JP2000091645A - Semiconductor light emitting device and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ発光素子か
ら構成される半導体発光装置及びその製造方法に関し、
特に携帯電話等の照明用のチップ型ＬＥＤなどに応用さ
れる半導体発光装置及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor light emitting device comprising an LED light emitting element and a method for manufacturing the same.
In particular, the present invention relates to a semiconductor light emitting device applied to a chip type LED for lighting of a mobile phone or the like, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のＬＥＤ発光素子から構成される半
導体発光装置としては、例えば、特許第２１１４８４７
号に記載されるようなものがあり、それについて、図６
〜図８を参照して説明する。2. Description of the Related Art As a conventional semiconductor light emitting device comprising an LED light emitting element, for example, Japanese Patent No. 2114847 is disclosed.
No. is described in FIG.
This will be described with reference to FIGS.
【０００３】その製造は、まず、図６に示すように、ス
ルーホール孔１１が平行に形成された基板１２を用い
て、スルーホール孔１１の一方に接続された電極上にＬ
ＥＤ発光素子１３を搭載し、他方のスルーホール孔１１
に接続された電極に金線１５をボンディングし、ＬＥＤ
発光素子１３をモールド樹脂１４によりモールドする。
そして、カッティングラインｌ11，ｌ12でカッティング
することにより、図７や図８に示すような半導体発光装
置を得ることができる。なお、図７に示したものは単一
のＬＥＤ発光素子１３から構成されるものであり、図８
に示したものは２個のＬＥＤ発光素子１３から構成され
るものである。[0003] First, as shown in FIG. 6, a substrate 12 on which through-holes 11 are formed in parallel is used to form an LED on an electrode connected to one of the through-holes 11.
The ED light emitting element 13 is mounted, and the other through hole hole 11 is mounted.
Bonding the gold wire 15 to the electrode connected to the
The light emitting element 13 is molded with a molding resin 14.
Then, by cutting at the cutting lines l 11 and l 12 , a semiconductor light emitting device as shown in FIGS. 7 and 8 can be obtained. The one shown in FIG. 7 is composed of a single LED light emitting element 13, and FIG.
1 is composed of two LED light emitting elements 13.
【０００４】また、モールド樹脂１４は、スルーホール
孔１１の配列方向と同方向で列毎に分離されるように形
成される。そして、カッティングラインｌ12と平行な方
向のモールド樹脂１４の断面がカッティングラインｌ12
に重ならず、モールド樹脂１４が上方向に凸の畝状にな
るように形成される。[0004] The molding resin 14 is formed so as to be separated for each column in the same direction as the arrangement direction of the through-holes 11. The cross section cutting line of the cutting line l 12 parallel to the direction of the molding resin 14 l 12
The mold resin 14 is formed so as not to overlap with the ridge, and to have an upwardly convex ridge shape.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の技術では、モールド樹脂１４をスルーホール孔１
１から漏れないように形成する必要があるため、樹脂モ
ールド部のサイズが規制されてしまった。However, in the above-mentioned prior art, the molding resin 14 is not provided in the through-hole 1.
Since it is necessary to form the resin mold portion so as not to leak from the resin mold 1, the size of the resin mold portion has been restricted.
【０００６】すると、半導体発光装置デバイスのサイズ
に対する発光部の面積比が制限されることになり、十分
な発光特性が得られないか、発光部を十分なサイズに維
持するには半導体発光装置自体が大型化してしまった。[0006] Then, the area ratio of the light emitting portion to the size of the semiconductor light emitting device is limited, so that sufficient light emitting characteristics cannot be obtained or the semiconductor light emitting device itself is required to maintain the light emitting portion at a sufficient size. Has become larger.
【０００７】さらに、この従来の半導体発光装置を複数
使用して、例えば表示パネル用ドットマトリックスを構
成する場合、各デバイス間即ち半導体発光装置の発光部
間の隙間が大きくなってしまい、表示品位を劣化させる
という欠点もあった。Further, when a dot matrix for a display panel is formed by using a plurality of the conventional semiconductor light emitting devices, for example, a gap between devices, that is, between light emitting portions of the semiconductor light emitting device becomes large, and display quality is reduced. There was also a disadvantage of causing deterioration.
【０００８】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、発光部が大きく、表示品位
が高い表示パネル用ドットマトリックスを構成できる半
導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a semiconductor light emitting device capable of forming a dot matrix for a display panel having a large light emitting portion and high display quality, and a method of manufacturing the same. The purpose is to do.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明では、基板の表面に表面電極
が形成されると共に裏面に実装用電極が形成され、表面
電極と実装用電極とが装置端部に位置するスルーホール
により接続され、表面電極上に発光素子が搭載されモル
ード樹脂によりモールドされて構成される半導体発光装
置において、スルーホールの光素子搭載側を薄膜により
塞ぎ、その上部までモールド樹脂を畝状の形状で形成し
て構成している。According to the first aspect of the present invention, a surface electrode is formed on a front surface of a substrate, and a mounting electrode is formed on a rear surface of the substrate. In a semiconductor light-emitting device that is connected to the electrodes for use by through-holes located at the end of the device, and the light-emitting element is mounted on the surface electrode and molded with mold resin, the side of the through-hole where the optical element is mounted is closed with a thin film. The molding resin is formed in a ridge shape up to the upper part.
【００１０】請求項１に記載の発明によれば、スルーホ
ールの発光素子搭載側を薄膜により塞ぎ、その上部まで
モールド樹脂を形成するように構成しているので、製造
工程におけるモールド時にモールド樹脂の漏れを防止し
て、従来のものと同じデバイスサイズで、スルーホール
の制約なしに樹脂モールド部の大型化が可能となる。し
たがって、発光部を大型化でき、表示品位が高い表示パ
ネル用ドットマトリックスを構成できる半導体発光装置
を実現できる。また、モールド樹脂を畝状としているの
で、製造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場
合と比較して、そりの発生を低減することができる。According to the first aspect of the present invention, the light emitting element mounting side of the through hole is closed with a thin film, and the molding resin is formed up to the upper portion. Leakage is prevented, and the size of the resin mold portion can be increased with the same device size as the conventional one and without restriction on through holes. Therefore, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the size of the light emitting portion can be increased and a dot matrix for a display panel having high display quality can be formed. In addition, since the mold resin has a ridge shape, the occurrence of warpage can be reduced as compared with a case where the mold resin is formed over the entire upper surface of the substrate during manufacturing.
【００１１】また、請求項２に記載の発明では、基板の
表面に表面電極が形成されると共に裏面に実装用の裏面
電極が形成され、表面電極と裏面電極とがスルーホール
により接続され、表面電極上に発光素子が搭載されモル
ード樹脂によりモールドされて構成される半導体発光装
置において、基板を表面電極が形成された上部層と裏面
電極が形成された下部層との２層構造とし、それら上部
層又は下部層のいずれか一方にスルーホールを形成し、
そのスルーホールが他方に形成された表面電極又は裏面
電極のいずれかに接続されるように側面を介した立体配
線を形成して構成している。According to the second aspect of the present invention, the front surface electrode is formed on the surface of the substrate, the back surface electrode for mounting is formed on the back surface, and the front surface electrode and the back surface electrode are connected by through holes. In a semiconductor light emitting device in which a light emitting element is mounted on an electrode and molded with a mold resin, the substrate has a two-layer structure of an upper layer on which a surface electrode is formed and a lower layer on which a back electrode is formed. Forming a through hole in either the layer or the lower layer,
Three-dimensional wiring is formed through the side surface so that the through hole is connected to either the front surface electrode or the back surface electrode formed on the other side.
【００１２】請求項２に記載の発明によれば、上記のよ
うな２層構造とし、その上部層又は下部層のいずれか一
方にスルーホールを形成し、そのスルーホールが他方の
電極に接続されるように側面を介した立体配線を形成し
て構成しているので、製造工程におけるモールド時にモ
ールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと同じデバイ
スサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂モールド部
の大型化が可能となる。したがって、発光部を大型化で
き、表示品位が高い表示パネル用ドットマトリックスを
構成できる半導体発光装置を実現できる。なお、モール
ド樹脂を畝状とすることが好ましく、それは製造時に基
板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較して、
そりの発生を低減することができるからである。According to the second aspect of the present invention, a two-layer structure as described above is used, and a through hole is formed in one of the upper layer and the lower layer, and the through hole is connected to the other electrode. It is formed by forming three-dimensional wiring through the side as described above, preventing leakage of mold resin during molding in the manufacturing process, and using the same device size as the conventional one, without resin through-hole restrictions The size of the unit can be increased. Therefore, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the size of the light emitting portion can be increased and a dot matrix for a display panel having high display quality can be formed. In addition, it is preferable that the mold resin is formed in a ridge shape, which is compared with a case where the mold resin is formed over the entire upper surface of the substrate during manufacturing.
This is because warpage can be reduced.
【００１３】また、請求項３に記載の発明では、表面に
表面電極が形成される共に裏面に実装用電極が形成さ
れ、更にそれら表面電極と実装用電極とを接続するスル
ーホールが形成された基板を用いて、その基板の表面電
極上に発光素子を搭載してモルード樹脂によりモールド
する半導体発光装置の製造方法において、スルーホール
の発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、その上部まで
モールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離するように形成
し、その列毎に切断することとしている。According to the third aspect of the present invention, a front surface electrode is formed on the front surface, a mounting electrode is formed on the rear surface, and a through hole connecting the front surface electrode and the mounting electrode is formed. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which a light emitting element is mounted on a surface electrode of the substrate using a substrate and molded with a mold resin. Is formed in a ridge-like shape so as to be separated for each row, and cut for each row.
【００１４】請求項３に記載の発明によれば、スルーホ
ールの発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、その上部
までモールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離するように
形成し、その列毎に切断することとしているので、モー
ルド時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと
同じデバイスサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂
モールド部の大型化が可能となる。したがって、発光部
を大型化でき、表示品位が高い表示パネル用ドットマト
リックスを構成できる半導体発光装置を実現できる。ま
た、モールド樹脂を畝状としているので、製造時に基板
上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較して、そ
りの発生を低減することができる。According to the third aspect of the invention, after the light emitting element mounting side of the through hole is covered with the thin film, the molding resin is formed so as to be separated into rows in the form of a ridge up to the upper portion. Since cutting is performed for each row, leakage of the molding resin during molding is prevented, and the size of the resin molding portion can be increased with the same device size as that of the related art and without restriction on through holes. Therefore, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the size of the light emitting portion can be increased and a dot matrix for a display panel having high display quality can be formed. In addition, since the mold resin has a ridge shape, the occurrence of warpage can be reduced as compared with a case where the mold resin is formed over the entire upper surface of the substrate during manufacturing.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。第１の実施形態につい
て、要部斜視図である図１を用いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st Embodiment is demonstrated using FIG. 1 which is a principal part perspective view.
【００１６】第１の実施形態の半導体発光装置は、図１
に示すように、基板２の表面に表面電極７Ａ，７Ｂが形
成され裏面に実装用電極（図示なし）が形成されてお
り、これら表面電極７Ａ，７Ｂと実装用電極とがスルー
ホール１により接続されいる。そして、表面電極７Ａ上
に発光素子（図示なし）が搭載され、その発光素子が金
線（図示なし）により表面電極７Ｂにボンディングさ
れ、その上部にモールド樹脂４がモールドされて構成さ
れるものである。The semiconductor light emitting device according to the first embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, surface electrodes 7A and 7B are formed on the front surface of the substrate 2 and mounting electrodes (not shown) are formed on the back surface. These surface electrodes 7A and 7B are connected to the mounting electrodes by through holes 1. Have been. A light emitting element (not shown) is mounted on the surface electrode 7A, the light emitting element is bonded to the surface electrode 7B by a gold wire (not shown), and a molding resin 4 is molded on the upper part. is there.
【００１７】本実施形態のものでは、スルーホール１
（孔）の表面電極７Ａ，７Ｂ側が、薄膜６により塞がれ
ており、前述の図６〜８を用いて説明した従来のものと
異なり、その上部にまでモールド樹脂４が形成されてい
る。また、このモールド樹脂４は、スルーホール１を分
断するようなカッティングラインｌ1に垂直な方向の断
面形状が台形となるような畝状の形状で形成されてい
る。In this embodiment, the through hole 1
The surface electrodes 7A and 7B of the (holes) are closed by the thin film 6, and the mold resin 4 is formed up to the upper portion unlike the conventional one described with reference to FIGS. Moreover, the mold resin 4 is formed by ridge-like shape as a direction perpendicular cross section to the cutting line l 1 so as to divide the through-hole 1 is trapezoidal.
【００１８】なお、薄膜６としては、導電性材料でも非
導電性材料でも良いが、例えば銅箔を用いれば、表面電
極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。また、薄膜
６として裏面に接着剤が塗布された樹脂フィルムを用い
ることもでき、それに用いる樹脂材料としては、ポリア
ミド、ポリエステル、エポキシ等が適用可能である。The thin film 6 may be made of a conductive material or a non-conductive material. For example, if a copper foil is used, it can be formed simultaneously with the surface electrodes 7A and 7B. Alternatively, a resin film having an adhesive applied to the back surface can be used as the thin film 6, and a polyamide, polyester, epoxy, or the like can be used as a resin material used for the resin film.
【００１９】本実施形態の半導体発光装置の製造方法に
おいては、前述の図６を用いて説明した従来のものと同
様の多連取りの基板（２）に、スルーホール１の配列方
向と平行方向に畝状のモールド樹脂４を直線状に形成
し、カッティングラインｌ1に沿ってカッティングを施
したものである。そして、モールド樹脂４形成前には、
スルーホール１の発光素子搭載側を薄膜６により塞いだ
後、その上部までモールド樹脂４を畝状の形状で列毎に
分離するように形成し、その列毎に切断したものであ
る。なお、スルーホール１の内部やランド部は、例えば
銅泊により形成可能なものである。In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present embodiment, a plurality of substrates (2) similar to the conventional one described with reference to FIG. the ribbed molded resin 4 is formed in a straight line, it was subjected to cutting along the cutting line l 1. And before forming the molding resin 4,
After the light emitting element mounting side of the through hole 1 is closed by the thin film 6, the mold resin 4 is formed in a ridge-like shape up to the upper portion so as to be separated for each row, and cut for each row. In addition, the inside of the through hole 1 and the land portion can be formed, for example, by copper plating.
【００２０】なお、本実施形態で用いた基板は、スルー
ホール用の孔を形成した後、裏面電極（実装用電極８
Ａ，８Ｂ）を銅箔等の導電性材料により形成し、スルー
ホールを銅箔等の導電性材料により形成した後、表面電
極７Ａ，７Ｂを銅箔等の導電性材料により形成したもの
である。そして、薄膜６として、例えば銅箔を用いれ
ば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。The substrate used in the present embodiment is formed with holes for through holes, and then formed on the back surface electrode (the mounting electrode 8).
A, 8B) are formed from a conductive material such as a copper foil, and the through-holes are formed from a conductive material such as a copper foil, and then the surface electrodes 7A and 7B are formed from a conductive material such as a copper foil. . If, for example, a copper foil is used as the thin film 6, it can be formed simultaneously with the surface electrodes 7A and 7B.
【００２１】次に、第２の実施形態について、その要部
斜視図である図２を用いて説明する。図２に示した第２
の実施形態が、上記第１の実施形態と異なる点は、モー
ルド樹脂４の形状が異なる点だけである。そなわち、第
２の実施形態において、モールド樹脂４は、スルーホー
ル１の配列方向にほぼ垂直なカッティングラインｌ2に
垂直な方向の断面形状が台形となるような畝状の形状で
形成されている。Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. The second shown in FIG.
This embodiment differs from the first embodiment only in that the shape of the mold resin 4 is different. Sonawachi, in the second embodiment, the mold resin 4 is formed by ridge-like shape as a direction perpendicular cross section to the cutting line l 2 substantially perpendicular to the array direction of the through-hole 1 is trapezoid ing.
【００２２】また、本実施形態の半導体発光装置の製造
方法においては、前述の図６を用いて説明した従来のも
のと同様の多連取りの基板（２）に、スルーホール１の
配列方向と垂直方向に畝状のモールド樹脂４を直線状に
形成し、カッティングラインｌ1に沿ってカッティング
を施したものである。そして、モールド樹脂４形成前に
は、スルーホール１の発光素子搭載側を薄膜６により塞
いだ後、その上部までモールド樹脂４を畝状の形状で列
毎に分離するように形成し、その列毎に切断したもので
ある。In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present embodiment, the arrangement direction of the through holes 1 is set on a multi-continuous substrate (2) similar to the conventional one described with reference to FIG. the ribbed molded resin 4 is formed linearly in the vertical direction, it was subjected to cutting along the cutting line l 1. Before the molding resin 4 is formed, after the light emitting element mounting side of the through hole 1 is closed with the thin film 6, the molding resin 4 is formed so as to be separated into rows in the form of a ridge up to the upper portion. It is cut every time.
【００２３】なお、本実施例においても、薄膜６として
は、導電性材料でも非導電性材料でも良いが、例えば銅
箔を用いれば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成すること
ができる。また、薄膜６として裏面に接着剤が塗布され
た樹脂フィルムを用いることもでき、それに用いる樹脂
材料としては、ポリアミド、ポリエステル、エポキシ等
が適用可能である。In this embodiment, the thin film 6 may be made of either a conductive material or a non-conductive material. For example, if a copper foil is used, the thin film 6 can be formed simultaneously with the surface electrodes 7A and 7B. Alternatively, a resin film having an adhesive applied to the back surface can be used as the thin film 6, and a polyamide, polyester, epoxy, or the like can be used as a resin material used for the resin film.
【００２４】また、本実施形態でも用いた基板は、スル
ーホール用の孔を形成した後、裏面電極（実装用電極８
Ａ，８Ｂ）を銅箔等の導電性材料により形成し、スルー
ホールを銅箔等の導電性材料により形成した後、表面電
極７Ａ，７Ｂを銅箔等の導電性材料により形成したもの
である。そして、薄膜６として、例えば銅箔を用いれ
ば、表面電極７Ａ，７Ｂと同時形成することができる。Further, the substrate used in the present embodiment is also provided with a back surface electrode (mounting electrode 8) after forming a hole for a through hole.
A, 8B) are formed from a conductive material such as a copper foil, and the through-holes are formed from a conductive material such as a copper foil, and then the surface electrodes 7A and 7B are formed from a conductive material such as a copper foil. . If, for example, a copper foil is used as the thin film 6, it can be formed simultaneously with the surface electrodes 7A and 7B.
【００２５】次に、第３の実施形態について、その要部
断面図である図３を用いて説明する。Next, a third embodiment will be described with reference to FIG.
【００２６】第３の実施形態の半導体発光装置は、図３
に示すように、基板が上部層２Ａと下部層２Ｂとの２層
構造から成り、基板上部層２Ａの表面に表面電極７Ａ，
７Ｂが形成されており、表面電極７Ａ上に発光素子３が
搭載されている。そして、下層部２Ａ，２Ｂの裏面にそ
れぞれ実装用の裏面電極８Ａ，８Ｂが形成されている。
さらに、表面電極７Ａ，７Ｂのそれぞれが、スルーホー
ル１’Ａ，１’Ｂを介して裏面電極８’Ａ，８’Ｂに接
続されるように、下部層２の側面を介して立体配線９
Ａ，９Ｂにより配線されている。このように、本実施形
態では、下層部２において、裏面電極８’Ａ，８’Ｂに
下層部２の側面にも位置する立体配線９Ａ，９Ｂを形成
しているので、実装時には、固着強度や濡れ性が向上す
る。The semiconductor light emitting device of the third embodiment is similar to that of FIG.
As shown in the figure, the substrate has a two-layer structure of an upper layer 2A and a lower layer 2B, and a surface electrode 7A,
7B are formed, and the light emitting element 3 is mounted on the surface electrode 7A. Then, mounting back electrodes 8A and 8B are formed on the back surfaces of the lower layer portions 2A and 2B, respectively.
Further, the three-dimensional wiring 9 is provided through the side surface of the lower layer 2 such that the front electrodes 7A and 7B are connected to the back electrodes 8'A and 8'B via the through holes 1'A and 1'B, respectively.
A, 9B. As described above, in the present embodiment, in the lower layer portion 2, the three-dimensional wirings 9 </ b> A and 9 </ b> B that are also located on the side surfaces of the lower layer portion 2 are formed on the back electrodes 8 ′ A and 8 ′ B. And wettability are improved.
【００２７】また、上部層２Ａの上面には、発光素子３
を覆うように、モールド樹脂４がモールドされて構成さ
れている。The light emitting element 3 is provided on the upper surface of the upper layer 2A.
Is formed by molding a mold resin 4 so as to cover.
【００２８】そして、本実施形態のものでは、このよう
に、端部に露出しない内部にスルーホール１’Ａ，１’
Ｂを配置して、基板上部層２Ａの表面電極７Ａ，７Ｂと
基板下層部２Ｂの裏面電極８’Ａ，８’Ｂとを、立体配
線９Ａ，９Ｂを介して接続するように構成しているの
で、前述の図６〜８を用いて説明した従来のものと異な
り、モールド樹脂４が素子上部面の全面に形成されてい
る。すなわち、本実施形態のものによれば、スルーホー
ルを内部に形成することによって、スルーホールの位置
に関係なく、モールド樹脂４を形成することができる。In this embodiment, the through holes 1'A, 1 'are not exposed at the ends.
B is arranged to connect the surface electrodes 7A, 7B of the substrate upper layer 2A and the back electrodes 8'A, 8'B of the substrate lower layer 2B via the three-dimensional wirings 9A, 9B. Therefore, unlike the conventional one described with reference to FIGS. 6 to 8 described above, the mold resin 4 is formed on the entire upper surface of the element. That is, according to the present embodiment, by forming the through hole inside, the mold resin 4 can be formed regardless of the position of the through hole.
【００２９】なお、スルーホールは、上記のように基板
下層部に形成せず、基板上部層に形成しても良いもので
ある。また、下層部２Ｂの電極部分はスルーホールで形
成することが可能であり、また、下層部２Ｂとしてスリ
ット穴による無電界メッキで形成した基板と上部層２Ａ
のスルーホールとをメッキ導通接続しても良い。The through holes may be formed in the upper layer of the substrate instead of being formed in the lower layer of the substrate as described above. Further, the electrode portion of the lower layer portion 2B can be formed by a through hole, and a substrate formed by electroless plating with a slit hole as the lower layer portion 2B and the upper layer 2A are formed.
And through-holes may be electrically connected by plating.
【００３０】また、図４に示すように、このモールド樹
脂４は、上記第１の実施形態、又は第２の実施形態のよ
うに、基板端面（素子端面）のカッティングラインのい
ずれかの方向に、断面形状が台形となるような畝状の形
状で形成されているのが好ましく、その方向はいずれで
も良い。また、図５に示すように、モールド樹脂４を直
方体形状のものでも良い。しかしながら、図４に示した
ものの方が、モールド樹脂４を畝状としているので、図
５に示したものと比較して、そりの発生を低減すること
ができるので好ましい。As shown in FIG. 4, the molding resin 4 is provided in any direction of the cutting line on the substrate end face (element end face) as in the first embodiment or the second embodiment. It is preferable that the cross section be formed in a ridge shape such that the cross section becomes trapezoidal, and the direction may be any direction. Further, as shown in FIG. 5, the mold resin 4 may have a rectangular parallelepiped shape. However, the one shown in FIG. 4 is preferable because the mold resin 4 has a ridge shape, so that the occurrence of warpage can be reduced as compared with the one shown in FIG.
【００３１】なお、図３に示した第３の実施形態のもの
では、基板下層部２Ｂによって、モールド樹脂４がスル
ーホール１’Ａ，１’Ｂを通って裏面に漏れることが防
止される。In the third embodiment shown in FIG. 3, the substrate lower layer 2B prevents the mold resin 4 from leaking to the back surface through the through holes 1'A and 1'B.
【００３２】上記のいずれの実施形態のものによって
も、製造工程におけるモールド時にモールド樹脂の漏れ
を防止して、従来のものと同じデバイスサイズで、スル
ーホールの制約なしに樹脂モールド部の大型化が可能と
なる。したがって、発光部を大型化でき、表示品位が高
い表示パネル用ドットマトリックスを構成できる半導体
発光装置を実現できる。また、上記第１の実施形態、第
２の実施形態、及び第３の実施形態のうち図４に示した
もののよれば、モールド樹脂を畝状としているので、製
造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比
較して、そりの発生を低減することができる。In any of the above embodiments, the leakage of the mold resin during molding in the manufacturing process is prevented, and the size of the resin mold portion can be increased with the same device size as that of the conventional device and without limitation of through holes. It becomes possible. Therefore, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the size of the light emitting section can be increased and a dot matrix for a display panel having high display quality can be formed. In addition, according to the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment shown in FIG. 4, the molding resin is ridge-shaped, so that the molding resin is applied to the entire upper surface of the substrate during manufacturing. The occurrence of warpage can be reduced as compared with the case of forming.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、スルーホールの発光素子搭載側を薄膜により塞
ぎ、その上部までモールド樹脂を形成するように構成し
ているので、製造工程におけるモールド時にモールド樹
脂の漏れを防止して、従来のものと同じデバイスサイズ
で、スルーホールの制約なしに樹脂モールド部の大型化
が可能となる。したがって、発光部を大型化でき、表示
品位が高い表示パネル用ドットマトリックスを構成でき
る半導体発光装置を実現できる。また、モールド樹脂を
畝状としているので、製造時に基板上部全面にモールド
樹脂を形成する場合と比較して、そりの発生を低減する
ことができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the light emitting element mounting side of the through hole is closed by the thin film, and the molding resin is formed up to the upper part. Leakage of the mold resin during molding in the process is prevented, so that the size of the resin mold portion can be increased with the same device size as that of the conventional device and without restriction on through holes. Therefore, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the size of the light emitting portion can be increased and a dot matrix for a display panel having high display quality can be formed. Further, since the mold resin is ridge-shaped, warpage can be reduced as compared with the case where the mold resin is formed on the entire upper surface of the substrate during manufacturing.
【００３４】また、請求項２に記載の発明によれば、上
記のような２層構造とし、その上部層又は下部層のいず
れか一方にスルーホールを形成し、そのスルーホールが
他方の電極に接続されるように側面を介した立体配線を
形成して構成しているので、製造工程におけるモールド
時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来のものと同じ
デバイスサイズで、スルーホールの制約なしに樹脂モー
ルド部の大型化が可能となる。したがって、発光部を大
型化でき、表示品位が高い表示パネル用ドットマトリッ
クスを構成できる半導体発光装置を実現できる。なお、
モールド樹脂を畝状とすることが好ましく、それは製造
時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比較
して、そりの発生を低減することができるからである。According to the second aspect of the present invention, a two-layer structure as described above is used, and a through hole is formed in one of the upper layer and the lower layer, and the through hole is formed in the other electrode. Since it is configured by forming three-dimensional wiring through the side surface so that it is connected, it prevents leakage of mold resin during molding in the manufacturing process, has the same device size as the conventional one, and has no restrictions on through holes The size of the resin mold can be increased. Therefore, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the size of the light emitting portion can be increased and a dot matrix for a display panel having high display quality can be formed. In addition,
It is preferable that the mold resin is formed in a ridge shape, because the occurrence of warpage can be reduced as compared with the case where the mold resin is formed on the entire upper surface of the substrate during manufacturing.
【００３５】また、請求項３に記載の発明によれば、ス
ルーホールの発光素子搭載側を薄膜により塞いだ後、そ
の上部までモールド樹脂を畝状の形状で列毎に分離する
ように形成し、その列毎に切断することとしているの
で、モールド時にモールド樹脂の漏れを防止して、従来
のものと同じデバイスサイズで、スルーホールの制約な
しに樹脂モールド部の大型化が可能となる。したがっ
て、発光部を大型化でき、表示品位が高い表示パネル用
ドットマトリックスを構成できる半導体発光装置を実現
できる。また、モールド樹脂を畝状としているので、製
造時に基板上部全面にモールド樹脂を形成する場合と比
較して、そりの発生を低減することができる。According to the third aspect of the present invention, after the light emitting element mounting side of the through hole is covered with the thin film, the molding resin is formed so as to be separated into rows in a ridge shape up to the upper portion. Since the cutting is performed for each row, leakage of the molding resin at the time of molding can be prevented, and the size of the resin molding portion can be increased with the same device size as that of the conventional device and without restriction on through holes. Therefore, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the size of the light emitting portion can be increased and a dot matrix for a display panel having high display quality can be formed. In addition, since the mold resin has a ridge shape, the occurrence of warpage can be reduced as compared with a case where the mold resin is formed over the entire upper surface of the substrate during manufacturing.
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の概
略構造を示す要部斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an essential part showing a schematic structure of a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施形態の半導体発光装置の概
略構造を示す要部斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a main part showing a schematic structure of a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施形態の半導体発光装置の概
略構造を示す要部断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a main part showing a schematic structure of a semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
【図４】第３の実施形態の半導体発光装置の外観構造を
示す要部斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a main part showing an external structure of a semiconductor light emitting device according to a third embodiment.
【図５】第３の実施形態の半導体発光装置の外観構造を
示す要部斜視図である。FIG. 5 is a main part perspective view showing an external structure of a semiconductor light emitting device according to a third embodiment.
【図６】従来の半導体発光装置の製造方法を示す要部斜
視図である。FIG. 6 is a perspective view of a main part showing a method for manufacturing a conventional semiconductor light emitting device.
【図７】従来の半導体発光装置の概略構造を示す要部斜
視図である。FIG. 7 is a perspective view of a main part showing a schematic structure of a conventional semiconductor light emitting device.
【図８】従来の半導体発光装置の概略構造を示す要部斜
視図である。FIG. 8 is a perspective view of a main part showing a schematic structure of a conventional semiconductor light emitting device.
１，１’Ａ，１’Ｂ スルーホール ２ 基板 ２Ａ 基板上層部 ２Ｂ 基板下層部 ３ 発光素子 ４ モールド樹脂 ５ 金線 ６ 薄膜 ７Ａ，７Ｂ 表面電極 ８Ａ，８Ｂ 実装用電極 ８’Ａ，８’Ｂ 裏面電極 1, 1'A, 1'B Through hole 2 Substrate 2A Substrate upper layer 2B Substrate lower layer 3 Light emitting element 4 Mold resin 5 Gold wire 6 Thin film 7A, 7B Surface electrode 8A, 8B Mounting electrode 8'A, 8'B Back electrode
Claims (3)
に裏面に実装用電極が形成され、前記表面電極と実装用
電極とが装置端部に位置するスルーホールにより接続さ
れ、前記表面電極上に発光素子が搭載されモルード樹脂
によりモールドされて構成される半導体発光装置におい
て、 前記スルーホールの前記発光素子搭載側が薄膜により塞
がれており、その上部まで前記モールド樹脂が畝状の形
状で形成されていることを特徴とする半導体発光装置。1. A front surface electrode is formed on a front surface of a substrate, and a mounting electrode is formed on a back surface. The front surface electrode and the mounting electrode are connected by a through hole located at an end of the device. In the semiconductor light emitting device, a light emitting element is mounted and molded with a mold resin, the light emitting element mounting side of the through hole is closed by a thin film, and the molding resin is formed in a ridge shape up to the upper part. A semiconductor light emitting device characterized in that:
に裏面に実装用の裏面電極が形成され、前記表面電極と
裏面電極とがスルーホールにより接続され、前記表面電
極上に発光素子が搭載されモルード樹脂によりモールド
されて構成される半導体発光装置において、 前記基板は前記表面電極が形成された上部層と前記裏面
電極が形成された下部層との２層構造からなり、該上部
層又は下部層のいずれか一方に前記スルーホールが形成
され、該スルーホールが他方に形成された前記表面電極
又は前記裏面電極のいずれかに接続されるように側面を
介した立体配線が形成されていることを特徴とする半導
体発光装置。2. A front electrode is formed on the front surface of the substrate, a back electrode for mounting is formed on the back surface, the front electrode and the back electrode are connected by through holes, and a light emitting element is mounted on the front electrode. In the semiconductor light emitting device configured by being molded with a mold resin, the substrate has a two-layer structure of an upper layer on which the front electrode is formed and a lower layer on which the back electrode is formed, and the upper layer or the lower layer The through-hole is formed in one of the layers, and a three-dimensional wiring is formed through a side surface such that the through-hole is connected to either the front surface electrode or the back surface electrode formed on the other side. A semiconductor light emitting device characterized by the above-mentioned.
実装用電極が形成され、更にそれら表面電極と実装用電
極とを接続するスルーホールが形成された基板を用い
て、該基板の表面電極上に発光素子を搭載してモルード
樹脂によりモールドする半導体発光装置の製造方法にお
いて、 前記スルーホールの前記発光素子搭載側を薄膜により塞
いだ後、その上部までモールド樹脂を畝状の形状で列毎
に分離するように形成し、その列毎に切断することを特
徴とする半導体発光装置の製造方法。3. A substrate having a front electrode formed on a front surface, a mounting electrode formed on a rear surface, and a through hole formed between the front electrode and the mounting electrode. In a method for manufacturing a semiconductor light emitting device in which a light emitting element is mounted on an electrode and molded with a mold resin, after closing the light emitting element mounting side of the through hole with a thin film, the molding resin is lined up in a ridge shape up to the upper part. A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the semiconductor light emitting device is formed so as to be separated for each column and cut for each column.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10256250A JP2000091645A (en) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | Semiconductor light emitting device and its manufacture |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP10256250A JP2000091645A (en) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | Semiconductor light emitting device and its manufacture |
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|---|---|
| JP2000091645A true JP2000091645A (en) | 2000-03-31 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2000091645A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001352102A (en) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical semiconductor device |
| JP2003017754A (en) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Rohm Co Ltd | Surface mount semiconductor device |
| JP2012049480A (en) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Sharp Corp | Semiconductor device, inspection method of the same and electrical equipment |
| CN102683509A (en) * | 2011-02-16 | 2012-09-19 | 罗姆股份有限公司 | Led module |
-
1998
- 1998-09-10 JP JP10256250A patent/JP2000091645A/en active Pending
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| US8749263B2 (en) | 2010-08-30 | 2014-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus, inspection method thereof and electric device |
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