JP2000058746A - Device for cooling inside of module - Google Patents

Device for cooling inside of module

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power element
semiconductor chip
bus bar
electrode terminal
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Katsuhiko Nagasawa
勝彦 長澤
Shinji Kogure
真二 小暮
Katsuya Shikada
勝也 鹿田
Takanao Yamakawa
崇尚 山川
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Toyota Motor Corp
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Toyota Motor Corp
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively cool a semiconductor chip in a sealed module. SOLUTION: A bus bar 16 is connected to a semiconductor chip 11 through an electrode terminal 14 and a metal thin wire 15. The bus bar 16, the metal thin wire 15, and the electrode terminal 14 are all made of a material with high heat-conductivity. When the temperature of the semiconductor chip 11 in a power element module 10 rises, the heat is propagated also to the bus bar 16, raising the temperature of bus bar 16 as well. The bus bar 16 is provided with a radiation fin 25 made of metal of high heat-conductivity, etc., as a heat- radiation means, to cool the bus bar 16, so that the electrode terminal 14 and the metal thin wire 15 are cooled as well, resulting in efficient cooling of the semiconductor chip 11.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気自動車に使用
される電力用パワー素子モジュール内の半導体チップの
冷却装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cooling device for a semiconductor chip in a power element module for electric power used in an electric vehicle.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気自動車等の電動機のコイルに所定の
交流電力を供給するインバータは、電力用スイッチング
素子、平滑用コンデンサ等で構成されている。電力用半
導体としては、IGBTやパワーMOSFET等の半導
体チップに形成されたパワー素子が用いられている。パ
ワー素子が形成された半導体チップは、制御回路等と共
に一つのパワー素子モジュールに封止されている。
2. Description of the Related Art An inverter for supplying a predetermined AC power to a coil of a motor such as an electric vehicle is composed of a power switching element, a smoothing capacitor, and the like. As the power semiconductor, a power element formed on a semiconductor chip such as an IGBT or a power MOSFET is used. The semiconductor chip on which the power element is formed is sealed in one power element module together with a control circuit and the like.

【0003】このようなパワー素子モジュールにおいて
は、封止されているパワー素子自体に大電流が流れるた
め、このパワー素子が発熱し熱破壊が起こる場合があ
る。このような熱破壊を防止するために、従来、封止さ
れている半導体チップをヒートシンク等の強制冷却手段
により冷却することが行われていた。図1には、従来行
われていたパワー素子モジュールの冷却方法が示されて
いる。パワー素子モジュール10は、表面にIGBTや
MOSFET等の図示していないパワー素子が形成され
た半導体チップ11と、半導体チップ11とパワー素子
モジュール10の外部の電子部品とを電気的に絶縁する
ための絶縁基板12と、半導体チップ11で発生した熱
を放熱する放熱用金属板13と、パワー素子モジュール
10と外部部品を電気的に接続するための電極端子14
と、電極端子14と半導体チップ11上の図示されてい
ない入出力パッドとを接続する金属細線15とで構成さ
れる。これらの部品は樹脂等で封止され、一つのパワー
素子モジュール10となる。バスバー16はパワー素子
モジュール10と平滑用コンデンサ17とを接続する金
属配線であり、電極端子14にネジ18で固定されてお
り、平滑用コンデンサ17にはネジ19で固定されてい
る。放熱用金属板13の下には、内部に冷却水20が流
れているヒートシンク21が設置されており、放熱用金
属板13と絶縁基板12及び半田22、23を介してモ
ジュール内の半導体チップ11を冷却する。
In such a power element module, since a large current flows through the sealed power element itself, the power element generates heat and may be thermally damaged. In order to prevent such thermal destruction, conventionally, a sealed semiconductor chip has been cooled by forced cooling means such as a heat sink. FIG. 1 shows a conventional cooling method of a power element module. The power element module 10 is used to electrically insulate the semiconductor chip 11 having a power element (not shown) such as an IGBT or a MOSFET formed on the surface, and an electronic component external to the semiconductor chip 11 and the power element module 10. An insulating substrate 12, a heat dissipating metal plate 13 for dissipating heat generated in the semiconductor chip 11, and electrode terminals 14 for electrically connecting the power element module 10 and external components.
And a thin metal wire 15 for connecting the electrode terminal 14 to an input / output pad (not shown) on the semiconductor chip 11. These components are sealed with a resin or the like to form one power element module 10. The bus bar 16 is a metal wiring connecting the power element module 10 and the smoothing capacitor 17, and is fixed to the electrode terminal 14 with a screw 18, and is fixed to the smoothing capacitor 17 with a screw 19. A heat sink 21 having cooling water 20 flowing therein is provided below the heat dissipating metal plate 13, and the semiconductor chip 11 in the module is interposed between the heat dissipating metal plate 13 and the insulating substrate 12 and the solders 22 and 23. To cool.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ヒート
シンク21で半導体チップ11を冷却する場合、半導体
チップ11とヒートシンク21との間に、熱伝導率が低
い絶縁基板12と半田22、23が介在しているため、
半導体チップ11を十分に冷却することができない。
However, when the semiconductor chip 11 is cooled by the heat sink 21, the insulating substrate 12 and the solders 22, 23 having low thermal conductivity are interposed between the semiconductor chip 11 and the heat sink 21. Because
The semiconductor chip 11 cannot be cooled sufficiently.

【0005】また、平滑用コンデンサ17も自己発熱す
る場合があるが、その熱を放熱する手段はコンデンサ表
面からの自然空気放熱のみであるが、表面には、絶縁の
為の樹脂フィルムが巻かれているので放熱性は大変に低
く、平滑用コンデンサ17は放熱が十分されずに寿命が
低下する。そのために、平滑用コンデンサ17として所
望の容量より大きな容量のコンデンサを接続する必要が
あり、コストが増加していた。
Although the smoothing capacitor 17 may also generate heat by itself, the only means for radiating the heat is to radiate natural air from the surface of the capacitor, but a resin film for insulation is wound around the surface. Therefore, the heat dissipation is very low, and the smoothing capacitor 17 does not have sufficient heat dissipation and the life is shortened. Therefore, it is necessary to connect a capacitor having a capacity larger than a desired capacity as the smoothing capacitor 17, and the cost has been increased.

【0006】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、封止されたモジュール内の半導体チップを効果的
に冷却するモジュール内冷却装置を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an in-module cooling device that effectively cools a semiconductor chip in a sealed module.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、パワー素子が
封入され、その表面にパワー素子と金属細線で接続され
た電極端子とを有するパワー素子モジュールにおけるモ
ジュール内冷却装置であって、前記電極端子に取り付け
られ他の部材との電気的接続を行う金属配線に、放熱手
段を取り付け、その放熱手段により金属配線を冷却する
ことによりモジュール内を冷却することを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an in-module cooling device for a power element module having a power element encapsulated therein and an electrode terminal connected to the power element and a thin metal wire on the surface thereof. A radiator is attached to the metal wiring attached to the terminal and electrically connected to another member, and the module is cooled by cooling the metal wiring by the radiator.

【0008】また、本発明は、パワー素子が封入され、
その表面にパワー素子と金属細線で接続された電極端子
とを有するパワー素子モジュールにおけるモジュール内
冷却装置であって、強制冷却手段に絶縁材料を介して前
記電極端子を取り付け、その電極端子を冷却することに
よりモジュール内を冷却することを特徴とする。
Further, according to the present invention, a power element is encapsulated,
An in-module cooling device for a power element module having a power element and an electrode terminal connected by a thin metal wire on a surface thereof, wherein the electrode terminal is attached to a forced cooling means via an insulating material, and the electrode terminal is cooled. Thus, the inside of the module is cooled.

【0009】このように、本発明においては、電極端子
がモジュール内に封止された半導体チップと熱伝導率が
高い材質で接続されていることを利用し、電極端子を冷
却することにより効果的な半導体チップの冷却を可能と
する。
As described above, in the present invention, by utilizing the fact that the electrode terminals are connected to the semiconductor chip sealed in the module with a material having high thermal conductivity, the electrode terminals are effectively cooled. Cooling of semiconductor chips.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態(以下
実施形態という)を、図面に従って説明する。
Embodiments of the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described below with reference to the drawings.

【0011】図2は、第一の実施形態の冷却装置を備え
たパワー素子モジュールの構成を示している。第一の実
施形態では、バスバー16に放熱手段として、熱伝導率
の高い金属等でできた放熱フィン25が設置されてい
る。バスバー16は電極端子14と金属細線15を介し
て、半導体チップ11と接続されている。バスバー16
と金属細線15と電極端子14は、いずれも熱伝導率が
高い材料でできているため、半導体チップ11の温度が
上昇すると、その熱はバスバー16にも伝搬し、バスバ
ー16の温度も上昇する。そのため、放熱フィン25に
より熱を放熱することにより、バスバー16を冷却し、
バスバー16が冷却されると電極端子14及び金属細線
15も冷却され、その結果、半導体チップ11が効率よ
く冷却される。
FIG. 2 shows a configuration of a power element module provided with the cooling device of the first embodiment. In the first embodiment, a radiating fin 25 made of a metal having a high thermal conductivity is provided as a radiating means on the bus bar 16. The bus bar 16 is connected to the semiconductor chip 11 via the electrode terminals 14 and the thin metal wires 15. Bus bar 16
Since the metal wires 15 and the electrode terminals 14 are all made of a material having a high thermal conductivity, when the temperature of the semiconductor chip 11 rises, the heat propagates to the bus bar 16 and the temperature of the bus bar 16 also rises. . Therefore, the bus bar 16 is cooled by dissipating heat by the radiation fins 25,
When the bus bar 16 is cooled, the electrode terminals 14 and the fine metal wires 15 are also cooled, and as a result, the semiconductor chip 11 is efficiently cooled.

【0012】また、平滑用コンデンサ17も自己発熱す
る場合があり、その熱もバスバー16を介して放熱フィ
ン25より放熱することができるため、平滑用コンデン
サ17も冷却することが可能である。
Further, the smoothing capacitor 17 may also generate heat by itself, and the heat can be radiated from the radiating fins 25 via the bus bar 16, so that the smoothing capacitor 17 can also be cooled.

【0013】このように、第一の実施形態では、放熱フ
ィン25をバスバー16に設置することにより、半導体
チップ11を効率的に冷却することが可能となり、同時
に平滑用コンデンサ17を冷却することも可能なる。
As described above, in the first embodiment, the radiation fins 25 are provided on the bus bar 16 so that the semiconductor chip 11 can be efficiently cooled, and at the same time, the smoothing capacitor 17 can be cooled. Possible.

【0014】なお、第一の実施例では、放熱手段として
放熱フィン25が設置されているが、これは放熱フィン
に限定したわけでなく、バスバー16を冷却できるもの
であればよく、例えば、バスバー16にクーラ等の強制
的に冷却する手段を設置してもよい。また、第一の実施
例では、放熱用金属板13下にヒートシンク21を設置
して、放熱フィン25での放熱と、ヒートシンク21に
よる半導体チップ11の冷却を同時に行っているが、放
熱フィン25での放熱が十分であれば、ヒートシンク2
1による冷却は必ずしも必要ではない。
In the first embodiment, the radiating fins 25 are provided as the radiating means. However, the radiating fins are not limited to the radiating fins, but may be any as long as the bus bars 16 can be cooled. A means for forcibly cooling, such as a cooler, may be provided at the position 16. Further, in the first embodiment, the heat sink 21 is provided under the metal plate 13 for heat radiation, and the heat radiation by the heat radiation fins 25 and the cooling of the semiconductor chip 11 by the heat sink 21 are simultaneously performed. If the heat radiation is sufficient, heat sink 2
1 is not necessary.

【0015】次に、図3に従って、第二の実施形態の冷
却装置を備えたパワー素子モジュールの構成を説明す
る。第二の実施形態では、電極端子14が絶縁材31を
介してヒートシンク21に接続されている。絶縁材31
は、電極端子14とヒートシンク21とを電気的に絶縁
するために設置されている。よって、絶縁材31の厚さ
は、電極端子14とヒートシンク21とを電気的に絶縁
する程度でよい。そのため、絶縁材31を介してもヒー
トシンク21で電極端子14を十分に冷却することがで
きる。電極端子14は熱伝導率が高い金属細線15を介
して半導体チップ11に接続されているため、結果的
に、半導体チップ11を冷却することができる。また、
電極端子14はバスバー16を介して、平滑用コンデン
サ17にも接続されており、平滑用コンデンサ17も冷
却することができる。
Next, a configuration of a power element module including the cooling device according to the second embodiment will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the electrode terminals 14 are connected to the heat sink 21 via the insulating material 31. Insulation material 31
Is provided to electrically insulate the electrode terminal 14 from the heat sink 21. Therefore, the thickness of the insulating material 31 may be such that the electrode terminals 14 and the heat sink 21 are electrically insulated. Therefore, the electrode terminals 14 can be sufficiently cooled by the heat sink 21 even through the insulating material 31. Since the electrode terminals 14 are connected to the semiconductor chip 11 via the fine metal wires 15 having high thermal conductivity, the semiconductor chip 11 can be cooled as a result. Also,
The electrode terminal 14 is also connected to a smoothing capacitor 17 via a bus bar 16, so that the smoothing capacitor 17 can also be cooled.

【0016】このように、以上の実施形態では、電極端
子14に接続されたバスバー16に放熱手段として放熱
フィン25を取り付けたり、電極端子14に強制冷却手
段としてヒートシンク21を取り付けることにより、効
率よく半導体チップ11を冷却することが可能となる。
As described above, in the above-described embodiment, the heat radiation fins 25 are attached to the bus bar 16 connected to the electrode terminals 14 as the heat radiation means, and the heat sinks 21 are attached to the electrode terminals 14 as the forced cooling means. The semiconductor chip 11 can be cooled.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように、本発明では、封止された
半導体チップと熱伝導率の高い部材で接続された場所に
放熱手段や強制冷却手段を取り付けることにより、モジ
ュール内に封止された半導体チップ及び平滑用コンデン
サを冷却することが可能である。
As described above, according to the present invention, a heat radiating means or a forced cooling means is attached to a place connected to a sealed semiconductor chip with a member having a high thermal conductivity, whereby the module is sealed in a module. The semiconductor chip and the smoothing capacitor can be cooled.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 従来のパワー素子モジュールの冷却装置の概
略図である。
FIG. 1 is a schematic view of a conventional cooling device for a power element module.

【図2】 第一の実施形態のパワー素子モジュールの冷
却装置の概略図である。
FIG. 2 is a schematic view of a cooling device of the power element module according to the first embodiment.

【図3】 第二の実施形態のパワー素子モジュールの冷
却装置の概略図である。
FIG. 3 is a schematic view of a cooling device for a power element module according to a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 パワー素子モジュール、11 半導体チップ、1
2 絶縁基板、13放熱用金属板、14 電極端子、1
5 金属細線、16 バスバー、17 平滑用コンデン
サ、18,19 ネジ、20 冷却水、21 ヒートシ
ンク、22,23 半田、25 放熱フィン、31 絶
縁材。
10 power element module, 11 semiconductor chip, 1
2 Insulating substrate, 13 Metal plate for heat radiation, 14 Electrode terminal, 1
5 Fine metal wires, 16 bus bars, 17 smoothing capacitors, 18 and 19 screws, 20 cooling water, 21 heat sinks, 22 and 23 solders, 25 radiation fins, 31 insulating materials.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鹿田 勝也 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 山川 崇尚 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内 Fターム(参考) 5E322 AA01 AA05 AA11 AB02 AB08 BB03 BB10 FA01 5F036 AA01 BA04 BA05 BA23 BB05 BB18 BB35 BB43 BC06 BD01 BE09  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Katsuya Shikada 1 Toyota Town, Toyota City, Aichi Prefecture Inside Toyota Motor Corporation (72) Inventor Takahisa 1 Toyota Town, Toyota City, Aichi Prefecture Toyota Motor Corporation F Terms (reference) 5E322 AA01 AA05 AA11 AB02 AB08 BB03 BB10 FA01 5F036 AA01 BA04 BA05 BA23 BB05 BB18 BB35 BB43 BC06 BD01 BE09

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パワー素子が封入され、その表面にパワ
ー素子と金属細線で接続された電極端子とを有するパワ
ー素子モジュールにおけるモジュール内冷却装置であっ
て、 前記電極端子に取り付けられ他の部材との電気的接続を
行う金属配線に、放熱手段を取り付け、その放熱手段に
より金属配線を冷却することによりモジュール内を冷却
することを特徴とするモジュール内冷却装置。
1. An in-module cooling device for a power element module having a power element encapsulated therein and an electrode terminal connected to the power element and a thin metal wire on a surface thereof, wherein the cooling element is attached to the electrode terminal and includes another member. A cooling means for cooling the inside of the module by attaching a heat radiating means to the metal wiring for electrically connecting the module and cooling the metal wiring by the heat radiating means.
【請求項2】 パワー素子が封入され、その表面にパワ
ー素子と金属細線で接続された電極端子とを有するパワ
ー素子モジュールにおけるモジュール内冷却装置であっ
て、 強制冷却手段に絶縁材料を介して前記電極端子を取り付
け、その電極端子を冷却することによりモジュール内を
冷却することを特徴とするモジュール内冷却装置。
2. An in-module cooling device in a power element module having a power element encapsulated therein and having on its surface an electrode terminal connected to the power element and a thin metal wire, wherein said forced cooling means is provided with an insulating material interposed therebetween. An in-module cooling device, wherein an inside of a module is cooled by attaching an electrode terminal and cooling the electrode terminal.
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