JP2000013250A - 送信回路 - Google Patents
送信回路Info
- Publication number
- JP2000013250A JP2000013250A JP10179862A JP17986298A JP2000013250A JP 2000013250 A JP2000013250 A JP 2000013250A JP 10179862 A JP10179862 A JP 10179862A JP 17986298 A JP17986298 A JP 17986298A JP 2000013250 A JP2000013250 A JP 2000013250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power amplifier
- voltage
- circuit
- transistor
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度特性が良好な送信回路を提供すること。
【解決手段】 パワーアンプ５３の電流値調整用制御電
圧を発生する制御回路６１のトランジスタ６２のベース
バイアス回路にダイオード６７を挿入することにより、
周囲温度に係わらず一定のエミッタ電圧（電流値調整用
制御電圧）を発生させる。
圧を発生する制御回路６１のトランジスタ６２のベース
バイアス回路にダイオード６７を挿入することにより、
周囲温度に係わらず一定のエミッタ電圧（電流値調整用
制御電圧）を発生させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信端末な
どに使用される送信回路に関する。
どに使用される送信回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信端末、例えばＰＨＳ電話機に
おいては、製造の最終段階でパワーアンプの電流値が規
定値になるように調整される。そこで、ＰＨＳ電話機の
送信回路においては、パワーアンプの電流値を調整する
制御回路が付加される。その制御回路付きの送信回路の
従来例を図５に示す。
おいては、製造の最終段階でパワーアンプの電流値が規
定値になるように調整される。そこで、ＰＨＳ電話機の
送信回路においては、パワーアンプの電流値を調整する
制御回路が付加される。その制御回路付きの送信回路の
従来例を図５に示す。
【０００３】図５において、１１はＩＦＩＣであり、こ
のＩＦＩＣ１１から出力された高周波信号はバンドパス
フィルタ１２を介してパワーアンプ１３に供給され、所
定の電力値に増幅される。このパワーアンプ１３は、３
段のＭＯＳＦＥＴアンプ１３ａ，１３ｂ，１３ｃからな
り、ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧Ｖｇを制御することによ
り、電流値（アンプ電流Ｉｄ）を制御することができ
る。そして、このパワーアンプ１３で所定電力値に増幅
された高周波信号は、パワーアンプ１３内の送受切替え
スイッチ１４を介して、さらには外部のバンドパスフィ
ルタ１５を介してアンテナ１６に供給され、電波として
輻射される。
のＩＦＩＣ１１から出力された高周波信号はバンドパス
フィルタ１２を介してパワーアンプ１３に供給され、所
定の電力値に増幅される。このパワーアンプ１３は、３
段のＭＯＳＦＥＴアンプ１３ａ，１３ｂ，１３ｃからな
り、ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧Ｖｇを制御することによ
り、電流値（アンプ電流Ｉｄ）を制御することができ
る。そして、このパワーアンプ１３で所定電力値に増幅
された高周波信号は、パワーアンプ１３内の送受切替え
スイッチ１４を介して、さらには外部のバンドパスフィ
ルタ１５を介してアンテナ１６に供給され、電波として
輻射される。
【０００４】２１はパワーアンプ１３の電流値を制御す
る制御回路で、ＮＰＮトランジスタ２２と、抵抗２３，
２４，２５，２６と、可変抵抗器２７とで構成される。
抵抗２３，２４と可変抵抗器２７はトランジスタ２２の
ベースバイアス抵抗である。抵抗２５はトランジスタ２
２の負荷抵抗である。抵抗２６はトランジスタ２２のエ
ミッタ抵抗である。そして、この制御回路２１において
は、トランジスタ２２のエミッタ電圧Ｖｅがパワーアン
プ１３の電流制御用の制御電圧（ゲート電圧Ｖｇ）とし
てパワーアンプ１３に供給されている。
る制御回路で、ＮＰＮトランジスタ２２と、抵抗２３，
２４，２５，２６と、可変抵抗器２７とで構成される。
抵抗２３，２４と可変抵抗器２７はトランジスタ２２の
ベースバイアス抵抗である。抵抗２５はトランジスタ２
２の負荷抵抗である。抵抗２６はトランジスタ２２のエ
ミッタ抵抗である。そして、この制御回路２１において
は、トランジスタ２２のエミッタ電圧Ｖｅがパワーアン
プ１３の電流制御用の制御電圧（ゲート電圧Ｖｇ）とし
てパワーアンプ１３に供給されている。
【０００５】したがって、上記送信回路においては、制
御回路２１の可変抵抗器２７を調整してトランジスタ２
２のベース電圧を変化させ、これによりトランジスタ２
２のエミッタ電流、エミッタ電圧Ｖｅを変化させてパワ
ーアンプ１３のゲート電圧Ｖｇを変化させることによ
り、パワーアンプ１３の電流を調整して該電流値を規定
値に調整できる。
御回路２１の可変抵抗器２７を調整してトランジスタ２
２のベース電圧を変化させ、これによりトランジスタ２
２のエミッタ電流、エミッタ電圧Ｖｅを変化させてパワ
ーアンプ１３のゲート電圧Ｖｇを変化させることによ
り、パワーアンプ１３の電流を調整して該電流値を規定
値に調整できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のよう
な従来の送信回路では、周囲温度が上昇すると、トラン
ジスタ２２のエミッタ電圧Ｖｅ、すなわちパワーアンプ
１３のゲート電圧Ｖｇが上昇するので、パワーアンプ１
３の電流が増大して、送信出力が規定値から増えるとい
う問題点がある。また、パワーアンプ１３の電流が増大
すると、パワーアンプ１３での消費電流が増えて、バッ
テリの消耗が激しくなるので、通話可能時間が短縮され
るという問題点も発生する。
な従来の送信回路では、周囲温度が上昇すると、トラン
ジスタ２２のエミッタ電圧Ｖｅ、すなわちパワーアンプ
１３のゲート電圧Ｖｇが上昇するので、パワーアンプ１
３の電流が増大して、送信出力が規定値から増えるとい
う問題点がある。また、パワーアンプ１３の電流が増大
すると、パワーアンプ１３での消費電流が増えて、バッ
テリの消耗が激しくなるので、通話可能時間が短縮され
るという問題点も発生する。
【０００７】逆に、周囲温度が下がると、トランジスタ
２２のエミッタ電圧Ｖｅ、すなわちパワーアンプ１３の
ゲート電圧Ｖｇが減少して、パワーアンプ１３の電流が
減少するので、送信出力が規定値から減るという問題点
が生じる。また、パワーアンプ１３の電流が減少する
と、パワーアンプ１３での消費電流が少なくなり、アン
プの特性が劣化して、送信性能が悪くなる問題点も発生
する。
２２のエミッタ電圧Ｖｅ、すなわちパワーアンプ１３の
ゲート電圧Ｖｇが減少して、パワーアンプ１３の電流が
減少するので、送信出力が規定値から減るという問題点
が生じる。また、パワーアンプ１３の電流が減少する
と、パワーアンプ１３での消費電流が少なくなり、アン
プの特性が劣化して、送信性能が悪くなる問題点も発生
する。
【０００８】このように、従来の送信回路は、温度特性
が良くなかった。
が良くなかった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、供給される制御電圧により電流値を制御
可能なパワーアンプと、温度補償素子を有し、周囲温度
の変化に係わらず常に一定した制御電圧を前記パワーア
ンプに出力する制御回路とを具備することを特徴とする
送信回路とする。
決するために、供給される制御電圧により電流値を制御
可能なパワーアンプと、温度補償素子を有し、周囲温度
の変化に係わらず常に一定した制御電圧を前記パワーア
ンプに出力する制御回路とを具備することを特徴とする
送信回路とする。
【００１０】この送信回路において、制御回路は、一具
体例としては、トランジスタのベースバイアス回路に前
記温度補償素子が挿入され、前記トランジスタのエミッ
タ電圧が制御電圧として前記パワーアンプに供給される
ように構成される。トランジスタのベースバイアス回路
は、より具体的には、電源と接地間に固定抵抗、可変抵
抗器および前記温度補償素子が直列に接続され、前記可
変抵抗器の可動端子が前記トランジスタのベースに接続
されように構成される。
体例としては、トランジスタのベースバイアス回路に前
記温度補償素子が挿入され、前記トランジスタのエミッ
タ電圧が制御電圧として前記パワーアンプに供給される
ように構成される。トランジスタのベースバイアス回路
は、より具体的には、電源と接地間に固定抵抗、可変抵
抗器および前記温度補償素子が直列に接続され、前記可
変抵抗器の可動端子が前記トランジスタのベースに接続
されように構成される。
【００１１】以上のような構成において、温度補償素子
としては、ダイオードまたはサーミスタを使用すること
ができる。
としては、ダイオードまたはサーミスタを使用すること
ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる送信回路の実施の形態を詳細に説明する。本発明の
実施の形態は、本発明の送信回路を移動体通信端末、特
にＰＨＳ電話機の送信回路として用いた場合である。そ
こで、最初に図２を参照してＰＨＳ電話機の全体的な回
路構成を説明する。
よる送信回路の実施の形態を詳細に説明する。本発明の
実施の形態は、本発明の送信回路を移動体通信端末、特
にＰＨＳ電話機の送信回路として用いた場合である。そ
こで、最初に図２を参照してＰＨＳ電話機の全体的な回
路構成を説明する。
【００１３】図２において、３１は装置全体を制御する
ＭＰＵであり、マイクロコンピュータ３２、ＲＯＭ３
３、ＲＡＭ３４、クロック源３５およびＩ／Ｏポート３
６で構成される。
ＭＰＵであり、マイクロコンピュータ３２、ＲＯＭ３
３、ＲＡＭ３４、クロック源３５およびＩ／Ｏポート３
６で構成される。
【００１４】マイクロコンピュータ３２はクロック源３
５から供給されるクロックに同期して動作し、ＲＯＭ３
３に格納されている動作処理手順を規定するプログラム
に従って、指定された処理を演算データおよび外部情報
を格納するＲＡＭ３４を用いて実行する。マイクロコン
ピュータ３２はＩ／Ｏポート３６を介してＭＰＵ以外の
他部と接続され、信号やデータの授受がなされる。
５から供給されるクロックに同期して動作し、ＲＯＭ３
３に格納されている動作処理手順を規定するプログラム
に従って、指定された処理を演算データおよび外部情報
を格納するＲＡＭ３４を用いて実行する。マイクロコン
ピュータ３２はＩ／Ｏポート３６を介してＭＰＵ以外の
他部と接続され、信号やデータの授受がなされる。
【００１５】キー３７は電話番号入力、各種動作モード
の設定等を行う。表示装置３８はキー３７から入力され
た各種情報や電話機の状態を表示するもので、ＬＣＤで
構成されている。振動モータ３９（モータ駆動回路を含
む）は着信や相手発呼時の発呼エラー発生時に駆動され
振動部を振動させる。
の設定等を行う。表示装置３８はキー３７から入力され
た各種情報や電話機の状態を表示するもので、ＬＣＤで
構成されている。振動モータ３９（モータ駆動回路を含
む）は着信や相手発呼時の発呼エラー発生時に駆動され
振動部を振動させる。
【００１６】ＲＦ送受信回路４０は、アンテナ４１で受
信した信号を増幅および周波数変換してベースバンドＩ
Ｃに復調用信号を出力するＲＦ受信回路と、ベースバン
ドＩＣからの音声変調信号を増幅および周波数変換して
アンテナ４１に送信信号を出力するＲＦ送信回路とから
なり、アンテナ４１とＲＦ受信回路およびＲＦ送信回路
との接続は後述する図１の送受切替えスイッチにより行
われる。
信した信号を増幅および周波数変換してベースバンドＩ
Ｃに復調用信号を出力するＲＦ受信回路と、ベースバン
ドＩＣからの音声変調信号を増幅および周波数変換して
アンテナ４１に送信信号を出力するＲＦ送信回路とから
なり、アンテナ４１とＲＦ受信回路およびＲＦ送信回路
との接続は後述する図１の送受切替えスイッチにより行
われる。
【００１７】ベースバンドＩＣ４２はＭＰＵ３１により
制御され音声信号やＲＦ信号を変復調する。ベースバン
ドＩＣ４２の出力である音声信号はＡＦ回路４３で増幅
されスピーカ４４を駆動する。また、マイクロホン４５
からの音声信号はＡＦ回路４３で増幅された後、ベース
バンドＩＣ４２に出力されて変調され、高周波信号とな
り、ＲＦ送受信回路４０を介してアンテナ４１より輻射
される。
制御され音声信号やＲＦ信号を変復調する。ベースバン
ドＩＣ４２の出力である音声信号はＡＦ回路４３で増幅
されスピーカ４４を駆動する。また、マイクロホン４５
からの音声信号はＡＦ回路４３で増幅された後、ベース
バンドＩＣ４２に出力されて変調され、高周波信号とな
り、ＲＦ送受信回路４０を介してアンテナ４１より輻射
される。
【００１８】図１の本発明の第１の実施形態の送信回路
は図２のＲＦ送受信回路４０に設けられる。図１におい
て、５１はＩＦＩＣであり、このＩＦＩＣ５１から出力
された高周波信号はバンドパスフィルタ５２を介してパ
ワーアンプ５３に供給され、所定の電力値に増幅され
る。このパワーアンプ５３は、３段のＭＯＳＦＥＴアン
プ５３ａ，５３ｂ，５３ｃからなり、ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート電圧Ｖｇを制御することにより、電流値（アンプ電
流Ｉｄ）を制御することができる。そして、このパワー
アンプ５３で所定電力値に増幅された高周波信号は、パ
ワーアンプ５３内の送受切替えスイッチ５４を介して、
さらには外部のバンドパスフィルタ５５を介してアンテ
ナ４１に供給され、電波として輻射される。
は図２のＲＦ送受信回路４０に設けられる。図１におい
て、５１はＩＦＩＣであり、このＩＦＩＣ５１から出力
された高周波信号はバンドパスフィルタ５２を介してパ
ワーアンプ５３に供給され、所定の電力値に増幅され
る。このパワーアンプ５３は、３段のＭＯＳＦＥＴアン
プ５３ａ，５３ｂ，５３ｃからなり、ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート電圧Ｖｇを制御することにより、電流値（アンプ電
流Ｉｄ）を制御することができる。そして、このパワー
アンプ５３で所定電力値に増幅された高周波信号は、パ
ワーアンプ５３内の送受切替えスイッチ５４を介して、
さらには外部のバンドパスフィルタ５５を介してアンテ
ナ４１に供給され、電波として輻射される。
【００１９】６１はパワーアンプ５３の電流値を制御す
る制御回路で、ＮＰＮトランジスタ６２、抵抗６３，６
４，６５、可変抵抗器６６およびダイオード６７で構成
される。固定抵抗６５、可変抵抗器６６およびダイオー
ド６７はトランジスタ６２のベースバイアス素子であ
り、＋Ｖ電源と接地間に上記の順に直列接続され、可変
抵抗器６６の可動端子がトランジスタ６２のベースに接
続される。上記直列接続をより詳細に説明すれば、抵抗
６５の一端が＋Ｖ電源に接続され、抵抗６５の他端に可
変抵抗器６６の一端が接続され、可変抵抗器６６の他端
にダイオード６７のアノードが接続され、ダイオード６
７のカソードが接地される。抵抗６３はトランジスタ６
２の負荷抵抗であり、トランジスタ６２のコレクタと＋
Ｖ電源間に接続される。抵抗６４はトランジスタ６２の
エミッタ抵抗であり、トランジスタ６２のエミッタと接
地間に接続される。そして、この制御回路６１において
は、トランジスタ６２のエミッタ電圧Ｖｅがパワーアン
プ５３の電流制御用の制御電圧（ゲート電圧Ｖｇ）とし
てパワーアンプ５３に供給されている。
る制御回路で、ＮＰＮトランジスタ６２、抵抗６３，６
４，６５、可変抵抗器６６およびダイオード６７で構成
される。固定抵抗６５、可変抵抗器６６およびダイオー
ド６７はトランジスタ６２のベースバイアス素子であ
り、＋Ｖ電源と接地間に上記の順に直列接続され、可変
抵抗器６６の可動端子がトランジスタ６２のベースに接
続される。上記直列接続をより詳細に説明すれば、抵抗
６５の一端が＋Ｖ電源に接続され、抵抗６５の他端に可
変抵抗器６６の一端が接続され、可変抵抗器６６の他端
にダイオード６７のアノードが接続され、ダイオード６
７のカソードが接地される。抵抗６３はトランジスタ６
２の負荷抵抗であり、トランジスタ６２のコレクタと＋
Ｖ電源間に接続される。抵抗６４はトランジスタ６２の
エミッタ抵抗であり、トランジスタ６２のエミッタと接
地間に接続される。そして、この制御回路６１において
は、トランジスタ６２のエミッタ電圧Ｖｅがパワーアン
プ５３の電流制御用の制御電圧（ゲート電圧Ｖｇ）とし
てパワーアンプ５３に供給されている。
【００２０】したがって、上記送信回路においては、制
御回路６１の可変抵抗器６６を調整してトランジスタ６
２のベース電圧Ｖｂを変化させ、これによりトランジス
タ６２のエミッタ電流、エミッタ電圧Ｖｅを変化させて
パワーアンプ５３のゲート電圧Ｖｇを変化させることに
より、パワーアンプ５３の電流を調整して該電流値を規
定値に調整できる。
御回路６１の可変抵抗器６６を調整してトランジスタ６
２のベース電圧Ｖｂを変化させ、これによりトランジス
タ６２のエミッタ電流、エミッタ電圧Ｖｅを変化させて
パワーアンプ５３のゲート電圧Ｖｇを変化させることに
より、パワーアンプ５３の電流を調整して該電流値を規
定値に調整できる。
【００２１】また、この送信回路（制御回路６１）にお
いては、調整後、周囲温度の上昇、下降に係わらず、常
に一定のエミッタ電圧Ｖｅ（ゲート電圧Ｖｇ）を発生さ
せることができる。すなわち、周囲温度が上昇したと
き、トランジスタ６２のエミッタ電圧Ｖｅが上昇しよう
とするが、このとき、ダイオード６７のアノード・カソ
ード間電圧Ｖｄが下がるので、トランジスタ６２のベー
ス電圧Ｖｂも下がる。結局、トランジスタ６２のエミッ
タ電圧Ｖｅが上がろうとする分がベース電圧Ｖｂが下が
る分により吸収されてエミッタ電圧Ｖｅが一定となる。
逆に、周囲温度が下がったときはトランジスタ６２のエ
ミッタ電圧Ｖｅが下がろうとするが、このときダイオー
ド６７のアノード・カソード間電圧Ｖｄが上がるので、
トランジスタ６２のベース電圧Ｖｂも上がる。したがっ
て、トランジスタ６２のエミッタ電圧Ｖｅが下がろうと
する分がベース電圧Ｖｂが上がる分により吸収されてエ
ミッタ電圧Ｖｅが一定となる。
いては、調整後、周囲温度の上昇、下降に係わらず、常
に一定のエミッタ電圧Ｖｅ（ゲート電圧Ｖｇ）を発生さ
せることができる。すなわち、周囲温度が上昇したと
き、トランジスタ６２のエミッタ電圧Ｖｅが上昇しよう
とするが、このとき、ダイオード６７のアノード・カソ
ード間電圧Ｖｄが下がるので、トランジスタ６２のベー
ス電圧Ｖｂも下がる。結局、トランジスタ６２のエミッ
タ電圧Ｖｅが上がろうとする分がベース電圧Ｖｂが下が
る分により吸収されてエミッタ電圧Ｖｅが一定となる。
逆に、周囲温度が下がったときはトランジスタ６２のエ
ミッタ電圧Ｖｅが下がろうとするが、このときダイオー
ド６７のアノード・カソード間電圧Ｖｄが上がるので、
トランジスタ６２のベース電圧Ｖｂも上がる。したがっ
て、トランジスタ６２のエミッタ電圧Ｖｅが下がろうと
する分がベース電圧Ｖｂが上がる分により吸収されてエ
ミッタ電圧Ｖｅが一定となる。
【００２２】そして、このようにしてトランジスタ６２
のエミッタ電圧Ｖｅ、すなわちパワーアンプ５３のゲー
ト電圧Ｖｇが周囲温度に関係なく一定になるので、この
送信回路によれば温度特性が良くなり、周囲温度に係わ
らずパワーアンプ５３の電流値を規定値に制御でき、送
信出力を規定値に維持することができる。また、周囲温
度が上昇しても、パワーアンプ５３での電流、すなわち
消費電流が増大することがないので、バッテリの消耗増
大により通話可能時間が短縮されるということがなくな
る。さらに、周囲温度の下降時、パワーアンプ５３での
消費電流が少なくなって、アンプの特性が劣化し、送信
性能が悪くなるということもなくなる。
のエミッタ電圧Ｖｅ、すなわちパワーアンプ５３のゲー
ト電圧Ｖｇが周囲温度に関係なく一定になるので、この
送信回路によれば温度特性が良くなり、周囲温度に係わ
らずパワーアンプ５３の電流値を規定値に制御でき、送
信出力を規定値に維持することができる。また、周囲温
度が上昇しても、パワーアンプ５３での電流、すなわち
消費電流が増大することがないので、バッテリの消耗増
大により通話可能時間が短縮されるということがなくな
る。さらに、周囲温度の下降時、パワーアンプ５３での
消費電流が少なくなって、アンプの特性が劣化し、送信
性能が悪くなるということもなくなる。
【００２３】図３は、本発明の送信回路の第２の実施形
態を示す。この第２の実施形態では、制御回路６１にお
いて、温度補償素子として、図１のダイオード６７に代
えてサーミスタ６８を使用する。その他は図１の第１の
実施形態と全く同様である。この第２の実施形態では、
サーミスタ６８の端子間電圧が周囲温度によって図１の
ダイオード６７のアノード・カソード間電圧と同様に変
化するので、図１の第１の実施形態と全く同様に動作
し、同様の効果を得ることができる。
態を示す。この第２の実施形態では、制御回路６１にお
いて、温度補償素子として、図１のダイオード６７に代
えてサーミスタ６８を使用する。その他は図１の第１の
実施形態と全く同様である。この第２の実施形態では、
サーミスタ６８の端子間電圧が周囲温度によって図１の
ダイオード６７のアノード・カソード間電圧と同様に変
化するので、図１の第１の実施形態と全く同様に動作
し、同様の効果を得ることができる。
【００２４】図４は、本発明の送信回路の第３の実施形
態を示す。この第３の実施形態では、パワーアンプ５３
がパワーコントロール端子５６を有し、その端子電圧を
変化させることにより電流値が変化するようになってい
る。したがって、制御回路６１のトランジスタ６２のエ
ミッタ電圧Ｖｅは、前記パワーコントロール端子５６に
供給している。このようなパワーアンプ５３と制御回路
６１の組み合わせでも、前記第１の実施形態と全く同様
に動作し、同様の効果を得ることができる。図４では、
温度補償素子としてダイオード６７を用いた図１の制御
回路６１が使用されているが、勿論図３のサーミスタ６
８を用いた制御回路６１を使用することもできる。
態を示す。この第３の実施形態では、パワーアンプ５３
がパワーコントロール端子５６を有し、その端子電圧を
変化させることにより電流値が変化するようになってい
る。したがって、制御回路６１のトランジスタ６２のエ
ミッタ電圧Ｖｅは、前記パワーコントロール端子５６に
供給している。このようなパワーアンプ５３と制御回路
６１の組み合わせでも、前記第１の実施形態と全く同様
に動作し、同様の効果を得ることができる。図４では、
温度補償素子としてダイオード６７を用いた図１の制御
回路６１が使用されているが、勿論図３のサーミスタ６
８を用いた制御回路６１を使用することもできる。
【００２５】なお、以上は本発明の送信回路をＰＨＳ電
話機に用いた場合であるが、本発明の送信回路はＰＨＳ
電話機以外の移動体通信端末は勿論のこと、業務用や趣
味用のトランシーバ、その他の送信機にも用いることが
できる。また、パワーアンプや制御回路の具体的構成
も、上記以外に種々の回路が容易に考えられる。さら
に、温度補償素子も、ダイオードやサーミスタ以外の素
子を適宜使用することができる。
話機に用いた場合であるが、本発明の送信回路はＰＨＳ
電話機以外の移動体通信端末は勿論のこと、業務用や趣
味用のトランシーバ、その他の送信機にも用いることが
できる。また、パワーアンプや制御回路の具体的構成
も、上記以外に種々の回路が容易に考えられる。さら
に、温度補償素子も、ダイオードやサーミスタ以外の素
子を適宜使用することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の送信
回路によれば、温度特性が良好になり、周囲温度に係わ
らずパワーアンプの電流値を規定値に制御することがで
き、その結果として周囲温度に係わらず送信出力を規定
値に維持することができるとともに、周囲温度に関係な
く所定の通話可能時間と所定の送信性能を確保すること
ができる。
回路によれば、温度特性が良好になり、周囲温度に係わ
らずパワーアンプの電流値を規定値に制御することがで
き、その結果として周囲温度に係わらず送信出力を規定
値に維持することができるとともに、周囲温度に関係な
く所定の通話可能時間と所定の送信性能を確保すること
ができる。
【図１】本発明による送信回路の第１の実施形態を示す
回路図。
回路図。
【図２】本発明の送信回路が使用されるＰＨＳ電話機の
全体的構成を示す回路図。
全体的構成を示す回路図。
【図３】本発明による送信回路の第２の実施形態を示す
回路図。
回路図。
【図４】本発明による送信回路の第３の実施形態を示す
回路図。
回路図。
【図５】従来の送信回路を示す回路図。
５３ パワーアンプ ６１ 制御回路 ６２ トランジスタ ６５ 抵抗 ６６ 可変抵抗器 ６７ ダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J090 AA01 AA41 AA58 CA02 CN01 FA10 FN01 HA02 HA10 HA19 HA25 HA26 HA43 HN20 KA12 KA44 MA08 SA14 TA01 5K060 BB07 CC04 DD04 HH06 JJ02 JJ06 JJ08 JJ09 KK06 LL11 LL24
Claims (6)
- 【請求項１】 供給される制御電圧により電流値を制御
可能なパワーアンプと、 温度補償素子を有し、周囲温度の変化に係わらず常に一
定した制御電圧を前記パワーアンプに出力する制御回路
とを具備することを特徴とする送信回路。 - 【請求項２】 制御回路は、トランジスタのベースバイ
アス回路に前記温度補償素子が挿入され、前記トランジ
スタのエミッタ電圧が制御電圧として前記パワーアンプ
に供給されることを特徴とする請求項１記載の送信回
路。 - 【請求項３】 トランジスタのベースバイアス回路は、
電源と接地間に固定抵抗、可変抵抗器および温度補償素
子が直列に接続され、前記可変抵抗器の可動端子が前記
トランジスタのベースに接続されたことを特徴とする請
求項２記載の送信回路。 - 【請求項４】 制御回路の温度補償素子はダイオードで
あることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか記載
の送信回路。 - 【請求項５】 制御回路の温度補償素子はサーミスタで
あることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか記載
の送信回路。 - 【請求項６】 移動体通信端末の送信回路であることを
特徴とする請求項１ないし５のいずれか記載の送信回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10179862A JP2000013250A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 送信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10179862A JP2000013250A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 送信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000013250A true JP2000013250A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16073221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10179862A Pending JP2000013250A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 送信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000013250A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10020786B2 (en) | 2015-07-14 | 2018-07-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplification module |
| US10153737B2 (en) | 2017-03-13 | 2018-12-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module |
-
1998
- 1998-06-26 JP JP10179862A patent/JP2000013250A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10020786B2 (en) | 2015-07-14 | 2018-07-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplification module |
| US11398805B2 (en) | 2015-07-14 | 2022-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplification module |
| US10153737B2 (en) | 2017-03-13 | 2018-12-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module |
| US10637406B2 (en) | 2017-03-13 | 2020-04-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6038428A (en) | Power control circuit for transmission apparatus | |
| KR100312367B1 (ko) | 이동체통신장치및방법 | |
| US6374092B1 (en) | Efficient multimode power amplifier | |
| US20060293001A1 (en) | Apparatus for mobile communication system | |
| US8489036B2 (en) | Mobile phone for controlling diversity | |
| US7639080B2 (en) | Radio frequency amplifier circuit and mobile communication terminal using the same | |
| EP1225690A2 (en) | Transmitter circuits | |
| US7049887B2 (en) | Envelope elimination and restoration linear amplifier | |
| JP3739614B2 (ja) | 出力電力調整を行う送信機 | |
| US6025753A (en) | Method and apparatus for amplifying a signal | |
| JP4088358B2 (ja) | 温度補償レベル・シフタを有する電力増幅回路 | |
| US5216378A (en) | Switch adaptable radio frequency amplifier | |
| JP3238931B2 (ja) | デジタル携帯電話器 | |
| JP2000013250A (ja) | 送信回路 | |
| US7642857B2 (en) | Current limit circuit for compensating for output load mismatch of an RF power amplifier | |
| JP2000013252A (ja) | 送信回路 | |
| JP2000341049A (ja) | 温度補償機能付き電子回路とこの回路を備えた移動通信機 | |
| JP2002171177A (ja) | 中間周波数がゼロである構造の送信機で、ｈｔｂ技術によるパワー増幅器を使用可能にする制御方法および回路 | |
| JP3954989B2 (ja) | スピーカ内蔵電話機、ｐｌｌループゲイン調整方法、及びプログラム | |
| JP2000013251A (ja) | 送信回路 | |
| KR101081242B1 (ko) | 전력 증폭 회로 | |
| EP1317062A2 (en) | Power supply control of cascaded amplifiers in a transmission circuit | |
| JPH0837684A (ja) | コードレス電話機 | |
| JPH10256931A (ja) | 携帯電話機のゲイン補正回路 | |
| JP2003152466A (ja) | 送信回路 |