JP2000105943A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 再生特性が低下せずＣＤ−ＲまたはＤＶＤと
光磁気記録媒体とを互換再生できる光ピックアップ装
置。 【解決手段】 光ピックアップ装置１０は、光源１、第
１の光学素子２、補正板１１、ハーフミラー３、コリメ
ータレンズ４、第２の光学素子５、対物レンズ６、ウォ
ラストンプリズム８と、光検出器９とを備える。光源
は、波長６５０ｎｍ用第１の半導体レーザ１Ａと、波長
７８０ｎｍ用第２の半導体レーザ１Ｂとを含み、第１の
半導体レーザと第２の半導体レーザとはレーザ駆動回路
１００により選択駆動する。第１の光学素子は、波長６
５０ｎｍと７８０ｎｍのレーザ光との光軸ずれを補正す
る。補正板は、第１の光学素子２での位相差を補正す
る。第２の光学素子は、第１の光学素子により光軸ずれ
を補正した、波長６５０ｎｍのレーザ光を透過して対物
レンズ６に入射し、波長７８０ｎｍのレーザ光を所定の
外周部を遮光し内周部のみを回折し対物レンズ６に入射
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、波長の異なる複数
のレーザ光を用いて複数種類の光ディスクを再生する光
ピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ−ＲＯＭのように半導体レーザを用
いて情報を読み出す約１．２ｍｍの厚さの光ディスクが
提供されている。この種の光ディスクではピックアップ
用対物レンズにフォーカスサーボ及びトラッキングサー
ボを行うことにより、信号記録面のピット列にレーザビ
ームを照射させ、信号を再生している。

【０００３】また、ＣＤと同じ記録密度を有し、１回だ
け記録が可能なＣＤ−Ｒが実用化されようとしている。
更に、最近では長時間の動画を記録するための高密度が
進んでいる。例えば、ＣＤ−ＲＯＭと同じ直径１２ｃｍ
の光ディスクに、片面で４．７Ｇｂｙｔｅｓの情報を記
録するＤＶＤが発売されている。ＤＶＤのディスク厚は
約０．６ｍｍであり、これを両面貼り合わせることによ
り、１枚で９．４Ｇｂｙｔｅｓの情報を記録できる。

【０００４】また、更に、信号の再生に用いられるレー
ザビームの短波長化も進行し、現在、主に用いられてい
る波長６３５ｎｍのレーザビームより波長の短い４００
〜５００ｎｍの波長を有するブルーレーザも開発されて
いる。従って、今後、現在のＤＶＤより更にピットが小
さく、トラックピッチも狭い次世代のＤＶＤの実用化が
予想され、その基板表面から信号記録面までの距離は
０．６ｍｍ以下となることが想定される。

【０００５】また、更に、書き換え可能で、記憶容量が
大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として光磁気記録
媒体が注目されており、コンピュータメモリ等として実
用化され始めており、最近では、記録容量が６．０Ｇｂ
ｙｔｅｓの光磁気記録媒体の規格化も進められ、実用化
されようとしている。この光磁気記録媒体からの信号の
再生は、レーザ光を照射することにより、光磁気記録媒
体の記録層の磁区を再生層へ転写すると共に、その転写
した磁区だけを検出できるように再生層に検出窓を形成
し、その形成した検出窓から転写した磁区を検出するＭ
ＳＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓ
ｕｐｅｒ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）法により行われてい
る。そして、この光磁気記録媒体への信号の記録および
／または再生には、波長６００〜７００ｎｍのレーザ光
が用いられている。今後、光磁気記録媒体への信号の記
録および／または再生においても、４００〜５００ｎｍ
の範囲の波長を有するブルーレーザが用いられることが
想定される。

【０００６】これらの状況に鑑みれば、将来、ＣＤ、Ｃ
Ｄ−Ｒ、ＤＶＤ、次世代のＤＶＤ、および光磁気記録媒
体が併存することが想定され、これらの光ディスクを互
換再生し、記録可能な光ディスクには信号を記録できる
光ピックアップ装置が必要となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＤ−Ｒに用
いられている記録膜は、図２７に示すように波長７８０
ｎｍ付近に反射率のピークがあり、７８０ｎｍより短波
長側、および長波長側では、反射率が１０％以下と非常
に低く、波長６３５ｎｍのレーザ光を用いてはＣＤ−Ｒ
に記録や再生を行うことができないという問題がある。
従って、波長６３５ｎｍのレーザ光のみではＣＤ−Ｒと
ＤＶＤとの互換再生を行うことができない。

【０００８】かかる問題を解決するために、波長６３５
ｎｍのレーザ光を生成する半導体レーザと、波長７８０
ｎｍのレーザ光を生成する半導体レーザとを１つの光ピ
ックアップ装置に搭載することが考えられるが、その場
合は、２つの半導体レーザから生成されるレーザ光の光
軸がずれているため、一方のレーザ光の光軸に光学系の
軸を一致させた場合は、他方のレーザ光を用いた場合の
再生特性が低下するという問題がある。

【０００９】また、光磁気記録媒体からの信号再生を行
うには、直線偏光のレーザ光を光磁気記録媒体に照射す
る必要がある。そこで、本願発明は、再生特性が低下す
ることなく、ＣＤ−Ｒおよび／またはＤＶＤと、光磁気
記録媒体とを互換再生できる光ピックアップ装置を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段および発明の効果】請求項
１に係る発明は、レーザ光を対物レンズにより光記録媒
体に集光照射し、光記録媒体での反射光を光検出器に導
いて信号を記録および／または再生する光ピックアップ
装置において、レーザ光生成手段と、第１の光学素子
と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、第４の光学
素子とを含む光ピックアップ装置である。

【００１１】レーザ光生成手段は、第１の波長を有する
第１のレーザ光と、第１の波長と異なる第２の波長を有
する第２のレーザ光とを選択的に生成する。また、第１
の光学素子は、レーザ光生成手段により生成された第１
のレーザ光と第２のレーザ光との光軸ずれを補正する。
また、第３の光学素子は、第１の光学素子からの第１お
よび第２のレーザ光を入射し、少なくとも第１のレーザ
光を実質的に直線偏光に変換する。

【００１２】また、第２の光学素子は、第３の光学素子
からの第１および第２のレーザ光のうち、第１のレーザ
光をそのまま透過して対物レンズに入射し、第２のレー
ザ光を所定の外周部を実質的に遮光して所定の内周部の
みを回折させて対物レンズに入射する。また、第４の光
学素子は、光記録媒体からの反射光をＳ偏光成分のみの
レーザ光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分
とＰ偏光成分とが混在したレーザ光とに分離する。

【００１３】請求項１に記載された発明によれば、光軸
がずれた第１および第２のレーザ光は、第１の光学素子
によりその光軸ずれを補正され、第３の光学素子により
直線偏光に変換されるので、信号記録面でのレーザ光の
偏光面の回転角の大きさを検出して信号を再生する光磁
気記録媒体と、それ以外の光記録媒体とを互換再生でき
る。

【００１４】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
記載された光ピックアップ装置において、第１の光学素
子は、互いに平行である第１の層と第２の層とから成る
光ピックアップ装置である。請求項２に記載された発明
によれば、第１のレーザ光と第２のレーザ光との光軸の
ずれを補正する第１の光学素子は、互いに平行である第
１の層と第２の層とから成るので、簡単な構成でレーザ
光の光軸ずれを補正できる。

【００１５】また、請求項３に係る発明は、請求項２に
記載された光ピックアップ装置において、第１の層は、
第１のレーザ光を反射して第２の光学素子へ入射させ、
第２のレーザ光を第２の層へ屈折させると共に、第２の
レーザ光の第２の層での反射光を第１のレーザ光の第１
の層での反射光と同軸となるように屈折させて第２の光
学素子へ入射させ、第２の層は、第１の層で屈折された
第２のレーザ光を第１の層へ反射する光ピックアップ装
置である。

【００１６】請求項３に記載された発明によれば、選択
的なレーザ光の反射と屈折とによりレーザ光の光軸ずれ
を補正できる。また、請求項４に係る発明は、第１の層
は、第１の薄膜と第２の薄膜とを交互に積層した積層膜
から成り、第２の層は、第３の薄膜と第４の薄膜とを交
互に積層した積層膜とから成る光ピックアップ装置であ
る。

【００１７】請求項４に記載された発明によれば、第１
の光学素子を構成する第１の層と第２の層とは積層膜か
ら成るので、容易に第１の光学素子を作製できる。ま
た、請求項５に係る発明は、レーザ光を対物レンズによ
り光記録媒体に集光照射し、光記録媒体での反射光を光
検出器に導いて信号を記録および／または再生する光ピ
ックアップ装置において、レーザ光生成手段と、第１の
光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、第
４の光学素子と、第５の光学素子とを含む光ピックアッ
プ装置である。

【００１８】レーザ光生成手段は、第１の波長を有する
第１のレーザ光と、第１の波長と異なる第２の波長を有
する第２のレーザ光とを選択的に生成する。また、第１
の光学素子は、レーザ光生成手段により生成された第１
のレーザ光と第２のレーザ光との光軸ずれを補正する。
また、第３の光学素子は、第１の光学素子からの第１お
よび第２のレーザ光を入射し、少なくとも第１のレーザ
光を実質的に直線偏光に変換する。

【００１９】また、第２の光学素子は、第３の光学素子
からの第１および第２のレーザ光のうち、第１のレーザ
光をそのまま透過して対物レンズに入射し、第２のレー
ザ光を所定の外周部を実質的に遮光して所定の内周部の
みを回折させて対物レンズに入射する。また、第４の光
学素子は、光記録媒体で反射され、第１の光学素子を透
過した第１のレーザ光を実質的に直線偏光に変換する。

【００２０】また、第５の光学素子は、第４の光学素子
からのレーザ光をＳ偏光成分のみのレーザ光と、Ｐ偏光
成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混
在したレーザ光とに分離する。請求項５に記載された発
明によれば、光軸がずれた第１および第２のレーザ光
は、第１の光学素子によりその光軸ずれを補正され、第
３の光学素子により直線偏光に変換されるので、信号記
録面でのレーザ光の偏光面の回転角の大きさを検出して
信号を再生する光磁気記録媒体と、それ以外の光記録媒
体とを互換再生できる。

【００２１】また、請求項６に係る発明は、請求項５に
記載された光ピックアップ装置において、第１の光学素
子は、互いに平行である第１の層と第２の層とから成る
光ピックアップ装置である。請求項６に記載された発明
によれば、第１のレーザ光と第２のレーザ光との光軸の
ずれを補正する第１の光学素子は、互いに平行である第
１の層と第２の層とから成るので、簡単な構成でレーザ
光の光軸ずれを補正できる。

【００２２】また、請求項７に係る発明は、請求項６に
記載された光ピックアップ装置において、第１の層は、
第１のレーザ光を約半分反射すると共に、第２のレーザ
光を実質的に透過させ、第２の層は、第１のレーザ光を
実質的に透過すると共に、第２のレーザ光を約半分反射
する光ピックアップ装置である。

【００２３】請求項７に記載された発明によれば、第１
の光学素子はレーザ光を波長に応じて約半分反射または
透過して第１のレーザ光と第２のレーザ光との光軸ずれ
を補正し、光記録媒体での反射光を約半分透過して光検
出器へ導くので、ビームスプリッタのような大きな光学
部品を必要とせず、コンパクトな光ピックアップ装置を
作製できる。

【００２４】また、請求項８に係る発明は、請求項７に
記載された光ピックアップ装置において、第１の層は、
第１の薄膜と第２の薄膜とを交互に積層した積層膜から
成り、第２の層は、第３の薄膜と第４の薄膜とを交互に
積層した積層膜から成る光ピックアップ装置である。

【００２５】請求項８に記載された発明によれば、第１
の層と第２の層とは、積層膜からなるので、容易に第１
の光学素子を作製できる。

【００２６】

【発明の実施の形態】第１の実施の形態 本発明の第１の実施の形態を図を参照しつつ説明する。
図１を参照して、本願発明に係る光ピックアップ装置に
ついて説明する。光ピックアップ装置１０は、光源１
と、第１の光学素子２と、補正板１１と、ハーフミラー
３と、コリメータレンズ４と、第２の光学素子５と、対
物レンズ６と、ウォラストンプリズム８と、光検出器９
とを備える。光源１は、波長６５０（許容誤差±１５、
以下同じ。）ｎｍのレーザ光を出射する第１の半導体レ
ーザ１Ａと、波長７８０（許容誤差±１５、以下同
じ。）ｎｍのレーザ光を出射する第２の半導体レーザ１
Ｂとから成り、レーザ駆動回路１００により波長６５０
ｎｍのレーザ光と波長７８０ｎｍのレーザ光とを選択的
に生成する。本願においては、レーザ駆動回路１００と
光源１とをまとめてレーザ光生成手段という。第１の光
学素子２は、波長６５０ｎｍのレーザ光、および波長７
８０ｎｍのレーザ光を光記録媒体７（または７７）に対
して垂直な方向に反射して、２つのレーザ光の光軸を一
致させる。補正板１１は、第１の光学素子２により反射
され、楕円偏光になった波長６５０ｎｍのレーザ光と波
長７８０ｎｍのレーザ光のうち、少なくとも波長６５０
ｎｍのレーザ光を実質的に直線偏光に変換する。ハーフ
ミラー３は、補正板１１からのレーザ光を透過し、光記
録媒体７（または７７）からの反射光を光検出器９の方
へ反射する。コリメータレンズ４は、レーザ光を平行光
にする。第２の光学素子５は、波長６５０ｎｍのレーザ
光をそのまま透過し、波長７８０ｎｍのレーザ光に対し
ては、その外周部を実質的に遮光し、内周部のみを回折
して対物レンズ６に入射する。対物レンズ６は、レーザ
光を集光して光記録媒体７（または７７）の信号記録面
７ａ（または７７ａ）に照射する。ウォラストンプリズ
ム８は、光記録媒体７（または７７）での反射光を、Ｓ
偏光成分のみのレーザ光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光
と、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光とに
分離する。光検出器９は、Ｓ偏光成分のみのレーザ光
と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏光
成分とが混在したレーザ光とを検出する。

【００２７】図２、３、４、５を参照して、第１の光学
素子２について説明する。図２を参照して、第１の光学
素子２は、第１の層２１を１主面に設けたガラス２３
と、第２の層２２を１主面に設けたガラス２４とから成
り、第１の層２１と第２の層２２とは、互いに平行にな
るように構成される。波長６５０ｎｍの第１のレーザ光
ＬＢ１と波長７８０ｎｍの第２のレーザ光ＬＢ２とは、
ガラス２３の１主面に設けられた第１の層２１側から第
１の光学素子２に入射する。

【００２８】図３を参照して、第１のレーザ光ＬＢ１
は、殆ど第１の層２１で反射されてレーザ光ＬＢ３とな
る。この場合、第１のレーザ光ＬＢ１は、第１の層２１
で反射されることによりＰ偏光成分とＳ偏光成分とに１
０．８度の位相差が生じるため、レーザ光ＬＢ３は楕円
偏光となる。また、図４を参照して、第２のレーザ光Ｌ
Ｂ２は、第１の層２１を透過し、ガラス２３を通過して
ガラス２４の１主面に設けられた第２の層２２で反射さ
れる。そして、再び、ガラス２３中を通って第１の層２
１で屈折して、第１のレーザ光ＬＢ１の第１の層２１で
の反射光であるレーザ光ＬＢ３と同じレーザ光となる。
この場合、第２のレーザ光ＬＢ２は第１の層２１を透過
することによりＰ偏光成分とＳ偏光成分とに３１．７度
の位相差を生じる。また、第２のレーザ光ＬＢ２は、第
２の層２２で反射されることにより位相差は生じず、再
び第１の層２１を透過することにより３１．７度の位相
差を生じる。従って、第２のレーザ光ＬＢ２がレーザ光
ＬＢ３として反射されることにより６３．４度の位相差
を生じることになり、第２のレーザ光ＬＢ２が第１の光
学素子２で反射される場合も楕円偏光になる。第１の光
学素子２は、第１のレーザ光ＬＢ１と第２のレーザ光Ｌ
Ｂ２とをレーザ光ＬＢ３として反射する場合にレーザ光
を直線偏光から楕円偏光に変えるが、第１の光学素子２
に入射する前に光軸がずれていた第１のレーザ光ＬＢ１
と第２のレーザ光ＬＢ２との光軸を一致させるものであ
る。

【００２９】図５を参照して、第１の層２１の具体例に
ついて説明する。第１の層２１は、ＴｉＯ₂から成る第
１の薄膜２１０を４層と、ＭｇＦ₂から成る第２の薄膜
２１１を３層とを交互に積層した積層膜である。この場
合、第１の薄膜２１０の膜厚は、ＴｉＯ₂の屈折率を
２．７として５１．８ｎｍである。また、第２の薄膜２
１１の膜厚は、ＭｇＦ₂の屈折率を１．３８として１０
１ｎｍである。上記のように構成された第１の層２１の
波長６５０ｎｍのレーザ光と波長７８０ｎｍのレーザ光
とに対する光学特性は図１５に示すように、波長６５０
ｎｍのレーザ光を殆ど反射し、波長７８０ｎｍのレーザ
光を殆ど透過するものである。この場合、第１の層２１
への入射角も影響し、図３、４に示すように第１の層２
１への波長６５０ｎｍのレーザ光と波長７８０ｎｍのレ
ーザ光との入射角をθとすると、図１５の場合はθ＝３
０度である。

【００３０】また、第１の光学素子２の第２の層２２
は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）からなり、その膜厚
は１００ｎｍ程度である。この場合、第２の層２２は、
第１の層２１を透過した波長７８０ｎｍのレーザ光を８
０％以上反射する。補正板１１は、第１の光学素子２で
反射されたレーザ光ＬＢ３の楕円偏光を直線偏光に補正
するものである。補正板１１は、具体的には、水晶から
なり、その膜厚ｄは、補正板１１により補正する位相差
をσ、水晶の屈折率をｎ_o、周囲の屈折率をｎ_e、補正す
るレーザ光の波長をλｎｍとした場合、 σ＝（２π／λ）（ｎ_o−ｎ_e）ｄ・・・・・（１） で決定される。σ＝３４９．２度の場合、ｄ＝（６９．
８＋７２×ｍ）μｍ（ｍ＝０、１２、３、・・）であ
る。この場合、ｎｏ−ｎｅ＝０．００９０３、λ＝６５
０ｎｍとした。

【００３１】補正板１１は、少なくとも、光磁気記録媒
体への信号の記録および／または再生に用いる波長６５
０ｎｍのレーザ光の楕円偏光を直線偏光に補正するもの
であれば良い。ＣＤ、ＣＤ−Ｒの信号の記録や再生に用
いるレーザ光は、直線偏光、楕円偏光のいずれであって
もよいので、波長７８０ｎｍのレーザ光が第１の光学素
子２により楕円偏光に変えられても、強いてその楕円偏
光を補正する必要はない。従って、本願においては、補
正板１１の膜厚は光磁気記録媒体への信号の記録および
／または再生に用いる波長６５０ｎｍのレーザ光の楕円
偏光を補正する膜厚に設定される。

【００３２】次に、図６、７、８、９、１０、１１を参
照して、前記第２の光学素子５の詳細について説明す
る。第２の光学素子５は、外周部５ａと内周部５ｂとか
ら構成されており、外周部５ａは、波長６５０ｎｍのレ
ーザ光を、そのまま、全面的に透過し、波長７８０ｎｍ
のレーザ光のみを光軸の外側に回折し、前記対物レンズ
６に入射させない機能を有し、内周部５ｂは、波長６５
０ｎｍのレーザ光を、そのまま、全面的に透過し、波長
７８０ｎｍのレーザ光のみを回折して前記対物レンズ６
に入射させる機能を有するものである。

【００３３】図７を参照して、第２の光学素子５の断面
構造は、外周部５ａは凹凸構造であり、内周部５ｂは大
きくは三角形状であり、三角形の斜面に相当する部分は
小さな階段状になった構造である（参照図７の
（ａ））。前記外周部５ａの凹凸のピッチＬは８〜１２
μｍの範囲が適しており、三角形の斜面が小さな階段状
になった構造は、ガラスをエッチングすることにより容
易に作製できる。また、前記内周部５ｂの断面構造は図
７の（ａ）に示す構造に限らず、好ましくは、図７の
（ｂ）に示すように斜面が滑らかになった構造が適して
いる。

【００３４】また、図８、９を参照して、第２の光学素
子５は、更に、好ましくは、凹凸構造から成る外周部５
ａはガラスの一方の表面に設けられ、三角形状から成る
内周部５ｂは前記外周部５ａが設けられた表面とは異な
る他方の表面に設けられている。前記外周部５ａと前記
内周部５ｂとを異なる表面に形成する図８、９に示す構
造にすることにより第２の光学素子５の作製が容易にな
る。

【００３５】図１０を参照して、波長６５０ｎｍのレー
ザ光に対する第２の光学素子５の機能について説明す
る。波長６５０ｎｍのレーザ光は第２の光学素子５によ
って何ら影響を受けることなく、そのまま透過し、対物
レンズ６に入射し、対物レンズ６で集光されて基板厚
０．６ｍｍの光ディスクの信号記録面７ａに焦点を結
ぶ。図１１を参照して、波長７８０ｎｍのレーザ光に対
する第２の光学素子５の機能について説明する。波長７
８０ｎｍのレーザ光のうち、外周部５ａに入射する部分
は回折格子により光軸の外側に大きく回折され、対物レ
ンズ６には入射しない。また、内周部５ｂに入射するレ
ーザ光は前記三角形状により外側に回折をうけるが、外
周部５ａの如く大きな回折を受けず、対物レンズ６に入
射する。従って、第２の光学素子５の内周部５ｂにのみ
入射するレーザ光だけが対物レンズ６に到達し、該対物
レンズ６により集光されて基板厚１．２ｍｍの光ディス
クの信号記録面７７ａに焦点を結ぶ。即ち、波長７８０
ｎｍのレーザ光は第２の光学素子により実質的に遮光さ
れ、内周部だけが回折を受けて、０次光ＬＢ４と１次光
ＬＢ５が対物レンズ６に入射する。波長７８０ｎｍのレ
ーザ光の内周部に対して第２の光学素子５により回折を
起こさせ、１次光ＬＢ５を発生させているのは、対物レ
ンズ６は基板厚０．６ｍｍの光ディスク用に設計されて
いるため、波長７８０ｎｍのレーザ光の外周部を遮光し
ただけでは、厚さ１．２ｍｍの基板に入射した場合に収
差が発生するので、この収差を小さくするためである。
従って、回折により発生した０次光ＬＢ４、１次光ＬＢ
５による対物レンズ６の実効的開口数が０．４５になる
ように第２の光学素子５の内周部５ｂの直径、回折を起
こさせる三角形状の大きさが決定される。また、ＣＤ−
Ｒへの信号記録を考慮した場合には、対物レンズ６の実
効的開口数は０．５０が適しているため第２の光学素子
５の内周部５ｂの直径は、対物レンズ６の実効的開口数
が０．４５〜０．５０になるように決定される。

【００３６】図１０、１１の説明においては、前記外周
部５ａと前記内周部５ｂとが同一表面に形成された光学
素子について説明したが、外周部５ａと内周部５ｂとが
異なる表面に形成された場合にも同様の機能を有するこ
とは言うまでもない。また、更に、前記第２の光学素子
５は前記対物レンズ６と一体的に動く構造になっていて
も良い。

【００３７】上記説明したように第２の光学素子５は、
レーザ光の波長の違いに起因して波長７８０ｎｍのレー
ザ光に対しては、その外周部を実質的に遮光し、内周部
のレーザ光を回折し、基板厚１．２ｍｍの光ディスクの
信号記録面７７ａに焦点を結び、波長６５０ｎｍのレー
ザ光に対しては、何ら回折を起こすことなく、そのまま
透過させ、基板厚０．６ｍｍの光ディスクの信号記録面
７ａに焦点を結ぶという、２焦点を持った光学素子であ
る。

【００３８】図１２を参照して、基板厚０．６ｍｍの光
ディスクである光磁気記録媒体の再生動作について説明
する。光磁気記録媒体が再生される場合には、レーザ駆
動回路１００により波長６５０ｎｍのレーザ光を生成す
る第１の半導体レーザ１Ａが選択駆動される。その結
果、波長６５０ｎｍのレーザ光は、上記説明したように
第１の光学素子２の第１の層２１で反射される。第１の
光学素子２で反射された波長６５０ｎｍのレーザ光は、
補正板１１により楕円偏光から直線偏光に補正されてハ
ーフミラー３に入射する。この場合、補正板１１により
完全に直性偏光に補正されなくとも、実質的に直線偏光
に補正されていれば良い。ハーフミラー３に入射した波
長６５０ｎｍのレーザ光は、ハーフミラー３を透過して
コリメータレンズ４で平行光にされて第２の光学素子５
に入射する。第２の光学素子５に入射した波長６５０ｎ
ｍのレーザ光は、第２の光学素子５で、何ら光学的影響
を受けることなく、そのまま、透過して対物レンズ６で
集光されて光磁気記録媒体の基板７を通って信号記録面
７ａに集光照射される。信号記録面７ａに照射された波
長６５０ｎｍのレーザ光のスポット径は約０．９（許容
誤差±０．１）μｍである。信号記録面７ａで反射され
た波長６５０ｎｍのレーザ光は、対物レンズ６、第２の
光学素子５、およびコリメータレンズ４を介してハーフ
ミラー３まで戻り、ハーフミラー３で半分反射されてウ
ォラストンプリズム８に入射する。そして、ウォラスト
ンプリズム８で、Ｓ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ１と、
Ｐ偏光成分のみのレーザ光とＬＭ３、Ｓ偏光成分とＰ偏
光成分との混在したレーザ光ＬＭ２とに分離されて光検
出器９により検出される。光磁気信号は、Ｓ偏光成分の
みのレーザ光ＬＭ１と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ
３との強度差を演算することにより検出され、トラッキ
ングエラー信号、フォーカスエラー信号はＳ偏光成分と
Ｐ偏光成分との混在したレーザ光ＬＭ２を検出して演算
することにより得られる。

【００３９】本願においては、補正板１１は、第１の光
学素子２とハーフミラー３との間に設けられるので、実
質的に直線偏光性を保持したまま、ウォラストンプリズ
ム８に光磁気記録媒体である光記録媒体７での反射光を
入射させることができ、光磁気記録媒体への信号の記録
および／または再生において特性が低下することはな
い。

【００４０】なお、基板厚０．６ｍｍの再生専用ディス
クであるＤＶＤを再生する場合には、照射されるレーザ
光の偏光面を特に考慮する必要はなく、本願発明に係る
光ピックアップ装置１０を用いても信号再生をできるこ
とは言うまでもない。図１３を参照して、基板厚１．２
ｍｍの光ディスクであるＣＤ−Ｒの再生動作について説
明する。ＣＤ−Ｒが再生される場合には、レーザ駆動回
路１００により、波長７８０ｎｍのレーザ光を生成する
第２の半導体レーザ１Ｂが選択駆動される。その結果、
波長７８０ｎｍのレーザ光は、第１の光学素子２によ
り、波長６５０ｎｍのレーザ光の第１の光学素子２での
反射光と同じ光軸を有するレーザ光として反射される。
その後、波長７８０ｎｍのレーザ光は補正板１１に入射
するが、水晶からなる補正板１１は、通常、レーザ光の
波長に依存して楕円偏光を直線偏光に補正するので、波
長６５０ｎｍのレーザ光の楕円偏光を直線偏光に補正す
るように設定された膜厚において波長７８０ｎｍのレー
ザ光の楕円偏光も直線偏光に補正されるとは、限らな
い。従って、波長７８０ｎｍのレーザ光は、楕円偏光の
まま補正板１１を透過する場合もあるし、直線偏光に補
正されて補正板１１を透過する場合もある。その後、波
長７８０ｎｍのレーザ光は、ハーフミラー３を透過して
コリメータレンズ４で平行光にされ、第２の光学素子５
に入射する。第２の光学素子５に入射した波長７８０ｎ
ｍのレーザ光は、上記説明したように、所定の外周部を
実質的に遮光され、所定の内周部が光軸の外側に回折さ
れて対物レンズ６に入射する。対物レンズ６に入射した
波長７８０ｎｍのレーザ光は、集光されて光ディスクの
基板７７を通って信号記録面７７ａに照射される。信号
記録面７７ａに照射されるレーザ光のスポット径は約
１．５（許容誤差±０．１）μｍである。その後、図１
２で説明したのと同様にして光検出器９に照射される。
この場合、補正板１１により直線偏光に補正された場合
は、光記録媒体７７での反射光はウォラストンプリズム
８でＳ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ１と、Ｐ偏光成分の
みのレーザ光とＬＭ３、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との混
在したレーザ光ＬＭ２とに分離されるが、補正板１１で
直線偏光に補正されない場合は、ウォラストンプリズム
８でＳ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ１と、Ｐ偏光成分の
みのレーザ光とＬＭ３、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との混
在したレーザ光ＬＭ２とに分離されることはない。ウォ
ラストンプリズム８によりＳ偏光成分のみのレーザ光Ｌ
Ｍ１と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光とＬＭ３、Ｓ偏光成
分とＰ偏光成分との混在したレーザ光ＬＭ２とに分離さ
れた場合は、Ｓ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ１と、Ｐ偏
光成分のみのレーザ光ＬＭ３と、Ｓ偏光成分とＰ偏光成
分との混在したレーザ光ＬＭ２との強度の総和が本来の
信号強度となる。しかし、３つのレーザ光ＬＭ１、ＬＭ
２、ＬＭ３を全部検出しなくても、Ｓ偏光成分とＰ偏光
成分との混在したレーザ光ＬＭ２のみを検出して再生信
号としても良い。

【００４１】図１３で説明した動作によりＣＤ−Ｒが再
生されるが、同様にしてＣＤも再生可能であることは言
うまでもない。第１の光学素子２は、光軸がずれた波長
６５０ｎｍのレーザ光と波長７８０ｎｍのレーザ光との
光軸ずれを一致させるものに限らず、光軸がずれた波長
４１０ｎｍのレーザ光、波長６５０ｎｍのレーザ光、お
よび波長７８０ｎｍのレーザ光の光軸を一致させるもの
であっても良い。即ち、図１４の（ａ）を参照して、他
の第１の光学素子１４０は、第１の層１４１を１主面に
有するガラス１４２と、第２の層１４３を１主面に有す
るガラス１４４と、第３の層１４５を１主面に有するガ
ラス１４６とから成り、第１の層１４１、第２の層１４
２、および第３の層１４５は、互いに平行となるように
構成される。第１の層１４１は、波長４１０ｎｍのレー
ザ光ＬＢ６を反射してレーザ光ＬＢ７とし、波長６５０
ｎｍのレーザ光ＬＢ１と波長７８０ｎｍのレーザ光ＬＢ
２とを透過すると共に第２の層１４３で反射された波長
６５０ｎｍのレーザ光ＬＢ１と、第２の層１４３で屈折
された波長７８０ｎｍのレーザ光ＬＢ２とを屈折してレ
ーザ光ＬＢ７と同じ光軸のレーザ光とする。また、第２
の層１４３は、波長６５０ｎｍのレーザ光ＬＢ１を反射
して第１の層１４１に入射させ、波長７８０ｎｍのレー
ザ光ＬＢ２を透過すると共に第３の層１４５で反射され
た波長７８０ｎｍのレーザ光ＬＢ２を屈折して第１の層
１４１に入射させる。更に、第３の層１４５は、波長７
８０ｎｍのレーザ光ＬＢ２を反射する。

【００４２】他の第１の光学素子１４０を構成する第１
の層１４１の具体例について図１４の（ｂ）を参照して
説明する。第１の層１４１は、ＭｇＦ₂から成る第１の
薄膜１４１０を３層とＴｉＯ₂から成る第２の薄膜１４
１１を４層とを交互に積層した積層膜である。また、第
１の薄膜１４１０の１層当たりの膜厚は、６５．２ｎｍ
となる。また、第２の薄膜１４１１の膜厚は、３３３ｎ
ｍとなる。

【００４３】上記のように構成された第１の層１４１の
波長４１０ｎｍのレーザ光と、波長６５０ｎｍのレーザ
光と、波長７８０ｎｍのレーザ光とに対する光学特性は
図１６に示すように、波長４１０ｎｍのレーザ光を殆ど
反射し、波長６５０ｎｍのレーザ光と波長７８０ｎｍの
レーザ光とを殆ど透過するものである。この場合、第１
の層１４１への入射角も影響し、図３、４に示すように
入射角θを設定すると、図１６の場合もθ＝４８度であ
る。

【００４４】また、第２の層１４３の具体例は、上記図
５に示したものと同じものである。更に、第３の層１４
５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）からなり、その膜
厚は１００ｎｍ程度である。この場合、第３の層１４５
は、第１の層１４１、および第２の層１４３を透過した
波長７８０ｎｍのレーザ光を８０％以上反射する。図１
４に示す他の第１の光学素子１４０により反射されるこ
とによりレーザ光は楕円偏光となるが、この場合、補正
板１１は、直線偏光性を必要とするレーザ光を少なくと
も直線偏光に補正するように、その膜厚が設定される。

【００４５】また、本願の光ピックアップ装置１０にお
いては、直線偏光のレーザ光をＳ偏光成分のみのレーザ
光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏
光成分とが混在したレーザ光とに分離するものは、ウォ
ラストンプリズムに限らず、これと同様の機能を有する
ものであれば何でも良く、ウォラストンプリズムと同様
の機能を有する光学素子を第３の光学素子という。 第２の実施の形態 本発明の第２の実施の形態について図を参照しつつ説明
する。本願発明に係る光ピックアップ装置は、第１の実
施の形態の図１に示す光ピックアップ装置１０に限ら
ず、図１７に示す光ピックアップ装置１７０であっても
よい。光ピックアップ装置１７０は、光源１と、第１の
光学素子１２と、第１の補正板１３と、コリメータレン
ズ４と、第２の光学素子５と、対物レンズ６と、第２の
補正板１４と、ウォラストンプリズム８と、光検出器９
とを備える。光源１、コリメータレンズ４、第２の光学
素子５、対物レンズ６、ウォラストンプリズム８、およ
び光検出器９については、図１と同じであるので、その
説明を省略する。第１の光学素子１２は、第１の半導体
レーザ１Ａにより生成された波長６５０ｎｍのレーザ
光、および第２の半導体レーザ１Ｂにより生成された波
長７８０ｎｍのレーザ光を約半分反射することにより２
つのレーザ光の光軸ずれを補正して光記録媒体７（また
は７７）にレーザ光を導くと共に、光記録媒体７（また
は７７）での反射光を約半分透過して光検出器９へ導く
ものである。第１の光学素子１２においても、レーザ光
を約半分反射することにより楕円偏光のレーザ光とな
る。

【００４６】図１８、１９、２０を参照して、第１の光
学素子１２について詳細に説明する。第１の光学素子１
２は、第１の層１２１を１主面に設けたガラス１２２と
第２の層１２３を１主面に設けたガラス１２４とからな
り、第１の層１２１と第２の層１２３とは、互いに平行
となるように構成される。第１の層１２１は、波長６５
０ｎｍのレーザ光ＬＢ１を約半分反射し、約半分透過す
ると共に、波長７８０ｎｍのレーザ光ＬＢ２を殆ど透過
する。また、第２の層１２３は、波長６５０ｎｍのレー
ザ光ＬＢ１を殆ど透過し、波長７８０ｎｍのレーザ光を
約半分反射し、約半分透過する。即ち、第１の層１２１
は図２５に示す光学特性を有し、第２の層１２３は図２
６に示す光学特性を有する。

【００４７】図１９を参照して、光源１から出射した波
長６５０ｎｍのレーザ光ＬＢ１は、第１の層１２１で約
半分反射されてレーザ光ＬＢ８となり、約半分は、ガラ
ス１２２、第２の層１２３、およびガラス１２４を透過
してレーザ光ＬＢ９となる（図１９の（ａ）参照）。反
射されたレーザ光ＬＢ８は、光記録媒体７で更に反射さ
れてレーザ光ＬＢ１０として第１の光学素子１２まで戻
り、第１の層１２１で約半分反射されてレーザ光ＬＢ１
１となる。そして、約半分は、第１の層１２１、ガラス
１２２、第２の層１２３、およびガラス１２４を透過し
てレーザ光ＬＢ１２となる（図１９の（ｂ）参照）。光
ピックアップ装置１７０においては、レーザ光ｌｂ１２
を光検出器９により検出して信号を再生する。

【００４８】また、図２０を参照して、光源１から出射
した波長７８０ｎｍのレーザ光ＬＢ２は、第１の層１２
１を殆ど透過し、第２の層１２３で約半分反射され、第
１の層１２１で屈折されてレーザ光ＬＢ８と同じ光軸の
レーザ光となる。また、第２の層１２３で屈折された残
りの約半分はガラス１２４を透過してレーザ光ＬＢ９と
なる（図２０の（ａ）参照）。第２の層１２３で反射さ
れてレーザ光ＬＢ８と同じ光軸となったレーザ光は、光
記録媒体７７で更に反射され、レーザ光ＬＢ１３として
第１の光学素子１２まで戻り、第１の層１２１を殆ど透
過し、第２の層１２３で約半分反射され、約半分が第２
の層１２３を透過する。第２の層１２３で反射された約
半分はガラス１２２を透過し、第１の層１２１で屈折さ
れてレーザ光ＬＢ１４となる。一方、第２の層１２３を
透過した約半分はガラス１２４を透過してレーザ光ＬＢ
１５となる（図２０の（ｂ）参照）。光ピックアップ装
置１７０においては、レーザ光ＬＢ１５を光検出器９に
より検出して信号を再生する。

【００４９】以上、説明したように第１の光学素子１２
は、光軸のずれた波長６５０ｎｍのレーザ光ＬＢ１と波
長７８０ｎｍのレーザ光ＬＢ２とを、波長に応じて選択
的に透過、反射して２つの光軸ずれを補正して光記録媒
体７または７７に導くと共に、光記録媒体７または７７
での反射光を光検出器９に導くものである。図２１、２
２を参照して、第１の光学素子１２を構成する第１の層
１２１と第２の層１２３の具体例について説明する。図
２１を参照して、第１の層１２１は、ＴｉＯ₂から成る
第１の薄膜１２１０を５層と、ＭｇＦ₂から成る第２の
薄膜１２１１を４層とを交互に積層した積層膜である。
この場合、第１の薄膜１２１０の膜厚は、ＴｉＯ₂の屈
折率を２．７として４０．７ｎｍであり、第２の薄膜１
２１１の膜厚は、ＭｇＦ₂の屈折率を１．３８として７
９．７ｎｍである。

【００５０】また、図２２を参照して、第２の層１２３
は、Ｓｂ₂Ｓ₃から成る第１の薄膜１２３０を４層と、Ｍ
ｇＦ₂から成る第２の薄膜１２３１を４層とを交互に積
層した積層膜である。この場合、第１の薄膜１２３０の
膜厚は、Ｓｂ₂Ｓ₃の屈折率を３．０として３６．７ｎｍ
であり、第２の薄膜１２３１の膜厚は、ＭｇＦ₂の屈折
率を１．３８として７９．７ｎｍである。

【００５１】波長６５０ｎｍのレーザ光ＬＢ１が第１の
光学素子１２の第１の層１２１で反射されてレーザ光Ｌ
Ｂ８となる場合には、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との位相
差は１６度となる。また、波長７８０ｎｍのレーザ光Ｌ
Ｂ２が第１の光学素子１２の第１の層１２１を透過する
ときにはＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相差は１３．８
度であり、第２の層１２３で反射する場合には、Ｐ偏光
成分とＳ偏光成分との位相差は６．０度であり、第２の
層１２３で反射されたレーザ光が再び第１の層１２１を
透過する場合には、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との位相差
は１３．８度である。従って、波長７８０ｎｍのレーザ
光ＬＢ２が第１の光学素子１２に入射し、レーザ光ＬＢ
８と同じ光軸のレーザ光として第１の光学素子１２を出
射する場合には、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との位相差
は、３３．６度である。従って、第１の補正板１３は、
少なくとも、波長６５０ｎｍのレーザ光ＬＢ１が第１の
光学素子１２で反射されることにより生じる位相差１６
度を補正するように、第１の実施の形態の場合と同様に
してその膜厚が決定され、（６８．８＋７２×ｍ）μｍ
（ｍ＝０、１、２、・・・）となる。また、波長６５０
ｎｍのレーザ光ＬＢ１が光記録媒体７で反射されてレー
ザ光ＬＢ１０として第１の光学素子１２まで戻り、第１
の光学素子１２を透過してレーザ光ＬＢ１２となる際に
生じる位相差は１７．８度であるので、第２の補正板１
４の膜厚は、（６８．４＋７２×ｍ）μｍ（ｍ＝０、
１、２、・・・）となる。第１の補正板１３、および第
２の補正板１４を構成する具体的な材料は水晶である。

【００５２】光ピックアップ装置１７０においては、第
１の補正板１３と第２の補正板１４とを用いることによ
り直線偏光のレーザ光を光記録媒体７に照射できると共
に、光記録媒体７で反射されたレーザ光の直線偏光性を
保持してウォラストンプリズム８に入射できる。つま
り、第１の光学素子１２で反射されることにより生じた
楕円偏光を第１の補正板１３で補正し、光記録媒体７で
反射されたレーザ光が第１の補正板１３を対物レンズ６
側から第１の光学素子１２側へ透過することにより楕円
偏光に変化し、更に、第１の光学素子１２を透過するこ
とにより生じる位相差を第２の補正板１４で補正する。
これにより、光ピックアップ装置１７０においても、特
性を低下させることなく光磁気記録媒体への信号の記録
および／または再生が可能となる。

【００５３】図２３を参照して、基板厚０．６ｍｍの光
ディスクである光磁気記録媒体の再生動作について説明
する。光磁気記録媒体が再生される場合には、レーザ駆
動回路１００により波長６５０ｎｍのレーザ光を生成す
る第１の半導体レーザ１Ａが選択駆動される。その結
果、波長６５０ｎｍのレーザ光は、上記説明したように
第１の光学素子１２の第１の層１２１で約半分反射され
る。第１の光学素子１２で反射された波長６５０ｎｍの
レーザ光は、第１の補正板１３により楕円偏光から直線
偏光に補正されてコリメータレンズ４に入射する。この
場合、第１の補正板１３により完全に直性偏光に補正さ
れなくとも、実質的に直線偏光に補正されていれば良
い。コリメータレンズ４に入射した波長６５０ｎｍのレ
ーザ光は、コリメータレンズ４で平行光にされて第２の
光学素子５に入射する。第２の光学素子５に入射した波
長６５０ｎｍのレーザ光は、第２の光学素子５で、何ら
光学的影響を受けることなく、そのまま、透過して対物
レンズ６で集光されて光磁気記録媒体の基板７を通って
信号記録面７ａに集光照射される。信号記録面７ａに照
射された波長６５０ｎｍのレーザ光のスポット径は約
０．９（許容誤差±０．１）μｍである。信号記録面７
ａで反射された波長６５０ｎｍのレーザ光は、対物レン
ズ６、第２の光学素子５、およびコリメータレンズ４を
介して第１の補正板１３まで戻り、第１の補正板１３で
直線偏光から楕円偏光に変化されて第１の光学素子１２
に入射する。第１の光学素子１２に入射した反射光は、
約半分が第１の光学素子１２を透過して第２の補正板１
４に入射する。第２の補正板１４に入射した反射光は、
第２の補正板１４で楕円偏光から直線偏光に変換されて
ウォラストンプリズム８に入射する。そして、ウォラス
トンプリズム８で、Ｓ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ１
と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光とＬＭ３、Ｓ偏光成分と
Ｐ偏光成分との混在したレーザ光ＬＭ２とに分離されて
光検出器９により検出される。この場合も光磁気信号
は、Ｓ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ１と、Ｐ偏光成分の
みのレーザ光ＬＭ３との強度差を演算することにより検
出され、トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信
号はＳ偏光成分とＰ偏光成分との混在したレーザ光ＬＭ
２を検出して演算することにより得られる。

【００５４】なお、基板厚０．６ｍｍの再生専用ディス
クであるＤＶＤを再生する場合には、照射されるレーザ
光の偏光面を特に考慮する必要はなく、本願発明に係る
光ピックアップ装置１７０を用いても信号再生をできる
ことは言うまでもない。図２４を参照して、基板厚１．
２ｍｍの光ディスクであるＣＤ−Ｒの再生動作について
説明する。ＣＤ−Ｒが再生される場合には、レーザ駆動
回路１００により、波長７８０ｎｍのレーザ光を生成す
る第２の半導体レーザ１Ｂが選択駆動される。その結
果、波長７８０ｎｍのレーザ光は、第１の光学素子１２
により、波長６５０ｎｍのレーザ光の第１の光学素子１
２での反射光と同じ光軸を有するレーザ光として約半分
が反射される。その後、波長７８０ｎｍのレーザ光は第
１の補正板１３に入射するが、水晶からなる補正板１３
は、通常、レーザ光の波長に依存して楕円偏光を直線偏
光に補正するので、波長６５０ｎｍのレーザ光の楕円偏
光を直線偏光に補正するように設定された膜厚において
波長７８０ｎｍのレーザ光の楕円偏光も直線偏光に補正
されるとは、限らない。従って、波長７８０ｎｍのレー
ザ光は、楕円偏光のまま第１の補正板１３を透過する場
合もあるし、直線偏光に補正されて第１の補正板１３を
透過する場合もある。その後、波長７８０ｎｍのレーザ
光は、コリメータレンズ４で平行光にされ、第２の光学
素子５に入射する。第２の光学素子５に入射した波長７
８０ｎｍのレーザ光は、上記説明したように、所定の外
周部を実質的に遮光され、所定の内周部が光軸の外側に
回折されて対物レンズ６に入射する。対物レンズ６に入
射した波長７８０ｎｍのレーザ光は、集光されて光ディ
スクの基板７７を通って信号記録面７７ａに照射され
る。信号記録面７７ａに照射されるレーザ光のスポット
径は約１．５（許容誤差±０．１）μｍである。その
後、図２３で説明したのと同様にして光検出器９に照射
される。この場合、第１の補正板１３により直線偏光に
補正された場合は、光記録媒体７７での反射光は第２の
補正板１４で再び直線偏光に変化され、ウォラストンプ
リズム８でＳ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ１と、Ｐ偏光
成分のみのレーザ光とＬＭ３、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分
との混在したレーザ光ＬＭ２とに分離されるが、第１の
補正板１３で直線偏光に補正されない場合は、ウォラス
トンプリズム８でＳ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ１と、
Ｐ偏光成分のみのレーザ光とＬＭ３、Ｓ偏光成分とＰ偏
光成分との混在したレーザ光ＬＭ２とに分離されること
はない。ウォラストンプリズム８によりＳ偏光成分のみ
のレーザ光ＬＭ１と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光とＬＭ
３、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との混在したレーザ光ＬＭ
２とに分離された場合は、Ｓ偏光成分のみのレーザ光Ｌ
Ｍ１と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光ＬＭ３と、Ｓ偏光成
分とＰ偏光成分との混在したレーザ光ＬＭ２との強度の
総和が本来の信号強度となる。しかし、３つのレーザ光
ＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３を全部検出しなくても、Ｓ偏光
成分とＰ偏光成分との混在したレーザ光ＬＭ２のみを検
出して再生信号としても良い。

【００５５】図２４で説明した動作によりＣＤ−Ｒが再
生されるが、同様にしてＣＤも再生可能であることは言
うまでもない。なお、光ピックアップ装置１７０におい
ては、第１の補正板１３、および第２の補正板１４は、
水晶に限らず、上記説明した機能と同じ機能を有するも
のであれば良く、第１の補正板１３と同じ機能を有する
ものを第３の光学素子と言い、第２の補正板１４と同じ
機能を有するものを第４の光学素子と言う。また、Ｓ偏
光成分のみのレーザ光ＬＭ１と、Ｐ偏光成分のみのレー
ザ光とＬＭ３、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との混在したレ
ーザ光ＬＭ２とに分離する素子はウォラストンプリズム
８に限らず、これと同等の機能を有するものであれば良
く、ウォラストンプリズム８と同じ機能を有するものを
第５の光学素子と言う。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の光ピックアップ装置の構成を示す図
である。

【図２】図１中の第１の光学素子の構成図である。

【図３】図１中の第１の光学素子の波長６５０ｎｍのレ
ーザ光に対する機能を説明する図である。

【図４】図１中の第１の光学素子の波長７８０ｎｍのレ
ーザ光に対する機能を説明する図である。

【図５】波長６５０ｎｍのレーザ光を反射し、波長７８
０ｎｍのレーザ光を透過する層の具体例である。

【図６】第２の光学素子の平面構造図である。

【図７】第２の光学素子の断面構造図である。

【図８】第２の光学素子の他の断面構造図である。

【図９】第２の光学素子の更に他の断面構造図である。

【図１０】波長６５０ｎｍのレーザ光に対する第２の光
学素子の機能を説明する図である。

【図１１】波長７８０ｎｍのレーザ光に対する第２の光
学素子の機能を説明する図である。

【図１２】図１に示す光ピックアップ装置を用いて基板
厚０．６ｍｍの光ディスクの再生動作を説明する図であ
る。

【図１３】図１に示す光ピックアップ装置を用いて基板
厚１．２ｍｍの光ディスクの再生動作を説明する図であ
る。

【図１４】波長４１０ｎｍのレーザ光を反射し、波長６
５０ｎｍのレーザ光および波長７８０ｎｍのレーザ光を
透過する層の具体例である。

【図１５】図５に示す積層膜の波長６５０ｎｍのレーザ
光と波長７８０ｎｍのレーザ光とに対する光学特性であ
る。

【図１６】図１４に示す積層膜の波長４１０ｎｍのレー
ザ光と波長６５０ｎｍのレーザ光と波長７８０ｎｍのレ
ーザ光とに対する光学特性である。

【図１７】本願発明の他の光ピックアップ装置の構成を
示す図である。

【図１８】図１７中の第１の光学素子の構成図である。

【図１９】図１７中の第１の光学素子の波長６５０ｎｍ
のレーザ光に対する機能を説明する図である。

【図２０】図１７中の第１の光学素子の波長７８０ｎｍ
のレーザ光に対する機能を説明する図である。

【図２１】図１７中の第１の光学素子の第１の層の具体
例である。

【図２２】図１７中の第１の光学素子の第２の層の具体
例である。

【図２３】図１７に示す光ピックアップ装置を用いて基
板厚０．６ｍｍの光ディスクの再生動作を説明する図で
ある。

【図２４】図１７に示す光ピックアップ装置を用いて基
板厚１．２ｍｍの光ディスクの再生動作を説明する図で
ある。

【図２５】図２１に示す第１の層の光学特性である。

【図２６】図２１に示す第２の層の光学特性である。

【図２７】ＣＤ−Ｒの記録膜の光学特性を説明する図で
ある。

【符号の説明】

１・・・光源 １Ａ・・・第１の半導体レーザ １Ｂ・・・第２の半導体レーザ ２、１２・・・第１の光学素子 ３・・・ハーフミラー ４・・・コリメータレンズ ５・・・第２の光学素子 ５ａ・・・外周部 ５ｂ・・・内周部 ６・・・対物レンズ ７、７７・・・光ディスク ７ａ、７７ａ・・・信号記録面 ８・・・ウォラストンプリズム ９・・・光検出器 １０・・・光ピックアップ装置 １１・・・補正板 １３・・・第１の補正板 １４・・・第２の補正板 ２１・・・第１の層 ２２・・・第２の層 ２３、２４・・・ガラス ２１０・・・第１の薄膜 ２１１・・・第２の薄膜 １００・・・レーザ駆動回路

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光を対物レンズにより光記録媒体
   に集光照射し、前記光記録媒体での反射光を光検出器に
   導いて信号を記録および／または再生する光ピックアッ
   プ装置において、 第１の波長を有する第１のレーザ光と、前記第１の波長
   と異なる第２の波長を有する第２のレーザ光とを選択的
   に生成するレーザ光生成手段と、 前記レーザ光生成手段により生成された前記第１のレー
   ザ光と前記第２のレーザ光との光軸ずれを補正する第１
   の光学素子と、 前記第１の光学素子からの前記第１および第２のレーザ
   光を入射し、少なくとも第１のレーザ光を実質的に直線
   偏光に変換する第３の光学素子と、 前記第３の光学素子からの前記第１および第２のレーザ
   光のうち、前記第１のレーザ光をそのまま透過して前記
   対物レンズに入射し、前記第２のレーザ光を所定の外周
   部を実質的に遮光して所定の内周部のみを回折させて前
   記対物レンズに入射する第２の光学素子と、 前記光記録媒体からの反射光をＳ偏光成分のみのレーザ
   光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏
   光成分とが混在したレーザ光とに分離する第４の光学素
   子とを含む光ピックアップ装置。
2. 【請求項２】 前記第１の光学素子は、互いに平行であ
   る第１の層と第２の層とから成る請求項１記載の光ピッ
   クアップ装置。
3. 【請求項３】 前記第１の層は、前記第１のレーザ光を
   反射して前記第２の光学素子へ入射させ、 前記第２のレーザ光を前記第２の層へ屈折させると共
   に、前記第２のレーザ光の前記第２の層での反射光を前
   記第１のレーザ光の第１の層での反射光と同軸となるよ
   うに屈折させて前記第２の光学素子へ入射させ、 前記第２の層は、前記第１の層で屈折された前記第２の
   レーザ光を前記第１の層へ反射する請求項２記載の光ピ
   ックアップ装置。
4. 【請求項４】 前記第１の層は、第１の薄膜と第２の薄
   膜とを交互に積層した積層膜から成り、 前記第２の層は、第３の薄膜と第４の薄膜とを交互に積
   層した積層膜とから成る請求項３記載の光ピックアップ
   装置。
5. 【請求項５】 レーザ光を対物レンズにより光記録媒体
   に集光照射し、前記光記録媒体での反射光を光検出器に
   導いて信号を記録および／または再生する光ピックアッ
   プ装置において、 第１の波長を有する第１のレーザ光と、前記第１の波長
   と異なる第２の波長を有する第２のレーザ光とを選択的
   に生成するレーザ光生成手段と、 前記レーザ光生成手段により生成された前記第１のレー
   ザ光と前記第２のレーザ光との光軸ずれを補正する第１
   の光学素子と、 前記第１の光学素子からの前記第１および第２のレーザ
   光を入射し、少なくとも第１のレーザ光を実質的に直線
   偏光に変換する第３の光学素子と、 前記第３の光学素子からの前記第１および第２のレーザ
   光のうち、前記第１のレーザ光をそのまま透過して前記
   対物レンズに入射し、前記第２のレーザ光を所定の外周
   部を実質的に遮光して所定の内周部のみを回折させて前
   記対物レンズに入射する第２の光学素子と、 前記光記録媒体で反射され、前記第１の光学素子を透過
   した前記第１のレーザ光を実質的に直線偏光に変換する
   第４の光学素子と、 前記第４の光学素子からのレーザ光をＳ偏光成分のみの
   レーザ光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分
   とＰ偏光成分とが混在したレーザ光とに分離する第５の
   光学素子とを含む光ピックアップ装置。
6. 【請求項６】 前記第１の光学素子は、互いに平行であ
   る第１の層と第２の層とから成る請求項６記載の光ピッ
   クアップ装置。
7. 【請求項７】 前記第１の層は、前記第１のレーザ光を
   約半分反射すると共に、前記第２のレーザ光を実質的に
   透過させ、 前記第２の層は、前記第１のレーザ光を実質的に透過す
   ると共に、前記第２のレーザ光を約半分反射する請求項
   ６記載の光ピックアップ装置。
8. 【請求項８】 前記第１の層は、第１の薄膜と第２の薄
   膜とを交互に積層した積層膜から成り、 前記第２の層は、第３の薄膜と第４の薄膜とを交互に積
   層した積層膜から成る請求項７記載の光ピックアップ装
   置。