JP2000009764A - Current detection circuit - Google Patents

Current detection circuit

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JP2000009764A
JP2000009764A JP10171730A JP17173098A JP2000009764A JP 2000009764 A JP2000009764 A JP 2000009764A JP 10171730 A JP10171730 A JP 10171730A JP 17173098 A JP17173098 A JP 17173098A JP 2000009764 A JP2000009764 A JP 2000009764A
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JP
Japan
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resistance
resistor
current
potential
thermistor
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JP10171730A
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Japanese (ja)
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Koichi Takagi
幸一 高木
Takashi Hoshino
孝志 星野
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Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Wiring Systems Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Harness System Technologies Research Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect at good accuracy a current, using a PTC(provide temperature coefficient) thermistor. SOLUTION: A PTC thermistor 2 is provided with first and second resistance portions 21, 22, and one end of both resistance portions 21, 22 is in common. The second resistance portion 22 is constituted so as to be branched from the first resistance portion 21 and a ratio of resistant values of the respective resistance portions 21, 22 is set to a predetermined ratio. A potential control circuit 3 adjusts a potential V1 of the other end of the first resistance portion 21 and a potential V2 of the other end of the second resistance portion 22 to be at the same potential. The resistant value of a resistant element 7 is known already. An over current detection circuit 6 detects a potential V0 of a connection point of a transistor 31 and the resistant element 7, and a feed current I1 to a lamp 9 is demanded from the potential V0.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、正特性サーミスタ
を用いて電源部から負荷に供給される負荷電流を検出す
る電流検出回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a current detection circuit for detecting a load current supplied to a load from a power supply using a positive temperature coefficient thermistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、回路に流れる電流を検出するとき
は、その電流の経路に抵抗値が既知の抵抗体を挿入し、
その抵抗体の両端に発生する電圧値と上記既知の抵抗値
とから電流を求める方法がよく用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, when detecting a current flowing in a circuit, a resistor having a known resistance value is inserted into a path of the current,
A method of obtaining a current from a voltage value generated at both ends of the resistor and the known resistance value is often used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、抵抗体によ
り回路電流を検出する場合には、抵抗体で消費される電
力量は回路電流に比例するので、回路電流が増大する場
合には、予め定格電力の大きい抵抗体を採用しておく必
要があることから、抵抗体の大型化やコストの上昇を招
く。また、回路電流が増大すると抵抗体で消費される電
力量が増大するので、回路の電力効率が低下してしまう
こととなる。
However, when a circuit current is detected by a resistor, the amount of power consumed by the resistor is proportional to the circuit current. Since it is necessary to use a resistor having a large power, the size of the resistor is increased and the cost is increased. Further, when the circuit current increases, the amount of power consumed by the resistor increases, so that the power efficiency of the circuit decreases.

【0004】一方、従来、温度上昇に従って抵抗値が増
大する正特性(Positive Temperature Coefficient)サ
ーミスタ(以下「PTCサーミスタ」という。)を回路
に挿入することにより、過電流や過熱等の異常から回路
を保護するようにしたものが知られており、このPTC
サーミスタを上記抵抗体として利用することが考えられ
るが、PTCサーミスタは温度変化により抵抗値が変化
するため、そのままでは利用することができない。
On the other hand, conventionally, a positive temperature coefficient (Positive Temperature Coefficient) thermistor (hereinafter referred to as a "PTC thermistor") whose resistance value increases as the temperature rises is inserted into a circuit, so that the circuit can be protected from abnormalities such as overcurrent and overheating. Known to be protected, this PTC
Although it is conceivable to use a thermistor as the resistor, the PTC thermistor cannot be used as it is because the resistance value changes with temperature.

【0005】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
PTCサーミスタを用いながら電流を精度良く検出する
ことが可能な電流検出回路を提供することを目的とす
る。
[0005] The present invention has been made in view of the above,
An object of the present invention is to provide a current detection circuit that can accurately detect a current while using a PTC thermistor.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、電源部から負
荷に供給される供給電流を検出する電流検出回路におい
て、上記電源部と上記負荷との間に介設された第1の抵
抗部、及び上記電源部とアースとの間に介設され、上記
第1の抵抗部から分岐して構成された第2の抵抗部を有
し、上記第2の抵抗部の抵抗値が上記第1の抵抗部の抵
抗値に対して所定比率だけ大きい値に設定されている正
特性サーミスタと、上記第2の抵抗部に流れる電流を検
出するとともに、この検出された電流と上記所定比率と
から上記第1の抵抗部に流れる上記供給電流を求める電
流検出手段とを備えたものである。
According to the present invention, there is provided a current detecting circuit for detecting a supply current supplied from a power supply unit to a load, wherein the first resistance unit is provided between the power supply unit and the load. And a second resistor section interposed between the power supply section and the ground, and branched from the first resistor section, wherein the resistance value of the second resistor section is equal to the first resistor value. A positive characteristic thermistor set to a value larger by a predetermined ratio with respect to the resistance value of the resistance portion, and a current flowing through the second resistance portion is detected. Current detecting means for obtaining the supply current flowing through the first resistance section.

【0007】この構成によれば、電源部から第1の抵抗
部を介して負荷に電流が供給されるとともに、第1の抵
抗部から分岐して構成された第2の抵抗部に電源部から
電流が流れ、第2の抵抗部に流れる電流が検出される。
第2の抵抗部の抵抗値は、第1の抵抗部の抵抗値に対し
て所定比率だけ大きい値に設定されているので、検出さ
れた電流と所定比率とから第1の抵抗部に流れる電流が
求められることによって、負荷への供給電流が簡易な構
成で求められることとなる。また、温度が上昇すると正
特性サーミスタの抵抗値が増大するので、供給電流のレ
ベルが低下することとなり、回路部品の保護が可能にな
る。
According to this configuration, a current is supplied from the power supply unit to the load via the first resistance unit, and the power supply unit supplies the current to the second resistance unit branched from the first resistance unit. The current flows, and the current flowing through the second resistor is detected.
Since the resistance value of the second resistance portion is set to a value larger by a predetermined ratio than the resistance value of the first resistance portion, the current flowing through the first resistance portion based on the detected current and the predetermined ratio. Is required, the supply current to the load can be obtained with a simple configuration. Further, when the temperature rises, the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor increases, so that the level of the supply current decreases, and the circuit components can be protected.

【0008】また、上記第1の抵抗部の上記負荷側の電
位と上記第2の抵抗部の上記アース側の電位とを同電位
にさせる電位制御手段を備えるようにしてもよい。この
構成によれば、第2の抵抗部の抵抗値が第1の抵抗部の
抵抗値に対して所定比率だけ大きい値に設定されている
ことから、第1の抵抗部の負荷側の電位と第2の抵抗部
のアース側の電位とが同電位にされることにより、第1
の抵抗部に流れる電流と第2の抵抗部に流れる電流との
比率が上記所定比率になる。従って、第2の抵抗部に流
れる電流と上記所定比率とから、負荷への供給電流が容
易に求められることとなる。
[0008] Further, there may be provided a potential control means for setting the potential on the load side of the first resistor section and the potential on the ground side of the second resistor section to the same potential. According to this configuration, since the resistance of the second resistor is set to a value larger than the resistance of the first resistor by a predetermined ratio, the potential on the load side of the first resistor is reduced. By setting the potential on the ground side of the second resistor to the same potential,
The ratio between the current flowing through the resistor section and the current flowing through the second resistor section is the above-mentioned predetermined ratio. Therefore, the current supplied to the load can be easily obtained from the current flowing through the second resistor and the predetermined ratio.

【0009】また、上記正特性サーミスタは、サーミス
タ部と、このサーミスタ部を挾むように配設された一対
の電極板とを備えたもので、上記一対の電極板の一方は
第1の電極板と第2の電極板とに分割されており、上記
第1の電極板及び上記一対の電極板の他方によって挾ま
れる上記サーミスタ部により上記第1の抵抗部が構成さ
れ、上記第2の電極板及び上記一対の電極板の他方によ
って挾まれる上記サーミスタ部により上記第2の抵抗部
が構成され、上記第1の電極板の面積と上記第2の電極
板の面積との比率が上記所定比率になるように構成され
ているとしてもよい。
The positive temperature coefficient thermistor includes a thermistor portion and a pair of electrode plates disposed so as to sandwich the thermistor portion. One of the pair of electrode plates is provided with a first electrode plate. The first resistor plate is divided into a second electrode plate and the thermistor portion sandwiched between the first electrode plate and the other of the pair of electrode plates. The second resistance portion is constituted by the thermistor portion sandwiched by the other of the pair of electrode plates, and the ratio between the area of the first electrode plate and the area of the second electrode plate is the predetermined ratio. It may be configured so that

【0010】この構成によれば、サーミスタ部を挾むよ
うに配設された一対の電極板の一方は第1の電極板と第
2の電極板とに分割されており、第1の電極板及び一対
の電極板の他方によって挾まれるサーミスタ部により第
1の抵抗部が構成され、第2の電極板及び一対の電極板
の他方によって挾まれるサーミスタ部により第2の抵抗
部が構成され、第1の電極板の面積と第2の電極板の面
積との比率が上記所定比率になるように構成されている
ことにより、第1の抵抗部の特性と第2の抵抗部の特性
がほぼ一致することとなり、これによって負荷への供給
電流が精度良く求められることとなる。
According to this configuration, one of the pair of electrode plates disposed so as to sandwich the thermistor portion is divided into the first electrode plate and the second electrode plate, and the first electrode plate and the pair of electrode plates are separated from each other. A first resistance portion is constituted by the thermistor portion sandwiched by the other of the electrode plates, and a second resistance portion is constituted by the thermistor portion sandwiched by the other of the second electrode plate and the pair of electrode plates. Since the ratio between the area of the first electrode plate and the area of the second electrode plate is set to the predetermined ratio, the characteristics of the first resistor and the characteristics of the second resistor substantially match. As a result, the supply current to the load can be accurately obtained.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は本発明に係る電流検出回路
の一実施形態の回路図である。この回路は、電源部1、
PTCサーミスタ2、電位制御回路3、FET4、駆動
回路5、過電流検出回路6、抵抗素子7及び制御回路8
を備え、電源部1からランプ(負荷)9への電流供給を
制御するものである。PTCサーミスタ2は第1の抵抗
部21と第2の抵抗部22とを備え、電位制御回路3は
PNPトランジスタ31とコンパレータ32とを備えて
いる。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a current detection circuit according to the present invention. This circuit includes a power supply unit 1,
PTC thermistor 2, potential control circuit 3, FET 4, drive circuit 5, overcurrent detection circuit 6, resistance element 7, and control circuit 8
And controls the current supply from the power supply unit 1 to the lamp (load) 9. The PTC thermistor 2 includes a first resistor 21 and a second resistor 22, and the potential control circuit 3 includes a PNP transistor 31 and a comparator 32.

【0012】第1の抵抗部21の一端は電源部1に接続
され、他端はFET4のドレインに接続され、FET4
のソースはランプ9を介して接地されており、ゲートは
駆動回路5に接続されている。第1の抵抗部21の他端
は、更にコンパレータ32の非反転入力端子に接続され
ている。
One end of the first resistor 21 is connected to the power supply 1 and the other end is connected to the drain of the FET 4.
Are grounded via a lamp 9, and the gate is connected to the drive circuit 5. The other end of the first resistor 21 is further connected to a non-inverting input terminal of the comparator 32.

【0013】第2の抵抗部22の一端は電源部1に接続
され、他端はトランジスタ31のエミッタ及びコンパレ
ータ32の反転入力端子に接続されており、トランジス
タ31のベースはコンパレータ32の出力端子に接続さ
れ、コレクタは抵抗素子7を介して接地されている。
One end of the second resistor section 22 is connected to the power supply section 1, the other end is connected to the emitter of the transistor 31 and the inverting input terminal of the comparator 32, and the base of the transistor 31 is connected to the output terminal of the comparator 32. Connected, and the collector is grounded via the resistance element 7.

【0014】このように、第1の抵抗部21の一端と第
2の抵抗部22の一端が共通で、第2の抵抗部22は第
1の抵抗部21から分岐して構成されており、各抵抗部
21,22の抵抗値の比率は、後述するように、所定比
率になされている。
As described above, one end of the first resistor 21 and one end of the second resistor 22 are common, and the second resistor 22 is branched from the first resistor 21. The ratio of the resistance value of each of the resistance portions 21 and 22 is set to a predetermined ratio as described later.

【0015】電位制御回路3は、第1の抵抗部21の他
端(すなわちFET4のドレイン)の電位V1と第2の
抵抗部22の他端(すなわちトランジスタ31のエミッ
タ)の電位V2とを同電位にするもので、その動作につ
いては後述する。駆動回路5は、図略のチャージポンプ
回路などを備え、FET4のゲートに駆動電圧を印加し
てFET4をオンオフさせるものである。制御回路8
は、駆動回路5を介してFET4のオンオフを制御する
ことにより、ランプ9を点灯消灯させるものである。な
お、抵抗素子7は、抵抗値R0が既知のものが採用され
ている。
The potential control circuit 3 sets the potential V1 at the other end of the first resistor 21 (ie, the drain of the FET 4) to the potential V2 at the other end of the second resistor 22 (ie, the emitter of the transistor 31). The operation will be described later. The drive circuit 5 includes a charge pump circuit (not shown), and applies a drive voltage to the gate of the FET 4 to turn the FET 4 on and off. Control circuit 8
Is for turning on / off the lamp 9 by controlling the on / off of the FET 4 via the drive circuit 5. The resistance element 7 has a known resistance value R0.

【0016】過電流検出回路6は、以下の機能を有す
る。 (1) トランジスタ31と抵抗素子7との接続点(すなわ
ちトランジスタ31のコレクタ)の電位V0を検出し、
この電位V0からランプ9への供給電流I1を求める機
能。
The overcurrent detection circuit 6 has the following functions. (1) A potential V0 at a connection point between the transistor 31 and the resistance element 7 (that is, a collector of the transistor 31) is detected,
A function of calculating a supply current I1 to the lamp 9 from the potential V0.

【0017】(2) 求められた供給電流I1が所定レベル
を超えると過電流であると判定し、駆動回路5を制御し
てFET4をオフにさせる機能。
(2) A function of judging an overcurrent when the obtained supply current I1 exceeds a predetermined level, and controlling the drive circuit 5 to turn off the FET4.

【0018】図2はPTCサーミスタ2を示す図で、
(a)は斜視図、(b)は平面図、(c)は(b)のC
−C線断面図である。PTCサーミスタ2には、チタン
酸バリウム等のセラミックを主成分とする無機タイプ
と、ポリエチレン等の絶縁性高分子に導電性カーボンを
配合して混練、成型、架橋処理した樹脂タイプの双方が
適用可能である。
FIG. 2 shows the PTC thermistor 2.
(A) is a perspective view, (b) is a plan view, (c) is C in (b).
FIG. 4 is a sectional view taken along line C of FIG. The PTC thermistor 2 can be applied to both an inorganic type mainly composed of ceramics such as barium titanate and a resin type obtained by kneading, molding and cross-linking a mixture of insulating polymer such as polyethylene and conductive carbon. It is.

【0019】ここで、上記架橋処理を行う手段として
は、電離放射線を高分子材料に照射して生成したラジカ
ル同士の結合を生じさせる方法や、過酸化物を高分子材
料に配合し、高温高圧雰囲気中でラジカルを発生させて
化学結合を生じさせる方法等も有効である。このような
架橋処理をすれば、過電流異常や過熱異常の状態から正
常状態に戻った際、PTCサーミスタの通電性は上記異
常状態が発生する前と同レベルまで復帰することが可能
になる。
Here, the means for performing the above-mentioned cross-linking treatment may be a method of irradiating the polymer material with ionizing radiation to form a bond between radicals generated, or a method in which a peroxide is blended with the polymer material, A method of generating a chemical bond by generating a radical in an atmosphere is also effective. By performing such a cross-linking process, when returning from the state of overcurrent abnormality or overheating abnormality to the normal state, the conductivity of the PTC thermistor can return to the same level as before the occurrence of the abnormal state.

【0020】上記チタン酸バリウムを用いた場合、バリ
ウム原子の一部をストロンチウム原子や鉛原子に置換す
ることにより、抵抗が増大し始める温度を少なくとも50
〜 200℃の範囲で制御することができる。一方、樹脂タ
イプのものでは、抵抗が増大し始める温度はベース樹脂
の融点に支配される。このベース樹脂の融点は当該樹脂
の結晶性を制御することによって若干調節できるが、そ
の範囲は無機タイプと比べてかなり小さい。ポリエチレ
ンの場合、融点の範囲はその結晶性によって100〜135℃
程度に変わる。これを用いてPTCサーミスタを製造す
る場合、導電性カーボンを混練するために抵抗増大開始
温度は上述の融点より若干低くなるが、電流値は混練す
るカーボン量や面積、厚みにより制御でき、この面積や
厚み、形状制御は無機タイプのものより容易である。ポ
リエチレン以外では、ポリフッ化ビニリデン等の使用も
考えられる。この場合、ポリフッ化ビニリデンの結晶性
により融点が140〜150℃に変化する。よって、これにカ
ーボンを混練することにより、抵抗増大開始温度が130
〜140℃のPTCサーミスタを製造することが可能であ
る。
When barium titanate is used, a part of barium atoms is replaced by strontium atoms or lead atoms, so that the temperature at which the resistance starts to increase is at least 50%.
It can be controlled in the range of ~ 200 ° C. On the other hand, in the resin type, the temperature at which the resistance starts to increase is governed by the melting point of the base resin. The melting point of the base resin can be adjusted slightly by controlling the crystallinity of the resin, but its range is considerably smaller than that of the inorganic type. In the case of polyethylene, the melting point range is 100-135 ° C depending on its crystallinity.
It changes to the extent. When manufacturing a PTC thermistor using this, the resistance increase start temperature is slightly lower than the above-mentioned melting point due to kneading of conductive carbon, but the current value can be controlled by the amount, area and thickness of kneaded carbon. The control of thickness, shape and shape is easier than that of inorganic type. Other than polyethylene, use of polyvinylidene fluoride or the like is also conceivable. In this case, the melting point changes to 140 to 150 ° C. due to the crystallinity of polyvinylidene fluoride. Therefore, by kneading this with carbon, the temperature at which the resistance starts increasing is 130
It is possible to produce PTC thermistors at 140140 ° C.

【0021】PTCサーミスタ2は、図2(a)に示す
ように、サーミスタ部23と、このサーミスタ部23を
挾むように配設された一対の電極板24,25とから構
成されている。
As shown in FIG. 2A, the PTC thermistor 2 includes a thermistor 23 and a pair of electrode plates 24 and 25 disposed so as to sandwich the thermistor 23.

【0022】一対の電極板24,25は、例えばニッケ
ル箔などがサーミスタ部23の表面に張り合わせて形成
されており、この一対の電極板24,25によってサー
ミスタ部23に配線の接続が可能になっている。
The pair of electrode plates 24 and 25 are formed, for example, by attaching nickel foil or the like to the surface of the thermistor portion 23. The pair of electrode plates 24 and 25 enable wiring to be connected to the thermistor portion 23. ing.

【0023】図2(a)(b)(c)に示すように、一
対の電極板24,25の一方の電極板24は、例えばフ
ォトエッチング法で切欠くことによって、第1の電極板
241と第2の電極板242とに分割されている。この
とき、第1の電極板241の面積と第2の電極板242
の面積との比率が、N:1になるように分割されてい
る。
As shown in FIGS. 2 (a), 2 (b) and 2 (c), one of the pair of electrode plates 24, 25 is cut out by, for example, a photo-etching method to form a first electrode plate 241. And a second electrode plate 242. At this time, the area of the first electrode plate 241 and the area of the second electrode plate 242
Are divided so that the ratio with respect to the area is N: 1.

【0024】そして、図1において、一対の電極板2
4,25の他方の電極板25が電源部1に接続され、第
1の電極板241がFET4のドレインに接続され、第
2の電極板242がトランジスタ31のエミッタに接続
されている。すなわち、電極板25及び第1の電極板2
41によって挾まれたサーミスタ部23により第1の抵
抗部21が構成され、電極板25及び第2の電極板24
2によって挾まれたサーミスタ部23により第2の抵抗
部22が構成されている。
In FIG. 1, a pair of electrode plates 2
The other electrode plates 25, 25 are connected to the power supply unit 1, the first electrode plate 241 is connected to the drain of the FET 4, and the second electrode plate 242 is connected to the emitter of the transistor 31. That is, the electrode plate 25 and the first electrode plate 2
The first resistance portion 21 is constituted by the thermistor portion 23 sandwiched by 41, and the electrode plate 25 and the second electrode plate 24
The second resistance portion 22 is constituted by the thermistor portion 23 sandwiched between the two.

【0025】従って、第1の電極板241の面積と第2
の電極板242の面積の比率をN:1にしているので、
第1の抵抗部21の抵抗値をR1、第2の抵抗部22の
抵抗値をR2とすると、R1:R2=1:Nになる。
Therefore, the area of the first electrode plate 241 and the area of the second
Since the ratio of the area of the electrode plate 242 is N: 1,
Assuming that the resistance of the first resistor 21 is R1 and the resistance of the second resistor 22 is R2, R1: R2 = 1: N.

【0026】次に、図1の回路の動作について説明す
る。制御回路8によって駆動回路5から駆動電圧がFE
T4に印加されるとFET4がオンになり、ランプ9に
電流が供給されて、ランプ9が点灯する。
Next, the operation of the circuit shown in FIG. 1 will be described. The drive voltage is supplied from the drive circuit 5 by the control circuit 8 to FE.
When the voltage is applied to T4, the FET 4 is turned on, a current is supplied to the lamp 9, and the lamp 9 is turned on.

【0027】そして、コンパレータ32により第1の抵
抗部21の他端の電位V1と第2の抵抗部22の他端の
電位V2とが比較され、V1≧V2のときはコンパレー
タ32からローレベル信号が出力され、トランジスタ3
1がオンにされて、第2の抵抗部22に電流が流れて電
位V2が上昇する。一方、V1<V2のときはコンパレ
ータ32からハイレベル信号が出力され、トランジスタ
31がオフにされて、第2の抵抗部22に電流が流れず
に電位V2が低下する。このように、トランジスタ31
のオンオフによってV1=V2に維持される。
The comparator 32 compares the potential V1 at the other end of the first resistor 21 with the potential V2 at the other end of the second resistor 22. When V1 ≧ V2, the comparator 32 outputs a low-level signal. Is output, and the transistor 3
1 is turned on, a current flows through the second resistance section 22, and the potential V2 rises. On the other hand, when V1 <V2, a high-level signal is output from the comparator 32, the transistor 31 is turned off, and the current does not flow through the second resistor portion 22, and the potential V2 decreases. Thus, the transistor 31
Is maintained at V1 = V2 by turning on and off of.

【0028】従って、第1の抵抗部21に流れる電流、
すなわちランプ9への供給電流をI1、第2の抵抗部2
2に流れる電流をI2とすると、V1=V2、かつR
1:R2=1:Nであることから、I1:I2=N:1
になる。
Therefore, the current flowing through the first resistance portion 21,
That is, the supply current to the lamp 9 is I1, the second resistor 2
2 is I2, V1 = V2, and R2
1: R2 = 1: N, I1: I2 = N: 1
become.

【0029】そこで、過電流検出回路6が検出する電位
をV0とすると、抵抗素子7の抵抗値がR0であるの
で、 I2=V0/R0 になる。従って、 I1=N・I2=N・V0/R0 になり、過電流検出回路6によってランプ9への供給電
流I1が求められる。
Therefore, assuming that the potential detected by the overcurrent detection circuit 6 is V0, the resistance value of the resistance element 7 is R0, so that I2 = V0 / R0. Therefore, I1 = N ・ I2 = N ・ V0 / R0, and the supply current I1 to the lamp 9 is obtained by the overcurrent detection circuit 6.

【0030】このように、第1の抵抗部21と、この第
1の抵抗部21から分岐した第2の抵抗部22とを備え
るようにPTCサーミスタ2を構成し、第2の抵抗部2
2に流れる電流によってランプ9への供給電流を検出す
るようにしたので、簡易な構成で電流検出を行うことが
できる。
As described above, the PTC thermistor 2 is configured to include the first resistance section 21 and the second resistance section 22 branched from the first resistance section 21, and the second resistance section 2
Since the supply current to the lamp 9 is detected based on the current flowing through the lamp 2, the current can be detected with a simple configuration.

【0031】また、第1の抵抗部21の抵抗値と第2の
抵抗部22の抵抗値との比率が所定比率になるようにP
TCサーミスタ2を構成し、両抵抗部21,22の他端
の電位を同電位に維持するようにしたので、第1の抵抗
部21に流れる電流、すなわちランプ9への供給電流に
対して、第2の抵抗部22に流れる電流を比例させるこ
とができ、これによって、第2の抵抗部22に流れる電
流を検出することによりランプ9への供給電流を求める
ことができる。
Further, P is set so that the ratio between the resistance value of the first resistance portion 21 and the resistance value of the second resistance portion 22 becomes a predetermined ratio.
Since the TC thermistor 2 is configured to maintain the potentials at the other ends of the two resistance portions 21 and 22 at the same potential, the current flowing through the first resistance portion 21, that is, the supply current to the lamp 9 is reduced. The current flowing through the second resistor 22 can be made proportional, whereby the current supplied to the lamp 9 can be determined by detecting the current flowing through the second resistor 22.

【0032】また、図2に示すように、1個のPTCサ
ーミスタ2を用いて第1、第2の抵抗部21,22を構
成しているので、第1の抵抗部21の特性と第2の抵抗
部22の特性とがほぼ一致することとなり、温度依存性
などの製造ばらつきによる特性の相違がなくなる。これ
によって、温度が上昇した場合でも、第1、第2の抵抗
部21,22の抵抗値が同様に比例して増大することに
なる。従って、第2の抵抗部22に流れる電流から、第
1の抵抗部21に流れる電流、すなわちランプ9への供
給電流を精度良く求めることができる。
Further, as shown in FIG. 2, since the first and second resistance portions 21 and 22 are formed by using one PTC thermistor 2, the characteristics of the first resistance portion 21 and the second And the characteristics of the resistance section 22 of FIG. 1 substantially coincide with each other, and there is no difference in characteristics due to manufacturing variations such as temperature dependency. As a result, even when the temperature rises, the resistance values of the first and second resistance portions 21 and 22 similarly increase in proportion. Therefore, the current flowing through the first resistor 21, that is, the current supplied to the lamp 9 can be accurately determined from the current flowing through the second resistor 22.

【0033】また、PTCサーミスタ2により第1の抵
抗部21を構成しているので、例えば雰囲気温度の上昇
や流れる電流レベルの増大によってPTCサーミスタ2
の温度が上昇すると、第1の抵抗部21の抵抗値が増大
することから、ランプ9への供給電流を低減することが
でき、これによって過電流や過熱に対してFET4を保
護することができる。また、供給電流が低減することか
ら、PTCサーミスタ2やFET4などの回路部品の小
型化及び低コスト化を図ることができる。
Further, since the first resistance portion 21 is constituted by the PTC thermistor 2, the PTC thermistor 2 is provided by, for example, an increase in the ambient temperature or an increase in the flowing current level.
When the temperature rises, the resistance value of the first resistance portion 21 increases, so that the supply current to the lamp 9 can be reduced, thereby protecting the FET 4 against overcurrent and overheating. . Further, since the supply current is reduced, it is possible to reduce the size and cost of circuit components such as the PTC thermistor 2 and the FET 4.

【0034】なお、本発明は、上記実施形態に限られ
ず、以下の変形形態を採用することができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, but can adopt the following modifications.

【0035】(1)一方の電極板24を、第1の電極板
241と第2の電極板242とに分割する方法は、フォ
トエッチングに限られない。例えば蒸着法を用いること
も可能である。
(1) The method of dividing one electrode plate 24 into a first electrode plate 241 and a second electrode plate 242 is not limited to photo-etching. For example, a vapor deposition method can be used.

【0036】(2)図3に示すように、電極板24だけ
でなく、サーミスタ部23も分割するようにしてもよ
い。この場合の分割は、例えばレーザトリミング法を用
いることができる。
(2) As shown in FIG. 3, not only the electrode plate 24 but also the thermistor 23 may be divided. In this case, for example, a laser trimming method can be used for the division.

【0037】(3)上記実施形態では、ランプ9への電
流供給を制御する回路に適用しているが、これに限られ
ず、他の回路において電流を検出する場合に適用するこ
とができる。
(3) In the above embodiment, the present invention is applied to the circuit for controlling the current supply to the lamp 9. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to the case where the current is detected in another circuit.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電源部と負荷との間に介設された第1の抵抗部、及び電
源部とアースとの間に介設され、第1の抵抗部から分岐
して構成された第2の抵抗部を有し、第2の抵抗部の抵
抗値が第1の抵抗部の抵抗値に対して所定比率だけ大き
い値に設定されている正特性サーミスタと、第2の抵抗
部に流れる電流を検出するとともに、この検出された電
流と所定比率とから第1の抵抗部に流れる供給電流を求
める電流検出手段とを備えるようにしたので、負荷への
供給電流を簡易な構成で求めることができるとともに、
温度上昇に対して回路部品を保護することができる。
As described above, according to the present invention,
A first resistor provided between the power supply and the load; and a second resistor provided between the power supply and the ground and branched from the first resistor. A positive-characteristic thermistor in which the resistance of the second resistor is set to a value larger than the resistance of the first resistor by a predetermined ratio, and a current flowing through the second resistor; Current detection means for obtaining a supply current flowing through the first resistor portion from the detected current and a predetermined ratio is provided, so that the supply current to the load can be obtained with a simple configuration,
Circuit components can be protected against temperature rise.

【0039】また、第1の抵抗部の負荷側の電位と第2
の抵抗部のアース側の電位とを同電位にさせることによ
り、第1の抵抗部に流れる電流と第2の抵抗部に流れる
電流との比率が上記所定比率になるので、第2の抵抗部
に流れる電流と上記所定比率とから、負荷への供給電流
を容易に求めることができる。
Further, the potential on the load side of the first resistor section and the second
By setting the potential on the earth side of the resistor portion to the same potential, the ratio of the current flowing through the first resistor portion to the current flowing through the second resistor portion becomes the above-described predetermined ratio. The current supplied to the load can be easily obtained from the current flowing through the load and the predetermined ratio.

【0040】また、サーミスタ部を挾むように配設され
た一対の電極板の一方は第1の電極板と第2の電極板と
に分割され、第1の電極板及び一対の電極板の他方によ
って挾まれるサーミスタ部により第1の抵抗部を構成
し、第2の電極板及び一対の電極板の他方によって挾ま
れるサーミスタ部により第2の抵抗部を構成し、第1の
電極板の面積と第2の電極板の面積との比率が上記所定
比率になるように構成していることにより、第1の抵抗
部の特性と第2の抵抗部の特性がほぼ一致することとな
り、これによって負荷への供給電流を精度良く求めるこ
とができる。
One of the pair of electrode plates disposed so as to sandwich the thermistor portion is divided into a first electrode plate and a second electrode plate, and is divided by the other of the first electrode plate and the pair of electrode plates. A first resistance portion is constituted by the thermistor portion sandwiched therebetween, and a second resistance portion is constituted by the thermistor portion sandwiched by the other of the second electrode plate and the pair of electrode plates. And the ratio of the area of the second electrode plate to the predetermined ratio, the characteristics of the first resistance portion and the characteristics of the second resistance portion substantially match. The supply current to the load can be obtained with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電流検出回路の一実施形態の回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a current detection circuit according to the present invention.

【図2】PTCサーミスタを示す図で、(a)は斜視
図、(b)は平面図、(c)は(b)のC−C線断面図
である。
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a PTC thermistor, wherein FIG. 2A is a perspective view, FIG. 2B is a plan view, and FIG.

【図3】変形形態のPTCサーミスタを示す図で、
(a)は平面図、(b)は(a)のB−B線断面図であ
る。
FIG. 3 is a view showing a modified PTC thermistor;
(A) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along line BB of (a).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電源部 2 PTCサーミスタ(正特性サーミスタ) 21 第1の抵抗部 22 第2の抵抗部 23 サーミスタ部 24,25 電極板 241 第1の電極板 242 第2の電極板 3 電位制御回路 4 FET 6 過電流検出回路 7 抵抗素子 9 ランプ(負荷) Reference Signs List 1 power supply unit 2 PTC thermistor (positive characteristic thermistor) 21 first resistance unit 22 second resistance unit 23 thermistor unit 24, 25 electrode plate 241 first electrode plate 242 second electrode plate 3 potential control circuit 4 FET 6 Overcurrent detection circuit 7 Resistance element 9 Lamp (load)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高木 幸一 愛知県名古屋市南区菊住1丁目7番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内 (72)発明者 星野 孝志 愛知県名古屋市南区菊住1丁目7番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内 Fターム(参考) 2G035 AA03 AA15 AB02 AC02 AC15 AD00 AD02 AD03 AD10 AD23 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Koichi Takagi 1-7-10 Kikuzumi, Minami-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Inside Harness Research Institute, Inc. (72) Inventor Takashi Hoshino 1-Kikuzumi, Minami-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture No. 7-10 Harness Research Institute, Inc. F-term (reference) 2G035 AA03 AA15 AB02 AC02 AC15 AD00 AD02 AD03 AD10 AD23

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源部から負荷に供給される供給電流を
検出する電流検出回路において、 上記電源部と上記負荷との間に介設された第1の抵抗
部、及び上記電源部とアースとの間に介設され、上記第
1の抵抗部から分岐して構成された第2の抵抗部を有
し、上記第2の抵抗部の抵抗値が上記第1の抵抗部の抵
抗値に対して所定比率だけ大きい値に設定されている正
特性サーミスタと、 上記第2の抵抗部に流れる電流を検出するとともに、こ
の検出された電流と上記所定比率とから上記第1の抵抗
部に流れる上記供給電流を求める電流検出手段とを備え
たことを特徴とする電流検出回路。
1. A current detection circuit for detecting a supply current supplied from a power supply unit to a load, comprising: a first resistance unit interposed between the power supply unit and the load; And a second resistor section branched from the first resistor section, wherein the resistance value of the second resistor section is smaller than the resistance value of the first resistor section. A positive-characteristic thermistor set to a value larger by a predetermined ratio and a current flowing through the second resistor, and detecting the current flowing through the first resistor from the detected current and the predetermined ratio. A current detection circuit comprising: current detection means for obtaining a supply current.
【請求項2】 請求項1記載の電流検出回路において、
上記第1の抵抗部の上記負荷側の電位と上記第2の抵抗
部の上記アース側の電位とを同電位にさせる電位制御手
段を備えたことを特徴とする電流検出回路。
2. The current detection circuit according to claim 1, wherein
A current detection circuit comprising a potential control means for setting the potential on the load side of the first resistance portion and the potential on the ground side of the second resistance portion to the same potential.
【請求項3】 請求項2記載の電流検出回路において、
上記正特性サーミスタは、サーミスタ部と、このサーミ
スタ部を挾むように配設された一対の電極板とを備えた
もので、上記一対の電極板の一方は第1の電極板と第2
の電極板とに分割されており、上記第1の電極板及び上
記一対の電極板の他方によって挾まれる上記サーミスタ
部により上記第1の抵抗部が構成され、上記第2の電極
板及び上記一対の電極板の他方によって挾まれる上記サ
ーミスタ部により上記第2の抵抗部が構成され、上記第
1の電極板の面積と上記第2の電極板の面積との比率が
上記所定比率になるように構成されていることを特徴と
する電流検出回路。
3. The current detection circuit according to claim 2, wherein
The positive temperature coefficient thermistor includes a thermistor portion and a pair of electrode plates disposed so as to sandwich the thermistor portion. One of the pair of electrode plates is a first electrode plate and a second electrode plate.
And the thermistor portion sandwiched between the first electrode plate and the other of the pair of electrode plates constitutes the first resistance portion. The second resistance portion is constituted by the thermistor portion sandwiched by the other of the pair of electrode plates, and the ratio between the area of the first electrode plate and the area of the second electrode plate becomes the predetermined ratio. A current detection circuit characterized by being configured as described above.
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CN106066419A (en) * 2015-04-20 2016-11-02 精工半导体有限公司 Current detection circuit

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