JP2000067811A - Impregnated negative electrode for discharge tube and its manufacture - Google Patents
Impregnated negative electrode for discharge tube and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は放電管に用いられる
含浸型陰極であって、電子放出面の仕事関数の降下及び
均質化が促進できる陰極とその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an impregnated cathode for use in a discharge tube, and more particularly to a cathode capable of promoting a reduction in work function and homogenization of an electron emission surface, and a method for producing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、放電管用陰極として、タング
ステン陰極、トリア入りタングステン陰極、そして含浸
型陰極が広く使用されている。この前二者のタングステ
ン陰極とトリア入りタングステン陰極は、放電時の電流
のほとんどを熱電子放出に頼っており、陰極基材の融点
近傍まで温度を上昇させることで必要な放出電子を確保
している。このため、当該陰極の最高温度は、3000
〜3500℃に達し、また放電時の陰極電圧降下も比較
的大きくなるが、上記3000℃を超える温度では、陰
極先端を溶融させたり、蒸発させたりする。しかも、陰
極電圧降下が大きくなるということは、電離によって生
じた封入ガスイオン(例えばキセノンランプ)の衝突に
よって陰極温度の上昇や陰極基材のスパッタを促進させ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, tungsten cathodes, tungsten cathodes containing thoria, and impregnated cathodes have been widely used as cathodes for discharge tubes. The former two tungsten cathodes and the tungsten cathode containing thoria rely on thermionic emission for most of the current during discharge, and secure the necessary emitted electrons by raising the temperature to near the melting point of the cathode base material. I have. Therefore, the maximum temperature of the cathode is 3000
-3500 ° C., and the cathode voltage drop during discharge becomes relatively large. However, at temperatures above 3000 ° C., the cathode tip is melted or evaporated. In addition, an increase in the cathode voltage drop causes an increase in the cathode temperature and spattering of the cathode base material due to collision of sealing gas ions (for example, a xenon lamp) generated by ionization.
【0003】従って、これらの陰極では、約1700時
間で陰極先端形状が劣化して寿命となり、これら陰極自
体の寿命が放電管の寿命となる。一方、この種の陰極で
はその先端を鋭利にすることにより光出力を安定化させ
ることができるので、これらのタングステン陰極及びト
リア入りタングステン陰極の先端を約20度程度に鋭利
に加工している。[0003] Therefore, in these cathodes, the shape of the cathode tip deteriorates in about 1700 hours, and the life of the cathode itself becomes the life of the discharge tube. On the other hand, since the light output can be stabilized by sharpening the tip of this kind of cathode, the tips of the tungsten cathode and the tungsten cathode containing thoria are sharpened to about 20 degrees.
【0004】また、後者の含浸型陰極は、タングステン
粉末を加圧、成形そして焼結し、又は浸銅タングステン
を真空処理して得られた気孔率15〜25%の多孔質タ
ングステンに、アルミン酸バリウム・カルシウムを含浸
したものである。この含浸型陰極は、上記前二者のタン
グステン陰極やトリヤ入りタングステンと比較すると、
高い熱電子放出特性及びγ作用(イオンの衝突による2
次電子放出作用)を持っており、放電時の陰極電圧降下
が比較的緩和される。[0004] The latter impregnated cathode is formed by pressing, molding and sintering tungsten powder or vacuum-treating copper-impregnated tungsten into porous tungsten having a porosity of 15 to 25%, and adding alumina to alumina. It is impregnated with barium and calcium. This impregnated cathode, compared to the former two tungsten cathode and triangular tungsten,
High thermoelectron emission characteristics and γ action (2 due to ion collision)
Secondary electron emission), and the cathode voltage drop during discharge is relatively relaxed.
【0005】従って、含浸型陰極の最高温度は3000
℃以下に抑制され、封入ガスイオンによるスパッタもほ
とんど生じることはなく、この含浸型陰極を用いた放電
管によれば、先端形状の劣化が小さく、長寿命の放電管
を得ることができる。例えば、150W級の高圧アーク
ランプにおいて、現在のところ、上記タングステン陰極
等の場合よりも比較的長い約2500時間の寿命が得ら
れている。Accordingly, the maximum temperature of the impregnated cathode is 3000
C. or less, and almost no spattering due to the enclosed gas ions occurs. According to the discharge tube using this impregnated cathode, the tip shape is less deteriorated and a long-life discharge tube can be obtained. For example, a high-pressure arc lamp of 150 W class currently has a life of about 2500 hours, which is relatively longer than that of the tungsten cathode or the like.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の含浸型陰極を用いた放電管の寿命の原因は、含浸材
の蒸発物がガラス管壁に付着し、光透過率を低下させた
ことによる輝度の低下であり、上記前二者の陰極のよう
な陰極形状自体の劣化による寿命ではない。従って、こ
の含浸材の蒸発量を減らせば、含浸型陰極を用いた放電
管の長寿命化が図れることになる。However, the cause of the life of the discharge tube using the above-mentioned conventional impregnated cathode is that the evaporated material of the impregnating material adheres to the glass tube wall and lowers the light transmittance. This is a decrease in luminance, and is not a life due to deterioration of the cathode shape itself such as the former two cathodes. Therefore, if the amount of evaporation of the impregnating material is reduced, the life of the discharge tube using the impregnated cathode can be extended.
【0007】このための最も有効な手段として、陰極の
熱電子放出能力とγ作用を向上させて陰極電圧降下を緩
和させることにより、陰極温度を低減する方法が考えら
れる。即ち、陰極の電子放出面に、イリジウム、ルテニ
ウム、レニウム、オスミウムのうちの少なくとも一つの
金属をスパッタ蒸着することにより、熱電子放出能力及
びγ作用の向上を図ることができる。The most effective means for achieving this is to reduce the cathode temperature by improving the thermoelectron emission capability and the γ action of the cathode to reduce the cathode voltage drop. That is, the thermoelectron emission ability and the γ action can be improved by sputter depositing at least one metal of iridium, ruthenium, rhenium, and osmium on the electron emission surface of the cathode.
【0008】しかし、この方法では、放電点灯時に温度
が上昇した部分だけに自己形成的に上記のスパッタ金属
と陰極基材との合金層が形成され、陰極の電子放出面が
不均質となる。このため、陰極温度が部分的に過上昇
し、かえって含浸材(或いは陰極基材)の蒸発量が増加
して短寿命となり、また輝点が揺らいで、光出力の安定
性が低下するという問題があった。しかも、この含浸型
陰極の場合は、基材が多孔質であるため、上記のタング
ステン陰極やトリア入りタングステン陰極のように陰極
先端の先鋭化が困難であり、先端形状の鋭利加工による
光出力の安定化には限界がある。However, in this method, an alloy layer of the above-mentioned sputtered metal and the cathode base material is formed in a self-forming manner only in a portion where the temperature is increased during discharge lighting, and the electron emission surface of the cathode becomes non-uniform. For this reason, the temperature of the cathode partially rises excessively, and the amount of evaporation of the impregnating material (or the cathode base material) increases, resulting in a short life, and the luminescent spot fluctuates, thereby deteriorating the stability of light output. was there. In addition, in the case of this impregnated cathode, it is difficult to sharpen the tip of the cathode as in the case of the above-mentioned tungsten cathode and tungsten cathode containing thoria, since the base material is porous, and the light output by sharpening the tip shape is reduced. Stabilization has limitations.
【0009】更に、この含浸型陰極はその電子放出面に
水蒸気、水酸基、酸化物等の分子が吸着することから、
光出力の安定性を含めた初期特性が不安定で、本来の特
性を引き出すためには、ある程度の期間を必要とするエ
ージング工程が不可欠であった。Further, in the impregnated type cathode, molecules such as water vapor, hydroxyl groups, and oxides are adsorbed on the electron emission surface.
Initial characteristics including the stability of light output are unstable, and an aging step that requires a certain period of time is indispensable to bring out the original characteristics.
【0010】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、電子放出面の仕事関数の降下、均
質化の促進及び活性化処理を行い、光出力の安定化、長
寿命化を図ることができる放電管用含浸型陰極及びその
製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to reduce the work function of an electron emission surface, promote homogenization and activate the light emission surface, stabilize the light output, and prolong the lifetime. It is an object of the present invention to provide an impregnated cathode for a discharge tube and a method for manufacturing the same.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明に係る放電管用含浸型陰極は、多孔
質タングステン又は多孔質モリブデンを陰極基材とする
含浸型陰極において、この陰極基材の電子放出面に、イ
リジウム、ルテニウム、レニウム、オスミウムのうちの
少なくとも一種類の金属と上記陰極基材との合金層を形
成したことを特徴とする。請求項2の発明に係る放電管
用含浸型陰極の製造方法は、多孔質タングステン又は多
孔質モリブデンを陰極基材とする放電管用含浸型陰極の
電子放出面に、イリジウム、ルテニウム、レニウム、オ
スミウムのうちの少なくとも一種類の金属をスパッタ蒸
着し、このスパッタ蒸着後の陰極部材を1000〜24
00℃でアニール処理し、上記陰極基材と上記各金属と
の合金層を0.1〜10μmの膜厚で上記電子放出面に
形成するようにしたことを特徴とする。請求項3の発明
に係る放電管用含浸型陰極の製造方法は、多孔質タング
ステン又は多孔質モリブデンを陰極基材とする放電管用
含浸型陰極の電子放出面に、イリジウム、ルテニウム、
レニウム、オスミウムのうちの少なくとも一種類の金属
を塗布又は含浸し、この塗布又は含浸後の陰極部材を1
000〜2400℃でアニール処理し、上記陰極基材と
上記各金属との合金層を上記電子放出面に形成するよう
にしたことを特徴とする。請求項4に係る発明は、上記
アニール処理は、上記陰極基材含浸材の蒸発を抑制する
ために、当該含浸材の飽和蒸気圧中で行うようにしたこ
とを特徴とする。In order to achieve the above object, an impregnated cathode for a discharge tube according to the invention of claim 1 is an impregnated cathode using porous tungsten or porous molybdenum as a cathode substrate. An alloy layer of at least one metal of iridium, ruthenium, rhenium and osmium and the above-mentioned cathode substrate is formed on the electron emission surface of the cathode substrate. The method for producing an impregnated cathode for a discharge tube according to the invention of claim 2 is characterized in that, among the iridium, ruthenium, rhenium, and osmium, the electron emission surface of the impregnated cathode for a discharge tube using porous tungsten or porous molybdenum as a cathode substrate. At least one kind of metal is sputter-deposited, and the cathode member after the sputter deposition is 1000 to 24
An annealing treatment is performed at 00 ° C. to form an alloy layer of the cathode base material and each of the above metals on the electron emission surface in a thickness of 0.1 to 10 μm. The method for producing an impregnated cathode for a discharge tube according to the invention according to claim 3 is characterized in that iridium, ruthenium,
At least one metal selected from the group consisting of rhenium and osmium is applied or impregnated.
Annealing treatment is performed at 000 to 2400 ° C. to form an alloy layer of the cathode substrate and each metal on the electron emission surface. The invention according to claim 4 is characterized in that the annealing treatment is performed in a saturated vapor pressure of the impregnated material in order to suppress evaporation of the impregnated material for the cathode base material.
【0012】請求項5に係る発明は、多孔質タングステ
ン又は多孔質モリブデンを陰極基材とする放電管用含浸
型陰極の電子放出面に、活性化処理を施したことを特徴
とする。ここで、この陰極の電子放出面には、上記陰極
基材と上記各金属との合金層を形成した上で、活性化処
理を施すことができる。請求項6に係る発明は、上記活
性化処理は、不活性ガスプラズマ中で上記電子放出面を
スパッタし、この後に真空中又は不活性ガス中で105
0〜1200℃のアニール処理を施すことを特徴とす
る。請求項7に係る発明は、上記活性化処理は、真空中
又は不活性ガス中で1050〜1200℃のアニール処
理を施しながら、吸着物質の電気分解作用を得るための
高電圧を印加することを特徴とする。The invention according to claim 5 is characterized in that the electron emission surface of an impregnated cathode for a discharge tube using porous tungsten or porous molybdenum as a cathode substrate is activated. Here, an activation treatment can be performed on the electron emission surface of the cathode after forming an alloy layer of the cathode base material and each of the metals. According to a sixth aspect of the present invention, in the activation treatment, the electron emission surface is sputtered in an inert gas plasma, and thereafter, the sputtering is performed in a vacuum or in an inert gas.
It is characterized by performing an annealing treatment at 0 to 1200 ° C. The invention according to claim 7 is that, in the activation treatment, while applying an annealing treatment at 1050 to 1200 ° C. in a vacuum or an inert gas, a high voltage for obtaining an electrolysis effect of the adsorbed substance is applied. Features.
【0013】上記の製造方法によれば、例えばタングス
テンの陰極基材表面に、イリジウム、ルテニウム、レニ
ウム、オスミウムのうちの少なくとも一種類の金属層が
スパッタ蒸着或いは塗布又は含浸により形成され、この
後、アニール処理により上記金属と陰極基材のタングス
テンとの合金層が均一に形成される。即ち、上記イリジ
ウム、ルテニウム、レニウム、オスミウムとの合金層と
することにより、仕事関数の降下が促進でき、またアニ
ール処理で均一な合金層を形成することにより、電子放
出面の均質化を図ることができる。According to the above-mentioned manufacturing method, at least one kind of metal layer of iridium, ruthenium, rhenium, and osmium is formed on the surface of a cathode base material made of, for example, tungsten by sputter deposition, coating, or impregnation. By the annealing treatment, an alloy layer of the metal and the tungsten of the cathode substrate is uniformly formed. That is, by using an alloy layer of iridium, ruthenium, rhenium, and osmium, a decrease in work function can be promoted, and a uniform alloy layer can be formed by annealing to achieve a uniform electron emission surface. Can be.
【0014】更に、含浸型陰極又は上記の合金層を形成
した含浸型陰極の電子放出面は、活性化処理を施すこと
により、その表面に付着している水蒸気、水酸基、酸化
物等の吸着分子が除去されると共に、含浸材のバリウム
(Ba)のマイグレーションが促進され、電子放出面に
Ba−O双極子層が形成される。これにより、高い熱電
子放出特性及びγ作用が得られることになる。Further, the electron emission surface of the impregnated cathode or the impregnated cathode having the above-mentioned alloy layer formed thereon is subjected to an activation treatment so that adsorbed molecules such as water vapor, hydroxyl groups, oxides and the like adhered to the surface. Is removed, the migration of barium (Ba) as the impregnating material is promoted, and a Ba-O dipole layer is formed on the electron emission surface. Thereby, high thermionic emission characteristics and γ action can be obtained.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】図1には、実施形態例に係る放電
管用含浸型陰極の二つの構成が示されており、これらは
陰極表面(電子放出面)に合金層を形成したものであ
る。図1(A)に示されるように、含浸型陰極基材1A
は例えば円錐形先端を持つ円柱形に成形された多孔質タ
ングステン又は多孔質モリブデンからなり、この多孔質
基材内に、アルミン酸バリウム・カルシウムを含浸した
もので、後端側にモリブデンリード2Aが取り付けられ
る。そして、この陰極基材1Aの表面、即ち電子放出面
に、イリジウム、ルテニウム、レニウム、オスミウムの
うちの少なくとも一つの金属と、陰極材料であるタング
ステン又はモリブデンとの合金層3Aが形成される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows two structures of an impregnated cathode for a discharge tube according to an embodiment, in which an alloy layer is formed on the cathode surface (electron emission surface). . As shown in FIG. 1A, the impregnated cathode substrate 1A
Is made of, for example, porous tungsten or porous molybdenum molded into a cylindrical shape having a conical tip. The porous substrate is impregnated with barium calcium aluminate, and a molybdenum lead 2A is provided on the rear end side. It is attached. Then, an alloy layer 3A of at least one metal of iridium, ruthenium, rhenium, and osmium and tungsten or molybdenum as a cathode material is formed on the surface of the cathode substrate 1A, that is, the electron emission surface.
【0016】また、図1(B)に示される他の構成の放
電管用陰極の場合は、上記と同様の陰極基材1Bがモリ
ブデンリード2Bの先端部に一部埋め込まれる状態で固
着され、この陰極基材1Bに、例えばイリジウムとタン
グステンの合金層3B(上記合金層3Aと同様)が形成
される。In the case of a discharge tube cathode having another configuration shown in FIG. 1B, the same cathode base material 1B as described above is fixed in a state of being partially embedded in the tip of the molybdenum lead 2B. An alloy layer 3B of iridium and tungsten (similar to the above-mentioned alloy layer 3A) is formed on the cathode base 1B.
【0017】図2には、上記の図1の含浸型陰極を形成
するための製造方法の第1例(製造工程)が示されてお
り、この第1例はスパッタ蒸着とアニール処理を行う方
法である。この第1例では、図2(A)のように、モリ
ブデンリード2を固着した陰極基材4が母陰極として用
いられ、この陰極基材4は、図1で説明したように、多
孔質タングステン又は多孔質モリブデン内にアルミン酸
バリウム・カルシウムを含浸したものである。これは、
例えばタングステン粉末を加圧・成形・焼結し、又は浸
銅タングステンを真空処理して、気孔率20%の多孔質
タングステンからなる陰極基材4を作り、この多孔質陰
極基材4に上記の含浸材を含浸させる。FIG. 2 shows a first example (manufacturing process) of a manufacturing method for forming the impregnated cathode shown in FIG. 1 described above. This first example is a method of performing sputter deposition and annealing. It is. In the first example, as shown in FIG. 2A, a cathode base material 4 to which a molybdenum lead 2 is fixed is used as a mother cathode, and the cathode base material 4 is made of porous tungsten as described with reference to FIG. Alternatively, porous molybdenum is impregnated with barium calcium aluminate. this is,
For example, tungsten powder is pressed, molded and sintered, or copper impregnated tungsten is subjected to vacuum treatment to produce a cathode substrate 4 made of porous tungsten having a porosity of 20%. Impregnate with impregnating material.
【0018】そして、図2(B)のスパッタ蒸着工程で
は、図示されるように、まずアルゴン(Ar)雰囲気5
(〜10-3Torr)としたスパッタ用チェンバー6内
において、イリジウム(ルテニウム、レニウム、オスミ
ウムでもよい)ターゲット7に対向させて上記陰極基材
4を配置し、これらに高電圧(ターゲット7に負電圧、
陰極基材4に正電圧)を印加してスパッタ蒸着を行う。
この結果、図2(C)に示されるように、陰極基材4の
表面に、約0.1〜10μmの厚さのイリジウム層8が
蒸着、形成される。In the sputter deposition step shown in FIG. 2B, first, as shown, an argon (Ar) atmosphere 5 is formed.
In the sputtering chamber 6 of (−10 −3 Torr), the cathode base material 4 is disposed so as to face an iridium (may be ruthenium, rhenium, or osmium) target 7. Voltage,
A positive voltage is applied to the cathode substrate 4 to perform sputter deposition.
As a result, as shown in FIG. 2C, an iridium layer 8 having a thickness of about 0.1 to 10 μm is deposited and formed on the surface of the cathode substrate 4.
【0019】次に、図2(D)のアニール処理工程に移
ることになり、ここでは、水素ガス(H2)雰囲気10
を有するアニール炉11の中に、モリブデン製密閉容器
12が入れられる。この容器12は、その内部が含浸材
(アルミン酸バリウム・カルシウム)13の配置により
この含浸材雰囲気14とされ、この含浸材雰囲気14中
に、モリブデン製試料台15を介して上記の陰極基材4
が配置される。そして、この陰極基材4はアニール炉1
1により例えば1800℃まで加熱され、約20分のア
ニール処理が行われる。このアニール処理の温度は、合
金層形成が始まる1000℃から、合金層の融点近傍の
2400℃の範囲で設定することができる。Next, the process proceeds to the annealing step shown in FIG. 2D. Here, a hydrogen gas (H 2 ) atmosphere 10
The sealed container 12 made of molybdenum is placed in an annealing furnace 11 having The container 12 has an impregnating material atmosphere 14 formed by disposing an impregnating material (barium / calcium aluminate) 13 therein. In the impregnating material atmosphere 14, the above-described cathode base material is placed via a molybdenum sample stand 15. 4
Is arranged. The cathode substrate 4 is used for the annealing furnace 1
1 is heated to, for example, 1800 ° C., and an annealing process is performed for about 20 minutes. The temperature of this annealing treatment can be set in a range from 1000 ° C. at which the formation of the alloy layer starts, to 2400 ° C. near the melting point of the alloy layer.
【0020】このようなアニール処理工程によれば、図
2(E)に示されるように、陰極基材4の電子放出面の
表層として、約0.1〜10μmの厚さのイリジウム−
タングステン合金(Ir3W合金)層17が均質に形成
される。また、このアニール処理工程では、含浸材雰囲
気14中で実行することにより、含浸材の減少が良好に
抑制される。According to such an annealing process, as shown in FIG. 2E, the surface of the electron emission surface of the cathode base material 4 is made of iridium having a thickness of about 0.1 to 10 μm.
The tungsten alloy (Ir 3 W alloy) layer 17 is formed uniformly. In addition, by performing the annealing process in the impregnated material atmosphere 14, the decrease in the impregnated material is favorably suppressed.
【0021】即ち、上記の温度では、含浸材13である
アルミン酸バリウム・カルシウムが溶融又は蒸発し易
く、アニール処理中の陰極基材4内のその量が減少し劣
化することになる。そこで、含浸材13を陰極基材4と
直接接触しないようにモリブデン製試料台15の下に置
き、密閉容器12内をアルミン酸バリウム・カルシウム
の飽和蒸気圧雰囲気(14)とする。これにより、熱平
衡状態における陰極基材4からの含浸材の減少をかなり
抑制できることになる。That is, at the above temperature, the barium calcium aluminate as the impregnating material 13 is easily melted or evaporated, and the amount in the cathode base material 4 during the annealing process is reduced and deteriorated. Therefore, the impregnating material 13 is placed under the sample base 15 made of molybdenum so as not to come into direct contact with the cathode substrate 4, and the inside of the closed container 12 is set to a saturated vapor pressure atmosphere of barium calcium aluminate (14). As a result, the reduction of the impregnating material from the cathode base material 4 in the thermal equilibrium state can be considerably suppressed.
【0022】図3には、含浸型陰極の製造方法である第
2例が示されており、この第2例は金属微粉末を塗布又
は含浸した陰極基材にアニール処理を施すものである。
この第2例では、図3(A)に示されるように、容器1
8内に粒径1μm以下のイリジウム微粉末を添加したバ
インダー溶液19を入れ、このバインダー溶液19中に
母陰極である陰極基材4を浸漬する。その後、図3
(B)に示されるように、この陰極基材4を漬けた容器
18をそのままアクリル製容器20に入れ、減圧とリー
ク(大気圧)を繰り返す真空含浸を実行する。FIG. 3 shows a second example of a method for manufacturing an impregnated cathode. In this second example, a cathode base material coated or impregnated with fine metal powder is annealed.
In this second example, as shown in FIG.
A binder solution 19 to which iridium fine powder having a particle size of 1 μm or less is added is placed in the inside 8, and the cathode substrate 4 as a mother cathode is immersed in the binder solution 19. Then, FIG.
As shown in (B), the container 18 in which the cathode base material 4 is immersed is put into an acrylic container 20 as it is, and vacuum impregnation in which pressure reduction and leak (atmospheric pressure) are repeated is executed.
【0023】そうした後、バインダー溶液19中から陰
極基材4を取り出すと、図(C)に示されるように、陰
極基材4の表面上と表面下にイリジウム微粉末を固着・
含浸した層が形成される。次に、この陰極基材4は、図
3(D)に示されるアニール炉11により、アニール処
理が行われる。After that, when the cathode base material 4 is taken out from the binder solution 19, the iridium fine powder is fixed on the surface and below the surface of the cathode base material 4 as shown in FIG.
An impregnated layer is formed. Next, the cathode substrate 4 is annealed by an annealing furnace 11 shown in FIG.
【0024】このアニール処理は、第2例のアニール処
理と全く同一であり、アニール炉11内の水素ガス10
中にモリブデン製密閉容器12を配置し、この容器12
内に設定されたアルミン酸バリウム・カルシウム雰囲気
14中で、上記陰極基材4につき例えば1800℃(1
000℃〜2400℃の範囲)、約20分のアニール処
理が行われる。This annealing treatment is exactly the same as the annealing treatment of the second example, and the hydrogen gas 10 in the annealing furnace 11 is used.
A closed container 12 made of molybdenum is disposed in the container 12.
In the barium / calcium aluminate atmosphere 14 set in the above, for example, 1800 ° C. (1
(In the range of 000 ° C. to 2400 ° C.) for about 20 minutes.
【0025】これによっても、含浸材の減少を抑制して
陰極基材4を劣化させることなく、図3(E)に示され
るように、陰極基材4の電子放出面に、約0.1〜10
μmの厚さのイリジウム−タングステン合金(Ir3W
合金)層23が均質に形成される。そして、この第2例
の場合は、上記のプロセスを何回でも繰り返すことがで
き、塗布・含浸及びアニール処理を繰り返し実行するこ
とにより、上記第2例に比較して合金層23の厚膜化を
図ることが可能となる。この厚膜化は、更なる長寿命化
を達成できる。This also suppresses the decrease of the impregnating material and does not deteriorate the cathode base material 4, and as shown in FIG. -10
μm thick iridium-tungsten alloy (Ir 3 W
Alloy) layer 23 is formed homogeneously. In the case of the second example, the above-described process can be repeated any number of times, and the coating, impregnation, and annealing treatments are repeatedly performed, thereby increasing the thickness of the alloy layer 23 compared to the second example. Can be achieved. This increase in film thickness can achieve a longer life.
【0026】次に、含浸型陰極の活性化処理を、図4及
び図5により説明する。図4には、スパッタとアニール
処理で活性化処理をする第3例の工程が示されており、
図4(A)に示されるように、アルゴン(Ar)雰囲気
5としたスパッタ用チェンバー6内で、上記の第2例又
は第2例で合金層が形成された含浸型陰極基材24がモ
リブデン製陽極25に対向して配置される。この陰極基
材24としては、合金層が形成されていない含浸型陰極
基材でもよい。Next, the activation process of the impregnated cathode will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows a third example of a process of performing an activation process by sputtering and annealing.
As shown in FIG. 4A, in the sputtering chamber 6 in an argon (Ar) atmosphere 5, the impregnated cathode base material 24 on which the alloy layer is formed in the second example or the second example is molybdenum. The anode 25 is arranged to face the anode 25. The cathode substrate 24 may be an impregnated cathode substrate on which no alloy layer is formed.
【0027】そうして、このスパッタ用チェンバー6に
おいて高電圧(上記陽極25に正電圧、上記陰極基材2
4に負電圧)を印加してスパッタを行い、アルゴンプラ
ズマ中で陰極基材24の電子放出面を約100Å削り、
清浄なタングステン面を露出させる。即ち、アルゴンイ
オンを電子放出面に衝突させ、その表面に存在する水蒸
気、水酸基又は酸化物等の吸着分子を除去する。Then, a high voltage is applied to the sputtering chamber 6 (a positive voltage is applied to the anode 25,
4, a negative voltage is applied to perform sputtering, and the electron emission surface of the cathode base material 24 is cut by about 100 ° in argon plasma.
Expose a clean tungsten surface. That is, argon ions collide with the electron emission surface, and adsorbed molecules such as water vapor, hydroxyl groups, and oxides present on the surface are removed.
【0028】次に、図4(B)に示されるように、アニ
ール炉11内を不活性ガス雰囲気(又は真空)26と
し、この不活性ガス雰囲気26中に陰極基材25を置い
て、1050℃〜1200℃、30分のアニール処理を
する。このアニール処理によれば、陰極基材24中に含
浸されているアルミン酸バリウム・カルシウム中のバリ
ウムのマイグレーションが促進され、その電子放出面に
Ba−O双極子層が形成される。これによって、図4
(C)に示される陰極28、即ち電子放出面が活性化さ
れた陰極28を得ることができる。Next, as shown in FIG. 4B, the inside of the annealing furnace 11 is made an inert gas atmosphere (or vacuum) 26, and the cathode base material 25 is placed in the inert gas atmosphere 26 to Annealing is performed for 30 minutes at a temperature of 1200C to 1200C. According to this annealing treatment, the migration of barium in the barium / calcium aluminate impregnated in the cathode base material 24 is promoted, and a Ba-O dipole layer is formed on the electron emission surface. As a result, FIG.
The cathode 28 shown in (C), that is, the cathode 28 in which the electron emission surface is activated can be obtained.
【0029】図5には、アニール処理及び電気的分解に
より活性化処理をする第4例の工程が示されており、こ
の第5例では、図5(A)に示されるように、アニール
炉11内で、合金層が形成された含浸型陰極基材(又は
合金層が形成されない陰極基材)24がモリブデン製陽
極25に対向して配置される。このアニール炉11で
は、内部が10-7Torr以上の真空又は不活性ガスの
雰囲気30とされ、1050〜1200℃の温度でアニ
ール処理を行うと同時に、陰極基材24と陽極25との
間に、1〜2kVの高電圧を約30分間印加する。FIG. 5 shows the steps of a fourth example in which an annealing treatment and an activation treatment are performed by electrolysis. In this fifth example, as shown in FIG. In 11, an impregnated type cathode base material having an alloy layer formed thereon (or a cathode base material having no alloy layer formed thereon) 24 is disposed to face a molybdenum anode 25. In the annealing furnace 11, the inside is an atmosphere 30 of a vacuum or an inert gas of 10 −7 Torr or more, and annealing is performed at a temperature of 1050 to 1200 ° C. , 1-2 kV for about 30 minutes.
【0030】このアニール炉11での処理によれば、真
空30下では熱電子又は残留ガスイオンにより、一方不
活性ガス雰囲気30では放電作用により、陰極基材24
表層の水蒸気、水酸基又は酸化物等の吸着分子が電気的
に分解される。同時に、陰極基材24中のバリウムのマ
イグレーションが促進され、その電子放出面にBa−O
双極子層が形成されることになり、これによって、図5
(B)に示される陰極31、即ち電子放出面が活性化さ
れた陰極31を得ることができる。According to the treatment in the annealing furnace 11, the cathode base material 24 is produced by thermionic electrons or residual gas ions under the vacuum 30, and by the discharge action in the inert gas atmosphere 30.
Adsorbed molecules such as water vapor, hydroxyl groups and oxides on the surface layer are electrically decomposed. At the same time, the migration of barium in the cathode base material 24 is promoted, and Ba-O
A dipole layer will be formed, which results in FIG.
The cathode 31 shown in (B), that is, the cathode 31 in which the electron emission surface is activated can be obtained.
【0031】なお、上記の第3例及び第4例における上
記アニール処理の温度は、バリウムのマイグレーション
が可能な1050℃以上であることが好ましく、また1
200℃を超えると、バリウムの飛散が著しくなって陰
極基材24を劣化させてしまうことから、1050〜1
200℃の範囲で設定することが好適である。The temperature of the annealing treatment in the third and fourth examples is preferably 1050 ° C. or higher at which barium migration is possible, and
If the temperature exceeds 200 ° C., the scattering of barium becomes remarkable and the cathode base material 24 is deteriorated.
It is preferable to set the temperature in the range of 200 ° C.
【0032】また、上記の例では、合金層を形成した陰
極基材24に対し適用する場合を説明したが、この活性
化処理は、合金層が形成されていない含浸型陰極基材で
も同様に施すことにより、電子放出面活性化の効果を発
揮することができる。そして、このような活性化処理に
よれば、従来行っていたエージング工程が不要となる利
点がある。In the above example, the case where the present invention is applied to the cathode base material 24 on which the alloy layer is formed has been described. However, this activation treatment is similarly applied to the impregnated cathode base material on which the alloy layer is not formed. By applying, the effect of activating the electron emission surface can be exhibited. According to such an activation process, there is an advantage that the aging step which has been performed conventionally is not required.
【0033】上記図1の含浸型陰極、第1例及び第2例
の製造方法で作られた含浸型陰極、第3例及び第4例の
活性化処理が施された含浸型陰極は、放電管用のガラス
管内に組み入れられ、このガラス管に放電ガスが封じ込
められることにより放電管が製造される。The impregnated cathode shown in FIG. 1, the impregnated cathodes produced by the manufacturing methods of the first and second examples, and the activated and impregnated cathodes of the third and fourth examples are discharged. The discharge tube is manufactured by being incorporated in a glass tube for a tube, and containing the discharge gas in the glass tube.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の発
明によれば、多孔質タングステン又は多孔質モリブデン
に含浸材を含ませた陰極基材の電子放出面に、イリジウ
ム等と当該陰極基材との合金層を形成し、これを放電管
用の陰極としたので、放電管用陰極における電子放出面
の仕事関数の降下、均質化が促進され、光出力を大幅に
安定させた長寿命の放電管を得ることが可能となる。As described above, according to the first aspect of the present invention, iridium or the like and the cathode substrate are provided on the electron emission surface of the cathode substrate in which porous tungsten or porous molybdenum is impregnated with an impregnating material. An alloy layer with the material is formed, and this is used as the cathode for the discharge tube.This promotes the reduction and homogenization of the work function of the electron emission surface of the cathode for the discharge tube, and a long-life discharge that greatly stabilizes the light output. It becomes possible to obtain a tube.
【0035】請求項2記載の発明によれば、含浸型陰極
の電子放出面に、イリジウム、ルテニウム、レニウム、
オスミウムのうちの少なくとも一種類の金属をスパッタ
蒸着し、このスパッタ蒸着後の陰極部材を1000〜2
400℃でアニール処理し、上記陰極基材と上記各金属
との合金層を0.1〜10μmの膜厚で上記電子放出面
に形成して放電管用含浸型陰極を製造したので、電子放
出面の仕事関数降下と合金層の均質化が促進され、高い
熱電子放出能力とガンマ作用を得ることができ、大幅な
光出力の安定化、長寿命化を図ることが可能となる。請
求項3記載の発明によれば、上記イリジウム等の金属を
塗布又は含浸し、この塗布又は含浸後の陰極部材をアニ
ール処理して、電子放出面に上記合金層を形成したの
で、上記請求項2の場合と同様の効果を得ることがで
き、特にこの場合は、厚膜合金層の形成により効果を更
に高めることが可能となる。According to the second aspect of the present invention, iridium, ruthenium, rhenium,
At least one kind of metal of osmium is sputter-deposited, and the cathode member after the sputter-deposition is 1000-2.
Annealing treatment was performed at 400 ° C., and an alloy layer of the above-mentioned cathode base material and each of the above-mentioned metals was formed on the above-mentioned electron emission surface in a thickness of 0.1 to 10 μm to produce an impregnated cathode for a discharge tube. And the homogenization of the alloy layer is promoted, and a high thermoelectron emission ability and a gamma action can be obtained, and it is possible to greatly stabilize the light output and extend the life. According to the third aspect of the invention, the metal such as iridium is applied or impregnated, and the cathode member after the application or impregnation is annealed to form the alloy layer on the electron emission surface. The same effect as in the case of No. 2 can be obtained, and in this case, in particular, the effect can be further enhanced by forming the thick film alloy layer.
【0036】請求項4記載の発明によれば、上記アニー
ル処理を当該陰極基材の含浸材の飽和蒸気圧中で行うの
で、含浸材の蒸発を抑制して陰極の劣化を防止すること
ができる。According to the fourth aspect of the present invention, since the annealing treatment is performed in the saturated vapor pressure of the impregnating material of the cathode base material, evaporation of the impregnating material can be suppressed and deterioration of the cathode can be prevented. .
【0037】請求項5乃至請求項7記載の発明によれ
ば、放電管用含浸型陰極の電子放出面に、活性化処理を
施したので、吸着物質が除去されると共に、Ba-O双
極子層が形成され、高い熱電子放出能力及びガンマ作用
が得られ、しかも光出力の安定化が図られるという利点
がある。According to the fifth to seventh aspects of the present invention, since the electron emission surface of the impregnated cathode for a discharge tube is activated, the adsorbed substance is removed and the Ba-O dipole layer is removed. Are formed, high thermoelectron emission capability and a gamma action can be obtained, and the light output can be stabilized.
【図1】本発明に係る放電管用含浸型陰極の二つの実施
形態例[図(A)と図(B)]を示す図である。FIG. 1 is a view showing two exemplary embodiments (FIGS. (A) and (B)) of an impregnated cathode for discharge tubes according to the present invention.
【図2】本発明の実施形態に係る放電管用含浸型陰極の
製造方法の第1例の工程を示す図である。FIG. 2 is a view showing a process of a first example of a method for manufacturing an impregnated cathode for a discharge tube according to an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施形態に係る放電管用含浸型陰極の
製造方法の第2例の工程を示す図である。FIG. 3 is a view showing a process of a second example of the method for manufacturing the impregnated cathode for a discharge tube according to the embodiment of the present invention.
【図4】本発明の実施形態に係る放電管用含浸型陰極の
製造方法の第3例の工程(活性化処理工程)を示す図で
ある。FIG. 4 is a view showing a step (activation processing step) of a third example of the method for manufacturing the impregnated cathode for a discharge tube according to the embodiment of the present invention.
【図5】本発明の実施形態に係る放電管用含浸型陰極の
製造方法の第4例の工程(活性化処理工程)を示す図で
ある。FIG. 5 is a view showing a step (activation treatment step) of a fourth example of the method for producing an impregnated cathode for a discharge tube according to the embodiment of the present invention.
1A,1B,4,24 … 陰極基材、 2A,2B,2 … モリブデンリード、 3A,3B,17,23 … イリジウム-タングステ
ン合金層、 6 … スパッタ用チェンバー、 11 … アニール炉、 7 … イリジウムターゲット、 13 … 含浸材(アルミン酸バリウム・カルシウ
ム)、 25 … モリブデン製陽極。1A, 1B, 4, 24 ... Cathode substrate, 2A, 2B, 2 ... Molybdenum lead, 3A, 3B, 17, 23 ... Iridium-tungsten alloy layer, 6 ... Sputtering chamber, 11 ... Annealing furnace, 7 ... Iridium target , 13 ... impregnating material (barium calcium aluminate), 25 ... molybdenum anode.
フロントページの続き (72)発明者 井上 淳 埼玉県上福岡市福岡二丁目1番1号 新日 本無線株式会社川越製作所内 (72)発明者 高村 文雄 埼玉県上福岡市福岡二丁目1番1号 新日 本無線株式会社川越製作所内 Fターム(参考) 5C015 JJ05 Continued on the front page (72) Inventor Jun Inoue 2-1-1 Fukuoka, Kamifukuoka-shi, Saitama New Nippon Radio Co., Ltd. Kawagoe Works (72) Inventor Fumio Takamura 2-1-1 Fukuoka, Kamifukuoka-shi, Saitama No. Shin Nihon Radio Co., Ltd. Kawagoe Works F-term (reference) 5C015 JJ05
Claims (7)
ンを陰極基材とする放電管用含浸型陰極において、 この陰極基材の電子放出面に、イリジウム、ルテニウ
ム、レニウム、オスミニウムのうちの少なくとも一種類
の金属と上記陰極基材との合金層を形成したことを特徴
とする放電管用含浸型陰極。1. An impregnated cathode for a discharge tube using porous tungsten or porous molybdenum as a cathode substrate, wherein at least one metal selected from the group consisting of iridium, ruthenium, rhenium and osmium is provided on the electron emission surface of the cathode substrate. An impregnated cathode for a discharge tube, comprising an alloy layer formed with the cathode base material.
ンを陰極基材とする放電管用含浸型陰極の電子放出面
に、イリジウム、ルテニウム、レニウム、オスミウムの
うちの少なくとも一種類の金属をスパッタ蒸着し、 このスパッタ蒸着後の陰極部材を1000〜2400℃
でアニール処理し、 上記陰極基材と上記各金属との合金層を0.1〜10μ
mの膜厚で上記電子放出面に形成するようにした放電管
用含浸型陰極の製造方法。2. At least one metal selected from the group consisting of iridium, ruthenium, rhenium and osmium is sputter-deposited on the electron emission surface of a discharge tube impregnated cathode having porous tungsten or porous molybdenum as a cathode substrate. The cathode member after sputtering deposition is 1000 to 2400 ° C.
Annealing in the above, the alloy layer of the above-mentioned cathode base material and each of the above metals 0.1 to 10μ
A method for manufacturing an impregnated cathode for a discharge tube, wherein the cathode has a thickness of m.
ンを陰極基材とする放電管用含浸型陰極の電子放出面
に、イリジウム、ルテニウム、レニウム、オスミウムの
うちの少なくとも一種類の金属を塗布又は含浸し、 この塗布又は含浸後の陰極部材を1000〜2400℃
でアニール処理し、 上記陰極基材と上記各金属との合金層を上記電子放出面
に形成するようにした放電管用含浸型陰極の製造方法。3. An iridium, ruthenium, rhenium, or osmium metal is applied or impregnated on an electron emission surface of a discharge tube impregnated cathode having porous tungsten or porous molybdenum as a cathode substrate, After applying or impregnating the cathode member, the cathode member is heated to 1000 to 2400 ° C.
A method of manufacturing an impregnated cathode for a discharge tube, wherein an alloy layer of the cathode substrate and each of the metals is formed on the electron emission surface.
材の蒸発を抑制するために、当該含浸材の飽和蒸気圧中
で行うようにしたことを特徴とする上記請求項2又は3
記載の放電管用含浸型陰極の製造方法。4. The method according to claim 2, wherein the annealing is performed at a saturated vapor pressure of the impregnating material in order to suppress evaporation of the impregnating material for the cathode substrate.
A method for producing the impregnated cathode for a discharge tube according to the above.
ンを陰極基材とする放電管用含浸型陰極の電子放出面
に、活性化処理を施すようにした放電管用含浸型陰極の
製造方法。5. A method for producing an impregnated cathode for a discharge tube, wherein the electron emission surface of the impregnated cathode for a discharge tube using porous tungsten or porous molybdenum as a cathode substrate is activated.
中で上記電子放出面をスパッタし、この後に真空中又は
不活性ガス中で1050〜1200℃のアニール処理を
施すことを特徴とする上記請求項5記載の放電管用含浸
型陰極の製造方法。6. The activation process, wherein the electron emission surface is sputtered in an inert gas plasma, and thereafter, an annealing process is performed at 1,050 to 1,200 ° C. in a vacuum or an inert gas. A method for producing an impregnated cathode for a discharge tube according to claim 5.
ス中で1050〜1200℃のアニール処理を施しなが
ら、吸着物質の電気分解作用を得るための高電圧を印加
することを特徴とする上記請求項5記載の放電管用含浸
型陰極の製造方法。7. The activation process is characterized in that a high voltage for obtaining an electrolysis effect of an adsorbed substance is applied while performing an annealing process at 1,050 to 1,200 ° C. in a vacuum or an inert gas. A method for producing an impregnated cathode for a discharge tube according to claim 5.
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JP23551898A JP3715790B2 (en) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | Method for producing impregnated cathode for discharge tube |
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---|---|---|---|---|
US6867544B2 (en) | 2001-09-04 | 2005-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High pressure discharge lamp and method for producing the same |
-
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- 1998-08-21 JP JP23551898A patent/JP3715790B2/en not_active Expired - Fee Related
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