縁性基体と、該絶縁性基体に貫
通孔が設けられ該貫通孔の内壁面に電子の衝突により二
次電子を放出する電子増倍面が形成されるチャンネル
と、前記電子増倍面に電圧を印加するため前記絶縁性基
体の両面にそれぞれ設けられる電極とを有し、前記絶縁
性基体の少なくとも前記電子増倍面がダイヤモンドまた
はダイヤモンドライクカーボンからなる電子増倍管。
【請求項２】前記チャンネルが、少なくとも１か所に
屈曲部を有するように形成されてなる請求項１記載の電
子増倍管。
【請求項３】板状の絶縁性基体と、該絶縁性基体に貫
通孔が設けられ該貫通孔の内壁面に電子の衝突により二
次電子を放出する電子増倍面が形成されるチャンネル
と、前記電子増倍面に電圧を印加するため前記絶縁性基
体の両面にそれぞれ設けられる電極とを有し、前記チャ
ンネルが少なくとも１か所に屈曲部を有するように形成
されてなる電子増倍管。
【請求項４】前記電子増倍面に不純物がドーピングさ
れて所望の抵抗値に形成されてなる請求項１、２または
３記載の電子増倍管。
【請求項５】前記電子増倍面の表面に凹凸が形成され
てなる請求項１、２、３または４記載の電子増倍管。
【請求項６】板状の絶縁性基体と、該絶縁性基体に電
子増倍面が複数個設けられることにより形成されるマル
チチャンネルと、該マルチチャンネルの両端部にそれぞ
れ設けられる電極とからなり、前記マルチチャンネルの
それぞれのチャンネルが請求項１、２、３、４または５
記載のチャンネルの構造であるマルチチャンネルプレー
ト。
【請求項７】（ａ）ワイヤの表面にダイヤモンド膜を
被膜し、（ｂ）該ダイヤモンド膜を被膜したワイヤを絶
縁基体により固着し、（ｃ）前記ワイヤが固着された絶
縁基体を板状体に加工し、（ｄ）前記ワイヤをエッチン
グにより除去し、（ｅ）前記板状体の両面にそれぞれ電
極を形成することを特徴とする電子増倍管の製造方法。
【請求項８】請求項７の製造方法において、（ｂ）工
程で、ダイヤモンドを被膜したワイヤを複数本束ねて固
着することによりマルチチャンネルプレートを形成する
マルチチャンネルプレートの製造方法。
【請求項９】前記ワイヤの少なくとも１か所に屈曲部
を形成してから前記ダイヤモンド膜を被膜する請求項７
または８記載の製造方法。
【請求項１０】前記（ｃ）工程で、板状体を前記ワイ
ヤに対する垂直面から傾けて形成し、該板状体を少なく
とも２枚前記ワイヤが接続するように貼着し、前記ワイ
ヤをエッチングにより除去する請求項７または８記載の
製造方法。
【請求項１１】前記ダイヤモンド膜を被膜する少なく
とも初期段階に不純物をドーピングすることにより、前
記ワイヤが除去されて露出するダイヤモンド膜の表面を
所望の抵抗値に形成する請求項７、８、９または１０記
載の製造方法。
【請求項１２】前記ワイヤの表面に高融点金属微粒子
を煙着することにより凹凸を形成し、その後前記ダイヤ
モンド膜を被膜する請求項７、８、９、１０または１１
記載の製造方法。
【請求項１３】前記ワイヤに金属ワイヤを用い、該金
属ワイヤの表面を酸化させ、または高融点金属酸化物を
前記ワイヤの表面に煙着し、その後還元することにより
表面に凹凸を形成してから前記ダイヤモンド膜を被膜す
る請求項７、８、９、１０または１１記載の製造方法。
【請求項１４】前記ワイヤの表面に白金族の金属微粒
子を被膜した後、前記ダイヤモンド膜を被膜する請求項
７、８、９、１０、１１、１２または１３記載の製造方
法。