JP2000098406A - Electrode substrate, liquid crystal element using the same, preparation of electrode substrate and preparation of liquid crystal element - Google Patents
Electrode substrate, liquid crystal element using the same, preparation of electrode substrate and preparation of liquid crystal elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、相互に離間する第
１電極と該第１電極の間隙に配置された絶縁層とを有す
る電極基板、該電極基板を備えた液晶素子、前記電極基
板の製造方法、及び前記液晶素子の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode substrate having a first electrode separated from each other and an insulating layer arranged in a gap between the first electrodes, a liquid crystal device provided with the electrode substrate, The present invention relates to a manufacturing method and a method for manufacturing the liquid crystal element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、液晶パネル（液晶素子）は種
々のものが提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various types of liquid crystal panels (liquid crystal elements) have been proposed.
【０００３】図１は、従来の液晶パネルの構造の一例を
示す断面図であるが、この液晶パネルＰ1 は、所定距離
離間した状態に配置された一対の電極基板１０，１０を
備えており、これら一対の電極基板１０，１０はシール
材２によって貼り合わせられていると共にその間隙には
液晶３が挟持されている。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the structure of a conventional liquid crystal panel. This liquid crystal panel P 1 has a pair of electrode substrates 10 and 10 arranged at a predetermined distance from each other. The pair of electrode substrates 10 and 10 are bonded together by a sealing material 2 and a liquid crystal 3 is sandwiched in a gap therebetween.
【０００４】そして、電極基板１０はガラス基板１１を
有しており、このガラス基板１１の表面には、１μｍ以
上の厚さの金属電極１２が相互に離間するように複数形
成されている。また、これらの金属電極１２の間隙には
絶縁層１３Ｓが配置されていて、これらの金属電極１２
と絶縁層１３Ｓとによって平滑な面が形成されている。
なお、この絶縁層１３Ｓは、後述するように流動性を有
する状態で金属電極１２の間隙に充填し、光を照射する
ことによって硬化させて形成されるが、以下、硬化され
る前のものを“樹脂モノマー液１３Ｌ”とし、硬化され
た後のものを“絶縁層１３Ｓ”とする。[0004] The electrode substrate 10 has a glass substrate 11, and a plurality of metal electrodes 12 having a thickness of 1 μm or more are formed on the surface of the glass substrate 11 so as to be separated from each other. Further, an insulating layer 13S is disposed in the gap between these metal electrodes 12, and the metal electrodes 12
And the insulating layer 13S form a smooth surface.
The insulating layer 13S is formed by filling the gaps between the metal electrodes 12 in a fluid state as described below and curing the material by irradiating light. This is referred to as “resin monomer liquid 13L”, and the cured one is referred to as “insulating layer 13S”.
【０００５】一方、金属電極１２と絶縁層１３Ｓとによ
って形成される平滑な面には複数の透明電極６が形成さ
れており、各透明電極６と各金属電極１２とが電気的に
接続されるように構成されている。また、これらの透明
電極６を覆うように絶縁膜７や配向制御膜９が形成され
ている。On the other hand, a plurality of transparent electrodes 6 are formed on a smooth surface formed by the metal electrode 12 and the insulating layer 13S, and each transparent electrode 6 and each metal electrode 12 are electrically connected. It is configured as follows. An insulating film 7 and an orientation control film 9 are formed so as to cover these transparent electrodes 6.
【０００６】次に、この液晶パネルＰ1 の製造方法につ
いて、図２を参照して説明する。[0006] Next, a method for producing the liquid crystal panel P 1, will be described with reference to FIG.
【０００７】予め、図２(b) に符号Ａ1 で示すような、
ガラス基板１１の表面に所定パターンの金属電極１２を
形成したもの（以下、このような構造体を“金属電極付
基板Ａ1 ”とする）を用意しておく。なお、この金属電
極付基板Ａ1 の表面にはカップリング処理を施し、後に
形成される絶縁層１３Ｓとの密着性が良くなるようにし
ている。[0007] in advance, such as shown at A 1 in FIG. 2 (b),
A glass substrate 11 having a predetermined pattern of metal electrodes 12 formed on the surface thereof (hereinafter, such a structure is referred to as “substrate A 1 with metal electrodes”) is prepared in advance. Note that in this way the metal substrate with electrode A 1 of the surface subjected to the coupling treatment, adhesion between the insulating layer 13S to be formed later is improved.
【０００８】一方、定量供給装置としてのディスペンサ
ー２０を用い、ＵＶ硬化樹脂等の樹脂モノマー液１３Ｌ
を所定量だけ板状部材２１（以下、“平滑板２１”とす
る）の平滑な表面に滴下する（図２(a) 参照）。On the other hand, using a dispenser 20 as a fixed amount supply device, a resin monomer liquid 13L such as a UV curable resin is used.
Is dropped on the smooth surface of the plate-like member 21 (hereinafter, referred to as “smooth plate 21”) by a predetermined amount (see FIG. 2A).
【０００９】次に、樹脂モノマー液１３Ｌを挟み込むよ
うに平滑板２１と金属電極付基板Ａ1 とを重ね合わせ、
積層体Ａ2 を形成する（図２(b) (c) 参照。以下、この
積層体Ａ2 を“被加圧体Ａ2 ”とする）。[0009] Next, superposed and smoothing plate 21 and the metal substrate with electrode A 1 so as to sandwich the resin monomer liquid 13L,
To form a laminate A 2 (FIG. 2 (b) (c) reference. Hereinafter, the laminate A 2 and "the pressure body A 2").
【００１０】さらに、この被加圧体Ａ2 を、プレス機２
２にセットして加圧する（図２(d)参照）。なお、この
プレス機２２は、回転自在なプレス用ローラ２２Ｕ，２
２Ｄを有したものであって、これらのプレス用ローラ２
２Ｕ，２２Ｄによって被加圧体Ａ2 を挟持した状態でこ
れらのローラ２２Ｕ，２２Ｄを被加圧体Ａ2 の面方向に
移動させることにより、被加圧体Ａ2 の全面を加圧する
ようになっている。樹脂モノマー液１３Ｌは、平滑板２
１の平滑な表面によって加圧されるため、金属電極１２
の表面から除去されて金属電極１２の間隙に入り込み、
金属電極１２と共に平滑な面を形成することとなる。な
お、樹脂モノマー液１３Ｌは、ガラス基板１１の全面に
押し広げられることとなる。Further, the pressed body A 2 is
2 and pressurize (see FIG. 2 (d)). The press machine 22 includes rotatable press rollers 22U and 2U.
2D, these press rollers 2
2U, these rollers 22U while holding the object to be pressure body A 2 by 22D, by moving the 22D in the surface direction of the pressure body A 2, to press the entire surface of the pressure body A 2 Has become. 13 L of the resin monomer liquid is applied to the smooth plate 2
1, the metal electrode 12
Is removed from the surface of the metal electrode 12 and enters the gap between the metal electrodes 12,
A smooth surface is formed together with the metal electrode 12. The resin monomer liquid 13L is spread over the entire surface of the glass substrate 11.
【００１１】このような加圧を終了すると、被加圧体Ａ
2 をプレス機２２から取り出し、該被加圧体Ａ2 の樹脂
モノマー液１３Ｌに紫外線Ｌ（以下、“ＵＶ光Ｌ”とす
る）を照射し、これを硬化させて絶縁層１３Ｓを形成す
る（図２(e) 参照）。When such pressurization is completed, the pressurized body A
2 was removed from the press 22, ultraviolet L (hereinafter referred to as "UV light L") to said pressing body A 2 resin monomer liquid 13L is irradiated with and cured it to form an insulating layer 13S ( (See FIG. 2 (e)).
【００１２】その後、不図示の工具等によって矢印Ｆの
方向に力を加え、平滑板２１を剥離する（図２(f) 参
照）。Thereafter, a force is applied in the direction of arrow F by a tool (not shown) or the like to peel off the smooth plate 21 (see FIG. 2 (f)).
【００１３】さらに、金属電極１２及び絶縁層１３Ｓの
表面に透明電極６を形成し（図２(g) 参照）、絶縁膜７
や配向制御膜９を形成して電極基板１０を作成する。Further, a transparent electrode 6 is formed on the surfaces of the metal electrode 12 and the insulating layer 13S (see FIG. 2 (g)).
Then, an electrode substrate 10 is formed by forming an orientation control film 9.
【００１４】そして、このように作成した電極基板１０
の端縁にシール材２を塗布し、もう一つの電極基板１０
を貼り合わせて液晶セルを構成し、基板間隙に液晶３を
注入して液晶パネルＰ1 を作成する。The electrode substrate 10 thus formed is
The sealing material 2 is applied to the edge of the
The bonded constitute a liquid crystal cell, to create a liquid crystal panel P 1 by injecting a liquid crystal 3 to the substrate gap.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した方
法で液晶パネルＰ1 を作成すると、絶縁層１３Ｓはガラ
ス基板１１の全面に亘って端部にまで形成されることと
なり、シール材２とガラス基板１１とは直接接着される
のではなく、絶縁層１３Ｓを間に挟んだ状態で接着され
ることとなる（図１(a) 参照）。したがって、シール材
２とガラス基板１１との密着性が悪く、ガラス基板１１
が剥れ易くなるという問題があった。[SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, when creating the liquid crystal panel P 1 in the manner described above, the insulating layer 13S becomes to be formed to the end over the entire surface of the glass substrate 11, the sealing member 2 and the glass Instead of being directly bonded to the substrate 11, the substrate 11 is bonded with the insulating layer 13S interposed therebetween (see FIG. 1A). Therefore, the adhesion between the sealing material 2 and the glass substrate 11 is poor, and the glass substrate 11
However, there was a problem that the film was easily peeled off.
【００１６】また、絶縁層１３Ｓは、基板端部において
外気に露出されているが、この絶縁層１３Ｓは透湿性に
富むものであることから外気から水分を取り込んで液晶
中に放出する役割を果たしてしまう。その結果、液晶中
に水分が混入されることとなり、表示品位が悪くなると
いう問題もあった。The insulating layer 13S is exposed to the outside air at the end of the substrate. However, since the insulating layer 13S is rich in moisture permeability, it plays a role of taking in moisture from the outside air and releasing it into the liquid crystal. As a result, water is mixed into the liquid crystal, and there is a problem that display quality is deteriorated.
【００１７】一方、上述のような製造方法においては、
透明電極６を形成する場合の位置出し（すなわち、フォ
トマスクと電極基板１０との位置合わせ）や、電極基板
１０を貼り合わせる場合の位置合わせを正確に行う必要
があるが、そのためには、位置合わせ用のアライメント
マークをガラス基板１１の端部に形成しておくと共に、
該アライメントマークの位置をカメラ等による画像処理
で認識する方法が便利である。しかし、上述のように絶
縁層１３Ｓがガラス基板１１の端部付近まで形成されて
いると、アライメントマークの位置認識が困難になると
いう問題があった。On the other hand, in the manufacturing method as described above,
Positioning when forming the transparent electrode 6 (that is, positioning between the photomask and the electrode substrate 10) and positioning when bonding the electrode substrate 10 need to be performed accurately. An alignment mark for alignment is formed at an end of the glass substrate 11, and
A method of recognizing the position of the alignment mark by image processing using a camera or the like is convenient. However, when the insulating layer 13S is formed up to the vicinity of the end of the glass substrate 11 as described above, there is a problem that it is difficult to recognize the position of the alignment mark.
【００１８】なお、このような問題を解決するものとし
て、図３に示す製造方法がある。In order to solve such a problem, there is a manufacturing method shown in FIG.
【００１９】すなわち、図２に示す製造方法と図３に示
す製造方法とは、前者が樹脂モノマー液１３Ｌを平滑板
２１の側に滴下するのに対し（図２(a) 参照）、後者は
樹脂モノマー液１３Ｌを金属電極付基板Ａ1 の側に滴下
している点（図３(c) 参照）では異なるものの、被加圧
体Ａ2 を加圧する工程までは実質的に同じである（図３
(a) 〜(e) 参照）。That is, the manufacturing method shown in FIG. 2 and the manufacturing method shown in FIG. 3 are different from the former in that the resin monomer liquid 13L is dropped on the side of the smoothing plate 21 (see FIG. 2 (a)). although the resin monomer solution 13L differs in that it is dropped to the side of the substrate with the metal electrodes a 1 (see FIG. 3 (c)), until the step of pressing the object to be pressure body a 2 is substantially the same ( FIG.
(See (a)-(e)).
【００２０】しかし、ＵＶ光Ｌを照射する工程では、液
晶パネルＰ1 の表示エリアＥ1 に相当する形状の開口部
２４ａを有する露光マスク２４を使用し、基板端部にお
いては樹脂モノマー液１３Ｌが硬化しないようにしてい
る（同図(f) 参照）。なお、同図にて符号２５で示すも
のは、被加圧体Ａ2 並びに露光マスク２４の位置決めを
行うためのベース治具であり、このベース治具２５によ
って被加圧体Ａ2 と露光マスク２４との相対位置決めを
行って露光エリアを規定するようになっている。[0020] However, in the step of irradiating with UV light L, using an exposure mask 24 having an opening 24a having a shape corresponding to the display area E 1 of the liquid crystal panel P 1, the resin monomer liquid 13L in the substrate end It does not cure (see (f) in the figure). The reference numeral 25 in the figure denotes a base jig for positioning the pressed object A 2 and the exposure mask 24. The base jig 25 allows the pressed object A 2 and the exposure mask to be positioned. The exposure area is defined by performing positioning relative to the exposure area 24.
【００２１】そして、上述のように樹脂モノマー液１３
Ｌを硬化させた後は、未硬化の樹脂モノマー液１３Ｌを
除去し、上記と同様の方法で液晶パネルを作成するよう
になっている。Then, as described above, the resin monomer liquid 13
After L is cured, the uncured resin monomer liquid 13L is removed, and a liquid crystal panel is prepared in the same manner as described above.
【００２２】しかしながら、上述のように露光マスク２
４を使用して樹脂モノマー液１３Ｌを硬化させても、Ｕ
Ｖ光Ｌは、開口部２４ａが配置されていた部分Ｅ1 にの
み照射されるのではなく、該開口部２４ａの外側（すな
わち、開口部２４ａが配置されていた部分よりも基板端
部側）の部分Ｅ2 にも照射されてしまい、図４(a) 及び
(b) に示すように、厚みが漸次減少する硬化部Ｃが該部
分Ｅ2 に形成されることとなる。このため、シール材２
がガラス基板１１の表面にではなく硬化部Ｃ（すなわ
ち、絶縁層１３Ｓ）の表面に接着される事態も生じるこ
ととなり、そのような場合には上述と同様の問題を生ず
ることとなる。However, as described above, the exposure mask 2
Even if 13 L of the resin monomer liquid is cured using
V light L is not being irradiated only to part E 1 of the opening 24a has been arranged outside of the opening portion 24a (i.e., the substrate end part side than the portion where the opening 24a has been disposed) will also be irradiated to the portion E 2 of FIG. 4 (a) and
(b), the so that the cured part C the thickness is gradually reduced are formed in partial E 2. For this reason, the sealing material 2
May be adhered to the surface of the cured portion C (that is, the insulating layer 13S) instead of the surface of the glass substrate 11, and in such a case, the same problem as described above occurs.
【００２３】そこで、本発明は、基材の剥れを防止する
電極基板を提供することを目的とするものである。Accordingly, an object of the present invention is to provide an electrode substrate which prevents peeling of a substrate.
【００２４】また、本発明は、位置合わせを正確にでき
る電極基板を提供することを目的とするものである。Another object of the present invention is to provide an electrode substrate capable of performing accurate positioning.
【００２５】さらに、本発明は、基材の剥れを防止する
液晶素子を提供することを目的とするものである。Still another object of the present invention is to provide a liquid crystal element which prevents the substrate from peeling off.
【００２６】また、本発明は、液晶中への水分の混入を
防止する液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。Another object of the present invention is to provide a liquid crystal element which prevents the incorporation of moisture into the liquid crystal.
【００２７】さらに、本発明は、製造時間を短縮できる
液晶素子を提供することを目的とするものである。Still another object of the present invention is to provide a liquid crystal device capable of shortening a manufacturing time.
【００２８】また、本発明は、光学的な差異やクロスト
ークの発生を防止する液晶素子を提供することを目的と
するものである。Another object of the present invention is to provide a liquid crystal element that prevents the occurrence of optical differences and crosstalk.
【００２９】さらに、本発明は、電圧波形の遅延が低減
されて高精細に対応可能な液晶素子を提供することを目
的とするものである。A further object of the present invention is to provide a liquid crystal element capable of responding to high definition with a reduced delay of a voltage waveform.
【００３０】また、本発明は、上述した電極基板を製造
する電極基板の製造方法を提供することを目的とするも
のである。Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electrode substrate for manufacturing the above-described electrode substrate.
【００３１】さらに、本発明は、上述した液晶素子を製
造する液晶素子の製造方法を提供することを目的とする
ものである。Still another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal element for manufacturing the above-described liquid crystal element.
【００３２】[0032]
【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、基材と、相互に離間するよう
に該基材の表面に形成された複数の第１電極と、これら
の第１電極相互の間隙に埋設された絶縁層と、を備えた
電極基板において、前記絶縁層は、前記基材の表面の一
部である第１のエリアにほぼ均一な厚みで形成され、か
つ、該第１のエリア以外のエリアである第２のエリアで
は、前記絶縁層が形成されずに前記基材が露出されてい
る、ことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a substrate and a plurality of first electrodes formed on the surface of the substrate so as to be separated from each other. An insulating layer buried in a gap between the first electrodes, wherein the insulating layer is formed with a substantially uniform thickness in a first area that is a part of the surface of the base material. In a second area other than the first area, the base material is exposed without forming the insulating layer.
【００３３】また、本発明は、上述した電極基板と、該
電極基板に沿うように配置された液晶と、を備えた液晶
素子を提供するものである。Further, the present invention provides a liquid crystal device comprising the above-mentioned electrode substrate and a liquid crystal arranged along the electrode substrate.
【００３４】さらに、本発明は、複数の第１電極を相互
に離間するように基材の表面に形成する工程と、光を照
射する前は流動性を有し光の照射により硬化される絶縁
材料を前記第１電極相互の間隙に充填する工程と、光を
照射して前記絶縁材料を硬化させる工程と、からなる電
極基板の製造方法において、前記第１電極を形成した後
であって前記絶縁材料を充填する前に、前記基材の表面
の一部である第１のエリアに表面改質処理とカップリン
グ処理とを順次施して前記絶縁材料と前記基材との密着
性を向上させると共に、前記第１のエリア以外のエリア
である第２のエリアに離型剤を塗布して前記絶縁材料と
前記基材との密着性を低下させ、前記光の照射を前記第
１のエリアに対してのみ行って、該第１のエリアに絶縁
層を形成し、その後、前記第２のエリアに残存する絶縁
材料及び離型剤を除去する、ことを特徴とする。Further, the present invention provides a step of forming a plurality of first electrodes on a surface of a substrate so as to be spaced apart from each other, and an insulating step which has fluidity and is cured by light irradiation before light irradiation. Filling a gap between the first electrodes with each other, and irradiating light to cure the insulating material, wherein the method comprises the steps of: Before filling the insulating material, a first area which is a part of the surface of the base material is subjected to a surface modification treatment and a coupling treatment in order to improve the adhesion between the insulating material and the base material. At the same time, a release agent is applied to a second area other than the first area to reduce the adhesion between the insulating material and the base material, and the light irradiation is applied to the first area. And forming an insulating layer in the first area. , To remove the insulating material and a release agent remaining in the second area, and wherein the.
【００３５】また、本発明は、上述した製造方法にて電
極基板を製造する工程と、前記電極基板を貼り合わせる
工程と、前記電極基板の間隙に液晶を注入する工程と、
からなる液晶素子の製造方法を提供するものである。Also, the present invention provides a method of manufacturing an electrode substrate by the above-described manufacturing method, a step of bonding the electrode substrate, and a step of injecting a liquid crystal into a gap between the electrode substrates.
And a method for manufacturing a liquid crystal element comprising the same.
【００３６】[0036]
【発明の実施の形態】以下、図５乃至図９を参照して、
本発明の実施の形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIGS.
An embodiment of the present invention will be described.
【００３７】図５は、本実施の形態にて製造される電極
基板３０、並びに該電極基板３０を用いて製造される液
晶素子Ｐ2 の構造の一例を示す断面図である。[0037] Figure 5, the electrode substrate 30 to be manufactured in the present embodiment, and is a sectional view showing an example of the structure of the liquid crystal element P 2 that is manufactured using the electrode substrate 30.
【００３８】かかる電極基板３０は基材１１を備えてお
り、該基材１１の表面には、相互に離間するように複数
の第１電極１２が形成されている。また、該基材１１の
表面の一部である第１のエリアＥ1 には、第１電極１２
の相互の間隙を埋設するように絶縁層１３Ｓがほぼ均一
な厚みで形成されており、該第１のエリア以外のエリア
である第２のエリアＥ2 では、絶縁層１３Ｓが形成され
ずに前記基材１１が露出されている。The electrode substrate 30 has a substrate 11, and a plurality of first electrodes 12 are formed on the surface of the substrate 11 so as to be separated from each other. A first electrode 12 is provided in a first area E1, which is a part of the surface of the base material 11.
Mutual is formed in substantially uniform thickness insulating layer 13S is so as to bury the gap, the second in the area E 2 is an area other than the first area, the no insulating layer 13S is formed The substrate 11 is exposed.
【００３９】この場合、これらの第１電極１２及び絶縁
層１３Ｓによってほぼ平坦な面を形成しても良い。ま
た、これらの第１電極１２及び絶縁層１３Ｓの表面に、
各第１電極１２に電気的に接続されるように第２電極６
を複数形成しても良い。さらに、この第２電極６を覆う
ように絶縁膜７や配向制御膜９を形成しても良い。In this case, a substantially flat surface may be formed by the first electrode 12 and the insulating layer 13S. In addition, on the surfaces of the first electrode 12 and the insulating layer 13S,
The second electrode 6 is electrically connected to each first electrode 12.
May be formed in plurality. Further, an insulating film 7 and an orientation control film 9 may be formed so as to cover the second electrode 6.
【００４０】一方、上述した構成の電極基板３０と、該
電極基板３０に沿うように配置された液晶３と、を用い
て液晶素子を作成しても良い。その具体的構造として
は、 ＊ 図５(a) に示すように、一対の電極基板３０を所定
距離離間した状態に配置し、これら一対の電極基板３０
の間隙に液晶３を挟持させたもの（すなわち、上下の基
板を同じ構成にしたもの）や、 ＊ 上述した構成の電極基板３０、及び該電極基板３０
とは異なる構成の電極基板（不図示）の２枚の電極基板
を所定距離離間した状態に配置し、これら一対の電極基
板に液晶３を挟持させたもの、が考えられる。なお、こ
れらの電極基板の貼り合わせはシール材２によって行え
ば良く、これらの電極基板の間隙にスペーサー（不図
示）を多数配置して該間隙を規定するようにしても良
い。On the other hand, a liquid crystal element may be formed using the electrode substrate 30 having the above-described configuration and the liquid crystal 3 arranged along the electrode substrate 30. The specific structure is as follows: * As shown in FIG. 5 (a), a pair of electrode substrates 30 are arranged at a predetermined distance from each other,
(Ie, the upper and lower substrates have the same configuration), the electrode substrate 30 having the above-described configuration, and the electrode substrate 30.
It is conceivable that two electrode substrates (not shown) having a different configuration from the above are arranged at a predetermined distance from each other, and the liquid crystal 3 is sandwiched between the pair of electrode substrates. Note that the bonding of these electrode substrates may be performed with the sealing material 2, and a large number of spacers (not shown) may be arranged in the gap between these electrode substrates to define the gap.
【００４１】ところで、基材１１には、両面が研磨され
て平行度の良好なもので、かつ厚さが０．５〜２mm程度
のものを用いれば良く、材質的には、ガラス、セラミッ
ク、樹脂等を用いれば良い。ここで、ガラス製の基材と
しては、液晶素子の基板用として一般的に用いられてい
るもの、例えば、１mm程度の厚さのソーダガラス（青板
ガラス）を挙げることができる。By the way, the base material 11 may be a material which is polished on both sides and has good parallelism and has a thickness of about 0.5 to 2 mm. A resin or the like may be used. Here, examples of the glass substrate include those commonly used for substrates of liquid crystal elements, for example, soda glass (blue plate glass) having a thickness of about 1 mm.
【００４２】第１電極１２には、電気抵抗値が小さく、
１μｍ程度の厚さに成膜することが容易で、さらに基材
１１への密着性が良好な材料を用いれば良い。具体的に
は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅等の金属が
好ましい。またさらに、第１電極１２を積層構造とし、
上記金属からなる導電層の他に、該導電層を被覆して耐
環境性を向上させるための保護層や、前記導電層と基材
１１との間に配置して基材１１への密着性を向上させる
ための密着層を設けても良い。また、この第１電極１２
の形状はストライプ形状とすれば良い。The first electrode 12 has a small electric resistance value,
A material that can be easily formed into a film with a thickness of about 1 μm and has good adhesion to the substrate 11 may be used. Specifically, metals such as aluminum, chromium, molybdenum, and copper are preferable. Further, the first electrode 12 has a laminated structure,
In addition to the conductive layer made of the metal, a protective layer that covers the conductive layer to improve environmental resistance, and an adhesion between the conductive layer and the substrate 11 that is disposed between the conductive layer and the substrate 11 May be provided with an adhesion layer for improving the quality. Also, the first electrode 12
May be a stripe shape.
【００４３】絶縁層１３Ｓには、光の照射により硬化さ
れる物質であって、光を照射する前においては流動性を
有し、光を照射した後においては絶縁性に富むと共に光
を透過する物質が好ましく（以下、硬化される前のもの
を“絶縁材料１３Ｌ”とし、硬化された後のものを“絶
縁層１３Ｓ”とする）、具体的には、紫外線（以下、
“ＵＶ光”とする）の照射を受けて硬化する紫外線硬化
型樹脂（以下、“ＵＶ硬化樹脂”とする）を挙げること
ができる。かかるＵＶ硬化樹脂としては、モノマー、オ
リゴマー及び光開始剤の混合組成物であり、アクリル
系、エポキシ系、エン・チオール系等いかなる重合方式
のものでも良いが、後の製造工程（例えば、第２電極６
を形成する工程や、配向制御膜９を焼成する工程）に耐
え得るよう、耐熱性、耐薬品性、耐洗浄性を具備してい
る必要がある。したがって、例えば、主成分である反応
性オリゴマーに耐熱性のある分子構造を導入したもの
や、多官能モノマーにより架橋密度を高めたものが好ま
しい。The insulating layer 13S is a substance which is cured by light irradiation, has fluidity before light irradiation, and has a high insulating property and transmits light after light irradiation. The substance is preferable (hereinafter, the material before curing is referred to as “insulating material 13L”, and the material after curing is referred to as “insulating layer 13S”).
UV-curable resin (hereinafter, referred to as “UV-curable resin”) that is cured by irradiation with “UV light”. Such a UV-curable resin is a mixed composition of a monomer, an oligomer and a photoinitiator, and may be of any polymerization type such as an acrylic type, an epoxy type, or an ene / thiol type. Electrode 6
, Or a step of baking the alignment control film 9), it is necessary to have heat resistance, chemical resistance, and washing resistance. Therefore, for example, it is preferable to use a reactive oligomer which is a main component, in which a heat-resistant molecular structure is introduced, or a resin in which a crosslinking density is increased by a polyfunctional monomer.
【００４４】第２電極６としては、透光性に富むものが
好ましく、例えば、ＩＴＯ（indiumTin Oxide；酸化イ
ンジウムに酸化スズを５〜１０％程度混合した物）や、
インジウムオキサイドや、ティンオキサイド等の透明導
電膜を用いれば良い。The second electrode 6 is preferably a material having high translucency, for example, ITO (indium tin oxide; a mixture of indium oxide and tin oxide of about 5 to 10%), or the like.
A transparent conductive film such as indium oxide or tin oxide may be used.
【００４５】液晶３としては、カイラルスメクチック相
を示す液晶や、ツイステッドネマチック液晶を挙げるこ
とができる。なお、カイラルスメクチック相を示す液晶
としては、強誘電性を示す液晶（以下、“強誘電性液
晶”とする）や反強誘電性を示す液晶（以下、“反強誘
電性液晶”とする）を挙げることができる。Examples of the liquid crystal 3 include a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase and a twisted nematic liquid crystal. The liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase includes a liquid crystal exhibiting ferroelectricity (hereinafter, referred to as “ferroelectric liquid crystal”) and a liquid crystal exhibiting antiferroelectricity (hereinafter, referred to as “antiferroelectric liquid crystal”). Can be mentioned.
【００４６】次に、本実施の形態に係る電極基板の製造
方法、並びに液晶素子の製造方法について、図６及び図
７を参照して説明する。Next, a method for manufacturing an electrode substrate and a method for manufacturing a liquid crystal element according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
【００４７】電極基板３０を製造するに際しては、ま
ず、複数の第１電極１２を相互に離間するように基材１
１の表面に形成する（図６(a) 参照。以下、このような
構造体を“第１電極付基板Ａ1 ”とする）。なお、第１
電極１２の形成には、真空蒸着法やスパッタリング法等
の薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法を用いれば良
い。また、これら複数の第１電極１２は、上述した第１
のエリアＥ1 のみに形成し、第２のエリアＥ2 には形成
しないようにしても良い。In manufacturing the electrode substrate 30, first, the base material 1 is placed so that the plurality of first electrodes 12 are separated from each other.
Formed on the first surface (see FIG. 6 (a). Hereinafter, such a structure that the "first substrate with electrode A 1"). The first
For forming the electrode 12, a thin film forming technique such as a vacuum evaporation method or a sputtering method or a photolithography method may be used. In addition, the plurality of first electrodes 12 correspond to the first electrodes described above.
Formed only of the area E 1, the may not be formed in the second area E 2.
【００４８】次に、前記第１のエリアＥ1 に表面改質処
理を施す（図６(b) 参照）。これにより、第１のエリア
Ｅ1 においては、次述するカップリング処理の効果が高
められて基材１１と絶縁層１３Ｓとの密着性が向上さ
れ、第２のエリアＥ2 においては、表面改質処理は施さ
れず絶縁層１３Ｓと基材１１との密着性は低い状態のま
ま保持される。なお、このような表面改質処理としては
ＵＶオゾン処理を挙げることができる。また、このよう
なＵＶオゾン処理を前記第１のエリアＥ1 にのみ施すに
は、図６(b) に示すように、該エリアＥ1 に相当する形
状の開口部４０ａを有するマスク４０を用い、該マスク
４０の側からＵＶオゾン処理を行えば良い。ここで、か
かるマスク４０は、ＵＶオゾン処理を行う間、基材１１
に対して正規の位置に一定して保持されている必要があ
るが、そのためには、同図に示すようなベース板４１を
用い、このベース板４１によって基材１１及びマスク４
０の位置決めを行うようにすると良い。Next, subjected to a surface modification treatment to the first area E 1 (see Figure 6 (b)). Thus, in the first area E 1, is improved adhesion between the substrate 11 and the effect is enhanced coupling process which will be described next with insulating layer 13S, in the second area E 2, surface modification No quality treatment is performed, and the adhesion between the insulating layer 13S and the base material 11 is maintained in a low state. Incidentally, UV ozone treatment can be mentioned as such a surface modification treatment. In addition, the performing such UV ozone treatment only in the first area E 1, as shown in FIG. 6 (b), using a mask 40 having an opening 40a having a shape corresponding to the area E 1 The UV ozone treatment may be performed from the side of the mask 40. Here, the mask 40 holds the substrate 11 during the UV ozone treatment.
It is necessary to hold the base 11 and the mask 4 with the base plate 41 as shown in FIG.
It is good to perform positioning of 0.
【００４９】次に、前記第１のエリアＥ1 にカップリン
グ処理を施す（図６(c) 参照）。これにより、第１のエ
リアＥ1 においては基材１１と絶縁層１３Ｓとの密着性
が向上され、第２のエリアＥ2 においては該密着性は低
い状態のまま保持される。かかるカップリング処理は、
同図に示すように、散布装置４２を用いてカップリング
剤４３を霧状に散布することにより行っても良く、スポ
ンジや刷毛（繊維）やスクリーンやロールを用いてカッ
プリング剤を塗布することにより行っても良い。Next, subjected to a coupling treatment in the first area E 1 (see Figure 6 (c)). Thus, in the first area E 1 is improved adhesion of the base material 11 and the insulating layer 13S, in the second area E 2 said seal adhesion is kept in a low state. Such a coupling process,
As shown in the figure, the coupling agent 43 may be sprayed in a mist state using a spraying device 42, and the coupling agent 43 may be applied using a sponge, a brush (fiber), a screen, or a roll. May be performed.
【００５０】なお、このようなカップリング処理を第１
のエリアＥ1 にのみ施すには、同図に示すように、該エ
リアＥ1 に相当する形状の開口部４４ａを有するマスク
４４を用い、該マスク４４の側からカップリング剤４３
を塗布・散布すれば良い。ここで、かかるマスク４４
は、カップリング処理を行う間、基材１１に対して正規
の位置に一定して保持されている必要があるが、そのた
めには、同図に示すようなベース板４５を用い、このベ
ース板４５によって基材１１及びマスク４４の位置決め
を行うようにすると良い。It should be noted that such a coupling process is the first
To apply to the area E 1 only, the as shown in the figure, using a mask 44 having an opening 44a having a shape corresponding to the area E 1, a coupling agent from the side of the mask 44 43
May be applied and sprayed. Here, the mask 44
Is required to be held at a regular position relative to the base material 11 during the coupling process. For this purpose, a base plate 45 as shown in FIG. It is preferable to position the base material 11 and the mask 44 by 45.
【００５１】また、散布を行う場合のカップリング剤４
３は、揮発性の高い溶媒に溶かしておくと良い。そのよ
うにすると、カップリング剤４３は、第１電極付基板Ａ
1 に付着すると直に乾燥し、第１のエリアＥ1 の外側
（すなわち、第２のエリアＥ2）に流れ出ることもな
い。さらに、散布する霧の粒を小さくしたり、溶媒に粘
度の小さいものを用いたりすることにより、カップリン
グ処理層が薄く均一になるようにしてもよい。一方、塗
布する場合のカップリング剤は、揮発性が低く粘度が高
い溶媒に溶かしておくと良い。このようにすると、カッ
プリング剤が塗布中に乾燥することを防ぐことができ
る。The coupling agent 4 for spraying
3 is preferably dissolved in a highly volatile solvent. In such a case, the coupling agent 43 is applied to the substrate A with the first electrode.
And immediately dried when attached to the 1, a first area outside of the E 1 (i.e., the second area E 2) nor flows into. Further, the coupling treatment layer may be made thin and uniform by reducing the size of the sprayed mist or using a solvent having a low viscosity. On the other hand, the coupling agent to be applied is preferably dissolved in a solvent having low volatility and high viscosity. This can prevent the coupling agent from drying during application.
【００５２】さらに、上述のようにスクリーンやロール
を用いてカップリング剤を塗布する場合には上述のよう
なマスク４４は使用しなくても良い。Further, when the coupling agent is applied using a screen or a roll as described above, the mask 44 as described above may not be used.
【００５３】またさらに、このようにカップリング剤を
塗布又は散布した後にオーブンやホットプレートにて１
２０℃程度の温度に加熱し、溶媒を完全に揮発させるよ
うにしても良い。Further, after the coupling agent is applied or sprayed as described above, one hour is applied in an oven or a hot plate.
The solvent may be completely evaporated by heating to a temperature of about 20 ° C.
【００５４】次に、第２のエリアＥ2 に離型剤４８を塗
布又は散布して離型処理を施す（図６(e) 参照）。これ
により、離型処理が施された第２のエリアＥ2 では基材
１１と絶縁層１３Ｓとの密着性は低い状態となり、離型
処理が施されない第１のエリアＥ1 では基材１１と絶縁
層１３Ｓとの密着性は高い状態に保持される。Next, by coating or spraying the release agent 48 to the second area E 2 subjected to release treatment (see FIG. 6 (e)). Thus, the second area E 2 in the base material 11 subjected to a mold-release treatment adhesion between the insulating layer 13S becomes a low state, the first area E 1 in the base material 11 which release treatment is not performed The adhesion to the insulating layer 13S is kept high.
【００５５】なお、このような離型処理を第２のエリア
Ｅ2 にのみ施すには、該エリアＥ2に相当する形状の開
口部を有するマスクを用い、該マスクの側から離型剤を
塗布・散布すれば良い。図６(e) に符号４６で示すマス
クは、単に第１のエリアＥ1に相当する形状の板状部材
にしか過ぎないが、これは、第２のエリアＥ2 が第１の
エリアＥ1 を囲むような領域であることに起因するもの
であり、このマスク４６においては、上述した“第２の
エリアＥ2 に相当する形状の開口部”は符号４６ａに示
す部分となる。また、かかるマスク４６は、離型処理を
行う間、基材１１に対して正規の位置に一定して保持さ
れている必要があるが、そのためには、図示しない位置
決め治具を用いてマスク４６の基材１１に対する位置決
めを行えば良い。さらに、基材１１を保持するためのベ
ース板４７を用いても良い。In order to perform such a release treatment only on the second area E 2 , a mask having an opening having a shape corresponding to the area E 2 is used, and a release agent is applied from the mask side. It may be applied and sprayed. The mask indicated by reference numeral 46 in FIG. 6E is merely a plate-like member having a shape corresponding to the first area E 1 , but the second area E 2 is different from the first area E 1. it is due to a region that surrounds and in the mask 46, "the opening of the shape corresponding to the second area E 2" for the above-mentioned is the portion indicated by reference numeral 46a. Further, the mask 46 needs to be held at a regular position with respect to the substrate 11 during the release processing. For this purpose, a masking tool (not shown) is used for the mask 46. What is necessary is just to perform positioning with respect to the base material 11. Further, a base plate 47 for holding the base material 11 may be used.
【００５６】一方、離型剤４８には、フッ素系、シリコ
ン系等のものを用いれば良い。但し、絶縁材料１３Ｌを
電極間隙に充填するために後述のような板状部材２１に
よる加圧を行う場合には、離型剤４８の塗布膜厚は第１
電極１２の厚みよりも薄くする必要があり、その観点か
ら、離型剤や溶媒の種類、並びに塗布条件等を選択する
必要がある。また、離型剤の散布又は塗布は、カップリ
ング処理と同様の方法で行えば良い。On the other hand, a fluorine-based or silicon-based release agent may be used as the release agent 48. However, when pressure is applied by the plate member 21 as described later to fill the electrode material with the insulating material 13L, the coating thickness of the release agent 48 is set to the first thickness.
It is necessary to make the thickness smaller than the thickness of the electrode 12, and from that viewpoint, it is necessary to select the type of the release agent and the solvent, the application conditions, and the like. The release agent may be sprayed or applied in the same manner as in the coupling treatment.
【００５７】以上により、第１のエリアＥ1 には表面改
質処理とカップリング処理とが施され、第２のエリアＥ
2 には離型処理が施された第１電極付基板Ａ1 を得るこ
とができる（図６(f) 参照）。As described above, the first area E 1 is subjected to the surface modification treatment and the coupling treatment, and the second area E 1
The 2 can obtain the first substrate with electrode A 1 which release treatment has been performed (see FIG. 6 (f)).
【００５８】その後、上述した第１電極１２の相互の間
隙に絶縁材料１３Ｌを充填し、前記第１のエリアＥ1 に
対してのみ光Ｌを照射する（図７(d) 参照）。これによ
り、第１のエリアＥ1 では、樹脂モノマー液１３Ｌは完
全に硬化されて絶縁層１３Ｓが形成され、第２のエリア
Ｅ2 では、大半の樹脂モノマー液１３Ｌは硬化されない
状態で残る。但し、第２のエリアＥ2 においても、図４
で符号Ｃで示したように、漏れ光の照射を受けて多少は
絶縁層（例えば、厚みが漸次減少する硬化部）が形成さ
れる。[0058] Then, by filling an insulating material 13L mutually gap of the first electrode 12 described above, only irradiating light L with respect to the first area E 1 (see FIG. 7 (d)). Thus, in the first area E 1, resin monomer liquid 13L is fully cured insulating layer 13S is formed, in the second area E 2, most of the resin monomer liquid 13L remains in a state that is not cured. However, also in the second area E 2, FIG. 4
As shown by the symbol C, an insulating layer (for example, a hardened portion whose thickness is gradually reduced) is formed to some extent by the irradiation of the leakage light.
【００５９】その後、洗浄工程を実施して、前記第２の
エリアＥ2 に残存する絶縁材料１３Ｌ及び絶縁層Ｃを除
去する（図８(b) 参照）。これにより、第１のエリアＥ
1 においては複数の第１電極１２及び絶縁層１３Ｓが形
成され、第２のエリアＥ2 においては絶縁層１３Ｓが形
成されずに基材１１が露出された状態となる。なお、洗
浄方法としては、ブラシ洗浄、スポンジ洗浄、ジェット
洗浄等の一般的な洗浄方法を用いることができる。ま
た、洗浄剤には、 ＊ 前記第１のエリアＥ1 に形成されるような厚く硬化
された絶縁層１３Ｓには影響を与えず、前記第２のエリ
アＥ2 に残存するような硬化されていない絶縁材料１３
Ｌや薄い絶縁層Ｃを分解・溶解できるものの他、 ＊ 前記第１のエリアＥ1 のみならず第２のエリアＥ2
の絶縁層Ｃにも影響を与えず、第２のエリアＥ2 の絶縁
材料１３Ｌのみを分解・溶解できるものを用いることが
できる。後者の洗浄剤を用いる場合、第２のエリアＥ2
における薄い絶縁層Ｃは該洗浄剤のみによっては除去で
きないが、ブラシやスポンジを擦りつけたり水を噴き付
けたりすることによって物理的に除去できるので問題は
ない。[0059] Thereafter, a cleaning process is performed to remove the insulating material 13L and the insulating layer C remaining in the second area E 2 (see Figure 8 (b)). Thereby, the first area E
In 1 is formed with a plurality of first electrode 12 and the insulating layer 13S, in the second area E 2 in a state where the substrate 11 is exposed without being insulated layer 13S is formed. As a cleaning method, a general cleaning method such as brush cleaning, sponge cleaning, and jet cleaning can be used. In addition, the cleaning agent does not affect the thickly cured insulating layer 13 </ b> S formed in the first area E <b> 1 , and is hardened so as to remain in the second area E < b > 2. No insulating material 13
L and thin insulating layer C can be decomposed / dissolved. * Not only the first area E 1 but also the second area E 2
The insulating layer is not affected and C, can be used for only the second insulating material 13L area E 2 can be decomposed and dissolved. When the latter cleaning agent is used, the second area E 2
Although the thin insulating layer C cannot be removed only by the cleaning agent, there is no problem because it can be physically removed by rubbing a brush or sponge or spraying water.
【００６０】次に、第２のエリアＥ2 に残存している離
型剤４８を除去する（図８(c) 参照）。この離型剤の除
去は、ＵＶオゾン処理やプラズマアッシング法を用いて
離型剤４８を分解することにより行っても良く、ブラス
ト法等の物理的除去方法によって行っても良い。Next, the release agent 48 remaining in the second area E 2 is removed (see FIG. 8C). The removal of the release agent may be performed by decomposing the release agent 48 using a UV ozone treatment or a plasma ashing method, or may be performed by a physical removal method such as a blast method.
【００６１】なお、離型剤の除去は第２のエリアＥ2 に
対してのみ行えば良く、そのためには、該エリアＥ2 に
相当する形状の開口部を有するマスクを用い、該マスク
の側から該処理を施せば良い。図８(c) に符号４９で示
すマスクは、単に第１のエリアＥ1 に相当する形状の板
状部材にしか過ぎないが、これは、第２のエリアＥ2が
第１のエリアＥ1 を囲むような領域であることに起因す
るものであり、このマスク４９においては、上述した
“第２のエリアＥ2 に相当する形状の開口部”は符号４
９ａに示す部分となる。また、かかるマスク４９は、処
理を行う間、基材１１に対して正規の位置に一定して保
持されている必要があるが、そのためには、図示しない
位置決め治具を用いてマスク４９の基材１１に対する位
置決めを行えば良い。さらに、基材１１を保持するため
のベース板５０を用いても良い。The removal of the release agent only needs to be performed for the second area E 2. For this purpose, a mask having an opening having a shape corresponding to the area E 2 is used. The above process may be applied. The mask indicated by the reference numeral 49 in FIG. 8C is merely a plate-like member having a shape corresponding to the first area E 1 , but the second area E 2 is the first area E 1. In the mask 49, the above-mentioned “opening having a shape corresponding to the second area E 2 ”
9a. Further, the mask 49 needs to be held at a regular position with respect to the base material 11 during the processing. For this purpose, the mask 49 is positioned by using a positioning jig (not shown). What is necessary is just to perform positioning with respect to the material 11. Further, a base plate 50 for holding the base material 11 may be used.
【００６２】ところで、硬化した樹脂にＵＶオゾンの照
射エネルギーを投入すると、樹脂が黄色に変色したり、
樹脂の組成が部分的に分解・昇華されて樹脂の厚みが不
均一になる等の問題が生ずる。しかし、上述のようにマ
スク４９を用いてＵＶオゾン処理を行った場合にはその
ような問題を回避できる。特に、本実施の形態のように
ＵＶオゾン処理を離型剤の除去のために用いるにはＵＶ
オゾンの照射エネルギーを通常用途（例えば、既に洗浄
されている基板の後洗浄等）の場合に比べて大きくする
必要があり、上述した変色や樹脂の分解等による影響は
大きく、マスク４９は必須となる。なお、ＵＶオゾンの
照射エネルギー等の条件は、離型処理面の表面エネルギ
ーや接触角等を測定した上で決定すれば良い。When UV-ozone irradiation energy is applied to the cured resin, the resin turns yellow or
Problems such as the resin composition being partially decomposed and sublimated to make the resin thickness non-uniform occur. However, when the UV ozone treatment is performed using the mask 49 as described above, such a problem can be avoided. In particular, in order to use the UV ozone treatment for removing the release agent as in the present embodiment, the UV
It is necessary to increase the irradiation energy of ozone as compared with the case of normal use (for example, post-cleaning of a substrate which has already been cleaned), and the above-mentioned discoloration and resin decomposition have a large effect. Become. The conditions such as the irradiation energy of UV ozone may be determined after measuring the surface energy and the contact angle of the release treatment surface.
【００６３】また、ブラスト法を用いる場合には、基材
１１や第１電極１２の破損を防止するためプラスチック
粉末を使用すれば良い。When the blasting method is used, plastic powder may be used to prevent the substrate 11 and the first electrode 12 from being damaged.
【００６４】その後、前記第１のエリアＥ1 に形成した
前記第１電極１２及び前記絶縁層１３Ｓの表面に、各第
１電極１２と電気的に接続されるように第２電極６を複
数形成しても良く、該第２電極６を覆うように絶縁膜７
や配向制御膜９を形成しても良い。Thereafter, a plurality of second electrodes 6 are formed on the surfaces of the first electrode 12 and the insulating layer 13S formed in the first area E1 so as to be electrically connected to the respective first electrodes 12. The insulating film 7 may cover the second electrode 6.
Alternatively, an orientation control film 9 may be formed.
【００６５】以上によって電極基板３０が製造される
が、製造した電極基板を貼り合わせ、電極基板の間隙に
液晶を注入して、液晶素子を製造しても良い。The electrode substrate 30 is manufactured as described above. Alternatively, the manufactured electrode substrates may be attached to each other, and a liquid crystal may be injected into a gap between the electrode substrates to manufacture a liquid crystal element.
【００６６】次に、上述した、第１電極１２の間隙への
絶縁材料１３Ｌの充填について説明する。Next, the above-described filling of the gap between the first electrodes 12 with the insulating material 13L will be described.
【００６７】第１電極１２の間隙への絶縁材料１３Ｌの
充填は、 ＊ 第１電極付基板Ａ1 の表面或は板状部材２１の表面
に絶縁材料１３Ｌをディスペンサー２０によって滴下し
（図７(a) 参照）、 ＊ 絶縁材料１３Ｌを挟み込むようにこれらの板状部材
２１及び第１電極付基板Ａ1 を重ね合わせて被加圧体Ａ
2 を構成し（図７(b) 参照）、 ＊ この被加圧体Ａ2 をプレス手段２２によって加圧す
る（図７(c) 参照）、ことにより行っても良い。なお、
この場合は、絶縁材料１３Ｌを硬化させた後に板状部材
２１を前記基材１１から剥離する必要がある。また、被
加圧体Ａ2 を作成するに際しては、絶縁材料１３Ｌに気
泡が巻き込まれないように、板状部材２１と第１電極付
基板Ａ1 との重ね合わせをゆっくりと行う点に注意する
必要がある。[0067] Filling of the insulating material 13L into the interstitial space of the first electrode 12, * the surface insulating material 13L of the first electrode with the substrate A 1 surface or the plate-shaped member 21 is dropped by the dispenser 20 (FIG. 7 ( a)), * so as to sandwich the insulating material 13L superimposed substrate a 1 with these plate-like member 21 and the first electrode the pressure body a
2 constitute a (see FIG. 7 (b)), * the target pressure body A 2 is pressurized by the press means 22 (see FIG. 7 (c)), may be performed by. In addition,
In this case, the plate member 21 needs to be peeled from the base material 11 after the insulating material 13L is cured. Further, when creating a target pressure body A 2, as no air bubbles are caught in the insulating material 13L, to note that performed slowly superposition of the plate-like member 21 and the substrate A 1 with the first electrode There is a need.
【００６８】ところで、プレス手段としては、図７(c)
に符号２２で示すもののように、回転自在なプレス用ロ
ーラ２２Ｕ，２２Ｄを少なくとも一つ有し、該プレス用
ローラ２２Ｕ，２２Ｄによって被加圧体Ａ2 を押圧した
状態で該ローラ２２Ｕ，２２Ｄを被加圧体Ａ2 の面方向
に移動させることにより、被加圧体Ａ2 の全面を加圧す
るものであっても良く、接離自在に構成された上下一対
の板状のプレス板を有し、これらのプレス板の間に被加
圧体Ａ2 を配置してその加圧を行うものであっても良
い。By the way, as the pressing means, FIG.
Like the ones indicated by the reference numeral 22, rotatable press roller 22U, 22D and has at least one, the press rollers 22U, state the roller 22U that presses the pressure body A 2 by 22D, the 22D by moving in the surface direction of the pressure body a 2, may be one to pressurize the whole surface of the pressure body a 2, have a separable freely configured upper and lower pair of plate-shaped press plate and, it may perform the pressurization by placing the pressure body a 2 in these press plates.
【００６９】一方、板状部材２１としては、金属、ガラ
ス、セラミック、合成樹脂等の材料で形成したものを用
いることができる。また、この板状部材２１としては、
表面が平滑なものを用い、絶縁材料１３Ｌと第１電極１
２とによってほぼ平滑な面が形成されるようにしてもよ
い。また、絶縁材料１３Ｌに光硬化型樹脂を用いる場合
には、光を絶縁材料１３Ｌに照射する必要からガラスや
石英等の透明な材質のものを用いる必要がある。さら
に、絶縁層１３Ｓとの剥離を円滑にするため、この板状
部材２１に予めフッ素系或はシリコン系等からなる離型
剤を塗布しておいても良い。On the other hand, as the plate member 21, a member formed of a material such as metal, glass, ceramic, and synthetic resin can be used. Further, as the plate-like member 21,
A material having a smooth surface is used. The insulating material 13L and the first electrode 1
2 may form a substantially smooth surface. When a photocurable resin is used for the insulating material 13L, it is necessary to use a transparent material such as glass or quartz since light needs to be applied to the insulating material 13L. Further, in order to facilitate separation from the insulating layer 13S, a release agent made of a fluorine-based or silicon-based material may be applied to the plate-shaped member 21 in advance.
【００７０】次に、上述したところの、絶縁材料１３Ｌ
を硬化させるための光Ｌの照射について説明する。Next, the insulating material 13L described above is used.
The irradiation of light L for curing is described.
【００７１】光Ｌの照射を第１のエリアＥ1 に対しての
み行うには、図７(d) に示すように、該エリアＥ1 に相
当する形状の開口部５１ａを有する露光マスク５１を用
い、該露光マスク５１の側から光Ｌの照射を行えば良
い。なお、かかる露光マスク５１は、光Ｌの照射を行う
間、基材１１に対して正規の位置に一定して保持されて
いる必要があるが、そのためには、同図に示すようなベ
ース板５２を用い、このベース板５２によって基材１１
及び露光マスク５１の位置決めを行うようにすると良
い。In order to irradiate the light L only to the first area E 1 , as shown in FIG. 7D, an exposure mask 51 having an opening 51 a having a shape corresponding to the area E 1 is used. Light L may be applied from the side of the exposure mask 51. The exposure mask 51 needs to be held at a regular position with respect to the substrate 11 during the irradiation of the light L. For this purpose, a base plate as shown in FIG. 52, and the base plate 52
In addition, the positioning of the exposure mask 51 may be performed.
【００７２】また、上述した板状部材２１及び露光マス
ク５１の代わりに、それらの機能を合わせ持った板状部
材６０を使用しても良い。この板状部材６０は、図９に
示すように、透明で平滑な板状部分６１と、第２のエリ
アＥ2 に対向する部分に設けられた遮光部分６２と、か
らなり、光Ｌが透過される開口部が、第１のエリアＥ1
に相当する形状で形成されている。この場合、遮光部分
６２は、光を完全に遮断できる材質であることはもちろ
んのこと、 ＊ 板状部分６１との密着性が高くて、板状部材６１を
第１電極付基板Ａ1 から剥離する際に、該基板Ａ1 の側
に残存しない材質であり、 ＊ 数１００〜１０００Å以下の厚さであり、 ＊ プレス等の際に第１電極付基板Ａ1 に接触しても破
損しないような強度、であることが要求される。そのた
め、この遮光部分６２は、クロムやモリブデンやタンタ
ル等の金属によって、スパッタリング法とフォトリソエ
ッチング法とを用いて形成すれば良い。In place of the above-described plate member 21 and exposure mask 51, a plate member 60 having these functions may be used. The plate-like member 60, as shown in FIG. 9, a transparent and smooth plate-shaped portion 61, and the light-shielding portion 62 provided on the portion facing the second area E 2, consists, light L is transmitted through The opening to be formed is in the first area E 1
Is formed in a shape corresponding to. In this case, the light shielding portion 62, it is a material that can completely block the light, of course, * with high adhesion to the plate-like portion 61, separating the plate-like member 61 from the substrate A 1 with the first electrode when a material that does not remain on the side of the substrate a 1, * number 100~1000Å following is thick, * even in contact with with the first electrode substrate a 1 during the press or the like so as not to damage High strength is required. Therefore, the light-shielding portion 62 may be formed of a metal such as chromium, molybdenum, or tantalum using a sputtering method and a photolithographic etching method.
【００７３】一方、使用する光源は絶縁材料１３Ｌの種
類に応じて選択すれば良く、例えば、絶縁材料１３Ｌが
ＵＶ硬化樹脂の場合にはＵＶ光源を使用すれば良い。ま
た、ＵＶ光以外の光で硬化する絶縁材料１３Ｌを用いる
場合には、その材料に応じて可視光や赤外線等を照射す
る光源を用いれば良い。ここで、ＵＶ光源には、高圧水
銀灯や、低圧水銀灯や、キセノンランプ等を用いれば良
い。On the other hand, the light source to be used may be selected according to the type of the insulating material 13L. For example, when the insulating material 13L is a UV curable resin, a UV light source may be used. When using an insulating material 13L that is cured by light other than UV light, a light source that emits visible light, infrared light, or the like may be used according to the material. Here, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a xenon lamp, or the like may be used as the UV light source.
【００７４】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。Next, effects of the present embodiment will be described.
【００７５】本実施の形態によれば、前記絶縁層１３Ｓ
は、前記基材１１の表面の一部である第１のエリアＥ1
にほぼ均一な厚みで形成され、該第１のエリアＥ1 以外
のエリアである第２のエリアＥ2 では絶縁層が形成され
ずに基材１１が露出されている。したがって、この第２
のエリアＥ2 にシール材２を配置すると、該シール材２
と基材１１とは、直接接着され、良好な密着性を保つこ
ととなる。その結果、かかる電極基板３０を用いて液晶
素子を作成しても、電極基板３０の剥れを回避できる。According to the present embodiment, the insulating layer 13S
Is a first area E 1 that is a part of the surface of the substrate 11.
The base 11 is exposed without forming an insulating layer in a second area E2 other than the first area E1. Therefore, this second
When the area E 2 to place the sealing member 2, the sealing member 2
The base material 11 is directly bonded to the base material 11 to maintain good adhesion. As a result, even if a liquid crystal element is formed using such an electrode substrate 30, peeling of the electrode substrate 30 can be avoided.
【００７６】また、本実施の形態によれば、絶縁層１３
Ｓは、基板端部において外気に露出されておらず、従来
例のように液晶中に水分を混入されることもない。した
がって、液晶素子においては表示品位が悪くなることも
ない。According to the present embodiment, the insulating layer 13
S is not exposed to the outside air at the end of the substrate, and water is not mixed into the liquid crystal unlike the conventional example. Therefore, the display quality of the liquid crystal element does not deteriorate.
【００７７】さらに、本実施の形態によれば、絶縁層１
３Ｓは基板端部に形成されていないため、該基板端部に
位置合わせ用のアライメントマークを形成した場合で
も、該マークの位置をカメラ等による画像処理で正確に
認識できる。したがって、第２電極６を形成する場合の
位置出しや、電極基板３０を貼り合わせる場合の位置合
わせを正確に行うことができる。Further, according to the present embodiment, the insulating layer 1
Since 3S is not formed at the end of the substrate, even when an alignment mark for positioning is formed at the end of the substrate, the position of the mark can be accurately recognized by image processing using a camera or the like. Therefore, the positioning when forming the second electrode 6 and the positioning when bonding the electrode substrate 30 can be performed accurately.
【００７８】また、図９に示す板状部材６０を使用する
場合であって、遮光部分６２が基材１１に対向するよう
に使用する場合には、基材１１と遮光部分６２との間隙
が小さくなり、該間隙への光Ｌの侵入を少なくできる。
したがって、第２のエリアＥ2 における絶縁材料１３Ｌ
の硬化を少なくでき、洗浄工程による絶縁層Ｃの除去が
容易となり、その分、製造時間を短縮できる。In the case where the plate-shaped member 60 shown in FIG. 9 is used and the light-shielding portion 62 is used so as to face the substrate 11, the gap between the substrate 11 and the light-shielding portion 62 is increased. Thus, the light L can be prevented from entering the gap.
Therefore, the insulating material in the second area E 2 13L
Can be reduced, and the removal of the insulating layer C by the cleaning process is facilitated, so that the manufacturing time can be shortened accordingly.
【００７９】さらに、第１電極１２及び絶縁層１３Ｓに
よってほぼ平坦な面を形成した場合には、これら第１電
極１２及び絶縁層１３Ｓを覆うように配向制御膜９を形
成したとしても該膜９の凹凸が低減される。その結果、
かかる電極基板３０を用いて液晶素子を形成したとして
も、光学的な差異やクロストークの発生の心配もない。Further, when a substantially flat surface is formed by the first electrode 12 and the insulating layer 13S, even if the orientation control film 9 is formed so as to cover the first electrode 12 and the insulating layer 13S, the film 9 Is reduced. as a result,
Even if a liquid crystal element is formed using such an electrode substrate 30, there is no concern about optical differences and occurrence of crosstalk.
【００８０】また、第１電極１２及び絶縁層１３Ｓの表
面に、各第１電極１２に電気的に接続されるように第２
電極６を複数形成した場合には、製造された液晶素子
は、第１電極１２と第２電極６とに駆動電圧を印加する
ことにより駆動でき、第１電極１２が無く第２電極６の
みを有する液晶素子に比べて抵抗値が低減され、電圧波
形の遅延が解消され、高精細化に対応可能なものとな
る。さらに、電圧波形の遅延を防止するために第２電極
６を厚く形成する必要がないことから、第２電極６を透
明とする場合でも該電極の透過率が下がって該電極が認
識されてしまうこともない。Also, the second electrode is formed on the surfaces of the first electrode 12 and the insulating layer 13S so as to be electrically connected to each first electrode 12.
When a plurality of electrodes 6 are formed, the manufactured liquid crystal element can be driven by applying a driving voltage to the first electrode 12 and the second electrode 6, and only the second electrode 6 without the first electrode 12 is used. The liquid crystal element has a reduced resistance value, eliminates a delay in a voltage waveform, and can cope with higher definition. Further, since it is not necessary to form the second electrode 6 thick in order to prevent the delay of the voltage waveform, even if the second electrode 6 is made transparent, the transmittance of the electrode decreases and the electrode is recognized. Not even.
【００８１】[0081]
【実施例】（実施例１）本実施例においては、図５に示
す液晶パネル（液晶素子）Ｐ2 を製造した。In EXAMPLES (Example 1) This example was prepared a liquid crystal panel (liquid crystal device) P 2 shown in FIG.
【００８２】なお、基材１１には、３００×３４０×
１．１mmの寸法で両面を研磨した青板ガラスを使用した
（以下、“ガラス基板”とする）。The substrate 11 has a size of 300 × 340 ×
A blue plate glass having both sides polished to a size of 1.1 mm was used (hereinafter, referred to as a “glass substrate”).
【００８３】また、第１電極１２は、密着層、導電層及
び保護層を積層した３層構造の金属電極とし、ガラス基
板１１側の密着層にはＭｏ−Ｔａ合金層（厚さ１０００
Å）を用い、導電層にはＡｌ層を用い、保護層にはＭｏ
−Ｔａ合金層（厚さ１０００Å）を用いた。そして、こ
の金属電極１２は、その総膜厚を２μｍとし、第１のエ
リアＥ1 にのみ形成することとした。The first electrode 12 is a metal electrode having a three-layer structure in which an adhesion layer, a conductive layer and a protective layer are laminated, and a Mo-Ta alloy layer (thickness: 1000) is formed on the adhesion layer on the glass substrate 11 side.
Å), an Al layer is used for the conductive layer, and Mo is used for the protective layer.
A -Ta alloy layer (thickness: 1000) was used. Then, the metal electrode 12, the total thickness and 2 [mu] m, it was decided to form only the first area E 1.
【００８４】さらに、絶縁材料１３Ｌには、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート５０重量部、ネオペンチル
グリコールジアクリレート５０重量部、１−ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン２重量部からなる、アク
リル系のＵＶ硬化樹脂組成物（以下、“ＵＶ硬化樹脂”
とする）を用いた。Further, an insulating UV curable resin composition (hereinafter, referred to as 50 parts by weight) of pentaerythritol triacrylate, 50 parts by weight of neopentyl glycol diacrylate, and 2 parts by weight of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (hereinafter referred to as "the insulating material 13L") , "UV curable resin"
) Was used.
【００８５】またさらに、金属電極１２及び絶縁層１３
Ｓの表面には、ＩＴＯからなる透明電極（第２電極）６
を、各金属電極１２に電気的に接続されるように複数形
成した。また、この透明電極６を覆うように絶縁膜７や
配向制御膜９を形成した。Further, the metal electrode 12 and the insulating layer 13
On the surface of S, a transparent electrode (second electrode) 6 made of ITO is provided.
Are formed so as to be electrically connected to the respective metal electrodes 12. Further, an insulating film 7 and an orientation control film 9 were formed so as to cover the transparent electrode 6.
【００８６】液晶パネルＰ2 を製造するに当たって、ガ
ラス基板１１の表面に金属電極１２をスパッタリング法
とフォトリソ・エッチング法とによって形成した（図６
(a)参照。以下、このような構造体を“金属電極付基板
Ａ1 ”とする）。In manufacturing the liquid crystal panel P 2 , a metal electrode 12 was formed on the surface of the glass substrate 11 by a sputtering method and a photolithographic etching method (FIG. 6).
See (a). Hereinafter, such a structure is referred to as “metal-electrode-attached substrate A 1 ”).
【００８７】また、表面改質処理としてＵＶオゾン処理
を行った（図６(b) 参照）。このＵＶオゾン処理には、
上述したマスク４０とベース板４１、並びにライテック
社製のＵＶオゾン装置を使用した。このＵＶオゾン装置
は、紫外線光を発する光源と、該紫外線光の中をガラス
基板１１を搬送する搬送装置と、からなり、本実施例に
おいては、紫外線光の波長を２５４ｎｍとしガラス基板
１１の搬送速度を１３０ｃｍ／ｍｉｎとし、ガラス基板
１１に照射するエネルギー量を４６０ｍＪとした。Further, UV ozone treatment was performed as a surface modification treatment (see FIG. 6B). In this UV ozone treatment,
The mask 40 and the base plate 41 described above, and a UV ozone device manufactured by Lightec were used. The UV ozone apparatus includes a light source that emits ultraviolet light, and a transport device that transports the glass substrate 11 in the ultraviolet light. In this embodiment, the wavelength of the ultraviolet light is 254 nm, and the transport of the glass substrate 11 is performed. The speed was set to 130 cm / min, and the amount of energy applied to the glass substrate 11 was set to 460 mJ.
【００８８】さらに、カップリング処理には、上述した
形状のマスク４４と、ベース板４５と、散布装置４２
と、カップリング剤４３とを用いた（図６(c) 参照）。
なお、カップリング剤４３には、シランカップリング剤
（日本ユニカー社のＡ−１７４）とエチルアルコールと
を１：４に混合したものを用い、散布装置４２には、揺
動しながらカップリング剤を散布するタイプのものを用
いた。また、カップリング剤を散布した後は、マスク４
４やベース板４５をガラス基板１１から取り外し、該基
板１１を１２０℃の温度に加熱しておいたオーブンに２
０分間入れ、溶媒であるエチルアルコールを蒸発させ
た。Further, in the coupling process, the mask 44 having the above-described shape, the base plate 45, and the spraying device 42
And a coupling agent 43 (see FIG. 6 (c)).
The coupling agent 43 used was a mixture of a silane coupling agent (A-174, manufactured by Nippon Unicar) and ethyl alcohol in a ratio of 1: 4. Was used. After spraying the coupling agent, the mask 4
4 and the base plate 45 are removed from the glass substrate 11 and the substrate 11 is placed in an oven heated to a temperature of 120 ° C.
After 0 minutes, the solvent ethyl alcohol was evaporated.
【００８９】さらに、離型処理には、上述した形状のマ
スク４６と、ベース板４７と、離型剤４８と、この離型
剤を霧状に散布する散布装置４９と、を用いた（図６
(e) 参照）。このうち、マスク４６の表面全周縁にはシ
リコンゴム製のパッキンを取り付け、マスク４６がガラ
ス基板１１の表面に吸着されるようにした。また、離型
剤４８には、信越シリコン社製のＫＢＭ−７８０３をイ
ソプロピルアルコールで重量比１％に希釈したものを用
いた。Further, the mask 46 having the above-described shape, a base plate 47, a release agent 48, and a spraying device 49 for spraying the release agent in a mist state were used for the release processing (FIG. 9). 6
(e).) Among them, packing made of silicon rubber was attached to the entire peripheral edge of the surface of the mask 46 so that the mask 46 was adsorbed on the surface of the glass substrate 11. The release agent 48 used was a product obtained by diluting KBM-7803 manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd. to a weight ratio of 1% with isopropyl alcohol.
【００９０】そして、離型剤４８を散布した後、マスク
４６やベース板４７をガラス基板１１から取り外し、該
基板１１を１２０℃の温度に加熱しておいたオーブンに
２０分間入れ、溶媒であるイソプロピルアルコールを蒸
発させた。After the release agent 48 is sprayed, the mask 46 and the base plate 47 are removed from the glass substrate 11, and the substrate 11 is placed in an oven heated to a temperature of 120 ° C. for 20 minutes. The isopropyl alcohol was evaporated.
【００９１】一方、金属電極１２の間隙へのＵＶ硬化樹
脂１３Ｌの充填は、図７(a) 乃至(c) に示す方法で行っ
た。すなわち、金属電極付基板Ａ1 の表面にＵＶ硬化樹
脂１３Ｌをディスペンサー２０によって滴下し（図７
(a) 参照）、平滑板２１（板状部材）を、ＵＶ硬化樹脂
１３Ｌを挟み込むように金属電極付基板Ａ1 に重ね合わ
せて被加圧体Ａ2 を構成し（図７(b) 参照）、この被加
圧体Ａ2 をプレス手段２２によって加圧した（図７(c)
参照）。これにより、金属電極１２及び絶縁層１３Ｓに
よってほぼ平坦な面が形成されることとなる。なお、平
滑板２１にはガラス板を使用した。On the other hand, the space between the metal electrodes 12 was filled with the UV curable resin 13L by the method shown in FIGS. 7 (a) to 7 (c). That is, the UV curing resin 13L was added dropwise by a dispenser 20 onto the substrate A 1 surface with a metal electrode (Figure 7
see (a)), the smooth plate 21 (plate member), constitute the pressure body A 2 superimposed on the substrate with the metal electrodes A 1 so as to sandwich the UV curing resin 13L (see FIG. 7 (b) ), the target pressure body a 2 pressurized by the press means 22 (FIG. 7 (c)
reference). Thereby, a substantially flat surface is formed by the metal electrode 12 and the insulating layer 13S. Note that a glass plate was used as the smoothing plate 21.
【００９２】また、プレス手段２２には、回転自在なプ
レス用ローラ２２Ｕ，２２Ｄを２つ有したものを用い
た。加圧に際しては、これらのローラ２２Ｕ，２２Ｄに
よって被加圧体Ａ2 を挟持し、これらのローラ２２Ｕ，
２２Ｄを被加圧体Ａ2 の面方向に相対移動させた。As the press means 22, a means having two rotatable press rollers 22U and 22D was used. In pressurization, these rollers 22U, to be pressurizer A 2 sandwiched by 22D, these rollers 22U,
The 22D are relatively moved in the surface direction of the pressure body A 2.
【００９３】一方、ＵＶ硬化樹脂１３Ｌの硬化は、露光
マスク５１とベース板５２とを用いてＵＶ光Ｌを照射す
ることにより行ない（図７(d) 参照）、その後、平滑板
２１を剥離した。On the other hand, the curing of the UV curable resin 13L is performed by irradiating UV light L using the exposure mask 51 and the base plate 52 (see FIG. 7D). .
【００９４】また、洗浄工程ではブラシ洗浄機を用い
た。このブラシ洗浄機は、洗浄槽とリンス槽とを有した
ものであり、洗浄槽には、洗浄剤（中性の界面活性剤を
純水で１０％に希釈したもので、硬化した絶縁層１３Ｓ
を侵食しないもの）が満たされ、回転駆動されるロール
ブラシ（基板１１を傷つけないように、やや柔らかめの
線径０．１mmで１５mm長さのナイロン繊維が植毛された
ブラシ）が配置されている。また、リンス槽には、ガラ
ス基板１１を回転させる装置と、ガラス基板１１の両面
に同時に純水を吹き付けて界面活性剤を洗い流せるよう
にした装置と、が配置されている。本実施例において
は、平滑板２１を剥離した後の金属電極付基板Ａ1 を洗
浄槽にセットしてロールブラシと洗浄剤とで、第２のエ
リアＥ2 に残存するＵＶ硬化樹脂１３Ｌ及び絶縁層Ｃを
除去し、その後、リンス槽にて、洗浄剤や異物の除去を
行った。なお、このリンス槽におけるガラス基板１１の
回転は、純水の吹き付けを停止してからもしばらく行
い、遠心力による水切りをした。その後、ガラス基板１
１に付着した純水の乾燥を行った。In the washing step, a brush washer was used. This brush cleaning machine has a cleaning tank and a rinsing tank. The cleaning tank contains a cleaning agent (a neutral surfactant diluted to 10% with pure water and cured with an insulating layer 13S).
Roll brush (a brush with a slightly soft wire diameter of 0.1 mm and a length of 15 mm length nylon fiber implanted to avoid damaging the substrate 11) is provided. I have. Further, in the rinsing tank, a device for rotating the glass substrate 11 and a device for simultaneously spraying pure water on both surfaces of the glass substrate 11 to wash out the surfactant are arranged. In the present embodiment, in by setting the metal substrate with electrode A 1 after removal of the smoothing plate 21 into the cleaning tank and the roll brush and the cleaning agent, UV curing resin 13L and the insulation remaining in the second area E 2 The layer C was removed, and thereafter, a cleaning agent and foreign matters were removed in a rinsing bath. The rotation of the glass substrate 11 in the rinsing tank was performed for a while after the spraying of the pure water was stopped, and water was removed by centrifugal force. Then, the glass substrate 1
Drying of pure water attached to No. 1 was performed.
【００９５】一方、離型剤の除去にはＵＶオゾン処理を
用いた（図８(c) 参照）。この処理には、上述した形状
のマスク４９と、ベース板５０と、ＵＶオゾン処理装置
と、を用いた。このうち、ＵＶオゾン処理装置には、表
面改質処理に用いたと同じものを用い、照射するエネル
ギー量は２３００ｍＪとした。On the other hand, UV ozone treatment was used to remove the release agent (see FIG. 8 (c)). In this process, the mask 49 having the above-described shape, the base plate 50, and the UV ozone treatment device were used. Among them, the UV ozone treatment apparatus used was the same as that used for the surface modification treatment, and the irradiation energy amount was 2300 mJ.
【００９６】その後、金属電極１２及び絶縁層１３Ｓの
表面に透明電極６を形成し、この透明電極６を覆うよう
に絶縁膜７や配向制御膜９を形成した。そして、このよ
うにして作成した一対の電極基板３０を貼り合わせ、液
晶３を注入して液晶パネルＰ2 を作成した。Thereafter, a transparent electrode 6 was formed on the surfaces of the metal electrode 12 and the insulating layer 13S, and an insulating film 7 and an orientation control film 9 were formed so as to cover the transparent electrode 6. Then, bonding a pair of electrode substrates 30 created in this way, created a liquid crystal panel P 2 by injecting liquid crystal 3.
【００９７】次に、本実施例の効果について説明する。Next, the effect of this embodiment will be described.
【００９８】本実施例によれば、第２のエリアＥ2 にお
いては絶縁層１３Ｓは形成されておらず基板１１が露出
されている。したがって、シール材２と基板１１とは、
直接接着され、良好な密着性を保つこととなる。その結
果、電極基板３０の剥れを回避できる。[0098] According to this embodiment, in the second area E 2 is exposed substrate 11 not insulating layer 13S is formed. Therefore, the sealing material 2 and the substrate 11
It is directly bonded and keeps good adhesion. As a result, peeling of the electrode substrate 30 can be avoided.
【００９９】また、本実施例によれば、絶縁層１３Ｓ
は、基板端部において外気に露出されておらず、従来例
のように液晶中に水分を混入されることもない。したが
って、液晶パネルの表示品位が悪くなることもない。Further, according to the present embodiment, the insulating layer 13S
Is not exposed to the outside air at the end of the substrate, and water is not mixed into the liquid crystal unlike the conventional example. Therefore, the display quality of the liquid crystal panel does not deteriorate.
【０１００】さらに、本実施例によれば、絶縁層１３Ｓ
は基板端部に形成されていないため、該基板端部に位置
合わせ用のアライメントマークを形成した場合でも、該
マークの位置をカメラ等による画像処理で正確に認識で
きる。したがって、透明電極６を形成する場合の位置出
しや、電極基板３０を貼り合わせる場合の位置合わせを
正確に行うことができる。Further, according to the present embodiment, the insulating layer 13S
Since the mark is not formed at the end of the substrate, even when an alignment mark for positioning is formed at the end of the substrate, the position of the mark can be accurately recognized by image processing using a camera or the like. Therefore, positioning when forming the transparent electrode 6 and positioning when bonding the electrode substrate 30 can be performed accurately.
【０１０１】また、本実施例によれば、液晶パネルＰ2
は、金属電極１２と透明電極６とに駆動電圧を印加する
ことにより駆動でき、金属電極１２が無く透明電極６の
みを有する液晶パネルに比べて抵抗値が低減され、電圧
波形の遅延が解消され、高精細化に対応可能なものとな
る。さらに、電圧波形の遅延を防止するために透明電極
６を厚く形成する必要がないことから、透明電極６を透
明とする場合でも該電極の透過率が下がって該電極が認
識されてしまうこともない。According to this embodiment, the liquid crystal panel P 2
Can be driven by applying a driving voltage to the metal electrode 12 and the transparent electrode 6, the resistance value is reduced and the delay of the voltage waveform is eliminated as compared with a liquid crystal panel having no metal electrode 12 and having only the transparent electrode 6. Therefore, it is possible to cope with higher definition. Further, since it is not necessary to form the transparent electrode 6 thick in order to prevent the delay of the voltage waveform, even when the transparent electrode 6 is made transparent, the transmittance of the electrode is lowered and the electrode may be recognized. Absent.
【０１０２】さらに、金属電極１２及び絶縁層１３Ｓに
よってほぼ平坦な面が形成されているため、配向制御膜
９の凹凸が低減される。その結果、製造した液晶パネル
Ｐ2において光学的な差異やクロストークの発生の心配
がない。Further, since a substantially flat surface is formed by the metal electrode 12 and the insulating layer 13S, the unevenness of the orientation control film 9 is reduced. Consequently, no risk of optical differences and crosstalk occurs in the liquid crystal panel P 2 produced.
【０１０３】（実施例２）本実施例においては、上述し
た平滑板２１及び露光マスク５１の代わりに、それらの
機能を合わせ持った平滑板（板状部材）６０を使用し
た。(Embodiment 2) In this embodiment, a smooth plate (plate-like member) 60 having both functions is used in place of the smooth plate 21 and the exposure mask 51 described above.
【０１０４】この平滑板６０は、図９に示すように、透
明で平滑な板状部分６１と、第２のエリアＥ2 に対向す
る部分に設けられた遮光部分６２と、からなり、光Ｌが
透過される開口部が、第１のエリアＥ1 に相当する形状
で形成されている。なお、遮光部分６２は、モリブデン
とタンタルの合金をスパッタリング法で１０００Åの厚
みに成膜し、フォトリソエッチング法によってパターニ
ングして形成した。また、この平滑板６０は、遮光部分
６２を形成した面が金属電極付基板Ａ1 に対向するよう
にして使用した。[0104] The smoothing plate 60, as shown in FIG. 9, a transparent and smooth plate-shaped portion 61, and the light-shielding portion 62 provided on the portion facing the second area E 2, consists, light L There openings being transmitted is formed in a shape corresponding to the first area E 1. The light-shielding portion 62 was formed by depositing an alloy of molybdenum and tantalum to a thickness of 1000 ° by a sputtering method and patterning the film by a photolithographic etching method. Further, the smoothing plate 60, surface forming the light shielding portion 62 is used so as to face the metal substrate with electrode A 1.
【０１０５】その他の製造方法及び構成は実施例１と同
様とした。Other manufacturing methods and configurations were the same as those in the first embodiment.
【０１０６】本実施例によれば、実施例１と同様の効果
が得られた。According to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment were obtained.
【０１０７】また、ＵＶ光Ｌを照射する工程において
は、遮光部分６２がガラス基板１１に近接して配置され
ることとなり、それらの間隙が小さくなって該間隙への
ＵＶ光Ｌの侵入が少なくなる。したがって、第２のエリ
アＥ2 におけるＵＶ硬化樹脂１３Ｌの硬化を少なくで
き、洗浄工程による絶縁層Ｃの除去が容易となり、その
分、製造時間を短縮できる。In the step of irradiating the UV light L, the light-shielding portion 62 is arranged close to the glass substrate 11, so that the gap between them is small, and the penetration of the UV light L into the gap is small. Become. Therefore, it is possible to reduce the curing of the UV curable resin 13L in the second area E 2, removal of the insulating layer C by cleaning process becomes easier, correspondingly, it can shorten the manufacturing time.
【０１０８】[0108]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
絶縁層は、基材の表面の一部である第１のエリアにほぼ
均一な厚みで形成され、該第１のエリア以外のエリアで
ある第２のエリアでは絶縁層が形成されずに基材が露出
されている。したがって、この第２のエリアにシール材
を配置すると、該シール材と基材とは、直接接着され、
良好な密着性を保つこととなる。その結果、かかる電極
基板を用いて液晶素子を作成しても、電極基板の剥れを
回避できる。As described above, according to the present invention,
The insulating layer is formed with a substantially uniform thickness in a first area that is a part of the surface of the base material, and the insulating layer is not formed in a second area other than the first area without forming the insulating layer. Is exposed. Therefore, when the sealing material is arranged in the second area, the sealing material and the base material are directly bonded,
Good adhesion will be maintained. As a result, even if a liquid crystal element is manufactured using such an electrode substrate, peeling of the electrode substrate can be avoided.
【０１０９】また、本発明によれば、絶縁層は、基板端
部において外気に露出されておらず、従来例のように液
晶中に水分を混入されることもない。したがって、液晶
素子においては表示品位が悪くなることもない。Further, according to the present invention, the insulating layer is not exposed to the outside at the edge of the substrate, and water is not mixed into the liquid crystal unlike the conventional example. Therefore, the display quality of the liquid crystal element does not deteriorate.
【０１１０】さらに、本発明によれば、絶縁層は基板端
部に形成されていないため、該基板端部に位置合わせ用
のアライメントマークを形成した場合でも、該マークの
位置をカメラ等による画像処理で正確に認識できる。し
たがって、第２電極を形成する場合の位置出しや、電極
基板を貼り合わせる場合の位置合わせを正確に行うこと
ができる。Further, according to the present invention, since the insulating layer is not formed on the edge of the substrate, even if an alignment mark for positioning is formed on the edge of the substrate, the position of the mark can be determined by an image by a camera or the like. Accurate recognition in processing. Therefore, positioning when forming the second electrode and positioning when bonding the electrode substrate can be performed accurately.
【０１１１】また、第１電極及び絶縁層によってほぼ平
坦な面を形成した場合には、これら第１電極及び絶縁層
を覆うように配向制御膜を形成したとしても該膜の凹凸
が低減される。その結果、かかる電極基板を用いて液晶
素子を形成したとしても、光学的な差異やクロストーク
の発生の心配もない。When a substantially flat surface is formed by the first electrode and the insulating layer, even if an orientation control film is formed so as to cover the first electrode and the insulating layer, the unevenness of the film is reduced. . As a result, even if a liquid crystal element is formed using such an electrode substrate, there is no concern about optical differences and occurrence of crosstalk.
【０１１２】さらに、第１電極及び絶縁層の表面に、各
第１電極に電気的に接続されるように第２電極を複数形
成した場合には、製造された液晶素子は、第１電極と第
２電極とに駆動電圧を印加することにより駆動でき、第
１電極が無く第２電極のみを有する液晶素子に比べて抵
抗値が低減され、電圧波形の遅延が解消され、高精細化
に対応可能なものとなる。また、電圧波形の遅延を防止
するために第２電極を厚く形成する必要がないことか
ら、第２電極を透明とする場合でも該電極の透過率が下
がって該電極が認識されてしまうこともない。Further, when a plurality of second electrodes are formed on the surfaces of the first electrode and the insulating layer so as to be electrically connected to each of the first electrodes, the manufactured liquid crystal element has Driving can be performed by applying a driving voltage to the second electrode. The resistance value is reduced as compared with a liquid crystal element having only the second electrode without the first electrode. It will be possible. Further, since it is not necessary to form the second electrode thick to prevent the delay of the voltage waveform, even if the second electrode is transparent, the transmittance of the electrode may be lowered and the electrode may be recognized. Absent.
【図１】従来の液晶パネルの構造の一例を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the structure of a conventional liquid crystal panel.
【図２】従来の液晶パネルの製造方法の一例を示す模式
図。FIG. 2 is a schematic view showing an example of a conventional liquid crystal panel manufacturing method.
【図３】従来の液晶パネルの製造方法の他の例を示す模
式図。FIG. 3 is a schematic view showing another example of a conventional method for manufacturing a liquid crystal panel.
【図４】従来の液晶パネルの問題点を説明するための
図。FIG. 4 is a diagram illustrating a problem of a conventional liquid crystal panel.
【図５】本発明に係る電極基板並びに液晶素子の一実施
の形態を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating one embodiment of an electrode substrate and a liquid crystal element according to the present invention.
【図６】本発明に係る電極基板並びに液晶素子の製造方
法の一実施の形態を示す模式図。FIG. 6 is a schematic view showing one embodiment of a method for manufacturing an electrode substrate and a liquid crystal element according to the present invention.
【図７】本発明に係る電極基板並びに液晶素子の製造方
法の一実施の形態を示す模式図。FIG. 7 is a schematic view showing one embodiment of a method for manufacturing an electrode substrate and a liquid crystal element according to the present invention.
【図８】本発明に係る電極基板並びに液晶素子の製造方
法の一実施の形態を示す模式図。FIG. 8 is a schematic view showing one embodiment of a method for manufacturing an electrode substrate and a liquid crystal element according to the present invention.
【図９】電極基板を製造する際に使用される平滑板の構
造の一例を示す断面図。FIG. 9 is a sectional view showing an example of a structure of a smooth plate used when manufacturing an electrode substrate.
３ 液晶 ６ 透明電極（第２電極） ９ 配向制御膜 １１ ガラス基板（基材） １２ 金属電極（第１電極） １３Ｌ ＵＶ硬化樹脂（絶縁材料） １３Ｓ 絶縁層 ２１ 平滑板（板状部材） ３０ 電極基板 ４０ マスク ４０ａ 開口部 ４４ マスク ４４ａ 開口部 ４６ マスク ４６ａ 開口部 ５１ 露光マスク ５１ａ 開口部 Ａ2 被加圧体 Ｅ1 第１のエリア Ｅ2 第２のエリア Ｐ2 液晶パネル（液晶素子）Reference Signs List 3 liquid crystal 6 transparent electrode (second electrode) 9 alignment control film 11 glass substrate (base material) 12 metal electrode (first electrode) 13L UV curable resin (insulating material) 13S insulating layer 21 smooth plate (plate-like member) 30 electrode substrate 40 mask 40a opening 44 mask 44a opening 46 mask 46a opening 51 exposure mask 51a opening a 2 the pressing body E 1 first area E 2 second area P 2 (liquid crystal element)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA48 GA49 GA51 GA55 MA31 MA37 NA16 NA18 NA25 NA27 NA29 PA02 PA06 QA07 5C094 AA03 AA09 AA36 AA38 AA43 AA48 BA43 CA19 DA07 DA13 DB04 EA04 EA05 EB02 EC02 ED20 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15 GB10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference) 2H092 GA48 GA49 GA51 GA55 MA31 MA37 NA16 NA18 NA25 NA27 NA29 PA02 PA06 QA07 5C094 AA03 AA09 AA36 AA38 AA43 AA48 BA43 CA19 DA07 DA13 DB04 EA04 EA05 EB02 EC02 ED20 FA01 FA02 FB20
Claims (19)
表面に形成された複数の第１電極と、これらの第１電極
相互の間隙に埋設された絶縁層と、を備えた電極基板に
おいて、 前記絶縁層は、前記基材の表面の一部である第１のエリ
アにほぼ均一な厚みで形成され、かつ、 該第１のエリア以外のエリアである第２のエリアでは、
前記絶縁層が形成されずに前記基材が露出されている、 ことを特徴とする電極基板。1. A semiconductor device comprising: a base; a plurality of first electrodes formed on a surface of the base so as to be separated from each other; and an insulating layer embedded in a gap between the first electrodes. In the electrode substrate, the insulating layer is formed with a substantially uniform thickness in a first area that is a part of the surface of the base material, and in a second area that is an area other than the first area,
An electrode substrate, wherein the base material is exposed without forming the insulating layer.
ぼ平坦な面が形成された、 ことを特徴とする請求項１に記載の電極基板。2. The electrode substrate according to claim 1, wherein a substantially flat surface is formed by the first electrode and the insulating layer.
各第１電極に電気的に接続されるように第２電極が複数
形成された、 ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電極基板。3. The surface of the first electrode and the insulating layer,
3. The electrode substrate according to claim 1, wherein a plurality of second electrodes are formed so as to be electrically connected to the respective first electrodes. 4.
形成された、 ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
の電極基板。4. The electrode substrate according to claim 1, wherein an orientation control film is formed so as to cover said second electrode.
の電極基板。5. The electrode substrate according to claim 1, wherein the first electrode is a metal electrode.
の電極基板。6. The electrode substrate according to claim 3, wherein the second electrode is a transparent electrode.
電極基板と、 該電極基板に沿うように配置された液晶と、 を備えたことを特徴とする液晶素子。7. A liquid crystal device, comprising: the electrode substrate according to claim 1; and a liquid crystal disposed along the electrode substrate.
基材の表面に形成する工程と、光を照射する前は流動性
を有し光の照射により硬化される絶縁材料を前記第１電
極相互の間隙に充填する工程と、光を照射して前記絶縁
材料を硬化させる工程と、からなる電極基板の製造方法
において、 前記第１電極を形成した後であって前記絶縁材料を充填
する前に、前記基材の表面の一部である第１のエリアに
表面改質処理とカップリング処理とを順次施して前記絶
縁材料と前記基材との密着性を向上させると共に、前記
第１のエリア以外のエリアである第２のエリアに離型剤
を塗布して前記絶縁材料と前記基材との密着性を低下さ
せ、 前記光の照射を前記第１のエリアに対してのみ行って、
該第１のエリアに絶縁層を形成し、 その後、前記第２のエリアに残存する絶縁材料及び離型
剤を除去する、 ことを特徴とする電極基板の製造方法。8. A step of forming a plurality of first electrodes on a surface of a base material so as to be spaced apart from each other, and forming an insulating material having fluidity and being cured by light irradiation before light irradiation. A method of manufacturing an electrode substrate, comprising: a step of filling a gap between one electrode and a step of irradiating light to cure the insulating material; and filling the insulating material after forming the first electrode. Before performing, the first area which is a part of the surface of the base material is subjected to a surface modification treatment and a coupling treatment sequentially to improve the adhesion between the insulating material and the base material, and A release agent is applied to a second area other than the first area to reduce the adhesion between the insulating material and the base material, and the light irradiation is performed only on the first area. hand,
Forming an insulating layer in the first area, and thereafter removing an insulating material and a release agent remaining in the second area.
成し、前記第２のエリアには形成しない、 ことを特徴とする請求項８に記載の電極基板の製造方
法。9. The method according to claim 8, wherein the first electrode is formed in the first area and not formed in the second area.
電極及び前記絶縁層の表面に、各第１電極と電気的に接
続されるように第２電極を複数形成した、 ことを特徴とする請求項８又は９に記載の電極基板の製
造方法。10. The first area formed in the first area.
The method for manufacturing an electrode substrate according to claim 8, wherein a plurality of second electrodes are formed on the surfaces of the electrodes and the insulating layer so as to be electrically connected to the respective first electrodes.
を形成した、 ことを特徴とする請求項１０に記載の電極基板の製造方
法。11. The method according to claim 10, wherein an alignment control film is formed so as to cover the second electrode.
アに相当する形状の開口部を有するマスクを用いて行
う、 ことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記
載の電極基板の製造方法。12. The method according to claim 8, wherein the surface modification treatment is performed using a mask having an opening having a shape corresponding to the first area. A method for manufacturing an electrode substrate.
エリアに相当する形状の開口部を有するマスクを用いて
行う、 ことを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記
載の電極基板の製造方法。13. The electrode according to claim 8, wherein the coupling process is performed using a mask having an opening having a shape corresponding to the first area. Substrate manufacturing method.
相当する形状の開口部を有するマスクを用いて行う、 ことを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか１項に記
載の電極基板の製造方法。14. The electrode according to claim 8, wherein the light irradiation is performed using a mask having an opening having a shape corresponding to the first area. Substrate manufacturing method.
アに相当する形状の開口部を有するマスクを用いて行
う、 ことを特徴とする請求項８乃至１４のいずれか１項に記
載の電極基板の製造方法。15. The method according to claim 8, wherein the application of the release agent is performed using a mask having an opening having a shape corresponding to the second area. Of manufacturing an electrode substrate.
アに相当する形状の開口部を有するマスクを用いて行
う、 ことを特徴とする請求項８乃至１５のいずれか１項に記
載の電極基板の製造方法。16. The method according to claim 8, wherein the removal of the release agent is performed using a mask having an opening having a shape corresponding to the second area. Of manufacturing an electrode substrate.
基材の表面に前記絶縁材料を滴下する工程、該絶縁材料
を挟み込むようにこれらの板状部材及び基材を重ね合わ
せて被加圧体を構成する工程、及び該被加圧体を加圧す
る工程、を順次実施することにより、前記絶縁材料の前
記第１電極相互の間隙への充填を行う、 ことを特徴とする請求項８乃至１６のいずれか１項に記
載の電極基板の製造方法。17. A step of dropping the insulating material on a surface of a plate-shaped member or a substrate on which the first electrode is formed, and superposing the plate-shaped member and the substrate so as to sandwich the insulating material. The step of forming a pressure body and the step of pressurizing the body to be pressed are sequentially performed to fill the gap between the first electrodes with the insulating material. 17. The method for manufacturing an electrode substrate according to any one of items 16 to 16.
させた後に前記基材から剥離する、 ことを特徴とする請求項１７に記載の電極基板の製造方
法。18. The method for manufacturing an electrode substrate according to claim 17, wherein the plate-like member is separated from the base after the insulating material is cured.
載の製造方法にて電極基板を製造する工程と、 前記電極基板を貼り合わせる工程と、 前記電極基板の間隙に液晶を注入する工程と、 からなる液晶素子の製造方法。19. A step of manufacturing an electrode substrate by the manufacturing method according to claim 8, a step of bonding the electrode substrate, and a step of injecting a liquid crystal into a gap between the electrode substrates. And a method for manufacturing a liquid crystal element comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26865998A JP2000098406A (en) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | Electrode substrate, liquid crystal element using the same, preparation of electrode substrate and preparation of liquid crystal element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26865998A JP2000098406A (en) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | Electrode substrate, liquid crystal element using the same, preparation of electrode substrate and preparation of liquid crystal element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000098406A true JP2000098406A (en) | 2000-04-07 |
Family
ID=17461632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26865998A Pending JP2000098406A (en) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | Electrode substrate, liquid crystal element using the same, preparation of electrode substrate and preparation of liquid crystal element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000098406A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002182221A (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP26865998A patent/JP2000098406A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002182221A (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
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