ITUD20110077A1 - EQUIPMENT FOR DEPOSITION OF THIN FILMS ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND ITS PROCEDURE - Google Patents

EQUIPMENT FOR DEPOSITION OF THIN FILMS ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND ITS PROCEDURE Download PDF

Info

Publication number
ITUD20110077A1
ITUD20110077A1 IT000077A ITUD20110077A ITUD20110077A1 IT UD20110077 A1 ITUD20110077 A1 IT UD20110077A1 IT 000077 A IT000077 A IT 000077A IT UD20110077 A ITUD20110077 A IT UD20110077A IT UD20110077 A1 ITUD20110077 A1 IT UD20110077A1
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
substrate
mask
deposition
thin film
advancement
Prior art date
Application number
IT000077A
Other languages
Italian (it)
Inventor
Paolo Gallina
Nicola Scuor
Stefano Visintin
Original Assignee
Genefinity S R L
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Genefinity S R L filed Critical Genefinity S R L
Priority to IT000077A priority Critical patent/ITUD20110077A1/en
Publication of ITUD20110077A1 publication Critical patent/ITUD20110077A1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Description

Descrizione del trovato avente per titolo: Description of the invention having as title:

"APPARECCHIATURA PER LA DEPOSIZIONE DI FILM SOTTILI SU UN SUBSTRATO FLESSIBILE E RELATIVO PROCEDIMENTO" "EQUIPMENT FOR THE DEPOSITION OF THIN FILMS ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND RELATED PROCEDURE"

CAMPO DI APPLICAZIONE FIELD OF APPLICATION

II presente trovato si riferisce ad una apparecchiatura, ed al relativo procedimento, per la deposizione, secondo un voluto pattern o disegno, di film sottili di materiale metallico, ceramico, polimerico o altro, su substrati flessibili mediante un processo in continuo da bobina a bobina, anche identificato come "roll-to-roll" , e con tecnologie di tipo magnetron sputtering, di deposizione chimica in fase vapore, anche nota come "CVD" o "Chemical Vapor Deposition", evaporazione termica, evaporazione a fascio elettronico, o altro. The present invention relates to an apparatus, and to the related process, for the deposition, according to a desired pattern or design, of thin films of metallic, ceramic, polymeric or other material, on flexible substrates by means of a continuous reel-to-reel process. , also identified as "roll-to-roll", and with technologies such as magnetron sputtering, chemical vapor deposition, also known as "CVD" or "Chemical Vapor Deposition", thermal evaporation, electron beam evaporation, or other .

In particolare, l'apparecchiatura ed il procedimento, secondo il presente trovato, permettono la realizzazione di condensatori ceramici, sensori elettrochimici, elettrodi per schermi LCD ed in genere per componenti con circuiteria elettronica stampata. In particular, the apparatus and the method according to the present invention allow the production of ceramic capacitors, electrochemical sensors, electrodes for LCD screens and in general for components with printed electronic circuitry.

Per film sottili sono intesi strati di materiale con uno spessore complessivo da circa 1 nm qualche micrometro o più. Thin films are layers of material with an overall thickness of about 1 nm a few micrometers or more.

STATO DELLA TECNICA STATE OF THE TECHNIQUE

Sono note apparecchiature di deposizione che utilizzano una o più sorgenti di deposizione, quali ad esempio di magnetron sputtering, evaporatori termici, celle effusive o simili. Deposition apparatuses are known which use one or more deposition sources, such as for example magnetron sputtering, thermal evaporators, effusive cells or the like.

Queste apparecchiature sono idonee ad "evaporare" un materiale in forma di blocco anche chiamato "target" in una camera di processo per generare un flusso di atomi o di cluster di atomi o ancora di macromolecole che viene trasferito su un substrato dove nuclea in forma di film sottile . These equipments are suitable to "evaporate" a material in the form of a block also called "target" in a process chamber to generate a flow of atoms or clusters of atoms or macromolecules which is transferred onto a substrate where it nucleates in the form of thin film.

L'intero processo viene condotto in una condizione di vuoto spinto, ovvero in ambiente a bassa pressione compresa normalmente tra IO<"7>mbar e 1 mbar. The whole process is carried out in a high vacuum condition, ie in a low pressure environment normally between 10 <"7> mbar and 1 mbar.

La condizione di vuoto spinto permette di ridurre le reazioni chimiche tra il flusso di atomi evaporato ed i gas residui presenti nella camera di processo al fine di controllare le caratteristiche chimiche e fisiche del film che si crea. Inoltre, la condizione di vuoto spinto permette di ridurre gli urti tra il materiale evaporato e le molecole del gas i quali altrimenti attenuano l'energia del flusso di atomi e generano fenomeni indesiderati di diffusione. The high vacuum condition allows to reduce the chemical reactions between the flow of evaporated atoms and the residual gases present in the process chamber in order to control the chemical and physical characteristics of the film that is created. Furthermore, the high vacuum condition allows to reduce the collisions between the evaporated material and the gas molecules which otherwise attenuate the energy of the flow of atoms and generate unwanted diffusion phenomena.

Sono pure noti procedimenti di deposizione di film metallici sottili su substrati flessibili i quali vengono svolti da una bobina, vengono sottoposti a deposizione e riavvolti su una bobina di raccolta, realizzando un processo roll to roll. There are also known processes for depositing thin metal films on flexible substrates which are unwound from a reel, are subjected to deposition and rewound onto a collection reel, thus realizing a roll to roll process.

Al fine di definire un voluto pattern la superficie del substrato sul quale verrà successivamente depositato il materiale viene preventivamente stampata mediante l'uso di oli che riproducono in negativo il voluto pattern da realizzare. Durante la fase di deposizione il flusso di atomi, in corrispondenza dell'olio, non è in grado di ancorarsi al substrato definendo quindi il voluto pattern. Tale soluzione oltre ad essere piuttosto onerosa in termini di tempi di processo, presenta l'inconveniente che gli oli utilizzati possono lasciare tracce o residui sul substrato che potrebbero inficiare l'utilizzo finale del prodotto che si vuole ottenere e, comunque, richiedono una accurata pulizia della superficie depositata per la loro rimozione. Inoltre, l'utilizzo di oli non risulta compatibile con i livelli di vuoto che si vogliono raggiungere all'interno della camera di processo, anche nel caso in cui si utilizzino oli a bassa tensione di vapore . In order to define a desired pattern, the surface of the substrate on which the material will subsequently be deposited is printed in advance through the use of oils which reproduce in negative the desired pattern to be created. During the deposition phase, the flow of atoms, in correspondence with the oil, is not able to anchor itself to the substrate, thus defining the desired pattern. This solution, in addition to being rather expensive in terms of process times, has the drawback that the oils used can leave traces or residues on the substrate that could affect the final use of the product to be obtained and, in any case, require careful cleaning. of the deposited surface for their removal. Furthermore, the use of oils is not compatible with the vacuum levels to be reached inside the process chamber, even if low vapor pressure oils are used.

È pure nota un'apparecchiatura per la deposizione di film sottili, di tipo roll-to-roll che, anziché prevedere lo stampaggio di oli utilizza una maschera flessibile di deposizione, anche detta "stencil", sulla quale è ricavato un voluto schema o pattern da riportare sul substrato. Tale apparecchiatura comprende due rulli folli fra i quali viene avvolta sia la maschera conformata a nastro sia il substrato flessibile sul quale verrà depositato il materiale. An apparatus for the deposition of thin films, of the roll-to-roll type, is also known which, instead of providing for the molding of oils, uses a flexible deposition mask, also called "stencil", on which a desired pattern or pattern is obtained. to be reported on the substrate. This apparatus comprises two idle rollers between which both the ribbon-shaped mask and the flexible substrate on which the material will be deposited are wound.

Nello specifico, il substrato flessibile viene svolto da una prima bobina, si avvolge parzialmente sui due rulli folli, al di sopra della maschera e, a seguito della deposizione, si riavvolge sulla bobina a valle. L'avanzamento del substrato avviene mediante azionamento della bobina a valle, il quale avanzamento a sua volta determina, per effetto dell'attrito che si genera fra rulli folli, maschera, e substrato flessibile, anche l'avanzamento/trascinamento della maschera. Specifically, the flexible substrate is unwound from a first reel, is partially wound on the two idle rollers, above the mask and, following deposition, is rewound on the downstream reel. The advancement of the substrate takes place by activating the downstream reel, which in turn determines, due to the effect of the friction that is generated between the idle rollers, the mask, and the flexible substrate, also the advancement / dragging of the mask.

Nel tratto compreso fra i due rulli folli e dal lato rivolto verso la maschera, avviene la deposizione mediante evaporazione del materiale. In the section between the two idle rollers and on the side facing the mask, the deposition takes place by evaporation of the material.

Tale attrezzatura presenta però l'inconveniente che, nel tratto di deposizione, non viene garantita un'adeguata aderenza fra il substrato e la maschera ciò portando a problemi di ombreggiatura. Infatti, nel tratto di deposizione, la maschera risulta essere distanziata rispetto al substrato ed il flusso di atomi evaporati si depone sul substrato non rispettando i contorni definiti dalla maschera stessa e definendo un profilo di deposizione non uniforme. However, this equipment has the drawback that, in the deposition section, an adequate adherence between the substrate and the mask is not ensured, leading to shading problems. In fact, in the deposition section, the mask is spaced from the substrate and the flow of evaporated atoms is deposited on the substrate, not respecting the contours defined by the mask itself and defining a non-uniform deposition profile.

Inoltre, questa soluzione può presentare inconvenienti di sfocatura del film depositato. Infatti, a causa dell'attrito necessario per far avanzare la maschera, sia il substrato che la maschera stessa sono sottoposti ad una deformazione elastica di trazione. Furthermore, this solution can present drawbacks of blurring of the deposited film. In fact, due to the friction necessary to advance the mask, both the substrate and the mask itself are subjected to an elastic tensile deformation.

All'uscita dai rulli, l'attrito fra maschera e substrato cala rapidamente con conseguente ritorno elastico del substrato e conseguente sfasamento e sfocatura del pattern precedentemente depositato. Upon exiting the rollers, the friction between the mask and the substrate drops rapidly with consequent elastic return of the substrate and consequent phase shift and blur of the previously deposited pattern.

Un ulteriore inconveniente dell'apparecchiatura nota suddetta, è che la maschera è soggetta, sulla sua superficie, ad un continuo apporto di materiale dovuto al flusso di atomi che viene evaporato. Con il tempo tale apporto può modificare il profilo della maschera e di conseguenza alterare la forma del film depositato. Inoltre, al crescere dello spessore del film depositato si ha un incremento delle tensioni interne nel materiale che possono determinare sia la rottura della maschera sia delaminazione di strati. Infatti, alcune porzioni di film depositato possono staccarsi dalla maschera finendo sul substrato e generare difetti superficiali. A further drawback of the aforementioned known apparatus is that the mask is subject, on its surface, to a continuous supply of material due to the flow of atoms which is evaporated. Over time, this contribution can modify the profile of the mask and consequently alter the shape of the deposited film. Furthermore, as the thickness of the deposited film increases, there is an increase in the internal tensions in the material which can cause both the breaking of the mask and delamination of layers. In fact, some portions of the deposited film can detach from the mask ending up on the substrate and generate surface defects.

Uno scopo del presente trovato è quello di realizzare un'apparecchiatura per la deposizione di film sottili su substrati flessibili che permetta di ottenere sul substrato pattern molto precisi, definiti nei loro contorni e con un profilo di deposizione uniforme, evitando problemi di ombreggiatura e di sfocatura. An object of the present invention is to provide an apparatus for depositing thin films on flexible substrates which allows very precise patterns to be obtained on the substrate, defined in their contours and with a uniform deposition profile, avoiding shading and blurring problems. .

Un ulteriore scopo del presente trovato è quello di realizzare un'apparecchiatura per la deposizione di film sottili su substrati flessibili che permetta di evitare problemi di rottura della maschera o di generazione di difetti superficiali sul substrato che viene successivamente depositato. A further object of the present invention is to provide an apparatus for depositing thin films on flexible substrates which allows to avoid problems of breaking the mask or generating surface defects on the substrate which is subsequently deposited.

Un ulteriore scopo del presente trovato è quello di mettere a punto un procedimento per la deposizione di film sottili su substrati flessibili che permette la realizzazione di film sottili su substrati flessibili aventi schemi o pattern molto precisi. A further object of the present invention is to provide a method for depositing thin films on flexible substrates which allows the production of thin films on flexible substrates having very precise patterns or patterns.

Per ovviare agli inconvenienti della tecnica nota e per ottenere questi ed ulteriori scopi e vantaggi, la Richiedente ha studiato, sperimentato e realizzato il presente trovato. In order to obviate the drawbacks of the known art and to obtain these and further objects and advantages, the Applicant has studied, tested and implemented the present invention.

ESPOSIZIONE DEL TROVATO EXPOSURE OF THE FOUND

Il presente trovato è espresso e caratterizzato nelle rivendicazioni indipendenti. Le rivendicazioni dipendenti espongono altre caratteristiche del presente trovato o varianti dell'idea di soluzione principale. The present invention is expressed and characterized in the independent claims. The dependent claims disclose other characteristics of the present invention or variants of the main solution idea.

In accordo con i suddetti scopi, un'apparecchiatura per la deposizione di almeno un film sottile su un substrato flessibile per realizzare condensatori ceramici, sensori elettrochimici, elettrodi per schermi LCD ed in genere per componenti con circuiteria stampata comprende: In accordance with the aforementioned purposes, an apparatus for depositing at least one thin film on a flexible substrate to make ceramic capacitors, electrochemical sensors, electrodes for LCD screens and in general for components with printed circuitry comprises:

- mezzi di alimentazione e mezzi di estrazione previsti per movimentare il substrato lungo una determinata direzione di avanzamento; - feeding means and extraction means provided for moving the substrate along a given direction of advancement;

- un dispositivo di deposizione quale magnetron sputtering, deposizione chimica in fase vapore, evaporazione termica, evaporazione a fascio elettronico, il quale è interposto fra i mezzi di alimentazione e di estrazione, è adatto ad agire in una voluta regione di stampa per depositare su almeno una porzione superficiale del substrato, che si trova di volta in volta compresa nella regione di stampa, un film sottile di materiale; una maschera interposta fra il substrato ed il dispositivo di deposizione per determinare la deposizione del film sottile secondo uno schema predeterminato e definito dalla geometria di un retino che è ricavato sulla maschera; e - a deposition device such as magnetron sputtering, chemical vapor deposition, thermal evaporation, electron beam evaporation, which is interposed between the feeding and extraction means, is suitable to act in a desired printing region to deposit on at least a surface portion of the substrate, which is each time included in the printing region, a thin film of material; a mask interposed between the substrate and the deposition device to determine the deposition of the thin film according to a predetermined pattern defined by the geometry of a screen which is obtained on the mask; And

- un dispositivo di avanzamento adatto a movimentare la maschera lungo la stessa direzione di avanzamento secondo il quale viene movimentato il substrato. - an advancement device suitable for moving the mask along the same direction of advancement according to which the substrate is moved.

Secondo un aspetto del presente trovato, il dispositivo di avanzamento comprende mezzi di trattenimento adatti a mantenere fra loro aderenti, almeno nella regione di stampa, la maschera ed almeno la suddetta porzione superficiale del substrato in una direzione trasversale alla direzione di avanzamento ed a vincolare solidalmente la maschera e la porzione superficiale in una direzione parallela alla direzione di avanzamento, in modo da determinare una movimentazione di pari passo della maschera almeno con la porzione superficiale del substrato. According to an aspect of the present invention, the feeding device comprises holding means suitable for keeping the mask and at least the aforementioned surface portion of the substrate adherent to each other, at least in the printing region, in a direction transverse to the direction of advancement and for integrally constraining the mask and the surface portion in a direction parallel to the direction of advancement, so as to determine a movement of the mask in step with at least the surface portion of the substrate.

In questo modo i mezzi di trattenimento permettono di mantenere il substrato e la maschera di deposizione aderenti fra loro almeno nella porzione che è sottoposta a deposizione da parte del dispositivo di deposizione permettendo quindi di ridurre effetti di ombreggiatura e ottenere un profilo di deposizione del film sottile uniforme. Inoltre, tale condizione di aderenza deve essere sufficiente a permettere il trascinamento della maschera e del substrato evitando scorrimenti reciproci fra essi e quindi problemi di sfocatura dello stesso. In this way, the holding means allow to keep the substrate and the deposition mask adhering to each other at least in the portion that is subjected to deposition by the deposition device, thus allowing to reduce shading effects and obtain a deposition profile of the thin film. uniform. Furthermore, this adherence condition must be sufficient to allow the drag of the mask and the substrate, avoiding reciprocal sliding between them and therefore problems of blurring of the same.

Secondo una forma di realizzazione, i mezzi di trattenimento sono di tipo magnetico e, rispetto al substrato sono disposti dal lato opposto rispetto al quale è disposta la maschera. Quest'ultima o almeno una sua parte è realizzata in materiale ferro magnetico tale da poter essere quindi attratta dai mezzi di trattenimento e quindi portare in una condizione di aderenza la maschera ed il substrato. According to an embodiment, the holding means are of the magnetic type and, with respect to the substrate, they are arranged on the opposite side with respect to which the mask is arranged. The latter or at least a part thereof is made of magnetic iron material such as to be able to be attracted by the holding means and therefore to bring the mask and the substrate into a condition of adherence.

Secondo un ulteriore forma di realizzazione i mezzi di trattenimento comprendono un banco magnetico provvisto di una pluralità di elementi magnetici disposti affiancati uno all'altro, con rispettive polarità alternate fra loro e definenti una superficie di contatto sul quale scorre detto substrato. According to a further embodiment, the holding means comprise a magnetic bench provided with a plurality of magnetic elements arranged side by side, with respective polarities alternating with each other and defining a contact surface on which said substrate slides.

Tale particolare configurazione del banco magnetico permette l'ottenimento di campo magnetico molto intenso in prossimità della superficie di contatto e che decade molto rapidamente distanziandosi da essa. Ciò permette di ottenere una forza di attrazione magnetica concentrata in prossimità della maschera evitando la generazione di effetti devianti delle particelle evaporate durante la fase di deposizione. This particular configuration of the magnetic bench allows to obtain a very intense magnetic field in proximity to the contact surface and which decays very rapidly by distancing itself from it. This allows to obtain a concentrated magnetic attraction force near the mask avoiding the generation of deviant effects of the particles evaporated during the deposition phase.

In altre forme di realizzazione, gli elementi magnetici sono distanziati fra loro da elementi distanziali realizzati in materiale non ferromagnetico. Tale particolare configurazione del banco magnetico permette di ridurre l'insorgenza di coppie di forze all'interno di parti del retino della maschera ed in prossimità delle zone di inversione dei poli. Tali coppie di forze infatti potrebbero deformare/imbarcare la maschera o sue parti molto sottili, come aste sottili o ponticelli, modificando il profilo di deposizione del film sottile. In other embodiments, the magnetic elements are spaced from each other by spacer elements made of non-ferromagnetic material. This particular configuration of the magnetic bench makes it possible to reduce the occurrence of pairs of forces within parts of the screen of the mask and in the vicinity of the pole inversion areas. In fact, these pairs of forces could deform / embed the mask or its very thin parts, such as thin rods or jumpers, modifying the deposition profile of the thin film.

In un'altra forma di realizzazione il banco magnetico è conformato sostanzialmente a tamburo e sulla sua superficie esterna è adatta ad avvolgersi almeno parzialmente sia il substrato che la maschera. In another embodiment, the magnetic bench is substantially drum-shaped and on its external surface is suitable for wrapping at least partially both the substrate and the mask.

Risulta vantaggioso prevedere che il banco magnetico sia adatto ad essere portato in rotazione su se stesso per determinare, in questo modo l'avanzamento del substrato ed il coordinato trascinamento della maschera. It is advantageous to provide that the magnetic bench is suitable to be rotated on itself to determine, in this way, the advancement of the substrate and the coordinated drag of the mask.

In un'ulteriore forme realizzativa, i mezzi di alimentazione comprendono una prima bobina sulla quale è avvolto detto substrato, ed i mezzi di estrazione comprendono una seconda bobina sulla quale è adatto ad avvolgersi il substrato quando su esso è stato depositato il film sottile. In a further embodiment, the feeding means comprise a first reel on which said substrate is wound, and the extraction means comprise a second reel on which the substrate is suitable for winding when the thin film has been deposited on it.

In un'altra forma di realizzazione, un dispositivo di pulizia, quale un cannone ionico o un cannone elettronico, è adatto a rimuovere il materiale evaporato dal dispositivo di deposizione e depositato su detta maschera. In another embodiment, a cleaning device, such as an ion gun or an electron gun, is adapted to remove the material evaporated from the deposition device and deposited on said mask.

In particolare, è quindi possibile rimuovere sostanzialmente in continuo il materiale che durante la fase di deposizione si deposita sulla maschera anziché sul substrato permettendo di evitare quindi problemi di delaminazione che potrebbero alterare la geometria dello schema depositato. La rimozione di tale materiale evita l'insorgenza di tensioni interne nelle parti della maschera che potrebbero snervarla o peggio portarla a rottura. Inoltre, mediante tale rimozione è possibile mantenere inalterata la geometria del retino della maschera evitando variazioni della geometria del disegno del film depositato. In particular, it is therefore possible to remove substantially continuously the material which during the deposition step is deposited on the mask rather than on the substrate thus allowing to avoid delamination problems which could alter the geometry of the deposited pattern. The removal of this material avoids the onset of internal tensions in the parts of the mask that could make it unnerving or worse bring it to breakage. Furthermore, by means of this removal it is possible to keep the geometry of the screen of the mask unaltered, avoiding variations in the geometry of the design of the deposited film.

In forme di realizzazione il substrato è scelto in un gruppo comprendente materiali polimerici, carta, fibre sintetiche, o simili. In embodiments, the substrate is selected from a group comprising polymeric materials, paper, synthetic fibers, or the like.

In altre forme di realizzazione, il film sottile è scelto in un gruppo comprendente materiali metallici, ceramici o polimerici. In other embodiments, the thin film is selected from a group comprising metallic, ceramic or polymeric materials.

Al fine di realizzare un processo di deposizione in continuo del film sottile, la maschera è conformata sostanzialmente a nastro chiuso ed il suo retino viene portato ciclicamente a contatto contro la porzione del substrato, in prossimità della regione di stampa. In order to carry out a continuous deposition process of the thin film, the mask is substantially shaped like a closed ribbon and its screen is brought cyclically into contact against the portion of the substrate, near the printing region.

Risulta vantaggioso prevedere che la maschera comprenda almeno una regione che presenta una pluralità di incisioni passanti le quali definiscono un retino riportante in negativo il voluto schema di deposizione del film sottile. It is advantageous to provide that the mask comprises at least one region which has a plurality of through incisions which define a screen showing in negative the desired deposition pattern of the thin film.

In una forma realizzativa, la maschera comprende almeno due regioni successive ed eventualmente adiacenti aventi corrispondenti incisioni passanti per definire almeno un primo retino ed un secondo retino disposto uno in successione all'altro lungo lo sviluppo della maschera e ciascuno riporta un rispettivo schema di deposizione adatto a definire sul substrato rispettivamente un primo disegno ed un secondo disegno del film sottile depositato. In one embodiment, the mask comprises at least two successive and possibly adjacent regions having corresponding through incisions to define at least a first screen and a second screen arranged one in succession along the development of the mask and each shows a respective suitable deposition pattern to define on the substrate respectively a first pattern and a second pattern of the deposited thin film.

Secondo una forma di realizzazione vantaggiosa, l'apparecchiatura comprende, inoltre, mezzi deviatori adatti a far seguire alla maschera un determinato percorso per portare il primo retino e il secondo retino a contatto contro il substrato rispettivamente e di volta in volta in una prima parte e/o in una seconda parte di detta regione di stampa per permettere la deposizione sovrapposta od eventualmente sfalsata di detto primo disegno e detto secondo disegno del film sottile. According to an advantageous embodiment, the apparatus further comprises deviating means suitable for making the mask follow a determined path to bring the first screen and the second screen into contact with the substrate respectively and from time to time in a first part and / or in a second part of said printing region to allow the superimposed or possibly offset deposition of said first design and said second design of the thin film.

In questo modo è possibile depositare sia materiali diversi fra loro mediante sorgenti di deposizione diverse sia depositare sul substrato schemi con configurazioni complesse come ad esempio presentati zone vuote all'interno delle aree depositate. In this way it is possible to deposit both materials that are different from each other by means of different deposition sources and to deposit on the substrate patterns with complex configurations such as empty areas presented inside the deposited areas.

Il presente trovato è anche relativo al relativo procedimento di deposizione di almeno un film sottile su un substrato flessibile per realizzare condensatori ceramici, sensori elettrochimici, elettrodi per schermi LCD ed in genere per componenti con circuiteria stampata: Il procedimento comprende almeno una fase di alimentazione in cui detto substrato viene movimentato lungo una direzione di avanzamento, ed una fase di deposizione in cui viene depositato il film sottile su almeno una porzione superficiale del substrato. Una maschera è associata al substrato ed il dispositivo di deposizione per determinare la deposizione del film sottile secondo un voluto schema, e viene movimentata lungo detta direzione di avanzamento. The present invention also relates to the relative method of depositing at least one thin film on a flexible substrate to make ceramic capacitors, electrochemical sensors, electrodes for LCD screens and in general for components with printed circuitry: The process comprises at least one power supply phase in wherein said substrate is moved along a direction of advancement, and a deposition step in which the thin film is deposited on at least a surface portion of the substrate. A mask is associated with the substrate and the deposition device to determine the deposition of the thin film according to a desired pattern, and is moved along said direction of advance.

Secondo un aspetto del procedimento del presente trovato, durante la movimentazione della maschera, quest'ultima e la porzione superficiale del substrato vengono mantenuti aderenti fra loro, almeno nella regione di stampa, in una direzione trasversale alla direzione di avanzamento, e vincolati solidalmente in una direzione parallela alla direzione di avanzamento, in modo da determinare una movimentazione di pari passo della maschera almeno con la porzione superficiale del substrato. According to an aspect of the method of the present invention, during the movement of the mask, the latter and the surface portion of the substrate are kept adherent to each other, at least in the printing region, in a direction transverse to the direction of advancement, and rigidly constrained in a direction parallel to the direction of advancement, so as to determine a movement in step with the mask at least with the surface portion of the substrate.

ILLUSTRAZIONE DEI DISEGNI ILLUSTRATION OF DRAWINGS

Queste ed altre caratteristiche del presente trovato appariranno chiare dalla seguente descrizione di una forma preferenziale di realizzazione, fornita a titolo esemplificativo, non limitativo, con riferimento agli annessi disegni in cui: These and other characteristics of the present invention will become clear from the following description of a preferential embodiment, given by way of non-limiting example, with reference to the attached drawings in which:

- la fig. 1 è una rappresentazione in pianta di un substrato sul quale è stato applicato un film sottile; la fig. 2 è una rappresentazione schematica di un'apparecchiatura per la deposizione di film sottili su un substrato flessibile secondo il presente trovato. - fig. 1 is a plan view of a substrate on which a thin film has been applied; fig. 2 is a schematic representation of an apparatus for depositing thin films on a flexible substrate according to the present invention.

- la fig. 3 è una rappresentazione schematica di una prima variante di fig. 2; - fig. 3 is a schematic representation of a first variant of fig. 2;

- la fig. 4 è una rappresentazione schematica di una seconda variante di fig. 2; - fig. 4 is a schematic representation of a second variant of fig. 2;

la fig. 5 è una rappresentazione schematica di un particolare di fig. 2; fig. 5 is a schematic representation of a detail of fig. 2;

- la fig. 6 è una rappresentazione schematica di una variante di fig. 5; - fig. 6 is a schematic representation of a variant of fig. 5;

la fig. 7 è una rappresentazione schematica di un particolare di fig. 2 secondo una variante realizzativa; - le figg. 8— 12 sono delle rappresentazioni schematiche del procedimento di deposizione con l'apparecchiatura di fig. 7. fig. 7 is a schematic representation of a detail of fig. 2 according to a variant embodiment; - figs. 8-12 are schematic representations of the deposition process with the apparatus of fig. 7.

Per facilitare la comprensione, numeri di riferimento identici sono stati utilizzati, ove possibile, per identificare elementi comuni identici nelle figure. Va inteso che elementi e caratteristiche di una forma di realizzazione possono essere convenientemente incorporati in altre forme di realizzazione senza ulteriori precisazioni . To facilitate understanding, identical reference numbers have been used wherever possible to identify identical common elements in the figures. It should be understood that elements and features of one embodiment can be conveniently incorporated into other embodiments without further specification.

DESCRIZIONE DI ALCUNE FORME PREFERENZIALI DI REALIZZAZIONE Con riferimento a fig. 1, è rappresentato un substrato flessibile 11 sul quale è stato depositato un film sottile 12 di materiale secondo un predeterminato schema legato alle particolari applicazioni. DESCRIPTION OF SOME PREFERENTIAL EMBODIMENTS With reference to fig. 1, a flexible substrate 11 is shown on which a thin film 12 of material has been deposited according to a predetermined pattern linked to particular applications.

Il substrato 11 è realizzato in un materiale scelto in un gruppo comprendente materiali polimerici, carta, fibre sintetiche od altro. The substrate 11 is made of a material selected from a group comprising polymeric materials, paper, synthetic fibers or the like.

Il film sottile 12 ha uno spessore compreso fra circa 1 nm e qualche micrometro o più, ed è in materiale metallico, quale metallo dì pregio, come oro, argento, platino, o metallo di uso comune come alluminio, rame, cromo, oppure in materiali ceramici o materiali polimerici . The thin film 12 has a thickness between about 1 nm and a few micrometers or more, and is made of metallic material, such as a precious metal, such as gold, silver, platinum, or commonly used metal such as aluminum, copper, chromium, or in ceramic materials or polymeric materials.

II film sottile 12 viene depositato su una prima superficie 15 del substrato 11 con tecniche di evaporazione, scelte in un gruppo comprendente magnetron sputtering, deposizione chimica in fase vapore, evaporazione termica, evaporazione a fascio elettronico. Le figg. 2-4 rappresentano schematicamente apparecchiature 10, secondo il presente trovato, per la deposizione di film sottili 12 su substrati 11 secondo diverse forme di realizzazione. The thin film 12 is deposited on a first surface 15 of the substrate 11 with evaporation techniques, selected from a group comprising magnetron sputtering, chemical vapor deposition, thermal evaporation, electron beam evaporation. Figs. 2-4 schematically show apparatuses 10, according to the present invention, for depositing thin films 12 on substrates 11 according to different embodiments.

Ciascuna delle suddette apparecchiature 10 comprende mezzi di alimentazione e mezzi di estrazione del substrato 11 che nella fattispecie comprendono, a loro volta, una prima bobina 13 sul quale è avvolto un substrato 11 ed una seconda bobina 14 sulla quale viene avvolto il substrato 11 che viene svolto dalla prima bobina 13. Each of the aforementioned apparatuses 10 comprises feeding means and means for extracting the substrate 11 which in this case comprise, in turn, a first coil 13 on which a substrate 11 is wound and a second coil 14 on which the substrate 11 is wound. unwound from the first reel 13.

La prima 13 e la seconda bobina 14 sono entrambe motorizzate in modo sincrono anche se, in altre forme di realizzazione, è possibile prevedere che solo la seconda bobina 14 sia motorizzata mentre dall'altra venga unicamente svolto il substrato 11. The first 13 and the second coil 14 are both motorized synchronously even if, in other embodiments, it is possible to provide that only the second coil 14 is motorized while on the other only the substrate 11 is unwound.

La prima 13 e la seconda bobina 14 sono distanziate fra loro di una determinata distanza fra la quale si viene a definire una porzione 16 di deposizione del film sottile 12 sul substrato 11. The first 13 and the second reel 14 are spaced apart by a determined distance between which a portion 16 for depositing the thin film 12 on the substrate 11 is defined.

In prossimità della suddetta porzione 16, dal lato rivolto verso la prima superficie 15 del substrato 11, è disposto un dispositivo di deposizione 17 mentre dal lato opposto è disposto un mezzo di trattenimento, nella fattispecie un banco magnetico 19. A deposition device 17 is arranged near the aforesaid portion 16, on the side facing the first surface 15 of the substrate 11, while on the opposite side a holding means is arranged, in this case a magnetic bench 19.

II dispositivo di deposizione 17 è provvisto di una sorgente di deposizione scelta in un gruppo comprendente magnetron sputtering, evaporatori termici, celle effusive o simili. The deposition device 17 is provided with a deposition source selected from a group comprising magnetron sputtering, thermal evaporators, effusive cells or the like.

Il dispositivo di deposizione 17 sfrutta tecnologie di deposizione di tipo PVD (Physical Vapour Deposition), o CVD (Chemical Vapour Deposition), o metodi di deposizione di particelle, vaporizzate da una superficie, con un processo fisico di polverizzazione o atomizzazione le quali vengono depositate su un supporto, nel caso di specie sul substrato 11. The deposition device 17 exploits technologies of PVD (Physical Vapor Deposition), or CVD (Chemical Vapor Deposition) type, or methods of deposition of particles, vaporized from a surface, with a physical process of pulverization or atomization which are deposited on a support, in this case on the substrate 11.

Il dispositivo di deposizione 17 è adatto ad agire in una determinata regione di stampa P che comprende almeno una zona circostante la porzione 16 del substrato 11 che di volta in volta viene portata in cooperazione con il dispositivo di deposizione 17 stesso. The deposition device 17 is suitable to act in a determined printing region P which comprises at least one area surrounding the portion 16 of the substrate 11 which is brought in cooperation with the deposition device 17 itself.

In particolare, durante la fase di deposizione del materiale almeno tale regione di stampa P viene sottoposta ad una condizione di vuoto spinto, ovvero ad una pressione compresa fra IO<"7>mbar ed 1 mbar. Risulta vantaggioso prevedere che almeno il dispositivo di deposizione 17 ed il banco magnetico 19 nonché tale regione di stampa P vengano contenute all'interno di una camera a vuoto dell'apparecchiatura 10, non rappresentata nei disegni. In particular, during the material deposition phase at least this printing region P is subjected to a high vacuum condition, that is to a pressure between 10 <"7> mbar and 1 mbar. It is advantageous to provide that at least the deposition device 17 and the magnetic bench 19 as well as this printing region P are contained inside a vacuum chamber of the apparatus 10, not shown in the drawings.

All'interno della camera a vuoto è disposto un elemento di riporto dello stesso materiale di cui è costituito il film sottile 12 e che viene evaporato per la definizione del film sottile; Inside the vacuum chamber there is a filling element of the same material of which the thin film 12 is made and which is evaporated to define the thin film;

Nei processi di sputtering l'elemento di riporto è anche chiamato target o bersaglio ed è sottoforma di lastra sottile o di disco, mentre nei processi di evaporazione è sottoforma di granuli o di filo. In sputtering processes the carry element is also called target and is in the form of a thin plate or disk, while in evaporation processes it is in the form of granules or wire.

Nei processi di sputtering, nella camera a vuoto viene immesso un gas di processo, solitamente argon, il quale, per effetto combinato di un campo elettrico e di un campo magnetico, viene ionizzato. In particolare, gli ioni del gas di processo per mezzo del campo elettrico, vengono accelerati verso il target ed urtando contro esso portano in sospensione nel gas di processo, atomi, ioni, o cluster del target e li proiettano verso il substrato 11 per la deposizione. In sputtering processes, a process gas, usually argon, is introduced into the vacuum chamber, which is ionized by the combined effect of an electric field and a magnetic field. In particular, the ions of the process gas by means of the electric field are accelerated towards the target and by striking against it they bring in suspension in the process gas, atoms, ions, or clusters of the target and project them towards the substrate 11 for deposition. .

Nei processi CVD non è sempre richiesto l'utilizzo del gas di processo in quanto a volte è sufficiente la sola reazione per portare alla formazione del film sottile. Nei processi di evaporazione non viene utilizzato alcun gas di processo, i gas presenti sono quelli residui che la condizione di vuoto non è riuscita ad eliminare. In CVD processes the use of the process gas is not always required as sometimes the reaction alone is sufficient to lead to the formation of the thin film. No process gas is used in the evaporation processes, the gases present are the residual ones that the vacuum condition was unable to eliminate.

Una maschera 20 (figg. 5 e 6) viene disposta fra il substrato 11 ed il dispositivo di deposizione 17, ed è provvista di almeno una regione in cui sono ricavate una pluralità di incisioni passanti 22 definenti un retino 21 e che riportano in negativo lo schema che si vuole depositare sul substrato 11. A mask 20 (Figs. 5 and 6) is arranged between the substrate 11 and the deposition device 17, and is provided with at least one region in which a plurality of through incisions 22 are obtained, defining a screen 21 and which show in negative the pattern to be deposited on the substrate 11.

La maschera 20 è nella fattispecie conformata a nastro chiuso, e può essere provvista di settori ripetitivi riportanti lo schema del retino 21. Inoltre, la maschera 20 è realizzata in materiale metallico anche se, in altre forme di realizzazione, si può prevedere che solo parti di essa siano realizzate in metallo ovvero, a solo titolo di esempio, prevedendo bordi periferici sostanzialmente continui realizzati in materiale ferro magnetico. In this case, the mask 20 is shaped like a closed ribbon, and can be provided with repetitive sectors showing the pattern of the screen 21. Furthermore, the mask 20 is made of metallic material even if, in other embodiments, it can be provided that only parts of it are made of metal or, by way of example only, providing substantially continuous peripheral edges made of magnetic iron material.

Al fine di ridurre gli effetti di ombreggiatura durante le fasi di deposizione, la maschera 20 ha uno spessore compreso fra 0.05 mm e 0.8 mm. In order to reduce the shading effects during the deposition steps, the mask 20 has a thickness between 0.05 mm and 0.8 mm.

II banco magnetico 19 è adatto a mantenere fra loro aderenti la maschera 20 alla prima superficie 15 del substrato 11, in modo da assicurare il contatto intimo fra la maschera 20 e il substrato 11, in tutti i punti almeno in prossimità della porzione 16, e della regione di stampa P, sulla quale viene depositato il film sottile 12. The magnetic bench 19 is suitable for keeping the mask 20 adherent to each other to the first surface 15 of the substrate 11, so as to ensure intimate contact between the mask 20 and the substrate 11, in all points at least in the vicinity of the portion 16, and of the printing region P, on which the thin film 12 is deposited.

Con riferimento a fig. 2, l'apparecchiatura 10 comprende inoltre, un primo rullo 23 ed un secondo rullo 24 entrambi folli sui quali si avvolge almeno parzialmente la maschera 20, e sopra quest'ultima il substrato 11. With reference to fig. 2, the apparatus 10 further comprises a first roller 23 and a second roller 24, both idle on which the mask 20 is at least partially wrapped, and above the latter the substrate 11.

Nello specifico, il substrato 11 viene svolto dalla prima bobina 13, si avvolge sul primo rullo 23, sul secondo rullo 24 e, successivamente viene riavvolto, dopo deposizione, sulla seconda bobina 14. Specifically, the substrate 11 is unwound from the first reel 13, is wound onto the first roller 23, onto the second roller 24 and is subsequently rewound, after deposition, onto the second reel 14.

Fra primo 23 e secondo rullo 24 si viene a definire la porzione 16 che verrà sottoposta a deposizione del film sottile 12. Il primo 23 ed il secondo rullo 24 permettono di portare il substrato 11 in leggera tensione al fine di evitare zone morte dello stesso, nonché permettono di mantenere la porzione di 16 sostanzialmente allineata e parallela rispetto al banco magnetico 19. The portion 16 is defined between the first 23 and the second roller 24 which will be subjected to the deposition of the thin film 12. The first 23 and the second roller 24 allow the substrate 11 to be brought under slight tension in order to avoid dead zones thereof, they also allow to keep the portion 16 substantially aligned and parallel with respect to the magnetic bench 19.

La maschera 20 conformata sostanzialmente a nastro si avvolge sul primo rullo 23 e sul secondo rullo 24, internamente rispetto al substrato 11 e si dispone sostanzialmente affacciata alla prima superficie 15 di quest'ultimo. The substantially ribbon-shaped mask 20 winds onto the first roller 23 and the second roller 24, internally with respect to the substrate 11 and is arranged substantially facing the first surface 15 of the latter.

Il banco magnetico 19 per attrazione magnetica, pone a contatto una seconda superficie 26, contrapposta alla prima, del substrato 11 con una superficie di contatto 27 del banco magnetico 19 e rispettivamente la maschera 20 contro la prima superficie 15 del substrato 11. The magnetic bench 19 by magnetic attraction puts in contact a second surface 26, opposite to the first, of the substrate 11 with a contact surface 27 of the magnetic bench 19 and respectively the mask 20 against the first surface 15 of the substrate 11.

Portando in rotazione la seconda bobina 14, si ha lo svolgimento del substrato 11 dalla prima bobina 13 e l'avanzamento di quest'ultimo lungo una direzione di avanzamento D. By rotating the second reel 14, the substrate 11 is unwound from the first reel 13 and the latter advances along a direction of advancement D.

L'azione di trattenimento della maschera 20 al banco magnetico 19 permette di mantenere fra loro aderenti il substrato 11 e la maschera 20 ed allo stesso tempo di far avanzare in modo coordinato fra loro e di pari passo sia maschera 20 che substrato 11. The holding action of the mask 20 to the magnetic bench 19 allows to keep the substrate 11 and the mask 20 adherent to each other and at the same time to advance both mask 20 and substrate 11 in a coordinated manner with each other and at the same pace.

La forza di attrazione magnetica esercitata dal banco magnetico 19 deve essere sufficiente sia a garantire il contatto intimo della prima superficie 15 del substrato 11 con la maschera 20 in tutti i punti posti in corrispondenza della regione e di stampa P sia a permettere il trascinamento della maschera 20 con il substrato 11 evitando slittamenti reciproci. In questo modo è quindi possibile ridurre gli effetti di ombreggiatura e di sfocatura del film sottile 12 depositato . The magnetic attraction force exerted by the magnetic bench 19 must be sufficient both to guarantee the intimate contact of the first surface 15 of the substrate 11 with the mask 20 in all the points placed in correspondence with the printing region P and to allow the dragging of the mask 20 with the substrate 11 avoiding reciprocal slippage. In this way it is therefore possible to reduce the shading and blurring effects of the deposited thin film 12.

Dall'altro lato, dato lo spessore molto sottile della maschera 20, la forza di attrazione magnetica deve comunque essere ridotta e tale da evitare lo snervamento, o peggio la rottura di parti molto sottili della maschera 20 come ad esempio aste sottili e ponticelli. On the other hand, given the very thin thickness of the mask 20, the magnetic attraction force must in any case be reduced and such as to avoid yielding, or worse, the breaking of very thin parts of the mask 20 such as thin rods and jumpers.

Secondo una forma di realizzazione, il banco magnetico 19 comprende una pluralità di elementi magnetici 30 disposti affiancati uno all'altro, con polarizzazioni alternate di poli nord e sud, in fig. 5 indicati rispettivamente con le sigle "N" e "S". According to an embodiment, the magnetic bank 19 comprises a plurality of magnetic elements 30 arranged side by side, with alternating polarizations of north and south poles, in fig. 5 indicated respectively with the initials "N" and "S".

A solo titolo esemplificativo, gli elementi magnetici 30 sono realizzati in Nd-Fe-B, hanno forma di parallelepipedo e spessore compreso fra 2 mm e 4 mm, ad esempio di 3 mm. By way of example only, the magnetic elements 30 are made of Nd-Fe-B, have a parallelepiped shape and a thickness of between 2 mm and 4 mm, for example 3 mm.

Secondo un'ulteriore forma realizzativa, gli elementi magnetici 30 sono magnetizzati nella direzione dello spessore degli elementi in modo tale che la direzione di magnetizzazione sia parallela alla superficie di contatto 27 del banco magnetico 19. According to a further embodiment, the magnetic elements 30 are magnetized in the direction of the thickness of the elements in such a way that the direction of magnetization is parallel to the contact surface 27 of the magnetic bank 19.

Risulta vantaggioso prevedere che gli elementi magnetici 30 siano posizionati su una piastra di base 33 realizzata in materiale ferromagnetico che permette di mantenere gli elementi magnetici 30 in posizione ben definita sfruttando l'attrito statico che si genera dalla forza di attrazione magnetica. It is advantageous to provide that the magnetic elements 30 are positioned on a base plate 33 made of ferromagnetic material which allows the magnetic elements 30 to be kept in a well-defined position by exploiting the static friction generated by the magnetic attraction force.

In altre forme realizzative, la piastra di base 33 può essere in materiale diverso anche non ferromagnetico, ed il corretto posizionamento viene ottenuto mediante l'utilizzo di adesivi o di altri mezzi di fissaggio. In other embodiments, the base plate 33 can be made of a different material, even non-ferromagnetic, and the correct positioning is obtained by using adhesives or other fixing means.

Con questa configurazione è possibile ottenere un campo magnetico molto intenso in prossimità della superficie e che decade molto rapidamente distanziandosi da essa. Ciò permette di ottenere una forza di attrazione concentrata sulla maschera 20 evitando la generazione di effetti devianti delle particelle evaporate durante la fase di deposizione. With this configuration it is possible to obtain a very intense magnetic field near the surface and which decays very quickly by distancing itself from it. This allows to obtain a concentrated attraction force on the mask 20 avoiding the generation of deviant effects of the evaporated particles during the deposition step.

Secondo un'ulteriore forma di realizzazione del banco magnetico 19 (fig. 6), gli elementi magnetici 30 sono disposti affiancati, distanziati fra loro da elementi distanziali 31. In altre parole, gli elementi magnetici 30 vengono disposti allineati in file parallele ed orientati in modo tale che la polarità sia omogenea lungo l'intera superficie di contatto 27 del banco magnetico 19. According to a further embodiment of the magnetic bench 19 (fig. 6), the magnetic elements 30 are arranged side by side, spaced from each other by spacer elements 31. In other words, the magnetic elements 30 are arranged aligned in parallel rows and oriented in so that the polarity is homogeneous along the entire contact surface 27 of the magnetic bank 19.

Risulta vantaggioso prevedere che gli elementi magnetici 30 siano equispaziati fra loro, mediante gli elementi distanziali 31, di una distanza pari a circa 1.5 volte il valore del loro spessore. It is advantageous to provide that the magnetic elements 30 are equally spaced apart, by means of the spacer elements 31, by a distance equal to approximately 1.5 times the value of their thickness.

Le dimensioni degli elementi magnetici 30 sono correlati alle dimensioni di particolari del retino 21 realizzato sulla maschera 20. The dimensions of the magnetic elements 30 are related to the dimensions of details of the screen 21 made on the mask 20.

Nello specifico, lo spessore degli elementi magnetici 30 diminuisce al diminuire delle dimensioni dei particolari del retino 21 come ad esempio asticelle, ponti che possono raggiungere delle dimensioni molto ridotte, ad esempio dell'ordine di decimi di millimetro. Gli elementi distanziali 31 sono realizzati in materiale non ferromagnetico ad esempio in ottone, alluminio, altri materiali metallici non ferromagnetici, o in materiale polimerico. Specifically, the thickness of the magnetic elements 30 decreases as the dimensions of the details of the screen 21 decrease, such as for example rods, bridges which can reach very small dimensions, for example in the order of tenths of a millimeter. The spacer elements 31 are made of non-ferromagnetic material, for example of brass, aluminum, other non-ferromagnetic metal materials, or of polymeric material.

Il posizionamento degli elementi magnetici 30 e degli elementi distanziali 31 può essere ottenuto in modo analogo a quanto descritto per la fig. 5, ovvero prevedendo un'attrazione magnetica degli elementi magnetici 30 alla piastra di base 33 e l'utilizzo di adesivi per il fissaggio solidale degli elementi distanziali 31. The positioning of the magnetic elements 30 and of the spacer elements 31 can be obtained in a similar way to that described for fig. 5, or by providing magnetic attraction of the magnetic elements 30 to the base plate 33 and the use of adhesives for the integral fixing of the spacer elements 31.

Oppure come indicato in fig. 6 prevedendo che gli elementi magnetici 30 siano completamente annegati all'interno di una base di supporto 35 che definisce, allo stesso tempo, anche gli elementi distanziali 31. Or as indicated in fig. 6 providing that the magnetic elements 30 are completely embedded inside a support base 35 which defines, at the same time, also the spacer elements 31.

La solidarizzazione degli elementi magnetici 30 alla base di supporto 35 può essere ulteriormente rafforzata prevedendo l'utilizzo di adesivi. The solidarity of the magnetic elements 30 to the support base 35 can be further strengthened by providing for the use of adhesives.

La particolare configurazione del banco magnetico 19 descritta con riferimento a fig. 6 permette di ridurre l'insorgenza di coppie di forze all'interno della maschera 20 ed in prossimità delle zone di inversione dei poli. Tali coppie di forze infatti possono deformare/imbarcare la maschera 20 o sue parti molto sottili, come aste sottili o ponticelli, modificando il profilo di deposizione del film sottile 12. The particular configuration of the magnetic bench 19 described with reference to fig. 6 allows to reduce the occurrence of pairs of forces inside the mask 20 and in the vicinity of the pole inversion zones. In fact, these pairs of forces can deform / embed the mask 20 or its very thin parts, such as thin rods or jumpers, modifying the deposition profile of the thin film 12.

Sulla superficie della maschera 20 che durante l'uso è rivolta verso il dispositivo di deposizione 17 si deposita inevitabilmente uno strato di materiale il quale viene rimosso in continuo mediante un dispositivo di pulizia 37 (fig. 2) della maschera 20. A layer of material is inevitably deposited on the surface of the mask 20 which during use faces the deposition device 17 and is continuously removed by means of a cleaning device 37 (fig. 2) of the mask 20.

In particolare, il dispositivo di pulizia 37 è disposto, vantaggiosamente, fra il primo 23 ed il secondo rullo 24, vantaggiosamente nel tratto in uscita della maschera 20 dal secondo rullo 24. In particular, the cleaning device 37 is advantageously arranged between the first 23 and the second roller 24, advantageously in the outgoing portion of the mask 20 from the second roller 24.

Il dispositivo di pulizia 37 può comprendere un cannone ionico oppure un cannone elettronico i quali, sfruttando il principio dello sputtering, provvedono a ripulire la superficie della maschera 20 accelerando contro essa particelle cariche ad un'energia superiore ad un valore critico, che ad esempio per l'oro ed il rame è di circa 20 e 17 elettronvolt. The cleaning device 37 can comprise an ion gun or an electron gun which, by exploiting the sputtering principle, clean the surface of the mask 20 by accelerating charged particles against it to an energy higher than a critical value, which, for example, for gold and copper is about 20 and 17 electron volts.

Le particelle cariche impattando contro gli atomi di materiale precedentemente depositati sulla superficie della maschera 20 vengono espulsi provvedendo alla pulizia di quest'ultima. The charged particles impacting against the atoms of material previously deposited on the surface of the mask 20 are expelled, providing for the cleaning of the latter.

Al crescere dell'energia cinetica delle particelle, aumenta l'effetto di sputtering, ovvero aumenta anche la profondità di penetrazione delle particelle nel materiale da rimuovere, anche se oltre un determinato valore l'efficienza si riduce. A questo scopo risulta vantaggioso prevedere l'utilizzo di valori di energia intermedia che a titolo esemplificativo è compresa fra 50 e 3000 elettronvolt. As the kinetic energy of the particles increases, the sputtering effect increases, i.e. the depth of penetration of the particles into the material to be removed also increases, even if beyond a certain value the efficiency is reduced. For this purpose it is advantageous to provide for the use of intermediate energy values which by way of example are comprised between 50 and 3000 electron volts.

In un'altra forma di realizzazione (fig. 3), si può prevedere che sulla prima 23 e sulla seconda bobina 24 si avvolga unicamente il substrato 11. Su ulteriori due rulli folli 40 disposti internamente rispetto al primo 23 ed al secondo rullo 24 si avvolge almeno parzialmente la maschera 20 di deposizione. In another embodiment (fig. 3), it can be provided that on the first 23 and on the second reel 24 only the substrate 11 is wound. On two further idle rollers 40 arranged internally with respect to the first 23 and the second roller 24, at least partially envelops the deposition mask 20.

In particolare, i due rulli folli 40 sono disposti in modo tale da disporre almeno una porzione della maschera 20 sostanzialmente affacciata, parallela e prossima alla porzione 16 di deposizione del substrato 11. In particular, the two idle rollers 40 are arranged in such a way as to arrange at least a portion of the mask 20 which is substantially facing, parallel to and close to the portion 16 for depositing the substrate 11.

In questo modo è possibile mantenere il substrato 11 ad un livello di tensionamento controllato, e si evita che la maschera 20 venga trattenuta ad esempio dall'attrito che si genera fra la superficie del primo 23 e del secondo rullo 24 con il substrato 11. In this way it is possible to keep the substrate 11 at a controlled tension level, and it is avoided that the mask 20 is retained for example by the friction generated between the surface of the first 23 and the second roller 24 with the substrate 11.

Un terzo rullo 41 folle è disposto in posizione sfalsata rispetto ai rulli folli 40 e su di essa si avvolge parzialmente la maschera 20. A third idle roller 41 is arranged in an offset position with respect to the idle rollers 40 and the mask 20 is partially wound around it.

La maschera 20 si avvolge sui rulli folli 40 e sul terzo rullo 41 in modo lasco, ovvero non tesa, per permettere che quando passa in prossimità del banco magnetico 19 si possa adattare a quest'ultimo e determinare un contatto intimo con il substrato 11. The mask 20 winds loosely on the idle rollers 40 and on the third roller 41, that is, loosely, to allow that when it passes in proximity to the magnetic bench 19 it can adapt to the latter and determine an intimate contact with the substrate 11.

A tal fine, in altre forme realizzative, i rulli folli 40 possono anche essere sostituiti con elementi fissi come cilindri, o pilastri aventi la sola funzione di confinare il movimento della maschera evitando che questa vada a contatto con altre parti e pertanto possa alterare le condizioni di deposizione. To this end, in other embodiments, the idle rollers 40 can also be replaced with fixed elements such as cylinders, or pillars having the sole function of limiting the movement of the mask, preventing it from coming into contact with other parts and therefore can alter the conditions. of deposition.

Il dispositivo di pulizia 37 è interposto fra uno dei rulli folli 40 ed il terzo rullo 41. The cleaning device 37 is interposed between one of the idle rollers 40 and the third roller 41.

Secondo un'ulteriore forma di realizzazione ancora (fig. 4), il banco magnetico viene indicato con il numero di riferimento 119 ed è conformato secondo una geometria a tamburo. According to a still further embodiment (Fig. 4), the magnetic bench is indicated with the reference number 119 and is shaped according to a drum geometry.

In questo caso gli elementi magnetici 30 vengono associati perimetralmente alla sua circonferenza esterna ed orientati con lo spessore in direzione radiale. In this case the magnetic elements 30 are associated perimetrically to its external circumference and oriented with the thickness in a radial direction.

Il banco magnetico 119 ha un diametro che a solo titolo esemplificativo può essere compreso fra 200 mm e 1000 mm. The magnetic bench 119 has a diameter which, by way of example only, can be between 200 mm and 1000 mm.

Il substrato 11 viene svolto dalla prima bobina 13, si avvolge parzialmente sul banco magnetico 119 e si riavvolge sulla seconda bobina 14. The substrate 11 is unwound from the first coil 13, partially winds on the magnetic bench 119 and is rewound on the second coil 14.

La maschera 20 si avvolge su quattro rulli folli 140 di cui due sono disposti in posizione avanzata verso il banco magnetico 119, in modo da permettere alla maschera 20 di essere attratta dall'azione magnetica esercitata da quest'ultimo. The mask 20 is wound on four idle rollers 140, two of which are arranged in an advanced position towards the magnetic bench 119, so as to allow the mask 20 to be attracted by the magnetic action exerted by the latter.

L'avanzamento del substrato 11 può essere imposto azionando ad esempio la seconda bobina 14 oppure, in alternativa prevedendo di azionare il banco magnetico 119 portandolo in rotazione su se stesso. The advancement of the substrate 11 can be imposed by activating, for example, the second coil 14 or, alternatively, by providing for activating the magnetic bench 119 by making it rotate on itself.

Il banco magnetico 119 per effetto dell'azione di attrazione magnetica, è in grado di trascinare, mantenendo a stretto contatto fra loro, la maschera 20 e il substrato 11 per farlo avanzare in continuo e depositare quindi il film sottile 12 sul substrato 11. È chiaro che all'apparecchiatura per la deposizione di film sottili su substrati flessibili fin qui descritta possono essere apportate modifiche e/o aggiunte di parti, senza per questo uscire dall'ambito del presente trovato. Ad esempio, per la deposizione di particolari schemi sul substrato 11, ad esempio presentati delle zone vuote all'interno delle aree depositate, o particolari disegni complessi è necessario che la maschera 20 venga sottoposta ad un percorso ben definito, e portata a contatto più volte contro il substrato 11 per definire un disegno del film protettivo diverso a seconda della posizione assunta dalla maschera 20 durante la sua movimentazione . The magnetic bench 119, due to the effect of the magnetic attraction action, is able to drag, keeping in close contact with each other, the mask 20 and the substrate 11 to make it advance continuously and thus deposit the thin film 12 on the substrate 11. It is It is clear that modifications and / or additions of parts may be made to the apparatus for depositing thin films on flexible substrates described up to now, without thereby departing from the scope of the present invention. For example, for the deposition of particular patterns on the substrate 11, for example presented empty areas inside the deposited areas, or particular complex drawings it is necessary that the mask 20 is subjected to a well-defined path, and brought into contact several times against the substrate 11 to define a different protective film design according to the position assumed by the mask 20 during its movement.

La maschera 20 viene suddivisa in due o più parti a seconda della complessità dello schema che si vuole riportare sul substrato, ciascuna parte è successiva all'altra ed ognuna di esse si ripete periodicamente lungo l'intera estensione della maschera 20. The mask 20 is divided into two or more parts according to the complexity of the scheme that is to be reported on the substrate, each part is subsequent to the other and each of them is repeated periodically along the entire extension of the mask 20.

Ciascuna parte della maschera 20 è provvista di un determinato retino riportante il voluto schema da depositare sul substrato. Each part of the mask 20 is provided with a determined screen showing the desired pattern to be deposited on the substrate.

In particolare (fig. 7), la maschera 20 viene obbligata da rulli deviatori 50 a seguire un determinato percorso. Progettando opportunamente il suddetto percorso è quindi possibile portare a contatto almeno una prima volta, una prima parte della maschera 20 permettendo la deposizione di un primo schema di film sottile, ed almeno una seconda volta una seconda parte della maschera 20 che riporta un secondo schema di film sottile 12. In particular (fig. 7), the mask 20 is forced by deviating rollers 50 to follow a determined path. By suitably designing the aforementioned path it is therefore possible to bring into contact at least a first time, a first part of the mask 20 allowing the deposition of a first pattern of thin film, and at least a second time a second part of the mask 20 which shows a second pattern of thin film 12.

La lunghezza del percorso che distacca la maschera 20 dal substrato 11 è pari o è un multiplo del passo, ovvero alla lunghezza di ciascuna parte cui è suddivisa la maschera 20. A solo titolo esemplificativo, con riferimento alle figg. 8 — 12, viene descritto il procedimento di deposizione del film sottile 12 sul substrato 11 di due schemi diversi. The length of the path which detaches the mask 20 from the substrate 11 is equal to or is a multiple of the pitch, or rather the length of each part into which the mask 20 is divided. By way of example only, with reference to figs. 8 - 12, the deposition process of the thin film 12 on the substrate 11 of two different schemes is described.

In particolare, la maschera 20 comprende lungo il suo sviluppo longitudinale un primo retino 51 ed un secondo retino 52, disposti uno in successione all'altro e che si ripetono periodicamente. In particular, the mask 20 comprises along its longitudinal development a first screen 51 and a second screen 52, arranged one in succession to the other and which are repeated periodically.

Il primo retino 51 ed il secondo retino 52 riportano rispettivamente un primo schema ed un secondo schema per depositare sul substrato 11 rispettivamente un primo disegno 55 ed un secondo disegno 56 del film sottile 12. La maschera 20 è destinata a seguire un determinato percorso stabilito dalla presenza del rullo deviatore 50. Dal lato della maschera 20 contrapposto rispetto a quella di aderenza al substrato 11, sono disposti un primo dispositivo deposizione 53 ed un secondo dispositivo di deposizione 54, i quali si dispongono rispettivamente da un lato e dall'altro rispetto al rullo deviatore 50, e sono adatti a depositare il film sottile 12 rispettivamente in una prima parte F ed una seconda parte S della regione di stampa P. The first screen 51 and the second screen 52 respectively show a first pattern and a second pattern for depositing on the substrate 11 respectively a first pattern 55 and a second pattern 56 of the thin film 12. The mask 20 is intended to follow a determined path established by the presence of the deflector roller 50. On the side of the mask 20 opposite to that of adherence to the substrate 11, a first deposition device 53 and a second deposition device 54 are arranged, which are arranged respectively on one side and on the other with respect to the deflector roller 50, and are suitable for depositing the thin film 12 respectively in a first part F and a second part S of the printing region P.

In un primo istante temporale (fig. 8), nella prima parte F, il substrato 11 è aderente con il primo retino 51 ed il primo dispositivo di deposizione 53 deposita su esso il film sottile 12 secondo il primo disegno 55. In a first instant in time (fig. 8), in the first part F, the substrate 11 adheres to the first screen 51 and the first deposition device 53 deposits on it the thin film 12 according to the first design 55.

In un secondo istante temporale (fig. 9), a seguito dell'avanzamento coordinato della maschera 20 e del substrato 11, nella prima parte F, il secondo retino 52 viene portato direttamente a contatto con il substrato 11 di modo che il primo dispositivo di deposizione 53 depositi sul substrato 11 il film sottile secondo il secondo disegno 56. In a second instant in time (fig. 9), following the coordinated advancement of the mask 20 and the substrate 11, in the first part F, the second screen 52 is brought directly into contact with the substrate 11 so that the first deposition 53 deposits on the substrate 11 the thin film according to the second drawing 56.

In un terzo istante temporale (fig· 10), con una continuazione dell'avanzamento della maschera 20 e del substrato 11, nella prima parte F, il substrato è aderente con il primo retino 51 e su esso viene depositato il film sottile con il primo disegno 55. In a third instant in time (fig 10), with a continuation of the advancement of the mask 20 and of the substrate 11, in the first part F, the substrate adheres to the first screen 51 and the thin film with the first is deposited on it. drawing 55.

In un quarto istante temporale (fig. 11)/continuando l'avanzamento della maschera 20 e del substrato 11, nella prima parte F, il substrato 11 è aderente con il secondo retino 52 così che su esso viene depositato il film sottile con un secondo disegno 56, mentre nella seconda parte S, il substrato 11 viene disposto con il secondo disegno 56 depositato nel secondo istante temporale aderente con il primo retino 51 così che in corrispondenza del suddetto secondo disegno 56 viene depositato anche il primo disegno 55. In a fourth instant in time (fig. 11) / continuing the advancement of the mask 20 and of the substrate 11, in the first part F, the substrate 11 adheres to the second screen 52 so that the thin film is deposited on it with a second drawing 56, while in the second part S, the substrate 11 is arranged with the second pattern 56 deposited in the second instant in time adhering to the first screen 51 so that in correspondence with the aforesaid second pattern 56 the first pattern 55 is also deposited.

In un quinto istante temporale (fig. 12), nella seconda parte S, il substrato 11 viene disposto con il primo disegno 55 che è stato depositato nel terzo istante temporale, aderente al secondo retino 52 così che in corrispondenza del suddetto primo disegno 55 venga depositato anche il secondo disegno 56. In a fifth instant in time (fig. 12), in the second part S, the substrate 11 is arranged with the first pattern 55 which has been deposited in the third instant in time, adhering to the second screen 52 so that in correspondence with the aforementioned first pattern 55 is also deposited the second drawing 56.

Continuando l'avanzamento coordinato di maschera 20 e substrato 11 è quindi possibile depositare su quest'ultimo in modo continuo due o più disegni voluti. By continuing the coordinated advancement of the mask 20 and the substrate 11, it is therefore possible to continuously deposit on the latter two or more desired designs.

In modo analogo è possibile inoltre provvedere al deposito di due o più materiali diversi ad esempio prevedendo che il primo dispositivo di deposizione 53 ed il secondo dispositivo di deposizione 54 utilizzino sorgenti di deposizione diverse fra loro che agiscono indipendentemente una dall'altra. Tale soluzione realizzativa risulta vantaggiosa ad esempio per la realizzazione di termocoppie. Similarly, it is also possible to deposit two or more different materials, for example by providing that the first deposition device 53 and the second deposition device 54 use different deposition sources which act independently of each other. This embodiment is advantageous for example for making thermocouples.

Claims (15)

RIVENDICAZIONI 1. Apparecchiatura per la deposizione di film sottili su un substrato (11) flessibile comprendente mezzi di alimentazione (13) e mezzi di estrazione (14) previsti per movimentare il substrato (11) lungo una determinata direzione di avanzamento (D); un dispositivo di deposizione (17) quale magnetron sputtering, deposizione chimica in fase vapore, evaporazione termica, evaporazione a fascio elettronico, interposto fra detti mezzi di alimentazione (13) e di estrazione (14) il quale è adatto ad agire in una voluta regione di stampa (P) per depositare su almeno una porzione superficiale (16) del substrato (11), che si trova di volta in volta compresa in detta regione di stampa (P), un film sottile (12) di materiale; una maschera (20) interposta fra detto substrato (11) e detto dispositivo di deposizione (17) per determinare la deposizione del film sottile (12) secondo un voluto schema; ed un dispositivo di avanzamento (19; 119) adatto a movimentare detta maschera (20) lungo detta direzione di avanzamento (D), caratterizzata dal fatto che detto dispositivo di avanzamento comprende mezzi di trattenimento (19; 119) adatti a mantenere aderenti fra loro, almeno in detta regione di stampa (P), detta maschera (20) ed almeno detta porzione superficiale (16) del substrato (11) in una direzione trasversale a detta direzione di avanzamento (D) ed a vincolare solidalmente detta maschera (20) e detta porzione superficiale (16) in una direzione parallela a detta direzione di avanzamento (D), in modo da determinare una movimentazione di pari passo di detta maschera (20) almeno con detta porzione superficiale (16) di detto substrato (11). CLAIMS 1. Apparatus for depositing thin films on a flexible substrate (11) comprising feeding means (13) and extraction means (14) provided for moving the substrate (11) along a given direction of advance (D); a deposition device (17) such as magnetron sputtering, chemical vapor deposition, thermal evaporation, electron beam evaporation, interposed between said feeding (13) and extraction (14) means which is suitable to act in a desired region printing (P) to deposit on at least one surface portion (16) of the substrate (11), which is each time included in said printing region (P), a thin film (12) of material; a mask (20) interposed between said substrate (11) and said deposition device (17) to determine the deposition of the thin film (12) according to a desired scheme; and an advancement device (19; 119) suitable for moving said mask (20) along said advancement direction (D), characterized in that said advancement device comprises holding means (19; 119) suitable for keeping , at least in said printing region (P), said mask (20) and at least said surface portion (16) of the substrate (11) in a direction transverse to said direction of advancement (D) and to integrally constrain said mask (20) and said surface portion (16) in a direction parallel to said advancement direction (D), so as to determine a movement in step with said mask (20) at least with said surface portion (16) of said substrate (11). 2. Apparecchiatura come nella rivendicazione 1, caratterizzata dal fatto che detti mezzi di trattenimento (19, 119) sono di tipo magnetico e, rispetto al substrato (11) sono disposti dal lato opposto rispetto al quale è disposta detta maschera (20), e che almeno una parte di detta maschera (20) è realizzata in materiale ferromagnetico . 2. Apparatus as in claim 1, characterized in that said holding means (19, 119) are of the magnetic type and, with respect to the substrate (11), they are arranged on the opposite side with respect to which said mask (20) is arranged, and that at least a part of said mask (20) is made of ferromagnetic material. 3. Apparecchiatura come nella rivendicazione 1 o 2, caratterizzata dal fatto che detti mezzi di trattenimento comprendono un banco magnetico (19) provvisto di una pluralità di elementi magnetici (30) disposti affiancati uno all'altro, con rispettive polarità alternate fra loro e definenti una superficie di contatto (27) sul quale scorre detto substrato (11). 3. Apparatus as in claim 1 or 2, characterized in that said holding means comprise a magnetic bench (19) provided with a plurality of magnetic elements (30) arranged side by side, with respective polarities alternating with each other and defining a contact surface (27) on which said substrate (11) slides. 4. Apparecchiatura come nella rivendicazione 3 caratterizzata dal fatto che detti elementi magnetici (30) sono distanziati fra loro da elementi distanziali (31) in materiale non ferromagnetico. 4. Apparatus as in claim 3 characterized in that said magnetic elements (30) are spaced from each other by spacer elements (31) made of non-ferromagnetic material. 5. Apparecchiatura come nella rivendicazione 3 o 4 caratterizzata dal fatto che detto banco magnetico (119) è conformato sostanzialmente a tamburo e sulla sua superficie esterna è adatta ad avvolgersi almeno parzialmente detto substrato (11) e detta maschera (20). 5. Apparatus as in claim 3 or 4 characterized in that said magnetic bench (119) is substantially drum-shaped and on its external surface is suitable for at least partially wrapping said substrate (11) and said mask (20). 6. Apparecchiatura come nella rivendicazione 5 caratterizzata dal fatto che detto banco magnetico (119) è adatto ad essere portato in rotazione su se stesso per determinare l'avanzamento di detto substrato (11) ed il coordinato trascinamento di detta maschera (20). 6. Apparatus as in claim 5 characterized in that said magnetic bench (119) is suitable for being rotated on itself to determine the advancement of said substrate (11) and the coordinated dragging of said mask (20). 7. Apparecchiatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzata dal fatto che detti mezzi di alimentazione comprendono una prima bobina (13) sulla quale è avvolto detto substrato (11), e che detti mezzi di estrazione comprendono una seconda bobina (14) sulla quale è adatto ad avvolgersi detto substrato (11) quando su esso è stato depositato detto film sottile (12). 7. Apparatus as in any one of the preceding claims, characterized in that said feeding means comprise a first reel (13) on which said substrate (11) is wound, and that said extraction means comprise a second reel (14) on the which is suitable for wrapping said substrate (11) when said thin film (12) has been deposited on it. 8. Apparecchiatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzata dal fatto che un dispositivo di pulizia (37), quale un cannone ionico o un cannone elettronico, è adatto a rimuovere il materiale evaporato da detto dispositivo di deposizione (17) e depositato su detta maschera (20). 8. Apparatus as in any one of the preceding claims, characterized in that a cleaning device (37), such as an ion gun or an electron gun, is suitable for removing the evaporated material from said deposition device (17) and deposited on said mask (20). 9. Apparecchiatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzata dal fatto che detto substrato (11) è scelto in un gruppo comprendente materiali polimerici, carta, fibre sintetiche, o simili. 9. Apparatus as in any one of the preceding claims, characterized in that said substrate (11) is selected from a group comprising polymeric materials, paper, synthetic fibers, or the like. 10. Apparecchiatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzata dal fatto che detto film sottile (12) è scelto in un gruppo comprendente materiali metallici, ceramici o polimerici. 10. Apparatus as in any one of the preceding claims, characterized in that said thin film (12) is selected from a group comprising metallic, ceramic or polymeric materials. 11. Apparecchiatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzata dal fatto che detta maschera (20) è conformata sostanzialmente a nastro chiuso per essere portata di volta in volta in successione in prossimità di detta regione di stampa (P). 11. Apparatus as in any one of the preceding claims, characterized in that said mask (20) is substantially shaped like a closed ribbon to be carried each time in succession in proximity to said printing region (P). 12. Apparecchiatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzata dal fatto che detta maschera (20) comprende almeno una regione che presenta una pluralità di incisioni passanti (22) che definiscono almeno un retino (21) del voluto schema di deposizione del film sottile (12). 12. Apparatus as in any one of the preceding claims, characterized in that said mask (20) comprises at least one region which has a plurality of through incisions (22) which define at least one screen (21) of the desired thin film deposition pattern (12). 13. Apparecchiatura come nella rivendicazione 12, caratterizzata dal fatto che detta maschera (20) comprende almeno due regioni successive ed eventualmente adiacenti aventi corrispondenti incisioni passanti (22) per definire almeno un primo retino (51) ed un secondo retino (52) disposto uno in successione all'altro lungo lo sviluppo di detta maschera (20) e ciascuno riportante un rispettivo schema di deposizione correlato a dette incisioni passanti (21) ed adatto a definire su detto substrato rispettivamente un primo disegno (55) ed un secondo disegno (56) del film sottile (12) depositato. 13. Apparatus as in claim 12, characterized in that said mask (20) comprises at least two successive and possibly adjacent regions having corresponding through incisions (22) to define at least a first screen (51) and a second screen (52) arranged one in succession to the other along the development of said mask (20) and each showing a respective deposition pattern correlated to said passing incisions (21) and suitable for defining on said substrate respectively a first pattern (55) and a second pattern (56 ) of the deposited thin film (12). 14. Apparecchiatura come nella rivendicazione 13, caratterizzata dal fatto che comprende, inoltre, mezzi deviatori (50) adatti a far seguire a detta maschera (20) un determinato percorso per portare selettivamente detto primo retino (51) e/o detto secondo retino (52) a contatto contro detto substrato (11) rispettivamente e di volta in volta in una prima parte (F) e/o in una seconda parte (S) di detta regione di stampa (P) per permettere la deposizione sovrapposta od eventualmente sfalsata od accostata di detto primo disegno (55) e detto secondo disegno (56) del film sottile (12). 14. Apparatus as in claim 13, characterized in that it also comprises deviating means (50) suitable for making said mask (20) follow a determined path to selectively bring said first screen (51) and / or said second screen ( 52) in contact against said substrate (11) respectively and from time to time in a first part (F) and / or in a second part (S) of said printing region (P) to allow the overlapping or possibly staggered deposition or side by side of said first drawing (55) and said second drawing (56) of the thin film (12). 15. Procedimento per la deposizione di almeno un film sottile (12) su un substrato (11) flessibile comprendente almeno una fase di alimentazione in cui mediante mezzi di alimentazione (13) e mezzi di estrazione (14) detto substrato (11) viene movimentato lungo una direzione di avanzamento (D), ed una fase di deposizione di un film sottile (12) in cui mediante un dispositivo di deposizione (17), quale magnetron sputtering, deposizione chimica in fase vapore, evaporazione termica, evaporazione a fascio elettronico, che è interposto fra i mezzi di alimentazione (13) ed i mezzi di estrazione (14) e che agisce in una voluta regione di stampa (P), viene depositato detto film sottile (12) in almeno una porzione (16) superficiale del substrato (11), ed in cui una maschera (20) è interposta fra il substrato (11) ed il dispositivo di deposizione (17) per determinare la deposizione del film sottile (12) secondo un voluto schema, e viene movimentata da un dispositivo di avanzamento (19; 119) lungo detta direzione di avanzamento (D), caratterizzato dal fatto che durante la movimentazione di detta maschera (20), mezzi di trattenimento (19; 119) mantengono aderenti fra loro, almeno in detta regione di stampa (P), detta maschera (20) e detta porzione superficiale (16) del substrato (11) in una direzione trasversale a detta direzione di avanzamento (D), e vincolano solidalmente detta maschera (20) e detta porzione superficiale (16) in una direzione parallela a detta direzione di avanzamento (D), in modo da determinare una movimentazione di pari passo di detta maschera (20) almeno con detta porzione superficiale (16) di detto substrato (11).15. Process for depositing at least one thin film (12) on a flexible substrate (11) comprising at least one feeding phase in which said substrate (11) is moved by means of feeding means (13) and extraction means (14) along a direction of advance (D), and a phase of deposition of a thin film (12) in which by means of a deposition device (17), such as magnetron sputtering, chemical vapor deposition, thermal evaporation, electron beam evaporation, which is interposed between the feeding means (13) and the extraction means (14) and which acts in a desired printing region (P), said thin film (12) is deposited in at least a surface portion (16) of the substrate (11), and in which a mask (20) is interposed between the substrate (11) and the deposition device (17) to determine the deposition of the thin film (12) according to a desired scheme, and is moved by a device of long advancement (19; 119) said forward direction (D), characterized in that during the movement of said mask (20), holding means (19; 119) maintain adherent to each other, at least in said printing region (P), said mask (20) and said surface portion (16) of the substrate (11) in a direction transverse to said direction of advancement (D), and rigidly constrain said mask (20) and said surface portion (16) in a direction parallel to said direction of advancement (D), so as to cause a movement of said mask (20) at least with said surface portion (16) of said substrate (11).
IT000077A 2011-05-31 2011-05-31 EQUIPMENT FOR DEPOSITION OF THIN FILMS ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND ITS PROCEDURE ITUD20110077A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT000077A ITUD20110077A1 (en) 2011-05-31 2011-05-31 EQUIPMENT FOR DEPOSITION OF THIN FILMS ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND ITS PROCEDURE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT000077A ITUD20110077A1 (en) 2011-05-31 2011-05-31 EQUIPMENT FOR DEPOSITION OF THIN FILMS ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND ITS PROCEDURE

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ITUD20110077A1 true ITUD20110077A1 (en) 2012-12-01

Family

ID=44315031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT000077A ITUD20110077A1 (en) 2011-05-31 2011-05-31 EQUIPMENT FOR DEPOSITION OF THIN FILMS ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND ITS PROCEDURE

Country Status (1)

Country Link
IT (1) ITUD20110077A1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681780A (en) * 1983-12-01 1987-07-21 Polaroid Corporation Continuously cleaned rotary coating mask
WO2009096785A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681780A (en) * 1983-12-01 1987-07-21 Polaroid Corporation Continuously cleaned rotary coating mask
WO2009096785A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100620664B1 (en) Device and method for vacuum film formation
US8764996B2 (en) Methods of patterning a material on polymeric substrates
WO2016129534A1 (en) Method for manufacturing deposition mask, and deposition mask
JP5597551B2 (en) Apparatus and method for plasma surface treatment of moving substrate and use of the method
CN106906441B (en) Film forming system, magnetic body, and film manufacturing method
WO2008048840A2 (en) Methods of patterning a deposit metal on a polymeric substrate
WO2009101795A1 (en) Thin film forming method and film forming apparatus
JP2013519991A (en) Apparatus and method for generating plasma discharge for patterning a surface of a substrate
JP2012111985A (en) Vapor deposition mask and thin film pattern-forming method using the same
JP2017166029A (en) Vapor deposition mask and vapor deposition mask intermediate
JP2013204129A (en) Vacuum deposition device and vacuum deposition method
EP3464673A1 (en) Shadow-mask-deposition system and method therefor
JP5084773B2 (en) Roll-to-roll type thin film pattern forming equipment
ITUD20110077A1 (en) EQUIPMENT FOR DEPOSITION OF THIN FILMS ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND ITS PROCEDURE
US9227220B1 (en) Method for patterning materials on a substrate
US20140158523A1 (en) Adjustable Shunt Assembly For A Sputtering Magnetron And A Method For Adjusting Such A Shunt
JP6028926B2 (en) Deposition mask and deposition apparatus
KR20120046143A (en) Assembly of holding a substrate for forming pattern and apparatus of organic thin film deposition having the same
CN112981317A (en) Evaporation mask, evaporation device and evaporation method
CN109563618A (en) Precipitation equipment and method for deposition
US20120318433A1 (en) Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
KR101649905B1 (en) Evaporation Apparatus For Organic Light Emitting Display
CN108866477B (en) Evaporation mask, manufacturing method thereof, evaporation device and evaporation method
CN103732788B (en) Plasma processing apparatus
Shin et al. Fabrication of replica cliché with fine pattern using reverse offset printing process