ITBS20090091A1 - Dispositivo di test per verificare la robustezza di circuiti o dispositivi elettronici - Google Patents

Description

DESCRIZIONE

La presente invenzione si riferisce alle tecniche per verificare l’affidabilità di circuiti o dispositivi elettronici e riguarda in particolare un dispositivo di test per verificare la robustezza di circuiti o dispositivi elettronici (Device Under Test, da qui in avanti denominati per brevità “DUT†) nei confronti di sovrasollecitazioni elettriche (Electrical Overstresses, da qui in avanti denominate per brevità “EOS†), ad esempio indotte da transitori di sistema che si possono verificare durante il funzionamento del circuito o dispositivo elettronico.

Come à ̈ noto, le sovrasollecitazioni elettriche sono una causa costante di guasto per i circuiti integrati. Si stima che circa il 40% dei guasti riscontrati nei circuiti integrati possono essere attribuiti a fenomeni o eventi EOS.

In particolare, per i dispositivi a semiconduttore, gli eventi EOS comprendono un’ampia gamma di sollecitazioni di natura elettrica dovute, ad esempio, ad impulsi elettromagnetici (Electromagnetic Pulses o EMP), transitori di sistema di varia natura (cosiddetti spikes di sovratensione sulle linee di alimentazione e di ingresso/uscita) e scariche elettrostatiche (Electrostatic Discharges o ESD). In particolare, eventi appartenenti a quest’ultima tipologia di EOS si manifestano con durate temporali comprese tra 1 nanosecondo ed 1 microsecondo e prevalentemente durante le fasi di fabbricazione e di manipolazione, quando cioà ̈ il dispositivo non à ̈ sottoposto a polarizzazione elettrica.

Gli eventi EOS qui considerati appartengono alla famiglia dei transitori di sistema (sulle linee di alimentazione e di ingresso/uscita). In termini temporali, questi particolari eventi possono essere definiti come fenomeni di sovratensioni o di sovracorrente con una durata compresa tra 1 microsecondo ed 1 millisecondo che si manifestano durante il funzionamento applicativo del dispositivo.

Scopo della presente invenzione à ̈ quella di proporre una dispositivo in grado di testare il comportamento di circuiti o dispositivi elettronici (DUT) nei confronti di sovrasollecitazioni elettriche (EOS), al fine di valutare la robustezza/sensibilità di tali circuiti nelle normali condizioni applicative di funzionamento.

Tale scopo à ̈ conseguito con una dispositivo in accordo con la rivendicazione 1. Le rivendicazioni dipendenti descrivono forme di realizzazione preferite o vantaggiose della dispositivo di test.

Le caratteristiche e i vantaggi della dispositivo secondo l’invenzione risulteranno comunque evidenti dalla descrizione di seguito riportata di suoi esempi preferiti di realizzazione, dati a titolo indicativo e non limitativo, con riferimento alle allegate figure, in cui:

- La figura 1 illustra un esempio di un dispositivo di test secondo l’invenzione, in una forma pratica di realizzazione;

- La figura 2 illustra un esempio di forma d’onda di una sovrasollecitazione elettrica (EOS);

- La figura 3 illustra la forma d’onda di un picco di tensione EOS positivo;

- La figura 4 illustra la forma d’onda di un picco di tensione EOS negativo;

- La figura 5 illustra un esempio di una sequenza di prova di EOS;

- La figura 6 Ã ̈ uno schema funzionale a blocchi del dispositivo di test;

- La figura 7 Ã ̈ uno schema a blocchi del solo circuito generatore di EOS;

- La figura 8 Ã ̈ uno schema a blocchi che descrive in maggior dettaglio il circuito generatore di EOS;

- La figura 9 à ̈ uno schema a blocchi del circuito di selezione dei circuiti generatori di EOS, denominato “matrice EOS†;

- La figura 10 Ã ̈ uno schema a blocchi che descrive in maggior dettaglio il blocco matrice EOS;

- La figura 11 Ã ̈ uno schema circuitale del circuito generatore di EOS sulle alimentazioni del DUT;

- Le figure 12 e 13 rappresentano schemi circuitali del circuito generatore di EOS sui segnali dinamici, secondo due forme di realizzazione;

- La figura 14 Ã ̈ uno schema circuitale del circuito generatore di EOS sui segnali di monitoraggio;

- La figura 15 Ã ̈ uno schema circuitale del circuito generatore di EOS sui segnali statici;

- La figura 16 Ã ̈ un esempio di realizzazione di una scheda elettronica di test; e

- Le figure 17 e 18 sono due esempi di circuiti adattatori per testare un DUT in diverse condizioni di stimolo.

Nella figura 1 à ̈ illustrato nel suo complesso un dispositivo di test 10 per testare il comportamento di circuiti o dispositivi elettronici (DUT) nei confronti di sovrasollecitazioni elettriche 1 (Electrical Overstresses, EOS) secondo l’invenzione.

In accordo con una forma generale di realizzazione, il dispositivo di test 10 comprende una scheda elettronica di test 12 ed almeno un circuito adattatore 14, 15 su cui à ̈ applicabile almeno un DUT 16. Il circuito adattatore 14, 15 funge da interfaccia tra il DUT e la scheda elettronica di test 10 in modo da fornire al DUT almeno un segnale di alimentazione elettrica 2 e segnali di stimolo 4 adatti a simulare il funzionamento del DUT in diverse condizioni di utilizzo.

La scheda elettronica di test 12 comprende almeno un primo circuito generatore di EOS 18 applicabili ad almeno un segnale di alimentazione elettrica del DUT, un secondo circuito generatore di EOS 20 applicabili ai segnali di stimolo, ed un circuito di selezione 22, denominato in seguito anche “matrice EOS†, adatto ad attivare alternativamente o contemporaneamente detti circuiti generatori di EOS.

In accordo con una forma di realizzazione, il circuito adattatore 14, 15 Ã ̈ configurato per fornire anche segnali di monitoraggio 24 del comportamento del DUT sottoposto alle sovrasollecitazioni. In questo caso, la scheda elettronica di test comprende un terzo circuito generatore di EOS 19 applicabili a detti segnali di monitoraggio 24. Vantaggiosamente, anche detto terzo circuito generatore 19 Ã ̈ controllato dal circuito di selezione 22.

I segnali di stimolo 4 da sottoporre al DUT in modo da simularne il funzionamento in diverse configurazioni o situazioni di utilizzo possono essere segnali statici e/o dinamici, digitali o analogici. In particolare, vantaggiosamente, le sovrasollecitazione elettriche possono essere applicate in una configurazione di stimolo del DUT con un segnale dinamico sovrapposto ad un segnale statico.

Il dispositivo secondo l’invenzione à ̈ quindi adatto a testare il comportamento dei dispositivi stressati da sovrasollecitazioni elettriche applicate sulle linee di alimentazione e di segnale. Per linee di segnale, su cui si applicano i segnali di stimolo, si intendono in particolare le linee di ingresso/uscita (I/O) 28.

In particolare, tali sovrasollecitazioni elettriche si configurano come segnali impulsivi, denominate anche “Spikes†(v. figure 2 e 5) che simulano eventi transitori e le cui caratteristiche elettriche (ampiezza, larghezza, periodo) sono programmabili e configurabili mediante un’applicazione informatica. Inoltre, tali segnali impulsivi possono essere, rispetto al valore di tensione nominale del DUT, sia positivi sia negativi.

Con riferimento alla figura 3 illustrante i parametri caratteristici di un EOS positivo, un esempio di un impulso EOS presenta le seguenti caratteristiche:

- Ampiezza assoluta (a): da 0V a 60V

- Sotto-elongazione (uv) (rispetto all’ampiezza EOS): 10%;

- Tempo di salita (ts): 2V/µs;

- Tempo di discesa (td): 2V/µs;

- Larghezza impulso (li) sulle alimentazioni (Programmabile): da 5µs a 200µs;

- Larghezza impulso (li) sui segnali (Programmabile):

da 5µs a 500µs;

- Tempo di attesa (ovvero tempo tra il comando di armamento e il fronte di salita dell’EOS in modalità sincrona): 1µs.

Con riferimento alla figura 4 illustrante i parametri caratteristici di un EOS negativo, un esempio di un impulso EOS presenta le seguenti caratteristiche:

- Ampiezza assoluta (a): da 0V a 60V

- Ampiezza relativa (ar): 20V;

- Sovra-tensione (ov) (rispetto all’ampiezza EOS):

10%;

- Tempo di salita (ts): 2V/µs;

- Tempo di discesa (td): 2V/µs;

- Larghezza impulso (li) sulle alimentazioni (Programmabile): da 5µs a 200µs;

- Larghezza impulso (li) sui segnali (Programmabile):

da 5µs a 500µs;

- Tempo di attesa (ovvero tempo tra il comando di armamento e il fronte di salita dell’EOS in modalità sincrona): 1µs.

Vantaggiosamente, gli EOS possono essere sincroni rispetto alla sequenza di stimolo del DUT, oppure asincroni, ad esempio generati in modo causale per mezzo di un computer.

In accordo con una forma preferita di realizzazione, ogni circuito adattatore 14, 15 à ̈ applicabile amovibilmente alla scheda elettronica di test per il tramite di almeno un connettore elettrico 30. Infatti, come verrà meglio descritto in seguito, sulla stessa scheda di test 12 possono essere montati diversi circuiti adattatori 14, 15 per simulare diverse configurazioni di funzionamento, ad esempio statiche e dinamiche, del DUT.

Secondo una forma di realizzazione, il primo circuito generatore di EOS 18 à ̈ configurato in modo tale da iniettare un picco di tensione 1 direttamente sulla linea di alimentazione 6 del DUT. Per questo, vantaggiosamente, tra l’alimentazione e il DUT à ̈ inserito un induttore di protezione 32 del DUT (Figura 11).

Per quanto riguarda invece la generazione di EOS sui segnali di stimolo dinamico 4 e/o di monitoraggio 24, a causa delle elevate frequenze in gioco, la scheda elettronica di test à ̈ provvista di un interruttore 34 adatto a commutare tra detto segnale di stimolo dinamico o di monitoraggio e i circuiti di generazione di EOS 19, 20.

Per quanto concerne la generazione di EOS sui segnali di stimolo statici 4’, essi possono vantaggiosamente essere definiti da una resistenza di pull-up o di pulldown 36 collegata al DUT e posizionata sul circuito adattatore. In questo caso, la scheda elettronica di test à ̈ provvista, per ogni segnale di stimolo statico, di un interruttore o relà ̈ 38 adatto a commutare tra detto segnale di stimolo statico ed il secondo circuito di generazione di EOS. La posizione degli interruttori 38, e quindi la configurazione della scheda di test, viene ad esempio determinata all’inizio della prova.

Vantaggiosamente, i circuiti generatori di EOS e il circuito di selezione sono comandati da una logica di controllo 40 configurabile mediante un’unità di elaborazione 44. Quest’ultima à ̈ inoltre adibita alla configurazione e la programmazione dei parametri elettrici degli EOS e per il monitoraggio del comportamento del DUT sottoposto a EOS.

In accordo con una forma di realizzazione vantaggiosa, à ̈ possibile impostare il dispositivo in modo tale da alimentare il DUT con una pluralità di diversi livelli di tensione, ad esempio quattro. E’ inoltre possibile condurre stimolazioni digitali e monitorare i segnali di interesse.

Ad esempio, il dispositivo comprende quattro alimentatori programmabili ed à ̈ possibile stressare il DUT con picchi di tensione condotti sulle terminazioni del DUT relative alle alimentazioni ed ai segnali.

I picchi di tensione possono avere polarità sia positiva che negativa, con riferimento al livello di tensione del DUT.

Verrà ora descritto un esempio di realizzazione pratica di un dispositivo di test secondo l’invenzione, quale illustrato nella figura 1.

Il dispositivo di test 10 include la seguente strumentazione:

- sei alimentatori programmabili 1001 per fornire le alimentazioni per le prove;

- una PSU (Power Supply Unit, Unità di alimentazione) da (±15V, ±5V, 12V) per fornire le alimentazioni al sistema;

- un cestello sviluppato su piattaforma PXI (Peripheral Component Interconnect (PCI) eXtension for Instrumentation) 1004 configurato per stimolare e monitorare i DUT dispositivi nel corso delle prove;

- un personal computer 44 integrato nel cestello PXI per gestire le varie funzionalità del dispositivo;

- un gruppo di continuità da 1100VA per mantenere l’alimentazione del computer e della strumentazione 1002; - una Backplane Board per permettere una rapida connessione della strumentazione 1002;

- un cassetto scorrevole 1003 per ospitare le schede necessarie alle prove.

Tutti i settaggi del dispositivo di test relativi alla prove da effettuare sul DUT sono programmabili mediante un’interfaccia utente software e salvati all’interno di una ricetta, grazie alla presenza di un computer 44 che gestisce tutti i parametri.

La scheda elettronica di test 12 comprende una scheda madre che contiene l’intera elettronica necessaria all’esecuzione delle prove di EOS e quindi alla generazione dei picchi di tensione. Il DUT 16 à ̈ alloggiabile all’interno di un adattatore dedicato 14, 15, che contiene l’elettronica necessaria ad effettuare prove dinamiche, ed à ̈ quindi progettato seguendo le specifiche delle schede HTOL (High Temperature Operating Life), e/o prove statiche, nel qual caso à ̈ in configurazione HTRB (High Temperature Reverse Bias).

Le risorse disponibili per la stimolazione del DUT sono le seguenti:

- quattro canali di alimentazione, sui quali non si applicano EOS;

- quattro canali di alimentazione, con possibilità di applicare EOS;

- otto stimoli digitali, con possibilità di applicare EOS, scalabili fino ad un massimo di 128 canali;

- due stimoli analogici, con possibilità di applicare EOS;

- otto canali di monitoraggio, con possibilità di applicare EOS;

- cinquanta livelli statici, con possibilità di applicare EOS.

In figura 5 Ã ̈ illustrato un esempio di una sequenza di prova con picchi di tensione di diversa ampiezza.

Durante una sequenza di prova di EOS, per poter selezionare ciascuna terminazione del DUT ed applicarvi i picchi di tensione la configurazione della scheda madre 12 viene modificata mediante dei relà ̈ 42, e per il periodo di assestamento tutti i segnali e le alimentazioni devono essere disabilitati per preservare l’integrità del dispositivo.

La figura 6 mostra uno schema a blocchi funzionale del dispositivo di test nel suo complesso. Il cuore del dispositivo à ̈ il circuito generatore di EOS 18-20 e la matrice di selezione 22 degli EOS da applicare. Tali circuiti sono comandati da una logica di controllo 40, a sua volta gestita attraverso il personal computer 44. Quest’ultimo controllo inoltre gli stimoli 4, 4’ da sottoporre al DUT e riceve dal DUT i segnali di monitoraggio 24.

Come evidenziato dalla figura 7, il circuito generatore di EOS comprende un circuito generatore di EOS sulle alimentazioni 18 ed un circuito generatore di EOS sui segnali 20. A sua volta, ognuno di detti circuiti comprende un sottocircuito 18a per gli EOS positivi, con relativo circuito di scarica 18b, ed un sottocircuito per gli EOS negativi 18c, con relativo circuito di scarica 18d. Ogni sottocircuito per la generazione degli EOS, comprende una sezione di pompa di carica 18e, una sezione di applicazione dell’EOS 18f, e una sezione di controllo del livello dell’EOS 18g. Ogni circuito di scarica comprende una sezione di controllo della scarica 18h ed un circuito di scarica 18i (figura 8).

Come accennato sopra, la matrice EOS 22 rappresenta la parte del sistema che consente la selezione della modalità di test EOS, permettendo di applicare i picchi di tensione a diverse tipologie di segnali, come à ̈ riportato nel diagramma a blocchi di figura 9. La matrice EOS comprende quattro sottoblocchi: primo un sottoblocco 22a per la selezione degli EOS sulle alimentazioni, un secondo sottoblocco 22b per la selezione degli EOS sui segnali dinamici, un terzo sottoblocco 22c per la selezione degli EOS sui segnali statici, ed un quarto sottoblocco 22d per la selezione degli EOS sui monitoraggi.

Ognuno di detti sottoblocchi contiene una circuiteria dedicata, che verrà descritta in seguito in maggior dettaglio, e che nella sua forma più generale à ̈ rappresentata nello schema a blocchi di figura 10.

EOS sulle alimentazioni

La circuiteria dedicata all’applicazione degli EOS alle terminazioni di alimentazione del DUT à ̈ strutturata in modo tale da iniettare il picco di tensione direttamente sulla linea di alimentazione 6; per tale motivo un induttore 32 à ̈ inserito tra il DUT e l’alimentazione così da proteggere il DUT (figura 11).

Il valore dell’induttanza può essere scelto a seconda delle caratteristiche della prova; se la prova richiedesse variazioni repentine di corrente, le oscillazioni di cui risentirebbe l’alimentazione possono essere mitigate selezionando una capacità Cin appropriata sull’adattatore del DUT.

EOS sui segnali dinamici

La circuiteria relativa ai segnali dinamici 4 applicabili ai terminali di ingresso/uscita 28 del DUT permette di raggiungere frequenze dell’ordine dei 50MS/s (Mega Samples al secondo); pertanto, in questo caso, à ̈ impossibile mantenere un’induttanza in serie ed à ̈ necessario l’inserimento di un relà ̈ 34 per commutare dal segnale digitale alla circuiteria di generazione dell’EOS. L’utente può anche selezionare un livello statico 4’, se fosse necessario, e aggiungere su questo il picco di tensione.

La figura 13 mostra un’implementazione alternativa del circuito della figura 12, che permette di applicare lo spike ad un circuito di stimolazione digitale 4 senza interromperne il funzionamento come invece necessario nel circuito di figura 12. Attraverso questa configurazione à ̈ possibile fornire lo stimolo digitale indirettamente, ottenendo una protezione del circuito di stimolazione 4 rispetto al circuito da cui proviene lo spike 1.

EOS sui monitoraggi

La circuiteria per la generazione di EOS sui terminali dei segnali di monitoraggio 24 in uscita al DUT lavora in modo analogo a quella dei segnali digitali. Quindi si ha anche in questo caso la presenza di un relà ̈ 34 che commuta tra il segnale di monitoraggio e la circuiteria di generazione degli EOS.

Da notare che, quando l’utente imposta un EOS su un segnale di monitoraggio, l’acquisizione viene arrestata e ripresa successivamente alla generazione dell’ EOS.

EOS sui segnali statici

Nelle prove di affidabilità di tipo statico, oppure sui segnali statici durante le prove dinamiche, il DUT 28 può avere bisogno di livelli statici, tipicamente attraverso ottenuti attraverso resistenze di pull-up o pull-down 36, che in questo caso devono essere posizionate sull’adattatore 14 del DUT. Come accade per gli EOS sulle alimentazioni, la commutazione dei relà ̈ 38 deve avvenire una volta spenti tutti i segnali.

Scheda madre

In figura 16 à ̈ mostrata un’implementazione circuitale di una scheda madre 12 del dispositivo secondo l’invenzione. Si notano:

- Una prima area circuitale 18 dedicata alla generazione degli EOS sulle alimentazioni;

- una seconda area circuitale 20 dedicata alla generazione degli EOS sui segnali;

- una terza area circuitale 22 che implementa la matrice EOS;

- i driver dei relà ̈ 42, ovvero i circuiti che pilotano l’apertura e chiusura dei relà ̈ 42;

- i dispositivi di rilevazione di picco 48 degli impulsi di EOS, che permettono di rilevare il livello raggiunto dallo spike;

- un’area di test 50 adatta a ricevere gli adattatori per le prove di EOS statiche e dinamiche.

La scheda madre 12 gestisce lo smistamento di tutti i segnali sul connettore 30 dell’adattatore 14, 15, che à ̈ progettato in modo dedicato per ciascun dispositivo.

Adattatori scheda madre

Dal momento che le prove EOS possono essere effettuate in varie configurazioni di stimolo del dispositivo, Ã ̈ vantaggioso utilizzare appositi adattatori 14, 15 da montare sulla scheda madre 12.

Nelle figure 17, 18 sono rappresentati in forma di esempio gli adattatori 14, 15 per le prove in configurazione HTRB (High Temperature Riverse Bias) ed HTOL (High Temperature Operating Life), rispettivamente.

L’adattatore 14 per prove in condizioni HTRB fornisce alimentazioni, segnali statici e monitoraggi sui quali applicare stress EOS.

L’adattatore 15 per prove in condizioni HTOL fornisce alimentazioni, segnali dinamici e monitoraggi sui quali à ̈ possibile applicare stress EOS.

Comunque, à ̈ possibile definire adattatori specifici in base alle esigenze dell’utente.

In sintesi, il dispositivo di test secondo l’invenzione comprende un circuito generatore di sollecitazioni di tipo transitori di sistema (EOS) in grado di applicare sollecitazioni positive e negative di transitori di sistema a tutti i terminali di ingresso/uscita (I/O) di un dispositivo o circuito sottoposto a test (DUT), alle linee di alimentazione e alle linee di monitoraggio, sia in condizioni statiche, ovvero con DUT polarizzati elettricamente in attesa o stand-by non attraversati da correnti rilevanti, che dinamiche, ovvero con DUT completamente operativi, con possibilità di gestire in corrente carichi ohmicoinduttivi.

In particolare, la soluzione di dispositivo qui descritta à ̈ in grado di operare in condizioni dinamiche High Temperature Operating Life (HTOL) e statiche High Temperature Reverse Bias (HTRB).

La soluzione qui proposta permette di verificare dal punto di vista del progettista la protezione circuitale adottata nel circuito DUT rispetto ai transitori di sistema (EOS), con la possibilità di ricercare i limiti o i margini applicativi rispetto a tali eventi EOS.

La soluzione descritta può anche essere inclusa in un programma di controllo di produzione in tempo reale, con la possibilità di intervenire in fase di verifica sui lotti di produzione del prodotto stesso.

Alle forme di realizzazione del dispositivo di test secondo l’invenzione un tecnico del ramo, per soddisfare esigenze contingenti, potrà apportare modifiche, adattamenti e sostituzioni di elementi con altri funzionalmente equivalenti, senza uscire dall'ambito delle seguenti rivendicazioni. Ognuna delle caratteristiche descritte come appartenente ad una possibile forma di realizzazione può essere realizzata indipendentemente dalle altre forme di realizzazione descritte.

Claims (13)

1. RIVENDICAZIONI 1. Dispositivo di test per testare il comportamento di circuiti o dispositivi elettronici (DUT) nei confronti di sovrasollecitazioni elettriche (Electrical Overstresses, EOS), comprendente: - una scheda elettronica di test (12); - un circuito adattatore (14, 15) su cui à ̈ applicabile il DUT e fungente da interfaccia tra il DUT e la scheda elettronica di test in modo da fornire al DUT almeno un segnale di alimentazione elettrica e segnali di stimolo adatti a simulare il funzionamento del DUT in diverse condizioni di utilizzo, in cui detta scheda elettronica di test comprende almeno un primo circuito generatore di EOS (18) applicabili ad almeno un segnale di alimentazione elettrica del DUT, un secondo circuito generatore di EOS (20) applicabili a detti segnali di stimolo, ed un circuito di selezione (22) adatto ad attivare alternativamente o contemporaneamente detti circuiti generatori di EOS.
2. 2. Dispositivo secondo la rivendicazione 1, in cui il circuito adattatore (14, 15) Ã ̈ configurato per fornire anche segnali di monitoraggio (24) del comportamento del DUT sottoposto alle sovrasollecitazioni, e in cui la scheda elettronica di test comprende un terzo circuito generatore di EOS (19) applicabili a detti segnali di monitoraggio, detto terzo circuito generatore essendo controllato dal circuito di selezione.
3. 3. Dispositivo secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui detti segnali di stimolo sono segnali statici e/o dinamici, digitali o analogici.
4. 4. Dispositivo secondo una qualsiasi rivendicazione precedente, in cui detto secondo circuito generatore di EOS Ã ̈ elettricamente collegabile alle linee di I/O del DUT.
5. 5. Dispositivo secondo una qualsiasi rivendicazione precedente, in cui il circuito di generazione degli EOS sui segnali di stimolo à ̈ configurato per applicare EOS in modo sincrono rispetto alla frequenza di stimolo.
6. 6. Dispositivo secondo una qualsiasi rivendicazione 1-4, in cui in cui il circuito di generazione degli EOS sui segnali di stimolo à ̈ configurato per applicare EOS in modo causale asincrono rispetto alla frequenza di stimolo.
7. 7. Dispositivo secondo una qualsiasi rivendicazione precedente, in cui il circuito adattatore à ̈ applicabile amovibilmente alla scheda elettronica di test per il tramite di un connettore elettrico (30).
8. 8. Dispositivo secondo una qualsiasi rivendicazione precedente, in cui il primo circuito generatore di EOS Ã ̈ configurato in modo tale da iniettare un picco di tensione direttamente sulla linea di alimentazione del DUT.
9. 9. Dispositivo secondo la rivendicazione 8, in cui tra l’alimentazione e il DUT à ̈ inserito un induttore (32) di protezione del DUT.
10. 10. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la scheda elettronica di test à ̈ provvista, per ogni segnale di stimolo dinamico o di monitoraggio, di un interruttore (34) adatto a commutare tra detto segnale di stimolo dinamico o di monitoraggio ed il secondo circuito di generazione di EOS.
11. 11. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui i segnali di stimolo statico sono ottenuti con almeno una resistenza di pullup o di pull-down (36) collegata al DUT e posizionata sul circuito adattatore, e in cui la scheda elettronica di test à ̈ provvista, per ogni segnale di stimolo statico, di un interruttore (38) adatto a commutare tra detto segnale di stimolo statico ed il secondo circuito di generazione di EOS.
12. 12. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui i circuiti generatori di EOS e il circuito di selezione sono comandati da una logica di controllo configurabile mediante un’unità di elaborazione.
13. 13. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, comprendente un’unità di elaborazione per la configurazione e la programmazione dei parametri elettrici degli EOS e per il monitoraggio del comportamento del DUT sottoposto a EOS.