JP2000004045A - 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法Info
- Publication number
- JP2000004045A JP2000004045A JP16719498A JP16719498A JP2000004045A JP 2000004045 A JP2000004045 A JP 2000004045A JP 16719498 A JP16719498 A JP 16719498A JP 16719498 A JP16719498 A JP 16719498A JP 2000004045 A JP2000004045 A JP 2000004045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium nitride
- single crystal
- compound semiconductor
- growing
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １または２種類以上の希土類元素を含む希土
類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶基板上に良質
の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶を成長させること
のできる方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 １または２種類以上の希土類元素を含む
希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶を基板と
する窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法にお
いて、第１の温度条件下で上記基板上に第１の窒化ガリ
ウム層を成長させる第１の成膜工程と、上記基板を不活
性ガス雰囲気中で所定温度まで昇温させて熱処理を施す
熱処理工程と、前記熱処理工程後に、前記第１の温度条
件より高温に設定される第２の温度条件下で前記第１の
窒化ガリウム層の上に第２の窒化ガリウム層を成長させ
る第２の成膜工程とを少なくとも有するようにした。
類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶基板上に良質
の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶を成長させること
のできる方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 １または２種類以上の希土類元素を含む
希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶を基板と
する窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法にお
いて、第１の温度条件下で上記基板上に第１の窒化ガリ
ウム層を成長させる第１の成膜工程と、上記基板を不活
性ガス雰囲気中で所定温度まで昇温させて熱処理を施す
熱処理工程と、前記熱処理工程後に、前記第１の温度条
件より高温に設定される第２の温度条件下で前記第１の
窒化ガリウム層の上に第２の窒化ガリウム層を成長させ
る第２の成膜工程とを少なくとも有するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光デバイス，電子
デバイスなどの半導体デバイスの製造に用いられる窒化
ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法に関するもの
である。
デバイスなどの半導体デバイスの製造に用いられる窒化
ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体（例えば、
ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ）（０≦ｘ，ｙ；ｘ＋ｙ≦１；
但し、ｘ＝１,ｙ＝０の場合は除く）は、禁制帯幅が広
く、短波長発光素子，耐環境素子として期待され、広く
研究されてきた。
ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ）（０≦ｘ，ｙ；ｘ＋ｙ≦１；
但し、ｘ＝１,ｙ＝０の場合は除く）は、禁制帯幅が広
く、短波長発光素子，耐環境素子として期待され、広く
研究されてきた。
【０００３】しかしながら、この窒化ガリウム系化合物
半導体においては、未だ大型のバルク結晶が得られない
ため、異種結晶（例えばサファイアα−Ａｌ2Ｏ3）上へ
のヘテロエピタキシーによってＧａＮ等の薄膜単結晶を
形成したものが基板として用いられてきた。
半導体においては、未だ大型のバルク結晶が得られない
ため、異種結晶（例えばサファイアα−Ａｌ2Ｏ3）上へ
のヘテロエピタキシーによってＧａＮ等の薄膜単結晶を
形成したものが基板として用いられてきた。
【０００４】ところが、サファイアに代表されるよう
に、多くの場合、基板に用いられる異種結晶とその上に
成膜される窒化ガリウム系化合物半導体薄膜との格子不
整合性が大きく、欠陥や熱歪みなどが発生し易いため、
窒化ガリウム系化合物半導体単結晶は品質的に問題を抱
えるものであった。
に、多くの場合、基板に用いられる異種結晶とその上に
成膜される窒化ガリウム系化合物半導体薄膜との格子不
整合性が大きく、欠陥や熱歪みなどが発生し易いため、
窒化ガリウム系化合物半導体単結晶は品質的に問題を抱
えるものであった。
【０００５】そこで、本発明者等は、窒化ガリウム系化
合物半導体をヘテロエピタキシーによって成長させる際
に、種々の優れた特性を備える異種結晶基板の材料の一
つとして希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトを用いた
窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法および窒
化ガリウム系化合物半導体装置を提案した（特願平７−
５２６２３３号）。
合物半導体をヘテロエピタキシーによって成長させる際
に、種々の優れた特性を備える異種結晶基板の材料の一
つとして希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトを用いた
窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法および窒
化ガリウム系化合物半導体装置を提案した（特願平７−
５２６２３３号）。
【０００６】この成長技術によれば、例えば希土類１３
（３Ｂ）族ペロブスカイトの一種としてＮｄＧａＯ3を
基板として用い、その基板上にＧａＮをエピタキシャル
成長させる場合には、格子不整合を１．２％程度とする
ことができた。
（３Ｂ）族ペロブスカイトの一種としてＮｄＧａＯ3を
基板として用い、その基板上にＧａＮをエピタキシャル
成長させる場合には、格子不整合を１．２％程度とする
ことができた。
【０００７】この格子不整合性は、サファイアやその代
替品として用いられるＳｉＣを基板とした場合と比較し
ても非常に小さく、窒化ガリウム系化合物半導体単結晶
のヘテロエピタキシーに有効であると期待される。
替品として用いられるＳｉＣを基板とした場合と比較し
ても非常に小さく、窒化ガリウム系化合物半導体単結晶
のヘテロエピタキシーに有効であると期待される。
【０００８】また、その後の研究により、例えばＮｄＧ
ａＯ3上にＧａＮをエピタキシャル成長させる場合に、
低温でＧａＮの第１層を成長させた後に、高温で第２層
を成長させるとより良質のＧａＮ単結晶を得ることがで
きることが分かってきた。
ａＯ3上にＧａＮをエピタキシャル成長させる場合に、
低温でＧａＮの第１層を成長させた後に、高温で第２層
を成長させるとより良質のＧａＮ単結晶を得ることがで
きることが分かってきた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一方で上述の
ようにＮｄＧａＯ3上に低温でＧａＮの第１層を成長さ
せた後に高温で第２層を成長させるという成長方法をと
る場合に、ＧａＮの第１層を成長後、第２層の成長温度
までの熱処理工程を窒素源であるＮＨ3を流しながら行
うと、第１層に生じたピンホールを通してＮＨ3がＮｄ
ＧａＯ3の表面まで達し、基板が窒化する反応を起こ
し、その影響で基板面から第１層のＧａＮが剥がれてし
まうという不具合を生じることが明らかとなってきた。
ようにＮｄＧａＯ3上に低温でＧａＮの第１層を成長さ
せた後に高温で第２層を成長させるという成長方法をと
る場合に、ＧａＮの第１層を成長後、第２層の成長温度
までの熱処理工程を窒素源であるＮＨ3を流しながら行
うと、第１層に生じたピンホールを通してＮＨ3がＮｄ
ＧａＯ3の表面まで達し、基板が窒化する反応を起こ
し、その影響で基板面から第１層のＧａＮが剥がれてし
まうという不具合を生じることが明らかとなってきた。
【００１０】また、ＮｄＧａＯ3を基板としてＧａＮを
エピタキシャル成長する場合、低温で成長するＧａＮの
第１層は緩衝層としての役割を果たすほか、ＮｄＧａＯ
3とＮＨ3が反応して不要な層が生成されるのを防ぐ保護
膜としての機能を有しているが、ＧａＮの第１層を成長
後、第２層の成長温度までの熱処理工程をＮＨ3の雰囲
気で行うと、この保護膜としての機能が低下するという
障害を生じることが分かってきた。
エピタキシャル成長する場合、低温で成長するＧａＮの
第１層は緩衝層としての役割を果たすほか、ＮｄＧａＯ
3とＮＨ3が反応して不要な層が生成されるのを防ぐ保護
膜としての機能を有しているが、ＧａＮの第１層を成長
後、第２層の成長温度までの熱処理工程をＮＨ3の雰囲
気で行うと、この保護膜としての機能が低下するという
障害を生じることが分かってきた。
【００１１】本発明は上述のような問題を解決すべく案
出されたものであり、１または２種類以上の希土類元素
を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶基
板上に良質の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶を成長
させることのできる方法を提供することを主目的とする
ものである。
出されたものであり、１または２種類以上の希土類元素
を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶基
板上に良質の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶を成長
させることのできる方法を提供することを主目的とする
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、１または２種類以上の希土類元素を含む
希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶を基板と
する窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法にお
いて、第１の温度条件下で上記基板上に第１の窒化ガリ
ウム層を成長させる第１の成膜工程と、上記基板を不活
性ガス雰囲気中で所定温度まで昇温させて熱処理を施す
熱処理工程と、前熱処理温工程の終了後に、前記第１の
温度条件より高温に設定される第２の温度条件下で前記
第１の窒化ガリウム層の上に第２の窒化ガリウム層を成
長させる第２の成膜工程とを少なくとも有するようにし
たものである。
に、本発明は、１または２種類以上の希土類元素を含む
希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶を基板と
する窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法にお
いて、第１の温度条件下で上記基板上に第１の窒化ガリ
ウム層を成長させる第１の成膜工程と、上記基板を不活
性ガス雰囲気中で所定温度まで昇温させて熱処理を施す
熱処理工程と、前熱処理温工程の終了後に、前記第１の
温度条件より高温に設定される第２の温度条件下で前記
第１の窒化ガリウム層の上に第２の窒化ガリウム層を成
長させる第２の成膜工程とを少なくとも有するようにし
たものである。
【００１３】これにより、従来のように第１層のＧａＮ
が剥がれるという不具合を解消することができる。
が剥がれるという不具合を解消することができる。
【００１４】なお、上記第１の成膜工程における第１の
温度条件は、４００℃〜７５０℃、好ましくは５５０℃
〜６５０℃、形成する第１の窒化ガリウム層の膜厚は、
２０ｎｍ〜３５０ｎｍ、好ましくは８０ｎｍ〜１２０ｎ
ｍとすることが望ましい。
温度条件は、４００℃〜７５０℃、好ましくは５５０℃
〜６５０℃、形成する第１の窒化ガリウム層の膜厚は、
２０ｎｍ〜３５０ｎｍ、好ましくは８０ｎｍ〜１２０ｎ
ｍとすることが望ましい。
【００１５】ここで、４００℃未満ではＧａＮが成膜せ
ず、８００℃を超えると基板と原料ガスが反応するため
好ましくなく、又、８０ｎｍ未満だと基板を完全に被覆
することができず、１２０ｎｍを超えると生成する膜質
が悪くなるため好ましくない。
ず、８００℃を超えると基板と原料ガスが反応するため
好ましくなく、又、８０ｎｍ未満だと基板を完全に被覆
することができず、１２０ｎｍを超えると生成する膜質
が悪くなるため好ましくない。
【００１６】また、上記熱処理工程における所定温度
は、８００℃〜１２００℃、好ましくは９５０℃〜１０
５０℃とするとよい。この範囲外では，第１の窒化ガリ
ウム層が緩衝層あるいは保護膜としての機能が低下する
ので好ましくない。
は、８００℃〜１２００℃、好ましくは９５０℃〜１０
５０℃とするとよい。この範囲外では，第１の窒化ガリ
ウム層が緩衝層あるいは保護膜としての機能が低下する
ので好ましくない。
【００１７】また、上記熱処理工程における不活性ガス
雰囲気は、Ｎ2ガス雰囲気とすると効果的である。
雰囲気は、Ｎ2ガス雰囲気とすると効果的である。
【００１８】また、上記第２の成膜工程における第２の
温度条件は、８００℃〜１２００℃、好ましくは９５０
℃〜１０５０℃とすることが望ましい。
温度条件は、８００℃〜１２００℃、好ましくは９５０
℃〜１０５０℃とすることが望ましい。
【００１９】ここで、８００℃未満では成長速度ｇは遅
く、１２００℃を超えると生成する膜質が悪くなるため
好ましくない。
く、１２００℃を超えると生成する膜質が悪くなるため
好ましくない。
【００２０】さらに、上記１３（３Ｂ）族元素として、
Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち少なくとも１種類を含むように
することができる。
Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち少なくとも１種類を含むように
することができる。
【００２１】このようにして成長させた窒化ガリウム系
化合物半導体単結晶を用いることにより、熱的，化学的
に安定な高性能の青色発光ダイオードや半導体レーザ等
の半導体装置を得ることが可能となる。
化合物半導体単結晶を用いることにより、熱的，化学的
に安定な高性能の青色発光ダイオードや半導体レーザ等
の半導体装置を得ることが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の実施形態の一例
について説明する。
について説明する。
【００２３】本実施形態では、希土類ガリウムペロブス
カイトとしてＮｄＧａＯ3の単結晶基板の（００１）面
上に窒化ガリウム系化合物半導体としてのＧａＮ単結晶
を成長させる場合について述べる。
カイトとしてＮｄＧａＯ3の単結晶基板の（００１）面
上に窒化ガリウム系化合物半導体としてのＧａＮ単結晶
を成長させる場合について述べる。
【００２４】まず、厚さ３５０μｍの（００１）面Ｎｄ
ＧａＯ3単結晶基板を有機溶剤で洗浄した後に、ハイド
ライドＶＰＥ装置にセットした。
ＧａＯ3単結晶基板を有機溶剤で洗浄した後に、ハイド
ライドＶＰＥ装置にセットした。
【００２５】次いで、窒素ガスを流しながら、基板部の
温度を６００℃に、Ｇａ原料の温度を８５０℃に昇温し
た。
温度を６００℃に、Ｇａ原料の温度を８５０℃に昇温し
た。
【００２６】そして、Ｇａ原料の上流側から窒素
（Ｎ2）ガスで希釈されたＨＣｌガスを流し、同時にＧ
ａ原料をバイパスして基板の直上にＮＨ3ガスを流し
て、基板上に第１のＧａＮ層の薄膜を１０分間成長させ
た。
（Ｎ2）ガスで希釈されたＨＣｌガスを流し、同時にＧ
ａ原料をバイパスして基板の直上にＮＨ3ガスを流し
て、基板上に第１のＧａＮ層の薄膜を１０分間成長させ
た。
【００２７】これにより得られた第１のＧａＮ層の薄膜
の厚さは約１００ｎｍであった。
の厚さは約１００ｎｍであった。
【００２８】続いて不活性ガスとしてのＮ2ガスの雰囲
気中で基板部の温度を１０００℃まで昇温して熱処理を
施した後、Ｇａ原料の上流側からＮ2ガスで希釈された
ＨＣｌガスを流すと同時にＧａ原料をバイパスして基板
の直上にＮＨ3ガスを流して、前記第１のＧａＮ層の上
に第２のＧａＮ層を６０分間にわたって成長させた。
気中で基板部の温度を１０００℃まで昇温して熱処理を
施した後、Ｇａ原料の上流側からＮ2ガスで希釈された
ＨＣｌガスを流すと同時にＧａ原料をバイパスして基板
の直上にＮＨ3ガスを流して、前記第１のＧａＮ層の上
に第２のＧａＮ層を６０分間にわたって成長させた。
【００２９】これにより、約２０μｍの厚さのＧａＮ厚
膜を得ることができた。このＧａＮ層からなる厚膜を観
察したところ、表面に異常成長が見られない平坦な鏡面
状のエピタキシャル膜であった。
膜を得ることができた。このＧａＮ層からなる厚膜を観
察したところ、表面に異常成長が見られない平坦な鏡面
状のエピタキシャル膜であった。
【００３０】また、Ｘ線回折分析した結果、良質な膜質
の（０００１）面の単結晶であることが確認された。
の（０００１）面の単結晶であることが確認された。
【００３１】このように、本発明に係る成長方法によれ
ば、希土類ガリウムペロブスカイトの（００１）面上に
良質なＧａＮ単結晶を成長させ得ることが実験的に確か
められた。
ば、希土類ガリウムペロブスカイトの（００１）面上に
良質なＧａＮ単結晶を成長させ得ることが実験的に確か
められた。
【００３２】よって、この良質なＧａＮ単結晶を用いる
ことにより熱的，化学的に安定な高性能の青色発光ダイ
オードや半導体レーザ等の半導体装置を製造することが
可能となる。
ことにより熱的，化学的に安定な高性能の青色発光ダイ
オードや半導体レーザ等の半導体装置を製造することが
可能となる。
【００３３】なお、本実施形態では、希土類ガリウムペ
ロブスカイトとしてＮｄＧａＯ3単結晶基板を用い、Ｇ
ａＮ単結晶を成長させる場合について説明したが、これ
に限られるものではなく、その他の１または２種類以上
の希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイ
トの単結晶基板上にＧａＮ以外の窒化ガリウム系化合物
半導体単結晶を成長させる場合にも適用することができ
る。
ロブスカイトとしてＮｄＧａＯ3単結晶基板を用い、Ｇ
ａＮ単結晶を成長させる場合について説明したが、これ
に限られるものではなく、その他の１または２種類以上
の希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイ
トの単結晶基板上にＧａＮ以外の窒化ガリウム系化合物
半導体単結晶を成長させる場合にも適用することができ
る。
【００３４】また、本実施形態では、不活性ガスとして
Ｎ2ガスを用いる場合について述べたがこれに限定され
ずその他の不活性ガスを用いることも可能である。
Ｎ2ガスを用いる場合について述べたがこれに限定され
ずその他の不活性ガスを用いることも可能である。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、１または２種類以上の希土類
元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結
晶を基板とする窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成
長方法において、第１の温度条件下で上記基板上に第１
の窒化ガリウム層を成長させる第１の成膜工程と、上記
基板を不活性ガス雰囲気中で所定温度まで昇温させて熱
処理を施す熱処理工程と、前記熱処理工程の終了後に、
前記第１の温度条件より高温に設定される第２の温度条
件下で前記第１の窒化ガリウム層の上に第２の窒化ガリ
ウム層を成長させる第２の成膜工程とを少なくとも有す
るようにしたので、従来のように第１層のＧａＮが剥が
れるなどの不具合を解消することができ、良質の窒化ガ
リウム系化合物半導体単結晶を得ることができるという
優れた効果がある。
元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結
晶を基板とする窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成
長方法において、第１の温度条件下で上記基板上に第１
の窒化ガリウム層を成長させる第１の成膜工程と、上記
基板を不活性ガス雰囲気中で所定温度まで昇温させて熱
処理を施す熱処理工程と、前記熱処理工程の終了後に、
前記第１の温度条件より高温に設定される第２の温度条
件下で前記第１の窒化ガリウム層の上に第２の窒化ガリ
ウム層を成長させる第２の成膜工程とを少なくとも有す
るようにしたので、従来のように第１層のＧａＮが剥が
れるなどの不具合を解消することができ、良質の窒化ガ
リウム系化合物半導体単結晶を得ることができるという
優れた効果がある。
Claims (6)
- 【請求項１】１または２種類以上の希土類元素を含む希
土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶を基板とす
る窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法におい
て、 第１の温度条件下で上記基板上に第１の窒化ガリウム層
を成長させる第１の成膜工程と、 上記基板を不活性ガス雰囲気中で所定温度まで昇温させ
て熱処理を施す熱処理工程と、 前記熱処理工程の終了後に、前記第１の温度条件より高
温に設定される第２の温度条件下で前記第１の窒化ガリ
ウム層の上に第２の窒化ガリウム層を成長させる第２の
成膜工程と、 を少なくとも有することを特徴とする窒化ガリウム系化
合物半導体単結晶の成長方法。 - 【請求項２】上記第１の成膜工程における第１の温度条
件は、４００℃〜７５０℃、好ましくは５５０℃〜６５
０℃であり、形成する第１の窒化ガリウム層の膜厚は、
２０ｎｍ〜３５０ｎｍ、好ましくは８０ｎｍ〜１２０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム
系化合物半導体単結晶の成長方法。 - 【請求項３】上記熱処理工程における所定温度は、８０
０℃〜１２００℃、好ましくは９５０℃〜１０５０℃で
あることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法。 - 【請求項４】上記熱処理工程における不活性ガス雰囲気
は、Ｎ2ガス雰囲気であることを特徴とする請求項１か
ら請求項３の何れかに記載の窒化ガリウム系化合物半導
体単結晶の成長方法。 - 【請求項５】上記第２の成膜工程における第２の温度条
件は、８００℃〜１２００℃、好ましくは９５０℃〜１
０５０℃であることを特徴とする請求項１から請求項４
の何れかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の
成長方法。 - 【請求項６】上記１３（３Ｂ）族元素として、Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎのうち少なくとも１種類を含むことを特徴とす
る請求項１から請求項５の何れかに記載の窒化ガリウム
系化合物半導体単結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16719498A JP4065055B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16719498A JP4065055B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000004045A true JP2000004045A (ja) | 2000-01-07 |
| JP4065055B2 JP4065055B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=15845179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16719498A Expired - Fee Related JP4065055B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4065055B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003048800A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Nikko Materials Co Ltd | ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法 |
| WO2003065429A1 (fr) * | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Nikko Materials Co., Ltd. | Procede de fabrication de cristal semi-conducteur a base de compose gan |
| EP1480260A1 (en) * | 2002-02-27 | 2004-11-24 | Nikko Materials Company, Limited | Crystal manufacturing method |
| CN113930745A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-14 | 北京工业大学 | 一种高结晶GaN薄膜的制备方法 |
-
1998
- 1998-06-15 JP JP16719498A patent/JP4065055B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003048800A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Nikko Materials Co Ltd | ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法 |
| JP4673514B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2011-04-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法 |
| WO2003065429A1 (fr) * | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Nikko Materials Co., Ltd. | Procede de fabrication de cristal semi-conducteur a base de compose gan |
| EP1480260A1 (en) * | 2002-02-27 | 2004-11-24 | Nikko Materials Company, Limited | Crystal manufacturing method |
| US7256110B2 (en) | 2002-02-27 | 2007-08-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Crystal manufacturing method |
| EP1480260A4 (en) * | 2002-02-27 | 2008-10-08 | Nippon Mining Co | PROCESS FOR PRODUCING CRYSTAL |
| KR100953404B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2010-04-19 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 결정의 제조 방법 |
| CN113930745A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-14 | 北京工业大学 | 一种高结晶GaN薄膜的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4065055B2 (ja) | 2008-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI336958B (en) | Growth of iii-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers | |
| KR101321654B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 반도체 성장용 기판, ⅲ족 질화물 반도체 에피택셜 기판, ⅲ족 질화물 반도체 소자 및 ⅲ족 질화물 반도체 자립 기판, 및 이들의 제조 방법 | |
| US7118934B2 (en) | Porous substrate for epitaxial growth, method for manufacturing same, and method for manufacturing III-nitride semiconductor substrate | |
| JP4150527B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
| KR100531178B1 (ko) | 중간 질화물 반도체 에피층의 금속상 전환을 이용한질화물 반도체 에피층 성장 방법 | |
| JP2001525121A (ja) | 表面調整された炭化ケイ素基板の回収 | |
| JPH07235692A (ja) | 化合物半導体装置及びその形成方法 | |
| JP2003128500A (ja) | エピタキシャルウェーハ、及びｉｉｉ−ｖ族窒化物合金のエピタキシャル成長方法 | |
| JP3353527B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体の製造方法 | |
| JP4065055B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| KR100504180B1 (ko) | 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법 | |
| JP4728460B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP3758537B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
| JP2011093803A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP5430467B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体成長用基板、ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板、ｉｉｉ族窒化物半導体素子、ならびに、これらの製造方法 | |
| KR100691251B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100576850B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 제조방법 | |
| KR100499814B1 (ko) | ＧａＮ 나노막대를 이용하는 단결정 ＧａＮ 기판 제조방법 | |
| JP2000012901A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2000269605A (ja) | 窒化ガリウム結晶を有する積層体およびその製造方法 | |
| JP3946448B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JP3263891B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法 | |
| KR100822482B1 (ko) | 질화물 계열 에피택시 층의 성장 방법 및 이를 이용한반도체 소자 | |
| JP4507810B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板 | |
| JP2006185962A (ja) | 半導体成長用基板および半導体膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040122 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041214 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071129 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071228 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |