JP2000105701A - Data processor - Google Patents

Data processor

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JP2000105701A
JP2000105701A JP10273826A JP27382698A JP2000105701A JP 2000105701 A JP2000105701 A JP 2000105701A JP 10273826 A JP10273826 A JP 10273826A JP 27382698 A JP27382698 A JP 27382698A JP 2000105701 A JP2000105701 A JP 2000105701A
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JP
Japan
Prior art keywords
ram
program
data processing
processing device
nonvolatile memory
Prior art date
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Pending
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JP10273826A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Osakabe
猛 越阪部
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the power consumption of a data processor which uses a nonvolatile memory for storing necessary programs. SOLUTION: The data processor is equipped with the nonvolatile memory (Flash EEPROM) 2 having stored programs for controlling the operation of the data processor, a RAM 3 which can store some of the programs and has smaller capacity than the EEPROM 2, a CPU 1 which reads programs out of the EEPROM 2 or RAM by specifying addresses and decodes and executes instructions, a means (CPU) 1 which transfers some programs from the nonvolatile memory 2 to the RAM 3, and a flag 5 which specifies whether the operation state of the nonvolatile memory 2 is enabled or disabled, and the flag 5 disables the operation state of the EEPROM 2 when a program stored in the RAM 3 is executed. When a low-power-consumption program in the RAM 3 is executed, the EEPROM 2 having larger power consumption than the RAM 3 is disabled to reduce the power consumption.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は各種プログラムを不
揮発性メモリ(EEPROM)に格納し、EEPROM
から必要なプログラムを読み出して実行する方式のデー
タ処理装置に関し、特に消費電力の低減を図ったデータ
処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention stores various programs in a non-volatile memory (EEPROM).
More particularly, the present invention relates to a data processing apparatus that reads out and executes a necessary program from a data processing apparatus, and particularly relates to a data processing apparatus that reduces power consumption.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の1チップマイクロコンピュータ
は、それ自体を動作制御するためのプログラムが記憶さ
れたROMを内蔵する形となっている。この際、価格、
消費電流などを考慮し、マスクROMを用いるのが一般
的である。しかしながら、マスクROM内蔵の1チップ
マイクロコンピュータでは、プログラムの変更を要する
場合に、新たなマスク作成および再拡散が必要であり、
新たな設計によるコスト高をまねき、かつマイクロコン
ピュータの製造まで長い時間がかかってしまうという問
題がある。そこで、最近では、データの書き込み及び読
み出しが可能なEEPROM等の不揮発性メモリをプロ
グラムメモリとして使用する1チップマイクロコンピュ
ータが提案されている。このような不揮発性メモリをプ
ログラムメモリとして使用することの利点は、電気的な
操作によってEEPROMのプログラム変更が容易であ
り、わざわざマスクを変更する必要もなく、ユーザ自身
が変更を必要とする記憶領域のみプログラムの書き換え
ができる為、IC製造業者を頼ることなくコストを抑え
てプログラムの異なる1チップマイクロコンピュータを
迅速に作ることができる。
2. Description of the Related Art A conventional one-chip microcomputer has a built-in ROM in which a program for controlling the operation of itself is stored. At this time, the price,
In general, a mask ROM is used in consideration of current consumption and the like. However, in a one-chip microcomputer with a built-in mask ROM, when a program needs to be changed, it is necessary to create a new mask and redistribute it.
There is a problem that the cost is increased due to the new design and that it takes a long time to manufacture the microcomputer. Therefore, recently, a one-chip microcomputer using a nonvolatile memory such as an EEPROM capable of writing and reading data as a program memory has been proposed. The advantage of using such a non-volatile memory as a program memory is that the program of the EEPROM can be easily changed by an electrical operation, the mask does not need to be changed, and the user needs to change the storage area. Since only the program can be rewritten, a one-chip microcomputer with a different program can be quickly manufactured without relying on the IC manufacturer and at a reduced cost.

【0003】しかしながら、不揮発性メモリとしてEE
PROMを用いる場合には、前記した利点を有する反
面、EEPROMからプログラムコードを読み出して1
チップマイクロコンピュータを動作させている時の、E
EPROM自体の消費電流が数mA〜数十mAと大き
く、1チップマイクロコンピュータを用いて時計動作の
みを行わせるような場合でも消費電流が大きく、低消費
電力モードを実現できない問題があった。特にバッテリ
ー駆動タイプの機器に用いると、機器の駆動可能時間が
短くなってしまい、使用者にとっては不都合であった。
However, EE is used as a non-volatile memory.
When a PROM is used, the above-mentioned advantages are obtained, but the program code is read out from the EEPROM and the
E when operating the chip microcomputer
The current consumption of the EPROM itself is as large as several mA to several tens mA, and there is a problem that even when only a clock operation is performed using a one-chip microcomputer, the current consumption is large and a low power consumption mode cannot be realized. In particular, when used in a battery-driven type device, the drivable time of the device is shortened, which is inconvenient for the user.

【0004】このような問題を解消するため、特開平9
−97249号公報では、データの書き込み及び読み出
しが可能なEEPROMと、マイクロコンピュータを動
作制御する為の他のプログラムコードがマスクで記憶さ
れた読み出し専用のマスクROMと、EEPROM及び
マスクROMのアドレス指定を行うプログラムカウンタ
と、EEPROM及びマスクROMから読み出されるプ
ログラムコードの解読結果に基づき、プログラムカウン
タがEEPROM及びマスクROMの何れか一方のみを
アクセスする様に制御する制御回路とを備え、EEPR
OMから読み出されたプログラムコードの解読結果によ
り、プログラムカウンタをマスクROMのみをアクセス
できる様にし、低消費電力モードを実現可能にしてい
る。
In order to solve such a problem, Japanese Patent Laid-Open No.
JP-A-97249 discloses an EEPROM capable of writing and reading data, a read-only mask ROM in which another program code for controlling the operation of the microcomputer is stored as a mask, and an address specification of the EEPROM and the mask ROM. And a control circuit for controlling the program counter to access only one of the EEPROM and the mask ROM based on the result of decoding the program code read from the EEPROM and the mask ROM.
Based on the result of decoding the program code read from the OM, the program counter can access only the mask ROM, thereby realizing a low power consumption mode.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが前記公報の技
術では、低消費電力モード時、マスクROMをプログラ
ムメモリとして使用しているが、マスクROMは前記し
たように製造後にプログラムを書き換えることができな
いため、例えば、低消費電力モード時のプログラムにバ
グ等の不具合が発見された場合は、その低消費電力モー
ド時のプログラムを全く実行できなくなってしまうとい
う問題点がある。新たなマスクを作成せず、プログラム
を修正して実行するためには、修正したプログラムをE
EPROMに書き直し、EEPROMから読み出して実
行するしかないため、低消費電力モードを実現できなく
なってしまう。さらに、1チップマイクロコンピュータ
製造後に新たに低消費電力モードで処理したいプログラ
ムがでてきても、マスクROMであることから追加する
ことはできないという問題もある。その上、低消費電力
モードで処理したいプログラムが複数必要な場合は、あ
らかじめすべてのプログラムを用意しておく必要があ
り、必要なプログラム数が多くなればなるほど格納する
ためのROM容量が必要になり、ハードウェアを大きく
してしまう。特に、複数のアプリケーションに対応する
ために用意してある場合など、アプリケーションによっ
ては、使用しないプログラムもあり、使用しないプログ
ラムを格納している領域は無駄なハードウェアとなって
しまう。また、マスクROMへのデータ書き込みは、前
記したように1チップマイクロコンピュータの製造段階
で行われるため、1チップマイクロコンピュータを供給
するまでに長い時間がかかってしまう。これらは、デー
タの書き込み及び読み出しが可能なEEPROM等の不
揮発性メモリをプログラムメモリとして使用すること
で、IC製造業者を頼ることなく、ユーザ自身が変更を
必要とする記憶領域のみプログラムの書き換えができ、
プログラムの異なる1チップマイクロコンピュータを迅
速に作ることができる利点を著しく損ねてしまってい
る。
However, in the technique disclosed in the above publication, the mask ROM is used as the program memory in the low power consumption mode. However, the mask ROM cannot rewrite the program after manufacturing as described above. For example, if a defect such as a bug is found in the program in the low power consumption mode, there is a problem that the program in the low power consumption mode cannot be executed at all. To modify and execute the program without creating a new mask,
Since the only option is to rewrite the data in the EPROM and read it out from the EEPROM for execution, the low power consumption mode cannot be realized. Furthermore, even if a new program to be processed in the low power consumption mode appears after the manufacture of the one-chip microcomputer, there is a problem that it cannot be added because it is a mask ROM. In addition, when a plurality of programs to be processed in the low power consumption mode are required, it is necessary to prepare all the programs in advance, and as the number of required programs increases, the ROM capacity for storing is required. Would increase the size of the hardware. In particular, some applications do not use some programs, such as when they are prepared to handle a plurality of applications, and the area storing the unused programs becomes useless hardware. Further, as described above, writing data to the mask ROM is performed at the stage of manufacturing a one-chip microcomputer, and it takes a long time to supply the one-chip microcomputer. By using a non-volatile memory such as an EEPROM capable of writing and reading data as a program memory, the program can be rewritten only in a storage area that needs to be changed by a user without relying on an IC manufacturer. ,
The advantage that a one-chip microcomputer with a different program can be quickly made is significantly impaired.

【0006】また、特開平4−303316号公報に記
載の技術では、低消費電力化を図るために、外部から入
力されるアプリケーションプログラムを格納するメモリ
に対し、当該プログラムを格納するのに必要なメモリサ
イズを調べ、そのメモリサイズを含む最小の部分に対し
てのみ選択的に電力を供給する技術が記載されている。
しかしながら、この記述ではEEPROM等の不揮発性
メモリを使用する技術ではないため、前記したEEPR
OMによる消費電力の増加を抑制することを解決するも
のとはなっていない。
In the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-303316, in order to reduce power consumption, a memory required to store an externally input application program is required to store the program. A technique is described in which a memory size is checked and power is selectively supplied only to a minimum portion including the memory size.
However, this description is not a technique using a nonvolatile memory such as an EEPROM, so that the above-described EEPROM is not used.
This does not solve the problem of suppressing an increase in power consumption due to the OM.

【0007】本発明の目的は、不揮発性メモリを用いる
データ処理装置における消費電力の低減を可能にしたデ
ータ処理装置を提供するものである。
An object of the present invention is to provide a data processing device using a nonvolatile memory which can reduce power consumption.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、データ処理装
置を動作制御するためのプログラムが格納された不揮発
性メモリと、前記プログラムの一部を格納可能な前記不
揮発性メモリよりも小容量のRAMと、前記不揮発性メ
モリまたは前記RAMをアドレス指定し、前記不揮発性
メモリまたは前記RAMに格納されているプログラムを
読み出して命令を解読し実行するCPUと、前記不揮発
性メモリから前記RAMへ前記一部のプログラムを転送
する手段と、前記不揮発性メモリの動作状態をイネーブ
ル状態にするか、ディセーブル状態にするかを指定する
指定手段とを備えており、前記指定手段は前記RAMに
格納されたプログラムを実行する際に前記不揮発性メモ
リの動作状態をディセーブル状態に指定するよう構成さ
れる。
According to the present invention, there is provided a nonvolatile memory storing a program for controlling the operation of a data processing device, and a memory having a smaller capacity than the nonvolatile memory capable of storing a part of the program. A RAM, a CPU that addresses the non-volatile memory or the RAM, reads a program stored in the non-volatile memory or the RAM, decodes and executes an instruction, and transmits the program from the non-volatile memory to the RAM. Means for transferring the program of the unit, and designation means for designating whether the operation state of the nonvolatile memory is to be enabled or disabled, and the designation means is stored in the RAM. When the program is executed, the operation state of the nonvolatile memory is designated to be disabled.

【0009】また、本発明は、データ処理装置を動作制
御するためのプログラムが格納された不揮発性メモリ
と、データ処理装置を動作制御するための他のプログラ
ムが格納可能なRAMと、前記不揮発性メモリまたは前
記RAMをアドレス指定し、前記不揮発性メモリまたは
前記RAMに格納されているプログラムを読み出して命
令を解読し実行するCPUと、外部からデータを取得す
るインタフェース手段とを有するデータ処理装置におい
て、前記インタフェース手段を介して前記データ処理装
置の外部から前記RAMへプログラムを転送する手段
と、前記不揮発性メモリの動作状態をイネーブル状態に
するか、ディセーブル状態にするかを指定する指定手段
とを備えており、前記指定手段は、前記RAMに格納さ
れたプログラムを実行する際に前記不揮発性メモリの動
作状態をディセーブル状態に指定するよう構成される。
The present invention also provides a nonvolatile memory storing a program for controlling the operation of the data processing device, a RAM capable of storing another program for controlling the operation of the data processing device, In a data processing device having a CPU that addresses a memory or the RAM, reads a program stored in the nonvolatile memory or the RAM, decodes and executes a command, and an interface unit that acquires data from outside, Means for transferring a program from the outside of the data processing device to the RAM via the interface means, and designating means for designating whether the operation state of the nonvolatile memory is enabled or disabled. The designating means executes a program stored in the RAM. Configured to the operating state of the non-volatile memory specified in the disable state during that.

【0010】ここで、前記不揮発性メモリの動作状態を
イネーブル状態にするか、ディセーブル状態にするかを
指定する指定手段は、前記CPUによりアクセスされる
第1のフラグにより選択する。あるいは、前記不揮発性
メモリの動作状態をイネーブル状態にするか、ディセー
ブル状態にするかを指定する指定手段は、前記アドレス
指定を行うためのアドレス信号の一部のビットにより指
定を行う構成とする。この場合、前記アドレス信号の一
部のビットは、例えば最上位ビットとする。
Here, the designation means for designating whether the operation state of the non-volatile memory is enabled or disabled is selected by a first flag accessed by the CPU. Alternatively, the designating means for designating whether the operation state of the nonvolatile memory is set to the enable state or the disable state is performed by using a part of bits of an address signal for specifying the address. . In this case, some bits of the address signal are, for example, the most significant bits.

【0011】本発明によるデータ処理装置は、時計動作
のみを行わせる様な小容量のプログラムを実行する場合
に、動作に必要なプログラムを低消費電流である小容量
に構成したRAMに格納し、大消費電流の不揮発性メモ
リをディセーブル状態にして、小容量のRAM上で実行
することにより消費電流を低減することが可能となる。
In the data processing device according to the present invention, when a small-capacity program for performing only a clock operation is executed, a program necessary for the operation is stored in a small-capacity RAM having low current consumption. The current consumption can be reduced by disabling the large-current-consumption nonvolatile memory and executing it on a small-capacity RAM.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明のデータ処理装置10
の第1の実施形態のブロック図である。同図において、
CPU1は命令を解読し実行してデータ処理装置内の後
述する各ブロックを制御するものであり、アドレスバス
6にアドレス信号を出力し、データバス4との間でデー
タをやりとりする。不揮発性メモリとして構成されてい
るフラッシュEEPROM2は、電気的に書き換え可能
な読み出し専用メモリ(EEPROM)であり、前記ア
ドレスバス6からアドレス信号を入力し、前記データバ
ス4にデータを出力する。前記フラッシュEEPROM
2は、この実施形態ではアドレス0000H〜7FFF
H(Hは16進表示の意味)の空間に存在する。また、
前記フラッシュEEPROM2は、それ自体を動作状態
とするための信号CE(チップイネーブル)が「0」と
なることによりイネーブル状態となり、「1」となるこ
とによりディセーブル状態となる。前記フラッシュEE
PROM2は、データ処理装置を動作制御するための通
常のプログラム(割り込みプログラムも含む)を実行す
るプログラムメモリに使用される。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a data processing apparatus 10 according to the present invention.
FIG. 2 is a block diagram of the first embodiment. In the figure,
The CPU 1 decodes and executes an instruction to control each block described later in the data processing device. The CPU 1 outputs an address signal to an address bus 6 and exchanges data with the data bus 4. The flash EEPROM 2 configured as a nonvolatile memory is an electrically rewritable read-only memory (EEPROM), which receives an address signal from the address bus 6 and outputs data to the data bus 4. The flash EEPROM
2 are addresses 0000H to 7FFF in this embodiment.
H (H means hexadecimal notation). Also,
The flash EEPROM 2 is enabled when a signal CE (chip enable) for setting itself to an operation state becomes "0", and becomes disabled when it becomes "1". Flash EE
The PROM 2 is used as a program memory for executing a normal program (including an interrupt program) for controlling the operation of the data processing device.

【0013】一方、RAM3は、読み出し書き込み可能
メモリであり、前記アドレスバス6からアドレス信号を
入力し、前記データバス4との間でデータをやりとりす
る。前記RAM3は、この実施形態ではアドレス800
0H〜80FFHの空間に存在する。前記RAM3は、
時計動作等の低消費電力モードを実行するためのプログ
ラムコード(割り込みプログラムを含む)を格納するデ
ータメモリおよび実行するプログラムメモリに使用され
る。前記データバス4は、8ビット幅のデータバスであ
る。フラグ5は、フラッシュEEPROM2の動作状態
を制御するための1ビット幅のレジスタである。フラグ
5は前記CPU1から前記データバス4を介してデータ
が設定され、前記フラッシュEEPROM2のCE端子
に供給される。前記アドレスバス6は、アドレス信号を
伝送する16ビット幅のアドレスバスである。
On the other hand, the RAM 3 is a readable / writable memory, and receives an address signal from the address bus 6 and exchanges data with the data bus 4. The RAM 3 has an address 800 in this embodiment.
It exists in the space of 0H to 80FFH. The RAM 3
It is used for a data memory for storing a program code (including an interrupt program) for executing a low power consumption mode such as a clock operation and a program memory for executing the program code. The data bus 4 is an 8-bit data bus. The flag 5 is a 1-bit register for controlling the operation state of the flash EEPROM 2. The flag 5 is set with data from the CPU 1 via the data bus 4 and supplied to the CE terminal of the flash EEPROM 2. The address bus 6 is a 16-bit address bus for transmitting address signals.

【0014】次に、前記データ処理装置の動作について
図2のフローチャートを参照して説明する。フラッシュ
EEPROM2から読み出されるプログラムに基づく動
作を一旦終了し、時計動作等の低消費電力でのプログラ
ムで動作を行いたい場合を考える。前提として、図3の
メモリマップに示すように、前記した低消費電力プログ
ラムのコードを256バイトとし、フラッシュEEPR
OM2の7F00H〜7FFFHの空間に格納されてお
り、フラグ5は「0」であるとする。まず、図2のステ
ップS1において、フラッシュEEPROM2に格納さ
れている低消費電力プログラムをRAM3に転送すべ
く、CPU1は、アドレスバス6にアドレス信号7F0
0Hを出力し、データバス4を介して低消費電力プログ
ラムコードの先頭バイトをフラッシュEEPROM2か
ら読み出す。次に、アドレスバス6にアドレス信号80
00Hを出力し、データバス4を介して先頭バイトをR
AM3へ書き込む(ステップS2)。そして、CPU1
は、このフラッシュEEPROM2からの低消費電力プ
ログラムコードの読み出しと、RAM3への書き込む動
作を1バイトずつ256バイト分繰り返し行う(ステッ
プS3)。これにより、低消費電力プログラムは全てR
AM3に転送されることになる。
Next, the operation of the data processing apparatus will be described with reference to the flowchart of FIG. It is assumed that the operation based on the program read from the flash EEPROM 2 is temporarily terminated, and the operation is desired to be performed by a low power consumption program such as a clock operation. As a premise, as shown in the memory map of FIG. 3, the code of the low power consumption program is 256 bytes, and the flash EEPROM is used.
It is stored in the space of 7F00H to 7FFFH of the OM2, and the flag 5 is “0”. First, in step S1 of FIG. 2, the CPU 1 sends the address signal 7F0 to the address bus 6 in order to transfer the low power consumption program stored in the flash EEPROM 2 to the RAM 3.
0H is output, and the first byte of the low power consumption program code is read from the flash EEPROM 2 via the data bus 4. Next, the address signal 80 is sent to the address bus 6.
00H is output and the first byte is set to R via the data bus 4.
Write to AM3 (step S2). And CPU1
Repeats the operation of reading the low power consumption program code from the flash EEPROM 2 and writing it to the RAM 3 by 256 bytes, one byte at a time (step S3). As a result, the low power consumption programs are all R
It will be transferred to AM3.

【0015】以上のように低消費電力プログラムの転送
後、RAM3上に格納された低消費電力プログラムの先
頭アドレス8000Hに分岐する(ステップS4)。こ
れらの制御は、フラッシュEEPROM2に格納されて
いるプログラムにしたがってCPU1が行う。RAM3
に分岐後、CPU1は、RAM3から読み出されるプロ
グラムに従って動作する。ここで、転送された低消費電
力プログラムの冒頭には、フラッシュEEPROM2の
動作をディセーブルするためのプログラムが格納してあ
り、CPU1はこの冒頭のプログラムに従い、データバ
ス4を介してフラグ5に「1」を設定する(ステップS
5)。フラグ5が「1」となると、フラッシュEEPR
OM2のCEには、「1」が印加され、フラッシュEE
PROM2はCEが「1」となるためにディセーブル状
態となる。その後、CPU1はRAM3からの低消費電
力プログラムに基ついた処理(ステップS6)を実行す
る。この間、フラッシュEEPROM2はディセーブル
状態であるため、フラッシュEEPROM2の消費電力
は殆ど零となり、データ処理装置全体としての低消費電
力化が実現できる。
After the transfer of the low power consumption program as described above, the process branches to the start address 8000H of the low power consumption program stored in the RAM 3 (step S4). These controls are performed by the CPU 1 according to a program stored in the flash EEPROM 2. RAM3
After that, the CPU 1 operates according to the program read from the RAM 3. Here, at the beginning of the transferred low power consumption program, a program for disabling the operation of the flash EEPROM 2 is stored, and the CPU 1 sets the flag 5 via the data bus 4 to “5” according to the program at the beginning. 1 ”(step S
5). When the flag 5 becomes “1”, the flash EEPROM
“1” is applied to the CE of OM2, and the flash EE
The PROM 2 is disabled because CE becomes “1”. Thereafter, the CPU 1 executes a process (step S6) based on the low power consumption program from the RAM 3. During this time, since the flash EEPROM 2 is in the disabled state, the power consumption of the flash EEPROM 2 becomes almost zero, and the power consumption of the entire data processing device can be reduced.

【0016】ここで、前記第1の実施形態においては、
前記フラグ5を省略することも可能である。その一例と
しての第2の実施形態を図4に示す。なお、図1と等価
な部分には同一符号を付してあり、その説明は省略す
る。この実施形態では、第1の実施形態のフラグ5が存
在しておらず、その代わりにフラッシュEEPROM2
のCEには、アドレスバス6の最上位ビットA15が接
続されている。
Here, in the first embodiment,
The flag 5 can be omitted. FIG. 4 shows a second embodiment as an example. Note that parts equivalent to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In this embodiment, the flag 5 of the first embodiment does not exist, and instead, the flash EEPROM 2
Are connected to the most significant bit A15 of the address bus 6.

【0017】この第2の実施形態の動作を図5のフロー
チャートに示す。図5において、フラッシュEEPRO
M2に格納される低消費電力プログラムコードをRAM
3に転送し、RAM3上に格納された低消費電力プログ
ラムの先頭アドレス8000Hに分岐するまでのステッ
プS1からS4までの動作については、図2の動作と同
じである。そして、ここではRAM3に分岐するため
に、CPU1は、アドレスバス6にアドレス信号800
0Hを出力する。つまり、アドレスバス6の最上位ビッ
トA15は、「1」となる。この最上位ビットA15が
「1」となると、フラッシュEEPROM2のCEには
「1」が印加されることになり、これによりフラッシュ
EEPROM2は、ディセーブル状態となる。したがっ
て、第1の実施形態と同様に低消費電力プログラムの実
行中はフラッシュEEPROM2はディセーブル状態と
なり、低消費電力化が実現できる(ステップS6)。ま
た、この第2の実施形態では、フラッシュEEPROM
2の動作状態をアドレス信号の最上位ビットA15によ
りイネーブル状態とディセーブル状態を切換制御できる
ようにしたため、切換制御を指定するフラグが不要とな
り、回路を削減できるとともに、フラグにデータを設定
するためのプログラムコードが不要となり、低消費電力
プログラムコードを格納するためのRAM3の消費を低
減できる効果を有する。
The operation of the second embodiment is shown in the flowchart of FIG. In FIG. 5, the flash EEPRO
The low power consumption program code stored in M2 is stored in RAM
3 and the operation from step S1 to S4 until branching to the start address 8000H of the low power consumption program stored in the RAM 3 is the same as the operation in FIG. Here, in order to branch to the RAM 3, the CPU 1 sends the address signal 800 to the address bus 6.
Outputs 0H. That is, the most significant bit A15 of the address bus 6 becomes “1”. When the most significant bit A15 becomes "1", "1" is applied to the CE of the flash EEPROM 2, and the flash EEPROM 2 is disabled. Therefore, as in the first embodiment, during execution of the low power consumption program, the flash EEPROM 2 is disabled, and low power consumption can be realized (step S6). In the second embodiment, a flash EEPROM is used.
The operation state of No. 2 can be switched between the enable state and the disable state by the most significant bit A15 of the address signal, so that a flag for designating the switching control becomes unnecessary, and the circuit can be reduced and data is set in the flag. This eliminates the need for the program code, thereby reducing the consumption of the RAM 3 for storing the low power consumption program code.

【0018】次に、本発明の第3の実施形態を図6を参
照して説明する。この第3の実施形態では、図1の第1
の実施形態に対して、シリアルインタフェース11を追
加し、かつこのシリアルインタフェース11を介して接
続される外部メモリ12を追加している。インタフェー
ス手段である前記シリアルインタフェース11は、前記
外部メモリ12の内容をデータ処理装置10の内部に取
り込み、データバス4に出力する。前記外部メモリ12
は、シリアルインタフェースを内蔵した不揮発性メモリ
で、内容をシリアルデータとして読み出すことができる
構成とされている。また、前記フラッシュEEPROM
2には、後述するようにCPU1が外部メモリ12から
低消費電力プログラムを含むプログラムを読み出してR
AM3に格納し、かつその後にRAM3の所要アドレス
に対して分岐する動作を行うためのプログラムが格納さ
れている。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the third embodiment, the first embodiment shown in FIG.
A serial interface 11 is added to the third embodiment, and an external memory 12 connected via the serial interface 11 is added. The serial interface 11 serving as an interface means takes in the contents of the external memory 12 into the data processing device 10 and outputs the data to the data bus 4. The external memory 12
Is a nonvolatile memory having a built-in serial interface, and has a configuration in which the content can be read out as serial data. In addition, the flash EEPROM
2, the CPU 1 reads a program including a low power consumption program from the external memory 12 and
A program is stored in the AM 3 and thereafter performs an operation of branching to a required address of the RAM 3.

【0019】次に、第3の実施形態の動作について図7
のフローチャートを参照して説明する。前提として、R
AM3から読み出す低消費電力プログラムコードは25
6バイトとし、あらかじめ外部メモリ12に格納されて
いる。また、フラグ5は「0」であるとする。まず、外
部メモリ12に格納されている低消費電力プログラムを
RAM3に転送する。CPU1は、シリアルインタフェ
ース11を介して外部メモリ12から低消費電力プログ
ラムを1バイト読み出し、データバス4を介してRAM
3へ書き込む(ステップS7,S2)。CPU1は、こ
の動作を低消費電力プログラムのバイト数である256
バイト分繰り返し行う(ステップS3)。そして、低消
費電力プログラムコードをRAM3に格納後、RAM3
上に格納された低消費電力プログラムの先頭アドレス8
000Hに分岐する(ステップS4)。これらの制御
は、フラッシュEEPROM2に格納されているプログ
ラムにしたがってCPU1が行う。そして、第1の実施
形態と同様に、RAM3上の低消費電力プログラムの冒
頭のプログラムによってフラグ5を「1」に設定し、フ
ラッシュEEPROM2をディセーブル状態にする(ス
テップS5,S6)。
Next, the operation of the third embodiment will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to the flowchart of FIG. Assuming that R
The low power consumption program code read from AM3 is 25
6 bytes are stored in the external memory 12 in advance. It is assumed that the flag 5 is “0”. First, the low power consumption program stored in the external memory 12 is transferred to the RAM 3. The CPU 1 reads one byte of the low power consumption program from the external memory 12 through the serial interface 11 and
3 (steps S7, S2). The CPU 1 determines this operation as 256 bytes, which is the number of bytes of the low power consumption program.
It repeats for the number of bytes (step S3). After storing the low power consumption program code in the RAM 3,
Top address 8 of the low power consumption program stored above
000H (step S4). These controls are performed by the CPU 1 according to a program stored in the flash EEPROM 2. Then, similarly to the first embodiment, the flag 5 is set to "1" by the first program of the low power consumption program on the RAM 3, and the flash EEPROM 2 is disabled (steps S5 and S6).

【0020】この第3の実施形態では、RAM3で実行
する低消費電力プログラムコードをシリアルインタフェ
ース11を介してデータ処理装置10の外部にある外部
メモリ12から読み込むことができるため、外部メモリ
12のプログラムコードを変えることにより、低消費電
力モード時に、異なる処理を行うことができる効果を有
する。なお、本実施例では、シリアルインタフェース1
1を介してデータ処理装置10の外部にある外部メモリ
12から低消費電力プログラムコードを読み込んでいる
が、シリアルインタフェースをもつ他のデータ処理装置
から低消費電力プログラムコードを読み込んでも同様の
効果を得ることができる。
In the third embodiment, since the low power consumption program code executed in the RAM 3 can be read from the external memory 12 outside the data processing device 10 via the serial interface 11, the program in the external memory 12 can be read. By changing the code, there is an effect that different processing can be performed in the low power consumption mode. In this embodiment, the serial interface 1
Although the low power consumption program code is read from the external memory 12 outside the data processing device 10 via the data processing device 1, the same effect can be obtained by reading the low power consumption program code from another data processing device having a serial interface. be able to.

【0021】ここで、前記第3の実施形態についても、
フラグ5を省略することが可能である。図8はその一例
の第4の実施形態の構成図であり、図7に示した構成に
おけるフラグ5が存在しておらず、その代わりにフラッ
シュEEPROM2のCEには、アドレスバス6の最上
位ビットA15が接続されている。
Here, also in the third embodiment,
The flag 5 can be omitted. FIG. 8 is a block diagram of an example of the fourth embodiment, in which the flag 5 in the configuration shown in FIG. 7 is not present, and the CE of the flash EEPROM 2 is replaced with the most significant bit of the address bus 6. A15 is connected.

【0022】この第4の実施形態の動作を示すフローチ
ャートを図9に示す。外部メモリ12に格納された低消
費電力プログラムコードをRAM3に転送し、RAM3
上に格納された低消費電力プログラムの先頭アドレス8
000Hに分岐する動作(ステップS7,S2〜S4)
については、前記第3の実施形態と同じである。また、
RAM3に分岐した後の動作(ステップS6)について
は、前記第2の実施形態と同様であり、アドレスバス6
の最上位ビットA15によってフラッシュEEPROM
2をディセーブル状態とし、低消費電力化を実現するこ
とができる。したがって、前記第2の実施形態と第3の
実施形態のそれぞれの効果と同様な効果を得ることがで
きる。
FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the fourth embodiment. The low power consumption program code stored in the external memory 12 is transferred to the RAM 3,
Top address 8 of the low power consumption program stored above
Operation to branch to 000H (steps S7, S2 to S4)
Is the same as in the third embodiment. Also,
The operation after branching to the RAM 3 (step S6) is the same as in the second embodiment, and the address bus 6
The most significant bit A15 of the flash EEPROM
2 is disabled, and low power consumption can be realized. Therefore, the same effects as the respective effects of the second embodiment and the third embodiment can be obtained.

【0023】次に、本発明の第5の実施形態を図10を
参照して説明する。この第5の実施形態では、図1に示
した第1の実施形態の構成に加えて、割り込みベクタ発
生回路7と、2入力ORゲート8が追加されている。前
記割り込みベクタ発生回路7は、割り込み発生時に各種
割り込みに対応するアドレス信号を生成し、アドレスバ
ス6に出力する。また、2入力ORゲート8は、アドレ
スバス6の最上位ビットA15とフラグ5の出力を入力
とし、その出力をRAM3のアドレス信号の最上位ビッ
トに入力する。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the fifth embodiment, an interrupt vector generation circuit 7 and a two-input OR gate 8 are added to the configuration of the first embodiment shown in FIG. The interrupt vector generation circuit 7 generates an address signal corresponding to various interrupts when an interrupt occurs, and outputs the address signal to the address bus 6. The two-input OR gate 8 receives the most significant bit A15 of the address bus 6 and the output of the flag 5, and inputs the output to the most significant bit of the address signal of the RAM 3.

【0024】この第5の実施形態の動作を、図2に示し
た第1の実施形態の動作と対照して説明する。フラッシ
ュEEPROM2から読み出されるプログラムデータに
基づく動作を一旦終了し、RAM3からの読み出しプロ
グラムで動作を実行した後に、割り込みが発生した場合
を考える。ここで、RAM3上の低消費電力プログラム
を実行中に割り込みが発生し、割り込みベクタアドレス
の最上位ビットが「0」である場合には、アドレスバス
6の最上位ビットA15が「0」となるため、RAM3
のアドレスへのアクセスはできず、この割り込みプログ
ラムで以降の割り込み処理を行うことができなくなる。
しかしながら、フラッシュEEPROM2に格納される
低消費電力プログラムコードをRAM3に転送し、RA
M3上に格納された低消費電力プログラムの先頭アドレ
ス8000Hに分岐して、RAM3上の冒頭プログラム
でフラグ5を「1」に設定し、フラッシュEEPROM
2をディセーブル状態にする動作(ステップ20〜2
6)を実行することにより、フラグ5の出力は「1」と
なっているので、2入力ORゲート8の出力は、アドレ
スバス6の最上位ビットA15の値に関わらず、「1」
に固定される。つまり、フラグ5に「1」を設定するこ
とでRAM3へのアクセスが可能となり、割り込みが発
生して、最上位ビットが「0」の割り込みベクタアドレ
スが生成された場合でも、RAM3の割り込みプログラ
ムで割り込み処理を実行することができる。この割り込
み処理を実行する場合でも、フラッシュEEPROM2
はディセーブル状態であるため、低消費電力化が実現で
きることは言うまでもない。なお、この第5の実施形態
では、フラッシュEEPROM2の動作状態をイネーブ
ル状態にするかディセーブル状態にするかを指定するフ
ラグ5を利用してRAM3へのアクセスを可能にしてい
るが、低消費電力プログラムの実行を開始したときにフ
ラグが「1」になる専用のフラグを設けて制御しても同
様の効果を得られる。
The operation of the fifth embodiment will be described in comparison with the operation of the first embodiment shown in FIG. It is assumed that the operation based on the program data read from the flash EEPROM 2 is temporarily terminated, and the operation is executed by the program read from the RAM 3 before an interrupt occurs. Here, when an interrupt occurs during execution of the low power consumption program on the RAM 3 and the most significant bit of the interrupt vector address is "0", the most significant bit A15 of the address bus 6 becomes "0". RAM3
Cannot be accessed, and subsequent interrupt processing cannot be performed by this interrupt program.
However, the low power consumption program code stored in the flash EEPROM 2 is transferred to the RAM 3,
The program branches to the start address 8000H of the low power consumption program stored on M3, sets the flag 5 to "1" by the first program on the RAM 3, and sets the flash EEPROM.
2 to disable state (steps 20 to 2)
By executing 6), the output of the flag 5 becomes “1”, so that the output of the two-input OR gate 8 becomes “1” regardless of the value of the most significant bit A15 of the address bus 6.
Fixed to That is, by setting the flag 5 to “1”, the RAM 3 can be accessed, and even if an interrupt occurs and an interrupt vector address whose most significant bit is “0” is generated, an interrupt program of the RAM 3 can be used. Interrupt processing can be performed. Even when executing this interrupt processing, the flash EEPROM 2
Is in a disabled state, so that low power consumption can be realized. In the fifth embodiment, the access to the RAM 3 is enabled by using the flag 5 for specifying whether the operation state of the flash EEPROM 2 is set to the enable state or the disable state. Similar effects can be obtained by providing and controlling a dedicated flag whose flag becomes "1" when the execution of the program is started.

【0025】次に、本発明の第6の実施形態について図
11を参照して説明する。この実施形態では、図8に示
した第4の実施形態に対して、第5の実施形態と同様な
割り込みベクタ発生回路7と2入力ORゲート8を追加
したものである。この第5の実施形態では、第4の実施
形態と同様にフラッシュEEPROM2から読み出され
るプログラムコードに基づく動作を一旦終了し、RAM
3からの読み出しプログラムで動作を行い、割り込みが
発生した場合を考える。外部メモリ12に格納された低
消費電力プログラムをRAM3に転送し、RAM3上に
格納された低消費電力プログラムの先頭アドレス800
0Hに分岐して、RAM3上のプログラムコードでフラ
グ5を「1」に設定し、フラッシュEEPROM2をデ
ィセーブル状態にする動作(ステップS1〜S4,S
6)は第3の実施形態と同じである。また、フラグ5を
「1」に設定した後の2入力ORゲート8の動作に関し
ては、第5の実施形態と同じである。したがって、この
第5の実施形態では、前記第3の実施形態及び第5の実
施形態のそれぞれの効果を得ることが可能となる。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, an interrupt vector generating circuit 7 and a two-input OR gate 8 similar to those of the fifth embodiment are added to the fourth embodiment shown in FIG. In the fifth embodiment, as in the fourth embodiment, the operation based on the program code read from the flash EEPROM 2 is temporarily terminated,
It is assumed that the operation is performed by the read program from No. 3 and an interrupt occurs. The low power consumption program stored in the external memory 12 is transferred to the RAM 3 and the start address 800 of the low power consumption program stored on the RAM 3 is stored.
0H, the flag 5 is set to "1" by the program code on the RAM 3, and the operation of disabling the flash EEPROM 2 (steps S1 to S4, S
6) is the same as the third embodiment. The operation of the two-input OR gate 8 after setting the flag 5 to “1” is the same as in the fifth embodiment. Therefore, in the fifth embodiment, it is possible to obtain the respective effects of the third embodiment and the fifth embodiment.

【0026】なお、前記実施形態では、低消費電力プロ
グラムの例として、時計動作を行うプログラムの例を示
しているが、他のプログラムであってもよいことは言う
までもない。また、低消費電力プログラムの実行中にC
PU1からフラッシュEEPROM2に格納されている
アプリケーションプログラムを実行する指令が生じた場
合には、フラッシュEEPROM2のCEを「0」とし
てイネーブル状態とし、フラッシュEEPROM2から
読み出したプログラムに基づいてCPU1がプログラム
処理を実行するものであることは言うまでもない。
In the above-described embodiment, a program for performing a clock operation is shown as an example of the low power consumption program. However, it is needless to say that another program may be used. Also, during execution of the low power consumption program, C
When a command to execute an application program stored in the flash EEPROM 2 is issued from the PU 1, the CE of the flash EEPROM 2 is set to “0” to enable the CPU, and the CPU 1 executes the program processing based on the program read from the flash EEPROM 2. Needless to say,

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、低消費電
力プログラムを格納するための小容量のRAMを設ける
とともに、データ処理装置を動作制御するためのプログ
ラムが格納されている不揮発性メモリの動作状態をイネ
ーブル状態とディセーブル状態に切換制御できるように
したため、低消費電力プログラムを実行するときにはR
AMをアドレス指定し、かつ不揮発性メモリをディセー
ブル状態にすることにより、低消費電力化を実現するこ
とが可能となる。これにより、本発明のデータ処理装置
は、バッテリー駆動タイプの携帯用機器に適用したとき
に、バッテリ寿命を長寿命化する上で非常に有効であ
る。
As described above, according to the present invention, a small-capacity RAM for storing a low power consumption program is provided, and a nonvolatile memory in which a program for controlling the operation of a data processing device is stored. Since the operation state can be controlled to be switched between the enable state and the disable state, when the low power consumption program is executed, R
By addressing the AM and disabling the nonvolatile memory, low power consumption can be realized. Accordingly, the data processing device of the present invention is very effective in extending the battery life when applied to a battery-driven portable device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態のブロック構成図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施形態の動作を説明するためのフロー
チャートである。
FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the first embodiment.

【図3】EEPROM及びRAMのアドレスマップであ
る。
FIG. 3 is an address map of an EEPROM and a RAM.

【図4】本発明の第2の実施形態のブロック構成図であ
る。
FIG. 4 is a block diagram of a second embodiment of the present invention.

【図5】第2の実施形態の動作を説明するためのフロー
チャートである。
FIG. 5 is a flowchart for explaining the operation of the second embodiment.

【図6】本発明の第3の実施形態のブロック構成図であ
る。
FIG. 6 is a block diagram of a third embodiment of the present invention.

【図7】第3の実施形態の動作を説明するためのフロー
チャートである。
FIG. 7 is a flowchart for explaining the operation of the third embodiment.

【図8】本発明の第4の実施形態のブロック構成図であ
る。
FIG. 8 is a block diagram of a fourth embodiment of the present invention.

【図9】第4の実施形態の動作を説明するためのフロー
チャートである。
FIG. 9 is a flowchart for explaining the operation of the fourth embodiment.

【図10】本発明の第5の実施形態のブロック構成図で
ある。
FIG. 10 is a block diagram of a fifth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第6の実施形態のブロック構成図で
ある。
FIG. 11 is a block diagram of a sixth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 CPU 2 フラッシュEEPROM 3 RAM 4 データバス 5 フラグ 6 アドレスバス 7 割り込みベクタ発生回路 8 2入力ORゲート 10 データ処理装置 11 シリアルインタフェース 12 外部メモリ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 CPU 2 Flash EEPROM 3 RAM 4 Data bus 5 Flag 6 Address bus 7 Interrupt vector generation circuit 8 2-input OR gate 10 Data processing device 11 Serial interface 12 External memory

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 データ処理装置を動作制御するためのプ
ログラムが格納された不揮発性メモリと、前記プログラ
ムの一部を格納可能な前記不揮発性メモリよりも小容量
のRAMと、前記不揮発性メモリまたは前記RAMをア
ドレス指定し、前記不揮発性メモリまたは前記RAMに
格納されているプログラムを読み出して命令を解読し実
行するCPUとを有するデータ処理装置において、前記
不揮発性メモリから前記RAMへ前記一部のプログラム
を転送する手段と、前記不揮発性メモリの動作状態をイ
ネーブル状態にするか、ディセーブル状態にするかを指
定する指定手段とを備え、前記指定手段は前記RAMに
格納されたプログラムを実行する際に前記不揮発性メモ
リの動作状態をディセーブル状態に指定するよう構成さ
れていることを特徴とするデータ処理装置。
A nonvolatile memory storing a program for controlling the operation of the data processing device; a RAM having a smaller capacity than the nonvolatile memory capable of storing a part of the program; A CPU for addressing the RAM and reading the program stored in the nonvolatile memory or the RAM to decode and execute the instruction. Means for transferring a program; and designating means for designating whether the operation state of the nonvolatile memory is to be enabled or disabled, wherein the designating means executes the program stored in the RAM. The operating state of the non-volatile memory is designated as a disabled state. Data processing device.
【請求項2】 データ処理装置を動作制御するためのプ
ログラムが格納された不揮発性メモリと、データ処理装
置を動作制御するための他のプログラムが格納可能な前
記不揮発性メモリよりも小容量のRAMと、前記不揮発
性メモリまたは前記RAMをアドレス指定し、前記不揮
発性メモリまたは前記RAMに格納されているプログラ
ムを読み出して命令を解読し実行するCPUと、外部か
らデータを取得するインタフェース手段とを有するデー
タ処理装置において、前記インタフェース手段を介して
前記データ処理装置の外部から前記RAMへプログラム
を転送する手段と、前記不揮発性メモリの動作状態をイ
ネーブル状態にするか、ディセーブル状態にするかを指
定する指定手段とを備え、前記指定手段は、前記RAM
に格納されたプログラムを実行する際に前記不揮発性メ
モリの動作状態をディセーブル状態に指定するよう構成
されていることを特徴とするデータ処理装置
2. A nonvolatile memory storing a program for controlling the operation of the data processing device, and a RAM having a smaller capacity than the nonvolatile memory capable of storing another program for controlling the operation of the data processing device. A CPU that addresses the non-volatile memory or the RAM, reads a program stored in the non-volatile memory or the RAM, decodes and executes a command, and an interface unit that acquires data from the outside In the data processing device, means for transferring a program from the outside of the data processing device to the RAM via the interface means, and designation of whether the operation state of the nonvolatile memory is enabled or disabled Specifying means for performing the operation, wherein the specifying means comprises the RAM
A data processing device configured to specify an operation state of the nonvolatile memory to be a disabled state when executing a program stored in the data storage device.
【請求項3】 前記不揮発性メモリから前記RAMへプ
ログラムを転送する手段、または前記データ処理装置の
外部から前記RAMへプログラムを転送する手段は前記
CPUで構成され、前記CPUが前記不揮発性メモリか
らまたは前記インタフェース手段を介して前記転送する
プログラムを読み出し、前記RAMへ書き込むことで行
うことを特徴とする請求項1または2に記載のデータ処
理装置
3. The means for transferring a program from the non-volatile memory to the RAM or the means for transferring a program from outside the data processing device to the RAM comprises the CPU. 3. The data processing apparatus according to claim 1, wherein the transfer is performed by reading the program to be transferred via the interface unit and writing the read program into the RAM.
【請求項4】 前記不揮発性メモリの動作状態をイネー
ブル状態にするか、ディセーブル状態にするかを指定す
る指定手段は、前記CPUによりアクセスされる第1の
フラグにより選択することを特徴とする請求項1または
3に記載のデータ処理装置
4. A designating means for designating whether the operation state of the nonvolatile memory is enabled or disabled is selected by a first flag accessed by the CPU. The data processing device according to claim 1.
【請求項5】 前記不揮発性メモリの動作状態をイネー
ブル状態にするか、ディセーブル状態にするかを指定す
る指定手段は、前記アドレス指定を行うためのアドレス
信号の一部のビットにより指定を行う構成であることを
特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のデータ
処理装置
5. A designating means for designating whether the operation state of the nonvolatile memory is to be an enable state or a disable state is performed by a part of bits of an address signal for performing the address specification. 5. The data processing device according to claim 1, wherein the data processing device has a configuration.
【請求項6】 前記アドレス信号の一部のビットは、最
上位ビットであることを特徴とする請求項5に記載のデ
ータ処理装置
6. The data processing device according to claim 5, wherein some bits of the address signal are the most significant bits.
【請求項7】 前記アドレス指定を行うためのアドレス
信号が前記不揮発性メモリをアドレス指定している場合
に前記RAMをアクセスする制御手段を備え、前記RA
Mに格納されたプログラムを実行することを特徴とする
請求項1,2または4に記載のデータ処理装置
7. A control means for accessing the RAM when an address signal for specifying the address specifies the non-volatile memory,
5. The data processing device according to claim 1, wherein the program stored in M is executed.
【請求項8】 前記アドレス信号が前記不揮発性メモリ
をアドレス指定している場合に前記RAMをアクセスす
る制御手段は、前記CPUによりアクセスされる第2の
フラグである請求項7に記載のデータ処理装置
8. The data processing device according to claim 7, wherein the control means for accessing the RAM when the address signal specifies the nonvolatile memory is a second flag accessed by the CPU. apparatus
【請求項9】 前記第2のフラグは、前記第1のフラグ
と同一であることを特徴とする請求項8に記載のデータ
処理装置
9. The data processing apparatus according to claim 8, wherein the second flag is the same as the first flag.
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