JP2000002886A - Manufacture of liquid crystal display device - Google Patents

Manufacture of liquid crystal display device

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JP2000002886A
JP2000002886A JP16799498A JP16799498A JP2000002886A JP 2000002886 A JP2000002886 A JP 2000002886A JP 16799498 A JP16799498 A JP 16799498A JP 16799498 A JP16799498 A JP 16799498A JP 2000002886 A JP2000002886 A JP 2000002886A
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crystal display
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JP16799498A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Masutani
雄一 升谷
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
三菱電機株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease steps of a photomechanical process in manufacture of a liquid crystal display, to improve throughput and to reduce a manufacturing cost.
SOLUTION: In the manufacturing process, a protective film 12 is formed with a transparent insulating film such as silicon nitride, silicon oxide or the like on a substrate on which thin film transistors are formed, and besides, an alignment film 13 composed of polyimide or the like is formed by a method such as screen printing or transferring in a region other than terminal parts. Succeedingly, using the alignment film 13 as a mask, the protective film 12 on terminal parts is wet-etched by using liquid chemicals such as hydrofluoric acid or the like. Subsequently rubbing is done as it is, and the substrate is stuck with a counter substrate and the liquid crystal display is manufactured with filling of liquid crystal. Following this method, steps of the photomechanical process such as resist coating, exposure, developing or the like conventionally conducted for protective film forming and a resist-stripping step can be reduced.
COPYRIGHT: (C)2000,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a manufacturing method for an active matrix type liquid crystal display device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】図6は、従来の液晶表示装置の保護膜成膜からラビングまでの工程フローを示す図である。 BACKGROUND ART FIG. 6 is a diagram illustrating a process flow from the protective film forming of a conventional liquid crystal display device to rubbing. 従来のアクティブマトリックス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ集積装置(以下、薄膜トランジスタアレイと称す)基板の最表面に、レジストを用いた写真製版工程により保護膜を形成した後、この薄膜トランジスタアレイ基板の画素を形成した部分にスクリーン印刷等によりポリイミド等の有機材料からなる配向膜を形成し、コットン、レーヨンまたはポリエステル、ナイロン等の布で摩擦するラビングにより、液晶分子を配向させていた。 The conventional active matrix type liquid crystal display device, a thin film transistor integrated device (hereinafter, referred to as a thin film transistor array) on the outermost surface of the substrate, after forming a protective film by photolithography process using a resist, forming a pixel of the thin film transistor array substrate portion of the alignment film made of an organic material such as polyimide is formed by screen printing or the like, cotton, rayon or polyester, by a rubbing frictionally cloth such as nylon, it had to align the liquid crystal molecules.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】以上のような液晶表示装置の製造において、スループットの向上は製造コストを下げるための重要な課題である。 In the manufacture of the invention Problems to be Solved] The above liquid crystal display device, improvement in throughput is an important issue to reduce the manufacturing cost. 特に、薄膜トランジスタアレイ基板の製造においては、通常5〜8回の写真製版工程を行っているが、この写真製版工程の回数を低減することは、スループットの向上に大きく寄与する。 In particular, in the production of a thin film transistor array substrate is usually performed 5-8 times photolithography process, it is to reduce the number of times of the photolithography process, greatly contributes to the improvement of throughput.

【0004】本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、液晶表示装置の製造における写真製版工程の回数を低減し、スループットを向上させ、 [0004] The present invention has been made to solve the above problems, to reduce the number of photolithography process in the manufacture of a liquid crystal display device, to improve the throughput,
製造コストの低減を図ることを目的とする。 And an object thereof is to reduce manufacturing costs.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係わる液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタを含むスイッチング素子及びこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有する薄膜トランジスタアレイ基板と、 Method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention SUMMARY OF THE INVENTION comprises a thin film transistor array substrate having a display element are controlled through the switching element and the switching element including a thin film transistor,
この薄膜トランジスタアレイ基板との間に液晶を挟持する対向基板を備えた液晶表示装置の製造方法であって、 Between this thin film transistor array substrate A method of manufacturing a liquid crystal display device including a counter substrate that sandwich the liquid crystal,
薄膜トランジスタが形成された基板上に、透明絶縁膜よりなる保護膜を成膜する工程と、この基板周辺部に設けられた端子部を除く領域に、ポリイミド等よりなる配向膜をスクリーン印刷または転写等の方法で形成する工程と、配向膜をマスクとして端子部上の保護膜のエッチングを行う工程を含んで製造するようにしたものである。 On a substrate a thin film transistor is formed, a transparent insulating a step of forming a protective film made of the film, in a region other than the terminal part provided on the substrate peripheral portion, an orientation film made of polyimide or the like screen printing or transfer, etc. forming in the method is obtained by such manufacturing comprises the step of etching the protective film on the terminal portion of the alignment film as a mask.

【0006】また、保護膜のエッチングは、フッ酸、あるいは熱リン酸等を主成分とした薬液を用いたウエットエッチングにより行うものである。 [0006] The etching of the protective film is performed by wet etching using a chemical solution composed mainly of hydrofluoric acid or hot phosphoric acid, and the like. また、保護膜のエッチングは、ドライエッチングにより行うものである。 The etching of the protective film is performed by dry etching. さらに、配向膜は、ドライエッチングによって減少する膜厚分をあらかじめ厚く形成しておくものである。 Further, the alignment film is to advance thicker the film thickness amount be reduced by dry etching.

【0007】 [0007]

【発明の実施の形態】実施の形態1. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Embodiment 1. 以下に、本発明の実施の形態を図について説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention FIG. About. 図1は、本発明の実施の形態1において作製される薄膜トランジスタアレイ基板の一画素の構造を示す平面図、図2は本実施の形態における薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を示す断面図であり、図1中A−Aで示す部分と実装端子部の断面構造を示している。 Figure 1 is a plan view showing the structure of one pixel of the TFT array substrate manufactured in the first embodiment of the present invention, a cross-sectional view 2 showing a method for manufacturing a thin film transistor array substrate of this embodiment, FIG. It shows a cross-sectional structure of a portion between the mounting terminal portion indicated by a-a in 1. 図において、1は透明絶縁性基板であるガラス基板、2はガラス基板1上に形成されたゲート電極及びゲート配線、3は共通配線であり、ゲート電極2上にゲート絶縁膜4を介して設けられたアモルファスシリコン膜(以下、a−Si膜と称す)5及びリン等の不純物をドープしたアモルファスシリコン膜(以下、n + −a−Si膜と称す)6よりなる半導体層と、 In the figure, the glass substrate 1 is a transparent insulating substrate, 2 is formed gate electrode and a gate wiring on a glass substrate 1, 3 is a common wiring, provided via a gate insulating film 4 on the gate electrode 2 It was amorphous silicon film (hereinafter, referred to as a-Si film) 5 and the impurity-doped amorphous silicon film such as phosphorous (hereinafter, referred to as n + -a-Si film) and the semiconductor layer of 6,
この半導体層に接続されたソース電極9及びドレイン電極10より、薄膜トランジスタ14が構成されている。 Than the source electrode 9 and drain electrode 10 connected to the semiconductor layer, the thin film transistor 14 is constituted.
また、7は薄膜トランジスタ14のドレイン電極10に接続されたITO等の透明導電膜よりなる画素電極、8 Further, 7 is made of transparent conductive pixel electrode of ITO or the like connected to the drain electrode 10 of the TFT 14, 8
は端子電極、11はコンタクトホール、12は窒化シリコン、酸化シリコン等の透明絶縁膜よりなる保護膜、1 Terminal electrodes, 11 a contact hole, 12 denotes a silicon nitride, a protective film made of a transparent insulating film such as silicon oxide, 1
3はポリイミド等よりなる配向膜である。 3 is a alignment film made of polyimide or the like. 本実施の形態において作製される液晶表示装置は、薄膜トランジスタ14を含むスイッチング素子及びこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子である画素電極7を有する薄膜トランジスタアレイ基板と、この薄膜トランジスタアレイ基板との間に液晶を挟持する対向基板(図示せず)より構成されている。 The liquid crystal display device manufactured in this embodiment, between the thin film transistor array substrate having pixel electrodes 7 is a display element which is respectively controlled through a switching element and the switching element including a thin film transistor 14, and the thin film transistor array substrate It is composed from a counter substrate (not shown) for holding the liquid crystal.

【0008】本実施の形態による薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を図2を用いて説明する。 [0008] The method for manufacturing a thin film transistor array substrate according to the present embodiment will be described with reference to FIG. まず、ガラス基板1上にゲート電極及びゲート配線2と共通配線3 First, a gate electrode on the glass substrate 1 and the gate line 2 and the common wiring 3
を、Cr、Al、Mo、Ta、Cu、Al- Cu、Al A, Cr, Al, Mo, Ta, Cu, Al- Cu, Al
- Si- Cu、Ti、W単体あるいはこれらの合金、あるいはITO等の透明材料を、単層あるいは積層した構造で膜厚0. 03μmから0. 6μm程度の厚さで形成する(図2(a) )。 - Si- Cu, Ti, W and their alloys, or a transparent material such as ITO, is formed to a thickness of about 0. 6 [mu] m in a single layer or stacked structure from the film thickness 0. 03μm (FIG. 2 (a )). なお、ゲート電極及びゲート配線2 Note that the gate electrode and the gate wire 2
と共通配線3を形成する際のエッチング方法として、本実施の形態では断面が台形状になるテーパーエッチングを例に示したが、断面が長方形となるようなエッチング方法を用いても良い。 And as an etching method for forming the common wiring 3, in the present embodiment, showing a taper etching section becomes trapezoidal example, it may be used an etching method such section becomes rectangular. 次に、ゲート絶縁膜4、a−Si Next, the gate insulating film 4, a-Si
膜5、n + −a−Si膜6を連続堆積し、写真製版を行った後、a−Si膜5及びn + −a−Si膜6をエッチングし、島状にパターニングする(図2(b) )。 The film 5, n + -a-Si film 6 sequentially deposited, after photolithography, etching the a-Si film 5 and the n + -a-Si film 6 is patterned into an island shape (FIG. 2 ( b)). ゲート絶縁膜4の材料としては、窒化シリコン、酸化シリコンまたはゲート電極材料の酸化膜等を単層あるいは積層した構造で形成する。 As a material of the gate insulating film 4, a silicon nitride, an oxide film of silicon oxide or the gate electrode material in a single layer or laminated structure. また、リン等の不純物をドープしたn + −a−Si膜6の代わりの材料としては、リン等の不純物をドープしたマイクロクリスタルシリコン等を用いてもよい。 The material in place of n + -a-Si film 6 doped with impurities such as phosphorus, may be used microcrystalline silicon doped with impurities such as phosphorus or the like.

【0009】次に、ITO等の透明導電膜を用いて画素電極7及び端子電極8を形成する(図2(c) )。 [0009] Next, a pixel electrode 7 and the terminal electrode 8 by using a transparent conductive film such as ITO (FIG. 2 (c)). 次に、 next,
端子部のコンタクトホール11を形成後、ソース電極及びソース配線9、ドレイン電極10を同時に形成し、その後、チャネル部のn + −a−Si膜6を除去する(図2(d) )。 After forming the contact hole 11 of the terminal portion, the source electrode and the source wiring 9, and the drain electrode 10 at the same time, then removed n + -a-Si film 6 of the channel portion (Figure 2 (d)). ソース電極及びソース配線9、ドレイン電極10は、Cr、Al、Mo、Ta、Cu、Al- Cu、 The source electrode and the source wiring 9, the drain electrode 10, Cr, Al, Mo, Ta, Cu, Al- Cu,
Al- Si- Cu、Ti、W単体あるいはこれらの合金、あるいはITO等の透明材料を、単層あるいは積層した構造で形成する。 Al- Si- Cu, Ti, W and their alloys, or a transparent material such as ITO, formed in a single layer or laminated structure. 次に、窒化シリコン、酸化シリコン等の透明絶縁膜よりなる保護膜12を成膜し、さらに、基板周辺部に設けられた端子部を除く領域にポリイミド等の配向膜13をスクリーン印刷または転写等の方法で形成する(図2(e) )。 Next, a silicon nitride, a protective film 12 made of a transparent insulating film such as silicon oxide is deposited, further, the alignment film 13 of polyimide or the like screen printing or transfer, etc. in a region excluding the terminal portions provided on the substrate peripheral portion formed by the method (FIG. 2 (e)). なお、配向膜13は、感光性の有機材料を用い、大型露光機等を用いて一括に端子部を露光し、現像することにより形成しても良い。 Incidentally, the orientation film 13, a photosensitive organic material, exposing the terminal portions collectively using a large exposure machine or the like, may be formed by development.

【0010】次に、配向膜13をマスクとして、端子部上の保護膜12のエッチングを、例えばフッ酸、あるいは熱リン酸等を主成分とした薬液を用いたウエットエッチングにより行う(図2(f) )。 [0010] Next, an alignment film 13 as a mask, the etching of the protective film 12 on the terminal unit, conducted for example hydrofluoric acid, or by wet etching using a chemical solution mainly composed of hot phosphoric acid or the like (FIG. 2 ( f)). この時使用するエッチング液は、ITOをエッチングしない薬液とする。 Etching solution used at this time, a chemical solution does not etch the ITO. なお、本実施の形態では、保護膜12のエッチングをウエットエッチングで行ったが、SF 6 、あるいはCF 4 In the present embodiment, the etching of the protective film 12 was performed by wet etching, SF 6 or CF 4,,
CCl 4 、HF、CHF 3等を主成分とするガスを用いたドライエッチングを用いてもよい。 CCl 4, HF, may be dry etching using a gas mainly composed of CHF 3 and the like. その際には、配向膜13がエッチングされにくいガスを選択すると共に、 At that time, the alignment film 13 selects the hard gas is etched,
配向膜13は、ドライエッチングにより減少する膜厚分をあらかじめ厚く形成しておく。 Alignment film 13 is previously formed thick film thickness fraction reduced by dry etching. 次に、そのままラビングを行い、対向基板と貼り合わせ、液晶を注入して液晶表示装置を製造する。 Then, it performs a rubbing, bonded to a counter substrate, to produce a liquid crystal display device by injecting liquid crystal.

【0011】図3は本実施の形態における液晶表示装置の保護膜成膜からラビングまでの工程フローを示す図である。 [0011] FIG. 3 is a diagram showing the process flow from the protective film forming the liquid crystal display device to rubbing in this embodiment. 本実施の形態によれば、図6に示す従来のフローに対して、図6中斜線で示した部分の工程、すなわちレジスト塗布、露光及び現像等の写真製版工程と、レジスト除去工程を削減することができ、液晶表示装置製造のスループットが向上し、製造コストの低減が図られる。 According to this embodiment, the conventional flow shown in FIG. 6, to reduce the portion of the step shown by oblique lines in FIG. 6, that is a resist coating, exposure and photolithographic processes such as development, the resist removing step it can, improved throughput of the liquid crystal display device production, reducing the manufacturing cost can be achieved.

【0012】実施の形態2. [0012] Embodiment 2. 上記実施の形態1では、基板方向に対して縦方向に電界を形成するツイスティッド・ネマティック方式の液晶表示装置に対して本発明を適用した例を示したが、本実施の形態では、視野角が広いことを特徴とした横方向に電界を形成する方式の液晶表示装置に対して適用した例を示す。 In the first embodiment, an example of applying the present invention to a liquid crystal display device of the twisted nematic type which forms an electric field in the vertical direction with respect to the substrate direction, in this embodiment, the viewing angle It shows an example of applying the liquid crystal display device using a method for forming an electric field in the transverse direction characterized by wide. 図4は、本発明の実施の形態2において作製される薄膜トランジスタアレイ基板の一画素の構造を示す平面図、図5は本実施の形態における薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を示す断面図であり、図4中A−Aで示す部分と実装端子部の断面構造を示している。 Figure 4 is a plan view showing a structure of one pixel of the TFT array substrate manufactured in the second embodiment of the present invention, FIG 5 is a sectional view showing a method for manufacturing a thin film transistor array substrate of this embodiment, FIG. It shows a cross-sectional structure of a portion between the mounting terminal portion indicated by a-a 4. 図において、15は対向電極であり、横方向電界方式では、画素電極7と対向電極15 In the figure, 15 is a counter electrode, in the horizontal electric field method, the pixel electrode 7 and the counter electrode 15
の間に電界を発生させることにより液晶を駆動する。 Driving the liquid crystal by generating an electric field between. なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。 Incidentally, omitted in the figure, the same, the same reference numerals are given to the corresponding parts, the explanation.

【0013】本実施の形態による薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を図5を用いて説明する。 [0013] The method for manufacturing a thin film transistor array substrate according to the present embodiment will be described with reference to FIG. まず、ガラス基板1上にゲート電極及びゲート配線2、共通配線3 First, a gate electrode and a gate wire 2 on the glass substrate 1, the common wiring 3
及び対向電極15を、Cr、Al、Mo、Ta、Cu、 And a counter electrode 15, Cr, Al, Mo, Ta, Cu,
Al- Cu、Al- Si- Cu、Ti、W単体あるいはこれらの合金、あるいはITO等の透明材料を、単層あるいは積層した構造で、膜厚0. 03μmから0. 6μ Al- Cu, Al- Si- Cu, Ti, W and their alloys, or a transparent material such as ITO, a single layer or laminated structure, 0. film thickness 0. 03μm 6μ
m程度の厚さで形成する(図5(a) )。 It is formed to a thickness of approximately m (Figure 5 (a)). なお、ゲート電極及びゲート配線2、共通配線3及び対向電極15を形成する際のエッチング方法として、本実施の形態では断面が台形状になるテーパーエッチングを例に示したが、 Note that the gate electrode and the gate wiring 2, as an etching method for forming the common wiring 3 and the counter electrode 15, although in the present embodiment showed a taper etching section becomes trapezoidal example,
断面が長方形となるようなエッチング方法を用いても良い。 Cross-section may be used an etching method such that a rectangle. 次に、ゲート絶縁膜4、a−Si膜5、n + −a− Next, the gate insulating film 4, a-Si film 5, n + -a-
Si膜6を連続堆積し、写真製版を行った後、a−Si The Si film 6 sequentially deposited, after photolithography, a-Si
膜5及びn + −a−Si膜6をエッチングし、島状にパターニングする(図5(b) )。 The film 5 and the n + -a-Si film 6 is etched and patterned into an island shape (Figure 5 (b)). ゲート絶縁膜4の材料としては、窒化シリコン、酸化シリコンまたはゲート電極材料の酸化膜等を、単層あるいは積層した構造で形成する。 As a material of the gate insulating film 4, a silicon nitride, an oxide film of silicon oxide or the gate electrode material to form a single layer or laminated structure. また、リン等の不純物をドープしたn + −a−Si Further, doped with impurities such as phosphorus n + -a-Si
膜6の代わりの材料としては、リン等の不純物をドープしたマイクロクリスタルシリコン等を用いてもよい。 The material in place of the membrane 6, may be used microcrystalline silicon or the like doped with impurities such as phosphorus.

【0014】次に、端子部のコンタクトホール11を形成後、ソース電極及びソース配線9、ドレイン電極1 [0014] Then, after forming a contact hole 11 of the terminal portion, the source electrode and the source wiring 9, the drain electrode 1
0、画素電極7を同時に形成し、その後、チャネル部のn + −a−Si膜6を除去する(図5( c)。ソース電極及びソース配線9、ドレイン電極10、画素電極7 0, at the same time to form the pixel electrodes 7, then removed n + -a-Si film 6 of the channel portion (Fig. 5 (c). The source electrode and the source wiring 9, the drain electrode 10, the pixel electrodes 7
は、Cr、Al、Mo、Ta、Cu、Al- Cu、Al Is, Cr, Al, Mo, Ta, Cu, Al- Cu, Al
-Si- Cu、Ti、W単体あるいはこれらの合金、あるいはITO等の透明材料を、単層あるいは積層した構造で形成する。 -Si- Cu, Ti, W and their alloys, or a transparent material such as ITO, formed in a single layer or laminated structure. 次に、窒化シリコン、酸化シリコン等の透明絶縁膜よりなる保護膜12を成膜し、さらに、基板周辺部に設けられた端子部を除く領域にポリイミド等よりなる配向膜13をスクリーン印刷または転写等の方法で形成する(図5( d) )。 Next, a silicon nitride, a protective film 12 made of a transparent insulating film such as silicon oxide is deposited, further, the alignment film 13 made of polyimide or the like in a region excluding the terminal portions provided on the substrate peripheral portion screen printing or transfer formed by a method equal (FIG. 5 (d)). なお、配向膜13は、感光性の有機材料を用い、大型露光機等を用いて一括に端子部を露光し、現像することにより形成しても良い。 Incidentally, the orientation film 13, a photosensitive organic material, exposing the terminal portions collectively using a large exposure machine or the like, may be formed by development.

【0015】次に、配向膜13をマスクとして、端子部上の保護膜12のエッチングを、例えばフッ酸、あるいは熱リン酸等を主成分とした薬液を用いたウエットエッチングにより行う(図5(e) )。 Next, an alignment film 13 as a mask, the etching of the protective film 12 on the terminal unit, conducted for example hydrofluoric acid, or by wet etching using a chemical solution mainly composed of hot phosphoric acid or the like (FIG. 5 ( e)). なお、この場合、端子に用いる材料は、エッチング液によりエッチングされにくい材料を選択する必要がある。 In this case, the material used for the terminal, it is necessary to select a difficult to etch material by an etching solution. また、本実施の形態では、保護膜12のエッチングをウエットエッチングで行ったが、SF 6 、あるいはCF 4 、CCl 4 、HF、C Further, in this embodiment, the etching of the protective film 12 was performed by wet etching, SF 6 or CF 4, CCl 4,, HF , C
HF 3等を主成分とするガスを用いたドライエッチングを用いてもよい。 The gas mainly composed of HF 3 or the like may be used dry etching using. その際には、配向膜13がエッチングされにくいガスを選択すると共に、配向膜13は、ドライエッチングにより減少する膜厚分をあらかじめ厚く形成しておく。 At that time, the alignment film 13 selects the hard gas is etched, the alignment film 13 is previously formed thick film thickness fraction reduced by dry etching. この場合、端子の材料は任意の金属材料またはITOを用いることができる。 In this case, the material of the terminals can be any metallic material or ITO. 次に、そのままラビングを行い、対向基板と貼り合わせ、液晶を注入して液晶表示装置を製造する。 Then, it performs a rubbing, bonded to a counter substrate, to produce a liquid crystal display device by injecting liquid crystal.

【0016】なお、本実施の形態では、ソース電極及びソース配線9と同じレイヤーを用いて端子電極8を形成したが、ゲート電極及びゲート配線2と同じレイヤーを用いても良いし、上記実施の形態1の端子部のようにI [0016] In the present embodiment has formed the terminal electrode 8 by using the same layer as the source electrode and the source line 9, may be using the same layer as the gate electrode and the gate line 2, the above-described I like terminal portion of the first
TO等を全く別に形成しても良い。 The TO or the like at all may be formed separately. 本実施の形態によれば、上記実施の形態1と同様に、図3に示すような保護膜成膜からラビングまでの工程フローとなり、製造のスループット向上、製造コストの低減が図られる。 According to this embodiment, as in the first embodiment, it is process flow from the protective film forming as shown in FIG. 3 to rubbing, increased throughput production, reduction of manufacturing cost is achieved.

【0017】 [0017]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、配向膜をマスクとして端子部上の保護膜のエッチングを行うようにしたので、従来、保護膜形成のために行っていたレジスト塗布、露光及び現像等の写真製版工程とレジスト除去工程を削減することができ、液晶表示装置製造のスループットが向上し、製造コストの低減が図られる。 As is evident from the foregoing description, according to the present invention, since the etching the protective film on the terminal portions of the alignment layer as a mask, conventionally, a resist coating which has been performed for the protective film forming, exposure and can reduce photolithography process steps and a resist removal step such as development, improved throughput of the liquid crystal display device production, reducing the manufacturing cost can be achieved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の実施の形態1におけるツイスティッド・ネマティック方式の液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素を示す平面図である。 1 is a plan view showing one pixel of a TFT array substrate constituting the liquid crystal display device of the twisted nematic type in the first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施の形態1における薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を示す断面図である。 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of a thin film transistor array substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施の形態1及び2における液晶表示装置の保護膜成膜からラビングまでの工程フローを示す図である Is a diagram illustrating a process flow from the protective film forming the liquid crystal display device to rubbing in the first and second embodiments of the present invention; FIG

【図4】 本発明の実施の形態2における横電界方式の液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素を示す平面図である。 4 is a plan view showing one pixel of a TFT array substrate constituting the liquid crystal display device of IPS mode in the second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施の形態2における薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を示す断面図である。 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of a thin film transistor array substrate according to the second embodiment of the present invention.

【図6】 従来の液晶表示装置の保護膜成膜からラビングまでの工程フローを示す図である。 [6] from the protective film deposition of a conventional liquid crystal display device is a diagram illustrating a process flow until rubbing.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ガラス基板、2 ゲート電極及びゲート配線、3 1 glass substrate, 2 a gate electrode and a gate wiring 3
共通配線、4 ゲート絶縁膜、5 a−Si膜、6 n Common wiring, fourth gate insulating film, 5 a-Si film, 6 n
+ −a−Si膜、7 画素電極、8 端子電極、9 ソース電極及びソース配線、10 ドレイン電極、11 + -A-Si film, 7 pixel electrode, 8 terminal electrodes, 9 the source electrode and the source wiring, 10 a drain electrode, 11
コンタクトホール、12 保護膜、13 配向膜、14 Contact holes, 12 protective film, 13 alignment film 14
薄膜トランジスタ、15 対向電極。 TFT, 15 counter electrode.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H090 HA03 HB08Y HC06 HC12 HD05 LA04 2H092 JA36 JA39 JA40 JA44 JB14 KA05 KA10 KA12 KA18 KB04 KB24 MA10 MA18 MA19 MA37 MA41 NA25 NA27 PA02 4J043 ZB23 4K057 DA20 DB11 DB15 DE02 DE06 DE08 DN01 WE04 WE07 WN01 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 2H090 HA03 HB08Y HC06 HC12 HD05 LA04 2H092 JA36 JA39 JA40 JA44 JB14 KA05 KA10 KA12 KA18 KB04 KB24 MA10 MA18 MA19 MA37 MA41 NA25 NA27 PA02 4J043 ZB23 4K057 DA20 DB11 DB15 DE02 DE06 DE08 DN01 WE04 WE07 WN01

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 薄膜トランジスタを含むスイッチング素子及びこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有する薄膜トランジスタアレイ基板と、この薄膜トランジスタアレイ基板との間に液晶を挟持する対向基板を備えた液晶表示装置の製造方法であって、 上記薄膜トランジスタが形成された基板上に、透明絶縁膜よりなる保護膜を成膜する工程、 上記基板周辺部に設けられた端子部を除く領域に、ポリイミド等よりなる配向膜をスクリーン印刷または転写等の方法で形成する工程、 上記配向膜をマスクとして上記端子部上の上記保護膜のエッチングを行う工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 A thin film transistor array substrate having a display element are controlled 1. A through the switching element and the switching element including a thin film transistor, a liquid crystal display device including the counter substrate sandwiching a liquid crystal between the TFT array substrate a manufacturing method, on the substrate on which the thin film transistor is formed, a transparent insulating step of forming a protective film made of the film, in a region other than the terminal portion provided in the periphery of the substrate, the alignment film made of polyimide or the like forming in a screen printing or transfer such methods, a method of manufacturing a liquid crystal display device which comprises a step of etching of the protective film on the terminal portion of the alignment film as a mask.
  2. 【請求項2】 保護膜のエッチングは、フッ酸、あるいは熱リン酸等を主成分とした薬液を用いたウエットエッチングにより行うことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の製造方法。 Etching wherein the protective film, hydrofluoric acid or a method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that by wet etching using a chemical solution mainly composed of hot phosphoric acid or the like.
  3. 【請求項3】 保護膜のエッチングは、ドライエッチングにより行うことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の製造方法。 Etching wherein the protective film, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the performing by dry etching.
  4. 【請求項4】 配向膜は、ドライエッチングによって減少する膜厚分をあらかじめ厚く形成しておくことを特徴とする請求項3記載の液晶表示装置の製造方法。 Wherein the alignment film, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 3, wherein the advance thicker the film thickness amount be reduced by dry etching.
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