JP2000093547A - 塩素含有有機物の無害化方法 - Google Patents
塩素含有有機物の無害化方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】危険性のあるＮａやＳＤを運搬したりＳＤを製
造することなく、有害な塩素含有有機物を安全に無害化
する方法を提供する。 【解決手段】Ｎａ塩の直接電解により、あるいはＮａ塩
をＮａイオン伝導体を介して電解することにより、Ｎａ
を低融点金属４に含有させ、この低融点金属４を塩素含
有有機物８と接触させる。その結果、塩素含有有機物中
の塩素とＮａとの脱塩素反応が生じ、塩素含有有機物が
無害化される。低融点金属としては、例えばＢｉやＢｉ
−Ｉｎ合金が用いられる。
造することなく、有害な塩素含有有機物を安全に無害化
する方法を提供する。 【解決手段】Ｎａ塩の直接電解により、あるいはＮａ塩
をＮａイオン伝導体を介して電解することにより、Ｎａ
を低融点金属４に含有させ、この低融点金属４を塩素含
有有機物８と接触させる。その結果、塩素含有有機物中
の塩素とＮａとの脱塩素反応が生じ、塩素含有有機物が
無害化される。低融点金属としては、例えばＢｉやＢｉ
−Ｉｎ合金が用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＣＢ等の有害な
塩素含有有機物をナトリウム（Ｎａ）を用いて無害化す
る方法に関するものである。
塩素含有有機物をナトリウム（Ｎａ）を用いて無害化す
る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＣＢやＰＣＢを含む絶縁油等の化学的
処理方法として、従来からＮａ法が知られている。しか
しＮａは化学的に活性で空気（酸素）、水、水蒸気等と
反応し易く、取り扱い性が悪い。そこで分散溶剤である
デカリン（デカヒドロナフタリン）にＮａを１０〜４０
％入れて５〜１０μｍに微粒化したＳＤ（Sodium Dispe
rsion)が用いられている。このＳＤはＮａの表面を油が
覆うので空気や水との反応が緩慢になり、Ｎａよりは取
り扱いが少し容易になる。Ｎａ法ではこのＳＤ中のＮａ
をＰＣＢ中の塩素と反応させ、ＮａＣｌとして脱塩素す
る。脱塩素化反応は５０〜２００℃であり、活性化剤を
添加して５０〜６０℃で反応させることができる。
処理方法として、従来からＮａ法が知られている。しか
しＮａは化学的に活性で空気（酸素）、水、水蒸気等と
反応し易く、取り扱い性が悪い。そこで分散溶剤である
デカリン（デカヒドロナフタリン）にＮａを１０〜４０
％入れて５〜１０μｍに微粒化したＳＤ（Sodium Dispe
rsion)が用いられている。このＳＤはＮａの表面を油が
覆うので空気や水との反応が緩慢になり、Ｎａよりは取
り扱いが少し容易になる。Ｎａ法ではこのＳＤ中のＮａ
をＰＣＢ中の塩素と反応させ、ＮａＣｌとして脱塩素す
る。脱塩素化反応は５０〜２００℃であり、活性化剤を
添加して５０〜６０℃で反応させることができる。
【０００３】しかしこのＳＤは工場で作って輸送してき
たり、あるいは工場よりＮａを輸送してきてＰＣＢ無害
化装置に組み込んでＮａをＳＤに作り替えたりする必要
があり、この輸送、取り扱い、ＳＤ製造装置の運転等に
は安全対策のための設備が必要となる。しかも爆発や火
災等の危険性のポテンシャルはなお高く、多くの注意が
必要であるとの欠点がある。
たり、あるいは工場よりＮａを輸送してきてＰＣＢ無害
化装置に組み込んでＮａをＳＤに作り替えたりする必要
があり、この輸送、取り扱い、ＳＤ製造装置の運転等に
は安全対策のための設備が必要となる。しかも爆発や火
災等の危険性のポテンシャルはなお高く、多くの注意が
必要であるとの欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した従来
の問題点を解決し、危険性のあるＮａやＳＤを運搬した
りＳＤを製造することなく、ＰＣＢ等の有害な塩素含有
有機物をＮａを用いて無害化する方法を提供するために
なされたものである。
の問題点を解決し、危険性のあるＮａやＳＤを運搬した
りＳＤを製造することなく、ＰＣＢ等の有害な塩素含有
有機物をＮａを用いて無害化する方法を提供するために
なされたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めになされた本発明の塩素含有有機物の無害化方法は、
Ｎａを含有させた低融点金属を塩素含有有機物と接触さ
せ、塩素含有有機物中の塩素とＮａとの脱塩素反応を行
わせることを特徴とするものである。なお、Ｎａを低融
点金属に含有させる方法としては、低融点金属にＮａを
溶融合金化させる方法や、Ｎａ塩を直接電解する方法
や、Ｎａ塩をＮａイオン伝導体を介して電解する方法等
を取ることができる。低融点金属としては、ＢｉやＢｉ
−Ｉｎ合金のような融点が４００℃以下の金属又は合金
を用いることが好ましい。
めになされた本発明の塩素含有有機物の無害化方法は、
Ｎａを含有させた低融点金属を塩素含有有機物と接触さ
せ、塩素含有有機物中の塩素とＮａとの脱塩素反応を行
わせることを特徴とするものである。なお、Ｎａを低融
点金属に含有させる方法としては、低融点金属にＮａを
溶融合金化させる方法や、Ｎａ塩を直接電解する方法
や、Ｎａ塩をＮａイオン伝導体を介して電解する方法等
を取ることができる。低融点金属としては、ＢｉやＢｉ
−Ｉｎ合金のような融点が４００℃以下の金属又は合金
を用いることが好ましい。
【０００６】本発明によれば、Ｎａ含有量が少なく危険
性の少ない低融点金属を使ったり、あるいは反応に必要
なだけのＮａを無害化装置内で作りながら無害化反応を
進行させることができるので、危険性のあるＮａやＳＤ
を運搬したりＳＤを製造する必要がなく、安全に塩素含
有有機物の無害化が行える。なお塩素含有有機物には活
性化剤を添加して反応性を高めることもできる。以下に
本発明の好ましい実施形態を示す。
性の少ない低融点金属を使ったり、あるいは反応に必要
なだけのＮａを無害化装置内で作りながら無害化反応を
進行させることができるので、危険性のあるＮａやＳＤ
を運搬したりＳＤを製造する必要がなく、安全に塩素含
有有機物の無害化が行える。なお塩素含有有機物には活
性化剤を添加して反応性を高めることもできる。以下に
本発明の好ましい実施形態を示す。
【０００７】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は本発明
の第１の実施形態を示す図であり、１は無害化反応槽、
２はＮａ生成槽である。Ｎａ生成槽２は約２００℃に加
熱されており、その内部にはＮａ塩の溶融塩３と低融点
金属４とが充填されている。Ｎａ塩としては、例えばＮ
ａＯＨとＫＯＨとＮａ2 ＣＯ3 との混合塩を用いること
ができる。また低融点金属４としては、例えばＢｉ−Ｉ
ｎ合金を用いることができる。このＢｉ−Ｉｎ合金の融
点は８０℃以下である。
の第１の実施形態を示す図であり、１は無害化反応槽、
２はＮａ生成槽である。Ｎａ生成槽２は約２００℃に加
熱されており、その内部にはＮａ塩の溶融塩３と低融点
金属４とが充填されている。Ｎａ塩としては、例えばＮ
ａＯＨとＫＯＨとＮａ2 ＣＯ3 との混合塩を用いること
ができる。また低融点金属４としては、例えばＢｉ−Ｉ
ｎ合金を用いることができる。このＢｉ−Ｉｎ合金の融
点は８０℃以下である。
【０００８】このＮａ塩の溶融塩３と低融点金属４とは
比重差により上下に分離しており、陽極５を溶融塩３中
に差し込み、陰極６を低融点金属４中に差し込んで直流
を通電してＮａ塩の電解を行う。この結果、Ｎａ塩中の
Ｎａが陰極６側の低融点金属４に移動し、数％程度の濃
度で低融点金属４中に溶け込む。なお、低融点金属４は
不活性ガスや油等を用いて空気から遮断し、Ｎａの酸化
を防止するものとする。
比重差により上下に分離しており、陽極５を溶融塩３中
に差し込み、陰極６を低融点金属４中に差し込んで直流
を通電してＮａ塩の電解を行う。この結果、Ｎａ塩中の
Ｎａが陰極６側の低融点金属４に移動し、数％程度の濃
度で低融点金属４中に溶け込む。なお、低融点金属４は
不活性ガスや油等を用いて空気から遮断し、Ｎａの酸化
を防止するものとする。
【０００９】このようにしてＮａを含有させた低融点金
属４を、ポンプ７により無害化反応槽１に送る。無害化
反応槽１にはＰＣＢ含有油等の塩素含有有機物８が供給
され、攪拌機９により低融点金属４と塩素含有有機物８
とを接触させる。その結果、塩素含有有機物８中の塩素
と低融点金属４中のＮａとの脱塩素反応が進行する。無
害化反応槽１の反応温度は高い方が脱塩素反応の進行速
度を大きくでき、この例では２００℃とした。ただしＰ
ＣＢの揮発があるため、排ガス処理が必要となる。Ｎａ
濃度の低下した低融点金属４はＮａ生成槽２に返送さ
れ、再びＮａを受け取って無害化反応槽１に循環され
る。ＰＣＢ含有油と低融点金属４とを接触させる場合に
は、油により低融点金属４を空気から遮断する。この場
合、油中の水分は予め除去しておくことが好ましい。
属４を、ポンプ７により無害化反応槽１に送る。無害化
反応槽１にはＰＣＢ含有油等の塩素含有有機物８が供給
され、攪拌機９により低融点金属４と塩素含有有機物８
とを接触させる。その結果、塩素含有有機物８中の塩素
と低融点金属４中のＮａとの脱塩素反応が進行する。無
害化反応槽１の反応温度は高い方が脱塩素反応の進行速
度を大きくでき、この例では２００℃とした。ただしＰ
ＣＢの揮発があるため、排ガス処理が必要となる。Ｎａ
濃度の低下した低融点金属４はＮａ生成槽２に返送さ
れ、再びＮａを受け取って無害化反応槽１に循環され
る。ＰＣＢ含有油と低融点金属４とを接触させる場合に
は、油により低融点金属４を空気から遮断する。この場
合、油中の水分は予め除去しておくことが好ましい。
【００１０】なお、無害化反応槽１に塩素含有有機物８
の代わりにデカリン等のＳＤ用溶媒を入れ、Ｎａを含有
させた低融点金属４と接触させることによりＳＤを生成
することもできる。その場合には生成されたＳＤを別の
槽においてＰＣＢ含有油等の塩素含有有機物８と接触さ
せ、脱塩素による無害化を行わせる。このようにＳＤを
作るときには、溶媒の室は窒素ガスで不活性雰囲気とし
ておくことが好ましい。
の代わりにデカリン等のＳＤ用溶媒を入れ、Ｎａを含有
させた低融点金属４と接触させることによりＳＤを生成
することもできる。その場合には生成されたＳＤを別の
槽においてＰＣＢ含有油等の塩素含有有機物８と接触さ
せ、脱塩素による無害化を行わせる。このようにＳＤを
作るときには、溶媒の室は窒素ガスで不活性雰囲気とし
ておくことが好ましい。
【００１１】（第２の実施形態）図２は本発明の第２の
実施形態を示す図である。その構成は第１の実施形態と
同様であるが、第２の実施形態では無害化反応槽１及び
Ｎａ生成槽２が８０℃と比較的低温に維持されている。
そしてＮａ生成槽２にはＮａ塩の水溶液１０（ＮａＣｌ
の水溶液）が充填されている。このＮａ塩の水溶液１０
を第１の実施形態と同様に電解することにより、融点が
８０℃以下の低融点金属４中にＮａを移動させる。この
場合の低融点金属４中のＮａ濃度は０．１〜１％程度で
ある。その後の工程は、第１の実施形態と同様である。
実施形態を示す図である。その構成は第１の実施形態と
同様であるが、第２の実施形態では無害化反応槽１及び
Ｎａ生成槽２が８０℃と比較的低温に維持されている。
そしてＮａ生成槽２にはＮａ塩の水溶液１０（ＮａＣｌ
の水溶液）が充填されている。このＮａ塩の水溶液１０
を第１の実施形態と同様に電解することにより、融点が
８０℃以下の低融点金属４中にＮａを移動させる。この
場合の低融点金属４中のＮａ濃度は０．１〜１％程度で
ある。その後の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００１２】この第２の実施形態では低温で脱塩素反応
を進行させるため、ＰＣＢの揮発を防止できる。また装
置を加熱する必要もない。ただし反応に長時間を要する
こととなる。なおこの第２の実施形態では、脱塩素反応
により生じたＮａＣｌをＮａ生成槽２に返送して再利用
することができる。
を進行させるため、ＰＣＢの揮発を防止できる。また装
置を加熱する必要もない。ただし反応に長時間を要する
こととなる。なおこの第２の実施形態では、脱塩素反応
により生じたＮａＣｌをＮａ生成槽２に返送して再利用
することができる。
【００１３】（第３の実施形態）図３は本発明の第３の
実施形態を示す図である。この第３の実施形態では、無
害化反応槽１とＮａ生成槽２が一体化された電解反応槽
１１が用いられる。この電解反応槽１１の内部には低融
点金属４が充填され、隔壁板１２の左側にはＮａ塩の溶
融塩３が、右側にはＰＣＢ含有油等の塩素含有有機物８
（又はＳＤ用溶媒）が供給される。隔壁板１２の下端に
は隙間があり、低融点金属４が流通できるようになって
いる。
実施形態を示す図である。この第３の実施形態では、無
害化反応槽１とＮａ生成槽２が一体化された電解反応槽
１１が用いられる。この電解反応槽１１の内部には低融
点金属４が充填され、隔壁板１２の左側にはＮａ塩の溶
融塩３が、右側にはＰＣＢ含有油等の塩素含有有機物８
（又はＳＤ用溶媒）が供給される。隔壁板１２の下端に
は隙間があり、低融点金属４が流通できるようになって
いる。
【００１４】Ｎａ塩の溶融塩３に陽極５を差し込み、低
融点金属４に陰極６を差し込んでＮａ塩の電解を行う
と、低融点金属４にＮａが移動する。このようにしてＮ
ａが溶け込んだ低融点金属４が隔壁板１２の下端を通過
して右側に移動し、塩素含有有機物８と接触して脱塩素
反応が進行する。なお、Ｎａ塩の溶融塩３の代わりにＮ
ａ塩の水溶液を用いることもできる。
融点金属４に陰極６を差し込んでＮａ塩の電解を行う
と、低融点金属４にＮａが移動する。このようにしてＮ
ａが溶け込んだ低融点金属４が隔壁板１２の下端を通過
して右側に移動し、塩素含有有機物８と接触して脱塩素
反応が進行する。なお、Ｎａ塩の溶融塩３の代わりにＮ
ａ塩の水溶液を用いることもできる。
【００１５】（第４の実施形態）図４は本発明の第４の
実施形態を示す図である。この第４の実施形態では、Ｎ
ａ生成槽２の内部にβ−アルミナやＮＡＳＩＣＯＮ（商
標）等のＮａイオン伝導体の隔壁１３が設けられてい
る。そしてその左側にはＮａ塩の溶融塩３又はＮａ塩の
水溶液が、右側には低融点金属４が充填されている。低
融点金属４は熱交換器１４を介して無害化反応槽１に送
られ、前記と同様にＰＣＢ含有油等の塩素含有有機物８
の無害化が行われる。
実施形態を示す図である。この第４の実施形態では、Ｎ
ａ生成槽２の内部にβ−アルミナやＮＡＳＩＣＯＮ（商
標）等のＮａイオン伝導体の隔壁１３が設けられてい
る。そしてその左側にはＮａ塩の溶融塩３又はＮａ塩の
水溶液が、右側には低融点金属４が充填されている。低
融点金属４は熱交換器１４を介して無害化反応槽１に送
られ、前記と同様にＰＣＢ含有油等の塩素含有有機物８
の無害化が行われる。
【００１６】以上に説明した第２〜第３の実施形態は、
第１の実施形態に比べて電流効率は必ずしも良くない
が、装置が簡単であって少量のＰＣＢ等を簡便に無害化
するに適したものである。
第１の実施形態に比べて電流効率は必ずしも良くない
が、装置が簡単であって少量のＰＣＢ等を簡便に無害化
するに適したものである。
【００１７】（第５の実施形態）図５は本発明の第５の
実施形態を示す図である。この第５の実施形態は、前記
した第４の実施形態におけるＮａ生成槽２と無害化反応
槽１とを一体化させたものである。Ｎａ生成槽２の壁面
はβ−アルミナ等のＮａイオン伝導体により構成されて
おり、その内部にＮａＯＨ−ＫＯＨ等の溶融塩を入れて
おく。槽全体は２００℃に加熱される。これらの第４及
び第５の実施形態は、Ｎａイオン伝導体を介してＮａイ
オンのみを移動させるようにしたので、Ｎａ塩の直接電
解を行う第１〜第３の実施形態に比較して電流効率が高
く、大量のＰＣＢ等を無害化するに適する。
実施形態を示す図である。この第５の実施形態は、前記
した第４の実施形態におけるＮａ生成槽２と無害化反応
槽１とを一体化させたものである。Ｎａ生成槽２の壁面
はβ−アルミナ等のＮａイオン伝導体により構成されて
おり、その内部にＮａＯＨ−ＫＯＨ等の溶融塩を入れて
おく。槽全体は２００℃に加熱される。これらの第４及
び第５の実施形態は、Ｎａイオン伝導体を介してＮａイ
オンのみを移動させるようにしたので、Ｎａ塩の直接電
解を行う第１〜第３の実施形態に比較して電流効率が高
く、大量のＰＣＢ等を無害化するに適する。
【００１８】上記したいずれの実施形態においても、Ｎ
ａ源としてはＮａＯＨ、炭酸ソーダ、ＮａＣｌ等の安全
な材料を使用することができ、危険なＮａやＳＤを直接
取り扱う必要はない。なおＮａＣｌを用いるときは、Ａ
ｌＣｌ3 やＺｎＣｌ2 との混合共晶塩として融点を下げ
ることができる。またいずれの実施形態においても危険
なＮａやＳＤを貯蔵する必要がなく、Ｎａは必要量だけ
電解によって供給すればよい。しかもそのＮａ量は、電
流を加減することによって容易にコントロールすること
ができる利点がある。
ａ源としてはＮａＯＨ、炭酸ソーダ、ＮａＣｌ等の安全
な材料を使用することができ、危険なＮａやＳＤを直接
取り扱う必要はない。なおＮａＣｌを用いるときは、Ａ
ｌＣｌ3 やＺｎＣｌ2 との混合共晶塩として融点を下げ
ることができる。またいずれの実施形態においても危険
なＮａやＳＤを貯蔵する必要がなく、Ｎａは必要量だけ
電解によって供給すればよい。しかもそのＮａ量は、電
流を加減することによって容易にコントロールすること
ができる利点がある。
【００１９】（第６の実施形態）図６は本発明の第６の
実施形態を示す図である。第１〜第５の実施形態ではＮ
ａ塩の電解によりＮａを低融点金属に含有させたのであ
るが、この第６の実施形態では、予めＮａを溶融合金化
させた低融点金属４をＳＤ生成槽１５に入れ、ＳＤ用溶
媒と接触させる。その結果ＳＤが生成されるので、この
ＳＤを無害化反応槽１に送り塩素含有有機物８と接触さ
せる。このように、Ｎａを含有させた低融点金属を用い
て生成したＳＤにより、塩素含有有機物８の無害化を図
ることもできる。
実施形態を示す図である。第１〜第５の実施形態ではＮ
ａ塩の電解によりＮａを低融点金属に含有させたのであ
るが、この第６の実施形態では、予めＮａを溶融合金化
させた低融点金属４をＳＤ生成槽１５に入れ、ＳＤ用溶
媒と接触させる。その結果ＳＤが生成されるので、この
ＳＤを無害化反応槽１に送り塩素含有有機物８と接触さ
せる。このように、Ｎａを含有させた低融点金属を用い
て生成したＳＤにより、塩素含有有機物８の無害化を図
ることもできる。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。図７に示すＮ
ａ生成槽２の内部に、Ｎａイオン伝導体よりなる容器状
の隔壁１３を設置し、その内部に低融点金属４としてＢ
ｉ−Ｉｎ合金（Ｂｉ３５％）を充填した。Ｎａ生成槽２
は２５０℃に加熱され、ＮａＯＨ−ＫＯＨの共晶塩（Ｎ
ａＯＨ約５０モル％、融点約１７０℃）にＮａ2 ＣＯ3
を添加しながら、陽極５と陰極６との間に５Ｖの電圧を
印加して電解を行った。その結果、Ｎａ2 ＣＯ3 →２Ｎ
ａ+ ＋ＣＯ2 ＋Ｏ2 ↑の反応が生じる。
ａ生成槽２の内部に、Ｎａイオン伝導体よりなる容器状
の隔壁１３を設置し、その内部に低融点金属４としてＢ
ｉ−Ｉｎ合金（Ｂｉ３５％）を充填した。Ｎａ生成槽２
は２５０℃に加熱され、ＮａＯＨ−ＫＯＨの共晶塩（Ｎ
ａＯＨ約５０モル％、融点約１７０℃）にＮａ2 ＣＯ3
を添加しながら、陽極５と陰極６との間に５Ｖの電圧を
印加して電解を行った。その結果、Ｎａ2 ＣＯ3 →２Ｎ
ａ+ ＋ＣＯ2 ＋Ｏ2 ↑の反応が生じる。
【００２１】この反応により発生したＮａ+ イオンはＮ
ａイオン伝導体よりなる隔壁１３を通過して陰極側の低
融点金属４中に入り、放電してＮａとなって低融点金属
４に溶け込む。このようにして数％程度のＮａを含有さ
せた低融点金属４は熱交換器１４により冷却されたう
え、５０〜２００℃の無害化反応槽１にポンプ輸送され
る。
ａイオン伝導体よりなる隔壁１３を通過して陰極側の低
融点金属４中に入り、放電してＮａとなって低融点金属
４に溶け込む。このようにして数％程度のＮａを含有さ
せた低融点金属４は熱交換器１４により冷却されたう
え、５０〜２００℃の無害化反応槽１にポンプ輸送され
る。
【００２２】無害化反応槽１にはＰＣＢ含有油が供給さ
れ、攪拌機９により高速攪拌して低融点金属４と接触さ
せる。その結果、ＰＣＢ中の塩素は低融点金属４中のＮ
ａと反応してＮａＣｌとなり、脱塩素される。また、Ｓ
Ｄを作りたいときにはＰＣＢ含有油に代えてＳＤ用溶媒
を無害化反応槽１に入れておけば、Ｎａの５〜１０μｍ
の粒子を溶媒が囲んだ状態の分散液が得られ、これを別
の槽でＰＣＢ含有油等と接触させて脱塩素に使う。Ｎａ
が希薄になった低融点金属４は再び熱交換器１４を通っ
て加熱されたうえ、Ｎａ生成槽２に戻される。この装置
によりＰＣＢ含有油の無害化処理を行った一例を表１に
示す。攪拌速度は１５０ｒｐｍである。
れ、攪拌機９により高速攪拌して低融点金属４と接触さ
せる。その結果、ＰＣＢ中の塩素は低融点金属４中のＮ
ａと反応してＮａＣｌとなり、脱塩素される。また、Ｓ
Ｄを作りたいときにはＰＣＢ含有油に代えてＳＤ用溶媒
を無害化反応槽１に入れておけば、Ｎａの５〜１０μｍ
の粒子を溶媒が囲んだ状態の分散液が得られ、これを別
の槽でＰＣＢ含有油等と接触させて脱塩素に使う。Ｎａ
が希薄になった低融点金属４は再び熱交換器１４を通っ
て加熱されたうえ、Ｎａ生成槽２に戻される。この装置
によりＰＣＢ含有油の無害化処理を行った一例を表１に
示す。攪拌速度は１５０ｒｐｍである。
【００２３】
【表１】
【００２４】なお、上記の実験ではＰＣＢ中のＣｌに対
するモル比の１０倍相当をＮａ生成槽２で作成した。Ｎ
ａ生成槽２では０．５Ａ／ｃｍ2 の電流により、Ｎａを
２４ｇ／ｈの速度で生成した。Ｎａの生成速度は、電圧
をコントロールすることにより調整できる。
するモル比の１０倍相当をＮａ生成槽２で作成した。Ｎ
ａ生成槽２では０．５Ａ／ｃｍ2 の電流により、Ｎａを
２４ｇ／ｈの速度で生成した。Ｎａの生成速度は、電圧
をコントロールすることにより調整できる。
【００２５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれば
装置内部で必要量のＮａを生成し、低融点金属中に含有
させてＰＣＢ等の有害な塩素含有有機物と接触させるよ
うにしたので、危険性のあるＮａやＳＤを運搬したりＳ
Ｄを製造することなく、有害な塩素含有有機物を安全に
無害化することができる。
装置内部で必要量のＮａを生成し、低融点金属中に含有
させてＰＣＢ等の有害な塩素含有有機物と接触させるよ
うにしたので、危険性のあるＮａやＳＤを運搬したりＳ
Ｄを製造することなく、有害な塩素含有有機物を安全に
無害化することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の第６の実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例を示す断面図である。
１ 無害化反応槽、２ Ｎａ生成槽、３ Ｎａ塩の溶融
塩、４ 低融点金属、５ 陽極、６ 陰極、７ ポン
プ、８ 塩素含有有機物、９ 攪拌機、１０ Ｎａ塩の
水溶液、１１ 電解反応槽、１２ 隔壁板、１３ Ｎａ
イオン伝導体の隔壁、１４ 熱交換器、１５ ＳＤ生成
槽
塩、４ 低融点金属、５ 陽極、６ 陰極、７ ポン
プ、８ 塩素含有有機物、９ 攪拌機、１０ Ｎａ塩の
水溶液、１１ 電解反応槽、１２ 隔壁板、１３ Ｎａ
イオン伝導体の隔壁、１４ 熱交換器、１５ ＳＤ生成
槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳瀬 哲也 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 平木 昭光 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 2E191 BA12 BA13 BC01 BD00 4H006 AA02 AC13 BE90
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｎａを含有させた低融点金属を塩素含有
有機物と接触させ、塩素含有有機物中の塩素とＮａとの
脱塩素反応を行わせることを特徴とする塩素含有有機物
の無害化方法。 - 【請求項２】 Ｎａ塩の直接電解により、Ｎａを低融点
金属に含有させる請求項１に記載の塩素含有有機物の無
害化方法。 - 【請求項３】 Ｎａ塩をＮａイオン伝導体を介して電解
することにより、Ｎａを低融点金属に含有させる請求項
１に記載の塩素含有有機物の無害化方法。 - 【請求項４】 低融点金属が、ＢｉやＢｉ−Ｉｎ合金の
ような融点が４００℃以下の金属又は合金である請求項
１〜３の何れかに記載の塩素含有有機物の無害化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26630498A JP2000093547A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 塩素含有有機物の無害化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26630498A JP2000093547A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 塩素含有有機物の無害化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000093547A true JP2000093547A (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17429081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26630498A Pending JP2000093547A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 塩素含有有機物の無害化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000093547A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009514805A (ja) * | 2005-10-10 | 2009-04-09 | フェアストック テクノロジーズ コーポレイション | 液化金属合金を使用して有機化合物を変換するための方法および関連装置 |
-
1998
- 1998-09-21 JP JP26630498A patent/JP2000093547A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009514805A (ja) * | 2005-10-10 | 2009-04-09 | フェアストック テクノロジーズ コーポレイション | 液化金属合金を使用して有機化合物を変換するための方法および関連装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030107 |