IT951841B - Memoria con cellule di memorizza zione realizzate con transistori a effetto di campo del tipo mos - Google Patents

Memoria con cellule di memorizza zione realizzate con transistori a effetto di campo del tipo mos

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IT951841B
IT951841B IT2325272A IT2325272A IT951841B IT 951841 B IT951841 B IT 951841B IT 2325272 A IT2325272 A IT 2325272A IT 2325272 A IT2325272 A IT 2325272A IT 951841 B IT951841 B IT 951841B
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IT
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memory
field effect
effect transistors
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mos type
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IT2325272A
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Siemens Ag
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
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DE19712119059 DE2119059C3 (de) 1971-04-20 Speicher mit aus M OS-Feldeffekttransistoren aufgebauten Speicherzellen

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