JP2000077709A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JP2000077709A JP2000077709A JP24923298A JP24923298A JP2000077709A JP 2000077709 A JP2000077709 A JP 2000077709A JP 24923298 A JP24923298 A JP 24923298A JP 24923298 A JP24923298 A JP 24923298A JP 2000077709 A JP2000077709 A JP 2000077709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- type semiconductor
- light
- junction surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の発光ダイオードで発光ダイオードランプ
を構成すると発光ダイオードランプの高さが高くなり、
このため、発光ダイオードを９０°横に倒した状態で電
極を半田付けのみで接続しようとした場合、発光ダイオ
ードの形状および電極の取付位置が適さないため、取付
および半田付けの作業性の悪いものとなる問題が生じて
いた。 【解決手段】本発明により、Ｐ型半導体およびＮ型半導
体からなるＰＮ接合面を有し、ＰＮ接合面付近から発せ
られる光をＰＮ接合面とほぼ平行な方向から外部に取り
出す発光ダイオードにおいて、Ｐ型半導体およびＮ型半
導体に設けられる電極が発光ダイオードを載置する際底
面となる側に近接して設けられ、又、底面をほぼ平面と
したことで、発光ダイオードを横に倒した場合でも、発
光ダイオードの姿勢が安定するとともに、半田付けの作
業性が良くなるものとし課題を解決するものである。
を構成すると発光ダイオードランプの高さが高くなり、
このため、発光ダイオードを９０°横に倒した状態で電
極を半田付けのみで接続しようとした場合、発光ダイオ
ードの形状および電極の取付位置が適さないため、取付
および半田付けの作業性の悪いものとなる問題が生じて
いた。 【解決手段】本発明により、Ｐ型半導体およびＮ型半導
体からなるＰＮ接合面を有し、ＰＮ接合面付近から発せ
られる光をＰＮ接合面とほぼ平行な方向から外部に取り
出す発光ダイオードにおいて、Ｐ型半導体およびＮ型半
導体に設けられる電極が発光ダイオードを載置する際底
面となる側に近接して設けられ、又、底面をほぼ平面と
したことで、発光ダイオードを横に倒した場合でも、発
光ダイオードの姿勢が安定するとともに、半田付けの作
業性が良くなるものとし課題を解決するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＮ接合面とほぼ平行
な方向に光を取り出す発光ダイオードに関する。
な方向に光を取り出す発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の発光ダイオードを示すのが
図３、図４であり、図３はＧａＰ系半導体により形成さ
れた発光ダイオードの上面図、図４は図３のＡ−Ａ線に
沿った概略断面図である。
図３、図４であり、図３はＧａＰ系半導体により形成さ
れた発光ダイオードの上面図、図４は図３のＡ−Ａ線に
沿った概略断面図である。
【０００３】符号９１、９２で示されるのは、ＧａＰ系
材料により形成されたＰ型半導体、Ｎ型半導体であり、
符号９３で示されるのは前記Ｐ型半導体９１とＮ型半導
体９２が接合するＰＮ接合面である。そして前記Ｐ型半
導体９１とＮ型半導体９２にはＡｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｎ
ｉ、Ｇａ、ＧｅなどによりＰ側電極９４、Ｎ側電極９５
が形成される。
材料により形成されたＰ型半導体、Ｎ型半導体であり、
符号９３で示されるのは前記Ｐ型半導体９１とＮ型半導
体９２が接合するＰＮ接合面である。そして前記Ｐ型半
導体９１とＮ型半導体９２にはＡｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｎ
ｉ、Ｇａ、ＧｅなどによりＰ側電極９４、Ｎ側電極９５
が形成される。
【０００４】前記電極について説明すると、Ｐ側電極９
４は結線をするために必要で、２５μｍ程度の太さの金
線をボールボンディングで結線するのに必要な大きさと
して、直径１００μｍ程度の同形が一般的である。これ
より大きすぎると光りが発光ダイオードの外へ出るとき
の影になってしまい実用上の発光効率が下がる。また、
小さすぎると電流が発光ダイオード全体に行きわたらな
くなり、これも発光効率の低下の原因になる。
４は結線をするために必要で、２５μｍ程度の太さの金
線をボールボンディングで結線するのに必要な大きさと
して、直径１００μｍ程度の同形が一般的である。これ
より大きすぎると光りが発光ダイオードの外へ出るとき
の影になってしまい実用上の発光効率が下がる。また、
小さすぎると電流が発光ダイオード全体に行きわたらな
くなり、これも発光効率の低下の原因になる。
【０００５】次に、Ｎ側電極９５は、電流を発光ダイオ
ード内に均一に流れるようにするには、全面にベタ電極
とするのが良いが、電極材料と発光ダイオードの結晶と
は良好な導電性をもたせるために、十分に合金層を形成
してあるので、発光した光はこの合金層で吸収されてし
まうため、Ｎ型電極はベタでなく、水玉模様や格子状の
ものにしてあるのが一般的である。
ード内に均一に流れるようにするには、全面にベタ電極
とするのが良いが、電極材料と発光ダイオードの結晶と
は良好な導電性をもたせるために、十分に合金層を形成
してあるので、発光した光はこの合金層で吸収されてし
まうため、Ｎ型電極はベタでなく、水玉模様や格子状の
ものにしてあるのが一般的である。
【０００６】そして、前記の発光ダイオード９０は大型
の結晶基板上に電極を複数形成し、ダイシングにより分
離することにより形成され、ダイシングによって結晶面
に導入された加工ひずみを除去するためにエッチング液
中に浸すメサエッチングを行い鏡面仕上を行っているた
め前記発光ダイオード９０の側面は凹部９６を有するも
のとなっている。
の結晶基板上に電極を複数形成し、ダイシングにより分
離することにより形成され、ダイシングによって結晶面
に導入された加工ひずみを除去するためにエッチング液
中に浸すメサエッチングを行い鏡面仕上を行っているた
め前記発光ダイオード９０の側面は凹部９６を有するも
のとなっている。
【０００７】このようにして形成された発光ダイオード
９０は、図５に示すように表面実装型の発光ダイオード
ランプ１００などに用いられる。この発光ダイオードラ
ンプ１００について説明すると、まず、ベースとなる基
板１０１表面に通電のための通電電極１０２が複数形成
される。次に前記通電電極１０２の１つに発光ダイオー
ド９０の一方の電極をＡｇペーストなどによりダイボン
ドし、前記通電電極１０２とは電気的に分離されている
他の通電電極１０２上に、前記発光ダイオード９０の他
方の電極をワイヤー１０４により結線を行う。
９０は、図５に示すように表面実装型の発光ダイオード
ランプ１００などに用いられる。この発光ダイオードラ
ンプ１００について説明すると、まず、ベースとなる基
板１０１表面に通電のための通電電極１０２が複数形成
される。次に前記通電電極１０２の１つに発光ダイオー
ド９０の一方の電極をＡｇペーストなどによりダイボン
ドし、前記通電電極１０２とは電気的に分離されている
他の通電電極１０２上に、前記発光ダイオード９０の他
方の電極をワイヤー１０４により結線を行う。
【０００８】そして、発光ダイオード９０およびワイヤ
ー１０４を覆うようにして透明樹脂などによりモールド
部１０３を形成し、これらの保護および配光の制御を行
う。
ー１０４を覆うようにして透明樹脂などによりモールド
部１０３を形成し、これらの保護および配光の制御を行
う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の構造においては、前記発光ダイオード９０を用
いて発光ダイオードランプ１００を形成した場合、この
発光ダイオードランプ１００の高さは概略基板１０１お
よびモールド部１０３の高さとなり、モールド部１０３
は、発光ダイオード９０とワイヤー１０４のループの高
さが必要であるため、一定以上の薄型化が不可能とな
る。近年前記発光ダイオードランプ１００を使用した製
品は著しい小型化が要求されており、これにともない発
光ダイオードランプ１００の薄型化が必要とされてい
る。
た従来の構造においては、前記発光ダイオード９０を用
いて発光ダイオードランプ１００を形成した場合、この
発光ダイオードランプ１００の高さは概略基板１０１お
よびモールド部１０３の高さとなり、モールド部１０３
は、発光ダイオード９０とワイヤー１０４のループの高
さが必要であるため、一定以上の薄型化が不可能とな
る。近年前記発光ダイオードランプ１００を使用した製
品は著しい小型化が要求されており、これにともない発
光ダイオードランプ１００の薄型化が必要とされてい
る。
【００１０】そのため、この種の発光ダイオード９０を
９０°横に倒し、ＰＮ接合面を基板１０１に対して垂直
となるように配置し、ワイヤー１０４を用いずに前記Ｐ
側電極９４および前記Ｎ側電極９５をともに直接前記通
電電極１０２に半田付けを行う方法が取られているが、
前記したようにこの種の発光ダイオード９０には、メサ
エッチングにより側面に凹部９６を有するため、基板１
０１上に発光ダイオード９０を載置した場合、ガタつき
を生じ、安定しない。
９０°横に倒し、ＰＮ接合面を基板１０１に対して垂直
となるように配置し、ワイヤー１０４を用いずに前記Ｐ
側電極９４および前記Ｎ側電極９５をともに直接前記通
電電極１０２に半田付けを行う方法が取られているが、
前記したようにこの種の発光ダイオード９０には、メサ
エッチングにより側面に凹部９６を有するため、基板１
０１上に発光ダイオード９０を載置した場合、ガタつき
を生じ、安定しない。
【００１１】また、Ｐ側電極９４は、Ｐ型半導体９１の
中心付近にあり、前記発光ダイオード９０を９０°横に
倒した状態で載置した場合、前記基板１０１から離れた
位置となるため、前記したように半田付を行う際半田の
付きが悪くなるとともに、半田付の作業性の悪いものと
なるなどの問題があった。
中心付近にあり、前記発光ダイオード９０を９０°横に
倒した状態で載置した場合、前記基板１０１から離れた
位置となるため、前記したように半田付を行う際半田の
付きが悪くなるとともに、半田付の作業性の悪いものと
なるなどの問題があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題解決
のために、Ｐ型半導体およびＮ型半導体からなるＰＮ接
合面を有し、前記接合面付近から発せられる光を前記接
合面とほぼ平行な方向から外部に取り出す発光ダイオー
ドにおいて、前記Ｐ型半導体およびＮ型半導体に設けら
れる電極が前記発光ダイオードを載置する際底面となる
側に近接して設けられることを特徴とする発光ダイオー
ドを提供するものである。
のために、Ｐ型半導体およびＮ型半導体からなるＰＮ接
合面を有し、前記接合面付近から発せられる光を前記接
合面とほぼ平行な方向から外部に取り出す発光ダイオー
ドにおいて、前記Ｐ型半導体およびＮ型半導体に設けら
れる電極が前記発光ダイオードを載置する際底面となる
側に近接して設けられることを特徴とする発光ダイオー
ドを提供するものである。
【００１３】また、前記底面がほぼ平面であることを特
徴とする。
徴とする。
【００１４】さらに、光を外部に取り出す光放射面に粗
面化処理を施したことを特徴とする。
面化処理を施したことを特徴とする。
【００１５】そして、前記電極は、パッド部および枝部
からなることを特徴とする。
からなることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施形態】次に、本発明を図に示す実施形態に
基づいて詳細に説明する。図１に符号１で示すものは本
発明に係る発光ダイオードの一つの実施形態であり、こ
の発光ダイオード１は、従来例と同様にＧａＰ系材料に
より形成されたＰ型半導体２、Ｎ型半導体３を有し、前
記Ｐ型半導体２とＮ型半導体３で形成されるＰＮ接合面
４を有するものである。
基づいて詳細に説明する。図１に符号１で示すものは本
発明に係る発光ダイオードの一つの実施形態であり、こ
の発光ダイオード１は、従来例と同様にＧａＰ系材料に
より形成されたＰ型半導体２、Ｎ型半導体３を有し、前
記Ｐ型半導体２とＮ型半導体３で形成されるＰＮ接合面
４を有するものである。
【００１７】そして、前記Ｐ型半導体２および前記Ｎ型
半導体３にＡｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｇｅなどを
成膜し電極を形成するものであるが、本実施形態ではこ
の電極の取付位置に特徴を有する。
半導体３にＡｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｇｅなどを
成膜し電極を形成するものであるが、本実施形態ではこ
の電極の取付位置に特徴を有する。
【００１８】まず、この電極の形成方法について説明を
すると、前記Ｐ型半導体２およびＮ型半導体３表面に前
記の材料により成膜した後、フォトリソなどによりＰ側
電極５およびＮ側電極６を前記発光ダイオード１のＰＮ
接合面４に直交する１つの面に近接配置する。
すると、前記Ｐ型半導体２およびＮ型半導体３表面に前
記の材料により成膜した後、フォトリソなどによりＰ側
電極５およびＮ側電極６を前記発光ダイオード１のＰＮ
接合面４に直交する１つの面に近接配置する。
【００１９】この実施形態では、前記Ｐ側電極５および
Ｎ側電極６はこれらが近接配置される前記１つの面の幅
と略同一の直径を有する略半円状のパッド部５ａ、６ａ
と、このパッド部から延びる細長の枝部５ｂ、６ｂとか
ら形成されている。前記パッド部５ａ、６ａは主に後述
する半田付時に、半田フィレットが形成され接続部とな
るもので、他方前記枝部５ｂ、６ｂは前記Ｐ型半導体２
およびＮ型半導体３の全体に電流を均一に流す機能を有
するとともに、半田を前記パッド部５ａ、６ａへ導くガ
イド役をなし、半田付時の歩留りを良好なものとしてい
る。
Ｎ側電極６はこれらが近接配置される前記１つの面の幅
と略同一の直径を有する略半円状のパッド部５ａ、６ａ
と、このパッド部から延びる細長の枝部５ｂ、６ｂとか
ら形成されている。前記パッド部５ａ、６ａは主に後述
する半田付時に、半田フィレットが形成され接続部とな
るもので、他方前記枝部５ｂ、６ｂは前記Ｐ型半導体２
およびＮ型半導体３の全体に電流を均一に流す機能を有
するとともに、半田を前記パッド部５ａ、６ａへ導くガ
イド役をなし、半田付時の歩留りを良好なものとしてい
る。
【００２０】また、前記Ｐ側電極５およびＮ側電極６の
大きさは、前記Ｐ型半導体２およびＮ型半導体３の電極
形成面全体を覆うものではなく、本実施形態において
は、それぞれの電極形成面の略半分の面積を占めるもの
としているが、これよりも多くても、少なくても良い。
大きさは、前記Ｐ型半導体２およびＮ型半導体３の電極
形成面全体を覆うものではなく、本実施形態において
は、それぞれの電極形成面の略半分の面積を占めるもの
としているが、これよりも多くても、少なくても良い。
【００２１】さらに、本実施形態では前記Ｐ側電極５の
底辺とＮ側電極６の底辺の高さ方向の位置が一致もしく
は±２０μｍ以内に配置されており、また、両電極の底
辺が前記底面８より３０μｍ以内に配置されるものとさ
れている。
底辺とＮ側電極６の底辺の高さ方向の位置が一致もしく
は±２０μｍ以内に配置されており、また、両電極の底
辺が前記底面８より３０μｍ以内に配置されるものとさ
れている。
【００２２】このようにすることにより、電極材料と各
半導体層とを良好な導電性をもたせるために、合金層を
形成した場合でも、この電極形成面には合金層が形成さ
れていない部分を有するため、前記ＰＮ接合面４から放
射された光はこの部分で反射し、前記発光ダイオード１
の光の出力を増加させることができる。
半導体層とを良好な導電性をもたせるために、合金層を
形成した場合でも、この電極形成面には合金層が形成さ
れていない部分を有するため、前記ＰＮ接合面４から放
射された光はこの部分で反射し、前記発光ダイオード１
の光の出力を増加させることができる。
【００２３】そして、前記Ｐ側電極５およびＮ側電極６
に近接される面は、前記発光ダイオード１を図２に示す
発光ダイオードランプ１０に使用した場合底面８となる
もので、この底面８は発光ダイオード１の形成工程によ
り、凹部を有さないよう形成し、略平面とされる。
に近接される面は、前記発光ダイオード１を図２に示す
発光ダイオードランプ１０に使用した場合底面８となる
もので、この底面８は発光ダイオード１の形成工程によ
り、凹部を有さないよう形成し、略平面とされる。
【００２４】さらに、前記発光ダイオード１の光を放出
する面となる光放出面７は、公知のフッ化水素酸、熱塩
酸などによりエッチングし粗面化処理を行い、発光ダイ
オード１の光取出し量を多くさせている。
する面となる光放出面７は、公知のフッ化水素酸、熱塩
酸などによりエッチングし粗面化処理を行い、発光ダイ
オード１の光取出し量を多くさせている。
【００２５】次に、図２に示すのものは上記実施形態の
発光ダイオード１を用いて形成した表面実装型の発光ダ
イオードランプ１０である。符号１１はベースとなる基
板であり、ガラスエポキシなどの絶縁性の材料が用いら
れ、この基板１１の表面には通電のための通電電極１２
が複数形成される。
発光ダイオード１を用いて形成した表面実装型の発光ダ
イオードランプ１０である。符号１１はベースとなる基
板であり、ガラスエポキシなどの絶縁性の材料が用いら
れ、この基板１１の表面には通電のための通電電極１２
が複数形成される。
【００２６】そして前記発光ダイオード１を前記ＰＮ接
合面が基板１１に垂直となるように底面８を基板１１に
面するよう配置し、前記Ｐ側電極５および前記Ｎ側電極
６を電気的に絶縁されている個々の通電電極１２に半田
１４により半田付けを行い接続する。
合面が基板１１に垂直となるように底面８を基板１１に
面するよう配置し、前記Ｐ側電極５および前記Ｎ側電極
６を電気的に絶縁されている個々の通電電極１２に半田
１４により半田付けを行い接続する。
【００２７】その後、前記発光ダイオード１および半田
１４を覆うようにして透明樹脂などによりモールド部１
３を形成しこれらの保護および配光の制御を行い、発光
ダイオードランプ１０が完成する。
１４を覆うようにして透明樹脂などによりモールド部１
３を形成しこれらの保護および配光の制御を行い、発光
ダイオードランプ１０が完成する。
【００２８】次いで上記の構成とした本発明の作用およ
び効果について説明を行えば、前記した発光ダイオード
１は、第一には前記Ｐ型半導体層２およびＮ型半導体層
３に形成される電極５、６がともに底面８に近接配置さ
れているため、この底面８を下にして、前記ＰＮ接合面
４を基板１１に対して垂直となるように配置し、ワイヤ
ーを用いずに前記Ｐ側電極５およびＮ側電極６をともに
直接通電電極１２に半田付を行う場合、半田付時の歩留
りが良いものとなる。
び効果について説明を行えば、前記した発光ダイオード
１は、第一には前記Ｐ型半導体層２およびＮ型半導体層
３に形成される電極５、６がともに底面８に近接配置さ
れているため、この底面８を下にして、前記ＰＮ接合面
４を基板１１に対して垂直となるように配置し、ワイヤ
ーを用いずに前記Ｐ側電極５およびＮ側電極６をともに
直接通電電極１２に半田付を行う場合、半田付時の歩留
りが良いものとなる。
【００２９】また、第二にはチップ加工工程での歩留り
を落とすことなく形成することができ、第三には底面８
が略平面とされているため、基板１１上などに配置する
際がたつきなどのないものとすることができる。
を落とすことなく形成することができ、第三には底面８
が略平面とされているため、基板１１上などに配置する
際がたつきなどのないものとすることができる。
【００３０】さらに、第四には光放出面７の面が粗面化
されていることにより、光取出し効率に優れ、指向特性
も大きな偏りのない発光ダイオードを得ることが可能と
なる。
されていることにより、光取出し効率に優れ、指向特性
も大きな偏りのない発光ダイオードを得ることが可能と
なる。
【００３１】そして、本実施形態の発光ダイオード１を
用いて発光ダイオードランプ１０を形成すれば、ワイヤ
ー配線を不要とする半田付のみでの接触が容易となり、
ワイヤループの高さが減少でき発光ダイオードランプ１
０の高さを低くすることができ薄型のものとなる。
用いて発光ダイオードランプ１０を形成すれば、ワイヤ
ー配線を不要とする半田付のみでの接触が容易となり、
ワイヤループの高さが減少でき発光ダイオードランプ１
０の高さを低くすることができ薄型のものとなる。
【００３２】なお、上記の実施形態では、半導体の材料
としてＧａＰ系のもので説明したが、これに限らず、特
に発光波長に対し、光を透過する半導体のみで形成され
る発光ダイオードに有効である。
としてＧａＰ系のもので説明したが、これに限らず、特
に発光波長に対し、光を透過する半導体のみで形成され
る発光ダイオードに有効である。
【００３３】また、電極のパッド部の形状は半円状のも
ので示してあるが、これに限らず三角形状、四角形状な
ど種々なものが適用可能である。
ので示してあるが、これに限らず三角形状、四角形状な
ど種々なものが適用可能である。
【００３４】さらに、Ｐ側電極５とＮ側電極６の形状は
同一でなくても良く、枝部の形状および本数も各々変え
ることも可能である。
同一でなくても良く、枝部の形状および本数も各々変え
ることも可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、発
光ダイオード１のＰ型半導体２およびＮ型半導体３に形
成される電極５、６が底面８に近接配置されているた
め、ＰＮ接合面が基板に対して垂直になるように発光ダ
イオード１を配置し、電極５、６をともに半田付を行う
際極めて良好な取付を行うことができる。
光ダイオード１のＰ型半導体２およびＮ型半導体３に形
成される電極５、６が底面８に近接配置されているた
め、ＰＮ接合面が基板に対して垂直になるように発光ダ
イオード１を配置し、電極５、６をともに半田付を行う
際極めて良好な取付を行うことができる。
【００３６】また、底面８は略平面とされているため、
基板などの上に取付けた場合でも安定したものとするこ
とができる。
基板などの上に取付けた場合でも安定したものとするこ
とができる。
【００３７】そして、この発光ダイオード１を用いて発
光ダイオードランプ１０を形成すれば、ワイヤー配線を
不要とする半田付のみでの接続が容易となり、ワイヤル
ープの高さが減少でき発光ダイオードランプ１０の高さ
を低くすることができ薄型のものとなる。
光ダイオードランプ１０を形成すれば、ワイヤー配線を
不要とする半田付のみでの接続が容易となり、ワイヤル
ープの高さが減少でき発光ダイオードランプ１０の高さ
を低くすることができ薄型のものとなる。
【図１】本発明に係る発光ダイオードの実施形態を示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図２】本発明に係る発光ダイオードを用いて形成した
発光ダイオードランプを示す概略断面図である。
発光ダイオードランプを示す概略断面図である。
【図３】従来の発光ダイオードを示す概略上面図であ
る。
る。
【図４】図３で示した発光ダイオードのＡ−Ａ線に沿う
概略断面図である。
概略断面図である。
【図５】図３で示した発光ダイオードを用いて形成した
発光ダイオードランプを示す概略断面図である。
発光ダイオードランプを示す概略断面図である。
１ 発光ダイオード ２ Ｐ型半導体 ３ Ｎ型半導体 ４ ＰＮ接合面 ５ Ｐ側電極 ５ａ パッド部 ５ｂ 枝部 ６ Ｎ側電極 ６ａ パッド部 ６ｂ 枝部 ７ 光放出面 ８ 底面 １０ 発光ダイオードランプ １１ 基板 １２ 通電電極 １３ モールド部 １４ 半田
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｐ型半導体およびＮ型半導体からなるＰ
Ｎ接合面を有し、前記ＰＮ接合面付近から発せられる光
を前記ＰＮ接合面とほぼ平行な方向から外部に取り出す
発光ダイオードにおいて、前記Ｐ型半導体およびＮ型半
導体に設けられる電極が前記発光ダイオードを載置する
際底面となる側に近接して設けられることを特徴とする
発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記底面がほぼ平面であることを特徴と
する請求項１記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 光を外部に取り出す光放射面に粗面化処
理を施したことを特徴とする請求項１又は２記載の発光
ダイオード。 - 【請求項４】 前記電極は、パッド部および枝部からな
ることを特徴とする請求項１、２又は３記載の発光ダイ
オード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24923298A JP2000077709A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24923298A JP2000077709A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077709A true JP2000077709A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17189898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24923298A Pending JP2000077709A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077709A (ja) |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP24923298A patent/JP2000077709A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6949773B2 (en) | GaN LED for flip-chip bonding and method of fabricating the same | |
| JP5432234B2 (ja) | 半導体発光デバイス用の実装 | |
| CN102412355B (zh) | 发光器件 | |
| US8816386B2 (en) | Light emitting device and manufacture method thereof | |
| US9172004B2 (en) | Light emitting device package | |
| US9941455B2 (en) | Light emitting diode and light emitting device including the same | |
| EP3767688A1 (en) | Light emitting diode | |
| JP3996408B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| US8092051B2 (en) | Efficient LED array | |
| JPH11163419A (ja) | 発光装置 | |
| JP2004047988A (ja) | 大面積及び小面積半導体発光フリップチップ装置のための接触方式 | |
| US8373190B2 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system including the same | |
| JP3068914U (ja) | フリップ―チップ発光デバイス | |
| US7126163B2 (en) | Light-emitting diode and its manufacturing method | |
| CN100454587C (zh) | 发光装置及其制作方法 | |
| KR20120011174A (ko) | 발광모듈 및 이를 포함하는 패키지 | |
| JP2007027357A (ja) | 半導体発光装置及び基板 | |
| JP4345591B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2006073618A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
| US7667236B2 (en) | Optimized contact design for thermosonic bonding of flip-chip devices | |
| KR101115533B1 (ko) | 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| JP2000077709A (ja) | 発光ダイオード | |
| KR102562064B1 (ko) | 복수의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 모듈 | |
| US11978839B2 (en) | Light-emitting device | |
| KR101843426B1 (ko) | 발광모듈 |