JP2000059686A - 画像変換装置 - Google Patents

画像変換装置

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JP2000059686A
JP2000059686A JP11100679A JP10067999A JP2000059686A JP 2000059686 A JP2000059686 A JP 2000059686A JP 11100679 A JP11100679 A JP 11100679A JP 10067999 A JP10067999 A JP 10067999A JP 2000059686 A JP2000059686 A JP 2000059686A
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    • H01J2229/8926Active components, e.g. LCD's, indicators, illuminators and moving devices

Abstract

(57)【要約】 【課題】 撮影された映像の歪の除去。 【解決手段】 撮影された映像の歪を除去するためにテ
ストパターンを入力に追加する。テストパターンの映像
を読み取った後、この映像データに基づき歪を測定する
と共に歪を除去するための逆変換関数を求め、これを用
いて映像を変換することで歪を除去する。テストパター
ンは、増幅管の入力窓に作成される。変形例の1つとし
て、レーザー光源によって増幅管の光陰電極を照射する
ことも可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像変換装置に関
する。より詳細には、本発明は、例えばX線等の電磁波
の照射によって得られる映像を電子的な表示が可能な画
像に変換するための装置に関する。電磁波は可視領域の
ものであっても良い。本発明は一般に電子画像増幅装置
すなわちRII、または、光画像増幅装置すなわちLI
Iを適用対象とする。これらの画像増幅装置は、画像変
換に加えて画像増幅を行う。
【0002】
【従来技術】図1は、画像増幅装置を示す。医療用放射
線撮影装置を例に取れば、放射線源1から人体、より一
般的には対象物2、に対してX線を照射する。乱反射防
止格子3によって放射線源1から対象物2に向かうX線
成分のうちの放射線源1から放射方向以外の成分をカッ
トする。電子管4では、光陰電極5が電子流を発生さ
せ、この電子流は最終的には作像位置6上に焦点を結
ぶ。光陰電極5はエックス線の照射によって励起され、
照射を受けたそれぞれの位置において、この場合はX線
である照射電磁波の強さに比例する電子流を放射する。
X線の分野で使用する場合は、光陰電極5は内蔵するシ
ンチレータによって電磁波としては非常に波長の短いX
線を比較的波長の長い従って光陰電極5を励起すること
ができる、電磁波に変換する。電子は電場または陽極に
よって標的の方向に加速される。その途中において電子
は、電極7が発生する電界によって進行方向を曲げられ
る。
【0003】光陰電極5から発射された時点においては
電子の速度は比較的遅い。電子の電荷と移動とが電流を
生じさせる。運動の途中で電子はレンツの法則に従い、
磁界の影響を受けて進行方向を曲げられる。良く知られ
ているように、最も有害な磁界は地磁気である。
【0004】合焦装置そのものも形成される画像に固有
の変形を生じさせることが知られている。この変形の修
正については先行技術において論じられている。最も良
く知られている変形は、電子管4が球面状であることに
起因する糸巻き形ひずみである。このひずみを修正用電
極を用いて、あるいは、画像読み取り電子装置において
修正することは可能である。
【0005】寄生的な磁界の影響によって画像に生じる
変形は、二重の影響を有するS変形である。第一に、電
子流の軸と直交方向の磁界成分が全ての点、ピクセルあ
るいは画像について基本的に均一な(1次の)移動を生
じさせる。第二に、有害な磁界の電子流の軸と平行な成
分が、電子の速度の電子流の軸と直交する成分と相互に
影響し、画像の軸の周りの回転を生じさせる。回転量
は、速度の軸と直交する成分および電子管4の不均一な
磁場遮蔽に関係する。この関係から、画像の中心からの
距離が小さいほど回転量が大きいことが知られている。
【0006】上記の変形を修正する方法は従来技術に開
示されている。例えば、画像増幅管の本体8に磁性体の
層を設けて障害となる磁界をこの層にそって誘導する方
法である。最も良く知られた磁性材料は、ニッケル鉄合
金であるμ材料である。増幅管の入力部9にこの種の磁
性体の薄層を設けて内部を磁界から保護することが行な
われている。
【0007】地磁気の軸方向成分による最も有害な効果
を除去するために、電子管4の入射部の極く近傍に地磁
気とは反対向きで大きさが等しい軸方向の磁界を発生さ
せるコイル10を設けることも考案されたが、この装置
無しでは10mm程度であった回転方向のひずみがコイ
ル10によって半分程度に減少するに過ぎなかった。ピ
クセルの大きさが200から300ミクロンである高解
像度装置の場合には、この変形量は15ないし25ピク
セルの距離に相当するため、この方法では十分な修正が
実現できるとは言いがたい。
【0008】作像位置6には電子線の照射による蛍光発
光する蛍光素子が設けられている。作像位置6上に形成
された画像は、たとえば動画撮影装置11等、他の装置
によって読み取られる。作像位置6上に画像を連続して
形成し、記録することもできる。画像が連続するもので
なければ、カメラ13によって読み取ることも可能であ
る。好ましい従来技術の場合、テレビカメラ13、特に
デジタルビデオカメラによって画像を撮影している。
【0009】上記の好ましい従来技術の場合、寄生的な
磁界の影響による画像のひずみをテレビカメラ13に接
続された画像処理装置14を用いて修正する方法が知ら
れている。修正前の映像あるいは修正後の映像をモニタ
ー画面15に表示する。修正の基本は、例えばRIIの
入力位置9のような電磁波の放射面に設置した既知の画
像からなるテストパターンの映像を読み取ることによっ
て、電子管4、テレビカメラ13、モニター画面15に
よって得られたテストパターンの映像から撮像段階にお
ける磁界の影響による画像のひずみを把握することであ
る。画像処理装置14によって撮像された映像と原図と
を比較することによってひずみを算出することができ
る。この処理によって電子管4、テレビカメラ13、モ
ニター画面15に表れた歪を把握することができる。こ
の歪を用いて得られた映像から歪を除去することが可能
になる。すなわち、歪の逆変換関数をテレビカメラ13
で得られた対象物2の映像に掛け算することによって歪
の修正を行う。
【0010】上記の修正方法は、特に断層撮影装置にお
いて利用されている。これらの装置の場合、ピクセルの
10分の1の精度が問題になる。一方これらの装置の場
合には、幸いなことに、装置の地磁気に対する電子管4
の方向を自由に設定することが可能である。これらの装
置は、電子管4の軸は、その周りに装置を回転すること
ができる回転軸でも有る。したがって、電子管4を軸の
周りに回転させるたびに逆歪関数を算出して、回転角毎
に断層撮影装置から得られた映像を修正することが可能
である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
修正方法は、RIIの位置が確定していない装置、特に
電子管4が回転するアームまたは円弧状のアームを有す
る、一般にC‐アーム装置と称する放射線装置について
は使用することができない。これらの装置の場合は、回
転自在のピボットに支持された湾曲したアームが電子管
4の回転軸と直行する向きに設けられた第2の軸の周り
に回転する。したがって、電子管4は3方向の回転自由
度を有する。電子管4は、この3つの自由度それぞれに
関して必要に応じて所望の位置を取ることができる。し
たがって、逆歪関数は無限に存在することになり、この
装置については逆歪関数を用いた上記の修正方法自体が
実用的でないということになる。
【0012】
【課題を解決するための手段】従来技術が有する上記の
ような課題に鑑み、本発明は電磁波の照射から電子的な
画像への変換を行う装置であって、光電素子から発生し
た電子の通路を形成する電子管の内部に電磁波の照射に
よって励起される光電素子と、標的と、標的への合焦手
段とを設け、さらに、部位毎に電磁波‐電子変換の比率
を変更してその位置に電子映像上のコントラストとして
変更ヶ所を映し出す変更手段と、撮像された映像の変形
を受けた映像と修正された映像をそれぞれ得ることがで
きる交互映像準備手段とを有することを特徴とする装置
によって解決する。
【0013】本発明は、電子管4によって得られる画像
は必ずしも長期に記憶する必要は無いという前提に基づ
き上記の課題を解決する。本発明は、対象物の撮像の
前、途中または後にテストパターンの映像をほとんどリ
アルタイムで取得する。この操作を容易にするために、
発明にかかる装置は電子管4の内部にリアルタイムでテ
ストパターンを撮像させるための手段を有する。これ
は、例えば2通りの方法によって実現することができ
る。
【0014】第一の方法によれば、映像を既知のように
変形させることのできる周期的なパターンまたは格子を
電子管4の入力部に備える。歪の無い状態が予め知られ
ている理論的な映像に対して変形が生じた場合、この変
形の効果が理論的に正確な映像と共に記憶され、両者が
比較され、この比較に基づいて対象物の映像に対する修
正項が算出される。第二の方法によれば、パターンは永
久的でなく、実際の映像に対してリアルタイムで求めら
れるものであっても、そうでないものであっても良い。
たとえば、光電管に格子を映し出す補助的な照明手段か
ら間欠的に格子模様を照射する。格子模様の照射とその
映像測定は、対象物の撮像の時間的な間隙に行っても良
いし、格子模様を対象物の映像に重ね合わせて照射して
同時に測定することもできる。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、確定的または永久的な
歪あるいは不確定的または変化する歪に対して対象物の
映像とテストパターンとを交互に読み取るか、2つの画
像を同時に読み取ることが可能になる。したがって、本
発明による装置は、映像の、外乱による永久的な歪にも
一時的な歪にも対応することができる。
【発明の実施の形態】
【0016】図2は本発明に基づいて図1に示す装置を
改良したものである。図中には、筐体16に収容された
電子管4および光陰電極5、作像位置6が示されてい
る。例えばX線である電磁波17は図1では番号9で示
した入力面18から筐体16に進入する。入力面18の
材料は例えばアルミニウムあるいはプラスティックであ
る。電子管4の材料は、従来はガラスが使用されていた
が、この実施例においては例えばステンレスである。放
射線装置への適用を例として考えれば、Sb−K2−C
sの層からなる光電陰極が、好ましくはヨウ化セシウム
CsIからなるシンチレータ19に接着されている。シ
ンチレータ19はアルミニウムの支持部材20によって
支持されている。電磁波を受ける位置に有る電子管4の
厚さは0.5mmから1.5mmの間である。シンチレ
ータ19の支持部材20の厚さも同様に0.5mmから
1.5mmの間である。シンチレータ19の層圧は約
0.5mmである。光陰電極5層の厚さは1ミクロン以
下である。
【0017】光陰電極5を電子管4から支持するため
に、光陰電極5の支持部材20は突起21とセラミック
のペレット22によって電子管4に固定されている。ペ
レット22は絶縁材料からなり、100ボルトないし3
00ボルトの電位を有する電子管4の本体8から光陰電
極5を電気的に絶縁して光陰電極5の電位を0ボルトに
維持する。
【0018】この第1の実施例においては、テストパタ
ーンを示すために支持部材20は、溝あるいは貫通孔で
はない穴23を放射線17の照射を受ける面に有する。
穴の深さは0.2mm程度である。この穴があることに
よって支持部材20のその部分の放射線吸収能力は低下
し、このことが作像位置6の上に結像する映像に表れ
る。変形例としては、支持部材20の表面に形成された
この変形23は、支持部材20のシンチレータ19と向
き合う側の表面(あるいは支持部材20と光陰電極5の
間)に形成した空隙24に設けられたものであっても良
い。この変形例の場合には、変形がCsIの増加であれ
ば吸収能力の増加の形で映像に表れる。他の変形例とし
ては、電子管4の入力面18に面する本体8の一部で構
成される入力用窓25に前記の変形23あるいは空隙2
4と同様の溝または穴26を形成する。支持部材20と
入力用窓25の間の空隙は視差による誤差を生じるが、
入力面18の上に参照点を設けることによってこの誤差
を小さく抑えることが可能である。
【0019】上記のような、放射線吸収能力を減少させ
る溝または穴の加工は、スウェッジングやエッチングに
よって行うことができる。支持部材20の放射線の照射
を受ける側の面に、逆に盛り上り27を形成することも
可能である。電子管4の入力用窓25の内側に盛り上り
27を形成することも可能であるが、この場合、視差に
よる誤差を生じる点については前記同様である。穴や溝
は研削装置やドリルにような工作機械を用いて加工する
こともできる。パンチやスタンプによって加工すること
もできる。これらの加工によって溝の側面の硬度が減少
するが、このことは特に測定に影響を与えない。変形の
参照点は盛り上り27ではなく放射線吸収能力の異なる
材料を埋め込むことによっても作成することができる。
材料は塗料であっても良い。処理すべき表面にフォトレ
ジストやポリマーを堆積させた後でケミカルエッチング
を行うことやデポジション工程によって製造が可能であ
る。電子管4の入力面あるいは入力面と光陰電極の間の
面に参照点を作成することもできる。さらに、支持部材
20、電子管4の入力用窓25に変換機が受ける電磁波
に対する吸収能力が異なる種々の材料で盛り上がりある
いは埋め込みを作成することで同様の効果を得ることが
できる。
【0020】テストパターンを作成する他の方法は、電
子管4の壁面であって放射線を受けない位置に窓28を
設けることを必要とする。この窓28を通して(線源が
レーザー光線源で無い場合には特に)レーザー光線発生
源30によって発生したレーザー光線29を照射し、光
陰電極5の背面に当てる。このレーザー照射によってレ
ーザー光線29が当たった位置から電子を放射する。光
陰電極5の背面をスキャンするようにレーザー光線29
を当てることが可能である。レーザー光線発生源30は
レーザー光線29のパルスを発生させるものであること
が望ましい。例えば400ミリ×400ミリの表面に2
0ミリ間隔で変形あるいは光参照点を作成するには映像
毎に400点の参照点が必要である。1秒間に15枚の
映像を得る放射線映像あるいは放射線撮影の分野におい
ては、一枚の映像を得るための放射線照射の継続時間は
5ms程度である。映像撮影の間の時間的な隙間にテス
トパターンの映像を撮影することができる。レーザー光
線発生源30のパワーを設定することによってX線によ
って光陰電極5からもたらされる映像のエネルギーより
もテストパターンのエネルギーを格段に高くすることも
可能である。テストパターンの映像を5msで撮影する
ものと仮定すれば、その間に400点の参照点を照射す
るには、レーザー光線発生源30は、80KHzで作動
する必要が有る。窓28を設けることは必ずしも必須で
はなく、レーザー光線発生源30を電子管4の内部に設
置することも可能である。
【0021】光陰電極5の背面をレーザー光線で照射す
る代わりに、支持部材20に適当な間隔で設けた貫通孔
32を通じて補助的な光を通すことも考えられる。
【0022】本発明の第3の実施例では、入力用窓25
の球面に完全に対応する格子33を作成する。この格子
33は入力用窓25上をスライドすることができる。こ
の実施例では、格子33を撮像中にスライドさせること
によって、格子33の線34が映像中に落とす影が映像
前面に渡って均一に影を落とし、したがって、その影響
を無視することができる。テストパターンを撮影する際
には、格子33を所定の位置に停止させる。矢印35で
単純化して図示した格子33の移動手段は、電磁的な振
動手段であっても良い。
【0023】図3および図4は、本発明で推奨される参
照点あるいは円形の光を当てた部位が変換の前後で変形
する様子を示す。この例では、円形の直径は、RII入
力面の位置で2ないし4ピクセルの大きさに相当する。
図4は作像位置6の上に結像した映像を示すものであ
る。円形の参照点が変形しており、同時にそれらの位置
も変位している。画像の変形を求めるためには参照点の
中心位置36を求める必要が有る。中心位置36が定ま
れば並び全体の変形を決定することができ、これに基づ
きそれぞれの参照点は補間法によって修正することが可
能になる。
【0024】図5および図6は前出と同様の変形を参照
点の代わりに溝を用いた例で示したものである。この場
合の利点は、溝の交点38から全体の変形を求めること
が可能なことである。このようにして格子39の交点4
0から変形を精度高く求めることができる。
【0025】図7は、作像位置6上で測定された電子信
号42の振幅の変化をX軸に沿って表したものである。
撮像された対象物2固有の透過率の緩やかな変化を表す
振幅変化Aの上に、X座標がX0の位置に電磁波の吸収
に起因して生じた正の方向の変化41が表れている。グ
リッド等によって放射線が透過する障害物の合計の厚み
が増加している場合には変化41は負の方向の変化とし
て現れる。全体の緩やかな変化に対して変化41は急峻
であるために、前後関係に基づき信号42からこの急峻
な変化41のみを取り除くことが可能である。この処理
の結果、急峻な変化を除去した測定信号42と急峻な変
化の部分のみからなる信号とを得ることができる。すな
わち、撮影すべき映像に関する信号42とテストパター
ンの映像信号とを同時に撮像し、しかもこれらを分離し
て扱うことが可能である。もちろん、実際にはこれらを
交互に算出することもできる。これらの方法は、レーザ
ー光線発生源30または格子33を使用した実施態様に
おいて使用することができる。テストパターンを常に撮
像する場合には、テストパターンに起因する信号の変化
41が、信号42全体のダイナミックレンジに対して所
定の値以下に抑えられるよう配慮する必要が有る。信号
42から得た変化41部分の信号は通常多くのノイズ成
分を含む。これに対して、テストパターンが常に写し込
まれることに基づいて、テストパターンに起因する信号
の変化量、穴あるいは溝の数を参考にテストパターンの
信号を分離することが可能である。穴が深ければ映像上
のコントラストが高くなり、上記に示した情報を参照す
る必要性が減少する。穴が浅い場合にはその数を増加す
ることが必要になる。
【0026】図8は、全体配置39の決定によって交点
40の位置をピクセル1つよりも細かい精度で得ること
も可能であることを示した図である。パルス的な変化4
1はここでは幅が広がりガウス分布に近いものとなって
いるが、その情報に基づき最大値に対応するX座標の値
を決定する方法は既知である。
【0027】図9は、本発明の原理を示すものである。
実験室において事前キャリブレーションとして完全なテ
ストパターンの映像を撮影する。その際、変換装置と画
像増幅装置とは特に有害な地磁気等の影響を遮蔽した室
内に設置する。これは、たとえば、当該部屋の壁面をμ
金属で覆って磁界を壁面に沿って流すことで実現するこ
とができる。このようにして得たテストパターンの映像
を画像処理装置14の記憶装置43に記憶させる。記憶
された画像情報は、例えばテストパターンの参照点のX
座標とY座標とを示す座標データの集合からなるデータ
ファイルである。実際の撮像を行う際には、同じ変形を
生じている対象物2とテストパターンの映像を交互にま
たは同時に撮像する。装置が置かれている場所の電磁
場、特に地磁気の影響を受けてテストパターンを構成す
る溝44、45は作像位置6上では溝46、47に変位
している。この変形はS形変形である。溝44と45の
交点48の位置は点49に移動している。画像処理装置
14は、図4あるいは図6から記憶装置43に記憶した
変形の無い状態でのテストパターンの座標情報に基づ
き、点49を点48に戻す処理をすることができる。上
記の断層撮影装置にこのような画像処理装置を内蔵させ
ることができる。画像処理装置は、記憶装置43に記憶
されたテストパターン情報と測定されたテストパターン
情報とを比較50して、逆歪関数51を作成する。この
逆歪関数51を、対象物2の実際の映像52に作用させ
て修正画像53を得る。この修正自体も既知の方法に従
って行うことができる。
【0028】対象物の撮像と同時に撮像される参照点
は、実際の患者等の映像データをサチュレートさせてし
まうことが無いようにコントラストがある程度以下のも
のであることが望ましい。図8に示された方法において
は、データのサチュレーションが起きると最大値の決定
が困難になる。それに対して、対象物の撮像とテストパ
ターンの撮像を交互に行う場合、例えばレーザー光線発
生源30や貫通孔32を使用して交互に撮像を行うよう
な場合には、テストパターンのデータが対象物のデータ
に比較して非常に大きくても扱うことができる。
【0029】変形したテストパターンの映像が一旦特定
されれば、対象物の映像データの上にテストパターンが
重畳したデータから、テストパターンのデータを除去し
て対象物の映像データのみについて以降の処理を行うこ
とが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明に基づく画像変換装置として
使用することができる画像増幅装置を示す。
【図2】 図2は、図1に示した装置を本発明に基づき
改良した状態を示す。
【図3】 図3は、本発明において使用することのでき
るテストパターンとその変形の例である。
【図4】 図4は、本発明において使用することのでき
るテストパターンとその変形の他の例である。
【図5】 図5は、本発明において使用することのでき
るテストパターンとその変形の例である。
【図6】 図6は、本発明において使用することのでき
るテストパターンとその変形の他の例である。
【図7】 図7は、テストパターンが常に存在すること
に起因する画像信号の変形を示す。
【図8】 図8は、ピクセルの数分の一の精度で修正が
可能な方法を示す図である。
【図9】 図9は、本発明をリアルタイムで実施するた
めの装置を示す模式図である。
【符号の説明】
1・・・放射線源 2・・・対象物 4・・・電子管 5・・・光陰電極 6・・・作像位置 13・・・テレビカメラ 25・・・入力用窓 26・・・溝または穴 27・・・盛り上り 30・・・レーザー光線発生源 41・・・振幅 42・・・画像信号 51・・・逆変形関数

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電磁波の照射によって得られる映像を電
    子的な映像に変換する装置であって、電子管と、電磁波
    の照射によって励起される光陰電極と、標的と、光陰電
    極からの電子流を標的上に焦点を結ばせる合焦手段とを
    有し、さらに、特定部位において電磁波‐電子変換の比
    率を変更してその位置に電子映像上のコントラストとし
    て変更ヶ所を映し出す変更手段と、撮像された映像の変
    形を受けた映像と修正された映像をそれぞれ得ることが
    できる交互映像準備手段とを有することを特徴とする装
    置。
  2. 【請求項2】 前記請求項1の装置において、変更手段
    は電子管の入力面またはこの面と光陰電極との間の層に
    設けた電磁波の透過率が異なる部分を有する装置。
  3. 【請求項3】 前記請求項2の装置において、電磁波の
    異なる部分はスウェッジングまたはエッチングで形成し
    た厚さの減少、電磁波吸収率の低い材料を用いたマーキ
    ングによる電磁波透過率の正の変更である装置。
  4. 【請求項4】 前記請求項2の装置において、電磁波の
    異なる部分は部分的な厚さの増加、電磁波吸収率の高い
    材料を用いたマーキングによる電磁波透過率の負の変更
    である装置。
  5. 【請求項5】 前記請求項4の装置において、マーキン
    グを電子管の入力面またはこの面と光陰電極との間の層
    に設けた装置。
  6. 【請求項6】 前記請求項1の装置において、光陰電極
    は曲面であり、装置は光陰電極から支持部材で支持され
    たシンチレータを有し、当該支持部材はシンチレータに
    面した面に変形手段を構成する部分的な変形を有する装
    置。
  7. 【請求項7】 前記請求項1の装置において、変形手段
    は二次的な電磁は照射によって光陰電極を部分的に励起
    させる励起手段を有する装置。
  8. 【請求項8】 前記請求項7の装置において、励起手段
    は光陰電極に取り付けられたシンチレータの支持部材に
    設けられた孔を含むものである装置。
  9. 【請求項9】 前記請求項7の装置において、励起手段
    は、光陰電極の電磁波の照射によって励起される側とは
    反対側の面を励起させる光源を有するものである装置。
  10. 【請求項10】 前記請求項9の装置において、電子管
    には前記光源からの光を透過させるための窓が設けられ
    ている装置。
  11. 【請求項11】 前記請求項1の装置において、前記窓
    にはグリッドと対象物の映像を撮像している間はグリッ
    ドを振動させ、グリッドの映像を撮像している間はグリ
    ッドを固定することができるグリッド支持装置が設けら
    れている装置。
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