JP2000088925A - Method and apparatus for specifying fault position of semiconductor device - Google Patents

Method and apparatus for specifying fault position of semiconductor device

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JP2000088925A
JP2000088925A JP10260425A JP26042598A JP2000088925A JP 2000088925 A JP2000088925 A JP 2000088925A JP 10260425 A JP10260425 A JP 10260425A JP 26042598 A JP26042598 A JP 26042598A JP 2000088925 A JP2000088925 A JP 2000088925A
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JP
Japan
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waveform
failure
path
semiconductor device
node
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JP10260425A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Norimatsu
松 研 二 則
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a time required for specifying a fault position of a defective semiconductor device. SOLUTION: In the case of specifying a fault position of a defective semiconductor device, nodes of a fault candidate existing on a flow of a series of signals are summarized as one path. This path is normally a plurality, but one of the paths is selected, a waveform of the node nearest an output stage is measured. If the waveform of the node is normal, the other node included in the path is judged to be normal. Accordingly, the nodes to be measured for the waveforms can be reduced, and hence a time and a labor for specifying the fault position can be alleviated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
故障箇所特定方法及びその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for identifying a failure location in a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの故障解析をする場合、
この半導体デバイスの故障箇所を特定する必要が生じ
る。このように、故障箇所である故障発生原点を追跡す
る際には、従来、次の3つのような手法が主として使わ
れていた。
2. Description of the Related Art When analyzing a failure of a semiconductor device,
It is necessary to specify a failure location of the semiconductor device. As described above, the following three methods have conventionally been mainly used to track the failure origin, which is the failure location.

【0003】(1)良品と不良品とをEB(electron be
am)テスタを用いて画像比較を行う。そして、故障が検
出された出力端子から故障箇所を回路内部に向かって追
跡する。
[0003] (1) EB (electron be
am) Perform image comparison using a tester. Then, the fault location is tracked from the output terminal where the fault is detected, toward the inside of the circuit.

【0004】(2)不良品の故障が検出された出力端子
からEBテスタ、マニュアルプローバ等を用いて波形を
観測する。そして、良品の波形と比較しながら回路内部
に向かって故障箇所を追跡する方法。
(2) Observe the waveform from the output terminal where the failure of the defective product is detected using an EB tester, a manual prober, or the like. Then, a method of tracing a fault location toward the inside of the circuit while comparing with a waveform of a good product.

【0005】(3)上記(2)と同様に、不良品の故障
が検出された出力端子からEBテスタ、マニュアルプロ
ーバ等を用いて波形を観測する。そして、正常な半導体
デバイスを用いて良品の波形を得るのではなく、シミュ
レーション結果から良品の波形を得る。
(3) As in (2) above, the waveform is observed from the output terminal where the failure of the defective product is detected, using an EB tester, a manual prober or the like. Then, instead of using a normal semiconductor device to obtain a non-defective waveform, a non-defective waveform is obtained from a simulation result.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】これらのうち、上記
(1)、(2)は不良品との比較のために正常な半導体
デバイスを用いているため、良品と不良品とを交互に入
れ替えながら観測する必要があり、大変な労力と時間を
必要とする。これは、良品のデータを予め用意しておく
ことはデータが膨大すぎて現実的ではないため、故障が
検出される毎に、必要な良品データを得るしかないため
である。しかも、上記(1)では画像比較を行うために
良品と不良品との間で画像の合わせを行わねばならず、
さらに時間と労力を必要とする。これは、人間の目でE
Bテスタの画像を確認するのでは両者の画像の相違を見
落とす可能性が高いので、コンピュータを使って両者の
画像を比較をするため、このような画像合わせが必要と
なるのである。
Of these, the above (1) and (2) use a normal semiconductor device for comparison with a defective product, so that a good product and a defective product are alternately replaced. Observation is required, and requires a great deal of labor and time. This is because it is not realistic to prepare data of good products in advance because the data is so large that it is necessary to obtain necessary good data every time a failure is detected. In addition, in the above (1), in order to compare images, it is necessary to match images between non-defective products and defective products.
It requires more time and effort. This is E in human eyes
When checking the images of the B tester, there is a high possibility that the difference between the two images is overlooked. Therefore, such image matching is necessary because the two images are compared using a computer.

【0007】前記(3)は追跡する信号の流れのパス
(経路)を予め予測することは困難であり、したがっ
て、必要な部分のみのシミュレーション結果だけを用意
しておくことも同じく困難である。このため、各ノード
の波形を測定し、これとともに逐次必要なノードの論理
シミュレーションを実施してシミュレーション結果を得
るか、又は、全ての内部ノードのシミュレーション結果
を予め用意する必要がある。しかし、逐次必要なノード
の論理シミュレーションを行う方法では、不良品波形毎
に論理シミュレーションを実施する必要があり大変手間
のかかる作業となる。また、CADツール、シミュレー
タに馴染みの無いエンジニアには、このようなシミュレ
ーションツールの使いこなしが困難であるという問題も
ある。一方、すべての内部ノードの論理シミュレーショ
ン結果を予め用意しておくという方法は、LSIの大規
模化に伴い内部ノード数も増大化しているため、シミュ
レーション結果のファイルサイズが膨大になり、シミュ
レーション時間も増大して、非現実的であるという問題
点がある。
In the method (3), it is difficult to predict in advance the path of the signal flow to be tracked, and it is also difficult to prepare only a simulation result of only a necessary portion. For this reason, it is necessary to measure the waveform of each node and carry out a logic simulation of the necessary nodes sequentially to obtain simulation results, or to prepare simulation results of all internal nodes in advance. However, in the method of sequentially performing the necessary logic simulation of the node, it is necessary to perform the logic simulation for each defective waveform, which is a very time-consuming operation. Another problem is that it is difficult for engineers who are not familiar with CAD tools and simulators to use such simulation tools. On the other hand, the method of preparing the logic simulation results of all the internal nodes in advance requires the number of internal nodes to increase with the increase in the scale of the LSI. There is a problem that it is unrealistic.

【0008】また、故障候補のノード数は、通常、かな
りの数になるので、これらの故障候補ノードを機械的に
網羅して故障箇所の追跡/特定をすることは不可能であ
り、故障箇所の追跡/特定のための作業中は、人手によ
る作業に頼らざるを得ない。
Further, since the number of failure candidate nodes usually becomes a considerable number, it is impossible to mechanically cover these failure candidate nodes to track / specify a failure location. During tracking / identification work, manual work must be relied on.

【0009】そこで、本発明は上記課題に鑑みてなされ
たものであり、不良品である半導体デバイスの故障箇所
の追跡/特定をある程度機械的に行うことのできる半導
体デバイスの故障箇所特定方法及び装置を提供すること
を目的とする。また、これにより故障箇所特定装置の実
質稼働率を向上させ、高価な故障箇所特定装置を効率的
に使用することのできる手法を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a method and an apparatus for identifying a faulty part of a semiconductor device which can mechanically track or specify a faulty part of a defective semiconductor device to some extent. The purpose is to provide. It is another object of the present invention to improve the effective operation rate of the failure point identification device and to provide a method that can efficiently use an expensive failure point identification device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係る半導体デバイスの故障個所特定方法は、半
導体デバイスに故障箇所がある場合にその故障箇所を特
定するための故障箇所特定方法であって、故障シミュレ
ーションを行った際に得られる故障辞書と、この故障シ
ミュレーションを行った際と同一のテストパタンを用い
て前記半導体デバイスをテスタを用いてテストした際に
得られるテスト結果とを、比較することにより、複数の
故障候補ノードを求める行程と、前記複数の故障候補ノ
ードについて、一連の信号の流れの上に存在する前記故
障候補ノードについては、1つのパスとしてまとめて、
前記複数の故障候補ノードのすべてを1又は複数のパス
に振り分ける行程と、前記パス内における前記半導体デ
バイスの出力段に近い方のノードから、優先順位を付け
る行程と、前記パスの中から順次1つを選択し、この選
択したパスの中から優先順位の最も高いノードの波形を
測定し、この測定波形と、予め求めた論理シミュレーシ
ョン結果の波形とを、比較して、両者に差異がない場合
はこのパスに含まれるすべてのノードを故障候補ノード
から除外し、両者に差異がある場合はそのパスに含まれ
るノードの優先順位の高い順に波形を測定し、その測定
波形と、前記論理シミュレーション結果の波形とを比較
して、両者の差異がなくなったノードを特定することに
より、故障箇所を特定する行程と、を備えることを特徴
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, a method for specifying a fault location in a semiconductor device according to the present invention is a fault location specifying method for specifying a fault location in a semiconductor device when the fault location exists. There, a failure dictionary obtained when performing a failure simulation, and a test result obtained when testing the semiconductor device using a tester using the same test pattern as when performing this failure simulation, By comparing, the process of obtaining a plurality of fault candidate nodes, and, for the plurality of fault candidate nodes, the fault candidate nodes existing on a series of signal flows are collectively collected as one path,
A step of allocating all of the plurality of failure candidate nodes to one or a plurality of paths, a step of assigning a priority from a node closer to an output stage of the semiconductor device in the path, and a step of sequentially selecting one from the paths. One of the selected paths, measure the waveform of the node with the highest priority from the selected path, compare the measured waveform with the waveform of the logic simulation result obtained in advance, and determine that there is no difference between the two. Excludes all nodes included in this path from failure candidate nodes, and when there is a difference between the two, measures the waveforms in the descending order of the priority of the nodes included in the path. And comparing the waveforms with each other to identify a node in which the difference between them has disappeared, thereby identifying a faulty part.

【0011】また、本発明に係る半導体デバイスの故障
箇所特定方法は、半導体デバイスに故障箇所がある場合
にその故障箇所を特定するための故障箇所特定方法であ
って、故障シミュレーションを行った際に得られる故障
辞書と、この故障シミュレーションを行った際と同一の
テストパタンを用いて前記半導体デバイスをテスタを用
いてテストした際に得られるテスト結果とを、比較する
ことにより、複数の故障候補ノードを求める行程と、前
記複数の故障候補ノードについて、一連の信号の流れの
上に存在する前記故障候補ノードについては、1つのパ
スとしてまとめて、前記複数の故障候補ノードのすべて
を1又は複数のパスに振り分ける行程と、前記パス内に
おける前記半導体デバイスの出力段に近い方のノードか
ら、優先順位を付ける行程と、前記パスの中から順次1
つを選択し、この選択したパスの中から優先順位の最も
高いノードの波形を測定し、この測定波形と、予め求め
た論理シミュレーション結果の波形とを、比較して、両
者に差異がない場合はこのパスに含まれるすべてのノー
ドを故障候補ノードから除外し、両者に差異がある場合
はそのパスに含まれるノードの優先順位の高い順に波形
を測定し、前記測定波形を論理波形に変換して、前記測
定波形を取得したノードを出力とする論理ゲートにおけ
る1又は複数の入力波形を測定し、この入力波形から前
記論理ゲートの論理動作として期待される論理波形と、
前記測定波形の論理波形とを、比較して、両者が異なる
こととなる論理ゲートを特定することにより、故障箇所
を特定する行程と、を備えることも特徴とする。
Further, a method for identifying a failure location of a semiconductor device according to the present invention is a failure location identification method for identifying a failure location when a failure location exists in the semiconductor device. By comparing the obtained fault dictionary with a test result obtained by testing the semiconductor device using a tester using the same test pattern as that used when the fault simulation was performed, a plurality of fault candidate nodes were obtained. And for the plurality of fault candidate nodes, the fault candidate nodes present on a series of signal flows are collected as one path, and all of the plurality of fault candidate nodes are connected to one or a plurality of fault candidate nodes. The process of assigning the paths and assigning priorities to the nodes in the path closer to the output stage of the semiconductor device. And the process that, in order 1 from among the path
One of the selected paths, measure the waveform of the node with the highest priority from the selected path, compare the measured waveform with the waveform of the logic simulation result obtained in advance, and determine that there is no difference between the two. Excludes all the nodes included in this path from the failure candidate nodes, and when there is a difference between the two, measures the waveforms in the descending order of the priority of the nodes included in the path, and converts the measured waveform into a logical waveform. Measuring one or a plurality of input waveforms in a logic gate that outputs the node from which the measurement waveform has been obtained, and from the input waveform, a logic waveform expected as a logic operation of the logic gate;
Comparing the logical waveform of the measured waveform with a logical gate that is different from the measured waveform to specify a faulty portion.

【0012】一方、本発明に係る半導体デバイスの故障
箇所特定装置は、半導体デバイスにおけるノードの波形
を測定するための故障解析装置と、この故障解析装置の
動作を制御するための制御用計算機と、を有する、半導
体デバイスの故障箇所特定装置であって、前記制御用計
算機は、半導体デバイスの設計情報に基づいて、前記制
御用計算機と、前記故障解析装置内の半導体デバイス
と、の間のレイアウトの同期をとるための、ナビゲーシ
ョン機能処理部と、論理シミュレーションを行った結果
を記憶した論理シミュレーション結果記憶部と、前記半
導体デバイスをテストすることにより得られた半導体デ
バイスのテスト結果から求められた複数の故障候補ノー
ドについて、一連の信号の流れの上に存在する前記故障
候補ノードについては、1つのパスとしてまとめて、前
記複数の故障候補ノードのすべてを1又は複数のパスに
振り分けることにより生成されたパス情報を記憶するた
めの、パスグループ情報記憶部と、前記故障解析装置で
測定した半導体デバイスのノードの測定波形と、前記論
理シミュレーション結果から得られたそのノードに対す
る波形とを、比較するための、比較/判定処理部と、前
記パスグループ情報記憶部の中から順次1つのパスを選
択し、この選択したパスの中から優先順位の最も高いノ
ードについて前記比較/判定処理部で比較判定し、両者
に差異がない場合はこのパスに含まれるすべてのノード
を故障候補ノードから除外して、前記パスグループ情報
記憶部から次のパスを選択し、両者に差異がある場合は
そのパスに含まれるノードの優先順位の高い順に波形を
測定すべく、前記ナビゲーション機能処理部に指示命令
をする、次候補選択処理部と、を備えることを特徴とす
る。
On the other hand, a fault location specifying device for a semiconductor device according to the present invention includes a fault analysis device for measuring a waveform of a node in a semiconductor device, a control computer for controlling the operation of the fault analysis device, and The device for identifying a failure location of a semiconductor device, wherein the control computer, based on the design information of the semiconductor device, the layout of the layout between the control computer and the semiconductor device in the failure analysis device For synchronization, a navigation function processing unit, a logic simulation result storage unit storing results of the logic simulation, and a plurality of semiconductor device test results obtained by testing the semiconductor device. Regarding the failure candidate node, regarding the failure candidate node existing on a series of signal flows A path group information storage unit for storing path information generated by distributing all of the plurality of failure candidate nodes to one or more paths collectively as one path, and measuring by the failure analysis device. A comparison / judgment processing unit for comparing the measured waveform of the node of the semiconductor device with the waveform for the node obtained from the result of the logic simulation, and one path sequentially from the path group information storage unit And the comparison / determination processing unit compares and determines the node having the highest priority from the selected paths. If there is no difference between the two, all nodes included in this path are excluded from the failure candidate nodes. Then, the next path is selected from the path group information storage unit. If there is a difference between the two, the priority order of the nodes included in the path is selected. To measure the waveform in descending order, to the instruction command to the navigation function unit, characterized in that it comprises a next candidate selection processing section.

【0013】また、本発明に係る半導体デバイスの故障
箇所特定装置は、半導体デバイスにおけるノードの波形
を測定するための故障解析装置と、この故障解析装置の
動作を制御するための制御用計算機と、を有する、半導
体デバイスの故障箇所特定装置であって、前記制御用計
算機は、半導体デバイスの設計情報に基づいて、前記制
御用計算機と、前記故障解析装置内の半導体デバイス
と、の間のレイアウトの同期をとるための、ナビゲーシ
ョン機能処理部と、論理シミュレーションを行った結果
を記憶した論理シミュレーション結果記憶部と、前記半
導体デバイスをテストすることにより得られた半導体デ
バイスのテスト結果から求められた複数の故障候補ノー
ドについて、一連の信号の流れの上に存在する前記故障
候補ノードについては、1つのパスとしてまとめて、前
記複数の故障候補ノードのすべてを1又は複数のパスに
振り分けることにより生成されたパス情報を記憶するた
めの、パスグループ情報記憶部と、前記故障解析装置で
測定した半導体デバイスのノードの測定波形を、論理波
形に変換する論理波形変換部と、前記故障解析装置で測
定した半導体デバイスのノードの測定波形と、前記論理
シミュレーション結果記憶部から得られたそのノードに
対する波形とを比較し、かつ、前記論理波形変換部で変
換された半導体デバイスのノードの前記論理波形と、前
記設計情報から得られた論理ゲートの出力としての論理
波形とを比較する、比較/判定処理部と、前記パスグル
ープ情報記憶部の中から順次1つのパスを選択し、この
選択したパスの中から優先順位の最も高いノードについ
て前記比較/判定処理部で比較判定し、両者に差異がな
い場合はこのパスに含まれるすべてのノードを故障候補
ノードから除外して、前記パスグループ情報記憶部から
次のパスを選択し、両者に差異がある場合はそのパスに
含まれるノードの優先順位の高い順に波形を測定して前
記論理波形変換部から論理波形を取得し、この測定波形
を取得したノードを出力とする論理ゲートの1又は複数
の入力における入力波形を測定し、この入力波形に基づ
いて、前記論理ゲートの論理動作から期待される論理波
形を取得し、この期待される論理波形と、前記測定波形
の論理波形とを、比較すべく、前記ナビゲーション機能
処理部に指示命令をする、次候補選択処理部と、を備え
ることも特徴とする。
Further, a fault location specifying device for a semiconductor device according to the present invention includes a fault analyzing device for measuring a waveform of a node in the semiconductor device, a control computer for controlling an operation of the fault analyzing device, and The device for identifying a failure location of a semiconductor device, wherein the control computer, based on the design information of the semiconductor device, the layout of the layout between the control computer and the semiconductor device in the failure analysis device For synchronization, a navigation function processing unit, a logic simulation result storage unit storing results of the logic simulation, and a plurality of semiconductor device test results obtained by testing the semiconductor device. Regarding the failure candidate node, regarding the failure candidate node existing on a series of signal flows A path group information storage unit for storing path information generated by distributing all of the plurality of failure candidate nodes to one or more paths collectively as one path, and measuring by the failure analysis device. A logic waveform conversion unit for converting the measured waveform of the node of the semiconductor device into a logic waveform, a measured waveform of the node of the semiconductor device measured by the failure analysis device, and a node for the node obtained from the logic simulation result storage unit. A comparison / judgment comparing a waveform with the logic waveform of the node of the semiconductor device converted by the logic waveform conversion unit and a logic waveform as an output of a logic gate obtained from the design information; The processing unit and one path are sequentially selected from the path group information storage unit, and the highest priority is selected from the selected paths. The comparison / judgment processing unit compares and determines the next node. If there is no difference between them, all the nodes included in this path are excluded from the failure candidate nodes, and the next path is selected from the path group information storage unit. If there is a difference between the two, the waveforms are measured in the order of the priority of the nodes included in the path, the logical waveform is obtained from the logical waveform conversion unit, and the node that obtained the measured waveform is output as a logic. An input waveform at one or more inputs of the gate is measured, and a logic waveform expected from the logic operation of the logic gate is obtained based on the input waveform, and the expected logic waveform and the logic of the measured waveform are obtained. A next candidate selection processing unit that instructs the navigation function processing unit to compare the waveform with the waveform.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】〔第1実施形態〕本発明の第1実
施形態は、半導体デバイスの故障解析において、故障箇
所を特定する際、不良箇所を追跡するのに不良品の内部
波形を観測し、レファレンス波形と比較するが、この時
のレファレンス波形として、故障候補ノードとして絞り
込まれた波形のみの論理シミュレーション結果を用いる
ことにより、必要なデータ量が少なくなり、予め必要な
データを用意しておくことを可能とするとともに、この
故障候補ノードを信号の流れ上関連のあるものを1つの
パスとしてまとめて、このパスにおける出力段に最も近
いノードの波形を測定し、このノードが正常である場合
にはそのパスに含まれる他のすべてのノードが正常であ
ると判断して、故障解析をある程度機械的に進めていく
ことができるようにしたものである。より詳しくを、以
下に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] In a first embodiment of the present invention, in the failure analysis of a semiconductor device, when a failure location is specified, an internal waveform of a defective product is observed to track the failure location. Then, the comparison with the reference waveform is performed. By using the logic simulation result of only the waveform narrowed down as the failure candidate node as the reference waveform at this time, the necessary data amount is reduced, and the necessary data is prepared in advance. In addition, the failure candidate nodes are grouped as one path related to the signal flow as one path, and the waveform of the node closest to the output stage in this path is measured, and this node is normal. In such a case, it is possible to judge that all the other nodes included in the path are normal, and to proceed with the failure analysis to some extent mechanically. One in which the. This will be described in more detail below.

【0015】図1は本発明において論理シミュレーショ
ン結果を得るまでの手順を説明する図であり、図2は故
障箇所を特定する場合のフローチャートを示す図であ
り、図3は第1実施形態に係る故障解析装置の構成の一
例を示す図である。
FIG. 1 is a view for explaining a procedure for obtaining a logic simulation result in the present invention, FIG. 2 is a view showing a flowchart for specifying a fault location, and FIG. 3 is related to a first embodiment. It is a figure showing an example of composition of a failure analysis device.

【0016】まず、 図1に基づいて、本発明に係る第
1実施形態においてレファレンス波形としてのシミュレ
ーション結果を得るまでの手順を、故障辞書を用いて故
障候補を求めた場合を例にして説明する。
First, a procedure for obtaining a simulation result as a reference waveform in the first embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. 1 by taking as an example a case where a fault candidate is obtained using a fault dictionary. .

【0017】この図1からわかるように、開発設計用の
CADシステム10に基づいて、テストベクタ12とネ
ットリスト14とを作成する。テストベクタ12はいわ
ゆるテストパターンのデータベースであり、ネットリス
ト14は回路の接続情報のデータベースである。これら
テストベクタ12とネットリスト14は、故障候補を求
める際に使用するものである。ネットリスト14を基に
して、故障シミュレータ16は故障辞書18を生成す
る。すなわち、故障シミュレータ16によりあらゆる故
障を想定して故障シミュレーションを行い、故障候補の
ノードを限定していくのに必要な故障辞書18を作成す
る。
As can be seen from FIG. 1, a test vector 12 and a netlist 14 are created based on a CAD system 10 for development and design. The test vector 12 is a so-called test pattern database, and the netlist 14 is a circuit connection information database. The test vector 12 and the netlist 14 are used when finding a failure candidate. The failure simulator 16 generates a failure dictionary 18 based on the netlist 14. That is, the failure simulator 16 performs a failure simulation assuming all kinds of failures, and creates a failure dictionary 18 necessary for limiting failure candidate nodes.

【0018】次に、故障シミュレータ16により故障シ
ミュレーションを行った際に使用したテストベクタ12
を用いて、テスタとしてのATE(Automatic Test Equi
pment)20で半導体デバイスのテストを行う。そしてこ
のテスト結果に基づいて、データログ22を作成する。
続いて、故障辞書18とデータログ22の故障発生時刻
とを参照することにより、故障候補抽出処理24を行な
って、故障候補26を求める。
Next, the test vector 12 used for performing the failure simulation by the failure simulator 16 is shown.
ATE (Automatic Test Equi
In step (pment) 20, the semiconductor device is tested. Then, a data log 22 is created based on the test result.
Subsequently, by referring to the failure dictionary 18 and the failure occurrence time in the data log 22, a failure candidate extraction process 24 is performed to obtain a failure candidate 26.

【0019】次に、不良品から得られる波形が良品動作
と異なるかどうかを判断するためのレファレンス波形を
求めるために、故障候補26を求める際に使用したテス
トベクタ12とネットリスト14を用いて論理シミュレ
ータ28により論理シミュレーションを行う。その際、
論理シミュレーションを行うのは、故障候補抽出処理2
4により抽出された故障候補26に係るノードのみであ
り、かつ、入力するテストベクタ12は、データログ2
2により得られる故障発生時刻までとし、それ以降のテ
ストベクタの論理シミュレーションは行わない。この論
理シミュレータ28により論理シミュレーション結果3
0を生成する。
Next, in order to obtain a reference waveform for determining whether or not a waveform obtained from a defective product differs from a non-defective product operation, the test vector 12 and the netlist 14 used in obtaining the failure candidate 26 are used. A logic simulation is performed by the logic simulator 28. that time,
The logic simulation is performed in the failure candidate extraction processing 2
4 is only the node related to the failure candidate 26 extracted and the test vector 12 to be input is the data log 2
The logic simulation is not performed for the test vector after that until the failure occurrence time obtained in step 2. Logic simulation result 3 by this logic simulator 28
Generate 0.

【0020】次に、図2に基づいて、この論理シミュレ
ーション結果30を用いて、故障箇所追跡/特定を行う
際の手法を説明する。
Next, with reference to FIG. 2, a method for tracking / identifying a fault location using the logic simulation result 30 will be described.

【0021】まず最初に、故障候補26のノードの接続
関係を調べ、関連する故障候補26のノードをパス毎に
まとめる(S10)。図4はこのパス毎にまとめるグル
ーピングを説明する図である。この図4からわかるよう
に、半導体デバイスSD内のノードであって故障候補2
6にあげられたノードのうち、一連の信号の流れの上に
存在するノードをパスとしてグループ毎にまとめる。そ
の際には、故障候補26にあげられていないノードも、
このグループに取り込んでグルーピングを行う。このた
め、このグルーピングにおいては、ノードとノードの間
にある論理ゲートも含んで、1つのパスが構成される。
図4においては、故障候補26にあげられた故障候補の
ノードを×であらわしており、故障候補26にあげられ
ていないノードを○であらわしている。このように一連
の信号の流れにあるノードや論理ゲートをなるべくひと
つのパスにまとめるようにする。図4においては、パス
1とパス2の2つのパスがあらわされている。但し、実
際の半導体デバイスの故障箇所を特定しようとする場合
は、このパスの数はもっと膨大なものとなる。
First, the connection relation of the nodes of the failure candidate 26 is examined, and the nodes of the related failure candidate 26 are collected for each path (S10). FIG. 4 is a diagram for explaining the grouping for grouping the paths. As can be seen from FIG. 4, the node in the semiconductor device SD and the failure candidate 2
Among the nodes listed in No. 6, nodes existing on a series of signal flows are grouped as a path for each group. At that time, nodes not listed in the failure candidate 26 also
Take in this group and perform grouping. Therefore, in this grouping, one path is formed including the logic gates between the nodes.
In FIG. 4, nodes of the failure candidates listed as the failure candidates 26 are represented by “x”, and nodes not listed as the failure candidates 26 are represented by “○”. In this way, nodes and logic gates in a series of signal flows are combined into one path as much as possible. In FIG. 4, two paths, a path 1 and a path 2, are shown. However, when trying to identify a failure location of an actual semiconductor device, the number of paths becomes much larger.

【0022】次に、図2からわかるように、一つのパス
内で、半導体デバイスSDの出力段に近いノードから高
い優先順位を付けていく(S11)。例えば、図4にお
いては、パス1、パス2におけるそれぞれにおいて、出
力段に近い方から優先順位をつけてゆき、入力段に一番
近いノードがそのパスの中で、一番低い優先順位が付け
られる。
Next, as can be seen from FIG. 2, in one path, a higher priority is assigned to a node closer to the output stage of the semiconductor device SD (S11). For example, in FIG. 4, in each of the paths 1 and 2, the priorities are assigned in order from the one closest to the output stage, and the node closest to the input stage is assigned the lowest priority in the path. Can be

【0023】次に、図2からわかるように、複数のパス
の中から1つのパスを選択して、その選択したパスの中
で最も優先順位の高いノードのレファレンス波形を、論
理シミュレーション結果30より求める(S12)。続
いて、不良品である半導体デバイスから、このノードの
波形を測定する(S13)。そして、不良品から得られ
たこのノードの波形と、論理シミュレーション結果30
より求めたレファレンス波形とを比較して、両者に差異
がないかどうかを比較判定する(S14)。もし差異が
なかった場合は、このパス内で故障は発生していないも
のとし、次のパスを選択した後(S15)、S12の処
理から繰り返す。すなわち、このパスに含まれるすべて
のノードは正常であると判断して、故障候補26から除
外する。一方、もし差異が認められた場合は、このパス
中に故障ノードがあることを意味しているので、以下の
ような処理をする。
Next, as can be seen from FIG. 2, one path is selected from a plurality of paths, and a reference waveform of a node having the highest priority among the selected paths is obtained from a logic simulation result 30. Obtain (S12). Subsequently, the waveform of this node is measured from the defective semiconductor device (S13). Then, the waveform of this node obtained from the defective product and the logic simulation result 30
The reference waveform thus obtained is compared with the reference waveform to determine whether there is any difference between them (S14). If there is no difference, it is determined that no failure has occurred in this path, the next path is selected (S15), and the processing from S12 is repeated. That is, all nodes included in this path are determined to be normal, and are excluded from the failure candidates 26. On the other hand, if a difference is recognized, it means that there is a faulty node in this path, and the following processing is performed.

【0024】まず、この同一のパス内で次に優先順位の
高いノードのレファレンス波形を、論理シミュレーショ
ン結果30より取得する(S16)。次に、不良品であ
る半導体デバイスから、このノードの波形を測定する
(S17)。そして、この不良品の波形と、論理シミュ
レーション結果30から求めた波形を比較して、両者に
差異が無いか調べる(S18)。もし差異がなかった場
合は、ここで波形測定したノードと、その前のステップ
で波形を測定したノードの間に故障が発生していたと判
断することができる。したがって、故障箇所であるノー
ドが特定される(S19)。一方、もし差異がなかった
場合は、同一のパス中におけるさらに優先順位の低いノ
ードに故障箇所があると判断できるので、上述したS1
6からの処理を繰り返す。
First, a reference waveform of a node having the next highest priority in the same path is obtained from the logic simulation result 30 (S16). Next, the waveform of this node is measured from the defective semiconductor device (S17). Then, the waveform of the defective product is compared with the waveform obtained from the logic simulation result 30 to check whether there is any difference between them (S18). If there is no difference, it can be determined that a failure has occurred between the node whose waveform has been measured here and the node whose waveform has been measured in the previous step. Therefore, the node that is the failure location is specified (S19). On the other hand, if there is no difference, it can be determined that there is a failure point in a node with a lower priority in the same path, so that the above-described S1
The processing from step 6 is repeated.

【0025】S19にてそのパスにおける故障箇所のノ
ードが特定された後は、そのパスが最後のパスであるか
どうかを判断する(S20)。つまり、故障箇所の特定
のための処理をしていないパスがあるかどうかを確認す
る。最後のパスでなければ、未検査のパスを選択し(S
15)、S12以下の処理を繰り返す。最後のパスであ
れば、故障箇所追跡/特定のための処理は終了する。
After the node at the failure point in the path is specified in S19, it is determined whether or not the path is the last path (S20). That is, it is checked whether there is a path that has not been subjected to the processing for specifying the failure location. If it is not the last pass, an untested path is selected (S
15) Repeat the processing of S12 and subsequent steps. If it is the last pass, the processing for tracking / identifying the failure location ends.

【0026】次に、図3に示した故障箇所特定装置の構
成に基づいて、全体の解析フローを説明する。
Next, an overall analysis flow will be described based on the configuration of the fault location device shown in FIG.

【0027】この図3からわかるように、故障箇所特定
装置は故障解析装置40と制御用計算機50とを備えて
構成されている。この故障解析装置40は制御用計算機
50により制御されている。
As can be seen from FIG. 3, the fault location specifying device includes a fault analyzing device 40 and a control computer 50. The failure analysis device 40 is controlled by a control computer 50.

【0028】制御用計算機50はCADシステム10よ
り出力される設計情報51に基づいて、レイアウト情報
を形成する。そして、この制御用計算機50は、このレ
イアウト情報に基づいて、故障解析装置40内の試料ス
テージ42を移動させる。この試料ステージ42上に
は、不良品である半導体デバイスSDが載せられてい
る。このため、制御用計算機50が、試料ステージを移
動することにより、試料ステージ42上の半導体デバイ
スSDのレイアウトと、設計情報51から得られたレイ
アウト情報とが、一致するよう制御可能に構成されてい
る。設計情報51には、このレイアウト情報のほか、例
えば、ノード名等の接続情報、回路情報が格納されてい
る。また、制御用計算機50は、設計情報51中のノー
ド名と、半導体デバイスSDのレイアウト上のパタンと
の対応を付ける機能を有している。このようにレイアウ
ト情報を不良品である半導体デバイスSDと同期をとる
機能を、ナビゲーション機能処理部52で実現してい
る。
The control computer 50 forms layout information based on the design information 51 output from the CAD system 10. Then, the control computer 50 moves the sample stage 42 in the failure analysis device 40 based on the layout information. On this sample stage 42, a semiconductor device SD which is a defective product is mounted. For this reason, the control computer 50 is configured to be controllable by moving the sample stage so that the layout of the semiconductor device SD on the sample stage 42 and the layout information obtained from the design information 51 match. I have. The design information 51 stores, for example, connection information such as node names and circuit information in addition to the layout information. Further, the control computer 50 has a function of associating a node name in the design information 51 with a pattern on the layout of the semiconductor device SD. The function of synchronizing the layout information with the defective semiconductor device SD is realized by the navigation function processing unit 52.

【0029】さらに、制御用計算機50は、故障解析装
置40より得られた波形と、そのノードに対する論理シ
ミュレーシ結果30波形とを、比較し良否を判定する波
形比較/判定処理部53を備えている。この波形比較/
判定処理部53には、故障解析装置40に設けられた波
形取得処理部44を介して、半導体デバイスSDの波形
データ54が入力されている。また、波形比較/判定処
理部53には、故障候補ノードをパスグループ毎にまと
めたパスグループ情報55も入力されている。さらに、
制御用計算機50は、この波形比較/判定処理部53の
判定結果に基づいて、次に測定すべきノードを検索する
次候補選択処理部56も備えている。
Further, the control computer 50 includes a waveform comparison / judgment processing unit 53 for comparing the waveform obtained from the failure analysis device 40 with the 30 waveforms of the logic simulation result for the node to judge the quality. I have. This waveform comparison /
The waveform data 54 of the semiconductor device SD is input to the determination processing unit 53 via the waveform acquisition processing unit 44 provided in the failure analysis device 40. The waveform comparison / judgment processing unit 53 also receives path group information 55 in which failure candidate nodes are grouped for each path group. further,
The control computer 50 also includes a next candidate selection processing unit 56 that searches for a node to be measured next based on the determination result of the waveform comparison / determination processing unit 53.

【0030】実際の解析を行う際の故障箇所特定装置の
動作は次のようなものである。まず、制御用計算機50
におけるナビゲーション機能処理部52を動作させて、
設計情報51内のレイアウト情報と、故障解析装置40
内の試料ステージ42上の半導体デバイスSDの位置と
が、一致するようにする。次に、故障候補26のノード
をパスグループ毎にまとめたパスグループ情報55より
適当なパスを選択し、そのパス内で最も優先度の高いノ
ードを選択する。そして、このノードの位置をナビゲー
ション機能処理部52により求め、故障解析装置40の
試料ステージ42を移動させ、半導体デバイスSD内に
おけるこの選択されたノードの波形を波形取得処理部4
4により取得し、波形データ54を得る。それと同時に
この選択されたノードに対応するレファレンス波形を論
理シミュレーション結果30より抽出し、測定波形と論
理シミュレーション結果の波形とを波形比較/判定処理
部53で比較照合して、シミュレーション結果と一致す
るか否かを判定する。この判定結果により、次に測定す
べきノードを次候補選択処理部56が図2で示したフロ
ーにより抽出し、前述した処理を繰り返すことにより、
故障発生原点の追跡/特定を行う。つまり、次候補選択
処理部56がナビゲーション機能処理部52に次に測定
するパスやノードに関する指示命令を出して、図2の処
理を遂行する。
The operation of the fault location specifying device when performing an actual analysis is as follows. First, the control computer 50
By operating the navigation function processing unit 52 in
The layout information in the design information 51 and the failure analysis device 40
The position of the semiconductor device SD on the sample stage 42 is set to coincide. Next, an appropriate path is selected from the path group information 55 in which the nodes of the failure candidates 26 are grouped for each path group, and a node having the highest priority among the paths is selected. Then, the position of this node is obtained by the navigation function processing unit 52, the sample stage 42 of the failure analysis device 40 is moved, and the waveform of the selected node in the semiconductor device SD is obtained by the waveform acquisition processing unit 4.
4 to obtain waveform data 54. At the same time, a reference waveform corresponding to the selected node is extracted from the logic simulation result 30, and the measured waveform and the waveform of the logic simulation result are compared and collated by the waveform comparison / judgment processing unit 53 to determine whether they match the simulation result. Determine whether or not. Based on this determination result, the next candidate selection processing unit 56 extracts the node to be measured next according to the flow shown in FIG.
Tracks / specifies the origin of failure. In other words, the next candidate selection processing unit 56 issues an instruction command for the next path or node to be measured to the navigation function processing unit 52, and performs the processing of FIG.

【0031】以上のように、本発明の第1実施形態によ
れば、故障候補26のノードを予め求めて、これら故障
候補26のノードを一連の信号の流れ毎にパスとしてグ
ループ化したので、論理シミュレーションを行う必要の
あるノードを予め限定できるとともに、1つのパスにお
ける出力段に最も近いノードが正常であればそのパスに
含まれる他のすべてのノードも正常であると判断できる
ので、故障箇所を特定する際に波形を検査する必要のあ
るノード数を削減することができる。しかも、従来のよ
うに、良品と不良品とを比較する手法に比べ、解析の手
間を大幅に軽減することができる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, the nodes of the failure candidates 26 are obtained in advance, and the nodes of the failure candidates 26 are grouped as paths for each series of signal flows. Nodes that need to be subjected to logic simulation can be limited in advance, and if the node closest to the output stage in one path is normal, all other nodes included in that path can be determined to be normal, and the fault location can be determined. Can be reduced when specifying the number of nodes. In addition, the time and effort for analysis can be significantly reduced as compared with the conventional method of comparing non-defective products with defective products.

【0032】また、従来のようにすべてのノードの論理
シミュレーション結果を用意して、この論理シミュレー
ション結果をレファレンス波形として用いる手法に較べ
ると、故障候補26にあるノードに関してのみ、テスタ
で故障が検出されたアドレスまでの論理シミュレーショ
ンを行えばよい。このため、シミュレーション時間を短
くすることができるとともに、シミュレーション結果3
0のファイル規模を小さくすることができる。すなわ
ち、不良品の故障箇所を特定するのに必要な事前の準備
や、故障箇所特定に必要な期間や手間を、大幅に短縮す
ることができる。
In comparison with the conventional method in which logic simulation results of all nodes are prepared and the logic simulation results are used as reference waveforms, a failure is detected by the tester only for the node in the failure candidate 26. A logic simulation may be performed up to the specified address. Therefore, the simulation time can be shortened, and the simulation result 3
0 file size can be reduced. That is, it is possible to drastically reduce the advance preparation required for specifying the defective portion of the defective product and the time and labor required for specifying the defective portion.

【0033】また従来のように、逐次必要なノードの論
理シミュレーションを行う手法では、測定を行うべき箇
所をその場で検討/判断することが多く、実際の故障箇
所特定時にノード波形の測定を行うだけでなく、検討/
判断を行う時間も必要となり、この検討/判断時間を含
めて一般に高額な故障解析装置を占有することになっ
て、故障解析装置の実質稼働率を低下させていた。これ
に対して本実施形態によれば、故障箇所特定装置で測定
を行うべき箇所と判断に必要なデータを予め用意してお
くことが可能となることから、故障箇所を特定するため
に必要な解析をある程度機械的に進めて行くことが可能
となり、実質的な故障解析装置の稼働率を向上させるこ
とができる。
In the conventional technique of performing a logic simulation of a node which is required sequentially, a portion to be measured is often examined / determined on the spot, and a node waveform is measured when an actual fault location is specified. Not only study /
A time for making a determination is also required, and the cost of the failure analysis apparatus is generally occupied including this examination / determination time, thereby reducing the actual operation rate of the failure analysis apparatus. On the other hand, according to the present embodiment, it is possible to prepare in advance the data necessary for the determination as to the location to be measured by the failure location identification device, so that it is necessary to specify the failure location. The analysis can be mechanically advanced to some extent, and the operating rate of the substantial failure analysis device can be improved.

【0034】〔第2実施形態〕本発明の第2実施形態
は、第1実施形態における正常でないパスが検出された
場合に、そのパスを構成する論理ゲートについて、出力
段に近い順に、その論理ゲートの出力波形と入力波形と
を半導体デバイスから測定し、これら入出力波形から逆
算して正常な論理動作をしていない論理ゲートを検索す
ることにより、故障箇所の追跡/特定をするものであ
る。以下、図5及び図6に基づいて、本発明の第2実施
形態に係る故障箇所特定のための手法を説明する。
[Second Embodiment] In a second embodiment of the present invention, when an abnormal path in the first embodiment is detected, the logic gates constituting the path are logically arranged in the order closer to the output stage. The fault location is tracked / specified by measuring the output waveform and the input waveform of the gate from the semiconductor device, and calculating the back and forth from these input / output waveforms to search for a logic gate that does not operate normally. . Hereinafter, a method for identifying a failure portion according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0035】図5は第2実施形態において故障箇所を特
定する場合のフローチャートを示す図であり、図6は第
2実施形態に係る故障箇所特定装置の構成の一例を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram showing a flowchart for specifying a fault location in the second embodiment, and FIG. 6 is a diagram showing an example of a configuration of a fault location device according to the second embodiment.

【0036】まず、図5に基づいて故障箇所を特定する
フローを説明する。この図5からわかるように、故障候
補26に含まれるのノードの接続関係を調べ、関連する
パス毎にまとめる(S30)。すなわち、上述した図4
からわかるように、故障候補26に含まれるノードと、
故障候補26にノードに含まれないノードと、これら各
ノード間の論理ゲートとを、すべて求めてグルーピング
して、パスとしてまとめる。
First, a flow for specifying a failure location will be described with reference to FIG. As can be seen from FIG. 5, the connection relation of the nodes included in the failure candidate 26 is checked, and the paths are collected for each related path (S30). That is, FIG.
As can be seen from FIG.
Nodes that are not included in the failure candidates 26 and logic gates between these nodes are all obtained and grouped, and collected as paths.

【0037】次に、1つのパス内で、半導体デバイスS
Dの出力段に近い方のノードから高い優先順位を付ける
(S31)。続いて、複数のパスの中から1つのパスを
選択し、この選択したパスの中で最も優先順位の高いノ
ードについて、シミュレーション結果30よりレファレ
ンス波形を求める(S32)。次に、不良品を用いて、
同じノードの波形を測定する(S33)。そして、これ
らシミュレーション結果30より求めたリファレンス波
形と不良品の波形とを比較して、両者が一致するか否か
を判断する(S34)。もし両者に差異の無い場合は、
このパス内で故障は発生していないものと考えることが
できるので、このパスに含まれる他のすべてのノードを
故障候補26から除外するとともに、次のパスを選択し
て(S35)、S32からの処理を繰り返す。ここまで
の処理は、上述した第1実施形態と同様の処理である。
Next, in one pass, the semiconductor device S
A higher priority is assigned to a node closer to the output stage of D (S31). Subsequently, one path is selected from the plurality of paths, and a reference waveform is obtained from the simulation result 30 for the node having the highest priority among the selected paths (S32). Next, using defective products,
The waveform of the same node is measured (S33). Then, the reference waveform obtained from the simulation result 30 and the waveform of the defective product are compared to determine whether or not they match (S34). If there is no difference between them,
Since it can be considered that no failure has occurred in this path, all other nodes included in this path are excluded from the failure candidates 26, and the next path is selected (S35), and Is repeated. The processing so far is the same processing as in the above-described first embodiment.

【0038】一方、ここで両者に差異が認められた場合
は以下の処理を行う。まず、不良品のノードから測定し
た波形を論理波形に変換する(S36)。次に、選択し
ているこのパスの中から、S36で論理波形を取得した
ノードを出力ノード(出力端子)とする論理ゲートの入
力ノード(入力端子)を特定し、そのノードの入力波形
を測定する(S37)。例えば、この論理ゲートの入力
ノードが2つある場合は、この2つの入力波形を測定す
る。次に、この測定した入力波形を論理波形に変換する
(S38)。続いて、この論理ゲートの論理動作を抽出
する(S39)。すなわち、この論理ゲートが正しくは
どのような動作をすべきなのかを、取得する。次に、論
理波形に変換されたこの論理ゲートの入力波形と、この
論理ゲートの論理動作から、期待される出力論理波形を
求める(S40)。つまり、この論理ゲートが正常に動
作したであれば得られたであろう出力論理波形を求め
る。続いて、この期待される出力論理波形と、不良品か
ら得られた論理波形とを、比較する(S41)。両者が
一致した場合は、ここで選択したノードよりも前段(入
力段側)に故障発生原点があると判断できるので、次に
優先度の高いノードを選択し、このノードの波形を測定
する(S42)。そして、S36からの処理を繰り返
す。
On the other hand, if a difference is found between the two, the following processing is performed. First, the waveform measured from the defective node is converted into a logical waveform (S36). Next, from the selected path, the input node (input terminal) of the logic gate whose node is the output node (output terminal) for which the logic waveform has been obtained in S36 is specified, and the input waveform of the node is measured. (S37). For example, when there are two input nodes of this logic gate, these two input waveforms are measured. Next, the measured input waveform is converted into a logical waveform (S38). Subsequently, the logic operation of this logic gate is extracted (S39). That is, what operation the logic gate should correctly perform is acquired. Next, an expected output logic waveform is obtained from the input waveform of the logic gate converted into the logic waveform and the logic operation of the logic gate (S40). That is, an output logic waveform that would have been obtained if this logic gate operated normally is determined. Subsequently, the expected output logic waveform is compared with a logic waveform obtained from a defective product (S41). If they match, it can be determined that there is a failure origin at the preceding stage (input stage side) of the node selected here, so the node with the next highest priority is selected and the waveform of this node is measured ( S42). Then, the processing from S36 is repeated.

【0039】一方、両者の論理波形が異なっている場合
は、この論理ゲートの動作が正常ではないことを意味し
ており、このため、このノードが故障発生原点であると
判断することができる。このため、故障箇所が特定され
る(S43)。次に、このパスが最後のものであるか否
かを判断する(S44)。このパスが最後のパスである
場合は、故障箇所特定のための処理を終了する。このパ
スが最後のパスでない場合は、他の未測定のパスを選択
し(S35)、S32からの処理を繰り返す。
On the other hand, if the logic waveforms of the two are different, it means that the operation of the logic gate is not normal, and therefore, it can be determined that this node is the origin of the failure. For this reason, the failure location is specified (S43). Next, it is determined whether or not this path is the last one (S44). If this path is the last path, the processing for specifying the failure location is terminated. If this path is not the last path, another unmeasured path is selected (S35), and the processing from S32 is repeated.

【0040】次に、図6に基づいて、図5に示した手法
を用いた故障箇所特定装置の構成の一例を説明するとと
もに、全体の動作を説明する。なお、第2実施形態にお
ける故障解析装置40は、上述した第1実施形態におけ
る故障解析装置40と同様の構成のものであるので、こ
こでは、その詳しい説明を省略する。また、制御用計算
機60においても、第1実施形態と実質同一構成部分に
は、同一符号を用いるものとする。
Next, with reference to FIG. 6, an example of the configuration of the fault location specifying device using the method shown in FIG. 5 will be described, and the overall operation will be described. The failure analyzer 40 according to the second embodiment has the same configuration as the failure analyzer 40 according to the above-described first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted. Also, in the control computer 60, the same reference numerals are used for the substantially same components as those in the first embodiment.

【0041】まず、図6からわかるように、故障解析装
置40は制御用計算機60により制御されている。CA
Dシステム10は、設計情報51を出力する。この設計
情報51にはレイアウト情報も含まれており、このレイ
アウト情報に基づいて、制御用計算機60は、故障解析
装置40内の試料ステージ42を移動させ、このレイア
ウト情報と、試料ステージ42上の半導体デバイスSD
のパタンとが、一致するように制御する。そして、制御
用計算機60は、設計情報51中のノード名と、半導体
デバイスSDのレイアウト上のパタンとの、対応付けを
する。これらの処理は、制御用計算機60におけるナビ
ゲーション機能処理部52を介して行われる。また、制
御用計算機60は、波形を比較し良否を判定する波形比
較/判定処理部53と、判定結果により次に測定すべき
ノードを検索する次候補選択処理部56とを、備えてい
る。
First, as can be seen from FIG. 6, the failure analysis device 40 is controlled by the control computer 60. CA
The D system 10 outputs the design information 51. The design information 51 also includes layout information. Based on the layout information, the control computer 60 moves the sample stage 42 in the failure analysis device 40, and Semiconductor device SD
Is controlled so as to match the pattern. Then, the control computer 60 associates the node name in the design information 51 with the pattern on the layout of the semiconductor device SD. These processes are performed via the navigation function processing unit 52 in the control computer 60. In addition, the control computer 60 includes a waveform comparison / determination processing unit 53 that compares waveforms to determine pass / fail, and a next candidate selection processing unit 56 that searches for a node to be measured next based on the determination result.

【0042】さらに、本実施形態に係る制御用計算機6
0は、設計情報51中の接続情報中の論理ゲートの論理
動作を定義する論理動作定義部61と、定義された論理
動作を格納するための記憶装置62とを、備えている。
また、制御用計算機60は、故障解析装置40により測
定された波形データ54を論理波形に変換する論理波形
変換部63と、論理ゲートの出力期待値論理波形を論理
動作の記憶装置62に記憶された論理動作を基に発生さ
せる期待値論理波形出力処理部64とを、備えている。
したがって、波形比較/判定処理部53では、半導体デ
バイスSDのノードの波形データ54からの測定波形
と、論理シミュレーション結果30の波形とを、比較す
るとともに、測定波形を変換した論理波形変換部からの
論理波形と、期待値論理波形出力処理部64からの論理
波形とを、比較する。
Further, the control computer 6 according to the present embodiment
0 includes a logical operation definition unit 61 for defining the logical operation of the logical gate in the connection information in the design information 51, and a storage device 62 for storing the defined logical operation.
Further, the control computer 60 stores the logical waveform converter 63 for converting the waveform data 54 measured by the failure analyzer 40 into a logical waveform, and the output expected value logical waveform of the logical gate in the logical operation storage device 62. And an expected value logical waveform output processing section 64 for generating the logical value based on the logical operation.
Therefore, the waveform comparison / judgment processing unit 53 compares the measured waveform from the waveform data 54 of the node of the semiconductor device SD with the waveform of the logic simulation result 30, and converts the measured waveform from the logical waveform conversion unit. The logical waveform and the logical waveform from the expected value logical waveform output processing unit 64 are compared.

【0043】次に、実際に故障箇所特定装置を用いて解
析を行う際の動作を説明する。まず、制御用計算機60
にてナビゲーション機能処理部52を動作させ、設計情
報51中のレイアウト情報と、故障解析装置40内の試
料ステージ42上の半導体デバイスSDの位置とが、一
致するようにする。次に、第1実施形態と同様に故障候
補26にあるノードをパス毎にまとめる。そして、この
パス毎にまとめたパスグループ情報55より適当なパス
を選択し、そのパス内で最も優先度の高いノードを選択
する。続いて、そのノードの位置をナビゲーション機能
処理部52により求め、故障解析装置40の試料ステー
ジ42を移動させ、半導体デバイスSD内の選択された
ノードの波形を取得できるようにする。そして、このノ
ードから取得した波形を、波形取得処理部44へ伝達
し、波形データ54を生成する。これらの動作と同時
に、選択されたノードに対応するレファレンス波形を論
理シミュレーション結果30より抽出する。次に、この
ノードに対する論理シミュレーション結果30の波形
と、波形データ54とを、波形比較/判定処理部53で
比較照合し、両者が一致するか否かを判断する。この判
定結果により、測定したパスに故障がないと判断された
場合、次のパスを選択し、前述の動作を繰り返す。
Next, the operation when the analysis is actually performed using the fault location specifying device will be described. First, the control computer 60
Then, the navigation function processing unit 52 is operated to make the layout information in the design information 51 coincide with the position of the semiconductor device SD on the sample stage 42 in the failure analyzer 40. Next, the nodes in the failure candidate 26 are grouped for each path as in the first embodiment. Then, an appropriate path is selected from the path group information 55 collected for each path, and a node having the highest priority in the path is selected. Subsequently, the position of the node is obtained by the navigation function processing unit 52, and the sample stage 42 of the failure analysis device 40 is moved so that the waveform of the selected node in the semiconductor device SD can be obtained. Then, the waveform acquired from this node is transmitted to the waveform acquisition processing unit 44, and the waveform data 54 is generated. Simultaneously with these operations, a reference waveform corresponding to the selected node is extracted from the logic simulation result 30. Next, the waveform of the logic simulation result 30 for this node and the waveform data 54 are compared and collated by the waveform comparison / determination processing unit 53 to determine whether or not they match. If it is determined from the result of this determination that there is no failure in the measured path, the next path is selected and the above operation is repeated.

【0044】これに対して、測定したパスに故障がある
と判断された場合は、測定したノードを出力とする論理
ゲートの入力ノードをパスグループ情報55より取得す
る。この入力ノードは、その論理ゲートの種類等に応じ
て、1つの場合もあれば、複数の場合もある。次に、こ
の入力ノードのレイアウト上の位置をナビゲーション機
能処理部52により算出し、半導体デバイスSDの対応
する位置に故障解析装置40内の試料ステージ42を移
動させ、波形データ54を取得する。
On the other hand, if it is determined that the measured path has a failure, the input node of the logic gate that outputs the measured node is obtained from the path group information 55. There may be one input node or a plurality of input nodes depending on the type of the logic gate. Next, the position on the layout of the input node is calculated by the navigation function processing unit 52, and the sample stage 42 in the failure analysis apparatus 40 is moved to a position corresponding to the semiconductor device SD to acquire the waveform data 54.

【0045】制御用計算機60では、着目している論理
ゲートの出力ノードとしての波形データ54を論理波形
変換処理部63により論理波形に変換する。また、この
論理ゲートの入力ノードとしての波形データ54も、論
理波形変換処理部63により論理波形に変換する。この
入力波形から得られた論理波形と、論理動作用の記憶装
置62の情報とに基づいて、期待値波形出力処理部64
より期待値論理波形を出力する。これら期待値論理波形
と論理波形変換された測定波形とを波形比較/判定処理
部53により比較する。そして、その判定結果から、次
に測定すべきノードを次候補選択処理部56が、上述し
た図5で示したフローにより抽出してこららの処理を繰
り返すことにより、故障発生原点の追跡/特定を行う。
つまり、次候補選択処理部56がナビゲーション機能処
理部52に次に測定するパスやノードに関する指示命令
を出して、図5の処理を遂行する。
In the control computer 60, the waveform data 54 as the output node of the logic gate of interest is converted into a logic waveform by the logic waveform conversion processing unit 63. The waveform data 54 as an input node of the logic gate is also converted into a logic waveform by the logic waveform conversion processing unit 63. Based on the logical waveform obtained from the input waveform and the information in the logical operation storage device 62, an expected value waveform output processing unit 64
A more expected value logic waveform is output. The waveform comparison / judgment processing unit 53 compares these expected value logical waveforms with the measured waveforms converted into the logical waveforms. Then, from the determination result, the next candidate selection processing unit 56 extracts the node to be measured next by the flow shown in FIG. 5 described above, and repeats these processes, thereby tracking / identifying the failure origin. Do.
That is, the next candidate selection processing unit 56 issues an instruction command to the navigation function processing unit 52 regarding a path or a node to be measured next, and performs the processing of FIG.

【0046】以上のように、本実施形態によれば、一旦
故障を含むパスが特定できたならば、同一パス内に存在
するノードについては、シミュレーション結果30内の
レファレンス波形を参照する必要がなくなり、効率よく
故障箇所を特定するための解析を行うことができる。す
なわち、不良品の動作波形を観測するだけで故障箇所を
追跡/特定をすることができるので、より一層効率よく
解析を行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, once a path including a failure can be specified, it is not necessary to refer to the reference waveform in the simulation result 30 for nodes existing in the same path. Thus, it is possible to efficiently perform the analysis for specifying the failure location. That is, the failure location can be tracked / specified only by observing the operation waveform of the defective product, so that the analysis can be performed more efficiently.

【0047】なお、本発明は上記実施形態に限定されず
種々に変形可能である。例えば、第2実施形態におい
て、論理シミュレーション結果30は必ずしも必要なも
のではなく、省略することも可能である。この場合、必
要なレファレンス波形は、論理動作を記憶した記憶装置
62から取得するようにすれば足りる。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the second embodiment, the logic simulation result 30 is not always necessary and can be omitted. In this case, it is sufficient that the required reference waveform is obtained from the storage device 62 storing the logical operation.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、複数の
故障候補ノードについて、一連の信号の流れの上に存在
するものは1つのパスとしてまとめて、このパスの出力
段に最も近いノードの波形を測定し、このノードが正常
な波形である場合には、このパスに含まれる他のすべて
のノードも正常であると判断することとしたので、故障
解析に要する時間を大幅に短縮することができる。
As described above, according to the present invention, for a plurality of fault candidate nodes, those existing on a series of signal flows are grouped as one path, and are closest to the output stage of this path. Measures the waveform of the node and, if this node has a normal waveform, determines that all other nodes in this path are also normal, greatly reducing the time required for failure analysis can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1及び第2実施形態において、論理
シミュレーション結果を得るまでに必要な行程を説明す
る図。
FIG. 1 is a view for explaining steps required until a logical simulation result is obtained in the first and second embodiments of the present invention.

【図2】本発明の第1実施形態に係る故障箇所の特定手
法を説明するフローチャートを示す図。
FIG. 2 is a view showing a flowchart for explaining a method for specifying a failure location according to the first embodiment of the present invention;

【図3】本発明の第1実施形態に係る故障箇所特定装置
の構成の一例を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a configuration of a failure point specifying device according to the first embodiment of the present invention.

【図4】故障候補ノードをパスとしてまとめて、この故
障候補ノードに優先順位をつける過程を説明する図。
FIG. 4 is a view for explaining a process in which failure candidate nodes are put together as paths and priorities are assigned to the failure candidate nodes;

【図5】本発明の第2実施形態に係る故障箇所の特定手
法を説明するフローチャートを示す図。
FIG. 5 is a diagram illustrating a flowchart for explaining a method for specifying a failure location according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2実施形態に係る故障箇所特定装置
の構成の一例を示す図。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a configuration of a failure point specifying device according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 CADシステム 12 テストベクタ 14 ネットリスト 16 故障シミュレーション 18 故障辞書 20 ATE 22 データログ 24 故障候補抽出処理 26 故障候補 28 論理シミュレータ 30 論理シミュレーション結果 40 故障解析装置 42 試料ステージ 44 波形取得処理部 50 制御用計算機 51 設計情報 52 ナビゲーション機能処理部 53 波形比較/判定処理部 54 波形データ 55 パスグループ情報 56 次候補選択処理部 Reference Signs List 10 CAD system 12 Test vector 14 Netlist 16 Failure simulation 18 Failure dictionary 20 ATE 22 Data log 24 Failure candidate extraction processing 26 Failure candidate 28 Logic simulator 30 Logic simulation result 40 Failure analysis device 42 Sample stage 44 Waveform acquisition processing unit 50 Control Computer 51 Design information 52 Navigation function processing unit 53 Waveform comparison / judgment processing unit 54 Waveform data 55 Path group information 56 Next candidate selection processing unit

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体デバイスに故障箇所がある場合にそ
の故障箇所を特定するための故障箇所特定方法であっ
て、 故障シミュレーションを行った際に得られる故障辞書
と、この故障シミュレーションを行った際と同一のテス
トパタンを用いて前記半導体デバイスをテスタを用いて
テストした際に得られるテスト結果とを、比較すること
により、複数の故障候補ノードを求める行程と、 前記複数の故障候補ノードについて、一連の信号の流れ
の上に存在する前記故障候補ノードについては、1つの
パスとしてまとめて、前記複数の故障候補ノードのすべ
てを1又は複数のパスに振り分ける行程と、 前記パス内における前記半導体デバイスの出力段に近い
方のノードから、優先順位を付ける行程と、 前記パスの中から順次1つを選択し、この選択したパス
の中から優先順位の最も高いノードの波形を測定し、こ
の測定波形と、予め求めた論理シミュレーション結果の
波形とを、比較して、 両者に差異がない場合はこのパスに含まれるすべてのノ
ードを故障候補ノードから除外し、 両者に差異がある場合はそのパスに含まれるノードの優
先順位の高い順に波形を測定し、その測定波形と、前記
論理シミュレーション結果の波形とを比較して、両者の
差異がなくなったノードを特定することにより、故障箇
所を特定する行程と、 を備えることを特徴とする半導体デバイスの故障箇所特
定方法。
1. A failure location identification method for identifying a failure location in a semiconductor device when the failure location exists, comprising: a failure dictionary obtained when a failure simulation is performed; By comparing the test results obtained when testing the semiconductor device using a tester using the same test pattern as described above, a process of obtaining a plurality of fault candidate nodes, and for the plurality of fault candidate nodes, For the failure candidate nodes existing on a series of signal flows, as a single path, distributing all of the plurality of failure candidate nodes to one or a plurality of paths, and the semiconductor device in the path From the node closer to the output stage of step (a), and a step of sequentially selecting one of the paths, and The waveform of the node with the highest priority is measured from the selected path, and the measured waveform is compared with the waveform of the logic simulation result obtained in advance. If there is no difference between the two, the waveform is included in this path. All nodes are excluded from the failure candidate nodes.If there is a difference between the two, the waveform is measured in the order of the priority of the nodes included in the path, and the measured waveform is compared with the waveform of the logic simulation result. A method of specifying a node in which the difference between the two has disappeared to specify a fault location, and a fault location specifying method for a semiconductor device.
【請求項2】前記論理シミュレーション結果は、テスタ
でテストをした際に故障を検出した時刻までの論理シミ
ュレーションを行った結果から生成する、ことを特徴と
する請求項1に記載の半導体デバイスの故障箇所特定方
法。
2. The fault of a semiconductor device according to claim 1, wherein the logic simulation result is generated from a result of performing a logic simulation up to a time when a fault is detected when a test is performed by a tester. Location identification method.
【請求項3】前記複数の故障候補ノードをパスに振り分
ける行程では、前記故障候補ノードと、前記故障候補ノ
ードには含まれない一連の信号の流れの上に存在する正
常なノードと、これら各ノードの間に存在する論理ゲー
トとを、すべて求めるとともに、これらを1つのパスに
含めて半導体デバイスの出力段に近い順に並びかえるこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体デ
バイスの故障箇所特定方法。
3. A process for allocating a plurality of fault candidate nodes to paths, wherein the fault candidate nodes, normal nodes existing on a flow of a series of signals not included in the fault candidate nodes, 3. The semiconductor device according to claim 1, wherein all logic gates existing between the nodes are obtained, and the logic gates are included in one path and are rearranged in an order closer to an output stage of the semiconductor device. Failure location identification method.
【請求項4】半導体デバイスに故障箇所がある場合にそ
の故障箇所を特定するための故障箇所特定方法であっ
て、 故障シミュレーションを行った際に得られる故障辞書
と、この故障シミュレーションを行った際と同一のテス
トパタンを用いて前記半導体デバイスをテスタを用いて
テストした際に得られるテスト結果とを、比較すること
により、複数の故障候補ノードを求める行程と、 前記複数の故障候補ノードについて、一連の信号の流れ
の上に存在する前記故障候補ノードについては、1つの
パスとしてまとめて、前記複数の故障候補ノードのすべ
てを1又は複数のパスに振り分ける行程と、 前記パス内における前記半導体デバイスの出力段に近い
方のノードから、優先順位を付ける行程と、 前記パスの中から順次1つを選択し、この選択したパス
の中から優先順位の最も高いノードの波形を測定し、こ
の測定波形と、予め求めた論理シミュレーション結果の
波形とを、比較して、 両者に差異がない場合はこのパスに含まれるすべてのノ
ードを故障候補ノードから除外し、 両者に差異がある場合はそのパスに含まれるノードの優
先順位の高い順に波形を測定し、前記測定波形を論理波
形に変換して、前記測定波形を取得したノードを出力と
する論理ゲートにおける1又は複数の入力波形を測定
し、 この入力波形から前記論理ゲートの論理動作として期待
される論理波形と、 前記測定波形の論理波形とを、比較して、両者が異なる
こととなる論理ゲートを特定することにより、故障箇所
を特定する行程と、 を備えることを特徴とする半導体デバイスの故障箇所特
定方法。
4. A failure location identification method for identifying a failure location in a semiconductor device when the failure location exists, comprising: a failure dictionary obtained when a failure simulation is performed; and a failure dictionary obtained when the failure simulation is performed. By comparing the test results obtained when testing the semiconductor device using a tester using the same test pattern as described above, a process of obtaining a plurality of fault candidate nodes, and for the plurality of fault candidate nodes, For the failure candidate nodes existing on a series of signal flows, as a single path, distributing all of the plurality of failure candidate nodes to one or a plurality of paths, and the semiconductor device in the path From the node closer to the output stage of step (a), and a step of sequentially selecting one of the paths, and The waveform of the node with the highest priority is measured from the selected path, and the measured waveform is compared with the waveform of the logic simulation result obtained in advance. If there is no difference between the two, the waveform is included in this path. Exclude all nodes from the failure candidate nodes, if there is a difference between them, measure the waveforms in the order of the priority of the nodes included in the path, convert the measured waveforms to logical waveforms, and convert the measured waveforms One or a plurality of input waveforms in a logic gate having the obtained node as an output are measured, and a logic waveform expected as a logic operation of the logic gate from the input waveform is compared with a logic waveform of the measured waveform. A method for specifying a logic gate that is different from the other, thereby specifying a fault location, and a method for specifying a fault location of a semiconductor device.
【請求項5】半導体デバイスにおけるノードの波形を測
定するための故障解析装置と、この故障解析装置の動作
を制御するための制御用計算機と、を有する、半導体デ
バイスの故障箇所特定装置であって、 前記制御用計算機は、 半導体デバイスの設計情報に基づいて、前記制御用計算
機と、前記故障解析装置内の半導体デバイスと、の間の
レイアウトの同期をとるための、ナビゲーション機能処
理部と、 論理シミュレーションを行った結果を記憶した論理シミ
ュレーション結果記憶部と、 前記半導体デバイスをテストすることにより得られた半
導体デバイスのテスト結果から求められた複数の故障候
補ノードについて、一連の信号の流れの上に存在する前
記故障候補ノードについては、1つのパスとしてまとめ
て、前記複数の故障候補ノードのすべてを1又は複数の
パスに振り分けることにより生成されたパス情報を記憶
するための、パスグループ情報記憶部と、 前記故障解析装置で測定した半導体デバイスのノードの
測定波形と、前記論理シミュレーション結果から得られ
たそのノードに対する波形とを、比較するための、比較
/判定処理部と、 前記パスグループ情報記憶部の中から順次1つのパスを
選択し、この選択したパスの中から優先順位の最も高い
ノードについて前記比較/判定処理部で比較判定し、両
者に差異がない場合はこのパスに含まれるすべてのノー
ドを故障候補ノードから除外して、前記パスグループ情
報記憶部から次のパスを選択し、 両者に差異がある場合はそのパスに含まれるノードの優
先順位の高い順に波形を測定すべく、前記ナビゲーショ
ン機能処理部に指示命令をする、次候補選択処理部と、 を備えることを特徴とする半導体デバイスの故障箇所特
定装置。
5. A fault location specifying device for a semiconductor device, comprising: a fault analysis device for measuring a waveform of a node in a semiconductor device; and a control computer for controlling an operation of the fault analysis device. A navigation function processing unit for synchronizing a layout between the control computer and the semiconductor device in the failure analysis apparatus, based on semiconductor device design information; A logic simulation result storage unit storing a result of the simulation, and a plurality of failure candidate nodes obtained from test results of the semiconductor device obtained by testing the semiconductor device, on a series of signal flows. The existing fault candidate nodes are put together as one path, and the plurality of fault candidate nodes are collected. A path group information storage unit for storing path information generated by allocating all of the nodes to one or a plurality of paths, a measured waveform of a node of a semiconductor device measured by the failure analysis apparatus, and the logic simulation A comparison / judgment processing unit for comparing the waveform for the node obtained from the result, and one path is sequentially selected from the path group information storage unit, and priority is selected from among the selected paths. The comparison / determination processing unit compares and determines the highest node, and if there is no difference between them, all nodes included in this path are excluded from the failure candidate nodes, and the next path is stored in the path group information storage unit. If there is a difference between the two, the navigation function is used to measure the waveform in the order of the priority of the nodes included in the path. An instruction command to the processing section, a semiconductor device failure place specifying device, characterized in that it comprises a next candidate selection processing section.
【請求項6】半導体デバイスにおけるノードの波形を測
定するための故障解析装置と、この故障解析装置の動作
を制御するための制御用計算機と、を有する、半導体デ
バイスの故障箇所特定装置であって、 前記制御用計算機は、 半導体デバイスの設計情報に基づいて、前記制御用計算
機と、前記故障解析装置内の半導体デバイスと、の間の
レイアウトの同期をとるための、ナビゲーション機能処
理部と、 論理シミュレーションを行った結果を記憶した論理シミ
ュレーション結果記憶部と、 前記半導体デバイスをテストすることにより得られた半
導体デバイスのテスト結果から求められた複数の故障候
補ノードについて、一連の信号の流れの上に存在する前
記故障候補ノードについては、1つのパスとしてまとめ
て、前記複数の故障候補ノードのすべてを1又は複数の
パスに振り分けることにより生成されたパス情報を記憶
するための、パスグループ情報記憶部と、 前記故障解析装置で測定した半導体デバイスのノードの
測定波形を、論理波形に変換する論理波形変換部と、 前記故障解析装置で測定した半導体デバイスのノードの
測定波形と、前記論理シミュレーション結果記憶部から
得られたそのノードに対する波形とを比較し、かつ、前
記論理波形変換部で変換された半導体デバイスのノード
の前記論理波形と、前記設計情報から得られた論理ゲー
トの出力としての論理波形とを比較する、比較/判定処
理部と、 前記パスグループ情報記憶部の中から順次1つのパスを
選択し、この選択したパスの中から優先順位の最も高い
ノードについて前記比較/判定処理部で比較判定し、 両者に差異がない場合はこのパスに含まれるすべてのノ
ードを故障候補ノードから除外して、前記パスグループ
情報記憶部から次のパスを選択し、 両者に差異がある場合はそのパスに含まれるノードの優
先順位の高い順に波形を測定して前記論理波形変換部か
ら論理波形を取得し、この測定波形を取得したノードを
出力とする論理ゲートの1又は複数の入力における入力
波形を測定し、この入力波形に基づいて、前記論理ゲー
トの論理動作から期待される論理波形を取得し、この期
待される論理波形と、前記測定波形の論理波形とを、比
較すべく、前記ナビゲーション機能処理部に指示命令を
する、次候補選択処理部と、 を備えることを特徴とする半導体デバイスの故障箇所特
定装置。
6. A failure location specifying device for a semiconductor device, comprising: a failure analysis device for measuring a waveform of a node in the semiconductor device; and a control computer for controlling an operation of the failure analysis device. A navigation function processing unit for synchronizing a layout between the control computer and the semiconductor device in the failure analysis apparatus, based on semiconductor device design information; A logic simulation result storage unit storing a result of the simulation, and a plurality of failure candidate nodes obtained from test results of the semiconductor device obtained by testing the semiconductor device, on a series of signal flows. The existing fault candidate nodes are put together as one path, and the plurality of fault candidate nodes are collected. A path group information storage unit for storing path information generated by allocating all of the nodes to one or more paths, and converting a measured waveform of a node of the semiconductor device measured by the failure analyzer into a logical waveform. A logic waveform conversion unit to be converted; a measured waveform of the node of the semiconductor device measured by the failure analysis apparatus, and a waveform for the node obtained from the logic simulation result storage unit, and the logic waveform conversion unit A comparison / judgment processing unit for comparing the logic waveform of the node of the semiconductor device converted by the above with a logic waveform as an output of a logic gate obtained from the design information; and a path group information storage unit. One path is sequentially selected, and the comparison / determination processing unit compares and determines the node having the highest priority from among the selected paths. If there is no difference between them, all nodes included in this path are excluded from the failure candidate nodes, and the next path is selected from the path group information storage unit. If there is a difference between both, it is included in that path. Obtaining a logical waveform from the logical waveform conversion unit by measuring the waveform in the order of the priority of the node, measuring the input waveform at one or more inputs of a logic gate that outputs the node that obtained the measured waveform, Based on the input waveform, obtain a logic waveform expected from the logic operation of the logic gate, and in order to compare the expected logic waveform with the logic waveform of the measurement waveform, the navigation function processing unit And a next candidate selection processing unit that issues an instruction instruction.
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