JP2000076689A - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JP2000076689A
JP2000076689A JP10244262A JP24426298A JP2000076689A JP 2000076689 A JP2000076689 A JP 2000076689A JP 10244262 A JP10244262 A JP 10244262A JP 24426298 A JP24426298 A JP 24426298A JP 2000076689 A JP2000076689 A JP 2000076689A
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hologram
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical pickup device which is compatible with plural recording and reproducing optical disks to different standards by using light beams of different wavelengths, easy to assemble and adjust, and moreover suitable for miniaturization and integration. SOLUTION: 1st semiconductor laser 1 oscillating in a 650 nm band and 2nd semiconductor laser 2 oscillating in a 780 nm band are arranged proximately. A 3-beam purpose diffraction grating 3 for generating three beams for tracking control, a two-splitting 2nd hologram element 11 diffracting only the 2nd semiconductor laser light, and a four-splitting 1st hologram element 12 diffracting only the laser light of the 1st semiconductor laser are arranged in the optical axes of the 1st semiconductor laser 1 and the 2nd semiconductor laser 2. The light emitted from the 1st semiconductor laser 1 is focused on a disk 7, and the reflected light is diffracted by the hologram element 12 and guided to a photodetector 14. After the light emitted from the semiconductor 2 is separated into three beams through the diffraction grating 3, they are focused on the disk 7, and the reflected return light is diffracted by the hologram element 11 and guided to the photodetector 14.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクや光カ
ード等の情報記録媒体に対して、光学的に情報を記録再
生する光ピックアップに関するものである。特に、異な
る波長の光ビームを用いて記録再生する複数の異なる規
格の光ディスクに対応できる互換光ピックアップを提供
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup for optically recording and reproducing information on an information recording medium such as an optical disk and an optical card. In particular, the present invention provides a compatible optical pickup that can support a plurality of optical discs of different standards for recording and reproducing using light beams of different wavelengths.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光ディスクは多量の情報信号を高
密度で記録することができるため、オーディオ、ビデ
オ、コンピュータ等の多くの分野において利用が進めら
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, optical discs are capable of recording a large amount of information signals at high density, and have been used in many fields such as audio, video, and computers.

【0003】特に、光ディスクにおいては、CD,CD
−RやDVDなど種々の異なる規格のディスクが市販さ
れており、このような異なる規格のディスクを単一の光
ピックアップで記録または再生できる互換性が要求され
ている。CDやCD−Rは波長780nmの赤外光ビー
ムに対して基板や記録媒体の特性が最適化されており、
またDVDは波長650nm付近の赤色光ビームに対し
て最適化されている。また将来的に400nm前後の青
色光ビームを用いた記録または再生ディスクの開発も進
められている。
[0003] In particular, in the case of optical discs,
Discs of various different standards such as -R and DVD are commercially available, and compatibility for recording or reproducing such discs of different standards with a single optical pickup is required. For a CD or CD-R, the characteristics of a substrate and a recording medium are optimized with respect to an infrared light beam having a wavelength of 780 nm.
The DVD is optimized for a red light beam having a wavelength of about 650 nm. Further, in the future, development of a recording or reproducing disk using a blue light beam of about 400 nm is underway.

【0004】このような異なる波長で記録または再生さ
れるディスクに対して、互換性のある光ピックアップと
しては、例えば特開平9−128794号公報に記載の
光ピックアップが提案されている。
[0004] As an optical pickup compatible with such a disk recorded or reproduced at different wavelengths, for example, an optical pickup described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-128794 has been proposed.

【0005】図12は、特開平9−128794号公報
に記載の光ピックアップの構成を示す図である。この光
ピックアップは、635nm帯で発振する第1の半導体
レーザ1、780nm帯で発振する第2の半導体レーザ
2、各光源の光ビームからトラッキング制御用の3ビー
ムを生じさせる3ビーム用回折格子3、光ビームの偏波
方向によって凹レンズ作用を奏する格子レンズ5、対物
レンズ6、ディスク7からの反射光を回折させて受光素
子に導くホログラム素子8、および受光素子9とを備え
ている。また第1の半導体レーザ1と、第2の半導体レ
ーザ2は、互いに偏光方向が直交するように配置されて
いる。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of an optical pickup described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-128794. This optical pickup comprises a first semiconductor laser 1 oscillating in a 635 nm band, a second semiconductor laser 2 oscillating in a 780 nm band, and a three-beam diffraction grating 3 for generating three beams for tracking control from the light beam of each light source. A grating lens 5 having a concave lens function according to the polarization direction of the light beam; an objective lens 6; a hologram element 8 for diffracting light reflected from the disk 7 to guide the light to a light receiving element; Further, the first semiconductor laser 1 and the second semiconductor laser 2 are arranged so that the polarization directions are orthogonal to each other.

【0006】まず、635nm帯の第1の半導体レーザ
1で、基板厚さ0.6mmの光ディスクを再生する場合
の動作について説明する。半導体レーザ1から出射した
光は、回折格子3により3ビームに分離され、ホログラ
ム素子8を透過した後、格子レンズ5では作用を受けず
に対物レンズ6でディスク7の記録面7aに集光され
る。反射して戻ってきた光はホログラム素子8で回折さ
れて、受光素子9に導かれる。光ビームの偏波方向は格
子レンズ5で作用を受けないような格子パターンが形成
されている。
First, the operation when reproducing an optical disk having a substrate thickness of 0.6 mm with the first semiconductor laser 1 in the 635 nm band will be described. The light emitted from the semiconductor laser 1 is split into three beams by the diffraction grating 3, transmitted through the hologram element 8, and then focused on the recording surface 7 a of the disk 7 by the objective lens 6 without being affected by the grating lens 5. You. The light reflected and returned is diffracted by the hologram element 8 and guided to the light receiving element 9. A grating pattern is formed such that the polarization direction of the light beam is not affected by the grating lens 5.

【0007】次に、780nm帯の第2の半導体レーザ
2で、基板厚さ1.2mmの光ディスクを再生する場合
の動作について説明する。半導体レーザ2から出射した
光は、同じく回折格子3で3ビームに分離され、ホログ
ラム素子8を透過した後、格子レンズ5では凹レンズ作
用を受けて対物レンズ6でディスク7の記録面7bに集
光される。反射して戻ってきた光も同じくホログラム素
子8で回折されて、受光素子9に導かれる。光ビームの
偏波方向は格子レンズ5で作用を受けるような格子パタ
ーンが形成されている。
Next, a description will be given of an operation when reproducing an optical disk having a substrate thickness of 1.2 mm with the second semiconductor laser 2 in the 780 nm band. The light emitted from the semiconductor laser 2 is similarly split into three beams by the diffraction grating 3 and transmitted through the hologram element 8, then condensed on the recording surface 7 b of the disk 7 by the objective lens 6 under the action of a concave lens in the grating lens 5. Is done. The reflected light is also diffracted by the hologram element 8 and guided to the light receiving element 9. A grating pattern is formed such that the polarization direction of the light beam is affected by the grating lens 5.

【0008】なお、格子レンズ5での凹レンズ作用は、
ディスク厚さが0.6mmから1.2mmに厚くなった
場合に発生する球面収差を補正するように設計されてい
る。
[0008] The concave lens action of the grating lens 5 is as follows.
It is designed to correct spherical aberration that occurs when the disk thickness increases from 0.6 mm to 1.2 mm.

【0009】このような構成においては、例えば第1の
半導体レーザ1に対して、ディスク反射光の回折光が、
受光素子9に導かれるように、ホログラム素子8を設計
している。そして、もう一方の波長の第2の半導体レー
ザ2に対しては、ディスク反射光が波長の違いによる回
折角の違いによって生じる受光素子9上の位置の違いが
キャンセルされるように、半導体レーザ2の配置関係が
設定されている。また第1の半導体レーザからの光も、
第2の半導体レーザからの光も共に回折格子3により3
ビームに分離され、同じ受光素子により、3ビーム法に
よるトラッキング誤差信号を検出している。
In such a configuration, for example, the diffracted light of the disk reflected light is applied to the first semiconductor laser 1.
The hologram element 8 is designed to be guided to the light receiving element 9. For the second semiconductor laser 2 of the other wavelength, the semiconductor laser 2 is positioned such that the difference in position on the light receiving element 9 caused by the difference in the diffraction angle of the disk reflected light due to the difference in wavelength is canceled. Is set. Also, the light from the first semiconductor laser is
The light from the second semiconductor laser is also 3
Beams are separated into beams, and a tracking error signal is detected by the same light receiving element by the three-beam method.

【0010】このような配置により、本来2つの受光素
子が必要であったのに対し、1つの受光素子を共通に使
用でき、部品点数や組立工数を削減することができる。
With such an arrangement, two light receiving elements are originally required, but one light receiving element can be used in common, and the number of parts and the number of assembly steps can be reduced.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の光ピックア
ップでは、波長の異なる複数の半導体レーザからの光を
用いて複数種類の光ディスクに対して記録再生する際
に、どちらの波長の光をも共通の受光素子に導くよう
に、光源(半導体レーザ)の位置関係を予め求めた所定
の位置関係に配置する必要がある。
In the above-described conventional optical pickup, when recording / reproducing on / from a plurality of types of optical discs using light from a plurality of semiconductor lasers having different wavelengths, both wavelengths of light are commonly used. It is necessary to arrange the positional relationship of the light source (semiconductor laser) in a predetermined positional relationship determined in advance so as to guide the light receiving element.

【0012】しかしながら、半導体レーザと受光素子を
1つのパッケージに集積化する場合などは、通常、半導
体レーザや受光素子はパッケージ内のステムに位置決め
固定されており、ホログラム素子の調整時には受光素子
側は位置や回転調整ができない場合が多い。つまり、半
導体レーザや受光素子の取付け誤差やホログラム素子取
付け面の形状公差により発生する例えばフォーカス誤差
信号やトラッキング誤差信号のオフセット調整を、ホロ
グラム素子の調整だけでを行う場合が多い。このような
場合には、一方の半導体レーザ光源に合うようにホログ
ラム素子を調整すると、別の半導体レーザ光源で使用す
る場合には最適状態からずれる可能性が高い。すなわ
ち、組立て時のホログラム素子の位置調整だけではサー
ボ誤差信号の最適調整ができないか、または半導体レー
ザ、受光素子の取付け公差、パッケージの加工公差など
を非常に厳しくする必要がありコストが高くなる。
However, when the semiconductor laser and the light receiving element are integrated in one package, the semiconductor laser and the light receiving element are usually positioned and fixed on the stem in the package. In many cases, position and rotation cannot be adjusted. That is, in many cases, offset adjustment of, for example, a focus error signal or a tracking error signal caused by a mounting error of a semiconductor laser or a light receiving element or a shape tolerance of a hologram element mounting surface is performed only by adjusting the hologram element. In such a case, if the hologram element is adjusted to match one of the semiconductor laser light sources, there is a high possibility that the hologram element will deviate from the optimal state when used with another semiconductor laser light source. That is, the servo error signal cannot be optimally adjusted only by adjusting the position of the hologram element at the time of assembling, or the mounting tolerance of the semiconductor laser and the light receiving element, the processing tolerance of the package, and the like need to be extremely strict, resulting in an increase in cost.

【0013】また、ホログラム素子は受光素子上で希望
の集光特性を得るために、収差補正機能も含んでいる場
合が多いが、異なる複数の波長に対して最適な収差補正
を行うようなホログラムパターン設計も困難である。
The hologram element often includes an aberration correction function in order to obtain a desired light-collecting characteristic on the light receiving element. However, the hologram element performs optimal aberration correction for a plurality of different wavelengths. Pattern design is also difficult.

【0014】さらに、上記従来の光ピックアップでは、
複数の波長の半導体レーザの光に対して、いずれも3ビ
ーム法によるトラッキング誤差信号しか検出できず、異
なるトラッキング誤差信号を用いる複数の異なる規格の
光ディスクには適用できない。
Further, in the above-mentioned conventional optical pickup,
Any of the semiconductor laser beams of a plurality of wavelengths can detect only a tracking error signal by the three-beam method, and cannot be applied to optical disks of different standards using different tracking error signals.

【0015】本発明は、異なる波長の光ビームを用いて
記録再生する複数の異なる規格の光ディスクに対応で
き、組立て調整が容易で、しかも小型集積化に適した互
換光ピックアップを提供することを目的とするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a compatible optical pickup which can cope with a plurality of optical discs of different standards for recording and reproducing by using light beams of different wavelengths, is easy to assemble and adjust, and is suitable for compact integration. It is assumed that.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の光ピッ
クアップ装置は、第1の波長の光ビームを出射する第1
の光源と、第1の波長とは異なる第2の波長の光ビーム
を出射する第2の光源と、第1の波長の光ビームを回折
して受光素子へと導くとともに、第2の波長の光ビーム
を略回折しない第1のホログラム素子と、第2の波長の
光ビームを回折して前記受光素子へと導くとともに、第
1の波長の光ビームを略回折しない第2のホログラム素
子と、を備えているものである。
According to the first aspect of the present invention, there is provided an optical pickup device which emits a light beam having a first wavelength.
And a second light source that emits a light beam of a second wavelength different from the first wavelength, diffracts the light beam of the first wavelength to the light receiving element, and A first hologram element that does not substantially diffract the light beam, a second hologram element that diffracts the light beam of the second wavelength and guides the light beam to the light receiving element, and that does not substantially diffract the light beam of the first wavelength; It is provided with.

【0017】請求項2に記載の光ピックアップ装置は、
第1の波長の光ビームを発生する第1の光源と、第1の
波長とは異なる第2の波長の光ビームを発生する第2の
光源と、第1の光源,第2の光源の少なくとも一方から
の出射光の光ディスクへの光路中に配され、第1の波長
と第2の波長の少なくとも一方の波長の光を3ビームに
分割するビーム分割用回折格子と、第1の光源,第2の
光源からの出射光の前記光ディスクへの光路中に配さ
れ、前記光ディスクから反射された第1の波長の光を回
折して受光素子へ導くと共に、第2の波長の光を回折し
ない第1のホログラム素子と、第1の光源,第2の光源
からの出射光の前記光ディスクへの光路中に配され、前
記光ディスクから反射され、第1のホログラム素子を透
過した第2の波長の光を回折して前記受光素子へ導くと
共に、第1の波長の光を回折しない第2のホログラム素
子と、を備えたものである。
An optical pickup device according to claim 2 is
A first light source that generates a light beam of a first wavelength, a second light source that generates a light beam of a second wavelength different from the first wavelength, and at least one of a first light source and a second light source A beam splitting diffraction grating arranged in an optical path of light emitted from one side to the optical disk and splitting light of at least one of the first wavelength and the second wavelength into three beams; The light emitted from the second light source is arranged in the optical path to the optical disk, and the light of the first wavelength reflected from the optical disk is diffracted and guided to the light receiving element, and the light of the second wavelength that is not diffracted is diffracted. A first hologram element, and light of a second wavelength, which is disposed in an optical path to the optical disc of light emitted from the first light source and the second light source, reflected from the optical disc, and transmitted through the first hologram element. Is diffracted to the light receiving element and the first wavelength A second hologram element which does not diffract, those having a.

【0018】請求項3に記載の光ピックアップ装置は、
請求項1または請求項2に記載の光ピックアップ装置に
おいて、第1および第2のホログラム素子は、それぞれ
第1および第2の波長の光に対しては0次回折効率と1
次または−1次回折効率の積が最大になるように形成さ
れているものである。
An optical pickup device according to claim 3 is
3. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first and second hologram elements have a 0th-order diffraction efficiency and a 1st-order diffraction efficiency with respect to the first and second wavelengths, respectively.
It is formed so that the product of the first-order or the first-order diffraction efficiency is maximized.

【0019】請求項4に記載の光ピックアップ装置は、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光ピックアッ
プ装置において、第1のホログラム素子,第2のホログ
ラム素子は、それぞれ第1の基板,第2の基板に、独立
して調整可能に形成されているものである。
An optical pickup device according to claim 4 is
4. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first hologram element and the second hologram element are formed on the first substrate and the second substrate so as to be independently adjustable. Is what is being done.

【0020】請求項5に記載の光ピックアップ装置は、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光ピックアッ
プ装置において、第1及び第2のホログラム素子は、略
同一光軸上に積層された第1の基板,第2の基板にそれ
ぞれ形成されており、第1の基板と第2の基板の互いに
接触する面に形成されたホログラム素子は、ホログラム
の形成部分がその周辺の基板面よりも低く形成されてい
るものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an optical pickup device comprising:
4. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first and second hologram elements are respectively formed on a first substrate and a second substrate that are stacked on substantially the same optical axis. The hologram element formed on the surfaces of the first substrate and the second substrate that are in contact with each other has a hologram formation portion formed lower than the surrounding substrate surface.

【0021】請求項6に記載の光ピックアップ装置は、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光ピックアッ
プ装置において、第1及び第2のホログラム素子は、略
同一光軸上に積層された第1の基板,第2の基板にそれ
ぞれ形成されており、第1のホログラム素子,第2のホ
ログラム素子の一方は第1の基板と第2の基板の互いに
接触する面に形成されており、他方のホログラム素子が
形成された基板における前記一方のホログラム素子に対
向する部位に凹部が形成されているものである。
The optical pickup device according to claim 6 is
4. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first and second hologram elements are respectively formed on a first substrate and a second substrate that are stacked on substantially the same optical axis. One of the first hologram element and the second hologram element is formed on a surface of the first substrate and the second substrate that are in contact with each other, and the other of the first hologram element and the second hologram element on the substrate on which the other hologram element is formed. A concave portion is formed at a portion facing the hologram element.

【0022】請求項7に記載の光ピックアップ装置は、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光ピックアッ
プ装置において、第1及び第2のホログラム素子は、略
同一光軸上に配置された第1の基板,第2の基板にそれ
ぞれ形成されており、第1の基板と第2の基板は、スペ
ーサを介して積層されているものである。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an optical pickup device comprising:
4. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first and second hologram elements are respectively formed on a first substrate and a second substrate arranged on substantially the same optical axis. In this case, the first substrate and the second substrate are stacked via a spacer.

【0023】請求項8に記載の光ピックアップ装置は、
請求項2に記載の光ピックアップ装置において、第1及
び第2のホログラム素子は、略同一光軸上に配置された
第1の基板,第2の基板にそれぞれ形成されており、第
2の基板における第2のホログラム素子の形成面の反対
側の面に、前記ビーム分割用回折格子が形成されている
ものである。
The optical pickup device according to claim 8 is
3. The optical pickup device according to claim 2, wherein the first and second hologram elements are respectively formed on a first substrate and a second substrate arranged on substantially the same optical axis. The beam splitting diffraction grating is formed on the surface opposite to the surface on which the second hologram element is formed.

【0024】請求項9に記載の光ピックアップ装置は、
請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の光ピックアッ
プ装置において、第1の光源は650nm帯の赤色レー
ザで、第2の光源は780nm帯の赤外レーザであり、
第1のホログラム素子の溝深さが1.7〜1.8μm
で、第2のホログラム素子の溝深さが1.3〜1.4μ
mに設定されているものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in the optical pickup device,
The optical pickup device according to any one of claims 1 to 8, wherein the first light source is a red laser in a 650 nm band, the second light source is an infrared laser in a 780 nm band,
The groove depth of the first hologram element is 1.7 to 1.8 μm
And the groove depth of the second hologram element is 1.3 to 1.4 μm.
m.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を用いて
詳細に示す。なお、従来例で示した構成要素と同じもの
は同一符号で示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The same components as those in the conventional example are denoted by the same reference numerals.

【0026】なお、以下の実施の形態では、650nm
帯と780nm帯の光ビームを出射する2つの光源(半
導体レーザ)を有し、780nm帯の光のみを3ビーム
に分割して光ディスクに照射する光ピックアップ装置に
ついて説明する。但し、本発明は、これに限るものでは
なく、照射波長,光ビームの本数等は適宜変更すること
が可能である。
In the following embodiment, 650 nm
An optical pickup device that has two light sources (semiconductor lasers) that emit light beams in a band and a 780 nm band, and divides only the light in the 780 nm band into three beams and irradiates the optical disk with the light will be described. However, the present invention is not limited to this, and the irradiation wavelength, the number of light beams, and the like can be appropriately changed.

【0027】<実施の形態1>図1は、本発明の実施の
形態1の光ピックアップ装置の構成を示す模式図であ
る。このピックアップは、基本的には図12と同様の構
成であり、図12と同じ構成要素には同一符号を付す。
<First Embodiment> FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an optical pickup device according to a first embodiment of the present invention. This pickup has basically the same configuration as that of FIG. 12, and the same components as those of FIG. 12 are denoted by the same reference numerals.

【0028】この光ピックアップは、650nm帯で発
振する第1の半導体レーザ1と、780nm帯で発振す
る第2の半導体レーザ2が近接配置されて、トラッキン
グ制御用の3ビームを生じさせる3ビーム用回折格子
3、第1の半導体レーザの光のみを回折する第1のホロ
グラム素子12、第2の半導体レーザの光のみを回折す
る第2のホログラム素子11、コリメータレンズ13、
対物レンズ6および受光素子14を備えている。
In this optical pickup, a first semiconductor laser 1 oscillating in a 650 nm band and a second semiconductor laser 2 oscillating in a 780 nm band are arranged close to each other to generate three beams for tracking control. A diffraction grating 3, a first hologram element 12 that diffracts only the light of the first semiconductor laser, a second hologram element 11 that diffracts only the light of the second semiconductor laser, a collimator lens 13,
An objective lens 6 and a light receiving element 14 are provided.

【0029】3ビーム用回折格子3,第1のホログラム
素子12,第2のホログラム素子11は次のように配置
されている。すなわち、透明基板16の下側に回折格子
3が形成され、上側にホログラム素子11が形成されて
いる。また、別の透明基板17の上側にホログラム素子
12が形成されている。そして、レーザパッケージ15
のレーザ出射面に透明基板16が調整固定され、その上
に透明基板17が調整固定されている。なお、ここで
は、1つの基板の両面に一方のホログラム素子と回折格
子を形成し、もう一方の基板の片面に他方のホログラム
素子を形成する構成としているが、このようにすれば、
部品点数を削減できる。
The three-beam diffraction grating 3, the first hologram element 12, and the second hologram element 11 are arranged as follows. That is, the diffraction grating 3 is formed below the transparent substrate 16 and the hologram element 11 is formed above. The hologram element 12 is formed above another transparent substrate 17. And the laser package 15
The transparent substrate 16 is adjusted and fixed on the laser emission surface of the above, and the transparent substrate 17 is adjusted and fixed thereon. Here, one hologram element and a diffraction grating are formed on both surfaces of one substrate, and the other hologram element is formed on one surface of the other substrate.
The number of parts can be reduced.

【0030】図2(a)は、650nm帯の第1の半導
体レーザ1で、光ディスクを再生する場合の動作を示す
図である。半導体レーザ1から出射した光は回折格子
3、ホログラム素子11および12を透過し、コリメー
タレンズ13で平行光にされた後、対物レンズ6で光デ
ィスク7上に集光され、反射して戻ってきた光はホログ
ラム素子12で回折されて、受光素子14上に導かれ
る。
FIG. 2A is a diagram showing an operation when reproducing an optical disk with the first semiconductor laser 1 in the 650 nm band. The light emitted from the semiconductor laser 1 passes through the diffraction grating 3 and the hologram elements 11 and 12, is converted into parallel light by the collimator lens 13, then is condensed on the optical disk 7 by the objective lens 6, reflected, and returned. The light is diffracted by the hologram element 12 and guided to the light receiving element 14.

【0031】図2(b)は、780nm帯の第2の半導
体レーザ2で、光ディスクを再生する場合の動作を示す
図である。半導体レーザ2から出射した光は回折格子3
で3ビームに分離され、ホログラム素子11、12を透
過し、コリメータレンズ13で平行光にされた後、対物
レンズ6でディスク7上に集光され、反射して戻ってき
た光はホログラム素子11で回折されて、受光素子14
に導かれる。
FIG. 2B is a diagram showing an operation when reproducing an optical disk with the second semiconductor laser 2 in the 780 nm band. The light emitted from the semiconductor laser 2 is a diffraction grating 3
Are divided into three beams, transmitted through the hologram elements 11 and 12, collimated by a collimator lens 13, then condensed on a disk 7 by an objective lens 6, reflected by the hologram element 11, and returned. Is diffracted by the light receiving element 14
It is led to.

【0032】なお、ホログラム素子11、12は、それ
ぞれ半導体レーザ2及び1からの光ビームに対して戻り
光が受光素子14上で希望の集光特性が得られるように
設計されている。
The hologram elements 11 and 12 are designed so that return light to the light beams from the semiconductor lasers 2 and 1 can obtain desired light-collecting characteristics on the light receiving element 14.

【0033】次に、本実施の形態のホログラム素子1
1、12について説明する。 ホログラム素子の波長選択性 矩形状のホログラム素子の回折効率を、図3および図4
に示す。グルーブ幅とランド幅が等しい矩形状ホログラ
ムの回折効率は、溝深さt、波長λ、透明基板の屈折率
nとすると、 0次回折効率(透過率)η0=(cos△φ)2 ±1次回折効率 η1=(2/π×sin△φ)2 (但し、△φ=πt(n−1)/λ) で表される。
Next, the hologram element 1 of the present embodiment
1 and 12 will be described. Wavelength selectivity of hologram element The diffraction efficiency of a rectangular hologram element was measured by using FIGS.
Shown in The diffraction efficiency of a rectangular hologram having the same groove width and land width as the groove depth t, the wavelength λ, and the refractive index n of the transparent substrate is: 0th-order diffraction efficiency (transmittance) η 0 = (cos △ φ) 2 ± First-order diffraction efficiency η 1 = (2 / π × sin △ φ) 2 (where △ φ = πt (n−1) / λ).

【0034】図3は、波長650nm及び780nmで
の0次及び±1次回折効率と溝深さとの関係を示してい
る。また、図4は、0次回折効率と±1次回折効率の積
(往復利用効率)と溝深さの関係を示している。なお、
ここで、ホログラムガラスは石英n=1.457(λ=
650nm)、n=1.454(λ=780nm)とし
ている。
FIG. 3 shows the relationship between the 0th-order and ± 1st-order diffraction efficiencies and the groove depth at wavelengths of 650 nm and 780 nm. FIG. 4 shows the relationship between the product of the 0th-order diffraction efficiency and the ± 1st-order diffraction efficiency (reciprocation efficiency) and the groove depth. In addition,
Here, the hologram glass is made of quartz n = 1.457 (λ =
650 nm) and n = 1.454 (λ = 780 nm).

【0035】本実施の形態においては、光の利用効率を
かせげるよう、各波長の光ビームに対して、どちらか一
方のホログラム素子ができるだけ多く光を回折して受光
素子に導き、もう一方のホログラム素子が殆ど光を回折
しない(すなわち、迷光をできるだけ少なくする)よう
に、溝深さを設定する必要がある。
In this embodiment, one of the hologram elements diffracts as much light as possible with respect to the light beam of each wavelength and guides it to the light receiving element so as to increase the light utilization efficiency, and the other hologram. It is necessary to set the groove depth so that the element hardly diffracts light (that is, minimizes stray light).

【0036】したがって、例えば、波長650nmの第
1の半導体レーザ1の光のみを回折するホログラム素子
12の溝深さを、図4において650nmの回折効率が
ほぼ0となり780nmで回折効率が大きくなる約1.
7μmとし、波長780nmの第2の半導体レーザ2の
光のみを回折するホログラム素子11の溝深さを、図4
において780nmの回折効率がほぼ0となり650n
mで回折効率が大きくなる約1.4μmにすれば良い。
Accordingly, for example, the depth of the groove of the hologram element 12 for diffracting only the light of the first semiconductor laser 1 having a wavelength of 650 nm is set to be approximately zero when the diffraction efficiency at 650 nm becomes almost zero and the diffraction efficiency becomes large at 780 nm in FIG. 1.
4 μm, the groove depth of the hologram element 11 for diffracting only the light of the second semiconductor laser 2 having a wavelength of 780 nm is shown in FIG.
At 780 nm, the diffraction efficiency at 780 nm becomes almost 0 and 650 n
It is sufficient to set the thickness to about 1.4 μm, where the diffraction efficiency increases with m.

【0037】このとき、ホログラム素子12による波長
650nmの第1の半導体レーザ1の光ビームの往復利
用効率は約9%、ホログラム素子11による波長780
nmの第2の半導体レーザ2の光ビームの往復利用効率
は約8%、各ホログラム素子11、12における他方の
波長での回折効率はほぼ0であり、光量の損失や迷光の
発生は生じなくなる。加工公差等も考慮にいれても、ホ
ログラム素子12の溝深さを1.7〜1.8μm、ホロ
グラム素子11の溝深さを1.3〜1.4μmに設定す
れば、実用レベルの特性が得られる。
At this time, the reciprocating use efficiency of the light beam of the first semiconductor laser 1 having the wavelength of 650 nm by the hologram element 12 is about 9%, and the wavelength of 780 nm by the hologram element 11 is used.
The reciprocal use efficiency of the light beam of the second semiconductor laser 2 of about 8 nm is about 8%, and the diffraction efficiency at the other wavelength in each of the hologram elements 11 and 12 is almost 0, so that loss of light amount and generation of stray light do not occur. . Even if processing tolerances are taken into consideration, if the groove depth of the hologram element 12 is set to 1.7 to 1.8 μm and the groove depth of the hologram element 11 is set to 1.3 to 1.4 μm, practical-level characteristics can be obtained. Is obtained.

【0038】また、3ビーム用の回折格子3は溝深さ
1.4μmにすることで、波長780nmの光に対して
は、メインビーム(0次透過率)72%、サブビーム
(±1次回折効率)12%で、適当な3ビーム光量比が
得られる。またこのとき650nmの光に対しては回折
効率はほぼ0でほとんど影響を受けない。
The diffraction grating 3 for three beams has a groove depth of 1.4 μm, so that the light having a wavelength of 780 nm has a main beam (0-order transmittance) of 72% and a sub-beam (± 1 order diffraction). With an efficiency of 12%, an appropriate three-beam light amount ratio can be obtained. At this time, the diffraction efficiency for light of 650 nm is almost zero, and is hardly affected.

【0039】ホログラム素子11、12の分割パター
ンおよびサーボ信号検出法 図5は、第1の半導体レーザ1の光のみを回折するホロ
グラム素子12の分割パターンと、受光素子14の分割
パターンを示している。
FIG. 5 shows a division pattern of the hologram element 12 for diffracting only the light of the first semiconductor laser 1 and a division pattern of the light receiving element 14. .

【0040】ホログラム素子12は、戻り光ビームの実
質的な中心を原点として十字状に4分割された12a、
12b、12c、12dの4つの分割領域を備えてい
る。また、受光素子14は、2つの2分割受光領域(1
4a、14b)と(14c、14d)とその他の領域1
4e、14fの6つの領域を備えている。
The hologram element 12 is divided into four cruciform parts 12a with the substantial center of the return light beam as the origin.
There are four divided areas 12b, 12c and 12d. Further, the light receiving element 14 has two divided light receiving areas (1
4a, 14b), (14c, 14d) and other areas 1
There are six regions 4e and 14f.

【0041】図5(a)のように、合焦状態の時には、
ホログラム素子12の分割領域12aで回折された戻り
光が、2分割受光領域(14a、14b)のx方向に延
びる分割線14l上にビームP1を形成し、分割領域1
2dで回折された戻り光が2分割受光領域(14c、1
4d)のx方向に延びる分割線14m上にビームP2を
形成し、分割領域12cおよび12bがそれぞれ受光領
域14f、14e上にビームP3、P4を形成する。
As shown in FIG. 5 (a), when in the focused state,
The return light diffracted by the divided region 12a of the hologram element 12 forms a beam P1 on a division line 141 extending in the x direction of the two divided light receiving regions (14a, 14b), and the divided region 1
The return light diffracted by 2d is divided into two light receiving areas (14c, 1c).
The beam P2 is formed on the dividing line 14m extending in the x direction of 4d), and the divided regions 12c and 12b form the beams P3 and P4 on the light receiving regions 14f and 14e, respectively.

【0042】光ディスク7が、合焦状態から対物レンズ
6側に相対的に近づくと、ビームP1およびP2は、図
5(b)のように、それぞれ受光領域14aまたは14
c側に大きくなる。一方、逆に相対的に遠ざかると図5
(c)のように、それぞれ受光領域14bまたは14d
側に大きくなる。フォーカス誤差信号FESは、この性
質を利用して、ナイフエッジ法により、 FES=(Sa+Sc)−(Sb+Sd) の演算により検出できる。
When the optical disk 7 relatively approaches the objective lens 6 from the in-focus state, the beams P1 and P2 respectively receive the light receiving areas 14a or 14a as shown in FIG.
Increases to the c side. On the other hand, on the other hand, if you move away relatively,
(C) As shown in FIG.
Become larger on the side. Utilizing this property, the focus error signal FES can be detected by the knife edge method by calculating FES = (Sa + Sc)-(Sb + Sd).

【0043】また、トラッキング誤差信号TESは、凹
凸ピットが形成された再生専用ディスクでは、SaとS
bとSfの和信号と、ScとSdとSeの和信号の位相
を比較演算することにより、位相差法により検出するこ
とができる。その他に、(Sa+Sb+Se)−(Sc
+Sd+Sf)の演算によって、プッシュプル法による
TESを検出することもできる。さらに、ビームの片側
すなわち分割領域12b、12cまたは分割領域12
a、12dの片側の光だけを用いて位相差法やプッシュ
プル法でのTESを生成することも可能である。
On the other hand, the tracking error signal TES indicates that Sa and S on a read-only disc on which uneven pits are formed.
By comparing the phase of the sum signal of b and Sf with the phase of the sum signal of Sc, Sd and Se, it can be detected by the phase difference method. In addition, (Sa + Sb + Se)-(Sc
TES by the push-pull method can also be detected by the operation of + Sd + Sf). Further, one side of the beam, that is, the divided regions 12b and 12c or the divided region 12b
It is also possible to generate a TES by a phase difference method or a push-pull method using only one of the light beams a and 12d.

【0044】なお、情報再生信号はすべての出力信号の
和から得る。
The information reproduction signal is obtained from the sum of all output signals.

【0045】次に、第2の半導体レーザの光のみを回折
するホログラム素子11の分割パターンと、その信号検
出法について図6を用いて説明する。なお、受光素子1
4は同じである。
Next, a division pattern of the hologram element 11 for diffracting only the light of the second semiconductor laser and a signal detection method thereof will be described with reference to FIG. The light receiving element 1
4 is the same.

【0046】ホログラム素子11は、X方向の分割線に
より2分割された11a、11bの2つの分割領域を備
えている。また、ホログラム素子11の下側には図1で
説明したように、3ビーム用の回折格子3があるため、
レーザからディスクに向かう往路ビームは、ほぼY方向
に沿って3つに分離され、戻り光もY方向に角度をもっ
て返ってくる。
The hologram element 11 has two divided areas 11a and 11b which are divided into two by a dividing line in the X direction. Further, since the diffraction grating 3 for three beams is provided below the hologram element 11 as described with reference to FIG.
The outward beam from the laser to the disk is split into three substantially along the Y direction, and the return light also returns at an angle in the Y direction.

【0047】図6(a)のように、メインビームの戻り
光については、合焦状態の時にホログラム素子11の分
割領域11aで回折された光が、2分割受光領域(14
a、14b)のx方向に延びる分割線14l上にビーム
P1を形成し、分割領域11bで回折された光が2分割
受光領域(14c、14d)のx方向に延びる分割線1
4m上にビームP2を形成する。また、+1次のサブビ
ームの戻り光については、ホログラム素子11の分割領
域11aと11bで回折された光が、ともに受光領域1
4e上にビームP3、P4を形成し、−1次のサブビー
ムの戻り光については、ホログラム素子11の分割領域
11aと11bで回折された光が、ともに受光領域14
f上にビームP5、P6を形成するように構成してい
る。
As shown in FIG. 6A, as for the return light of the main beam, the light diffracted by the divided area 11a of the hologram element 11 in the focused state is divided into two divided light receiving areas (14).
a, 14b), a beam P1 is formed on a division line 141 extending in the x direction, and the light diffracted in the division region 11b is divided into two division light receiving regions (14c, 14d) extending in the x direction.
A beam P2 is formed 4 m above. As for the return light of the + 1-order sub-beam, the light diffracted by the divided areas 11a and 11b of the hologram element 11 is the light receiving area 1
Beams P3 and P4 are formed on the light receiving area 14e, and the light diffracted by the divided areas 11a and 11b of the hologram element 11 is returned to the -1st order sub-beam.
The beams P5 and P6 are formed on f.

【0048】光ディスク7が合焦状態から対物レンズ6
側に相対的に近づくと、ビームP1およびP2は図6
(b)のように、それぞれ受光領域14bまたは14c
側に大きくなる。逆に、相対的に遠ざかると、図5
(c)のように、それぞれ受光領域14aまたは14d
側に大きくなる。
When the optical disk 7 is in focus and the objective lens 6
When approaching relatively to the side, beams P1 and P2
As shown in (b), the light receiving area 14b or 14c
Become larger on the side. Conversely, when the distance increases, FIG.
(C) As shown in FIG.
Become larger on the side.

【0049】よって、フォーカス誤差信号FESは上記
性質を利用して、シングルナイフエッジ法を用いた場
合、 FES=Sa−Sb または FES=Sc−Sd の演算により検出できる。
Therefore, the focus error signal FES can be detected by the calculation of FES = Sa-Sb or FES = Sc-Sd when the single knife edge method is used by utilizing the above-mentioned property.

【0050】また、ダブルナイフエッジ法を用いた場
合、 FES=(Sb+Sc)−(Sa+Sd) の演算により検出できる。
When the double knife edge method is used, it can be detected by the calculation of FES = (Sb + Sc)-(Sa + Sd).

【0051】なお、トラッキング誤差信号TESは、S
e−Sfの演算により3ビーム法によるTESを検出す
ることができる。
The tracking error signal TES is expressed by S
The TES by the three-beam method can be detected by the calculation of e-Sf.

【0052】ホログラム素子11、12の調整 ホログラム素子12の調整の中で重要なFESのオフセ
ット調整について説明する。図7(a)(b)はホログ
ラム素子12とFES検出用の受光素子14a、14
b、14c、14dの部分のみ表示している。設計時
は、上記図5(a)のように、合焦状態においてホログ
ラム素子12の分割領域12aで回折された光が、2分
割受光領域(14a、14b)のx方向に延びる分割線
14l上に集光するようにビームP1を形成し、分割領
域12dで回折された光が2分割受光領域(14c、1
4d)のx方向に延びる分割線14m上に集光するよう
にビームP2を形成している。
Adjustment of Hologram Elements 11 and 12 An adjustment of the FES offset which is important in the adjustment of the hologram element 12 will be described. FIGS. 7A and 7B show the hologram element 12 and the light receiving elements 14a and 14 for FES detection.
Only the parts b, 14c and 14d are displayed. At the time of design, as shown in FIG. 5A, in the focused state, the light diffracted by the divided region 12a of the hologram element 12 is split on the dividing line 141 extending in the x direction of the two-divided light receiving regions (14a, 14b). A beam P1 is formed so as to be focused on the light receiving area (14c, 1c).
The beam P2 is formed so as to converge on a division line 14m extending in the x direction of 4d).

【0053】しかしながら、実際のホログラム/レーザ
一体化パッケージにおいては、レーザチップや受光素子
の取付け誤差やパッケージ、ステムの加工誤差などによ
り、ホログラムとレーザチップと受光素子の相対位置が
設計値よりある公差範囲でずれている。よって図7
(a)のように集光ビームP1、P2が分割線上からず
れたり、集光状態からずれてビームが大きくなったりし
ている。そのため、FES=(Sa+Sc)−(Sb+
Sd)で演算されるFESが、対物レンズの合焦状態に
おいてもオフセットを発生することになる。
However, in an actual hologram / laser integrated package, the relative position between the hologram, the laser chip, and the light receiving element is more than a designed value due to a mounting error of the laser chip or the light receiving element or a processing error of the package or the stem. It is out of range. Therefore, FIG.
As shown in (a), the condensed beams P1 and P2 deviate from the division line, or deviate from the condensed state and become larger. Therefore, FES = (Sa + Sc) − (Sb +
The FES calculated in Sd) causes an offset even when the objective lens is in focus.

【0054】そこで、図7(b)のように光軸に垂直な
平面内においてホログラム素子12を回転させてビーム
P1、P2を分割線上に移動させることにより、FES
のオフセットが0になるよう調整を行う。
Therefore, as shown in FIG. 7B, the hologram element 12 is rotated in a plane perpendicular to the optical axis to move the beams P1 and P2 on the dividing line, thereby obtaining the FES.
Is adjusted so that the offset of is zero.

【0055】また、ホログラム素子11についても同様
の調整を行う。図8(a)(b)はホログラム素子11
とFES検出用の受光素子14a、14b、14c、1
4dの部分のみ表示している。これは、FESを14a
と14bの出力差によって検出するシングルナイフエッ
ジ法を用いた場合の例であるが、ホログラム12と同様
に回転調整によりオフセットを0になるようにする。
The same adjustment is performed for the hologram element 11. FIGS. 8A and 8B show the hologram element 11.
And FES detection light receiving elements 14a, 14b, 14c, 1
Only the portion of 4d is displayed. This is FES 14a
This is an example in the case of using the single knife edge method of detecting the difference between the output of the hologram 12 and the output 14b.

【0056】本実施の形態においては、650nmと7
80nmの2つのレーザチップを近接配置している。こ
れを図示しないステムに固定する場合に各チップの位置
がある公差範囲でずれて取り付けられたり、レーザ発光
点位置や出射角度などにばらつきがあったりするが、そ
れぞれ別のホログラム素子(11、12)でFESのオ
フセット調整を行うため、各半導体レーザ(1、2)に
対して最適な調整を独立に行うことができる。
In this embodiment, 650 nm and 7
Two 80 nm laser chips are arranged close to each other. When this is fixed to a stem (not shown), the position of each chip is shifted with a certain tolerance range, or the position of the laser emission point or the emission angle varies, but each hologram element (11, 12) is different. ), The FES offset adjustment is performed, so that the optimum adjustment can be performed independently for each semiconductor laser (1, 2).

【0057】ホログラム素子の形状 上記光学系においては、図9(a)に示すように、ホロ
グラム素子11、12及び回折格子3を形成した2枚の
透明基板を重ねて搭載し、位置及び回転調整を行う構成
図である。ガラス基板にエッチング等でホログラムを形
成する場合、ホログラム素子11のランド部分の上面と
ホログラムの形成されていない部分11’と、回折格子
3のランド部分上面と形成されていない部分3’は同一
面になっている。透明基板16を取り付けるレーザパッ
ケージ15の上面すなわちレーザ光の出射面は、通常図
9(a)のように回折格子3が位置する部分は接触しな
いようになっているため問題無いが、例えば透明基板1
6の上面に形成されたホログラム素子11についてはそ
の微細構造が透明基板17を重ねた場合に傷つく可能性
がある。これに対する対策を行った例を次に示す。
Shape of Hologram Element In the above optical system, as shown in FIG. 9A, two transparent substrates on which the hologram elements 11, 12 and the diffraction grating 3 are formed are mounted on top of each other, and the position and rotation are adjusted. FIG. When a hologram is formed on a glass substrate by etching or the like, the upper surface of the land portion of the hologram element 11 and the portion 11 'where the hologram is not formed, and the upper surface of the land portion of the diffraction grating 3 and the portion 3' where the hologram is not formed are on the same plane. It has become. Although the upper surface of the laser package 15 to which the transparent substrate 16 is attached, that is, the emission surface of the laser beam, does not normally contact the portion where the diffraction grating 3 is located as shown in FIG. 9A, there is no problem. 1
The microstructure of the hologram element 11 formed on the upper surface of 6 may be damaged when the transparent substrate 17 is overlaid. The following is an example of taking measures against this.

【0058】図9(b)は透明基板16にホログラム素
子11を形成する場合に、ガラス基板の場合はホログラ
ム形成部分を最初にエッチング等でほり掘り下げた後に
ホログラムを形成するか、ランド部を同一面からさらに
除去して掘り下げるようにしている。また、プラスチッ
クやガラス材料を用いた成型加工の場合でも、ホログラ
ム素子部分より周辺部分が高くなるように型形状を形成
すればよい。
FIG. 9B shows a case where the hologram element 11 is formed on the transparent substrate 16. In the case of a glass substrate, the hologram formation portion is first dug down by etching or the like, and then the hologram is formed, or the land portion is made the same. They are further removed from the surface and dug down. Also, in the case of molding using a plastic or glass material, it is only necessary to form the mold so that the peripheral portion is higher than the hologram element portion.

【0059】また、図9(c)は透明基板17の下側を
掘り下げた例である。これは、ホログラム素子11の複
雑な作製方法を変更しなくてもよいため、精度の高い加
工が容易にできる。
FIG. 9C shows an example in which the lower side of the transparent substrate 17 is dug down. This is because it is not necessary to change a complicated manufacturing method of the hologram element 11, so that highly accurate processing can be easily performed.

【0060】図9(d)は2枚の透明基板16と17の
間にスペーサを挟んで両者を固定したものである。これ
により2枚のホログラム素子を形成した透明基板を重ね
て固定した場合でも、両者に挟まれた部分に形成された
ホログラムが調整時に傷つくことはない。
FIG. 9D shows a state where the two transparent substrates 16 and 17 are fixed with a spacer interposed therebetween. Thus, even when the transparent substrate on which the two hologram elements are formed is overlaid and fixed, the hologram formed on the portion sandwiched between them is not damaged during adjustment.

【0061】以上説明したように、本実施の形態の光ピ
ックアップ装置では、近接配置された650nm帯で発
振する第1の半導体レーザ1と、780nm帯で発振す
る第2の半導体レーザ2に対して、トラッキング制御用
の3ビームを生じさせる3ビーム用回折格子3、第2の
半導体レーザの光のみを回折するホログラム素子11、
第1の半導体レーザの光のみを回折するホログラム素子
12、の順に配置しているが、特にこの順序で構成する
必要はなく、ホログラム素子11と12が別基板に形成
されていればよい。ただ第2の半導体レーザ2の光のみ
を回折するトラッキング制御用の3ビームを生じさせる
3ビーム用回折格子3とホログラム素子11は1つの透
明基板の両面に位置決めして形成されている方が調整の
必要が無く有利である。
As described above, in the optical pickup device of this embodiment, the first semiconductor laser 1 that oscillates in the 650 nm band and the second semiconductor laser 2 that oscillates in the 780 nm band are arranged close to each other. A three-beam diffraction grating 3 for generating three beams for tracking control, a hologram element 11 for diffracting only the light of the second semiconductor laser,
The hologram element 12, which diffracts only the light of the first semiconductor laser, is arranged in this order. However, the arrangement is not particularly required, and the hologram elements 11 and 12 may be formed on separate substrates. However, the three-beam diffraction grating 3 that generates three beams for tracking control that diffracts only the light of the second semiconductor laser 2 and the hologram element 11 are positioned and formed on both sides of one transparent substrate, and are adjusted. This is advantageous because there is no necessity.

【0062】また、TESに3ビーム法を使用せずに1
ビームで信号を検出する場合、3ビーム用回折格子は必
要ない。
Further, the TES is not used by using the three-beam
When a signal is detected by a beam, a three-beam diffraction grating is not required.

【0063】<実施の形態2>図10は実施の形態2の
構成を示す模式図である。光ピックアップの構成は基本
的には、実施の形態1(図1)と同様であるが、半導体
レーザチップの取付け方法が異なる。この部分につい
て、図10を用いて説明する。同じ構成要素には同一符
号を示す。
<Second Embodiment> FIG. 10 is a schematic diagram showing a configuration of a second embodiment. The configuration of the optical pickup is basically the same as that of the first embodiment (FIG. 1), but the mounting method of the semiconductor laser chip is different. This part will be described with reference to FIG. The same components are denoted by the same reference numerals.

【0064】実施の形態1においては、2つの異なる波
長のレーザチップを近接配置して取り付けていた。しか
しながら、レーザチップは光軸に垂直な方向の幅が10
0〜300μm程度はあるため、各発光点間の距離もそ
れ以上離れることになり、図1に示した光学系において
は2つの異なる波長のレーザビームで光軸に傾きが生じ
てしまう。光軸傾きによって発生する収差は、ある程度
コリメータレンズや対物レンズで小さくなるように設計
されているが、発光点間距離が大きくなるとピックアッ
プの特性として問題になる。
In the first embodiment, two different wavelength laser chips are mounted close to each other. However, the laser chip has a width of 10 in the direction perpendicular to the optical axis.
Since the distance is about 0 to 300 μm, the distance between the light emitting points is further increased, and in the optical system shown in FIG. 1, the optical axis is inclined by two different wavelength laser beams. The aberration generated due to the tilt of the optical axis is designed to be reduced to some extent by the collimator lens and the objective lens. However, if the distance between the light emitting points is increased, the characteristics of the pickup become a problem.

【0065】そこで、本実施の形態においては、異なる
レーザチップからの光ビームの光軸を一致させるため
に、プリズムを用いる。図10に示すように、ステム2
6に第1の半導体レーザ1と第2の半導体レーザ2を距
離d1だけ離して取付け、その出射面側に21a、21
b、21cの3つの部材からなるビームスプリッタ21
を設ける。これは19と20の2つの反射面があり、分
離面19では第2の半導体レーザの光を反射し、第1の
半導体レーザの光を透過させる構造をしている。この分
離面の特性は波長選択性を持たせているが、両者の偏光
方向が異なる場合、偏光ビームスプリッタでもかまわな
い。各反射面は光軸に対して45°傾斜しており、d1
に相当する反射面間の光軸方向距離を持つように部材2
1bの板厚を設定することにより、第1及び第2の半導
体レーザから出た2つの光ビームを同じ光軸に一致させ
ることができる。
Therefore, in the present embodiment, a prism is used to match the optical axes of the light beams from different laser chips. As shown in FIG.
6, a first semiconductor laser 1 and a second semiconductor laser 2 are attached at a distance d1 from each other.
Beam splitter 21 consisting of three members b and 21c
Is provided. It has two reflecting surfaces 19 and 20, and the separating surface 19 has a structure that reflects the light of the second semiconductor laser and transmits the light of the first semiconductor laser. Although the characteristics of the separation surface have wavelength selectivity, when the polarization directions of the two are different, a polarization beam splitter may be used. Each reflecting surface is inclined by 45 ° with respect to the optical axis, and d1
The member 2 has a distance in the optical axis direction between the reflecting surfaces corresponding to
By setting the plate thickness of 1b, two light beams emitted from the first and second semiconductor lasers can coincide with the same optical axis.

【0066】また、第1の半導体レーザ1や第2の半導
体レーザ2については、ステム上でそれぞれ第1の光軸
22および第2の光軸23上であれば、どの位置に配置
してもビームスプリッタ21で合成した後は同一の光軸
になるため、一方のレーザをコリメータレンズの焦点位
置からずらして、発散光または収束光として用いること
も可能である。
The first semiconductor laser 1 and the second semiconductor laser 2 can be arranged at any positions on the stem as long as they are on the first optical axis 22 and the second optical axis 23, respectively. After being combined by the beam splitter 21, the beam becomes the same optical axis. Therefore, it is possible to shift one laser from the focal position of the collimator lens and use it as divergent light or convergent light.

【0067】これにより、異なる波長の光ビームを用い
て記録再生する複数の異なる規格の光ディスクに対応で
き、組立て調整が容易で、しかも小型集積化に適した互
換光ピックアップを実現することができる。
As a result, it is possible to support a plurality of optical discs of different standards for recording and reproducing using light beams of different wavelengths, and to realize a compatible optical pickup which is easy to assemble and adjust and suitable for compact integration.

【0068】<実施の形態3>図11は、実施の形態3
の光ピックアップ装置の主要部を示す模式図である。光
ピックアップの構成は、基本的には実施の形態1(図
1)と同様であるが、半導体レーザチップの取付け方法
及び2つの半導体レーザビームの合成プリズムの構成が
異なる。なお、図11では図1と同一構成要素には同一
符号を付している。
<Third Embodiment> FIG. 11 shows a third embodiment.
FIG. 3 is a schematic diagram showing a main part of the optical pickup device of FIG. The configuration of the optical pickup is basically the same as that of the first embodiment (FIG. 1), except for the method of attaching the semiconductor laser chip and the configuration of the combining prism of the two semiconductor laser beams. In FIG. 11, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0069】実施の形態1、2においては、2つのホロ
グラム素子11、12はほぼ同一光軸上に配置されてい
たため、光利用効率向上や迷光除去のために、3ビーム
用回折格子3とホログラム素子11は第2の半導体レー
ザ2の光のみを回折するような溝深さに設定し、ホログ
ラム素子12は第1の半導体レーザ1の光のみを回折す
るような溝深さに設定する必要があった。この場合、溝
深さが通常よりも深くなったり、加工公差も厳しくなる
という問題点がある。
In the first and second embodiments, since the two hologram elements 11 and 12 are arranged substantially on the same optical axis, the three-beam diffraction grating 3 and the hologram are used to improve light use efficiency and remove stray light. It is necessary to set the groove depth of the element 11 so as to diffract only the light of the second semiconductor laser 2 and the hologram element 12 so as to diffract only the light of the first semiconductor laser 1. there were. In this case, there are problems that the groove depth becomes deeper than usual and the processing tolerance becomes strict.

【0070】本実施の形態は、上記問題点を解決するも
の、つまり、波長選択性のホログラムを用いなくても2
つの異なるレーザからの光ビームを共通の受光素子で検
出し、かつ光軸を一致させることができる光ピックアッ
プ装置に関するものであり、図11に示すように、ステ
ム26に第1の半導体レーザ1と第2の半導体レーザ2
を離して取付け、その間に受光素子14を配置させる構
成とする。
The present embodiment solves the above-mentioned problem, that is, two-dimensionally without using a wavelength-selective hologram.
The present invention relates to an optical pickup device capable of detecting light beams from two different lasers with a common light receiving element and making the optical axes coincide with each other. As shown in FIG. Second semiconductor laser 2
Are mounted separately, and the light receiving element 14 is arranged therebetween.

【0071】この実施の形態においては、透明基板1
6、17を各レーザチップの上に別々に配置しており、
このため、各ホログラム素子11、12は一方の光ビー
ムのみが通過するように構成できる。そして、各ホログ
ラム素子を透過した0次透過光は反射ミラー面25aを
有するプリズム25および分離面24aを有するビーム
スプリッタ24により同一光軸上に合成される。ディス
クから反射して戻ってきた光ビームは、それぞれ個別に
独立して位置及び回転調整されたホログラム素子11、
12で共通の受光素子14に導かれる。
In this embodiment, the transparent substrate 1
6, 17 are arranged separately on each laser chip,
Therefore, each of the hologram elements 11 and 12 can be configured so that only one light beam passes. Then, the zero-order transmitted light transmitted through each hologram element is combined on the same optical axis by the prism 25 having the reflection mirror surface 25a and the beam splitter 24 having the separation surface 24a. The light beams reflected and returned from the disk are individually and independently adjusted in position and rotation of the hologram element 11,
At 12, the light is guided to a common light receiving element 14.

【0072】本構成により作製が難しい波長選択性のホ
ログラム素子を用いることなく、異なる波長の光ビーム
を用いて記録再生する複数の異なる規格の光ディスクに
対応でき、組立て調整が容易で、しかも小型集積化に適
した互換光ピックアップを実現することが可能となる。
With this configuration, it is possible to cope with a plurality of optical discs of different standards for recording and reproducing using light beams of different wavelengths without using a wavelength-selective hologram element, which is difficult to manufacture, and it is easy to assemble and adjust, and small in size. It is possible to realize a compatible optical pickup suitable for realization.

【0073】[0073]

【発明の効果】本発明によれば、照射光ビームの波長が
異なる光ディスクの互換記録または再生が可能な光ピッ
クアップ装置において、各波長の光ビームに対して独立
にホログラム素子の調整を行うことが可能であるため、
各光源の光に対して最適な組立て調整を容易に実現でき
る。それにより、レーザ、受光素子の取付け公差やパッ
ケージの加工公差などに余裕ができるため、コストを下
げることができる。また、全く同じ受光素子形状で、3
ビーム法と位相差法またはプッシュプル法という異なる
トラッキング誤差信号を検出することができる。
According to the present invention, in an optical pickup device capable of compatible recording or reproduction of an optical disk having different irradiation light beam wavelengths, the hologram element can be adjusted independently for each wavelength light beam. Because it is possible,
Optimal assembly adjustment for the light of each light source can be easily realized. As a result, there is a margin in the mounting tolerance of the laser and the light receiving element and the processing tolerance of the package, so that the cost can be reduced. In addition, with the same light receiving element shape, 3
Different tracking error signals of the beam method and the phase difference method or the push-pull method can be detected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1の光ピックアップ装置の
光学系を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an optical system of an optical pickup device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の光ピックアップ装置において、第1また
は第2の半導体レーザを用いた場合の再生光学系であ
る。
FIG. 2 is a reproduction optical system in which a first or second semiconductor laser is used in the optical pickup device of FIG. 1;

【図3】ホログラムの溝深さと回折効率(0次および±
1次)の関係を表した計算結果である。
FIG. 3 shows the hologram groove depth and diffraction efficiency (0 order and ±
It is a calculation result showing the relationship of (primary).

【図4】ホログラムの溝深さと回折効率(0次と±1次
の積)の関係を表した計算結果である。
FIG. 4 is a calculation result showing a relationship between a groove depth of a hologram and diffraction efficiency (product of 0th order and ± 1st order).

【図5】第1のホログラム素子と受光素子の分割パター
ンを説明した図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a division pattern of a first hologram element and a light receiving element.

【図6】第2のホログラム素子と受光素子の分割パター
ンを説明した図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a division pattern of a second hologram element and a light receiving element.

【図7】第1のホログラム素子の調整について説明した
図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating adjustment of a first hologram element.

【図8】第2のホログラム素子の調整について説明した
図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating adjustment of a second hologram element.

【図9】2つのホログラム素子基板の形状を説明した図
である。
FIG. 9 is a diagram illustrating the shapes of two hologram element substrates.

【図10】本発明の実施の形態2の光ピックアップ装置
の光学系を示す概略構成図である。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram illustrating an optical system of an optical pickup device according to a second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の実施の形態3の光ピックアップ装置
の光学系を示す概略構成図である。
FIG. 11 is a schematic configuration diagram illustrating an optical system of an optical pickup device according to a third embodiment of the present invention.

【図12】従来の光ピックアップ装置の光学系を示す概
略構成図である。
FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing an optical system of a conventional optical pickup device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1の半導体レーザ 2 第2の半導体レーザ 3 3ビーム用回折格子 5 格子レンズ 6 対物レンズ 7 ディスク 8 ホログラム素子 9 受光素子 11 第2のホログラム素子 12 第1のホログラム素子 13 コリメータレンズ 14 受光素子 15 レーザパッケージ 16 透明基板 17 透明基板 18 スペーサ REFERENCE SIGNS LIST 1 first semiconductor laser 2 second semiconductor laser 3 3 beam diffraction grating 5 grating lens 6 objective lens 7 disk 8 hologram element 9 light receiving element 11 second hologram element 12 first hologram element 13 collimator lens 14 light receiving element 15 Laser package 16 Transparent substrate 17 Transparent substrate 18 Spacer

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の波長の光ビームを出射する第1の
光源と、 第1の波長とは異なる第2の波長の光ビームを出射する
第2の光源と、 第1の波長の光ビームを回折して受光素子へと導くとと
もに、第2の波長の光ビームを略回折しない第1のホロ
グラム素子と、 第2の波長の光ビームを回折して前記受光素子へと導く
とともに、第1の波長の光ビームを略回折しない第2の
ホログラム素子と、を備えていることを特徴とする光ピ
ックアップ装置。
A first light source that emits a light beam having a first wavelength; a second light source that emits a light beam having a second wavelength different from the first wavelength; and light having a first wavelength. A first hologram element that diffracts the light beam and guides the light beam of the second wavelength and does not substantially diffract the light beam of the second wavelength; and diffracts the light beam of the second wavelength and guides the light beam to the light receiving element. An optical pickup device, comprising: a second hologram element that does not substantially diffract a light beam of one wavelength.
【請求項2】 第1の波長の光ビームを発生する第1の
光源と、 第1の波長とは異なる第2の波長の光ビームを発生する
第2の光源と、 第1の光源,第2の光源の少なくとも一方の出射光の光
ディスクへの光路中に配され、第1の波長と第2の波長
の少なくとも一方の波長の光を3ビームに分割するビー
ム分割用回折格子と、 第1の光源,第2の光源からの出射光の前記光ディスク
への光路中に配され、前記光ディスクから反射された第
1の波長の光を回折して受光素子へ導くと共に、第2の
波長の光を回折しない第1のホログラム素子と、 第1の光源,第2の光源からの出射光の前記光ディスク
への光路中に配され、前記光ディスクから反射され、第
1のホログラム素子を透過した第2の波長の光を回折し
て前記受光素子へ導くと共に、第1の波長の光を回折し
ない第2のホログラム素子と、を備えたことを特徴とす
る光ピックアップ装置。
2. A first light source for generating a light beam of a first wavelength, a second light source for generating a light beam of a second wavelength different from the first wavelength, a first light source and a second light source. A beam splitting diffraction grating that is disposed in an optical path of at least one of the two light sources to the optical disc and splits light of at least one of the first wavelength and the second wavelength into three beams; The light emitted from the second light source and the light emitted from the second light source are arranged in the optical path to the optical disk. The light having the first wavelength reflected from the optical disk is diffracted and guided to the light receiving element. A first hologram element that does not diffract light, and a second hologram element that is disposed in the optical path of the light emitted from the first light source and the second light source to the optical disk, is reflected from the optical disk, and transmits through the first hologram element. While diffracting light of the wavelength and guiding it to the light receiving element, Optical pickup apparatus comprising: the second holographic element which does not diffract light of a wavelength, the.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の光ピッ
クアップ装置において、 第1および第2のホログラム素子は、それぞれ第1およ
び第2の波長の光に対しては0次回折効率と1次または
−1次回折効率の積が最大になるように形成されている
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
3. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first and second hologram elements respectively have a 0th-order diffraction efficiency and a 1st-order diffraction efficiency for light of the first and second wavelengths. An optical pickup device characterized in that the product is formed so as to maximize the product of first-order or -1st-order diffraction efficiency.
【請求項4】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
の光ピックアップ装置において、 第1のホログラム素子,第2のホログラム素子は、それ
ぞれ第1の基板,第2の基板に、独立して調整可能に形
成されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
4. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first hologram element and the second hologram element are independently provided on the first substrate and the second substrate, respectively. An optical pickup device, which is formed so as to be adjustable.
【請求項5】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
の光ピックアップ装置において、 第1及び第2のホログラム素子は、略同一光軸上に積層
された第1の基板,第2の基板にそれぞれ形成されてお
り、 第1の基板と第2の基板の互いに接触する面に形成され
たホログラム素子は、ホログラムの形成部分がその周辺
の基板面よりも低く形成されていることを特徴とする光
ピックアップ装置。
5. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first and second hologram elements are a first substrate, a second hologram element, and a second hologram element that are stacked on substantially the same optical axis. The hologram element formed on each of the substrates and formed on the surfaces of the first and second substrates that are in contact with each other is characterized in that the hologram formation portion is formed lower than the surrounding substrate surface. Optical pickup device.
【請求項6】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
の光ピックアップ装置において、 第1及び第2のホログラム素子は、略同一光軸上に積層
された第1の基板,第2の基板にそれぞれ形成されてお
り、 第1のホログラム素子,第2のホログラム素子の一方は
第1の基板と第2の基板の互いに接触する面に形成され
ており、他方のホログラム素子が形成された基板におけ
る前記一方のホログラム素子に対向する部位に凹部が形
成されていることを特徴とする光ピックアップ。
6. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first and second hologram elements are composed of a first substrate, a second substrate, and a second hologram element that are stacked on substantially the same optical axis. One of the first hologram element and the second hologram element is formed on a surface of the first substrate and the second substrate that are in contact with each other, and the other hologram element is formed on the first substrate and the second substrate. An optical pickup, wherein a concave portion is formed in a portion of the substrate facing the one hologram element.
【請求項7】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
の光ピックアップ装置において、 第1及び第2のホログラム素子は、略同一光軸上に配置
された第1の基板,第2の基板にそれぞれ形成されてお
り、 第1の基板と第2の基板は、スペーサを介して積層され
ていることを特徴とする光ピックアップ。
7. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first and second hologram elements are a first substrate and a second hologram element which are arranged on substantially the same optical axis. An optical pickup formed on each of substrates, wherein the first substrate and the second substrate are laminated via a spacer.
【請求項8】 請求項2に記載の光ピックアップ装置に
おいて、 第1及び第2のホログラム素子は、略同一光軸上に配置
された第1の基板,第2の基板にそれぞれ形成されてお
り、 第2の基板における第2のホログラム素子の形成面の反
対側の面に、前記ビーム分割用回折格子が形成されてい
ることを特徴とする光ピックアップ装置。
8. The optical pickup device according to claim 2, wherein the first and second hologram elements are respectively formed on a first substrate and a second substrate arranged on substantially the same optical axis. An optical pickup device, wherein the beam splitting diffraction grating is formed on a surface of a second substrate opposite to a surface on which a second hologram element is formed.
【請求項9】 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載
の光ピックアップ装置において、 第1の光源は650nm帯の赤色レーザで、第2の光源
は780nm帯の赤外レーザであり、第1のホログラム
素子の溝深さが1.7〜1.8μmで、第2のホログラ
ム素子の溝深さが1.3〜1.4μmに設定されている
ことを特徴とする光ピックアップ。
9. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first light source is a red laser of 650 nm band, the second light source is an infrared laser of 780 nm band, An optical pickup wherein the groove depth of the first hologram element is set to 1.7 to 1.8 μm and the groove depth of the second hologram element is set to 1.3 to 1.4 μm.
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