JP2000021344A - Wafer holder - Google Patents
Wafer holderInfo
- Publication number
- JP2000021344A JP2000021344A JP10187585A JP18758598A JP2000021344A JP 2000021344 A JP2000021344 A JP 2000021344A JP 10187585 A JP10187585 A JP 10187585A JP 18758598 A JP18758598 A JP 18758598A JP 2000021344 A JP2000021344 A JP 2000021344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holding
- holder
- peripheral portion
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 32
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のウエ
ハを保持するウエハ保持装置にかかり、とくに、反りや
うねりのあるウエハを検査あるいは分析の際に一定の形
状に保つのに好適なウエハ保持装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer holding device for holding a wafer of a semiconductor device, and more particularly to a wafer holding device suitable for keeping a warped or undulating wafer in a predetermined shape during inspection or analysis. It concerns the device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８に示すように、複数の半導体チップ
１ａを形成したウエハ１の外観を荷電ビーム装置、たと
えば、電子ビーム方式のウエハ外観検査装置で検査する
場合、ウエハを配置する環境が真空であるため、真空チ
ャックを使用することができない。また、静電チャック
は、観測点に収束される電子ビームを乱すため使用する
ことができない。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 8, when the appearance of a wafer 1 on which a plurality of semiconductor chips 1a are formed is inspected by a charged beam apparatus, for example, an electron beam type wafer appearance inspection apparatus, the environment in which the wafer is arranged is limited. Due to the vacuum, a vacuum chuck cannot be used. Further, the electrostatic chuck cannot be used because it disturbs the electron beam focused on the observation point.
【０００３】このため、図９に示すように、ホルダ２上
に載置されたウエハ１をその周囲から押さえピン３で押
さえて、ウエハ１をホルダ２に固定する機構が採用され
ている。同図（ａ）に示すように、ウエハ１が平坦であ
る場合、テーパ状の押さえピン３でウエハ１を押さえる
ことによりウエハ１の浮き上がりを防止して、確実に固
定することができる。しかし、同図（ｂ）および（ｃ）
に示すように、ウエハ１に反りがある場合、ウエハ１の
中央部や周縁部に浮き上がりが発生する。For this reason, as shown in FIG. 9, a mechanism is employed in which a wafer 1 placed on a holder 2 is held down from around the wafer 1 by holding pins 3 and the wafer 1 is fixed to the holder 2. As shown in FIG. 2A, when the wafer 1 is flat, the wafer 1 is pressed down by the tapered holding pins 3 to prevent the wafer 1 from being lifted up and fixed securely. However, FIGS.
As shown in (1), when the wafer 1 is warped, the wafer 1 is lifted up at the center or the periphery thereof.
【０００４】ウエハには、ウエハに対する機械加工や熱
処理による内部応力が発生している。このため、ウエハ
自体に微小な反りやうねりが発生している。この反りや
うねりは一定せず、たとえば、図１０（ａ）に示すよう
に、ウエハ１は、樋状であったり、同図（ｂ）に示すよ
うに、蒲鉾状であったり、同図（ｃ）に示すように、鞍
状であったりする。そして、このようなウエハ１を固定
するため、その周囲から矢印のように力を加えると、そ
の反りやうねりは拡大される。[0004] Internal stress is generated in the wafer due to mechanical processing and heat treatment of the wafer. As a result, the wafer itself is slightly warped or undulated. The warpage and undulation are not constant. For example, as shown in FIG. 10A, the wafer 1 has a gutter shape, as shown in FIG. As shown in c), it may be saddle-shaped. Then, in order to fix such a wafer 1, when a force is applied from the periphery thereof as shown by an arrow, the warpage and undulation are enlarged.
【０００５】このようなウエハの外観を検査する装置と
して、たとえば、特開平５−２５８７０３号公報に開示
された、電子ビーム式のウエハ外観検査装置が提案され
ている。As an apparatus for inspecting the appearance of such a wafer, for example, an electron beam type wafer appearance inspection apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-258703 has been proposed.
【０００６】このウエハ外観検査装置は、図１１（ａ）
に示すように、引出電極５でソース６から引き出された
電子ビーム７を、レンズ８、９で、ステージ４上に移動
可能に支持されたホルダ２に保持されたウエハ１上に収
束して検査を行うように構成されている。FIG. 11A shows a wafer appearance inspection apparatus.
As shown in (1), the electron beam 7 extracted from the source 6 by the extraction electrode 5 is converged by the lenses 8 and 9 on the wafer 1 held on the holder 2 movably supported on the stage 4 for inspection. It is configured to perform.
【０００７】前記電子ビーム式のウエハ外観検査装置に
おいては、ウエハ１上に収束される電子ビーム７の収束
径の変動によりその検出結果のバラツキが大きくなるた
め、図１１（ｂ）に示すように、ウエハ１上の予め指定
された検査点１ｎについて、各検査点１ｎにおける電子
ビーム７の収束点の位置を計測して記憶しておき、それ
に基づいて各検査点１ｎごとに電子ビーム７の収束点の
位置を自動調整している。In the electron beam type wafer appearance inspection apparatus, since the variation in the detection result becomes large due to the variation of the convergence diameter of the electron beam 7 converged on the wafer 1, as shown in FIG. The position of the convergence point of the electron beam 7 at each inspection point 1n is measured and stored for the inspection point 1n specified in advance on the wafer 1, and the convergence of the electron beam 7 at each inspection point 1n is based on the measured value. The position of the point is automatically adjusted.
【０００８】このような電子ビーム式のウエハ外観検査
装置において、他の電子ビームの収束点の位置の補正手
段を備えたものとして、図１２に示す電子ビーム式のウ
エハ外観検査装置が提案されている。In such an electron beam type wafer appearance inspection apparatus, an electron beam type wafer appearance inspection apparatus shown in FIG. 12 has been proposed as having a means for correcting the position of a convergence point of another electron beam. I have.
【０００９】このウエハ外観検査装置は、図１１（ａ）
に示すウエハ外観検査装置に、照明光学系１０と検出器
１１を設けたもので、照明光学系１０からウエハ１の検
査点に照射されたレーザ光などの照明光を検出器１１で
検出しウエハ１の検査点の高さを検出し、その上方に基
づいて電子ビーム７の収束点の位置を補正するようにな
っている。This wafer appearance inspection apparatus is shown in FIG.
Is provided with an illumination optical system 10 and a detector 11, and the detector 11 detects illumination light such as laser light emitted from the illumination optical system 10 to an inspection point of the wafer 1, and the wafer The height of one inspection point is detected, and the position of the convergence point of the electron beam 7 is corrected based on the height of the inspection point.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】前記の各ウエハ外観検
査装置においては、事前に、あるいはリアルタイムで検
査点の高さを測定し、電子ビームの焦点位置を補正する
ことが必要であり、作業効率を低下させる原因になって
いる。また、後者の装置では、別途計測手段を配置しな
ければならないため、計測手段の配置スペースを確保す
るため、装置自体が大きくなるだけでなく、装置全体の
コストを上昇させることになる。In each of the above-described wafer appearance inspection apparatuses, it is necessary to measure the height of the inspection point in advance or in real time to correct the focal position of the electron beam. Is causing the decline. Further, in the latter device, since the measuring means must be separately arranged, the arrangement space for the measuring means is secured, so that not only the device itself becomes large, but also the cost of the entire device increases.
【００１１】上記の事情に鑑み、本発明の目的は、ウエ
ハの反りやうねりの状況に係らず、ウエハを常に一定の
状態に固定することができるウエハ保持装置を提供する
ことにある。In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a wafer holding device capable of always fixing a wafer in a fixed state irrespective of the state of warpage or undulation of the wafer.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本出願の請求項１に記載の発明は、ウエハの弾性変
形範囲より小さな凸状の面を持ち、ウエハを載置する構
造体と、前記構造体に載置されたウエハの周縁部を複数
の点もしくは環状の線で押さえる押さえ構造体とを設け
た。In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 of the present application provides a structure having a convex surface smaller than an elastic deformation range of a wafer and for mounting the wafer. And a holding structure for holding the peripheral portion of the wafer mounted on the structure with a plurality of points or annular lines.
【００１３】また、請求項２に記載の発明は、ウエハの
弾性変形範囲より小さな凸状の球面を持ち、ウエハを載
置する構造体と、前記構造体に載置されたウエハの周縁
部を複数の点もしくは環状の線で押さえる押さえ構造体
とを設けた。According to a second aspect of the present invention, a structure having a convex spherical surface smaller than the elastic deformation range of the wafer, on which the wafer is mounted, and a peripheral portion of the wafer mounted on the structure are provided. And a holding structure for holding with a plurality of points or annular lines.
【００１４】また、請求項３に記載の発明は、頭頂部が
球面に形成され、周辺部が円錐面に形成されたウエハの
弾性変形範囲より小さな凸状の面を持ち、ウエハを載置
する構造体と、前記構造体に載置されたウエハの周縁部
を複数の点もしくは環状の線で押さえる押さえ構造体と
を設けた。According to a third aspect of the present invention, the top of the head is formed into a spherical surface, and the peripheral portion has a convex surface smaller than the elastic deformation range of the wafer formed as a conical surface, and the wafer is placed thereon. A structure and a holding structure for holding the peripheral portion of the wafer mounted on the structure with a plurality of points or annular lines are provided.
【００１５】また、請求項４に記載の発明は、ウエハの
弾性変形範囲より小さな凸状の円筒面を持ち、ウエハを
載置する構造体と、前記構造体に載置されたウエハの周
縁部を複数の点で押さえる押さえ構造体とを設けた。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a structure having a convex cylindrical surface smaller than a range of elastic deformation of a wafer, on which the wafer is mounted, and a peripheral portion of the wafer mounted on the structure. And a holding structure for holding at a plurality of points.
【００１６】また、請求項５に記載の発明は、ウエハ載
置面が所定の間隔で立設された複数のピンで形成され、
各ピンの先端の包絡面が、ウエハの弾性変形範囲より小
さな凸状の円筒面もしくは球面を形成する構造体と、前
記構造体に載置されたウエハの周縁部を複数の点もしく
は環状の線で押さえる押さえ構造体とを設けた。According to a fifth aspect of the present invention, the wafer mounting surface is formed by a plurality of pins erected at predetermined intervals.
A structure in which the envelope surface at the tip of each pin forms a convex cylindrical surface or spherical surface smaller than the elastic deformation range of the wafer, and a plurality of points or annular lines defining the peripheral portion of the wafer mounted on the structure. And a holding structure to be held down by the pressing.
【００１７】さらに、請求項６に記載の発明は、ウエハ
を載置する面が弾性変形可能な幕体で形成され、この幕
体の下に流体室が形成された構造体と、前記流体室に流
体を供給する流体供給手段と、前記構造体に載置された
ウエハの周縁部を環状の線で押さえる押さえ構造体とを
設けた。Further, the invention according to claim 6 is a structure wherein the surface on which the wafer is mounted is formed of an elastically deformable curtain, and a fluid chamber is formed below the curtain, And a holding structure for holding the peripheral portion of the wafer mounted on the structure with an annular line.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１および図２は、本発明の第１
の実施の形態を示すもので、図１は、本発明によるウエ
ハ保持装置の分解、組立て斜視図、図２は、図１のウエ
ハ保持装置を用いた電子ビーム焦点調整方法を示す説明
図である。なお、図２においては、図示の都合上、ウエ
ハ１に対して電子ビーム７の照射位置が移動したように
表示してあるが、実際には、電子ビーム７の照射位置は
一定で、ウエハ１が移動する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 show a first embodiment of the present invention.
FIG. 1 is an exploded perspective view of a wafer holding device according to the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing an electron beam focus adjustment method using the wafer holding device of FIG. . In FIG. 2, the irradiation position of the electron beam 7 is displayed as being moved with respect to the wafer 1 for the sake of illustration. Moves.
【００１９】同図において、１はウエハ。２はホルダ
で、ウエハ１の載置面２ａは、ウエハ１の弾性変形範囲
内で突出する球面状に形成され、ウエハ１を載置する構
造体を構成している。なお、ホルダ２の表面には、同心
円状およびそれと交差する複数の溝２ｂが形成されてい
る。３は円周面がテーパ状に形成された押さえピンで、
ホルダ２に着脱可能に配置され、ウエハ１の周縁部を押
さえる構造体を構成している。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a wafer. Reference numeral 2 denotes a holder, and the mounting surface 2a of the wafer 1 is formed in a spherical shape protruding within the elastic deformation range of the wafer 1, and constitutes a structure on which the wafer 1 is mounted. Note that, on the surface of the holder 2, a plurality of grooves 2b that are concentric and intersect therewith are formed. Reference numeral 3 denotes a holding pin having a tapered circumferential surface.
It constitutes a structure that is detachably mounted on the holder 2 and holds down the peripheral edge of the wafer 1.
【００２０】４はステージで、ホルダ２を移動可能に支
持している。１２は送りモータで、ねじ送り機構（図示
せず）を介してホルダ２を移動させる。１３は送り系の
制御装置で、送りモータ１２を制御するとともに、送り
モータ１２の回転量からホルダ２の移動量を検出する。Reference numeral 4 denotes a stage which movably supports the holder 2. A feed motor 12 moves the holder 2 via a screw feed mechanism (not shown). A feed system controller 13 controls the feed motor 12 and detects the amount of movement of the holder 2 from the amount of rotation of the feed motor 12.
【００２１】７は電子ビーム。９はレンズ。１４はデフ
レクタで、レンズ９とともに電子ビーム７の焦点位置を
調整する。１５は光学系の制御装置で、ホルダ２の移動
量に合わせて、レンズ９およびデフレクタ１４を制御す
る。7 is an electron beam. 9 is a lens. Reference numeral 14 denotes a deflector for adjusting the focal position of the electron beam 7 together with the lens 9. An optical system controller 15 controls the lens 9 and the deflector 14 in accordance with the amount of movement of the holder 2.
【００２２】このような構成であるから、図１に示すよ
うに、ウエハ１の反りやうねりが鞍状であっても、ホル
ダ２に載置し押さえピン３で押さえることにより、ウエ
ハ１はホルダ２の球面に倣いその表面は球面となる。こ
のとき、ホルダ２とウエハ１の間に挾まれた空気は、溝
２ｂを通り速やかに排出される。With such a configuration, as shown in FIG. 1, even if the warp or undulation of the wafer 1 is saddle-shaped, the wafer 1 is placed on the holder 2 and pressed by the holding pins 3 so that the wafer 1 Following the second spherical surface, its surface becomes a spherical surface. At this time, the air trapped between the holder 2 and the wafer 1 is quickly discharged through the groove 2b.
【００２３】図２に示すように、電子ビーム７の照射位
置がウエハ１の中心位置からウエハ１の外周部に相対移
動すると、その移動量は、制御装置１３で検出され、制
御装置１５に送られる。制御装置１５は、電子ビーム７
の照射位置の移動量（ウエハ１の移動量）ｌと、ホルダ
２の球面の半径Ｒ、ウエハ１の厚さｔから、照射位置の
移動による電子ビーム７の収束点の位置の変動量ｚを数
１で算出して、その算出結果に基づいてレンズ９、デフ
レクタ１４を制御して、電子ビーム７の収束点の位置を
調整する。As shown in FIG. 2, when the irradiation position of the electron beam 7 is relatively moved from the center position of the wafer 1 to the outer peripheral portion of the wafer 1, the amount of movement is detected by the controller 13 and transmitted to the controller 15. Can be The control device 15 controls the electron beam 7
From the movement amount l of the irradiation position (movement amount of the wafer 1), the radius R of the spherical surface of the holder 2, and the thickness t of the wafer 1, the fluctuation amount z of the position of the convergence point of the electron beam 7 due to the movement of the irradiation position is determined. Equation 1 is used to adjust the position of the convergence point of the electron beam 7 by controlling the lens 9 and the deflector 14 based on the calculation result.
【００２４】[0024]
【数１】 (Equation 1)
【００２５】なお、ホルダ２の球面の半径Ｒと、突出高
さは、ウエハ１の弾性変形内で、ウエハ１に外力が作用
していないときの自然変形以上の変形を与えるように設
定する。The radius R and the protruding height of the spherical surface of the holder 2 are set so that the elastic deformation of the wafer 1 gives more deformation than natural deformation when no external force acts on the wafer 1.
【００２６】上記のように、様々な状態で変形している
ウエハを一定の形状にして保持することができるので、
電子ビーム式のウエハ外観検査装置などによる外観検査
や分析を行う際の電子ビームの収束点の位置の調整が容
易となり、作業性を向上させることができる。As described above, since a wafer deformed in various states can be held in a fixed shape,
It is easy to adjust the position of the convergence point of the electron beam when performing an appearance inspection or analysis by an electron beam type wafer appearance inspection device or the like, thereby improving workability.
【００２７】図３は、本発明の第２の実施の形態を示す
もので、本発明によるウエハ保持装置の分解、組立て斜
視図である。同図において、図１と同じものは、同じ符
号をつけて示してある。１６は押さえリングである。FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention and is an exploded perspective view of a wafer holding device according to the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. 16 is a holding ring.
【００２８】このような構成であるから、図３に示すよ
うに、ウエハ１の反りやうねりが鞍状であっても、ホル
ダ２に載置し、ウエハ１の外周部を押さえリング１６で
押さえることにより、ウエハ１はホルダ２の球面に倣い
その表面は球面となる。With such a configuration, as shown in FIG. 3, even if the wafer 1 is warped or undulated, the wafer 1 is placed on the holder 2 and the outer peripheral portion of the wafer 1 is pressed by the pressing ring 16. Thereby, the wafer 1 follows the spherical surface of the holder 2 and its surface becomes spherical.
【００２９】したがって、前記第１の実施の形態と同様
に、電子ビームの収束点の位置を補正することができ
る。Therefore, the position of the convergence point of the electron beam can be corrected as in the first embodiment.
【００３０】図４は、本発明の第３の実施の形態を示す
もので、ホルダのウエハの載置面の形状を示す側面図で
ある。同図において、ホルダのウエハの載置面２ａは、
その中心部に球面領域が形成され、外周部には円錐領域
が形成されている。FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention and is a side view showing a shape of a wafer mounting surface of a holder. In the figure, the wafer mounting surface 2a of the holder
A spherical region is formed at the center and a conical region is formed at the outer periphery.
【００３１】このような構成とすることにより、球面で
は中心から外周へ向かって電子ビームの収束点の位置の
変化率が大きくなる傾向があるが、円錐面はその変化率
が一定であるため、ウエハの直径が大きくなったとき、
電子ビームの収束点の位置の制御が容易になる。なお、
球面領域の広さは、適宜設定する。With this configuration, the rate of change of the position of the convergence point of the electron beam tends to increase from the center to the outer periphery of the spherical surface, but the rate of change of the conical surface is constant. When the diameter of the wafer increases,
Control of the position of the convergence point of the electron beam is facilitated. In addition,
The width of the spherical area is set as appropriate.
【００３２】図５は、本発明の第４の実施の形態を示す
もので、ホルダの形状を示す斜視図である。同図におい
て、図１と同じものおよび同等のものは、同じ符号をつ
けて示してある。FIG. 5 shows a fourth embodiment of the present invention and is a perspective view showing the shape of a holder. In the figure, the same and equivalent components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【００３３】この実施の形態においては、ホルダ２のウ
エハ１の載置面２ａが、円筒面に形成されている。この
ような構成としても、前記第１の実施の形態と同様に電
子ビームの収束点の位置を補正することができる。In this embodiment, the mounting surface 2a of the holder 2 for mounting the wafer 1 is formed in a cylindrical surface. Even with such a configuration, the position of the convergence point of the electron beam can be corrected as in the first embodiment.
【００３４】図６は、本発明の第５の実施の形態を示す
もので、ホルダの形状を示す斜視図である。同図におい
て、図１と同じものおよび同等のものは、同じ符号をつ
けて示してある。FIG. 6 shows a fifth embodiment of the present invention and is a perspective view showing the shape of a holder. In the figure, the same and equivalent components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【００３５】この実施の形態においては、ホルダ２は、
ベース２ｃとこのベース２ｃに立設された複数のピン２
ｄで構成され、ウエハ１を載置するピン２ｄの先端の包
絡面が、ウエハ１の弾性変形範囲より小さな凸状の円筒
面もしくは球面を形成している。In this embodiment, the holder 2
A base 2c and a plurality of pins 2 erected on the base 2c
d, the envelope surface at the tip of the pin 2 d on which the wafer 1 is placed forms a convex cylindrical surface or spherical surface smaller than the elastic deformation range of the wafer 1.
【００３６】このような構成とすることにより、たとえ
ば、ウエハ１に異物１７が付着していても、異物１７は
ピン２ｄ間に落下し、ピン２ｄとウエハ１の間に挾まれ
る確率を減少させ、異物１７によるウエハ１の変形を防
止することができる。したがって、異物に起因する誤検
出を防止することができる。By adopting such a structure, for example, even if the foreign matter 17 adheres to the wafer 1, the foreign matter 17 falls between the pins 2d and the probability of being caught between the pins 2d and the wafer 1 is reduced. Accordingly, deformation of the wafer 1 due to the foreign matter 17 can be prevented. Therefore, erroneous detection due to foreign matter can be prevented.
【００３７】図７は、本発明の第６の実施の形態を示す
もので、ウエハ保持装置の側面図である。同図におい
て、１８は気密ホルダ。１９はダイヤフラム膜で、気密
ホルダ１８に固定されている。２２は流体圧供給源で、
２１は圧力調整器およびバルブ２０はをかいして気密ホ
ルダ１８に接続されている。１６は押さえリングで、気
密ホルダ１８に着脱可能に支持されている。２３は真空
チャンバで、気密ホルダ１８を収納している。FIG. 7 shows a sixth embodiment of the present invention and is a side view of a wafer holding device. In the figure, 18 is an airtight holder. Reference numeral 19 denotes a diaphragm film, which is fixed to the airtight holder 18. 22 is a fluid pressure source,
21 is connected to the airtight holder 18 through the pressure regulator and the valve 20. A holding ring 16 is detachably supported on the airtight holder 18. Reference numeral 23 denotes a vacuum chamber which houses the airtight holder 18.
【００３８】このような構成で、ダイヤフラム膜１９上
にウエハ１を載置し、押さえリング１６を気密ホルダ１
８に固定して、押さえリング１６でウエハ１をダイヤフ
ラム膜１９に固定する。With such a configuration, the wafer 1 is placed on the diaphragm film 19 and the holding ring 16 is attached to the airtight holder 1.
8, and the wafer 1 is fixed to the diaphragm film 19 with the press ring 16.
【００３９】この状態で、バルブ２０を開き、流体圧供
給源２２から圧力調整機２１を通して所要の圧力に調整
された流体を気密ホルダ１８に供給する。すると、流体
の圧力により、ダイヤフラム膜１９が膨らみ、ウエハ１
を球面状に変形させる。In this state, the valve 20 is opened, and the fluid adjusted to the required pressure is supplied from the fluid pressure supply source 22 to the airtight holder 18 through the pressure regulator 21. Then, the diaphragm film 19 expands due to the pressure of the fluid, and the wafer 1
Is transformed into a spherical shape.
【００４０】このとき、ダイヤフラム１９およびウエハ
１の変形量は、気密ホルダ１８に供給される流体圧によ
って一義的に決定される。したがって、流体圧供給後、
その中央部の位置を計測することにより、他の検出点に
おける収束点を自動的に調整することができる。At this time, the amount of deformation of the diaphragm 19 and the wafer 1 is uniquely determined by the fluid pressure supplied to the airtight holder 18. Therefore, after supplying the fluid pressure,
By measuring the position of the center, the convergence point at another detection point can be automatically adjusted.
【００４１】なお、流体として、液体を使用する場合に
は、揮発性の高いものを用いると、万一、液体が真空チ
ャンバ２３内に漏れ出しても、真空チャンバ２３内を排
気することにより液を気化させて排出することができ、
処理が容易に行える。When a liquid is used as the fluid, if a highly volatile one is used, even if the liquid leaks into the vacuum chamber 23, the liquid is exhausted from the vacuum chamber 23. Can be vaporized and discharged,
Processing can be performed easily.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、静
電チャックや真空チャックを用いること無く、弾性変形
範囲内で様々な状態で変形しているウエハを、一定の形
状にして保持することができる。これにより、電子ビー
ム式のウエハ外観検査装置などによる外観検査や分析を
行う際の電子ビームの収束点の位置の調整が容易とな
り、作業性を向上させることができる。As described above, according to the present invention, a wafer deformed in various states within an elastic deformation range is held in a fixed shape without using an electrostatic chuck or a vacuum chuck. be able to. This facilitates adjustment of the position of the convergence point of the electron beam when performing an appearance inspection or analysis by an electron beam type wafer appearance inspection device or the like, and can improve workability.
【図１】本発明によるウエハ保持装置の分解、組立て斜
視図。FIG. 1 is an exploded perspective view of a wafer holding device according to the present invention.
【図２】図１のウエハ保持装置を用いた電子ビーム焦点
調整方法を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing an electron beam focus adjusting method using the wafer holding device of FIG. 1;
【図３】本発明によるウエハ保持装置の分解、組立て斜
視図。FIG. 3 is an exploded perspective view of the wafer holding device according to the present invention;
【図４】ホルダのウエハの載置面の形状を示す側面図。FIG. 4 is a side view showing a shape of a wafer mounting surface of a holder.
【図５】ホルダの形状を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing the shape of a holder.
【図６】ホルダの形状を示す斜視図。FIG. 6 is a perspective view showing the shape of a holder.
【図７】ウエハ保持装置の側面図。FIG. 7 is a side view of the wafer holding device.
【図８】ウエハの斜視図。FIG. 8 is a perspective view of a wafer.
【図９】ウエハの保持状態を示す側面図。FIG. 9 is a side view showing a holding state of a wafer.
【図１０】ウエハの変形状態を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing a deformed state of a wafer.
【図１１】（ａ）電子ビーム式のウエハ外観検査装置の
構成図、（ｂ）ウエハ上の検査点の分布を示す平面図。11A is a configuration diagram of an electron beam type wafer appearance inspection apparatus, and FIG. 11B is a plan view showing a distribution of inspection points on a wafer.
【図１２】電子ビーム式のウエハ外観検査装置の構成
図。FIG. 12 is a configuration diagram of an electron beam type wafer appearance inspection apparatus.
１…ウエハ、２…ホルダ、２ａ…載置面、２ｃ…ベー
ス、２ｄ…ピン、３…押さえピン、１６…押さえリン
グ、１８…気密ホルダ、１９…ダイヤフラム膜、２２…
流体圧供給源。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer, 2 ... Holder, 2a ... Mounting surface, 2c ... Base, 2d ... Pin, 3 ... Pressing pin, 16 ... Pressing ring, 18 ... Airtight holder, 19 ... Diaphragm film, 22 ...
Fluid pressure supply.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 麻紀 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 東 淳三 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 越柴 洋哉 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 水越 克郎 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 本郷 幹雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 宍戸 千絵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5C001 AA01 CC04 5F031 FF05 KK09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Maki Tanaka 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside of Hitachi, Ltd. Hitachi, Ltd., Production Technology Laboratory (72) Inventor Hiroya Koshiba 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Hitachi, Ltd. 292 Machio, Hitachi, Ltd.Production Technology Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Mikio Hongo 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama, Yokohama, Kanagawa Prefecture, Ltd.Production Technology Laboratory, Hitachi, Ltd. 292 Yoshida-cho, Ward F-term in Hitachi, Ltd. Production Engineering Laboratory 5C001 AA 01 CC04 5F031 FF05 KK09
Claims (6)
を持ち、ウエハを載置する構造体と、前記構造体に載置
されたウエハの周縁部を複数の点もしくは環状の線で押
さえる押さえ構造体とを設けたことを特徴とするウエハ
保持装置。1. A structure having a convex surface smaller than an elastic deformation range of a wafer, and a structure on which the wafer is mounted and a peripheral portion of the wafer mounted on the structure are pressed by a plurality of points or annular lines. A wafer holding device provided with a holding structure.
面を持ち、ウエハを載置する構造体と、前記構造体に載
置されたウエハの周縁部を複数の点もしくは環状の線で
押さえる押さえ構造体とを設けたことを特徴とするウエ
ハ保持装置。2. A structure having a convex spherical surface smaller than an elastic deformation range of a wafer, and a structure on which the wafer is mounted and a peripheral portion of the wafer mounted on the structure are pressed by a plurality of points or annular lines. A wafer holding device provided with a holding structure.
に形成されたウエハの弾性変形範囲より小さな凸状の面
を持ち、ウエハを載置する構造体と、前記構造体に載置
されたウエハの周縁部を複数の点もしくは環状の線で押
さえる押さえ構造体とを設けたことを特徴とするウエハ
保持装置。3. A structure for mounting a wafer, the head having a spherical surface, a peripheral portion having a convex surface smaller than an elastic deformation range of the wafer formed in a conical surface, and a structure on which the wafer is mounted. A holding structure for holding a peripheral portion of the placed wafer by a plurality of points or an annular line.
筒面を持ち、ウエハを載置する構造体と、前記構造体に
載置されたウエハの周縁部を複数の点で押さえる押さえ
構造体とを設けたことを特徴とするウエハ保持装置。4. A structure having a convex cylindrical surface smaller than a range of elastic deformation of a wafer, on which a wafer is mounted, and a holding structure for pressing a peripheral portion of the wafer mounted on the structure at a plurality of points. And a wafer holding device.
数のピンで形成され、各ピンの先端の包絡面が、ウエハ
の弾性変形範囲より小さな凸状の円筒面もしくは球面を
形成する構造体と、前記構造体に載置されたウエハの周
縁部を複数の点もしくは環状の線で押さえる押さえ構造
体とを設けたことを特徴とするウエハ保持装置。5. A wafer mounting surface is formed by a plurality of pins erected at predetermined intervals, and an envelope surface at a tip of each pin forms a convex cylindrical surface or a spherical surface smaller than an elastic deformation range of the wafer. A holding structure for holding a peripheral portion of a wafer mounted on the structure with a plurality of points or annular lines.
で形成され、この幕体の下に流体室が形成された構造体
と、前記流体室に流体を供給する流体供給手段と、前記
構造体に載置されたウエハの周縁部を環状の線で押さえ
る押さえ構造体とを設けたことを特徴とするウエハ保持
装置。6. A structure in which a surface on which a wafer is mounted is formed of an elastically deformable curtain, and a fluid chamber is formed below the curtain, and fluid supply means for supplying a fluid to the fluid chamber. A holding structure for holding a peripheral portion of the wafer mounted on the structure with an annular line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10187585A JP2000021344A (en) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | Wafer holder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10187585A JP2000021344A (en) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | Wafer holder |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021344A true JP2000021344A (en) | 2000-01-21 |
Family
ID=16208691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10187585A Pending JP2000021344A (en) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | Wafer holder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021344A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134725A (en) * | 2002-08-09 | 2004-04-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Semiconductor wafer holding fixture and manufacturing method for semiconductor element |
| JP2007264323A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Ricoh Co Ltd | Sample placing device, vacuum chamber device, electrostatic latent image forming apparatus, electrostatic latent image measuring instrument |
| JP2009238869A (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Ulvac Japan Ltd | Transport tray, and vacuum treatment device using the same |
-
1998
- 1998-07-02 JP JP10187585A patent/JP2000021344A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134725A (en) * | 2002-08-09 | 2004-04-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Semiconductor wafer holding fixture and manufacturing method for semiconductor element |
| JP2007264323A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Ricoh Co Ltd | Sample placing device, vacuum chamber device, electrostatic latent image forming apparatus, electrostatic latent image measuring instrument |
| JP2009238869A (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Ulvac Japan Ltd | Transport tray, and vacuum treatment device using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10770258B2 (en) | Method and system for edge-of-wafer inspection and review | |
| US20050214958A1 (en) | Electron beam apparatus, a device manufacturing method using the same apparatus, a pattern evaluation method, a device manufacturing method using the same method, and a resist pattern or processed wafer evaluation method | |
| JP5033310B2 (en) | Inspection device | |
| US7321108B2 (en) | Dynamic focusing method and apparatus | |
| US7326927B2 (en) | Focusing lens and charged particle beam device for titled landing angle operation | |
| KR101955870B1 (en) | Method and apparatus for inspection of scattered hot spot areas on a manufactured substrate | |
| US20060043293A1 (en) | Charged particle beam adjustment method and apparatus | |
| CN205247063U (en) | Visual system and technology cavity | |
| JP2011123998A (en) | Focused ion beam device and focused ion beam processing method | |
| KR101345619B1 (en) | Pattern recognition matching for bright field imaging of low contrast semiconductor devices | |
| US20090309043A1 (en) | Charged particle beam apparatus and sample holding system | |
| US6791095B2 (en) | Method and system of using a scanning electron microscope in semiconductor wafer inspection with Z-stage focus | |
| JP2003132833A (en) | Method for testing substrate | |
| JP2000021344A (en) | Wafer holder | |
| US8124940B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| US7122809B2 (en) | Charged beam writing method and writing tool | |
| JP7192117B2 (en) | Method of critical dimension measurement on substrates and apparatus for inspecting and cutting electronic devices on substrates | |
| US8809779B2 (en) | Method and system for heating substrate in vacuum environment and method and system for identifying defects on substrate | |
| JP2007012516A (en) | Charged particle beam apparatus and test piece information detection method using the same | |
| JPH0353439A (en) | Electron optical lens barrel | |
| JP3711244B2 (en) | Wafer inspection system | |
| JPH0543083B2 (en) | ||
| JP2002197972A (en) | Cathode position adjusting method for electron gun | |
| JP2004014207A5 (en) | ||
| JPH06134583A (en) | Ion beam machine |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |