JP2000091813A - 静磁波素子 - Google Patents
静磁波素子Info
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- JP2000091813A JP2000091813A JP10261994A JP26199498A JP2000091813A JP 2000091813 A JP2000091813 A JP 2000091813A JP 10261994 A JP10261994 A JP 10261994A JP 26199498 A JP26199498 A JP 26199498A JP 2000091813 A JP2000091813 A JP 2000091813A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １つの素子で動作周波数を複数設定すること
ができ、しかも任意の組み合わせで動作周波数を設定す
ることができる静磁波素子を得る。 【解決手段】 組成の異なる強磁性体２及び３をそれぞ
れ複数配列した構造であって、同一組成の強磁性体が連
続して並ぶように各組成毎に強磁性体２及び３を配列さ
せた構造を有する強磁性体の不連続膜を、静磁波を励起
し伝搬する媒体として用いることを特徴としている。
ができ、しかも任意の組み合わせで動作周波数を設定す
ることができる静磁波素子を得る。 【解決手段】 組成の異なる強磁性体２及び３をそれぞ
れ複数配列した構造であって、同一組成の強磁性体が連
続して並ぶように各組成毎に強磁性体２及び３を配列さ
せた構造を有する強磁性体の不連続膜を、静磁波を励起
し伝搬する媒体として用いることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルターや遅延
素子等に用いることができる静磁波素子に関するもので
ある。
素子等に用いることができる静磁波素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報の高度化に伴って、マイクロ
波帯での信号を処理するマイクロ波用デバイスの需要が
増大している。特に、より高い周波数を使用することが
できる静磁波素子が近年注目されている。
波帯での信号を処理するマイクロ波用デバイスの需要が
増大している。特に、より高い周波数を使用することが
できる静磁波素子が近年注目されている。
【０００３】静磁波素子は、磁性体における磁気モーメ
ントの磁気共鳴現象を利用するものであり、磁性体にお
ける磁気スピン歳差共鳴の波であるスピン波が磁性体中
を伝搬することを利用している。従来の静磁波素子にお
いては、一般に、ＧＧＧ（ガドリミウム・ガリウム・ガ
ーネット）単結晶基板の上に、液相エピタキシャル法
（ＬＰＥ法）等によって膜状に成形したＹＩＧ（イット
リウム・鉄・ガーネット）薄膜が、静磁波を励起し伝搬
するための磁性体として用いられている。
ントの磁気共鳴現象を利用するものであり、磁性体にお
ける磁気スピン歳差共鳴の波であるスピン波が磁性体中
を伝搬することを利用している。従来の静磁波素子にお
いては、一般に、ＧＧＧ（ガドリミウム・ガリウム・ガ
ーネット）単結晶基板の上に、液相エピタキシャル法
（ＬＰＥ法）等によって膜状に成形したＹＩＧ（イット
リウム・鉄・ガーネット）薄膜が、静磁波を励起し伝搬
するための磁性体として用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本出願人は、特開平９
−２９４００４号公報において、このような静磁波素子
に用いる磁性体薄膜として、複数の配列したストライプ
状磁性体薄膜を用いることを提案している。このような
ストライプ状磁性体薄膜を用いることにより、ストライ
プ状磁性体薄膜間で生じる双極子相互作用により励起さ
れる磁気双極子定在波によって生じる静磁波の高次モー
ドを利用することができる。
−２９４００４号公報において、このような静磁波素子
に用いる磁性体薄膜として、複数の配列したストライプ
状磁性体薄膜を用いることを提案している。このような
ストライプ状磁性体薄膜を用いることにより、ストライ
プ状磁性体薄膜間で生じる双極子相互作用により励起さ
れる磁気双極子定在波によって生じる静磁波の高次モー
ドを利用することができる。
【０００５】図７は、強磁性材料からなるストライプ状
細線１０を配列した状態における巨大磁気モーメントを
示す図である。図７に示すように、巨大磁気モーメント
間に双極子相互作用が発現し、結果として歳差運動の位
相がずれ、モードの異なる複数の定在波が励起される。
細線１０を配列した状態における巨大磁気モーメントを
示す図である。図７に示すように、巨大磁気モーメント
間に双極子相互作用が発現し、結果として歳差運動の位
相がずれ、モードの異なる複数の定在波が励起される。
【０００６】図８は、このような定在波による１次、２
次、及び３次モードの高周波吸収特性を示す図である。
図８において、３次モードの吸収特性は拡大して図示し
ている。図８に示すように、高次になるにつれて吸収が
小さくなることがわかる。また、このような静磁波素子
において動作可能な周波数の組み合わせは、高次モード
との組み合わせに限定されてしまう。
次、及び３次モードの高周波吸収特性を示す図である。
図８において、３次モードの吸収特性は拡大して図示し
ている。図８に示すように、高次になるにつれて吸収が
小さくなることがわかる。また、このような静磁波素子
において動作可能な周波数の組み合わせは、高次モード
との組み合わせに限定されてしまう。
【０００７】本発明の目的は、１つの素子で動作周波数
を複数設定することができ、しかも任意の組み合わせで
動作周波数を設定することができる新規な静磁波素子構
造を提供することにある。
を複数設定することができ、しかも任意の組み合わせで
動作周波数を設定することができる新規な静磁波素子構
造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の静磁波素子は、
組成の異なる強磁性体をそれぞれ複数配列した構造であ
って、同一組成の強磁性体が連続して並ぶように各組成
毎に強磁性体を配列させた構造を有する強磁性体の不連
続膜を、静磁波を励起し伝搬する媒体として用いること
を特徴としている。
組成の異なる強磁性体をそれぞれ複数配列した構造であ
って、同一組成の強磁性体が連続して並ぶように各組成
毎に強磁性体を配列させた構造を有する強磁性体の不連
続膜を、静磁波を励起し伝搬する媒体として用いること
を特徴としている。
【０００９】本発明における限定された局面において
は、静磁波素子が入力トランスデューサと出力トランス
デューサを備えており、入力トランスデューサと出力ト
ランスデューサの間で、同一組成の強磁性体の配列が各
組成毎に並列に配置されている。
は、静磁波素子が入力トランスデューサと出力トランス
デューサを備えており、入力トランスデューサと出力ト
ランスデューサの間で、同一組成の強磁性体の配列が各
組成毎に並列に配置されている。
【００１０】また、本発明の静磁波素子において、好ま
しくは、各強磁性体はストライプ形状を有しており、該
ストライプ形状の長手方向に対し略垂直な方向に各強磁
性体が並ぶように配置される。
しくは、各強磁性体はストライプ形状を有しており、該
ストライプ形状の長手方向に対し略垂直な方向に各強磁
性体が並ぶように配置される。
【００１１】本発明の静磁波素子においては、同一組成
の強磁性体が並ぶように各組成毎に強磁性体が配列され
ている。従って、本発明の静磁波素子は、各組成毎の強
磁性体の配列に応じた複数の周波数で動作させることが
できる。また、強磁性体の組成を変えたり、各配列にお
ける強磁性体間の間隔や、強磁性体の幅等を変化させる
ことにより、動作する周波数を調整することができる。
従って、任意の組み合わせで、複数の動作周波数を設定
することができる。
の強磁性体が並ぶように各組成毎に強磁性体が配列され
ている。従って、本発明の静磁波素子は、各組成毎の強
磁性体の配列に応じた複数の周波数で動作させることが
できる。また、強磁性体の組成を変えたり、各配列にお
ける強磁性体間の間隔や、強磁性体の幅等を変化させる
ことにより、動作する周波数を調整することができる。
従って、任意の組み合わせで、複数の動作周波数を設定
することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う静磁波素子
における強磁性体の不連続膜の構造を示す平面図であ
る。基板１の上には、第１の強磁性体２を複数配列した
配列構造１２及び第２の強磁性体３を複数配列した配列
構造１３が設けられている。第１の強磁性体２及び第３
の強磁性体３は、互いに組成の異なる強磁性体から形成
されている。配列構造１２においては、同一組成の第１
の強磁性体２が連続して並ぶように配列されている。配
列構造１３においても、同様に、同一組成の第２の強磁
性体３が連続して並ぶように配列されている。
における強磁性体の不連続膜の構造を示す平面図であ
る。基板１の上には、第１の強磁性体２を複数配列した
配列構造１２及び第２の強磁性体３を複数配列した配列
構造１３が設けられている。第１の強磁性体２及び第３
の強磁性体３は、互いに組成の異なる強磁性体から形成
されている。配列構造１２においては、同一組成の第１
の強磁性体２が連続して並ぶように配列されている。配
列構造１３においても、同様に、同一組成の第２の強磁
性体３が連続して並ぶように配列されている。
【００１３】本実施例において、第１の強磁性体２及び
第２の強磁性体３は、それぞれストライプ形状を有して
おり、該ストライプ形状の長手方向に対し略垂直な方向
に各強磁性体が並ぶように配置されている。
第２の強磁性体３は、それぞれストライプ形状を有して
おり、該ストライプ形状の長手方向に対し略垂直な方向
に各強磁性体が並ぶように配置されている。
【００１４】本発明における強磁性体としては、フェリ
磁性体が好ましく、特に好ましくはＹＩＧが用いられ
る。ＹＩＧの一般的な組成は、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12で表さ
れ、異なる組成のＹＩＧとしては、ＹまたはＦｅを他の
元素で置換したものが挙げられる。このような組成とし
て、例えば、一般式（Ｙ1-r Ｒr ）3 （Ｆｅ1-a Ａa ）
5Ｏ12（ここで、ＲはＬａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕを表し、
ＡはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃを表し、ｒ及びａは、それ
ぞれ０≦ｒ≦１及び０≦ａ＜１の関係にある。）で表さ
れる組成のＹＩＧが挙げられる。従って、例えばこの一
般式で表される範囲内で、置換する元素の種類または量
を異ならせることにより、異なる組成のＹＩＧ膜を、第
１の磁性体２及び第２の磁性体３として形成することが
できる。また、基板１としては、ＹＩＧ膜をエピタキシ
ャル成長させることが可能な、ＧＧＧの単結晶基板が好
ましく用いられる。
磁性体が好ましく、特に好ましくはＹＩＧが用いられ
る。ＹＩＧの一般的な組成は、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12で表さ
れ、異なる組成のＹＩＧとしては、ＹまたはＦｅを他の
元素で置換したものが挙げられる。このような組成とし
て、例えば、一般式（Ｙ1-r Ｒr ）3 （Ｆｅ1-a Ａa ）
5Ｏ12（ここで、ＲはＬａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕを表し、
ＡはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃを表し、ｒ及びａは、それ
ぞれ０≦ｒ≦１及び０≦ａ＜１の関係にある。）で表さ
れる組成のＹＩＧが挙げられる。従って、例えばこの一
般式で表される範囲内で、置換する元素の種類または量
を異ならせることにより、異なる組成のＹＩＧ膜を、第
１の磁性体２及び第２の磁性体３として形成することが
できる。また、基板１としては、ＹＩＧ膜をエピタキシ
ャル成長させることが可能な、ＧＧＧの単結晶基板が好
ましく用いられる。
【００１５】第１の強磁性体２及び第２の強磁性体３の
寸法としては、例えば幅（長手方向に垂直な方向）０．
１〜５０μｍ、長さ（長手方向）１〜１００μｍの範囲
が挙げられる。また同一配列内の強磁性体間の距離（強
磁性体の幅方向に沿う距離）としては、０．１〜５０μ
ｍが挙げられる。また、隣接する配列の強磁性体間の距
離（強磁性体の長手方向に沿う距離）としては１μｍ以
上が挙げられる。また、強磁性体の膜厚としては、１０
〜１００ｎｍが挙げられる。
寸法としては、例えば幅（長手方向に垂直な方向）０．
１〜５０μｍ、長さ（長手方向）１〜１００μｍの範囲
が挙げられる。また同一配列内の強磁性体間の距離（強
磁性体の幅方向に沿う距離）としては、０．１〜５０μ
ｍが挙げられる。また、隣接する配列の強磁性体間の距
離（強磁性体の長手方向に沿う距離）としては１μｍ以
上が挙げられる。また、強磁性体の膜厚としては、１０
〜１００ｎｍが挙げられる。
【００１６】第１の磁性体２及び第２の磁性体３を、図
１に示すような不連続膜として形成する方法としては、
種々の方法を採用することができる。例えば、フォトリ
ソグラフィー法を用いたリフト法や、マスク等を用いた
基板上への選択的な薄膜形成などの方法により形成する
ことができる。また、全面に薄膜を形成した後、所定部
分をエッチング除去することにより不連続膜を形成して
もよい。また、レーザー照射等により部分的に薄膜を除
去することにより、所定のパターンの不連続膜を形成し
てもよい。
１に示すような不連続膜として形成する方法としては、
種々の方法を採用することができる。例えば、フォトリ
ソグラフィー法を用いたリフト法や、マスク等を用いた
基板上への選択的な薄膜形成などの方法により形成する
ことができる。また、全面に薄膜を形成した後、所定部
分をエッチング除去することにより不連続膜を形成して
もよい。また、レーザー照射等により部分的に薄膜を除
去することにより、所定のパターンの不連続膜を形成し
てもよい。
【００１７】また、異なる組成の磁性体薄膜を形成する
方法としては、異なる組成となるようにそれぞれを別個
に薄膜形成させてもよいし、同一組成の磁性体薄膜を形
成した後、イオンドープ等の方法により異なる組成とな
るように磁性体薄膜の組成を変化させてもよい。
方法としては、異なる組成となるようにそれぞれを別個
に薄膜形成させてもよいし、同一組成の磁性体薄膜を形
成した後、イオンドープ等の方法により異なる組成とな
るように磁性体薄膜の組成を変化させてもよい。
【００１８】図２は、図１に示す強磁性体の不連続膜に
入力トランスデューサ５及び出力トランスデューサ４を
配置した状態を示している。図２に示すように、配列構
造１２及び１３における一方端部の第１の強磁性体２及
び第２の強磁性体３の上に入力トランスデューサ５が設
けられ、他方端部の第１の強磁性体２及び第２の強磁性
体３の上に出力トランスデューサ４が設けられる。
入力トランスデューサ５及び出力トランスデューサ４を
配置した状態を示している。図２に示すように、配列構
造１２及び１３における一方端部の第１の強磁性体２及
び第２の強磁性体３の上に入力トランスデューサ５が設
けられ、他方端部の第１の強磁性体２及び第２の強磁性
体３の上に出力トランスデューサ４が設けられる。
【００１９】図３は、図１及び図２に示す強磁性体の不
連続膜を用いた静磁波素子の一実施例を示す斜視図であ
る。図３に示す静磁波素子においては、Ａｌ2 Ｏ3 など
からなる誘電体基板２０の上に、出力トランスデューサ
４及び入力トランスデューサ５を設け、これらの上に第
１の磁性体２及び第２の磁性体３が設けられた基板１が
図２に示す位置関係となるように載せられている。
連続膜を用いた静磁波素子の一実施例を示す斜視図であ
る。図３に示す静磁波素子においては、Ａｌ2 Ｏ3 など
からなる誘電体基板２０の上に、出力トランスデューサ
４及び入力トランスデューサ５を設け、これらの上に第
１の磁性体２及び第２の磁性体３が設けられた基板１が
図２に示す位置関係となるように載せられている。
【００２０】図３に示すように、静磁波素子に対しては
バイアス磁界Ｈｅｘが印加されており、バイアス磁界Ｈ
ｅｘの印加方向は、静磁波が伝搬する方向と略垂直な方
向に設定されている。
バイアス磁界Ｈｅｘが印加されており、バイアス磁界Ｈ
ｅｘの印加方向は、静磁波が伝搬する方向と略垂直な方
向に設定されている。
【００２１】入力トランスデューサ５に高周波信号が入
力されると、表面静磁波が励起され、この表面静磁波
は、基板１上に設けられた磁性体の不連続膜を伝搬し
て、出力トランスデューサ４により受信され、再び高周
波信号として出力される。表面静磁波を伝搬する磁性体
の不連続膜の高周波吸収特性に応じて、フィルター等と
して用いることができる。
力されると、表面静磁波が励起され、この表面静磁波
は、基板１上に設けられた磁性体の不連続膜を伝搬し
て、出力トランスデューサ４により受信され、再び高周
波信号として出力される。表面静磁波を伝搬する磁性体
の不連続膜の高周波吸収特性に応じて、フィルター等と
して用いることができる。
【００２２】図１及び図２に示す不連続膜においては、
２つの配列構造を有する不連続膜を示しているが、本発
明はこれに限定されるものではなく、３つ以上の配列構
造を有するものであってもよい。すなわち、３つ以上の
異なる組成の磁性体の配列が設けられていてもよく、こ
の場合３つ以上の周波数で動作させることのできる静磁
波素子とすることができる。
２つの配列構造を有する不連続膜を示しているが、本発
明はこれに限定されるものではなく、３つ以上の配列構
造を有するものであってもよい。すなわち、３つ以上の
異なる組成の磁性体の配列が設けられていてもよく、こ
の場合３つ以上の周波数で動作させることのできる静磁
波素子とすることができる。
【００２３】また、各配列内の磁性体間の距離はほぼ等
しいことが好ましいが、各配列間では異なっていてもよ
い。図１及び図２に示す不連続膜では、ストライプ状の
磁性体を示したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、円柱状や箱状などその他の形状の磁性体であって
もよい。
しいことが好ましいが、各配列間では異なっていてもよ
い。図１及び図２に示す不連続膜では、ストライプ状の
磁性体を示したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、円柱状や箱状などその他の形状の磁性体であって
もよい。
【００２４】図１に示すような磁性体の不連続膜とし
て、シリコン基板１の上に、Ｆｅからなる第１の磁性体
２と、Ｃｏからなる第２の磁性体３を、それぞれフォト
リソグラフィー法を用いたリフトオフ法により形成し
た。第１の磁性体２及び第２の磁性体３の寸法形状は、
幅５μｍとし、長さ１０μｍとした。また、配列内にお
ける磁性体間の距離は５μｍとし、配列間の距離は１０
μｍとした。また、各磁性体の膜厚は、５０ｎｍとし
た。
て、シリコン基板１の上に、Ｆｅからなる第１の磁性体
２と、Ｃｏからなる第２の磁性体３を、それぞれフォト
リソグラフィー法を用いたリフトオフ法により形成し
た。第１の磁性体２及び第２の磁性体３の寸法形状は、
幅５μｍとし、長さ１０μｍとした。また、配列内にお
ける磁性体間の距離は５μｍとし、配列間の距離は１０
μｍとした。また、各磁性体の膜厚は、５０ｎｍとし
た。
【００２５】以上のようにして得られたストライプ状の
磁性体の不連続膜について、空洞共振器を用いて、マイ
クロ波吸収特性を測定した。図４は、測定結果を示す図
である。図４に示されるように、２つの周波数域におい
てマイクロ波の吸収を有することがわかる。
磁性体の不連続膜について、空洞共振器を用いて、マイ
クロ波吸収特性を測定した。図４は、測定結果を示す図
である。図４に示されるように、２つの周波数域におい
てマイクロ波の吸収を有することがわかる。
【００２６】比較として、図１に示すような不連続膜に
おいて、Ｆｅからなる第１の磁性体２の配列構造１２の
みを有するものと、Ｃｏからなる第２の磁性体３の配列
構造１３のみを有するものをそれぞれ作製し、同様にし
てマイクロ波吸収特性を測定した。
おいて、Ｆｅからなる第１の磁性体２の配列構造１２の
みを有するものと、Ｃｏからなる第２の磁性体３の配列
構造１３のみを有するものをそれぞれ作製し、同様にし
てマイクロ波吸収特性を測定した。
【００２７】図５は、Ｆｅからなる第１の強磁性体の配
列構造のみを有するもののマイクロ波吸収特性を示して
おり、図６は、Ｃｏからなる第２の強磁性体の配列構造
のみを有するもののマイクロ波吸収特性を示している。
これらの図と図４から明らかなように、第１の強磁性体
と第２の強磁性体のそれぞれの配列構造を有するもの
は、それぞれの磁性体の配列構造に基づくマイクロ波吸
収特性を示している。従って、本発明によれば、所望の
周波数特性を有する強磁性体の配列構造を組み合わせる
ことにより、複数の所望の周波数で動作する静磁波素子
とすることができる。
列構造のみを有するもののマイクロ波吸収特性を示して
おり、図６は、Ｃｏからなる第２の強磁性体の配列構造
のみを有するもののマイクロ波吸収特性を示している。
これらの図と図４から明らかなように、第１の強磁性体
と第２の強磁性体のそれぞれの配列構造を有するもの
は、それぞれの磁性体の配列構造に基づくマイクロ波吸
収特性を示している。従って、本発明によれば、所望の
周波数特性を有する強磁性体の配列構造を組み合わせる
ことにより、複数の所望の周波数で動作する静磁波素子
とすることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明の静磁波素子によれば、１つの素
子で動作周波数を複数設定することができ、しかも任意
の組み合わせで動作周波数を設定することができる。従
って、例えば、従来であれば複数の素子が必要とされた
ものを、１つの素子に集積化することができ、電気機器
及び電子機器等における軽量化及び小型化をさらに進め
ることができる。
子で動作周波数を複数設定することができ、しかも任意
の組み合わせで動作周波数を設定することができる。従
って、例えば、従来であれば複数の素子が必要とされた
ものを、１つの素子に集積化することができ、電気機器
及び電子機器等における軽量化及び小型化をさらに進め
ることができる。
【図１】本発明に従う一実施例の静磁波素子における強
磁性体の不連続膜を示す平面図。
磁性体の不連続膜を示す平面図。
【図２】図１に示す強磁性体の不連続膜において入力ト
ランスデューサ及び出力トランスデューサの配置状態を
示す平面図。
ランスデューサ及び出力トランスデューサの配置状態を
示す平面図。
【図３】本発明に従う静磁波素子の一実施例を示す斜視
図。
図。
【図４】本発明に従い第１の磁性体の配列及び第２の磁
性体の配列を有する不連続膜のマイクロ波吸収特性を示
す図。
性体の配列を有する不連続膜のマイクロ波吸収特性を示
す図。
【図５】第１の磁性体の配列構造のみを有する不連続膜
のマイクロ波吸収特性を示す図。
のマイクロ波吸収特性を示す図。
【図６】第２の磁性体の配列構造のみを有する不連続膜
のマイクロ波吸収特性を示す図。
のマイクロ波吸収特性を示す図。
【図７】従来技術における巨大磁気モーメントの双極子
相互作用により生じる高次モードの発生を説明するため
の図。
相互作用により生じる高次モードの発生を説明するため
の図。
【図８】従来技術におけるストライプ状磁性体の配列構
造のマイクロ波吸収特性を示す図。
造のマイクロ波吸収特性を示す図。
１…基板 ２…第１の磁性体 ３…第２の磁性体 ４…出力トランスデューサ ５…入力トランスデューサ １２…第１の磁性体の配列構造 １３…第２の磁性体の配列構造 ２０…誘電体基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E049 AB06 AB09 BA29 5J006 HD04 JA01 LA11 LA21 MA12 NA08 5J014 AA03
Claims (4)
- 【請求項１】 組成の異なる強磁性体をそれぞれ複数配
列した構造であって、同一組成の強磁性体が連続して並
ぶように各組成毎に強磁性体を配列させた構造を有する
強磁性体の不連続膜を、静磁波を励起し伝搬する媒体と
して用いることを特徴とする静磁波素子。 - 【請求項２】 入力トランスデューサと出力トランスデ
ューサの間で、前記同一組成の強磁性体の配列が各組成
毎に並列に配置されている請求項１に記載の静磁波素
子。 - 【請求項３】 前記強磁性体がストライプ形状を有して
おり、該ストライプ形状の長手方向に対し略垂直な方向
に並ぶように各強磁性体が配置されている請求項１また
は２に記載の静磁波素子。 - 【請求項４】 前記各組成毎の強磁性体の配列に応じた
複数の周波数で動作することを特徴とする請求項１〜３
のいずれか１項に記載の静磁波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10261994A JP2000091813A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 静磁波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10261994A JP2000091813A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 静磁波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091813A true JP2000091813A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17369545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10261994A Pending JP2000091813A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 静磁波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU224405U1 (ru) * | 2023-11-02 | 2024-03-21 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Управляемая линия задержки на нутационных спиновых волнах |
-
1998
- 1998-09-16 JP JP10261994A patent/JP2000091813A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU224405U1 (ru) * | 2023-11-02 | 2024-03-21 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Управляемая линия задержки на нутационных спиновых волнах |
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