IT976361B - Metodo di fabbricazione di un dispo sitivo semiconduttore e dispositivo semiconduttore ottenuto con l ausi lio di tale metodo - Google Patents

Metodo di fabbricazione di un dispo sitivo semiconduttore e dispositivo semiconduttore ottenuto con l ausi lio di tale metodo

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IT976361B
IT976361B IT20622/71A IT2062271A IT976361B IT 976361 B IT976361 B IT 976361B IT 20622/71 A IT20622/71 A IT 20622/71A IT 2062271 A IT2062271 A IT 2062271A IT 976361 B IT976361 B IT 976361B
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sitive
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E Kooi
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    • H10W10/0126—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/40—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of IGFETs with BJTs
    • H10D84/401—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs
    • H10D84/403—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10W10/012—
    • H10W10/13—
IT20622/71A 1970-02-19 1971-02-16 Metodo di fabbricazione di un dispo sitivo semiconduttore e dispositivo semiconduttore ottenuto con l ausi lio di tale metodo IT976361B (it)

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