JP2000058727A - Power semiconductor module - Google Patents

Power semiconductor module

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JP2000058727A
JP2000058727A JP10227837A JP22783798A JP2000058727A JP 2000058727 A JP2000058727 A JP 2000058727A JP 10227837 A JP10227837 A JP 10227837A JP 22783798 A JP22783798 A JP 22783798A JP 2000058727 A JP2000058727 A JP 2000058727A
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JP
Japan
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module
power semiconductor
mounting
semiconductor module
grease
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JP10227837A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Inoue
広一 井上
Yoshihiko Koike
義彦 小池
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the thickness of grease by arranging attaching holes in the peripheral section of the bottom face of a power semiconductor module, and forming projections on the bottom face of the module on the outer peripheral side than the attaching holes. SOLUTION: A power semiconductor module is provided with a resin case A101, another resin case B102, and a metallic base 114. The cases A101 and B102 are firmly formed integrally with a filling resin 113, and the case A101 is fixed to the base 114 with an adhesive. Attaching holes 115 are arranged along the two parallel sides of the bottom face of the module. Two stripe-like projections 117 are arranged on the outside of the attaching holes 115 on the metallic base 114. Therefore, the heat generated from a power semiconductor element in the module can be effectively taken out to a heat sink on the outside of the module by suppressing the thickness of heat conductive grease.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電力用モジュール
及び電力用モジュールをヒートシンク等の取り付け部材
に取り付ける実装構造に関する。
The present invention relates to a power module and a mounting structure for mounting the power module to a mounting member such as a heat sink.

【0002】[0002]

【従来の技術】電力用半導体装置は、扱う電圧及び電流
が大きくなる趨勢である。スイッチング時に半導体装置
内の半導体素子で発生するエネルギーは、扱う電圧が大
きいほど、また、扱う電流が大きいほど大きくなる。半
導体素子で発生した熱を効率的に逃がすためには、半導
体素子から出る熱の密度を大きくしないことが重要であ
る。そのため、発熱量の増大に伴って半導体装置内に搭
載される半導体素子の総面積が大きくなる傾向があり、
その結果、半導体装置も大きくなる傾向がある。電力用
半導体装置の主流は上下に主電極を配し、水冷ブロック
を適宜挟んで使用する、いわゆる圧接型であった。近
年、半導体素子の耐湿性が向上し、はんだ付け技術の向
上やセラミックス,樹脂等の材料の改良が進み、より使
いやすいモジュールタイプが増えている。モジュールタ
イプでは、電気的な接続を上面で行い、熱を逃がすの
は、専ら底面からである。
2. Description of the Related Art Power semiconductor devices tend to handle larger voltages and currents. The energy generated by the semiconductor element in the semiconductor device during switching increases as the voltage handled and the current handled increase. In order to efficiently release the heat generated in the semiconductor element, it is important not to increase the density of the heat emitted from the semiconductor element. Therefore, the total area of semiconductor elements mounted in the semiconductor device tends to increase with an increase in the amount of heat generated,
As a result, the semiconductor device tends to be large. The mainstream of the power semiconductor device has been a so-called press-contact type in which main electrodes are arranged above and below, and a water-cooling block is used as appropriate. In recent years, moisture resistance of semiconductor elements has been improved, soldering techniques have been improved, and materials such as ceramics and resins have been improved, and module types that are easier to use have been increasing. In the module type, electrical connection is made on the top surface and heat is released only from the bottom surface.

【0003】圧接型と異なり、モジュールでは全面に圧
力を加えることが困難である。従って、モジュールが大
型化すると、モジュールの底面の全面とその取り付け面
(ヒートシンクの表面)とを密着させるのが難しくな
る。熱を逃がしやすくするため、この部分には一般的に
は伝熱グリースを挟むが、有機物であるため熱伝導率が
小さく、その厚さを小さくすることが非常に重要であ
る。モジュールの取り付けは周辺部のみであることが多
く、モジュールが大型化すると中央部のグリース厚さが
厚くなる傾向がある。
Unlike the pressure contact type, it is difficult to apply pressure to the entire surface of the module. Therefore, when the size of the module is increased, it is difficult to make the entire bottom surface of the module and the mounting surface (the surface of the heat sink) adhere to each other. Generally, a heat transfer grease is interposed in this portion in order to easily release heat. However, since the portion is made of an organic material, its thermal conductivity is small, and it is very important to reduce its thickness. In many cases, the module is attached only to the peripheral portion, and the grease thickness in the central portion tends to increase as the size of the module increases.

【0004】グリース厚さを低減する技術としては、特
開平7−211825号公報,特開平9−134983号公報,特開平
6−232294 号公報等に見られるように、半導体素子の直
下(直上)のみにグリースを塗布するとか、半導体素子
の直下(直上)のグリース厚さを小さくするという技術
の開示は認められる。これらは、比較的小型の半導体装
置には有効な手段である。
[0004] As a technique for reducing the grease thickness, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Hei 7-211825, Hei 9-134983, and Heisei
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-232232, etc., disclosure of a technique of applying grease only directly under (directly above) a semiconductor element or reducing the grease thickness immediately under (directly above) a semiconductor element is recognized. These are effective means for a relatively small semiconductor device.

【0005】しかし、本発明が対象としている電力用半
導体装置では、信頼性を重視する立場から、一部分のみ
グリースを塗布する技術は採用できない。長期間の使用
でグリースが動く可能性があるからである。以上示した
従来技術には、大型のモジュール型半導体装置の中央部
のグリース厚さを低減する技術につながる技術の開示が
ない。
However, in the power semiconductor device to which the present invention is applied, a technique of applying grease only to a part cannot be adopted from the standpoint of reliability. This is because the grease may move in a long-term use. The prior art described above does not disclose a technique that leads to a technique for reducing the grease thickness at the center of a large-sized modular semiconductor device.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来技術には、グリースの厚さを小さく抑える手段として
有効なモジュール構造、及び、モジュールの実装構造に
関する具体的な開示がない。
As described above, the prior art does not specifically disclose a module structure effective as means for suppressing the thickness of grease and a module mounting structure.

【0007】本発明の目的は、グリースの厚さを小さく
抑えることができる電力用半導体モジュール及びその実
装構造を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a power semiconductor module capable of suppressing the thickness of grease and a mounting structure thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明による電力用半導
体モジュールは、モジュール底面の周辺部に取り付け穴
が配置され、モジュール底面における取り付け穴よりも
周辺側に位置する部分に突起を有する。
The power semiconductor module according to the present invention has a mounting hole at the periphery of the bottom surface of the module, and has a projection at a portion located on the peripheral side of the mounting hole at the bottom surface of the module.

【0009】また、本発明による電力用半導体モジュー
ルの実装構造では、上記本発明による電力用半導体モジ
ュールを、取り付け部材との間にグリースを充填して、
取り付け穴を通るネジにより取り付け部材に締め付け
る。
In the power semiconductor module mounting structure according to the present invention, the power semiconductor module according to the present invention is filled with grease between a mounting member and the power semiconductor module.
Tighten to the mounting member with screws passing through the mounting holes.

【0010】さらに、本発明による他の電力用半導体モ
ジュールの実装構造では、モジュール底面の周辺部に取
り付け穴が配置される電力用半導体モジュールを、モジ
ュール底面における取り付け穴よりも周辺側に位置する
部分と取り付け部材との間に薄板を挟み、電力用半導体
モジュールと取り付け部材との間にグリースを充填し
て、取り付け穴を通るネジにより取り付け部材に締め付
ける。
Further, in another mounting structure of the power semiconductor module according to the present invention, the power semiconductor module having the mounting hole disposed in the peripheral portion of the module bottom surface is provided on a portion located on the peripheral side of the module bottom surface with respect to the mounting hole. A thin plate is sandwiched between the power semiconductor module and the mounting member, and grease is filled between the power semiconductor module and the mounting member, and is fastened to the mounting member with a screw passing through the mounting hole.

【0011】上記本発明によれば、電力用半導体モジュ
ールを取り付け部材にネジで締め付けると、モジュール
底面を取り付け部材表面に近づけるような力が発生す
る。こため、モジュール底面の中央部におけるグリース
厚さが低減できる。
According to the present invention, when the power semiconductor module is fastened to the mounting member with a screw, a force is generated to bring the module bottom surface close to the mounting member surface. For this reason, the grease thickness at the center of the module bottom surface can be reduced.

【0012】次に、図2及び図3を用いて、本発明につ
いて若干詳しく説明する。
Next, the present invention will be described in some detail with reference to FIGS.

【0013】典型的なモジュールを取り付けた状態の断
面を図2に示す。この図では、モジュール203を樹脂
ケース201と金属ベース202で構成している。実物
では、樹脂ケース201上に電極があり、また、内部に
は半導体素子を始め、配線部材等、機能を満たすために
必要なものが入っている。ヒートシンク205には、左
右の取り付けネジ206でモジュール203を固定して
いる。モジュール203内部で発生した熱をヒートシンク
205に有効に逃がすため、金属ベース202とヒート
シンク205との間には、熱伝導グリース204を充填
する。
FIG. 2 shows a cross section in a state where a typical module is mounted. In this figure, the module 203 is composed of a resin case 201 and a metal base 202. In actuality, there are electrodes on the resin case 201, and inside the resin case 201, there are semiconductor devices, wiring members, and other components necessary for satisfying the functions. The module 203 is fixed to the heat sink 205 with left and right mounting screws 206. In order to effectively release the heat generated inside the module 203 to the heat sink 205, a space between the metal base 202 and the heat sink 205 is filled with a heat conductive grease 204.

【0014】熱伝導グリース204は、モジュール20
3とヒートシンク205で外周部を押さえられるため、
内部に圧力が発生する。この圧力は、ごく僅かである
が、金属ベース202を押し上げる。この押し上げ力を
図中に熱伝導グリースの反発力209として示した。実
験によると、100mm×200mm,厚さ5mmの銅板の周
囲を厚さ40mmのアルミニウムブロックに熱伝導グリー
スを介して締め付けると、銅板の中央部で数十μmの変
形を生じた。このときの、グリースの圧力は、指先で押
す程度である。
The heat conductive grease 204 is
3 and the heat sink 205 can hold down the outer periphery,
Pressure is generated inside. This pressure pushes the metal base 202 up, albeit only slightly. This pushing force is shown as a repulsive force 209 of the heat conductive grease in the figure. According to an experiment, when the periphery of a copper plate having a size of 100 mm × 200 mm and a thickness of 5 mm was fastened to an aluminum block having a thickness of 40 mm via thermal conductive grease, a deformation of several tens μm occurred at the center of the copper plate. At this time, the pressure of the grease is such that it is pressed with a fingertip.

【0015】したがって、モジュール203の中央部で
は、どうしても周辺部より熱伝導グリース204が厚め
になる。熱伝導グリース204の熱伝導率は、樹脂とし
ては高い値であるが、金属に比べると二桁程度小さいの
で、熱伝導グリース204の厚さが厚くなるとその部分
の熱抵抗が大幅に増す。したがって、熱伝導グリース2
04の厚さを極力小さくしておかなければならない。し
かも、金属ベース202の中央部には、モジュール203
内の機能素子が集中しているので、発熱量も周辺部より
多いのが通例であり、この部分の熱伝導グリース204
が厚いとモジュール203の発熱による温度上昇が大き
くなり、扱える電流や電圧の最大値が下がったり、ま
た、信頼性が損なわれたりする。
Therefore, the heat conductive grease 204 is thicker at the center of the module 203 than at the periphery. Although the thermal conductivity of the thermal conductive grease 204 is a high value as a resin, it is about two orders of magnitude smaller than that of a metal. Therefore, as the thermal conductive grease 204 becomes thicker, the thermal resistance at that portion increases significantly. Therefore, thermal conduction grease 2
04 must be as small as possible. Moreover, the module 203 is provided at the center of the metal base 202.
Since the functional elements inside are concentrated, the calorific value is generally larger than that of the peripheral part.
If the thickness is too large, the temperature rise due to the heat generated by the module 203 increases, and the maximum value of the current and voltage that can be handled decreases, and the reliability is impaired.

【0016】この、好ましくない状況を打破するため、
中央部の熱伝導グリース204を薄くする目的で樹脂ケ
ース201中央部を加圧した場合を想定する。力を外部
加圧矢印207として表現している。さきほども述べた
ように、モジュール203内部には様々な機能部品が詰
まっているので、それらを介して金属ベース202中央
部に力が及ぶと想像できるが、現実には、図に表すよう
にケース内伝達経路矢印208のように、樹脂ケース2
01に沿って力が伝わる。内部の機能部品に外力が及ぶ
と信頼性の低下を招き、極端な場合には破壊に至るた
め、内部には外からの力が及ばないように種々の構造上
の工夫が施されているためである。
In order to overcome this unfavorable situation,
It is assumed that the central part of the resin case 201 is pressurized in order to make the heat conductive grease 204 in the central part thin. The force is represented as an external pressure arrow 207. As mentioned earlier, since various functional parts are packed in the module 203, it can be imagined that a force is exerted on the central part of the metal base 202 through them, but in reality, as shown in the figure, the case As shown by the inner transmission path arrow 208, the resin case 2
Power is transmitted along 01. When external force is applied to the internal functional components, reliability is reduced, and in extreme cases, it is destroyed.Therefore, various structural measures are taken to prevent internal force from being applied. It is.

【0017】このように、中央部を直接押すことは不可
能である。本発明では、中央部を直接押す代わりに、モ
ジュール外周部の締め付け力を利用して、モジュール中
央部に、熱伝導グリースの厚さを小さくする力を発生さ
せる構造を提供する。
As described above, it is impossible to directly press the central portion. The present invention provides a structure for generating a force for reducing the thickness of the thermal conductive grease at the center of the module by using the tightening force of the outer periphery of the module instead of directly pressing the center.

【0018】図3に、本発明の基本的な構成を示す。部
材303に部材301を、部材301の周辺に開けた取り
付け穴304で取り付ける。取り付け穴304より周辺
側にスペーサ302を設ける。
FIG. 3 shows a basic configuration of the present invention. The member 301 is attached to the member 303 with a mounting hole 304 opened around the member 301. The spacer 302 is provided on the peripheral side from the mounting hole 304.

【0019】締め付け力305が働くと、部材301が
部材303に固定される。そのとき、スペーサ302が
支点となって、部材301の中央部を下方向に、部材3
03の中央部を上方向に変形させる回転モーメント30
6が発生する。その結果、部材301の中央部が部材3
03側に、部材303の中央部が部材301に押しつけ
られる。部材303は、部材301より厚くて剛性が高
いため、変形は主に部材301に発生し、部材301が
変形する。その結果、部材301の中央部と部材303
の中央部が接近する。
When the tightening force 305 acts, the member 301 is fixed to the member 303. At that time, the spacer 302 serves as a fulcrum, and the central portion of the member
Rotational moment 30 that deforms the center of 03 upward
6 occurs. As a result, the center of the member 301 is
The central part of the member 303 is pressed against the member 301 on the 03 side. Since the member 303 is thicker and has higher rigidity than the member 301, deformation mainly occurs in the member 301, and the member 301 is deformed. As a result, the central portion of the member 301 and the member 303
The central part of approaches.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明を、実施例によりさ
らに具体的に説明する。なお、本発明はこれら実施例に
限定されない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. Note that the present invention is not limited to these examples.

【0021】本発明の実施例1乃至5を、図1及び図4
乃至図12に従って説明する。
Embodiments 1 to 5 of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.

【0022】(実施例1)本発明の第1の実施例につい
て、図1及び図4乃至図6を参照して説明する。図1
は、本発明の第1の実施例である電力用半導体モジュー
ルである。図1(A)は、モジュールを斜め上から眺め
たところを示している。また、図1(B)は、モジュール
を斜め下から眺めたところを示している。
(Embodiment 1) A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIGS. FIG.
Is a power semiconductor module according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1A shows the module as viewed obliquely from above. FIG. 1B shows the module as viewed obliquely from below.

【0023】本発明によるモジュールは、樹脂ケースA
101,樹脂ケースB102、及び金属ベース114を
備えている。本実施例では、製造上の都合により、樹脂
ケースが二つに分かれている。樹脂ケースA101と樹
脂ケースB102とは、充填樹脂113で強固に一体化
されている。また、樹脂ケースA101と金属ベース1
14とは、接着剤(図示せず)で固定されている。接着
剤の強度を補う目的で、ケース固定ネジ116で8ヵ所
固定されている。取り付け穴115は、モジュール底面
の平行な二辺に沿って配置されている。
The module according to the present invention comprises a resin case A
101, a resin case B102, and a metal base 114. In this embodiment, the resin case is divided into two for convenience in manufacturing. The resin case A101 and the resin case B102 are firmly integrated with the filling resin 113. Also, the resin case A101 and the metal base 1
14 is fixed with an adhesive (not shown). In order to supplement the strength of the adhesive, it is fixed at eight places by case fixing screws 116. The mounting holes 115 are arranged along two parallel sides of the module bottom surface.

【0024】モジュールの上面には端子類が並んでい
る。主な電流が流れる主端子としては、エミッタ端子A
103,エミッタ端子B104,エミッタ端子C10
5,コレクタ端子A106,コレクタ端子B107、及
びコレクタ端子C108の6個がある。また、制御用の
端子としては、補助エミッタ端子109,ゲート端子11
0、及び補助コレクタ端子111がある。
Terminals are arranged on the upper surface of the module. The main terminal through which the main current flows is the emitter terminal A
103, emitter terminal B104, emitter terminal C10
5, there are six collector terminals A106, collector terminal B107, and collector terminal C108. The control terminals include an auxiliary emitter terminal 109 and a gate terminal 11.
0, and an auxiliary collector terminal 111.

【0025】このモジュールの特長は、金属ベース11
4において、取り付け穴115のモジュール外側に配置
されている、2本のストライプ状の突起117である。
突起117は、取り付け穴115が配置されるモジュー
ル底面の平行な二辺の全長にわたって設けられる。この
突起は、幅が2mm,高さが50μmである。したがっ
て、肉眼で見る限り、突起として確認することはできな
い。見かけ上は突起の端の線が見える程度である。表面
に触れると、周囲より僅かに高くなっていることを確認
することができる。なお、本発明者の検討によれば、突
起117の高さは20ミクロン以上200ミクロン以下
の範囲が好ましい。
The feature of this module is that the metal base 11
4, two stripe-shaped protrusions 117 arranged outside the module of the mounting hole 115.
The protrusion 117 is provided over the entire length of two parallel sides of the module bottom surface where the mounting holes 115 are arranged. The projection has a width of 2 mm and a height of 50 μm. Therefore, it cannot be confirmed as a projection from the naked eye. Apparently, the line at the end of the protrusion is visible. If you touch the surface, you can see that it is slightly higher than the surroundings. According to the study of the present inventor, the height of the projection 117 is preferably in the range of 20 μm to 200 μm.

【0026】モジュールの断面を使用して、もう少し詳
しく構造を説明する。図4に、取り付け穴115の中心
で切断した断面を示す。取り付け穴115は、樹脂ケー
スA101と金属ベース114を貫通する。取り付け穴
115の上部の樹脂ケースA101上には筒状の取り付
け用スリーブが設けられる。このスリーブ、及び取り付
け穴115にネジが通る。なお、モジュール内部の半導
体素子及び半導体素子から外部への配線経路、また、半
導体素子及び配線経路を湿気から守るための充填材であ
るシリコーンゲル等は、省略してある。
The structure will be described in more detail using the cross section of the module. FIG. 4 shows a cross section cut at the center of the mounting hole 115. The mounting hole 115 passes through the resin case A101 and the metal base 114. On the resin case A101 above the mounting hole 115, a cylindrical mounting sleeve is provided. A screw passes through this sleeve and the mounting hole 115. It should be noted that a semiconductor element inside the module and a wiring path from the semiconductor element to the outside, and a silicone gel or the like which is a filler for protecting the semiconductor element and the wiring path from moisture are omitted.

【0027】突起117は、取り付け穴115よりモジ
ュールの外側に形成されている。突起117は、取り付
け穴115にネジを通して締め付けた際に、金属ベース
114の中央部分を下方に曲げるモーメントを発生するた
めの支点の役目をする。本発明者の実験によれば、取り
付け穴115の中心より外側に突起117を形成すれ
ば、効果が得られる。本実施例では、ほぼ取り付け穴1
15の外縁まで突起117が形成されている。取り付け穴
115は表面近くを広げてあるので、その部分では突起
の幅が狭くなっている。
The projection 117 is formed outside the module from the mounting hole 115. When the projection 117 is screwed into the mounting hole 115 and tightened, the metal base
Serves as a fulcrum for generating a moment to bend the central portion of 114 downward. According to an experiment performed by the inventor, an effect can be obtained if the protrusion 117 is formed outside the center of the mounting hole 115. In this embodiment, the mounting hole 1
Protrusions 117 are formed up to the outer edge of No. 15. Since the mounting hole 115 is widened near the surface, the width of the projection is narrow at that portion.

【0028】図5に、本実施例によるモジュールをヒー
トシンクに取り付けた状況を示す。ヒートシンク502
には、モジュール側の取り付け穴115に対向する場所
にヒートシンク側取り付け穴504があり、取り付け穴
115を貫通する取り付けネジ501でモジュールが取
り付けられている。図3で示したように締め付け力によ
り、モーメントが発生する。本実施例では、モーメント
505として、矢印で表示している。このモーメント5
05により、金属ベース114の中央部を下方、すなわ
ち、ヒートシンク502の方向に押しつける。本実施例
では、締め付け部である取り付け穴115が2列である
ため、突起をストライプ状にし、モーメントの発生効果
が大きくなるようにした。もちろん、総ての取り付け穴
115の近傍、すなわち、8ヵ所のみに突起を形成して
も良いし、総ての取り付け穴115の内の複数ヵ所近傍に
突起を形成しても良い。また、取り付け穴115から離
れた場所に突起を形成しても良い。その場合、取り付け
穴115の中心を結ぶ直線よりモジュールの外側のみに
形成する必要がある。本実施例でストライプ状にしたの
は、断続的な形態より効果が期待できることと、作りや
すいためである。
FIG. 5 shows a state where the module according to the present embodiment is mounted on a heat sink. Heat sink 502
Has a heat sink side mounting hole 504 at a location facing the mounting hole 115 on the module side, and the module is mounted with mounting screws 501 that pass through the mounting hole 115. As shown in FIG. 3, a moment is generated by the tightening force. In the present embodiment, the moment 505 is indicated by an arrow. This moment 5
05, the central portion of the metal base 114 is pressed downward, that is, toward the heat sink 502. In this embodiment, since the mounting holes 115, which are the fastening portions, are arranged in two rows, the projections are formed in a stripe shape so that the effect of generating a moment is increased. Of course, projections may be formed in the vicinity of all the mounting holes 115, that is, in only eight locations, or projections may be formed in a plurality of locations in all the mounting holes 115. Further, a protrusion may be formed at a position away from the mounting hole 115. In that case, it is necessary to form it only on the outside of the module from the straight line connecting the centers of the mounting holes 115. The reason for forming the stripe shape in this embodiment is that the effect can be expected from the intermittent form and that it is easy to form.

【0029】本発明者の実測によれば、突起117を形
成しない場合、金属ベース114の中央部のヒートシン
ク502とのギャップ、すなわち熱伝導グリース503
の厚さは約200μmである。また、金属ベース114
の周辺部では、特に、取り付け穴115の近傍では、熱
伝導グリース503の厚さはほとんどゼロである。これ
に対して、本実施例によるモジュールでは、金属ベース
114中央部では熱伝導グリース503の厚さが120
μm、金属ベース114周辺部では、取り付け穴115
の近傍でも取り付け穴115から離れていても、ほぼ5
0μmである。図6に、本実施例におけるモジュールと
ヒートシンクのギャップをグラフで示す。グラフの横軸
は、図4或いは図5の横方向、縦軸は、図5における金
属ベース114底面とヒートシンク502表面の距離、
すなわち、熱伝導グリース503の厚さである。
According to the measurement of the present inventor, when the protrusion 117 is not formed, the gap between the metal base 114 and the heat sink 502 at the center, that is, the heat conductive grease 503 is formed.
Has a thickness of about 200 μm. Also, the metal base 114
The thickness of the heat conductive grease 503 is almost zero in the peripheral portion, especially near the mounting hole 115. On the other hand, in the module according to the present embodiment, the thickness of the heat conductive grease 503 is 120 at the center of the metal base 114.
μm, the mounting holes 115 around the metal base 114.
, Even if it is far from the mounting hole 115,
0 μm. FIG. 6 is a graph showing the gap between the module and the heat sink in this embodiment. The horizontal axis of the graph is the horizontal direction in FIG. 4 or FIG. 5, the vertical axis is the distance between the bottom surface of the metal base 114 and the surface of the heat sink 502 in FIG.
That is, it is the thickness of the thermal conductive grease 503.

【0030】図6から明らかなように、本実施例による
モジュールを使用すると、金属ベース114全面のグリ
ース厚さが均一化される効果がある。すでに述べたよう
に、熱伝導グリース503の熱伝導率は、金属ベース1
14やヒートシンク502に比べて、大き目に見積もっ
ても100分の1以下と桁違いに小さいので、熱伝導グ
リース503の厚さのばらつきはそのままモジュール内
の温度のばらつきに跳ね返る。本実施例によれば、熱伝
導グリースの厚さを小さく抑えることで、モジュール内
のパワー半導体素子が発生する熱を有効にモジュール外
のヒートシンク502へ取り出すことができる。したが
って、本実施例によるモジュールには、モジュール内の
温度を均一にして、モジュール内の半導体素子間の信頼
性のばらつきを低減する効果がある。
As is apparent from FIG. 6, the use of the module according to the present embodiment has the effect of making the grease thickness uniform over the entire surface of the metal base 114. As described above, the thermal conductivity of the thermal grease 503 is the same as that of the metal base 1.
Compared with the heat sink 14 or the heat sink 502, the thickness is estimated to be 1/100 or less, which is extremely small. According to this embodiment, the heat generated by the power semiconductor element in the module can be effectively taken out to the heat sink 502 outside the module by keeping the thickness of the heat conductive grease small. Therefore, the module according to the present embodiment has the effect of making the temperature inside the module uniform and reducing the variation in reliability between semiconductor elements in the module.

【0031】本実施例では、金属ベース114の突起1
17の形成には、金型を使用した。本実施例の突起11
7はストライプ状であるので、機械加工で段差を形成す
ることも容易である。
In this embodiment, the protrusion 1 of the metal base 114 is used.
A mold was used to form 17. Projection 11 of the present embodiment
Since 7 has a stripe shape, it is easy to form a step by machining.

【0032】(実施例2)本発明の第2の実施例につい
て、図7及び図8を参照して説明する。
(Embodiment 2) A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0033】図7は、本発明による第2の実施例である
電力用半導体モジュールを支持部材に搭載したところで
ある。支持部材(ヒートシンク)を表示せず、モジュー
ル及び挿入部材のみを表示して、分かりやすくしてい
る。なお、斜め下、すなわち、ヒートシンク側から眺め
た図である。また、図8は、本発明の第2の実施例の断
面を示している。この図では、ヒートシンク801を省
略せず表示している。
FIG. 7 shows a second embodiment of the present invention in which a power semiconductor module is mounted on a support member. The support member (heat sink) is not displayed, and only the module and the insertion member are displayed for easy understanding. In addition, it is the figure seen from diagonally downward, that is, from the heat sink side. FIG. 8 shows a cross section of the second embodiment of the present invention. In this drawing, the heat sink 801 is not omitted.

【0034】本実施例は、第1の実施例と同じく、取り
付け穴703が2列に配置されている。ただし、数が1
列あたり6個ずつで、モジュール全体では12個であ
る。
In this embodiment, as in the first embodiment, the mounting holes 703 are arranged in two rows. However, if the number is 1
There are six per row, twelve for the whole module.

【0035】本実施例では、モジュールには特別の加工
を施さず、モジュールとヒートシンク801との間に薄
板704を挟んだ。薄板704の材質は、ステンレス鋼
である。薄板704の厚さは、第1の実施例の突起11
7より厚い100μmとした。幅は、10mmである。幅
は、取り付けネジ802に薄板704を押し当てたとき
に、金属ベース702の外周まで届く幅以上あればよ
い。本実施例では、この最小必要幅は3mmであった。作
業性を考慮して、10mmにする。
In this embodiment, no special processing is applied to the module, and the thin plate 704 is sandwiched between the module and the heat sink 801. The material of the thin plate 704 is stainless steel. The thickness of the thin plate 704 is the same as that of the protrusion 11 of the first embodiment.
The thickness was 100 μm, which was larger than 7. The width is 10 mm. The width only needs to be equal to or greater than the width that reaches the outer circumference of the metal base 702 when the thin plate 704 is pressed against the mounting screw 802. In this embodiment, the minimum required width is 3 mm. The thickness is set to 10 mm in consideration of workability.

【0036】組み立て工程を示す。The assembling process will be described.

【0037】1.金属ベース702の下面に熱伝導グリ
ース803を塗布する。
1. Thermal conductive grease 803 is applied to the lower surface of metal base 702.

【0038】2.ヒートシンク801のヒートシンク側
取り付け穴804を隠さないように、その外側に薄板7
04を2枚置く。
2. In order not to cover the heat sink side mounting hole 804 of the heat sink 801, a thin plate 7
Put two 04.

【0039】3.ヒートシンク側取り付け穴804の位
置に合わせて、モジュールを降ろす。4.取り付けネジ
802を通し、軽くネジ止めする。
3. The module is lowered in accordance with the position of the heat sink side mounting hole 804. 4. Pass through the mounting screw 802 and lightly screw it.

【0040】5.薄板704の端面が取り付けネジ80
2に軽くぶつかるまで薄板704をモジュール中心側に
スライドする。
5. The end surface of the thin plate 704 is the mounting screw 80
The thin plate 704 is slid toward the center of the module until it slightly hits 2.

【0041】6.取り付けネジ802を本締めする。6. Fully tighten the mounting screw 802.

【0042】図8に示すように、本締めによる力によっ
て、金属ベース702中央部をヒートシンク801に近
づけるようにモーメント805が働く。
As shown in FIG. 8, a moment 805 acts by the force of the final tightening so as to bring the center of the metal base 702 closer to the heat sink 801.

【0043】本実施例では、薄板704が第1の実施例
の突起117より厚いので、モーメントは第1の実施例
より大きい。ベース周辺の突出量は、モジュールサイ
ズ,ベースの材料及び厚さ,必要とするグリース厚さ
で、適宜決める。我々の検討では、20μmから200
μmの間で効果が現れる。
In this embodiment, since the thin plate 704 is thicker than the projection 117 of the first embodiment, the moment is larger than that of the first embodiment. The amount of protrusion around the base is appropriately determined depending on the module size, the material and thickness of the base, and the required grease thickness. In our study, 20 μm to 200 μm
The effect appears between μm.

【0044】(実施例3)本発明の第3の実施例につい
て、図9を参照して説明する。
(Embodiment 3) A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0045】第3の実施例では、取り付け穴904がモ
ジュール903周囲に配置されている。その結果、突起
905が金属ベースの外周部の全周に形成されている。
実施例1及び2では、締め付けた際のベースの反りは円
筒状であるのに対し、本実施例では擂り鉢状になるが、
同様の効果がある。但し、取り付け穴904の締め付け
力から発生するモーメントは、お互いに抑制し合う要素
があるので、効果は上記した二例より小さい。
In the third embodiment, the mounting holes 904 are arranged around the module 903. As a result, the protrusions 905 are formed on the entire outer peripheral portion of the metal base.
In Examples 1 and 2, the base warpage when tightened is cylindrical, whereas in this example it is mortar-shaped,
There is a similar effect. However, since the moment generated from the fastening force of the mounting hole 904 has elements that suppress each other, the effect is smaller than the above two examples.

【0046】もちろん、突起905を全周に設ける必要
はなく、取り付け穴904近傍のみに形成してもよい。
その場合、突起905が形成されていない部分を利用し
て、余分なグリースを外に導くことができる。さらに、
突起905は、総ての取り付け穴904に対応して形成
する必要はなく、適宜設けてもよい。
Of course, the projection 905 does not need to be provided on the entire circumference, but may be formed only near the mounting hole 904.
In that case, the excess grease can be guided outside using the portion where the protrusion 905 is not formed. further,
The projections 905 do not need to be formed corresponding to all the mounting holes 904, and may be provided as appropriate.

【0047】(実施例4)本発明の第4の実施例につい
て、図10及び図11を参照して説明する。
(Embodiment 4) A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0048】図10は、第4の実施例によるモジュール
を斜め下から見たところである。本実施例では、取り付
け穴1004は3個ずつ2列に並んでいる。したがっ
て、突起1005は、2本のストライプ状である。本実
施例の特徴は、中央突起1006にある。中央突起1006
がモジュールの中央部に、12個ある。突起1005の
高さは100μm、これに対して、中央突起1006の
高さは、50μmである。形状は、球の一部を成してお
り、底部の直径は10mmである。
FIG. 10 shows the module according to the fourth embodiment viewed obliquely from below. In this embodiment, three mounting holes 1004 are arranged in two rows. Therefore, the protrusion 1005 is in the form of two stripes. The feature of this embodiment lies in a central projection 1006. Central projection 1006
There are 12 in the center of the module. The height of the projection 1005 is 100 μm, whereas the height of the central projection 1006 is 50 μm. The shape forms part of a sphere, with a bottom diameter of 10 mm.

【0049】図11は、図10の中央突起1006の中
央部で切断したときの断面を示している。中央突起10
06の断面が3個見える。モジュール1003内部の半
導体素子1105が3列あり、半導体素子1105の直
下に、半導体素子1105の数に合わせて中央突起10
06が存在している。モジュール1003での発熱は、
ほとんどが半導体素子1105からであるので、その直
下の熱伝導グリース1102の厚さを小さくすること
が、熱的な性能向上に有効である。中央突起1006
は、そのような目的で配置されている。
FIG. 11 shows a cross section taken at the center of the central projection 1006 in FIG. Central projection 10
06 three sections are visible. There are three rows of semiconductor elements 1105 inside the module 1003, and the central protrusion
06 is present. The heat generated by module 1003 is
Since most of the heat is from the semiconductor element 1105, it is effective to reduce the thickness of the heat conductive grease 1102 immediately below the semiconductor element 1105 to improve the thermal performance. Central projection 1006
Are arranged for such a purpose.

【0050】(実施例5)本発明の第5の実施例につい
て、図12を参照して説明する。
(Embodiment 5) A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0051】図12は、第5の実施例による、モジュー
ルの実装構造の断面図である。ほとんど、第2の実施例
と同じである。樹脂ケース1201の中央部に、金属ベ
ース1202に達する柱1207があることが、本実施
例の第2の実施例と異なる点である。このように、中央
部に柱1207を設けることで、金属ベース1202中
央部の熱伝導グリース1204の厚さを小さく保つ効果
が確実になる。
FIG. 12 is a sectional view of a module mounting structure according to the fifth embodiment. It is almost the same as the second embodiment. This embodiment is different from the second embodiment in that a column 1207 reaching the metal base 1202 is provided at the center of the resin case 1201. Providing the pillar 1207 at the center in this way ensures the effect of keeping the thickness of the heat conductive grease 1204 at the center of the metal base 1202 small.

【0052】もちろん、柱1207は、ここにあるよう
に1本である必要はない。複数本の柱を使用しても構わ
ない。また、柱1207は、樹脂ケース1201の中央
にあることが望ましいが、必ずしも中央である必要はな
い。さらに、柱1207の断面形状は長方形,正方形,
円形,楕円形等、どのような形でもよく、上部と下部の
太さが異なってもよい。もちろん、中央部の太い樽型で
もよいし、中央部の細い糸巻き型でもよい。また、柱に
より、モジュール内部が分離される構造でもよい。すな
わち、柱1207が、紙面に垂直方向にモジュールサイ
ズまで伸びた形状である。
Of course, the column 1207 need not be a single column as here. Multiple pillars may be used. The column 1207 is desirably located at the center of the resin case 1201, but is not necessarily located at the center. Further, the cross-sectional shape of the pillar 1207 is rectangular, square,
Any shape such as a circle and an ellipse may be used, and the thickness of the upper portion and the lower portion may be different. Of course, a thick barrel type at the center or a thin thread-wound type at the center may be used. Further, a structure in which the inside of the module is separated by columns may be used. That is, the pillar 1207 has a shape extending to the module size in the direction perpendicular to the paper surface.

【0053】ただ、この構造には、モジュール内部の使
用可能面積を縮小してしまう。そのため、本実施例で
は、モジュールを6分割したときの交点である、2ヵ所
に柱を設けた。太さは、2mmで、断面形状は正方形であ
る。
However, this structure reduces the usable area inside the module. For this reason, in the present embodiment, pillars are provided at two points, which are intersections when the module is divided into six. The thickness is 2 mm, and the cross-sectional shape is square.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明によれば、ヒートシンク等の部材
に取り付けたときに、グリース厚さを小さく抑えること
ができる電力用半導体モジュールを提供することができ
る。
According to the present invention, it is possible to provide a power semiconductor module capable of reducing the grease thickness when attached to a member such as a heat sink.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明による手段を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing a means according to the present invention.

【図3】本発明による手段を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing a means according to the present invention.

【図4】本発明の第1の実施例を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施例を示す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施例におけるモジュールとヒ
ートシンクのギャップを示すグラフ。
FIG. 6 is a graph showing a gap between a module and a heat sink according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施例を示す斜視図。FIG. 7 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施例を示す断面図。FIG. 8 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施例を示す斜視図。FIG. 9 is a perspective view showing a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4の実施例を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第4の実施例を示す断面図。FIG. 11 is a sectional view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第5の実施例を示す断面図。FIG. 12 is a sectional view showing a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101…樹脂ケースA、102…樹脂ケースB、103
…エミッタ端子A、104…エミッタ端子B、105…
エミッタ端子C、106…コレクタ端子A、107…コ
レクタ端子B、108…コレクタ端子C、109…補助
エミッタ端子、110…ゲート端子、111…補助コレ
クタ端子、112,806,1104…取り付け用スリ
ーブ、113…充填樹脂、114,202,702,9
02,1002,1202…金属ベース、115,30
4,703,904,1004…取り付け穴、116…
ケース固定ネジ、117,905,1005…突起、2
01,701,901,1001,1201…樹脂ケー
ス、203,903,1003…モジュール、204,
503,803,1102,1204…熱伝導グリー
ス、205,502,801,1101,1203…ヒー
トシンク、206,501,802,1103,120
5…取り付けネジ、207…外部加圧矢印、208…ケ
ース内伝達経路矢印、209…熱伝導グリースの反発
力、301,303…部材、302…スペーサ、305
…締め付け力、306,505,805,1107,12
08…モーメント、504,804…ヒートシンク側取
り付け穴、704,1206…薄板、1006…中央突
起、1105…半導体素子、1106…配線基板、12
07…柱。
101: resin case A, 102: resin case B, 103
... Emitter terminals A, 104 ... Emitter terminals B, 105 ...
Emitter terminals C, 106: Collector terminal A, 107: Collector terminal B, 108: Collector terminal C, 109: Auxiliary emitter terminal, 110: Gate terminal, 111: Auxiliary collector terminal, 112, 806, 1104: Mounting sleeve, 113 ... filled resin, 114, 202, 702, 9
02,1002,1202 ... metal base, 115,30
4, 703, 904, 1004 ... mounting holes, 116 ...
Case fixing screw, 117, 905, 1005 ... projection, 2
01, 701, 901, 1001, 1201 ... resin case, 203, 903, 1003 ... module, 204,
503, 803, 1102, 1204: thermal conductive grease, 205, 502, 801, 1101, 1203: heat sink, 206, 501, 802, 1103, 120
5 mounting screw, 207 external pressure arrow, 208 internal case transmission path arrow, 209 repulsive force of thermal conductive grease, 301, 303 member, 302 spacer, 305
... Tightening force, 306, 505, 805, 1107, 12
08: moment, 504, 804: mounting holes on the heat sink side, 704, 1206: thin plate, 1006: central projection, 1105: semiconductor element, 1106: wiring board, 12
07 ... pillar.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】底面の周辺部に取り付け穴が配置される電
力用半導体モジュールにおいて、該取り付け穴よりも周
辺側の前記モジュール底面に突起を有することを特徴と
する電力用半導体モジュール。
1. A power semiconductor module in which a mounting hole is arranged at a peripheral portion of a bottom surface, wherein the power semiconductor module has a projection on a bottom surface of the module closer to the peripheral side than the mounting hole.
【請求項2】前記突起の高さが20ミクロン以上で、2
00ミクロン以下であることを特徴とする請求項1記載
の電力用半導体モジュール。
2. The method according to claim 1, wherein said projection has a height of 20 μm or more.
2. The power semiconductor module according to claim 1, wherein the size is not more than 00 microns.
【請求項3】前記取り付け穴が前記モジュール底面のお
互いに平行な二辺に配置され、前記突起が前記取り付け
穴の配置される前記二辺の全長にわたって設けられるこ
とを特徴とする請求項1記載の電力用半導体モジュー
ル。
3. The module according to claim 1, wherein the mounting holes are disposed on two sides of the module bottom surface parallel to each other, and the projection is provided over the entire length of the two sides on which the mounting holes are disposed. Power semiconductor module.
【請求項4】モジュール内部の半導体素子直下のモジュ
ール底面に突起があることを特徴とする請求項1記載の
電力用半導体モジュール。
4. The power semiconductor module according to claim 1, wherein a projection is provided on a bottom surface of the module immediately below the semiconductor element inside the module.
【請求項5】モジュールの内部にモジュール上面からモ
ジュール底面に達する柱を取り付けたことを特徴とする
請求項1記載の電力用半導体モジュール。
5. The power semiconductor module according to claim 1, wherein a column extending from the top surface of the module to the bottom surface of the module is mounted inside the module.
【請求項6】請求項1ないし5のいずれか1項に記載の
電力用半導体モジュールが、取り付け部材に、該取り付
け部材との間にグリースを充填して、前記取り付け穴を
通るネジによって締め付けられていることを特徴とする
電力用半導体モジュールの実装構造。
6. The power semiconductor module according to claim 1, wherein the mounting member is filled with grease between the mounting member and the mounting member, and is tightened by a screw passing through the mounting hole. A mounting structure for a power semiconductor module.
【請求項7】底面の周辺部に取り付け穴が配置される電
力用半導体モジュールを取り付け部材に載置する実装構
造において、前記取り付け穴よりも周辺側の前記モジュ
ール底面と、前記取り付け部材との間に薄板を挟み、前
記電力用半導体モジュールと前記取り付け部材との間に
グリースが充填され、前記取り付け穴を通るネジによっ
て前記電力用半導体モジュールが前記取り付け部材に締
め付けられていることを特徴とする電力用半導体モジュ
ールの実装構造。
7. A mounting structure for mounting a power semiconductor module having a mounting hole at a peripheral portion of a bottom surface on a mounting member, wherein the power semiconductor module is mounted between the module bottom surface and the mounting member on a peripheral side of the mounting hole. A thin plate sandwiched between the power semiconductor module and the mounting member is filled with grease, and the power semiconductor module is fastened to the mounting member by a screw passing through the mounting hole. Semiconductor module mounting structure.
【請求項8】前記薄板の厚さが20ミクロン以上で、2
00ミクロン以下であることを特徴とする請求項7記載
の電力用半導体モジュールの実装構造。
8. The thin plate having a thickness of 20 microns or more,
8. The mounting structure for a power semiconductor module according to claim 7, wherein the size is not more than 00 microns.
【請求項9】前記取り付け穴が前記モジュール底面のお
互いに平行な二辺に配置され、前記薄板が前記取り付け
穴の配置される前記二辺の全長にわたって設けられるこ
とを特徴とする請求項7記載の電力用半導体モジュール
の実装構造。
9. The module according to claim 7, wherein said mounting holes are disposed on two sides of said module bottom surface parallel to each other, and said thin plate is provided over the entire length of said two sides on which said mounting holes are disposed. Mounting structure of power semiconductor module.
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