JP2000083929A - 潜在指紋検出方法 - Google Patents
潜在指紋検出方法Info
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- JP2000083929A JP2000083929A JP10280597A JP28059798A JP2000083929A JP 2000083929 A JP2000083929 A JP 2000083929A JP 10280597 A JP10280597 A JP 10280597A JP 28059798 A JP28059798 A JP 28059798A JP 2000083929 A JP2000083929 A JP 2000083929A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 環境衛生上の問題はなく、また、引火の危険
性もなく、簡単な操作によって短時間で潜在指紋を顕在
化して鮮明な指紋像を得る。 【解決手段】 四酸化ルテニウムをパー・フルオロ・モ
ルフォリンを溶媒として溶解してなる溶液に潜在指紋を
直接接触し、或いは前記溶液の霧化体又は気化ガス中に
潜在指紋を曝すことにより鮮明な黒色の指紋像を出現さ
せる。
性もなく、簡単な操作によって短時間で潜在指紋を顕在
化して鮮明な指紋像を得る。 【解決手段】 四酸化ルテニウムをパー・フルオロ・モ
ルフォリンを溶媒として溶解してなる溶液に潜在指紋を
直接接触し、或いは前記溶液の霧化体又は気化ガス中に
潜在指紋を曝すことにより鮮明な黒色の指紋像を出現さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は四酸化ルテニウムを
用いた潜在指紋検出方法。さらに詳しくは、簡便で安
全、かつ、環境衛生上の問題を持たない潜在指紋検出方
法に関する。本発明は犯罪捜査に利用するのに好適であ
る。
用いた潜在指紋検出方法。さらに詳しくは、簡便で安
全、かつ、環境衛生上の問題を持たない潜在指紋検出方
法に関する。本発明は犯罪捜査に利用するのに好適であ
る。
【０００２】
【従来の技術】四酸化ルテニウム（ＲｕＯ4 ）は有機
物、特に油類に触れると還元されて原子価数の少ない酸
化ルテニウムとなり黒化する。この性質のために四酸化
ルテニウムは潜在指紋に触れると、指紋中の有機物であ
る油脂類、あるいは、たん白質に触れて原子価数の少な
い酸化ルテニウムに変化し、その色は黒色になって潜在
指紋上に付着するから、指紋の紋理を判然と検出するこ
とができる。
物、特に油類に触れると還元されて原子価数の少ない酸
化ルテニウムとなり黒化する。この性質のために四酸化
ルテニウムは潜在指紋に触れると、指紋中の有機物であ
る油脂類、あるいは、たん白質に触れて原子価数の少な
い酸化ルテニウムに変化し、その色は黒色になって潜在
指紋上に付着するから、指紋の紋理を判然と検出するこ
とができる。
【０００３】四酸化ルテニウムは融点２５．５℃、沸点
１００．８℃、常温で揮発しやすい固形物で、水には２
％ほど溶解するが、水に溶けた四酸化ルテニウムは速や
かに還元されて原子価数の少ない酸化ルテニウムとなり
やすい。したがって、四酸化ルテニウムの水溶液を長期
にわたって安定に保存することが困難であるから、四酸
化ルテニウムの水溶液を潜在指紋検出液として利用する
ことは、実際にはほとんど不可能である。
１００．８℃、常温で揮発しやすい固形物で、水には２
％ほど溶解するが、水に溶けた四酸化ルテニウムは速や
かに還元されて原子価数の少ない酸化ルテニウムとなり
やすい。したがって、四酸化ルテニウムの水溶液を長期
にわたって安定に保存することが困難であるから、四酸
化ルテニウムの水溶液を潜在指紋検出液として利用する
ことは、実際にはほとんど不可能である。
【０００４】四酸化ルテニウムを指紋検出に使用する従
来の方法としては、ロバート・ディー・オルセン・シー
ニア（Ｒｏｂｏｒｔ Ｄ．Ｏｌｓｅｎ ＳＲ．）の著書
「スコッツ フィンガープリント メカニックス（Ｓｃ
ｏｔｔ’ｓ Ｆｉｎｇｅｒｐｒｉｎｔ Ｍｅｃｈａｎｉ
ｃｓ）」〔米国イリノイ州スプリングフィールドに所在
するチャールス シー トマス出版社（Ｃｈａｒｌｅｓ
Ｃ Ｔｈｏｍａｓ・Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒ）発行〕の１
９７８年版の第３０９頁に記載の技術がある。この文献
に記載されている技術は、四酸化ルテニウムの固体その
ものを湯浴上で加熱して四酸化ルテニウムを気化させる
か、四酸化ルテニウムが水にわずかに溶解することを利
用して、その水溶液から発生する四酸化ルテニウムガス
を指紋に触れさせる方法である。しかし、上記の直接使
用法は湯浴上で加熱する際に１２２°Ｆ（５０℃）以下
の温度に制限され、これ以上の温度に加温すると爆発の
恐れがあり、また、水溶液法では発生するガスが少量で
あるため不明瞭な指紋像を得るのにも長時間を要すると
記載されている。いずれにしても、四酸化ルテニウムの
取扱いは極めて難しく、これらの方法は研究所で有資格
者によってのみ利用されるべきであると述べられてい
て、今日まで実用化に至っていない。
来の方法としては、ロバート・ディー・オルセン・シー
ニア（Ｒｏｂｏｒｔ Ｄ．Ｏｌｓｅｎ ＳＲ．）の著書
「スコッツ フィンガープリント メカニックス（Ｓｃ
ｏｔｔ’ｓ Ｆｉｎｇｅｒｐｒｉｎｔ Ｍｅｃｈａｎｉ
ｃｓ）」〔米国イリノイ州スプリングフィールドに所在
するチャールス シー トマス出版社（Ｃｈａｒｌｅｓ
Ｃ Ｔｈｏｍａｓ・Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒ）発行〕の１
９７８年版の第３０９頁に記載の技術がある。この文献
に記載されている技術は、四酸化ルテニウムの固体その
ものを湯浴上で加熱して四酸化ルテニウムを気化させる
か、四酸化ルテニウムが水にわずかに溶解することを利
用して、その水溶液から発生する四酸化ルテニウムガス
を指紋に触れさせる方法である。しかし、上記の直接使
用法は湯浴上で加熱する際に１２２°Ｆ（５０℃）以下
の温度に制限され、これ以上の温度に加温すると爆発の
恐れがあり、また、水溶液法では発生するガスが少量で
あるため不明瞭な指紋像を得るのにも長時間を要すると
記載されている。いずれにしても、四酸化ルテニウムの
取扱いは極めて難しく、これらの方法は研究所で有資格
者によってのみ利用されるべきであると述べられてい
て、今日まで実用化に至っていない。
【０００５】前記のように、すでに製造された四酸化ル
テニウムを潜在指紋検出に利用することは、犯罪捜査の
現場ではほとんど実施することができなかったため、こ
れを可能にすることを目的として本発明者らによって発
明された潜在指紋検出方法が公表された（特開平３−２
９６４２号公報参照）。この潜在指紋検出方法の要点
は、発生期の四酸化ルテニウムガスを潜在指紋に接触さ
せるものである。発生期の四酸化ルテニウムガスを利用
する方法の具体例として前記公報に記載されている方法
は、塩化ルテニウムの水溶液に硝酸セリウムアンモニウ
ムの水溶液を混合するものである。しかし、上記の方法
も若干の欠点を持っている。その欠点は次のとおりであ
る。 ２種類の水溶液を指紋検出現場まで携行しなければ
ならないこと。 指紋検出現場において２種類の水溶液を混合しなけ
ればならないこと。 多くの場合に四酸化ルテニウムガスを接触させる範
囲（面積）を極限しなければならないこと。 四酸化ルテニウムガスを広い面積に接触させる場合
には、混合する２種類の溶液を大量に使用しなければな
らないから、簡便性に欠けること。
テニウムを潜在指紋検出に利用することは、犯罪捜査の
現場ではほとんど実施することができなかったため、こ
れを可能にすることを目的として本発明者らによって発
明された潜在指紋検出方法が公表された（特開平３−２
９６４２号公報参照）。この潜在指紋検出方法の要点
は、発生期の四酸化ルテニウムガスを潜在指紋に接触さ
せるものである。発生期の四酸化ルテニウムガスを利用
する方法の具体例として前記公報に記載されている方法
は、塩化ルテニウムの水溶液に硝酸セリウムアンモニウ
ムの水溶液を混合するものである。しかし、上記の方法
も若干の欠点を持っている。その欠点は次のとおりであ
る。 ２種類の水溶液を指紋検出現場まで携行しなければ
ならないこと。 指紋検出現場において２種類の水溶液を混合しなけ
ればならないこと。 多くの場合に四酸化ルテニウムガスを接触させる範
囲（面積）を極限しなければならないこと。 四酸化ルテニウムガスを広い面積に接触させる場合
には、混合する２種類の溶液を大量に使用しなければな
らないから、簡便性に欠けること。
【０００６】そこで、本発明者は上記の問題を解決する
ために研究実験した結果、新規の潜在指紋検出方法（以
下「先行発明」という）を開発した。この先行発明は四
酸化ルテニウムをハロゲン含有炭化水素に溶解した溶液
を作り、この溶液中に潜在指紋を浸漬し、或いは前記溶
液から発生した蒸気中に潜在指紋を曝して検出するもの
である（特開平６−１２１７８８号公報，ＵＳＡ特許第
５３７８４９２号明細書参照）。この先行発明により上
記の問題を解決し、本発明者が期待していた成果を達成
することができた。
ために研究実験した結果、新規の潜在指紋検出方法（以
下「先行発明」という）を開発した。この先行発明は四
酸化ルテニウムをハロゲン含有炭化水素に溶解した溶液
を作り、この溶液中に潜在指紋を浸漬し、或いは前記溶
液から発生した蒸気中に潜在指紋を曝して検出するもの
である（特開平６−１２１７８８号公報，ＵＳＡ特許第
５３７８４９２号明細書参照）。この先行発明により上
記の問題を解決し、本発明者が期待していた成果を達成
することができた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記先行発明
の性能を一層向上させる潜在指紋検出方法を提供するこ
とを目的とするものである。
の性能を一層向上させる潜在指紋検出方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明者はさらに研究実験を続けた結果、四酸化ル
テニウムの溶解（吸収）用として最適な溶媒を見出し本
発明に到達した。
め、本発明者はさらに研究実験を続けた結果、四酸化ル
テニウムの溶解（吸収）用として最適な溶媒を見出し本
発明に到達した。
【０００９】即ち、本発明は四酸化ルテニウムをパー・
フルオロ・モルフォリンを溶媒として溶解してなる溶液
に、潜在指紋を直接接触し、或いは前記溶液の霧化体又
は気化ガス中に潜在指紋を曝すことを特徴とするもので
ある。
フルオロ・モルフォリンを溶媒として溶解してなる溶液
に、潜在指紋を直接接触し、或いは前記溶液の霧化体又
は気化ガス中に潜在指紋を曝すことを特徴とするもので
ある。
【００１０】前記パー・フルオロ・モルフォリンは鉱物
油、動植物油を溶かさない性質を有し、したがって、こ
れを溶媒とする前記溶液中に検体を浸漬しても指紋中の
油脂類を溶かすことはないので、指紋の形状を損なうこ
とはない。また、この溶媒は水素原子を全く含んでいな
い。そのため、溶液中の四酸化ルテニウムが変質するの
を防止できる。さらに前記パー・フルオロ・モルフォリ
ンの蒸気圧は四酸化ルテニウムの蒸気圧とほゞ同じであ
り、同一条件下でほゞ同じ速度で気化するため、気化法
として利用する場合にも適している。
油、動植物油を溶かさない性質を有し、したがって、こ
れを溶媒とする前記溶液中に検体を浸漬しても指紋中の
油脂類を溶かすことはないので、指紋の形状を損なうこ
とはない。また、この溶媒は水素原子を全く含んでいな
い。そのため、溶液中の四酸化ルテニウムが変質するの
を防止できる。さらに前記パー・フルオロ・モルフォリ
ンの蒸気圧は四酸化ルテニウムの蒸気圧とほゞ同じであ
り、同一条件下でほゞ同じ速度で気化するため、気化法
として利用する場合にも適している。
【００１１】本発明の四酸化ルテニウム溶液は前記パー
・フルオロ・モルフォリンを溶媒とし、この溶媒に四酸
化ルテニウムを溶解して得られる。四酸化ルテニウム溶
液の具体的な作成方法として次の三つの方法を例示的に
示す。 四酸化ルテニウム固体を溶媒に溶解する。 四酸化ルテニウムガスを発生させ、溶媒に溶解（吸
収）する。 四酸化ルテニウムの発生（合成）と溶解（吸収）と
を同一容器内で同時に行う。
・フルオロ・モルフォリンを溶媒とし、この溶媒に四酸
化ルテニウムを溶解して得られる。四酸化ルテニウム溶
液の具体的な作成方法として次の三つの方法を例示的に
示す。 四酸化ルテニウム固体を溶媒に溶解する。 四酸化ルテニウムガスを発生させ、溶媒に溶解（吸
収）する。 四酸化ルテニウムの発生（合成）と溶解（吸収）と
を同一容器内で同時に行う。
【００１２】前記の方法は説明するまでもなく、四酸
化ルテニウム（固体、試薬）を前記溶媒に直接溶解して
前記溶液を得るものであるが、四酸化ルテニウムは高価
なうえに取扱いに厳重な注意が必要である。
化ルテニウム（固体、試薬）を前記溶媒に直接溶解して
前記溶液を得るものであるが、四酸化ルテニウムは高価
なうえに取扱いに厳重な注意が必要である。
【００１３】前記の方法は、ルテニウム化合物（例え
ば塩化ルテニウムや硝酸ルテニウム等）と硝酸セリウム
アンモニウムを、水を媒体として反応させて四酸化ルテ
ニウムを合成（発生）させ、この四酸化ルテニウムの気
化ガスを前記溶媒中に導入して吸収（溶解）し、前記溶
液を得るものである。前記水を媒体としてルテニウム化
合物と硝酸セリウムアンモニウムを反応させる具体例と
して、例えばルテニウム化合物の水溶液と硝酸セリウム
アンモニウムの水溶液を混合し、又は前記両者のうちの
いずれか一方を水溶液として混合し、或いはルテニウム
化合物と硝酸セリウムアンモニウム及び水を混合する方
法等が挙げられる。なお、前記処理をクローズドシステ
ム化し、乾燥空気流や乾燥ガス（不活性ガス）流中で実
施し、発生した四酸化ルテニウムを空気流やガス流と共
に溶媒中に導入すれば、容易かつ効率的に四酸化ルテニ
ウム溶液を得ることができる。
ば塩化ルテニウムや硝酸ルテニウム等）と硝酸セリウム
アンモニウムを、水を媒体として反応させて四酸化ルテ
ニウムを合成（発生）させ、この四酸化ルテニウムの気
化ガスを前記溶媒中に導入して吸収（溶解）し、前記溶
液を得るものである。前記水を媒体としてルテニウム化
合物と硝酸セリウムアンモニウムを反応させる具体例と
して、例えばルテニウム化合物の水溶液と硝酸セリウム
アンモニウムの水溶液を混合し、又は前記両者のうちの
いずれか一方を水溶液として混合し、或いはルテニウム
化合物と硝酸セリウムアンモニウム及び水を混合する方
法等が挙げられる。なお、前記処理をクローズドシステ
ム化し、乾燥空気流や乾燥ガス（不活性ガス）流中で実
施し、発生した四酸化ルテニウムを空気流やガス流と共
に溶媒中に導入すれば、容易かつ効率的に四酸化ルテニ
ウム溶液を得ることができる。
【００１４】前記の方法は、前記溶媒中でルテニウム
化合物と硝酸セリウムアンモニウムを、水を媒体として
反応させて四酸化ルテニウムを合成（発生）させると同
時に前記四酸化ルテニウムを前記溶媒中に吸収（溶解）
し、前記溶液を得るものである。具体的には、例えば前
記溶媒にルテニウム化合物の水溶液及び硝酸セリウムア
ンモニウムの水溶液を添加して混合し、又は前記両者の
うちのいずれか一方を水溶液とし、これらを前記溶媒に
添加して混合し、或いは前記溶媒にルテニウム化合物，
硝酸セリウムアンモニウム及び水を添加して混合する方
法等が挙げられる。
化合物と硝酸セリウムアンモニウムを、水を媒体として
反応させて四酸化ルテニウムを合成（発生）させると同
時に前記四酸化ルテニウムを前記溶媒中に吸収（溶解）
し、前記溶液を得るものである。具体的には、例えば前
記溶媒にルテニウム化合物の水溶液及び硝酸セリウムア
ンモニウムの水溶液を添加して混合し、又は前記両者の
うちのいずれか一方を水溶液とし、これらを前記溶媒に
添加して混合し、或いは前記溶媒にルテニウム化合物，
硝酸セリウムアンモニウム及び水を添加して混合する方
法等が挙げられる。
【００１５】上記の三例は四酸化ルテニウム溶液の代表
的作成方法を例示したものであるが、溶液の作成方法が
上記方法に限定されないことは言うまでもない。
的作成方法を例示したものであるが、溶液の作成方法が
上記方法に限定されないことは言うまでもない。
【００１６】本発明は、潜在指紋を前記四酸化ルテニウ
ム溶液に直接接触し、或いは前記溶液の霧化体又は気化
ガス中に曝すことにより、潜在指紋を顕在化させて検出
するものである。
ム溶液に直接接触し、或いは前記溶液の霧化体又は気化
ガス中に曝すことにより、潜在指紋を顕在化させて検出
するものである。
【００１７】前記溶液を潜在指紋に直接接触する方法と
しては、前記溶液中に潜在指紋を浸漬したり、前記溶液
を潜在指紋に塗り付け、或いは振りかける等が例示で
き、本発明はこれらの方法を全て含むものである。
しては、前記溶液中に潜在指紋を浸漬したり、前記溶液
を潜在指紋に塗り付け、或いは振りかける等が例示で
き、本発明はこれらの方法を全て含むものである。
【００１８】前記溶液の霧化方法としては、例えば噴霧
器やネブライザ等により前記溶液を噴霧する等により行
える。
器やネブライザ等により前記溶液を噴霧する等により行
える。
【００１９】前記溶液の気化方法としては、前記溶液を
容器に入れ、開栓したまま放置したり、前記溶液をシャ
ーレ等に入れて放置するだけでも可能であるが、より容
易にガス化するためには、スポンジやガーゼのような多
孔質の大きな面積をもつ物質に前記溶液を含浸させ、こ
れを広げて放置する方法、或いは空気導入管及びガス排
出管を有する気密性の容器に前記溶液を入れ、前記導入
管から前記容器内の溶液中に空気を送り込んでバブルを
発生し、容器内で発生した四酸化ルテニウムガスを前記
排出管から外部に排出するバブリング法等が例示でき
る。
容器に入れ、開栓したまま放置したり、前記溶液をシャ
ーレ等に入れて放置するだけでも可能であるが、より容
易にガス化するためには、スポンジやガーゼのような多
孔質の大きな面積をもつ物質に前記溶液を含浸させ、こ
れを広げて放置する方法、或いは空気導入管及びガス排
出管を有する気密性の容器に前記溶液を入れ、前記導入
管から前記容器内の溶液中に空気を送り込んでバブルを
発生し、容器内で発生した四酸化ルテニウムガスを前記
排出管から外部に排出するバブリング法等が例示でき
る。
【００２０】なお、上記の霧化方法及び気化方法は一例
を示したもので、本発明は上記の諸方法に限定されるも
のではなく、指紋の検出を必要とする場合の状況等に応
じ、前記以外の方法を採用することもできる。
を示したもので、本発明は上記の諸方法に限定されるも
のではなく、指紋の検出を必要とする場合の状況等に応
じ、前記以外の方法を採用することもできる。
【００２１】本発明の方法による潜在指紋の検出能力は
極めて高く、定性的ではあるが、指紋に似せて作成した
人口脂質（リシノレイン酸７０部、ゼラチン３０部混合
物）をｎ−ヘキサンに溶かしてガラス濾紙上に滴下し、
ｎ−ヘキサンを蒸発させた残査につき四酸化ルテニウム
のガス中に５分間曝すと、人口脂質０．００５ｍｇまで
検出することができる。
極めて高く、定性的ではあるが、指紋に似せて作成した
人口脂質（リシノレイン酸７０部、ゼラチン３０部混合
物）をｎ−ヘキサンに溶かしてガラス濾紙上に滴下し、
ｎ−ヘキサンを蒸発させた残査につき四酸化ルテニウム
のガス中に５分間曝すと、人口脂質０．００５ｍｇまで
検出することができる。
【００２２】そのため潜在指紋の検出にあたり、四酸化
ルテニウム溶液中に潜在指紋を浸漬する等、前記溶液を
検体に積極的に接触させることにより潜在指紋を顕在化
できるのは勿論のことであるが、四酸化ルテニウム溶液
の霧化体や気化ガス中に潜在指紋を曝すだけでも潜在指
紋の顕在化が可能となる。
ルテニウム溶液中に潜在指紋を浸漬する等、前記溶液を
検体に積極的に接触させることにより潜在指紋を顕在化
できるのは勿論のことであるが、四酸化ルテニウム溶液
の霧化体や気化ガス中に潜在指紋を曝すだけでも潜在指
紋の顕在化が可能となる。
【００２３】ただ、実用的には、より低濃度の潜在指紋
を短時間に明確に検出するためには、潜在指紋の付着し
た検体を、例えば下部に四酸化ルテニウム溶液を入れた
気密性容器内に収容して前記溶液のガスが充満する雰囲
気に放置したり、前記検体を気密性の容器又はプラスチ
ック製の袋内に収容した後、前記溶液の霧化体又は気化
ガス体を前記容器又は袋内に導入し、或いは検体の潜在
指紋の付着した部位をプラスチック製のフィルムやシー
ト等で被覆して前記部位の前面に気密性の空間部を形成
した後、この空間部に前記溶液の気化ガス又は霧化体を
導入する方法などが極めて有効である。しかし、検出方
法は一定のものではなく、指紋の検出を必要とする場所
や環境等に応じて、より適した方法を採用すればよい。
を短時間に明確に検出するためには、潜在指紋の付着し
た検体を、例えば下部に四酸化ルテニウム溶液を入れた
気密性容器内に収容して前記溶液のガスが充満する雰囲
気に放置したり、前記検体を気密性の容器又はプラスチ
ック製の袋内に収容した後、前記溶液の霧化体又は気化
ガス体を前記容器又は袋内に導入し、或いは検体の潜在
指紋の付着した部位をプラスチック製のフィルムやシー
ト等で被覆して前記部位の前面に気密性の空間部を形成
した後、この空間部に前記溶液の気化ガス又は霧化体を
導入する方法などが極めて有効である。しかし、検出方
法は一定のものではなく、指紋の検出を必要とする場所
や環境等に応じて、より適した方法を採用すればよい。
【００２４】
【作用】前記四酸化ルテニウム溶液を潜在指紋に直接接
触し、或いは前記溶液の霧化体又は気化ガス中に曝すと
四酸化ルテニウムは指紋中の油脂類によって還元されて
黒化し、潜在指紋は速やかに顕在化する。そして、前記
溶媒は油脂類を溶かすことはないので、前記作業によっ
て顕在化させる潜在指紋は鮮明な指紋像となって出現す
る。また、前記溶媒は水素原子を全く含んでいないの
で、前記溶液中の四酸化ルテニウムが変質するのを防止
する。さらに、前記溶液は引火の危険性がない。
触し、或いは前記溶液の霧化体又は気化ガス中に曝すと
四酸化ルテニウムは指紋中の油脂類によって還元されて
黒化し、潜在指紋は速やかに顕在化する。そして、前記
溶媒は油脂類を溶かすことはないので、前記作業によっ
て顕在化させる潜在指紋は鮮明な指紋像となって出現す
る。また、前記溶媒は水素原子を全く含んでいないの
で、前記溶液中の四酸化ルテニウムが変質するのを防止
する。さらに、前記溶液は引火の危険性がない。
【００２５】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例により具体的
に説明する。なお、下記の実施例はその一部を例示した
ものであって、本発明を限定するものでないこと勿論で
ある。
に説明する。なお、下記の実施例はその一部を例示した
ものであって、本発明を限定するものでないこと勿論で
ある。
【００２６】
【実施例１】（潜在指紋試料の作成） Ａ１． 紙上の潜在指紋 右手の示指の先を乾式複写用紙上に約５００ｇの圧力で
押圧し、紙上の潜在指紋試料とした。 Ａ２． ガラス上の潜在指紋 容積２００ｍｌのトール形ビーカに水１００ｍｌを入
れ、右手にて胸の高さまで１０秒間持ち上げ、ガラス上
の潜在指紋試料とした。 Ａ３． 陶器上の潜在指紋 容積約２００ｍｌの白色の（陶製）湯呑に水１００ｍｌ
を入れ、右手にて胸の高さまで１０秒間持ち上げ陶器上
の潜在指紋試料とした。 Ａ４． 金属上の潜在指紋 右手の示指の先をステンレス板（ＳＡＳ−１８）上に約
５００ｇの圧力で押圧し、金属板上の潜在指紋とした。
押圧し、紙上の潜在指紋試料とした。 Ａ２． ガラス上の潜在指紋 容積２００ｍｌのトール形ビーカに水１００ｍｌを入
れ、右手にて胸の高さまで１０秒間持ち上げ、ガラス上
の潜在指紋試料とした。 Ａ３． 陶器上の潜在指紋 容積約２００ｍｌの白色の（陶製）湯呑に水１００ｍｌ
を入れ、右手にて胸の高さまで１０秒間持ち上げ陶器上
の潜在指紋試料とした。 Ａ４． 金属上の潜在指紋 右手の示指の先をステンレス板（ＳＡＳ−１８）上に約
５００ｇの圧力で押圧し、金属板上の潜在指紋とした。
【００２７】（四酸化ルテニウム溶液の作成）Ｂ１．容
積５００ｍｌの三つ口フラスコの左右の口管部のうちの
一方の口管部に気体導入管を、他方の口管部にガス流出
管を夫々装着すると共に前記流出管の外端に吸収液（前
記溶媒）１００ｍｌを満たしたムエンケ形洗浄びんを装
着し、塩化ルテニウム（試薬，特級）０．５％水溶液１
００ｍｌ及びテフロンコーティングした撹拌子を前記フ
ラスコ内に入れた後、前記フラスコの中央部の口管部に
滴下ロートを装着し、マグネティクスターラ上にセット
する。内容液を撹拌子で撹拌しながら前記導入管から空
気やチッ素ガス等のキャリアー気体を流速３００ｍｌ／
ｍｉｎでフラスコ内に導入し、前記流出管から前記洗浄
びんを通して外部に放出する。一方、滴下ロートから硝
酸セリウムアンモニウム（試薬，特級）４％水溶液１５
０ｍｌを１０分間かけてフラスコ内の前記液上に滴下す
る。滴下と同時に塩化ルテニウムと硝酸セリウムアンモ
ニウムとが反応して四酸化ルテニウムが合成され、この
四酸化ルテニウムガスがキャリアー気体によって前記び
ん内に移送されて前記吸収液中に溶解（吸収）し、吸収
液（溶媒）は黄色に変化する。硝酸セリウムアンモニウ
ム水溶液の全量を滴下した後、さらに１０分間操作を継
続して四酸化ルテニウム溶液を作成する。前記工程によ
って得られた前記溶液に無水硫酸ナトリウム（乾燥剤）
１０ｇを加え、室温下で２４時間乾燥し、四酸化ルテニ
ウム溶液を得る。なお、この場合、前記気体導入管の下
端をフラスコ内の底部近くに臨ませて前記キャリアーガ
スをフラスコ内の前記水溶液中に送り込んで気泡を発生
（バブリング）させるようにしてもよく、この方法を採
用すると前記撹拌子による撹拌を省略できる。
積５００ｍｌの三つ口フラスコの左右の口管部のうちの
一方の口管部に気体導入管を、他方の口管部にガス流出
管を夫々装着すると共に前記流出管の外端に吸収液（前
記溶媒）１００ｍｌを満たしたムエンケ形洗浄びんを装
着し、塩化ルテニウム（試薬，特級）０．５％水溶液１
００ｍｌ及びテフロンコーティングした撹拌子を前記フ
ラスコ内に入れた後、前記フラスコの中央部の口管部に
滴下ロートを装着し、マグネティクスターラ上にセット
する。内容液を撹拌子で撹拌しながら前記導入管から空
気やチッ素ガス等のキャリアー気体を流速３００ｍｌ／
ｍｉｎでフラスコ内に導入し、前記流出管から前記洗浄
びんを通して外部に放出する。一方、滴下ロートから硝
酸セリウムアンモニウム（試薬，特級）４％水溶液１５
０ｍｌを１０分間かけてフラスコ内の前記液上に滴下す
る。滴下と同時に塩化ルテニウムと硝酸セリウムアンモ
ニウムとが反応して四酸化ルテニウムが合成され、この
四酸化ルテニウムガスがキャリアー気体によって前記び
ん内に移送されて前記吸収液中に溶解（吸収）し、吸収
液（溶媒）は黄色に変化する。硝酸セリウムアンモニウ
ム水溶液の全量を滴下した後、さらに１０分間操作を継
続して四酸化ルテニウム溶液を作成する。前記工程によ
って得られた前記溶液に無水硫酸ナトリウム（乾燥剤）
１０ｇを加え、室温下で２４時間乾燥し、四酸化ルテニ
ウム溶液を得る。なお、この場合、前記気体導入管の下
端をフラスコ内の底部近くに臨ませて前記キャリアーガ
スをフラスコ内の前記水溶液中に送り込んで気泡を発生
（バブリング）させるようにしてもよく、この方法を採
用すると前記撹拌子による撹拌を省略できる。
【００２８】Ｂ２．容積１１の分液ロートに吸収液（前
記溶媒）５００ｍｌを入れ、これに塩化ルテニウム１．
０％水溶液１００ｍｌ及び、硝酸セリウムアンモニウム
５．０％水溶液１００ｍｌを加え、共栓をしたのち、１
０分間激しく振りまぜる。静置して内容物を二層に分離
する。下層の吸収液は黄色に変化する。下層液を分離
し、２１の三角フラスコに分取する。ロート内に残った
上層水溶液に前記溶媒（吸収液）２００ｍｌ及び、硝酸
セリウムアンモニウム水溶液５０ｍｌを加え、上記と同
様に処理し僅かに黄色味かかった吸収液を得る。下層の
吸収液を上記の吸収液に加えたのち、吸収液を無水硫酸
ナトリウムで乾燥し、四酸化ルテニウム溶液を得る。
記溶媒）５００ｍｌを入れ、これに塩化ルテニウム１．
０％水溶液１００ｍｌ及び、硝酸セリウムアンモニウム
５．０％水溶液１００ｍｌを加え、共栓をしたのち、１
０分間激しく振りまぜる。静置して内容物を二層に分離
する。下層の吸収液は黄色に変化する。下層液を分離
し、２１の三角フラスコに分取する。ロート内に残った
上層水溶液に前記溶媒（吸収液）２００ｍｌ及び、硝酸
セリウムアンモニウム水溶液５０ｍｌを加え、上記と同
様に処理し僅かに黄色味かかった吸収液を得る。下層の
吸収液を上記の吸収液に加えたのち、吸収液を無水硫酸
ナトリウムで乾燥し、四酸化ルテニウム溶液を得る。
【００２９】（潜在指紋の検出）Ｂ２の方法によって作
成した四酸化ルテニウム溶液を、容積約５１のデシケー
タの下部に２０ｍｌ注入したのち、陶製の中板を入れ中
板上にＡ１（紙上の潜在指紋），Ａ２（ガラス上の潜在
指紋），Ａ３（陶器上の潜在指紋），Ａ４（金属上の潜
在指紋）の各試料を置き蓋をする。蓋をして数秒後に、
潜在指紋は黒色の指紋像となって出現する。５分後、蓋
を開けＡ１〜Ａ４の各試料を取り出す。各試料とも極め
て鮮明な黒色の指紋像が出現していた。
成した四酸化ルテニウム溶液を、容積約５１のデシケー
タの下部に２０ｍｌ注入したのち、陶製の中板を入れ中
板上にＡ１（紙上の潜在指紋），Ａ２（ガラス上の潜在
指紋），Ａ３（陶器上の潜在指紋），Ａ４（金属上の潜
在指紋）の各試料を置き蓋をする。蓋をして数秒後に、
潜在指紋は黒色の指紋像となって出現する。５分後、蓋
を開けＡ１〜Ａ４の各試料を取り出す。各試料とも極め
て鮮明な黒色の指紋像が出現していた。
【００３０】
【実施例２】実施例１に使用した四酸化ルテニウム溶液
にガーゼを浸した後、このガーゼをピンセットで摘んで
取り出し、Ａ２，Ａ３，Ａ４の各試料は前記ガーゼに含
浸させた前記溶液を塗り付けて観察したところ、各試料
とも瞬時に鮮明な黒色の指紋像が出現した。
にガーゼを浸した後、このガーゼをピンセットで摘んで
取り出し、Ａ２，Ａ３，Ａ４の各試料は前記ガーゼに含
浸させた前記溶液を塗り付けて観察したところ、各試料
とも瞬時に鮮明な黒色の指紋像が出現した。
【００３１】
【実施例３】Ｂ１の方法で四酸化ルテニウム溶液を作成
した。この溶液を標準型ネブライザーに２ｍｌ入れ、空
気を送入して四酸化ルテニウム溶液の霧を発生させる。
一方、Ａ２試料をポリ塩化ビニリデン製の容積２１のバ
ッグに入れ、口を絞ってネブライザーの先端をバッグの
中に入れ、２秒間霧を噴射する。この時、噴射液が直接
Ａ２試料にかからぬように注意する。噴射と、ほとんど
同時に試料上に黒色の指紋像が出現する。噴霧後３分間
バッグの口を閉じたのち、試料をバッグから取り出す。
ビーカ上に５個の極めて明確な指紋像が出現した。
した。この溶液を標準型ネブライザーに２ｍｌ入れ、空
気を送入して四酸化ルテニウム溶液の霧を発生させる。
一方、Ａ２試料をポリ塩化ビニリデン製の容積２１のバ
ッグに入れ、口を絞ってネブライザーの先端をバッグの
中に入れ、２秒間霧を噴射する。この時、噴射液が直接
Ａ２試料にかからぬように注意する。噴射と、ほとんど
同時に試料上に黒色の指紋像が出現する。噴霧後３分間
バッグの口を閉じたのち、試料をバッグから取り出す。
ビーカ上に５個の極めて明確な指紋像が出現した。
【００３２】
【実施例４】実施例３で使用した四酸化ルテニウム溶液
をテフロン製のスポンジ（厚さ５ｍｍ，幅１０ｍｍ，長
さ１５ｍｍ）に１．５ｍｌ滴下して含浸する。一方、Ａ
１，Ａ３，Ａ４の各試料をガラス板上に置いて全体をテ
フロン製のフィルムで被覆して気密性の空間部を形成
し、この空間部の中に前記スポンジを入れ、１０分間放
置する。この間、前記フィルムの縁部とガラス板とを密
着させ、前記溶液及びその気化ガスが外部に漏えいしな
いように留意する。１０分間後にフィルムを取り外した
ところ、各試料には明瞭な黒色の指紋像が出現してい
た。なお、同一条件下において１分後に取り出した各試
料には、指紋像は出現するが、黒色濃度が低く指紋像の
判定はやや困難であった。特にＡ１の試料はその傾向が
強かった。
をテフロン製のスポンジ（厚さ５ｍｍ，幅１０ｍｍ，長
さ１５ｍｍ）に１．５ｍｌ滴下して含浸する。一方、Ａ
１，Ａ３，Ａ４の各試料をガラス板上に置いて全体をテ
フロン製のフィルムで被覆して気密性の空間部を形成
し、この空間部の中に前記スポンジを入れ、１０分間放
置する。この間、前記フィルムの縁部とガラス板とを密
着させ、前記溶液及びその気化ガスが外部に漏えいしな
いように留意する。１０分間後にフィルムを取り外した
ところ、各試料には明瞭な黒色の指紋像が出現してい
た。なお、同一条件下において１分後に取り出した各試
料には、指紋像は出現するが、黒色濃度が低く指紋像の
判定はやや困難であった。特にＡ１の試料はその傾向が
強かった。
【００３３】
【実施例５】実施例４と同じ四酸化ルテニウム溶液を使
用し、前記スポンジ含浸方式に代え、バブリング法によ
って前記溶液の気化ガスを前記気密性の空間部内へ約３
分間導入した後、１０分間放置した。１０分後にフィル
ムを取り外したところ、各試料には鮮明な黒色の指紋像
が出現していた。
用し、前記スポンジ含浸方式に代え、バブリング法によ
って前記溶液の気化ガスを前記気密性の空間部内へ約３
分間導入した後、１０分間放置した。１０分後にフィル
ムを取り外したところ、各試料には鮮明な黒色の指紋像
が出現していた。
【００３４】
【実施例６】実施例４と同じ四酸化ルテニウム溶液を使
用し、この溶液５ｍｌをピストン式の噴霧器（溶液容器
ガラス製、噴霧部ステンレス製）に仕込み、Ａ１〜Ａ４
の試料を入れた容積約１５ｌのガラス容器（熱帯魚水槽
をガラス板で蓋をする）中に３秒間噴霧する（溶液量約
１．５ｍｌ）。噴霧とほとんど同時に黒色の指紋が出現
するが噴霧後ガラス板で蓋をして５分間放置する。ガラ
ス容器から取り出した各試料には、極めて判然とした黒
色の指紋像が出現していた。
用し、この溶液５ｍｌをピストン式の噴霧器（溶液容器
ガラス製、噴霧部ステンレス製）に仕込み、Ａ１〜Ａ４
の試料を入れた容積約１５ｌのガラス容器（熱帯魚水槽
をガラス板で蓋をする）中に３秒間噴霧する（溶液量約
１．５ｍｌ）。噴霧とほとんど同時に黒色の指紋が出現
するが噴霧後ガラス板で蓋をして５分間放置する。ガラ
ス容器から取り出した各試料には、極めて判然とした黒
色の指紋像が出現していた。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、環境衛生上の問題はな
く、かつ、引火の危険性もなく、簡単な操作により短時
間で潜在指紋を顕在化して鮮明な指紋像を出現させるこ
とができる。
く、かつ、引火の危険性もなく、簡単な操作により短時
間で潜在指紋を顕在化して鮮明な指紋像を出現させるこ
とができる。
Claims (10)
- 【請求項１】 四酸化ルテニウムをパー・フルオロ・モ
ルフォリンを溶媒として溶解してなる溶液に、潜在指紋
を直接接触し、或いは前記溶液の霧化体又は気化ガス中
に潜在指紋を曝すことを特徴とする潜在指紋検出方法。 - 【請求項２】 前記四酸化ルテニウムが四酸化ルテニウ
ム固体であり、前記溶液は前記四酸化ルテニウム固体を
前記溶媒中に溶解してなる請求項１記載の潜在指紋検出
方法。 - 【請求項３】 前記四酸化ルテニウムが四酸化ルテニウ
ムガスであり、前記溶液は前記四酸化ルテニウムガスを
前記溶媒中に溶解してなる請求項１記載の潜在指紋検出
方法。 - 【請求項４】 前記四酸化ルテニウムガスがルテニウム
化合物と硝酸セリウムアンモニウムを、水を媒体として
反応させて合成した四酸化ルテニウムの気化ガスである
請求項３記載の潜在指紋検出方法。 - 【請求項５】 前記溶液は前記溶媒中でルテニウム化合
物と硝酸セリウムアンモニウムを、水を媒体として反応
させて合成した四酸化ルテニウムを前記溶媒中に溶解し
てなる請求項１記載の潜在指紋検出方法。 - 【請求項６】 前記溶液の霧化体は前記溶液を噴霧する
ことによって発生する請求項１記載の潜在指紋検出方
法。 - 【請求項７】 前記溶液の気化ガスは前記溶液を放置し
て前記溶液から自然発生する請求項１記載の潜在指紋検
出方法。 - 【請求項８】 前記溶液の気化ガスは前記溶液からバブ
リング法により発生する請求項１記載の潜在指紋検出方
法。 - 【請求項９】 潜在指紋が付着した検体を気密性容器又
は袋内に収容し、前記検体を前記溶液の霧化体又は気化
ガス中に曝す請求項１記載の潜在指紋検出方法。 - 【請求項１０】 潜在指紋が付着した検体をプラスチッ
クフィルム又はシートで被覆して前記検体の検出部位の
前面に気密性の空間部を形成し、前記検体を前記溶液の
霧化体又は気化ガス中に曝す請求項１記載の潜在指紋検
出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10280597A JP2000083929A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 潜在指紋検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10280597A JP2000083929A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 潜在指紋検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000083929A true JP2000083929A (ja) | 2000-03-28 |
Family
ID=17627258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10280597A Pending JP2000083929A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 潜在指紋検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000083929A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004283774A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Kaken:Kk | 燃料電池用触媒とその製造方法 |
| WO2006035281A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Precursor for film formation and method for forming ruthenium-containing film |
| EP2003180A1 (en) | 2007-06-12 | 2008-12-17 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet for identification and production method thereof |
| US7906175B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-03-15 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Methods for forming a ruthenium-based film on a substrate |
| US8859047B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-10-14 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Use of ruthenium tetroxide as a precursor and reactant for thin film depositions |
-
1998
- 1998-09-16 JP JP10280597A patent/JP2000083929A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004283774A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Kaken:Kk | 燃料電池用触媒とその製造方法 |
| WO2006035281A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Precursor for film formation and method for forming ruthenium-containing film |
| US7544389B2 (en) | 2004-09-28 | 2009-06-09 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Precursor for film formation and method for forming ruthenium-containing film |
| KR101244972B1 (ko) * | 2004-09-28 | 2013-03-18 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 막 형성용 전구체 및 루테늄 함유 막 형성 방법 |
| US7906175B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-03-15 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Methods for forming a ruthenium-based film on a substrate |
| US8435428B2 (en) | 2007-02-21 | 2013-05-07 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Methods for forming a ruthenium-based film on a substrate |
| EP2003180A1 (en) | 2007-06-12 | 2008-12-17 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet for identification and production method thereof |
| US8859047B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-10-14 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Use of ruthenium tetroxide as a precursor and reactant for thin film depositions |
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