JP2000049380A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度、高解像度、低消費電力、小型、軽量
の表示装置を提供する。 【解決手段】 表示装置の蛍光面を、励起子ボーア半径
の４倍以下の直径を有する結晶の微粒子からなる蛍光体
を配置して形成する。例えば、水平走査方向に直交する
方向に延びるストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０を透明基板１１の表面に形成す
る。この蛍光面をＧａＮ系レーザーダイオードによる紫
外線のレーザー光２で水平走査方向に走査し、赤色蛍光
体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０を励起して赤
色、緑色および青色を発光させ、カラー表示を行う。
の表示装置を提供する。 【解決手段】 表示装置の蛍光面を、励起子ボーア半径
の４倍以下の直径を有する結晶の微粒子からなる蛍光体
を配置して形成する。例えば、水平走査方向に直交する
方向に延びるストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０を透明基板１１の表面に形成す
る。この蛍光面をＧａＮ系レーザーダイオードによる紫
外線のレーザー光２で水平走査方向に走査し、赤色蛍光
体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０を励起して赤
色、緑色および青色を発光させ、カラー表示を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、表示装置に関
し、特に、紫外線により励起される蛍光体を用いた表示
装置に関する。
し、特に、紫外線により励起される蛍光体を用いた表示
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハイビジョン、ディジタルテレビ
（ＤＴＶ）（米国）などの高画質の放送規格が提案、実
用化され、より高解像度の表示装置（以下「ディスプレ
イ」ともいう）が求められている。解像度を上げるため
には、１画素の面積、間隔を小さくすることが必要であ
るが、現在用いられている蛍光体の結晶粒子のサイズは
数μｍであるので、１画素の大きさとしては数十μｍ程
度が限界である。結晶サイズを小さくすれば画素を小さ
くすることができるが、結晶サイズを小さくすると表面
体積比が大きくなり、結晶表面の不活性層のため発光効
率が著しく減少する。このため、結晶サイズとしては１
μｍ程度が限界とされている。
（ＤＴＶ）（米国）などの高画質の放送規格が提案、実
用化され、より高解像度の表示装置（以下「ディスプレ
イ」ともいう）が求められている。解像度を上げるため
には、１画素の面積、間隔を小さくすることが必要であ
るが、現在用いられている蛍光体の結晶粒子のサイズは
数μｍであるので、１画素の大きさとしては数十μｍ程
度が限界である。結晶サイズを小さくすれば画素を小さ
くすることができるが、結晶サイズを小さくすると表面
体積比が大きくなり、結晶表面の不活性層のため発光効
率が著しく減少する。このため、結晶サイズとしては１
μｍ程度が限界とされている。
【０００３】米国特許第５４５５４８９号においては、
このような問題を解決し、より高解像度のディスプレイ
を得る技術として、１０ｎｍ程度の大きさの量子サイズ
効果を示す微粒子（ナノクリスタル）から構成される蛍
光体を、陰極線管（ＣＲＴ）あるいは電界放射ディスプ
レイ（ＦＥＤ）に用いる方法が提案されている。
このような問題を解決し、より高解像度のディスプレイ
を得る技術として、１０ｎｍ程度の大きさの量子サイズ
効果を示す微粒子（ナノクリスタル）から構成される蛍
光体を、陰極線管（ＣＲＴ）あるいは電界放射ディスプ
レイ（ＦＥＤ）に用いる方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな微粒子に電子線を照射した場合、発光効率は著しく
小さい。一例として、硫化亜鉛にマンガンを添加したＺ
ｎＳ：Ｍｎのナノクリスタルおよび数μｍサイズの粒径
のバルクを電子線および紫外線で励起したときの輝度の
差を表１に示す。表１からわかるように、紫外線励起で
はナノクリスタルはバルクに比べて５倍も大きな輝度を
示すが、電子線励起では電流が１０倍も大きいにもかか
わらずナノクリスタルはバルクに比べて２桁も小さな輝
度しか得られていない。
うな微粒子に電子線を照射した場合、発光効率は著しく
小さい。一例として、硫化亜鉛にマンガンを添加したＺ
ｎＳ：Ｍｎのナノクリスタルおよび数μｍサイズの粒径
のバルクを電子線および紫外線で励起したときの輝度の
差を表１に示す。表１からわかるように、紫外線励起で
はナノクリスタルはバルクに比べて５倍も大きな輝度を
示すが、電子線励起では電流が１０倍も大きいにもかか
わらずナノクリスタルはバルクに比べて２桁も小さな輝
度しか得られていない。
【０００５】 表１ ＺｎＳ：Ｍｎの輝度比較 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− バルク ナノクリスタル −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 紫外線励起 １４Ｃｄ／ｍ2 ６９Ｃｄ／ｍ2 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 電子線励起 ３０Ｃｄ／ｍ2 １Ｃｄ／ｍ2 以下 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− したがって、この発明の目的は、高輝度、高解像度、低
消費電力、小型、軽量の表示装置を提供することにあ
る。
消費電力、小型、軽量の表示装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】結晶サイズを励起子ボー
ア半径程度まで小さくすると（以降このような結晶を
「ナノクリスタル」と呼ぶ）、量子サイズ効果による励
起子の閉じ込めやバンドギャップの増大が観測される
（J.Chem.Phys.,Vol.80,No.9,p.1984)。このようなサイ
ズの半導体には、フォトルミネッセンスにおける量子効
率が大きくなるものもあることが報告されている（Phy
s.Rev.Lett.,Vol.72,No.3,p.416,1994 、MRSbulletin V
ol.23,No.2,p.18,1998および米国特許第５４５５４８９
号）。この効果を、発光波長が量子サイズ効果で変化し
ないため比較しやすいＺｎＳ：Ｍｎを例にとって説明す
る。先に示した表１はメタクリル酸で表面処理したＺｎ
Ｓ：Ｍｎナノクリスタルと、１μｍ以上の粒径のバルク
ＺｎＳ：Ｍｎ粒子とを同じ紫外線ランプによって励起し
たときの発光の輝度を比較したものであるが、すでに述
べたように、ＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルでは、バルク
ＺｎＳ：Ｍｎ粒子の５倍近く高い輝度が得られる。
ア半径程度まで小さくすると（以降このような結晶を
「ナノクリスタル」と呼ぶ）、量子サイズ効果による励
起子の閉じ込めやバンドギャップの増大が観測される
（J.Chem.Phys.,Vol.80,No.9,p.1984)。このようなサイ
ズの半導体には、フォトルミネッセンスにおける量子効
率が大きくなるものもあることが報告されている（Phy
s.Rev.Lett.,Vol.72,No.3,p.416,1994 、MRSbulletin V
ol.23,No.2,p.18,1998および米国特許第５４５５４８９
号）。この効果を、発光波長が量子サイズ効果で変化し
ないため比較しやすいＺｎＳ：Ｍｎを例にとって説明す
る。先に示した表１はメタクリル酸で表面処理したＺｎ
Ｓ：Ｍｎナノクリスタルと、１μｍ以上の粒径のバルク
ＺｎＳ：Ｍｎ粒子とを同じ紫外線ランプによって励起し
たときの発光の輝度を比較したものであるが、すでに述
べたように、ＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルでは、バルク
ＺｎＳ：Ｍｎ粒子の５倍近く高い輝度が得られる。
【０００７】このような高い量子効率と量子サイズ効果
とが物理的にどのように関係しているかは未だ明確に説
明されていないが、電子−正孔対形成による振動子強度
の増大、エネルギー準位の量子化による発光に寄与しな
い状態密度の減少、結晶格子の歪みによる発光中心付近
の結晶場の変化の影響、結晶表面処理などが関係してい
ると考えられる。これらのうちどの要素が発光効率に有
効に寄与しているかは明らかではないが、以下に説明す
る励起子ボーア半径以下の大きさの結晶で、発光効率の
増大が報告されている。ここで、励起子ボーア半径とは
励起子の存在確率の分布の広がりを示すもので、４πε
0 ｈ2 ／ｍｅ2 （ただし、ε0 は材料の低周波誘電率、
ｈはプランク定数、ｍは電子および正孔の有効質量から
得られる換算質量、ｅは電子の電荷）で表される。例え
ば、ＺｎＳの励起子ボーア半径は２ｎｍ程度である。
とが物理的にどのように関係しているかは未だ明確に説
明されていないが、電子−正孔対形成による振動子強度
の増大、エネルギー準位の量子化による発光に寄与しな
い状態密度の減少、結晶格子の歪みによる発光中心付近
の結晶場の変化の影響、結晶表面処理などが関係してい
ると考えられる。これらのうちどの要素が発光効率に有
効に寄与しているかは明らかではないが、以下に説明す
る励起子ボーア半径以下の大きさの結晶で、発光効率の
増大が報告されている。ここで、励起子ボーア半径とは
励起子の存在確率の分布の広がりを示すもので、４πε
0 ｈ2 ／ｍｅ2 （ただし、ε0 は材料の低周波誘電率、
ｈはプランク定数、ｍは電子および正孔の有効質量から
得られる換算質量、ｅは電子の電荷）で表される。例え
ば、ＺｎＳの励起子ボーア半径は２ｎｍ程度である。
【０００８】最も典型的な量子サイズ効果の例として
は、バンドギャップの増大が挙げられる。図１はL.E.Br
usらの理論を基に計算したＺｎＳのバンドギャップの結
晶サイズ依存性を示す。本来のＺｎＳのバンドギャップ
は約３．５ｅＶであるから、直径約８ｎｍより小さい範
囲で量子サイズ効果が大きくなると予測することができ
る。この直径の値は励起子ボーア半径の２倍の半径を有
する結晶に相当する。したがって、励起子ボーア半径の
２倍以下の半径を有する結晶、言い換えれば、励起子ボ
ーア半径の４倍以下の直径を有する結晶からなる蛍光体
を用いることで、量子サイズ効果の発光への寄与を利用
することができる。
は、バンドギャップの増大が挙げられる。図１はL.E.Br
usらの理論を基に計算したＺｎＳのバンドギャップの結
晶サイズ依存性を示す。本来のＺｎＳのバンドギャップ
は約３．５ｅＶであるから、直径約８ｎｍより小さい範
囲で量子サイズ効果が大きくなると予測することができ
る。この直径の値は励起子ボーア半径の２倍の半径を有
する結晶に相当する。したがって、励起子ボーア半径の
２倍以下の半径を有する結晶、言い換えれば、励起子ボ
ーア半径の４倍以下の直径を有する結晶からなる蛍光体
を用いることで、量子サイズ効果の発光への寄与を利用
することができる。
【０００９】一方、表面処理をしていない結晶では、表
面に存在するイオンのダングリングボンドに励起された
電子が捕獲され、非発光再結合するため、発光強度が著
しく減少する。例えば、表２に示すように、アクリル酸
によって表面処理されたＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルで
は、結晶表面のダングリングボンドが有効にターミネイ
トされ、表面処理されていない試料に比べて著しく発光
強度が増大している。また、図２に示すように、ＺｎＳ
でキャッピングしたＣｄＳｅナノクリスタルでは、同じ
ように結晶表面のダングリングボンドがターミネイトさ
れているだけでなく、量子井戸構造をとることで電子−
正孔対がナノクリスタル内に強く閉じ込められ、再結合
する。この材料では、キャッピングのないＣｄＳｅナノ
クリスタルに比べ一桁以上高い発光効率が得られ、５０
％程度の量子効率が得られる。
面に存在するイオンのダングリングボンドに励起された
電子が捕獲され、非発光再結合するため、発光強度が著
しく減少する。例えば、表２に示すように、アクリル酸
によって表面処理されたＺｎＳ：Ｍｎナノクリスタルで
は、結晶表面のダングリングボンドが有効にターミネイ
トされ、表面処理されていない試料に比べて著しく発光
強度が増大している。また、図２に示すように、ＺｎＳ
でキャッピングしたＣｄＳｅナノクリスタルでは、同じ
ように結晶表面のダングリングボンドがターミネイトさ
れているだけでなく、量子井戸構造をとることで電子−
正孔対がナノクリスタル内に強く閉じ込められ、再結合
する。この材料では、キャッピングのないＣｄＳｅナノ
クリスタルに比べ一桁以上高い発光効率が得られ、５０
％程度の量子効率が得られる。
【００１０】 表２ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 表面処理 アクリル酸 無 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 輝度 ６９Ｃｄ／ｍ2 ９．４Ｃｄ／ｍ2 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 蛍光体としてＺｎＳｅ量子ドットを用いた場合について
説明する。本来室温ではＺｎＳｅは２．５８ｅＶのバン
ドギャップを有するが、結晶サイズを粒径８．５±１．
５ｎｍ程度まで小さくすると、量子サイズ効果によりバ
ンドギャップは２．８ｅＶ程度に大きくなり、波長４３
５ｎｍ付近にバンド端発光が観測される（図３）。Ｚｎ
Ｓｅの励起子ボーア半径は４ｎｍ程度なので、この蛍光
体の結晶粒径はこれとほぼ同程度と考えられる。この蛍
光体は、紫外線照射により化学反応を誘起することで、
結晶表面のダングリングボンドをターミネイトすること
ができ、さらに結晶表面に生成される反応物質がポテン
シャル障壁となるので、理想的な量子井戸構造を形成す
ることができる。このため、紫外線処理により図４に示
すように発光強度を著しく増大させることができる。
説明する。本来室温ではＺｎＳｅは２．５８ｅＶのバン
ドギャップを有するが、結晶サイズを粒径８．５±１．
５ｎｍ程度まで小さくすると、量子サイズ効果によりバ
ンドギャップは２．８ｅＶ程度に大きくなり、波長４３
５ｎｍ付近にバンド端発光が観測される（図３）。Ｚｎ
Ｓｅの励起子ボーア半径は４ｎｍ程度なので、この蛍光
体の結晶粒径はこれとほぼ同程度と考えられる。この蛍
光体は、紫外線照射により化学反応を誘起することで、
結晶表面のダングリングボンドをターミネイトすること
ができ、さらに結晶表面に生成される反応物質がポテン
シャル障壁となるので、理想的な量子井戸構造を形成す
ることができる。このため、紫外線処理により図４に示
すように発光強度を著しく増大させることができる。
【００１１】この蛍光体の励起スペクトル（発光強度の
励起波長依存性）を図３に示す。図３より、波長２７０
ｎｍおよび波長３７０ｎｍのところにピークが観測され
る。これらのうち長波長側の３７０ｎｍのピークはＧａ
Ｎのバンドギャップに相当していることから、ＧａＮあ
るいはＧａＮにＩｎを添加したＧａＩｎＮを活性層の材
料とする紫外線発光ダイオードでこの蛍光体を励起する
ことにより高い発光効率が得られる。また、発光ピーク
の半値幅も、従来の青色蛍光体に用いられている粒径が
数μｍのＺｎＳ：Ａｇの６０ｎｍに比べ、ＺｎＳｅ量子
ドットでは２０ｎｍ程度と非常に狭いので、色品質の良
いディスプレイを実現することが可能である。
励起波長依存性）を図３に示す。図３より、波長２７０
ｎｍおよび波長３７０ｎｍのところにピークが観測され
る。これらのうち長波長側の３７０ｎｍのピークはＧａ
Ｎのバンドギャップに相当していることから、ＧａＮあ
るいはＧａＮにＩｎを添加したＧａＩｎＮを活性層の材
料とする紫外線発光ダイオードでこの蛍光体を励起する
ことにより高い発光効率が得られる。また、発光ピーク
の半値幅も、従来の青色蛍光体に用いられている粒径が
数μｍのＺｎＳ：Ａｇの６０ｎｍに比べ、ＺｎＳｅ量子
ドットでは２０ｎｍ程度と非常に狭いので、色品質の良
いディスプレイを実現することが可能である。
【００１２】一方、緑色および赤色の蛍光体について
は、ＺｎＳｅの一部のＺｎをＣｄで置換したＺｎ1-x Ｃ
ｄx Ｓｅ（ただし、０＜ｘ≦１）量子ドットを用いるこ
とで、バンドギャップを小さくすることができる。そし
て、このＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットにおいて、Ｚｎ
およびＣｄの組成比あるいは結晶サイズを変えることに
より、所望の波長の発光を得ることができる。これらの
直接バンド間遷移の発光を用いることで、フルカラーデ
ィスプレイを実現することができる。また、量子ドット
の表面処理としては、よりバンドギャップの大きいＺｎ
Ｓなどの層を表面に形成することができる。
は、ＺｎＳｅの一部のＺｎをＣｄで置換したＺｎ1-x Ｃ
ｄx Ｓｅ（ただし、０＜ｘ≦１）量子ドットを用いるこ
とで、バンドギャップを小さくすることができる。そし
て、このＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットにおいて、Ｚｎ
およびＣｄの組成比あるいは結晶サイズを変えることに
より、所望の波長の発光を得ることができる。これらの
直接バンド間遷移の発光を用いることで、フルカラーデ
ィスプレイを実現することができる。また、量子ドット
の表面処理としては、よりバンドギャップの大きいＺｎ
Ｓなどの層を表面に形成することができる。
【００１３】以上のように、量子サイズ効果を示すよう
な微結晶、すなわちナノクリスタルからなる蛍光体に
は、非常に大きな量子効率を示すものがあるので、この
ような蛍光体を紫外線発光素子で励起することにより、
効率の良い表示装置を実現することができる。そして、
この場合、この励起の方法としては、このようなナノク
リスタルからなる蛍光体を蛍光面に配置し、この蛍光面
を紫外線で走査しながら励起することが最も簡便で有効
である。
な微結晶、すなわちナノクリスタルからなる蛍光体に
は、非常に大きな量子効率を示すものがあるので、この
ような蛍光体を紫外線発光素子で励起することにより、
効率の良い表示装置を実現することができる。そして、
この場合、この励起の方法としては、このようなナノク
リスタルからなる蛍光体を蛍光面に配置し、この蛍光面
を紫外線で走査しながら励起することが最も簡便で有効
である。
【００１４】この発明は、本発明者による以上のような
検討に基づいて案出されたものである。
検討に基づいて案出されたものである。
【００１５】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明は、励起子ボーア半径の４倍以下の直径を有する
結晶の微粒子からなる蛍光体を配置した蛍光面を有し、
蛍光面を紫外線で走査しながら励起するようにしたこと
を特徴とする表示装置である。
の発明は、励起子ボーア半径の４倍以下の直径を有する
結晶の微粒子からなる蛍光体を配置した蛍光面を有し、
蛍光面を紫外線で走査しながら励起するようにしたこと
を特徴とする表示装置である。
【００１６】この発明において、量子サイズ効果をより
十分に得る観点からは、好適には、蛍光体は、励起子ボ
ーア半径の２倍以下の直径を有する結晶の微粒子により
構成する。
十分に得る観点からは、好適には、蛍光体は、励起子ボ
ーア半径の２倍以下の直径を有する結晶の微粒子により
構成する。
【００１７】この発明において、表示装置は、典型的に
は、紫外線を蛍光面上に集光するための集光レンズを有
する。この場合、紫外線の走査方向における蛍光体の幅
は、好適には、１０μｍ以下で、１．２２λ／ＮＡ（た
だし、λは紫外線の波長（μｍ）、ＮＡは集光レンズの
開口数）以上とする。ここで、１．２２λ／ＮＡは、焦
点における紫外線のスポットサイズである。
は、紫外線を蛍光面上に集光するための集光レンズを有
する。この場合、紫外線の走査方向における蛍光体の幅
は、好適には、１０μｍ以下で、１．２２λ／ＮＡ（た
だし、λは紫外線の波長（μｍ）、ＮＡは集光レンズの
開口数）以上とする。ここで、１．２２λ／ＮＡは、焦
点における紫外線のスポットサイズである。
【００１８】この発明においては、蛍光面に蛍光体が紫
外線の走査方向と交差する方向、典型的には紫外線の走
査方向と直交する方向に延在するストライプ状に形成さ
れることもあるし、蛍光面に蛍光体が紫外線の走査方向
および紫外線の走査方向と交差する方向、典型的には紫
外線の走査方向と直交する方向に二次元アレイ状に形成
される。
外線の走査方向と交差する方向、典型的には紫外線の走
査方向と直交する方向に延在するストライプ状に形成さ
れることもあるし、蛍光面に蛍光体が紫外線の走査方向
および紫外線の走査方向と交差する方向、典型的には紫
外線の走査方向と直交する方向に二次元アレイ状に形成
される。
【００１９】この発明において、典型的には、蛍光体は
蛍光面の赤色発光部、緑色発光部および青色発光部にそ
れぞれ設けられた赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍
光体からなり、これらの赤色蛍光体、緑色蛍光体および
青色蛍光体を横断するように蛍光面を紫外線で走査しな
がらこれらの赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体
を励起してそれぞれ赤色、緑色および青色を発光するよ
うに構成される。
蛍光面の赤色発光部、緑色発光部および青色発光部にそ
れぞれ設けられた赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍
光体からなり、これらの赤色蛍光体、緑色蛍光体および
青色蛍光体を横断するように蛍光面を紫外線で走査しな
がらこれらの赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体
を励起してそれぞれ赤色、緑色および青色を発光するよ
うに構成される。
【００２０】この発明において、赤色蛍光体および緑色
蛍光体を構成する微粒子は例えばＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ
（ただし、０＜ｘ≦１）からなり、青色蛍光体を構成す
る結晶は例えばＺｎＳｅからなる。
蛍光体を構成する微粒子は例えばＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ
（ただし、０＜ｘ≦１）からなり、青色蛍光体を構成す
る結晶は例えばＺｎＳｅからなる。
【００２１】この発明において、好適には、蛍光体を構
成する微粒子の表面のダングリングボンドがターミネイ
トされる。また、典型的には、微粒子は量子井戸構造を
有する。
成する微粒子の表面のダングリングボンドがターミネイ
トされる。また、典型的には、微粒子は量子井戸構造を
有する。
【００２２】この発明において、典型的には、紫外線の
光源として窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた
発光素子を有する。ここで、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群
より選ばれた少なくとも一種類のＩＩＩ族元素と、少な
くともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含
むＶ族元素とからなる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の具体例を挙げると、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＮなどであ
る。
光源として窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた
発光素子を有する。ここで、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群
より選ばれた少なくとも一種類のＩＩＩ族元素と、少な
くともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含
むＶ族元素とからなる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の具体例を挙げると、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＮなどであ
る。
【００２３】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、蛍光体が励起子ボーア半径の４倍以下の直径を有す
る結晶の微粒子からなることにより、蛍光体の量子効率
を高くすることができ、高輝度化を図ることができると
ともに、低消費電力化を図ることができる。また、蛍光
体を構成する結晶の微粒子のサイズが極めて小さいこと
から、これまでは蛍光体の結晶のサイズで制約されてい
た画素の大きさを、励起光である紫外線の波長と集光レ
ンズの開口数とで決まってくる焦点のスポットサイズ程
度まで小さくすることができ、高解像度化することがで
きる。さらに、紫外線の光源としては、小型、軽量の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子を用
いることができ、これによって表示装置を小型化、軽量
化することができる。
ば、蛍光体が励起子ボーア半径の４倍以下の直径を有す
る結晶の微粒子からなることにより、蛍光体の量子効率
を高くすることができ、高輝度化を図ることができると
ともに、低消費電力化を図ることができる。また、蛍光
体を構成する結晶の微粒子のサイズが極めて小さいこと
から、これまでは蛍光体の結晶のサイズで制約されてい
た画素の大きさを、励起光である紫外線の波長と集光レ
ンズの開口数とで決まってくる焦点のスポットサイズ程
度まで小さくすることができ、高解像度化することがで
きる。さらに、紫外線の光源としては、小型、軽量の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子を用
いることができ、これによって表示装置を小型化、軽量
化することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全
図において、同一または対応する部分には同一の符号を
付す。
いて図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全
図において、同一または対応する部分には同一の符号を
付す。
【００２５】図５にこの発明の一実施形態によるカラー
表示装置の全体構成を示す。図５に示すように、この一
実施形態によるカラー表示装置においては、ＧａＮある
いはＩｎＧａＮを活性層とするＧａＮ系レーザーダイオ
ード１に輝度信号に応じた電流を流すことにより発振す
る波長約３８０ｎｍのレーザー光２は、コリメーターレ
ンズ３で平行光となり、さらに集光レンズ４で集光され
る。この集光レンズ４の焦点の手前に音響光学偏向器
（ＡＯＤ）５とガルバノミラー６とが設置されている。
そして、音響光学偏向器５にはＦＭ変調された水平方向
の走査信号が、ガルバノミラー６には垂直方向の走査信
号が入力され、蛍光面７上に焦点を結んだレーザー光２
が蛍光面７を走査し、表示を行うようになっている。
表示装置の全体構成を示す。図５に示すように、この一
実施形態によるカラー表示装置においては、ＧａＮある
いはＩｎＧａＮを活性層とするＧａＮ系レーザーダイオ
ード１に輝度信号に応じた電流を流すことにより発振す
る波長約３８０ｎｍのレーザー光２は、コリメーターレ
ンズ３で平行光となり、さらに集光レンズ４で集光され
る。この集光レンズ４の焦点の手前に音響光学偏向器
（ＡＯＤ）５とガルバノミラー６とが設置されている。
そして、音響光学偏向器５にはＦＭ変調された水平方向
の走査信号が、ガルバノミラー６には垂直方向の走査信
号が入力され、蛍光面７上に焦点を結んだレーザー光２
が蛍光面７を走査し、表示を行うようになっている。
【００２６】図６は蛍光面７の詳細構造を示す。図６に
示すように、蛍光面７には、水平走査方向と直交する方
向に延在するストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０が互いに平行に配置されてい
る。これらのストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０は、蛍光面７の水平走査方向と
直交する方向の全長にわたり延在している。これらの赤
色蛍光体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０を一組
にしたものが、水平走査方向に必要な画素数に応じた数
だけ設けられている。ここで、赤色蛍光体８としては、
例えば粒径６〜１０ｎｍの例えばｘ＝０．９０のＺｎ
1-x Ｃｄx ＳｅからなるナノクリスタルあるいはＺｎ
1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットからなるものが用いられる。
また、緑色蛍光体９としては、例えば粒径６〜１０ｎｍ
の例えばｘ＝０．３８のＺｎ1-x ＣｄxＳｅからなるナ
ノクリスタルあるいはＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットか
らなるものが用いられる。また、青色蛍光体１０として
は、例えば粒径６〜１０ｎｍ程度のＺｎＳｅからなるナ
ノクリスタルあるいはＺｎＳｅ量子ドットからなるもの
が用いられる。また、ストライプ状の赤色蛍光体８、緑
色蛍光体９および青色蛍光体１０のそれぞれの幅は、１
０μｍ以下で、レーザー光２の波長（λ（μｍ））と集
光レンズ４の開口数（ＮＡ）とで決まるレーザー光２の
焦点でのスポットサイズ（１．２２×λ／ＮＡ）以上と
する。一例を挙げると、λ＝３８０ｎｍ、ＮＡ＝０．１
の場合、このストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０のそれぞれの幅を約５μｍ程度
とする。
示すように、蛍光面７には、水平走査方向と直交する方
向に延在するストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０が互いに平行に配置されてい
る。これらのストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０は、蛍光面７の水平走査方向と
直交する方向の全長にわたり延在している。これらの赤
色蛍光体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０を一組
にしたものが、水平走査方向に必要な画素数に応じた数
だけ設けられている。ここで、赤色蛍光体８としては、
例えば粒径６〜１０ｎｍの例えばｘ＝０．９０のＺｎ
1-x Ｃｄx ＳｅからなるナノクリスタルあるいはＺｎ
1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットからなるものが用いられる。
また、緑色蛍光体９としては、例えば粒径６〜１０ｎｍ
の例えばｘ＝０．３８のＺｎ1-x ＣｄxＳｅからなるナ
ノクリスタルあるいはＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ量子ドットか
らなるものが用いられる。また、青色蛍光体１０として
は、例えば粒径６〜１０ｎｍ程度のＺｎＳｅからなるナ
ノクリスタルあるいはＺｎＳｅ量子ドットからなるもの
が用いられる。また、ストライプ状の赤色蛍光体８、緑
色蛍光体９および青色蛍光体１０のそれぞれの幅は、１
０μｍ以下で、レーザー光２の波長（λ（μｍ））と集
光レンズ４の開口数（ＮＡ）とで決まるレーザー光２の
焦点でのスポットサイズ（１．２２×λ／ＮＡ）以上と
する。一例を挙げると、λ＝３８０ｎｍ、ＮＡ＝０．１
の場合、このストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０のそれぞれの幅を約５μｍ程度
とする。
【００２７】ストライプ状の赤色蛍光体８、緑色蛍光体
９および青色蛍光体１０は、透明基板１１の表面に互い
に平行に形成されたストライプ状の溝１２に埋め込まれ
ている。この透明基板１１の材料としては、可視光に対
して透明であれば基本的にはどのようなものを用いても
よいが、具体例を挙げると、サファイア、溶融石英など
である。また、この透明基板１１の裏面には、紫外線遮
断フィルター１３が設けられている。この紫外線遮断フ
ィルター１３は、赤色蛍光体８、緑色蛍光体９および青
色蛍光体１０が吸収しきれない紫外線のレーザー光２
が、スクリーンから発せられるのを防止するためのもの
である。
９および青色蛍光体１０は、透明基板１１の表面に互い
に平行に形成されたストライプ状の溝１２に埋め込まれ
ている。この透明基板１１の材料としては、可視光に対
して透明であれば基本的にはどのようなものを用いても
よいが、具体例を挙げると、サファイア、溶融石英など
である。また、この透明基板１１の裏面には、紫外線遮
断フィルター１３が設けられている。この紫外線遮断フ
ィルター１３は、赤色蛍光体８、緑色蛍光体９および青
色蛍光体１０が吸収しきれない紫外線のレーザー光２
が、スクリーンから発せられるのを防止するためのもの
である。
【００２８】上述のように構成されたこの一実施形態に
よるカラー表示装置においては、水平走査信号および垂
直走査信号に応じてレーザー光２が蛍光面７上を走査す
るとき、その位置における蛍光体が発すべき光の輝度に
相当する電流がＧａＮ系レーザーダイオード１に注入さ
れるように制御が行われる。そして、これによって、注
入電流に応じた強度のレーザー光２がＧａＮ系レーザー
ダイオード１から発せられ、これにより蛍光面７上の赤
色蛍光体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０が励起
され、それぞれ赤色、緑色および青色を発光する。この
ような動作を、蛍光面７上をレーザー光２を順次走査し
ながら行うことにより、画像情報を表示する。
よるカラー表示装置においては、水平走査信号および垂
直走査信号に応じてレーザー光２が蛍光面７上を走査す
るとき、その位置における蛍光体が発すべき光の輝度に
相当する電流がＧａＮ系レーザーダイオード１に注入さ
れるように制御が行われる。そして、これによって、注
入電流に応じた強度のレーザー光２がＧａＮ系レーザー
ダイオード１から発せられ、これにより蛍光面７上の赤
色蛍光体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０が励起
され、それぞれ赤色、緑色および青色を発光する。この
ような動作を、蛍光面７上をレーザー光２を順次走査し
ながら行うことにより、画像情報を表示する。
【００２９】次に、上述のように構成されたこの一実施
形態によるカラー表示装置の製造方法について説明す
る。図７〜図１８にこの製造方法を示す。ここでは、一
例として、透明基板１１としてサファイア基板を用いる
場合について説明する。
形態によるカラー表示装置の製造方法について説明す
る。図７〜図１８にこの製造方法を示す。ここでは、一
例として、透明基板１１としてサファイア基板を用いる
場合について説明する。
【００３０】まず、図７に示すように、サファイア基板
である透明基板１１の表面にポジ型のフォトレジスト１
４を塗布する。
である透明基板１１の表面にポジ型のフォトレジスト１
４を塗布する。
【００３１】次に、図８に示すように、所定のフォトマ
スク１５を用いてフォトレジスト１４をストライプ状に
露光する。
スク１５を用いてフォトレジスト１４をストライプ状に
露光する。
【００３２】次に、フォトレジスト１４の現像を行い、
露光部を除去する。これによって、図９に示すように、
ストライプ状のレジストパターン１６が形成される。
露光部を除去する。これによって、図９に示すように、
ストライプ状のレジストパターン１６が形成される。
【００３３】次に、図１０に示すように、レジストパタ
ーン１６をマスクとして例えば反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法により透明基板１１を所定の深さまでエッ
チングし、ストライプ状の溝１２を形成する。
ーン１６をマスクとして例えば反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法により透明基板１１を所定の深さまでエッ
チングし、ストライプ状の溝１２を形成する。
【００３４】次に、図１１に示すように、レジストパタ
ーン１６を例えばアセトンなどを用いて除去する。
ーン１６を例えばアセトンなどを用いて除去する。
【００３５】次に、図１２に示すように、例えば二クロ
ム酸アンモニウム（ＡＤＣ）およびポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）の水溶液中に上述の半導体ナノクリスタル
からなる蛍光体を分散させた液体原料を入れた容器の底
に透明基板１１を設置し、この透明基板１１の表面に遠
心分離により赤色蛍光体８を沈降させる。
ム酸アンモニウム（ＡＤＣ）およびポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）の水溶液中に上述の半導体ナノクリスタル
からなる蛍光体を分散させた液体原料を入れた容器の底
に透明基板１１を設置し、この透明基板１１の表面に遠
心分離により赤色蛍光体８を沈降させる。
【００３６】次に、透明基板１１を液体原料から取り出
し、この透明基板１１に付着した水を蒸発させた後、図
１３に示すように、透明基板１１の赤色発光部に対応す
る部分に開口を有するフォトマスク１７を用いて露光を
行い、二クロム酸アンモニウムとポリビニルアルコール
とを架橋させ、赤色蛍光体８を水に不溶にする。
し、この透明基板１１に付着した水を蒸発させた後、図
１３に示すように、透明基板１１の赤色発光部に対応す
る部分に開口を有するフォトマスク１７を用いて露光を
行い、二クロム酸アンモニウムとポリビニルアルコール
とを架橋させ、赤色蛍光体８を水に不溶にする。
【００３７】次に、図１４に示すように、透明基板１１
を水で洗浄し、赤色発光部の溝１２以外の部分の赤色蛍
光体８を除去する。
を水で洗浄し、赤色発光部の溝１２以外の部分の赤色蛍
光体８を除去する。
【００３８】次に、図１５に示すように、図１２と同様
なプロセスで、透明基板１１の表面に緑色蛍光体９を沈
降させる。
なプロセスで、透明基板１１の表面に緑色蛍光体９を沈
降させる。
【００３９】次に、図１６に示すように、図１３と同様
のプロセスで、透明基板１１の緑色発光部に対応する部
分に開口を有するフォトマスク１８を用いて露光を行
い、二クロム酸アンモニウムとポリビニルアルコールと
を架橋させ、緑色蛍光体９を水に不溶にする。
のプロセスで、透明基板１１の緑色発光部に対応する部
分に開口を有するフォトマスク１８を用いて露光を行
い、二クロム酸アンモニウムとポリビニルアルコールと
を架橋させ、緑色蛍光体９を水に不溶にする。
【００４０】次に、図１７に示すように、透明基板１１
を水で洗浄し、緑色発光部の溝１２以外の部分の緑色蛍
光体９を除去する。
を水で洗浄し、緑色発光部の溝１２以外の部分の緑色蛍
光体９を除去する。
【００４１】次に、図１８に示すように、以上と同様な
プロセスをもう一度繰り返し、透明基板１１の青色発光
部の溝１２内に青色蛍光体１０を形成する。
プロセスをもう一度繰り返し、透明基板１１の青色発光
部の溝１２内に青色蛍光体１０を形成する。
【００４２】この後、透明基板１１の裏面に紫外線遮断
フィルター１３を形成し、目的とするカラー表示装置を
完成させる。
フィルター１３を形成し、目的とするカラー表示装置を
完成させる。
【００４３】以上のように、この一実施形態によれば、
赤色蛍光体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０と
も、励起子ボーア半径の４倍以下の粒径の結晶、すなわ
ちナノクリスタルからなることにより、高輝度、低消費
電力のフルカラーフラット型ディスプレイを実現するこ
とができる。また、このように赤色蛍光体８、緑色蛍光
体９および青色蛍光体１０がナノクリスタルからなるこ
とにより、これまでは蛍光体の結晶のサイズで制約され
ていた画素の大きさを、レーザー光２の波長λと集光レ
ンズ３の開口数ＮＡとで決まってくる焦点でのスポット
サイズ程度まで小さくすることができ、高解像度化を図
ることができる。また、紫外線のレーザー光２の光源と
して小型、軽量のＧａＮ系レーザーダイオード１を用い
ていることにより、カラー表示装置の小型化、軽量化を
図ることができる。
赤色蛍光体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０と
も、励起子ボーア半径の４倍以下の粒径の結晶、すなわ
ちナノクリスタルからなることにより、高輝度、低消費
電力のフルカラーフラット型ディスプレイを実現するこ
とができる。また、このように赤色蛍光体８、緑色蛍光
体９および青色蛍光体１０がナノクリスタルからなるこ
とにより、これまでは蛍光体の結晶のサイズで制約され
ていた画素の大きさを、レーザー光２の波長λと集光レ
ンズ３の開口数ＮＡとで決まってくる焦点でのスポット
サイズ程度まで小さくすることができ、高解像度化を図
ることができる。また、紫外線のレーザー光２の光源と
して小型、軽量のＧａＮ系レーザーダイオード１を用い
ていることにより、カラー表示装置の小型化、軽量化を
図ることができる。
【００４４】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
【００４５】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値、構造、形状、基板、プロセスなどはあくまでも例
に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、形
状、基板、プロセスなどを用いてもよい。
数値、構造、形状、基板、プロセスなどはあくまでも例
に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、形
状、基板、プロセスなどを用いてもよい。
【００４６】具体的には、例えば、透明基板１１の材料
として紫外線に対して不透明なもの（樹脂など）を用い
る場合には、紫外線遮断フィルター１３を形成しなくて
もよい。
として紫外線に対して不透明なもの（樹脂など）を用い
る場合には、紫外線遮断フィルター１３を形成しなくて
もよい。
【００４７】また、上述の一実施形態においては、赤色
蛍光体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０を蛍光面
７の水平走査方向と直交する方向の全長にわたって延在
するストライプ状に形成しているが、これらの赤色蛍光
体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０は、蛍光面７
の水平走査方向と直交する方向に分割して形成してもよ
く、さらには、赤色蛍光体８、緑色蛍光体９および青色
蛍光体１０をストライプ状に形成しないで、水平走査方
向と直交する方向に１画素分の長さを有する島状に形成
してもよい。
蛍光体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０を蛍光面
７の水平走査方向と直交する方向の全長にわたって延在
するストライプ状に形成しているが、これらの赤色蛍光
体８、緑色蛍光体９および青色蛍光体１０は、蛍光面７
の水平走査方向と直交する方向に分割して形成してもよ
く、さらには、赤色蛍光体８、緑色蛍光体９および青色
蛍光体１０をストライプ状に形成しないで、水平走査方
向と直交する方向に１画素分の長さを有する島状に形成
してもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、蛍光体が励起子ボーア半径の４倍以下の直径を有す
る結晶の微粒子からなることにより、高輝度、高解像
度、低消費電力、小型、軽量の表示装置を実現すること
ができる。
ば、蛍光体が励起子ボーア半径の４倍以下の直径を有す
る結晶の微粒子からなることにより、高輝度、高解像
度、低消費電力、小型、軽量の表示装置を実現すること
ができる。
【図１】ＺｎＳのバンドギャップエネルギーの結晶サイ
ズ依存性を示す略線図である。
ズ依存性を示す略線図である。
【図２】ＣｄＳｅ量子ドットを示す断面図およびエネル
ギーバンド図である。
ギーバンド図である。
【図３】室温で測定されたフォトルミネッセンススペク
トルおよび励起スペクトルを示す略線図である。
トルおよび励起スペクトルを示す略線図である。
【図４】ＺｎＳｅ量子ドットのフォトルミネッセンス強
度を紫外線照射時間の関数として表した略線図である。
度を紫外線照射時間の関数として表した略線図である。
【図５】この発明の一実施形態によるカラー表示装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】この発明の一実施形態によるカラー表示装置に
おける蛍光面の詳細構造を示す斜視図である。
おける蛍光面の詳細構造を示す斜視図である。
【図７】この発明の一実施形態によるカラー表示装置の
製造方法を説明するための断面図である。
製造方法を説明するための断面図である。
【図８】この発明の一実施形態によるカラー表示装置の
製造方法を説明するための断面図である。
製造方法を説明するための断面図である。
【図９】この発明の一実施形態によるカラー表示装置の
製造方法を説明するための断面図である。
製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】この発明の一実施形態によるカラー表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
１・・・ＧａＮ系レーザーダイオード、２・・・レーザ
ー光、４・・・集光レンズ、５・・・音響光学偏向器、
６・・・ガルバノミラー、８・・・赤色蛍光体、９・・
・緑色蛍光体、１０・・・青色蛍光体、１１・・・透明
基板、１２・・・溝、１３・・・紫外線遮断フィルター
ー光、４・・・集光レンズ、５・・・音響光学偏向器、
６・・・ガルバノミラー、８・・・赤色蛍光体、９・・
・緑色蛍光体、１０・・・青色蛍光体、１１・・・透明
基板、１２・・・溝、１３・・・紫外線遮断フィルター
Claims (11)
- 【請求項１】 励起子ボーア半径の４倍以下の直径を有
する結晶の微粒子からなる蛍光体を配置した蛍光面を有
し、 上記蛍光面を紫外線で走査しながら励起するようにした
ことを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 上記蛍光体が励起子ボーア半径の２倍以
下の直径を有する結晶の微粒子からなることを特徴とす
る請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 上記紫外線を上記蛍光面上に集光するた
めの集光レンズを有し、上記紫外線の走査方向における
上記蛍光体の幅が、１０μｍ以下で、１．２２λ／ＮＡ
（ただし、λは上記紫外線の波長（μｍ）、ＮＡは上記
集光レンズの開口数）以上であることを特徴とする請求
項１記載の表示装置。 - 【請求項４】 上記蛍光面に上記蛍光体が上記紫外線の
走査方向と交差する方向に延在するストライプ状に形成
されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項５】 上記蛍光面に上記蛍光体が上記紫外線の
走査方向と直交する方向に延在するストライプ状に形成
されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項６】 上記蛍光面に上記蛍光体が上記紫外線の
走査方向および上記紫外線の走査方向と交差する方向に
二次元アレイ状に形成されていることを特徴とする請求
項１記載の表示装置。 - 【請求項７】 上記蛍光体は上記蛍光面の赤色発光部、
緑色発光部および青色発光部にそれぞれ設けられた赤色
蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体からなり、これら
の赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体を横断する
ように上記蛍光面を上記紫外線で走査しながらこれらの
赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体を励起してそ
れぞれ赤色、緑色および青色を発光するように構成され
ていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項８】 上記赤色蛍光体および上記緑色蛍光体を
構成する上記微粒子はＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ（ただし、０
＜ｘ≦１）からなり、上記青色蛍光体を構成する上記微
粒子結晶はＺｎＳｅからなることを特徴とする請求項７
記載の表示装置。 - 【請求項９】 上記微粒子の表面のダングリングボンド
がターミネイトされていることを特徴とする請求項１記
載の照明装置。 - 【請求項１０】 上記微粒子が量子井戸構造を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の照明装置。 - 【請求項１１】 上記紫外線の光源として窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子を有することを
特徴とする請求項１記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21582298A JP2000049380A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21582298A JP2000049380A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049380A true JP2000049380A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16678841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21582298A Pending JP2000049380A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049380A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006313902A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光素子 |
| JP2007274009A (ja) * | 2000-09-21 | 2007-10-18 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびそれを用いた発光表示装置 |
| JP2009152115A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Sharp Corp | 照明装置 |
| WO2009107535A1 (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 株式会社東芝 | 白色ｌｅｄランプ、バックライト、発光装置、表示装置および照明装置 |
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| US9467668B2 (en) | 2007-06-27 | 2016-10-11 | Prysm, Inc. | Feedback control of display systems with light-emitting screens having excitation light source and phosphor layer |
| US9525850B2 (en) | 2007-03-20 | 2016-12-20 | Prysm, Inc. | Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems |
-
1998
- 1998-07-30 JP JP21582298A patent/JP2000049380A/ja active Pending
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