IT202100022034A1 - Cella fotovoltaica multi-giunzione e relativo metodo di fabbricazione - Google Patents

Cella fotovoltaica multi-giunzione e relativo metodo di fabbricazione Download PDF

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Description

CELLA FOTOVOLTAICA MULTIGIUNZIONE E RELATIVO METODO
DI FABBRICAZIONE
SETTORE TECNICO
Questa divulgazione si riferisce in generale a celle fotovoltaiche e pi? in particolare a una cella fotovoltaica multigiunzione comprendente almeno una sottocella superiore e una sottocella inferiore in silicio cristallino impilate insieme , nonch? un relativo metodo di fabbricazione di tale cella fotovoltaica multigiunzione .
SFONDO
Le celle fotovoltaiche al silicio possono essere in grado di convertire la luce con una lunghezza d'onda superiore a circa 400 nm e inferiore a circa 1100 nm in energia elettrica. L'efficienza di conversione di una cella fotovoltaica al silicio per lunghezze d'onda significativamente inferiori a 1100 nm ? sempre pi? scarsa al diminuire della lunghezza d'onda, poich? una corrispondente porzione crescente dell'energia di ciascun fotone viene dissipata sotto forma di calore.
Una cella fotovoltaica in tandem pu? includere una cella superiore avente un gap di banda maggiore rispetto al silicio e, di conseguenza, in grado di convertire in modo pi? efficiente la luce a lunghezza d'onda corta in energia elettrica. Se la cella superiore ? trasparente a lunghezze d'onda maggiori, pu? essere assemblata con una cella inferiore, che pu? essere una cella fotovoltaica al silicio, in modo che la cella inferiore possa convertire la luce trasmessa attraverso la cella superiore in energia elettrica.
Nelle celle tandem, la cella perovskite o arseniuro di gallio ? accoppiata con cella a base di silicio.
La possibilit? di fabbricare la cella superiore mediante l'elaborazione di soluzioni a basso costo pu? ridurre il costo dell'energia del fotovoltaico verso la pietra miliare della parit? di rete.
Tra tutte le tecnologie Silicon Heterojunction ? la tecnologia pi? promettente che potrebbe essere utilizzata come cella di fondo.
Negli ultimi anni ? stata svolta una notevole attivit? di ricerca e sviluppo per sviluppare la tecnologia dell'eterogiunzione (HJT), caratterizzata da uno strato di silicio idrogenato intrinseco amorfo (a-Si:H) come strato di passivazione depositato su una superficie di wafer di silicio cristallino (c- Si). La realizzazione di alta efficienza a-Si: H / c-Si HJT non ? banale perch? l'ottimizzazione dei processi chimici e fisici deve tener conto spesso l'elevato costo di alcuni elementi di consumo, come argento p aste utilizzato per la metallizzazione.
Le celle fotovoltaiche tandem basate su silicio cristallino rappresentano una via pratica verso celle a basso costo con efficienze superiori al 30%. La configurazione tandem pi? comune ? costituita da una cella inferiore c-Si ad alta efficienza e una cella superiore a film sottile basata su materiali a basso costo.
Un'architettura del dispositivo tandem monolitico sarebbe interessante poich? la configurazione a due terminali semplifica l'interconnessione delle celle a livello di modulo e riduce i costi di metallizzazione e BOS. In questa struttura, supponendo una configurazione NIP, lo strato di trasporto delle lacune della cella superiore ? connesso all'emettitore frontale di tipo n+ che raccoglie gli elettroni e drogato con fosforo della cella inferiore al Si.
Le celle fotovoltaiche bifacciali HJT [ 1 ] sono tipicamente realizzate impiegando uno strato di a-Si:H molto sottile (10? 20nm) su entrambi i lati di un wafer di Si monocristallino. Uno schema di cella fotovoltaica HJT adatta alla realizzazione in tandem come cella di fondo ? mostrato in figura 1 ed ? illustrato in dettaglio in [ 1 ].
Prima della deposizione di a-Si:H, il substrato bulk di Si, tipicamente con una resistivit? di 1-10 ? cm e uno spessore di 180 ?m, ha subito un processo di testurizzazione, costituito da diverse fasi di attacco chimico che consente di rimuovere i danni alla sega che portano alla formazione di piramidi (5?15 um) su entrambe le superfici del wafer. Le piramidi consentono di ridurre la riflettivit? della superficie e di disperdere la luce ad angoli elevati in modo da aumentare il cammino ottico all'interno dei wafer.
Gli strati A-Si:H vengono depositati su entrambi i lati dei wafer c-Si per passivare la superficie c-Si mediante una riduzione dei legami pendenti di silicio sulla superficie dei wafer di silicio cristallino. La riduzione dei difetti superficiali si traduce in una riduzione dei livelli di difetto focalizzato all'interno del band-gap dei wafer di silicio, che sono centri di ricombinazione per portatori minoritari, provocando una riduzione della tensione a circuito aperto (Voc).
Dopo la passivazione, vengono depositati gli strati di contatti costituiti da uno strato p+ (pa-Si:H), utilizzato per creare la giunzione PN da un lato, e uno strato n+ (na-Si:H) depositato dall'altro lato. Quando si utilizza c-Si di tipo n (Silicio cristallino), il lato p della cella ? l'emettitore e nello schema proposto si trova sul lato posteriore della cella rispetto alla luce solare diretta. Per raggiungere efficienze elevate solitamente si utilizzano wafer di silicio di tipo n ed in questo caso i portatori minoritari sono i fori. Il dispositivo cellulare viene poi completato depositando uno strato di TCO sui due lati del wafer - tipicamente ITO (Indium Tin Oxide) - che ? un ossido conduttivo che funge da contatto metallico per raccogliere e guidare le cariche attraverso la griglia metallica argentata. Quindi, le griglie di elettrodi d'argento vengono serigrafate su entrambi i lati, con disposizione diversa tra il lato anteriore e quello posteriore.
RIEPILOGO
Nel tentativo di migliorare ulteriormente le prestazioni del multigiunzione celle fotovoltaiche , come per celle solari esempio tandem comprendente un sotto-cella superiore e un cristallo linea sub-cellulare di fondo sulla base di silicio, la richiedente ha notato che l'efficienza di conversione dell'energia solare in energia elettrica ? limitato principalmente dalla giunzione tra una sottocella superiore e una sottocella inferiore della cella fotovoltaica multigiunzione . Questa limitazione ? particolarmente sentita nelle celle fotovoltaiche tandem comprendenti una sottocella superiore a base di perovskite e una sottocella inferiore a base di silicio cristallino.
Gli inconvenienti sopra illustrati sono almeno in parte superati in una cella fotovoltaica multigiunzione come definita nell'annessa rivendicazione 1, che pu? essere fabbricata con il procedimento definito nell'annessa rivendicazione 7.
Forme di realizzazione preferite dell'invenzione sono definite nelle rivendicazioni dipendenti.
BREVE DESCRIZIONE DEI DISEGNI
La figura 1 illustra una struttura multistrato di una cella fotovoltaica HJT in configurazione back-emitter.
La Figura 2 illustra schematicamente un'architettura di una cella fotovoltaica multigiunzione secondo questa divulgazione , comprendente uno strato di SiN tra una sottocella superiore ed una sottocella inferiore .
Le Figure da 3a a 3d illustrano forme di realizzazione esemplificative di celle fotovoltaiche multigiunzione secondo questa divulgazione.
La figura 4 illustra le bande di energia in corrispondenza di una giunzione NP tra una sottocella superiore ed una sottocella inferiore dell'architettura della cella fotovoltaica multigiunzione di figura 2, in cui ? stato effettuato un processo N2/H2 per realizzare lo strato di SiN .
DESCRIZIONE DELLE FORME DI REALIZZAZIONE ESEMPLARI
In generale, le celle fotovoltaiche multigiunzione comprendono una pila di strati sovrapposti interposta tra un elettrodo inferiore della cella fotovoltaica multigiunzione e un elettrodo superiore della cella fotovoltaica multigiunzione , in cui la pila di strati sovrapposti definisce almeno una sottocella superiore e una sottocella inferiore. -cellula.
Nella descrizione che segue si far? riferimento per semplicit? a celle fotovoltaiche tandem aventi solo una sottocella superiore ed una sottocella inferiore impilate insieme, come le celle fotovoltaiche illustrate nelle figure da 2 a 3d, anche se quanto verr? affermato vale vero e applicabile, mutatis mutandis , anche a generiche celle fotovoltaiche multigiunzione comprendenti almeno una sottocella superiore sovrapposta ad una sottocella inferiore.
Una cella fotovoltaica multigiunzione secondo la presente divulgazione ha:
- un elettrodo inferiore 1;
- un fondo sub-cellulare 3 definita sul l' elettrodo inferiore 1 , in cui il fondo subcellulare 3 ? una cella fotovoltaica base di silicio cristallino avente un drogato strato di contatto superiore (non mostrata) o di tipo P o di N tipo;
- una sottocella superiore 4 definita al di sopra della sottocella 3 inferiore , avente band gap maggiore della sottocella 3 inferiore e avente uno strato di contatto inferiore drogato (non mostrato) di tipo N o di tipo P;
- un top all'elettrodo 2 definita sul l' alto sub-cellulare 4.
Un esempio di una cella fotovoltaica multigiunzione di questa divulgazione ? illustrato nella figura 2, che mostra una cella fotovoltaica in tandem avente una sottocella fotovoltaica inferiore 3 a base di silicio cristallino e una sottocella superiore generica 4 fatta di qualsiasi materiale avente una banda proibita maggiore di quella la sottocella inferiore 3 in silicio cristallino e comprendente uno strato intermedio 5 di SiN interposto tra la sottocella superiore 4 e la sottocella inferiore 3.
Senza essere vincolati a una teoria, si ritiene che le prestazioni delle attuali celle fotovoltaiche multigiunzione aventi una sottocella superiore 4 e una cella fotovoltaica a base di silicio cristallino come sottocella 3 inferiore impilate insieme siano limitate perch? la sottocella superiore 4 e la sottocella inferiore 3 compongono una giunzione PN, in corrispondenza dello strato di contatto inferiore drogato della sottocella superiore 4 e dello strato di contatto superiore drogato della sottocella inferiore 3, che riduce il flusso di portatori dall'alto sottocella 4 all'elettrodo inferiore 1 della cella fotovoltaica multigiunzione. Gli strati n e p alle interfacce agiscono come una giunzione pn che durante il funzionamento della cella fotovoltaica ? polarizzata inversamente, riducendo cos? la conduzione tra le due sottocelle. Pertanto, i portatori generati dalla luce solare che colpisce la sottocella superiore 4 devono superare la barriera costituita da questa giunzione PN per essere raccolti dall'elettrodo inferiore 1.
Al fine di facilitare questo processo, secondo questa descrizione, uno strato intermedio 5 di nitruro di silicio ? realizzato tra lo strato di contatto inferiore drogato della sottocella superiore 4 e lo strato di contatto superiore drogato della sottocella inferiore 3. Anche se silicio nitruro ? un dielettrico, la richiedente ha riscontrato che realizzando un tale strato intermedio di nitruro di silicio con uno spessore compreso tra 1 nm e 10 nm, pi? preferibilmente tra 3 nm e 7 nm, misurato come distanza di separazione tra detto strato di contatto superiore drogato e detto strato di contatto inferiore drogato , sorprendentemente migliora l'efficienza di trasporto dei portatori dallo strato di contatto inferiore drogato della sottocella superiore 4 allo strato di contatto superiore drogato della sottocella inferiore 3. Secondo un aspetto, lo strato intermedio 5 di silicio il nitruro ? racchiuso tra lo strato di contatto superiore drogato della sottocella inferiore 3 e lo strato di contatto inferiore drogato della sottocella superiore 4 per formare livelli di energia intermedi per i portatori nel gap di banda in modo che un s lo strato di contatto superiore drogato, lo strato intermedio 5 di nitruro di silicio e lo strato di contatto inferiore drogato sono configurati per definire insieme una giunzione tunnel PN per portanti.
Le figure 3a-3d illustrano strutture esemplificative di una cella fotovoltaica in tandem secondo gli aspetti di questa invenzione, in cui:
- la figura 3a rappresenta una cella fotovoltaica multigiunzione avente una sottocella HJT inferiore 3 comprendente una cella fotovoltaica a base di silicio cristallino e una generica sottocella superiore 4 realizzata in qualsiasi materiale avente una banda proibita maggiore rispetto alla sottocella inferiore 3 in silicio cristallino, e comprendente uno strato intermedio 5 di SiN interposto tra la sottocella superiore 4 e la cella HJT inferiore 3;
- la figura 3b rappresenta una cella fotovoltaica tandem avente una sottocella fotovoltaica inferiore 3 a base di silicio cristallino e una sottocella fotovoltaica superiore 4 a base di perovskite fatta di qualsiasi materiale avente un gap di banda maggiore rispetto alla sottocella inferiore 3 di silicio cristallino e comprendente una strato intermedio 5 di SiN interposto tra la sottocella superiore 4 e la sottocella inferiore 3;
- la figura 3c rappresenta una cella fotovoltaica tandem avente una sottocella fotovoltaica inferiore 3 a base di silicio cristallino e una sottocella fotovoltaica superiore 4 a base di GaAs realizzata in qualsiasi materiale avente un gap di banda maggiore rispetto alla sottocella inferiore 3 in silicio cristallino e comprendente una strato intermedio 5 di SiN interposto tra la sottocella superiore 4 e la sottocella inferiore 3;
- la figura 3d rappresenta una cella fotovoltaica in tandem avente una sottocella inferiore 3 HJT comprendente una cella inferiore fotovoltaica a base di silicio cristallino e una sottocella 4 fotovoltaica superiore a base di perovskite fatta di qualsiasi materiale avente un gap di banda maggiore rispetto alla sottocella inferiore in silicio cristallino 3, e comprendente uno strato intermedio 5 di SiN interposto tra la sottocella superiore 3 e la sottocella inferiore 4.
Si ritiene che l'effetto della deposizione dello strato intermedio 5 di nitruro di silicio sia quello di ottimizzare l'allineamento del band gap tra gli strati n e p di due sottocelle 3 e 4, collegate a formare una cella fotovoltaica a giunzione multipla, formando trappole all'interfaccia pn che inducono livelli energetici nel gap energetico che favoriscono il tunneling dei portatori.
La figura 4 ? un diagramma che confronta le bande di energia in corrispondenza di una giunzione PN priva di strato intermedio 5 di nitruro di silicio (a sinistra), e in corrispondenza di una giunzione PN con uno strato intermedio 5 di nitruro di silicio (a destra ). Le frecce a destra indicano le bande di energia ammissibili introdotte dalla presenza dello strato intermedio 5 di nitruro di silicio, che migliora la conduzione complessiva della cella fotovoltaica.
Prove effettuate dalla richiedente hanno mostrato che si possono ottenere ottimi risultati depositando lo strato intermedio 5 di nitruro di silicio mediante trattamento assistito da plasma. Secondo un aspetto, lo strato intermedio di nitruro di silicio viene depositato in modo conforme mediante una deposizione chimica da vapore potenziata da plasma utilizzando una miscela di H2 e N2 . Il trattamento con plasma ricco di azoto potrebbe portare a:
(i) formazione di legami SiN, che potrebbero migliorare la conduzione mediante tunneling assistito dalla trappola a causa della formazione di livelli di trappola nel bang gap, o
(ii) formazione di uno strato di nitruro di silicio a gap energetico pi? elevato all'interfaccia con conseguente miglioramento dell'allineamento delle bande, tensione a circuito aperto (Voc) e neutralizzazione degli effetti parassiti.
Secondo un aspetto, non mostrato nelle figure allegate, la cella fotovoltaica multigiunzione s delle figure 3c e 3d pu? essere realizzata in modo che la sottocella 3 inferiore comprenda:
- un primo strato intrinseco di silicio cristallino depositato sull'elettrodo inferiore 1 della cella fotovoltaica multigiunzione,
- uno strato di contatto superiore drogato in silicio amorfo di tipo drogante P o N, depositato sul primo strato intrinseco di silicio cristallino;
e la sottocella superiore 4 comprende:
- uno strato di contatto inferiore drogato in silicio amorfo di tipo N o di tipo P drogante,
- uno strato di perovskite depositato sul la drogato contatto superiore strato e sotto la sommit? dell'elettrodo 2 della cella fotovoltaica multigiunzione.
Secondo un aspetto, non illustrato nelle figure allegate, il multigiunzione cella fotovoltaica s di questa descrizione pu? facoltativamente comprendere uno strato superiore di ossido conduttivo trasparente depositato sulla la cima sub-cellulare 4 e sotto la sommit? dell'elettrodo 2 della cella fotovoltaica multigiunzione , e uno strato inferiore di ossido conduttivo trasparente depositato sotto il fondo sub-cellulare 3 e sopra l' elettrodo inferiore 1 della cella fotovoltaica multigiunzione.
Le celle fotovoltaiche multigiunzione di questa divulgazione possono essere realizzate con un relativo processo di fabbricazione comprendente le fasi di:
definire il fondo sub-cellulare 3 sul l' elettrodo inferiore 1 , in cui il fondo sub-cellulare 3 ? un silicio cristallino cella fotovoltaica base avente uno strato di contatto superiore drogato o di tipo P o di tipo N,
deposizione dello intermedio strato 5 di nitruro di silicio in modo conforme sulla lo strato di contatto superiore drogato del fondo sub-cella 3,
definire l' alto sub-cellulare 4 sopra il fondo sub-cellulare 3 , in cui la parte superiore sub-cellulare 4 ha s gap di banda superiore al fondo sub-cellulare 3 e ha s una drogata strato di contatto inferiore sia di tipo N o di tipo P , in cui lo strato di contatto inferiore drogato di tipo N o di tipo P della sottocella superiore 4 ? definito sullo strato intermedio 5 cos? come lo strato intermedio 5:
- ? inserita tra e separa il drogato strato superiore di contatto e lo strato di contatto inferiore drogato, e le forme intermedie livelli di energia per i vettori in una band gap definito dal l' drogato strato di contatto superiore e il drogaggio strato di contatto inferiore,
- ha uno spessore compreso tra 1 e 10 nm misurato come distanza di separazione tra detto strato di contatto superiore drogato e detto strato di contatto inferiore drogato;
- lo strato di contatto superiore drogato, lo strato intermedio 5 di nitruro di silicio e lo strato di contatto inferiore drogato sono configurati in modo da definire insieme una giunzione a tunnel PN;
definire la sommit? dell'elettrodo 2 della cella fotovoltaica multigiunzione sul l' alto sub-cellulare 4.
Secondo un aspetto, lo strato intermedio 5 di nitruro di silicio pu? essere ottenuto con un trattamento realizzato con un reattore Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) utilizzando una miscela di gas H2 e N2, in cui la percentuale di N2 su H2 pu? variare da 2 a 20 %. Al fine di raggiungere condizioni di plasma stabili , p pressione rocess ? impostato nell'intervallo di 1-10 mbar e densit? di potenza RF ? impostato nell'intervallo da 0,01 a 0,5 W / cm2.
Le misurazioni sul campione trattato con plasma N 2 /H 2 rivelano una presenza significativa di picco di legame Si-N ad un'energia di legame di 101,7 eV. Sono stati effettuati test per verificare l'effetto della presenza dello strato intermedio 5 di nitruro di silicio confrontando i risultati sulle prestazioni di celle tandem , comprendenti una subcella superiore 4 a base di perovskite e una subcella inferiore 3 a base di silicio cristallino, con e senza lo strato intermedio 5 . I risultati sono riassunti nella seguente tabella 1 . Il trattamento ha ridotto la resistenza in serie delle celle (Rs) del 3,6% aumentando il FF (Fill Factor) della cella di circa lo 0,3%
Tabella 1
BIBLIOGRAFIA
[1] DeWolf, S., Descoeudres, A., Holman, Z., & Ballif, C. (2012). Highefficiency silicon heterojunction solar cells: A review. Green, 2(1), 7-24.

Claims (9)

RIVENDICAZIONI
1. Cella fotovoltaica multigiunzione, comprendente:
una pila di strati sovrapposti interposti tra un elettrodo inferiore (1) della cella fotovoltaica multigiunzione e un elettrodo superiore (2) della cella fotovoltaica multigiunzione e comprendente:
una sottocella inferiore (3) definita su detto elettrodo inferiore (1) , in cui detta sottocella (3) inferiore ? una cella fotovoltaica a base di silicio cristallino avente uno strato di contatto superiore drogato di tipo P o di tipo N,
una sottocella superiore (4) definita al di sopra di detta sottocella (3) inferiore , avente band gap maggiore di detta sottocella (3) inferiore ed avente uno strato di contatto inferiore drogato di tipo N o di tipo P;
in cui detto elettrodo superiore (2) della cella fotovoltaica multigiunzione ? definito su detta sottocella superiore (4) ;
caratterizzato in questo
detta cella fotovoltaica multigiunzione comprende uno strato intermedio (5) di nitruro di silicio realizzato in modo conforme tra detto strato di contatto superiore drogato e detto strato di contatto inferiore drogato, in cui detto strato intermedio (5) di nitruro di silicio:
- ? racchiuso tra e separa detto strato di contatto superiore drogato e detto strato di contatto inferiore drogato, e forma livelli energetici intermedi per i portatori in un gap di banda definito da detto strato di contatto superiore drogato e da detto strato di contatto inferiore drogato,
- ha uno spessore compreso tra 1 e 10 nm misurato come distanza di separazione tra detto strato di contatto superiore drogato e detto strato di contatto inferiore drogato;
detto strato di contatto superiore drogato, detto strato intermedio (5) di nitruro di silicio e detto strato di contatto inferiore drogato sono configurati in modo da definire insieme una giunzione tunnel PN.
2. La cella fotovoltaica multigiunzione della rivendicazione 1, in cui detta cella fotovoltaica multigiunzione ? una cella fotovoltaica in tandem, detta sommit? subcellulare (4) ? una cella fotovoltaica perovskite base e detto fondo sub-cellulare (3) ? un solido sili con based cella fotovoltaica.
3 . La cella fotovoltaica multigiunzione della rivendicazione 1, in cui detta cella fotovoltaica multigiunzione ? una cella fotovoltaica tandem, detta sottocella superiore (4) ? una cella fotovoltaica a base di GaAs o una cella fotovoltaica a base di SiC , e detta sottocella inferiore (3) ? una cella fotovoltaica a base di silicio cristallino.
4. La cella fotovoltaica multigiunzione secondo la rivendicazione 2 , in cui detta sottocella (3) inferiore comprende:
- un primo strato intrinseco di silicio cristallino depositato su detto elettrodo di fondo (1) della cella fotovoltaica multigiunzione,
- detto strato di contatto superiore drogato in silicio amorfo sia di tipo P che di tipo N, depositato su detto primo strato intrinseco di silicio cristallino;
detta sottocella superiore (4) comprende:
- detto strato di contatto inferiore drogato in silicio amorfo sia di tipo N che di tipo P drogante,
- un secondo strato di perovskite depositato su detto strato di contatto superiore drogato e al di sotto di detto elettrodo superiore (2) della cella fotovoltaica multigiunzione.
5 . 5. Cella fotovoltaica multigiunzione secondo una delle rivendicazioni da 1 a 4 , in cui detto strato intermedio (5) di nitruro di silicio ? depositato mediante una deposizione chimica da vapore potenziata al plasma utilizzando una miscela di gas H2 e N2 con una percentuale di N2 su H2 impostata a un percentuale compresa tra 2% e 20%, ad una pressione scelta da 1 a 10 mbar e con una densit? di potenza RF scelta da 0,01 a 0,5 W/cm2.
6 . La cella fotovoltaica multigiunzione di una delle rivendicazioni da 1 a 5 , comprendente inoltre:
uno strato superiore di ossido conduttivo trasparente depositato su detta sottocella superiore (4) e al di sotto di detto elettrodo superiore (2) della cella fotovoltaica multigiunzione;
uno strato inferiore di ossido conduttivo trasparente depositato al di sotto di detta sottocella inferiore (3) e al di sopra di detto elettrodo di fondo (1) della cella fotovoltaica multigiunzione.
7. Procedimento per fabbricare una cella fotovoltaica multigiunzione secondo la rivendicazione 1 comprendente una pila di strati sovrapposti interposti tra un elettrodo inferiore (1) della cella fotovoltaica multigiunzione ed un elettrodo superiore (2) della cella fotovoltaica multigiunzione , il metodo comprendendo il passaggi di:
definendo una sottocella inferiore (3) su detto elettrodo inferiore (1) , in cui detta sottocella inferiore (3) ? una cella fotovoltaica a base di silicio cristallino avente uno strato di contatto superiore drogato di tipo P o di tipo N,
definire un sub-cella superiore (4) sopra detto fondo sub-cellulare (3) , in cui detto all'inizio sub-cella (4) ha s gap di banda superiore a detto fondo sub-cellulare (3) e ha s una drogata strato di contatto inferiore sia di tipo N che di tipo P ,
definendo detto elettrodo superiore (2) della cella fotovoltaica multigiunzione su detta sottocella superiore (4),
caratterizzato dal fatto che il metodo comprende l'esecuzione delle seguenti fasi:
depositare uno strato intermedio (5) di nitruro di silicio in modo conforme su detto strato di contatto superiore drogato della sottocella (3) inferiore;
definendo detto strato di contatto inferiore drogato di tipo N o di tipo P di detta sottocella superiore (4) su detto strato intermedio (5), cos? come lo strato intermedio (5):
- ? racchiuso tra e separa detto strato di contatto superiore drogato e detto strato di contatto inferiore drogato e forma livelli energetici intermedi per i portatori in un gap di banda definito da detto strato di contatto superiore drogato e da detto strato di contatto inferiore drogato,
- ha uno spessore compreso tra 1 e 10 nm misurato come distanza di separazione tra detto strato di contatto superiore drogato e detto strato di contatto inferiore drogato;
detto strato di contatto superiore drogato, detto strato intermedio (5) di nitruro di silicio e detto strato di contatto inferiore drogato essendo configurati in modo da definire insieme una giunzione tunnel PN.
8. Procedimento secondo la rivendicazione 7, comprendente la fase di depositare detto strato intermedio (5) di nitruro di silicio mediante Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition utilizzando una miscela di gas H2 e N2 con una percentuale di N2 su H2 fissata ad una percentuale compresa tra il 2% e il 20%, ad una pressione scelta da 1 a 10 mbar e con una densit? di potenza RF scelta da 0,01 a 0,5 W/cm2.
9 . Il processo della rivendicazione 7 o 8 , comprendente inoltre le fasi di :
deposizione di uno strato superiore di ossido conduttivo trasparente su detto all'inizio sub-cellulare (4) e sotto detta sommit? elettrodo (2) del multi-giunzione cella fotovoltaica;
depositare uno strato inferiore di ossido conduttivo trasparente sotto detto fondo sub-cellulare (3) e sopra di detto elettrodo inferiore (1) del multi-giunzione cella fotovoltaica.
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