JP2000065403A - クリーンルームを有する建屋及びクリーンルームの気流制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 二階のクリーンルームから一階の補機室を経
由して清浄空気を循環させ、本来それほどの清浄度が要
求されない補機室までも清浄度を管理していたため、そ
れぞけ処理能力の高い外調機等の設備が必要となり、し
かもエネルギー消費が著しく、イニシャルコスト及びラ
ンニングコスト共に高くなる。 【解決手段】 本発明の建屋は、天井上側にプレナムス
ペース６０が形成されたクリーンルーム１０と、このク
リーンルーム１０の下階として形成された補機室２０と
を有し、クリーンルーム１０と補機室２０間に両者を遮
断するパネル３０を設けると共にパネル３０上に隙間４
０を介してフリーアクセスフロア５０を設けたことを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クリーンルームを
有する建屋及びクリーンルーム内の気流制御方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】この種の建屋は、各種の半導体製造装置
が略工程順に配置されたクリーンルームと、クリーンル
ーム内の各半導体製造装置それぞれの補機類が配置され
たスペースとを備えている。通常、クリーンルームは補
機室の上階に配置され、両者は例えば多数のグレーティ
ングパネルを敷設したフリーアクセスフロアによって区
画されている。クリーンルーム内は極めて高い清浄度が
要求されるため、外部から外気調和機（外調機）を介し
て吸引した外気をクリーンルームの天井等に配置された
ＵＬＰＡフィルタ等の各種のフィルタを通し、外気中の
微粒子を除去し、清浄な空気をクリーンルーム内へ供給
するようにしている。そして、クリーンルーム内では大
部分の清浄空気は例えば下降流で二階のクリーンルーム
からフリーアクセスフロアを経由して一階の補機室に向
かい、リターンダクトを介して元のフィルタに戻り、常
にフィルタによる除塵を繰り返して清浄空気を循環する
ようにしてある。また、クリーンルーム内の一部の空気
は外部へ排気し、排気分の清浄空気は外調機から補充す
るようにしている。

【０００３】更に、クリーンルーム内には半導体製造装
置が配置されたメンテナンスエリアとオペレータが作業
等を行うオペレーションエリアとが形成され、各エリア
内で清浄空気がそれぞれ循環し、それぞれのエリアで要
求された清浄度を保持している。例えば特開昭６０−９
９９４３号において提案されたクリーンルームの場合に
は、クリーンルーム内がスクリーン及び隔壁によって装
置が配置された高清浄度域（メンテナンスエリア）と、
高清浄度域以外の作業者域（オペレーションエリア）及
び装置保全域とに区画され、清浄度の高いメンテナンス
エリアから清浄度の低いオペレーションエリア及び装置
保全域へ清浄空気が循環するようにしている。そして、
従来のクリーンルームの場合には、清浄空気は共通のリ
ターンダクトを経由してメンテナンスエリアあるいはオ
ペレーションエリアに戻り、それぞれエリアの清浄度を
維持するようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
クリーンルームを有する建屋の場合には、二階のクリー
ンルームから一階の補機室を経由して清浄空気を循環さ
せるため、本来それほどの清浄度が要求されない補機室
までも清浄度を管理し、それぞれ処理能力の高い外調機
等の設備が必要となり、しかもエネルギー消費が著し
く、イニシャルコスト及びランニングコスト共に高くな
るという課題があった。

【０００５】また、従来のクリーンルームの場合には、
クリーンルーム内を各種の半導体製造装置が配置された
メンテナンスエリアと、オペレータが作業等を行うオペ
レーションエリアの二つのエリアに区画し、しかも両エ
リアはパーティション等で区画され両エリアは完全には
遮断されず、しかもメンテナンスエリア内には各種の半
導体製造装置が混在しているため、メンテナンスエリア
内の清浄度の管理が難しく、しかも場合によっては両エ
リア間で発生する空気流の乱れによってオペレーション
エリアでコンタミネーションが発生する虞があった。こ
のような事態は、今後の０．２０〜０．１８μｍのデザ
インルールでのパーティクルをはじめとするクリーンル
ーム雰囲気管理では極力なくすべきで、放置すればオペ
レーションエリア等での半導体ウエハの汚染につなが
り、著しい歩留の低下をもたらす虞があった。また、従
来では、一つの外調機によって調整された空気を複数の
クリーンルームに搬送し、一つの排気装置（排気ファ
ン）によってクリーンルーム内の空気を排気するように
しているため、一つの外調機または排気装置に不具合が
発生した時に、全てのクリーンルームを停止させてしま
うという問題があった。これらと同様のことは特開昭６
０−９９９４３号で提案されたクリーンルームにおいて
も云えることである。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、クリーンルーム内における清浄空気の循環
風量を削減して空調設備費の低減及び省エネルギーを促
進することができるクリーンルームを有する建屋を提供
することを目的としている。また、一つの外調機または
排気装置に不具合が生じ、それに対応するクリーンルー
ムが停止することがあっても、これに影響されることな
く、他のクリーンルームの稼働を継続して行うことがで
き、しかも高い清浄度が要求されるオペレーションエリ
アで空気の乱れを防止し高い清浄度を保持することがで
きるクリーンルームを有する建屋及びクリーンルームの
気流制御方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の建屋は、天井上側にプレナムスペースが形成されたク
リーンルームと、このクリーンルームの下階として形成
された補機室とを有し、上記クリーンルームと上記補機
室間に両者を遮断するパネルを設けると共に上記パネル
上に隙間を介してフリーアクセスフロアを設けたことを
特徴とするものである。

【０００８】また、本発明の請求項２に記載の建屋は、
請求項１に記載の発明において、上記プレナムスペー
ス、クリーンルーム及び隙間をそれぞれプロセス種毎に
遮断して上記クリーンルーム内に複数のメンテナンスエ
リアとそのオペレーションエリア形成し、上記各メンテ
ナンスエリアをそれぞれプロセス種毎に互いに独立させ
たことを特徴とするものである。

【０００９】また、本発明の請求項３に記載の建屋は、
請求項１または請求項２に記載の発明において、上記プ
レナムスペースと上記隙間とを気体流路を介して連結し
たことを特徴とするものである。

【００１０】また、本発明の請求項４に記載の建屋は、
請求項２または請求項３に記載の発明において、上記ク
リーンルーム内に主通路を設け、この主通路から上記各
オペレーションエリアをそれぞれ分岐したことを特徴と
するものである。

【００１１】また、本発明の請求項５に記載の建屋は、
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明におい
て、上記クリーンルームを他の構造物から独立させたこ
とを特徴とするものである。

【００１２】また、本発明の請求項６に記載の気流制御
方法は、複数のメンテナンスエリアをそれぞれのオペレ
ーションエリア及び主通路から遮断して隔離し、上記オ
ペレーションエリア及び主通路それぞれの空気圧を上記
各メンテナンスエリアの空気圧より高く設定し、上記各
オペレーションエリア及び主通路それぞれから上記メン
テナンスエリアに向かう気流を形成することを特徴とす
るものである。

【００１３】また、本発明の請求項７に記載の気流制御
方法は、複数のメンテナンスエリアをそれぞれのオペレ
ーションエリア及び主通路から遮断して隔離し、上記各
メンテナンスエリア内でそれぞれ個別に空気を循環させ
ると共に、上記各メンテナンスエリアとは別に上記オペ
レーションエリア及び主通路で空気を循環させることを
特徴とするものである。

【００１４】また、本発明の請求項８に記載の気流制御
方法は、請求項６または請求項７に記載の発明におい
て、上記オペレーションエリア及び主通路の清浄度を上
記メンテナンスエリアの清浄度より高く設定したことを
特徴とするものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図４に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態の建屋は、例
えば図１、図２に示すように、クリーンルーム棟Ａと、
このクリーンルーム棟Ａをコ字状に囲む、空調機械室、
動力室、中央監視室や事務室等を有する管理棟Ｂとを備
え、クリーンルーム棟Ａと管理棟Ｂは基礎構造を含めて
互いに独立した棟として構成され、これら両者Ａ、Ｂは
例えばエキスパンションジョイントＥを介して互いに連
結されている。そして、クリーンルーム棟Ａは、図２に
示すように、二階にクリーンルーム１０を有し、一階に
補機室２０を有している。クリーンルーム１０内には各
種の半導体製造装置が配置され、補機室２０内には各種
の半導体製造装置の補機類が配置されている。

【００１６】また、上記クリーンルーム１０と補機室２
０は、図２に示すように、コンクリートのような剛性の
高いパネル３０によって遮断されている。パネル３０の
上方には所定の隙間４０を介してフリーアクセスフロア
５０が形成され、このフリーアクセスフロア５０は例え
ばグレーティングパネルを敷き詰めて形成されている。
クリーンルーム１０の天井上側にはプレナムスペース６
０が形成され、天井に配設された高性能フィルタ７０で
清浄度を上げた清浄空気を下降流でクリーンルーム１０
内へ供給するようにしてある。この清浄空気は後述する
リターンダクトを介してクリーンルーム１０、フリーア
クセスフロア５０及びその下方の隙間４０を循環するよ
うにしてある。尚、高性能フィルタ７０には図３に示す
ようにそれぞれファン７１が付帯し、ファン７１を介し
てプレナムスペース６０内の空気がクリーンルーム１０
内へ供給される。

【００１７】而して、本実施形態のクリーンルーム１０
内は図１に示すように半導体製造工程のプロセス種毎に
区画されてプロセス種毎のミニエンバイロメント空間が
形成され、それぞれのミニエンバイロメント空間の清浄
度をプロセス種毎に最適管理できるようにしてある。即
ち、上記クリーンルーム１０、隙間４０及びプレナムス
ペース６０は、図１、図２に示すように、それぞれ半導
体製造工程のプロセス種毎に仕切によって遮断されてク
リーンルーム１０内の幅方向両側に複数のメンテナンス
エリア１１とそれぞれのオペレーションエリア１２が形
成され、これらの各メンテナンスエリア１１はそれぞれ
プロセス種毎に互いに独立したミニエンバイロメント空
間として形成されている。これら両側のメンテナンスエ
リア１１、１１の間には図１に示すように主通路１３が
長手方向に形成され、この主通路１３から各オペレーシ
ョンエリア１２が分岐している。従って、床下の隙間４
０にもメンテナンスエリア１１、オペレーションエリア
１２及び主通路１３に対応した分割隙間４１、４２、４
３がそれぞれ形成され、プレナムスペース６０にもメン
テナンスエリア１１、オペレーションエリア１２及び主
通路１３に対応した分割スペース６１、６２、６３がそ
れぞれ形成されている。

【００１８】そして、上記各メンテナンスエリア１１内
には出入口（図示せず）がそれぞれ形成され、それぞれ
ドアを介して出入りしてそれぞれの内部に配置された半
導体製造装置のメンテナンス等を個別に行えるようにし
てある。また、図示してないが各メンテナンスエリア１
１にはオペレーションエリア１２に即した操作口が形成
され、この操作口からそれぞれの半導体装置を操作する
ようにしてある。尚、各操作口には開閉扉がそれぞれ取
り付けられている。

【００１９】また、図１に示すように管理棟Ｂの空調機
械室内には除塵機構及び温湿度調節機構を内蔵した外調
機８０が複数配設され、これらの外調機８０からそれぞ
れのダクト８１（図１の矢印）を介して接続された各メ
ンテナンスエリア１１やオペレーションエリア１２、主
通路１３に対して清浄空気を個別に供給するようにして
ある。即ち、各メンテナンスエリア１１とオペレーショ
ンエリア１２及び主通路１３との間の清浄度、更には、
半導体製造装置の種類に応じて各メンテナンスエリア１
１間の清浄度がそれぞれ異なるようにしてある。つま
り、図２からも判るように、オペレーションエリア１２
及び主通路１３の天井にメンテナンスエリア１１の天井
よりも多くの高性能フィルタ７０が配置され、外調機８
０により温湿度、ケミカルコンタミネーション量等が調
整された空気を各高性能フィルタ７０で清浄し、オペレ
ーションエリア１２及び主通路１３をメンテナンスエリ
ア１１より高い清浄度に設定している。

【００２０】そして、本実施形態では各メンテナンスエ
リア１１内の清浄度が例えばクラス１０００に設定さ
れ、オペレーションエリア１２及び主通路１３内の清浄
度が例えばクラス１０に設定されている。また、清浄空
気の流路であるダクト８１には各メンテナンスエリア１
１、オペレーションエリア１２及び主通路１３に対応し
たダンパー８２（図３参照）が配設され、それぞれのエ
リア毎に清浄空気を供給し、遮断することができ、もっ
て各エリア毎の風量を個別に管理できるようにしてあ
る。更に、空調機械室内にはクリーンルーム１０以外の
部屋（例えば、補機室２０、設備機械室等）の空調を行
う外調機８０Ａが配設され、この外調機８０Ａによって
一般的な空調を行うようにしてある。

【００２１】更に、上記クリーンルーム１０内の幅方向
両側の壁面には、図１〜図３に示すように、リターンダ
クト１４Ａが配設され、このリターンダクト１４Ａを介
して各メンテナンスエリア１１の床下の分割隙間４１と
それぞれの天井上側の分割プレナムスペース６１は互い
に連結され、各分割プレナムスペース６１内の清浄空気
がファン７１（図３参照）を介して送風され、高性能フ
ィルタ７０による除塵後それぞれのメンテナンスエリア
１１内に流入し、下降流でフリーアクセスフロア５０、
分割隙間４１を流れてリターンダクト１４Ａから各分割
プレナムスペース６１へ還流するようにしてある。図２
に示すように各オペレーションエリア１２、主通路１３
についても同様にリターンダクト１４Ｂ、１４Ｃを介し
てそれぞれの分割プレナムスペース６２、６３の清浄空
気が各オペレーションエリア１２、主通路１３及び分割
隙間４２、４３を循環するようにしてある。

【００２２】また、本実施形態では各メンテナンスエリ
ア１１内を循環する清浄空気の圧力は各オペレーション
エリア１２及び主通路１３を循環する清浄空気の圧力よ
り低く設定され、例えばメンテナンスエリア１１のドア
等が開いてもオペレーションエリア１２や主通路１３か
らメンテナンスエリア１１へ清浄度の高い空気が流入
し、メンテナンスエリア１１内の低い清浄度の空気でオ
ペレーションエリア１２や主通路１３を汚染しないよう
にしてある。更に、主通路１３は極力幅広く大きな容量
になるように形成され、メンテナンスエリア１１のドア
等が開いた時に主通路１３及びオペレーションエリア１
２内の空気圧の変動を極力抑制するようにしてある。
尚、主通路１３の幅はクリーンルーム１０の面積に応じ
て適宜設定すれば良い。

【００２３】更に、本実施形態のクリーンルーム棟Ａに
は種々の防振対策が施されている。例えば、前述したよ
うにクリーンルーム棟Ａはその基礎構造を含めて空調機
械室や動力室等の振動源を有する管理棟Ｂから独立し、
両者はエキスパンションジョイントＥを介して連結さ
れ、外観上は一体化した建屋として構成されている。従
って、管理棟Ｂで振動源による振動があっても、この振
動をエキスパンションジョイントＥで遮断し、クリーン
ルーム棟Ａが管理棟Ｂにおける振動の影響を受けず、振
動の影響を受け易い露光装置等の半導体製造装置の加工
精度を保持できるようにしてある。また、クリーンルー
ム１０と補機室２０間のパネル３０は剛性の高い架構に
より形成されている。このパネル３０には図４の（ａ）
に示すように所定間隔を空けて複数の連通孔３０Ａが形
成され、これらの連通孔３０Ａは金属製の蓋３１で密閉
されている。更に、パネル３０の連通孔３０Ａの間には
多数の支柱３２が立設され、各支柱３２によってフリー
アクセスフロア５０及びその荷重を支持している。そし
て、図２に示すようにメンテナンスエリア１１内の半導
体製造装置と補機室２０内の補機とを連結するガス配管
（図示せず）等は蓋３１に形成された孔を通し、隙間４
０内で配管されている。尚、連通孔３０Ａと蓋３１の間
及び蓋３１と配管等との間は図示しないシール部材によ
ってシールされている。このシール部材にはガスを発生
し難い材料が用いられている。尚、支柱３２の上端には
図４の（ｂ）で示す支承部材３２Ａが固定され、この支
承部材３２Ａを介してフリーアクセスフロア５０を支承
している。

【００２４】次に、本実施形態のクリーンルーム内の気
流制御方法について説明する。クリーンルーム１０が稼
働する場合には各外調機８０を始動し、各外調機８０で
外気を吸引し、外気中の塵埃等の不純物を除去すると共
に温湿度を所定の状態に調整し、清浄な空気を調製す
る。各外調機８０で得られた清浄空気はそれぞれのダク
ト８１を経由して分配され、クリーンルーム１０内の各
メンテナンスエリア１１、オペレーションエリア１２及
び主通路１３に対応する分割プレナムスペース６１、６
２、６３へ流入する。

【００２５】各分割プレナムスペース６１、６２、６３
に流入された清浄空気はファン７１及び高性能フィルタ
７０を通り、所望の清浄度に設定された後、各メンテナ
ンスエリア１１、オペレーションエリア１２及び主通路
１３へ下降流で流入する。各エリア１１、１２、１３内
の清浄空気は、下降流でフリーアクセスフロア５０を通
り、各分割隙間４１、４２、４３及び各リターンダクト
１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃを経由して元の分割プレナムス
ペース６１、６２、６３に戻り、各メンテナンスエリア
１１、オペレーションエリア１２及び主通路１３を個別
に循環する。この際、オペレーションエリア１２及び主
通路１３の天井には各メンテナンスエリア１１の天井よ
りも高性能フィルタ７０が多く敷設されているため、前
者のエリア１２、１３内の空気を後者のエリア１１内の
空気より高い清浄度を保持する。

【００２６】また、各メンテナンスエリア１１、オペレ
ーションエリア１２及び主通路１３内ではそれぞれの空
気圧を検出し、これらの検出値に基づいてオペレーショ
ンエリア１２及び主通路１３の空気圧を各メンテナンス
エリア１１内の空気圧より高い圧力に調整する。従っ
て、メンテナンスエリア１１のドア等が開き、メンテナ
ンスエリア１１とオペレーションエリア１２及び主通路
１３が連通すれば、オペレーションエリア１２及び主通
路１３からメンテナンスエリア１１に向かう空気流が形
成され、オペレーションエリア１２及び主通路１３内を
メンテナンスエリア１１内の清浄度の低い空気によって
汚染することがない。しかも、主通路１３の容量が従来
と比較して大きいため、主通路１３からメンテナンスエ
リア１１へ清浄空気が流れても、オペレーションエリア
１２及び主通路１３での圧力変動が殆どなく、このエリ
ア内で空気の乱れが発生し難く、無用なパーティクルの
巻き上げを防止することができる。

【００２７】以上説明したように本実施形態によれば、
クリーンルーム１０と補機室２０間にこれら両者を遮断
するパネル３０を設けると共にその上に隙間４０を介し
てフリーアクセスフロア５０を設けたため、クリーンル
ーム１０内の清浄空気は補機室２０ではなく隙間４０を
経由して循環するため、補機室２０を循環させる従来の
方式と比較して空気の循環容量が少なくなり、冷却エネ
ルギーを低減することができる。つまり、省エネルギー
を達成してランニングコストを低減することができる。
更に、外調機８０等の空調設備を小型化することがで
き、ひいては設備のイニシャルコストを低減することが
できる。

【００２８】また、本実施形態によれば、プレナムスペ
ース６０、クリーンルーム１０及び隙間４０をそれぞれ
プロセス種毎に遮断してクリーンルーム１０内に複数の
メンテナンスエリア１１とそのオペレーションエリア１
２を形成し、各メンテナンスエリア１１をそれぞれプロ
セス種毎に互いに独立させ、しかも、各メンテナンスエ
リア１１に対応する分割プレナムスペース６１と分割隙
間４１とをリターンダクト１４Ａを介して連結したた
め、各メンテナンスエリア１１内をそれぞれの空気の清
浄度及び循環風量に即して個別に最適制御することがで
きる。また、クリーンルーム内１０に主通路１３を設
け、この主通路１３から各オペレーションエリア１２を
それぞれ分岐したため、オペレーションエリア１２及び
主通路１３内の空気の清浄度及び循環風量を各メンテナ
ンスエリア１１から独立させて一括管理することがで
き、同一レベルの清浄度を保持することができる。ま
た、クリーンルーム棟Ａが管理棟Ｂから独立しているた
め、管理棟Ｂにおいて発生する振動を遮断し、クリーン
ルーム１０内の半導体製造装置を防振することができ
る。

【００２９】また、本実施形態によれば、クリーンルー
ム１０内をプロセス種毎に複数のメンテナンスエリア１
１をそれぞれのオペレーションエリア１２及び主通路１
３から遮断して隔離し、各オペレーションエリア１２及
び主通路１３それぞれの空気圧を各メンテナンスエリア
１１の空気圧より高く設定し、各オペレーションエリア
１２及び主通路１３それぞれから各メンテナンスエリア
１１に向かう気流を形成するようにし、しかも、オペレ
ーションエリア１２及び主通路１３の清浄度を各メンテ
ナンスエリア１１の清浄度より高く設定したため、高い
清浄度が要求されるオペレーションエリア１２及び主通
路１３からこれらよりは低い清浄度で済む各メンテナン
スエリア１１内へ空気が流入し、オペレーションエリア
１２及び主通路１３が各メンテナンスエリア１１内の空
気で汚染されることがなく、しかも空気の乱れを防止
し、無用なパーティクルの巻き上げを防止することがで
きる。

【００３０】尚、本発明は上記実施形態に何等制限され
るものではなく、必要に応じて適宜設計変更を加えるこ
とができる。

【００３１】

【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項８に記載の発
明によれば、清浄空気の循環風量を削減して省エネルギ
ーを促進することができるクリーンルームを有する建屋
を提供することを目的としている。また、一つの半導体
製造装置に不具合があってもこれに影響されることなく
他の半導体製造値の稼働を継続できるプロセス種毎の清
浄空気の管理を行うことができ、しかも高い清浄度が要
求されるオペレーションエリアで空気の乱れを防止し高
い清浄度を保持することができるクリーンルームを有す
る建屋及びクリーンルームの気流制御方法を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のクリーンルームを有する建屋の一実施
形態を示す平面図である。

【図２】図１に示す建屋の要部を示す断面図である。

【図３】図１に示す建屋に配置された外調機とメンテナ
ンスエリアの関係を示す説明図である。

【図４】（ａ）は図１に示す建屋のクリーンルームと補
機室間に介在するパネル、フリーアクセスフロアとの関
係を部分的に示す断面図、（ｂ）は支柱上端に固定され
た支承部材を示す斜視図である。

【符号の説明】

１０ クリーンルーム １１ メンテナンスエリア １２ オペレーションエリア １３ 主通路 １４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ リターンダクト ２０ 補機室 ３０ パネル ４０ 隙間 ５０ フリーアクセスフロア ６０ プレナムスペース

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深沢 泰司 東京都府中市住吉町２丁目30番７号 東京 エレクトロンロジスティクス株式会社内 (72)発明者 若林 剛 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 藤原 馨 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 中田 正城 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 松尾 剛伸 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 後町 智雄 東京都新宿区西新宿一丁目25番１号 大成 建設株式会社内 Ｆターム(参考） 3L058 BF01 BF05 BF07

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 天井上側にプレナムスペースが形成され
   たクリーンルームと、このクリーンルームの下階として
   形成された補機室とを有し、上記クリーンルームと上記
   補機室間に両者を遮断するパネルを設けると共に上記パ
   ネル上に隙間を介してフリーアクセスフロアを設けたこ
   とを特徴とする建屋。
2. 【請求項２】 上記プレナムスペース、クリーンルーム
   及び隙間をそれぞれプロセス種毎に遮断して上記クリー
   ンルーム内に複数のメンテナンスエリアとそのオペレー
   ションエリアを形成し、上記各メンテナンスエリアをそ
   れぞれプロセス種毎に互いに独立させたことを特徴とす
   る請求項１に記載の建屋。
3. 【請求項３】 上記プレナムスペースと上記隙間とを気
   体流路を介して連結したことを特徴とする請求項１また
   は請求項２に記載の建屋。
4. 【請求項４】 上記クリーンルーム内に主通路を設け、
   この主通路から上記各オペレーションエリアをそれぞれ
   分岐したことを特徴とする請求項２または請求項３に記
   載の建屋。
5. 【請求項５】 上記クリーンルームを他の構造物から独
   立させたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれ
   か１項に記載の建屋。
6. 【請求項６】 複数のメンテナンスエリアをそれぞれの
   オペレーションエリア及び主通路から遮断して隔離し、
   上記オペレーションエリア及び主通路それぞれの空気圧
   を上記各メンテナンスエリアの空気圧より高く設定し、
   上記各オペレーションエリア及び主通路それぞれから上
   記メンテナンスエリアに向かう気流を形成することを特
   徴とするクリーンルームの気流制御方法。
7. 【請求項７】 複数のメンテナンスエリアをそれぞれの
   オペレーションエリア及び主通路から遮断して隔離し、
   上記各メンテナンスエリア内でそれぞれ個別に空気を循
   環させると共に、上記各メンテナンスエリアとは別に上
   記オペレーションエリア及び主通路で空気を循環させる
   ことを特徴とするクリーンルームの気流制御方法。
8. 【請求項８】 上記オペレーションエリア及び主通路の
   清浄度を上記メンテナンスエリアの清浄度より高く設定
   したことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の
   クリーンルームの気流制御方法。