ITTO20090496A1

ITTO20090496A1 - Sensore magnetoresistivo e suo procedimento di fabbricazione

Info

Publication number: ITTO20090496A1
Application number: IT000496A
Authority: IT
Inventors: Lorenzo Baldo; Francesco Procopio; Simone Sassolini; Benedetto Vigna
Original assignee: St Microelectronics Srl
Priority date: 2009-06-30
Filing date: 2009-06-30
Publication date: 2011-01-01
Also published as: US20130000136A1; IT1395964B1; US8901925B2; US8289021B2; US20100327864A1

Description

DESCRIZIONE

del brevetto per invenzione industriale dal titolo:

â€œSENSORE MAGNETORESISTIVO E SUO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONEâ€

La presente invenzione riguarda un sensore magnetoresistivo e il suo procedimento di fabbricazione.

Come Ã ̈ noto, i sensori magnetoresistivi sfruttano la capacitÃ di opportuni materiali ferromagnetici (chiamati materiali magnetoresistivi, ad esempio il materiale noto con il nome di "permalloy" costituito da una lega di Fe-Ni) di modificare la propria resistenza in presenza di un campo magnetico esterno.

Attualmente, i sensori magnetoresistivi vengono realizzati a partire da strisce di materiale magnetoresistivo. Durante la fabbricazione, la striscia di materiale magnetoresistivo viene magnetizzata in modo da presentare una magnetizzazione preferenziale in una prefissata direzione, ad esempio la direzione longitudinale della striscia stessa.

In assenza di campi magnetici esterni, la magnetizzazione mantiene la direzione imposta, e la striscia presenta massima resistenza. In presenza di campi magnetici esterni aventi direzione differente da quella di magnetizzazione preferenziale, la magnetizzazione della striscia cambia, cosÃ¬ come la sua resistenza, come spiegato in seguito con riferimento alla figura 1.

In figura 1, un magnetoresistore 1 Ã ̈ formato da una striscia di materiale magnetoresistivo avente direzione longitudinale parallela all'asse X. Il magnetoresistore 1 Ã ̈ attraversato da una corrente I fluente nella direzione longitudinale della striscia. Un campo magnetico esterno Hy Ã ̈ diretto parallelamente all'asse Y e provoca una rotazione della magnetizzazione M per un angolo Î± rispetto alla corrente I. In questo caso si ha:

R = Rmin+ Î”R cos<2>Î±

in cui RminÃ ̈ la resistenza del magnetoresistore in caso di magnetizzazione M parallela all'asse Y (campo magnetico esterno Hy molto elevato), e DR Ã ̈ la differenza di resistenza Rmax-Rmin, con Rmaxresistenza in caso di magnetizzazione diretta parallelamente alla direzione X.

Per il permalloy, il rapporto Î”R/R massimo Ã ̈ dell'ordine di 2-3%.

Ponendo

Hy 2

sin<2>Î± = per Hy â‰¤ Ho

Ho 2

e sin<2>Î± = 1 per Hy â‰¥ Ho

in cui Ho Ã ̈ un parametro che dipende dal materiale e dalla geometria della striscia 1, si ha:

R= R<Hy>

min Î”R<1>1 - Ã§ Ã· Ãº per Hy £ Ho (1) ÃªÃ« Ã ̈HoÃ ̧ ÃºÃ»

La figura 2 mostra con linea tratteggiata l'andamento della resistenza R risultante dalla (1) (curva A).

E' inoltre noto, per linearizzare l'andamento della resistenza R almeno in una porzione operativa della curva, formare, al di sopra della striscia di materiale magnetoresistivo, strisce trasversali 2 (chiamate "barber poles"), di materiale conduttore (ad esempio alluminio), poste a distanza costante e con inclinazione 45° rispetto alla direzione X, come mostrato in figura 3.

In questa situazione, cambia la direzione della corrente I, ma non la magnetizzazione. Di conseguenza, la (1) diventa:

D Ã© 2

HyR=<R>R<min>+ ±DR<Ã¦ Hy>Ã¶

Ã§Ã·Ãª<1- Ã¦>Ã¶ Ã¹

Ã§ Ã· Ãº per Hy £ Ho (2)2Ã ̈ Ho Ã ̧ ÃªÃ« Ã ̈HoÃ ̧ ÃºÃ»

avente caratteristica lineare nell'intorno del punto Hy/Ho = 0, come mostrato dalla curva B con linea continua di figura 2. Il segno ± nella (2) dipende dall'orientamento delle strisce trasversali 2 (±45°).

La figura 4 mostra un sensore magnetoresistivo 9 includente quattro magnetoresistori 1 aventi strisce trasversali 2 disposte in modo alternato e collegati in modo da formare un ponte di Wheatstone. In dettaglio, i due magnetoresistori 1a, 1b appartenenti a ciascun ramo 3, 4 hanno strisce trasversali 2 orientate in modo opposto, sono disposti in modo diametralmente opposto e sono collegati in serie fra due morsetti 5, 6. Ai morsetti 5, 6 viene applicata una tensione di polarizzazione Vb.

Resistori di trimmer possono essere collegati in serie a ciascun ramo 3, 4, in modo non mostrato, in modo da avere uscita nulla in assenza di campo magnetico esterno orientato parallelamente alla direzione di rilevamento (qui il campo Hx).

La tensione di uscita Vo esistente fra i nodi intermedi 7, 8 dei rami 3, 4 Ã ̈ quindi correlata al campo magnetico esterno Hx esistente; infatti un campo magnetico esterno Hx provoca un aumento della resistivitÃ dei magnetoresistori 1a aventi strisce trasversali 2 dirette in una prima direzione e una corrispondente riduzione della resistivitÃ degli altri magnetoresistori 1b. Di conseguenza, ogni variazione di resistenza dovuta ad un campo esterno provoca una corrispondente variazione lineare della tensione di uscita Vo e quindi esiste un rapporto lineare fra di esse.

Data l'alta sensibilitÃ dei sensori magnetoresistivi del tipo indicato, di recente ne Ã ̈ stato proposto l'uso come bussole elettroniche in sistemi di navigazione. In questo caso, il campo esterno da rilevare Ã ̈ costituito dal campo magnetico terrestre. In prima approssimazione, il campo magnetico terrestre puÃ² essere considerato parallelo alla superficie terrestre e la lettura della bussola richiede quindi due sensori sensibili alle due direzioni del piano tangente localmente alla superficie terrestre. Dato che tuttavia l'inclinazione della bussola rispetto a tale piano tangente comporta errori di lettura, per correggere tale errore Ã ̈ in pratica necessario avere tre sensori, ciascuno avente asse sensibile diretto secondo i tre assi spaziali X, Y, Z.

A tale scopo, Ã ̈ necessario disporre i tre sensori ruotati di 90° uno rispetto all'altro. Mentre per la realizzazione di un sensore sensibile a campi diretti lungo due direzioni non crea difficoltÃ , dato che essi giacciono nello stesso piano, il rilevamento della terza direzione Ã ̈ critico, dato che richiede la realizzazione di un terzo sensore posto in un piano perpendicolare rispetto a quello dei primi due sensori. Infatti, in tal caso, le operazioni di montaggio sono molto piÃ¹ complesse e il dispositivo finito risulta molto piÃ¹ costoso.

Scopo dell'invenzione Ã ̈ quindi mettere a disposizione un elemento magnetoresistivo realizzabile secondo le usuali tecniche di fabbricazione dei semiconduttori che sia sensibile anche a campi magnetici esterni diretti trasversalmente al piano dell'elemento magnetoresistivo.

Ulteriore scopo Ã ̈ realizzare un sensore magnetoresistivo a tre assi, utilizzante tale elemento magnetoresistivo.

Secondo la presente invenzione vengono realizzati un elemento magnetoresistivo, un sensore magnetoresistivo, un dispositivo a bussola elettronica ed un procedimento di fabbricazione di un elemento magnetoresistivo, come definiti nelle rivendicazioni 1, 6, 10 e 11, rispettivamente.

Per la comprensione della presente invenzione ne vengono ora descritte forme di realizzazione preferite, a puro titolo di esempio non limitativo, con riferimento ai disegni allegati, nei quali:

- la figura 1 mostra un elemento magnetoresistivo, di tipo noto;

- la figura 2 mostra la variazione di resistenza in funzione del campo applicato per gli elementi di figura 1 e 3;

- la figura 3 mostra un differente elemento magnetoresistivo noto;

- la figura 4 presenta un sensore magnetoresistivo realizzato a ponte di Wheatstone;

- la figura 5 Ã ̈ una vista prospettica mostrante una forma di realizzazione del presente elemento magnetoresistivo;

- le figure 6-10 sono sezioni trasversali attraverso una fetta di materiale semiconduttore in successive fasi di fabbricazione del sensore di figura 5;

- le figure 11a, 11b e 11c mostrano la dipendenza del presente elemento magnetoresistivo e di un ponte di Wheatstone formato a partire dal presente elemento magnetoresistivo dalla direzione del campo magnetico;

- la figura 12 mostra uno schema a blocchi di una bussola elettronica utilizzante il sensore magnetoresistivo secondo l'invenzione;

- le figure 13 e 14 mostrano possibili varianti dell'elemento magnetoresistivo di figura 5; e

- le figure 15-18 mostrano possibili applicazioni del presente elemento magnetoresistivo.

La figura 5 mostra una vista prospettica di una porzione di una piastrina 100 comprendente un substrato 20 di materiale semiconduttore avente una superficie superiore 22, planare e presentante incavi 30, 31 su cui sono realizzati magnetoresistori 10, 11. Nell'esempio illustrato, l'incavo 30, di forma allungata, Ã ̈ diretto parallelamente alla direzione X e l'incavo 31, pure di forma allungata, Ã ̈ diretto parallelamente alla direzione Y. Gli incavi 30, 31 hanno ciascuno una parete di fondo 32, planare e parallela alla superficie superiore 22, e due pareti inclinate 33, formate sui lati longitudinali delle rispettive pareti di fondo 32.

I magnetoresistori 10, 11 sono formati da strisce di materiale magnetoresistivo. Nell'esempio illustrato, i magnetoresistori 10 sono diretti parallelamente fra di loro e perpendicolarmente alla direzione longitudinale del rispettivo incavo 30 e i magnetoresistori 11 sono diretti parallelamente fra di loro e perpendicolarmente alla direzione longitudinale del rispettivo incavo 31 e ai magnetoresistori 10.

I magnetoresistori 10, 11 sono non-planari e presentano almeno una porzione orizzontale ed una porzione inclinata. Nell'esempio mostrato, i magnetoresistori 10, 11 presentano ciascuno due porzioni di estremitÃ 12, estendentisi sulla superficie superiore 22 del substrato 20, una porzione centrale 13, estendentesi sulla parete di fondo 32 di un rispettivo incavo 30, 31, e due porzioni trasversali 15, estendentisi obliquamente fra la porzione centrale 13 e le porzioni di estremitÃ 12, lungo pareti inclinate 33 dell'incavo 30, risp. 31.

In pratica, nei magnetoresistori 10, le porzioni 12, 13 hanno direzione parallela all'asse Y e le porzioni trasversali 15 hanno direzione con una componente parallela all'asse Z; analogamente, nei magnetoresistori 11, le porzioni 12, 13 hanno direzione parallela all'asse X e le relative porzioni trasversali 15 hanno direzione con una componente parallela all'asse Z. In tal modo, e come discusso piÃ¹ in dettaglio in seguito, i magnetoresistori 10 sono sensibili a campi magnetici diretti lungo gli assi X e Z, mentre i magnetoresistori 11 sono sensibili a campi magnetici diretti lungo gli assi Y e Z.

Analogamente ai sensori magnetoresistivi noti, i magnetoresistori 10, 11 possono essere dotati di strisce trasversali o "barber poles", in modo non mostrato, ma analogo a quanto descritto sopra e mostrato in figura 4 per il sensore 9; inoltre essi possono essere collegati a ponte di Wheatstone, come mostrato in figura 11, per eliminare la sensibilitÃ lungo l'asse Z.

I magnetoresistori 10, 11 vengono fabbricati nel modo descritto qui di seguito con riferimento alle figure 6-11.

Inizialmente, figura 6, sul substrato 20 di materiale semiconduttore avente la superficie superiore 22 planare viene realizzata una maschera scavi 21, di resist, che copre tutta la superficie superiore 22 del substrato 20 ad eccezione di dove si vogliono realizzare gli incavi 30, 31 (figura 5).

In seguito, le porzioni scoperte del substrato 20 vengono attaccate in TMAH (tetrametilammonioidrossido), formando gli incavi 30, 31. A causa del tipo di attacco utilizzato, gli incavi 30, 31 presentano una parete di fondo 32, planare, e pareti inclinate 33 poste ad un angolo di 54° rispetto alla parete di fondo 32.

In modo non visibile in figura 6, gli incavi 30 presentano direzione longitudinale parallela all'asse X, e gli incavi 31 presentano direzione longitudinale parallela all'asse Y, analogamente a quanto mostrato in figura 5.

Quindi, figura 7, viene rimossa la maschera scavi 21.

Successivamente, figura 8, mediante una fase di deposizione di resist e una fotolitografia standard, sul substrato 20 viene realizzata una maschera resistori 23. La maschera resistori 23 copre tutta la superficie superiore 22 del substrato, inclusi gli incavi 30, 31, ad eccezione di finestre 24 a forma di strisce dove devono essere realizzati i magnetoresistori 10, 11. Le finestre 24 hanno quindi esattamente la forma desiderata per i magnetoresistori 10, 11.

Quindi, figura 9, viene deposta una sottile pellicola 25 di materiale magnetoresistivo, ad esempio di permalloy. Infine, figura 10, il resist della maschera resistori 21 viene dissolto tramite solventi, in modo di per sÃ© noto, e il metallo presente al di sopra della maschera resist 21 viene rimosso (tecnica di "lift off"), lasciando il materiale magnetoresistivo solo in corrispondenza delle finestre 24 della maschera resistori 21. Si formano cosÃ¬ i magnetoresistori 10, 11.

In seguito, se desiderato, i magnetoresistori 10, 11 possono essere dotati di strisce trasversali di alluminio ("barber poles"), come descritto in fig. 3. Inoltre, vengono realizzate le connessioni elettriche e vengono realizzati eventuali resistori di trimmer per formare sensori magnetoresistivi a ponte.

Grazie alla presenza delle porzioni inclinate 15, i magnetoresistori 10, 11 possono rilevare la presenza di campi magnetici diretti in tutte e tre le direzioni spaziali e/o possono essere collegati reciprocamente in modo da essere insensibili a campi diretti in una particolare direzione, come discusso qui di seguito con riferimento alle figure 11a, 11b e 11c.

In figura 11a, un elemento magnetoresistivo (non mostrato) si estende nel piano XY per il rilevamento di un campo magnetico B presentante, in coordinate sferiche, un angolo Î± (zenit o longitudine) rispetto all'asse X e un angolo q (azimut) rispetto al piano XY. In questa condizione, la componente del campo magnetico visibile nel piano XY Ã ̈ B*cos(Î ̧) e lâ€™andamento della resistenza di un elemento magnetoresistivo disposto nel piano Ã ̈ del tipo:

R = ± (Î”RÃ—tanÎ±Ã—cos2Î± ) Ã— cos<2>J(3)La fig. 11b mostra la tensione di uscita generata da un tale elemento magnetoresistivo nel piano XY al variare di Î±, per diversi valori di Î ̧, da 0 a 90°, in cui i valori sullâ€™asse Y hanno carattere puramente esemplificativo. Come si nota, l'uscita Ã ̈ massima nel caso di campo B parallelo al piano XY (Î ̧ = 0°) e nulla nel caso di campo B perpendicolare al piano (Î ̧ = 90°).

Per contro, la dipendenza delle porzioni inclinate 15 di elementi magnetoresistivi 10, 11 aventi come superficie superiore 22 il piano XY, nell'ipotesi di angolo di 45° rispetto al piano XY, Ã ̈ la seguente:

D<R>R = R<±>(<D>R<Ã—tana Ã— s2>

min<co a>)<Ã— sin 2 J>(4)

2

Collegando coppie di elemento magnetoresistivi 10, 11 a ponte Ã ̈ possibile (come dimostrabile utilizzando semplici regole trigonometriche) annullare completamente la dipendenza dall'angolo Î ̧, come mostrato in figura 11c (le curve a diversi angoli Î ̧ sono sovrapposte, coincidenti). In pratica, si puÃ² sfruttare la dipendenza dei singoli elementi magnetoresistivi 10, 11 da componenti diverse del campo magnetico per reiettare dallâ€™uscita del ponte la componente lungo l'asse Z del campo magnetico B, al fine di ottenere una bussola che non risenta dellâ€™errore di planaritÃ della stessa rispetto al piano terrestre. In pratica, ciÃ² viene ottenuto scegliendo opportunamente il rapporto fra l'area delle porzioni inclinate 15 e l'area delle porzioni planari (porzioni 12, 13).

In tal modo, diventa ininfluente lâ€™inclinazione del sensore magnetoresistivo a ponte rispetto allâ€™asse lungo cui Ã ̈ diretta la componente del campo magnetico cui il sensore stesso Ã ̈ dedicato. Inoltre, nel caso di sensori sensibili rispettivamente a campi magnetici nelle direzioni X e Y, non Ã ̈ necessario utilizzare un terzo sensore apposito per la direzione Z e la relativa elettronica per la compensazione delle variazioni dei segnali in X e Y in caso di movimenti del sensore magnetoresistivo a ponte rispetto al piano orizzontale (movimenti di "tilting").

Tale proprietÃ viene sfruttata ad esempio per la realizzazione di una bussola elettronica 200 insensibile a rotazioni rispetto al piano XY, come mostrato in Figura 12.

In dettaglio, la bussola elettronica 200 comprende un sensore magnetoresistivo 201 formato da due ponti di Wheatstone 202a, 202b (del tipo mostrato in figura 4), formati rispettivamente da resistori 10 e da resistori 11 e realizzati come mostrato in figura 5.

Le uscite del sensore magnetoresistivo 201 sono fornite ad uno stadio amplificatore 203, che effettua anche l'eliminazione dell'offset e quindi ad uno stadio di calcolo 204 che determina l'angolo di zenit Î± in base all'equazione:

Î± = arctan Hy

Hx

La fabbricazione e l'assemblaggio della bussola elettronica 200 sono quindi considerevolmente semplificati, con conseguente riduzione dei costi associati.

Risulta infine chiaro che sensore all'elemento magnetoresistivo, al sensore e al processo qui descritti ed illustrati possono essere apportate numerose modifiche e varianti, tutte rientranti nellâ€™ambito del concetto inventivo, come definito nelle rivendicazioni allegate. Ad esempio, le strisce magnetoresistive 10, 11 potrebbero essere realizzate su una regione sporgente 27 ricavata in un recesso 28 della superficie planare 22, come mostrato per il magnetoresistore 10 di figura 13 o su una sporgenza 29 della stessa superficie planare 22, come mostrato in figura 14. In entrambi i casi, la porzione centrale 13 Ã ̈ formata sulla porzione superiore planare della sporgenza 27, 29, estendentesi parallelamente rispetto alla superficie superiore 22 del substrato 20. Inoltre, o in alternativa, le porzioni di estremitÃ 12 o la porzione centrale 13 potrebbero mancare (strisce magnetoresistive 10' nelle figure 13 e 14 e striscia magnetoresistiva 10â€³ in figura 14).

Il sensore magnetico descritto puÃ² inoltre essere utilizzato come cappuccio protettivo di un sensore inerziale, permettendo in tal modo di ottenere un risparmio di spazio, come mostrato nelle figure 15-18.

Ad esempio, una prima fetta 40 di materiale semiconduttore, alloggiante sensori inerziali 41 (ad esempio accelerometri, giroscopi) puÃ² essere incollata (â€³bondedâ€³) ad una seconda fetta 50 in cui sono realizzati sensori magnetici 201, come mostrato in figura 15. Le due fette possono essere collegate tramite regioni conduttive 42 (ad esempio regioni metalliche), per riportare i contatti sul piano del sensore inerziale 41. In alternativa, figura 16, se i sensori magnetici 201 non sono affacciati alla prima fetta 40, possono essere previste connessioni passanti 43.

Secondo una diversa forma di realizzazione, i sensori magnetici 201 possono essere fissati ad una prima fetta 40 tramite la tecnica chip-wafer bonding, mostrata in figura 17. In questo caso, i sensori magnetici 201 sono giÃ tagliati in modo da formare chip 55 e vengono posizionati usando una macchina pick-andplace e successivamente incollati tramite le regioni conduttive 42. In seguito, viene tagliata (â€³dicedâ€³) solo la prima fetta 40.

L'incollaggio puÃ² avvenire utilizzando qualsiasi materiale adesivo o metallico o anche sfruttando una qualsivoglia reazione silicio-silicio, nel qual caso le regioni conduttive 42 possono mancare.

Eventualmente, le cavitÃ 30, 31 in cui sono formate le strisce di materiale magnetoresistivo 10 possono essere rese piÃ¹ profonde, al fine di garantire lo spazio necessario per il movimento del sensore inerziale 41, come mostrato in figura 18.

Claims

RIVENDICAZIONI 1. Elemento magnetoresistivo, comprendente una striscia (10, 11) di materiale magnetoresistivo formata su un substrato (20) di materiale semiconduttore avente una superficie superiore (22), detta striscia (10, 11) comprendendo almeno una porzione planare (12, 13) estendentesi parallelamente a detta superficie superiore (22), caratterizzato dal fatto che detto substrato (20) presenta una parete inclinata (33) rispetto a detta superficie superiore (22) e detta striscia (10, 11) comprende inoltre almeno una porzione trasversale (15) estendentesi su detta parete inclinata (33), trasversalmente a detta superficie superiore (22).
2. Elemento magnetoresistivo secondo la rivendicazione 1, in cui detta parete inclinata (33) si estende all'incirca a 54°±10% rispetto a detta superficie superiore (22).
3. Elemento magnetoresistivo secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui detta superficie superiore (22) presenta un incavo (30, 31; 28) definente detta parete inclinata (33) ed una parete di fondo (32) sostanzialmente parallela a detta superficie superiore (22), detto incavo delimitando una porzione planare della superficie superiore (22), in cui detta porzione planare (13) della striscia (10, 11) si estende su detta superficie di fondo (32) o detta porzione planare della superficie superiore (22).
4. Elemento magnetoresistivo secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui detta superficie superiore (22) presenta un incavo (30, 31) avente una superficie di fondo (32) e due pareti inclinate (33) raccordanti detta parete di fondo (32) a detta superficie superiore (22), detta porzione planare (13) estendendosi su detta parete di fondo, in cui detta striscia (10, 11) comprende due porzioni di estremitÃ (12), estendentisi su detta superficie superiore (22) e due porzioni trasversali (15), estendentisi fra detta porzione planare (13) e dette porzioni di estremitÃ (12), lungo dette pareti inclinate (33).
5. Elemento magnetoresistivo secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui detta superficie superiore (22) presenta una porzione sporgente (29) definente detta parete inclinata (33) ed una parete planare parallela a detta superficie superiore (22) e in cui detta porzione planare (12, 13) Ã ̈ formata su detta porzione sporgente (29) o su detta superficie superiore.
6. Sensore magnetoresistivo, caratterizzato dal fatto di comprendere una prima pluralitÃ di elementi magnetoresistivi (10) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-5, in cui le strisce di detti elementi magnetoresistivi di detta prima pluralitÃ (10) sono disposte parallelamente ad una prima direzione e sono collegate a ponte di Wheatstone per il rilevamento di un campo magnetico parallelo a detta superficie superiore (22) e perpendicolare a detta prima direzione.
7. Sensore magnetoresistivo secondo la rivendicazione 6, comprendente una seconda pluralitÃ di detti elementi magnetoresistivi (11), in cui le strisce di detti elementi magnetoresistivi (11) di detta seconda pluralitÃ sono disposte parallelamente ad una seconda direzione, perpendicolare alla prima direzione, e sono collegate a ponte di Wheatstone per il rilevamento di un campo magnetico parallelo a detta superficie superiore (22) e a detta prima direzione.
8. Sensore magnetoresistivo secondo la rivendicazione 7, in cui detta porzione planare (12, 13) e detta porzione trasversale (15) presentano ciascuna una rispettiva area, il rapporto fra l'area della porzione trasversale (15) e l'area della porzione planare (12, 13) essendo scelto in modo da rendere detto sensore insensibile a campi magnetici diretti in una terza direzione, perpendicolare a dette prima e seconda direzione.
9. Sensore magnetoresistivo secondo una qualsiasi delle rivendicazione 6-8, in cui detto substrato (20) forma un cappuccio protettivo di un sensore inerziale (41) formato in una fetta (40) di materiale semiconduttore incollata a detto substrato.
10. Bussola elettronica (200), comprendente un sensore magnetoresistivo (201) secondo la rivendicazione 7, ed un'unitÃ di calcolo (204), collegata a detto sensore magnetoresistivo e calcolante l'angolo di una componente di campo magnetico parallela a detta superficie superiore (22).
11. Procedimento di fabbricazione di un elemento magnetoresistivo, comprendente le fasi di: realizzare un substrato (20) di materiale semiconduttore avente una superficie superiore (22); e realizzare almeno una striscia (10, 11) di materiale magnetoresistivo su detto substrato, caratterizzato dal fatto di comprendere le fasi di: realizzare una parete inclinata (33) estendentesi trasversalmente a detta superficie superiore (22); e formare una porzione trasversale (15) di detta striscia (10, 11) su detta parete inclinata (33).
12. Procedimento secondo la rivendicazione 11, in cui detta fase di realizzare una parete inclinata (33) comprende formare uno scavo (30, 31) in detto substrato (20).
13. Procedimento secondo la rivendicazione 12, in cui la fase di formare uno scavo (30, 31) comprende attaccare usando TMAH (tetrametilammonioidrossido).
14. Procedimento secondo la rivendicazione 12 o 13, comprendente: depositare una maschera (23) avente almeno una finestra (24) a forma di striscia estendentesi in parte al di sopra di detto scavo (30, 31) e in parte al di sopra di detta superficie superiore (22); depositare uno strato magnetoresistivo (25) al di sopra di detta maschera (23) e in detto scavo (30, 31), in cui porzioni a forma di striscia (10, 11) di detto strato magnetoresistivo penetrano in detta finestra (24); e rimuovere tramite liftoff detta maschera (23) e detto strato magnetoresistivo (25) ad eccezione di dette porzioni a forma di striscia (10, 11) di detto strato magnetoresistivo.
15. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 11-14, in cui detto strato magnetoresistivo (25) Ã ̈ di una lega di Fe-Ni, preferibilmente del materiale chiamato "permalloy".