JP2000032769A - インバータ装置 - Google Patents
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Abstract
大な短絡電流が流れるのを防止したインバータ装置を提
供する。 【解決手段】異常検出回路11が異常状態を検出して動
作した際に第1の駆動回路3によって第1のスイッチン
グ素子Q1のオン状態が所定時間以上継続した場合に第
1のスイッチング素子Q1を強制的にオフさせる強制オ
フ駆動回路6を備える。第1の駆動回路3から出力され
る駆動信号S8がHレベルのままでインバータ装置が停
止状態になってしまった場合、強制オフ駆動回路6によ
り第1のスイッチング素子Q1が強制的にオフされる。
その結果、同時オンによって第1及び第2のスイッチン
グ素子Q1,Q2に過大な電流が流れることがなく、第
1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の性能劣化や
破損などの不具合の発生を防いで信頼性の高いインバー
タ装置の提供が可能となる。
Description
電力に変換して負荷に供給するインバータ装置に関する
ものである。
す回路図である。図示しない直流電源にN型のMOSF
ETから成る第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q
2が直列的に接続されている。すなわち、第1のスイッ
チング素子Q1のドレイン端子が直流電源の高電位側に
接続され、第1のスイッチング素子Q1のソース端子と
第2のスイッチング素子Q2のドレイン端子が出力端子
Toに共通接続されるとともに第2のスイッチング素子
Q2のソース端子がグランドに接続されてインバータ部
1が構成される。そして、直流電源の直流電圧Vdcがイ
ンバータ部1に印加され、インバータ制御部2’によっ
て第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2を交互に
繰り返しオンオフすることにより、出力端子To−グラ
ンド間に接続される負荷(図示せず)に高周波電力が供
給される。
ング素子Q1をオンオフ駆動する第1の駆動回路3と、
第2のスイッチング素子Q2をオンオフ駆動する第2の
駆動回路4と、第1及び第2の駆動回路4に対して各々
第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2をオンオフ
駆動させるための制御信号を送出する制御信号送出回路
10と、異常状態を検出して第1及び第2の駆動回路4
を介して第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2を
オフ状態にする異常検出回路11とを具備する。
すような一定周期の矩形波パルスから成る信号S1を出
力するものであり、その出力端子がANDゲートG1の
一方の入力端に接続されるとともに、インバータINV
1を介してもう一つのANDゲートG2の一方の入力端
に接続されている。各ANDゲートG1,G2の他方の
入力端には異常検出回路11の出力端がそれぞれ接続さ
れている。この異常検出回路11は図6(b)に示すよ
うに正常時にはHレベルとなり、無負荷等の異常発生時
にLレベルとなる異常検知信号S2を出力するものであ
る。そして、ANDゲートG2の出力端がバッファ回路
から成る第2の駆動回路4の入力端に接続され、第2の
駆動回路4の出力端が抵抗R4を介して第2のスイッチ
ング素子Q2のゲート端子に接続されている。また、図
6(c)に示すようにANDゲートG1の出力端から第
1の駆動回路3に対して制御信号S3が出力される。
0からの制御信号S3に応じてオンパルス信号S4を生
成し送出するオンパルス送出回路12と、制御信号S3
に応じてオフパルス信号S5を生成し送出するオフパル
ス送出回路13と、オンパルス信号S4及びオフパルス
信号S5の電位を第1のスイッチング素子Q1への信号
電位に変換するレベルシフト回路14と、このレベルシ
フト回路14により電位変換されたオンパルス信号S6
及びオフパルス信号S7により第1のスイッチング素子
Q1をオンオフ駆動するための駆動信号S8を生成する
フリップフロップ回路FFと、このフリップフロップ回
路FFの出力端と第1のスイッチング素子Q1のゲート
端子の間に挿入されるバッファ回路Bとを具備する。
示すように制御信号S3の立ち上がりに同期し且つ制御
信号S3よりもパルス幅の短い矩形波信号(オンパルス
信号)S4を生成して出力する。またオフパルス送出回
路13は、図6(e)に示すように制御信号S3の立ち
下がりに同期し且つ制御信号S3よりもパルス幅の短い
矩形波信号(オフパルス信号)S5を生成して出力す
る。
プ回路FFやバッファ回路Bの動作用の制御電圧HVcc
とグランドの間に抵抗R1とN型のMOSFETQ3の
直列回路及び抵抗R2とN型のMOSFETQ4の直列
回路が互いに並列に接続され、MOSFETQ3のドレ
イン端子と抵抗R1の接続点がフリップフロップ回路F
Fのセット端子NS(「N」は否定を表す。以下同じ)
に接続されるとともにMOSFETQ4のドレイン端子
と抵抗R2の接続点がフリップフロップ回路FFのリセ
ット端子NRに接続されて成り、MOSFETQ3のゲ
ート端子にオンパルス信号S4が入力されるとともにM
OSFETQ4のゲート端子にオフパルス信号S5が入
力される。而して、オンパルス信号S4がLレベルのと
きにMOSFETQ3がオフ、Hレベルのときにオンと
なるので、フリップフロップ回路FFのセット端子NS
には図6(f)に示すようなオンパルス信号S4を反転
させたパルス信号S6が入力される。同様にオフパルス
信号S5がLレベルのときにMOSFETQ4がオフ、
Hレベルのときにオンとなるので、フリップフロップ回
路FFのリセット端子NRには図6(g)に示すような
オフパルス信号S5を反転させたパルス信号S7が入力
される。
出力端子Qからは、図6(h)に示すようにパルス信号
S6の立下りに同期してHレベルとなり、パルス信号S
7の立下りに同期してLレベルとなるパルス信号(駆動
信号)S8が出力される。フリップフロップ回路FFの
出力端子Qにはバッファ回路Bが接続されており、駆動
信号S8がバッファ回路Bにて増幅されて(電流供給能
力が増大されて)第1のスイッチング素子Q1のゲート
端子に供給され、図6(i)に示すような駆動信号S
8’がHレベルのときに第1のスイッチング素子Q1が
オン、Lレベルのときにオフとなる。
示すように制御信号S1を反転させた信号S9が出力さ
れる。この信号S9がバッファ回路から成る第2の駆動
回路4に入力され、抵抗R4を介して第2のスイッチン
グ素子Q2のゲート端子に上記信号S9を増幅した(電
流供給能力を増大した)信号(駆動信号)S10が供給
され、駆動信号S10がHレベルのときに第2のスイッ
チング素子Q2がオン、Lレベルのときにオフとなる。
置に何らかの異常が生じたときにそれを検出してインバ
ータ装置の動作を停止させる機能を有するものであり、
上述のように正常時にHレベルである検出信号S2が異
常検出時にLレベルとなる。したがって、何らかの異常
が生じて異常検出回路11の検出信号S2がLレベルに
なると、ANDゲートG1,G2から出力される制御信
号S3,S9がともにLレベルとなり、第1の駆動回路
3においてはフリップフロップ回路FFがリセットされ
て駆動信号S8’がLレベルとなるために第1のスイッ
チング素子Q1がオフし、第2の駆動回路4においても
駆動信号S10がLレベルとなるために第2のスイッチ
ング素子Q2がオフしてインバータ装置の動作が停止す
る。これにより、異常発生時にインバータ装置の動作が
継続することによる種種の不具合が生じるのを防ぐこと
ができる。また、上述した第1及び第2の駆動回路3,
4は容易に集積化(IC化)が可能であって、それゆえ
に小型且つ回路構成の簡単なインバータ装置が実現でき
るものである。
おいては、以下に述べるような問題点がある。
が、フリップフロップ回路FFのセット端子NSに入力
されるオンパルス信号S6がLレベルに立下って第1の
スイッチング素子Q1がオンになった瞬間と重なった場
合、オフパルス送出回路13からオフパルス信号S5が
送出されず、結果的にフリップフロップ回路FFのリセ
ット端子NRに入力されるオフパルス信号S7がLレベ
ルに下がらずに第1のスイッチング素子Q1がオン状態
のままでインバータ装置が停止してしまう場合がある。
フパルス送出回路13はそれぞれ制御信号S3の立ち上
がり及び立下りのエッジを検出して所定のパルス信号を
発生させるために遅延回路を備えている。この遅延回路
が正常に動作するためには、制御信号S3の立ち上がり
及び立下りのエッジを検出する前の状態がある程度の時
間は維持されている必要がある。
説明すると、図7に示すように制御信号S3が一方の入
力端子に入力されたNORゲートG3と、抵抗Rcとコ
ンデンサC1から成る遅延回路と、遅延回路により遅延
された制御信号S3’を反転してNORゲートG3の他
方の入力端に出力するインバータINV2とでオフパル
ス送出回路13が構成されている。図8(a)に示すよ
うに制御信号S3のHレベルの期間(パルス幅)tが上
記遅延回路の遅延時間(抵抗RcとコンデンサC1の値
から決まる時定数)よりも十分に長い場合には、同図
(b)に示すように制御信号S3を遅延した信号S3’
がHレベルにまで上昇するため、この信号S3’をイン
バータINV2で反転した信号S3”の立ち上がりを制
御信号S3の立下りよりも遅らせることができ(同図
(c)参照)、NORゲートG3の出力端からは同図
(d)に示すように上記遅延時間に応じたパルス幅を有
するオフパルス信号S5が得られるのである。
延回路の遅延時間に対して短くなると、図9(a)
(b)に示すように遅延した信号S3’がHレベルに達
する前に制御信号S3がHレベルからLレベルに変化し
てしまうため、同図(c)に示すようにインバータIN
V2の出力(信号S3”)がLレベルに変化せずにHレ
ベルのままに維持されてしまい、オフパルス信号S5、
すなわちフリップフロップ回路FFに対するリセット信
号NRが送出されないことになる。したがって、異常検
出回路11の検出信号S2がLレベルに変化してもフリ
ップフロップ回路FFの出力(駆動信号S8)がHレベ
ルのままとなり、第1のスイッチング素子Q1のオン状
態を保持したままでインバータ装置が停止してしまう。
なお、第1のスイッチング素子Q1のオン状態が保持さ
れる原因として上記理由以外にも、例えばレベルシフト
回路14における信号伝達遅延時間によってオフパルス
信号S7がフリップフロップ回路FFのリセット端子N
Rに入力されないことなどが考えられる。いずれにして
も、異常検出回路11の検出信号S2の変化するタイミ
ングによっては第1のスイッチング素子Q1のオン状態
が保持されたままインバータ装置が停止してしまう。
た後に異常状態が解消されて異常検出回路11の検出信
号S2が解除された場合(LレベルからHレベルに変化
した場合)、インバータ装置が復帰して第2のスイッチ
ング素子Q2のゲート端子にHレベルの駆動信号S10
が入力された瞬間に第1及び第2のスイッチング素子Q
1,Q2が両方ともに同時にオン状態になることがあ
り、インバータ部1が短絡して第1及び第2のスイッチ
ング素子Q1,Q2に直流電源電圧Vdcによる過大な電
流が流れるという問題が生じる。
て図10に示すような回路構成が提案されている。図1
0に示すように第1の駆動回路3の制御電圧HVccは通
常、第2のスイッチング素子Q2のオンオフ動作により
低電圧である制御電圧LVccからダイオードD1を介し
てコンデンサCbに充電電流を流すことで得ている。ゆ
えに、インバータ装置の停止時には第2のスイッチング
素子Q2がオフしており、コンデンサCbが充電されな
いために第1の駆動回路3のインピーダンス等を介して
コンデンサCbの充電電荷が放電され、制御電圧HVcc
が徐々に低下する。而して、この現象を利用して制御電
圧HVccが所定電圧以下に低下したら第1の駆動回路3
から第1のスイッチング素子Q1のゲート端子に出力さ
れる駆動信号S8を強制的にLレベルとする低電圧検出
回路(図示せず)を設けることにより、第1のスイッチ
ング素子Q1がオン状態のままでインバータ装置が再始
動されるのを防ぐようにしている。
けても、制御電圧HVccの低下に時間を要するため、低
電圧検出回路が動作する前にインバータ装置が再始動す
ると上述のような問題が発生してしまう。
あり、その目的とするところは、インバータ装置の動作
停止時に第1及び第2のスイッチング素子を必ずオフ状
態にすることで再始動時にインバータ部に過大な短絡電
流が流れるのを防止したインバータ装置を提供すること
にある。
目的を達成するために、直流電源に直列的に接続された
第1及び第2のスイッチング素子を具備し、第1及び第
2のスイッチング素子を交互に繰り返しオンオフさせる
ことで負荷に高周波電力を供給するインバータ部と、直
流電源の高電位側に一端が接続された第1のスイッチン
グ素子をオンオフ駆動する第1の駆動回路、直流電源の
低電位側に一端が接続された第2のスイッチング素子を
オンオフ駆動する第2の駆動回路、第1及び第2の駆動
回路に対して各々第1及び第2のスイッチング素子をオ
ンオフ駆動させるための制御信号を送出する制御信号送
出回路、異常状態を検出して第1及び第2の駆動回路を
介して第1及び第2のスイッチング素子をオフ状態にす
る異常検出回路を具備するインバータ制御部と、異常検
出回路が異常状態を検出して動作した際に第1の駆動回
路によって第1のスイッチング素子のオン状態が所定時
間以上継続した場合に第1のスイッチング素子を強制的
にオフさせる制御手段とを備えたことを特徴とし、イン
バータ装置の動作停止時に第1のスイッチング素子のオ
ン状態が継続しても制御手段によって強制的にオフさ
せ、再始動時に第1及び第2のスイッチング素子が両方
ともにオフ状態となってインバータ部が短絡することが
なく、インバータ部に過大な短絡電流が流れるのを防い
で信頼性の高いインバータ装置が得られる。
て、前記制御手段が、第1の駆動回路への電源供給を遮
断することにより第1のスイッチング素子を強制的にオ
フさせて成ることを特徴とし、請求項1の発明の望まし
い実施形態である。
て、前記制御手段が、第1の駆動回路へ給電される電圧
を、第1のスイッチング素子をオフするレベルに低下さ
せることにより第1のスイッチング素子を強制的にオフ
させて成ることを特徴とし、請求項1の発明の望ましい
実施形態である。
て、前記制御手段が、第1のスイッチング素子の駆動端
子電圧をオフ状態となるレベルまで低下させて成ること
を特徴とし、請求項1の発明の望ましい実施形態であ
る。
の発明において、前記第1の駆動回路が、制御信号送出
回路からの制御信号に応じてオンパルスを生成し送出す
るオンパルス送出回路と、前記制御信号に応じてオフパ
ルスを生成し送出するオフパルス送出回路と、オンパル
ス信号及びオフパルス信号の電位を第1のスイッチング
素子への信号電位に変換するレベルシフト回路と、この
レベルシフト回路により電位変換されたオンパルス信号
及びオフパルス信号により第1のスイッチング素子をオ
ンオフ駆動するための駆動信号を生成するフリップフロ
ップ回路と、このフリップフロップ回路の出力端と第1
のスイッチング素子の制御端子の間に挿入されるバッフ
ァ回路とを具備することを特徴とし、請求項1の発明の
望ましい実施形態である。
て、前記制御手段が、第1の駆動回路が具備するフリッ
プフロップ回路をリセットすることにより第1のスイッ
チング素子を強制的にオフさせて成ることを特徴とし、
請求項5の発明の望ましい実施形態である。
1を図1に示す。本実施形態のインバータ装置もインバ
ータ回路1とインバータ制御部2とを備えており、図5
に示した従来例と共通する構成には同一の符号を付して
説明を省略する。
の従来例における制御信号送出回路10、異常検出回路
11、ANDゲートG1,G2並びにインバータINV
1を具備するものであり、第1及び第2の駆動回路3,
4に対して各々制御信号S3,S9を出力するものであ
る。また、図10に示した従来例と同様に第1の駆動回
路3の制御電圧HVccは、第2のスイッチング素子Q2
のオンオフ動作により、駆動信号送出回路部5及び第2
の駆動回路4用の低電圧の制御電圧LVccからダイオー
ドD1を介してコンデンサCbを充電する充電電流によ
り得ている。
路11が異常状態を検出して動作した際に第1の駆動回
路3によって第1のスイッチング素子Q1のオン状態が
所定時間以上継続した場合に第1のスイッチング素子Q
1を強制的にオフさせる制御手段を備えた点にある。こ
の制御手段は、制御電源HVcc用のコンデンサCbに並
列接続されたN型のMOSFETQaと、第1の駆動回
路3の出力端とMOSFETQaのゲート端子との間に
互いに並列接続されたダイオードD2及び抵抗R5と、
MOSFETQaのゲート−ソース間に互いに並列接続
されたコンデンサC2及び抵抗R6とを具備する強制オ
フ駆動回路6から構成される。
態の動作について説明する。まず、インバータ装置が正
常に動作しているときには、第1の駆動回路3から数1
0kHzの周波数の駆動信号S8が送出されて第1のス
イッチング素子Q1がオンオフ駆動されている。ここ
で、MOSFETQaのゲート端子に接続されている抵
抗R5,R6、コンデンサC2並びにダイオードD2か
ら成る回路の時定数が、駆動信号S8の周期に対して十
分に大きい値に設定されているので、正常動作時にはコ
ンデンサC2の両端電圧がMOSFETQaをターンオ
ンさせるに足るだけの電圧まで上昇することがなく、よ
ってMOSFETQaはオフ状態に維持される。
じ、異常検出回路11のはたらきによってインバータ装
置が停止状態になると、本来ならば第1及び第2の駆動
回路3,4から出力される駆動信号S8,S10がLレ
ベルとなり、第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q
2が両方ともにオフ状態となる。ところが従来例で述べ
たように異常検出回路11の検出信号S2がHレベルか
らLレベルに変化するタイミングによっては第1の駆動
回路3から出力される駆動信号S8がHレベルのままで
インバータ装置が停止状態になってしまう場合がある。
このとき、強制オフ駆動回路6においては抵抗R5を介
してコンデンサC2に徐々に充電電流が流れてコンデン
サC2の両端電圧がMOSFETQaをターンオンさせ
るに必要な電圧まで上昇することになる。
SFETQaがターンオンすると、制御電圧HVccを得
ているコンデンサCbの充電電荷がMOSFETQaを
介して放電されてしまうため、制御電圧HVccがほぼ0
Vになる。これによって第1の駆動回路3から出力され
る駆動信号S8もほぼ0Vとなり、第1のスイッチング
素子Q1のゲート電圧もほぼ0Vとなって、強制オフ駆
動回路6によって第1のスイッチング素子Q1が強制的
にオフされることになる。このときには第2のスイッチ
ング素子Q2が既にオフとなっているので、インバータ
装置は第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2が両
方ともにオフ状態で停止することになる。
ンバータ装置が再度動作を開始し、第2のスイッチング
素子Q2のゲート端子にHレベルの駆動信号S10が入
力されたときにも第1のスイッチング素子Q1がオフ状
態であるため、第1及び第2のスイッチング素子Q1,
Q2の両方ともが同時にオンとなる、いわゆる同時オン
状態の発生を回避することができる。その結果、同時オ
ンによって第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2
に過大な電流が流れることがなく、過大な電流による第
1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の性能劣化や
破損などの不具合の発生を防いで信頼性の高いインバー
タ装置の提供が可能となる。なお、強制オフ駆動回路6
に抵抗R6を設けなくてもよく、またMOSFETQa
の代わりにバイポーラトランジスタを用いても同様の効
果を奏することができる。
明した低電圧検出回路を付加した場合にも、強制オフ駆
動回路6の抵抗R5,R6及びコンデンサC2の定数に
よって決まる時定数を適当に設定することにより、第1
のスイッチング素子Q1のオン状態が正常時の時間を超
えて継続した際に、より早く第1のスイッチング素子Q
1をオフ状態に移行させることができ、これによって第
1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の同時オンの
発生をさらに確実に防ぐことができる。
フ駆動回路6とその周辺部分の回路図を図2に示す。な
お、図示していない部分の回路構成は実施形態1と共通
であるから説明は省略する。
OSFETQaのドレイン端子を第1の駆動回路3の出
力端に接続するとともにソース端子を第1のスイッチン
グ素子Q1のソース端子(出力端子To)に接続し、M
OSFETQaのドレイン−ゲート間に抵抗R5、ゲー
ト−ソース間に抵抗R6とコンデンサC2の並列回路を
それぞれ接続してある。なお、抵抗R5,R6とコンデ
ンサC2の時定数を第1の駆動回路3の駆動信号S8の
周期よりも十分に長く設定してある。
停止した場合には、実施形態1の強制オフ駆動回路6と
同様にコンデンサC2の両端電圧が上昇してMOSFE
TQaがターンオンすることにより、第1のスイッチン
グ素子Q1のゲート−ソース間がMOSFETQaを介
して短絡される。これによって第1のスイッチング素子
Q1を強制的にオフすることができ、インバータ装置の
再動作時における第1及び第2のスイッチング素子Q
1,Q2の同時オンを防止することができる。
デンサC2の充電電荷が抵抗R5,R6を介してMOS
FETQa自身で放電されるため、抵抗R5,R6並び
にコンデンサC2の時定数を可能な限り大きく設定して
おくことが望ましい。
フ駆動回路6とその周辺部分の回路図を図3に示す。な
お、図示していない部分の回路構成は実施形態1と共通
であるから説明は省略する。
SFETQaによって第1の駆動回路3が具備するフリ
ップフロップ回路FFのリセット端子NRを短絡して強
制的にLレベルに落とすようにしたものであり、リセッ
ト端子NRをLレベルにすることでフリップフロップ回
路FFがリセットされて出力(駆動信号)S8がLレベ
ルとなって第1のスイッチング素子Q1が強制的にオフ
となる。なお、実施形態1及び2と同様に、抵抗R5,
R6とコンデンサC2の時定数を第1の駆動回路3の駆
動信号S8の周期よりも十分に長く設定してある。
バータ装置が何らかの異常で停止した場合には強制オフ
駆動回路6によって第1のスイッチング素子Q1を強制
的にオフすることができ、インバータ装置の再動作時に
おける第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の同
時オンを防止することができる。
フ駆動回路6とその周辺部分の回路図を図4に示す。な
お、図示していない部分の回路構成は実施形態1と共通
であるから説明は省略する。
デンサCbに抵抗R7を介して並列接続されたMOSF
ETQaと、第1の駆動回路3の出力端とMOSFET
Qaのゲート端子との間に接続された抵抗R5,R6の
直列回路と、MOSFETQaのゲート−ソース間に接
続されたコンデンサC2と、一方の入力端がMOSFE
TQaのドレイン端子に接続されるとともに他方の入力
端がフリップフロップ回路FFの出力端に接続され且つ
出力端がバッファ回路Bの入力端に接続されたANDゲ
ートG4とを具備する。なお、抵抗R5,R6とコンデ
ンサC2の時定数はバッファ回路Bから出力される駆動
信号S8’の周期よりも十分に長く設定してある。
いるときには、MOSFETQaのゲート端子に接続さ
れている抵抗R5,R6、コンデンサC2から成る回路
の時定数が駆動信号S8’の周期に対して十分に大きい
値に設定されているので、コンデンサC2の両端電圧が
MOSFETQaをターンオンさせるに足るだけの電圧
まで上昇することがなく、よってMOSFETQaはオ
フ状態に維持される。よって、ANDゲートG4の一方
の入力端には常時Hレベルの信号が入力されるため、A
NDゲートG4の出力はもう一方の入力端に入力される
駆動信号S8(フリップフロップ回路FFの出力)と同
一の信号となる。
検出回路11の検出信号S2がHレベルからLレベルに
変化するタイミングによって第1の駆動回路3から出力
される駆動信号S8がHレベルのままでインバータ装置
が停止状態になってしまった場合、コンデンサC2の両
端電圧がMOSFETQaをターンオンさせるに必要な
電圧まで上昇する。そしてMOSFETQaがターンオ
ンすると、ANDゲートG4の一方の入力端がLレベル
に落とされるので、フリップフロップ回路FFの出力信
号S8にかかわらず、ANDゲートG4の出力が常時L
レベルとなる。これによってバッファ回路Bから出力さ
れる駆動信号S8’も強制的にLレベルとなるので、強
制オフ駆動回路6によって第1のスイッチング素子Q1
が強制的にオフされることになる。このときには第2の
スイッチング素子Q2が既にオフとなっているので、イ
ンバータ装置は第1及び第2のスイッチング素子Q1,
Q2が両方ともにオフ状態で停止する。
停止した場合にMOSFETQaをターンオンすること
でバッファ回路Bに入力される駆動信号S8を強制的に
Lレベルとし、これによって第1のスイッチング素子Q
1を強制的にオフすることができ、インバータ装置の再
動作時における第1及び第2のスイッチング素子Q1,
Q2の同時オンを防止することができる。
デンサC2の充電電荷が抵抗R5,R6を介して放電さ
れるため、抵抗R5,R6並びにコンデンサC2の時定
数を可能な限り大きく設定しておくことが望ましい。
的に接続された第1及び第2のスイッチング素子を具備
し、第1及び第2のスイッチング素子を交互に繰り返し
オンオフさせることで負荷に高周波電力を供給するイン
バータ部と、直流電源の高電位側に一端が接続された第
1のスイッチング素子をオンオフ駆動する第1の駆動回
路、直流電源の低電位側に一端が接続された第2のスイ
ッチング素子をオンオフ駆動する第2の駆動回路、第1
及び第2の駆動回路に対して各々第1及び第2のスイッ
チング素子をオンオフ駆動させるための制御信号を送出
する制御信号送出回路、異常状態を検出して第1及び第
2の駆動回路を介して第1及び第2のスイッチング素子
をオフ状態にする異常検出回路を具備するインバータ制
御部と、異常検出回路が異常状態を検出して動作した際
に第1の駆動回路によって第1のスイッチング素子のオ
ン状態が所定時間以上継続した場合に第1のスイッチン
グ素子を強制的にオフさせる制御手段とを備えたので、
インバータ装置の動作停止時に第1のスイッチング素子
のオン状態が継続しても制御手段によって強制的にオフ
させ、再始動時に第1及び第2のスイッチング素子が両
方ともにオフ状態となってインバータ部が短絡すること
がなく、インバータ部に過大な短絡電流が流れるのを防
いで信頼性の高いインバータ装置が得られるという効果
がある。
である。
る。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 直流電源に直列的に接続された第1及び
第2のスイッチング素子を具備し、第1及び第2のスイ
ッチング素子を交互に繰り返しオンオフさせることで負
荷に高周波電力を供給するインバータ部と、直流電源の
高電位側に一端が接続された第1のスイッチング素子を
オンオフ駆動する第1の駆動回路、直流電源の低電位側
に一端が接続された第2のスイッチング素子をオンオフ
駆動する第2の駆動回路、第1及び第2の駆動回路に対
して各々第1及び第2のスイッチング素子をオンオフ駆
動させるための制御信号を送出する制御信号送出回路、
異常状態を検出して第1及び第2の駆動回路を介して第
1及び第2のスイッチング素子をオフ状態にする異常検
出回路を具備するインバータ制御部と、異常検出回路が
異常状態を検出して動作した際に第1の駆動回路によっ
て第1のスイッチング素子のオン状態が所定時間以上継
続した場合に第1のスイッチング素子を強制的にオフさ
せる制御手段とを備えたことを特徴とするインバータ装
置。 - 【請求項2】 前記制御手段は、第1の駆動回路への電
源供給を遮断することにより第1のスイッチング素子を
強制的にオフさせて成ることを特徴とする請求項1記載
のインバータ装置。 - 【請求項3】 前記制御手段は、第1の駆動回路へ給電
される電圧を、第1のスイッチング素子をオフするレベ
ルに低下させることにより第1のスイッチング素子を強
制的にオフさせて成ることを特徴とする請求項1記載の
インバータ装置。 - 【請求項4】 前記制御手段は、第1のスイッチング素
子の駆動端子電圧をオフ状態となるレベルまで低下させ
て成ることを特徴とする請求項1記載のインバータ装
置。 - 【請求項5】 前記第1の駆動回路は、制御信号送出回
路からの制御信号に応じてオンパルスを生成し送出する
オンパルス送出回路と、前記制御信号に応じてオフパル
スを生成し送出するオフパルス送出回路と、オンパルス
信号及びオフパルス信号の電位を第1のスイッチング素
子への信号電位に変換するレベルシフト回路と、このレ
ベルシフト回路により電位変換されたオンパルス信号及
びオフパルス信号により第1のスイッチング素子をオン
オフ駆動するための駆動信号を生成するフリップフロッ
プ回路と、このフリップフロップ回路の出力端と第1の
スイッチング素子の制御端子の間に挿入されるバッファ
回路とを具備することを特徴とする請求項1〜4の何れ
かに記載のインバータ装置。 - 【請求項6】 前記制御手段は、第1の駆動回路が具備
するフリップフロップ回路をリセットすることにより第
1のスイッチング素子を強制的にオフさせて成ることを
特徴とする請求項5記載のインバータ装置。
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JP19471598A JP3678006B2 (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | インバータ装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0318277A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Matsushita Electric Works Ltd | インバータ装置 |
JPH08126195A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Canon Inc | 電力変換装置の保護装置および方法 |
JPH09308261A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
JPH10164860A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 電源装置、放電灯点灯装置および照明装置 |
-
1998
- 1998-07-09 JP JP19471598A patent/JP3678006B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH0318277A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Matsushita Electric Works Ltd | インバータ装置 |
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