IT202000005767A1 - MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR PRODUCTS - Google Patents
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Description
DESCRIZIONE dell?invenzione industriale dal titolo: DESCRIPTION of the industrial invention entitled:
?Fabbricazione di prodotti a semiconduttore? ? Manufacturing of semiconductor products?
TESTO DELLA DESCRIZIONE TEXT OF THE DESCRIPTION
Campo tecnico Technical field
La descrizione ? relativa alla fabbricazione di prodotti a semiconduttore, come i circuiti integrati, in breve IC (?Integrated Circuit?), per esempio. The description ? relating to the manufacture of semiconductor products, such as integrated circuits, IC (? Integrated Circuit?) for short, for example.
Una o pi? forme di attuazione possono essere applicate a prodotti a semiconduttore con package small-outline, in breve SOP (?Small-Outline Package?), a pad esposto o, pi? in generale, a prodotti a semiconduttore che adottano una tecnologia a montaggio superficiale, in breve SMT (?Surface-Mount Technology?). One or more? embodiments can be applied to semiconductor products with small-outline package, in short SOP (? Small-Outline Package?), with exposed pad or, more? in general, to semiconductor products that adopt surface-mount technology, SMT (? Surface-Mount Technology?) for short.
Sfondo tecnologico Technological background
I circuiti integrati possono comprendere almeno un die a semiconduttore racchiuso in un package isolante che fornisce protezione dall?ambiente e facilita l?interconnessione elettrica tra il die e un substrato sottostante, come una scheda a circuito stampato (PCB, ?Printed Circuit Board?). Integrated circuits may include at least one semiconductor die encased in an insulating package that provides protection from the environment and facilitates electrical interconnection between the die and an underlying substrate, such as a printed circuit board (PCB). .
I circuiti integrati possono comprendere similmente un lead frame. La designazione ?lead frame? (o ?leadframe?) ? usata attualmente (si veda, per esempio l?USPC Consolidated Glossary of the United States Patent and Trademark Office) per indicare un frame di metallo che fornisce un supporto a un die o un chip di circuito integrato, cos? come lead elettrici per interconnettere il circuito integrato nel die o chip ad altri contatti o componenti elettrici. Sostanzialmente, un leadframe comprende una schiera (?array?) di formazioni (lead) elettricamente conduttive che, da una posizione periferica, si estendono verso l?interno nella direzione di un die o un chip a semiconduttore, formando cos? una schiera di formazioni elettricamente conduttive da un die pad configurato per avere almeno un die o un chip a semiconduttore attaccato su di esso. Ci? pu? avvenire mediante un adesivo per attacco di die (una pellicola per attacco di die o DAF - Die Attach Film, per esempio). The integrated circuits may similarly comprise a lead frame. The designation? Lead frame? (or? leadframe?)? currently used (see, for example, the USPC Consolidated Glossary of the United States Patent and Trademark Office) to indicate a metal frame that provides support for an integrated circuit chip or die, so? as electrical leads to interconnect the integrated circuit in the die or chip to other electrical contacts or components. Basically, a leadframe comprises an array (? Array?) Of electrically conductive formations (leads) that, from a peripheral position, extend inwards in the direction of a die or a semiconductor chip, thus forming? an array of electrically conductive formations from a die pad configured to have at least one semiconductor die or chip attached to it. There? can take place using a die attachment adhesive (a die attachment film or DAF - Die Attach Film, for example).
In una configurazione tradizionale, un dispositivo a semiconduttore con package pu? comprendere un leadframe di metallo, almeno un die o un chip a semiconduttore attaccato su un die pad nel leadframe, fili di legame (?bond wires?) che connettono elettricamente i pad sul die dell?IC ai lead individuali del leadframe, e un materiale incapsulante isolante duro, per esempio un composto per stampaggio in resina di plastica, che copre gli altri componenti e forma l?esterno del package. In a traditional configuration, a packaged semiconductor device can? comprise a metal leadframe, at least one semiconductor die or chip attached to a die pad in the leadframe, bond wires that electrically connect the pads on the IC die to the individual leads of the leadframe, and a material hard insulating encapsulant, such as a plastic resin molding compound, which covers the other components and forms the exterior of the package.
Il leadframe pu? fornire la struttura di supporto per il posizionamento del die a semiconduttore, in particolare durante l?assemblaggio dell?IC con package, e contattori esterni (lead o pad). The leadframe can? provide the support structure for the positioning of the semiconductor die, in particular during the assembly of the IC with package, and external contactors (lead or pad).
I dispositivi a semiconduttore di potenza e i dispositivi a circuiti integrati che generano una potenza elevata possono essere realizzati con un package con un dissipatore (?heat sink?) configurato per dissipare calore e per connettere in modo conduttivo il die pad a un piano di massa di una scheda a circuito stampato (PCB). Il dissipatore pu? essere posizionato vicino o addossato al dispositivo a semiconduttore e pu? essere incapsulato all?interno del package del dispositivo con una superficie del dissipatore lasciata esposta attraverso l?incapsulante del package, che ? scoperto dall?incapsulante. Power semiconductor devices and IC devices that generate high power can be built with a package with a heat sink configured to dissipate heat and to conductively connect the die pad to a ground plane of a printed circuit board (PCB). The heatsink can? be placed near or against the semiconductor device and can? be encapsulated inside the device package with a heatsink surface left exposed through the package encapsulant, which? discovered by the encapsulant.
I package a semiconduttore, come un package smalloutline (in breve, SOP), dual in-line e quad-flat pack (in breve, QFP) indicano famiglie di dispositivi a semiconduttore che favoriscono un certo numero di applicazioni ad alta potenza. Semiconductor packages, such as a smalloutline (for short, SOP), dual in-line, and quad-flat pack (for short, QFP) package indicate semiconductor device families that favor a number of high-power applications.
L?uso di un dissipatore integrato (?embedded?) nel package del leadframe pu? consumare una grande porzione del volume interno totale del package, il che si oppone all?uso di questo approccio per i package di basso volume. The use of an integrated heatsink (? Embedded?) In the leadframe package can? consume a large portion of the total internal volume of the package, which is opposed to using this approach for low-volume packages.
Scopo e sintesi Purpose and summary
Uno scopo di una o pi? forme di attuazione ? di contribuire a superare gli inconvenienti delineati in precedenza. A purpose of one or more? forms of implementation? to help overcome the drawbacks outlined above.
Secondo una o pi? forme di attuazione, tale scopo pu? essere raggiunto per mezzo di un procedimento avente le caratteristiche esposte nelle rivendicazioni che seguono. According to one or more? forms of implementation, this purpose can? be achieved by means of a process having the characteristics set out in the following claims.
Una o pi? forme di attuazione possono essere relative a un leadframe che pu? essere usato nella fabbricazione di un prodotto a semiconduttore. One or more? forms of implementation can be related to a leadframe that can? be used in the manufacture of a semiconductor product.
Un tale leadframe pu? rappresentare di per s? un prodotto atto a essere prodotto e consegnato per il completamento (in un luogo differente, per esempio) del processo di fabbricazione di prodotti a semiconduttore. Such a leadframe can? represent in itself? a product adapted to be produced and delivered for the completion (in a different location, for example) of the manufacturing process of semiconductor products.
Un leadframe avente una porzione di die pad e una schiera di lead, in cui il leadframe comprende almeno una coppia di lati opposti a forma di canale (concavi) configurati per mantenere il die pad in una posizione di downset rispetto ai (alle estremit? prossimali dei) lead pu? essere un esempio di un tale articolo. A leadframe having a die pad portion and a lead array, wherein the leadframe comprises at least one pair of opposite channel-shaped (concave) sides configured to hold the die pad in a downset position relative to the proximal ends. dei) lead pu? be an example of such an article.
Una o pi? forme di attuazione possono essere relative a un procedimento di fabbricazione di prodotti a semiconduttore che usano un tale leadframe. One or more? embodiments may relate to a semiconductor product manufacturing process using such a leadframe.
Una o pi? forme di attuazione possono essere relative a un prodotto a semiconduttore corrispondente. One or more? embodiments can be related to a corresponding semiconductor product.
Le rivendicazioni sono parte integrante dell?insegnamento tecnico qui fornito con riferimento alle forme di attuazione. The claims are an integral part of the technical teaching provided herein with reference to the embodiments.
Una o pi? forme di attuazione possono facilitare il fatto di fornire una dimensione del dissipatore/die pad pi? ampia della dimensione disponibile nelle soluzioni tradizionali di realizzazione di package (?packaging?) per semiconduttori. One or more? embodiments can facilitate providing a larger heatsink / die pad size? large of the size available in traditional semiconductor packaging (? packaging?) solutions.
Una o pi? forme di attuazione possono facilitare l?accoppiamento di un die a semiconduttore pi? grande al die pad in un leadframe per una data dimensione del package. One or more? embodiments can facilitate the coupling of a semiconductor die pi? large to the die pad in a leadframe for a given package size.
Una o pi? forme di attuazione possono facilitare il fatto di consentire una migliore dissipazione del calore o deflusso termico. One or more? embodiments can facilitate allowing for better heat dissipation or thermal runoff.
Breve descrizione delle varie viste dei disegni Brief description of the various views of the drawings
Una o pi? forme di attuazione saranno ora descritte, a puro titolo di esempio non limitativo, con riferimento alle Figure annesse, nelle quali: One or more? embodiments will now be described, purely by way of non-limiting example, with reference to the attached Figures, in which:
le Figure 1 e 2 sono viste in prospettiva di un dispositivo a semiconduttore, Figures 1 and 2 are perspective views of a semiconductor device,
le Figure 3 e 4 sono rispettivamente una vista in prospettiva e una vista dall?alto di un leadframe per dispositivi a semiconduttore, Figures 3 and 4 are respectively a perspective view and a top view of a leadframe for semiconductor devices,
la Figura 5 ? una vista in sezione trasversale lungo la linea V-V della Figura 4, Figure 5? a cross-sectional view along the line V-V of Figure 4,
la Figura 6 ? una vista in sezione trasversale di una possibile implementazione alternativa delle parti illustrate nella Figura 4, Figure 6? a cross-sectional view of a possible alternative implementation of the parts illustrated in Figure 4,
le Figure 7 e 8 sono rispettivamente una vista in prospettiva e una vista dall?alto di una o pi? forme di attuazione di un leadframe secondo la presente descrizione, la Figura 9 ? una vista in prospettiva di una o pi? forme di attuazione di un prodotto a semiconduttore secondo la presente descrizione, Figures 7 and 8 are respectively a perspective view and a top view of one or more? embodiments of a leadframe according to the present description, Figure 9? a perspective view of one or more? embodiments of a semiconductor product according to the present description,
la Figura 10 ? una vista in sezione trasversale lungo la linea X-X della Figura 9, Figure 10? a cross-sectional view along the line X-X of Figure 9,
la Figura 11 ? un esempio di un diagramma di flusso di atti in un procedimento secondo la presente descrizione. Figure 11? an example of a flowchart of acts in a method according to the present description.
Descrizione dettagliata di esempi di forme di attuazione Detailed description of examples of embodiments
Nella descrizione che segue, sono illustrati uno o pi? dettagli specifici, allo scopo di fornire una comprensione approfondita di esempi di forme di attuazione di questa descrizione. Le forme di attuazione possono essere ottenute senza uno o pi? dei dettagli specifici o con altri procedimenti, componenti, materiali, ecc. In altri casi, operazioni, materiali o strutture note non sono illustrate o descritte in dettaglio in modo da evitare di rendere poco chiari certi aspetti delle forme di attuazione. In the following description, one or more are illustrated. specific details, in order to provide a thorough understanding of examples of embodiments of this disclosure. The embodiments can be obtained without one or more? specific details or with other processes, components, materials, etc. In other cases, known operations, materials or structures are not illustrated or described in detail so as to avoid making certain aspects of the embodiments unclear.
Un riferimento a ?una forma di attuazione? nel quadro della presente descrizione intende indicare che una particolare configurazione, struttura, o caratteristica descritta con riferimento alla forma di attuazione ? compresa in almeno una forma di attuazione. Quindi, le frasi come ?in una forma di attuazione? che possono essere presenti in uno o pi? punti della presente descrizione non fanno necessariamente riferimento proprio alla stessa forma di attuazione. A reference to? An embodiment? within the framework of the present description it intends to indicate that a particular configuration, structure, or feature described with reference to the embodiment? included in at least one embodiment. So, phrases like? In an implementation form? that can be present in one or more? points of the present description do not necessarily refer to the same embodiment.
Inoltre, particolari conformazioni, strutture o caratteristiche possono essere combinate in un modo adeguato qualsiasi in una o pi? forme di attuazione. Furthermore, particular conformations, structures or features can be combined in any suitable way into one or more? forms of implementation.
I riferimenti usati qui sono forniti semplicemente per convenienza e quindi non definiscono l?ambito di protezione o l?ambito delle forme di attuazione. The references used here are provided simply for convenience and therefore do not define the scope or scope of the embodiments.
Come qui esemplificato, i disegni sono in forma semplificata e possono non essere in una scala precisa. As exemplified herein, the drawings are in simplified form and may not be to an accurate scale.
Inoltre, le parti o gli elementi simili sono indicati con numeri/riferimenti simili in tutte le figure qui annesse: per brevit? una descrizione corrispondente non sar? ripetuta per ogni figura. Furthermore, similar parts or elements are indicated with similar numbers / references in all the figures annexed here: for the sake of brevity? a corresponding description will not be? repeated for each figure.
La Figura 1 ? un esempio di una prima vista di un package small-outline o di un dispositivo SOP 10 che comprende un package del circuito integrato a montaggio superficiale con lead 12 ad ?ala di gabbiano? che si estendono al di fuori di due lati opposti del package 10. Figure 1? an example of a first view of a small-outline package or SOP 10 device that includes a surface mount integrated circuit package with? gullwing? extending out of two opposite sides of the package 10.
I dispositivi disponibili commercialmente con aziende del gruppo STMicroelectronics e provvisti di un package SMD PSSO sono esempi di tali dispositivi. Devices commercially available with companies in the STMicroelectronics group and provided with a PSSO SMD package are examples of such devices.
In tali dispositivi a semiconduttore 10 con package, una porzione di un leadframe, per esempio un (lato posteriore di un) die pad 14, pu? rimanere esposta all?esterno del package 10, per es., per un uso come dissipatore. In such packaged semiconductor devices 10, a portion of a leadframe, e.g. a (back side of a) die pad 14, can remain exposed outside the package 10, e.g., for use as a heatsink.
Questo ? rappresentato a titolo di esempio nella Figura 2, che ? una vista del dispositivo 10 da un punto di osservazione approssimativamente opposto al punto di osservazione della Figura 1. This ? represented by way of example in Figure 2, that? a view of the device 10 from an observation point approximately opposite to the observation point of Figure 1.
Le Figure 3 e 4 sono esempi di un leadframe 20 tradizionale per un package di un prodotto a semiconduttore a montaggio superficiale (SMD) avente un die pad esposto. Figures 3 and 4 are examples of a traditional leadframe 20 for a surface mount semiconductor (SMD) product package having an exposed die pad.
Un tale leadframe 20 pu? essere formato da un materiale conduttivo (un metallo, come il rame, per esempio) usando un qualsiasi processo tradizionale noto agli esperti del settore a tale scopo. Such a leadframe 20 can? be formed from a conductive material (a metal, such as copper, for example) using any traditional process known to those skilled in the art for that purpose.
Tali processi tradizionali possono condurre a formare una striscia continua di lunghezza teoricamente infinita comprendente una pluralit? di leadframe 20 individuali gli uni adiacenti agli altri. Such traditional processes can lead to the formation of a continuous strip of theoretically infinite length comprising a plurality of? of 20 individual leadframes adjacent to each other.
Per semplicit?, la discussione che segue far? riferimento principalmente a un singolo leadframe (come rappresentato a titolo di esempio con linee tratteggiate nelle Figure 3 e 4). For simplicity, the following discussion will do? mainly referring to a single leadframe (as shown by way of example with dashed lines in Figures 3 and 4).
Per il resto si comprender? che uno o pi? degli atti di lavorazione discussi in seguito possono essere effettuati (eventualmente simultaneamente) su leadframe plurimi (ancora) inclusi in una tale striscia. For the rest it will be understood? that one or more? of the working acts discussed below can be performed (possibly simultaneously) on multiple leadframes (still) included in such a strip.
Come qui esemplificato, il leadframe 20 pu? comprendere un pad 14 (di montaggio) del die avente (almeno) un?area di attacco del die configurata per avere montato (attaccato) su di essa (almeno) un chip o un die a semiconduttore 30, il cui contorno ? indicato in linee a trattini nelle Figure 3 e 4. As exemplified here, the leadframe 20 can? comprise a die (mounting) pad 14 having (at least) one die attachment area configured to have (at least) mounted (attached) thereon a chip or semiconductor die 30, the contour of which? indicated in dashed lines in Figures 3 and 4.
Per esempio, il chip o il die a semiconduttore 30 pu? essere posto sul die pad 14 e assicurato su di esso usando colla, lega per saldatura o un nastro oppure un qualsiasi altro processo tradizionale noto agli esperti del settore a tale scopo. For example, the semiconductor chip or die 30 can? be placed on the die pad 14 and secured thereon using glue, solder or tape or any other traditional process known to those skilled in the art for this purpose.
In seguito, per semplicit?, sar? considerato soltanto un chip o un die a semiconduttore 30. Later, for simplicity, it will be? considered only a chip or a semiconductor die 30.
Come qui esemplificato, il leadframe 20 pu? avere una porzione (periferica) di contorno sostanzialmente quadrangolare (rettangolare, per esempio) comprendente, per esempio, quattro lati 200, 201, 202, 203, con almeno alcuni di questi lati che portano rispettive schiere di lead 12 allungati che si estendono verso il die pad 14. As exemplified here, the leadframe 20 can? have a (peripheral) portion of substantially quadrangular (rectangular, for example) contour comprising, for example, four sides 200, 201, 202, 203, with at least some of these sides carrying respective arrays of elongated leads 12 extending towards the die pad 14.
Per esempio, possono essere fornite due schiere di lead 12 che si estendono su due lati opposti 201, 203 della porzione di contorno rettangolare 200, 201, 202, 203 del leadframe 20. For example, two lead arrays 12 extending on two opposite sides 201, 203 of the rectangular boundary portion 200, 201, 202, 203 of the leadframe 20 may be provided.
Come qui esemplificato, il die pad 14 ha un?area sostanzialmente rettangolare avente quattro lati. As exemplified herein, the die pad 14 has a substantially rectangular area having four sides.
Come qui esemplificato, una pluralit? di bracci o ponti 18 (sottili) (indicati come tie bar) accoppiano due lati del die pad 14 a due lati opposti 200, 202 della porzione esterna rettangolare del leadframe. As exemplified here, a plurality of of arms or bridges 18 (thin) (referred to as tie bars) couple two sides of the die pad 14 to two opposite sides 200, 202 of the rectangular outer portion of the leadframe.
Per esempio, possono essere fornite due coppie per un totale di quattro tali tie bar 18 per sostenere il die pad 14. I tie bar 18 possono essere tagliate durante il processo di assemblaggio di un prodotto a semiconduttore, come 10, dove soltanto il die pad 14 (con il die 30 montato su di esso) e i lead 12 possono essere lasciati nel package del dispositivo finale, eventualmente con un lato posteriore del die pad lasciato esposto alla superficie esterna del package (si veda la Figura 2, per esempio) e con il package finale che include i residui dei tie bar 18 che sono tagliati, dopo lo stampaggio vicino ai membri di supporto 200 e 202. For example, two pairs for a total of four such tie bars 18 can be provided to support die pad 14. Tie bars 18 can be cut during the process of assembling a semiconductor product, such as 10, where only the die pad 14 (with die 30 mounted on it) and leads 12 can be left in the final device package, optionally with a back side of the die pad left exposed to the outer surface of the package (see Figure 2, for example) and with the final package which includes the residues of the tie bars 18 which are cut, after molding close to the support members 200 and 202.
Come qui esemplificato, impartire al leadframe una forma concava complessiva, ponendo il die pad 14 a un livello inferiore rispetto ai lead 12 pu? facilitare la fornitura di un pad esposto. As exemplified here, giving the leadframe an overall concave shape by placing the die pad 14 at a lower level than the lead 12 can? facilitate the supply of an exposed pad.
In effetti, un pad esposto (si veda la Figura 2) pu? essere ottenuto ?spingendo verso il basso? il die pad 14, vale a dire applicando una forza per deformare i tie bar 18, formando una porzione inclinata o piegata in esse. In fact, an exposed pad (see Figure 2) can be obtained? pushing down? the die pad 14, i.e. applying a force to deform the tie bars 18, forming an inclined or folded portion therein.
L?ammontare per cui il die pad 14 ? incassato rispetto ai lead come risultato della piegatura dei tie bar 18, vale a dire la distanza D tra il piano del pad 14 e il piano dei lead 12, ? indicato correntemente come ?downset?. The amount for which the die pad 14? recessed with respect to the leads as a result of the bending of the tie bars 18, i.e. the distance D between the plane of the pad 14 and the plane of the leads 12,? currently referred to as? downset ?.
La Figura 5 ? un esempio di una sezione del die pad 14 e dei tie bar 18 lungo il piano V-V della Figura 4. Figure 5? an example of a section of the die pad 14 and tie bars 18 along the V-V plane of Figure 4.
Come apprezzabile meglio nella Figura 5, il die pad 14 pu? avere una larghezza WD che, a causa della presenza dei tie bar 18 con pendenza, pu? essere (apprezzabilmente) minore di una larghezza totale L del leadframe 20. As best appreciated in Figure 5, the die pad 14 can? have a width WD which, due to the presence of the tie bars 18 with slope, can? be (appreciably) less than a total width L of the leadframe 20.
Come rappresentato a titolo di esempio nella Figura 5, per un dato downset D, la larghezza WD del die pad - e cos? la dimensione del die o del chip 30 che pu? essere montato su di esso - difficilmente pu? essere aumentata oltre un certo valore limite: questo porterebbe in definitiva ad aumentare l?angolo ? indicativo di una ripidezza della pendenza dei tie bar 18 a un valore che ? probabile che abbia come risultato un danneggiamento/una rottura di tali parti di metallo sottili. As shown as an example in Figure 5, for a given downset D, the width WD of the die pad - and so on? the size of the die or chip 30 that can? be mounted on it - can hardly? be increased beyond a certain limit value: this would ultimately lead to an increase in the angle? indicative of a steepness of the slope of the tie bars 18 to a value that? likely to result in damage / breakage of such thin metal parts.
Per esempio, nei package PSSO-16XL come fabbricati da STMicroelectronics, l?angolo ? pu? corrispondere a una pendenza (massima) del 55% impartita ai tie bar 18. For example, in PSSO-16XL packages as manufactured by STMicroelectronics, the angle? can correspond to a (maximum) slope of 55% given to the tie bars 18.
La Figura 6 ? un esempio di una vista in sezione trasversale di una configurazione alternativa del die pad 14 e dei tie bar 18 avente come obiettivo di aumentare lo spazio (sostanzialmente, la larghezza WD) disponibile per la superficie del dissipatore/die pad, riducendo potenzialmente un rischio di danneggiamento o perfino di rottura dei tie bar. Figure 6? an example of a cross-sectional view of an alternative configuration of die pad 14 and tie bars 18 aiming to increase the space (substantially, the width WD) available for the surface of the heatsink / die pad, potentially reducing a risk of damage or even breakage of the tie bars.
Una configurazione di un leadframe 20 alternativa come esemplificato nella Figura 6 pu? comprendere un die pad 14 avente uno spessore maggiore dello spessore del die pad 14 come esemplificato nella Figura 5, in modo tale che la superficie superiore del die pad 14 si avvicini maggiormente ali tie bar. Per un valore (approssimativamente) uguale del downset D, pu? essere ottenuto un (leggero) aumento della larghezza WD del die pad e della dimensione del die o del chip 30 montato su di esso, eventualmente con vincoli rilassati sulla larghezza WD del die pad data una dimensione L del package. An alternative leadframe configuration 20 as exemplified in Figure 6 may comprise a die pad 14 having a thickness greater than the thickness of the die pad 14 as exemplified in Figure 5, so that the upper surface of the die pad 14 comes closest to the tie bar. For an (approximately) equal value of the downset D, can? be obtained a (slight) increase in the width WD of the die pad and the size of the die or chip 30 mounted on it, possibly with relaxed constraints on the width WD of the die pad given a package dimension L.
Possono meritare di essere presi in considerazione vari punti relativi a un dispositivo come esemplificato nella Figura 6. Various points relating to a device may be worth considering as exemplified in Figure 6.
Per esempio, la tecnologia di leadframe ?dual gauge? pu? essere pi? costosa in confronto a quella di un leadframe sottile, di spessore singolo. Inoltre, un die pad e un leadframe pi? spessi possono essere pi? sensibili a incrinature della lega per saldatura durante i cicli termici, conducendo eventualmente a una degradazione delle prestazioni del dispositivo a semiconduttore quando assemblati. For example, leadframe technology? Dual gauge? can be more? expensive compared to that of a thin, single thickness leadframe. In addition, a die pad and a leadframe pi? thick they can be more? susceptible to cracks in the solder during thermal cycling, possibly leading to degradation of the performance of the semiconductor device when assembled.
Le Figure 7 e 8 sono rispettivamente una vista in prospettiva e una vista dall?alto di una o pi? forme di attuazione di un leadframe 40 configurato per fornire un die pad esposto perfezionato, per esempio pi? grande, che pu? facilitare l?accoppiamento del leadframe 40 a dispositivi a semiconduttore pi? grandi, come discusso nel seguito. Figures 7 and 8 are respectively a perspective view and a top view of one or more? embodiments of a leadframe 40 configured to provide an improved exposed die pad, e.g. great, what can? facilitate the coupling of the leadframe 40 to semiconductor devices more? large, as discussed below.
Come indicato, la discussione seguente far? riferimento per semplicit? a un singolo leadframe come esemplificato nelle Figure 7 e 8, restando peraltro inteso che uno o pi? degli atti di lavorazione discussi in seguito possono essere effettuati (eventualmente simultaneamente) su leadframe 40 plurimi (ancora) inclusi in tale striscia. As indicated, the following discussion will do? reference for simplicity? to a single leadframe as exemplified in Figures 7 and 8, it being understood, however, that one or more? of the working acts discussed below can be carried out (possibly simultaneously) on multiple leadframes 40 (still) included in said strip.
Qui, di nuovo, un leadframe 40 pu? comprendere un pad 14 (di montaggio) del die avente (almeno) un?area di attacco del die configurata per avere montato (attaccato) su di essa almeno un chip o un die a semiconduttore 30, il cui contorno ? indicato in linee tratteggiate nelle Figure 7 e 8. Here, again, a 40 leadframe can? comprise a die (mounting) pad 14 having (at least) one die attachment area configured to have at least one semiconductor chip or die 30 mounted (attached) thereon, the contour of which is? indicated in dashed lines in Figures 7 and 8.
Per esempio, il chip o il die a semiconduttore 30 pu? essere posto sul die pad 14 e assicurato su di esso usando colla, lega per saldatura o un nastro oppure un qualsiasi altro mezzo tradizionale per gli esperti nel ramo della tecnica a tale scopo. For example, the semiconductor chip or die 30 can? be placed on the die pad 14 and secured thereon using glue, solder or tape or any other conventional means for those skilled in the art for this purpose.
Qui, di nuovo, sar? considerato in seguito per semplicit? soltanto un chip o un die a semiconduttore 30. Here, again, will be? considered later for simplicity? just a chip or a semiconductor die 30.
Come esemplificato nelle Figure 7 e 8, il leadframe 40 ha una porzione (periferica) di contorno esterna sostanzialmente quadrangolare (rettangolare, per esempio) comprendente, per esempio, quattro lati 400, 401, 402, 403, con almeno alcuni di questi lati che portano rispettive schiere di lead 12 allungati che si estendono verso il die pad 14. As exemplified in Figures 7 and 8, the leadframe 40 has a substantially quadrangular (rectangular) outer boundary (peripheral) portion (rectangular, for example) comprising, for example, four sides 400, 401, 402, 403, with at least some of these sides that carry respective arrays of elongated leads 12 which extend towards die pad 14.
Come rappresentato a titolo di esempio nelle Figure 7 e 8, possono essere fornite due schiere di lead 12 che si estendono su due lati opposti 401, 403 della porzione esterna 400, 401, 402, 403 rettangolare del leadframe 40. As shown by way of example in Figures 7 and 8, two lead arrays 12 can be provided which extend on two opposite sides 401, 403 of the outer rectangular portion 400, 401, 402, 403 of the leadframe 40.
Per il resto si apprezzer? che una tale configurazione dei lead 12 ? puramente a titolo di esempio e non ? in alcun modo obbligatoria. Una o pi? forme di attuazione possono essere relative a leadframe 40 (e a dispositivi) che hanno un numero qualsiasi di lead 12 sporgenti da un numero qualsiasi di porzioni opposte o adiacenti del leadframe 40. For the rest it will appreciate? that such a configuration of leads 12? purely as an example and not? in any way mandatory. One or more? Embodiments may relate to leadframe 40 (and to devices) which have any number of leads 12 projecting from any number of opposite or adjacent portions of leadframe 40.
Un leadframe 40 per la realizzazione di un quad flat package o QFP avente i lead 12 che sporgono da quattro lati opposti 400, 401, 402, 403 di una porzione esterna del leadframe 40 pu? essere un esempio di una tale forma di attuazione. A leadframe 40 for making a quad flat package or QFP having leads 12 protruding from four opposite sides 400, 401, 402, 403 of an outer portion of the leadframe 40 can? be an example of such an embodiment.
Come esemplificato nelle Figure 7 e 8, il die pad 14 ha un?area sostanzialmente rettangolare avente quattro lati, con una pluralit? di formazioni a ponte 48 (corte) situate in modo da accoppiare due lati del die pad 14 a due lati opposti 400, 402 della porzione esterna 400, 401, 402, 403 rettangolare del leadframe 40. As exemplified in Figures 7 and 8, the die pad 14 has a substantially rectangular area having four sides, with a plurality of sides. of bridge formations 48 (short) located so as to couple two sides of the die pad 14 with two opposite sides 400, 402 of the rectangular outer portion 400, 401, 402, 403 of the leadframe 40.
Per esempio, possono essere fornite due coppie per un totale di quattro tali formazioni a ponte 48 per sostenere il die pad 14. Come discusso ulteriormente nel seguito, le formazioni 48 possono essere tagliate alla fine di un processo di assemblaggio con rispettivi resti rimasti nel package del dispositivo finale. For example, two pairs for a total of four such bridge formations 48 can be provided to support die pad 14. As further discussed below, formations 48 can be cut at the end of an assembly process with respective remnants remaining in the package. of the final device.
Qui, di nuovo, lo spostamento del die pad 14 a un livello pi? basso rispetto ai lead 12 pu? facilitare il fatto di fornire un pad esposto, come 14 nella Figura 2. Here, again, the shift of die pad 14 to a higher level? low compared to leads 12 pu? facilitate providing an exposed pad, such as 14 in Figure 2.
Come rappresentato a titolo di esempio nelle Figure 7 e 8, un tale risultato pu? essere ottenuto ?spingendo verso il basso? il die pad 14 durante la fabbricazione del leadframe. As shown by way of example in Figures 7 and 8, such a result can? be obtained? pushing down? the die pad 14 during the manufacture of the leadframe.
Come rappresentato a titolo di esempio nelle Figure 7 e 8, in una o pi? forme di attuazione, pu? essere applicata una forza di pressione corrispondente (come esemplificato dalle frecce verso il basso nella Figura 7), al fine di impartire (almeno) a una coppia di lati opposti del leadframe 40 (sono considerati qui come esempio i lati 400, 402) un profilo incassato simile a un canale o simile a un pozzo. As shown by way of example in Figures 7 and 8, in one or more? forms of implementation, can? a corresponding pressure force be applied (as exemplified by the downward arrows in Figure 7), in order to impart (at least) to a pair of opposite sides of the leadframe 40 (sides 400, 402 are considered here as an example) a profile recessed similar to a channel or similar to a well.
Come risultato di un tale profilo impartito a essi (che pu? anche essere indicato come forma a mesa invertita, trapezoide invertito, valle, avvallamento, per esempio), i lati (400, 402, per esempio) del leadframe 40 ai quali ? applicata la pressione comprenderanno: As a result of such a profile imparted to them (which may also be referred to as inverted mesa shape, inverted trapezoid, valley, trough, for example), the sides (400, 402, for example) of the leadframe 40 to which? applied pressure will include:
una porzione piatta, centrale (?downset?) 404a, complanare con il die pad 14 e accoppiata a esso mediante le formazioni a ponte 48 (recidibili), a flat, central (? downset?) portion 404a, coplanar with the die pad 14 and coupled to it by means of the bridge formations 48 (recidable),
due porzioni laterali 404b, con lati (o ?ali?) in pendenza, che si estendono dalla porzione centrale 404a verso gli altri due lati 401, 403 del perimetro o della porzione di contorno del leadframe 40. two side portions 404b, with sloping sides (or? wings?) extending from the central portion 404a towards the other two sides 401, 403 of the perimeter or boundary portion of the leadframe 40.
Come discusso, l?utensile di pressione usato per impartire ai lati 400, 402 il profilo incassato simile a un canale o simile a un pozzo illustrato nelle Figure 7 e 8 pu? essere un qualsiasi tipo di utensile tradizionale usato per sagomare un leadframe. As discussed, the pressing tool used to impart the channel-like or well-like recessed profile shown in FIGS. 7 and 8 to the sides 400, 402 can. be any type of traditional tool used to shape a leadframe.
Una barra di pressione, il cui contorno ? illustrato in linee a trattini in P nella Figura 7 pu? essere un esempio di un tale utensile. A pressure bar, whose contour? illustrated in dashed lines in P in Figure 7 can be an example of such a tool.
In confronto ai tie bar 18 delle Figure 3 e 5, le formazioni a ponte 48 delle Figure 7 e 8: In comparison to the tie bars 18 of Figures 3 and 5, the bridge formations 48 of Figures 7 and 8:
sono sostanzialmente pi? corte, e are substantially more? court, and
non sono sostanzialmente affette dalla pressione P applicata ai lati 400, 402 e manterranno una forma non deformata (per es., planare). they are not substantially affected by the pressure P applied to the sides 400, 402 and will maintain a non-deformed shape (e.g., planar).
In una o pi? forme di attuazione come esemplificato, i lati 400, 402, pressati in una forma concava come discusso in precedenza, formeranno una porzione simile a un canale del leadframe 40 che si estende tra loro, con il die pad 14 che si estende approssimativamente sopra una lunghezza W di detta porzione simile a un canale. In one or more? embodiments as exemplified, the sides 400, 402, pressed into a concave shape as discussed above, will form a channel-like portion of the leadframe 40 extending between them, with the die pad 14 extending approximately over a length W of said channel-like portion.
Un confronto della Figura 8 (e della Figura 7) con le figure quali le Figure 3 e 4 mostra che, in una o pi? forme di attuazione come esemplificato nelle Figure 7 e 8, la lunghezza (o la larghezza) W del die pad 14 pu? essere apprezzabilmente pi? lunga della dimensione WD omologa di dispositivi tradizionali come illustrato nelle Figure 3 e 4. Ci? pu? facilitare il fatto di fornire un?area del dissipatore estesa ulteriormente (o pin supplementari per la connessione a massa). A comparison of Figure 8 (and Figure 7) with figures such as Figures 3 and 4 shows that, in one or more? embodiments as exemplified in Figures 7 and 8, the length (or width) W of the die pad 14 can be appreciably more? long of the homologous WD dimension of traditional devices as illustrated in Figures 3 and 4. There? can facilitate providing further extended heatsink area (or additional pins for grounding).
La Figura 9 ? una vista in prospettiva di un esempio di un prodotto a semiconduttore 100 che pu? essere ottenuto usando un leadframe 40 come qui esemplificato. Figure 9? a perspective view of an example of a semiconductor product 100 which can? be obtained using a leadframe 40 as exemplified herein.
In una o pi? forme di attuazione, il prodotto a semiconduttore 100 pu? comprendere una massa di un materiale per package 52, 54 isolante elettricamente (un composto per stampaggio di resina epossidica o EMC - ?Epoxy Molding Compound?, per esempio) stampato su un leadframe 40 come rappresentato a titolo di esempio nelle Figure 7 e 8 avente (almeno) un chip o un die a semiconduttore 30 montato al die pad 14. In one or more? embodiments, the semiconductor product 100 can? comprise a mass of an electrically insulating package material 52, 54 (an epoxy molding compound or EMC -? Epoxy Molding Compound ?, for example) printed on a leadframe 40 as shown by way of example in Figures 7 and 8 having (at least) one semiconductor chip or die 30 mounted to die pad 14.
Una tale fase o tali fasi di stampaggio pu? essere implementata (possono essere implementate) in una maniera qualsiasi nota agli esperti del settore a tale scopo: mediante una tecnica di stampaggio per compressione o di stampaggio per trasferimento, per esempio. Such a phase or these phases of molding can? be implemented (can be implemented) in any manner known to those skilled in the art for this purpose: by a compression molding or transfer molding technique, for example.
In una o pi? forme di attuazione come esemplificato nella Figura 10, stampare il materiale per package 52, 54 isolante elettricamente pu? comprendere di usare uno stampo dedicato (non visibile individualmente nelle figure) per stampare una prima porzione in alto 52 e una seconda porzione in basso 54 della massa di materiale per package che cooperano nell?incapsulare ermeticamente il chip o il die a semiconduttore 30 montato sul die pad 14 nel lato concavo del leadframe 40. In one or more? embodiments as exemplified in Figure 10, molding the electrically insulating package material 52, 54 can understand to use a dedicated mold (not visible individually in the figures) to print a first portion at the top 52 and a second portion at the bottom 54 of the mass of material for packages that cooperate in hermetically encapsulating the chip or the semiconductor die 30 mounted on the die pad 14 in the concave side of the leadframe 40.
In una o pi? forme di attuazione (e come tradizionale per il resto nella tecnica), il die a semiconduttore 30 pu? avere alla sua superficie anteriore o superiore una pluralit? di die pad accoppiati mediante una configurazione (?pattern?) di wire bonding 60 ai lead 12 nel leadframe 40, con un lato posteriore 14a del die pad 14 esposto alla superficie esterna del package (massa 54) nella parte in basso del lato posteriore del prodotto 100. I lead 12 possono essere provvisti di superfici placcate, per esempio placcate di argento, per facilitare la connessione dei fili di bond 60. In one or more? embodiments (and as traditional for the rest in the art), the semiconductor die 30 pu? to have on its front or upper surface a plurality? of die pads coupled by a wire bonding pattern 60 to leads 12 in leadframe 40, with a backside 14a of die pad 14 exposed to the outer surface of the package (mass 54) at the bottom of the backside of the product 100. The leads 12 may be provided with plated surfaces, for example silver plated, to facilitate the connection of the bond wires 60.
Un confronto della Figura 9 con le Figure 7 e 8 illustra che, in una o pi? forme di attuazione, il materiale per package 52, 54 isolante elettricamente ? stampato (soltanto) sul die pad 14 (avente il chip o il die 30 montato su di esso) e sui lead 12. A comparison of Figure 9 with Figures 7 and 8 illustrates that, in one or more? embodiments, the package material 52, 54 electrically insulating? printed (only) on die pad 14 (having the chip or die 30 mounted on it) and on leads 12.
Le porzioni laterali del leadframe 40 che comprendono il ?downset? o i lati 400, 402 deformati a forma di canale possono cos? essere rimosse recidendo le formazioni a ponte 48 (e altre formazioni simili che sono visibili nelle Figure 7 e 8, non indicate esplicitamente per semplicit?). The lateral portions of the leadframe 40 which comprise the? Downset? or the sides 400, 402 deformed in the shape of a channel can cos? be removed by severing the bridge formations 48 (and other similar formations which are visible in Figures 7 and 8, not explicitly indicated for simplicity).
Gli esperti nella tecnica apprezzeranno per il resto che, in una o pi? forme di attuazione, le porzioni laterali del leadframe 40 che comprendono il ?downset? o i lati 400, 402 deformati a forma di canale possono essere lasciate sul posto per essere incapsulate nel materiale per package 52, 54 isolante elettricamente con la formazione a ponte 48 lasciata non recisa. Those skilled in the art will appreciate the rest that, in one or more? embodiments, the side portions of the leadframe 40 comprising the? downset? or the channel-shaped deformed sides 400, 402 may be left in place to be encapsulated in the electrically insulating package material 52, 54 with the bridge formation 48 left uncut.
In entrambi i casi, il leadframe 40 pu? essere sottoposto eventualmente a una recisione durante una fase di ?singolazione? (?singulation?) di dispositivi 100 plurimi prodotti su una striscia continua di leadframe in una catena. In both cases, the leadframe 40 can? possibly be subjected to a cut during a phase of? singulation? (? singulation?) of multiple 100 devices produced on a continuous strip of leadframe in a chain.
Come indicato, in una o pi? forme di attuazione, la lunghezza (o la larghezza) W del die pad 14 (attraverso le porzioni laterali del leadframe come discusso in precedenza) pu? essere apprezzabilmente pi? lunga della dimensione omologa di dispositivi tradizionali, per es. W>WD, il che pu? facilitare il fatto di fornire un?area del dissipatore estesa ulteriormente. As indicated, in one or more? embodiments, the length (or width) W of the die pad 14 (across the side portions of the leadframe as discussed above) can be appreciably more? long of the homologous size of traditional devices, eg. W> WD, which can? facilitate the fact of providing a further extended heatsink area.
Questo effetto pu? essere migliorato ulteriormente dai residui delle formazioni a ponte 48 risultanti dal fatto che queste porzioni che sono recise sono lasciate sul posto a estremit? opposte del die pad 14 come sporgenze o estensioni complanari della superficie del die pad. Le estremit? distali di tali residui che raggiungono la superficie esterna del materiale per package 54 sono visibili nelle Figure 9 e 10. This effect can? be further improved by the residues of the bridge formations 48 resulting from the fact that these portions which are severed are left in place at the ends. of the die pad 14 as coplanar protrusions or extensions of the die pad surface. The extremities distals of such residues reaching the outer surface of the package material 54 are visible in Figures 9 and 10.
Vantaggiosamente, una soluzione come qui descritta pu? facilitare una maggiore disponibilit? e flessibilit? della distribuzione dello spazio del package rispetto a soluzioni esistenti. In una o pi? forme di attuazione come esemplificato nella Figura 10, il dispositivo a semiconduttore 30 pu? occupare quasi l?intera profondit? D del downset. Advantageously, a solution as described here can? facilitate greater availability? and flexibility? the distribution of the package space with respect to existing solutions. In one or more? embodiments as exemplified in Figure 10, the semiconductor device 30 can occupy almost the entire depth? D of the downset.
In una o pi? forme di attuazione, la larghezza W del die pad 14 pu? essere quasi tanto larga quanto la base del package, fornendo una dissipazione del calore potenzialmente migliorata, specialmente per le applicazioni di elettronica di potenza. In one or more? embodiments, the width W of the die pad 14 can? be nearly as wide as the base of the package, providing potentially improved heat dissipation, especially for power electronics applications.
La Figura 11 ? un esempio di un diagramma di una o pi? forme di attuazione di un procedimento di fabbricazione o di fornitura di un leadframe 40 e/o un prodotto a semiconduttore 100 secondo la presente descrizione. Figure 11? an example of a diagram of one or more? embodiments of a method of manufacturing or supplying a leadframe 40 and / or a semiconductor product 100 according to the present description.
In una o pi? forme di attuazione come rappresentato a titolo di esempio nella Figura 11 un tale procedimento (indicato con 700 nel suo complesso) pu? comprendere: In one or more? embodiments as shown by way of example in Figure 11 such a method (indicated with 700 as a whole) can? comprehend:
blocco 702: fornire un leadframe 40 (metallico, per esempio di rame) comprendente una porzione di contorno 400, 401, 402, 403 (piatta); come indicato, questa pu? avere la forma di una striscia continua comprendente leadframe 40 plurimi in una catena; block 702: providing a leadframe 40 (metallic, e.g. copper) comprising a boundary portion 400, 401, 402, 403 (flat); as indicated, this can? having the form of a continuous strip comprising multiple leadframes 40 in a chain;
blocco 704: applicare (mediante un utensile P, per esempio) una pressione P al leadframe 40 per impartire una forma concava su suoi lati opposti 400, 402 (si vedano le Figure 7 e 8) ?spingendo? quindi il die pad 14 a una profondit? D incassata o con uno spostamento (?offset?) rispetto ai lead 12; block 704: apply (by means of a tool P, for example) a pressure P to the leadframe 40 to impart a concave shape on its opposite sides 400, 402 (see Figures 7 and 8)? pushing? then the die pad 14 to a depth? D recessed or with a shift (? Offset?) With respect to the leads 12;
blocco 706: disporre (attaccare) almeno un chip o un die a semiconduttore 30 su una superficie anteriore (superiore) del die pad 14, vale a dire la superficie del die pad 14 che ? rivolta verso i lead 12; block 706: place (stick) at least one chip or semiconductor die 30 on a front (top) surface of die pad 14, i.e. the surface of die pad 14 which? facing leads 12;
blocco 708: accoppiare elettricamente il die a semiconduttore 30 ai lead 12, per esempio mediante wire bonding 60; e block 708: electrically coupling the semiconductor die 30 to the leads 12, for example by wire bonding 60; And
blocco 710: stampare un materiale per package 52, 54 incapsulante sul leadframe 40 con il die a semiconduttore 30 su di esso, lasciando nel contempo la superficie del die pad 14a esposta all?esterno del volume incapsulato; come discusso, una tale fase di stampaggio pu? essere seguita da una recisione del leadframe 40 nelle porzioni a ponte 48 e/o da una recisione della striscia di leadframe in sezioni individuali per effettuare la ?singolazione? dei prodotti 100 individuali. block 710: printing an encapsulating package material 52, 54 on the leadframe 40 with the semiconductor die 30 thereon, while leaving the surface of the die pad 14a exposed to the outside of the encapsulated volume; as discussed, such a molding step can? be followed by a severing of the leadframe 40 into the bridging portions 48 and / or a severing of the leadframe strip into individual sections to effect the? singulation? of 100 individual products.
In una o pi? forme di attuazione, un tale procedimento pu? comprendere altre fasi o atti come tradizionale nella tecnica (come una sagomatura delle estremit? distali dei lead 12 in una forma ad ?ala di gabbiano? come illustrato nelle Figure 9 e 10). In one or more? forms of implementation, such a procedure can? include other steps or acts as traditional in the art (such as shaping the distal ends of the leads 12 into a gull-wing shape as illustrated in Figures 9 and 10).
Si apprezzer? che la sequenza di fasi o di atti rappresentata a titolo di esempio nella Figura 11 non ? obbligatoria. Per esempio, il fatto di ?spingere? il die pad 14 a una profondit? D incassata o con un offset rispetto ai (alle estremit? prossimali dei) lead 12 (blocco 704) pu? avere luogo dopo la disposizione (l?attacco) del chip o del die a semiconduttore 30 sul die pad 14 (blocco 706). Will it appreciate? that the sequence of phases or acts represented by way of example in Figure 11 does not? mandatory. For example, the fact of? Pushing? the die pad 14 at a depth? D embedded or with an offset with respect to (at the proximal ends of the) leads 12 (block 704) can? take place after the arrangement (attack) of the chip or of the semiconductor die 30 on the die pad 14 (block 706).
La sequenza di fasi o di atti rappresentata a titolo di esempio nella Figura 11 ? peraltro vantaggiosa nella misura in cui il fatto di ?spingere? il die pad 14 a una profondit? D incassata o con un offset rispetto ai lead 12 pu? fornire un articolo intermedio, vale a dire un prodotto atto ad essere prodotto e consegnato per il completamento del processo con le fasi o gli atti rappresentati a titolo di esempio dai blocchi da 706 a 710 (in un luogo differente, per esempio). The sequence of phases or acts represented by way of example in Figure 11? however advantageous to the extent that the fact of? pushing? the die pad 14 at a depth? D recessed or with an offset with respect to the leads 12 can? provide an intermediate item, i.e. a product capable of being produced and delivered for the completion of the process with the steps or acts represented by way of example by blocks 706 to 710 (in a different location, for example).
Una o pi? forme di attuazione possono essere applicate vantaggiosamente ai package a montaggio superficiale, come quelli con package small outline (SOP) che hanno un?area ridotta dal 30% al 50% e uno spessore ridotto del 70% rispetto ai package piatti. One or more? embodiments can be applied advantageously to surface mount packages, such as those with small outline (SOP) packages which have an area reduced from 30% to 50% and a thickness reduced by 70% compared to flat packages.
Esempi di tali package comprendono i package small outline di plastica (in breve, PSOP - ?Plastic Small Outline Package?), i package small-outline sottili (TSOP -?Thin Small-Outline Package?), i package small-outline ristretti (in breve, SSOP - ?Shrink Small-Outline Package?) e i package small outline ristretti sottili (TSSOP - ?Thin-Shrink Small Outline Package?), le configurazioni dual inline cos? come quad flat pack, e possono essere applicati a molti altri package. Examples of such packages include plastic small outline packages (for short, PSOP -? Plastic Small Outline Package?), Thin small-outline packages (TSOP -? Thin Small-Outline Package?), Restricted small-outline packages ( in short, SSOP -? Shrink Small-Outline Package?) and the thin-shrinked small outline packages (TSSOP -? Thin-Shrink Small Outline Package?), the dual inline configurations cos? as quad flat packs, and can be applied to many other packages.
Come qui esemplificato, un procedimento (per esempio, 700) pu? comprendere: As exemplified here, a process (for example, 700) can comprehend:
fornire (per esempio, 702) un leadframe (per esempio, 40) comprendente un corpo laminare planare che comprende un die pad (per esempio, 14) avente un?area di montaggio del die a semiconduttore configurata per avere almeno un die a semiconduttore (per esempio, 30) disposto su di essa, il leadframe comprendendo lead conduttivi elettricamente (per esempio, 12) intorno al die pad cos? come una porzione di contorno poligonale (per esempio, 400, 401, 402, 403) avente almeno una coppia di lati opposti (per esempio, 400, 402) accoppiati (per esempio, 48) al die pad (per esempio, 14) mediante formazioni simili a un ponte (per esempio, 48), provide (e.g., 702) a leadframe (e.g., 40) comprising a planar laminar body comprising a die pad (e.g., 14) having a semiconductor die mounting area configured to have at least one semiconductor die ( for example, 30) arranged thereon, the leadframe comprising electrically conductive leads (for example, 12) around the die pad so? as a polygonal boundary portion (e.g., 400, 401, 402, 403) having at least one pair of opposite sides (e.g., 400, 402) coupled (e.g., 48) to the die pad (e.g., 14) by bridge-like formations (for example, 48),
impartire (per esempio, 704) a detti lati opposti in detta porzione di contorno una forma simile a un canale, in cui al leadframe ? impartita una forma concava con il die pad incassato per una certa profondit? di downset (per esempio, D) rispetto a detta schiera di lead conduttivi elettricamente nel leadframe. imparting (e.g., 704) to said opposite sides in said boundary portion a channel-like shape, wherein the leadframe? imparted a concave shape with the die pad recessed for a certain depth? of downset (e.g., D) with respect to said array of electrically conductive leads in the leadframe.
Un procedimento come qui esemplificato pu? comprendere di lasciare dette formazioni simili a un ponte esenti da deformazione mentre ? impartita detta forma simile a un canale a detti lati opposti in detta porzione di contorno. A procedure as exemplified here can? understand leaving said bridge-like formations free of deformation while? imparted said channel-like shape to said opposite sides in said boundary portion.
Un procedimento come qui esemplificato pu? comprendere di fornire in detti lati opposti in detta porzione di contorno una regione centrale (per esempio, 404a) accoppiata al die pad mediante dette formazioni simili a un ponte e regioni laterali (per esempio, 404b) che si estendono lateralmente a detta regione centrale, in cui, come risultato del fatto di impartire detta forma simile a un canale a detti lati opposti in detta porzione di contorno, detta regione centrale accoppiata al die pad ? incassata per detta certa profondit? di downset rispetto alla schiera di lead conduttivi elettricamente con dette regioni laterali inclinate rispetto a detta regione centrale. A procedure as exemplified here can? comprising providing in said opposite sides in said boundary portion a central region (e.g., 404a) coupled to the die pad by said bridge-like formations and lateral regions (e.g., 404b) extending laterally to said central region, wherein, as a result of imparting said channel-like shape to said opposite sides in said boundary portion, said central region coupled to the die pad? embedded for that certain depth? of downset with respect to the array of electrically conductive leads with said lateral regions inclined with respect to said central region.
Un procedimento come qui esemplificato pu? comprendere di disporre (per esempio, 706) almeno un die a semiconduttore (per esempio, 30) in detta area di montaggio del die a semiconduttore del die pad. A procedure as exemplified here can? comprising disposing (for example, 706) at least one semiconductor die (for example, 30) in said mounting area of the semiconductor die of the die pad.
Un procedimento come qui esemplificato pu? comprendere vantaggiosamente di disporre (per esempio, 706) almeno un die a semiconduttore (per esempio, 30) in detta area di montaggio del die a semiconduttore del die pad dopo aver impartito a detti lati opposti in detta porzione di contorno una forma simile a un canale, in cui l?almeno un die a semiconduttore ? ricevuto nella forma concava del leadframe. A procedure as exemplified here can? advantageously comprising arranging (for example, 706) at least one semiconductor die (for example, 30) in said mounting area of the semiconductor die of the die pad after imparting to said opposite sides in said boundary portion a shape similar to a channel, in which the? at least one semiconductor die? received in the concave form of the leadframe.
Forme di attuazione alternative, non discusse esplicitamente in precedenza, possono prevedere per contro di disporre l?almeno un die a semiconduttore in detta area di montaggio del die a semiconduttore del die pad prima di impartire a detti lati opposti in detta porzione di contorno una forma simile a un canale. Alternative embodiments, not explicitly discussed above, can provide on the other hand to arrange the at least one semiconductor die in said mounting area of the semiconductor die of the die pad before imparting a shape to said opposite sides in said boundary portion. similar to a channel.
Un procedimento come qui esemplificato pu? comprendere di stampare (per esempio, 710) un materiale per package (per esempio, 52, 54) su detto leadframe avente l?almeno un die a semiconduttore disposto in detta area di montaggio del die a semiconduttore del die pad, in cui detto stampare un materiale per package pu? comprendere di lasciare un lato posteriore (per esempio, 14a) del die pad opposto all?almeno un die a semiconduttore scoperto da detto materiale per package, come risultato del fatto che il die pad ? incassato per una certa profondit? di downset (per esempio, D) rispetto a (alle estremit? prossimali di) detta schiera di lead conduttivi elettricamente nel leadframe. A procedure as exemplified here can? comprise printing (e.g., 710) a package material (e.g., 52, 54) on said leadframe having the at least one semiconductor die disposed in said die pad semiconductor die mounting area, wherein said print a material per package can? understand leaving a rear side (e.g., 14a) of the die pad opposite the at least one semiconductor die discovered by said package material, as a result of the die pad being embedded for a certain depth? of downset (e.g., D) with respect to (at the proximal ends of) said array of electrically conductive leads in the leadframe.
Come qui esemplificato, detto stampaggio di un materiale per package pu? comprendere di lasciare almeno una parte di dette formazioni simili a un ponte (per esempio, 48) scoperte da detto materiale per package su detto lato posteriore del die pad. As exemplified herein, said molding of a material for package can? comprising leaving at least a portion of said bridge-like formations (e.g., 48) uncovered by said package material on said back side of the die pad.
Un procedimento come qui esemplificato pu? comprendere di recidere dette formazioni simili a un ponte per separare detto die pad da detta almeno una coppia di lati opposti della porzione di contorno del leadframe avente detta forma simile a un canale impartita a essa. A procedure as exemplified here can? comprising severing said bridge-like formations to separate said die pad from said at least one pair of opposite sides of the leadframe boundary portion having said channel-like shape imparted thereto.
Un procedimento come qui esemplificato si presta a essere implementato come una sequenza (completa) di fasi o di atti come illustrato con riferimento alla Figura 11. A process as exemplified here lends itself to being implemented as a (complete) sequence of steps or acts as illustrated with reference to Figure 11.
Tuttavia, una tale opzione non ? obbligatoria. However, such an option is not? mandatory.
Una o pi? forme di attuazione possono prevedere in effetti di fabbricare (mediante le fasi 702 e 704) una sorta di ?articolo intermedio? sotto forma di un leadframe (per esempio, 40) che pu? comprendere un corpo laminare che comprende un die pad (per esempio, 14) avente un?area di montaggio del die a semiconduttore configurata per avere almeno un die a semiconduttore (per esempio, 30) disposto su di essa e una porzione di contorno poligonale (per esempio, 400, 401, 402, 403) cos? come una schiera di lead conduttivi elettricamente (per esempio, 12) intorno al die pad, la porzione di contorno poligonale avendo almeno una coppia di lati opposti (per esempio, 400, 402) a forma di canale (si veda per esempio, 404a, 404b) accoppiati al die pad mediante formazioni simili a un ponte (per esempio, 48, complanari con il die pad), in cui il leadframe ha una forma concava con il die pad incassato per una certa profondit? di downset (per esempio, D) rispetto a detta schiera di lead conduttivi elettricamente nel leadframe (per esempio, rispetto alle estremit? prossimali dei lead conduttivi elettricamente, cio? le estremit? dei lead conduttivi elettricamente 12 che sono rivolte verso il die pad 14). One or more? embodiments may actually involve manufacturing (through steps 702 and 704) some sort of? intermediate article? in the form of a leadframe (for example, 40) that can? comprise a laminar body that includes a die pad (e.g., 14) having a semiconductor die mounting area configured to have at least one semiconductor die (e.g., 30) disposed thereon and a polygonal boundary portion ( for example, 400, 401, 402, 403) what? as an array of electrically conductive leads (e.g., 12) around the die pad, the polygonal boundary portion having at least one pair of opposite sides (e.g., 400, 402) in the shape of a channel (see e.g. 404a, 404b) coupled to the die pad by bridge-like formations (for example, 48, coplanar with the die pad), in which the leadframe has a concave shape with the die pad recessed for a certain depth? of downset (e.g., D) with respect to said array of electrically conductive leads in the leadframe (e.g., with respect to the proximal ends of the electrically conductive leads, i.e., the ends of the electrically conductive leads 12 which face the die pad 14 ).
In un tale leadframe come qui esemplificato, dette formazioni simili a un ponte (per esempio, 48) possono essere (sostanzialmente) complanari con detto die pad. In such a leadframe as exemplified herein, said bridge-like formations (e.g., 48) can be (substantially) coplanar with said die pad.
In un tale leadframe come qui esemplificato, detti lati opposti in detta porzione di contorno possono comprendere una regione centrale (per esempio, 404a) accoppiata al die pad (14) mediante dette formazioni simili a un ponte e regioni laterali (per esempio, 404b) che si estendono lateralmente a detta regione centrale, in cui detta regione centrale accoppiata al die pad ? incassata per detta certa profondit? di downset rispetto a detta schiera di lead conduttivi elettricamente con dette regioni laterali inclinate rispetto a detta regione centrale. In such a leadframe as exemplified herein, said opposite sides in said boundary portion may comprise a central region (e.g., 404a) coupled to the die pad (14) by said bridge-like formations and side regions (e.g., 404b) extending laterally to said central region, wherein said central region coupled to the die pad? embedded for that certain depth? of downset with respect to said array of electrically conductive leads with said lateral regions inclined with respect to said central region.
Un tale leadframe come qui esemplificato pu? comprendere un die pad quadrangolare e una porzione di contorno quadrangolare intorno a un die pad quadrangolare, la porzione di contorno quadrangolare comprendendo una prima coppia di lati opposti a forma di canale accoppiati al die pad mediante formazioni simili a un ponte e una seconda coppia di lati opposti (a un tale leadframe come qui esemplificato, 401, 403) con due insiemi di lead conduttivi elettricamente in detta seconda coppia di lati opposti. Such a leadframe as exemplified here can? comprising a quadrangular die pad and a quadrangular contour portion around a quadrangular die pad, the quadrangular contour portion comprising a first pair of opposite channel-shaped sides coupled to the die pad by bridge-like formations and a second pair of sides opposite (to such a leadframe as exemplified here, 401, 403) with two sets of electrically conductive leads in said second pair of opposite sides.
Come alternativa alle forme di attuazione illustrate nella Figura 11, un procedimento di fabbricazione di un prodotto a semiconduttore (per esempio, 100) come qui esemplificato, pu? comprendere (eventualmente come sequenza delle fasi da 706 a 710 effettuate in un differente momento e/o luogo rispetto alla fornitura di un leadframe come discusso precedentemente ? mediante le fasi 702, 704, per esempio): As an alternative to the embodiments illustrated in Figure 11, a manufacturing process of a semiconductor product (e.g., 100) as exemplified herein, can understand (possibly as a sequence of steps 706 to 710 carried out at a different time and / or place with respect to the supply of a leadframe as previously discussed? through steps 702, 704, for example):
disporre almeno un die a semiconduttore (per esempio, 30) in detta area di montaggio del die a semiconduttore del die pad in un leadframe (per esempio, 40) come discusso precedentemente, in cui l?almeno un die a semiconduttore (30) ? ricevuto nella forma concava del leadframe, disposing at least one semiconductor die (e.g., 30) in said die pad semiconductor die mounting area in a leadframe (e.g., 40) as discussed above, wherein the at least one semiconductor die (30)? received in the concave form of the leadframe,
stampare un materiale per package (per esempio, 52, 54) su detto leadframe avente l?almeno un die a semiconduttore disposto in detta area di montaggio del die a semiconduttore del die pad, printing a package material (e.g., 52, 54) on said leadframe having the at least one semiconductor die disposed in said die pad semiconductor die mounting area,
recidere dette formazioni simili a un ponte (per esempio, 48) in detto leadframe per separare detto die pad da detta almeno una coppia di lati opposti della porzione di contorno del leadframe avente detta forma simile a un canale impartita a essa. severing said bridge-like formations (e.g., 48) in said leadframe to separate said die pad from said at least one pair of opposite sides of the leadframe boundary portion having said channel-like shape imparted thereto.
In un procedimento di fabbricazione di un prodotto a semiconduttore come qui esemplificato, come risultato del fatto che dette formazioni simili a un ponte sono recise, la porzione di contorno del leadframe avente detta forma simile a un canale impartita a essa pu? essere rimossa a condizione che tale porzione di contorno non possa pi? effettuare funzioni utili nel prodotto a semiconduttore finale. In a process of manufacturing a semiconductor product as exemplified herein, as a result of said bridge-like formations being severed, the boundary portion of the leadframe having said channel-like shape imparted thereto can be removed. be removed on condition that this portion of the outline can no longer? perform useful functions in the final semiconductor product.
Un procedimento come qui esemplificato pu? comprendere di stampare (per esempio, 710) detto materiale per package lasciando scoperto un lato posteriore (per esempio, 14a) del die pad opposto all?almeno un die a semiconduttore. A procedure as exemplified here can? comprising printing (for example, 710) said package material leaving a back side (for example, 14a) of the die pad uncovered opposite to the at least one semiconductor die.
Pu? cos? risultare un prodotto a semiconduttore come qui esemplificato, comprendente: Pu? cos? result as a semiconductor product as exemplified herein, comprising:
un leadframe comprendente un corpo laminare che comprende un die pad avente un?area di montaggio del die a semiconduttore avente almeno un die a semiconduttore disposto su di essa cos? come una schiera di lead conduttivi elettricamente intorno al die pad (14), in cui il die pad (14) ? incassato per una certa profondit? di downset (D) rispetto a (alle estremit? prossimali di) detta schiera di lead conduttivi elettricamente nel leadframe, un materiale per package stampato su detto leadframe avente l?almeno un die a semiconduttore disposto in detta area di montaggio del die a semiconduttore del die pad, in cui detto materiale per package lascia scoperto un lato posteriore (per esempio, 14a) del die pad opposto all?almeno un die a semiconduttore, detto die pad avendo sporgenze (o estensioni, risultanti dalla recisione della formazione 48) complanari laterali, lasciate scoperte da detto materiale per package sul lato posteriore (ad es., 14a) del die pad. a leadframe comprising a laminar body comprising a die pad having a semiconductor die mounting area having at least one semiconductor die disposed thereon thereby as an array of electrically conductive leads around the die pad (14), where the die pad (14)? embedded for a certain depth? of downset (D) with respect to (at the proximal ends of) said electrically conductive lead array in the leadframe, a package material printed on said leadframe having the at least one semiconductor die disposed in said semiconductor die mounting area of the die pad, in which said package material leaves uncovered a rear side (for example, 14a) of the die pad opposite to at least one semiconductor die, said die pad having lateral coplanar protrusions (or extensions, resulting from the cutting of formation 48) , left uncovered by said package material on the rear side (e.g., 14a) of the die pad.
A tale riguardo, si apprezzer? che, tralasciando qualsiasi altro punto, il fatto di recidere tie bar (in pendenza) tradizionali, come 18 nelle Figure 3 e 4, avr? inevitabilmente come risultato sporgenze o estensioni laterali del die pad similmente pendenti o inclinate rispetto a esso (e cos? non complanari con esso). In this regard, it will be appreciated? that, leaving out any other point, the fact of cutting traditional (sloping) tie bars, such as 18 in Figures 3 and 4, will have? inevitably as a result lateral protrusions or extensions of the die pad are similarly sloping or inclined with respect to it (and thus not coplanar with it).
Si comprender? similmente che le varie opzioni di implementazione individuali rappresentate a titolo di esempio in tutte le figure che accompagnano questa descrizione non intendono necessariamente essere adottate nelle stesse combinazioni rappresentate a titolo di esempio nelle figure. Una o pi? forme di attuazione possono cos? adottare queste opzioni (peraltro non obbligatorie) individualmente e/o in combinazioni differenti rispetto alla combinazione esemplificata nelle figure annesse. Will you understand? likewise that the various individual implementation options represented by way of example in all the figures accompanying this description are not necessarily intended to be adopted in the same combinations represented by way of example in the figures. One or more? forms of implementation can cos? adopt these options (however not mandatory) individually and / or in different combinations with respect to the combination exemplified in the attached figures.
Fermi restando i principi di fondo, i dettagli e le forme di attuazione possono variare, anche in modo apprezzabile, rispetto a quanto ? stato descritto, puramente a titolo di esempio, senza uscire dall?ambito di protezione. L?ambito di protezione ? definito dalle rivendicazioni annesse. Without prejudice to the basic principles, can the details and forms of implementation vary, even appreciably, with respect to what? been described, purely by way of example, without leaving the scope of protection. The scope of protection? defined by the appended claims.
Claims (15)
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139954A (en) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Lead frame and resin-sealed semiconductor device using same |
| US5834691A (en) * | 1995-01-19 | 1998-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Lead frame, its use in the fabrication of resin-encapsulated semiconductor device |
| US20130119526A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor device |
-
2020
- 2020-03-18 IT IT102020000005767A patent/IT202000005767A1/en unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139954A (en) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Lead frame and resin-sealed semiconductor device using same |
| US5834691A (en) * | 1995-01-19 | 1998-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Lead frame, its use in the fabrication of resin-encapsulated semiconductor device |
| US20130119526A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor device |
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