JP2000019226A - Method and apparatus for cleaning of contact pin of probe device - Google Patents

Method and apparatus for cleaning of contact pin of probe device

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JP2000019226A
JP2000019226A JP10187818A JP18781898A JP2000019226A JP 2000019226 A JP2000019226 A JP 2000019226A JP 10187818 A JP10187818 A JP 10187818A JP 18781898 A JP18781898 A JP 18781898A JP 2000019226 A JP2000019226 A JP 2000019226A
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contact
contact pin
probe
lower edge
pin
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JP10187818A
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Japanese (ja)
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Naoki Kato
直樹 加藤
Isato Sasaki
勇人 佐々木
Takafumi Iwamoto
尚文 岩元
Hideaki Yoshida
秀昭 吉田
Toshinori Ishii
利昇 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for cleaning a contact pin, in which a foreign matter stuck to the tip of the contact pin can be removed surely, in which a contact part is hard to be shaved and chamfered and in which apparatus cost is not increased. SOLUTION: The contact-pin cleaning method is a method in which the lower edge part of every contact pin 3a at a probe device is cleaned. A polishing plate 7 in which a groove 8 into which the tip part of every contact pin 3a can be inserted is prepared in advance on its surface 7a is prepared. First, the lower edge 3b of every contact pin 3a at the probe device is brought into contact with the surface 7a of the polishing plate 7 at an angle of contact of smaller than 90 deg.. At least one out of the probe device and the polishing plate 7 is moved back and forth in a direction in which they are brought close to each other and in a direction in which they are separated from each other. Thereby, a part near the lower edge 3b of every contact pin 3a is brought into pressure contact with the upper edge 18 of the groove 8. A foreign body 16 which is stuck to the lower edge 3b or the part near it is scraped off.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、半導体ICチップや液晶
デバイス等の各端子に各コンタクトピンをそれぞれ接触
させて電気的なテストを行うプローブ装置(プローブカ
ード)の、各コンタクトピンをクリーニングする方法お
よびクリーニング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe device (probe) which is used as a probe pin, a socket pin, or the like, and performs an electrical test by contacting each contact pin with each terminal of a semiconductor IC chip, a liquid crystal device or the like. And a cleaning device for cleaning each contact pin of the card.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ又はLCD(液晶表示体)等の被検査物の
電気的なテストを行うために、被検査物の各端子に接触
する複数のコンタクトピン(プローブピン)を有するプ
ローブ装置が使用される。
2. Description of the Related Art Generally, in order to conduct an electrical test of an object to be inspected such as a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip or an LCD (liquid crystal display), a plurality of contacts which contact each terminal of the object to be inspected. A probe device having pins (probe pins) is used.

【0003】ところで、コンタクトピンの製造段階で、
一般に各コンタクトピンの先端部を研磨するので、その
研磨カスが前記先端部に付着し易く、また大気中の微小
な塵埃が付着することもある。したがって、プローブ装
置を出荷する際に先だって、各コンタクトピンの先端部
をクリーニングする必要がある。また、プローブ装置の
長期使用に際して、デバイスパッドの材料粉が削れて付
着し易い。このような場合、前記被検査物の電気的なテ
ストを行う際に、コンタクトピンと被検査物の端子との
接触不良が起こるので、定期的に、プローブ装置の各コ
ンタクトピンの先端部をクリーニングする必要がある。
なお、本明細書では、前記研磨カス、塵埃、材料粉、お
よび後述する酸化物等を総称して異物という。従来の代
表的なクリーニング方法としては、研磨板にコンタクト
ピンを接触させ、その後研磨板にプローブピンを圧接さ
せることにより、ピン先端部が研磨されて、ピン先端部
に付着していた異物を除去できるといったものである。
[0003] By the way, at the stage of manufacturing contact pins,
Generally, since the tip of each contact pin is polished, the polishing residue easily adheres to the tip, and fine dust in the air may adhere. Therefore, it is necessary to clean the tip of each contact pin before shipping the probe device. Further, when the probe device is used for a long time, the material powder of the device pad is easily scraped off and adhered. In such a case, when performing an electrical test of the inspection object, a contact failure between the contact pin and the terminal of the inspection object occurs. Therefore, the tip of each contact pin of the probe device is periodically cleaned. There is a need.
In the present specification, the polishing residue, dust, material powder, and oxides described later are collectively referred to as foreign matter. As a typical cleaning method in the past, a contact pin is brought into contact with a polishing plate, and then a probe pin is pressed into contact with the polishing plate, so that the tip of the pin is polished to remove foreign matter adhering to the tip of the pin. You can do it.

【0004】ここで、従来のウェーハプロービング装置
およびそのクリーニング方法について詳述する。図10
に示すように、ウェーハプロービング装置のカードステ
ージ100にプローブカード101が取り付けられてい
る。タングステン針からなるプローブピン103はプロ
ーブカード101に固定されている。ステージベース1
04の上にウェーハステージ105が固定されている。
ウェーハステージ105上に例えば半導体ウェーハ10
6が保持されている。半導体ウェーハ106上には例え
ば半田によるバンプ107が形成されている。カードス
テージ100を駆動装置108によって図中の上下方向
及び手前から奥の方向に移動される。
Here, a conventional wafer probing apparatus and its cleaning method will be described in detail. FIG.
As shown in FIG. 1, a probe card 101 is mounted on a card stage 100 of a wafer probing apparatus. The probe pin 103 made of a tungsten needle is fixed to the probe card 101. Stage base 1
On wafer 04, wafer stage 105 is fixed.
For example, the semiconductor wafer 10 is placed on the wafer stage 105.
6 are held. A bump 107 made of, for example, solder is formed on the semiconductor wafer 106. The card stage 100 is moved by the driving device 108 in the vertical direction in the figure and in the direction from the front to the back.

【0005】ウェーハ106の検査時に、ウェーハ10
6をウェーハステージ105とともの図中上方に移動さ
せる。バンプ107は点線107aの位置から実線10
7bに位置になり、プローブピン103はバンプ107
に押され符号103aの位置から符号3bの位置にな
る。このとき、バンプ107の硬さが柔らかいために、
プローブピン3bはバンプ107の中に押し込まれ、半
田粒(バンプ屑)は粒界から容易に剥されてプローブピ
ン103の先端に付着する。プローブピン103の先端
面にバンブ屑109(前記材料粉)が付着している。な
お、パッドがアルミニウムで、バンプが金である場合
も、上述したように、多数量のチップを検査すると、ア
ルミニウム屑や金屑などがバンプ屑109となりプロー
ブピン103の先端が汚れる。また、プローブピン10
3に電流が流れて発熱する結果、プローブピン103の
先端部に薄い酸化膜が形成される。つまり、Alパッド
やAuバンプに対して電気的、機械的に接触が不十分と
なり、検査が不可能となる。
When inspecting the wafer 106, the wafer 10
6 is moved upward together with the wafer stage 105 in the figure. The bump 107 is a solid line 10 from the position of the dotted line 107a.
7b, and the probe pin 103 is
From the position of reference numeral 103a to the position of reference numeral 3b. At this time, since the hardness of the bump 107 is soft,
The probe pins 3b are pushed into the bumps 107, and the solder particles (bump dust) are easily peeled off from the grain boundaries and adhere to the tips of the probe pins 103. Bump dust 109 (the material powder) is attached to the tip end surface of the probe pin 103. Even when the pad is made of aluminum and the bump is made of gold, as described above, when a large number of chips are inspected, aluminum chips and gold chips become bump chips 109 and the tips of the probe pins 103 become dirty. In addition, the probe pin 10
As a result, a thin oxide film is formed at the tip of the probe pin 103 as a result of the current flowing through the pin 3 and generating heat. That is, the electrical and mechanical contact with the Al pad and the Au bump becomes insufficient, and the inspection becomes impossible.

【0006】これを回避するため、図11に示すよう
に、ある数量のチップを検査する度にアルミナなどから
形成されるセラミック砥石10でプローブピン103先
端部を研磨して付着物や酸化物を除去するというクリー
ニングを行う。すなわち、図9に示したウェーハ106
を例えばアルミナセラミックで形成されたセラミック砥
石110に置き換え、セラミック砥石110とプローブ
ピン103とを接触させる。その後、セラミック砥石1
10をその接触した点線110aの位置とさらに上昇さ
せた実線110bの位置との間で図10中の上下方向に
移動させる。バンプ屑109がAl、Auの場合、プロ
ーブピン103の先端とセラミック砥石110との摩擦
によって付着物や酸化物が研磨されて除去される。この
ような技術は、例えば特願平10−92885号公報、
特開平5−175286号公報、および特願平7−23
1019号公報等に開示されている。
In order to avoid this, as shown in FIG. 11, every time a certain number of chips are inspected, the tips of the probe pins 103 are polished with a ceramic grindstone 10 made of alumina or the like to remove deposits and oxides. The cleaning of removing is performed. That is, the wafer 106 shown in FIG.
Is replaced with a ceramic grindstone 110 made of, for example, alumina ceramic, and the ceramic grindstone 110 and the probe pins 103 are brought into contact. After that, ceramic whetstone 1
10 is moved in the vertical direction in FIG. 10 between the position of the contacted dotted line 110a and the position of the solid line 110b further raised. When the bump dust 109 is made of Al or Au, deposits and oxides are polished and removed by friction between the tip of the probe pin 103 and the ceramic grindstone 110. Such a technology is disclosed in, for example, Japanese Patent Application No. 10-92885,
JP-A-5-175286 and Japanese Patent Application No. 7-23.
No. 1019 and the like.

【0007】このようなクリーニング方法は、先端面が
球状のプローブピンや先端が平面状のプローブピンにも
適用できる。また、他の従来技術として、図12に示す
ように、先端面103cが平面状となっているプローブ
ピン103をクリーニングするには、プローブピン10
3の先端面103cを砥石110に垂直に押圧し、ここ
で、砥石110あるいはプローブピン103を水平方向
に往復移動(矢印X方向参照)させることにより、前記
先端面103cに付着していた異物109を除去するこ
とができる。
Such a cleaning method can be applied to a probe pin having a spherical tip surface or a flat probe tip. As another conventional technique, as shown in FIG. 12, to clean a probe pin 103 having a flat distal end surface 103c, a probe pin 10 is used.
3 is pressed vertically against the grindstone 110, and the grindstone 110 or the probe pin 103 is reciprocated in the horizontal direction (see the arrow X direction) to thereby remove the foreign matter 109 attached to the tip surface 103c. Can be removed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記従来のクリーニン
グ方法は、タングステン針を用いたプローブピンのクリ
ーニングに適用したものであって、タングステン針は研
磨板とほぼ垂直に接触するので(すなわちその接触角度
はほぼ90゜)、プローブピンの先端面(コンタクト
面)のみが清浄化され、また、コンタクト面の面積が大
きくなることはなかった。
The above-mentioned conventional cleaning method is applied to cleaning of a probe pin using a tungsten needle, and the tungsten needle comes into almost perpendicular contact with the polishing plate (that is, the contact angle thereof). Was approximately 90 °), only the tip surface (contact surface) of the probe pin was cleaned, and the area of the contact surface did not increase.

【0009】しかしながら、図13(a)に示すよう
に、コンタクトピン103の傾斜角度が緩やかで、コン
タクトピン103の尖った下縁103d(コンタクト
部)を、被検査物(例えばバンプ)に90゜よりも小さ
な接触角度γで接触させて検査するプローブ装置に、上
述のクリーニング方法を適用すると、以下のような問題
点が生じる。すなわち、コンタトピン103は小さな接
触角度で研磨板110と接触するため、研磨前はコンタ
クト部103dが尖っているが、複数回の研磨後には、
図13(b)に示すように、前記コンタクト部103d
が面取り103eされて、コンタクト面の面積が大きく
なり、これにより、前記検査時において針圧が低下する
とともに、スクラブ時にコンタクト部103dが被測定
物上を滑って、良好なコンタクトを維持することができ
なくなるという問題点が生じる。なお、スクラブとは、
コンタトピン103を下降させてコンタクト部3dを被
検査物に接触させ、この状態でさらに下降させることに
より、前記コンタクト部3dにより被検査物の表面の酸
化膜を擦り取ることを言う。
However, as shown in FIG. 13A, the inclination angle of the contact pin 103 is gentle, and the sharp lower edge 103d (contact portion) of the contact pin 103 is attached to the inspection object (for example, a bump) by 90 °. If the above-described cleaning method is applied to a probe device that performs inspection by making contact with a smaller contact angle γ, the following problems occur. That is, since the contact pin 103 comes into contact with the polishing plate 110 at a small contact angle, the contact portion 103d is sharp before polishing, but after polishing a plurality of times,
As shown in FIG. 13B, the contact portion 103d
Is chamfered 103e to increase the area of the contact surface, thereby reducing the stylus pressure at the time of the inspection, and at the time of scrubbing, the contact portion 103d slides on the object to be measured to maintain a good contact. There is a problem that it becomes impossible. In addition, scrub is
By lowering the contact pin 103 to bring the contact portion 3d into contact with the object to be inspected, and further lowering the contact portion 3d in this state, the oxide film on the surface of the object to be inspected is scraped off by the contact portion 3d.

【0010】また、コンタクトピン103のピン先端部
に付着した異物109を除去しきれないといった問題が
あった。すなわち、コンタクトピン103は斜めの状態
で研磨板110に接触するので、コンタクト部103d
の後方に異物109a(図13(a)参照)が付着して
成長しやすく、この異物109aは研磨によって除去し
きれないという問題点もある。
Further, there is another problem that the foreign matter 109 attached to the tip of the contact pin 103 cannot be completely removed. That is, since the contact pin 103 contacts the polishing plate 110 in an oblique state, the contact portion 103d
There is also a problem that foreign matter 109a (see FIG. 13 (a)) adheres and grows easily behind, and the foreign matter 109a cannot be completely removed by polishing.

【0011】なお、特願平10−92885号公報に
は、加熱した研磨板とプローブピンの先端とを摩擦させ
ることにより、上記のような研磨作用に加え、プローブ
先端に付着していたバンプ屑を溶融して、研磨板の表面
に濡れて吸い取ることにより、クリーニング効果を一層
高めた技術が開示されている。しかしながら、この技術
は、研磨板を加熱するためにその装置コストが嵩む上
に、大掛りなものとなり、さらには、研磨板に付着した
金属の除去作業にも手間がかかる。
Japanese Patent Application No. Hei 10-92885 discloses that, in addition to the above-described polishing action, friction between a heated polishing plate and the tip of a probe pin causes bump debris adhering to the probe tip. There is disclosed a technique in which the cleaning effect is further enhanced by melting the surface of the polishing plate and absorbing the wet surface. However, this technique increases the cost of the apparatus for heating the polishing plate, increases the size of the apparatus, and takes time to remove the metal adhered to the polishing plate.

【0012】本発明は、上記従来技術の有する問題点に
鑑みてなされたものであり、コンタクトピンの先端に付
着している異物を確実に除去できる上に、コンタクト部
が面取りされにくくその面積が大きくならず、かつ装置
コストの嵩まない、コンタクトピンのクリーニング方法
およびクリーニング装置を提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the related art, and it is possible to reliably remove foreign substances adhering to the tip of a contact pin, and it is difficult to chamfer a contact portion, and the area of the contact portion is reduced. An object of the present invention is to provide a contact pin cleaning method and a cleaning device that do not increase in size and do not increase the device cost.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のコンタクトピンクリーニング方法は、コンタ
クトピンの尖った下縁を、被検査物に対して90゜より
も小さな接触角度で押圧して検査するためのコンタクト
プローブの、前記コンタクトピンの下縁部をクリーニン
グする方法であって、前記コンタクトピンの下縁部を、
90゜よりも小さな接触角度で研磨部材の溝の上縁に押
圧しつつ、前記コンタクトピンをそのほぼ軸方向に移動
させることを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, a contact pin cleaning method according to the present invention comprises pressing a sharp lower edge of a contact pin with a contact angle smaller than 90 ° against an object to be inspected. A method of cleaning the lower edge of the contact pin of the contact probe for inspection, wherein the lower edge of the contact pin,
The contact pin is moved substantially in the axial direction while pressing against the upper edge of the groove of the polishing member at a contact angle smaller than 90 °.

【0014】また、本発明の、プローブ装置のコンタク
トピンクリーニング方法は、複数のパターン配線がフィ
ルム上に形成されこれらのパターン配線の各先端が前記
フィルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされ
たコンタクトプローブを、マウンティングベースの傾斜
面に固定してなるプローブ装置の、前記コンタクトピン
の下縁部をクリーニングする方法であって、表面に、前
記コンタクトピンの下縁部を挿入可能な溝が形成された
研磨部材を用意し、先ず、前記プローブ装置の各コンタ
クトピンの下縁を90゜よりも小さな接触角度で前記研
磨部材の表面に接触させ、前記プローブ装置および前記
研磨部材の少なくとも一方を、これらが互いに近接する
方向および離間する方向に往復移動させることにより、
各コンタクトピンの下縁近傍を前記溝の上縁に圧接さ
せ、前記下縁近傍に付着していた異物を掻き落すことを
特徴とするものである。
Further, according to the contact pin cleaning method for a probe device of the present invention, a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of the pattern wirings are arranged so as to protrude from the film to form contact pins. A method of cleaning a lower edge of a contact pin of a probe device in which a probe is fixed to an inclined surface of a mounting base, wherein a groove is formed on a surface of the probe device so that the lower edge of the contact pin can be inserted. First, a lower edge of each contact pin of the probe device is brought into contact with the surface of the polishing member at a contact angle smaller than 90 °, and at least one of the probe device and the polishing member is By reciprocating in directions that approach and separate from each other,
The vicinity of the lower edge of each contact pin is brought into pressure contact with the upper edge of the groove to scrape off foreign matter adhering near the lower edge.

【0015】上記プローブ装置のコンタクトピンクリー
ニング方法を実施するための、本発明のクリーニング装
置は、前記プローブ装置を保持するプローブ保持手段
と、表面に、前記コンタクトピンの下縁部を挿入可能な
溝が形成された研磨部材と、前記研磨部材を前記プロー
ブ装置に対向する状態で保持するための研磨部材保持手
段と、前記プローブ保持手段および前記研磨部材保持手
段の少なくとも一方を、これらが互いに近接する方向お
よび離間する方向に往復移動させるための移動手段と、
を備えていることを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a cleaning apparatus for carrying out the above-described method for cleaning a contact pin of a probe device, comprising: a probe holding means for holding the probe device; and a groove on a surface of which a lower edge of the contact pin can be inserted. A polishing member, a polishing member holding means for holding the polishing member in a state facing the probe device, and at least one of the probe holding means and the polishing member holding means, which are close to each other. Moving means for reciprocating in a direction and in a direction away from each other;
It is characterized by having.

【0016】本発明のクリーニング方法によれば、研磨
部材に溝を設け、コンタクトピンの下縁部を、90゜よ
りも小さな接触角度で前記研磨部材の溝の上縁に押圧し
つつ、コンタクトピンをそのほぼ軸方向に移動させるこ
とにより、コンタクトピンの下縁部に付着していた異物
を前記溝の上縁により掻き落すようにしたものである。
したがって、コンタクトピンの下縁部に付着したゴミを
確実に除去できるだけでなく、コンタクト部(下縁)の
みを研磨するのではないので、コンタクト部が面取りさ
れにくくなって面積が大きくなりにくく、結果的に、コ
ンタクトピンの被測定物への一定の針圧を維持でき、長
期間にわたり良好なコンタクト性を保持できるものであ
る。
According to the cleaning method of the present invention, the polishing member is provided with a groove, and the lower edge of the contact pin is pressed against the upper edge of the groove of the polishing member at a contact angle smaller than 90 ° while the contact pin is pressed. Is moved substantially in the axial direction, so that foreign matter adhering to the lower edge of the contact pin is scraped off by the upper edge of the groove.
Therefore, not only the dust adhering to the lower edge of the contact pin can be reliably removed, but also the contact portion (lower edge) is not polished. Specifically, a constant stylus pressure of the contact pin against the object to be measured can be maintained, and good contact properties can be maintained for a long period of time.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。先ず、本発明に係わるコン
タクトプローブおよびプローブ装置の一例について順次
説明する。図4はコンタクトプローブの一例を示す要部
斜視図、図5はコンタクトプローブの一例を示す平面
図、図6は図5のC−C線断面図である。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, an example of a contact probe and a probe device according to the present invention will be sequentially described. 4 is a perspective view of an essential part showing an example of a contact probe, FIG. 5 is a plan view showing an example of a contact probe, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG.

【0018】図4に示すように、コンタクトプローブ1
aは、フィルム2の片面に金属で形成されるパターン配
線3を張り付けた構造となっており、前記フィルム2の
端部から前記パターン配線3の先端が突出してコンタク
トピン3aとされている。本例では、コンタクトピン3
aの材質はニッケルであり、そのビッカース硬さHvは
350程度となっているが、これに限定されない。な
お、符号4は、後述する位置合わせ穴である。
As shown in FIG. 4, the contact probe 1
a has a structure in which a pattern wiring 3 made of metal is attached to one surface of the film 2, and a tip of the pattern wiring 3 projects from an end of the film 2 to be a contact pin 3 a. In this example, the contact pin 3
The material of a is nickel and its Vickers hardness Hv is about 350, but is not limited to this. Reference numeral 4 denotes an alignment hole described later.

【0019】図5および図6に示すように、コンタクト
プローブ1aのフィルム2には、コンタクトプローブ1
aを固定するための孔9が設けられ、また、パターン配
線3から得られた信号を引き出し用配線10を介してプ
リント基板20(図7乃至図9参照)に伝えるための窓
11が設けられている。なお、本例のフィルム2は、ポ
リイミド樹脂フィルムPIおよび金属フィルム500
(銅箔)の二層テープである。
As shown in FIGS. 5 and 6, the film 2 of the contact probe 1a
a is provided, and a window 11 is provided for transmitting a signal obtained from the pattern wiring 3 to a printed circuit board 20 (see FIGS. 7 to 9) via a lead wiring 10. ing. Note that the film 2 of this example is made of a polyimide resin film PI and a metal film 500.
(Copper foil) two-layer tape.

【0020】次に、図7乃至から図9を参照して、同一
構造の4つのコンタクトプローブ1a,1b,1c,1
dをメカニカルパーツ60を用いてプリント基板に組み
込んでプローブ装置(プローブカード)70にする構成
について説明する。なお、本実施形態に係るコンタクト
プローブ1a,1b,1c,1dは、全体が柔軟で曲げ
やすいため、プローブ装置に組み込む際にフレキシブル
基板として機能する。
Next, referring to FIGS. 7 to 9, four contact probes 1a, 1b, 1c, 1 having the same structure will be described.
A configuration in which d is incorporated into a printed circuit board using mechanical parts 60 to form a probe device (probe card) 70 will be described. The contact probes 1a, 1b, 1c, and 1d according to the present embodiment function as a flexible substrate when incorporated in a probe device because they are flexible and easy to bend.

【0021】前記メカニカルパーツ60は、マウンティ
ングベース30と、トップクランプ40と、ボトムクラ
ンプ50とからなっている。まず、プリント基板20の
上にトップクランプ40を取付け、次に、コンタクトプ
ローブ1a,1b,1c,1dを取り付けたマウンティ
ングベース30をトップクランプ40にボルト穴41に
ボルト42を螺合させて取り付ける(図9参照)。そし
て、ボトムクランプ50でコンタクトプローブ1a,1
b,1c,1dを押さえ込むことにより、パターン配線
3を一定の傾斜状態に保ち、該パターン配線3の先端に
位置するコンタクトピン3aを、90゜よりも小さな接
触角度でICチップIに押し付ける。
The mechanical part 60 comprises a mounting base 30, a top clamp 40, and a bottom clamp 50. First, the top clamp 40 is mounted on the printed circuit board 20, and then the mounting base 30 to which the contact probes 1a, 1b, 1c, and 1d are mounted is screwed into the bolt holes 41 and the bolts 42 on the top clamp 40 ( (See FIG. 9). Then, the contact probes 1a and 1 are
By holding down b, 1c, and 1d, the pattern wiring 3 is maintained in a constant inclined state, and the contact pin 3a located at the tip of the pattern wiring 3 is pressed against the IC chip I at a contact angle smaller than 90 °.

【0022】図8は、組立終了後のプローブ装置70を
示している。図9は、図8のE−E線断面図である。フ
ィルム2の先端側は、前記下面32に当接して下方に傾
斜した状態で支持され、コンタクトピン3aはICチッ
プIに接触している。
FIG. 8 shows the probe device 70 after the assembly is completed. FIG. 9 is a sectional view taken along line EE of FIG. The leading end side of the film 2 contacts the lower surface 32 and is supported in a state of being inclined downward, and the contact pins 3a are in contact with the IC chip I.

【0023】前記マウンティングベース30には、コン
タクトプローブ1a,1b,1c,1dの位置を調整す
るための位置決めピン31が設けられており、この位置
決めピン31をコンタクトプローブ1a,1b,1c,
1dの前記位置合わせ穴4に挿入することにより、パタ
ーン配線3とICチップIとを正確に位置合わせするこ
とができるようになっている。コンタクトプローブ1
a,1b,1c,1dに設けられた窓11の部分のパタ
ーン配線3に、ボトムクランプ50の弾性体51を押し
付けて、前記引き出し用配線10をプリント基板20の
電極21に接触させ、パターン配線3から得られた信号
を電極21を通して外部に伝えることができるようにな
っている。
The mounting base 30 is provided with positioning pins 31 for adjusting the positions of the contact probes 1a, 1b, 1c, 1d, and the positioning pins 31 are used as contact probes 1a, 1b, 1c, 1c.
The pattern wiring 3 and the IC chip I can be accurately aligned by being inserted into the alignment hole 4 of 1d. Contact probe 1
The elastic body 51 of the bottom clamp 50 is pressed against the pattern wiring 3 in the portion of the window 11 provided in a, 1b, 1c, 1d, and the lead-out wiring 10 is brought into contact with the electrode 21 of the printed circuit board 20, and the pattern wiring is formed. 3 can be transmitted to the outside through the electrode 21.

【0024】上記のように構成されたプローブ装置70
を用いて、ICチップIのプローブテスト等を行う場合
には、プローブ装置70をプローバーに装着するととも
にテスターに電気的に接続し、また、コンタクトピン3
aを、90゜よりも小さな接触角度γでICチップI
(被検査物)に押し付ける。所定の電気信号をパターン
配線3のコンタクトピン3aからウェーハ上のICチッ
プIに送ることによって、該ICチップIからの出力信
号がコンタクトピン3aからテスターに伝送され、IC
チップIの電気的特性が測定される。
The probe device 70 constructed as described above
When a probe test or the like of the IC chip I is performed using the probe device, the probe device 70 is mounted on the prober and electrically connected to the tester.
a at a contact angle γ smaller than 90 °
(Inspection object). By sending a predetermined electric signal from the contact pin 3a of the pattern wiring 3 to the IC chip I on the wafer, an output signal from the IC chip I is transmitted from the contact pin 3a to the tester,
The electrical characteristics of chip I are measured.

【0025】なお、コンタクトプローブ1a,1b,1
c,1dをプローブカードであるプローブ装置70に適
用したが、他の測定用治具等に採用しても構わない。例
えば、ICチップを内側に保持して保護し、ICチップ
のバーンインテスト用装置等に搭載されるICチップテ
スト用ソケット等に適用してもよい。
The contact probes 1a, 1b, 1
Although c and 1d are applied to the probe device 70 as a probe card, they may be adopted for other measurement jigs and the like. For example, the present invention may be applied to an IC chip test socket or the like mounted on an IC chip burn-in test device or the like for holding and protecting the IC chip inside.

【0026】次に、コンタクトピンのクリーニング装置
について説明する。図1は本発明のプローブ装置のクリ
ーニング装置の一実施形態の構成図、図2図1に示した
研磨板表面の拡大断面図であって、コンタクトピンのク
リーニング方法を説明するための図、図3(a),
(b)は図1に示した研磨板および各コンタクトプロー
ブの拡大平面図である。
Next, a contact pin cleaning device will be described. 1 is a configuration diagram of an embodiment of a cleaning device for a probe device of the present invention. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a polishing plate surface shown in FIG. 1 for explaining a method of cleaning contact pins. 3 (a),
FIG. 2B is an enlarged plan view of the polishing plate and each contact probe shown in FIG.

【0027】先ず、図1に示すように、符号5は装置本
体としての基台を示しており、この基台5上には、上述
したプローブ装置70を支持するためのプローブ支持体
6(プローブ支持手段)が配置されている。このプロー
ブ支持体6には、プローブ装置70が水平状態で着脱自
在に固定されるようになっている。このプローブ支持体
6は後述する移動手段24(昇降機構)により上下方向
に移動されるようになっている。一方、前記基台5上で
前記プローブ支持体6の真下の位置には、研磨板支持体
25(研磨部材支持手段)が水平状態で設けられてい
る。この研磨板支持体25には、研磨部材としての研磨
板7が水平状態で載置固定されている。
First, as shown in FIG. 1, reference numeral 5 denotes a base as an apparatus main body, and a probe support 6 (probe) for supporting the above-described probe apparatus 70 is provided on the base 5. Support means) are arranged. A probe device 70 is detachably fixed to the probe support 6 in a horizontal state. The probe support 6 is moved up and down by moving means 24 (elevating mechanism) which will be described later. On the other hand, a polishing plate support 25 (polishing member support means) is provided horizontally on the base 5 directly below the probe support 6. The polishing plate 7 as a polishing member is placed and fixed on the polishing plate support 25 in a horizontal state.

【0028】本例の研磨板7の表面には、図2および図
3に示すように、平面視において矩形状の溝8(凹部)
が形成されている。この溝8の外周上縁18は、平面視
において、各コンタクトプローブ1a,1b,1c,1
dの各コンタクトピン3aの下縁3b(図2参照)を結
んで形成される矩形(図3(a)中の二点鎖線8b参
照)よりも若干内側に位置している。そして、プローブ
支持台6を下降させると、各コンタクトピン3aの尖っ
た下縁3bが研磨板7の表面7aに接触した時点から、
各コンタクトピン3aは若干撓みつつ、その各先端部
(下端部)が溝8内に挿入されるようになっている。な
お、溝8の外周上縁18の角度は90度に限らず、溝の
外周縁を鋭角にしてもよく、さらには、外周上縁18を
予め面取りしておいてもよい。
As shown in FIGS. 2 and 3, a rectangular groove 8 (recess) is formed on the surface of the polishing plate 7 in this embodiment.
Are formed. The outer peripheral upper edge 18 of the groove 8 is in contact with each of the contact probes 1a, 1b, 1c, 1 in plan view.
The contact pin 3a is located slightly inside a rectangle (see a two-dot chain line 8b in FIG. 3A) formed by connecting lower edges 3b (see FIG. 2) of the respective contact pins 3a. When the probe support 6 is lowered, the pointed lower edge 3b of each contact pin 3a comes into contact with the surface 7a of the polishing plate 7,
Each of the contact pins 3 a is slightly bent, and each tip (lower end) thereof is inserted into the groove 8. Note that the angle of the outer peripheral edge 18 of the groove 8 is not limited to 90 degrees, and the outer peripheral edge of the groove may be an acute angle, and the outer peripheral upper edge 18 may be chamfered in advance.

【0029】本例の研磨板7は、セラミック(例えばS
iC)を主成分とする研磨砥粒層を有するセラミック砥
石であり、このセラミック砥石からなる研磨板7の硬度
はコンタクトピン3aのそれよりもはるかに大きくなっ
ている。なお、研磨板の硬度をコンタクトピン3aの硬
度と同程度にすることにより、後述するように、クリー
ニングによりコンタクトピン3aより異物のみを積極的
に除去し、コンタクトピン3a自体を極力摩耗させずに
済む。
The polishing plate 7 of this embodiment is made of ceramic (for example, S
This is a ceramic grindstone having a polishing grind layer mainly composed of iC), and the hardness of the polishing plate 7 made of this ceramic grindstone is much higher than that of the contact pins 3a. By setting the hardness of the polishing plate to be substantially the same as the hardness of the contact pins 3a, as will be described later, only foreign substances are positively removed from the contact pins 3a by cleaning, and the contact pins 3a themselves are not worn as much as possible. I'm done.

【0030】プローブ装置70を支持するプローブ支持
体6を上下方向に移動させる移動手段24としては、前
記基台5には、前記プローブ支持体6を上下方向に移動
自在に案内するための複数のガイド軸12が立設されて
いる。符号13は精密ボールねじを示し、この精密ボー
ルねじ13は上下方向に延びる形態で、図示しないベア
リングにより前記プローブ支持体6に回転自在(矢印A
参照)に支持されている。そして、この精密ボールねじ
13は、プローブ支持体6に固定されたナット部材13
aに螺合し、また、精密ボールねじ軸13には、例えば
パルスモータ14の回転軸の回転が、カップリング等の
伝動機構15を介して伝動されるようになっているの
で、パルスモータ14の回転軸の正回転あるいは逆回転
により、プローブ支持体6を下降あるいは上昇させるこ
とができる。
As the moving means 24 for moving the probe support 6 supporting the probe device 70 in the vertical direction, the base 5 is provided with a plurality of guides for guiding the probe support 6 movably in the vertical direction. A guide shaft 12 is provided upright. Reference numeral 13 denotes a precision ball screw. The precision ball screw 13 extends in the up-down direction, and is rotatable on the probe support 6 by a bearing (not shown) (arrow A).
See). The precision ball screw 13 is connected to the nut member 13 fixed to the probe support 6.
a, and the precision ball screw shaft 13 is configured such that the rotation of the rotating shaft of a pulse motor 14 is transmitted through a transmission mechanism 15 such as a coupling. The probe support 6 can be lowered or raised by the forward rotation or the reverse rotation of the rotation shaft.

【0031】コントローラ19は、前記パルスモータ1
4の回転方向や回転角度を制御することにより、前記プ
ローブ支持体6を昇降させることができる。なお、精密
ボールねじ軸13によるプローブ支持体6の移動分解能
は10μm以下になっている。精密ボールねじ軸13お
よびナット13aに代えて、スプライン軸およびスプラ
インナットを使用してもよい。また、移動手段24は、
上記のものに限らず、例えばシリンダ等を用いてもよ
い。さらに加えて、プローブ支持体6を移動させずに、
研磨板支持体25を昇降させてもよく、プローブ支持体
6および研磨板支持体25の両方を移動させてもよい。
The controller 19 includes the pulse motor 1
The probe support 6 can be moved up and down by controlling the rotation direction and the rotation angle of the probe support 6. The resolution of movement of the probe support 6 by the precision ball screw shaft 13 is 10 μm or less. Instead of the precision ball screw shaft 13 and the nut 13a, a spline shaft and a spline nut may be used. In addition, the moving means 24
Not limited to the above, for example, a cylinder or the like may be used. In addition, without moving the probe support 6,
The polishing plate support 25 may be moved up and down, and both the probe support 6 and the polishing plate support 25 may be moved.

【0032】次に、上述したクリーニング装置の動作、
すなわちクリーニング方法について説明する。先ず、研
磨板支持体25上の所定の位置に研磨板7を載せて固定
するとともに、プローブ装置70をプローブ支持体6の
所定の位置に装着する。この状態では、プローブ装置7
0は研磨板7の真上に位置している。ここで、図2中の
実線3aで示すように、各コンタクトプローブ1a,1
b,1c,1dの各コンタクトピン3aの下縁3b(コ
ンタクト部)が研磨板7の表面7aに接触するまで、移
動手段24によりプローブ装置70を下降させる。この
状態では、図3(a)に示すように、各コンタクトピン
3aは、研磨板7の、溝8より若干外側の表面7aに接
触し、その接触圧はほぼ零に近い。また、各コンタクト
プローブ1a,1b,1c,1dの各コンタクトピン3
aの下縁3b(コンタクト部)は、研磨板7の表面7a
に90゜よりも小さな接触角度γ(図2参照)で接触し
ている。
Next, the operation of the cleaning device described above,
That is, the cleaning method will be described. First, the polishing plate 7 is placed and fixed at a predetermined position on the polishing plate support 25, and the probe device 70 is mounted at a predetermined position on the probe support 6. In this state, the probe device 7
0 is located directly above the polishing plate 7. Here, as shown by a solid line 3a in FIG. 2, each contact probe 1a, 1
The probe device 70 is lowered by the moving means 24 until the lower edge 3b (contact portion) of each of the contact pins 3a, 1c and 1d contacts the surface 7a of the polishing plate 7. In this state, as shown in FIG. 3A, each contact pin 3a comes into contact with the surface 7a of the polishing plate 7 slightly outside the groove 8, and the contact pressure is almost zero. Also, each contact pin 3 of each contact probe 1a, 1b, 1c, 1d.
The lower edge 3b (contact portion) of the surface 7a of the polishing plate 7
At a contact angle γ smaller than 90 ° (see FIG. 2).

【0033】次いで、移動手段24(昇降機構)によ
り、プローブ装置70の下降および上昇を順次繰り返す
ことにより、各コンタクトプローブ1a,1b,1c,
1dの各コンタクトピン3aをそれぞれ、溝8の4つの
上縁18でクリーニングすることができる。すなわち、
各コンタクトピン3a(図2中の実線参照)が研磨板7
の表面に接触する状態からプローブ装置70が最下降位
置に移動するまでの間、コンタクトピン3aは、撓みつ
つその下縁3bが研磨板7の表面7aに圧接しつつ、徐
徐に研磨板7の溝8に向い、コンタクトピン3aの下縁
3bが溝8の外周上縁18を越えると、コンタクトピン
3aの下縁部はそのほぼ軸方向に移動して溝8の外周上
縁18に摺接しつつ、溝8内に入る(図2の二点鎖線3
aや図3(a)参照)。
Next, the lowering and raising of the probe device 70 are sequentially repeated by the moving means 24 (elevating mechanism), so that each of the contact probes 1a, 1b, 1c,
Each of the contact pins 3a of 1d can be cleaned at the four upper edges 18 of the groove 8, respectively. That is,
Each contact pin 3a (see the solid line in FIG. 2) is
The contact pin 3a is bent while the lower edge 3b thereof is pressed against the surface 7a of the polishing plate 7 while the probe device 70 moves to the lowest position from the state of contact with the surface of the polishing plate 7 while the probe device 70 moves to the lowest position. When the lower edge 3b of the contact pin 3a faces the groove 8 and passes over the outer peripheral upper edge 18 of the groove 8, the lower edge of the contact pin 3a moves substantially in the axial direction and slides on the outer peripheral upper edge 18 of the groove 8. While entering the groove 8 (two-dot chain line 3 in FIG. 2).
a and FIG. 3 (a)).

【0034】この際、コンタクトピン3aの下縁部に付
着していた異物16は前記上縁18で掻き落される。二
点鎖線3aで示すコンタクトピンは実線3で示す位置に
戻る際には、上記と反対の動作が行われ、コンタクトピ
ン3aの下縁部は溝8の外周上縁18に摺接しつつ、溝
8より出る。図2中の符号17は、前記除去された異物
を示し、符号17aは、コンタクトピン3aの下縁3b
になおも残留している異物を示している。この異物17
aは、プローブ装置70の複数回の昇降によって、コン
タクトピン3aよりほぼ完全に除去される。
At this time, the foreign matter 16 attached to the lower edge of the contact pin 3a is scraped off by the upper edge 18. When the contact pin indicated by the two-dot chain line 3a returns to the position indicated by the solid line 3, the operation opposite to the above is performed, and the lower edge of the contact pin 3a slides against the outer peripheral upper edge 18 of the groove 8, and Exit from 8. Reference numeral 17 in FIG. 2 denotes the removed foreign substance, and reference numeral 17a denotes a lower edge 3b of the contact pin 3a.
Shows foreign matter still remaining. This foreign matter 17
“a” is almost completely removed from the contact pin 3 a by the multiple lifting and lowering of the probe device 70.

【0035】このように、本例のクリーニング方法によ
れば、コンタクトピン3aの下縁(コンタクト部)のみ
を研磨するのではなく、下縁3aの後方すなわち下縁部
をも研磨するので、この下縁部に付着していた異物を確
実かつ容易に除去できる。また、コンタクトピン3aの
下縁3bが面取りされにくいので、長期間に渡り、コン
タクトピン3aの被測定物への針圧が低下しにくい上
に、良好なコンタクトを維持することができる。
As described above, according to the cleaning method of the present embodiment, not only the lower edge (contact portion) of the contact pin 3a but also the rear portion of the lower edge 3a, that is, the lower edge portion is polished. Foreign matter adhering to the lower edge can be reliably and easily removed. Further, since the lower edge 3b of the contact pin 3a is not easily chamfered, the contact pressure of the contact pin 3a on the object to be measured is not easily reduced over a long period of time, and good contact can be maintained.

【0036】最後に、各コンタクトプローブ1a,1
b,1c,1dの各コンタクトピン3aの先端部を、図
示しない粘着テープの接着層中に押し当て(オーバード
ライブをかける)た後、このオーバードライブを解除す
ることにより、前記先端部に付着していた微量の異物等
は、粘着テープの接着層の粘着力により前記先端部から
離れて接着層側に移り、結果的に、各コンタクトピンの
先端部を極めて清浄な状態にクリーニングすることがで
きる。
Finally, each contact probe 1a, 1
After the tip of each contact pin 3a of b, 1c, and 1d is pressed (applied overdrive) into the adhesive layer of an adhesive tape (not shown), the overdrive is released, so that the contact pin 3a adheres to the tip. The small amount of foreign substances and the like that have been moved away from the tip portion to the adhesive layer side due to the adhesive force of the adhesive layer of the adhesive tape, and as a result, the tip portion of each contact pin can be cleaned in an extremely clean state. .

【0037】上記実施形態においては、研磨板の表面に
平面視において矩形状に形成された溝の4つの上縁によ
り、複数(4つ)のコンタクトプローブの各コンタクト
ピンをそれぞれクリーニングしたが、研磨板の表面に各
コンタクトピンの数だけ微小な溝(穴)を形成し、この
各穴にコンタクトピンの下縁部を同時にそれぞれ挿入し
てクリーニングしてもよい。また、コンタクトプローブ
毎に個別にクリーニングを行ったり、さらには、コンタ
クトピン毎個別にクリーニングを行ってもよい。
In the above embodiment, each contact pin of a plurality (four) of contact probes is cleaned by the four upper edges of the groove formed in a rectangular shape in plan view on the surface of the polishing plate. Micro-grooves (holes) may be formed on the surface of the plate by the number of the contact pins, and the lower edges of the contact pins may be simultaneously inserted into the respective holes for cleaning. Further, cleaning may be performed individually for each contact probe, or may be performed separately for each contact pin.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明は、以上説明したとおりに構成さ
れているので、以下に記載するような効果を奏する。請
求項1に記載のクリーニング方法は、研磨部材に溝を設
け、コンタクトピンの下縁部を、90゜よりも小さな接
触角度で前記研磨部材の溝の上縁に押圧しつつ、コンタ
クトピンをそのほぼ軸方向に移動させることにより、コ
ンタクトピンの下縁部に付着していた異物を前記溝の上
縁により掻き落すので、前記異物を確実に除去できる上
に、コンタクト部が面取りされにくくなって、その面積
が大きくなりにくい。したがって、長期間に渡って、各
コンタクトピンを被測定物に一定の針圧で良好にコンタ
クトさせることができる。
Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. The cleaning method according to claim 1, wherein a groove is formed in the polishing member, and the contact pin is pressed while pressing a lower edge of the contact pin against an upper edge of the groove of the polishing member at a contact angle smaller than 90 °. By moving substantially in the axial direction, the foreign matter attached to the lower edge of the contact pin is scraped off by the upper edge of the groove, so that the foreign matter can be surely removed and the contact portion is less likely to be chamfered. , Its area is difficult to increase. Therefore, each contact pin can be satisfactorily contacted with the measured object at a constant stylus pressure for a long period of time.

【0039】請求項2に記載のクリーニング方法は、プ
ローブ装置の複数のコンタクトピンを同時にクリーニン
グできる。請求項3に記載の発明は、上記クリーニング
方法を確実かつ容易に実施できる上に、従来のように研
磨板を加熱する必要もなく、装置コストの安いクリーニ
ング装置を提供できる。
According to the cleaning method of the present invention, a plurality of contact pins of the probe device can be cleaned at the same time. According to the third aspect of the present invention, the cleaning method can be performed reliably and easily, and there is no need to heat the polishing plate as in the related art, so that a cleaning apparatus with low apparatus cost can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明のプローブ装置のクリーニング装置の
一実施形態の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of a cleaning device for a probe device of the present invention.

【図2】 図1に示した研磨板表面の拡大断面図であ
り、コンタクトピンのクリーニング方法を説明するため
の図である。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the polishing plate surface shown in FIG. 1, illustrating a method for cleaning contact pins.

【図3】 図1に示した研磨板および各コンタクトプロ
ーブの拡大平面図であり、(a)は図2中の実線3aの
ように各コンタクトピンの先端が研磨板の表面に接触し
て状態を示し、(a)は図2中の二点鎖線3aのように
各コンタクトピンの先端部が研磨板の表面の溝に入り込
んでいる状態を示している。
3 is an enlarged plan view of the polishing plate and each contact probe shown in FIG. 1; FIG. 3 (a) shows a state in which the tip of each contact pin is in contact with the surface of the polishing plate as shown by a solid line 3a in FIG. 2; 2A shows a state in which the tip of each contact pin is inserted into a groove on the surface of the polishing plate as shown by a two-dot chain line 3a in FIG.

【図4】 コンタクトプローブの一例の先端部の斜視図
である。
FIG. 4 is a perspective view of a tip portion of an example of a contact probe.

【図5】 コンタクトプローブの一例を示す平面図であ
る。
FIG. 5 is a plan view showing an example of a contact probe.

【図6】 図5のC−C線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line CC of FIG. 5;

【図7】 コンタクトプローブの一例を組み込んだプロ
ーブ装置の一例の分解斜視図である。
FIG. 7 is an exploded perspective view of an example of a probe device incorporating an example of a contact probe.

【図8】 コンタクトプローブの一例を組み込んだプロ
ーブ装置の一例の要部斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view of a main part of an example of a probe device incorporating an example of a contact probe.

【図9】 図8のE−E線断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line EE of FIG. 8;

【図10】 タングステン針からなるプローブピンを備
えたプロービング装置を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a probing device provided with a probe pin made of a tungsten needle.

【図11】 従来のクリーニング方法を説明するための
図である。
FIG. 11 is a view for explaining a conventional cleaning method.

【図12】 他の従来のクリーニング方法を示説明する
ための図である。
FIG. 12 is a view for explaining and explaining another conventional cleaning method.

【図13】 従来技術の問題点を説明するための、プロ
ーブピンの拡大図である。
FIG. 13 is an enlarged view of a probe pin for explaining a problem of the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b,1c,1d コンタクトプローブ 3a コンタクトピン 3b 下縁(コンタクト部) 5 装置本体(基台) 6 プローブ支持体(プローブ支持手段) 7 研磨板(研磨部材) 8 溝(凹部) 12 ガイド軸 13 ボールねじ軸 13a ナット部材 14 パルスモータ 15 伝動機構 16 異物(バンプ屑等) 18 上縁 20 プリント基板 24 移動手段(昇降機構) 25 研磨板支持体(研磨部材支持手段) 70 プローブ装置 1a, 1b, 1c, 1d Contact probe 3a Contact pin 3b Lower edge (contact portion) 5 Device body (base) 6 Probe support (probe support means) 7 Polishing plate (polishing member) 8 Groove (recess) 12 Guide shaft Reference Signs List 13 ball screw shaft 13a nut member 14 pulse motor 15 transmission mechanism 16 foreign matter (bump dust etc.) 18 upper edge 20 printed board 24 moving means (elevating mechanism) 25 polishing plate support (polishing member support means) 70 probe device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩元 尚文 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 石井 利昇 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 Fターム(参考) 2G011 AA02 AC13 AE01 2G032 AB16 AF01 AL14 4M106 BA01 DD03 DD18  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Naofumi Iwamoto, 12th Techno Park, Mita City, Hyogo Prefecture Inside the Mita Plant of Mitsubishi Materials Corporation (72) Inventor Hideaki Yoshida 12, 12 Techno Park, Mita City, Hyogo Prefecture Mitsubishi Materials Corporation Sanda Plant (72) Inventor Toshinobu Ishii 12th Techno Park, Mita City, Hyogo Prefecture Mitsubishi Materials Corporation Sanda Plant F-term (reference) 2G011 AA02 AC13 AE01 2G032 AB16 AF01 AL14 4M106 BA01 DD03 DD18

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コンタクトピンの下縁を、被検査物に対
して90゜よりも小さな接触角度で押圧して検査するた
めのコンタクトプローブの、前記コンタクトピンの下縁
部をクリーニングする方法であって、 前記コンタクトピンの下縁部を、90゜よりも小さな接
触角度で研磨部材の溝の上縁に押圧しつつ、前記コンタ
クトピンをそのほぼ軸方向に移動させることを特徴とす
るコンタクトピンクリーニング方法。
1. A method for cleaning a lower edge of a contact pin of a contact probe for inspecting by pressing a lower edge of the contact pin against an object to be inspected at a contact angle of less than 90 °. Contact pin cleaning, wherein the lower edge of the contact pin is pressed against the upper edge of the groove of the polishing member at a contact angle of less than 90 ° while the contact pin is moved substantially in the axial direction. Method.
【請求項2】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
突出状態に配されてコンタクトピンとされたコンタクト
プローブを、マウンティングベースの傾斜面に固定して
なるプローブ装置の、前記コンタクトピンの下縁部をク
リーニングする方法であって、 表面に、前記コンタクトピンの下縁部を挿入可能な溝が
形成された研磨部材を用意し、 先ず、前記プローブ装置の各コンタクトピンの下縁を9
0゜よりも小さな接触角度で前記研磨部材の表面に接触
させ、 前記プローブ装置および前記研磨部材の少なくとも一方
を、これらが互いに近接する方向および離間する方向に
往復移動させることにより、各コンタクトピンの下縁近
傍を前記溝の上縁に圧接させ、前記下縁近傍に付着して
いた異物を掻き落すことを特徴とする、プローブ装置の
コンタクトピンクリーニング方法。
2. A contact probe having a plurality of pattern wirings formed on a film, each end of each of the pattern wirings protruding from the film and serving as a contact pin, is fixed to an inclined surface of a mounting base. A method of cleaning a lower edge portion of the contact pin of a probe device, comprising: preparing a polishing member having a surface formed with a groove into which the lower edge portion of the contact pin can be inserted; 9 at the bottom edge of each contact pin
By contacting the surface of the polishing member with a contact angle smaller than 0 °, at least one of the probe device and the polishing member is reciprocated in a direction in which the probe device approaches and separates from each other, so that each contact pin A method of cleaning a contact pin of a probe device, wherein a lower edge is pressed against an upper edge of the groove to remove foreign matter adhering near the lower edge.
【請求項3】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
突出状態に配されてコンタクトピンとされたコンタクト
プローブを、マウンティングベースの傾斜面に固定して
なるプローブ装置の、前記コンタクトピンの下縁部をク
リーニングする装置であって、 前記プローブ装置を保持するプローブ保持手段と、 表面に、前記コンタクトピンの下縁部を挿入可能な溝が
形成された研磨部材と、 前記研磨部材を前記プローブ装置に対向する状態で保持
するための研磨部材保持手段と、 前記プローブ保持手段および前記研磨部材保持手段の少
なくとも一方を、これらが互いに近接する方向および離
間する方向に往復移動させるための移動手段と、を備え
ていることを特徴とするプローブ装置のコンタクトピン
クリーニング装置。
3. A contact probe having a plurality of pattern wirings formed on a film and each of the pattern wirings protruding from the film to form a contact pin and fixed to an inclined surface of a mounting base. An apparatus for cleaning a lower edge portion of the contact pin of a probe device, comprising: a probe holding unit configured to hold the probe device; and a polishing surface having a groove formed therein for inserting the lower edge portion of the contact pin. A member; a polishing member holding means for holding the polishing member in a state facing the probe device; and a direction in which at least one of the probe holding means and the polishing member holding means approaches and separates from each other. And a moving means for reciprocating the probe device. Tact pin cleaning device.
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