JP2000081471A - Magnetic impedance element excellent against thermal shock and mechanical vibration and magnetic impedance sensor - Google Patents

Magnetic impedance element excellent against thermal shock and mechanical vibration and magnetic impedance sensor

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JP2000081471A
JP2000081471A JP10338022A JP33802298A JP2000081471A JP 2000081471 A JP2000081471 A JP 2000081471A JP 10338022 A JP10338022 A JP 10338022A JP 33802298 A JP33802298 A JP 33802298A JP 2000081471 A JP2000081471 A JP 2000081471A
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amorphous wire
plating
magneto
solder
metal
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Japanese (ja)
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Hideki Fujii
秀樹 藤井
Yoshiaki Koya
吉晃 幸谷
Yoshinobu Motokura
義信 本蔵
Kaneo Mori
佳年雄 毛利
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Aichi Steel Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an amorphous wire magnetic impedance(MI) element allowing easy junction such as solder joint. SOLUTION: A MI element 1 has an amorphous wire 11 and metal solder 12 formed on two surface parts of the amorphous wire 11 which are spaced apart at a predetermined interval. This MI sensor has a base part, having a placement surface and conducting parts located in positions across the placement surface, and the amorphous wire supported at its center part on the placement surface and joined to each conducting part via the metal solder formed on the surface parts leading to the center part. Since the metal solder is applied to the surface parts, wettability is so well that firm welding with other metals is made possible with the use of the solder or the like. Thus, a junction resistant to mechanical vibration and thermal distortion such as temperature cycles is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車用等の磁気
インピーダンスセンサ(以下、MIセンサという)に用
いられる磁気インピーダンス素子(以下、MI素子とい
う)に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic impedance element (hereinafter, referred to as MI element) used for a magnetic impedance sensor (hereinafter, referred to as MI sensor) for an automobile or the like.

【0002】[0002]

【従来技術】外部磁場によってアモルファスワイヤのイ
ンピーダンスが大きく変化する磁気−インピーダンス
(MI)効果を用いたMIセンサが提案されている。こ
のMIセンサは、ホール素子やMR素子と同程度の微小
寸法が可能で,磁界の検出感度がホール素子やMR素子
の100倍以上であり,フラックスゲートセンサと同程
度のセンサとして知られている。
2. Description of the Related Art There has been proposed an MI sensor using a magnetic-impedance (MI) effect in which the impedance of an amorphous wire is greatly changed by an external magnetic field. This MI sensor can be as small as a Hall element or an MR element, has a magnetic field detection sensitivity of 100 times or more that of a Hall element or an MR element, and is known as a sensor similar to a flux gate sensor. .

【0003】MIセンサは、検出体であるアモルファス
ワイヤとアモルファスワイヤの高周波インピーダンスを
測定する電子回路とよりなる。アモルファスワイヤは、
通常20〜130ミクロン程度の太さを有するCo系の
アモルファスワイヤが使用される。このCo系のアモル
ファスワイヤは500数十℃で再結晶し、再結晶した場
合にはMI効果が完全に消失してしまう。このことか
ら、はんだ付け等の際にははんだ付け温度の上限が30
0℃とされている。
[0003] The MI sensor includes an amorphous wire as a detection body and an electronic circuit for measuring a high-frequency impedance of the amorphous wire. Amorphous wire is
Usually, a Co-based amorphous wire having a thickness of about 20 to 130 microns is used. The Co-based amorphous wire is recrystallized at a temperature of several tens of degrees Celsius, and when recrystallized, the MI effect completely disappears. For this reason, the upper limit of the soldering temperature is 30 when soldering or the like.
0 ° C.

【0004】このようなアモルファスワイヤは、ピアノ
線より硬く、さらには一般のはんだ材料、例えば、Sn
60%−Pb40%のはんだ材料との間では合金層を形
成しないという性質がある。従って、はんだ付けにおい
てはんだはアモルファスワイヤと単に機械的に接触する
だけとなる。従来、Co系アモルファスワイヤをはんだ
付けする場合には、先ず、アモルファスワイヤの表面を
エメリー研磨紙等により粗面に仕上げて酸化膜を除去
し、さらにフラックスを使用して表面の汚れを除去す
る。この後、図13に示すようにプリント基板等の基部
2の表面に形成された銅等の導電体21からなる導電パ
ターンの接合部に、溶融はんだ4を比較的高く盛る。そ
してこの溶融はんだ4内にアモルファスワイヤ11を挿
入して、溶融はんだ4を冷却固化する。これによりアモ
ルファスワイヤ11が接合部に対して電気的に接続され
るようにしている。
[0004] Such an amorphous wire is harder than a piano wire, and furthermore, a general solder material such as Sn
There is a property that an alloy layer is not formed between a solder material of 60% -Pb40%. Thus, in soldering, the solder merely comes into mechanical contact with the amorphous wire. Conventionally, in the case of soldering a Co-based amorphous wire, first, the surface of the amorphous wire is finished to a rough surface with emery abrasive paper or the like to remove an oxide film, and further, a surface is removed using a flux. Thereafter, as shown in FIG. 13, a relatively high amount of molten solder 4 is applied to a joint of a conductive pattern made of a conductor 21 such as copper formed on the surface of the base 2 such as a printed circuit board. Then, the amorphous wire 11 is inserted into the molten solder 4 to cool and solidify the molten solder 4. Thereby, the amorphous wire 11 is electrically connected to the joint.

【0005】しかしながら、このようなはんだ付け方法
においては、Co系アモルファスワイヤは、はんだに対
する濡れ性が悪いため、はんだ付けの際には、はんだが
表面張力によって、アモルファスワイヤの表面からはじ
かれることになる。従って、上述のようにはんだ付けし
た場合には、アモルファスワイヤ11とはんだ6との境
界面を観察すると図14に示すように、アモルファスワ
イヤ11の表面に対して、はんだ6は、部分的に接触す
るだけとなり、はんだ6の欠落した部分61が生じる。
However, in such a soldering method, since the Co-based amorphous wire has poor wettability to the solder, the solder is repelled from the surface of the amorphous wire by surface tension during soldering. Become. Therefore, when soldering is performed as described above, when the interface between the amorphous wire 11 and the solder 6 is observed, the solder 6 partially contacts the surface of the amorphous wire 11 as shown in FIG. And a missing portion 61 of the solder 6 is generated.

【0006】このようにして得られるMIセンサを、車
載化可能かどうかの耐久性を調べるための冷熱サイクル
試験において、−40℃〜+80℃の条件下で液槽中に
浸漬する液槽試験を繰り返すと100回の冷熱サイクル
試験ではんだ接合が不具合となるといった問題があっ
た。この接触不良の問題を解決するために多方面で検討
されているがいまだ解決されていない。
[0006] In a cooling / heating cycle test for examining the durability of the MI sensor thus obtained as to whether or not it can be mounted on a vehicle, a liquid tank test in which the MI sensor is immersed in a liquid tank under the conditions of -40 ° C to + 80 ° C When repeated, there was a problem that solder joints failed in 100 thermal cycle tests. Various approaches have been considered to solve the problem of poor contact, but have not been solved yet.

【0007】また、MIセンサの直線性を向上させた
り、検出範囲を拡大するために、検出体であるアモルフ
ァスワイヤの周囲にコイルが巻かれるが、アモルファス
ワイヤは直径が30〜120μmと細いために直接巻く
ことができず、コイルが中空状態で提供され、振動に極
めて弱い構造になっていた。これらのことにより、MI
素子は、熱衝撃や機械的振動に弱く、車載化が困難であ
った。
In order to improve the linearity of the MI sensor and to expand the detection range, a coil is wound around the amorphous wire which is the detection object. However, since the diameter of the amorphous wire is as small as 30 to 120 μm, It could not be wound directly, the coil was provided in a hollow state, and had a structure that was extremely weak against vibration. By these things, MI
The device was vulnerable to thermal shock and mechanical vibration, and was difficult to be mounted on a vehicle.

【0008】本発明は、これらの問題点を克服するもの
で、熱衝撃や機械的振動に強く、車載化等が可能な耐久
性を有するMI素子を提供することを目的としている。
An object of the present invention is to overcome these problems, and an object of the present invention is to provide an MI element which is resistant to thermal shock and mechanical vibration and has durability that can be mounted on a vehicle.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者はアモルファス
ワイヤの濡れ性を改善するため種々検討した結果、アモ
ルファスワイヤにめっきを僅かに施すことによりMI効
果を維持した状態ではんだに対する濡れ性が改善される
ことを発見した。そしてさらに検討を深め、接合する表
面部分のみをめっきすることによりMI効果を犠牲にす
ること無く濡れ性が改善されることを確認し、本発明の
MI素子を完成したものである。
The present inventor has made various studies to improve the wettability of the amorphous wire. As a result, the wettability to the solder was improved while the MI effect was maintained by slightly applying a plating to the amorphous wire. I discovered that it would be. Further investigation was further conducted, and it was confirmed that the wettability was improved without sacrificing the MI effect by plating only the surface portion to be joined, and the MI device of the present invention was completed.

【0010】さらに本発明者はアモルファスワイヤのM
I機能を奏するアモルファスワイヤの中央部を基部に支
持した状態で基部に固定することによりアモルファスワ
イヤに歪みを与えること無く基部に一体化できることを
確認し、取扱の容易なMIセンサを得ることを可能と
し、本発明のMIセンサを完成したものである。すなわ
ち、本発明のMI素子は、アモルファスワイヤと該アモ
ルファスワイヤの所定間隔を隔てた2つの表面部分に形
成された金属メッキとを有することを特徴とする。ま
た、本発明のMIセンサは、載置面と該載置面を隔てた
位置に各々導電部とをもつ基部と、中央部が該載置面上
に支持され該中央部に連なり該導電部と接触する表面部
分に形成された金属メッキを介して各該導電部に接合さ
れたアモルファスワイヤとを有することを特徴とする。
Further, the present inventor has proposed that M
It is possible to obtain an MI sensor that can be easily handled by confirming that it can be integrated into the base without giving any distortion to the amorphous wire by fixing it to the base while supporting the center of the amorphous wire that exhibits the I function with the base supported on the base. Thus, the MI sensor of the present invention is completed. That is, the MI element of the present invention is characterized by having an amorphous wire and metal plating formed on two surface portions of the amorphous wire separated by a predetermined distance. Further, the MI sensor of the present invention includes a base having a mounting surface and a conductive portion at a position separated from the mounting surface, a central portion supported on the mounting surface and connected to the central portion, the conductive portion And an amorphous wire bonded to each of the conductive portions via metal plating formed on a surface portion in contact with the conductive portion.

【0011】本発明のMI素子は2つの表面部分に金属
めっきが施されている。この表面部分は濡れ性が良いた
めはんだ等で他の金属と強固な溶接が可能となる。この
ため機械的な振動および冷熱サイクル等の熱歪みに強い
接合体の形成が可能となる。本発明のMIセンサはアモ
ルファスワイヤが基部の載置面に支持されている。この
ためアモルファスワイヤに重力による歪みが発生しな
い。このため安定して磁気を正確に測定できる。また、
アモルファスワイヤは基部の導電部に表面部分に形成さ
れた金属めっきを介して接合されている。このためこの
MIセンサは機械的な振動および冷熱サイクル等の熱歪
みに強い。
The MI element of the present invention has two surface portions plated with metal. Since this surface portion has good wettability, it is possible to perform strong welding with another metal using solder or the like. Therefore, it is possible to form a joined body that is resistant to mechanical vibration and thermal distortion such as a thermal cycle. In the MI sensor of the present invention, the amorphous wire is supported on the mounting surface of the base. Therefore, distortion due to gravity does not occur in the amorphous wire. Therefore, the magnetism can be measured stably and accurately. Also,
The amorphous wire is joined to the conductive portion of the base via metal plating formed on the surface portion. For this reason, this MI sensor is resistant to mechanical vibration and thermal distortion such as cooling and heating cycles.

【0012】[0012]

【発明の実施態様】本発明のMI素子はアモルファスワ
イヤと該アモルファスワイヤの所定間隔を隔てた2つの
表面部分に形成された金属メッキとを有する。アモルフ
ァスワイヤとしては導電性を有するアモルファスワイヤ
をそのまま使用することができる。代表的なアモルファ
スワイヤとしてはFeCoSiBを挙げることが出来
る。アモルファスワイヤの直径は10μm〜100μm
程度のものでよい。また、長さは0.3mm〜30mm
程度のものでよい。通常直径が30μmで、有効長さ
(接合部間距離)が1mm程度のものが用いられてい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The MI element of the present invention has an amorphous wire and metal plating formed on two surface portions of the amorphous wire separated by a predetermined distance. As the amorphous wire, a conductive amorphous wire can be used as it is. A typical amorphous wire is FeCoSiB. Amorphous wire diameter is 10μm ~ 100μm
It may be of the order. The length is 0.3mm to 30mm
It may be of the order. Usually, those having a diameter of 30 μm and an effective length (distance between joints) of about 1 mm are used.

【0013】めっきの形成された表面部分は濡れ性が改
善されている。従って、めっきされた表面部分は他の金
属と接合が可能となる。めっきされた2つの表面部分の
間がMI機能を奏する部分となる。めっきの形成された
表面部分は少なくとも所定間隔を隔てた2つの部分を必
要とする。しかし、種々の目的によりめっきの形成され
た表面部分を3つあるいはそれ以上とすることができ
る。さらにはアモルファスワイヤの全面に極めて薄いめ
っきを形成することもできる。めっきが薄い場合は、例
えばめっき厚0.5μmでも使用可能な出力電圧を得る
ことができる。
The surface portion on which the plating is formed has improved wettability. Therefore, the plated surface portion can be joined to another metal. The portion between the two plated surface portions is a portion exhibiting the MI function. The plated surface portion needs at least two portions separated by a predetermined distance. However, the surface portion on which plating is formed may be three or more for various purposes. Further, extremely thin plating can be formed on the entire surface of the amorphous wire. When the plating is thin, for example, a usable output voltage can be obtained even with a plating thickness of 0.5 μm.

【0014】参考までに図1にめっきの厚さとMI機能
との関係を示す。この場合はアモルファスワイヤの前面
に、種々のめっき厚のめっきを均一に施している。めっ
きは無電解めっき、電解めっき、化学的蒸着(CV
D)、物理的蒸着(PVD)で形成することができる。
めっき金属としてはAu、Ag、Cu、Ni等の遷移金
属元素が好ましい。
For reference, FIG. 1 shows the relationship between the plating thickness and the MI function. In this case, plating of various plating thicknesses is uniformly applied to the front surface of the amorphous wire. Plating is electroless plating, electrolytic plating, chemical vapor deposition (CV
D), which can be formed by physical vapor deposition (PVD).
Transition metal elements such as Au, Ag, Cu, and Ni are preferable as the plating metal.

【0015】アモルファスワイヤとめっきの接合がどの
ようにして達成されているのかは明らかではない。金属
元素の状態でアモルファスワイヤ表面に付着し、めっき
金属がアモルファスワイヤ表面の凹部に入り込んで楔状
に固定されているものと考えることができる。本発明の
MI素子の接合を図2により具体的に説明する。図2に
おいて、MI素子1はアモルファスワイヤ11とその両
端部の表面部分に形成された金属めっき12とからな
る。基板2はガラスエポキシ板からなりその上面に金属
めっきで形成された導電部21をもつ。接合は、基板2
の導電部21上にMI素子1の金属メッキ12を当接
し、導電部21とめっき12との間に溶融はんだを接触
させることで接合できる。すなわち、メッキ12によ
り、アモルファスワイヤ11のはんだ濡れ性が改善さ
れ、めっき層12とはんだ材料との間で合金層を作るた
めに、はんだ付けの際には、はんだが表面張力によっ
て、アモルファスワイヤ11の表面からはじかれること
がなくなり容易に接合することができる。
It is not clear how the bonding between the amorphous wire and the plating is achieved. It can be considered that the metal element adheres to the surface of the amorphous wire, and the plating metal enters the recesses on the surface of the amorphous wire and is fixed in a wedge shape. The bonding of the MI element of the present invention will be specifically described with reference to FIG. In FIG. 2, the MI element 1 includes an amorphous wire 11 and metal platings 12 formed on the surface portions at both ends. The substrate 2 is made of a glass epoxy plate and has a conductive portion 21 formed on the upper surface thereof by metal plating. Bonding is performed on the substrate 2
The metal plating 12 of the MI element 1 is brought into contact with the conductive part 21 of the MI element 1, and the molten part is brought into contact between the conductive part 21 and the plating 12 to be joined. That is, the plating 12 improves the solder wettability of the amorphous wire 11 and forms an alloy layer between the plating layer 12 and the solder material. It can be easily joined without being repelled from the surface.

【0016】さらに、好ましい接合方法は、図3に示す
ように、MI素子1のアモルファスワイヤ11の端部の
めっき12と導電部21とのはんだ接合を抜熱作用の高
い金属パッド3を介して行なう。はんだ接合において
は、はんだを溶かす以上の熱が必要であるが、必要以上
に熱を加えると、過剰な熱量によるめっき12の破壊が
おこるとともに、アモルファスワイヤ11に対する入熱
が大きくなり、アモルファスワイヤ11の再結晶による
MI効果の消失が起りやすくなる。
Further, as shown in FIG. 3, a preferred bonding method is to perform solder bonding between the plating 12 on the end of the amorphous wire 11 of the MI element 1 and the conductive portion 21 via the metal pad 3 having a high heat removal effect. Do. In the solder joining, more heat is required than melting the solder. However, if heat is applied more than necessary, the plating 12 will be destroyed due to an excessive amount of heat, and the heat input to the amorphous wire 11 will increase. Of the MI effect due to the recrystallization.

【0017】従って、必要以上の熱をできるだけ、アモ
ルファスワイヤ11に伝達しないようにする必要があ
る。そこでアモルファスワイヤ11のはんだ接合を抜熱
作用の高い金属パッドを介して行ない、はんだ接合時の
必要以上の熱は、金属パッド3に蓄熱され、アモルファ
スワイヤ11に伝達しないようにする。金属パッド3に
は、はんだとのぬれ性を改善するためにNiめっき、N
i−Bめっき、AuめっきまたはNi−Auめっきをし
た方が望ましい。
Therefore, it is necessary to prevent excessive heat from being transmitted to the amorphous wire 11 as much as possible. Therefore, the solder bonding of the amorphous wire 11 is performed through a metal pad having a high heat removal effect, and heat more than necessary at the time of solder bonding is stored in the metal pad 3 so as not to be transmitted to the amorphous wire 11. The metal pad 3 is plated with Ni or N to improve the wettability with solder.
It is preferable to perform i-B plating, Au plating, or Ni-Au plating.

【0018】さらに、好ましくは、図4に示すようメッ
キ12をもつアモルファスワイヤ11を2つの抜熱作用
の高いめっきされた金属パッド3及び3ではさみこん
で、はんだ付けする。これにより、はんだを高く盛る必
要がなくなり、図5に示すように必要最低限のはんだ量
によるはんだづけが可能となる。それゆえ、はんだ付け
に必要な熱量を小さく抑えることができる。従って、過
剰な熱量によるめっきあるいはめっきとはんだ合金層の
破壊を抑えることができるとともに、アモルファスワイ
ヤ11に対する入熱も低く抑えることができ、アモルフ
ァスワイヤ11の再結晶によるMI効果の消失を起りに
くくなる。
Further, preferably, as shown in FIG. 4, the amorphous wire 11 having the plating 12 is soldered by being sandwiched between two highly heat-dissipating plated metal pads 3 and 3. As a result, it is not necessary to pile the solder high, and soldering can be performed with a minimum necessary amount of solder as shown in FIG. Therefore, the amount of heat required for soldering can be reduced. Therefore, it is possible to suppress the destruction of the plating or the plating and the solder alloy layer due to an excessive amount of heat, and it is also possible to suppress the heat input to the amorphous wire 11 to be low. .

【0019】さらに、好ましくは、図6のようにメッキ
をもつMI素子1を2つの抜熱作用の高い金属パッド3
および3ではさみこんではんだ接合する際に、はんだ供
給の方法として、パッド3、3にめっきしたはんだ4ま
たははんだ箔もしくははんだペーストを用い、これをパ
ッド3、3間に挿入し熱を加える。このはんだ接合のた
めの必要なはんだ量は、本来わずかであり、線状で供給
される糸はんだと異なり、最初からはんだ量を一定化で
きるために、必要以上のはんだを溶かす必要がなくな
り、はんだ付けに必要な熱量を小さく抑えることができ
る。従って、過剰な熱量によるめっきあるいはめっきと
はんだ合金層の破壊を抑えることができるとともに、ア
モルファスワイヤ11に対する入熱も低く抑えることが
でき、アモルファスワイヤ11の再結晶によるMI効果
の消失を起りにくくなる。
Further, it is preferable that the MI element 1 having plating as shown in FIG.
When soldering is performed by inserting the solder 3 or 3, the solder 4 or the solder foil or the solder paste plated on the pads 3 and 3 is used as a method of supplying solder, and the solder is inserted between the pads 3 and 3 to apply heat. The amount of solder required for this soldering is originally small, and unlike wire solder supplied in a linear form, the amount of solder can be kept constant from the beginning, so there is no need to melt more solder than necessary. The amount of heat required for attachment can be kept small. Therefore, it is possible to suppress the destruction of the plating or the plating and the solder alloy layer due to an excessive amount of heat, and it is also possible to suppress the heat input to the amorphous wire 11 to be low. .

【0020】図7のようにメッキをもつMI素子1を2
つの抜熱作用の高いめっきされた金属パッド3及び3で
はさみこんではんだ接合する際に、はんだ接合における
はんだ供給の方法として、パッド3、3にめっきしたは
んだ4、はんだ箔、はんだペーストを用いこれをパッド
3、3間に挿入し、熱供給の方法として、レーザ、赤外
線、はんだごて5を用いる。これにより、熱を金属パッ
ド3にスポット的に一定量与えることができるので、過
剰な熱量によるめっきあるいはめっきとはんだ合金層の
破壊を抑えることができるとともに、アモルファスワイ
ヤに対する入熱も低く抑えることができ、アモルファス
ワイヤの再結晶によるMI効果の消失を起りにくくな
る。
As shown in FIG.
When soldering by sandwiching between the metal pads 3 and 3 having high heat removal action, a solder 4, a plating foil and a solder paste plated on the pads 3 and 3 are used as a method of supplying solder in the soldering. This is inserted between the pads 3 and 3, and a laser, an infrared ray, and a soldering iron 5 are used as a heat supply method. As a result, a constant amount of heat can be applied to the metal pad 3 in a spot manner, so that it is possible to suppress the plating or the destruction of the plating and the solder alloy layer due to an excessive amount of heat, and also to suppress the heat input to the amorphous wire low. This makes it difficult for the MI effect to disappear due to the recrystallization of the amorphous wire.

【0021】本発明のMIセンサは、少なくとも基部と
アモルファスワイヤとを持つ。基部は非磁性の電気絶縁
体で形成され、アモルファスワイヤが支持される載置面
とこの載置面を隔てた位置にそれぞれ形成された導電部
とをもつ。電気絶縁体としては合成樹脂、セラミックス
を用いることが出来る。基部に形成される載置面はアモ
ルファスワイヤに変形を与えることなく支持するもので
ある。通常アモルファスワイヤは直線状であるため載置
面はアモルファスワイヤの長さとほぼ同じ長さとアモル
ファスワイヤの直径に相当する幅をもつ平坦面、断面が
弧状の筒状内周面とすることができる。
The MI sensor of the present invention has at least a base and an amorphous wire. The base is formed of a non-magnetic electric insulator, and has a mounting surface on which the amorphous wire is supported and conductive portions formed at positions separated from the mounting surface. Synthetic resins and ceramics can be used as the electric insulator. The mounting surface formed on the base supports the amorphous wire without giving any deformation. Usually, since the amorphous wire is linear, the mounting surface can be a flat surface having a length substantially equal to the length of the amorphous wire and a width corresponding to the diameter of the amorphous wire, and a cylindrical inner peripheral surface having an arc-shaped cross section.

【0022】なお、載置面はU字形溝あるいは凹溝、V
溝等の底面に形成することができる。これらの溝の両側
の側壁部分が底の載置面に支持されるアモルファスワイ
ヤを保護する保護壁となる。導電部は基部にアモルファ
スワイヤを固定するとともアモルファスワイヤを電気回
路に組み込む端子となるものである。この導電部は基部
の表面にめっき等で形成しても、金属片を基部に機械的
にあるいは接着剤等で接合して固定しても良い。また、
金属片としてはリード線、金属パッド等を用いてもよ
い。
The mounting surface is a U-shaped groove or a concave groove,
It can be formed on a bottom surface such as a groove. Side wall portions on both sides of these grooves serve as protection walls for protecting the amorphous wires supported on the mounting surface at the bottom. The conductive portion serves as a terminal for fixing the amorphous wire to the base and for incorporating the amorphous wire into an electric circuit. The conductive portion may be formed on the surface of the base by plating or the like, or may be fixed by bonding a metal piece to the base mechanically or by using an adhesive or the like. Also,
A lead wire, a metal pad, or the like may be used as the metal piece.

【0023】導電部の表面と載置面の表面とは同一面に
なるようにするのが好ましい。これによりアモルファス
ワイヤはめっきが形成された表面部分も含めて基部の導
電部および載置面に連続して支持されることになる。こ
れによりアモルファスワイヤに作用する重力によるアモ
ルファスワイヤの変形を避けることができる。導電部で
のアモルファスワイヤの接合は、アモルファスワイヤの
表面部分に形成された金属めっきを介して達成される。
この接合に低融点はんだを使用することができる。ま
た、超音波ボンデイングではんだを用いることなく接合
することもできる。アモルファスワイヤの表面部分に形
成された金属めっきと導電部の少なくとも表面部分の金
属はAu、Ag、Cu、Ni等の遷移金属とするのが好
ましい。
It is preferable that the surface of the conductive portion and the surface of the mounting surface are flush with each other. As a result, the amorphous wire including the surface portion on which the plating is formed is continuously supported by the base conductive portion and the mounting surface. Thereby, deformation of the amorphous wire due to gravity acting on the amorphous wire can be avoided. Bonding of the amorphous wire at the conductive portion is achieved through metal plating formed on a surface portion of the amorphous wire.
A low melting point solder can be used for this joining. Also, bonding can be performed by using ultrasonic bonding without using solder. The metal plating formed on the surface portion of the amorphous wire and the metal on at least the surface portion of the conductive portion are preferably transition metals such as Au, Ag, Cu, and Ni.

【0024】導電部とアモルファスワイヤの表面部分の
めっきとをはんだで接合するとき、金属パッドを介して
はんだ付けするのが好ましい。また、2個の金属パッド
でアモルファスワイヤの表面部分のめっきを狭持した状
態ではんだ接合するのが好ましい。金属パッドのはんだ
接合される側にNiめっき、Ni−Bめっき、Auめっ
きまたはNi−Auめっきがされているのが好ましい。
When the conductive portion and the plating on the surface portion of the amorphous wire are joined by soldering, it is preferable to solder via a metal pad. Further, it is preferable that the solder bonding is performed in a state where the plating on the surface portion of the amorphous wire is held between the two metal pads. Preferably, the metal pad is plated with Ni, Ni-B, Au, or Ni-Au on the side to be soldered.

【0025】超音波ボンデイングを行う場合には、アモ
ルファスワイヤの表面部分のめっき及び導電部の表面部
分の金属は共に同じAu、Al等とするのが好ましい。
本発明のMIセンサはバイアスコイル及びまたはフィー
ドバックコイルをもつものとするのが好ましい。これら
バイアスコイル及びフィードバックコイルはアモルファ
スワイヤが支持されている基部の一部をコイルの巻き付
けられるボビンとし、ボビンとともにアモルファスワイ
ヤを中心にして導線を巻き付けコイルとするのが好まし
い。なお、コイルとアモルファスワイヤとは接触しない
ようにする必要がある。
In the case of performing ultrasonic bonding, it is preferable that both the plating on the surface portion of the amorphous wire and the metal on the surface portion of the conductive portion are made of the same Au, Al, or the like.
The MI sensor of the present invention preferably has a bias coil and / or a feedback coil. It is preferable that the bias coil and the feedback coil have a part of the base on which the amorphous wire is supported as a bobbin around which the coil is wound, and the conductor is wound around the amorphous wire together with the bobbin. Note that it is necessary to prevent the coil from contacting the amorphous wire.

【0026】バイアスコイル及びフィードバックコイル
は樹脂でモールドされて基部と一体化するのが好まし
い。さらに本発明のMIセンサは少なくともアモルファ
スワイヤを覆う電波シールドケースをもつものとするの
が好ましい。磁気シールドケースはAl、Cuおよびこ
れらの金属を含む樹脂等の非磁性の導電材料で形成する
必要がある。なお、センサー全体を磁気シールドケース
内に収納してもよい。
The bias coil and the feedback coil are preferably molded with resin and integrated with the base. Further, the MI sensor of the present invention preferably has a radio wave shielding case that covers at least the amorphous wire. The magnetic shield case needs to be formed of a nonmagnetic conductive material such as Al, Cu and a resin containing these metals. Note that the entire sensor may be housed in a magnetic shield case.

【0027】[0027]

【作用効果】本発明のMI素子はアモルファスワイヤの
所定間隔を隔てた2つの表面部分に形成された金属めっ
きをもつ。この金属めっきはアモルファスワイヤの表面
に強固に固定されている。かつこの金属めっきは濡れ性
がよいためにはんだ等に容易に接合することができる。
このためはんだ溶接及び超音波ボンデイング等で接合し
たものは、めっきとはんだ材料との間で合金層を作るた
めに強固な接合が可能となる。このため接合したものの
冷熱サイクル特性が向上する。
The MI element of the present invention has metal plating formed on two surface portions of the amorphous wire separated by a predetermined distance. This metal plating is firmly fixed on the surface of the amorphous wire. In addition, since the metal plating has good wettability, it can be easily bonded to solder or the like.
For this reason, what has been joined by solder welding, ultrasonic bonding, or the like can be firmly joined because an alloy layer is formed between the plating and the solder material. For this reason, the thermal cycle characteristics of the joined products are improved.

【0028】また、はんだ付けが容易になるので、はん
だ付け時間も少なくて済み、はんだ付けに必要な熱量を
小さく抑えることができる。従って、過剰な熱量による
めっきの破壊を抑えることができるとともに、アモルフ
ァスワイヤに対する入熱も低く抑えることができ、アモ
ルファスワイヤの熱に基因する再結晶によるMI効果の
消失も起りにくくなる。
Further, since the soldering is facilitated, the soldering time can be reduced, and the amount of heat required for the soldering can be reduced. Therefore, the destruction of plating due to excessive heat can be suppressed, and the heat input to the amorphous wire can be suppressed low, and the MI effect due to recrystallization due to the heat of the amorphous wire is less likely to occur.

【0029】ボールボンディングによる接合は、有効ア
モルファス長を全長に対して3%以下の精度で接合でき
る。すなわち、MIセンサの有効アモルファスワイヤ長
に比例した抵抗値をバラツキなく製造できる。それによ
り回路側のゲインと0点調整を簡便に済ますことができ
る。本発明のMIセンサはアモルファスワイヤが基部の
載置面に支持されている。このためアモルファスワイヤ
に重力による歪みが発生しない。このため安定して磁気
を正確に測定できる。また、アモルファスワイヤは基部
の導電部に表面部分に形成された金属めっきを介して接
合されている。このためこのMIセンサは機械的な振動
および冷熱サイクル等の熱歪みに強い。また、はんだ付
けが容易になるので、より低い温度及び短い時間で接合
が可能となる。このため加熱による結晶化を抑制でき、
高感度のセンサとなる。
In the bonding by ball bonding, the effective amorphous length can be bonded to the entire length with an accuracy of 3% or less. That is, the resistance value proportional to the effective amorphous wire length of the MI sensor can be manufactured without variation. This makes it possible to easily adjust the gain and the zero point on the circuit side. In the MI sensor of the present invention, the amorphous wire is supported on the mounting surface of the base. Therefore, distortion due to gravity does not occur in the amorphous wire. Therefore, the magnetism can be measured stably and accurately. Further, the amorphous wire is joined to the conductive portion of the base via metal plating formed on the surface portion. For this reason, this MI sensor is resistant to mechanical vibration and thermal distortion such as cooling and heating cycles. Further, since the soldering is facilitated, the joining can be performed at a lower temperature and a shorter time. Therefore, crystallization due to heating can be suppressed,
It becomes a highly sensitive sensor.

【0030】[0030]

【実施例】(実施例1)本発明の実施例のMI素子1を
図8に示す。このMI素子1は直径30μm、長さ1.
2mmのFeCoSiBの組成をもつアモルファスワイ
ヤ11とこの両端部0.2mmの表面部分に形成された
厚さ0.5μmのAuメッキ12とからなる。このAu
めっき12は電解めっきで形成されたものである。
(Embodiment 1) An MI element 1 according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. This MI element 1 has a diameter of 30 μm and a length of 1.
An amorphous wire 11 having a composition of 2 mm FeCoSiB and an Au plating 12 having a thickness of 0.5 μm formed on a surface portion of 0.2 mm at both ends. This Au
The plating 12 is formed by electrolytic plating.

【0031】このMI素子1の接合性を見るためはんだ
接合と超音波ボンデイングの2種類の方法で接合試験を
行った。はんだ接合は2個の金属パッドでMI素子のA
uめっきをはさんで、はんだごてにて熱を供給する方法
を採用した。具体的には、はんだごての先端を図7に示
すように一方のパッドの表面に3秒間押し当てることに
より行った。パッドにめっきされたはんだが溶融し、M
I素子のAuのメッキと合金層を形成し、接合された。
また、はんだ付けに必要な熱量を小さく抑えることがで
きるので、熱量過剰によるはんだ合金層の破壊を抑える
ことができた。
In order to check the bondability of the MI element 1, a bonding test was performed by two kinds of methods: solder bonding and ultrasonic bonding. Solder joint is made of A of MI element with two metal pads.
A method of supplying heat with a soldering iron across u-plating was adopted. Specifically, this was performed by pressing the tip of the soldering iron against the surface of one pad for 3 seconds as shown in FIG. The solder plated on the pad melts and the M
Au plating of the I element and an alloy layer were formed and joined.
In addition, since the amount of heat required for soldering can be reduced, the destruction of the solder alloy layer due to excessive heat can be suppressed.

【0032】超音波ボンディングは、図9に示すよう
に、このMI素子1のAuめっき12をAuめっきされ
たCuよりなる金属板2上に置き、この上に金ボール6
をかぶせ、超音波ボンデイング端子で押圧して超音波を
当て、金ボール超音波ボンデイングを行った。なお、比
較のためにAuめっきをしていない同じアモルファスワ
イヤを用いて上記と同じ金属パッドと同じはんだ及び同
じ金ボール超音波ボンデイングを行い2種類の比較例の
試料を得た。
In the ultrasonic bonding, as shown in FIG. 9, the Au plating 12 of this MI element 1 is placed on a metal plate 2 made of Au-plated Cu, and a gold ball 6
, And pressed by an ultrasonic bonding terminal to apply ultrasonic waves to perform gold ball ultrasonic bonding. For comparison, the same metal pad, the same solder, and the same gold ball ultrasonic bonding as described above were performed using the same amorphous wire that had not been Au-plated to obtain two types of samples of comparative examples.

【0033】これら4種類の接合体試料を−40℃から
+85℃に加熱され再び−40℃に戻る1サイクルを5
分とする油液槽に投入して衝撃的な熱衝撃サイクル試験
を実施した。実施例のMI素子1を用いた2種類の試料
はいずれも4000回のサイクル試験後でも接合のゆる
み、脱落等の不都合は見られなかった。一方、比較例の
アモルファスワイヤに直接接合した2種類の試料は10
0サイクルに至らない内に接合が破壊され、金属板とア
モルファスワイヤが分離した。
One cycle of heating these four types of joined body samples from -40 ° C. to + 85 ° C. and returning to -40 ° C. was repeated 5 times.
The shock shock thermal cycle test was performed by putting the sample into an oil liquid tank. In each of the two types of samples using the MI element 1 of the example, no inconvenience such as loosening or falling off of the junction was observed even after the cycle test of 4000 times. On the other hand, two kinds of samples directly bonded to the amorphous wire of the comparative example
The junction was broken before the cycle reached 0, and the metal plate and the amorphous wire were separated.

【0034】さらに同じ4種類の試料について耐振動性
を調べた。この振動試験は、加速度54m/s2、周波
数を10〜400Hzの振動を与えて、その耐久性を評
価する試験である。本発明の実施例の2種類の試料は、
車載化に必要な100万回以上の振動にも耐えることが
できた。他方、比較例の2種類の試料では1万回に至ら
ないうちに破損した。
Further, the vibration resistance of the same four kinds of samples was examined. This vibration test is a test for evaluating the durability by applying a vibration having an acceleration of 54 m / s 2 and a frequency of 10 to 400 Hz. The two types of samples of the embodiment of the present invention are:
It was able to withstand more than one million vibrations required for vehicle mounting. On the other hand, the two samples of the comparative example were damaged before reaching 10,000 times.

【0035】参考までに、2個の金属パッド間に挟んで
はんだ接合をした実施例の試料を3,500回の前記熱
衝撃サイクル試験後の断面顕微鏡写真、及び比較例の1
00回の前記熱衝撃試験後の断面顕微鏡写真を図10に
示す。実施例のものはワイヤとはんだとが一体的に接合
しているが、比較例のものはワイヤとはんだとの境界に
間隙が形成されワイヤとはんだとが分離しているのがわ
かる。
For reference, the cross-sectional micrographs of the sample of the embodiment, which was soldered between two metal pads after the thermal shock cycle test was performed 3,500 times, and the comparative example 1
FIG. 10 shows a cross-sectional micrograph after the thermal shock test of 00 times. In the case of the example, the wire and the solder are integrally joined, while in the case of the comparative example, a gap is formed at the boundary between the wire and the solder, so that the wire and the solder are separated.

【0036】このように本実施例1のMI素子は優れた
接合性をもつことが確認された。 (実施例2)本発明の実施例2のMIセンサの斜視図を
図11に示す。このMIセンサは高さ約2.5mm、横
約3mm、幅約1.8mmのもので、図12に一部斜視
図を示す基部2と実施例1と同じMI素子1とバイアス
コイル7、フィードバックコイル8及びモールド9とか
らなっている。
As described above, it was confirmed that the MI device of Example 1 had excellent bonding properties. Embodiment 2 FIG. 11 is a perspective view of an MI sensor according to Embodiment 2 of the present invention. This MI sensor has a height of about 2.5 mm, a width of about 3 mm, and a width of about 1.8 mm. The base 2 whose partial view is shown in FIG. It comprises a coil 8 and a mold 9.

【0037】基部2はアクリル樹脂を切削により製作し
たもので、上面に開口するV字断面溝201をもつ断面
一定の柱状の支持部210と、この支持部210と一体
的にその両側にそれぞれ形成された脚部220と、各脚
部220の上面に一体的に接合された、それぞれ間隔を
隔てて3個づつ合計6個の表面にAuめっき層を有する
導電部230とからなる。なお、V字断面溝201の底
は支持面を形成し、この底と導電部230の上面とは同
一高さ、すなわち同一面になるように形成されている。
The base 2 is made of an acrylic resin by cutting, and has a columnar support portion 210 having a V-shaped cross-section groove 201 opening on the upper surface and having a constant cross section, and formed integrally with the support portion 210 on both sides thereof. And a conductive part 230 having an Au plating layer on a total of six surfaces, three at a distance, integrally joined to the upper surface of each leg 220. The bottom of the V-shaped groove 201 forms a support surface, and the bottom and the upper surface of the conductive portion 230 are formed to have the same height, that is, the same surface.

【0038】このMIセンサには、MI素子1が基部2
のV字断面溝201の底の支持面に支持された状態で配
置され、MI素子1のアモルファスワイヤの両端部のN
iめっきがそれぞれ中央の導電部230の上面に接して
いる。そして両端部のNiめっきとそれぞれ中央の導電
部230の上面とが、図9に示すように、両端部のNi
めっき上にかぶせた金ボールを超音波ボンデイング端子
で押圧して超音波を当て、金ボール超音波ボンデイング
を行ったものである。
In this MI sensor, the MI element 1 has a base 2
Of the amorphous wire of the MI element 1 at the both ends of the amorphous wire of the MI element 1.
Each of the i-plates is in contact with the upper surface of the central conductive portion 230. Then, as shown in FIG. 9, the Ni plating at both ends and the upper surface of the conductive portion 230 at the center respectively correspond to the Ni plating at both ends.
The gold ball placed on the plating is pressed by an ultrasonic bonding terminal to apply ultrasonic waves, and the gold ball is subjected to ultrasonic bonding.

【0039】この状態で、基部2の支持部210にバイ
アスコイル7およびフィードバックコイル8が巻かれ、
それぞれのコイルの端部が残りの4個の導電部230に
同じ金ボール超音波ボンデイングを施している。その後
液状樹脂をこれらバイアスコイル7およびフィードバッ
クコイル8上に含浸硬化させてモールド9を形成したも
のである。
In this state, the bias coil 7 and the feedback coil 8 are wound around the support portion 210 of the base 2,
The end of each coil applies the same gold ball ultrasonic bonding to the remaining four conductive portions 230. Thereafter, a liquid resin is impregnated and cured on the bias coil 7 and the feedback coil 8 to form a mold 9.

【0040】この実施例のMIセンサではケースが使用
されていないが、このMIセンサはアルミニウム製のケ
ースに収納されて使用される。本実施例のMIセンサに
ついても実施例1と同じ熱衝撃サイクル試験及び振動試
験を実施した。このMIセンサは、4000回の熱衝撃
サイクル試験及び100万回の振動にも耐え、これら試
験後においてもMI機能の劣化は見られず、実用に耐え
るものであることが明らかとなった。
Although no case is used in the MI sensor of this embodiment, this MI sensor is used by being housed in an aluminum case. The same thermal shock cycle test and vibration test as in Example 1 were also performed on the MI sensor of this example. This MI sensor withstands a thermal shock cycle test of 4000 times and a vibration of 1 million times, and shows no deterioration of the MI function even after these tests.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 めっきの厚さとMI機能との関係を示す線図
である。
FIG. 1 is a diagram showing the relationship between plating thickness and MI function.

【図2】 本発明のMI素子の接合方法を示す斜視図で
ある。
FIG. 2 is a perspective view showing a bonding method of the MI element of the present invention.

【図3】 1個の金属パッド内ではんだ接合されたMI
素子を示す斜視図である。
FIG. 3 shows a MI soldered in one metal pad.
It is a perspective view which shows an element.

【図4】 2個の金属パッド内ではんだ接合されたMI
素子を示す斜視図である。
FIG. 4 shows an MI soldered in two metal pads
It is a perspective view which shows an element.

【図5】 2個の金属パッド内ではんだ接合されたMI
素子を示す断面図である。
FIG. 5 shows the MI soldered in two metal pads
It is sectional drawing which shows an element.

【図6】 2個の金属パッド内でのはんだ供給を示す断
面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the supply of solder in two metal pads.

【図7】 2個の金属パッド内での熱供給の方法を示す
図である。
FIG. 7 is a diagram showing a method of supplying heat in two metal pads.

【図8】 実施例1のMI素子の斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of the MI element according to the first embodiment.

【図9】 超音波ポンデイングの金ボールの配置を示す
斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing an arrangement of gold balls of the ultrasonic bonding.

【図10】 熱衝撃サイクル試験後の接合断面を示す顕
微鏡写真図である。
FIG. 10 is a photomicrograph showing a bonded cross section after a thermal shock cycle test.

【図11】 実施例2のMIセンサの斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of an MI sensor according to a second embodiment.

【図12】 実施例2のMIセンサに用いた基部の一部
の斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view of a part of a base used in the MI sensor according to the second embodiment.

【図13】 従来のアモルファスワイヤのはんだ接合を
示す斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view showing a conventional amorphous wire solder joint.

【図14】 従来のアモルファスワイヤのはんだ接合の
接合状態を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a joining state of a conventional amorphous wire solder joint.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:MI素子 2:基部 3:金属パッド
4:はんだ 5:超音波振動端子 7:バイアスコイル7 8:
フィードバックコイル 9:モールド 11:アモルファスワイヤ 1
2:めっき 21:導電部
1: MI element 2: Base 3: Metal pad
4: Solder 5: Ultrasonic vibration terminal 7: Bias coil 7 8:
Feedback coil 9: Mold 11: Amorphous wire 1
2: Plating 21: Conductive part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 幸谷 吉晃 愛知県東海市荒尾町ワノ割1番地 愛知製 鋼株式会社内 (72)発明者 本蔵 義信 愛知県東海市荒尾町ワノ割1番地 愛知製 鋼株式会社内 (72)発明者 毛利 佳年雄 愛知県名古屋市天白区天白町島田黒石3911 番地の3 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Yoshiaki Kotani 1 Aomachi Wanowari, Tokai City, Aichi Prefecture Inside Aichi Steel Co., Ltd. (72) Inventor Yoshinobu Honkura 1 Aramachi Town Wanowari, Aichi Prefecture Aichi Product Steel Co., Ltd.

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アモルファスワイヤと該アモルファスワ
イヤの所定間隔を隔てた2つの表面部分に形成された金
属メッキとを有することを特徴とする磁気インピーダン
ス素子。
1. A magneto-impedance element comprising: an amorphous wire; and metal plating formed on two surface portions of the amorphous wire separated by a predetermined distance.
【請求項2】 前記金属めっきはAu、Ag、Cu、N
i等の遷移金属元素のめっきである請求項1記載の磁気
インピーダンス素子。
2. The metal plating is made of Au, Ag, Cu, N
2. The magneto-impedance element according to claim 1, wherein the element is a plating of a transition metal element such as i.
【請求項3】 前記アモルファスワイヤはアモルファス
Co合金ワイヤである請求項1記載の磁気インピーダン
ス素子。
3. The magneto-impedance element according to claim 1, wherein said amorphous wire is an amorphous Co alloy wire.
【請求項4】 前記2つの表面部分は前記アモルファス
ワイヤの両端部の表面部分である請求項1記載の磁気イ
ンピーダンス素子。
4. The magneto-impedance element according to claim 1, wherein the two surface portions are surface portions at both ends of the amorphous wire.
【請求項5】 前記金属めっきは前記2つの表面部分の
みに形成されている請求項1記載の磁気インピーダンス
素子。
5. The magneto-impedance element according to claim 1, wherein said metal plating is formed only on said two surface portions.
【請求項6】 載置面と該載置面を隔てた位置に各々導
電部とをもつ基部と、中央部が該載置面上に支持され該
中央部に連なり該導電部と接触する表面部分に形成され
た金属メッキを介して各該導電部に接合されたアモルフ
ァスワイヤとを有することを特徴とする磁気インピーダ
ンスセンサ。
6. A base having a mounting surface and a conductive portion at a position separated from the mounting surface, and a surface which is supported on the mounting surface and has a central portion connected to the central portion and in contact with the conductive portion. A magnetic impedance sensor comprising: an amorphous wire bonded to each of the conductive portions via metal plating formed on the portion.
【請求項7】 前記金属めっきはAu、Ag、Cu、N
i等の遷移金属元素のめっきである請求項6記載の磁気
インピーダンスセンサ。
7. The metal plating is made of Au, Ag, Cu, N
7. The magneto-impedance sensor according to claim 6, which is a plating of a transition metal element such as i.
【請求項8】 前記接合がはんだ付けで行なわれている
請求項6記載の磁気インピーダンスセンサ。
8. The magneto-impedance sensor according to claim 6, wherein the joining is performed by soldering.
【請求項9】 前記はんだ付け接合が金属パッドを介し
てなされている請求項8記載の磁気インピーダンスセン
サ。
9. The magneto-impedance sensor according to claim 8, wherein said soldering connection is made via a metal pad.
【請求項10】 前記はんだ付け接合が2個の前記金属
パッドで狭持された状態ではんだ接合されている請求項
9記載の磁気インピーダンスセンサ。
10. The magneto-impedance sensor according to claim 9, wherein the solder joint is soldered while being held between the two metal pads.
【請求項11】 前記金属パッドは、はんだ接合される
側にNiめっき、Ni−Bめっき、AuめっきまたはN
i−Auめっきがされている請求項9または請求項10
記載の磁気インピーダンスセンサ。
11. The metal pad may be provided with Ni plating, Ni-B plating, Au plating or N
The i-Au plating is performed.
The magnetic impedance sensor according to any one of the preceding claims.
【請求項12】 前記接合が超音波ボンデイングで行な
われている請求項6記載の磁気インピーダンスセンサ。
12. The magneto-impedance sensor according to claim 6, wherein the bonding is performed by ultrasonic bonding.
【請求項13】 前記載置面は前記基部の溝の底面とし
て形成されている請求項6記載の磁気インピーダンスセ
ンサ。
13. The magneto-impedance sensor according to claim 6, wherein the mounting surface is formed as a bottom surface of the groove of the base.
【請求項14】 前記アモルファスワイヤを中心にして
該アモルファスワイヤと非接触に巻かれたバイアスコイ
ルをもつ請求項6記載の磁気インピーダンスセンサ。
14. The magneto-impedance sensor according to claim 6, further comprising a bias coil wound around the amorphous wire in a non-contact manner with the amorphous wire.
【請求項15】 前記アモルファスワイヤを中心にして
該アモルファスワイヤと非接触に巻かれたフィードバッ
クコイルをもつ請求項6記載の磁気インピーダンスセン
サ。
15. The magneto-impedance sensor according to claim 6, further comprising a feedback coil wound around the amorphous wire in a non-contact manner with the amorphous wire.
【請求項16】 前記アモルファスワイヤを中心にして
該アモルファスワイヤと非接触に巻かれたバイアスコイ
ル及びフィードバックコイルをもつ請求項6記載の磁気
インピーダンスセンサ。
16. The magneto-impedance sensor according to claim 6, further comprising a bias coil and a feedback coil wound around the amorphous wire in a non-contact manner with the amorphous wire.
【請求項17】 前記バイアスコイル及び前記フィード
バックコイルは樹脂でモールドされている請求項16記
載の磁気インピーダンスセンサ。
17. The magnetic impedance sensor according to claim 16, wherein the bias coil and the feedback coil are molded with a resin.
【請求項18】 少なくとも前記アモルファスワイヤを
覆う電波シールドケースをもつ請求項6記載の磁気イン
ピーダンスセンサ。
18. The magnetic impedance sensor according to claim 6, further comprising a radio wave shielding case covering at least the amorphous wire.
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