JP2000094569A - Soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate and its production - Google Patents

Soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate and its production

Info

Publication number
JP2000094569A
JP2000094569A JP10285888A JP28588898A JP2000094569A JP 2000094569 A JP2000094569 A JP 2000094569A JP 10285888 A JP10285888 A JP 10285888A JP 28588898 A JP28588898 A JP 28588898A JP 2000094569 A JP2000094569 A JP 2000094569A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
electromagnetic wave
film layer
antifouling
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10285888A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hidetoshi Saito
秀俊 斉藤
Hideo Kinoshita
秀雄 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP10285888A priority Critical patent/JP2000094569A/en
Publication of JP2000094569A publication Critical patent/JP2000094569A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a soil resistant electromagnetic wave shielding laminate in which adhesion properties durability for a long period and practical performance are excellent and both a soil resistant function and an electromagnetic wave shielding function are equipped and to provide a method for producing the same. SOLUTION: In the soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate the outermost layer is an inorganic thin film layer having photocatalytic activity. A conductive inorganic thin film layer of at least one layer is provided between a base material and the inorganic thin film layer having photocatalytic activity in the outermost layer. Further, this laminate is produced by releasing one kind or a plurality of metallic compounds which desirably have volatility or sublimation properties and form conductive metallic oxides by chemical reaction, on the base material and forming a conductive metallic oxide thin film layer of at least one layer and furthermore forming a metallic oxide thin film layer having photocatalytic activity on the outermost layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基材がガラスある
いはプラスチックス等よりなり、防汚機能を有し、且つ
電磁波シールド機能を備えた防汚・電磁波シールド積層
品並びにその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated antifouling / electromagnetic wave shield product having a base material made of glass or plastics, having an antifouling function and having an electromagnetic wave shielding function, and a method for producing the same. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年電磁波障害が問題に成りつつある。
例えば、高度情報化社会の発達、マルチメディア社会の
到来により、電子機器がオフィス、一般家庭に入りつつ
あるが、外部から進入してくる電磁波により、これら電
子機器の誤作動を引き起こすケースが増えつつある。
又、電子機器の企業、個人の情報は、その電子機器の電
波を受信することにより情報・機密事項を盗聴すること
も可能と成っている。更に、高圧送電線付近ではそこか
ら発生する電磁波により、そこの住民の健康障害を引き
起こすことも懸念されており、又、医療現場では、携帯
電話、レーザーメスより発生する電磁波が、心臓のペー
スメーカーを停止させる等の誤作動を引き起こすことも
懸念されている。これらの電磁波障害を防止する為に、
オフィス、一般家庭に於いて電磁波シールドする要望が
高まりつつある。ビルあるいは一般住宅等を電磁波シー
ルドする場合、ビルあるいは家屋の全面をシールドしな
ければ成らない。その理由は、少しの漏れは、そこから
電磁波の出入りが有って機能を果たさない為である。全
面電磁波シールドする場合、屋根材、床材、壁材は勿論
のこと、更に採光部分としての窓材の電磁波シールドも
必要である。屋根材、床材、壁材等を電磁波シールドす
る方法としては、ビルあるいは一般住宅に使用されてい
る材料に、例えば金網等の導電性材料を張り付けるある
いは埋め込む方法で実施されている。しかしながら、こ
れらの方法は、施工が複雑であると同時に何れにしても
外観上その上に壁紙等で外装する必要が有る為、壁紙等
が電磁波シールド性を示し、それを張り付けるのみで電
磁波シールド材となることが、より好ましい。壁紙、そ
の多くは高分子材料から形成されているが、この高分子
材料を電磁波シールドする方法の一つとして、例えば、
ITO(錫ドープ酸化インジウム)等の無機導電物質を
高分子材料表面に形成させる方法が考えられるが、一般
には、スパッタリング法等によりITO薄膜を形成させ
ている。一方、窓材を電磁波シールドする方法として
は、スパッタリング法等により無機導電薄膜である銀薄
膜を形成させる等で実施されている。しかしながら、こ
れらスパッタリング法等一般的な方法は、薄膜形成の為
に、真空装置等の付帯設備が必要となり、大型投資が必
要となるのみならず、薄膜形成速度が遅く生産性が悪
い。従ってコスト高となる等の問題点をかかえている。
これらを回避する為に、安価に導電薄膜を形成させるこ
とにより安価に提供できる電磁波シールド材料が要望さ
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, electromagnetic interference has become a problem.
For example, electronic devices are entering offices and ordinary homes due to the development of a highly information-oriented society and the advent of a multimedia society. However, the number of cases where malfunctions of these electronic devices are caused by electromagnetic waves entering from outside is increasing. is there.
In addition, it is also possible to eavesdrop on information and confidential matters of information of companies and individuals of electronic devices by receiving radio waves of the electronic devices. Furthermore, there is a concern that electromagnetic waves generated from high-voltage power transmission lines may cause health problems for the residents there.At medical sites, electromagnetic waves generated by mobile phones and laser scalpels may cause cardiac pacemakers. There is also a concern that it may cause a malfunction such as stopping. To prevent these electromagnetic interference,
The demand for shielding electromagnetic waves in offices and homes is increasing. When a building or a general house is shielded from electromagnetic waves, the entire building or house must be shielded. The reason is that a small leak does not function because there is an ingress and egress of electromagnetic waves from there. When the entire surface is shielded from electromagnetic waves, it is necessary to shield not only the roof material, the floor material, and the wall material, but also the window material as a lighting part. As a method for shielding a roof material, a floor material, a wall material, and the like from electromagnetic waves, a method of attaching or embedding a conductive material such as a wire mesh to a material used for a building or a general house is used. However, these methods are complicated in construction and at the same time, in any case, it is necessary to externally cover them with wallpaper or the like. More preferably, it becomes a material. Wallpapers, many of which are formed from polymer materials, are one of the methods to shield this polymer material from electromagnetic waves, for example,
Although a method of forming an inorganic conductive substance such as ITO (tin-doped indium oxide) on the surface of the polymer material is considered, an ITO thin film is generally formed by a sputtering method or the like. On the other hand, as a method for shielding an electromagnetic wave from a window material, a silver thin film which is an inorganic conductive thin film is formed by a sputtering method or the like. However, these general methods such as the sputtering method require ancillary equipment such as a vacuum device for forming a thin film, which not only requires a large investment, but also has a low thin film forming speed and poor productivity. Therefore, there are problems such as an increase in cost.
In order to avoid these problems, there is a demand for an electromagnetic shielding material that can be provided at low cost by forming a conductive thin film at low cost.

【0003】更に、例えば、ビルあるいは一般住宅等の
壁紙あるいは窓ガラス等は、大気中の油分付着により汚
れて美観を損なう。この為、定期的にクリーニングする
ことによって美観を維持している。この為、クリーニン
グすることなく美観を維持することが望まれている。特
に高層ビルではこのメンテナンスに大きな労力と経費を
要している。もし、メンテナンスフリーの窓ガラスと成
れば、大きな省力化及び経費削減につながることになり
期待は大きい。この様な状況の中、電磁波シールド性を
示し、常に美観を維持できる壁紙あるいは窓ガラス等の
材料が無く、又これら材料を安価に提供できる技術も無
いのが現状である。
[0003] Further, for example, wallpaper or window glass of a building or a general house, etc., becomes dirty due to the adhesion of oil in the atmosphere and impairs the appearance. For this reason, the aesthetic appearance is maintained by performing periodic cleaning. For this reason, it is desired to maintain an aesthetic appearance without cleaning. Especially in high-rise buildings, this maintenance requires a great deal of labor and money. If maintenance-free window glass is used, it will lead to significant labor savings and cost reductions, and expectations are high. Under these circumstances, there is no material such as wallpaper or window glass that exhibits electromagnetic wave shielding properties and can always maintain an aesthetic appearance, and there is no technology that can provide these materials at low cost.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の如き状況に鑑み、低コストで製造でき、且つ汚れも防
止でき、メンテナンスフリーとなり、実用性能にも優れ
た電磁波シールド積層品及びその製造方法を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding layered product which can be manufactured at low cost, can prevent dirt, is maintenance-free, and is excellent in practical performance. It is to provide a manufacturing method.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的を
満足する防汚・電磁波シールド品について鋭意検討を重
ねた結果、最外層が防汚機能を有する酸化チタン等の光
触媒活性を有する無機薄膜層、好ましくは金属酸化物薄
膜層であり、基材とこの最外層の間に少なくとも一層の
導電性の無機薄膜層、好ましくは導電性の金属酸化物薄
膜層よりなる積層品とすることにより、密着性、長期耐
久性等実用性能に優れた防汚機能及び電磁波シールド機
能を備えた防汚・電磁波シールド積層品となることを見
い出し本発明を完成するに至った。本発明の積層品が実
用性能に優れる理由は、次の理由による。即ち、基材
が、特に無機材料である場合は、防汚機能を付与する薄
膜層と電磁波シールド機能を付与する薄膜層が共に無機
薄膜で形成され、又、基材も無機物質である為、相互の
界面密着性が優れる。又、更に基材がガラスである場合
は、光触媒活性を有する無機薄膜層を金属酸化物薄膜と
し、又、導電性の無機薄膜層を金属酸化物薄膜とした場
合は、防汚機能を付与する薄膜層と電磁波シールド機能
を付与する薄膜層が共に金属酸化物であると同時にガラ
スの主成分が酸化物であることにより相互の界面密着性
がより優れ、更に全てが最終的に安定な金属酸化物であ
る為に劣化せず、長期耐久性にも優れる。なお、基材が
高分子材料である場合は、無機薄膜材料に有機性の官能
基を含ませるあるいは無機薄膜材料を高温で吹き付ける
等の方法によって無機薄膜材料を高分子材料表面に埋め
込むこと等により無機薄膜材料と高分子材料との接合層
を形成させることにより密着性を持たせ実用性能を付与
することができる。
Means for Solving the Problems As a result of diligent studies on antifouling and electromagnetic wave shielding products satisfying the above objects, the present inventors have found that the outermost layer has a photocatalytic activity such as titanium oxide having an antifouling function. A thin film layer, preferably a metal oxide thin film layer, and a laminate comprising at least one conductive inorganic thin film layer, preferably a conductive metal oxide thin film layer, between the substrate and the outermost layer. The present invention was found to be an antifouling / electromagnetic wave shielding laminate having an antifouling function and an electromagnetic wave shielding function excellent in practical performance such as adhesion and long-term durability, and completed the present invention. The reason why the laminate of the present invention is excellent in practical performance is as follows. That is, when the base material is an inorganic material in particular, the thin film layer for imparting the antifouling function and the thin film layer for imparting the electromagnetic wave shielding function are both formed of an inorganic thin film, and the base material is also an inorganic substance. Excellent interfacial adhesion. Further, when the base material is glass, the inorganic thin film layer having photocatalytic activity is a metal oxide thin film, and when the conductive inorganic thin film layer is a metal oxide thin film, an antifouling function is imparted. Both the thin film layer and the thin film layer that provides the electromagnetic wave shielding function are metal oxides, and the main component of the glass is an oxide. Since it is a material, it does not deteriorate and has excellent long-term durability. When the base material is a polymer material, the inorganic thin film material is embedded in the surface of the polymer material by a method such as adding an organic functional group to the inorganic thin film material or spraying the inorganic thin film material at a high temperature. By forming a bonding layer between the inorganic thin film material and the polymer material, it is possible to impart adhesiveness and to impart practical performance.

【0006】この積層品の製造方法として、光触媒活性
を有する無機薄膜層及び導電性の無機薄膜層が共に金属
酸化物である場合、まず、揮発若しくは昇華性を有し、
且つ、化学反応により導電性の酸化物を形成する金属化
合物を基材上に放出し、導電性金属酸化物薄膜層を形成
させ、次いで、揮発若しくは昇華性を有し、且つ、化学
反応により光触媒活性を有する酸化物を形成する金属化
合物を放出し、最外層に光触媒活性を要する金属酸化物
薄膜層を形成させることにより製造できる。この化学反
応が、大気中の化合物、例えば水、酸素との化学反応で
あり、金属化合物を放出する雰囲気が大気圧雰囲気、即
ち常圧で有れば、同じ無機薄膜を形成させるスパッタリ
ング法と比較して真空にする必要がない。従って大型設
備を必要としない。又、真空で実施する場合に比較して
基材上に吹き付けられる無機物質の濃度が高くなること
により無機薄膜形成速度が極めて速い。従って高速で無
機薄膜を形成させることが出来、低コストで防汚・電磁
波シールド積層品を製造することができることを見出し
本発明を完成するに至った。
As a method of manufacturing this laminate, when both the inorganic thin film layer having photocatalytic activity and the conductive inorganic thin film layer are metal oxides, first, they have volatilization or sublimation properties,
In addition, a metal compound that forms a conductive oxide by a chemical reaction is released onto a substrate to form a conductive metal oxide thin film layer, and then has a volatilization or sublimation property, and a photocatalyst is formed by a chemical reaction. It can be produced by releasing a metal compound which forms an active oxide and forming a metal oxide thin film layer requiring photocatalytic activity on the outermost layer. This chemical reaction is a chemical reaction with compounds in the atmosphere, for example, water and oxygen, and compared with the sputtering method in which the same inorganic thin film is formed when the atmosphere for releasing the metal compound is an atmospheric pressure atmosphere, that is, normal pressure. No need to vacuum. Therefore, no large equipment is required. In addition, the rate of forming the inorganic thin film is extremely high because the concentration of the inorganic substance sprayed on the base material is higher than in the case where the vacuum is applied. Accordingly, the present inventors have found that an inorganic thin film can be formed at a high speed, and an antifouling / electromagnetic wave shield laminate can be manufactured at low cost, and the present invention has been completed.

【0007】即ち、本発明は、最外層は光触媒活性を有
する無機薄膜層、好ましくは金属酸化物よりなる無機薄
膜層であり、基材と最外層の光触媒活性を有する無機薄
膜層との間に少なくとも一層の導電性無機薄膜層、好ま
しくは金属酸化物よりなる無機薄膜層を設けることを特
徴とする防汚・電磁波シールド積層品に関するものであ
るのである。又、揮発若しくは昇華性を有し、且つ、化
学反応、好ましくは大気中の化合物との反応により導電
性の酸化物を形成する一種あるいは複数の金属化合物
を、好ましくは窒素ガス等の気体状媒体と同伴させて、
好ましくは大気圧雰囲気下で基材上に放出し、少なくと
も一層の導電性金属酸化物薄膜層を形成させ、更に、揮
発若しくは昇華性を有し、且つ、化学反応、好ましくは
大気中の化合物との反応により光触媒活性を有する酸化
物を形成する金属化合物を、好ましくは窒素ガス等の気
体状媒体と同伴させて、好ましくは大気圧雰囲気下で放
出し、最外層に光触媒活性を有する金属酸化物薄膜層を
形成させることを特徴とする防汚・電磁波シールド積層
品の製造方法に関するものである。
That is, according to the present invention, the outermost layer is an inorganic thin film layer having a photocatalytic activity, preferably an inorganic thin film layer made of a metal oxide, and is provided between the substrate and the outermost inorganic thin film layer having a photocatalytic activity. The present invention relates to an antifouling / electromagnetic wave shield laminate product provided with at least one conductive inorganic thin film layer, preferably an inorganic thin film layer made of a metal oxide. In addition, one or more metal compounds which have a volatilization or sublimation property and form a conductive oxide by a chemical reaction, preferably a reaction with a compound in the atmosphere, are preferably used as a gaseous medium such as nitrogen gas. Together with
Preferably, it is released on a substrate under an atmospheric pressure atmosphere to form at least one conductive metal oxide thin film layer, and further has volatilization or sublimation properties, and a chemical reaction, preferably with an atmospheric compound. The metal compound which forms an oxide having photocatalytic activity by the reaction of, preferably, is accompanied by a gaseous medium such as nitrogen gas, and is preferably released under an atmospheric pressure atmosphere. The present invention relates to a method for producing an antifouling / electromagnetic wave shield laminated product characterized by forming a thin film layer.

【0008】以下本発明を詳しく説明する。まず、本発
明積層品の構成要因を説明する。本発明の防汚・電磁波
シールド積層品の基材は、特に限定されないが、ガラ
ス、セラミックス、コンクリート等の無機材料及び一般
に言われる高分子材料が上げられる。この中でもガラ
ス、高分子材料は、ビルあるいは一般住宅等の防汚・電
磁波シールドのニーズが高く、特に好ましい。ガラス
は、一般にガラスと称されるもので有れば特に限定され
ないが、その例としては、ソーダ石灰ガラス、カリガラ
ス、鉛ガラス、硼珪酸ガラスあるいは珪酸ガラス等を挙
げることができる。ガラス基材の形状は、板状、繊維
状、ビーズ状等いずれの形状でも使用することが出来る
が、この中でも特に電磁波シールドのニーズが高い板
状、即ち板ガラスが好ましい。板ガラスの場合、その厚
みは特に限定されないが、通常市販されている厚みのも
の、即ち1mm以上の厚みのものを使用することができ
る。高分子材料は、一般に言われる有機の高分子材料で
あれば特に限定されない。又、合成高分子であっても天
然高分子であっても良い。合成高分子としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン
系材料、ポリスチレン、ABS、AES、スチレン/共
役二重結合単量体共重合体あるいはこれらの水添共重合
体等のポリスチレン系材料、ポリメチルメタクリレート
系材料、ポリカーボネート系材料、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンブチレートあるいはポリエチレ
ンナフタレート等のポリエステル系材料、ポリフェニレ
ンエーテル系材料、ポリアセタール系材料、ポリ塩化ビ
ニル系材料、ポリ塩化ビニリデン系材料、ポリアミド系
材料、ポリイミド系材料、ポリアクリロニトリル系材
料、ポリ酢酸ビニル系材料、ポリメチルペンテン系材料
等をあげることができる。更に例えばポリブタジエン等
の共役ジエン系エラストマー、又、最近開発が進んでい
るポリ乳酸等の脂肪族ポリエステル等の生分解性ポリマ
ー等をあげることができる。これらの合成高分子は、個
々の主要単量体の単独重合体であっても良いし、又、共
重合体であっても良い。又、天然高分子としては、例え
ば、セルロース系材料等をあげることができる。その形
状は、シート、フイルム、成形品、繊維、ビーズ等何れ
の形状も使用することができる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. First, the components of the laminate of the present invention will be described. The base material of the antifouling / electromagnetic wave shield laminate of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include inorganic materials such as glass, ceramics and concrete, and generally referred to as polymer materials. Among them, glass and polymer materials are particularly preferred because they have high needs for antifouling and electromagnetic wave shielding in buildings or general houses. The glass is not particularly limited as long as it is generally called glass, and examples thereof include soda-lime glass, potash glass, lead glass, borosilicate glass, and silicate glass. As the shape of the glass substrate, any shape such as a plate shape, a fiber shape, a bead shape and the like can be used. Among them, a plate shape in which the need for an electromagnetic wave shield is particularly high, that is, a plate glass is preferable. In the case of sheet glass, the thickness is not particularly limited, but a commercially available thickness, that is, a thickness of 1 mm or more can be used. The polymer material is not particularly limited as long as it is an organic polymer material generally referred to. Further, it may be a synthetic polymer or a natural polymer. Examples of the synthetic polymer include polyolefin-based materials such as polyethylene and polypropylene; polystyrene-based materials such as polystyrene, ABS, AES, styrene / conjugated double bond monomer copolymers and hydrogenated copolymers thereof; Methyl methacrylate material, polycarbonate material, polyester material such as polyethylene terephthalate, polyethylene butyrate or polyethylene naphthalate, polyphenylene ether material, polyacetal material, polyvinyl chloride material, polyvinylidene chloride material, polyamide material, Examples include a polyimide material, a polyacrylonitrile material, a polyvinyl acetate material, and a polymethylpentene material. Further examples include conjugated diene-based elastomers such as polybutadiene, and biodegradable polymers such as aliphatic polyesters such as polylactic acid, which have recently been developed. These synthetic polymers may be homopolymers of individual main monomers, or may be copolymers. In addition, examples of the natural polymer include a cellulosic material and the like. Any shape such as a sheet, a film, a molded product, a fiber, and a bead can be used.

【0009】最外層である防汚機能を有する光触媒活性
を有する無機薄膜層は、光触媒活性、即ち、光エルネギ
ーにより励起され、表面にある酸素や水と反応して活性
酸素やヒドロキシラジカルを発生させその表面に付着し
た有機物を分解する作用を有する無機薄膜で有れば特に
限定されないが、この様な作用を示す無機物質として
は、例えば、酸化チタン、チタン酸ストロンチューム、
酸化タングステン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ニオブ、硫
化カドミューム等を挙げることが出来る。これらの中で
も、金属酸化物は、上記の如く揮発若しくは昇華性を有
し、且つ、化学反応により酸化物を形成する金属化合物
を基材上に放出する簡単な方法で無機薄膜を形成させる
ことができる為好ましい。更に金属酸化物の中でも酸化
チタン、特にアナターゼ型の結晶構造を有する酸化チタ
ンは、光触媒活性が高く最も好ましい。これら金属酸化
物薄膜の光触媒活性を促進させる為に、例えば白金、酸
化ニッケル、酸化ルテニウム等の助触媒を混入させるこ
ともできる。光触媒活性を有する無機薄膜層の厚みは、
通常、20μm以下、好ましくは10μm以下、更に好
ましくは2μm以下である。一般に厚くなると無機薄膜
層にクラック等を発生する等の欠陥を生じ易い傾向が有
り好ましくない。一般には20μm以下が好ましい。
又、下限は、光触媒活性機能が発揮される範囲であれば
特に限定されない。通常、0.01μm以上であること
が好ましい。無機薄膜のミクロな形状は、表面積が大き
い方、即ちポーラスな方が光触媒活性が大きく好ましい
が、一方ではポーラスにすると表面硬度が低下し傷つき
易くなる。両者を満足する形状が好ましい。
The outermost inorganic thin film layer having a photocatalytic activity having an antifouling function is excited by photocatalytic activity, ie, photoenergy, and reacts with oxygen and water on the surface to generate active oxygen and hydroxyl radicals. It is not particularly limited as long as it is an inorganic thin film having an action of decomposing an organic substance attached to its surface. Examples of the inorganic substance exhibiting such an action include titanium oxide, strontium titanate,
Tungsten oxide, zinc oxide, tin oxide, niobium oxide, cadmium sulfide, and the like can be given. Among these, metal oxides have volatility or sublimability as described above, and can form an inorganic thin film by a simple method of releasing a metal compound that forms an oxide by a chemical reaction onto a base material. It is preferable because it is possible. Further, among metal oxides, titanium oxide, particularly titanium oxide having an anatase crystal structure, is most preferable because of its high photocatalytic activity. In order to promote the photocatalytic activity of these metal oxide thin films, for example, a promoter such as platinum, nickel oxide, ruthenium oxide or the like can be mixed. The thickness of the inorganic thin film layer having photocatalytic activity is
Usually, it is 20 μm or less, preferably 10 μm or less, more preferably 2 μm or less. In general, when the thickness is too large, there is a tendency that defects such as cracks are easily generated in the inorganic thin film layer, which is not preferable. Generally, it is preferably 20 μm or less.
The lower limit is not particularly limited as long as the photocatalytic activity function is exhibited. Usually, it is preferable that it is 0.01 μm or more. The microscopic shape of the inorganic thin film preferably has a large surface area, that is, a porous surface, so that the photocatalytic activity is large. On the other hand, if the inorganic film is porous, the surface hardness is reduced and the surface is easily damaged. A shape that satisfies both is preferred.

【0010】基材と最外層である光触媒活性を有する無
機薄膜層との間に少なくとも一層設ける導電性無機薄膜
層は、導電性を示す無機薄膜であれば特に限定されない
が、この作用を示す無機物質としては、金、銀、銅等の
金属類あるいは周期表でIIB、IIIA、IIIB、
IVA、IVBの中から選ばれる単独あるいは2種以上
の組み合わせの金属の酸化物等を挙げることが出来る。
これらの中でも、特にZn、Cd、In、Sn及びTi
の中から選ばれる単独あるいは2種以上の組み合わせは
透明性及び導電性がよく好ましい。又、金属酸化物薄膜
の導電性を向上させる為に、周期表でIIB、III
A、IIIB、IVA、IVB、VA、VB、VIAの
中から選ばれる単独あるいは2種以上の組み合わせの金
属をドーピングすることもできる。これらの中でも、特
にY、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、Sn、S
b、Mo、W等の金属は、それを上記金属酸化物にドー
ピングすることによって導電性アップの効果が大きく好
ましい。導電性を示す無機物質は、上述の如く金属類や
金属酸化物が挙げられるが、これらの中でも、金属酸化
物は、揮発若しくは昇華性を有し、且つ、化学反応によ
り酸化物を形成する金属化合物を基材上に放出する簡単
な方法で無機薄膜を形成させることができる為好まし
い。
The at least one conductive inorganic thin film layer provided between the substrate and the outermost inorganic thin film layer having photocatalytic activity is not particularly limited as long as it is an inorganic thin film exhibiting conductivity. Examples of the substance include metals such as gold, silver, and copper, or IIB, IIIA, IIIB,
Oxides of metal alone or in combination of two or more selected from IVA and IVB can be mentioned.
Among these, Zn, Cd, In, Sn and Ti
A single or a combination of two or more selected from the above is preferred because of good transparency and conductivity. In order to improve the conductivity of the metal oxide thin film, IIB, III in the periodic table are used.
A, IIIB, IVA, IVB, VA, VB, and VIA may be used alone or in combination of two or more metals. Among these, Y, B, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, S
Metals such as b, Mo, W, etc. are preferable because they have a large effect of increasing conductivity by doping the metal oxide. As described above, examples of the inorganic substance exhibiting conductivity include metals and metal oxides. Among these, metal oxides are metals that have volatilization or sublimation properties and form oxides by a chemical reaction. It is preferable because an inorganic thin film can be formed by a simple method of releasing a compound onto a substrate.

【0011】電磁波シールド性を示す為には、これら無
機薄膜の表面抵抗は、103 Ω/□以下であることが好
ましい。更に102 Ω/□以下であることがより好まし
い。又、本発明の最も大きな用途は、窓ガラスである。
窓ガラスとして使用する場合、外の景色等が見えること
が必要である。必ずしも透明である必要は無いが透明性
に優れるものがより好ましい。上に挙げた導電物質の中
でも、特に一般にITOと言われるSnをドープした酸
化インジュームやアルミニウムをドープした酸化亜鉛
は、導電性、透明性にも優れ好ましい。
In order to exhibit electromagnetic wave shielding properties, the surface resistance of these inorganic thin films is preferably 10 3 Ω / □ or less. More preferably, it is 10 2 Ω / □ or less. The greatest application of the present invention is for window glass.
When used as a window glass, it is necessary to see the outside scenery. It is not always necessary to be transparent, but those having excellent transparency are more preferable. Among the above-described conductive materials, Sn-doped indium oxide or aluminum-doped zinc oxide, which is generally referred to as ITO, is preferable because of its excellent conductivity and transparency.

【0012】導電性無機薄膜層の厚みは、通常、20μ
m以下、好ましくは10μm以下、更に好ましくは2μ
m以下である。一般に厚くなると導電性無機薄膜層にク
ラック等の欠陥を生じ易い傾向が有り好ましくない。一
般には20μm以下が好ましい。又、下限は、導電性機
能が発揮される範囲であれば特に限定されない。通常、
0.01μm以上であることが好ましい。本発明の防汚
・電磁波シールド積層品の透明性は、窓ガラスとして使
用される時に特に必要となるが、この透明性は、光触媒
活性を有する無機物質及び導電性無機物質の種類及び厚
み等で決定される。透明性を示す一つの尺度である全光
線透過率は、50%以上が好ましい。更に60%以上が
より好ましい。
The thickness of the conductive inorganic thin film layer is usually 20 μm.
m, preferably 10 μm or less, more preferably 2 μm
m or less. In general, when the thickness is large, there is a tendency that defects such as cracks tend to occur in the conductive inorganic thin film layer, which is not preferable. Generally, it is preferably 20 μm or less. The lower limit is not particularly limited as long as the conductive function is exhibited. Normal,
It is preferably at least 0.01 μm. The transparency of the antifouling / electromagnetic wave shield laminate of the present invention is particularly necessary when used as a window glass, and the transparency depends on the type and thickness of the inorganic substance having photocatalytic activity and the conductive inorganic substance. It is determined. The total light transmittance, which is one measure of transparency, is preferably 50% or more. Further, it is more preferably at least 60%.

【0013】なお、本発明の防汚・電磁波シールド積層
品は、最外層が光触媒活性を有する無機薄膜層であり、
基材と最外層の光触媒活性を有する無機薄膜層との間に
少なくとも一層の導電性無機薄膜層を設けたものである
が、例えば基材をソーダ石灰ガラスとし、このガラス上
に直接アナターゼ型の酸化チタン等の光触媒活性を有す
る無機薄膜層を形成させた場合、ナトリウムが酸化チタ
ンに移行してチタン酸ソーダを形成し、これが不純物と
なって酸化チタンの光触媒活性を低下してしまうが、本
発明の積層品の場合は、ガラスと光触媒活性を示す酸化
チタン層との間に導電性無機薄膜層を設けることにな
る。従って、結果として光触媒活性の低下を抑制できる
大きな効果もある。又、基材を高分子材料とし、この高
分子材料の上に直接アナターゼ型の酸化チタン等の光触
媒活性を有する無機薄膜層を形成させた場合、光触媒活
性は、光により有機物を分解する性格の特性である為、
高分子材料そのものも分解してしまい、界面劣化により
剥離する等の耐久性が劣る等の問題点が生ずるが、本発
明の積層品の場合は、高分子材料と光触媒活性を示す酸
化チタン層との間に導電性無機薄膜層を設けることにな
る。従って、結果として耐久性の低下を抑制できる大き
な効果もある。
In the antifouling / electromagnetic wave shielding laminate of the present invention, the outermost layer is an inorganic thin film layer having photocatalytic activity,
At least one conductive inorganic thin film layer is provided between the base material and the outermost inorganic thin film layer having photocatalytic activity.For example, the base material is soda-lime glass, and the anatase-type When an inorganic thin film layer having photocatalytic activity such as titanium oxide is formed, sodium migrates to titanium oxide to form sodium titanate, which becomes an impurity and reduces the photocatalytic activity of titanium oxide. In the case of the laminate of the invention, a conductive inorganic thin film layer is provided between the glass and the titanium oxide layer exhibiting photocatalytic activity. Therefore, as a result, there is also a great effect that a decrease in photocatalytic activity can be suppressed. When the base material is a polymer material and an inorganic thin film layer having photocatalytic activity such as anatase-type titanium oxide is formed directly on the polymer material, the photocatalytic activity has a property of decomposing organic substances by light. Because it is a characteristic,
Although the polymer material itself is also decomposed, problems such as inferior durability such as peeling off due to interface deterioration occur, but in the case of the laminate of the present invention, the polymer material and the titanium oxide layer showing photocatalytic activity A conductive inorganic thin film layer is provided between them. Therefore, as a result, there is also a great effect that a decrease in durability can be suppressed.

【0014】次に本発明の防汚・電磁波シールド積層品
の製造方法について説明する。本発明の防汚・電磁波シ
ールド積層品は、好ましくは、例えば、図1の如き設備
を使用して、揮発若しくは昇華性を有し、且つ、化学反
応、好ましくは大気中の化合物との反応により導電性の
金属酸化物を形成する一種あるいは複数の金属化合物及
び必要に応じて該金属酸化物にドーピングする金属の金
属化合物を、必要に応じて加熱して、スリットより基材
上に放出し、少なくとも一層の導電性金属酸化物薄膜層
を形成させ、更に、揮発若しくは昇華性を有し、且つ、
化学反応、好ましくは大気中の化合物との反応により光
触媒活性を有する金属酸化物を形成する金属化合物を、
必要に応じて加熱して、スリットより基材上に放出し、
最外層に光触媒活性を有する無機金属酸化物薄膜層を形
成させることにより製造する。但し、本発明はこの方法
に限定される訳ではない。例えば、導電性無機薄膜層を
金、銀あるいは銅の如き金属を加熱して基材表面にスパ
ッタリングする等の方法で製造することもできる。又、
光触媒活性を示す無機薄膜層は、基材がガラス等の場合
は、ゾルゲル法、即ち、例えばテトラアルコキシチタン
を触媒存在下加水分解したものを基材上に塗布し、例え
ば500℃レベルに焼成し、アナターゼ型の酸化チタン
薄膜層を形成させる等の方法で製造することも出来る。
Next, a method for producing the antifouling / electromagnetic wave shield laminate of the present invention will be described. The antifouling / electromagnetic wave shield laminate of the present invention preferably has volatilization or sublimation properties, for example, by using the equipment as shown in FIG. 1, and reacts with a chemical reaction, preferably a reaction with a compound in the atmosphere. One or more metal compounds forming a conductive metal oxide and, if necessary, a metal compound of a metal to be doped into the metal oxide, heated as necessary, and released from the slit onto the substrate, Forming at least one conductive metal oxide thin film layer, further having volatilization or sublimation, and,
A metal compound that forms a metal oxide having photocatalytic activity by a chemical reaction, preferably by reaction with a compound in the atmosphere,
Heat if necessary, release onto the substrate from the slit,
It is manufactured by forming an inorganic metal oxide thin film layer having photocatalytic activity on the outermost layer. However, the present invention is not limited to this method. For example, the conductive inorganic thin film layer can be manufactured by a method such as heating a metal such as gold, silver or copper and sputtering the same on the substrate surface. or,
When the substrate is glass or the like, the inorganic thin film layer exhibiting photocatalytic activity is applied by a sol-gel method, that is, for example, a material obtained by hydrolyzing tetraalkoxytitanium in the presence of a catalyst is coated on the substrate, and baked to, for example, a 500 ° C level It can also be manufactured by a method such as forming an anatase type titanium oxide thin film layer.

【0015】本発明の好ましい製造方法である、揮発若
しくは昇華性を有し、且つ、化学反応により金属酸化物
を形成する金属化合物及び必要に応じて該金属酸化物に
ドーピングする金属の金属化合物を、基材上に放出し、
光触媒活性を有する金属酸化物及び導電性の金属酸化物
を形成することにより防汚・電磁波シールド積層品を製
造する場合、原材料である金属化合物は、スリット等よ
り放出した時、雰囲気に存在する酸素、水分あるいは意
図して存在させた化学物質と反応して部分的であっても
良いが、主として金属酸化物を形成するものを使用す
る。通常は、触媒なしが好ましいが、触媒(例えば、揮
発性の酸、アルカリ等)存在下、金属酸化物を形成する
ものであっても良い。
In a preferred production method of the present invention, a metal compound which is volatile or sublimable and forms a metal oxide by a chemical reaction and, if necessary, a metal compound of a metal doped into the metal oxide are used. Release on the substrate,
When manufacturing antifouling / electromagnetic shielding laminates by forming a metal oxide having photocatalytic activity and a conductive metal oxide, the metal compound as a raw material emits oxygen present in the atmosphere when released from a slit or the like. Although it may be partially formed by reacting with water or a chemical substance intentionally used, one that mainly forms a metal oxide is used. Usually, no catalyst is preferable, but a metal oxide may be formed in the presence of a catalyst (for example, a volatile acid or alkali).

【0016】金属化合物が酸化物に化学反応する原理を
分かりやすく説明する為に一例を示すと、例えば、金属
化合物としてテトラアルコキシ錫を使用し、それを15
0℃に加熱揮発させ、窒素ガスを気体状媒体として、ガ
ラス基材を500℃に加熱して、無触媒で大気中に放出
すると、基材表面上で、大気中の水分と反応して下記に
基づくと推定される反応により酸化錫を主体とする金属
酸化物を形成する。あるいは、高分子材料の場合は、一
般に耐熱性が低い為、基材を高温に加熱できない。この
場合は、窒素ガスを気体状媒体として、スリットより放
出するテトラアルコキシ錫の温度を500℃とする。こ
うすると放出されたテトラアルコキシ錫は、放出直後に
大気中の水分と反応して下記に基づくと推定される反応
により酸化錫を主体とする金属酸化物を形成する。この
粒子が低温に設定された高分子材料に吹き付けられて金
属酸化物を主体とする無機薄膜が形成される。
An example will be given to explain the principle of the chemical reaction of a metal compound with an oxide in an easy-to-understand manner. For example, tetraalkoxy tin is used as a metal compound,
When the glass substrate is heated to 500 ° C. and released to the atmosphere without a catalyst using nitrogen gas as a gaseous medium, it is reacted with moisture in the atmosphere on the surface of the base material and reacts as follows. A metal oxide mainly composed of tin oxide is formed by a reaction presumed to be based on tin oxide. Alternatively, in the case of a polymer material, since the heat resistance is generally low, the substrate cannot be heated to a high temperature. In this case, the temperature of the tetraalkoxytin released from the slit is set to 500 ° C. using nitrogen gas as a gaseous medium. Immediately after the release, the released tetraalkoxytin reacts with moisture in the atmosphere to form a metal oxide mainly composed of tin oxide by a reaction presumably based on the following. The particles are sprayed on a polymer material set at a low temperature to form an inorganic thin film mainly composed of a metal oxide.

【0017】 Sn(OR)4 +2H2 O→SnO2 +4ROH この様な金属化合物は、それを揮発あるいは昇華させス
リットから放出した際に、酸素あるいは水分その他等と
反応して酸化物を形成するものであれば特に限定されな
い。その例として、光触媒活性機能を付与する場合、例
えば、Ti、Sr、W、ZnあるいはSn等上記記載の
金属のアルキル化合物、アルケニル化合物、フェニルあ
るいはアルキルフェニル化合物、アルコキシド化合物、
ハロゲン化合物、アセチルアセトネート化合物あるいは
EDTA化合物等が挙げられる。導電機能を付与する場
合、例えば、Zn、Cd、In、SnあるいはTi等上
記記載の金属のアルキル化合物、アルケニル化合物、フ
ェニルあるいはアルキルフェニル化合物、アルコキシド
化合物、ハロゲン化合物、アセチルアセトネート化合物
あるいはEDTA化合物等が挙げられる。又、導電性を
アップする目的で金属酸化物に金属をドープする場合に
は、例えば、Y、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、
Sn、Sb、Mo、W等上記記載の金属のアルキル化合
物、アルケニル化合物、フェニルあるいはアルキルフェ
ニル化合物、アルコキシド化合物、ハロゲン化合物、ア
セチルアセトネート化合物あるいはEDTA化合物等が
挙げられる。これらの金属化合物は、単独で使用するこ
ともできるし、又、同一の金属であっても複数の化合物
を組み合わせて使用することもできる。
Sn (OR) 4 + 2H 2 O → SnO 2 + 4ROH When such a metal compound is volatilized or sublimated and released from a slit, it reacts with oxygen, moisture or the like to form an oxide. If it is, there is no particular limitation. As an example, when imparting a photocatalytic activity function, for example, an alkyl compound, an alkenyl compound, a phenyl or an alkylphenyl compound, a alkoxide compound of the metal described above such as Ti, Sr, W, Zn or Sn;
Examples thereof include a halogen compound, an acetylacetonate compound, and an EDTA compound. When imparting a conductive function, for example, an alkyl compound, an alkenyl compound, a phenyl or an alkylphenyl compound, an alkoxide compound, a halogen compound, an acetylacetonate compound or an EDTA compound of a metal such as Zn, Cd, In, Sn or Ti described above. Is mentioned. When doping a metal oxide with a metal for the purpose of improving conductivity, for example, Y, B, Al, Ga, In, Ti, Zr,
Examples include the above-mentioned metal alkyl compounds, alkenyl compounds, phenyl or alkylphenyl compounds, alkoxide compounds, halogen compounds, acetylacetonate compounds, EDTA compounds, and the like such as Sn, Sb, Mo, and W. These metal compounds can be used alone, or a plurality of compounds can be used in combination even for the same metal.

【0018】金属化合物を揮発あるいは昇華させてスリ
ット等から放出する方法としては、気体状媒体と同伴し
て放出させることが好ましい。理由は、気体状媒体で同
伴して放出させる方法は、金属化合物の放出量を一定量
にコントロールできることによる。気体状媒体は、使用
する金属化合物と反応するものでなければ、特に限定は
されないが、その例として、窒素ガス、アルゴンガス等
の不活性ガス、炭酸ガス、有機フッ素系ガス、あるいは
ヘキサン、ヘプタン等の有機物等が挙げられる。しかし
ながら、安全性、経済性の上から不活性ガスが好まし
い。この中でも窒素ガスが経済性の面より最も好まし
い。
As a method of releasing a metal compound from a slit or the like by volatilizing or sublimating, it is preferable to release the metal compound together with a gaseous medium. The reason for this is that the method of releasing together with a gaseous medium is capable of controlling the release amount of the metal compound to a constant amount. The gaseous medium is not particularly limited as long as it does not react with the metal compound used. Examples thereof include an inert gas such as a nitrogen gas and an argon gas, a carbon dioxide gas, an organic fluorine-based gas, and hexane and heptane. And the like. However, an inert gas is preferable from the viewpoint of safety and economy. Among them, nitrogen gas is most preferable from the viewpoint of economy.

【0019】本発明の防汚・電磁波シールド積層品の製
造方法で最も好ましい方法は、金属化合物をスリット等
より放出し、大気中の水分あるいは酸素等の化合物との
化学反応で酸化物を形成させる方法であるが、この方法
で実施する場合は、例えば、加熱槽中で金属化合物を酸
素及び水分が存在しないかあるいは極めて少ない状態で
揮発あるいは昇華する温度あるいはそれ以上に加熱し、
更に酸素及び水分が存在しないかあるいは極めて少ない
気体状媒体を導入して放出する。金属化合物中あるいは
気体状媒体中の酸素及び水分が存在しないかあるいは極
めて少なくするのは、放出する前に、装置内で金属酸化
物へ反応し、詰まり等によるトラブルを防止する為であ
る。しかしながら、使用する金属化合物の種類によって
は、スリット等の吹き出し口から放出したのみでは、金
属化合物の酸化物への反応速度が極めて遅い場合もあ
る。この際は、気体状媒体中あるいは揮発層内に、装置
内で詰まりを生じない程度に酸素、水分あるいは反応速
度アップの為の触媒(例えば、揮発性の酸、アルカリ
等)等を共存させることもある。放出する金属化合物
は、一種であっても良いし、混合物であっても良い。混
合して揮発させることもできるが、揮発させたものを混
合した後、基材に吹き付けることもできる。
The most preferable method of the present invention for producing an antifouling / electromagnetic wave shield laminate is to release a metal compound from a slit or the like and form an oxide by a chemical reaction with a compound such as atmospheric moisture or oxygen. Although it is a method, when carried out by this method, for example, heating the metal compound in a heating tank to a temperature at which volatilization or sublimation in a state where oxygen and moisture are absent or in a very small amount or higher, or more,
In addition, a gaseous medium free or very low of oxygen and moisture is introduced and released. The reason why oxygen and water in the metal compound or the gaseous medium are not present or are extremely small is to prevent a reaction due to a metal oxide in the apparatus before the release and a trouble such as clogging. However, depending on the type of metal compound to be used, the reaction rate of the metal compound to the oxide may be extremely slow only by discharging from the outlet such as a slit. In this case, oxygen, moisture, or a catalyst (eg, volatile acid, alkali, etc.) for increasing the reaction rate, etc., should be coexistent in the gaseous medium or the volatile layer to such an extent that no clogging occurs in the apparatus. There is also. The metal compound to be released may be one kind or a mixture. It is possible to mix and volatilize, but after mixing the volatilized material, it is also possible to spray the mixture onto the base material.

【0020】放出する金属化合物の温度は、一般に金属
化合物が揮発する温度以上であれば特に限定されない
が、一般には、100〜500℃で実施することが多
い。基材温度は、特に限定されないが、ガラス等の無機
材料の場合は、一般には、室温〜800℃で実施するこ
とが多い。高分子材料の場合は、室温〜300℃で実施
することが多い。この温度設定はガラス基材との密着性
を決定する重要な因子である。温度条件の設定は、大き
く2つの方法がある。1つは、放出温度を基材温度より
高くする方法。もう1つは、放出温度を基材温度より低
くする方法である。前者は、金属化合物がスリットより
放出された場合、放出直後に化学反応により金属酸化物
の微粒子が形成され、この高温の金属酸化物の微粒子が
基材上に積み重なる方式で無機薄膜が形成される。後者
は、基材表面で化学反応により金属酸化物が形成され、
更にその上に金属酸化物が生長することによって無機薄
膜が形成される。一般に前者の方法は、高分子材料等基
材の温度を高温にできず且つ基材が通常実施する温度で
軟化する場合に使用する。この場合、高温の金属酸化物
粒子を基材に吹き付けると、その粒子が持つ熱エネルギ
ーにより基材表面が軟化して粒子が埋め込まれ、基材と
無機粒子との間に粒子が埋め込まれることによる中間層
が形成されで密着性は高いものとなる。後者の方法は、
ガラス等基材の温度は高温にできるが、通常実施する温
度では軟化せず金属酸化物粒子を基材に吹き付けても、
その粒子が埋め込まれることのない場合に使用する。基
材表面を核とした金属酸化物の生長による無機薄膜の形
成は、基材と無機薄膜との密着性は高いものとなる。
The temperature of the metal compound to be released is not particularly limited as long as it is generally equal to or higher than the temperature at which the metal compound volatilizes, but the temperature is generally generally 100 to 500 ° C. The temperature of the base material is not particularly limited. In the case of an inorganic material such as glass, the temperature is generally from room temperature to 800 ° C. In the case of a polymer material, it is often performed at room temperature to 300 ° C. This temperature setting is an important factor that determines the adhesion to the glass substrate. There are two main methods for setting temperature conditions. One is to make the release temperature higher than the substrate temperature. Another method is to make the release temperature lower than the substrate temperature. In the former, when a metal compound is released from a slit, fine particles of a metal oxide are formed by a chemical reaction immediately after the release, and an inorganic thin film is formed in such a manner that the fine particles of the high-temperature metal oxide are stacked on a base material. . In the latter, a metal oxide is formed by a chemical reaction on the substrate surface,
Further, an inorganic thin film is formed by growing the metal oxide thereon. In general, the former method is used when the temperature of a base material such as a polymer material cannot be raised to a high temperature and the base material softens at a temperature which is usually performed. In this case, when the high-temperature metal oxide particles are sprayed on the base material, the heat energy of the particles softens the base material surface and embeds the particles, and the particles are buried between the base material and the inorganic particles. An intermediate layer is formed, and the adhesion is high. The latter method is
Although the temperature of the substrate such as glass can be high, even if the metal oxide particles are sprayed on the substrate without softening at the temperature usually performed,
Used when the particles are not embedded. The formation of an inorganic thin film by growth of a metal oxide with the substrate surface as a nucleus results in high adhesion between the substrate and the inorganic thin film.

【0021】金属化合物の吹き出し口と基材表面の距離
は、通常50cm以下で実施する。金属化合物の吹き出
し口の形状によっても異なるが、50cm以上では、金
属化合物が有効に金属酸化物へ変換されないあるいは周
辺部への拡散等により効率が悪い傾向がある。金属化合
物を放出する雰囲気は、減圧下であっても良いし、常圧
下あるいは加圧下であっても良い。しかしながら、高度
な減圧下、例えば超真空下で実施すると、金属酸化物の
生成速度が遅く、生産性に欠け好ましくない。加圧下で
実施する金属酸化物の生成速度には問題ないが、加圧す
る為の設備が必要となり好ましい方向ではない。これに
限定されるわけではないが、通常0.1〜10atmで
実施することが好ましい。しかしながら、一般的には、
大気圧雰囲気下、即ち常圧で実施することが最も好まし
い。工業的生産をする場合に大型の設備が必要でなく、
且つ、金属酸化物の生成速度も実用化可能の範囲にあ
る。
The distance between the outlet of the metal compound and the surface of the substrate is usually 50 cm or less. Although it differs depending on the shape of the outlet of the metal compound, when the diameter is 50 cm or more, the metal compound is not effectively converted to a metal oxide or the efficiency tends to be poor due to diffusion to a peripheral portion. The atmosphere for releasing the metal compound may be under reduced pressure, under normal pressure or under pressure. However, when the process is performed under a high degree of reduced pressure, for example, under an ultra-vacuum, the production rate of the metal oxide is low, and the productivity is lacking. Although there is no problem with the rate of metal oxide generation performed under pressure, it is not a preferable direction because equipment for pressurization is required. Although not limited to this, it is usually preferable to carry out at 0.1 to 10 atm. However, in general,
Most preferably, it is carried out under an atmosphere of atmospheric pressure, that is, at normal pressure. Large equipment is not necessary for industrial production,
In addition, the generation rate of the metal oxide is in a range that can be put to practical use.

【0022】本発明は、形成する光触媒活性を有する無
機薄膜及び導電性無機薄膜層は、各々一層であっても良
いし多層であっても良い。又、最外層は、光触媒活性を
有する無機薄膜、この最外層と基材との間に少なくとも
一層の導電性無機薄膜は必要であるが、この中間、即
ち、最外層の光触媒活性を有する無機薄膜と導電性無機
薄膜との間あるいは導電性無機薄膜と基材の間にこれ以
外の無機質の層あるいは有機質の層が存在することも可
能である。
In the present invention, the inorganic thin film having photocatalytic activity and the conductive inorganic thin film layer to be formed may each be a single layer or a multilayer. The outermost layer is an inorganic thin film having photocatalytic activity. At least one conductive inorganic thin film is required between the outermost layer and the base material. It is also possible that other inorganic or organic layers exist between the conductive inorganic thin film or the conductive inorganic thin film and the substrate.

【0023】本発明の最も好ましい防汚・電磁波シール
ド積層品の製造方法である金属化合物をスリット等より
放出し、大気中の水分あるいは酸素等の化合物との化学
反応で光触媒活性を有する金属酸化物薄膜及び導電性金
属酸化物薄膜を形成させる方法は、両者共同一方法で異
なる機能の金属酸化物薄膜を形成させることが出来る
為、例えば図1に類似した複数の設備を使用し、基材で
あるガラス板を移動させる等により連続的に逐次的に金
属酸化物薄膜層を形成させることができ、工業的にも実
施容易な方法である。この様にして本発明の積層品は、
ガラスを基材とし、防汚・電磁波シールドガラスとし
て、例えば、ビル、マンション、一般家屋等の窓ガラ
ス、テレビやプラズマディスプレーのブラウン管あるい
は前面板等に使用することができる。又、繊維状のガラ
スは、例えば、これを不織布にする等によって断熱材兼
シールド材として使用することも可能である。高分子材
料を基材とし、防汚・電磁波シールド壁紙、テレビやプ
ラズマディスプレーの前面板等に使用することができ
る。
The most preferred method of producing a laminated antifouling / electromagnetic wave shield of the present invention is a metal oxide which releases a metal compound through a slit or the like and has a photocatalytic activity by a chemical reaction with a compound such as moisture or oxygen in the atmosphere. The method of forming a thin film and a conductive metal oxide thin film can form a metal oxide thin film having a different function by a joint method. For example, using a plurality of facilities similar to FIG. The metal oxide thin film layer can be formed continuously and sequentially by moving a certain glass plate or the like, which is an industrially easy method. Thus, the laminate of the present invention
The glass is used as a base material, and as an antifouling / electromagnetic wave shielding glass, for example, it can be used for window glass of buildings, condominiums, general houses, etc., a cathode ray tube or front panel of a television or a plasma display, and the like. In addition, fibrous glass can be used as a heat insulating material and a shielding material, for example, by converting it into a nonwoven fabric. It can be used for antifouling / electromagnetic wave shielding wallpaper, front panel of TV and plasma display, etc., using a polymer material as a base material.

【0024】[0024]

【実施例】次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、電磁波シールド性の評価方法は、アンリツ(株)
スペクトラムアナライザーMS623A測定器、及びト
ラッキングジェネレータMH628A及び電波暗箱を用
いて測定した。100×100mm角のサンプルを周波
数100〜1000MHzの範囲で測定した。
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
In addition, the evaluation method of the electromagnetic wave shielding property was determined by Anritsu Corporation.
The measurement was performed using a spectrum analyzer MS623A measuring device, a tracking generator MH628A, and an anechoic chamber. A 100 × 100 mm square sample was measured in a frequency range of 100 to 1000 MHz.

【0025】(実施例1)図1の乾燥窒素導入ライン、
金属化合物加熱槽、スリット状吹き出し口よりなる設備
を使用し、加熱槽にインジュームトリメチルアセチルア
セテートとテトラエトキシ錫との混合物(モル比91.
5/8.5)を仕込んだ。加熱槽を150℃に加熱、更
に加熱配管及びスリツトもヒーターにより同じ150℃
に加熱し、吹き出し温度を150℃に設定した。吹き出
しスリットの下、5cmの位置に、厚み5mmのガラス
板(ソーダ石灰ガラス)をセット、500℃に加熱し
た。加熱槽に、乾燥窒素ガスを導入し、インジュームト
リメチルアセチルアセテートとテトラエトキシ錫との混
合物を大気圧雰囲気に放出し、ガラス板表面に吹き付け
た。ガラス板表面上で大気中の水と反応し、ガラス板表
面に錫がドープされた酸化インジュームの導電膜が生成
した。この導電膜の厚みは、乾燥窒素ガス導入量及びガ
ラス板の移動速度によってコントロールし、約0.5μ
mとした。この錫ドープ酸化インジューム(ITO)透
明導電膜の導電性を測定した結果、表面抵抗は、0.0
1Ω/□であった。次いで、同じ図1の設備を使用し、
加熱槽にテトライソプロポキシチタネートを仕込んだ。
加熱槽を120℃に加熱、更に加熱配管及びスリツトも
ヒーターにより同じ120℃に加熱し、吹き出し温度を
120℃に設定した。吹き出しスリットの下、5cmの
位置に、上記ITOよりなる導電膜を形成させたガラス
板をセット、500℃に加熱した。加熱槽に、乾燥窒素
ガスを導入し、テトライソプロポキシチタネートを大気
圧雰囲気に放出し、ITOよりなる導電膜表面に吹き付
けた。導電膜表面上で大気中の水と反応し、この表面に
アナターゼ型の結晶構造を主体とする透明な酸化チタン
薄膜が生成した。この酸化チタン薄膜の厚みは、乾燥窒
素ガス導入量及びガラス板の移動速度によってコントロ
ールし、約0.5μmとした。このITO導電薄膜/酸
化チタン薄膜/ガラス積層品の相互の密着性は、極めて
良好であった。即ちこの積層品をカッターナイフで傷を
つけても界面剥離することがなかった。又、この積層品
の電磁波シールドの評価の結果は、800MHzの減衰
値で約50dBであった。このサンプルに約1μ程度の
サラダオイルを塗布し、ブラックライトで48時間照射
した所、照射面のサラダオイルは100%分解・消失
し、良好な光触媒作用を示した。一方、ガラスのみで
は、全く電磁波シールド性は示さず、又、同じサラダオ
イル分解評価をしても、全く分解しなかった。
(Example 1) The dry nitrogen introduction line of FIG.
Using a facility comprising a metal compound heating tank and a slit-shaped outlet, a mixture of indium trimethylacetyl acetate and tetraethoxytin (molar ratio: 91.
5 / 8.5). The heating tank is heated to 150 ° C, and the heating pipe and slit are also heated to 150 ° C by the heater.
And the blowing temperature was set to 150 ° C. A glass plate (soda-lime glass) having a thickness of 5 mm was set at a position 5 cm below the blowing slit, and heated to 500 ° C. Dry nitrogen gas was introduced into the heating tank, and a mixture of indium trimethylacetyl acetate and tetraethoxytin was released into the atmosphere under atmospheric pressure and sprayed on the surface of the glass plate. Reacted with water in the air on the surface of the glass plate, and a conductive film of indium oxide doped with tin was formed on the surface of the glass plate. The thickness of this conductive film is controlled by the amount of dry nitrogen gas introduced and the moving speed of the glass plate, and is approximately 0.5 μm.
m. As a result of measuring the conductivity of this tin-doped indium oxide (ITO) transparent conductive film, the surface resistance was 0.0
It was 1 Ω / □. Then, using the same equipment of FIG.
The heating tank was charged with tetraisopropoxy titanate.
The heating tank was heated to 120 ° C., and the heating pipe and the slit were also heated to 120 ° C. by the heater, and the blowing temperature was set to 120 ° C. The glass plate on which the conductive film made of ITO was formed was set at a position 5 cm below the blowing slit, and heated to 500 ° C. Dry nitrogen gas was introduced into the heating tank, and tetraisopropoxy titanate was released into the atmosphere at atmospheric pressure and sprayed on the surface of the conductive film made of ITO. Reacted with water in the air on the surface of the conductive film, and a transparent titanium oxide thin film mainly composed of an anatase crystal structure was formed on the surface. The thickness of this titanium oxide thin film was controlled by the amount of dry nitrogen gas introduced and the moving speed of the glass plate, and was about 0.5 μm. The adhesion between the ITO conductive thin film / titanium oxide thin film / glass laminate was extremely good. That is, even if this laminated product was scratched with a cutter knife, the interface did not peel off. The evaluation result of the electromagnetic wave shield of this laminated product was about 50 dB at an attenuation value of 800 MHz. When about 1 μm of salad oil was applied to this sample, and the sample was irradiated with black light for 48 hours, the salad oil on the irradiated surface was decomposed and disappeared by 100%, showing a good photocatalytic action. On the other hand, the glass alone did not exhibit any electromagnetic wave shielding properties, and did not decompose at all even when the same salad oil decomposition evaluation was performed.

【0026】(実施例2)図1の乾燥窒素導入ライン、
金属化合物加熱槽、スリット状吹き出し口よりなる設備
を使用し、加熱槽にインジュームトリメチルアセチルア
セテートとテトラエトキシ錫との混合物(モル比91.
5/8.5)を仕込んだ。加熱槽を150℃に加熱、更
に加熱配管及びスリツトはヒーターにより500℃に加
熱し、吹き出し温度を500℃に設定した。吹き出しス
リットの下、5cmの位置に、厚み3mmのアクリル板
をセット、80℃に加熱した。加熱槽に、乾燥窒素ガス
を導入し、インジュームトリメチルアセチルアセテート
とテトラエトキシ錫との混合物を大気圧雰囲気に放出
し、ガラス板表面に吹き付けた。スリット放出直後、大
気中の水と反応し、錫がドープされた酸化インジューム
からなる金属酸化物粒子が生成し、この粒子がアクリル
板表面に吹き付けられることにより、アクリル板表面に
錫ドープ酸化インジュームの金属酸化物を主体とする導
電性無機薄膜を形成した。この導電膜の厚みは、乾燥窒
素ガス導入量及びアクリル板の移動速度によってコント
ロールし、約0.5μmとした。この錫ドープ酸化イン
ジューム(ITO)透明導電膜の導電性を測定した結
果、表面抵抗は、0.01Ω/□であった。次いで、同
じ図1の設備を使用し、加熱槽にテトライソプロポキシ
チタネートを仕込んだ。加熱槽を120℃に加熱、更に
加熱配管及びスリツトはヒーターにより500℃に加熱
し、吹き出し温度を500℃に設定した。吹き出しスリ
ットの下、5cmの位置に、上記ITOよりなる導電膜
を形成させたアクリル板をセット、80℃に加熱した。
加熱槽に、乾燥窒素ガスを導入し、テトライソプロポキ
シチタネートを大気圧雰囲気に放出し、ITOよりなる
導電膜表面に吹き付けた。導電膜表面上で大気中の水と
反応し、この表面にアナターゼ型の結晶構造を主体とす
る透明な酸化チタン薄膜が生成した。この酸化チタン薄
膜の厚みは、乾燥窒素ガス導入量及びガラス板の移動速
度によってコントロールし、約0.5μmとした。この
ITO導電薄膜/酸化チタン薄膜/アクリル板積層品の
相互の密着性は、極めて良好であった。即ちこの積層品
をカッターナイフで傷をつけても界面剥離することなか
った。又、この積層品の電磁波シールドの評価の結果
は、800MHzの減衰値で約50dBであった。この
サンプルに約1μ程度のサラダオイルを塗布し、ブラッ
クライトで48時間照射した所、照射面のサラダオイル
は100%分解・消失し、良好な光触媒作用を示した。
(Example 2) The dry nitrogen introduction line of FIG.
Using a facility comprising a metal compound heating tank and a slit-shaped outlet, a mixture of indium trimethylacetyl acetate and tetraethoxytin (molar ratio: 91.
5 / 8.5). The heating tank was heated to 150 ° C., and the heating pipe and slit were heated to 500 ° C. by a heater, and the blowing temperature was set to 500 ° C. An acrylic plate having a thickness of 3 mm was set at a position 5 cm below the blowing slit, and heated to 80 ° C. Dry nitrogen gas was introduced into the heating tank, and a mixture of indium trimethylacetyl acetate and tetraethoxytin was released into the atmosphere under atmospheric pressure and sprayed on the surface of the glass plate. Immediately after the release of the slit, it reacts with water in the air to generate metal oxide particles composed of tin-doped indium oxide, and the particles are sprayed on the surface of the acrylic plate, so that tin-doped oxide oxide is formed on the surface of the acrylic plate. A conductive inorganic thin film mainly composed of a metal oxide of Joule was formed. The thickness of this conductive film was controlled by the dry nitrogen gas introduction amount and the moving speed of the acrylic plate, and was about 0.5 μm. As a result of measuring the conductivity of this tin-doped indium oxide (ITO) transparent conductive film, the surface resistance was 0.01 Ω / □. Next, using the same equipment as in FIG. 1, tetraisopropoxytitanate was charged into the heating tank. The heating tank was heated to 120 ° C., and the heating pipe and the slit were heated to 500 ° C. by a heater, and the blowing temperature was set to 500 ° C. An acrylic plate on which the conductive film made of ITO was formed was set at a position 5 cm below the blowing slit, and heated to 80 ° C.
Dry nitrogen gas was introduced into the heating tank, and tetraisopropoxy titanate was released into the atmosphere at atmospheric pressure and sprayed on the surface of the conductive film made of ITO. Reacted with water in the air on the surface of the conductive film, and a transparent titanium oxide thin film mainly composed of an anatase crystal structure was formed on the surface. The thickness of this titanium oxide thin film was controlled by the amount of dry nitrogen gas introduced and the moving speed of the glass plate, and was about 0.5 μm. The mutual adhesion of this ITO conductive thin film / titanium oxide thin film / acrylic laminate was extremely good. That is, even if this laminated product was scratched with a cutter knife, the interface did not peel off. The evaluation result of the electromagnetic wave shield of this laminated product was about 50 dB at an attenuation value of 800 MHz. When about 1 μm of salad oil was applied to this sample, and the sample was irradiated with black light for 48 hours, the salad oil on the irradiated surface was decomposed and disappeared by 100%, showing a good photocatalytic action.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明は最外層が酸化チタン等の光触媒
活性を有する無機薄膜層、好ましくは金属酸化物薄膜層
であり、基材とこの最外層の間に少なくとも一層の導電
性の無機薄膜層、好ましくは導電性の金属酸化物薄膜層
を積層することにより、密着性、長期耐久性等実用性能
に優れた防汚機能及び電磁波シールド機能を備えた防汚
・電磁波シールド積層品を提供することができる。又こ
の積層品が、光触媒活性を有する無機薄膜層及び導電性
の無機薄膜層が共に金属酸化物である場合、まず、揮発
若しくは昇華性を有し、且つ、化学反応により導電性の
酸化物を形成する金属化合物を基材上に放出し、導電性
金属酸化物薄膜層を形成させ、次いで、揮発若しくは昇
華性を有し、且つ、化学反応により光触媒活性を有する
酸化物を形成する金属化合物を放出し、最外層に光触媒
活性を要する金属酸化物薄膜層を形成させることにより
製造できる。この製造方法は、高速で無機薄膜を形成さ
せることが出来るので、低コストで上記積層品を製造す
ることができる。
According to the present invention, the outermost layer is an inorganic thin film layer having photocatalytic activity such as titanium oxide, preferably a metal oxide thin film layer, and at least one conductive inorganic thin film is provided between the substrate and the outermost layer. The present invention provides an antifouling / electromagnetic wave shielding laminate having an antifouling function and an electromagnetic wave shielding function excellent in practical performance such as adhesion and long-term durability by laminating layers, preferably a conductive metal oxide thin film layer. be able to. In addition, when the laminate is a metal oxide in which both the inorganic thin film layer having photocatalytic activity and the conductive inorganic thin film layer are metal oxides, first, they have volatilization or sublimation properties, and the conductive oxide is formed by a chemical reaction. The metal compound to be formed is released onto the substrate, a conductive metal oxide thin film layer is formed, and then, a metal compound which has a volatilization or sublimation property and forms an oxide having photocatalytic activity by a chemical reaction. It can be manufactured by emitting a metal oxide thin film layer that requires photocatalytic activity on the outermost layer. According to this manufacturing method, since the inorganic thin film can be formed at a high speed, the above-mentioned laminate can be manufactured at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】基板上に無機薄膜を形成する工程を説明する図
である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a process of forming an inorganic thin film on a substrate.

フロントページの続き Fターム(参考) 4F100 AA01A AA01C AA17A AA21A AA21C AA25C AA28C AA33 AA33C AB09C AB12C AB19C AB20C AB21C AB22C AB33A AB33C AG00 AG00B AK01B AR00C AT00B BA03 BA07 BA10A BA10B EH66 EJ81 GB41 JA11A JD08 JD20C JG01C JG04C JL06 JL08A YY00C 4K030 AA11 BA01 BA02 BA08 BA11 BA12 BA15 BA16 BA18 BA20 BA22 BA26 BA42 BA45 BA46 BA47 BA53 BA54 BA55 BA56 BA57 BB13 CA06 CA07 EA01 FA10 LA01 LA11 5E321 AA43 AA44 BB23 GG05 GH10Continued on the front page F term (reference) 4F100 AA01A AA01C AA17A AA21A AA21C AA25C AA28C AA33 AA33C AB09C AB12C AB19C AB20C AB21C AB22C AB33A AB33C AG00 AG00B AK01B AR00C AT00B BA03 BA07 BA10AJJB08 BA07 BA10AJJB10 BA02 BA08 BA11 BA12 BA15 BA16 BA18 BA20 BA22 BA26 BA42 BA45 BA46 BA47 BA53 BA54 BA55 BA56 BA57 BB13 CA06 CA07 EA01 FA10 LA01 LA11 5E321 AA43 AA44 BB23 GG05 GH10

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 最外層は光触媒活性を有する無機薄膜層
であり、基材と最外層の光触媒活性を有する無機薄膜層
との間に少なくとも一層の導電性無機薄膜層を設けるこ
とを特徴とする防汚・電磁波シールド積層品。
1. An outermost layer is an inorganic thin film layer having photocatalytic activity, wherein at least one conductive inorganic thin film layer is provided between a substrate and an outermost inorganic thin film layer having photocatalytic activity. Antifouling / electromagnetic wave shield laminated product.
【請求項2】 基材は、ガラスである請求項1に記載の
防汚・電磁波シールド積層品。
2. The laminated antifouling / electromagnetic wave shield according to claim 1, wherein the substrate is glass.
【請求項3】 基材は、高分子材料である請求項1に記
載の防汚・電磁波シールド積層品。
3. The antifouling / electromagnetic wave shield laminate according to claim 1, wherein the base material is a polymer material.
【請求項4】 導電性無機薄膜の表面抵抗が、103 Ω
/□以下の請求項1〜3のいずれか1項に記載の防汚・
電磁波シールド積層品。
4. The conductive inorganic thin film has a surface resistance of 10 3 Ω.
/ □ The antifouling according to any one of claims 1 to 3 below.
Electromagnetic wave shield laminated product.
【請求項5】 光触媒活性を有する無機薄膜層が、金属
酸化物よりなる請求項1〜4のいずれか1項に記載の防
汚・電磁波シールド積層品。
5. The laminated antifouling / electromagnetic wave shield according to claim 1, wherein the inorganic thin film layer having photocatalytic activity comprises a metal oxide.
【請求項6】 光触媒活性を有する無機薄膜層が、主と
してアナターゼ型の結晶構造酸化チタンよりなる請求項
1〜5のいずれか1項に記載の防汚・電磁波シールドガ
ラス積層品。
6. The antifouling / electromagnetic wave shielding glass laminate according to claim 1, wherein the inorganic thin film layer having photocatalytic activity is mainly composed of anatase-type crystal structure titanium oxide.
【請求項7】 導電性無機薄膜層が、金属酸化物あるい
は必要に応じて金属をドーピングした金属酸化物よりな
る請求項1〜6のいずれか1項に記載の防汚・電磁波シ
ールド積層品。
7. The antifouling / electromagnetic wave shield laminate according to claim 1, wherein the conductive inorganic thin film layer comprises a metal oxide or a metal oxide doped with a metal as required.
【請求項8】 導電性無機薄膜層が、周期表でIIB、
IIIA、IIIB、IVA、IVBの中から一種以上
選ばれる金属の酸化物よりなる請求項1〜7のいずれか
1項に記載の防汚・電磁波シールド積層品。
8. The conductive inorganic thin film layer according to claim 1, wherein the conductive inorganic thin film layer comprises IIB,
The antifouling / electromagnetic wave shield laminate according to any one of claims 1 to 7, comprising an oxide of one or more metals selected from IIIA, IIIB, IVA, and IVB.
【請求項9】 導電性無機薄膜層が、Zn、Cd、I
n、Sn及びTiの中から一種以上選ばれる金属の酸化
物よりなる請求項8に記載の防汚・電磁波シールド積層
品。
9. The conductive inorganic thin film layer is made of Zn, Cd, I
9. The antifouling / electromagnetic wave shield laminate according to claim 8, comprising an oxide of one or more metals selected from n, Sn and Ti.
【請求項10】 必要に応じてドーピングする金属が、
周期表でIIB、IIIA、IIIB、IVA、IV
B、VA、VB、VIAの中から一種以上選ばれる請求
項7〜9のいずれか1項に記載の防汚・電磁波シールド
積層品。
10. The metal which is optionally doped is
IIB, IIIA, IIIB, IVA, IV in the periodic table
The antifouling / electromagnetic wave shield laminate according to any one of claims 7 to 9, wherein at least one is selected from B, VA, VB, and VIA.
【請求項11】 必要に応じてドーピングする金属が、
Y、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、Sn、Sb、
Mo、Wの中から一種以上選ばれる請求項10に記載の
防汚・電磁波シールド積層品。
11. The metal to be doped as required
Y, B, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, Sb,
The antifouling / electromagnetic wave shield laminate according to claim 10, wherein one or more kinds are selected from Mo and W.
【請求項12】 揮発若しくは昇華性を有し、且つ、化
学反応により導電性の酸化物を形成する一種あるいは複
数の金属化合物及び必要に応じてドーピングする金属の
金属酸化物を、基材上に放出し、少なくとも一層の導電
性金属酸化物薄膜層を形成させ、更に、揮発若しくは昇
華性を有し、且つ、化学反応により光触媒活性を有する
酸化物を形成する一種あるいは複数の金属化合物を放出
し、最外層に光活性を有する金属酸化物薄膜層を形成さ
せることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に
記載の防汚・電磁波シールド積層品の製造方法。
12. A base material comprising one or a plurality of metal compounds which have volatilization or sublimation and form a conductive oxide by a chemical reaction, and a metal oxide of a metal to be doped as necessary. Releasing, forming at least one conductive metal oxide thin film layer, and further releasing one or more metal compounds which form an oxide having volatilization or sublimation properties and having photocatalytic activity by a chemical reaction. The method for producing an antifouling / electromagnetic wave shield laminate according to any one of claims 1 to 11, wherein a metal oxide thin film layer having photoactivity is formed as an outermost layer.
【請求項13】 金属化合物を気体状媒体と同伴させて
放出する請求項12に記載の防汚・電磁波シールド積層
品の製造方法。
13. The method for producing an antifouling / electromagnetic shield laminate according to claim 12, wherein the metal compound is released together with the gaseous medium.
【請求項14】 化学反応が、大気中の化合物との化学
反応によるものである請求項12又は請求項13に記載
の防汚・電磁波シールド積層品の製造方法。
14. The method for producing an antifouling / electromagnetic wave shield laminate according to claim 12, wherein the chemical reaction is caused by a chemical reaction with a compound in the atmosphere.
【請求項15】 金属化合物を放出する雰囲気が大気圧
雰囲気である請求項12〜14のいずれか1項に記載の
防汚・電磁波シールド積層品の製造方法。
15. The method according to claim 12, wherein the atmosphere in which the metal compound is released is an atmospheric pressure atmosphere.
【請求項16】 酸化物を形成する金属化合物及び必要
に応じてドーピングする金属の金属化合物が、アルキル
化合物、アルケニル化合物、フェニルあるいはアルキル
フェニル化合物、アルコキシド化合物、ハロゲン化合
物、アセチルアセトネート化合物及びEDTA化合物の
中から選ばれる請求項12〜15のいずれか1項に記載
の電磁波シールド積層品の製造方法。
16. The metal compound forming an oxide and the metal compound of a metal to be doped as necessary are an alkyl compound, an alkenyl compound, a phenyl or alkylphenyl compound, an alkoxide compound, a halogen compound, an acetylacetonate compound and an EDTA compound. The method according to any one of claims 12 to 15, which is selected from the group consisting of:
JP10285888A 1998-09-24 1998-09-24 Soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate and its production Withdrawn JP2000094569A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10285888A JP2000094569A (en) 1998-09-24 1998-09-24 Soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate and its production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10285888A JP2000094569A (en) 1998-09-24 1998-09-24 Soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate and its production

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000094569A true JP2000094569A (en) 2000-04-04

Family

ID=17697331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10285888A Withdrawn JP2000094569A (en) 1998-09-24 1998-09-24 Soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate and its production

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000094569A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6833089B1 (en) 1999-08-05 2004-12-21 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Article having photocatalytic activity
JP2006219739A (en) * 2005-02-14 2006-08-24 Hitachi Cable Ltd Method for forming metal oxide film
KR100653659B1 (en) 2003-09-30 2006-12-05 가부시끼가이샤 도시바 Electrostatic actuator, electrostatic actuator driving method, electromechanical transducer, waveform output device, and electric element
US7820296B2 (en) 2007-09-14 2010-10-26 Cardinal Cg Company Low-maintenance coating technology
US7862910B2 (en) 2006-04-11 2011-01-04 Cardinal Cg Company Photocatalytic coatings having improved low-maintenance properties
USRE43817E1 (en) 2004-07-12 2012-11-20 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings
US9738967B2 (en) 2006-07-12 2017-08-22 Cardinal Cg Company Sputtering apparatus including target mounting and control
US10604442B2 (en) 2016-11-17 2020-03-31 Cardinal Cg Company Static-dissipative coating technology

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6833089B1 (en) 1999-08-05 2004-12-21 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Article having photocatalytic activity
KR100653659B1 (en) 2003-09-30 2006-12-05 가부시끼가이샤 도시바 Electrostatic actuator, electrostatic actuator driving method, electromechanical transducer, waveform output device, and electric element
USRE44155E1 (en) 2004-07-12 2013-04-16 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings
USRE43817E1 (en) 2004-07-12 2012-11-20 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings
JP2006219739A (en) * 2005-02-14 2006-08-24 Hitachi Cable Ltd Method for forming metal oxide film
US7862910B2 (en) 2006-04-11 2011-01-04 Cardinal Cg Company Photocatalytic coatings having improved low-maintenance properties
US9738967B2 (en) 2006-07-12 2017-08-22 Cardinal Cg Company Sputtering apparatus including target mounting and control
US7820296B2 (en) 2007-09-14 2010-10-26 Cardinal Cg Company Low-maintenance coating technology
US8506768B2 (en) 2007-09-14 2013-08-13 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings
US8696879B2 (en) 2007-09-14 2014-04-15 Cardinal Cg Company Low-maintenance coating technology
US7820309B2 (en) 2007-09-14 2010-10-26 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings
US10604442B2 (en) 2016-11-17 2020-03-31 Cardinal Cg Company Static-dissipative coating technology
US11325859B2 (en) 2016-11-17 2022-05-10 Cardinal Cg Company Static-dissipative coating technology

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4430194B2 (en) Transparent laminate and glass article using the same
US20070259132A1 (en) Composite material
JPWO2008047810A1 (en) Antibacterial substrate and method for producing the same
EP1343176A1 (en) Conductive film, production method therefor, substrate provided with it and photoelectric conversion device
JP2001046881A (en) Article having photocatalytic activity
JP2000094569A (en) Soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate and its production
JP2007532290A (en) A substrate, such as a glass substrate, having a film with photocatalytic properties modified to absorb photons in the visible spectrum
JP2000261013A (en) Glass substrate with transparent conducting film
US7320827B2 (en) Glass substrate and method of manufacturing the same
WO2007103824A1 (en) Nanostructured metal oxides
JP2001114534A (en) Glass plate with metal oxide film, method for producing the glass plate and multi-layer glass using the glass plate
US5935717A (en) Functional film having inorganic thin on surface of organic film article using the same and process for producing the same
JP2002146536A (en) Low-temperature deposition method for thin film of tin oxide
JP3163015B2 (en) Transparent conductive film
GB2428689A (en) Process for preparing transparent conducting metal oxides
US20100288348A1 (en) Solar cell device and method for fabricating the same
KR19990077098A (en) Architectural coated glass
JP2000094570A (en) Soil resistant/electromagnetic wave shielding laminate and its production
JP3511337B2 (en) Transparent conductive laminate and method for producing the same
JP2007254192A (en) Glass plate with antibacterial film, its producing method, and article having the glass plate
JP2000096237A (en) Production of electromagnetic wave shielding glass
JP2006049107A (en) Method of forming transparent conductive film, and transparent conductive film
JP2001177127A (en) Board for photoelectric conversion device
WO2011161038A1 (en) Method for increasing the translucency of a substrate
Liu et al. Study on the chemical bond structure and chemical stability of N doped into TiO2 film by N ion beam implantation

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20031203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040217

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040218

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050519

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050906

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20051228

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060308