ITTO20110180A1 - Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione - Google Patents

Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione

Info

Publication number
ITTO20110180A1
ITTO20110180A1 IT000180A ITTO20110180A ITTO20110180A1 IT TO20110180 A1 ITTO20110180 A1 IT TO20110180A1 IT 000180 A IT000180 A IT 000180A IT TO20110180 A ITTO20110180 A IT TO20110180A IT TO20110180 A1 ITTO20110180 A1 IT TO20110180A1
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
elements
support provided
programming method
railway material
memorization support
Prior art date
Application number
IT000180A
Other languages
English (en)
Inventor
Maurizio Greco
Antonio Maria Scalia
Original Assignee
St Microelectronics Srl
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by St Microelectronics Srl filed Critical St Microelectronics Srl
Priority to IT000180A priority Critical patent/ITTO20110180A1/it
Priority to US13/362,434 priority patent/US20120195094A1/en
Publication of ITTO20110180A1 publication Critical patent/ITTO20110180A1/it

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
IT000180A 2011-02-01 2011-03-01 Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione ITTO20110180A1 (it)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT000180A ITTO20110180A1 (it) 2011-02-01 2011-03-01 Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione
US13/362,434 US20120195094A1 (en) 2011-02-01 2012-01-31 Memory support provided with elements of ferroelectric material and programming method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITTO2011A000079A IT1403803B1 (it) 2011-02-01 2011-02-01 Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di memoria di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione
IT000180A ITTO20110180A1 (it) 2011-02-01 2011-03-01 Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ITTO20110180A1 true ITTO20110180A1 (it) 2012-08-02

Family

ID=43976414

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ITTO2011A000079A IT1403803B1 (it) 2011-02-01 2011-02-01 Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di memoria di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione
IT000180A ITTO20110180A1 (it) 2011-02-01 2011-03-01 Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ITTO2011A000079A IT1403803B1 (it) 2011-02-01 2011-02-01 Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di memoria di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20120195094A1 (it)
IT (2) IT1403803B1 (it)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9281044B2 (en) * 2013-05-17 2016-03-08 Micron Technology, Inc. Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method
JP2015079869A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 ソニー株式会社 メモリ装置、アクセス方法
US9558804B2 (en) * 2014-07-23 2017-01-31 Namlab Ggmbh Charge storage ferroelectric memory hybrid and erase scheme
WO2016028356A1 (en) * 2014-08-19 2016-02-25 Sabic Global Techologies B.V Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation
US10636471B2 (en) * 2016-04-20 2020-04-28 Micron Technology, Inc. Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays
US10249756B2 (en) 2016-11-29 2019-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device including memory and logic circuit having FETs with ferroelectric layer and manufacturing methods thereof
US11264073B2 (en) * 2019-12-23 2022-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device and method for performing matrix operation

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753946A (en) * 1995-02-22 1998-05-19 Sony Corporation Ferroelectric memory
US6067244A (en) * 1997-10-14 2000-05-23 Yale University Ferroelectric dynamic random access memory
KR100391404B1 (ko) * 1999-07-13 2003-07-12 가부시끼가이샤 도시바 반도체 메모리
US6411542B1 (en) * 1999-12-15 2002-06-25 Electronics And Telecommunications Research Institute Ferroelectric memory device having ferroelectric memory transistors connected to separate well lines
DE10064031A1 (de) * 2000-12-21 2002-07-18 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Auslesen und Speichern eines Zustandes aus einem oder in einen ferroelektrischen Transistor einer Speicherzelle und Speichermatrix
JP3749851B2 (ja) * 2001-10-25 2006-03-01 株式会社東芝 強誘電体半導体メモリ
KR100449070B1 (ko) * 2001-11-23 2004-09-18 한국전자통신연구원 강유전체 메모리 셀 어레이 및 그를 이용한 데이터 저장방법
JP2003233984A (ja) * 2001-12-04 2003-08-22 Sanyo Electric Co Ltd メモリ装置
US7016217B2 (en) * 2003-03-07 2006-03-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Memory
JP4161951B2 (ja) * 2004-09-16 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 強誘電体メモリ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120195094A1 (en) 2012-08-02
IT1403803B1 (it) 2013-10-31
ITTO20110079A1 (it) 2012-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR112014014172A2 (pt) conjunto e método para produção de elemento do conjunto
BR112015012032A2 (pt) sistema e método para recompensar viajantes
ITTO20110181A1 (it) Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di materiale ferroelettrico e relativo metodo di lettura non distruttiva
BR112014000238A2 (pt) método e artigo
BR112014012137A2 (pt) anticorpos anti-fgfr2 e suas utilizações
BR112012009921A2 (pt) métodos para reprogramar células e usos do mesmos
BR112013001592A2 (pt) artigo e método
CR20140119A (es) Composición y apósito para tratamiento de heridas
FI20116163L (fi) Menetelmä ja järjestelmä selluloosamateriaalin valmistamiseksi
BR112012031130A2 (pt) métodos e dispositivos para filtração
BR112014010450A2 (pt) composição e método
BR112012027159A2 (pt) estrutura e método
FR2987081B1 (fr) Ensemble et procede propulsifs
ITTO20110180A1 (it) Supporto di memorizzazione provvisto di elementi di materiale ferroelettrico e relativo metodo di programmazione
DK2714055T3 (da) Biokompatibelt materiale og anvendelser deraf
EP2755545A4 (en) ACTIVE ELEMENT SUPPORT STRUCTURE AND ASSOCIATED METHOD
DK2670519T3 (da) Kompositmateriale
BR112014004009A2 (pt) método para produção de isocianato e material sintético
ZA201409061B (en) Floating structure and method for obtaining same
BR112014005042A2 (pt) método para gerenciar programação e aparelho
BR112015009903A2 (pt) material e elemento filtrantes
FR2974107B1 (fr) Materiau composite photoluminescent
BR112014010860A2 (pt) composição e método
EP2821096A4 (en) NEEDLE-TYPE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING NEEDLE-TYPE MATERIAL
FI20116234A (fi) Menetelmä alusmateriaalin valmistamiseksi sekä alusmateriaali