JP2000082396A - Manufacture of cathode substrate - Google Patents

Manufacture of cathode substrate

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JP2000082396A
JP2000082396A JP25267998A JP25267998A JP2000082396A JP 2000082396 A JP2000082396 A JP 2000082396A JP 25267998 A JP25267998 A JP 25267998A JP 25267998 A JP25267998 A JP 25267998A JP 2000082396 A JP2000082396 A JP 2000082396A
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Japan
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cathode
thin plate
burrs
cathode substrate
sintered body
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JP25267998A
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Japanese (ja)
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Akito Hara
昭人 原
Naoto Muro
直人 室
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance an electron emission performance without impairing an electrode substrate surface by coating one surface of a metal sintered body thin plate with a brazing filler metal, irradiating it with a laser to generate burrs on a surface on which the brazing filler metal is not applied, cutting it off, removing the burrs and impregnating it with an electron emission substance. SOLUTION: A brazing filler metal comprising a ruthenium-molybdenum alloy is applied on one surface of a porous tungsten thin plate 12 and is dried. The thin plate is heated in a reducing atmosphere to form a ruthenium-molybdenum alloy layer 13. When a cathode substrate is cut off by irradiating it with a laser, a burr does not generate on a surface on which the brazing filler metal comprising a strong alloy layer 13 is applied and fragile burrs B of a metal sintered body is generated only on the thin body 12 side. Accordingly, the burrs B can be removed without crushing an opening of a hole on a cathode surface and a reduction of the electron emission performance can be prevented. An electron emission substance 14 comprising barium oxide is laded on the tungsten-exposed surface side of the thin plate 12 and the substance 14 melts in the hole of the cathode substrate in a reducing atmosphere to perform impregnation.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はカラー受像管などの
電子管に設けられる電子銃構体に使用される含浸型陰極
基体を製造する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an impregnated cathode substrate used for an electron gun structure provided in an electron tube such as a color picture tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、カラー受像管などの電子管に設け
られる電子銃構体には、陰極として酸化物陰極に比較し
て大電流密度が得られる含浸型陰極基体を用いた含浸型
陰極構体が用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, an electron gun assembly provided in an electron tube such as a color picture tube uses an impregnated cathode structure using an impregnated cathode substrate which can obtain a large current density as compared with an oxide cathode. Have been.

【0003】図4は含浸型陰陰構体を示す―部切欠斜視
図である。図中1は例えば円盤型をなす含浸型陰極基体
で、この陰極基体1はタングステンなどの高融点金属焼
結体からなる基体に電子放射性物資を含浸したものであ
る。この陰極基体1はろう材2を介してカップ3に嵌合
固着されている。カップ3は陰極スリーブ4の―端部に
取り付けられ、この陰極スリーブ4の内部には図示しな
いヒータが設けられている。陰極スリーブ4の外部には
陰極支持筒5が同軸的に配置され、この陰極支持筒5は
複数の陰極支持子6を介して陰極スリーブ4を支持して
いる。
FIG. 4 is a partially cutaway perspective view showing an impregnated yin-shade structure. In the figure, reference numeral 1 denotes a disk-shaped impregnated cathode substrate, for example, which is formed by impregnating a substrate made of a high-melting-point metal sintered body such as tungsten with an electron-emitting substance. This cathode base 1 is fitted and fixed to a cup 3 via a brazing material 2. The cup 3 is attached to the negative end of the cathode sleeve 4, and a heater (not shown) is provided inside the cathode sleeve 4. A cathode support tube 5 is coaxially arranged outside the cathode sleeve 4, and the cathode support tube 5 supports the cathode sleeve 4 via a plurality of cathode supports 6.

【0004】このような陰極構体に設けられる陰極基体
1は、従来は図5および図6に示す方法により製造され
ている。図5および図6は夫々陰極基体の製造工程を示
している。
The cathode substrate 1 provided on such a cathode assembly is conventionally manufactured by the method shown in FIGS. 5 and 6 show the steps of manufacturing the cathode substrate, respectively.

【0005】まず、図5(a)に示すように例えば多孔
質タングステンからなる棒状のタングステン焼結体11
を用意する。この棒状のタングステン焼結体11は可及
的に太くして(現状では直径100mmまでの焼結体を
得ることが可能である。)成形する。次いで、この棒状
のタングステン焼結体11に対して機械加工性を向上さ
せるために空孔内部に銅を含浸させる処理を行ない、そ
の後図5(b)に示すようにワイヤソーなどを用いて棒
状のタングステン焼結体11に対してスライシング加工
を行なって薄板状に分割切断して例えば厚さが320μ
m程度の複数の多孔質タングステン薄板12を形成す
る。次いで、この多孔質タングステン薄板11に対して
酸処理および水素処理を施して空孔内部に含浸している
銅Cuを除去する。
First, as shown in FIG. 5A, for example, a rod-shaped tungsten sintered body 11 made of porous tungsten is used.
Prepare The rod-shaped tungsten sintered body 11 is formed as thick as possible (currently, a sintered body with a diameter of up to 100 mm can be obtained). Next, in order to improve the machinability, the rod-shaped tungsten sintered body 11 is subjected to a process of impregnating the inside of the holes with copper, and thereafter, as shown in FIG. The tungsten sintered body 11 is subjected to slicing and divided into thin plates to have a thickness of, for example, 320 μm.
A plurality of porous tungsten thin plates 12 of about m are formed. Next, the porous tungsten thin plate 11 is subjected to an acid treatment and a hydrogen treatment to remove copper Cu impregnated in the pores.

【0006】次いで、図6(a)に示すように多孔質タ
ングステン薄板12の一方の表面にはルテニウム―モリ
ブデンからなるろう材を塗布して乾燥させた後還元雰囲
気中で加熱してルテニウム―モリブデン合金層13を形
成する。この合金層13の厚さは例えば約15μmであ
る。次いで、図6(b)に示すように多孔質タングステ
ン薄板12の他方の面、すなわちルテニウム―モリブデ
ン合金層13を形成していない面に酸化バリウムなどか
らなる電子放射物質14を積載し、この物質14を還元
性雰囲気中にて多孔質タングステン薄板12の空孔内部
に溶融して含浸する。
[0006] Next, as shown in FIG. 6 (a), a brazing material made of ruthenium-molybdenum is applied to one surface of the porous tungsten thin plate 12, dried, and then heated in a reducing atmosphere to form ruthenium-molybdenum. An alloy layer 13 is formed. The thickness of the alloy layer 13 is, for example, about 15 μm. Next, as shown in FIG. 6B, the other surface of the porous tungsten thin plate 12, that is, the surface on which the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 is not formed, is loaded with an electron emitting material 14 made of barium oxide or the like. 14 is melted and impregnated in the pores of the porous tungsten thin plate 12 in a reducing atmosphere.

【0007】次いで、図6(c)に示すように電子放射
物質14が含浸され一面にルテニウム―モリブデン合金
層13が形成された多孔質タングステン薄板12に対し
て高速パルス発振によるYAGレーザを照射して、多孔
質タングステン薄板12から所定形状をなす複数の陰極
基体15を切り取る。得られた陰極基体15は多孔質タ
ングステンからなるもので、一面にルテニウム―モリブ
デン合金層13が形成され、他面が電子放射面となって
いる。
Next, as shown in FIG. 6 (c), a porous tungsten thin plate 12 impregnated with an electron emitting material 14 and having a ruthenium-molybdenum alloy layer 13 formed on one surface is irradiated with a YAG laser by high-speed pulse oscillation. Then, a plurality of cathode bases 15 having a predetermined shape are cut out from the porous tungsten thin plate 12. The obtained cathode substrate 15 is made of porous tungsten, and has a ruthenium-molybdenum alloy layer 13 formed on one surface and an electron emission surface on the other surface.

【0008】このレーザ加工は、多孔質タングステン薄
板12における電子放射面(陰極基体15における電子
放射面)、すなわちルテニウム―モリブデン合金層13
を形成していない他方の面を保護するために、多孔質タ
ングステン薄板12の一方の面、すなわちルテニウム―
モリブデン合金層13から多孔質タングステン薄板12
に入射させる。また、多孔質タングステン薄板12はル
テニウム―モリブデン合金層13を含めると全体の厚さ
が例えば約360μmと厚いために長時間をかけてレー
ザ光を照射する。
In this laser processing, the electron emission surface of the porous tungsten thin plate 12 (the electron emission surface of the cathode substrate 15), that is, the ruthenium-molybdenum alloy layer 13
In order to protect the other surface on which no is formed, one surface of the porous tungsten thin plate 12, namely, ruthenium-
From the molybdenum alloy layer 13 to the porous tungsten thin plate 12
Incident on In addition, since the entire thickness of the porous tungsten thin plate 12 including the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 is as thick as, for example, about 360 μm, it is irradiated with laser light for a long time.

【0009】これらのことから図6(d)に示すように
レーザ照射により得られた陰極基体15では、その外周
縁、すなわちレーザ光による切断線に沿ってルテニウム
―モリブデン合金層13の一部が大きく盛り上がって強
固な高さが例えば50μmの「ばりA」が生じる。説明
を加えると、レーザ光照射により加工を行なう場合に、
ま陰極基体15の周縁部にルテニウム―モリブデン合金
層13の強固なばりAが形成され、続いてルテニウム―
モリブデン合金層13のばりAに沿って陰極基体15の
ばりAが形成される。タングステンが溶融凝固したばり
Aは結晶の再結晶合により脆化しているために共摺りや
振動を与える容易に除去できる。しかし、ルテニウム―
モリブデン合金層13のばりAは強固で容易に除去する
ことができない。
From these facts, as shown in FIG. 6D, in the cathode base 15 obtained by laser irradiation, a part of the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 is formed along the outer peripheral edge, that is, along the cutting line by the laser light. A "burr A" having a large height and a strong height of, for example, 50 μm is generated. In addition, when processing by laser beam irradiation,
Further, a strong flash A of the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 is formed on the periphery of the cathode base 15,
The flash A of the cathode base 15 is formed along the flash A of the molybdenum alloy layer 13. The flash A in which tungsten is melt-solidified is embrittled by recrystallization of the crystal, so that it can be easily removed by applying rubbing or vibration. But ruthenium
The flash A of the molybdenum alloy layer 13 is strong and cannot be easily removed.

【0010】そこで、従来にはこの陰極基体15におけ
るばりAを除去するために、陰極基体15に対してタン
ブリング処理を行なっている。このタンブリング処理
は、例えば直径数mmのSiO2 とAl23 を主成分
とする研磨剤を1リットルのポットに約半分の量を陰極
基体とともに投入し、ポットを自転および公転させてタ
ンブリングを行なうことにより、図6(e)に示すよう
にルテニウム―モリブデン合金層13のばりAを除去し
ている。この加工は、ルテニウム―モリブデン合金層1
3のばりAが強固であるために例えば1時間程の長い時
間を必要とする。なお、陰極基体15は図4に示す陰極
基体1に相当し、ルテニウム―モリブデン合金層13は
図4に示すろう材2に相当する。
Therefore, conventionally, a tumbling process is performed on the cathode base 15 in order to remove the flash A from the cathode base 15. In this tumbling treatment, for example, about half the amount of an abrasive mainly composed of SiO 2 and Al 2 O 3 having a diameter of several mm is put into a 1-liter pot together with the cathode substrate, and the pot is rotated and revolved to perform tumbling. As a result, the flash A of the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 is removed as shown in FIG. This processing is performed on the ruthenium-molybdenum alloy layer 1
Since the flash A of No. 3 is strong, it takes a long time, for example, about one hour. The cathode base 15 corresponds to the cathode base 1 shown in FIG. 4, and the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 corresponds to the brazing material 2 shown in FIG.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】このような陰極基体を
製造する従来の製造方法には次に述べる問題がある。す
なわち、電子放射物質14が含浸され一面にルテニウム
―モリブデン合金層13が形成された多孔質タングステ
ン薄板12から陰極基体15を切り取るためにレーザ光
をルテニウム―モリブデン合金層13側から多孔質タン
グステン薄板12に照射しているので、ルテニウム―モ
リブデン合金層13に強固なばりAが形成される。そこ
で、この強固なルテニウム―モリブデン合金層13のば
りAを取り除くために長時間にわたりタンブリング加工
を行っている。
The conventional manufacturing method for manufacturing such a cathode substrate has the following problems. That is, in order to cut the cathode base 15 from the porous tungsten sheet 12 impregnated with the electron emitting material 14 and having the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 formed on one surface, a laser beam is applied from the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 side to the porous tungsten sheet 12. , A strong flash A is formed in the ruthenium-molybdenum alloy layer 13. Therefore, tumbling is performed for a long time to remove the flash A of the strong ruthenium-molybdenum alloy layer 13.

【0012】しかし、このように陰極基体15に対して
長時間のタンブリング加工を行うと、陰極基体15の表
面も加工されて基体表面に存在するタングステン粒が延
ばされて基体表面で開口する空孔の開口部を閉じて状態
に至ることがある。このように陰極基体15の空孔の目
潰れが生じると、陰極基体15内部に含浸されている電
子放射物質が陰極基体表面に拡散する経路が遮断される
ことになり、陰極基体から必要とする量の電子の放射が
行えず電子放射能力が低下するという問題が発生してい
る。
However, if the tumbling process is performed on the cathode base 15 for a long time as described above, the surface of the cathode base 15 is also processed, and the tungsten particles existing on the surface of the base are extended, so that the vacancy opening on the surface of the base is opened. The opening of the hole may be closed to reach a state. When the pores of the cathode base 15 are crushed in this way, a path through which the electron-emitting substance impregnated inside the cathode base 15 diffuses to the surface of the cathode base is cut off. There is a problem in that the amount of electrons cannot be emitted and the electron emission ability is reduced.

【0013】また、多孔質タングステン薄板12を製造
する工程におけるスライイシング加工の時にも、多孔質
タングステン薄板12の表面における空孔の開口が部分
的に目潰れされてされてしまい、前述の場合と同様な問
題が発生している。
Also, at the time of slicing in the process of manufacturing the porous tungsten thin plate 12, the openings of the holes on the surface of the porous tungsten thin plate 12 are partially crushed. A similar problem has occurred.

【0014】本発明は前記事情に基づいてなされてもの
で、陰極基体表面に存在するばりを陰極基体表面の状態
を損なうことなく容易に除去でき優れた電子放射能力を
有する陰極基体を得ることができる製造方法を提供する
ことを課題とする。
Since the present invention has been made in view of the above circumstances, it is possible to obtain a cathode substrate having an excellent electron emission ability by which burrs existing on the surface of the cathode substrate can be easily removed without impairing the condition of the surface of the cathode substrate. It is an object to provide a manufacturing method which can be performed.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明にかかわ
る陰極基体の製造方法は、金属焼結体からなる薄板のの
一方の表面にろう材を塗布する工程と、前記焼結体薄板
にレーザ光を照射して前記焼結体薄板から前記ろう材を
塗布していない他方の表面側のみにばりが発生するよう
に陰極基体を切り抜く工程と、切り抜かれた陰極基体か
らばりを除去する工程と、前記陰極基体に電子放射物質
を含浸する工程とを具備することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a cathode base, comprising: applying a brazing material to one surface of a thin plate made of a metal sintered body; A step of irradiating a laser beam to cut out the cathode base from the sintered thin plate so that burrs are generated only on the other surface side where the brazing material is not applied, and a step of removing burrs from the cut-out cathode base And a step of impregnating the cathode substrate with an electron-emitting substance.

【0016】この発明の構成によれば、焼結体薄板から
レーザ光照射により陰極基体を切り取る場合に、強固な
ろう材のばりを発生させることがなく金属焼結体の脆い
ばりのみが生じるので、陰極基体表面に存在するばりを
陰極基体表面の状態を損なうことなく容易に除去できて
優れた電子放射性能力を有する陰極基体を得ることがで
きる請求項2の発明にかかわる陰極基体の製造方法は、
焼結体薄板の一方の表面にろう材を塗布する工程と、前
記焼結体薄板にレーザ光を照射して前記焼結体薄板から
前記ろう材を塗布していない他方の表面側のみにばりが
発生するように陰極基体を切り抜く工程と、切り抜かれ
た陰極基体からばりを除去する工程と、前記陰極基体に
電子放射物質を含浸する工程と、含浸処理された前記陰
極基体の表面に存在する余剰の電子放射物質を除去する
工程とを具備することを特徴とする。
According to the structure of the present invention, when the cathode substrate is cut from the sintered thin plate by irradiating a laser beam, only a brittle bur of the metal sintered body is generated without generating a strong brazing filler metal. The method for manufacturing a cathode substrate according to the invention of claim 2, wherein burrs present on the surface of the cathode substrate can be easily removed without impairing the condition of the surface of the cathode substrate, and a cathode substrate having excellent electron-emitting ability can be obtained. ,
A step of applying a brazing material to one surface of the sintered body thin plate; and irradiating a laser beam to the sintered body thin plate to burr only the other surface side where the brazing material is not applied from the sintered body thin plate. A step of cutting out the cathode substrate so as to generate the gas, a step of removing burrs from the cut-out cathode substrate, a step of impregnating the cathode substrate with an electron emitting material, and a step of impregnating the surface of the impregnated cathode substrate. Removing excess electron emitting material.

【0017】請求項3の発明にかかわる陰極基体の製造
方法は、焼結体薄板の一方の表面にろう材を塗布する工
程と、前記焼結体薄板にレーザ光を照射して前記焼結体
薄板から前記ろう材を塗布していない他方の表面側のみ
にばりが発生するように陰極基体を切り抜く工程と、切
り抜かれた陰極基体からばりを除去する工程と、前記陰
極基体に電子放射物質を含浸する工程と、含浸処理され
た前記陰極基体の表面に存在する余剰の電子放射物質を
除去する工程と、前記陰極基体の表面に表面コーティン
グを施す工程とを具備することを特徴とする。
A method of manufacturing a cathode substrate according to a third aspect of the present invention comprises the steps of: applying a brazing material to one surface of a sintered compact; and irradiating the sintered compact with a laser beam. A step of cutting out the cathode base from the thin plate so that burrs are generated only on the other surface side where the brazing material is not applied, a step of removing the burrs from the cut-out cathode base, and applying an electron emitting material to the cathode base. The method includes a step of impregnating, a step of removing surplus electron emitting material present on the surface of the impregnated cathode base, and a step of applying a surface coating to the surface of the cathode base.

【0018】請求項2および請求項3の発明によれば、
陰極基体表面の状態を損なうことなく容易にばりを除去
して電子放射能力を高めることに加えて、電子放射物質
を含浸後に基体表面状態を向上させて一層電子放射能力
を高めることができる。
According to the second and third aspects of the present invention,
In addition to easily removing the burrs without impairing the state of the surface of the cathode substrate and improving the electron emission capability, the surface condition of the substrate after impregnation with the electron emission material can be improved to further enhance the electron emission capability.

【0019】請求項4の発明にかかわる陰極基体の製造
方法は、請求項1ないし3いずれかに記載の陰極基体の
製造方法において、前記切り抜かれた陰極基体からばり
を除去する工程は、前記陰極基体をエッチングするもの
であること特徴とする請求項5の発明にかかわる陰極基
体の製造方法は、請求項1ないし3いずれかに記載の陰
極基体の製造方法において、前記切り抜かれた陰極基体
からばりを除去する工程は、前記陰極基体をエッチング
した後に超音波洗浄するものであること特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a cathode substrate according to any one of the first to third aspects, the step of removing burrs from the cut-out cathode substrate comprises the step of: 6. The method of manufacturing a cathode substrate according to claim 5, wherein the substrate is etched. The method of manufacturing a cathode substrate according to claim 1, further comprising: The step of removing is characterized by performing ultrasonic cleaning after etching the cathode substrate.

【0020】請求項4および5の発明によれば、陰極基
体表面に発生したばりを確実に除去することができる。
請求項6の発明にかかわる陰極基体の製造方法は、請求
項1ないし3いずれかに記載の陰極基体の製造方法にお
いて、前記焼結体薄板はタングステン焼結体からなる薄
板であること特徴とする。
According to the fourth and fifth aspects of the present invention, burrs generated on the surface of the cathode base can be reliably removed.
According to a sixth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a cathode substrate according to any one of the first to third aspects, the thin sintered body is a thin sheet made of a tungsten sintered body. .

【0021】請求項7の発明にかかわる陰極基体の製造
方法は、請求項1ないし3いずれかに記載の陰極基体の
製造方法において、前記ろう材はルテニウムーモリブデ
ン合金からなるものであること特徴とする。請求項6お
よび7の発明の構成によれば、陰極基体を構成する材料
に適切なものを用いることができる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method of manufacturing a cathode substrate according to any one of the first to third aspects, the brazing material is made of a ruthenium-molybdenum alloy. I do. According to the configuration of the invention of claims 6 and 7, it is possible to use a material suitable for the material constituting the cathode base.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
1を参照して説明する。図1は夫々陰極基体の製造方法
の工程を示している。この実施の形態では、図5および
図6に示す前述した従来の陰極基体の製造方法の説明と
同じ品物については同じ符合で示している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows steps of a method for manufacturing a cathode substrate. In this embodiment, the same items as those described in the above-described conventional method of manufacturing a cathode base shown in FIGS. 5 and 6 are denoted by the same reference numerals.

【0023】まず、前述した従来の製造方法の工程と同
様に、図5の示すように例えば棒状のタングステン焼結
体を用意し、この棒状のタングステン焼結体に対して機
械加工性を向上させるために空孔内部に銅を含浸させる
処理を行ない、その後ワイヤソーなどを用いて棒状のタ
ングステン焼結体に対してスライシング加工を行なって
薄板状に分割切断して、図1(a)に示すように例えば
厚さ直径90mm、厚さ320μm程度の複数の多孔質
タングステン薄板12を形成する。次いで、この多孔質
タングステン薄板12に対して酸処理および水素処理を
施して空孔内部に含浸している銅を除去する。タングス
テン焼結体は陰極基体の材料として適切である。
First, as shown in FIG. 5, for example, a rod-shaped tungsten sintered body is prepared, and the machinability of the rod-shaped tungsten sintered body is improved in the same manner as in the above-described conventional manufacturing method. For this purpose, a process of impregnating the inside of the holes with copper is performed, and thereafter, a rod-shaped tungsten sintered body is subjected to slicing using a wire saw or the like to be cut into thin plates and cut into thin plates as shown in FIG. Then, a plurality of porous tungsten thin plates 12 having a thickness of, for example, 90 mm and a thickness of about 320 μm are formed. Next, the porous tungsten thin plate 12 is subjected to an acid treatment and a hydrogen treatment to remove copper impregnated in the pores. The tungsten sintered body is suitable as a material for the cathode substrate.

【0024】次いで、図1(b)に示すように多孔質タ
ングステン薄板12の一方の表面にはルテニウム―モリ
ブデン合金からなるろう材を塗布して乾燥させた後還元
雰囲気中で加熱してルテニウム―モリブデン合金層13
を形成する。この合金層13の厚さは例えば約15μm
である。ルテニウム―モリブデン合金はろう材として適
切な材料である。
Next, as shown in FIG. 1B, a brazing material made of a ruthenium-molybdenum alloy is applied to one surface of the porous tungsten thin plate 12 and dried, and then heated in a reducing atmosphere to form a ruthenium-containing material. Molybdenum alloy layer 13
To form The thickness of the alloy layer 13 is, for example, about 15 μm.
It is. Ruthenium-molybdenum alloy is a suitable material as a brazing filler metal.

【0025】次いで、図1(c)に示すように一面にル
テニウム―モリブデン合金層13が形成された多孔質タ
ングステン薄板12に対してYAGレーザを照射して。
多孔質タングステン薄板12から所定形状をなす複数の
陰極基体15を切り取る。得られた陰極基体15は多孔
質タングステンからなるもので、一面にルテニウム―モ
リブデン合金層13が形成され、他面が電子放射面とな
っている。
Next, as shown in FIG. 1C, a porous tungsten thin plate 12 having a ruthenium-molybdenum alloy layer 13 formed on one surface was irradiated with a YAG laser.
A plurality of cathode bases 15 having a predetermined shape are cut out from the porous tungsten thin plate 12. The obtained cathode substrate 15 is made of porous tungsten, and has a ruthenium-molybdenum alloy layer 13 formed on one surface and an electron emission surface on the other surface.

【0026】このレーザ照射により多孔質タングステン
薄板12から陰極基体15を切り取る加工では、陰極基
体12の外周縁、すなわち切断線に沿ってばりが発生す
る。本発明の実施の形態では、図1(d)に示すように
このレーザ照射によりルテニウム―モリブデン合金層1
3が形成された多孔質タングステン薄板12から陰極基
体15を切り取る加工において、陰極基体15における
電子放射面、すなわちルテニウム―モリブデン合金層1
3が形成されておらず多孔質タングステン薄板の表面が
直接露出している面側のみにばりBが形成されるように
する。すなわち、陰極基体15にその基体材料である多
孔質タングステンのみにばりBが発生するようにする。
In the process of cutting the cathode base 15 from the porous tungsten thin plate 12 by the laser irradiation, burrs are generated along the outer peripheral edge of the cathode base 12, that is, along the cutting line. In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1D, the ruthenium-molybdenum alloy layer 1 is irradiated by this laser irradiation.
In the process of cutting the cathode substrate 15 from the porous tungsten thin plate 12 on which the electrode 3 is formed, the electron emission surface of the cathode substrate 15, that is, the ruthenium-molybdenum alloy layer 1
The burrs B are formed only on the surface side where the surface of the porous tungsten thin plate is directly exposed without forming 3. That is, burrs B are formed only on the porous tungsten which is the base material of the cathode base 15.

【0027】陰極基体15におけるタングステン露出面
側のみにばりBを発生させる方法としては次に挙げる方
法がある。例えば、高速のパルスYAGレーザ(レーザ
媒質にイットリウム、アルミニウムおよびガーネットを
用いた固体レーザで、波長が14μmと短い。)を用い
た場合は、陰極基体15におけるタングステン露出面を
入射面としてレーザを照射すると、タングステン露出面
側のみにタングステンの脆いばりBが発生する。この場
合のレーザ照射条件は、例えば出力24W、パルスくり
返し数4KHz、切断速度7mm/秒で12回加工す
る。
The following method can be used to generate burrs B only on the exposed tungsten side of the cathode base 15. For example, when a high-speed pulse YAG laser (a solid-state laser using yttrium, aluminum, and garnet as a laser medium and having a short wavelength of 14 μm) is used, the laser is irradiated with the tungsten exposed surface of the cathode base 15 as an incident surface. Then, the brittle burrs B of tungsten are generated only on the tungsten exposed surface side. Laser irradiation conditions in this case are, for example, processing 12 times at an output of 24 W, a pulse repetition rate of 4 KHz, and a cutting speed of 7 mm / sec.

【0028】また、ノーマルのパルスYAGレーザを用
いた場合には、ルテニウム―モリブデン合金層13を入
射面として、1パルスでテニウム―モリブデン合金層が
形成された多孔質タングステン薄板12を貫通する程度
の高いエネルギー(例えば100mJ/パルス以上)を
入射させて1回切断加工することにより、陰極基体15
におけるタングステン露出面側のみにタングステンの脆
いばりBが発生する。
When a normal pulse YAG laser is used, the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 is used as an incident surface, and the pulse passes through the porous tungsten thin plate 12 on which the ruthenium-molybdenum alloy layer is formed in one pulse. By performing high-energy (for example, 100 mJ / pulse or more) and cutting once, the cathode substrate 15
In this case, the brittle burrs B of tungsten are generated only on the exposed side of tungsten.

【0029】次に図1(e)に示すように陰極基体15
に対してエッチングを施し、陰極基体15におけるタン
グステン露出面側のみに発生したタングステンの脆いば
りBを除去するとともに、レーザ加工時に飛散して陰極
基体15の表面に付着した不純物を除去する。また、こ
のエッチングにより、前述した多孔質タングステン薄板
を製造する工程におけるスライイシング加工の時に発生
した陰極基体15の表面における空孔の目潰れが取り除
かれて、表面における空孔が十分に開口される。
Next, as shown in FIG.
Is etched to remove the brittle burrs B of tungsten generated only on the exposed tungsten surface side of the cathode base 15 and to remove impurities that are scattered during laser processing and adhere to the surface of the cathode base 15. In addition, by this etching, the pores on the surface of the cathode base 15 generated during the slicing process in the process of manufacturing the porous tungsten thin plate described above are removed, and the holes on the surface are sufficiently opened. .

【0030】その後、陰極基体15を純水およびアルコ
ールなどの溶剤中で超音波洗浄を行う。この時、超音波
によりディスクが振動して、エッチングにより除去しき
れずに陰極基体15の表面に部分的に残っていたばりが
全て除去される。すなわち、エッチングに加えて超音波
洗浄を行うことにより一層確実にばりを除去できる。
Thereafter, the cathode base 15 is subjected to ultrasonic cleaning in a solvent such as pure water and alcohol. At this time, the disk vibrates due to the ultrasonic waves, and all the flashes remaining partially on the surface of the cathode base 15 without being completely removed by etching are removed. That is, burrs can be more reliably removed by performing ultrasonic cleaning in addition to etching.

【0031】このように一面にルテニウム―モリブデン
合金層13が形成された多孔質タングステン薄板12に
レーザ光を照射してこの多孔質タングステン薄板12か
らろう材であるルテニウム―モリブデン合金層を塗布し
ていない他方の表面側のみにばりが発生するように陰極
基体15を切り抜き、その後に陰極基体15からばりを
除去して陰極基体15に電子放射物質を含浸することに
より、多孔質タングステン薄板12からレーザ光照射に
より陰極基体15を切り取る場合に、強固なろう材のば
りを発生させることがなく金属焼結体(タングステン焼
結体)の脆いばりBのみが生じる。このため、陰極基体
15表面に存在するばりを陰極基体15表面の状態を損
なうことなく容易に除去できる。すなわち、従来のよう
にタンブリング処理のような陰極基体の表面おける空孔
の開口を潰すような加工を行うことなくばりBを除去で
きる。もしばりBを取り除く時に陰極基体15の表面に
存在するタングステン粒が延ばされて基体表面で開口す
る空孔の開口部を閉じて状態に至ると、陰極基体15内
部に含浸されている電子放射物質が陰極基体表面に拡散
する経路が遮断され、必要とする量の電子放射物質の放
射が行えず電子放射能力が低下する。従って、陰極基体
15の表面における空孔の開口を潰すことなくばりBを
除去することにより電子放射能力の低下を防止できる。
The porous tungsten thin plate 12 having the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 formed on one side is irradiated with a laser beam to apply a ruthenium-molybdenum alloy layer as a brazing material from the porous tungsten thin plate 12. The cathode substrate 15 is cut out so that burrs are generated only on the other surface side, and then the burrs are removed from the cathode substrate 15 and the cathode substrate 15 is impregnated with an electron-emitting substance. When the cathode substrate 15 is cut off by light irradiation, only a brittle burr B of a metal sintered body (tungsten sinter) is generated without generating a strong brazing filler metal. Therefore, burrs existing on the surface of the cathode base 15 can be easily removed without impairing the state of the surface of the cathode base 15. That is, the burrs B can be removed without performing a conventional process such as tumbling to crush the openings of the holes in the surface of the cathode substrate. If the tungsten particles existing on the surface of the cathode base 15 are extended when the burrs B are removed and the openings of the holes opened on the surface of the base are closed to reach the state, the electron emission impregnated inside the cathode base 15 The path through which the substance diffuses to the surface of the cathode substrate is blocked, and the required amount of the electron-emitting substance cannot be emitted, so that the electron-emitting ability is reduced. Accordingly, by removing the burrs B without crushing the openings of the holes on the surface of the cathode base 15, a decrease in the electron emission ability can be prevented.

【0032】次に図1(f)に示すように陰極基体15
におけるタングステン露出面側に、酸化バリウムなどか
らなる電子放射物質14を積載し、この物質14を還元
性雰囲気中にて陰極基体15における空孔内部に溶融し
て含浸する。これにより図1(g)に示される陰極基体
を製造できる。なお、陰極基体15は図4に示す陰極基
体1に相当し、ルテニウム―モリブデン合金層13は図
4に示すろう材2に相当する。
Next, as shown in FIG.
The electron emitting substance 14 made of barium oxide or the like is loaded on the exposed side of tungsten in the above, and this substance 14 is melted and impregnated into the pores of the cathode substrate 15 in a reducing atmosphere. Thus, the cathode substrate shown in FIG. 1 (g) can be manufactured. The cathode base 15 corresponds to the cathode base 1 shown in FIG. 4, and the ruthenium-molybdenum alloy layer 13 corresponds to the brazing material 2 shown in FIG.

【0033】次いで、陰極基体15に対して振動などの
手段を加えて、陰極基体15の表面に付着した余剰の電
子放射物質14を除去する。これにより陰極基体15の
表面の寸法精度が向上し、電子放射が必要とする方向へ
良好に行うことができる。陰極基体15の表面に余剰の
電子放射物質14が付着していると、陰極基体15の表
面の寸法精度が低下して電子が不要な方向へ放射される
ことになる。これにより電子放射物質含浸後に陰極基体
15の表面状態が改善されて陰極基体15の電子放射特
性がさらに向上する。
Next, a means such as vibration is applied to the cathode base 15 to remove the excess electron emitting substance 14 attached to the surface of the cathode base 15. As a result, the dimensional accuracy of the surface of the cathode base 15 is improved, and the electron emission can be favorably performed in a required direction. If the surplus electron emitting substance 14 adheres to the surface of the cathode base 15, the dimensional accuracy of the surface of the cathode base 15 decreases, and electrons are emitted in unnecessary directions. As a result, the surface state of the cathode base 15 is improved after the impregnation with the electron emitting substance, and the electron emission characteristics of the cathode base 15 are further improved.

【0034】また、このように余剰の電子放射物質14
を取り除いた後に後陰極基体15に対して洗浄および乾
燥を行う。これにより電子放射物質14を取り除いた後
に陰極基体15の表面状態がさらに改善されて陰極基体
15の電子放射特性がさらに向上する。
Also, as described above, the surplus electron emitting material 14
After the removal, the cathode body 15 is washed and dried. As a result, the surface condition of the cathode base 15 after the removal of the electron emitting material 14 is further improved, and the electron emission characteristics of the cathode base 15 are further improved.

【0035】さらにまた、この洗浄および乾燥の後に、
陰極基体15の表面に表面コーティング、例えばイリジ
ウムIr、ルテニウムRu、オスミウムOsなどのコー
ティングを施す。この表面コーティングにより陰極基体
15の表面からの電子放射が揃えられて良好に行われる
電子放射特性がさらに向上する。
Furthermore, after this washing and drying,
A surface coating, for example, a coating of iridium Ir, ruthenium Ru, osmium Os, or the like is applied to the surface of the cathode substrate 15. By this surface coating, the electron emission from the surface of the cathode substrate 15 is uniformed, and the electron emission characteristics that are favorably performed are further improved.

【0036】このように陰極基体表面の状態を損なうこ
となく容易にばりを除去して電子放射能力を高めること
に加えて、電子放射物質を含浸した後に基体表面状態を
向上させて一層電子放射能力を高めることができる。
As described above, in addition to easily removing the burrs without impairing the condition of the surface of the cathode substrate to increase the electron emission capability, the surface condition of the substrate is improved after impregnation with the electron emission material to further enhance the electron emission capability. Can be increased.

【0037】そして、このように製造した陰極基体は従
来と同様に組み立てられて所要の含浸型陰極構体が構成
される。この陰極構体は、 電子放射能力に優れた陰極基
体を用いているために優れた特性を有している。
The cathode substrate thus manufactured is assembled in the same manner as in the prior art to form a required impregnated cathode assembly. This cathode structure has excellent characteristics because it uses a cathode base having excellent electron emission ability.

【0038】図2は本発明の製造方法により製造された
陰極基体を形成するタングステン焼結体の表面を顕微鏡
で拡大して示す写真で、この写真によれば本発明により
製造された陰極基体の表面は空孔の開口が潰れていない
ことが判る。図3は従来の製造方法により製造された陰
極基体を形成するタングステン焼結体の表面を顕微鏡で
拡大して示す写真で、この写真によれば本発明により製
造された陰極基体の表面は空孔の開口が潰れていること
が判る。なお、本発明は前記実施の形態に限定されず、
種々変形して実施することができる。
FIG. 2 is an enlarged photograph of the surface of the tungsten sintered body forming the cathode substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention under a microscope. According to this photograph, the surface of the cathode substrate manufactured by the present invention is shown. It can be seen that the opening of the hole is not crushed on the surface. FIG. 3 is an enlarged photograph of a surface of a tungsten sintered body forming a cathode substrate manufactured by a conventional manufacturing method, which is shown by a microscope. According to this photograph, the surface of the cathode substrate manufactured by the present invention has pores. It can be seen that the opening is crushed. The present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications can be made.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように請求項1の発明にか
かわる陰極基体の製造方法によれば、焼結体薄板からレ
ーザ光照射により陰極基体を切り取る場合に、強固なろ
う材のばりを発生させることがなく金属焼結体の脆いば
りのみが生じるので、陰極基体表面に存在するばりを陰
極基体表面の状態を損なうことなく容易に除去できて優
れた電子放射性能力を有する陰極基体を得ることができ
る請求項2および請求項3の発明の陰極基体にかかわる
製造方法によれば、陰極基体表面の状態を損なうことな
く容易にばりを除去して電子放射能力を高めることに加
えて、電子放射物質を含浸後に基体表面状態を向上させ
て一層電子放射能力を高めることができる。
As described above, according to the method for manufacturing a cathode substrate according to the first aspect of the invention, when the cathode substrate is cut from a sintered thin plate by irradiating a laser beam, a flash of a solid brazing material is generated. Since only brittle burrs of the metal sintered body are generated without causing burrs, burrs existing on the surface of the cathode substrate can be easily removed without impairing the state of the surface of the cathode substrate, and a cathode substrate having excellent electron emission ability is obtained. According to the manufacturing method according to the second and third aspects of the present invention, the burrs can be easily removed without impairing the state of the surface of the cathode substrate to enhance the electron emission capability, After the material is impregnated, the surface condition of the substrate can be improved to further enhance the electron emission ability.

【0040】請求項4および請求項5の発明によれば、
陰極基体表面に発生したばりを確実に除去することがで
きる。請求項6および7の発明の構成によれば、陰極基
体を構成する材料に適切なものを用いることができる。
According to the invention of claims 4 and 5,
Burrs generated on the surface of the cathode substrate can be reliably removed. According to the configuration of the invention of claims 6 and 7, it is possible to use a material suitable for the material constituting the cathode base.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における製造方法の工程
を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing steps of a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の製造方法により製造された陰極基体を
形成するタングステン焼結体の表面を顕微鏡で拡大して
示す写真。
FIG. 2 is an enlarged photograph of a surface of a tungsten sintered body forming a cathode substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention under a microscope.

【図3】従来の製造方法により製造された陰極基体を形
成するタングステン焼結体の表面を顕微鏡で拡大して示
す写真。
FIG. 3 is an enlarged photograph of the surface of a tungsten sintered body forming a cathode substrate manufactured by a conventional manufacturing method, which is enlarged by a microscope.

【図4】含浸型陰極構体を示す一部切欠斜視図。FIG. 4 is a partially cutaway perspective view showing an impregnated cathode assembly.

【図5】従来の形態における製造方法の工程を示す図。FIG. 5 is a diagram showing steps of a manufacturing method in a conventional mode.

【図6】同従来の形態における製造方法の工程を示す
図。
FIG. 6 is a diagram showing steps of a manufacturing method according to the conventional embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…タングステン焼結体、 12…多孔質タングステン薄板、 13…ルテニウム―モリブデン合金層、 14…電子放射物質、 15…陰極基体。 11: Sintered tungsten, 12: Porous tungsten thin plate, 13: Ruthenium-molybdenum alloy layer, 14: Electron emitting material, 15: Cathode substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 室 直人 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Fターム(参考) 5C027 CC02 CC11 CC14  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Naoto, 8-8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa F-term in Toshiba Yokohama Office (reference) 5C027 CC02 CC11 CC14

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属焼結体からなる薄板の一方の表面に
ろう材を塗布する工程と、前記薄板にレーザ光を照射し
て前記焼結体薄板から前記ろう材を塗布していない他方
の表面側のみにばりが発生するように陰極基体を切り抜
く工程と、切り抜かれた陰極基体からばりを除去する工
程と、前記陰極基体に電子放射物質を含浸する工程とを
具備することを特徴とする陰極基体の製造方法。
1. A step of applying a brazing material to one surface of a thin plate made of a metal sintered body, and irradiating a laser beam to the thin plate to apply the brazing material from the sintered body thin plate. A step of cutting out the cathode base so that burrs are generated only on the front side, a step of removing burrs from the cut-out cathode base, and a step of impregnating the cathode base with an electron emitting material. A method for manufacturing a cathode substrate.
【請求項2】 焼結体薄板の一方の表面にろう材を塗布
する工程と、前記焼結体薄板にレーザ光を照射して前記
焼結体薄板から前記ろう材を塗布していない他方の表面
側のみにばりが発生するように陰極基体を切り抜く工程
と、切り抜かれた陰極基体からばりを除去する工程と、
前記陰極基体に電子放射物質を含浸する工程と、含浸処
理された前記陰極基体の表面に存在する余剰の電子放射
物質を除去する工程とを具備することを特徴とする陰極
基体の製造方法。
2. A step of applying a brazing material to one surface of a sintered body thin plate, and irradiating a laser beam to the sintered body thin plate to apply the brazing material from the sintered body thin plate to the other side. A step of cutting out the cathode substrate so that burrs are generated only on the front side, and a step of removing burrs from the cut-out cathode base,
A method for manufacturing a cathode base, comprising: a step of impregnating the cathode base with an electron emitting substance; and a step of removing excess electron emitting substance present on the surface of the impregnated cathode base.
【請求項3】 焼結体薄板の一方の表面にろう材を塗布
する工程と、前記焼結体薄板にレーザ光を照射して前記
焼結体薄板から前記ろう材を塗布していない他方の表面
側のみにばりが発生するように陰極基体を切り抜く工程
と、切り抜かれた陰極基体からばりを除去する工程と、
前記陰極基体に電子放射部物質を含浸する工程と、含浸
処理された前記陰極基体の表面に存在する余剰の電子放
射物質を除去する工程と、前記陰極基体の表面に表面コ
ーティングを施す工程を具備することを特徴とする陰極
基体の製造方法。
3. A step of applying a brazing material to one surface of the sintered body thin plate, and irradiating the sintered body thin plate with a laser beam to apply the brazing material from the sintered body thin plate. A step of cutting out the cathode substrate so that burrs are generated only on the front side, and a step of removing burrs from the cut-out cathode base,
A step of impregnating the cathode substrate with an electron emitting material, a step of removing excess electron emitting material present on the surface of the impregnated cathode substrate, and a step of applying a surface coating to the surface of the cathode substrate. A method for manufacturing a cathode substrate, comprising:
【請求項4】 前記切り抜かれた陰極基体からばりを除
去する工程は、前記陰極基体をエッチングするものであ
ることを特徴とする請求項1ないし3いずれかに記載の
陰極基体の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein the step of removing the burrs from the cut-out cathode base is performed by etching the cathode base.
【請求項5】 前記切り抜かれた陰極基体からばりを除
去する工程は、前記陰極基体をエッチングした後に超音
波洗浄するものであること特徴とする請求項1ないし3
いずれかに記載の陰極基体の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the step of removing burrs from the cut-out cathode base is performed by ultrasonic cleaning after etching the cathode base.
The method for producing a cathode substrate according to any one of the above.
【請求項6】 前記焼結体薄板はタングステン焼結体か
らなる薄板であること特徴とする請求項1ないし3いず
れかに記載の陰極基体の製造方法。
6. The method for manufacturing a cathode substrate according to claim 1, wherein said sintered body thin plate is a thin plate made of a tungsten sintered body.
【請求項7】 前記ろう材はルテニウムーモリブデン合
金からなるものであること特徴とする請求項1ないし3
いずれかに記載の陰極基体の製造方法。
7. The brazing material according to claim 1, wherein said brazing material is made of a ruthenium-molybdenum alloy.
The method for producing a cathode substrate according to any one of the above.
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