JP2001218361A - Protective circuit against overheating - Google Patents

Protective circuit against overheating

Info

Publication number
JP2001218361A
JP2001218361A JP2000029372A JP2000029372A JP2001218361A JP 2001218361 A JP2001218361 A JP 2001218361A JP 2000029372 A JP2000029372 A JP 2000029372A JP 2000029372 A JP2000029372 A JP 2000029372A JP 2001218361 A JP2001218361 A JP 2001218361A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
turned
switch
protection circuit
overheat protection
switch means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000029372A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumiaki Mizuno
史章 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Wiring Systems Ltd, AutoNetworks Technologies Ltd, Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Wiring Systems Ltd
Priority to JP2000029372A priority Critical patent/JP2001218361A/en
Publication of JP2001218361A publication Critical patent/JP2001218361A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the heating state of a PTC thermistor from continuing, when the PTC thermistor is kept in a high-resistance condition due to over current, using a simple structure. SOLUTION: When an operating switch 7 is turned on, the input signal of an signal inputting part 52 is at a high level, and FET2 is turned on. When a motor 4 is short-circuited or a current supply line 63 is in a ground fault condition to flow over current and the temperature of the PTC thermistor 3 rises to becomes the high-resistance condition, a potential VA is lowered. As a result, a transistor Q1 is turned off and a transistor Q2 is turned on, so that the signal level of the signal inputting part 52 of drive circuit 5 drops to a low level. The application of drive voltage to a the gate of the FET2 from a voltage output part 53 of the drive circuit 5 is stopped, thereby turning off the FET2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電源部と負荷との
間にスイッチ手段および正特性サーミスタが直列に接続
されてなる電流供給回路において、正特性サーミスタの
発熱状態の継続を簡易な構成で防止する過熱保護回路に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a current supply circuit in which a switch means and a positive temperature coefficient thermistor are connected in series between a power supply unit and a load. The present invention relates to an overheat protection circuit for preventing the overheat.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、過電流から回路部品を保護するも
のとして、ヒューズが知られているが、このヒューズ
は、過電流発生によって一旦溶断されると、新たなヒュ
ーズに交換しない限り再通電ができないという欠点があ
る。そこで、ヒューズに代えて正特性サーミスタを電源
部と負荷との間に直列に接続し、PTCサーミスタによ
って他の回路部品を保護するようにした回路が提案され
ている(特開平9−222448号公報参照)。
2. Description of the Related Art Conventionally, fuses have been known to protect circuit components from overcurrent. However, once this fuse is blown off due to overcurrent, it must be re-energized unless it is replaced with a new fuse. There is a drawback that you can not. Therefore, a circuit has been proposed in which a positive temperature coefficient thermistor is connected in series between the power supply unit and the load instead of the fuse, and other circuit components are protected by the PTC thermistor (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-222448). reference).

【0003】正特性(Positive Temperature Coefficie
nt)サーミスタ(以下「PTCサーミスタ」という。)
は、温度が上昇するにつれて抵抗値が増大する特性を有
するものである。従って、配線の短絡などにより過電流
がPTCサーミスタに流れると、PTCサーミスタの温
度が上昇して高抵抗状態になり、これによって配線に流
れる電流レベルが低下して他の回路部品が保護されるこ
ととなる。
[0003] Positive Temperature Coefficie
nt) Thermistor (hereinafter referred to as “PTC thermistor”)
Has a characteristic that the resistance value increases as the temperature rises. Therefore, if an overcurrent flows through the PTC thermistor due to a short circuit in the wiring or the like, the temperature of the PTC thermistor rises to a high resistance state, thereby reducing the level of the current flowing in the wiring and protecting other circuit components. Becomes

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記特開平
9−222448号公報に記載の回路では、過電流が流
れてPTCサーミスタが温度上昇して高抵抗状態になっ
た場合でも、PTCサーミスタに流れる電流レベルは大
幅に低下しているものの完全に電流が流れなくなるわけ
ではない。過電流が流れるような状態、例えば短絡状態
が継続している場合には、電流レベルの低下によりPT
Cサーミスタの温度が低下すると、その抵抗値の低下に
より再び電流レベルが増大することになるので、ある一
定の電流レベルで平衡状態となり、PTCサーミスタの
発熱状態は継続してしまうことになる。例えばPTCサ
ーミスタとして、ポリオレフィン系樹脂と導電性カーボ
ンを混練してシート化することにより製造したものを用
いると、高抵抗状態での温度は120℃前後にもなる。従
って、過電流保護部品としてPTCサーミスタを用いる
場合には、周辺電子部品に悪影響を及ぼさないように耐
熱性を考慮した回路設計を行わなければならないという
問題があった。
However, in the circuit described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-222448, even when an overcurrent flows and the temperature of the PTC thermistor rises to a high resistance state, it flows through the PTC thermistor. Although the current level is greatly reduced, the current does not completely stop flowing. When a state where an overcurrent flows, for example, a short-circuit state continues, PT
When the temperature of the C thermistor decreases, the current level increases again due to the decrease in the resistance value. Therefore, an equilibrium state is established at a certain current level, and the heat generation state of the PTC thermistor continues. For example, when a PTC thermistor manufactured by kneading a polyolefin-based resin and conductive carbon to form a sheet is used, the temperature in a high resistance state is about 120 ° C. Therefore, when a PTC thermistor is used as an overcurrent protection component, there has been a problem that a circuit must be designed in consideration of heat resistance so as not to adversely affect peripheral electronic components.

【0005】本発明は、上記問題を解決するもので、過
電流によりPTCサーミスタが高抵抗状態になったとき
に、PTCサーミスタの発熱状態が継続するのを簡易な
構成で防止することが可能な過熱保護回路を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problem, and it is possible to prevent the PTC thermistor from continuing to generate heat when the PTC thermistor enters a high resistance state due to an overcurrent with a simple configuration. An object is to provide an overheat protection circuit.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、電源部と負荷
との間に直列に接続されたスイッチ手段および正特性サ
ーミスタと、上記スイッチ手段をオンオフする駆動手段
とを備え、上記スイッチ手段をオンにすることにより上
記電源部から上記負荷に電流を供給する電流供給回路に
おいて、上記スイッチ手段がオン状態のときに、上記正
特性サーミスタの温度が所定レベル以上に上昇すると、
上記スイッチ手段を強制的にオフにするスイッチ制御手
段を備えたものである。
The present invention comprises switch means and a positive temperature coefficient thermistor connected in series between a power supply unit and a load, and drive means for turning on and off the switch means. In a current supply circuit that supplies a current from the power supply unit to the load by turning on, when the temperature of the positive temperature coefficient thermistor rises to a predetermined level or more when the switch means is in an on state,
A switch control means for forcibly turning off the switch means is provided.

【0007】この構成によれば、スイッチ手段がオン状
態のときに、正特性サーミスタの温度が所定レベル以上
に上昇すると、スイッチ手段がオフにされるので、電流
供給が遮断され、正特性サーミスタの発熱状態が継続す
ることはなくなり、周囲の構成部品が適正に保護される
こととなる。
According to this configuration, when the temperature of the positive temperature coefficient thermistor rises to a predetermined level or more while the switch means is on, the switch means is turned off. The heat generation state does not continue, and the surrounding components are properly protected.

【0008】一般に、正特性サーミスタは温度が上昇す
ると高抵抗状態になり、これによって通電電流レベルを
低下させて回路部品を保護するものである。そこで、ス
イッチ制御手段は、上記正特性サーミスタの負荷側の電
位が所定レベル以下に低下すると上記スイッチ手段を強
制的にオフにするものであるとすることにより、正特性
サーミスタが高抵抗状態になったことが検出されること
から、正特性サーミスタの温度が所定レベル以上に上昇
したことが簡易な構成で検出される。
In general, a positive temperature coefficient thermistor enters a high resistance state when the temperature rises, thereby lowering the level of current to protect the circuit components. Therefore, the switch control means forcibly turns off the switch means when the load-side potential of the positive-characteristic thermistor falls below a predetermined level, whereby the positive-characteristic thermistor enters a high-resistance state. Therefore, it is detected with a simple configuration that the temperature of the positive temperature coefficient thermistor has risen above a predetermined level.

【0009】また、上記スイッチ制御手段は、上記スイ
ッチ手段がオンになった時点から所定時間経過するまで
は、上記検出手段により上記低下が検出されても上記ス
イッチ手段をオフにしないように構成すると、スイッチ
手段のオン直後で、正特性サーミスタの負荷側の電位が
所定レベル以上に上昇するまでに、スイッチ手段を誤っ
てオフにしてしまうという誤動作を避けることができ
る。
The switch control means is configured not to turn off the switch means until a predetermined time has elapsed from the time when the switch means is turned on, even if the detection means detects the decrease. In addition, it is possible to avoid an erroneous operation in which the switch is erroneously turned off immediately after the switch is turned on and before the potential on the load side of the positive temperature coefficient thermistor rises to a predetermined level or more.

【0010】また、上記正特性サーミスタを上記スイッ
チ手段と上記負荷との間に電気的に接続した場合には、
スイッチ手段と正特性サーミスタとの間で断線してスイ
ッチ手段側がアースに短絡すると、スイッチ手段には過
電流が流れる一方で正特性サーミスタには過電流が流れ
ない。しかし、正特性サーミスタをスイッチ手段と熱的
に接続することにより、スイッチ手段の温度上昇により
正特性サーミスタの温度が所定レベル以上に上昇する
と、スイッチ手段がオフにされることから、スイッチ手
段が好適に保護されることとなる。すなわち、スイッチ
制御手段を、正特性サーミスタの発熱防止のみならず、
正特性サーミスタが動作しない非常時にスイッチ手段を
保護する手段としても機能させることができる。
When the positive temperature coefficient thermistor is electrically connected between the switch means and the load,
When a disconnection occurs between the switch means and the positive characteristic thermistor and the switch means side is short-circuited to the ground, an overcurrent flows through the switch means, but no overcurrent flows through the positive characteristic thermistor. However, by connecting the positive temperature coefficient thermistor to the switch means thermally, the switch means is turned off when the temperature of the positive temperature coefficient thermistor rises to a predetermined level or more due to a rise in the temperature of the switch means. Will be protected. That is, the switch control means not only prevents the positive characteristic thermistor from generating heat, but also
It can also function as means for protecting the switch means in an emergency when the positive temperature coefficient thermistor does not operate.

【0011】また、外部からの操作によってオンにされ
る操作手段を備え、上記駆動手段は、この操作手段がオ
ンにされると上記スイッチ手段をオンにするものである
としてもよい。この構成によれば、例えばオペレータに
よって操作手段がオンにされるとスイッチ手段がオンに
されて、電源部から負荷に電流供給が好適に行われるこ
ととなる。
[0011] Further, an operating means which is turned on by an external operation may be provided, and the driving means may turn on the switch means when the operating means is turned on. According to this configuration, for example, when the operation unit is turned on by the operator, the switch unit is turned on, and the current is suitably supplied from the power supply unit to the load.

【0012】また、上記操作手段がオンにされると上記
駆動手段にハイレベル信号が入力されるように構成さ
れ、上記スイッチ制御手段は、上記正特性サーミスタの
温度が所定レベル以上に上昇すると上記ハイレベル信号
をローレベル信号に変更するもので、上記駆動手段は、
上記ハイレベル信号が入力されると上記スイッチ手段に
駆動信号を出力して当該スイッチ手段をオンにし、上記
ハイレベル信号がローレベル信号に変更されると上記駆
動信号の出力を停止するものであるとすることができ
る。
When the operating means is turned on, a high-level signal is inputted to the driving means, and the switch control means controls the temperature of the positive temperature coefficient thermistor to rise above a predetermined level. The high-level signal is changed to a low-level signal.
When the high level signal is input, a drive signal is output to the switch means to turn on the switch means, and when the high level signal is changed to a low level signal, the output of the drive signal is stopped. It can be.

【0013】この場合には、操作手段がオンにされると
駆動手段にハイレベル信号が入力され、これによってス
イッチ手段に駆動信号が出力されて当該スイッチ手段が
オンにされる。そして、正特性サーミスタの温度が所定
レベル以上に上昇すると上記ハイレベル信号がローレベ
ル信号に変更されてスイッチ手段への駆動信号の出力が
停止されることから、簡易な構成でスイッチ手段が確実
にオフにされることとなる。
In this case, when the operating means is turned on, a high-level signal is input to the driving means, whereby a driving signal is output to the switching means and the switching means is turned on. When the temperature of the PTC thermistor rises above a predetermined level, the high-level signal is changed to a low-level signal, and the output of the drive signal to the switch is stopped. It will be turned off.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】図1は本発明に係る過熱保護回路
の一実施形態を備えた電流供給回路の回路図である。こ
の電流供給回路K1は、電源部1とアースとの間に、N
チャネルMOS−FET(以下単に「FET」とい
う。)2、PTCサーミスタ3およびモータ4が直列に
接続されてなり、駆動回路5からの駆動電圧によりFE
T2がオンにされると、電源部1とFET2のドレイン
とを接続する電流供給ライン61、FET2のソースと
PTCサーミスタ3とを接続する電流供給ライン62、
およびPTCサーミスタ3とモータ4とを接続する電流
供給ライン63からなる電流供給ライン6を介して、電
源部1からモータ4に電流を供給するものである。
FIG. 1 is a circuit diagram of a current supply circuit provided with an embodiment of an overheat protection circuit according to the present invention. This current supply circuit K1 is connected between the power supply unit 1 and the ground by N
A channel MOS-FET (hereinafter simply referred to as “FET”) 2, a PTC thermistor 3, and a motor 4 are connected in series.
When T2 is turned on, a current supply line 61 connecting the power supply unit 1 and the drain of the FET2, a current supply line 62 connecting the source of the FET2 and the PTC thermistor 3,
In addition, a current is supplied from the power supply unit 1 to the motor 4 via a current supply line 6 including a current supply line 63 connecting the PTC thermistor 3 and the motor 4.

【0015】電源部1は、車載バッテリ及び電源回路か
らなり、この車載バッテリは、バッテリ電圧VB(本実
施形態では、例えばVB=12V)を出力するもので、電
源回路は、この車載バッテリのバッテリ電圧VBを用い
て、各回路の動作のための電源電圧VCC(本実施形態で
は、例えばVCC=5V)を生成するものである。以下に
おいて、電源部1の電源電圧VCCを出力する端子を電源
CCという。
The power supply unit 1 comprises a vehicle-mounted battery and a power supply circuit. The vehicle-mounted battery outputs a battery voltage V B (for example, V B = 12 V in the present embodiment). The power supply voltage V CC (in this embodiment, for example, V CC = 5 V) is generated for the operation of each circuit by using the battery voltage V B. Hereinafter, a terminal of the power supply unit 1 that outputs the power supply voltage V CC is referred to as a power supply V CC .

【0016】PTCサーミスタ3は、例えば過電流が流
れてサーミスタ自身の温度が上昇すると高抵抗状態にな
るもので、この高抵抗状態になることで電流供給ライン
6に流れる電流レベルが低下することとなり、これによ
って、FET2、モータ4や電流供給ライン6などの回
路部品が過電流から保護される。
The PTC thermistor 3, for example, enters a high resistance state when an overcurrent flows and the temperature of the thermistor itself rises, and the high resistance state reduces the level of current flowing through the current supply line 6. Thus, circuit components such as the FET 2, the motor 4 and the current supply line 6 are protected from overcurrent.

【0017】PTCサーミスタ3には、チタン酸バリウ
ム等のセラミックを主成分とする無機タイプと、ポリエ
チレン等の絶縁性高分子に導電性カーボンを配合して混
練、成型、架橋処理した樹脂タイプの双方が適用可能で
ある。
The PTC thermistor 3 includes both an inorganic type mainly composed of a ceramic such as barium titanate and a resin type obtained by kneading, molding and cross-linking a mixture of an insulating polymer such as polyethylene with conductive carbon. Is applicable.

【0018】ここで、上記架橋処理を行う手段として
は、電離放射線を高分子材料に照射して生成したラジカ
ル同士の結合を生じさせる方法や、過酸化物を高分子材
料に配合し、高温高圧雰囲気中でラジカルを発生させて
化学結合を生じさせる方法等も有効である。このような
架橋処理をすれば、過電流異常や過熱異常の状態から正
常状態に戻った際、PTCサーミスタの通電性は上記異
常状態が発生する前と同レベルまで復帰することが可能
になる。
Here, as means for performing the above-mentioned crosslinking treatment, a method of irradiating a polymer material with ionizing radiation to form a bond between radicals generated, or a method of blending a peroxide with the polymer material and applying A method of generating a chemical bond by generating a radical in an atmosphere is also effective. By performing such a cross-linking process, when returning from the state of overcurrent abnormality or overheating abnormality to the normal state, the conductivity of the PTC thermistor can return to the same level as before the occurrence of the abnormal state.

【0019】上記チタン酸バリウムを用いた場合、バリ
ウム原子の一部をストロンチウム原子や鉛原子に置換す
ることにより、抵抗が増大し始める温度を少なくとも50
〜200℃の範囲で制御することができる。一方、樹脂タ
イプのものでは、抵抗が増大し始める温度はベース樹脂
の融点に支配される。このベース樹脂の融点は当該樹脂
の結晶性を制御することによって若干調節できるが、そ
の範囲は無機タイプと比べてかなり小さい。ポリエチレ
ンの場合、融点の範囲はその結晶性によって100〜135℃
程度に変わる。これを用いてPTCサーミスタを製造す
る場合、導電性カーボンを混練するために抵抗増大開始
温度は上述の融点より若干低くなるが、電流値は混練す
るカーボン量や面積、厚みにより制御でき、この面積や
厚み、形状制御は無機タイプのものより容易である。ポ
リエチレン以外では、ポリフッ化ビニリデンやポリオレ
フィン等の使用も考えられる。この場合、ポリフッ化ビ
ニリデンの結晶性により融点が140〜150℃に変化する。
よって、これにカーボンを混練することにより、抵抗増
大開始温度が130〜140℃のPTCサーミスタを製造する
ことが可能である。
When barium titanate is used, a part of barium atoms is replaced by strontium atoms or lead atoms, so that the temperature at which the resistance starts to increase is at least 50%.
It can be controlled in the range of ~ 200 ° C. On the other hand, in the resin type, the temperature at which the resistance starts to increase is governed by the melting point of the base resin. The melting point of the base resin can be adjusted slightly by controlling the crystallinity of the resin, but its range is considerably smaller than that of the inorganic type. In the case of polyethylene, the melting point range is 100-135 ° C depending on its crystallinity.
It changes to the extent. When manufacturing a PTC thermistor using this, the resistance increase start temperature is slightly lower than the above-mentioned melting point due to kneading of conductive carbon, but the current value can be controlled by the amount, area and thickness of kneaded carbon. The control of thickness, shape and shape is easier than that of the inorganic type. Other than polyethylene, use of polyvinylidene fluoride, polyolefin, or the like is also conceivable. In this case, the melting point changes to 140 to 150 ° C. due to the crystallinity of polyvinylidene fluoride.
Therefore, by kneading carbon with this, it is possible to manufacture a PTC thermistor having a resistance increase start temperature of 130 to 140 ° C.

【0020】モータ4は、例えば車両の電動ドアミラー
(図示省略)を駆動するためのものである。駆動回路5
は、電源入力部51、信号入力部52、電圧出力部53
を備え、電源入力部51から取り込まれるバッテリ電圧
Bを例えば倍電圧に増幅することにより駆動電圧を生
成するチャージポンプ回路からなる。操作スイッチ7
は、上記電動ドアミラー、すなわちモータ4の駆動を指
示するためのもので、操作スイッチ7と抵抗R11から
なる直列回路が電源VCCとアースとの間に接続されてい
る。
The motor 4 is for driving, for example, an electric door mirror (not shown) of the vehicle. Drive circuit 5
Are a power input unit 51, a signal input unit 52, a voltage output unit 53
The provided, consisting of a charge pump circuit for generating a drive voltage by amplifying the battery voltage V B to be taken from the power input unit 51, for example, a double voltage. Operation switch 7
Is for instructing driving of the electric door mirror, that is, the motor 4, and a series circuit including the operation switch 7 and the resistor R11 is connected between the power supply VCC and the ground.

【0021】そして、操作スイッチ7がオフのときは、
駆動回路5の信号入力部52の入力信号は抵抗R12,
R11を介して接地されてローレベルにされ、操作スイ
ッチ7がオンのときは、信号入力部52の入力信号は抵
抗R12を介して電源VCCに接続されてハイレベルにさ
れる。
When the operation switch 7 is off,
The input signal of the signal input section 52 of the drive circuit 5 is a resistor R12,
When the operation switch 7 is turned on, the input signal of the signal input section 52 is connected to the power supply V CC via the resistor R12 and is set to the high level.

【0022】この駆動回路5は、操作スイッチ7がオン
にされ、ハイレベル信号が信号入力部52に入力される
と、電圧出力部53から駆動電圧をFET2のゲートに
印加してFET2をオンにする。また、駆動回路5は、
後述するように過熱保護回路8のトランジスタQ2がオ
ンにされて信号入力部52がローレベルにされると、F
ET2のゲートへの駆動電圧の印加を停止してFET2
をオフにする。
When the operation switch 7 is turned on and a high-level signal is input to the signal input section 52, the drive circuit 5 applies a drive voltage from the voltage output section 53 to the gate of the FET 2 to turn on the FET 2. I do. Further, the driving circuit 5
As will be described later, when the transistor Q2 of the overheat protection circuit 8 is turned on and the signal input section 52 is set to low level, F
Stop application of the drive voltage to the gate of ET2
Turn off.

【0023】過熱保護回路8は、それぞれ所定の抵抗値
を有する抵抗R1〜R7、NPNトランジスタからなる
トランジスタQ1,Q2,Q4、PNPトランジスタか
らなるトランジスタQ3、コンデンサC1,C2を備え
てなる。
The overheat protection circuit 8 includes resistors R1 to R7 each having a predetermined resistance value, transistors Q1, Q2, and Q4 formed of NPN transistors, a transistor Q3 formed of a PNP transistor, and capacitors C1 and C2.

【0024】PTCサーミスタ3の負荷側である電流供
給ライン63とアースとの間に抵抗R1,R2からなる
直列回路が接続され、抵抗R1,R2の接続点にトラン
ジスタQ1のベースが接続されている。すなわち、トラ
ンジスタQ1のベースは抵抗R1を介して電流供給ライ
ン63に接続されている。
A series circuit comprising resistors R1 and R2 is connected between the current supply line 63 on the load side of the PTC thermistor 3 and the ground, and the base of the transistor Q1 is connected to the connection point between the resistors R1 and R2. . That is, the base of the transistor Q1 is connected to the current supply line 63 via the resistor R1.

【0025】トランジスタQ1のエミッタは接地され、
コレクタは、トランジスタQ2のベースに接続され、抵
抗R3を介してトランジスタQ3のコレクタに接続さ
れ、さらに、コンデンサC1を介して接地されている。
The emitter of the transistor Q1 is grounded,
The collector is connected to the base of the transistor Q2, connected to the collector of the transistor Q3 via the resistor R3, and further grounded via the capacitor C1.

【0026】トランジスタQ2のエミッタは接地され、
コレクタは駆動回路5の信号入力部52に接続されてい
る。なお、この信号入力部52は抵抗R4を介して接地
されている。
The emitter of the transistor Q2 is grounded,
The collector is connected to the signal input section 52 of the drive circuit 5. The signal input section 52 is grounded via the resistor R4.

【0027】トランジスタQ3のエミッタは電流供給ラ
イン61に接続され、ベースはトランジスタQ4のコレ
クタに接続されている。このトランジスタQ3のベース
・エミッタ間には抵抗R5が接続されている。
The emitter of the transistor Q3 is connected to the current supply line 61, and the base is connected to the collector of the transistor Q4. A resistor R5 is connected between the base and the emitter of the transistor Q3.

【0028】トランジスタQ4のエミッタは接地され、
ベースはコンデンサC2を介して接地されるとともに、
抵抗R6を介して操作スイッチ7および抵抗R11の接
続点に接続されている。コンデンサC2には抵抗R7が
並列接続されている。
The emitter of the transistor Q4 is grounded,
The base is grounded via a capacitor C2,
It is connected to a connection point between the operation switch 7 and the resistor R11 via the resistor R6. A resistor R7 is connected in parallel to the capacitor C2.

【0029】なお、抵抗R1,R2の抵抗値の比率は、
PTCサーミスタ3の負荷側(電流供給ライン63)の
電位VAが所定レベル以上になったときに、抵抗R2の
両端電圧がトランジスタQ1の閾値以上になってトラン
ジスタQ1をオンにするように設定されている。また、
抵抗R3,R12は電流制限用で比較的小さい抵抗値の
ものが採用され、抵抗R11,R4は所要の電圧レベル
を確保するためのもので比較的大きい抵抗値のものが採
用される。また、抵抗R6およびコンデンサC2は、そ
の抵抗値および容量値で決まるRC時定数の遅延回路を
構成する。
The ratio of the resistance values of the resistors R1 and R2 is
When the potential VA on the load side (current supply line 63) of the PTC thermistor 3 becomes higher than a predetermined level, the voltage across the resistor R2 becomes higher than the threshold value of the transistor Q1 and the transistor Q1 is turned on. ing. Also,
The resistors R3 and R12 have a relatively small resistance value for current limiting, and the resistors R11 and R4 have a relatively large resistance value for securing a required voltage level. The resistor R6 and the capacitor C2 constitute a delay circuit having an RC time constant determined by the resistance value and the capacitance value.

【0030】次に、この電流供給回路K1の動作につい
て説明する。操作スイッチ7がオンにされ、駆動回路5
の信号入力部52にハイレベル信号が入力されると、電
圧出力部53から駆動電圧がFET2のゲートに印加さ
れてFET2がオンになり、電源部1からモータ4に電
流供給ライン6を介して電流が供給される。
Next, the operation of the current supply circuit K1 will be described. When the operation switch 7 is turned on, the drive circuit 5
When a high-level signal is input to the signal input unit 52, a drive voltage is applied to the gate of the FET 2 from the voltage output unit 53 to turn on the FET 2, and the power supply unit 1 supplies the motor 4 with the current via the current supply line 6. Current is supplied.

【0031】また、操作スイッチ7がオンにされると、
トランジスタQ4のベース電位が、抵抗R6およびコン
デンサC2のRC時定数によって決まる上昇率で上昇
し、所定時間後に閾値以上になるとトランジスタQ4が
オンになる。このトランジスタQ4のオンにより抵抗R
5に電流が流れ、この電流によって生じる抵抗R5の両
端電圧がトランジスタQ3のベース・エミッタ間に印加
されてトランジスタQ3がオンになる。
When the operation switch 7 is turned on,
When the base potential of the transistor Q4 rises at a rate of increase determined by the RC time constant of the resistor R6 and the capacitor C2, the transistor Q4 is turned on when the threshold voltage becomes equal to or higher than a predetermined time. When the transistor Q4 is turned on, the resistance R
5, a voltage across the resistor R5 generated by the current is applied between the base and the emitter of the transistor Q3 to turn on the transistor Q3.

【0032】ここで、操作スイッチ7のオンから所定時
間後にトランジスタQ4がオンになった時点では、FE
T2のオン抵抗は十分に小さくなっているように、RC
時定数が設定されている。
Here, when the transistor Q4 is turned on a predetermined time after the operation switch 7 is turned on, the FE
As the on-resistance of T2 is sufficiently small, RC
A time constant has been set.

【0033】従って、モータ4に電流が正常に供給され
ているときは、モータ4の抵抗分により電位VAは所定
レベル以上になっており、これによってトランジスタQ
1はオンになる。その結果、抵抗R3はトランジスタQ
1を介して接地されることになり、トランジスタQ2は
オフになる。これによって駆動回路5の信号入力部52
の信号レベルはハイレベルが維持され、FET2のオン
状態が継続する。
Therefore, when the current is normally supplied to the motor 4, the potential VA is equal to or higher than a predetermined level due to the resistance of the motor 4, and as a result, the transistor Q
1 turns on. As a result, the resistor R3 becomes the transistor Q
1, and the transistor Q2 is turned off. Thereby, the signal input section 52 of the drive circuit 5
Is maintained at a high level, and the ON state of the FET 2 is continued.

【0034】一方、モータ4が短絡故障したり電流供給
ライン63が地絡することにより過電流が流れ、PTC
サーミスタ3の温度が上昇してPTCサーミスタ3が高
抵抗状態になると、電位VAが低下する。その結果、ト
ランジスタQ1がオフになるので、コンデンサC1が充
電されてトランジスタQ2のベース・エミッタ間に閾値
以上の電圧が印加されてトランジスタQ2がオンにな
る。
On the other hand, when the motor 4 is short-circuited or the current supply line 63 is grounded, an overcurrent flows and the PTC
When the temperature of the thermistor 3 rises and the PTC thermistor 3 enters the high resistance state, the potential VA decreases. As a result, the transistor Q1 is turned off, so that the capacitor C1 is charged, a voltage equal to or higher than the threshold is applied between the base and the emitter of the transistor Q2, and the transistor Q2 is turned on.

【0035】このトランジスタQ2のオンにより、駆動
回路5の信号入力部52がトランジスタQ2を介して接
地されることになり、これによって信号入力部52の信
号レベルがローレベルに低下する。その結果、駆動回路
5の電圧出力部53からFET2のゲートへの駆動電圧
の印加が停止されてFET2がオフになる。
When the transistor Q2 is turned on, the signal input section 52 of the drive circuit 5 is grounded via the transistor Q2, whereby the signal level of the signal input section 52 drops to a low level. As a result, application of the drive voltage from the voltage output unit 53 of the drive circuit 5 to the gate of the FET 2 is stopped, and the FET 2 is turned off.

【0036】FET2がオフになると電位VAはローレ
ベルになるので、トランジスタQ2のオン状態は、FE
T2がオフである限り継続する。従って、操作スイッチ
7がオンにされていても、FET2はオフのままとな
る。
When the FET 2 is turned off, the potential VA goes to a low level.
Continue as long as T2 is off. Therefore, even if the operation switch 7 is turned on, the FET 2 remains off.

【0037】このように、本実施形態によれば、PTC
サーミスタ3が高抵抗状態になってその負荷側の電位V
Aが所定レベル以下になると、トランジスタQ1をオフ
にし、これによってトランジスタQ2をオンにして、駆
動回路5の信号入力部52の信号レベルをローレベルに
してFET2をオフにするようにしたので、PTCサー
ミスタ3に電流が継続して流れるのを阻止することがで
き、これによってPTCサーミスタ3の過熱状態を停止
させることができる。従って、電流供給回路K1の他の
回路部品への高温による悪影響を防止することができ
る。
As described above, according to the present embodiment, the PTC
The thermistor 3 enters a high resistance state, and the potential V on the load side
When A becomes equal to or lower than a predetermined level, the transistor Q1 is turned off, thereby turning on the transistor Q2, setting the signal level of the signal input section 52 of the drive circuit 5 to low level and turning off the FET2. It is possible to prevent the current from continuously flowing through the thermistor 3, thereby stopping the overheating state of the PTC thermistor 3. Therefore, it is possible to prevent adverse effects of the high temperature on other circuit components of the current supply circuit K1.

【0038】また、抵抗R6およびコンデンサC2から
なる遅延回路を備え、FET2のオン直後における遷移
領域から所定時間経過してFET2のオン抵抗が十分低
下した後にトランジスタQ3をオンにするようにしたの
で、PTCサーミスタ3の負荷側(電流供給ライン6
3)の電位VAが十分に上昇してトランジスタQ1がオ
ンになるまでに、トランジスタQ2がオンになることは
ない。従って、PTCサーミスタ3が高抵抗状態でない
ときにFET2をオフにするような誤動作が生じるのを
未然に防止することができる。
Further, a delay circuit comprising a resistor R6 and a capacitor C2 is provided, and the transistor Q3 is turned on after a predetermined time elapses from the transition region immediately after the FET2 is turned on and the ON resistance of the FET2 is sufficiently reduced. Load side of PTC thermistor 3 (current supply line 6
The transistor Q2 does not turn on until the potential VA of 3) sufficiently rises to turn on the transistor Q1. Therefore, it is possible to prevent a malfunction such as turning off the FET 2 when the PTC thermistor 3 is not in the high resistance state.

【0039】なお、過熱保護回路8の回路構成は、図1
に示したものに限られず、PTCサーミスタ3の負荷側
の電位が所定レベル以下に低下すると、駆動回路5の信
号入力部52の信号レベルをローレベルに低下させるよ
うな作用を行うものであればよい。さらに、操作スイッ
チ7のオンからFET2のオン抵抗が十分低下した後に
上記作用を行うものとすることにより、正常に電流が供
給されているにも拘わらずFET2をオフにしてしまう
ような誤動作を防止することができる。
The circuit configuration of the overheat protection circuit 8 is shown in FIG.
However, the present invention is not limited to the above. If the load-side potential of the PTC thermistor 3 lowers to a predetermined level or less, the signal level of the signal input unit 52 of the drive circuit 5 may be reduced to a low level. Good. Further, the above operation is performed after the on-resistance of the FET 2 is sufficiently reduced from the time when the operation switch 7 is turned on, thereby preventing a malfunction such as turning off the FET 2 even though the current is normally supplied. can do.

【0040】また、本発明は、上記実施形態に限られ
ず、以下の変形形態〜を採用することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but may employ the following modifications.

【0041】上記実施形態では、スイッチ手段とし
て、NチャネルMOS−FETを用いた例を示している
が、これに限られず、PチャネルMOS−FET、バイ
ポーラトランジスタ、IGBT、ソリッドステートリレ
ーなどの半導体スイッチや、電磁リレーやフォトモスリ
レーなどのリレーを用いてもよい。
In the above embodiment, an example in which an N-channel MOS-FET is used as the switch means has been described. However, the present invention is not limited to this, and semiconductor switches such as P-channel MOS-FETs, bipolar transistors, IGBTs, and solid state relays are used. Alternatively, a relay such as an electromagnetic relay or a photo MOS relay may be used.

【0042】上記実施形態では、PTCサーミスタ3
をFET2とモータ4との間に配設し、抵抗R1を介し
てPTCサーミスタ3の負荷側(PTCサーミスタ3と
モータ4との間)にトランジスタQ1のベースを接続し
たが、これに限られない。
In the above embodiment, the PTC thermistor 3
Is disposed between the FET 2 and the motor 4, and the base of the transistor Q1 is connected to the load side of the PTC thermistor 3 (between the PTC thermistor 3 and the motor 4) via the resistor R1. .

【0043】例えば、PTCサーミスタ3を電源部1と
FET2との間に配設し、トランジスタQ1のベースの
接続位置は同一、すなわちFET2とモータ4との間に
抵抗R1を介して接続するようにしてもよい。この場合
にも、PTCサーミスタ3が高抵抗状態になると、電流
検出ライン63の電位が所定レベル以下に低下してトラ
ンジスタQ1がオンからオフになり、上記実施形態と同
様に動作する。
For example, the PTC thermistor 3 is disposed between the power supply unit 1 and the FET 2, and the connection position of the base of the transistor Q1 is the same, that is, connected between the FET 2 and the motor 4 via the resistor R1. You may. Also in this case, when the PTC thermistor 3 enters the high resistance state, the potential of the current detection line 63 drops below a predetermined level and the transistor Q1 turns off from on, and operates in the same manner as in the above embodiment.

【0044】また、PTCサーミスタ3を電源部1とF
ET2との間に配設し、トランジスタQ1のベースをP
TCサーミスタ3の負荷側(PTCサーミスタ3とFE
T2との間)に抵抗R1を介して接続するようにしても
よい。この場合には、正常に電流が供給されているとき
の抵抗R1の接続点の電位がFET2のオン抵抗分だけ
高くなるが、PTCサーミスタ3が高抵抗状態になった
ときには、その接続点の電位が低下して、上記実施形態
と同様に動作することとなる。
The PTC thermistor 3 is connected to the power supply 1 and the F
ET2, the base of transistor Q1 is connected to P
Load side of TC thermistor 3 (PTC thermistor 3 and FE
T2) may be connected via a resistor R1. In this case, the potential at the connection point of the resistor R1 when the current is normally supplied increases by the ON resistance of the FET2. However, when the PTC thermistor 3 enters the high resistance state, the potential at the connection point increases. , And operates in the same manner as in the above embodiment.

【0045】図1において、FET2とPTCサーミ
スタ3との間、すなわち電流供給ライン62がアースと
短絡した場合には、PTCサーミスタ3には過電流が流
れないので、PTCサーミスタ3が高抵抗状態にならな
い。従って、PTCサーミスタ3をFET2に近接させ
て接続し、電流供給ライン62の寸法を短縮するのが好
ましい。
In FIG. 1, when the current supply line 62 is short-circuited to the ground between the FET 2 and the PTC thermistor 3, no overcurrent flows through the PTC thermistor 3, so that the PTC thermistor 3 is in a high resistance state. No. Therefore, it is preferable to connect the PTC thermistor 3 close to the FET 2 to reduce the size of the current supply line 62.

【0046】図1において、FET2とPTCサーミ
スタ3との間で電流供給ライン62が断線し、その電源
部1側がアースに短絡すると、FET2に過電流が流れ
る一方で、PTCサーミスタ3には過電流が流れないと
いう事態が生じる。そこで、PTCサーミスタ3をFE
T2と熱的に接続する、例えばPTCサーミスタ3とF
ET2とを同一の放熱板に取り付けておくのが好まし
い。
In FIG. 1, when the current supply line 62 is disconnected between the FET 2 and the PTC thermistor 3 and the power supply 1 is short-circuited to the ground, an overcurrent flows through the FET 2 while an overcurrent flows through the PTC thermistor 3. Does not flow. Therefore, the PTC thermistor 3
Thermally connected to T2, eg, PTC thermistor 3 and F
It is preferable to attach ET2 to the same heat sink.

【0047】この場合には、例えば過電流によってFE
T2の温度が上昇すると、PTCサーミスタ3の温度も
上昇するので、上記実施形態と同様にFET2をオフに
することができ、過電流が継続して流れるのを防止する
ことができ、FET2を好適に保護することができると
ともに、PTCサーミスタ3の過熱状態が継続するのを
防止することができる。
In this case, for example, FE
When the temperature of T2 rises, the temperature of the PTC thermistor 3 also rises, so that the FET2 can be turned off in the same manner as in the above-described embodiment, and the overcurrent can be prevented from continuing to flow. The PTC thermistor 3 can be protected from overheating.

【0048】上記実施形態では、PTCサーミスタ3
の負荷側の電位が所定レベル以下に低下したのを検出す
ることでPTCサーミスタ3の温度が上昇したことを検
出しているが、これに限られず、例えばPTCサーミス
タ3の近傍に温度センサを配設し、PTCサーミスタ3
の温度を直接検出するようにしてもよい。
In the above embodiment, the PTC thermistor 3
It is detected that the temperature of the PTC thermistor 3 has risen by detecting that the potential on the load side of the PTC has dropped below a predetermined level. However, the present invention is not limited to this. For example, a temperature sensor is disposed near the PTC thermistor 3. Set up, PTC thermistor 3
May be directly detected.

【0049】上記実施形態では、負荷としてモータ4
を用いているが、これに限られず、ランプその他の一般
の負荷に適用することができる。
In the above embodiment, the motor 4 is used as the load.
However, the present invention is not limited to this and can be applied to lamps and other general loads.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スイッチ手段がオン状態のときに、正特性サーミスタの
温度が所定レベル以上に上昇すると、スイッチ手段を強
制的にオフにするようにしたので、電流供給が遮断され
るため、正特性サーミスタの発熱状態が継続することは
なくなり、周囲の構成部品を適正に保護することができ
る。
As described above, according to the present invention,
When the temperature of the positive temperature coefficient thermistor rises to a predetermined level or more when the switch means is on, the switch means is forcibly turned off. Does not continue, and surrounding components can be properly protected.

【0051】また、上記スイッチ制御手段は、上記正特
性サーミスタの負荷側の電位が所定レベル以下に低下す
ると上記スイッチ手段を強制的にオフにするものである
とすることにより、正特性サーミスタが高抵抗状態にな
ったことを検出することができ、これによって正特性サ
ーミスタの温度が所定レベル以上に上昇したことを簡易
な構成で検出することができる。
Further, the switch control means forcibly turns off the switch means when the load-side potential of the PTC thermistor drops below a predetermined level. The fact that the resistance state has been reached can be detected, whereby the rise of the temperature of the positive temperature coefficient thermistor to a predetermined level or more can be detected with a simple configuration.

【0052】また、上記スイッチ制御手段は、上記スイ
ッチ手段がオンになった時点から所定時間経過するまで
は、上記検出手段により上記低下が検出されても上記ス
イッチ手段をオフにしないようにしたので、スイッチ手
段のオン直後で、正特性サーミスタの負荷側の電位が所
定レベル以上に上昇するまでに、スイッチ手段を誤って
オフにしてしまうという誤動作を避けることができる。
Also, the switch control means does not turn off the switch means until a predetermined time has elapsed from the time when the switch means is turned on, even if the detection means detects the decrease. In addition, it is possible to avoid an erroneous operation in which the switch is erroneously turned off immediately after the switch is turned on and before the potential on the load side of the positive temperature coefficient thermistor rises to a predetermined level or more.

【0053】また、正特性サーミスタをスイッチ手段と
熱的に接続することにより、スイッチ手段の温度上昇に
より正特性サーミスタの温度が所定レベル以上に上昇す
ると、スイッチ手段がオフにされることから、スイッチ
手段を好適に保護することができる。
By connecting the positive temperature coefficient thermistor to the switch means thermally, when the temperature of the positive temperature coefficient thermistor rises to a predetermined level or more due to the temperature rise of the switch means, the switch means is turned off. The means can be suitably protected.

【0054】また、外部からの操作によってオンにされ
る操作手段を備え、上記駆動手段は、この操作手段がオ
ンにされると上記スイッチ手段をオンにするものである
とすることにより、例えばオペレータによって操作手段
がオンにされるとスイッチ手段がオンにされて、電源部
から負荷に電流供給を好適に行うことができる。
Further, it is provided with operating means which is turned on by an external operation, and the driving means turns on the switch means when the operating means is turned on. When the operating means is turned on, the switch means is turned on, so that current can be suitably supplied from the power supply unit to the load.

【0055】また、上記操作手段がオンにされると上記
駆動手段にハイレベル信号が入力されるように構成さ
れ、上記スイッチ制御手段は、上記正特性サーミスタの
温度が所定レベル以上に上昇すると上記ハイレベル信号
をローレベル信号に変更するもので、上記駆動手段は、
上記ハイレベル信号が入力されると上記スイッチ手段に
駆動信号を出力して当該スイッチ手段をオンにし、上記
ハイレベル信号がローレベル信号に変更されると上記駆
動信号の出力を停止するものであるとすることにより、
簡易な構成でスイッチ手段を確実にオフにすることがで
きる。
When the operating means is turned on, a high-level signal is input to the driving means. The switch control means is adapted to switch the temperature of the positive temperature coefficient thermistor to a predetermined level or more. The high-level signal is changed to a low-level signal.
When the high level signal is input, a drive signal is output to the switch means to turn on the switch means, and when the high level signal is changed to a low level signal, the output of the drive signal is stopped. By doing
The switch means can be reliably turned off with a simple configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る過熱保護回路の一実施形態を備え
た電流供給回路の回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a current supply circuit including one embodiment of an overheat protection circuit according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電源部 2 FET(スイッチ手段) 3 正特性(PTC)サーミスタ 4 モータ(負荷) 5 駆動回路(駆動手段) 6,61,62,63 電流供給ライン 7 操作スイッチ(操作手段) 8 過熱保護回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power supply part 2 FET (switch means) 3 Positive characteristic (PTC) thermistor 4 Motor (load) 5 Drive circuit (drive means) 6, 61, 62, 63 Current supply line 7 Operation switch (operation means) 8 Overheat protection circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 史章 愛知県名古屋市南区菊住1丁目7番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内 Fターム(参考) 2F056 RG03 RG06 5E034 AA07 AB01 AC10 DA02 DA10 5G013 AA02 BA01 CA02 CA07  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Fumiaki Mizuno 1-7-10 Kikuzumi, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi F-term in Harness Research Institute, Inc. (reference) 2F056 RG03 RG06 5E034 AA07 AB01 AC10 DA02 DA10 5G013 AA02 BA01 CA02 CA07

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源部と負荷との間に直列に接続された
スイッチ手段および正特性サーミスタと、上記スイッチ
手段をオンオフする駆動手段とを備え、上記スイッチ手
段をオンにすることにより上記電源部から上記負荷に電
流を供給する電流供給回路において、 上記スイッチ手段がオン状態のときに、上記正特性サー
ミスタの温度が所定レベル以上に上昇すると、上記スイ
ッチ手段を強制的にオフにするスイッチ制御手段を備え
たことを特徴とする過熱保護回路。
1. A power supply unit comprising: switch means and a positive temperature coefficient thermistor connected in series between a power supply unit and a load; and drive means for turning on and off the switch means. A current supply circuit for supplying a current to the load from a switch control means for forcibly turning off the switch means when the temperature of the positive temperature coefficient thermistor rises to a predetermined level or more while the switch means is on. An overheat protection circuit comprising:
【請求項2】 請求項1記載の過熱保護回路において、
上記スイッチ制御手段は、上記正特性サーミスタの負荷
側の電位が所定レベル以下に低下すると上記スイッチ手
段を強制的にオフにするものであることを特徴とする過
熱保護回路。
2. The overheat protection circuit according to claim 1,
The overheat protection circuit, wherein the switch control means forcibly turns off the switch means when a load-side potential of the positive temperature coefficient thermistor falls below a predetermined level.
【請求項3】 請求項2記載の過熱保護回路において、
上記スイッチ制御手段は、上記スイッチ手段がオンにな
った時点から所定時間経過するまでは、上記検出手段に
より上記低下が検出されても上記スイッチ手段をオフに
しないように構成されていることを特徴とする過熱保護
回路。
3. The overheat protection circuit according to claim 2,
The switch control means is configured not to turn off the switch means until a predetermined time elapses from the time when the switch means is turned on, even if the decrease is detected by the detection means. And overheat protection circuit.
【請求項4】 請求項1記載の過熱保護回路において、
上記正特性サーミスタは、上記スイッチ手段と上記負荷
との間に電気的に接続されるとともに、上記スイッチ手
段と熱的に接続されていることを特徴とする過熱保護回
路。
4. The overheat protection circuit according to claim 1,
An overheat protection circuit, wherein the positive temperature coefficient thermistor is electrically connected between the switch means and the load, and is thermally connected to the switch means.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の過熱保
護回路において、外部からの操作によってオンにされる
操作手段を備え、上記駆動手段は、この操作手段がオン
にされると上記スイッチ手段をオンにするものであるこ
とを特徴とする過熱保護回路。
5. The overheat protection circuit according to claim 1, further comprising an operation unit that is turned on by an external operation, wherein the driving unit is configured to turn on the operation unit when the operation unit is turned on. An overheat protection circuit characterized by turning on a switch means.
【請求項6】 請求項5記載の過熱保護回路において、
上記操作手段がオンにされると上記駆動手段にハイレベ
ル信号が入力されるように構成され、上記スイッチ制御
手段は、上記正特性サーミスタの温度が所定レベル以上
に上昇すると上記ハイレベル信号をローレベル信号に変
更するもので、上記駆動手段は、上記ハイレベル信号が
入力されると上記スイッチ手段に駆動信号を出力して当
該スイッチ手段をオンにし、上記ハイレベル信号がロー
レベル信号に変更されると上記駆動信号の出力を停止す
るものであることを特徴とする過熱保護回路。
6. The overheat protection circuit according to claim 5,
When the operating means is turned on, a high-level signal is input to the driving means, and the switch control means lowers the high-level signal when the temperature of the positive temperature coefficient thermistor rises above a predetermined level. When the high level signal is input, the driving means outputs a driving signal to the switching means to turn on the switching means, and the high level signal is changed to a low level signal. Then, the output of the drive signal is stopped.
JP2000029372A 2000-02-07 2000-02-07 Protective circuit against overheating Withdrawn JP2001218361A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000029372A JP2001218361A (en) 2000-02-07 2000-02-07 Protective circuit against overheating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000029372A JP2001218361A (en) 2000-02-07 2000-02-07 Protective circuit against overheating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001218361A true JP2001218361A (en) 2001-08-10

Family

ID=18554645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000029372A Withdrawn JP2001218361A (en) 2000-02-07 2000-02-07 Protective circuit against overheating

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001218361A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1321489C (en) * 2002-08-29 2007-06-13 株式会社村田制作所 Overheat protection circuit
US7742270B2 (en) 2004-06-10 2010-06-22 Invensys Systems, Inc. System and method for limiting energy in an industrial control system
CN103208781A (en) * 2013-04-12 2013-07-17 苏州欧泰克电子科技有限公司 Control circuit with overheat protection function
JP2014117142A (en) * 2012-12-06 2014-06-26 Twin-Star International Inc Overheating-proof power supply code and method
JP2015035884A (en) * 2013-08-08 2015-02-19 オムロン株式会社 Power-supply device
JP2016092210A (en) * 2014-11-05 2016-05-23 株式会社村田製作所 Overheat and overcurrent detection element and switching circuit using element

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1321489C (en) * 2002-08-29 2007-06-13 株式会社村田制作所 Overheat protection circuit
US7742270B2 (en) 2004-06-10 2010-06-22 Invensys Systems, Inc. System and method for limiting energy in an industrial control system
US8159804B2 (en) 2004-06-10 2012-04-17 Invensys Systems, Inc. System and method for limiting energy in an industrial control system
JP2014117142A (en) * 2012-12-06 2014-06-26 Twin-Star International Inc Overheating-proof power supply code and method
CN103208781A (en) * 2013-04-12 2013-07-17 苏州欧泰克电子科技有限公司 Control circuit with overheat protection function
JP2015035884A (en) * 2013-08-08 2015-02-19 オムロン株式会社 Power-supply device
JP2016092210A (en) * 2014-11-05 2016-05-23 株式会社村田製作所 Overheat and overcurrent detection element and switching circuit using element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240113707A1 (en) Switch device
JP5590031B2 (en) Power supply protection circuit and motor drive device including the same
JP3040342B2 (en) Control circuit for power MOS gate type circuit
US20070064370A1 (en) Semiconductor integrated circuit device, power supply apparatus, and electric appliance
JP4836694B2 (en) Power supply control device
US8953294B2 (en) Circuit arrangement with an overcurrent fuse
US8045310B2 (en) Semiconductor device with overcurrent protection
US20080008459A1 (en) Motor control system for the PWM control of an electric motor
WO2007074837A1 (en) Power supply control device
WO2007074828A1 (en) Power supply control device and its threshold value modification method
JP2006086507A (en) Semiconductor device
US20020021539A1 (en) Protective circuit against overheating of a semiconductor switching device
JP2011078228A (en) Overcurrent protection circuit
JP2011091694A (en) Rapid discharging circuit upon detection of failure
US20100097737A1 (en) Load driving device
JP4263685B2 (en) Protection circuit
JPH0888547A (en) Self-extinction of arc element with overheat protective device
JP3964833B2 (en) Intelligent power device and load short circuit protection method thereof
JP2001218361A (en) Protective circuit against overheating
JP4802948B2 (en) Load drive control device
US20070103988A1 (en) Circuit arrangement and method for controlling an inductive load
US5847911A (en) Self-protecting switch apparatus for controlling a heat element of a vehicle seat and a method for providing the apparatus
JP2000308253A (en) Controller and method for power supply
US5023529A (en) Control circuit
JP2000252803A (en) Overcurrent detection circuit and overcurrent detection 1 protection circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070501