ITTO20080619A1 - Dispositivo a struttura multistrato a transizione verticale tra una microstriscia ed una stripline - Google Patents
Dispositivo a struttura multistrato a transizione verticale tra una microstriscia ed una striplineInfo
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Description
DESCRIZIONE
“DISPOSITIVO A STRUTTURA MULTISTRATO A TRANSIZIONE VERTICALE TRA UNA MICROSTRISCIA ED UNA STRIPLINEâ€
La presente invenzione à ̈ relativa La presente invenzione à ̈ relativa ad un dispositivo a struttura multistrato a transizione verticale tra una microstriscia ed una “stripline†, in particolare per segnali ad alta frequenza.
L’ottimizzazione dello spazio nei circuiti stampati (PCB, “Printed Circuit Boards†) riveste un ruolo estremamente importante e critico. A questo fine à ̈ comune utilizzare strutture con architettura multistrato (“multilayer†) comprendenti una pluralità di substrati sovrapposti, in cui componenti e circuiti elettronici sono realizzati nei vari substrati, e linee di trasmissione collegano elettricamente tra loro tali componenti e circuiti.
Architetture multistrato sono ampiamente utilizzate in circuiti stampati per applicazioni in corrente continua (DC) o a bassa frequenza.
Alcune delle strutture conduttive più utilizzate come linee di trasmissione in architetture multistrato di questo tipo sono le linee di trasmissione a microstriscia e le linee di trasmissione a stripline.
Le linee di trasmissione a microstriscia sono costituite da una pista conduttiva, ad esempio metallica di tipo planare, disposta su una prima faccia di un substrato di materiale dielettrico a formare una striscia conduttiva, e da un piano di massa, anch’esso metallico disposto su una seconda faccia, opposta alla prima, del substrato. In questo modo il substrato separa la pista conduttiva dal piano di massa. In modo noto, la propagazione di un segnale in una linea di trasmissione a microstriscia avviene secondo una perturbazione del modo fondamentale TEM (“Transversal ElectroMagnetic†), detta “quasi TEM†.
Le linee di trasmissione a stripline possono essere considerate come linee di trasmissione a microstriscia dotate di un secondo piano di massa, metallico, separato dalla pista conduttiva tramite un secondo substrato dielettrico, solitamente avente valore di permittività relativa uguale a quello del substrato che separa la pista conduttiva dall’altro piano di massa. La pista conduttiva à ̈ quindi racchiusa tra due piani di massa e separata da questi mediante rispettivi substrati. In modo noto, la propagazione di un segnale in una linea di trasmissione a stripline avviene secondo il modo TEM.
Le linee di trasmissione a stripline risultano vantaggiose rispetto alle linee di trasmissione a microstriscia in quanto consentono un buon confinamento dei campi elettromagnetici, ma non sono tuttavia adatte per essere connesse con dispositivi a stato solido realizzati sulla superficie dei substrati. Questo tipo di connessione à ̈ invece realizzabile mediante le linee di trasmissione a microstriscia.
Implementando opportune transizioni verticali per realizzare un collegamento tra linee di trasmissione a microstriscia e linee di trasmissione a stripline, garantendo così la propagazione dei segnali, un dispositivo a struttura multistrato permette di unire i vantaggi di entrambe le linee di trasmissione.
Linee di trasmissione a microstriscia e/o stripline realizzate in strati differenti di una dispositivo a struttura multistrato sono solitamente collegate elettricamente tra loro mediante rispettivi fori passanti (nel seguito “via hole†), realizzati attraverso i substrati sovrapposti.
Negli ultimi anni sta riscuotendo grande interesse l’impiego di linee di trasmissione a microstriscia e stripline in architetture multistrato per circuiti ad alta frequenza (ad esempio radiofrequenza). Tuttavia, quando la lunghezza d’onda del segnale trasportato da una linea di trasmissione à ̈ paragonabile alle dimensioni della linea di trasmissione stessa, le tecniche di analisi e progetto a parametri concentrati utilizzate per circuiti in DC o a bassa frequenza devono essere sostituite con tecniche di analisi e progetto a parametri distribuiti, per far fronte alle problematiche di progetto dovute alle alte frequenze utilizzate. In particolare, numerosi problemi di dispersione, attenuazione, reiezione dei segnali ad alta frequenza trasportati sorgono a livello delle interconnessioni, come detto realizzate mediante via hole, tra linee di trasmissione disposte in strati differenti.
Scopo della presente invenzione à ̈ quello di realizzare un dispositivo a struttura multistrato a transizione verticale esente dagli inconvenienti sopra descritti, ed in particolare che ottimizzi l’accoppiamento tra una linea di trasmissione a microstriscia ed una linea di trasmissione a stripline per segnali ad alta frequenza.
Secondo la presente invenzione viene realizzato un dispositivo a struttura multistrato a transizione verticale tra una microstriscia ed una stripline, come definito nella rivendicazione 1.
Per una migliore comprensione della presente invenzione viene ora descritta una forma di realizzazione preferita, a puro titolo di esempio non limitativo e con riferimento ai disegni allegati, nei quali:
- la figura 1 mostra una vista in sezione laterale di un dispositivo a struttura multistrato a transizione verticale secondo un aspetto della presente invenzione;
- la figura 2 mostra una vista dall’alto schematica di una linea di trasmissione in microstriscia e di una linea di trasmissione a stripline del dispositivo di figura 1, interconnesse tra loro secondo un aspetto della presente invenzione; e
- la figura 3 mostra graficamente l’andamento delle perdite di inserzione e di adattamento nel dispositivo a struttura multistrato di figura 1 e 2.
In figura 1 à ̈ indicato con 1, nel suo insieme, un dispositivo a struttura multistrato, comprendente una linea di trasmissione a microstriscia 2 ed una linea di trasmissione a stripline 3. In dettaglio, la linea di trasmissione a microstriscia 2 comprende: una prima pista conduttiva 5 destinata al trasporto di segnali ad alta frequenza, realizzata in materiale metallico, ad esempio in rame con spessore pari a 18Î1⁄4m e finitura in oro elettrolitico con spessore pari a 3Î1⁄4m; un primo substrato 6, di materiale dielettrico, ad esempio una termoplastica semicristallina avente uno spessore h1 pari a 25 mils (0,625 mm) e costante dielettrica er1pari a 9.9; ed un primo piano di massa 7, realizzato in materiale metallico, ad esempio in rame con spessore pari a 18Î1⁄4m e finitura in oro elettrolitico con spessore pari a 3Î1⁄4m. La prima pista conduttiva 5 à ̈ disposta su una prima superficie 6a del primo substrato 6, accessibile dall’esterno, ed il primo piano di massa 7 à ̈ disposto su una seconda superficie 6b, opposta alla prima superficie 6a del primo substrato 6 ed interna alla struttura multistrato.
La linea di trasmissione a stripline 3 comprende: una seconda pista conduttiva 10, realizzata in materiale metallico, ad esempio in rame con spessore pari a 18Î1⁄4m e finitura in oro elettrolitico con spessore pari a 3Î1⁄4m, ed anch’essa destinata al trasporto dei segnali ad alta frequenza; un secondo substrato 8, di materiale dielettrico e con spessore h2 ad esempio pari a 60 mils (1,5 mm) e costante dielettrica er2pari a 2.17; un terzo substrato 11, anch’esso di materiale dielettrico, avente uno spessore h3 ad esempio pari a 15 mils (0,375 mm) ed una costante dielettrica er3pari a 9.9; ed un secondo piano di massa 12, anch’esso realizzato in materiale metallico, ad esempio in rame con spessore pari a 18Î1⁄4m e finitura in oro elettrolitico con spessore pari a 3Î1⁄4m. La linea di trasmissione a stripline 3 condivide inoltre con la linea di trasmissione a microstriscia 2 il primo piano di massa 7. La seconda pista conduttiva 10 à ̈ disposta tra il secondo substrato 8 ed il terzo substrato 11, ed il secondo piano di massa 12 à ̈ separato dalla seconda pista conduttiva 10 dal terzo substrato 11.
In particolare, il dispositivo a struttura multistrato 1 à ̈ detto di tipo asimmetrico, poiché il secondo ed il terzo substrato 8, 11 hanno differenti spessore e costante dielettrica. La struttura asimmetrica, in cui il terzo substrato 11 presenta spessore minore rispetto al secondo substrato 8, consente di avere una distribuzione non uniforme delle linee di campo elettromagnetico ed una efficienza di accoppiamento dei segnali ad alta frequenza trasportati dalla seconda pista conduttiva 10 maggiore verso il terzo substrato 11 rispetto al secondo substrato 8.
Tale effetto risulta vantaggioso in applicazioni particolari, ad esempio nel caso in cui, come mostrato in figura 1, si utilizzi la linea di trasmissione a stripline 3 per alimentare delle antenne patch 15, disposte su una superficie esterna di un quarto substrato 14 che le separa dal secondo piano di massa 12, in un circuito a radiofrequenza (RF). In questa particolare applicazione occorre infatti massimizzare l’efficienza di accoppiamento della linea di trasmissione a stripline 3 verso le antenne patch 15.
Il dispositivo a struttura multistrato 1 favorisce dunque l’accoppiamento verso il terzo substrato 11, penalizzando quello verso il secondo substrato 8 e di conseguenza verso la prima pista conduttiva 5 della linea di trasmissione a microstriscia 2.
Al fine di massimizzare anche l’accoppiamento tra la linea di trasmissione a stripline 3 e la linea di trasmissione a microstriscia 2, un aspetto della presente invenzione prevede la realizzazione di una struttura di connessione configurata in modo tale da creare una struttura risonante alla frequenza operativa dei segnali ad alta frequenza trasportati (ad esempio compresa nella banda di frequenze 7.25GHz – 7.75GHz, cioà ̈ la banda X di ricezione delle stazioni di terra per sistemi di telecomunicazione via satellite).
In dettaglio, vengono realizzate una prima interconnessione 20, comprendente un primo ed un secondo via hole 20a e 20b, ed una seconda interconnessione 21, comprendente un terzo ed un quarto via hole 21a e 21b. Le distanze tra i via hole della prima e della seconda interconnessione 20, 21 sono scelte in modo tale da generare condizioni di risonanza per segnali transitanti in una rispettiva tra la linea di trasmissione a microstriscia 2 e la linea di trasmissione a stripline 3 ed aventi frequenze prefissate.
Infatti, per mezzo della prima e della seconda interconnessione 20, 21 (e quindi le coppie di via hole 20a-20b e 21a-21b) si realizza un accoppiatore tra la prima e la seconda pista conduttiva 5, 10, la cui struttura risonante consente di avere il massimo trasferimento di segnale ed un eccellente adattamento di impedenza alla frequenza di risonanza.
La prima e la seconda interconnessione 20, 21 sono realizzate forando il primo ed il secondo substrato 6, 8 ed il primo piano di massa 7, in modo da mettere in contatto la prima e la seconda pista conduttiva 5, 10. Uno strato di rivestimento 22, di materiale metallico, ad esempio oro, à ̈ depositato sulle pareti interne del primo, secondo, terzo e quarto via hole 20a, 20b, 21a, 21b, in modo da creare un contatto elettrico tra la prima e la seconda pista conduttiva 5, 10. È inoltre opportuno non creare un contatto elettrico diretto tra lo strato di rivestimento 22 interno ai via hole 20a, 20b, 21a, 21b ed il primo piano di massa 7. A tal fine, durante il processo di realizzazione del dispositivo a struttura multistrato 1, à ̈ opportuno creano sul primo piano di massa 7 aree circolari prive di metallizzazione (non mostrate) attraverso le quali i via hole 20a, 20b, 21a, 21b possano attraversare il piano di massa evitando il contatto elettrico con esso.
La figura 2 mostra una vista dall’alto della prima e della seconda pista conduttiva 5, 10 e dei via hole 20a, 20b, 21a, 21b che realizzano la prima e la seconda interconnessione 20, 21.
La prima pista conduttiva 5 ha, in vista dall’alto, una larghezza WM pari a (0.6mm), mentre la seconda pista conduttiva ha, in vista dall’alto, una larghezza WS pari a (1.2mm). I via hole 20a, 20b, 21a, 21b sono vantaggiosamente realizzati di sezione circolare, di diametro d1 pari, ad esempio, a (0.65mm) e diametro d2, ottenuto in seguito al deposito dello strato di rivestimento 22, pari, ad esempio, a (1,3mm). Inoltre, si indica con L1 la distanza tra il primo ed il secondo via hole 20a, 20b della prima interconnessione 20, e con L2 la distanza tra il terzo ed il quarto via hole 21a, 21b della seconda interconnessione 21.
La condizione di risonanza per la prima e seconda pista conduttiva 5, 10 si realizza quando tra le distanze L1 e L2 e le lunghezze d’onda effettive l1, l2delle linee di trasmissione a microstriscia 2 e a stripline 3 si verifica la seguente relazione:
L1= n·l1/4 e L2= n·l2/4
in cui n à ̈ un numero intero qualsiasi. Tuttavia, a fini realizzativi e per semplicità di progetto, à ̈ conveniente utilizzare un valore di n pari a 1.
In particolare, poiché la lunghezza d’onda effettiva
l1della linea di trasmissione a microstriscia 2 Ã ̈ diversa
dalla lunghezza d’onda effettiva l2della linea di
trasmissione a stripline 3, la distanza L1tra i via hole
20a e 20b, e la distanza L2tra i via hole 21a e 21b
presentano un valore differente.
In maggiore dettaglio, in una linea di trasmissione,
la lunghezza d’onda effettiva l à ̈ data dalla seguente
formula (1):
l
l =<0>, (1)
eeff
dove eeffà ̈ la costante dielettrica effettiva e dipende
dalla costante dielettrica del materiale di cui à ̈
costituito il substrato e dalle caratteristiche geometriche
della linea di trasmissione, e l0à ̈ la lunghezza d’onda
nello spazio libero del segnale transitante sulla linea di
trasmissione, ed à ̈ data dalla formula (2):
c
l0= , (2)
f
essendo c la velocità della luce nel vuoto ed f la
frequenza operativa, ad esempio la frequenza centrale della
banda di utilizzo della dispositivo a struttura multistrato
1 (pari a 7.5 GHz nel caso della suddetta banda di
frequenze 7.25GHz – 7.75GHz). Sostituendo l0nella formula
(1), si ottiene:
c
l = . (3)
f × eeff
Pertanto, la distanza L1tra il primo ed il secondo
via hole 20a e 20b per avere condizioni di risonanza nella
linea di trasmissione a microstriscia 2 Ã ̈ data da
(supponendo n=1):
cL<1>=
4× f × eeff1 (4)
dove eeff1Ã ̈ la costante dielettrica effettiva relativa al
primo substrato 6; mentre la distanza L2tra il terzo ed il
quarto via hole 21a e 21b per avere condizioni di risonanza
nella linea di trasmissione a stripline 3 Ã ̈ data da
(supponendo n=1):
cL<2>= . (5)
4× f × eeff2
dove eeff2Ã ̈ la costante dielettrica effettiva relativa al
secondo substrato 8.
Imponendo un valore prefissato, ad esempio 50W, per
l’impedenza caratteristica Z0della prima e della seconda
interconnessione 20, 21 vista, rispettivamente, dalla prima
e dalla seconda pista conduttiva 5, 10 Ã ̈ possibile
dimensionare entrambe le linee di trasmissione a
microstriscia e a stripline 2, 3 e ricavare il valore delle
costanti dielettriche effettive eeff1e eeff2.
In modo noto, l’impedenza caratteristica Z0à ̈ funzione
della costante dielettrica nel mezzo, dei parametri
geometrici della pista conduttiva considerata (WMe h1 per
la linea di trasmissione a microstriscia 2 e WSe h2 per la linea di trasmissione a stripline 3) e della frequenza operativa utilizzata.
In dettaglio, l’impedenza caratteristica della linea di trasmissione a microstriscia 2 à ̈ data da:
ì 60 æ
ln<8h>1 WM ö
à ̄
à ̄ε çç÷÷
= Ã eff1 Ã ̈ WM 4h
Z 1
0 Ã ̧
à ̄ 120Ï€ se WM/h1£1<à ̄>î εeff1[WM/h1+1.393+0.667ln (WM/h1 1.444 ) ]
(6) se WM/h2³1
dove la costante dielettrica effettiva eeff1Ã ̈ data da:
ε
εr1 1 εr1 -1 1
<eff1>= × (7) 2 2 1 12h1/WM
dove er1Ã ̈ la costante dielettrica del primo substrato 6.
È possibile definire in modo analogo l’impedenza caratteristica della linea di trasmissione a stripline 3:
30Ï€ h
Z<0>= × 2 (8)
εeff2We+0.441 ×h2
dove:
We W S ì 0 se W<S>/ h >0.35
= - 2
à (9)
h h2 î(0.2
235 -W S / h2) se W S / h 2 <0.35
Mediante le formule (6)-(9) à ̈ quindi possibile determinare, a partire da un dato dimensionamento delle linee di trasmissione a microstriscia e a stripline 2, 3, i valori delle costanti dielettriche effettive eeff1ed eeff2e, per sostituzione dei valori di eeff1ed eeff2così calcolati nelle formule (4) e (5), à ̈ possibile calcolare le distanze L1e L2per realizzare condizioni di risonanza sia per la linea di trasmissione a microstriscia 2 che per quella a stripline 3.
Ad esempio, utilizzando il dispositivo a struttura multistrato 1 di figura 1, il valore delle distanze L1 e L2 Ã ̈ pari, rispettivamente, a (3.8mm) e (7.7mm).
Da un esame delle caratteristiche del dispositivo a struttura multistrato realizzato secondo la presente invenzione sono evidenti i vantaggi che essa consente di ottenere.
In particolare, il grafico in figura 3 mostra l’andamento delle curve delle perdite di inserzione 30 e di adattamento 31 del dispositivo a struttura multistrato 1 operante nella banda di frequenze 7.25GHz-7.75GHz, dunque con frequenza centrale di progetto pari a 7.5GHz. Come si può osservare, il dispositivo a struttura multistrato 1 presenta basse perdite di adattamento su tutta la banda di frequenza considerata, con un minimo per la frequenza centrale di progetto, dove le perdite di adattamento raggiungono un minimo di circa –35 dB. Inoltre, anche le perdite di inserzione presentano un ridotto valore su tutta la banda, di circa –1 dB.
Il dispositivo a struttura multistrato 1 risulta quindi essere vantaggioso in tutti i casi in cui sia necessario interconnettere tra loro piste conduttive di linee di trasmissione disposte su strati diversi di una struttura multistrato, ottenendo ottime prestazioni sia intermini di perdita di inserzione che di adattamento su tutta la banda di utilizzo, in particolar modo per applicazioni ad alta frequenza.
La struttura descritta à ̈ ad esempio vantaggiosa in circuiti a radiofrequenza in cui sia necessario alimentare gli elementi radianti di una schiera di antenne e/o prelevarne un segnale da essi ricevuto. In tal caso, occorre alimentare gli elementi radianti mediante segnali opportunamente sfasati tra di loro in modo tale da consentire l’orientamento desiderato del fascio irradiato. Dato il numero elevato di linee a radiofrequenza (pari al numero di elementi radianti dell’antenna) à ̈ estremamente vantaggioso impiegare la struttura multistrato in cui si utilizza la linea di trasmissione a stripline per realizzare la rete di alimentazione degli elementi di antenna (“feed line network†) e ricombinare/dividere il segnale a radiofrequenza. In particolare, risulta possibile effettuare una transizione con perdite ridotte dalla linea di trasmissione a stripline alla linea di trasmissione a microstriscia (e viceversa), a cui sono collegati gli elementi attivi (ad esempio amplificatori a bassi rumore e amplificatori di potenza) richiesti per le operazioni di ricezione e trasmissione.
Risulta infine chiaro che al dispositivo a struttura multistrato 1 qui descritto ed illustrato possono essere apportate modifiche e varianti senza per questo uscire dall’ambito protettivo della presente invenzione.
In particolare, nel caso in cui l’interconnessione avvenga tra linee di trasmissione dello stesso tipo e quindi con una stessa lunghezza d’onda effettiva l, la condizione di risonanza à ̈ altresì verificata utilizzando una singola coppia di via hole, ad esempio realizzando esclusivamente la prima interconnessione 20.
Inoltre, con riferimento alla figura 2, à ̈ possibile disporre un elemento di adattamento (“stub†) 25 sulla prima pista conduttiva 5, al fine di limitare ulteriormente le perdite di ritorno in ingresso.
Il dispositivo a struttura multistrato 1 può avere un numero diverso, rispetto a quello mostrato in figura 1, di substrati e di linee di trasmissione, e ciascun substrato può inoltre avere uno spessore diverso da quelli indicati.
Infine, la linea di trasmissione a stripline 3 può essere di tipo simmetrico (cioà ̈ con il secondo ed il terzo substrato 8, 11 aventi uguale spessore e costante dielettrica), ed il dispositivo a struttura multistrato 1 può essere utilizzato per applicazioni differenti da quella illustrata.
Claims (11)
- RIVENDICAZIONI 1. Dispositivo a transizione verticale (1), comprendente: una pluralità di strati sovrapposti, definenti una prima (2) ed una seconda (3) linea di trasmissione, detta prima linea di trasmissione (2) includendo una prima pista conduttiva (5) e detta seconda linea di trasmissione (3) includendo una seconda pista conduttiva (10); ed una struttura di connessione elettrica (20, 21) estendentesi verticalmente attraverso uno o più di detti strati sovrapposti e realizzante il collegamento tra detta prima pista conduttiva (5) e detta seconda pista conduttiva (10), caratterizzato dal fatto che detta struttura di connessione elettrica (20, 21) à ̈ configurata in modo da generare una condizione di risonanza per un segnale transitante in detta prima (5) e/o seconda (10) pista conduttiva ed avente una frequenza selezionata in una banda di frequenze prefissate.
- 2. Dispositivo a transizione verticale secondo la rivendicazione 1, in cui detta struttura di connessione elettrica (20, 21) comprende un primo ed un secondo elemento di interconnessione (20a, 20b) colleganti tra loro la prima e la seconda pista conduttiva (5, 10), il primo ed il secondo elemento di interconnessione (20a, 20b) essendo disposti ad una prima distanza (L1) tale da generare detta condizione di risonanza.
- 3. Dispositivo a transizione verticale secondo la rivendicazione 2, in cui detta prima distanza (L1) à ̈ pari ad un quarto di una lunghezza d’onda effettiva (l1, l2) o ad un multiplo di un quarto di lunghezza d’onda effettiva (l1, l2) di detta prima (5) e/o seconda (10) pista conduttiva.
- 4. Dispositivo a transizione verticale secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui detta prima linea di trasmissione (2) comprende un primo substrato (6) a cui à ̈ accoppiata detta prima pista conduttiva (5), e detta seconda linea di trasmissione (3) comprende un secondo substrato (8), verticalmente sovrapposto a detto primo substrato (6), a cui à ̈ accoppiata detta seconda pista conduttiva (10); detti primo e secondo elemento di interconnessione essendo fori passanti (20a, 20b) realizzati attraverso detti primo e secondo substrato (6, 8).
- 5. Dispositivo a transizione verticale secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 2-4 quando dipendenti dalla rivendicazione 2, in cui dette prima e seconda linea di trasmissione (2, 3) presentano differenti lunghezze d’onda effettive (l1, l2); e comprendente inoltre un terzo ed un quarto elemento di interconnessione (21a, 21b) colleganti tra loro la prima e la seconda pista conduttiva (5, 10), il primo ed il secondo elemento di interconnessione (20a, 20b) essendo disposti ad una prima distanza (L1) tale da generare una condizione di risonanza per un segnale transitante in detta prima pista conduttiva (5), ed il terzo ed il quarto elemento di interconnessione (21a, 21b) essendo disposti ad una seconda distanza (L2) tale da generare una condizione di risonanza per un segnale transitante in detta seconda pista conduttiva (10).
- 6. Dispositivo a transizione verticale secondo la rivendicazione 5, in cui detta prima distanza (L1) à ̈ pari ad un multiplo di un quarto di una lunghezza d’onda effettiva (l1) di detta prima (5) pista conduttiva, e detta seconda distanza (L2) à ̈ pari ad un quarto di una lunghezza d’onda effettiva (l2) o ad un multiplo di un quarto di lunghezza d’onda effettiva (l2) di detta seconda pista conduttiva (10).
- 7. Dispositivo a transizione verticale secondo la rivendicazione 6, in cui detta prima linea di trasmissione (2) à ̈ una linea a microstriscia e comprende: un primo substrato (6) a cui à ̈ accoppiata detta prima pista conduttiva (5), ed un primo piano conduttivo di riferimento (7), sovrapposto a detto primo substrato (6); e detta seconda linea di trasmissione (3) à ̈ una linea a stripline e comprende: un secondo substrato (8), verticalmente sovrapposto a detto primo piano conduttivo di riferimento (7) e a cui à ̈ accoppiata detta seconda pista conduttiva (10), un terzo substrato (11) sovrapposto a detta seconda pista conduttiva (10), ed un secondo piano conduttivo di riferimento (12) sovrapposto a detto terzo substrato (11); detti primo, secondo, terzo e quarto elemento di interconnessione essendo fori passanti (20a, 20b, 21a, 21b) realizzati attraverso detti primo e secondo substrato (6, 8) e detto primo piano conduttivo di riferimento (7).
- 8. Dispositivo a transizione verticale secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui detta banda di frequenze prefissate comprende alte frequenze, in particolare radiofrequenze, ancora più in particolare frequenze comprese tra 7.25 GHz e 7.75 GHz.
- 9. Dispositivo a transizione verticale secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la prima linea di trasmissione (2) comprende inoltre uno stub di adattamento (25) accoppiato alla prima pista conduttiva (5), e configurato in modo da minimizzare le perdite di ritorno su detta prima pista conduttiva (5).
- 10. Dispositivo a transizione verticale secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui detta seconda linea di trasmissione (3) Ã ̈ elettromagneticamente accoppiata ad almeno un elemento di antenna (15).
- 11. Circuito a radiofrequenza, comprendente un elemento di antenna (15) ed un dispositivo a transizione verticale (1) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, accoppiato elettricamente a detto elemento di antenna (15).
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